KR100211754B1 - Asynchronous memory control circuit - Google Patents

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Abstract

가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야:서로 다른 리드/라이트 클럭 타이밍을 갖는 비동기 메모리 제어회로에 관한 것이다.end. FIELD OF THE INVENTION The invention described in the claims relates to an asynchronous memory control circuit having different read / write clock timings.

나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제:라이트클럭과 리드클럭의 비동기에 기인하여 발생되는 글리치클럭을 제거하여 비동기 메모리의 액세스타임을 단축시킬 수 있는 비동기 메모리 제어회로를 제공함에 있다.I. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an asynchronous memory control circuit that can reduce access time of an asynchronous memory by eliminating the glitch clock caused by the asynchronous of the light clock and the read clock.

다. 그 발명의 해결방법의 요지:비동기 메모리 제어회로에 있어서, 라이트인에이블신호의 논리레벨에 따라 입력되는 리드/라이트 어드레스중 하나를 상기 비동기 메모리로 선택출력하는 제1멀티플렉서와, 라이트인에이블신호와 리드인에이블신호의 논리조합에 따라 입력되는 리드클럭과 라이트클럭중 하나를 상기 비동기 메모리로 선택출력하여 리드/라이트동작을 제어하고 상기 라이트인에이블신호와 리드인에이블신호가 모두 비활성상태일때 일정한 레벨의 클럭을 상기 비동기 메모리로 출력하도록 일정레벨의 제3신호 입력단을 가지는 제2멀티플렉서로 구성함을 특징으로 한다.All. SUMMARY OF THE INVENTION A synchronous memory control circuit comprising: a first multiplexer for selectively outputting one of read / write addresses input according to a logic level of a write enable signal to the asynchronous memory, a write enable signal, The read / write operation is controlled by selectively outputting one of the read clock and the write clock input to the asynchronous memory according to the logical combination of the read enable signal, and a constant level when both the write enable signal and the read enable signal are inactive. And a second multiplexer having a third signal input terminal having a predetermined level so as to output the clock to the asynchronous memory.

라. 발명의 중요한 용도:LCD 모니터용 XGA 컨버터에 사용할 수 있다.la. Important use of the invention: It can be used for XGA converter for LCD monitor.

Description

비동기 메모리 제어회로Asynchronous Memory Control Circuit

본 발명은 LCD 모니터용 XGA 컨버터에 관한 것으로, 특히 XGA 컨버터 내부의 리드/라이트 비동기 메모리를 제어하기 위한 회로에 관한 것이다.The present invention relates to an XGA converter for an LCD monitor, and more particularly to a circuit for controlling read / write asynchronous memory inside the XGA converter.

일반적으로 노트 북 PC에 많이 사용되는 LCD판넬을 데스크탑용 퍼스널컴퓨터의 모니터로 사용하기 위해서는 해상도의 향상이 필요하다. 즉 VGA(해상도;640×1.6=1024)신호나 SVGA(해상도;800×1.25=1000)신호를 XGA(해상도;1024×768)신호로 변환할 필요가 있다. 비디오신호에서 수평성분의 변환은 샘플링 데이타수를 늘리므로서 가능하고(VGA;640×1.6=1024, SVGA;800×1.25=1000), 수직성분의 변환은 라인확장 알고리즘을 사용함으로서 가능하다. 즉, VGA의 수직 라인수(480라인)를 XGA의 수직 라인수(768라인)로 늘리기 위해서는 5라인을 8라인으로 변환하는 알고리즘을 사용하고, SVGA의 수직 라인수(600라인)를 XGA의 수직 라인수(768라인)만큼 늘리기 위해서는 4라인을 5라인으로 늘리는 알고리즘이 필요하다. 이러한 알고리즘을 실시하기 위해 XGA 컨버터에서는 메모리가 요구된다.In order to use LCD panels, which are commonly used in notebook PCs, as monitors for desktop personal computers, the resolution needs to be improved. That is, it is necessary to convert a VGA (resolution; 640 x 1.6 = 1024) signal or an SVGA (resolution; 800 x 1.25 = 1000) signal into an XGA (resolution; 1024 x 768) signal. Horizontal component conversion in the video signal is possible by increasing the number of sampling data (VGA; 640 × 1.6 = 1024, SVGA; 800 × 1.25 = 1000), and vertical component conversion is possible by using a line extension algorithm. In other words, in order to increase the number of vertical lines (480 lines) of VGA to the number of vertical lines (768 lines) of XGA, an algorithm for converting 5 lines to 8 lines is used, and the number of vertical lines of SVGA (600 lines) is vertical to XGA. To increase the number of lines (768 lines), an algorithm is needed to increase 4 lines to 5 lines. Memory is required in the XGA converter to implement this algorithm.

VGA의 수직라인이 XGA의 수직라인으로 변환되기 위해서는 메모리에 5라인을 라이트하고 동일시간에 8라인을 리드해야 하므로 리드클럭(RCK)이 라이트클럭(WCK)의 1.6배가 되는 비동기가 된다. 한편 SVGA의 수직라인이 XGA의 수직라인으로 변환되기 위해서는 메모리에 4라인을 라이트하고 동일시간에 5라인을 리드해야 하므로 리드클럭(RCK)이 라이트클럭(WCK) 보다 1.25배가 빠른 비동기가 된다. 즉 XGA 컨버터에서 사용되는 메모리는 라인 메모리(SRAM)로서 클럭포트(Clock Port)가 하나이므로 서로 다른 속도의 라이트클럭(WCK)과 리드클럭(RCK) 때문에 글리치(glitch)클럭이 발생하게 된다.In order to convert the vertical line of the VGA into the vertical line of the XGA, 5 lines must be written to the memory and 8 lines are read at the same time, so that the read clock RCK becomes 1.6 times that of the write clock WCK. On the other hand, in order to convert the vertical line of the SVGA into the vertical line of the XGA, it is necessary to write four lines to the memory and read five lines at the same time, so that the read clock (RCK) becomes 1.25 times faster than the write clock (WCK). That is, since the memory used in the XGA converter has one clock port as a line memory (SRAM), a glitch clock occurs because of the light clock WCK and the read clock RCK of different speeds.

이하 도 1과 도 2를 참조하여 상기 글리치클럭의 발생과정 및 그로 인한 라인 메모리 제어동작의 에러발생과정을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a process of generating the glitch clock and an error generating process of the line memory control operation will be described with reference to FIGS. 1 and 2 as follows.

도 1은 종래 XGA 컨버터 내부에 구비된 라인 메모리를 액세스하기 위한 리드클럭(RCK)과 라이트클럭(WCK)의 비동기 타이밍을 설명하기 위한 블럭도를 도시한 것이며, 도 2는 도 1의 구성에 따른 각 클럭의 타이밍도를 도시한 것이다. 일반적으로 LCD 모니터용 XGA 컨버터에는 도 1에 도시된 바와 같이 3개의 라인 메모리가 존재한다. 그 이유는 비디오신호 처리계에서 비디오신호는 통상 R, G, B로 분리되어 처리되며 리드와 라이트동작의 중복을 막기 위해 각 R,G,B신호의 수직라인확장에 별개의 라인메모리가 요구되기 때문이다. 도 1을 참조하면 각 라인메모리(20A,20B,20C)의 클럭단(CK)은 라이트클럭(WCK)과 리드클럭(RCK)을 2입력으로 하는 MUX(10A,10B,10C)의 출력단(Y)과 접속되어 있으며, 상기 MUX(10A,10B,10C)들은 각각 선택단자 S로 입력되는 WE(Write Enable)/

Figure kpo00001
(Read Enable Bar)신호에 따라 입력클럭중 하나를 라인메모리로 출력한다. 예를들어 도 2에 도시된 바와 같은 타이밍주기를 갖는 클럭(WCK, RCK)과 WE/
Figure kpo00002
신호가 도 1에 도시된 MUX(10A)에 입력되면 상기 MUX(10A)의 출력단 Y로부터는 도 2에 도시된 클럭(CK)이 발생되어 라인메모리(20A)의 클럭단으로 입력되게 된다. 이러한 경우 상기 클럭(CK)에는 라이트동작에서 리드동작(혹은 리드동작에서 라이트동작)으로 전환되는 시점에서 양 클럭(WCK,RCK)의 비동기에 기인된 글리치클럭(D)이 발생되게 된다. 따라서 종래 XGA 컨버터에서는 라인메모리 액세스시 양 클럭(WCK,RCK)의 비동기에 기인하여 발생된 글리치클럭(D)에 의해 라인메모리(20A)를 액세스하기 위한 시간이 지연되는 문제점이 있었다.FIG. 1 is a block diagram illustrating an asynchronous timing of a read clock RCK and a write clock WCK for accessing a line memory provided in a conventional XGA converter, and FIG. 2 is a diagram illustrating the configuration of FIG. A timing diagram of each clock is shown. In general, three line memories exist in the XGA converter for an LCD monitor as shown in FIG. The reason is that the video signal is processed into R, G, and B in the video signal processing system, and a separate line memory is required for vertical line expansion of each R, G, and B signal to prevent duplication of read and write operations. Because. Referring to FIG. 1, the clock terminal CK of each of the line memories 20A, 20B, and 20C has an output terminal Y of the MUXs 10A, 10B, and 10C having two inputs of the light clock WCK and the read clock RCK. ), And the MUXs 10A, 10B, and 10C are each WE (Write Enable) /
Figure kpo00001
Outputs one of the input clocks to the line memory according to the (Read Enable Bar) signal. For example, the clocks WCK and RCK and WE / having a timing period as shown in FIG.
Figure kpo00002
When the signal is input to the MUX 10A shown in FIG. 1, the clock CK shown in FIG. 2 is generated from the output terminal Y of the MUX 10A and input to the clock terminal of the line memory 20A. In this case, the clock CK generates a glitch clock D due to the asynchronous of both clocks WCK and RCK at the time of switching from the write operation to the read operation (or the write operation from the read operation). Therefore, in the conventional XGA converter, there is a problem in that the time for accessing the line memory 20A is delayed by the glitch clock D generated due to the asynchronous of both clocks WCK and RCK when the line memory is accessed.

따라서 본 발명의 목적은 라이트클럭과 리드클럭의 비동기에 기인하여 발생되는 글리치클럭을 제거하여 비동기 메모리의 액세스타임을 단축시킬 수 있는 비동기 메모리 제어회로를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an asynchronous memory control circuit capable of shortening the access time of an asynchronous memory by removing the glitch clock caused by the asynchronous of the light clock and the read clock.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 다수개의 라인메모리를 구비하는 LCD 모니터용 XGA 컨버터에 있어서,The present invention for achieving the above object in the LCD monitor XGA converter having a plurality of line memories,

라이트인에이블신호의 논리레벨에 따라 입력되는 리드/라이트 어드레스중 하나를 상기 각각의 라인메모리로 선택출력하는 제1멀티플렉서들과,First multiplexers for selectively outputting one of the read / write addresses input according to the logic level of the write enable signal to the respective line memories;

라이트인에이블신호와 리드인에이블신호의 논리조합에 따라 입력되는 리드클럭과 라이트클럭중 하나를 상기 각각의 라인메모리로 선택출력하여 리드/라이트동작을 제어하고 상기 라이트인에이블신호와 리드인에이블신호가 모두 비활성상태일때 일정한 레벨의 클럭을 상기 각각의 라인메모리로 출력하도록 일정레벨의 제3신호 입력단을 가지는 제2멀티플렉서들로 구성함을 특징으로 한다.According to the logical combination of the write enable signal and the read enable signal, one of the input read clock and the write clock is output to the respective line memories to control read / write operations, and the write enable signal and the read enable signal are controlled. Is composed of second multiplexers having a third signal input terminal of a predetermined level to output a predetermined level of clock to each of the line memories when all of them are inactive.

도 1은 종래 XGA 컨버터 내부에 구비된 라인 메모리를 액세스하기 위한 리드클럭(RCK)과 라이트클럭(WCK)의 비동기 타이밍을 설명하기 위한 블럭도.1 is a block diagram illustrating asynchronous timing of a read clock RCK and a write clock WCK for accessing a line memory provided in a conventional XGA converter.

도 2는 도 1의 구성에 따른 각 클럭의 타이밍도.2 is a timing diagram of each clock according to the configuration of FIG. 1;

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 비동기 메모리 제어회로도.3 is an asynchronous memory control circuit diagram according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도3의 구성에 따른 각 클럭(CK) 및 어드레스(AD) 타이밍도.4 is a timing diagram of each clock CK and address AD according to the configuration of FIG.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 동작을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an operation according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 비동기 메모리 제어회로도를 도시한 것이며, 도 4는 도3의 구성에 따른 각 클럭(CK) 및 어드레스(AD) 타이밍도를 도시한 것이다. 우선 도 3을 참조하면, R,G,B신호의 수직라인확장을 위해 LCD 모니터용 XGA 컨버터에 존재하는 라인메모리(50A,50B,50C)의 어드레스입력단(AD) 각각은 9비트의 라이트어드레스(RAD)와 리드어드레스(RAD)을 2입력으로 하는 MUX(30A,30B,30C)의 출력단(Y)과 접속되어 있으며, 상기 MUX(30A,30B,30C)들은 각각 인버터(INV2,INV4,INV6)를 통해 선택단자 S로 입력되는 WEB(Write Enable Bar)신호에 따라 입력어드레스중중 하나를 라인메모리(50A,50B,50C)로 출력한다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이 리드어드레스(RAD)와 라이트어드레스(WAD)를 입력으로 하는 MUX(30A,30B,30C)들은 WE이 액티브되었을때만 라이트어드레스(WAD)를 출력하고 그 이외에는 리드어드레스(RAD)를 출력한다. 한편 상기 라인메모리(50A,50B,50C)의 클럭단(CK) 각각은 리드클럭(RCK)과 라이트클럭(WCK) 및 하이레벨을 3개의 입력으로 하는 MUX(40A,40B,40C)의 출력단(Y)과 접속되어 있으며, 상기 MUX(40A,40B,40C)들은 각각 인버터(INV1∼INV6)를 통해 선택단자 S0,S1으로 입력되는 REB(Read Enable Bar), WEB(Write Enable Bar)신호의 논리조합에 따라 입력 클럭(RCK,WCK)중 하나를 라인메모리(50A,50B,50C)로 출력한다. 즉, 상기 MUX(40A,40B,40C)들은 WE이 액티브되었을때 라이트클럭(WCK)을, RE이 액티브되었을때 리드클럭(RCK)을 각각 출력하며 그 이외의 경우에는 하이레벨을 라인메모리(50A,50B,50C) 클럭으로 출력한다.FIG. 3 illustrates an asynchronous memory control circuit diagram according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 illustrates timing diagrams of respective clocks CK and AD according to the configuration of FIG. 3. First, referring to FIG. 3, each of the address input terminals AD of the line memories 50A, 50B, and 50C present in the XGA converter for LCD monitors for vertical line expansion of the R, G, and B signals has a 9-bit write address ( It is connected to the output terminal Y of the MUXs 30A, 30B, and 30C having two inputs of RAD) and the lead address RAD, and the MUXs 30A, 30B, and 30C are respectively inverters INV2, INV4, and INV6. One of the input addresses is output to the line memories 50A, 50B, and 50C according to the WEB (Write Enable Bar) signal input to the selection terminal S through. That is, as shown in FIG. 3, the MUXs 30A, 30B, and 30C that input the read address RAD and the write address WAD output the write address WAD only when WE is activated, and otherwise, the read address WAD. Outputs (RAD). On the other hand, the clock stages CK of the line memories 50A, 50B, and 50C each have an output terminal of the MUX 40A, 40B, 40C having three inputs of a read clock RCK, a light clock WCK, and a high level. Y), and the MUXs 40A, 40B, and 40C are logic of REB (Read Enable Bar) and WEB (Write Enable Bar) signals input to the selection terminals S0 and S1 through the inverters INV1 to INV6, respectively. Depending on the combination, one of the input clocks RCK, WCK is output to the line memories 50A, 50B, 50C. That is, the MUXs 40A, 40B, and 40C output the light clock WCK when WE is activated and the read clock RCK when RE is activated. Otherwise, the MUX 40A, 40B, 40C outputs a high level line memory 50A. , 50B, 50C) Output as a clock.

이하 도 4를 참조하여 도 3의 구성을 갖는 비동기 메모리 제어회로의 동작을 설명하면, 우선 도 4에서 WCK와 RCK는 각각 MUX(30A,30B,30C)로 입력되는 라이트클럭과 리드클럭을 나타낸다. 만약 라인메모리0(50A), 라인메모리1(50B), 라인메모리2(50C)에 순차적으로 데이타를 라이트하기 위해 WEB가 4에 도시된 바와 같은 타이밍주기로 액티브된다면 MUX(30A,30B,30C)들 각각은 WEB가 액티브되었을때만 라이트어드레스(WAD)를 출력하고 그 이외에는 리드어드레스(RAD)를 출력한다. 그리고 라인메모리1(50B), 라인메모리2(50c), 라인메모리0(50a)로부터 데이타를 순차적으로 리드하기 위해 REB가 도 4에 도시된 바와 같은 타이밍주기로 액티브된다면 MUX(40A,40B,40C)들 각각은 WEB가 액티브되었을때 라이트클럭(WCK)을, REB가 액티브되었을때 리드클럭(RCK)을 각각 출력하며 그 이외의 경우에는 하이레벨을 라인메모리(50A,50B,50C) 클럭으로 출력하게 된다. 따라서 라이트/리드동작이 수행되지 않는 라인메모리(50A,50B,50C)에서는 입력클럭(CK0,CK1,CK2)이 하이레벨로 유지됨을 알 수 있으며, 라이트/ 리드동작 전환시점에서 글리치클럭이 발생되지 않는 관계로 라인메모리 액세스타임의 지연을 방지할 수 있다.Hereinafter, referring to FIG. 4, the operation of the asynchronous memory control circuit having the configuration of FIG. 3 will be described. First, in FIG. 4, the WCK and the RCK represent light clocks and lead clocks input to the MUXs 30A, 30B, and 30C, respectively. MUX 30A, 30B, 30C if the WEB is active with a timing cycle as shown in 4 to sequentially write data to line memory 0 (50A), line memory 1 (50B), and line memory 2 (50C). Each outputs a write address WAD only when WEB is active, and outputs a read address RAD otherwise. MUX 40A, 40B, 40C if the REB is active at a timing cycle as shown in FIG. 4 to sequentially read data from line memory 1 50B, line memory 2 50c, and line memory 0 50a. Each of them outputs a light clock (WCK) when WEB is active and a read clock (RCK) when REB is active. Otherwise, it outputs a high level to the line memory (50A, 50B, 50C) clock. do. Therefore, it can be seen that the input clocks CK0, CK1, and CK2 are maintained at the high level in the line memories 50A, 50B, and 50C where the write / read operation is not performed. Glitch clocks are not generated when the write / read operation is switched. Therefore, the delay of the line memory access time can be prevented.

상술한 바와 같이 본 발명은 LCD 모니터용 XGA 컨버터의 비동기 메모리를 제어함에 있어서 라이트클러과 리드클럭의 타이밍 차에 기인하여 발생되는 글리치클럭을 제거함으로서 비동기 메모리의 액세스타임을 단축시키는 동시에 정확한 리드/라이트동작을 수행할 수 있는 잇점이 있다.As described above, the present invention eliminates the glitch clock caused by the timing difference between the light clock and the read clock in controlling the asynchronous memory of the LCD monitor XGA converter, thereby reducing the access time of the asynchronous memory and at the same time correcting read / write operations. There is an advantage to doing this.

Claims (3)

비동기 메모리 제어회로에 있어서,In the asynchronous memory control circuit, 라이트인에이블신호의 논리레벨에 따라 입력되는 리드/라이트 어드레스중 하나를 상기 비동기 메모리로 선택출력하는 제1멀티플렉서와,A first multiplexer for selectively outputting one of the read / write addresses input according to the logic level of the write enable signal to the asynchronous memory; 라이트인에이블신호와 리드인에이블신호의 논리조합에 따라 입력되는 리드클럭과 라이트클럭중 하나를 상기 비동기 메모리로 선택출력하여 리드/라이트동작을 제어하고 상기 라이트인에이블신호와 리드인에이블신호가 모두 비활성상태일때 일정한 레벨의 클럭을 상기 비동기 메모리로 출력하도록 일정레벨의 제3신호 입력단을 가지는 제2멀티플렉서로 구성함을 특징으로 하는 비동기 메모리 제어회로.According to the logical combination of the write enable signal and the read enable signal, one of the input read clock and the write clock is output to the asynchronous memory to control read / write operations, and both the write enable signal and the read enable signal are both And a second multiplexer having a third signal input terminal of a predetermined level to output a predetermined level of clock to the asynchronous memory when inactive. 제1항에 있어서, 상기 비동기 메모리는 라인메모리임을 특징으로 하는 비동기 메모리 제어회로.The asynchronous memory control circuit of claim 1, wherein the asynchronous memory is a line memory. 다수개의 라인메모리를 구비하는 LCD 모니터용 XGA 컨버터에 있어서,In the XGA converter for LCD monitor having a plurality of line memory, 라이트인에이블신호의 논리레벨에 따라 입력되는 리드/라이트 어드레스중 하나를 상기 각각의 라인메모리로 선택출력하는 제1멀티플렉서들과,First multiplexers for selectively outputting one of the read / write addresses input according to the logic level of the write enable signal to the respective line memories; 라이트인에이블신호와 리드인에이블신호의 논리조합에 따라 입력되는 리드클럭과 라이트클럭중 하나를 상기 각각의 라인메모리로 선택출력하여 리드/라이트동작을 제어하고 상기 라이트인에이블신호와 리드인에이블신호가 모두 비활성상태일때 일정한 레벨의 클럭을 상기 각각의 라인메모리로 출력하도록 일정레벨의 제3신호 입력단을 가지는 제2멀티플렉서들로 구성함을 특징으로 하는 비동기 메모리 제어회로.According to the logical combination of the write enable signal and the read enable signal, one of the input read clock and the write clock is output to the respective line memories to control read / write operations, and the write enable signal and the read enable signal are controlled. And a plurality of second multiplexers having a third signal input terminal of a predetermined level to output a predetermined level of clock to each of the line memories when all are inactive.
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