KR100211639B1 - Semiconductor manufacture system and its control method - Google Patents
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Abstract
공정챔버의 내부를 고진공상태로 설정하기 위한 저온펌프의 재생동작 전후 공정을 자동화시키는 저온펌프의 재생동작 자동수행 반도체 제조시스템 및 그의 제어방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing system for automatically performing a regeneration operation of a low temperature pump for automating a process before and after a regeneration operation for a low temperature pump for setting the inside of a process chamber to a high vacuum state, and a control method thereof.
본 발명에 따른 저온펌프의 재생동작 자동수행 반도체 제조시스템 및 그의 제어방법은, 진공상태 또는 온도를 조절하는 저온펌프 및 히터가 설치된 공정챔버를 포함하며, 히터와 공정챔버에 별도로 냉각수를 공급 및 순환 배출토록 냉각수라인이 구성된 반도체 제조시스템에서 상기 재생동작 후 공정챔버를 베이킹시킬 때 잔류가스 및 수분의 양을 확인하여 베이킹 시간을 자동 제어하기 위한 신호를 공정챔버로 출력하도록 하는 잔류가스 분석기를 포함하여 구성되고, 히터가 턴오프되어 소정 온도 이하로 내려가면 저온펌프의 재생동작을 자동 수행하는 자동 재생동작 단계 및 재생동작이 완료되면 자동으로 공정챔버 내부상태를 자동 복귀시키는 자동 복귀단계로 구분 동작됨을 특징으로 한다.A semiconductor manufacturing system and a control method for automatically performing a regeneration operation of a low temperature pump according to the present invention include a low temperature pump for controlling a vacuum state or temperature and a process chamber in which a heater is installed, and supplying and circulating cooling water to the heater and the process chamber separately. Including a residual gas analyzer to check the amount of residual gas and moisture when baking the process chamber after the regeneration operation in the semiconductor manufacturing system configured the cooling water line to discharge the output signal to the process chamber to automatically control the baking time; It is configured to be divided into an automatic regeneration operation step of automatically performing the regeneration operation of the low temperature pump when the heater is turned off and lowered below a predetermined temperature, and an automatic regeneration step of automatically resetting the internal state of the process chamber automatically when the regeneration operation is completed. It features.
본 발명에 의하면, 저온펌프의 재생동작이 자동으로 수행되므로 그에 따른 인력낭비와 시간소모를 최소화할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, since the regeneration operation of the low temperature pump is automatically performed, there is an effect of minimizing the waste of manpower and time.
Description
본 발명은 반도체장치 제조시스템 및 그의 제어방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공정챔버의 내부를 고진공상태로 설정하기 위한 저온펌프(Cryogenic Pump)의 재생(Regeneration)동작 전후공정을 자동화시키는 저온펌프의 재생동작 자동수행 반도체 제조시스템 및 그의 제어방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing system and a control method thereof, and more particularly, to a process for automating a process before and after a regeneration operation of a cryogenic pump for setting the inside of a process chamber to a high vacuum state. The present invention relates to a semiconductor manufacturing system and a control method thereof.
통상, 반도체 제조시스템은 제조도는 반도체장치에 대한 불순물에 의한 영향을 최소화하기 위하여 공정챔버를 고진공상태로 설정할 수 있도록 진공펌프를 포함하여 구성되어 있다.In general, the semiconductor manufacturing system includes a vacuum pump so that the manufacturing process can set the process chamber to a high vacuum state in order to minimize the influence of impurities on the semiconductor device.
공정챔버 내부의 진공도는 반도체장치를 제조하는 여러 요소 중 가장 중요한 요소로 인식되고 있으며, 특히 최근 반도체장치가 고집적화되어 갈수록 그 중요도는 높아지고 있다.The degree of vacuum inside the process chamber is recognized as the most important factor among various factors for manufacturing a semiconductor device, and in particular, the importance of the semiconductor device is becoming more and more important recently.
반도체장치를 제조하는 공정챔버를 진공상태로 만들어주기 위한 진공방법으로는 두 가지 원리가 사용되는데, 첫째로는 공정챔버에서 물리적으로 기체를 공정챔버 밖으로 배출하는 방법으로서, 그 일예는 기계식 펌프 및 확산 펌프이며, 둘째로는 기체분자들을 배출하지 않고 공정챔버와 연결된 용기의 내부 표면의 한 부분에서 응축 또는 포획하는 방법으로서 저온(Cryogenic), 저온흡수(Cryosorption), 승화(Sublimation) 펌프 등이 그 예이다. 이중 기계식, 확산 및 이온 펌프가 많이 사용되고 있다.Two methods are used to vacuum the process chamber for manufacturing a semiconductor device. First, a method of physically discharging gas out of the process chamber in the process chamber, for example, a mechanical pump and a diffusion Pumps; and secondly, cryogenic, cryosorption, sublimation pumps, etc., which condense or capture a portion of the interior surface of the vessel connected to the process chamber without releasing gas molecules. to be. Dual mechanical, diffusion and ion pumps are widely used.
특히, 공정챔버 내부를 고진공 상태로 설정하기 위해서는 확산펌프(Diffusion Pump) 또는 저온펌프(Cryogenic Pump)가 많이 이용되며, 저온펌프가 구성된 예가 제1도에 나타나 있다.In particular, in order to set the inside of the process chamber to a high vacuum state, a diffusion pump or a cryogenic pump is frequently used, and an example in which a low temperature pump is configured is shown in FIG. 1.
저온펌프(10)는 밸브(12)를 통하여 공정챔버(14)에 구성되어서 진공을 위하여 내부의 가스성분을 제거하며, 공정챔버(14)의 내부에는 히터(16)가 내부 온도를 가변시키도록 구성되어 있다.The low temperature pump 10 is configured in the process chamber 14 through the valve 12 to remove gas components therein for vacuum, and the heater 16 inside the process chamber 14 to vary the internal temperature. Consists of.
그리고 공정챔버(14)와 히터(16)로는 공정챔버(14)의 냉각을 위하여 냉각수(Cooling Water)가 공급 및 순환되어 배출되도록 각각 냉각수라인(18)이 설치되어 있다.In addition, a cooling water line 18 is installed in the process chamber 14 and the heater 16 so that cooling water is supplied, circulated, and discharged to cool the process chamber 14.
전술한 바와 같이 구성된 종래의 반도체 제조시스템은 구성된 저온펌프의 특성상 일정한 주기마다 재생동작을 반복적으로 수행시켜야 했다.The conventional semiconductor manufacturing system configured as described above had to repeatedly perform a regeneration operation at regular intervals due to the characteristics of the configured low temperature pump.
저온펌프(10)의 재생동작은 먼저 히터(16)의 가동을 멈추고 공정챔버(14) 내의 온도를 확인하여 내부 온도를 약 100℃ 정도 이하로 냉각시킨 후, 작업자가 수작업으로 조작함에 따라 수행된다. 그리고, 저온펌프의 재생동작이 완료되면 작업자가 다시 수작업으로 공정챔버를 일정시간 베이킹(Baking)시켜서 복구작업을 수행하여야 한다.The regeneration operation of the low temperature pump 10 is first performed by stopping the operation of the heater 16, checking the temperature in the process chamber 14, cooling the internal temperature to about 100 ° C. or lower, and then operating by a worker by hand. . Then, when the regeneration operation of the low temperature pump is completed, the operator must manually perform the recovery operation by baking the process chamber for a predetermined time.
종래의 저온펌프(10)를 이용한 반도체 제조시스템에서 저온펌프의 재생동작은 자동화되어 있으나, 약 3시간 이상 소요되는 재생동작 전후에 수행될 순차적인 작업들이 반복적인 작업자의 수작업에 의하여 수행된다. 그러므로 작업의 효율성이 저하되며, 불필요한 인력 및 시간이 낭비되는 문제점이 있다.In the semiconductor manufacturing system using the conventional low temperature pump 10, the regeneration operation of the low temperature pump is automated, but the sequential operations to be performed before and after the regeneration operation, which takes about 3 hours or more, are performed by manual labor of a repetitive worker. Therefore, the efficiency of the work is lowered, there is a problem that unnecessary manpower and time is wasted.
그리고, 종래의 저온펌프(10)를 이용한 반도체 제조시스템에는 재생동작이 수행되는 중에 공정챔버(14)의 내벽 및 히터(16)로 냉각수가 계속 공급되기 때문에 공정챔버(14) 내부에 잔존하는 수분(H2O) 및 기타 가스성분이 냉각된 부분에 흡착된다. 그러므로, 종래에는 저온펌프(10)의 재생동작 후 공정챔버(14) 내부의 흡착된 수분 및 기타 가스성분을 제거하기 위한 베이킹에 많은 시간을 필요로 한다. 결국 저온 흡착된 성분을 펌핑하기 위하여 소요되는 베이킹 시간만큼 반도체 제조시스템의 작업 가능시간이 즐어들게 되고, 그에 따라서 생산성이 저하되는 문제점이 있다.In the conventional semiconductor manufacturing system using the low temperature pump 10, the coolant is continuously supplied to the inner wall of the process chamber 14 and the heater 16 while the regeneration operation is performed. (H 2 O) and other gas components are adsorbed on the cooled part. Therefore, conventionally, a large amount of time is required for baking to remove the adsorbed moisture and other gas components in the process chamber 14 after the regeneration operation of the low temperature pump 10. As a result, the working time of the semiconductor manufacturing system is enjoyed as much as the baking time required to pump the low temperature adsorbed components, and thus there is a problem in that productivity is lowered.
본 발명자는 전술한 종래의 문제점을 해결하고자 연구한 결과, 본 발명을 착안하게 되었다.The present inventors have made an effort to solve the above-mentioned problems.
본 발명의 목적은, 저온펌프의 재생동작 전후에 이루어지는 공정챔버 확인 동작과 복귀동작을 자동으로 수행시키기 위한 저온펌프의 재생동작 자동수행 반도체 제조시스템을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing system for automatically performing a regeneration operation of a low-temperature pump for automatically performing a process chamber checking operation and a return operation performed before and after the regeneration operation of the low temperature pump.
본 발명의 다른 목적은, 저온펌프의 재생동작 전후에 이루어지는 공정챔버 체크동작과 복귀동작을 자동으로 수행시키기 위한 저온펌프의 재생동작 자동수행 반도체 제조시스템의 제어방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a control method of a semiconductor manufacturing system for automatically performing a regeneration operation of a low temperature pump for automatically performing a process chamber check operation and a return operation performed before and after a regeneration operation of a low temperature pump.
제1도는 종래의 저온펌프를 이용한 반도체 제조시스템을 개략적으로 나타내는 구성도이다.1 is a configuration diagram schematically showing a semiconductor manufacturing system using a conventional low temperature pump.
제2도는 본 발명에 따른 저온펌프의 재생동작을 자동수행 반도체 제조시스템의 실시예를 나타내는 개략적으로 구성도이다.2 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a semiconductor manufacturing system for automatically performing a regeneration operation of a low temperature pump according to the present invention.
제3도는 본 발명에 따른 저온펌프의 재생동작 자동수행 반도체 제조시스템의 제어방법을 나타내는 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a control method of a semiconductor manufacturing system for automatically performing a regeneration operation of a low temperature pump according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10 : 저온펌프 12, 20, 22 : 밸브10: low temperature pump 12, 20, 22: valve
14 : 공정챔버 16 : 히터14 process chamber 16 heater
18 : 냉각수라인 24 : 잔류가스 분석기18: cooling water line 24: residual gas analyzer
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 저온펌프의 재생동작 자동수행 반도체 제조시스템은, 반도체장치 제조를 위하여 공정챔버의 내부를 진공상태로 형성하는 저온펌프와 온도를 조절하는 히터를 구비한 공정챔버와, 상기 히터와 공정챔버에 설치되어 냉각수가 공급 순환되도록 하는 냉각수 라인을 가지며, 상기 공정챔버의 내부를 고진공상태로 유지할 수 있도록 저온펌프가 주기적으로 재생동작을 수행하도록 된 반도체 제조시스템에 있어서 재생동작 후 공정챔버 내부를 베이킹시킬 때 공정챔버 내의 잔류가스 및 수분의 양을 확인하여 베이킹 시간을 결정하는 잔류가스 분석수단 및 냉각수의 흐름을 조절할 수 있도록 냉각수라인에 설치되어 잔류가스 분석수단의 제어하에 베이킹 시간에 대응되게 개폐되는 제1, 제2밸브로 구성됨을 특징으로 한다.A semiconductor manufacturing system for automatically performing a regeneration operation of a low temperature pump according to the present invention for achieving the above object includes a process chamber having a low temperature pump for forming a vacuum inside the process chamber and a temperature controlling heater for manufacturing a semiconductor device. And a cooling water line installed in the heater and the process chamber to allow the cooling water to be circulated, and the regeneration of the semiconductor manufacturing system in which the low temperature pump periodically performs the regeneration operation to maintain the inside of the process chamber in a high vacuum state. When baking the inside of the process chamber after operation, it checks the amount of residual gas and moisture in the process chamber and is installed in the cooling water line to control the flow of the cooling water and the residual gas analysis means to determine the baking time under the control of the residual gas analysis means. It is characterized by consisting of the first and second valve opening and closing corresponding to the baking time The.
상기 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 저온펌프의 재생동작 자동수행 반도체 제조시스템의 제어방법은, 내부의 진공상태 또는 온도를 조절하는 저온펌프 및 히터가 설치된 반도체장치를 제조하는 공정 챔버를 포함하며, 상기 공정챔버 내부의 수분 및 잔류가스량을 확인하여 상기 공정챔버의 베이킹 시간을 제어하는 잔류가스 분석기가 연결되고, 상기 히터와 상기 공정챔버에 제1 및 제2밸브의 단속에 의하여 냉각수를 공급순환 배출토록 냉각수라인이 구성된 반도체 제조시스템의 제어방법에 있어서, 상기 히터가 턴오프되어 소정 온도 이하로 내려가면 상기 저온펌프의 재생동작을 자동 수행하는 자동 재생동작 단계 및 상기 재생동작이 완료되면 자동으로 상기 공정챔버 내부상태를 자동 복귀시키는 자동 복귀 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of controlling a semiconductor manufacturing system for automatically performing a regeneration operation of a low temperature pump, including: manufacturing a semiconductor device having a low temperature pump and a heater configured to control an internal vacuum state or temperature; Residual gas analyzer for controlling the baking time of the process chamber by confirming the amount of moisture and residual gas in the process chamber inside the chamber, and the heater and the process chamber by the interruption of the first and second valves A control method of a semiconductor manufacturing system having a cooling water line configured to supply and discharge cooling water, the method comprising: an automatic regeneration operation step of automatically performing a regeneration operation of the low temperature pump when the heater is turned off and lowered below a predetermined temperature; And an automatic return step of automatically returning the internal state of the process chamber when completed. Characterized in that configured.
그리고, 상기 자동 재생동작 단계에서 상기 공정챔버의 내부가 소정 온도 이하로 내려가면 상기 제1 및 제2밸브를 자동으로 닫고, 상기 자동 복귀 단계가 완료되면 차폐된 상기 제1 및 제2밸브를 자동으로 열도록 동작됨이 바람직하다.The first and second valves are automatically closed when the inside of the process chamber is lower than a predetermined temperature in the automatic regeneration operation step. When the automatic return step is completed, the first and second shielded valves are automatically closed. It is preferable to operate to open.
그리고 상기 자동 복귀 단계는 상기 공정챔버 내부의 진공도가 일정치 이하로 낮아지도록 베이킹을 수행할 수 있으며, 상기 베이킹은 공정챔버가 대략 1E-7 Torr 이하의 공정챔버가 진공값을 갖도록 수행될 수 있다.The automatic return step may be performed such that the vacuum in the process chamber is lowered to a predetermined value or less, and the baking may be performed such that the process chamber has a vacuum value of about 1E-7 Torr or less. .
또한, 상기 자동 복귀 단계에서 상기 잔류가스 분석기로 상기 공정챔버 내부의 수분 및 잔류가스량을 확인하여 베이킹 시간을 조절함이 바람직하다.In addition, in the automatic return step, it is preferable to adjust the baking time by checking the moisture and residual gas amount inside the process chamber with the residual gas analyzer.
이하, 본 발명에 따른 저온펌프의 재생동작 자동수행 반도체 제조시스템 및 그의 제어방법의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of a semiconductor manufacturing system and a control method for automatically performing a regeneration operation of a low-temperature pump according to the present invention will be described in detail.
제2도를 참조하면, 공정수행을 위한 진공상태가 설정되도록 저온펌프(10)가 밸브(12)를 통하여 공정챔버(14) 내부의 가스성분을 제거하도록 장착되어 있고, 공정챔버(14)의내부에는 히터(16)가 내부 온도를 가변시키도록 구성되어 있다.Referring to FIG. 2, the low temperature pump 10 is mounted to remove the gaseous components in the process chamber 14 through the valve 12 so that the vacuum state for the process performance is set. Inside, the heater 16 is comprised so that an internal temperature may be changed.
그리고, 공정챔버(14)와 히터(16)로는 냉각을 위하여 냉각수(Cooling Water)가 공급 및 순환되어 배출되도록 각각 냉각수라인(18)이 설치되어 있으며, 냉각수가 공급(입력)되는 라인과 공정챔버(14) 또는 히터(16)로부터 순환 배출(출력)되는 라인 상에는 밸브(20)(22)가 설치되어 있다.In addition, the process chamber 14 and the heater 16 are each provided with a cooling water line 18 so that cooling water is supplied, circulated, and discharged for cooling, and a line and a process chamber to which cooling water is supplied (input). Valves 20 and 22 are provided on the line circulated and discharged (output) from the 14 or the heater 16.
그리고, 공정챔버(14)에는 재생동작이 수행될 때 내부 수분 또는 잔존 가스의 양을 확인하여 베이킹 시간을 제어하기 위하여 잔류가스 분석기(Residual Gas Analyzer)가 제어신호를 입력하도록 구성되어 있다.In addition, the process chamber 14 is configured to input a control signal to the residual gas analyzer to control the baking time by checking the amount of internal moisture or residual gas when the regeneration operation is performed.
즉, 잔류가스 분석기(24)는 재생동작 후 공정챔버 내부를 베이킹시킬 때 공정챔버 내의 잔류가스 및 수분의 양을 확인하여 베이킹 시간을 결정하도록 구성되어 있고, 잔류가스 분석기(24)의 제어하에 베이킹 시간에 대응되게 개폐되는 제1, 제2밸브(20)(22)가 냉각수의 흐름을 조절할 수 있도록 냉각수라인(18)에 설치되어 있다.That is, the residual gas analyzer 24 is configured to determine the baking time by checking the amount of residual gas and moisture in the process chamber when baking the inside of the process chamber after the regeneration operation, and baking under the control of the residual gas analyzer 24. The first and second valves 20 and 22, which are opened and closed in correspondence with time, are installed in the coolant line 18 to control the flow of the coolant.
전술한 제2도와 같이 구성된 본 발명의 실시예의 작용 및 효과를 제3도를 참조하여 설명한다.The operation and effect of the embodiment of the present invention configured as shown in FIG. 2 will be described with reference to FIG.
저온펌프(10)는 반도체장치를 제조하기 위한 공정챔버(14) 내부가 일정치 이하의 진공상태로 설정될 수 있도록 펌핑동작을 하며, 저온펌프(10)의 펌핑동작은 밸브(12)의 개폐동작과 연관되어 이루어진다. 그리고, 저온펌프(10)는 특성상 주기적으로 재생동작을 수행하여야 한다.The low temperature pump 10 performs a pumping operation so that the inside of the process chamber 14 for manufacturing a semiconductor device can be set to a vacuum below a predetermined value, and the pumping operation of the low temperature pump 10 opens and closes the valve 12. It is done in association with the action. In addition, the low temperature pump 10 should perform a regeneration operation periodically.
저온펌프(10)의 재생동작은 공정챔버(14) 내부 온도가 저온인 상태에서 이루어지므로 먼저 단계 S10에서 작업자의 재생모드설정에 따라 자동으로 히터(16)가 턴오프되어서 가동이 중지되고, 히터(16)의 가동이 중지되면 공정수행을 위하여 가열된 공정챔버(14) 및 히터(16)가 냉각수라인(18)으로 공급되는 냉각수에 의하여 냉각된다.Since the regeneration operation of the low temperature pump 10 is performed in a state where the temperature inside the process chamber 14 is low, the heater 16 is automatically turned off in operation S10 according to the regeneration mode setting of the operator in step S10. When the operation of 16 is stopped, the heated process chamber 14 and the heater 16 are cooled by the coolant supplied to the coolant line 18 to perform the process.
히터(16)의 냉각정도를 확인하여 단계 S12에서 현재 히터(16)의 온도가 100℃이하로 냉각되지 않았으면(N) 단계 S14를 수행하여 일정시간 대기후 단계 S12를 재수행하고, 단계 S12에서 현재 히터(16)의 온도가 100℃ 이하로 냉각된 것으로 판단되면(Y) 단계 S16가 수행되어서 냉각수를 공급 및 배출하는 밸브(20)(22)가 닫힌다.If the temperature of the heater 16 is not cooled below 100 ° C. in step S12 by checking the degree of cooling of the heater 16, perform step S14 to perform step S12 again after waiting for a predetermined time, and then, in step S12, If it is determined that the temperature of the current heater 16 is cooled below 100 ° C. (Y), step S16 is performed to close the valves 20 and 22 for supplying and discharging the cooling water.
이는 계속 냉각수를 공정챔버(14) 및 히터(16)로 공급하면 고온펌프(10)의 재생동작 중에 수분 및 잔류가스에 대한 펌핑동작이 수행되지 않으므로 공정챔버(14)의 냉각에 따라 내부의 수분 및 잔류 가스가 냉각된 공정챔버 내벽에 흡착되므로 흡착된 수분 및 잔류가스를 제거하기 위한 베이킹 시간이 장시간 더 소요되기 때문에 이를 방지하기 위한 것이다.This is because when the cooling water is continuously supplied to the process chamber 14 and the heater 16, the pumping operation for moisture and residual gas is not performed during the regeneration operation of the high temperature pump 10. And since the residual gas is adsorbed on the inner wall of the cooled process chamber, the baking time for removing the adsorbed moisture and residual gas is further required for a long time to prevent this.
냉각수를 공급 및 배출하는 냉각수라인(18)의 밸브(20)(22)를 닫은 것이 확인되면 단계 S18에서 저온펌프(10)의 재생동작이 자동으로 수행된다.When it is confirmed that the valves 20 and 22 of the cooling water line 18 for supplying and discharging the cooling water are closed, the regeneration operation of the low temperature pump 10 is automatically performed in step S18.
저온펌프(10)의 재생동작은 단계 S20의 확인동작에 의하여 공정챔버(14)의 내부 진공상태가 일정값을 가질 수 있도록 반복 수행되고, 단계 S18 및 단계 S20의 재생동작이 완료되면 단계 S22에서 공정챔버(14) 내부의 진공 값을 확인한 후 단계 S24에서 공정챔버(14) 내부의 진공값이 1E-5 Torr인가 확인한다.The regeneration operation of the low temperature pump 10 is repeatedly performed so that the internal vacuum state of the process chamber 14 may have a constant value by the checking operation of step S20. When the regeneration operation of steps S18 and S20 is completed, in step S22 After checking the vacuum value inside the process chamber 14, it is checked in step S24 whether the vacuum value inside the process chamber 14 is 1E-5 Torr.
공정챔버(14) 내부의 진공값에 대한 허용오차는 제작자의 의도에 따라서 임의로 설정될 수 있으며 만약 단계 S24에서 확인된 공정챔버(14) 내부의 진공값이 1E-5 Torr를 기준으로 설정된 허용오차를 벗어나면(N) 단계 S26를 수행하여 저온펌프(10)의 동작이상으로 판단하여 이상 처리하고, 작업자는 저온펌프(10)를 점검하여야 한다.The tolerance for the vacuum value inside the process chamber 14 may be arbitrarily set according to the manufacturer's intention. If the vacuum value inside the process chamber 14 identified in step S24 is set based on 1E-5 Torr, If out of step (N) by performing step S26 to determine the abnormal operation of the low-temperature pump 10, the operator must check the low-temperature pump (10).
단계 S24에서 진공값이 1E-5 Torr를 기준으로 한 허용오차 범위 내이면(Y) 단계 S28를 수행하여 반도체 제조공정을 수행할 수 있는 진공도로 공정챔버(14) 내부 상태를 복귀시키도록 공정챔버 베이킹을 위하여 베이킹랭크(도시되지 않음)를 턴온시킨다. 이에 따라서 공정챔버(14)의 베이킹이 시작되며 베이킹은 공정챔버(14) 내부의 진공값이 1E-7 Torr정도의 고진공상태가 될 때까지 수행된다.If the vacuum value is within the tolerance range based on 1E-5 Torr (Y) in step S24 (Y), the process chamber may be returned to the process chamber 14 to return to the vacuum chamber to perform the semiconductor manufacturing process by performing step S28. Turn on the baking rank (not shown) for baking. Accordingly, baking of the process chamber 14 is started, and baking is performed until the vacuum value inside the process chamber 14 reaches a high vacuum of about 1E-7 Torr.
베이킹 수행 중에 단계 S30에서 잔류가스 분석기(24)를 턴온시키고 단계 S32를 수행하여 베이킹되는 공정챔버(14) 내부의 수분량 및 잔류 가스의 양을 확인한다. 단계 S32에서 확인된 공정챔버(14) 내부의 진공값이 1E-7 Torr보다 크면(N) 공정수행을 위한 진공상태가 아니므로 단계 S34를 수행하여 일정시간 공정챔버(14)를 더 베이킹한 후 단계 S30를 재수행한다.During the baking operation, the residual gas analyzer 24 is turned on in step S30 and step S32 is performed to check the amount of moisture and the amount of residual gas inside the process chamber 14 to be baked. If the vacuum value in the process chamber 14 confirmed in step S32 is greater than 1E-7 Torr (N), the process is not in a vacuum state for performing the process, and thus, after the process chamber 14 is further baked for a predetermined time, the process chamber 14 is further baked. Step S30 is repeated.
만약, 단계 S32에서 공정챔버(14) 내부의 진공값이 1E-7 Torr보다 낮은 것으로 확인되면(Y) 단계 S36을 수행하여 베이킹램프를 턴오프하여 베이킹을 종료하고, 베이킹 종료에 따라서 단계 S38이 수행되어 냉각수밸브(20)(22)가 열리고 단계 S40에서 잔류가스 분석기(24)가 턴오프된다.If it is confirmed in step S32 that the vacuum value inside the process chamber 14 is lower than 1E-7 Torr (Y), step S36 is performed to turn off the baking lamp to terminate baking, and step S38 is performed according to the end of baking. The cooling water valve 20, 22 is opened and the residual gas analyzer 24 is turned off in step S40.
그러므로 자동으로 저온펌프(10) 재생동작 전의 공정챔버(14) 및 히터(16)의 상태확인, 재생동작 및 공정챔버(14) 내부 복귀동작이 자동화되어 순차적으로 수행된다.Therefore, the automatic check of the state of the process chamber 14 and the heater 16 before the regeneration operation of the low temperature pump 10, the regeneration operation, and the internal recovery operation of the process chamber 14 are performed automatically and sequentially.
따라서, 작업자는 저온펌프를 재생시키는 동작이 자동화되어 진행되므로 작업설정이 손쉬워지고 이에 따라서 시간과 인력이 절감될 수 있다.Therefore, since the operation of regenerating the low temperature pump is automated, the operator can easily set up the work, thereby saving time and manpower.
그리고, 재생동작 중에 공정챔버 내로 냉각수가 공급되지 않으므로 수분이 흡착되는 것이 방지되어 베이킹 소요시간이 줄어들 수 있고, 공정챔버 내부의 잔류가스를 분석하여 베이킹시간을 자동 제어할 수 있어서 베이킹에 소요되는 시간과 인력을 절감할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the cooling water is not supplied into the process chamber during the regeneration operation, moisture is prevented from adsorbing, and thus the baking time may be reduced, and the baking time may be automatically controlled by analyzing the residual gas in the process chamber. It has the effect of reducing labor and manpower.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950051456A KR100211639B1 (en) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | Semiconductor manufacture system and its control method |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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| KR100211639B1 true KR100211639B1 (en) | 1999-08-02 |
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ID=19441057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019950051456A KR100211639B1 (en) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | Semiconductor manufacture system and its control method |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100744268B1 (en) | 2005-12-28 | 2007-07-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Vaccum pump of semiconductor equpiment |
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-
1995
- 1995-12-18 KR KR1019950051456A patent/KR100211639B1/en not_active IP Right Cessation
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