KR100207374B1 - Fabrication method for lightpath modulation device used in optical projection system - Google Patents
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Abstract
본 발명은 투사형 화상표시장치의 광로조절장치(500)의 제조방법에 관한 것으로, 종래의 광로조절장치의 제조과정 중 열처리를 수행하고 나서 희생층을 제거하는 것과는 달리 본 발명에서는 희생층을 제거하고 나서 급속 열처리를 수행하여 광로조절장치(500)를 제조한다. 따라서, 본 발명은 종래의 제조과정에 발생하는 힐록의 문제점과 희생층의 재질 및 두께에 대한 제약을 해결할 수 있어, 희생층의 재질의 선택이 다양하고 희생층의 제거에도 용이한 잇점이 있다.The present invention relates to a manufacturing method of the optical path control device 500 of the projection image display device, unlike the sacrificial layer to remove the sacrificial layer in the present invention, the heat treatment is performed during the manufacturing process of the conventional optical path control device Then, the optical path control apparatus 500 is manufactured by performing rapid heat treatment. Accordingly, the present invention can solve the problems of Hillock and the limitations on the material and the thickness of the sacrificial layer, which occur in the conventional manufacturing process, there are various selection of the material of the sacrificial layer and has the advantage of easy removal of the sacrificial layer.
Description
제1도는 종래의 일반적인 광로조절장치의 구조를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional general optical path control device.
제2도는 본 발명의 실시예의 제조과정을 수행한 투사형 화상표시장치의 광로조절장치의 구조를 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view showing the structure of an optical path control apparatus of a projection type image display apparatus which has been subjected to a manufacturing process of an embodiment of the present invention.
제3도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 광로조절장치의 제조과정을 도시한 단면도.Figure 3 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the optical path control apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
100 : 광로조절장치 200 : 구동기판100: optical path control device 200: driving substrate
300 : 지지부 350 : 플러그300: support 350: plug
400 : 희생층 500 : 액츄에이터400: sacrificial layer 500: actuator
520 : 멤브레인 540 : 하부전극520 membrane 540 lower electrode
560 : 변형부 600 : 거울560: deformation portion 600: mirror
본 발명의 투사형 화상표시장치에 이용되는 광로조절장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 간단하고 안정된 공간을 이용하여 양산성이 있고 신뢰성이 높은 광로조절장치의 제조방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing an optical path control apparatus used for the projection type image display apparatus of the present invention, and more particularly, to a method for manufacturing a mass path production apparatus with high productivity and reliability using a simple and stable space.
화상표시장치는 표시방법에 따라, 직시형 화상표시장치와 투사형 화상표시장치로 구분된다.An image display apparatus is classified into a direct view type image display apparatus and a projection type image display apparatus according to a display method.
직시형 화상표시장치는 CRT(Cathode Ray Tube)등이 있는데, 이러한 CRT 화상표시장치는 화질은 좋으나 화면이 커짐에 따라 중량 및 두께의 증가와, 가격이 비싸지는 등의 문제점이 있어 대화면을 구비하는데 한계가 있다.The direct view type image display device includes a CRT (Cathode Ray Tube), but the CRT image display device has good image quality but has a problem such as an increase in weight and thickness as the screen is enlarged, and a price is expensive. There is.
투사형 화상표시장치는 대화면 액정표시장치(Liquid Crystal Display:이하 LCD라 칭함)등이 있는데, 이러한 대화면 LCD의 박형화가 가능하여 중량을 작게 할 수 있다. 그러나, 이러한 LCD는 편광판에 의한 광 손실이 크고 LCD를 구동하기 위한 박막 트랜지스터가 화소마다 형성되어 있어 개구율(광의 투과면적)을 높이는데 한계가 있으므로 광의 효율이 매우 낮다.Projection type image display apparatuses include a large crystal display (hereinafter referred to as an LCD), and such a large screen LCD can be thinned to reduce the weight. However, such an LCD has a high light loss due to a polarizing plate, and thin film transistors for driving the LCD are formed for each pixel, so that there is a limit in increasing the aperture ratio (light transmission area).
이러한, LCD의 단점을 보완하고자 압전 또는 전왜 세라믹을 이용하여 액추에이티드 미러 어레이(Actuated Mirror Arrays:이하 AMA라 칭함)를 채용한 투사형 화상표시장치가 개발되었다.In order to make up for the drawbacks of LCDs, projection type image display apparatuses employing Actuated Mirror Arrays (hereinafter referred to as AMAs) using piezoelectric or electrostrictive ceramics have been developed.
AMA를 채용한 투사형 화상표시장치는 광원에서 발광된 적색, 녹색, 청색의 광속(light beam)등으로 분리한 후, 이 광속들을 액츄에이터들의 변형에 의해 기울어지는 반사경들에 각각 반사시켜 광로(light path)들을 조절하고, 이 광속들의 광량을 조절하여 화면으로 투사시킴으로써 화상을 나타낸다. AMA는 구동방식에 따라 M×1개인 1차원 AMA와 M×N개인 2차원 AMA로 구분된다. 상기에서 액츄에이터는 압전물질이나 전왜물질로 이루어지는 변형부와 전극들을 포함하여 전계발생시 상부에 있는 거울을 기울어지게 한다.A projection image display device employing an AMA is divided into red, green, and blue light beams emitted from a light source, and then reflects these light beams to reflectors that are inclined by the deformation of actuators. ), And adjust the amount of light of these luminous fluxes to project on the screen. The AMA is classified into a one-dimensional AMA having M × 1 and a two-dimensional AMA having M × N according to the driving method. The actuator includes a deformable part and electrodes formed of a piezoelectric material or an electrostrictive material to tilt the mirror on the upper side when an electric field is generated.
한편, 힐록(hillock)은 금속이 금속박막의 표면으로부터 돌출한 것을 말한다. 이것은 압축응력(compressive stress)하에서 결정입계 확산에 의하여 일어난다. 힐록은 박막 제조 공정중 온도의 변화가 있을 때 성장될 수도 있다. 예를 들어, 금속박막을 열처리할 때, 각 금속박막층의 열팽창계수가 크게 다른 경우이거나 혹은 각 금속박막층의 융점(melting point) 차이에 의해 힐록이 발생된다.On the other hand, hillock means that the metal protrudes from the surface of the metal thin film. This is caused by grain boundary diffusion under compressive stress. Hillock may be grown when there is a change in temperature during the thin film manufacturing process. For example, when heat-treating the metal thin film, the hillock is generated when the thermal expansion coefficients of the metal thin film layers are greatly different, or due to the difference in melting points of the metal thin film layers.
제1도는 종래의 광로조절장치(10)의 단면도이다. 종래의 광로조절장치(10)는 구동기판(20), 액츄에이터 지지부(30), 액츄에이터(50) 및 거울(60)들을 포함한다.1 is a cross-sectional view of a conventional optical path control device 10. The conventional optical path control apparatus 10 includes a driving substrate 20, an actuator support 30, an actuator 50 and mirrors 60.
구동기판(20)은 유리 또는 알루미나(Al2O3) 등의 절연물질이나 실리콘 등의 반도체로 이루어지며 M×N개의 트랜지스터들(도시되지 않음)이 매트릭스(matrix) 형태로 내장되어 있으며, 구동기판(20)내에 내장된 트랜지스터들은 플러그(35)와 하부전극(54)와 전기적으로 접속된다.The driving substrate 20 is made of an insulating material such as glass or alumina (Al 2 O 3 ) or a semiconductor such as silicon, and M × N transistors (not shown) are embedded in a matrix form. Transistors embedded in the substrate 20 are electrically connected to the plug 35 and the lower electrode 54.
액츄에이터(50)는 멤브레인(52), 하부전극(54), 변형부(56) 및 플러그(35)로 이루어져 있다.The actuator 50 is composed of a membrane 52, a lower electrode 54, a deformable portion 56, and a plug 35.
변형부(56)는 전왜 세라믹 또는 수직축을 따라 서로 반대 방향으로 분극(polarization)된 압전 세라믹으로 형성되어 있으며, 변형부(56)의 하부 표면에 하부전극(54)과 상부 표면에 거울(60)이 형성되어 있다. 하부전극(54)은 구동기판(20)의 플러그(35)와 전기적으로 접속되며 인접한 액츄에이터들의 하부전극들과 이격되어 트랜지스터들과 플러그(35)를 통해 외부회로(도시되지 않음)로부터 화상신호가 입력된다. 그리고, 멤브레인(52)은 상부 표면에 하부전극(54)과 하부 일측면의 액츄에이터 지지부(30) 사이에 형성된다. 액츄에이터 지지부(30)는 제1도에 도시된 바와 같이, 액츄에이터(50) 하부의 한쪽 일측면과 구동기판(20) 사이에 고착되어 있다.The deformable portion 56 is formed of a total distortion ceramic or piezoelectric ceramic polarized in opposite directions along the vertical axis, and has a lower electrode 54 on the lower surface of the deformable portion 56 and a mirror 60 on the upper surface. Is formed. The lower electrode 54 is electrically connected to the plug 35 of the driving substrate 20, and is spaced apart from the lower electrodes of adjacent actuators so that an image signal from an external circuit (not shown) is transmitted through the transistors and the plug 35. Is entered. The membrane 52 is formed between the lower electrode 54 and the actuator support part 30 on one side of the lower surface of the membrane 52. As shown in FIG. 1, the actuator support part 30 is fixed between one side surface of the lower part of the actuator 50 and the driving substrate 20.
거울(60)은 반사특성이 양호하고 전도성이 양호한 금속으로 형성되며 입사되는 광의 경로를 바꾸어 반사시킨다. 거울(60)에 의해 반사된 광에 의해 화상을 형성할 때 색의 연속성을 유지하여 자연스러운 화상을 형성하기 위해 인접하는 액츄에이터들은 경사 각도의 차가 있더라도 동일한 방향으로 구동되어야 한다. 그러므로, 액츄에이터(50)와 인접하는 액츄에이터들에 위상이 서로 다른 화상신호들을 입력시킨다.The mirror 60 is formed of a metal having good reflection characteristics and good conductivity, and reflects by changing the path of incident light. In order to maintain the continuity of color when forming an image by the light reflected by the mirror 60 to form a natural image, adjacent actuators must be driven in the same direction even if there is a difference in the inclination angles. Therefore, image signals of different phases are input to the actuators 50 and the adjacent actuators.
이와 같이 이루어지는 종래의 투사형 화상표시장치의 광로조절장치(10)의 제조과정을 보면, 구동기판(20)상에 액츄에이터 지지부(30), 플러그(35), 멤브레인(52), 하부전극(54), 변형부(56) 및 거울(60)의 박막들은 스퍼터링(sputtering), 화상기상침적법(chemical vapor deposion), 포토리쏘그래피 공정(photolithography process) 및 식각(etching) 등의 공정에 의해 각 픽셀(pixel)을 패터닝(patterning)하고 나서, 열치리한 다음 희생층(sacrificial layer)(도시되지 않음)을 제거하므로써 형성된다.Referring to the manufacturing process of the optical path control device 10 of the conventional projection type image display device as described above, the actuator support portion 30, the plug 35, the membrane 52, the lower electrode 54 on the driving substrate 20 The thin films of the deformable portion 56 and the mirror 60 are each pixel by a process such as sputtering, chemical vapor deposion, photolithography process, and etching. ) Is formed by patterning, heating and then removing the sacrificial layer (not shown).
하지만, 종래의 광로조절장치의 제조공정 중에서 변형부(56)를 열처리한 후 희생층을 제거하는 데, 이와 같은 공정을 실시할 경우 종래의 광로조절장치의 제조공정중에서 변형부(56)의 열처리시 600℃ 이상이 필요하므로 희생층을 사용하는 재질의 선택 및 두께의 제약을 받는 문제점이 있다. 또한, 열처리에 따른 압축응력으로 힐록이 발생하는 문제점이 있다.However, the sacrificial layer is removed after the deforming part 56 is heat-treated in the manufacturing process of the conventional optical path control device. When such a process is performed, the deforming part 56 is heat-treated in the manufacturing process of the conventional optical path control device. Since 600 ℃ or more is required, there is a problem of being restricted by the selection and thickness of the material using the sacrificial layer. In addition, there is a problem that the hillock occurs due to the compressive stress due to heat treatment.
본 발명은 이와 같은 종래의 제조공정상의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 안정된 구조와 높은 광효율을 갖는 투사형 화상표시장치용 광로조절장치의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such problems in the conventional manufacturing process, and an object thereof is to provide a method of manufacturing an optical path control apparatus for a projection type image display device having a stable structure and high light efficiency.
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 광로조절장치(100)의 단면도이다. 본 발명의 광로조절장치(100)는 구동기판(200), 지지부(300), 액츄에이터(500) 및 거울(600)을 포함한다.2 is a cross-sectional view of the optical path control device 100 according to an embodiment of the present invention. The optical path control apparatus 100 of the present invention includes a driving substrate 200, a support 300, an actuator 500 and a mirror 600.
구동기판(200)은 유리 또는 알루미나(Al2O3) 등의 절연물질이나 실리콘 등의 반도체로 이루어지며 M×N개의 트랜지스터들(도시되지 않음)이 매트릭스(matrix) 형태로 내장되어 있으며, 구동기판(200)에 내장된 트랜지스터들은 플러그(350)와 전기적으로 연결된다.The driving substrate 200 is made of an insulating material such as glass or alumina (Al 2 O 3 ) or a semiconductor such as silicon, and M × N transistors (not shown) are embedded in a matrix form. Transistors embedded in the substrate 200 are electrically connected to the plug 350.
지지부(300)는 액츄에이터(500)의 하부의 일측면과 구동기판(200) 사이에 세라믹으로 코팅된다. 한편 지지부(300)내의 플러그(350)는 지지부(300)를 관통하여 하부전극(540)과 전기적으로 연결되는 것으로 텅스텐 또는 티타늄 재질을 사용하여 형성된다.The support part 300 is coated with ceramic between one side of the lower part of the actuator 500 and the driving substrate 200. The plug 350 in the support 300 is electrically connected to the lower electrode 540 through the support 300 and is formed using tungsten or titanium.
액츄에이터(500)는 멤브레인(membrane)(520), 하부전극(540) 및 변형부(560)로 이루어져 있으며, 이웃하는 액츄에이터(도시되지 않음)들과 분리되어 있다.The actuator 500 is composed of a membrane 520, a lower electrode 540, and a deformable portion 560, and is separated from neighboring actuators (not shown).
멤브레인(520)은 지지부(300)의 상부에 하부 표면의 소정 부분만 접촉되고 나머지 부분은 공간에 노출되게 형성되며, 멤브레인(520)의 재질은 세라믹으로 사용된다. 한편, 하부전극(540)은 멤브레인(520)의 상부 표면에 형성되며, 전도성이 좋은 백금 또는 티타늄 등의 재질을 도포하여 형성된다.The membrane 520 is formed such that only a predetermined portion of the lower surface is in contact with the upper portion of the support 300 and the remaining portion is exposed to the space, and the material of the membrane 520 is used as a ceramic. On the other hand, the lower electrode 540 is formed on the upper surface of the membrane 520, and is formed by applying a material such as platinum or titanium with good conductivity.
변형부(560)는 하부전극(540)의 상부 표면에 형성되고 압전물질이나 전왜물질로 이루어져 전계 발생시 상부에 있는 거울(600)을 기울어지게 한다.The deformable portion 560 is formed on the upper surface of the lower electrode 540 and is made of a piezoelectric material or a warping material to tilt the mirror 600 on the upper side when an electric field is generated.
거울(600)은 변형부(560)의 상부 표면에 백금, 은, 또는 알루미늄 등의 반사특성이 양호하고 전도성이 좋은 금속을 스퍼터링 또는 진공증착 등에 의해 형성된다. 한편, 거울(600)은 전극의 기능을 동시에 수행한다.The mirror 600 is formed on the upper surface of the deformable portion 560 by sputtering or vacuum evaporating a metal having good conductivity and good conductivity such as platinum, silver, or aluminum. On the other hand, the mirror 600 performs the function of the electrode at the same time.
제2도는 본 발명의 실시예에 다른 광로조절장치(100)의 단면도로서, 그 구성 형태는 종래의 광로조절장치(10)와 동일하다. 하지만, 본 발명의 투사형 화상표시장치의 광로조절장치(100)의 제조과정은 종래의 열처리과정 중에서 변형부(56)를 먼저 처리하고 나서 희생층을 제거하는 것과는 달리 본 발명에서는 제3도에 도시된 바와 같이, 희생층(400)을 제거하고 난 다음 변형부(560)를 열처리한다. 또한, 본 발명의 열처리는 금속 열처리(Rapid Thermal Annealing) 방식을 채택한다. 급속 열처리 방식은 텅스텐-할로겐 램프(lamp)를 에너지 소스로 사용하여 웨이퍼상에 짧은 시간으로 가열하는 방식이다. 이 방식은 웨이퍼상의 온도 분포를 균일하게 할 수 있어 분극의 동작이 제대로 수행된다.2 is a cross-sectional view of an optical path control device 100 according to an embodiment of the present invention, the configuration of which is the same as that of the conventional optical path control device 10. However, the manufacturing process of the optical path control apparatus 100 of the projection type image display apparatus of the present invention is shown in FIG. As shown, the sacrificial layer 400 is removed and then the deformable portion 560 is heat treated. In addition, the heat treatment of the present invention adopts a Rapid Thermal Annealing method. Rapid heat treatment is a method in which a tungsten-halogen lamp is used as an energy source and heated on a wafer for a short time. This method makes it possible to make the temperature distribution on the wafer uniform and the polarization operation is performed properly.
따라서, 투사형 화상표시장치용 광로조절장치의 제조에서 급속 열처리를 모든 공정후에 한다면 희생층의 제거가 용이하며, 거울(600)의 평탄화에도 유리하다. 또한, 종래의 광로조절장치의 제조과정중 열처리를 수행하고 나서 희생층을 제거하는 것과는 달리 본 발명에서는 희생층을 제거하고 나서 급속 열처리를 수행하여 광로조절장치(500)를 제조하므로, 본 발명은 종래의 제조과정에서 발생하는 힐록의 문제점과 희생층의 재질 및 두께에 대한 제약을 해결할 수 있어, 희생층의 재질의 선택이 다양하고 희생층의 제거에도 용이한 이점이 있다.Therefore, in the manufacture of the optical path control apparatus for the projection image display device, if the rapid heat treatment is performed after all the processes, the sacrificial layer is easily removed, and the mirror 600 is also flattened. In addition, unlike the conventional step of removing the sacrificial layer after the heat treatment during the manufacturing process of the optical path control device in the present invention, the optical path control device 500 is manufactured by performing rapid heat treatment after removing the sacrificial layer, the present invention It is possible to solve the problems of Hillock and the limitations on the material and the thickness of the sacrificial layer generated in the conventional manufacturing process, there is a variety of material selection of the sacrificial layer and there is an advantage in the easy removal of the sacrificial layer.
한편, 이와 같이 이루어지는 본 발명의 투사형 화상표시장치의 광로조절장치(100)의 제조공정 순서를 제2도 및 제3도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.On the other hand, the manufacturing process of the optical path control device 100 of the projection image display device of the present invention as described above will be described with reference to FIG. 2 and FIG.
[단계 1. 희생층(400) 형성][Step 1. Formation of Sacrificial Layer 400]
먼저, 제3도의 (a)에 도시된 바와 같이, 액츄에이터(500) 및 거울(600)의 형성을 위해 지지부(300) 사이의 공간에 PSG, 산화규소, 구리, 철, 크롬, 니켈 또는 폴리머(polymer)의 재질(예를 들어, 니트로 셀룰로스 또는 폴리이미드)을 스핀 코팅(spin coating) 방법으로 희생층(400)을 생성한다.First, as shown in (a) of FIG. 3, PSG, silicon oxide, copper, iron, chromium, nickel or polymer (in the space between the support part 300 for the formation of the actuator 500 and the mirror 600) A sacrificial layer 400 is produced by spin coating a material of a polymer (eg, nitro cellulose or polyimide).
[단계 2. 지지부(300) 및 플러그(350) 형성][Step 2. Form the Support 300 and the Plug 350]
제3도의 (b)에 도시된 바와 같이, 지지부(300)의 패턴을 형성하기 위해 포토리쏘그래피 공정 및 에칭을 수행한 다음 세라믹을 스퍼터링 방법에 의해 지지부(300)를 형성한다. 이어서, 지지부(300)를 관통하여 하부전극(540)과 전기적으로 연결하기 위해서 포토리쏘그래피 공정 및 에칭을 수행한 다음 전도성이 좋은 텅스텐 또는 티타늄 재질을 도포하여 형성한다.As shown in FIG. 3B, a photolithography process and an etching are performed to form a pattern of the support 300, and then the support 300 is formed by sputtering a ceramic. Subsequently, a photolithography process and an etching are performed to penetrate the support part 300 to electrically connect the lower electrode 540, and then a tungsten or titanium material having good conductivity is applied.
[단계 3. 멤브레인(520) 형성][Step 3. Membrane 520 Formation]
제3도의 (c)에 도시된 바와 같이, 지지부(300) 상에 질화규소(Si3N4)나 산화규소(SiO2) 등의 질화물을 적층하여 멤브레인(520)을 형성한다.As shown in FIG. 3 (c), nitrides such as silicon nitride (Si 3 N 4 ) and silicon oxide (SiO 2 ) are stacked on the support part 300 to form a membrane 520.
[단계 4. 하부전극(540) 형성][Step 4. Formation of Lower Electrode 540]
제3도의 (d)에 도시된 바와 같이, 멤브레인(520) 상에 스퍼터링 또는 CVD 방법으로 백금 또는 티타늄 등의 전도성이 좋은 금속재질을 도포하여 하부전극(540)을 형성한다.As shown in FIG. 3D, the lower electrode 540 is formed on the membrane 520 by applying a conductive metal such as platinum or titanium with sputtering or CVD.
[단계 5. 변형부(560) 형성][Step 5. Deformation portion 560 formed]
제3도의 (e)에 도시된 바와 같이, 하부전극(540) 상에 압전 세라믹이나 전왜 세라믹을 졸겔법(sol-gel), CVD 또는 스퍼터링에 의해 변형부(560)를 형성한다.As shown in FIG. 3E, the deformable portion 560 is formed on the lower electrode 540 by sol-gel, CVD, or sputtering.
[단계 6. 거울(600) 형성][Step 6. Form the Mirror 600]
제3도의 (f)에 도시된 바와 같이, 변형부(560) 상에 반사특성이 양호하고 전도성이 좋은 금속재질인 백금, 은 또는 알루미늄을 도포하여 거울(600)을 형성한다.As shown in FIG. 3 (f), the mirror 600 is formed by coating platinum, silver, or aluminum, which is a metal material having good reflective properties and good conductivity, on the deformable portion 560.
[단계 7. 픽셀 패턴 형성][Step 7. Pixel Pattern Formation]
제3도의 (g)에 도시된 바와 같이, P 부분에 에칭 및 포토리쏘그래피 공정 등의 과정을 수행하여 박막의 각 픽셀 패턴을 형성한다.As shown in (g) of FIG. 3, the pixel portion of the thin film is formed by performing a process such as an etching and a photolithography process on the P portion.
[단계 8. 희생층(400) 제거][Step 8. Removing the Sacrificial Layer 400]
제3도의 (h)에 도시된 바와 같이, 지지부(300) 사이에 I부분의 공간(air gap)을 형성하기 위해 희생층(400)을 제거하는 데, 희생층(400)이 폴리머 재질인 경우 산소(O2) 플라즈마(Plasma)를 이용한 건식식각(Dry Etching)으로 희생층(400)을 제거하고, 희생층(400)의 재질이 PSG 또는 규소인 경우 습식식각으로 희생층(400)을 제거한다.As shown in (h) of FIG. 3, when the sacrificial layer 400 is made of a polymer material, the sacrificial layer 400 is removed to form an air gap between the supports 300. The sacrificial layer 400 is removed by dry etching using oxygen (O 2 ) plasma, and when the material of the sacrificial layer 400 is PSG or silicon, the sacrificial layer 400 is removed by wet etching. do.
[단계 9. 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing:이하 'RTA'라 칭함)][Step 9. Rapid Thermal Annealing (hereinafter referred to as 'RTA')]
제3도의 (h)에 도시된 바와 같이, 희생층(400)이 제거되면, 변형부(560)가 페로브스카이트(Perovskite)의 구조를 갖게 하기 위해 급속 열처리를 수행한다.As illustrated in (h) of FIG. 3, when the sacrificial layer 400 is removed, rapid deformation of the deformable portion 560 is performed to have a perovskite structure.
상기한 바와 같은 제조공정 과정을 수행한 본 발명의 광로조절장치(100)는 희생층을 제거하고 나서 급속 열처리(RTA) 방식을 채택하므로, 희생층의 두께에 대한 제약이 없을 뿐만 아니라 희생층의 재질을 폴리머 계통을 사용할 수 있으므로 희생층의 제거에도 유리하다. 또한 상기한 바와 같은 힐록의 발생에 대한 문제점을 줄일 수 있다.The optical path control apparatus 100 of the present invention, which has been subjected to the manufacturing process as described above, adopts a rapid heat treatment (RTA) method after removing the sacrificial layer, so that there is no restriction on the thickness of the sacrificial layer, Since the material may be a polymer system, it is advantageous to remove the sacrificial layer. In addition, it is possible to reduce the problem of the occurrence of hillock as described above.
Claims (4)
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