KR100205729B1 - Manufacture of cathode-ray tube - Google Patents

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KR100205729B1
KR100205729B1 KR1019950013594A KR19950013594A KR100205729B1 KR 100205729 B1 KR100205729 B1 KR 100205729B1 KR 1019950013594 A KR1019950013594 A KR 1019950013594A KR 19950013594 A KR19950013594 A KR 19950013594A KR 100205729 B1 KR100205729 B1 KR 100205729B1
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thin film
ray tube
cathode ray
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refractive index
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KR1019950013594A
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가쯔히또 도꾸또메
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가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

[목적][purpose]

페이스 패널부 표면에 피착 형성된 도전성 반사 방지막의 접착강도를 향상시킨 음극선관 제조방법을 제공한다.Provided is a cathode ray tube manufacturing method of improving the adhesive strength of a conductive antireflection film deposited on a face panel portion surface.

[구성][Configuration]

페이스 패널부(1a) 표면에 도전성 박막(2a)을 피착 형성한 벌브(1)내에 전자총을 봉입하여 음극선관(3)을 형성한 후 페이스 패널부(1a) 표면을 수세 및 건조시키는 공정과, 계면활성제를 가한 실리케이트 가수분해물 용액(2ca)을 페이스 패널부(1a)의 도전성 박막(2a)위에 전면으로 균일하게 얇게 도포하는 공정 및, 용액(2ca)을 저온 소성하여 저굴절율 박막(2c)을 경화하고 페이스 패널부(1a) 표면에 도전성 박막(2a)과 저굴절율 박막(2c)으로 이루어지는 도전성 반사 방지막(2)을 피착 형성하는 공정을 포함한다.Encapsulating an electron gun in the bulb 1 having the conductive thin film 2a deposited on the surface of the face panel portion 1a to form a cathode ray tube 3, and then washing and drying the surface of the face panel portion 1a; A step of uniformly and thinly applying the silicate hydrolyzate solution 2ca to which the surfactant was applied to the entire surface of the face thin film portion 1a on the conductive thin film 2a, and the low refractive index thin film 2c by low temperature firing of the solution 2ca. Hardening | curing and depositing and forming the electroconductive antireflective film 2 which consists of the electroconductive thin film 2a and the low refractive index thin film 2c on the surface of the face panel part 1a.

Description

음극선관 제조방법Cathode Ray Tube Manufacturing Method

본 발명은 페이스 패널(face panel)부 표면에 도전성 반사방지막을 피착 형성한 음극선관 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a cathode ray tube manufacturing method in which a conductive antireflection film is deposited on a surface of a face panel.

음극선관의 페이스 패널 외표면은 실내조명등 등의 외광이 반사하면 표시화상이 보기 거북해진다. 또, 전원의 온·오프시에 정전기가 발생하고 시청자가 접근했을 때 방전하여 불쾌감을 주기도 하고 티끌이 부착하기 쉬워진다. 그러므로, 페이스 패널 외표면에 도전성 박막과 저굴절율 박막을 겹쳐 형성하고 도전성 반사 방지막을 설치하여, 빛의 간섭에 의한 반사광을 감소시키고 대전을 방지하는 것이 종래부터 알려져 있다.The outer surface of the cathode ray tube face surface becomes blurred when external light such as indoor lighting is reflected. In addition, static electricity is generated when the power supply is turned on or off, and discharged when the viewer approaches, which causes discomfort and easily adheres to dust. Therefore, it has conventionally been known to form a conductive thin film and a low refractive index thin film on the outer surface of a face panel and to provide a conductive antireflection film to reduce reflected light caused by interference of light and to prevent charging.

상기 박막 형성의 일 예를 제2도를 참조하여 설명한다.An example of the thin film formation will be described with reference to FIG. 2.

우선 제2a도에 도시하는 바와 같이 벌브(1)의 페이스 패널부(1a)의 외표면에CVD 법으로 산화주석(SnO₂)을 주성분으로 하는 도전성 박막(2a)을 형성한다. 이 CVD공정은 벌브(1) 450℃ 이상으로 가열하므로 벌브(1) 내부를 진공으로 하기전에 실시된다. 다음에, 벌브(1)의 내부에 전자총을 조합해 넣고 벌브(1) 내부를 전공으로 해서 음극선관(3)을 형성한다.First, as shown in FIG. 2A, a conductive thin film 2a containing tin oxide (SnO 2) as a main component is formed on the outer surface of the face panel portion 1a of the bulb 1 by CVD. Since this CVD process heats the bulb 1 at 450 degreeC or more, it is performed before making the inside of the bulb 1 into a vacuum. Next, the electron gun is combined into the bulb 1, and the cathode ray tube 3 is formed using the inside of the bulb 1 as a major.

다음에, 제2b도에 도시하는 바와 같이 도전성 박막(2a)의 표면을 물론 세척한 후 브러쉬(4)로 수분이나 오점을 닦아내어 건조시킨다. 거기에서 제2c도에 도시하는 바와 같이 벌브(1)를 40℃ 정도를 가열하여 노즐(5)로부터 실리케이트 가수분해물 용액(2ba)을 도전성 박막(2a)위에 적하한다.Next, as shown in FIG. 2B, the surface of the conductive thin film 2a is of course washed, followed by wiping off moisture or stain with a brush 4 and drying. As shown in FIG. 2C, the bulb 1 is heated to about 40 ° C, and the silicate hydrolyzate solution 2ba is dropped on the conductive thin film 2a from the nozzle 5.

그리고 제2d도에 도시하는 바와 같이 벌브(1)를 회전시켜 페이스 패널부 표면 전면에 용액(2ba)을 얇게 도포하고, 그 후 저온(예컨대 250℃)에서 소성하여 저굴절율 박막(2b)을 전면에 피착 형성해서 도전성 반사 방지막(2)을 얻는다.As shown in FIG. 2D, the bulb 1 is rotated to apply a thin film of the solution 2ba to the entire surface of the face panel, and then baked at a low temperature (for example, 250 ° C) to cover the low refractive index thin film 2b. It adheres to and forms and the electroconductive antireflection film 2 is obtained.

전술한 방법에서는, 저굴절율 박막(2b)을 피착 형성할 때, 실리케이트 가수분해물과 도전성 박막(2a)의 각각에 함유되는 OH기가 소성 공정에서 탈수 반응하여 양자가 서로 접착하는데, 도전성 박막(2a)중에 함유되는 OH기가 비교적 적고, 막 분자간의 마이크로적인 간극에 공기가 개재하는 것 등으로 인해 막의 접착 강도가 저하하여 벗겨지기 쉬운점이 있다. 이 경우 용액 도포 후 350 내지 450℃에서 고온 소성하면 OH기의 반응의 촉진되어 막 접착 강도가 향상하지만 내부가 전공인 음극선관(3)을 고온으로 가열하면, 벌브(1)의 내벽에 흡착하고 있던, 가스가 방출되어 전자총에 부착하여 그 전자방출 특성이 악화되기 때문에, 고온 소성이 불가능하여 충분한 막 강도를 얻을 수 없다.In the above-described method, when the low refractive index thin film 2b is deposited, the silicate hydrolyzate and the OH groups contained in each of the conductive thin film 2a are dehydrated in the firing step, and both adhere to each other. There are relatively few OH groups in the air, and the adhesive strength of the film decreases due to the presence of air in the micro-gap between the membrane molecules. In this case, if the high temperature firing at 350 to 450 ° C. after the solution is applied, the reaction of the OH group is promoted to improve the film adhesive strength. Since the gas is released and adheres to the electron gun and its electron-emitting characteristics deteriorate, high temperature firing is impossible and sufficient film strength cannot be obtained.

제1a도 내지 제1d도는 본 발명에 관한 음극선관 제조 방법의 실시예를 나타내는 각 공정도.1A to 1D are respective process charts showing examples of the cathode ray tube manufacturing method according to the present invention.

제1e는 본 발명의 동작예를 나타내는 페이스 패널부 표면의 요부 확대 단면도.1E is an enlarged cross-sectional view of a main portion of the face panel portion surface illustrating an operation example of the present invention.

제2a도 내지 제2d도는 종래의 음극선관 제조 방법의 일 예를 나타내는 각공정도.2A to 2D are angular process diagrams showing an example of a conventional cathode ray tube manufacturing method.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 벌브 1a : 페이스 패널부1 bulb 1a face panel

2 : 도전성 반사방지막 2a : 도전성 박막(산화주석 박막)2: conductive antireflection film 2a: conductive thin film (tin oxide thin film)

2e : 저굴절율 박막 3 : 음극선관2e: low refractive index thin film 3: cathode ray tube

[과제를 해결하기 위한 수단][Means for solving the problem]

본 발명은 페이스 패널부 표면에 도전성 박막을 피막 형성한 벌브 내에 전자총을 봉입하여 내부를 전공으로 하고, 음극선관을 형성한 후, 상기 페이스 패널부 표면을 물로 세척하고 건조시키는 공정과, 계면활성제를 가한 실리케이트 가수분해물 용액을 페이스 패널부의 도전성 박막 위에 전면으로 균이하게 얇게 도포하는 공정 및, 상기 용액을 저온 소성하여 저굴절을 박막을 정화하고, 페이스 패널부 표면에 상기 도전성 박막과 저굴절율 박막으로 이루어지는 도전성 반사 방지막을 피착형성하는 공정을 포함하며, 계면활성제를 가한 실리케이트 가수분해물 용액을 250℃ 이하로 저온 소성하는 것을 특징으로 한다.The present invention encloses an electron gun in a bulb in which a conductive thin film is formed on a surface of a face panel, and makes a major inside, and forms a cathode ray tube, and then washes and dries the surface of the face panel with water, and a surfactant. Applying the silicate hydrolyzate solution to the front face of the conductive thin film uniformly and thinly, and calcining the solution at low temperature to purify the low refractive film, and using the conductive thin film and the low refractive index thin film on the face panel surface. And depositing a conductive antireflection film, wherein the silicate hydrolyzate solution to which the surfactant is added is calcined at a low temperature of 250 ° C or less.

[작용][Action]

상기 기술적 수단에 의하면, 실리케이트 가수분해물 용액에 계면활성제를 가하여 도전성 박막 위에 저굴절율 박막을 피착 형성하면 계면활성제를 가함으로써 실리케이트 가수분해물의 젖는 성질(유성)이 좋아지기 때문에, 그 용액이 도전성 박막의 미세한 간극으로 들어가고 도전성 박막과 실리케이트 가수분해물의 각 OH기끼리가 반응하여 접착에 관한 반응 면적이 증가하고 저굴절율 박막이 도전성 박막과 견고하게 접착된다.According to the above technical means, when a surfactant is added to the silicate hydrolyzate solution to deposit and form a low refractive index thin film on the conductive thin film, the wettability (oiliness) of the silicate hydrolyzate is improved by adding the surfactant. It enters into a minute gap, and each of the OH groups of the conductive thin film and the silicate hydrolyzate reacts to increase the reaction area with respect to the adhesion, and the low refractive index thin film is firmly adhered to the conductive thin film.

[실시예]EXAMPLE

[실시예 1]Example 1

본 발명에 관한 음극선관 제조방법의 실시예 1을 제1도를 참조하여 이하에 설명한다. 제2도에 도시된 부분과 동일 부분에는 동일 참조부호를 사용하고, 그 설명은 생략한다. 상이한 점은 저굴절율 박막(2c)의 형성재료 용액인 실리케이트 가수분해물 용액 중에 계면활성제, 예컨대 에틸렌 옥사이드 프로필렌 옥사이드 블록 중합체(상품명 : 플루로닉)를 가한 것이다. 즉 종래와 같이 우선 제1a도에 도시하는 바와 같이 벌브(1)의 페이스 패널부(1a)의 표면 CVD 법으로 도전성 박막인 산화주석(SnO₂) 박막(2a)을 16nm 두께로 피착 형성해서 내부로 전자총을 조립해 넣고 내부를 진공으로 하여 음극선관(3)을 형성한다.Example 1 of the cathode ray tube manufacturing method which concerns on this invention is demonstrated below with reference to FIG. The same reference numerals are used for the same parts as those shown in FIG. 2, and the description thereof will be omitted. The difference is that a surfactant such as ethylene oxide propylene oxide block polymer (trade name: Pluronic) is added to the silicate hydrolyzate solution, which is a solution of the material for forming the low refractive index thin film 2c. That is, as shown in FIG. 1a, first, a tin oxide (SnO₂) thin film 2a, which is a conductive thin film, is deposited to a thickness of 16 nm by surface CVD of the face panel portion 1a of the bulb 1, as shown in FIG. The electron gun is assembled and the inside thereof is vacuumed to form the cathode ray tube 3.

다음에 제1b도에 도시하는 바와 같이, 산화주석 박막(2a)의 표면을 물로 세척하고 닦아 건조시킨 후 , 제1c도에 도시하는 바와 같이 벌브(1)를 40℃ 정도로 가열하고 산화주석 박막(2a)위에 에틸실리케이트 가수분해물 에탄올 용액(실리카 고형분 1.3 중량%)에 대해서 플루로닉을 0.01 중량% 가한 용액(2ca)을 노즐(5)로부터 적하한다.Next, as shown in FIG. 1B, the surface of the tin oxide thin film 2a is washed with water, wiped and dried, and then the bulb 1 is heated to about 40 DEG C as shown in FIG. 1C, and the tin oxide thin film ( On 2a), a solution 2ca in which 0.01% by weight of pluronic acid is added to the ethyl silicate hydrolyzate ethanol solution (1.3% by weight of silica solid content) is added dropwise from the nozzle 5.

그 다음, 제1d도에 도시하는 바와 같이, 벌브(1)를 150rpm으로 1분간 회전시켜서 페이스 패널부 표면의 전면에 용액(2ca)을 얇게 도포하고, 그후, 180℃로 20분간 소성하여 저굴절율 박막(2c)을 전면에 125nm의 두께로 피착 형성해서 도전성 반사 방지막(2)을 얻는다.Then, as shown in FIG. 1D, the bulb 1 is rotated at 150 rpm for 1 minute to apply a thin solution 2ca to the entire surface of the face panel portion, and then baked at 180 ° C. for 20 minutes to obtain a low refractive index. A thin film 2c is deposited on the entire surface in a thickness of 125 nm to obtain a conductive antireflection film 2.

상기 구성에 의하면 플루로닉을 가함으로써 실리케이트 가수분해물 용액(2ca)의 젖는 성질이 좋아지기 때문에, 제1e도에 도시하는 바와 같이 페이스 패널부(1a)의 표면에 피착 형성된 산화주석 박막(2a)의 미세한 간극(S)에 용액(2ca)이 들어간다. 그렇게 하면 산화주석 박막(2a)과 저굴절율 박막(2c)의 접촉 면적이 증가하므로 견고하게 접착되어 막 접착 강도가 향상된다. 또, 산화주석 박막(2a)위에 기름형의 오점이 있어도 계면활성제는 친유성(기름과 친한 성질)을 갖기 때문에 저굴절율 박막(2c)과의 친숙함이 좋아 막 질이 향상되고, 또한 외관 불량이 줄어들어 특히 의관적인 수율이 향상된다. 측정에 의하면 종래 보다도 약 3배의 내마찰성이 있는, 즉 막 접착 강도가 약 3배로 향상된 것을 확인하였다.According to the above constitution, since the wettability of the silicate hydrolyzate solution 2ca is improved by applying pluronic, the tin oxide thin film 2a formed on the surface of the face panel portion 1a as shown in FIG. 1E. The solution (2ca) enters the fine gap S of the. Doing so increases the contact area between the tin oxide thin film 2a and the low refractive index thin film 2c, thereby firmly adhering and improving film adhesion strength. In addition, even if there are oily spots on the tin oxide thin film 2a, since the surfactant has a lipophilic property (oil-friendly property), the surfactant has good familiarity with the low refractive index thin film 2c, and the film quality is improved, and the appearance is poor. This decreases, in particular the improved yield. According to the measurement, it was confirmed that there was about three times the friction resistance compared with the conventional, that is, the film adhesive strength improved about three times.

[실시예 2]Example 2

실시예 1과 상이한 점은 계면활성제를 가산 에틸 실리케이트 가수분해물 용액(2ca)을 스프레이법에 의해 도포한 것이다. 실시예 1과 같이 250℃ 로 20분간 소성하여 종래보다 약 3배의 막 강도를 얻었다.The difference from Example 1 is that the ethyl silicate hydrolyzate solution (2ca) added with the surfactant is applied by the spray method. It baked for 20 minutes at 250 degreeC like Example 1, and obtained about 3 times the film strength compared with the past.

본 발명에 의하면 음극선관의 페이스 패널부 표면의 도전성 박막 위에 계면 활성제를 가한 실리케이트 가수분해물로 이루어진 용액을 도포하여 저굴절율 박막을 형성했기 때문에 저온소성으로 저굴절율 박막과 도전성 박막이 견고하게 접착해서 충분한 막 접착 강도를 얻고, 또 저굴절율 박막과 도전성 박막과의 친밀함도 좋아 막 질이 향상되며 또한 특히 외관적인 수율도 향상된다.According to the present invention, since a low refractive index thin film was formed by applying a solution made of a silicate hydrolyzate to which a surfactant was added on the conductive thin film on the face of the face panel portion of the cathode ray tube, the low refractive index thin film and the conductive thin film were firmly bonded at low temperature firing. The film adhesion strength is also obtained, and the intimacy between the low refractive index thin film and the conductive thin film is also good, and the film quality is improved, and the apparent yield is particularly improved.

Claims (3)

페이스 패널 외표면에 형성된 도전성 박막 위에 실리케이트 가수분해물 용액을 도포한 뒤, 가열하여 저굴절율 박막을 형성하는 공정을 갖는 음극선관제조 방법에 있어서, 상기 실리케이트 가수분해물 용액에 계면활성제를 첨가함과 동시에 도포한 뒤 250℃ 이하의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 음극선관 제조 방법.A cathode ray tube manufacturing method comprising applying a silicate hydrolyzate solution on a conductive thin film formed on an outer surface of a face panel and then heating to form a low refractive index thin film, wherein the surfactant is added to the silicate hydrolyzate solution and applied simultaneously. Method of producing a cathode ray tube, characterized in that the heating to a temperature of less than 250 ℃. 제1항에 있어서, 상기 도전성 박막이 산화주석(SnO₂) 또는 산화인듐(In₂O₃)을 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 음극선관 제조방법.The cathode ray tube manufacturing method according to claim 1, wherein the conductive thin film has tin oxide (SnO₂) or indium oxide (In₂O₃) as a main component. 제2항에서 있어서, 상기 도전성 박막을 CVD법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 음극선관 제조방법.The cathode ray tube manufacturing method according to claim 2, wherein the conductive thin film is formed by a CVD method.
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KR100449752B1 (en) * 1997-07-02 2004-12-03 삼성에스디아이 주식회사 Method for densificating surface treatment film of cathode ray tube, specifically hardening surface treatment film by curing face panel

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