KR100199694B1 - Surge absorber - Google Patents

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KR100199694B1
KR100199694B1 KR1019960003268A KR19960003268A KR100199694B1 KR 100199694 B1 KR100199694 B1 KR 100199694B1 KR 1019960003268 A KR1019960003268 A KR 1019960003268A KR 19960003268 A KR19960003268 A KR 19960003268A KR 100199694 B1 KR100199694 B1 KR 100199694B1
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헤이시치 이케다
키요토 카와카미
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엄찬
헤이시치 이케다
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Abstract

본 발명은 통신기기를 서지(Sarge)로부터 보호하기 위한 인쇄 회로기판의 표면실장형 서지 흡수소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface mount surge absorbing element of a printed circuit board for protecting a communication device from surges.

종래에는 리드선을 절단하고 구부려 기판의 구멍에 삽입한후 여기에 납땜함으로서 인력 소모가 과대하고 특히 접속불량과 표면실장형으로서 제작상의 문제점이 있다.Conventionally, by cutting and bending the lead wire, inserting it into the hole of the substrate, and soldering it, excessive manpower consumption is caused, and there is a manufacturing problem, particularly as a poor connection and surface mount type.

본 발명은 이러한 문제를 시정코져 발명된 것으로서 기판의 평면상에 갭이 형성배치된 전극과 이를 감싸는 기밀캡을 형성 방전공간을 형성시키므로 마이크로갭식 서지흡수조자 주위부위로 구성된 것이다.The present invention has been invented by correcting such a problem, and thus, a discharge gap is formed to form an electrode having a gap formed on the plane of the substrate and an airtight cap surrounding it.

Description

서지(Surge) 흡수소자Surge Absorption Element

제1도는 종래 기술에 의한 서지(Surge) 흡수소자의 단면도.1 is a cross-sectional view of a surge absorbing device according to the prior art.

제2도는 본 발명에 관한 서지(Surge) 흡수소자의 실시예1, (a)는 단면도, (b)는 평면도.2 is a sectional view of Embodiment 1 of the surge absorption element according to the present invention, (a) is a sectional view, and (b) is a plan view.

제3도는 본 발명에 관한 다른 실시예의 단면도.3 is a cross-sectional view of another embodiment according to the present invention.

제4도는 본 발명에 관한 실시예의 단면도.4 is a sectional view of an embodiment according to the present invention.

제5도는 본 발명의 다른 예로서, (a)도는 평면도, (b)도는 단면도.5 is another example of the present invention, (a) is a plan view, (b) is a sectional view.

제6도는 본 발명의 다른 실시예, (a)도는 단면도, (b)도는 평면도로,6 is another embodiment of the present invention, (a) is a sectional view, (b) is a plan view,

제7도는 본 발명의 다른 실시예, (a)도 및 (b)도는 평면도, (c)도는 (a)도 ab에 따른 단면도.7 is a cross-sectional view according to another embodiment of the present invention, (a) and (b) are plan views, (c) and (a) are ab.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1a,1b : 한쌍의 전극 2 : 마이크로갭1a, 1b: Pair of electrodes 2: Microgap

5 : 유리관 21 : 기판5: glass tube 21: substrate

22a,22b : 전극 23 : 마이크로갭22a, 22b: electrode 23: microgap

24 : 유리막 25 : 기밀캡24: glass film 25: airtight cap

26 : 봉착재 27a,27b : 전극단자26: sealing material 27a, 27b: electrode terminal

31 : 기판 32a,32b : 전극31 substrate 32a, 32b electrode

33 : 마이크로갭 34 : 유리막33: microgap 34: glass film

35 : 기밀캡 36 : 봉착재35: airtight cap 36: sealing material

37a,37b : 전극단자 41 : 기판37a, 37b: electrode terminal 41: substrate

42a,42b : 전극 43 : 마이크로갭42a, 42b: electrode 43: microgap

44 : 유리막 45 : 기밀캡44: glass film 45: airtight cap

48 : 봉착재 51 : 기판48: sealing material 51: substrate

52a,52b : 전극 61 : 기판52a, 52b: electrode 61: substrate

62a,62b : 전극 62a',62b' : 고정형전극62a, 62b: electrode 62a ', 62b': fixed electrode

72a,72b : 전극 80 : 제거부72a, 72b: electrode 80: removal

[산업상의 이용분야][Industrial use]

본 발명은 마이크로 갭 혹은 갭식 서지(Surge) 흡수소자에 관한 것으로서, 특히 인쇄회로 기판에 자동 실장에 유리한 표면실장형 서지(Surge) 흡수소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to microgap or gap type surge absorbing devices, and more particularly, to surface mount type surge absorbing devices that are advantageous for automatic mounting on printed circuit boards.

[종래의 기술][Prior art]

전화기, 팩시밀리등 통신기기를 서지(Surge)로 부터 보호하기 위한 서지(Surge)흡수소자는 종래 제1도에서 표시하는 바와 같이 마이크로 갭(2)을 형성하는 한쌍의 전극(1a), (1b)이 원주상의 애자 표면에 형성되어 애자상의 한쌍의 전극 (1a), (1b) 각각에 리드선을 붙인 전극 (3a), (3)을 취부한 다음 갑압된 유리관(5)은로 기밀 밀봉한 구조이다.A surge absorbing element for protecting a communication device such as a telephone and a facsimile from a surge is a pair of electrodes 1a and 1b forming a micro gap 2 as shown in FIG. Formed on the columnar insulator surface, the electrodes 3a, 3 attached to each of the insulator pairs 1a, 1b with lead wires were mounted, and the pressurized glass tube 5 was hermetically sealed with .

종래의 마이크로 갭식 서지(Surge) 흡수소자는 제1도에서 보는바와 같이 25mm 전후의 리드선 (4)를 가지고 인쇄회로 기판에 실장함에 있어 피드선을 적당 길이로의 절단과, 구부림 가공을 필요로 하며, 그후에 인쇄회로 기판의 구멍에 리드선을 삽입하고 납땜하는 것이었다. 그러나 주지하는 바와 같이 이러한 인쇄회로 기판의 실장 방법은 인력에 의한 수공이 많이 걸리는 방법으로서 많은 전자부품이 면실장형, 소위 표면실장형 전자 부품으로 변해 왔다.Conventional micro-gap surge absorbing elements require cutting of the feed line to a suitable length and bending in mounting the printed circuit board with the lead wire 4 around 25 mm as shown in FIG. After that, the lead wire was inserted into the hole of the printed circuit board and soldered. However, as is well known, such a method of mounting a printed circuit board requires a lot of manual labor by manpower, and many electronic components have been changed into surface-mounted or so-called surface-mounted electronic components.

본 발명은 실장이 용이하고 또한 제조상에 유리한 마이크로 갭형 서지(Surge) 흡수소자를 제공하는 것을 목적으로 한 것이다.An object of the present invention is to provide a microgap type surge absorbing device which is easy to mount and advantageous in manufacturing.

[문제점을 해결하기 위한 수단][Means to solve the problem]

본 발명의 요지는 기판의 동일 평면상에 서로 전기적으로 절연된 마이크로갭 또는 갭을 형성하도록 배치된 한쌍의 전극과, 마이크로 갭 또는 갭 주변의 전기 한쌍의 전극 각각에 일부를 포함하여 기판의 평면을 감싸도록 형성시킨 기밀캡에 의한 방전 공간을 형성 시킴으로써 마이크로 갭식 서지(Surge)흡수소자 주요 부위를 구성하고 또한 인쇄회로 기판에 실장용 외부 전극을 상기 평면기판에 배치함으로써 동일 평면상에 한쌍의 외부전극에 의한 인쇄 회로 기판에서의 면실장을 가능하게 한 것이다.Summary of the Invention The present invention includes a pair of electrodes arranged to form microgaps or gaps electrically insulated from each other on the same plane of the substrate, and a portion of each of the pair of electrodes around the microgap or gaps includes a plane of the substrate. The main part of the microgap surge absorbing element is formed by forming a discharge space by an airtight cap formed so as to enclose and a pair of external electrodes on the same plane are arranged on the flat substrate by placing external electrodes for mounting on a printed circuit board. The surface mounting in the printed circuit board by this is enabled.

다음으로 본 발명의 서지(Surge) 흡수소자를 구체적인 실시예에 의해 설명하겠으나, 본 발명은 본 설명에 한정되는 것은 아니다.Next, the surge absorbing element of the present invention will be described by specific examples, but the present invention is not limited to the present description.

[실시예 1]Example 1

제2도에 본 발명에 관계되는 서지(Surge) 흡수소자의 한 예를 단면도 (a), 평면도 (b)에 의해 보였다. 무라이트, 알루미나등 절연기판(21)주 표면에 스크린 인쇄등의 방법에 의해 한쌍의 전극(22a), (22b)을 인쇄, 소성하여 한쌍의 전극(22a), (22b)사이에 마이크로 갭(23)을 형성시킨 것이다. 마이크로 갭의 형성방법은 전극 (22a), (22b)을 격리시켜 인쇄하는 방법과 일체로 인쇄 소성한 다음 레이저로 절단하여 갭을 형성하여 방법이 있다.2 shows an example of a surge absorbing element according to the present invention in cross section (a) and plan view (b). A pair of electrodes 22a and 22b are printed and fired on the main surface of the insulating substrate 21 such as a lightless or alumina by a screen printing method and then fired to form a micro gap between the pair of electrodes 22a and 22b. 23). The method of forming a microgap has a method of printing and baking integrally with the method of separating and printing the electrodes 22a and 22b, and then cutting it with a laser to form a gap.

한 쌍의 전극 표면의 일부를 감싸는 유리막 (24)은 기밀캡(25)을 봉착하는 경우 봉착성을 향상시키는데 유효하다. 또한 납땜에 의한 봉착의 경우 납땜에 의한 전극 (22a), (22b)이 단락하는 것을 방지한다.The glass film 24 covering a part of the pair of electrode surfaces is effective to improve the sealing property when sealing the airtight cap 25. In the case of sealing by soldering, short-circuiting of the electrodes 22a and 22b by soldering is prevented.

유리막 (24)상에 기밀캡 (25)이 형성되어 있다. 기밀캡(25)은 코팔등 금속혹은 유리 세라믹등이 적합하다. 또한 기밀캡(25)의 기판(21)면에의 봉착에는 유리 프리트가 적합하나 납땜을 이용하는 방법도 가능하다.An airtight cap 25 is formed on the glass film 24. The airtight cap 25 is preferably metal such as copal or glass ceramic. Moreover, although glass frit is suitable for sealing of the airtight cap 25 to the board | substrate 21 surface, the method of using soldering is also possible.

이 경우 납땜부의 기판 표면에는 미리 납땜 가능한 파라디움, 몰리부덴 합금, 텅스텐 합금등 도전체막을 스크린 인쇄, 소성법 또는 증착법, 스퍼터링법, CVD(Chemical Vapor Deposition)등에 의해 형성시켜 두는 것이 바람직하다.In this case, it is preferable to form a conductor film, such as a solder, a pre-solderable paradium, molybdenum alloy, or tungsten alloy, on the surface of the soldering portion by screen printing, firing or vapor deposition, sputtering, CVD (Chemical Vapor Deposition), or the like.

그림에서 26은 기밀 캡(25)를 기판(21)면상에 봉착시키기 위한 봉착 재료이다.26 in the figure is a sealing material for sealing the airtight cap 25 on the substrate 21 surface.

또한 기밀캡 봉착시는 진공 배기하여 그 상태 혹은 알곤 가스 등으로 일부 치환한 다음 소정의 압력하에서 가열 유리 프리트 혹은 납을 용융시켜 봉착한다.In the case of sealing the airtight cap, vacuum evacuation is performed to partially replace the gas with argon gas or the like, and then heat the glass frit or lead under a predetermined pressure to seal the cap.

이상의 설명에 의해 명백하듯이 면실장 가능한 서지(Surge) 흡수 소자가 가능하게 된다.As apparent from the above description, a surface mountable surge absorption element is possible.

또한 이러한 소자가 스크린 인쇄 기술등 양산성이 높은 막 형성 기술의 활용이 가능한 결과 실장면에서 유리한 면실장 서지(Surge) 흡수소자가 높은 양산성을 가지고 얻을수 있는 사실도 명백하다. 더욱이 서지(Surge) 흡수소자의 특성면에서 이하의 효과가 확인 되었다. 즉 제1도에서 보는 바와 같이 종래의 서지(Surge) 흡수소자와 비교할 경우 이들 소자는 열저항이 큰 직경 0.5mm전후의 리드선에 의해 방열하는 것에 비해 본 실시예의 서지(Surge) 흡수소자에서는 리드선에 의하지 않고 폭이 넓은 전극 단자(27a), (27b)에 의하고 있으며, 전극의 단면으로 비교하여 보아도 4배 이상이 되어 열 방산이 개선되어 서지(Surge) 흡수소자로서에 수명이 길게됨은 물론, 서지(Surge)에 견디는 양도 종래 소자에 비교하여 20%이상 향상되었다.In addition, it is also clear that the surface mount surge absorbing element, which is advantageous in the mounting surface, can be obtained with high mass productivity, as a result of such a device being able to utilize a highly productive film forming technology such as screen printing technology. Furthermore, the following effects were observed in the characteristics of surge absorbing elements. That is, as shown in FIG. 1, when compared with the conventional surge absorbing elements, these elements radiate heat by the lead wires around 0.5mm in diameter, and in the surge absorbing element of this embodiment, It is based on the wide electrode terminals 27a and 27b, which is not less than 4 times as compared to the cross-section of the electrode, and the heat dissipation is improved, resulting in a long life as a surge absorbing element. The amount to withstand (Surge) is also improved by more than 20% compared to the conventional device.

[실시예 2]Example 2

제3도에 본 발명에 관한 다른 실시예를 보였다. 본 실시예에서는 기판(31)에 알미늄등 도전성 기판을 사용하고 있으며 도전성이 있는 재료인 관계로 알미늄 기판의 경우, 기판표면을 Al2O3등 알미늄 산화막등 절연막(38)으로 감싸고 있다.3 shows another embodiment of the present invention. In the present embodiment, a conductive substrate such as aluminum is used for the substrate 31. In the case of an aluminum substrate, the substrate surface is covered with an insulating film 38 such as an aluminum oxide film such as Al 2 O 3 .

이러한 재료를 사용할 경우 기판 제차가 높은 열전도율을 가지고 있기 때문에 서지(Surge) 흡수소자로서 동작할 때 대전류의 서지(Surge)에 의해 발생하는 열의 방산이 현격히 개선되기 때문에 실시예 1과 비교할 때 서지(Surge) 흡수소자로서의 특성이 잘 열화되지 않는 흡수소자가 제공된다.In case of using such a material, since the substrate difference has a high thermal conductivity, the heat dissipation caused by the surge of a large current is significantly improved when operating as a surge absorbing element. Absorption element which does not deteriorate characteristic as an absorption element is provided.

그림에 있어서 32a, 32b는 전극, 33은 마이크로 갭이며, 34는 유리막등의 절연막이다.In the figure, 32a and 32b are electrodes, 33 are microgaps, and 34 are insulating films such as glass films.

또한 유리막 (34)은 기밀 봉착성 향상을 위해 유효하나, 직접 전극상에 봉착시키는 것도 가능하다.In addition, although the glass film 34 is effective for improving airtight sealing property, it is also possible to seal on an electrode directly.

그리고 36은 기밀캡(35)을 기밀하게 접착하는 봉착제이고, 37a 37b는 코팔등으로 된 전극단자이다.And 36 is a sealing agent for hermetically adhering the hermetic cap 35, 37a 37b is an electrode terminal made of copal and the like.

또한 제1도에서 보는 바와 같이 종래의 서지(Surge) 흡수소자와 비교하여 이들 소자는 열저항이 큰 직경 0.5mm 전후인 리드선에 의해 방열하는 것에 비해 본 실시예의 서지(Surge) 흡수소자에서는 열전도가 우수한 기판(31)전체면으로부터 열 방산이 되어 방열 개선이 현저하여 서지(Surge) 흡수소자로서의 장수명화는 물론 서지(Surge)에 견디는 양도 종래 소자에 비해 35%이상 개선되었다.In addition, as shown in FIG. 1, in comparison with the conventional surge absorbing elements, the thermal conductivity of the surge absorbing element of the present embodiment is higher than that of these elements by heat dissipation by lead wires having a diameter of about 0.5 mm. The heat dissipation from the entire surface of the excellent substrate 31 is remarkably improved, and thus the heat dissipation is remarkably improved. As a result, the lifespan of the surge absorbing element as well as the amount of surging surges are improved by 35% or more.

[실시예 3]Example 3

제4도는 본 발명의 다른 실시예로서, 그림에서 41은 절연기판, 42a, 42b는 인쇄 소성에 의해 형성된 한쌍의 전극, 43은 한쌍의 전극 42a, 42b사이에 형성된 갭이다.4 is another embodiment of the present invention, in which 41 is an insulating substrate, 42a and 42b are a pair of electrodes formed by printing firing, and 43 is a gap formed between a pair of electrodes 42a and 42b.

또한 44는 유리막등 절연성막, 45는 기밀 밀봉용의 뚜껑인캡 이다. 실시예 1 및 실시예 2에 비교하면 평면 뚜껑에 의해 밀봉하고 있는 점이 다르다.In addition, 44 is an insulating film, such as a glass film, and 45 is a cap which is a lid for hermetic sealing. Compared with Example 1 and Example 2, the point which seals with a flat lid differs.

평면 뚜껑에 의하는 경우 뚜껑의 경우와 같은 뚜껑 성형 작업이 불필요하게 되어 고가의 금형이 필요 없는 유리한 점이 있으며 평판인 관계로 재료 선정에 있어 자유도가 높다.In the case of a flat lid, there is an advantage of not needing an expensive mold because the lid molding operation as in the case of a lid is unnecessary, and the degree of freedom in selecting materials is high because of the flatness.

그러나 한쌍의 전극 (42a), (42b)과 뚜껑의 간격을 적절하게 하여 형성되는 기밀 공간을 확보하기 위해 두꺼운 봉착재가 필요하다.However, in order to ensure the airtight space formed by making the space | interval of a pair of electrode 42a, 42b and a lid appropriate, a thick sealing material is needed.

봉착재를 두껍게 붙이거나 미리 프리트등 봉착재보다 융점이 높은 재료에 의한 덧붙이기를 해두는 것이 유효하다.It is effective to attach the sealing material thickly or to add the sealing material in advance using a material having a higher melting point than the sealing material such as frit.

[실시예 4]Example 4

제5도에 본 발명의 다른 예를 보였다 . 다면취의 스루 홀(Trough Hole)을 가지는 세라믹 기판에 대한 인쇄, 소성에 의한 스루 홀(Trogh Hole)을 통한 뒷면에 한쌍의 전극을 만들어 낸 구조로서, 이 경우 특별한 전극 단자 취부가 불필요하게 되어 생산 공수 절감에 의한 비용 절감 효과가 크다.Figure 5 shows another example of the present invention. It is a structure that a pair of electrodes is made on the back side through the through hole by printing and firing on a ceramic substrate having a multi-sided through hole. In this case, special electrode terminal mounting is unnecessary. The cost saving effect is large due to the reduction of labor.

그림에서 51은 세라믹 기판, 52a, 52b는 한쌍의 전극(그림에서는 레이저 절단에 의한 갭 형성전의 상태를 나타낸다) 겸 외부 접속 전극이며 59a,59b는 기판 앞뒤면의 전극을 접속하는 도전막이다.In the figure, 51 is a ceramic substrate, 52a and 52b are a pair of electrodes (the state before a gap is formed by laser cutting) and an external connection electrode, and 59a and 59b are the electrically conductive films which connect the electrodes of the front and back sides of a board | substrate.

[실시예 5]Example 5

전기 실시예에 있어 한쌍의 전극(27a), (27b),(37a), (37b), (47a), (47b)는 인쇄, 소성 즉 후막 기술을 이용하여 설명하였으나 이들 전극 형성방식으로서 박막 기술을 적용시켜도 유효하며 본 발명의 취지를 손상시키는 것은 아니다.In the above embodiment, the pair of electrodes 27a, 27b, 37a, 37b, 47a, and 47b have been described using printing, firing, or thick film technology. It is effective to apply and does not impair the gist of the present invention.

즉, 한쌍의 전극 협상 방법으로서 전자 빔 증착 방식, 스퍼터링 방법, CVD(Chemi-cal Vapor Deposition) 방법, 이온 플레이팅 방법등에 의해 TiN, 텅스텐 몰리브덴등 융점이 높은 도전성 박막을 형성하여 레이저에 의해 가공, 갭을 형성함으로서 같은 효과를 얻을 수 있다.That is, as a pair of electrode negotiation methods, a conductive thin film having a high melting point such as TiN and tungsten molybdenum is formed by an electron beam deposition method, a sputtering method, a CVD (Chemi-cal Vapor Deposition) method, an ion plating method, and processed by laser, The same effect can be obtained by forming a gap.

또한 박막의 경우 막의 두께가 얇기 때문에 기판과의 사이의 단차가 작아져 기밀밀봉 작업이 후막의 경우 보다 용이해지는 유리한 점이 있다.In addition, in the case of a thin film, since the thickness of the film is thin, there is an advantage in that a step between the substrate and the substrate becomes small, so that an airtight sealing operation is easier than in the case of a thick film.

본 발명의 서지(Surge) 흡수소자는 2분의 리드선을 가지는 종래의 서지(Surge) 흡수소자와 비교하여 리드선이 없는 면실장형 서지(Surge) 흡수소자로서 인쇄회로 기판 실장시 대폭적인 생산성 향상이 가능해 진것 뿐 아니라 대전류의 서지(Surge) 인가시에 발생하는 열 방산의 개선도 가능하게 되어 서지(Surge)에 견디는 양도 대폭 개선 된 서지 (Surge) 흡수 소자를 제공할 수 있다.The surge absorbing device of the present invention is a surface-mount surge absorbing device without lead wire compared to the conventional surge absorbing device having 2 minutes of lead wire, and can greatly improve productivity when mounting a printed circuit board. In addition to improving the heat dissipation generated during surge application of large currents, surge absorbing devices can be provided with a significantly improved amount to withstand surges.

또한 변형 되기 쉬운 리드선의 정렬, 구르기 쉬운 원주상의 뚜껑및 유리 관등과 이들을 정렬시킨다든가 취급에 있어 자동화 곤란하여 비용 절감의 큰 장애였다.In addition, alignment of lead wires that are easily deformed, cylindrical lids and glass tubes that are easy to roll, and alignment or the like are difficult to automate in handling and cost reduction.

그러나 본 발명은 다면취의 기판을 사용하여 동시에 대량의 소자를 후막 혹은 박막 형성 기술에 의해 전극 형성이 가능하여 지고 다면취 기판상에서 상호 소자의 위치관계가 정확하기 때문에 뚜껑이라든가, 덮게의 장착시 부품이 간단한 치구에 의해 정렬하기 쉬우며, 자동화도 용이하여져 생산성 향상 및 비용절감이 가능해졌다.However, in the present invention, a large number of devices can be formed at the same time by using a multi-sided substrate, and electrodes can be formed by a thick film or thin film formation technology, and the positional relationship of the elements on the multi-sided substrate is accurate. This simple jig is easy to align and easy to automate, improving productivity and reducing costs.

[실시예 6]Example 6

제6a도와 제6b도에 의해 본 발명의 다른 예를 보였다.6A and 6B show another example of the present invention.

그림에 있어서 61은 기판, 62a,62b,62a'62b'는 전극으로서 이들 전극은 저항율이 다른 부분으로 구성되어 있다. 즉, 저항율이 높은 전극부 62a,62b와 저항율이 낮은 62a', 62b'전극부로 구성되어 있다.In the figure, 61 is a substrate, 62a, 62b, and 62a '62b' are electrodes, and these electrodes are composed of parts having different resistivities. That is, it consists of the electrode parts 62a and 62b with high resistivity, and the 62a 'and 62b' electrode parts with low resistivity.

이것에 의해 갭(63')으로 개시되는 방전이 전극상에 확대되어 전극(62a'), (62b')사이까지 용이한 진전이 가능하여 방전이 집중하기 쉬워져 열적으로 손상되기쉬운 갭부 전극의 수명을 향상 시킬수 있다.As a result, the discharge initiated by the gap 63 'is enlarged on the electrode, so that it is possible to easily move between the electrodes 62a' and 62b ', so that the discharge is easy to concentrate and thermally damaged. It can improve the service life.

그림에 있어서 65는 뚜껑, 67a, 67b는 한쌍의 전극 단자이다.In the figure, 65 is a lid, 67a and 67b are a pair of electrode terminals.

전극(62a),(62b)으로는 열안정이 높은 W, Ta, Mo등 고용융점 금속을, 전자빔 증착방법, 스퍼터링 방법, CVD(Chemical Vapor Deposition)방법에 의해 형성한다.As the electrodes 62a and 62b, a high melting point metal such as W, Ta, Mo, etc. having high thermal stability is formed by an electron beam deposition method, a sputtering method, or a CVD (chemical vapor deposition) method.

수십에서 1000의 두께가 효과적이다.Dozens In 1000 The thickness of is effective.

또한 불순물의 도프(Dope)양에 의해 저항율이 변화하여 비교적 융점이 높은 Si등 반도체도 유효하다.In addition, the resistivity varies depending on the amount of the dop of impurities, and semiconductors such as Si having a relatively high melting point are also effective.

전극(62a'),(62b')에 관해서는 Au,Cu,Ni 등이 유효하나 전기 W, Ta, Mo등 고용융점 금속말을 두껍게하여 저항을 낮게하여 사용하는 방법도 유효하며 이 경우 재료가 한 종류로 되어 설비 투자와 공정 관리면에서 유리해 진다.Au, Cu, Ni, etc. are effective for the electrodes 62a ', 62b', but it is also effective to thicken the solid-state melting point metals such as electricity, W, Ta, and Mo to lower the resistance. One kind is advantageous in terms of equipment investment and process control.

[실시예 7]Example 7

실시예 6의 전극에 있어서 62a,62b와 62a',62b'의 전극막을 단일층으로 형성하여 62a와 62b에 상당하는 고저항부를, 전극의 평면형상(혹은 전극면적)을 적게 함으로서 동등의 효과를 얻는 실시예이다.In the electrode of Example 6, the electrode films of 62a, 62b and 62a ', 62b' were formed in a single layer, and the high resistance portion corresponding to 62a and 62b was reduced to reduce the planar shape (or electrode area) of the electrode, thereby achieving an equivalent effect. It is an Example obtained.

제7a와 제7b도는 본 발병의 다른 실시예를 나타낸다.7a and 7b show another embodiment of the present disease.

그림에서 72b와 72b는 한쌍의 전극으로서 W, Mo등의 재료에 의해 수에서 10,000박막 또는 인쇄, 소성한 저항체에 의해 구성된다.In the figure, 72b and 72b are a pair of electrodes. From 10,000 It consists of a thin film or a printed and fired resistor.

본 발명은 갭(73)근방의 이들 전극 일부를 제거하여 전극의 평면형상(혹은 단면적)을 적게하여 저항을 높인 구성이다. 그림에서 80및 80'는 전극의 제거부로서 이것에 의해 전극 72a, 72b에서 갭부에 이르는 72a',72b'부의 저항은 높게 되어 이것에 의해 방전은 용이하게 72a',72b'에 진전하여 갭부의 전극 수명을 연장시키는 것으로 된다.In the present invention, a portion of these electrodes in the vicinity of the gap 73 is removed to reduce the planar shape (or cross-sectional area) of the electrodes, thereby increasing the resistance. In the figure, 80 and 80 'are the removal parts of the electrodes, whereby the resistances of the 72a' and 72b 'portions extending from the electrodes 72a and 72b to the gap portions are high, whereby the discharge easily proceeds to 72a' and 72b 'and thus the gap portions are removed. The electrode life is extended.

또한, 갭(73)형성과 제거부(80)의 형성을 포토 에칭(Photo Etching)방법에 의해 실시하는 경우 동일 공정에서 일괄 실시가 가능해 진다.In addition, when the gap 73 is formed and the removal portion 80 is formed by a photo etching method, the batch process can be performed in the same process.

또한 전기 실시예와 같이 레이저 절단으로 연속 공정으로서 실시하는 것도 가능하다.It is also possible to carry out as a continuous process by laser cutting as in the previous embodiment.

그러나 이 경우는 제거부 외주를 레이저로 감싸듯이 선상에서 제거하면 감싸인 부분은 주위 전극으로 부터 분리 되므로 제거한 것과 동일한 효과를 얻을 수 있다.In this case, however, if the outer periphery of the removal unit is removed from the line, the wrapped part is separated from the surrounding electrode, and thus the same effect as the removal can be obtained.

Claims (1)

기판의 동일 평면상에, 전기적으로 상호 절연되고, 마이크로갭 혹은 갭을 형성하도록 배치 된 한쌍의 전극과, 전기 마이크로갭 혹은 갭및 갭 주변의 전기 한쌍의 전극 각각의 일부를 포함하여 전기 기판을 감싸는 기밀캡 또는 뚜껑과, 전기 기판의 양단면에 형성된 한쌍의 전극을 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로갭 혹은 갭식 서지(Surge) 흡수 소자.A pair of electrodes electrically insulated from one another on the same plane of the substrate and arranged to form a microgap or gap, and a portion of each of the electrical microgap or gap and a pair of electrodes around the gap to surround the electrical substrate A microgap or gap surge absorbing element having an airtight cap or lid and a pair of electrodes formed on both end surfaces of an electric substrate.
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