KR100190336B1 - Method of purifying bisphenol a, phenol crystalline adduct, method of producing the crystalline adduct, and method of producing bisphenol a. - Google Patents

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데쓰오 마에지마
사찌오 아사오까
노부오 모리야
고우지 사까시따
노리유끼 요네다
게이지 시모다
다까오 가메다
아끼오 신도
마꼬도 야스이
쓰네오 와따나베
히로아끼 니시지마
노부히로 온다
류이찌 이나바
다까시 이마제끼
아쯔미 구끼도메
가오루 시모가와라
다께시 고우자끼
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가시와라 마사아끼
지요다 가꼬 겡세쓰 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 결정 부가물의 정제 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a process for purifying crystal adducts.

본 발명은 정석탑에서 결정 부가물을 석출시킴에 있어 미결정 부가물 함유율이 낮은 고품위 결정 부가물을 석출시키는 방법과 함께, 결정 부가물 슬러리로부터 고품위 결정 부가물을 분리회수하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for depositing high quality crystal adducts having a low content of microcrystalline adducts in depositing crystal adducts in a crystal column, and separately recovering high quality crystal adducts from a crystal adduct slurry.

본 발명은 또한 고품위 결정 부가물을 석출시키는 정석 장치에 관한 것이다.The present invention also relates to a crystallizer for depositing high quality crystal adducts.

본 발명은 또한 결정 부가물로부터 그것에 함유되는 페놀을 증발제거하여 비스페놀 A 를 제조함에 있어, 색상이 뛰어나고, 용융물의 착색이 없는 고품위의 비스페놀 A를 얻는 방법에 관한 것이다.The present invention also relates to a process for obtaining high quality bisphenol A, which is excellent in color and free from coloration of the melt in evaporating off the phenol contained therefrom from the crystal adduct.

본 발명은 또한 비스페놀 A 를 함유하는 페놀 용액으로부터 그것에 함유되는 페놀을 증발제거하는 페놀 증발공정과, 이 페놀 증발공정으로부터 얻어지는 페놀 함유 비스페놀 A를 증기 스트립핑하는 공정에 의해서 비스페놀 A를 제조할 때에 고품위의 A를 효율좋게 얻는 방법에 관한 것이다.The present invention also provides a high-quality product for producing bisphenol A by a phenol evaporation step of evaporating and removing phenol contained therefrom from a phenol solution containing bisphenol A, and steam stripping the phenol-containing bisphenol A obtained from the phenol evaporation step. It is about how to get A of efficiently.

Description

비스페놀 A·페놀 결정 부가물의 정제방법, 이 결정 부가물의 제조방법과 그를 위한 정석 장치 및 비스페놀 A 의 제조방법Method for purifying bisphenol A-phenol crystal adduct, method for preparing this crystal adduct, crystallizer therefor and method for producing bisphenol A

본 발명은 색상이 양호한 고품위 비스페놀 A·페놀결정 부가물의 정제방법, 이 결정 부가물의 제조방법과 그를 위한 정석 장치 및 고품위 비스페놀 A 의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for purifying high quality bisphenol A-phenol crystal adducts with good color, a method for producing this crystal adduct, a crystallization apparatus for the same, and a method for producing high quality bisphenol A.

비스페놀 A [2,2-비스 (4'-히드록시페닐) 프로판] 을 제조하기 위하여 산촉매의 존재하 과잉의 페놀에 아세톤을 반응시키는 것은 알려져 있다. 또 이 반응 생성물로부터 고순도 비스페놀 A 를 분리회수 하기 위하여, 반응 생성물을 냉각하여 비스페놀 A 와 페놀과의 결정 부가물 (이하, 단순히 결정 부가물 이라고도 한다) 을 석출시켜 얻어진 결정 부가물로부터 페놀을 제거하는 것도 알려져 있다 (일본국 특공소 36-23335 호, 특공소 62-42790 호).It is known to react acetone with excess phenol in the presence of an acid catalyst to produce bisphenol A [2,2-bis (4'-hydroxyphenyl) propane]. In order to separate and recover high-purity bisphenol A from this reaction product, the reaction product is cooled to precipitate crystalline adducts of bisphenol A and phenol (hereinafter, also referred to simply as crystalline adducts) to remove phenol from the crystalline adduct obtained. It is also known as Japanese Command Office 36-23335, Command Office 62-42790.

이와같은 비스페놀 A 의 제조방법에 있어서, 제품으로서 회수되는 비스페놀 A 의 순도 및 색상은 그 결정 부가물의 순도 및 색상에 크게 의존하기 때문에 고품위 비스페놀 A 를 얻는 데는 고순도이며 색상이 좋은 결정 부가물을 제조하는 것이 요구된다.In such a method for producing bisphenol A, since the purity and color of the bisphenol A recovered as a product largely depends on the purity and color of the crystal adduct, a high purity and good color crystal adduct is obtained. Is required.

과잉의 페놀에 아세톤을 반응시켜서 얻어지는 비스페놀 A 를 함유하는 페놀 용액으로부터 고순도 결정 부가물을 얻기 위하여 그 페놀용액을 복수단의 정석공정을, 그 중간에 결정 부가물의 분리공정과 용해공정을 통하여 결합한 일련의 정석공정에 의해서 처리하는 방법은 알려져 있다.In order to obtain a high-purity crystal adduct from a phenol solution containing bisphenol A obtained by reacting excess phenol with acetone, a series of combinations of the phenol solution through a plurality of crystallization steps and a separation and dissolution step of the crystal adduct in between. The method of processing by the crystallization process of is known.

이와같은 복수의 정석공정을 사용하는 종래의 결정 부가물의 제조방법에 있어서는 각 단의 정석공정에서는 하나의 정석탑이 사용되고 있으며, 그리고 그 정석공정의 단수를 증가시킴으로써 보다 고순도의 결정 부가물을 얻을 수가 있다. 그러나 이 경우 정석공정의 단수를 증가시키면 그 정석공정 단수의 증가에 따라 결정 부가물 분리장치 및 결정 부가물 용해조의 수도 증가시킬 필요가 있고, 정석 장치계가 복잡하게 되는 동시에 대형화하여 장치 비용이 높아진다는 문제를 포함한다. 또 정석탑의 치수를 크게함으로써도, 고순도의 결정 부가물을 얻을 수가 있다. 그러나 정석탑의 치수를 크게하면 그 정석탑의 크기의 증가에 따라 냉각 장치, 결정 부가물 순환 장치 및 미결정 부가물 용해조의 크기도 지수 함수적으로 증가시킬 필요가 있고, 정석 장치계가 비효율적으로 되는 동시에 대형화하고, 장치 비용이 높아진다는 문제도 포함한다.In the conventional method for producing a crystal addition product using a plurality of crystallization processes, one crystal tower is used in the crystallization step of each stage, and a higher purity crystal additive can be obtained by increasing the number of crystallization steps in the crystallization step. have. In this case, however, if the number of crystallization steps is increased, the number of crystal adduct separation devices and crystal addition product dissolution tanks needs to be increased as the number of crystallization steps increases. Include a problem. In addition, by increasing the size of the crystallization tower, it is possible to obtain a high purity crystal adduct. However, when the size of the crystal tower is increased, the size of the cooling device, the crystal adduct circulator and the microcrystalline adduct dissolving tank also needs to be increased exponentially as the size of the crystal tower increases, and the crystal system is inefficient. It also includes the problem of larger size and higher device cost.

비스페놀 A 를 함유하는 페놀용액을 정석 처리하고, 결정 부가물을 석출시키기 위한 방법으로서는 정석탑으로부터 결정 부가물 슬러리의 일부를 발출(拔出) 하고, 이것을 냉각기로 냉각한 후 정석탑에 재순환 시킴으로써, 정석탑의 온도를 소정의 정석온도로 유지하는 것이 행해지고 있다. 그러나 이 방법에서는 얻어지는 슬러리 중의 결정 부가물의 입경을 콘트롤 하는 것이 어렵고 얻어지는 결정 부가물의 입경 분포는 크게 변동하고, 미세한 결정 부가물 입자를 다량 함유하는 결정 부가물이 얻어진다. 한편 미세입자상의 결정 부가물은 그의 표면적이 크기 때문에 착색 원인 물질인 불순물을 흡착하기 쉽고, 얻어지는 결정 부가물은 색상이 나쁜 것으로 되어 버린다. 그리고 이와같은 결정 부가물로부터 얻어지는 비스페놀 A 도 그의 착색원인 물질을 함유하게 되고, 색상이 나쁜 것으로 되어 버린다. 따라서, 고품위의 비스페놀 A 를 얻는 관점에서는 비스페놀 A 를 함유하는 페놀용액을 정석 처리하여 결정 부가물 슬러리를 얻을 때에, 미결정 (微結晶) 부가물 입자 함유율이 낮은 결정 부가물 슬러리를 효율좋게 제조하는 방법을 개발하는 것이 중요하다.As a method for crystallizing a phenol solution containing bisphenol A and depositing a crystal adduct, a part of the crystal adduct slurry is extracted from the crystal tower, cooled by a cooler and recycled to the crystal tower. Maintaining the temperature of the crystallization tower at a predetermined crystallization temperature is performed. However, in this method, it is difficult to control the particle size of the crystal adduct in the slurry to be obtained, and the particle size distribution of the obtained crystal adduct varies greatly, and a crystal adduct containing a large amount of fine crystal adduct particles is obtained. On the other hand, since the fine particle-like crystal adduct is large in its surface area, it is easy to adsorb impurities which are coloring causing substances, and the obtained crystal adduct is poor in color. And bisphenol A obtained from such a crystal addition product also contains the substance which is its coloring source, and color becomes bad. Therefore, from the viewpoint of obtaining a high quality bisphenol A, a method for efficiently producing a crystal adduct slurry having a low content of microcrystalline adduct particles when crystallizing a phenol solution containing bisphenol A to obtain a crystal adduct slurry is obtained. It is important to develop it.

종래 고순도의 결정 부가물을 얻기 위하여 비스페놀 A 를 함유하는 페놀 용액을 정석처리하여 얻어지는 결정 부가물 슬러리를 여과 처리하고, 분리된 결정 부가물을 고순도 페놀로 세정하는 것은 알려져 있다. 이 경우 정석공정의 수를 증가함으로써 순도가 높여진 제품 결정 부가물을 얻을 수가 있다. 그러나 이와같은 복수의 정석공정을 포함하는 결정 부가물의 제조에 있어서, 각 정석공정에서 얻어지는 결정 부가물 세정용의 각 세정액에 고순도의 페놀을 사용하더라도 착색 물질등의 흡착성이 높은 불순물을 결정 부가물로부터 분리하기가 어려워 결정 부가물의 각별한 고순도화는 달성되지 않고, 오히려 그의 고순도 페놀을 대량으로 얻기 위한 비용이 높아진다는 문제가 있다.In order to obtain a high purity crystal adduct, it is known to filter a crystal adduct slurry obtained by crystallizing a phenol solution containing bisphenol A and to wash the separated crystal adduct with high purity phenol. In this case, by increasing the number of crystallization processes, product crystal adducts with increased purity can be obtained. However, in the production of crystal adducts including a plurality of crystallization steps, even if high purity phenol is used in each of the cleaning liquids for the crystal adduct cleaning obtained in each crystallization step, impurities having high adsorptivity such as colored substances may be removed from the crystal adducts. It is difficult to separate, so that a particular high purity of the crystal adduct is not achieved, but there is a problem that the cost for obtaining a large amount of its high purity phenol is high.

또 상기와 같은 비스페놀 A 의 제조방법에 있어서, 제품으로서 회수되는 비스페놀 A 의 순도 및 색상은 상기와 같이 결정 부가물의 순도 및 색상에 크게 의존하는 것은 물론이지만 얻어진 결정 부가물을 가열 용융하는 조건이나, 그 가열 용융물을 증발처리하는 조건등에 의해서도 크게 영향을 받는다.In the method for producing bisphenol A as described above, the purity and color of the bisphenol A recovered as a product greatly depend on the purity and color of the crystal adduct as described above, but the conditions for heating and melting the obtained crystal adduct, It is also greatly influenced by the conditions for evaporating the heated melt.

결정 부가물로부터 페놀의 분리는 일반적으로는 증발, 추출, 수증기에 의한 스트립핑 등에 의해서 수행된다. 결정 부가물로부터 증발에 의해 페놀을 제거하는 방법으로서는 구체적으로는 특공소 52-42790 호 공보에 표시되어 있듯이 결정 부가물을 용융후, 180℃ 보다 높은 온도 및 감압하에서 0.1 ∼ 30 분간에서 기화하고 페놀을 분별응축시켜서 비스페놀 A 로부터 분리하는 방법이나, 결정 부가물을 180 ∼ 200℃ 에서 증발처리하여 페놀을 제거한 후의 페놀함유 비스페놀을 증기 스트립핑하는 방법도 알려져 있다 (특개소 63-132850 호). 그러나 결정 부가물중의 페놀을 증발처리하여 얻어지는 비스페놀 A 의 색상은 그 증발처리에 있어서의 가열이 원인으로 되어서 악화한다. 예를들면 APHA 15 이하의 양호한 색상을 갖는 결정 부가물이라 할지라도 이것을 가열 용융하고, 그 용융물로부터 페놀을 증발제거하여 얻어지는 제품 비스페놀 A 의 색상은 악화하고 통상 40 이상의 APHA 를 나타내도록 된다.Separation of phenol from crystalline adducts is generally carried out by evaporation, extraction, stripping with water vapor or the like. As a method for removing phenol from the crystalline adduct by evaporation, specifically, as shown in Japanese Patent Application Publication No. 52-42790, after melting the crystalline adduct, it is vaporized at 0.1 to 30 minutes at a temperature higher than 180 ° C. and reduced pressure. The method of fractionally condensing and separating from bisphenol A, or the method of vapor-striping phenol containing bisphenol after removing a phenol by evaporating a crystal adduct at 180-200 degreeC (Patent No. 63-132850) are also known. However, the color of bisphenol A obtained by evaporating the phenol in the crystal adduct is deteriorated due to the heating in the evaporation treatment. For example, even if it is a crystal adduct having a good color of APHA 15 or less, the color of the product bisphenol A obtained by heating and melting it and evaporating off phenol from the melt deteriorates and usually exhibits APHA of 40 or more.

이와같은 문제를 해결하기 위하여 옥살산이나 시트르산을 페놀 / 물 / 비스페놀 A 혼합물 중에 가한후 증류처리함으로써 개선된 색상을 갖는 비스페놀 A 를 얻는 방법이 제안되어 있다 (특공소 40-19333 호). 또 비스페놀 A 의 안정성을 향상시키기 위하여 티오글리콜산, 글리콜산 또는 폴리인산을 첨가하는 방법 (특공소 47-43937 호) 나, 젖산, 말산 또는 글리세린산을 첨가하는 방법 (특개평 2-231444 호) 등도 알려져 있다. 그러나 이것들의 방법에 있어서도 비스페놀 A 의 색상 개선의 효과는 아직 충분치 않았다.In order to solve this problem, a method of obtaining bisphenol A having an improved color by adding oxalic acid or citric acid to a phenol / water / bisphenol A mixture and then distilling it has been proposed (Special Publication No. 40-19333). In addition, a method of adding thioglycolic acid, glycolic acid, or polyphosphoric acid to improve the stability of bisphenol A (special publication No. 47-43937), or a method of adding lactic acid, malic acid, or glycerin acid (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-231444) Etc. are also known. However, also in these methods, the effect of the color improvement of bisphenol A was not enough.

한편, 결정 부가물로부터 페놀을 증발제거하여 얻어지는 페놀 함유 비스페놀 A 를 증기 스트립핑 처리하여 고순도 비스페놀 A 를 얻는 방법에 있어서는 페놀과 비스페놀 A 와 증기로 이루어진 스트립핑 가스가 얻어진다. 이 스트립핑 가스는 냉각 응축 처리에 붙여지고, 비스페놀 A 및 페놀이 분리 회수되지만, 이경우, 냉각기의 기벽에 비스페놀 A 나 페놀의 고체가 스케일로서 고착되고, 냉각기의 냉각효율을 현저하게 악화시키는 동시에 냉각기의 폐색이 생기는 등의 문제가 있다.On the other hand, in the method of steam stripping the phenol-containing bisphenol A obtained by evaporating and removing phenol from the crystal adduct, to obtain a high purity bisphenol A, a stripping gas consisting of phenol, bisphenol A and steam is obtained. This stripping gas is attached to the cooling condensation treatment, and bisphenol A and phenol are separated and recovered, but in this case, solids of bisphenol A or phenol are fixed on the base wall of the cooler as a scale, which significantly deteriorates the cooling efficiency of the cooler and at the same time. There is a problem such as blockage of.

본 발명의 하나의 목적은 결정 부가물의 정제방법을 제공하는데 있다.One object of the present invention is to provide a method for purifying crystal adducts.

본 발명의 다른 목적은 고품위 결정 부가물을 효율좋게 제조하는 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a method for efficiently preparing high quality crystal adducts.

본 발명의 또 다른 목적은 정석탑에서 결정 부가물을 석출시킴에 있어 미결정 부가물 함유율이 낮은 고품위 결정 부가물을 석출시키는 방법을 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide a method for depositing high quality crystal adducts having a low content of microcrystalline adducts in depositing crystal adducts in a crystal column.

본 발명의 또 다른 목적은 결정 부가물 슬러리로부터 고품위 결정 부가물을 분리회수하는 방법을 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to provide a method for separating and recovering high quality crystal adducts from a crystal adduct slurry.

본 발명의 또 다른 목적은 고품위 결정 부가물을 석출시키는 정석 장치를 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide a crystallization apparatus for depositing high quality crystal adducts.

본 발명의 또 다른 목적은 결정 부가물로부터 그것에 함유되는 페놀을 증발제거하여 비스페놀 A 를 제조함에 있어, 색상이 뛰어나고, 용융물의 착색이 없는 고품위의 비스페놀 A 를 얻는 방법을 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide a method for obtaining bisphenol A having a high color and no coloration of a melt in preparing bisphenol A by evaporating and removing phenol contained therein from a crystal adduct.

본 발명의 또 다른 목적은 결정 부가물로부터 그것에 함유되는 페놀을 증발제거하여 비스페놀 A 를 제조할 때에 그 증발에 있어서의 가열에 의한 비스페놀 A 의 착색을 방지하는 방법을 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide a method of preventing the coloring of bisphenol A by heating in the evaporation when producing bisphenol A by evaporating off the phenol contained therein from the crystal adduct.

본 발명의 다른 목적은 비스페놀 A 를 함유하는 페놀용액으로부터 그것에 함유되는 페놀을 증발제거하는 페놀 증발공정과, 이 페놀 증발공정으로부터 얻어지는 페놀 함유 비스페놀 A 를 증기 스트립핑 하는 공정에 의해서 비스페놀 A 를 제조할때에 고품위의 비스페놀 A 를 효율좋게 얻는 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to produce bisphenol A by a phenol evaporation step of evaporating and removing phenol contained therefrom from a phenol solution containing bisphenol A, and by steam stripping the phenol-containing bisphenol A obtained from the phenol evaporation step. The present invention provides a method for efficiently obtaining high quality bisphenol A.

본 발명의 또 다른 목적은 페놀 함유 비스페놀 A 를 스트립핑 처리할때에 얻어지는 스트립핑 가스를 고체상의 비스페놀 A 및 페놀을 석출시키지 않고 응축시키는 방법을 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to provide a method for condensing the stripping gas obtained in the stripping treatment of phenol-containing bisphenol A without depositing solid bisphenol A and phenol.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하고자 예의 연구를 거듭한 결과, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors came to complete this invention as a result of earnestly researching in order to achieve the said objective.

본 발명에 의하면, 수분 0.5 wt % 이하의 공업용 페놀을 강산형 이온 교환 수지와 접촉시킨 후, 185℃ 이하의 온도에서 증류처리하는 것을 특징으로 하는 정제 페놀의 제조방법이 제공된다.According to the present invention, there is provided a method for producing purified phenol, wherein the industrial phenol having a water content of 0.5 wt% or less is brought into contact with a strong acid type ion exchange resin and then distilled at a temperature of 185 ° C. or less.

본 발명에 의하면 결정 부가물 제조를 위한 제1 의 프로세스로서, 제1 단의 정석공정을 수행하기 위해 직렬로 연결된 2 개의 정석탑의 제1 의 정석탑 (A) 에 비스페놀 A 가 용해된 페놀용액을 공급하고, 비스페놀 A.페놀의 결정 부가물로 이루어진 종정 (種晶) 을 석출시키는 동시에 이 정석공정에서 얻어진 종정을 함유하는 결정 부가물 슬러리를 제2 정석탑 (B) 에 도입하고, 상기 제1 정석탑 (A) 보다 낮은 온도에서 그 종정의 결정성장을 수행한 후, 이 제1 단의 정석공정에서 얻어진 결정 부가물 슬러리를 고액 분리 공정에 도입하여 결정 부가물을 모액으로부터 분리하고, 이어서 이 결정 부가물을 그 모액 보다도 순도가 높은 페놀로 재용해 한 후, 제2 단의 정석공정을 수행하기 위한 직렬로 연결된 2 개의 정석탑의 제1 의 정석탑 (C) 에 공급하고, 비스페놀 A·페놀의 결정 부가물로부터 이루어진 종정을 석출시키는 동시에 이 정석공정에서 얻어진 결정 부가물 슬러리를 제2 정석탑 (D) 에 도입하고, 상기 제1 정석탑 (C) 보다 낮은 온도에서 그 종정의 결정성장을 수행하는 것을 특징으로 하는 비스페놀 A · 페놀 결정 부가물의 제조방법이 제공된다. According to the present invention, a phenol solution in which bisphenol A is dissolved in a first crystal tower (A) of two crystal towers connected in series as a first process for preparing a crystal adduct. the supply and bisphenol a. A crystal addition product slurry containing seed crystals obtained in this crystallization step is precipitated at the same time as the seed crystal made of the crystal addition product of phenol is introduced into the second crystal tower (B), and the first crystal tower (A) is used. After carrying out crystal growth of the seed at low temperature, the crystal adduct slurry obtained in the crystallization step of this first stage is introduced into the solid-liquid separation process to separate the crystal adduct from the mother liquor, and then the crystal adduct is separated from the mother liquor. After re-dissolving with higher purity phenol, it is supplied to the first crystal tower (C) of two crystallization towers connected in series for performing the crystallization step of the second stage, and from the crystal adduct of bisphenol A-phenol. At the same time as depositing the seed crystals formed, the crystal adduct slurry obtained in this crystallization step is introduced into the second crystal tower (D), and crystal growth of the seed crystals is carried out at a lower temperature than the first crystal tower (C). Provided is a method for producing a bisphenol A-phenol crystal adduct .

제1 도는 결정 부가물을 제조하기 위한 본 발명의 제1 의 프로세스를 실시하는 경우의 장치 계통도의 일예를 나타내는 것이고,1 shows an example of an apparatus flow diagram when carrying out the first process of the present invention for producing a crystal adduct,

제2 도는 결정 부가물을 제조하기 위한 본 발명의 제2 의 프로세스를 실시하는 경우의 장치 계통도의 일예를 나타내는 것이며,2 shows an example of an apparatus flow diagram when carrying out the second process of the present invention for producing a crystal adduct,

제3 도는 결정 부가물을 제조하기 위한 본 발명의 제3 의 프로세스를 실시하기 위한 장치 계통도의 일예를 나타내는 것이고,3 shows an example of a device schematic for carrying out the third process of the invention for producing a crystal adduct,

제4 도는 결정 부가물을 제조하기 위한 본 발명의 제4 의 프로세스를 실시하는 경우의 장치 계통도의 일예를 나타내는 것이며,4 shows an example of an apparatus flow diagram when carrying out the fourth process of the present invention for producing a crystal adduct,

제5 도는 결정 부가물을 제조하기 위한 본 발명의 제5 의 프로세스를 실시하는 경우의 플로 시트의 일예를 나타내는 것이고,5 shows an example of a flow sheet in the case of carrying out the fifth process of the present invention for producing a crystal adduct,

제6 도는 비스페놀 A 를 함유하는 페놀 용액을 증기 스트립핑 처리하는 경우의 장치 계통도의 일예를 나타내는 것이며,FIG. 6 shows an example of an apparatus flow diagram when steam stripping a phenol solution containing bisphenol A,

제7 도는 스트립핑 가스를 응축하기 위한 장치 계통도의 일예를 나타내는 것이고,7 shows an example of an apparatus flow diagram for condensing stripping gas,

제8 도는 스트립핑 가스를 응축하기 위한 장치 계통도의 다른 예를 나타내는 것이다.8 shows another example of an apparatus schematic for condensing stripping gas.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

(제1 도에 있어서)(In FIG. 1)

A,B,C,D : 정석탑 E : 고액 분리 장치A, B, C, D: Crystal tower E: Solid-liquid separator

F : 결정 부가물 용해조 P : 내통F: Crystal Additive Dissolution Tank P: Inner Cylinder

Q : 미결정 부가물 용해 탱크Q: Microcrystalline Adduct Melting Tank

(제2 도에 있어서)(In FIG. 2)

A,B : 정석탑 P : 내통A, B: crystal tower P: inner cylinder

Q : 미결정 부가물 용해 탱크Q: Microcrystalline Adduct Melting Tank

(제3 도에 있어서)(In Figure 3)

1 : 외통 2 : 내통1: outer cylinder 2: inner cylinder

3 : 미결정 부가물 용해 탱크 A : 정석탑3: microcrystalline adduct dissolution tank A: crystal tower

(제4 도에 있어서)(In Figure 4)

A : 제1 정석탑 B : 제2 정석탑A: 1st crystal tower B: 2nd crystal tower

3 ∼ 4 : 제1 상용 쿨러 5 : 예비 쿨러3 to 4: first commercial cooler 5: preliminary cooler

6 ∼ 7 : 제2 상용 쿨러 8 ∼ 13 : 펌프6-7: 2nd commercial cooler 8-13: Pump

101 ∼ 107 : 정석액 이송 라인101-107: crystallization liquid transfer line

(제5 도에 있어서)(In FIG. 5)

A-1, A-2, A-3 : 정석 공정A-1, A-2, A-3: Crystallization Process

B-1, B-2, B-3 : 고액 분리 공정B-1, B-2, B-3: solid-liquid separation process

C-1, C-2 : 재용해 공정C-1, C-2: remelting process

(제6 도에 있어서)(In FIG. 6)

1,2,3 : 박막 증발기1,2,3: Thin Film Evaporator

4 : 외부 히터4: external heater

(제7 도에 있어서)(In FIG. 7)

21 : 제1 냉각기21: first cooler

22 : 제2 냉각기22: second cooler

(제8 도에 있어서)(In FIG. 8)

21 : 제1 냉각기21: first cooler

22 : 제2 냉각기22: second cooler

41 : 냉각기41: cooler

45 : 간막이 판45: partition plate

본 발명에 의하면, 결정 부가물 제조를 위한 제2 의 프로세스로서, 상부에 개구부를 설치한 내통을 갖는 n (n ≥ 2) 개의 정석탑을 사용하여 비스페놀 A.페놀 결정 부가물을 제조하는 방법에 있어서,According to the present invention, as a second process for the production of crystal adducts, bisphenol A. is obtained by using n (n ≧ 2) crystal towers having inner cylinders with openings thereon . In the method for producing a phenol crystal adduct,

(a) 각 정석탑내에서 비스페놀 A·페놀 결정 부가물을 석출시켜서 결정 부가물 슬러리를 형성하고,(a) precipitate bisphenol A-phenol crystal adducts in each crystal column to form a crystal adduct slurry;

(b) 각 정석탑의 내통 저부로부터 결정 부가물 슬러리를 발출하며,(b) extracting the crystalline adduct slurry from the bottom of the inner cylinder of each crystal tower;

(c) 각 발출된 결정 부가물 슬러리의 일부를 냉각한후 각 정석탑에 순환도입하고,(c) cooling a part of each extracted crystal adduct slurry and circulating it in each crystal tower,

(d) 제1 단째 ∼ 제 n 단째의 정석탑중, 적어도 제 n 단째의 정석탑으로부터 발출된 결정 부가물 슬러리의 일부를 가열하고, 이 결정 부가물 슬러리 중에 함유되는 미결정 부가물 입자를 용해시킨 후, 그 정석탑에 순환 도입하며,(d) Among the crystal columns of the first to nth stages, a part of the crystal adduct slurry extracted from the crystal column of the at least nth stage is heated to dissolve the microcrystalline adduct particles contained in the crystal adduct slurry. After that, the circulation is introduced into the crystal tower,

(e) 제1 단째의 정석탑에 순환되는 냉각된 결정 부가물 슬러리에 비스페놀 A 를 함유하는 페놀 용액으로 이루어진 원료액을 첨가하여 제1 단째의 정석탑에 공급하고,(e) adding a raw material solution consisting of a phenol solution containing bisphenol A to the cooled crystal addition slurry circulated in the crystallization column of the first stage, and feeding the crystallization column of the first stage;

(f) 제1 단째 부터 제 (n-1) 단째의 각 정석탑의 내통 저부로부터 발출된 결정 부가물 슬러리의 일부를 각 다음단의 정석탑에 있어서의 결정 부가물 슬러리의 순환 냉각라인에 첨가하여 각 다음단의 정석탑에 공급하며,(f) A portion of the crystal adduct slurry extracted from the inner bottom of each crystal tower of the first stage to the (n-1) stage is added to the circulating cooling line of the crystal adduct slurry in each subsequent crystal tower. Supplies to the next step of the crystal tower,

(g) 제 n 단째의 정석탑의 내통 저부로부터 발출된 결정 부가물 슬러리의 일부 또는 제 n 단째에 있어서의 가열된 순환 슬러리의 일부를 제품 결정 부가물 슬러리로서 회수하는 것(g) Recovering a part of the crystal adduct slurry extracted from the inner bottom of the crystal column of the nth stage or a part of the heated circulation slurry in the nth stage as a product crystal adduct slurry

을 특징으로 하는 비스페놀 A·페놀 결정 부가물의 제조방법이 제공된다.A method for producing a bisphenol A phenol crystal adduct is provided.

본 발명에 의하면 결정 부가물 제조를 위한 제3 의 프로세스로서 밀폐구조의 외통내에 상부에 개구부를 갖는 내통을 삽입한 2 중 구조의 정석탑의 외통내에 비스페놀 A 를 함유하는 페놀용액을 공급하는 동시에, 이 정석탑의 내통 저부로부터 비스페놀 A · 페놀 결정 부가물 슬러리를 발출하고 그 발출한 결정 부가물 슬러리의 일부를 냉각한 후, 이 외통내에 선회류 (旋回流) 가 생기게 하도록 순환도입하고 또한 이 발출된 결정 부가물 슬러리의 일부를 가열하고, 이 결정 부가물 슬러리에 함유되는 미결정 부가물 입자를 용해시킨 후, 이 외통하부로부터 상기 냉각 결정 부가물 슬러리와 동일 방향의 선회류가 생기도록 외통내에 순환도입하는 동시에, 내통 저부로부터 발출한 결정 부가물 슬러리의 일부 혹은 이 결정 부가물 슬러리에 함유되는 미결정 부가물 입자를 용해시킨 후의 결정 부가물 슬러리의 일부를, 제품 결정 부가물 슬러리로서 회수하는 것을 특징으로 하는 비스페놀 A·페놀 결정 부가물 슬러리의 제조방법이 제공된다.According to the present invention, a phenol solution containing bisphenol A is supplied into the outer cylinder of the crystal structure column of double structure in which the inner cylinder with the opening is inserted into the outer cylinder of the closed structure as a third process for producing the crystal adduct. The bisphenol A-phenol crystalline adduct slurry was extracted from the inner bottom of the crystal tower, and a part of the extracted crystalline adduct slurry was cooled and circulated and introduced into the outer cylinder so as to generate swirl flow. A part of the crystalline adduct slurry thus prepared is heated, and the microcrystalline adduct particles contained in the crystalline adduct slurry are dissolved, and then circulated in the outer cylinder so that a swirl flow in the same direction as the cooling crystal adduct slurry occurs from the bottom of the outer cylinder. At the same time, a part of the crystal adduct slurry extracted from the inner cylinder bottom or the microcrystal contained in the crystal adduct slurry A portion of the additional decision after dissolving the heat of the particles of water slurry, the product crystals are added to provided a method for producing bisphenol A · phenol adduct crystal slurry, characterized in that for recovering a water slurry.

본 발명에 의하면 결정 부가물 제조를 위한 제4 의 프로세스로서, 정석탑 및 쿨러를 준비하고, 이 정석탑으로부터 결정 부가물 슬러리의 일부를 발출하여 이 쿨러로 냉각하고 냉각후의 결정 부가물 슬러리를 이 정석탑에 재순환 시킴으로써 정석탑 내에서 결정 부가물의 석출을 발생시키고, 석출된 결정 부가물을 이 정석탑으로부터 발출하여 결정 부가물 슬러리로부터 분리하는 정석방법에 있어서, 이 쿨러를 복수기 병렬로 설치하고, 복수기의 쿨러중 1 기를 예비 쿨러로하고, 예비 쿨러 이외의 쿨러만을 사용하여 결정 부가물 슬러리의 냉각을 하고 전열면에 결정 부가물이 석출된 전열효율이 저하된 쿨러를 예비쿨러와 교환하여 연속운전을 하는 동시에 그 전열효율이 저하된 쿨러를 가온함으로써 전열면에 부착한 결정 부가물을 용해하여 재생하는 것을 특징으로 하는 비스페놀 A · 페놀 결정 부가물의 제조방법이 제공된다.According to the present invention, as a fourth process for producing a crystal adduct, a crystal tower and a cooler are prepared, and a part of the crystal adduct slurry is extracted from the crystal tower, cooled by the cooler, and the cooled crystal adduct slurry is obtained. In the crystallization method in which the crystal adducts are precipitated in the crystal tower by recirculating to the crystal tower, and the precipitated crystal adducts are extracted from the crystal tower and separated from the crystal adduct slurry. One of the condenser coolers is used as a preliminary cooler, and only the cooler other than the preliminary cooler is used to cool the crystal adduct slurry, and the cooler in which the heat transfer efficiency of the crystal adducts deposited on the heat transfer surface is reduced is replaced with the preliminary cooler. At the same time, by heating a cooler whose heat transfer efficiency is lowered, it dissolves and regenerates the crystal adduct attached to the heat transfer surface. This bisphenol A · phenol crystals addition method of water is produced, characterized in service.

본 발명에 의하면 결정 부가물 제조를 위한 제5 의 프로세스로서, 비스페놀 A 를 함유하는 페놀용액을, n (n ≥ 2) 단의 정석공정, n 단의 고액 분리 공정, 적어도 1 단의 비스페놀 A · 페놀 결정 부가물 세정공정 및 n-1 단의 결정 부가물 재용해 공정을 포함하고, 제1 단째로부터 제 n-1 단째의 각 단의 정석공정에서 얻어진 정석 생성물을 고액 분리하고, 얻어진 결정 부가물을 그대로 혹은 세정액으로 세정한 후 페놀용액으로 재용해하여 다음단의 정석공정에 공급하고 또한 제 n 단째의 정석공정에서 얻어진 정석 생성물을 고액 분리하고 얻어진 결정 부가물을 세정액으로 세정하여 고순도의 결정 부가물을 얻는 방법에 있어서,According to the present invention, as a fifth process for producing a crystal adduct, a phenol solution containing bisphenol A is prepared in a crystallization step of n (n ≧ 2) steps, a solid-liquid separation step of n steps, and at least one step of bisphenol A. A crystal adduct obtained by solid-liquid separation of the crystallization product obtained in the crystallization step of each step of the n-th step from the first step including the phenol crystal adduct washing step and the crystallization of the n-1 step; Or washed with a washing solution and redissolved with phenol solution to be supplied to the next step of crystallization, and the crystallization product obtained in the nth step of crystallization is subjected to solid-liquid separation. In the method of obtaining water,

(a) 제 n 단째의 고액 분리 공정에서 얻어진 제 n 번째의 결정 부가물의 세정액의 적어도 일부에 정제 페놀을 사용하고,(a) using purified phenol for at least part of the washing liquid of the nth crystal adduct obtained in the solid-liquid separation process of the nth stage,

(b) 적어도 제 n-1 단째의 고액 분리 공정에서 얻어진 결정 부가물의 재용해용 페놀 용액의 적어도 일부에, 제 n 단째의 고액 분리 공정에서 얻어진 결정 부가물의 세정 배액 또는 제 n 단째의 고액 분리 공정에서 얻어진 모액을 사용하며,(b) at least a part of the phenol solution for re-dissolving the crystalline adducts obtained in the solid-liquid separation process of the n-th stage at least, in the washing liquid drainage of the crystalline adducts obtained in the solid-liquid separation process of the n-th stage, or in the solid-liquid separation process of the n-th stage Using the obtained mother liquor,

(c) 적어도 제 n-1 단째의 고액 분리 공정에서 얻어진 결정 부가물의 세정액의 적어도 일부에 제 n 단째의 고액 분리 공정에서 얻어진 모액 또는 제 n 단째의 고액 분리 공정에서 얻어진 결정 부가물의 세정 배액 (洗淨排液) 을 사용하고,(c) at least a part of the cleaning liquid obtained in the solid-liquid separation process of the solid-liquid separation process of the n-th stage, and washing liquid drainage of the mother liquor obtained in the solid-liquid separation process of the n-th stage or the solid-liquid separation process of the n-th stage.淨 排 液),

(d) 제1 단째로부터 제 n-1 단째까지의 각 단에 있어서의 결정 부가물 재용해용 페놀용액중의 불순물 농도 및 결정 부가물 세정액중의 불순물 농도가 어느것이나 다음 단에 있어서의 결정 부가물 재용해용 페놀용액중의 불순물 농도 및 결정 부가물 세정액중의 불순물 농도 보다도 높다는 것을 특징으로 하는 비스페놀 A · 페놀 결정 부가물의 제조방법이 제공된다.(d) Crystal adducts in the next stage, both the impurity concentration in the phenol solution for re-dissolution and the impurity concentration in the crystal adduct cleaning liquid in each stage from the first stage to the n-1 th stage A method for producing bisphenol A-phenol crystal adducts is provided which is higher than the impurity concentration in the re-dissolving phenol solution and the impurity concentration in the crystal adduct cleaning liquid.

본 발명에 의하면 결정 부가물 제조를 위한 제6 의 프로세스로서, 비스페놀 A 를 함유하는 페놀용액을 정석처리하여 얻어진 비스페놀 A · 페놀 결정 부가물 슬러리를 여과처리함에 있어서, 이 결정 부가물중 입경 100 ㎛ 이하의 미결정 부가물 성분의 일부를 여과측에 이행시키고, 입경 100 ㎛ 이하의 미결정 부가물 성분의 비율이 20 중량 % 이하의 조대 (粗大) 결정 부가물을 회수하는 것을 특징으로 하는 비스페놀 결정 부가물의 제조방법이 제공된다.According to the present invention, a bisphenol A-phenol crystal adduct slurry obtained by crystallizing a phenol solution containing bisphenol A as a sixth process for producing a crystal adduct is subjected to filtration, and has a particle size of 100 µm in the crystal adduct. A part of the following microcrystalline adduct component is transferred to the filtration side, and the ratio of the microcrystalline adduct component of 100 micrometers or less in particle size collect | recovers the coarse crystal adduct of 20 weight% or less, The bisphenol crystal adduct A manufacturing method is provided.

본 발명에 의하면 결정 부가물 제조를 위한 정석 장치로서 정석탑 및 복수기의 쿨러를 가지며, 이 정석탑은 그의 저부 이외의 위치에 결정 부가물 슬러리 복귀구, 그의 저부에 결정 부가물 슬러리 출구를 가지며, 각 클러는 각각 입구 및 출구를 가지며, 정석탑의 결정 부가물 슬러리 유출구와 각 쿨러의 입구와의 사이, 및 결정 부가물 슬러리의 복귀구와 각 쿨러의 출구와의 사이는 각각 결정 부가물 슬러리 이송수단에 의해서 접속되고, 결정 부가물 슬러리가 이정석탑의 결정 부가물 슬러리 유출구로부터 이 복수기의 쿨러중의 어느 1 기를 제외한 쿨러를 선택적으로 경유하여 이 정석탑의 결정 부가물 슬러리 복귀구까지 이송되도록 구성되어 이루어지는 비스페놀 A · 페놀 결정 부가물을 얻기 위한 장치가 제공된다.According to the present invention, as a crystallizer for producing a crystal adduct, a crystal tower and a plurality of coolers are provided, and the crystal tower has a crystal adduct slurry return port at a position other than its bottom, and a crystal adduct slurry outlet at its bottom; Each of the clusters has an inlet and an outlet, respectively, between the crystal adduct slurry outlet of the crystal tower and the inlet of each cooler, and between the return port of the crystal adduct slurry and the outlet of each cooler, respectively. And the crystal adduct slurry is transferred from the crystal adduct slurry outlet of the crystallite tower to the crystal adduct slurry return port of this crystal tower selectively via a cooler excluding any one of the coolers of this condenser. The apparatus for obtaining the made bisphenol A phenol crystal adduct is provided.

본 발명에 의하면 비스페놀 A 를 얻기 위한 제1 의 프로세스로서, 비스페놀 A 와 페놀로 이루어진 용융색 APHA 15 이하의 실질적으로 중성 조건하에 있는 결정 부가물을 분위기중의 산소 농도 0.005 vol % 이하의 조건으로 가열용융하는 동시에 얻어진 용융물로부터 페놀을 증발제거시키는 것을 특징으로 하는 고품위 비스페놀 A 의 제조방법이 제공된다.According to the present invention, as a first process for obtaining bisphenol A, the crystal adduct under substantially neutral conditions of molten color APHA 15 or less composed of bisphenol A and phenol is heated to a condition of oxygen concentration of 0.005 vol% or less in the atmosphere. There is provided a process for producing a high quality bisphenol A characterized by evaporating and removing phenol from the melt obtained while melting.

본 발명에 의하면 비스페놀 A 를 얻기 위한 제2 의 프로세스로서, 비스페놀 A 와 페놀로 이루어진 용융색 APHA 가 15 이하의 실질적으로 중성 조건하에 있는 결정 부가물과 지방족 카르복실산을 함유하는 혼합물을 온도 130 ∼ 200℃, 감압하에서 페놀을 증발제거 시키는 것을 특징으로 하는 고품위 비스페놀의 제조방법이 제공된다.According to the present invention, as a second process for obtaining bisphenol A, a mixture containing a crystal adduct and aliphatic carboxylic acid having a molten color APHA composed of bisphenol A and a phenol under substantially neutral conditions of 15 or less has a temperature of 130 to Provided is a method for producing a high quality bisphenol characterized in that the phenol is evaporated off at 200 ° C. under reduced pressure.

본 발명에 의하면 비스페놀 A 를 얻기 위한 제3 의 프로세스로서 비스페놀 A 와 페놀로 이루어지고, 강산성 물질을 함유하는 약산성 조건하에 있는 용융색 APHA 가 15 이하의 결정 부가물에, 지방족 카르복실산 염을 이 결정 부가물중의 강산성 물질의 중화 상당량으로 첨가 혼합한후, 온도 130 ∼ 200℃, 감압하에서 페놀을 증발제거시키는 것을 특징으로 하는 고품위 비스페놀의 제조방법이 제공된다.According to the present invention, a third process for obtaining bisphenol A is composed of bisphenol A and phenol, and the molten color APHA under weakly acidic conditions containing a strongly acidic substance is added an aliphatic carboxylic acid salt to a crystal adduct of 15 or less. Provided is a method for producing a high quality bisphenol, wherein the phenol is evaporated and removed at a temperature of 130 to 200 ° C. under reduced pressure after the addition and mixing of the strong acidic substance in the crystal adduct.

본 발명에 의하면 비스페놀 A 를 얻기 위한 제4 의 프로세스로서, 용융색 APHA 가 15 이하의 비스페놀 A 와 페놀과의 결정 부가물을 용융장치 및 증발장치를 포함하는 장치계에 공급하고, 이 용융장치에서 결정 부가물을 용융하고, 이 증발장치에서 결정 부가물 용융액을 증발처리하여 비스페놀 A 와 페놀을 상호 분리하는 방법에 있어서, 이 장치계에 포함되는 적어도 상기 용융 장치 및 증발 장치 내벽면에 부착하는 산소량을 유기 용제 세정에 의해 내벽면 1 m2당 10 밀리몰 이하로 제거한 후, 결정 부가물을 상기 장치계에 공급하고, 용융 및 증발처리 하는 것을 특징으로 하는 고품위 비스페놀 A 의 제조방법이 제공된다.According to the present invention, as a fourth process for obtaining bisphenol A, a molten color APHA is supplied with a crystal adduct of bisphenol A having a phenol of 15 or less and phenol to an apparatus system including a melting apparatus and an evaporation apparatus, and in this melting apparatus A method of melting a crystalline adduct and evaporating the crystalline adduct melt in this evaporator to separate bisphenol A and phenol from each other, wherein at least the amount of oxygen adhering to the inner wall surface of the melting apparatus and the evaporation apparatus included in the apparatus system. Is removed to 10 mmol or less per 1 m 2 of the inner wall by organic solvent washing, and then a crystal adduct is supplied to the apparatus system, and a process for producing high-quality bisphenol A is provided.

본 발명에 의하면 비스페놀 A 를 얻기 위한 제5 의 프로세스로서, 용융색 APHA 가 15 이하의 비스페놀 A 와 페놀과의 결정 부가물의 용융액을 증발표면적을 향상시키는 부재를 내부에 배설한 적어도 1 개의 증발탑으로 이루어진 증발 처리공정에 공급하고, 감압하 페놀을 증발제거할 때에, 이 증발탑의 내벽면 및 이 증발탑 내부에 배설된 증발 표면적을 향상시키는 부재 표면에 부착하는 산소를 표면적 1 m2당 10 밀리몰 이하로 미리 제거한 증발탑을 사용하는 것을 특징으로 하는 고품위 비스페놀 A 의 제조방법이 제공된다.According to the present invention, as a fifth process for obtaining bisphenol A, the molten color APHA has a melt of a product of crystal adducts of bisphenol A with phenol of 15 or less and at least one evaporation column having a member for improving the evaporation surface therein. When the phenol is evaporated and removed under reduced pressure, the oxygen adhering to the inner wall surface of the evaporation tower and the member surface which improves the evaporation surface area disposed inside the evaporation tower is 10 millimoles per 1 m 2 of surface area. Provided is a method for producing a high quality bisphenol A characterized by using an evaporation tower previously removed.

본 발명에 의하면 비스페놀 A 를 얻기 위한 제6 의 프로세스로서, 비스페놀 A · 페놀 결정 부가물로부터 페놀을 증발제거하여 비스페놀 A 를 얻을 때에, 이 결정 부가물로 형성된 비스페놀 A 를 함유하는 페놀용액을 박막 증발기를 사용하여 160 ∼ 185 ℃ 의 온도 및 15 ∼ 60 토르 (torr) 의 압력하에서 증발처리하여 페놀 함유율이 1 ∼ 5 중량 % 의 비스페놀 A 를 얻는 페놀 증발공정과, 이 페놀 증발공정에서 얻어진 페놀을 함유하는 비스페놀 A 를, 170∼185 ℃ 의 온도 및 15 토르이하의 압력하에서 스트립핑용 가스와 향류 접촉시켜서 스트립핑 처리하는 제2 스트립핑 공정과, 이 제2 스트립핑 공정에서 얻어진 페놀을 함유하는 비스페놀 A 를, 170 ∼ 185 ℃ 의 온도 및 15 토르 이하의 압력하에서 스트립핑용 가스와 향류 접촉시켜서 스트립핑 처리하는 제1 스트립핑 공정으로 이루어지고, 이 제1 스트립핑 공정에 있어서의 스트립핑용 가스로서 증기를 사용하고, 이 제1 스트립핑 공정에 있어서의 스트립핑용 가스로서, 제2 스트립핑 공정에서 얻어진 페놀 및 비스페놀 A 를 함유하는 증기로 이루어진 스트립핑 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 고품위 비스페놀 A 의 제조방법이 제공된다.According to the present invention, as a sixth process for obtaining bisphenol A, when phenol is evaporated off from bisphenol A-phenol crystal adduct to obtain bisphenol A, the phenol solution containing bisphenol A formed from this crystal adduct is thin film evaporator. Phenol evaporation process to obtain bisphenol A having a phenol content of 1 to 5% by weight by evaporation at a temperature of 160 to 185 ° C. and a pressure of 15 to 60 torr, and the phenol obtained in this phenol evaporation step. A bisphenol A containing a phenol obtained in the second stripping step of stripping the bisphenol A by countercurrent contact with the stripping gas at a temperature of 170 to 185 ° C. and a pressure of 15 Torr or less. The first stripping, which is subjected to the stripping treatment by countercurrently contacting the stripping gas at a temperature of 170 to 185 ° C. and a pressure of 15 Torr or less And a phenol and bisphenol A obtained in the second stripping step, comprising steam, using steam as the stripping gas in the first stripping step, and the stripping gas in the first stripping step. Provided is a method for producing a high quality bisphenol A, characterized by using a stripping gas consisting of steam.

본 발명에 의하면 비스페놀 A 를 얻기 위한 제7 의 프로세스로서, 실질적으로 중성 조건하에 있고, 용융색이 15 APHA 이하의 피스페놀 A.페놀 결정 부가물로 형성된 비스페놀 A 를 함유하는 페놀 용액을 박막 증발기를 사용하고, 분위기 중의 산소 농도 0.005 vol % 이하의 조건으로 160 ∼ 185℃ 의 온도 및 15 ∼ 60 토르의 압력하에서 증발처리하여, 페놀 함유율이 1 ∼ 5 중량 % 의 비스페놀 A 를 얻는 페놀 증발공정과, 이 페놀 증발공정에서 얻어진 페놀을 함유하는 비스페놀 A 를 170 ∼ 185 ℃ 의 온도 및 15 토르 이하의 압력하에서 스트립핑용 가스와 향류 접촉시켜서 스트립핑 처리하는 제1 스트립핑 공정과, 이 제1 스트립핑 공정에서 얻어진 페놀을 함유하는 비스페놀 A 를 170 ∼ 185 ℃ 의 온도 및 15 토르 이하의 압력하에서 스트립핑용 가스와 향류 접촉시켜서 스트립핑 처리하는 제2 스트립핑 공정으로 이루어지고, 이 제1 스트립핑 공정에 있어서의 스트립핑용 가스로서 증기를 사용하고, 이 제2 스트립핑 공정에 있어서의 스트립핑용 가스로서, 제2 스트립핑용 공정에서 얻어진 페놀 및 비스페놀 A 를 함유하는 증기로 이루어진 스트립핑 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 고품위 비스페놀 A 의 제조방법이 제공된다.According to the present invention, as a seventh process for obtaining bisphenol A, pisphenol A having a melt color of 15 APHA or less under substantially neutral conditions . The phenol solution containing bisphenol A formed from the phenol crystal adduct was evaporated using a thin film evaporator at a temperature of 160 to 185 ° C. and a pressure of 15 to 60 torr under conditions of an oxygen concentration of 0.005 vol% or less in the atmosphere. The phenol evaporation step of obtaining bisphenol A having a content of 1 to 5% by weight, and the bisphenol A containing phenol obtained in the phenol evaporation step are brought into countercurrent contact with the gas for stripping at a temperature of 170 to 185 ° C and a pressure of 15 Torr or less. Stripping treatment is carried out by stripping the first stripping process and bisphenol A containing phenol obtained in the first stripping process by countercurrently contacting the stripping gas at a temperature of 170 to 185 ° C. and a pressure of 15 torr or less. A second stripping step, wherein steam is used as the stripping gas in the first stripping step; As a stripping gas in the stripping process, there is provided a method for producing high-quality bisphenol A, characterized by using a stripping gas composed of steam containing phenol and bisphenol A obtained in the second stripping process.

본 발명에 의하면 비스페놀 A 를 얻기 위한 제8 의 프로세스로서, 페놀과 비스페놀과의 혼합 용융액을 30 토르 이하의 저압조건으로 증기 스트립핑 처리할때에 얻어지는 페놀 화합물, 비스페놀 A 및 증기를 함유하는 스트립핑 가스를 응축처리하는 방법에 있어서, 이 스트립핑 가스를 30 토르 이하의 저압력 조건하 및 증기를 기체로 유지하고 또한 페놀 화합물의 일부를 액체로 유지하는 온도 조건하, 페놀 또는 비스페놀 A 를 함유하는 페놀로 이루어진 제1 냉각 매체와 향류 접촉시켜서, 이 스트립핑 가스에 함유되는 비스페놀 A 의 실질적 전량과 페놀의 일부를 응축시키는 동시에 미응축의 증기와 페놀의 혼합 가스를 얻는 제1 냉각공정과, 이 제1 냉각공정에서 얻어진 상기 혼합 가스를, 30 토르 이하의 저압력 조건하 및 이 혼합가스의 실질적 전량을 응축시키는 온도 조건하에, 페놀의 수용액으로 이루어진 제2 냉각매체와 향류 접촉시켜서, 이 혼합가스의 실질적 전량을 응축시키는 제2 냉각공정으로 이루어진 스트립핑 가스의 응축처리 방법이 제공된다.According to the present invention, as an eighth process for obtaining bisphenol A, stripping containing a phenol compound, bisphenol A and steam obtained when steam stripping of a mixed melt of phenol and bisphenol under low pressure conditions of 30 Torr or less is performed. A method of condensing a gas, comprising: phenol or bisphenol A containing the stripping gas under low pressure conditions up to 30 Torr and under temperature conditions in which the vapor is maintained as a gas and a portion of the phenolic compound is held in liquid. A first cooling step of countercurrently contacting the first cooling medium made of phenol to condense a substantial amount of bisphenol A contained in the stripping gas and a part of the phenol, and at the same time obtain a mixed gas of uncondensed vapor and phenol; The mixed gas obtained in the first cooling step is condensed under a low pressure condition of 30 Torr or less and substantially the entire amount of the mixed gas. Provided is a condensation treatment method for a stripping gas comprising a second cooling step in which the second cooling medium is made countercurrently contacted with a second cooling medium made of an aqueous solution of phenol to condense substantially the entire amount of the mixed gas.

다음에 본 발명에 의한 결정 부가물의 정제 방법에 관하여 상술한다.Next, the method for purifying the crystal adduct according to the present invention will be described in detail.

본 발명의 결정 부가물의 정제 방법에 있어서는, 비스페놀 A 와 페놀의 결정 부가물에 대하여 (i) 공업용 페놀, (ii) 페놀과 아세톤과의 반응공정, (iii) 반응 생성물의 농축공정, (iv) 비스페놀 A 를 함유하는 페놀의 정석공정 부가물의 세정공정에서 얻어지는 페놀중에서 선택되는 적어도 1 종의 페놀을 특정의 방법에 의해서 정제한 정제 페놀을 사용하여 세정처리를 시행한다. 본 발명자들은 결정 부가물의 세정에 적합한 페놀을 얻기 위하여 상기 페놀 자체의 정제법에 관하여 예의 연구를 거듭한 결과, 이 페놀을 강산형 이온 교환 수지와 접촉시킨 후, 증발 처리하여 얻어지는 페놀 정제물은, 제품 비스페놀 A 의 색상을 저하시키는 착색 원인 물질을 함유하지 않고 이 정제 페놀을 사용하여 결정 부가물을 세정하고 세정된 결정 부가물로부터 페놀을 제거하여 얻어지는 제품비스페놀 A 는, 색상이 극히 뛰어난 착색성이 낮은 것이라는 것을 발견하였다.In the method for purifying the crystal adduct of the present invention, the reaction product of (i) industrial phenol, (ii) phenol and acetone, (iii) concentration step of the reaction product, for the crystal adduct of bisphenol A and phenol, (iv) Crystallization Step of Phenol Containing Bisphenol A At least one phenol selected from the phenols obtained in the washing step of the adduct is washed using a purified phenol purified by a specific method. The present inventors earnestly studied about the purification method of the said phenol itself in order to obtain the phenol suitable for washing | cleaning a crystalline adduct, As a result, after contacting this phenol with strong acid type ion exchange resin, the phenol refined product obtained by evaporation process is The product bisphenol A obtained by washing the crystal adduct using this purified phenol and removing the phenol from the washed crystal adduct without containing a coloring causative substance which lowers the color of the product bisphenol A has a very low colorability. It was found.

본 발명에서 결정 부가물의 세정용에 사용하는 페놀은 그의 적어도 일부에 (i) 공업용 페놀, (ii) 페놀과 아세톤과의 반응 생성물로부터 분리된 페놀, (iii) 비스페놀을 함유하는 페놀의 정석 생성물로부터 분리된 페놀 및 (iv) 결정 부가물을 세정한 후의 사용이 끝난 페놀중에서 선택되는 적어도 1 종의 페놀의 정제물을 사용한다.The phenol used for washing the crystal adduct in the present invention comprises at least a part of a crystallization product of (i) an industrial phenol, (ii) a phenol separated from the reaction product of phenol and acetone, and (iii) a phenol containing bisphenol. Purified product of at least one phenol selected from the separated phenols and (iv) used phenols after washing the crystal adduct is used.

공업용 페놀로서, 페놀 순도 99.5 중량 % 이상의 것이 시판되고 있으나, 본 발명에서는 이 페놀의 정제물을 사용할 수가 있다.As industrial phenols, those having a phenol purity of 99.5% by weight or more are commercially available, but in the present invention, purified products of these phenols can be used.

페놀과 아세톤과의 반응에 의해 얻어지는 반응 생성물은, 그것에 함유되는 생성 비스페놀 A 를 농축하기 위하여, 그 반응 생성물로부터 페놀이 분리되지만, 본 발명에서는 이 분리된 페놀의 정제물을 사용할 수가 있다.In the reaction product obtained by the reaction of phenol and acetone, in order to concentrate the produced bisphenol A contained therein, phenol is separated from the reaction product, but in the present invention, a purified product of the separated phenol can be used.

또 비스페놀 A 를 함유하는 페놀을 정석처리하여 결정 부가물을 석출시킬 경우, 통상 복수단의 정석공정과 정석 생성물의 고액 분리 공정이 채용되고, 그것에 따라 복수종의 모액 (페놀) 이 얻어지지만, 본 발명에서는 이것들의 모액을 형성하는 페놀의 정제물을 사용할 수가 있다. 본 발명에서 사용하는 모액 정제물은 그것들의 모액의 어느 모액의 정제물 이라도 좋으나, 바람직하게는 최전단의 정석공정에서 얻어지는 정석 생성물로부터 분리된 모액의 정제물을 사용하는 것이 좋다.When crystallization of a phenol containing bisphenol A is crystallized to precipitate crystal adducts, a plurality of stages of crystallization and solid-liquid separation of crystallization products are usually employed, thereby obtaining a plurality of mother liquors (phenols). In the invention, a purified product of phenol that forms these mother liquors can be used. The mother liquor purified product used in the present invention may be a purified product of any mother liquor of these mother liquors, but preferably, a mother liquor purified product separated from the crystallization product obtained in the most advanced crystallization step is used.

본 발명에 있어서는, 결정 부가물을 세정한 후에는 사용이 끝난 페놀이 얻어지나, 본 발명에서는, 이 사용이 끝난 페놀의 정제물도 유리하게 사용할 수가 있다.In the present invention, after washing the crystal adduct, a used phenol is obtained. However, in the present invention, a purified product of the used phenol can be advantageously used.

본 발명에서 사용하는 상기 페놀 정제물을 얻기 위한 원료페놀로서는, 그의 순도가 99 중량 % 이상, 바람직하게는 99.5 중량 % 이상의 것의 사용이 바람직하다.As a raw material phenol for obtaining the said phenol refined used by this invention, the use of the thing whose purity is 99 weight% or more, Preferably it is 99.5 weight% or more is preferable.

페놀의 정제를 할 경우 그 원료 페놀은 먼저 강산형 이온 교환 수지와 접촉시켜서 처리하지만, 이 경우, 강산형 이온 교환 수지로서는 술폰기를 갖는 것이 사용된다. 이 강산형 이온 교환 수지로서는 술폰화 스티렌-디비닐 벤젠 공중합체, 술폰화 가교 스티렌 중합체, 페놀-포름 알데히드-술폰산 수지, 벤젠-포름 알데히드-술폰산 수지등이 있다. 이것들의 수지는 어느것이나, 가교 구조를 가지며, 불용성의 것이다. 이 강산형 이온 교환 수지에는 겔형의 것과, 마크로포러스형의 것이 알려져 있고, 본 발명에서는, 어느것도 사용가능하한, 겔형의 것의 사용이 바람직하다. 마크로포러스형의 것은 겔형의 것과는 달라서, 촉매로 사용할 때는 경시적인 활성 저하를 나타내므로, 그의 사용은 그다지 바람직한 것은 아니다. 겔형의 강산형 이온 교환 수지에 있어서, 그 가교도 (수지 중에 함유되는 가교제의 중량 %) 은 10 % 이하, 바람직하게는 5 % 이하이다. 본 발명에서 사용하는 바람직한 겔형의 강산형 이온 교환 수지로서는 예를 들면, 롬 앤드 하스사 (Rohm Haas Company) 로부터 입수할 수 있는 앰버라이트 (Amberlite) 및 앰버리스트 (Amberlyst) 나, 미쓰비시가세이사로부터 입수할 수 있는 다이어 이온 (DIAION) 등을 들 수가 있다. 이 강산형 이온 교환 수지를 사용하는 페놀의 처리는 강산형 이온 교환 수지를 함유하는 충전탑에 페놀을 유통시키는 방법이나, 강산형 이온 교환 수지를 넣은 교반조에 페놀을 넣어서 교반하는 방법등에 의해 실시할 수가 있다. 처리 온도는 45 ∼ 150℃, 바람직하게는 50 ∼ 100 ℃ 이다. 강산형 이온 교환 수지와 페놀의 접촉시간은 5 ∼ 200 분, 바람직하게는 15 ∼ 60 분 정도이다. 이 강산형 이온 교환 수지를 사용하여 페놀의 처리를 할 경우, 페놀중의 수분은 0.5 중량 % 이하, 바람직하게는 0.1 중량 % 이하로 한다. 이보다 수분이 많아지면, 강산형 이온 교환 수지에 의한 불순물 전화효과가 악화한다. 페놀중으로부터의 0.5 중량 % 이하까지의 수분의 제거는 페놀중에 공지의 공비제 (共沸劑) 를 가하여 공비시킴으로써 수행할 수 있다.When the phenol is purified, the raw material phenol is first treated by contact with a strong acid type ion exchange resin, but in this case, those having a sulfone group are used as the strong acid type ion exchange resin. Examples of the strong acid type ion exchange resin include sulfonated styrene-divinyl benzene copolymers, sulfonated crosslinked styrene polymers, phenol-formaldehyde-sulfonic acid resins, and benzene-formaldehyde-sulfonic acid resins. All of these resins have a crosslinked structure and are insoluble. The strong acid type ion exchange resin is known to be a gel type or a macroporous type, and in the present invention, use of a gel type, which can be used, is preferable. The macroporous type is different from the gel type, and when used as a catalyst, the activity decreases with time, and therefore its use is not very preferable. In the gel strong acid type ion exchange resin, the degree of crosslinking (% by weight of the crosslinking agent contained in the resin) is 10% or less, preferably 5% or less. Preferred gel-type strong acid ion exchange resins to be used in the present invention are, for example, Amberlite and Amberlyst available from Rohm Haas Company, or from Mitsubishi Chemical Corporation. Diamond ion (DIAION) etc. which can be mentioned are mentioned. The treatment of phenol using this strong acid type ion exchange resin can be carried out by a method of circulating phenol in a packed column containing a strong acid type ion exchange resin, or by adding a phenol to a stirring tank containing a strong acid type ion exchange resin and stirring the mixture. There is a number. Treatment temperature is 45-150 degreeC, Preferably it is 50-100 degreeC. The contact time of the strong acid type ion exchange resin and phenol is 5 to 200 minutes, preferably about 15 to 60 minutes. When processing phenol using this strong acid type ion exchange resin, the moisture in phenol is 0.5 weight% or less, Preferably it is 0.1 weight% or less. If there is more moisture than this, the impurity conversion effect by a strong acid type ion exchange resin worsens. Removal of water up to 0.5% by weight from phenol can be carried out by azeotropic addition of a known azeotropic agent to the phenol.

상기 강산형 이온 교환 수지와 접촉 처리된 페놀은 불순물이 전화된 고비점 불순물을 함유하는 것으로, 증류처리함으로써, 그의 고비점 불순물을 증류 잔류물로서 분리한다.The phenol contacted with the strong acid type ion exchange resin contains a high boiling point impurity in which impurities are inverted, and the high boiling point impurity is separated as a distillation residue by distillation.

증류탑의 운전조건은 페놀과 고비점 불순물이 분리될 수 있으면 좋으나, 증류되어 나오는 페놀중에 고비점 불순물이 혼입되지 않는 조건으로 행할 필요가 있고, 유의할 점은, 증류처리 온도를 185℃ 이하로 하는데 있다. 185℃ 이하의 온도이면 운전압력은 임의로 설정되지만 통상 50 Torr ∼ 600 Torr 의 감압하에서 수행된다. 운전온도가 185℃ 을 초과하면 고비점 불순물등의 분해가 일어나 정제페놀의 품질을 저하시키므로 바람직하지 않다.The operating conditions of the distillation column should be able to separate the phenol and high boiling point impurities, but it is necessary to carry out under the condition that the high boiling point impurities are not mixed in the distilled phenol, and it is important to keep the distillation treatment temperature below 185 ° C. . If the temperature is 185 DEG C or lower, the operating pressure is arbitrarily set, but is usually performed under a reduced pressure of 50 Torr to 600 Torr. If the operating temperature is higher than 185 ° C, decomposition of high boiling point impurities or the like occurs, which degrades the quality of the purified phenol.

상기 처리에 의해서 얻어진 정제 페놀은 APHA 기준의 색상이 10 이하의 것이며, 제품 비스페놀에 부착하더라도 그의 색상을 특히 악화시키는 일은 없다.Purified phenol obtained by the above treatment has an APHA standard color of 10 or less and does not particularly deteriorate its color even if adhered to the product bisphenol.

정제페놀에 의한 결정 부가물의 세정은 결정 부가물과 정제페놀과의 접촉을 충분히 달성할 수 있는 방법이면 좋다. 이 세정처리는 예를 들면 결정 부가물을 분리하기 위한 여과기나 원심 분리기등의 고액 분리 장치중에서, 모액을 결정 부가물로부터 제거한 후, 정제페놀을 그 고액 분리 장치내에 도입하여 세정하는 방법이나, 고액 분리 장치로부터 배출되는 소량의 모액이 부착하는 결정 부가물을 별도의 교반조에서 정제페놀에 의해 세정할 수도 있다. 결정 부가물에 대한 정제페놀의 사용비율은 결정 부가물 100 중량부에 대하여 30 ∼ 1000 중량부, 바람직하게는 100 ∼ 300 중량부의 비율이다.The washing | cleaning of a crystal addition product with refined phenol should just be a method which can fully achieve contact with a crystal addition product and a refined phenol. This washing treatment is, for example, a method in which a mother liquor is removed from the crystal addition product in a solid-liquid separation device such as a filter or a centrifugal separator for separating the crystal addition product, followed by introduction of the purified phenol into the solid-liquid separation device for cleaning. The crystal adduct to which the small amount of mother liquor discharged | emitted from a separation apparatus adheres can also be wash | cleaned with refined phenol in a separate stirring tank. The use ratio of the refined phenol to the crystalline adduct is in the ratio of 30 to 1000 parts by weight, preferably 100 to 300 parts by weight, based on 100 parts by weight of the crystalline adduct.

상기한 정제페놀에 의해 세정처리된 결정 부가물은 그 표면에 정제 페놀이 부착하는 것이지만, 이 자체는 결정 부가물로부터 페놀 제거 공정에 보내고 여기서 페놀을 제거하고, 고순도의 제품 비스페놀 A 를 회수한다. 결정 부가물로부터 페놀의 제거는 종래 공지의 방법, 예를 들면 증류, 추출, 증기 스트립핑등의 방법에 의해 수행할 수가 있다.The crystal adducts washed with the above-described purified phenols are those to which the purified phenols adhere to the surface, but are themselves sent to the phenol removal process from the crystal adducts, where the phenols are removed and the high-purity product bisphenol A is recovered. Removal of phenol from the crystalline adduct can be carried out by a conventionally known method such as distillation, extraction, steam stripping, or the like.

본 발명의 결정 부가물의 정제방법에 의하면 색상이 뛰어난 착색성이 낮은 제품 비스페놀 A 를 얻을 수가 있다. 본 발명에서는 결정 부가물의 세정액으로서 특정의 페놀의 정제물을 사용하는 것 때문에 이하와 같은 이점이 있다.According to the purification method of the crystal addition product of this invention, the product bisphenol A which is excellent in color can be obtained. This invention has the following advantages because it uses the refined product of specific phenol as a washing | cleaning liquid of a crystal addition product.

(1) 불순물, 특히 착색 원인으로 되는 불순물의 혼입이 없는 부가물이 얻어지므로 고순도이며 또한 색상이 뛰어난 착색성이 낮은 제품 비스페놀이 얻어진다.(1) Since the adduct which does not contain an impurity, especially the impurity which causes coloring, is obtained, the product bisphenol which is high purity and low colorability excellent in color is obtained.

(2) 세정액중에 용제가 혼입되어 있지 않으므로, 세정액을 그대로 반응계 혹은 정석계에 순환 사용할 수가 있다.(2) Since no solvent is mixed in the cleaning liquid, the cleaning liquid can be circulated and used in the reaction system or crystallization system as it is.

본 발명에서 사용하는 정제페놀은 상기와 같이 페놀과 비스페놀 A 와의 결정 부가물의 세정액으로서 적합한 것이지만, 색상이 뛰어난 고순도의 것이기 때문에 색상이 양호한 각종 페놀 유도체, 예를 들면 알킬페놀이나 페놀수지등의 제조원료로서도 적합한 것이다.The refined phenol used in the present invention is suitable as a cleaning liquid of the crystalline adduct between phenol and bisphenol A as described above. However, since the purified phenol is a high purity having excellent color, various phenol derivatives having good color, such as alkylphenol or phenol resin, etc. It is also suitable as.

또한 본 발명에서 얻어지는 정제 페놀에는 옥살산이나 시트르산을 소량 (0.0001 ∼ 0.01 wt %) 첨가함으로써 저장이나 반응에 있어 그 색상의 저하를 억제할 수가 있다.In addition, by adding a small amount (0.0001 to 0.01 wt%) of oxalic acid or citric acid to the purified phenol obtained in the present invention, it is possible to suppress the deterioration of its color in storage and reaction.

다음에 본 발명인 결정 부가물의 제조방법에 관하여 설명한다.Next, the manufacturing method of the crystal additive of this invention is demonstrated.

(제1 의 프로세스)(First process)

제1 도는 본 발명에 따른 결정 부가물 제조를 위한 제1 의 프로세스를 실시할 경우의 장치 계통도를 표시한다. 이 도면에 있어서 A, B, C, D 는 정석탑을 표시하고, E 는 고액 분리 장치, F 는 용해조를 표시한다.1 shows an apparatus flow diagram when carrying out the first process for the production of crystal adducts according to the invention. In this figure, A, B, C, and D denote a crystal tower, E denotes a solid-liquid separator and F denotes a dissolution tank.

각 정석탑 A, B, C, D 는 그 내부에, 상부에 개구부를 가지는 내통 P 가 삽입배설되어 있다. 또한 각 정석탑 A, B, C, D 에는 미결정 부가물 용해 탱크 Q 가 부설되어 있다. 정석탑 A 및 B 는 직렬로 연결되어 제1 단의 정석공정을 행하기 위한 장치계를 구성하고, 정석탑 C 및 D 는 직렬로 연결되어 제2 단의 정석공정을 행하기 위한 장치계를 구성한다.In each crystal tower A, B, C, and D, the inner cylinder P which has an opening part in the upper part is inserted and installed. In addition, microcrystalline adduct dissolution tank Q is provided in each crystal tower A, B, C, and D. The crystal towers A and B are connected in series to form an apparatus system for performing the first stage crystallization process, and the crystal towers C and D are connected in series to form an apparatus system for performing the crystallization process of the second stage. do.

처리될 원료인 비스페놀 A 를 포함하는 페놀용액은 라인 (1) 및 라인 (2) 를 통하여 직렬로 연결된 2 개의 정석탑 A, B 중의 제1 정석탑 A 의 하부에 공급되고, 여기에서 비스페놀 A.페놀 결정 부가물로 이루어지는 종정 (種晶) 이 석출된다. 이 정석탑 A 에 있어서는 그 탑내 상부의 결정 부가물 (종정) 을 포함하는 페놀용액이 내통 P 내를 흘러내려 라인 (3) 을 통하여 외부로 발출되어, 펌프 (4), 라인 (5) 및 냉각기 (6) 및 라인 (2) 를 통하여 제1 정석탑 A 내로 순환되며, 이로 말미암아 정석탑 A 내의 페놀용액은 냉각되고 정석탑 A 는 소정온도로 냉각된다.Phenol solution containing the raw material, bisphenol A to be processed is fed to the line 1 and the line 2 the two positive pagoda connected in series via A, the lower portion of the first information pagoda A in B, where bisphenol-A. Seeds composed of phenol crystal adducts are precipitated. In this crystal tower A, the phenol solution containing the crystal addition product (termination) of the upper part in the tower flows out in the inner cylinder P, and it is taken out through the line 3, and the pump 4, the line 5, and the cooler Through (6) and line (2) it is circulated into the first crystal tower A, whereby the phenol solution in the crystal tower A is cooled and the crystal tower A is cooled to a predetermined temperature.

정석탑 A 내의 내통 P 로부터 발출된 종정을 포함하는 정석 생성물인 결정 부가물 슬러리 (이하 단순히 슬러리라고도 한다) 의 일부는 라인 (7), 펌프 (8), 라인 (9), 라인 (10) 및 가열기 (11) 를 통하여 미결정 부가물 용해 탱크 Q 로 도입되어, 여기에서 결정 부가물속의 미세 결정이 용해되고 일정한 크기의 조대결정의 종정만을 포함하는 슬러리가 라인 (13) 을 통하여 정석탑 A 의 하부로 순환되며, 이로 말미암아 정석탑 A 내에 포함되는 종정의 입경이 고르게 되며, 정석탑 A 내에는 미결정의 종정 함유율이 낮고 조대 결정의 종정 함유율이 높은 종정이 생성된다.Some of the crystalline adduct slurry (hereinafter simply referred to as slurries), which are crystallization products comprising seed extracted from the inner cylinder P in the crystal tower A, are referred to as lines 7, pump 8, line 9, line 10 and The furnace 11 is introduced into the microcrystalline adduct dissolution tank Q where a slurry containing the crystals of coarse crystals of constant size is dissolved and the fine crystals in the crystal adduct are dissolved at the bottom of the crystallization tower A through line 13. This makes it possible to make the grains of the seed crystals contained in the crystal tower A evenly, thereby producing seed crystals with low seed crystal content and high seed crystal content in the coarse crystal.

정석탑 A 내에 있어서의 미결정 부가물은 그 비표면적이 크고 착색 원인 물질에 대하여 높은 흡착성을 나타낸다. 따라서 정석탑 A 에서 종정으로 얻어지는 결정 부가물 속의 미결정 성분의 입자 함유율을 가급적 감소시킴으로써 색상이 좋은 종정을 얻을 수가 있다. 본 발명자들의 연구에 따르면 결정 부가물중의 입경 100 ㎛ 이하인 미결정 성분의 입자 함유율을 30 중량 % 이하, 바람직하게는 20 중량 % 이하로 유지함으로써 색상이 좋은 고순도 결정 부가물을 제조할 수가 있다는 것이 발견되었다.The microcrystalline adduct in the crystallization tower A has a large specific surface area and shows high adsorption with respect to a coloring causative substance. Therefore, a seed with good color can be obtained by reducing the particle content of the microcrystalline component in the crystal adduct obtained as seed crystal in the crystal tower A as much as possible. According to the researches of the present inventors, it is found that high purity crystal adducts having good color can be produced by maintaining the particle content of the microcrystalline component having a particle diameter of 100 μm or less in the crystal adduct at 30% by weight or less, preferably 20% by weight or less. It became.

본 발명에서 처리될 원료로 사용하는 비스페놀 A 를 포함하는 페놀용액은 통상 비스페놀 A : 7   50 중량 %, 바람직하게는 10   30 중량 % 를 함유하고 기타의 성분으로서 비스페놀 A 의 이성체, 트리스 페놀등을 8 중량 % 이하의 비율로 포함한다.The phenol solution containing bisphenol A used as a raw material to be treated in the present invention usually contains bisphenol A: 7 to 50% by weight, preferably 10 to 30% by weight, and other components such as isomers of trisphenol A, trisphenol and the like 8 It is included in the ratio of weight% or less.

라인 (1) 에서 공급되는 비스페놀 A 를 포함하는 페놀용액의 온도는 결정 부가물의 포화 온도 보다 1 ∼ 20 ℃ 정도 높은 온도이다. 정석탑 A 의 정석 온도는 45 ∼ 70℃, 바람직하게는 48 ∼ 57℃ 이다. 라인 (3), 펌프 (4), 냉각기 (6) 및 라인 (2) 를 통하여 순환되는 슬러리는 냉각기 (6) 에 있어서 그 온도를 10℃ 정도 이하, 바람직하게는 5℃ 이하 정도 강하된다. 정석탑 A 에 있어서의 페놀 용액의 체류시간은 0.5 ∼ 10 시간, 바람직하게는 0.5 ∼ 5 시간이다.The temperature of the phenol solution containing bisphenol A supplied by the line (1) is a temperature about 1-20 degreeC higher than the saturation temperature of a crystal addition product. The crystallization temperature of the crystallization tower A is 45-70 degreeC, Preferably it is 48-57 degreeC. The slurry circulated through the line 3, the pump 4, the cooler 6, and the line 2 is lowered in the cooler 6 by about 10 ° C or less, preferably about 5 ° C or less. The residence time of the phenol solution in the crystal tower A is 0.5 to 10 hours, preferably 0.5 to 5 hours.

한편 라인 (7), 펌프 (8), 라인 (10), 가열기 (11) 을 통하여 미결정 부가물 용해 탱크 Q 로 도입되는 슬러리는 그 가열기 (11) 에 있어서 그 온도가 0.5 ∼ 5 ℃ 정도 상승시켜진다. 이 탱크 Q 에 있어서의 페놀 용액의 체류시간은 3 ∼ 15 분 정도이다.On the other hand, the slurry introduced into the microcrystalline adduct dissolution tank Q through the line 7, the pump 8, the line 10, and the heater 11 is heated at about 0.5 to 5 ° C. in the heater 11. Lose. The residence time of the phenol solution in this tank Q is about 3 to 15 minutes.

미결정 용해 탱크 Q 내에 있어서는 주로 입경 100 ㎛ 이하의 미결정 부가물이 용해되고, 이 미결정 부가물이 용해된 슬러리는 라인 (13) 을 통하여 정석탑 A 로 되돌려져서, 정석탑 A 에 있어서 결정의 성장이 촉진되어 조대 결정의 종정이 얻어진다.In the microcrystalline dissolution tank Q, microcrystalline adducts having a particle size of 100 μm or less are mainly dissolved, and the slurry in which the microcrystalline adducts are dissolved is returned to the crystal tower A through the line 13, whereby growth of crystals in the crystal tower A is prevented. It is promoted and the end of coarse crystal is obtained.

제1 정석탑 A 내의 내통 P 의 저부로부터 발출된 슬러리의 일부는 라인 (7), 펌프 (8), 라인 (12) 및 라인 (21) 을 통하여 제1 정석탑 B 의 하부로 도입되고, 여기에서 결정 부가물의 성장이 이루어진다. 이러한 제2 정석탑 B 는 상기 정석탑 A 에 관하여 제시한 것과 마찬가지로 조작된다.A portion of the slurry extracted from the bottom of the inner cylinder P in the first crystal tower A is introduced into the lower portion of the first crystal tower B through the line 7, the pump 8, the line 12 and the line 21, and here Growth of crystal adducts takes place. This second crystal tower B is operated in the same manner as described with respect to the crystal tower A.

정석탑 B 에 있어서 그 온도범위는 45 ∼ 70℃ 이며 정석탑 A 의 정석 온도 보다도 3 ∼ 10℃ 정도 낮게 유지된다. 냉각기 (26) 을 통하는 슬러리는 여기에서 그 온도가 10℃ 정도 이하, 바람직하게는 5℃ 이하 정도 강하시켜진다.In the crystal tower B, the temperature range is 45-70 degreeC, and is maintained about 3-10 degreeC lower than the crystallization temperature of the crystal tower A. The slurry passed through the cooler 26 is lowered at about 10 ° C or less, preferably about 5 ° C or less.

한편 가열기 (31) 을 통하는 슬러리는 여기에서 그 온도가 0.5 ∼ 5℃ 정도 상승시켜진다.On the other hand, the temperature of the slurry through the heater 31 is raised about 0.5-5 degreeC here.

정석탑 B 에 부설된 미결정 부가물 용해 탱크 Q 내에 있어서는 입경 100 ㎛ 이하인 결정 부가물 성분이 용해되고, 미결정 부가물이 용해된 슬러리는 라인 (33) 을 통하여 정석탑에 되돌려져서 그 결정의 성장이 촉진된다. 정석탑 B 내의 내통 P 의 저부로부터 발출되는 슬러리 속의 결정 부가물의 농도는 35 중량 % 이하, 바람직하게는 25 중량 % 이하이며, 그 결정 부가물 중의 입경 100 ㎛ 이하인 미결정 성분의 입자 함유율은 30 중량 % 이하, 바람직하게는 20 중량 % 이하이다.In the microcrystalline adduct dissolving tank Q placed in the crystal tower B, a crystal adduct component having a particle size of 100 μm or less is dissolved, and the slurry in which the microcrystalline adduct is dissolved is returned to the crystal tower through the line 33 so that the growth of the crystal is reduced. Is promoted. The concentration of the crystal adduct in the slurry extracted from the bottom of the inner cylinder P in the crystal tower B is 35% by weight or less, preferably 25% by weight or less, and the particle content of the microcrystalline component having a particle size of 100 μm or less in the crystal adduct is 30% by weight. Or less, preferably 20% by weight or less.

제2 정석탑 B 내의 내통 P 의 저부로부터 발출된 슬러리의 일부는 라인 (35) 를 통하여 고액 분리 장치 E 로 도입되고, 여기에서 결정 부가물과 모액이 분리되며, 분리된 결정 부가물은 라인 (36) 을 통하여 결정 부가물 용해조 F 로 도입되며, 여기에서 다시 용해된다.A part of the slurry extracted from the bottom of the inner cylinder P in the second crystal tower B is introduced into the solid-liquid separation device E through the line 35, where the crystal adduct and the mother liquor are separated, and the separated crystal adduct is line ( 36) is introduced into the crystal adduct dissolution tank F, where it is dissolved again.

고액 분리 장치 E 로는 종래 공지의 것, 예컨대 원심 분리기나 여과 장치등이 사용된다. 용해조 F 로는 종래 공지의 것, 예컨대 내부에 교반기를 가지는 교반조나 가열형의 용해조가 사용된다.As the solid-liquid separator E, a conventionally known one, for example, a centrifuge or a filtration device is used. As a dissolution tank F, a conventionally well-known thing, for example, the stirring tank which has a stirrer inside, and a heating type dissolution tank are used.

용해조 F 에 있어서는 정제 페놀을 라인 (81) 로부터 도입하고, 이 정제 페놀을 사용하여 교반하에서 결정 부가물을 희석 용해시키는 것이 바람직하다. 이 경우에 필요에 따라서 가열을 병용할 수도 있다. 용해조의 온도는 70 ∼ 160℃, 바람직하게는 80 ∼ 100℃ 이다. 정제 페놀로는 그 순도가 모액 보다도 높은 것을 사용한다.In the dissolution tank F, it is preferable to introduce purified phenol from the line 81 and to dilute and dissolve the crystal adduct under stirring using this purified phenol. In this case, heating can also be used together as needed. The temperature of a dissolution tank is 70-160 degreeC, Preferably it is 80-100 degreeC. As the purified phenol, one whose purity is higher than that of the mother liquor is used.

결정 부가물을 정제 페놀로 희석 용해시키는 경우에 그 정제 페놀로서는 제품 비스페놀 A 의 착색 원인이 되지 않는 불순물 함유율이 적은 것이면 어떠한 것이라도 좋다. 본 발명에서 바람직스럽게 사용할 수 있는 정제 페놀로는 상기 결정 부가물의 정제 방법에 있어서 제시한 각종의 정제 페놀을 들 수가 있다.When diluting and dissolving a crystal adduct with a refined phenol, the refined phenol may be any one as long as the content of the impurity which does not cause coloring of the product bisphenol A is small. As the refined phenol which can be preferably used in the present invention, various refined phenols described in the above-described purification method of the crystal adduct may be mentioned.

이와같은 정제 페놀은 APHA 기준의 색상이 10 이하의 것이며 결정 부가물 및 제품 비스페놀 A 에 부착하여도 그 색상을 특히 악화시키는 일은 없다.Such purified phenols have an APHA standard color of 10 or less and do not particularly deteriorate their color even if they are attached to the crystal adduct and the product bisphenol A.

용해조 F 로부터의 비스 페놀 A 를 포함하는 페놀 용액은 라인 (41) 을 통하여 제2 단의 정석계 (系) 를 구성하는 제1 의 정석탑 C 의 하부로 도입된다. 이 경우에 페놀 용액은 비스페놀 A 의 농도가 7 ∼ 50 중량 %, 바람직하게는 10 ∼ 30 중량 % 가 되도록 그 농도를 조정한다.The phenol solution containing bisphenol A from the dissolution tank F is introduced into the lower portion of the first crystallization column C constituting the crystallization system of the second stage through the line 41. In this case, the concentration of the phenol solution is adjusted so that the concentration of bisphenol A is 7 to 50% by weight, preferably 10 to 30% by weight.

이 정석탑 C 는 상기 정석탑 A 에 제시한 것과 마찬가지로 조작된다. 정석탑 C 에 있어서 그 정석 온도는 45 ∼ 70℃ 이며 정석탑 A 의 온도 보다도 0 ∼ 10℃ 정도 높게 유지된다. 냉각기 (46) 을 통하는 슬러리는 여기에서 그 온도가 10℃ 정도 이하, 바람직하게는 5℃ 정도 이하 강하시켜진다.This crystal tower C is operated similarly to the crystal tower A shown above. In the crystal tower C, the crystallization temperature is 45-70 degreeC, and is maintained about 0-10 degreeC higher than the temperature of the crystal tower A. The slurry passed through the cooler 46 is lowered at a temperature of about 10 ° C. or less, preferably about 5 ° C. or less.

한편 가열기 (51) 을 통하는 슬러리는 여기에서 그 온도가 0.5 ∼ 5℃ 정도 상승시켜진다.On the other hand, the temperature of the slurry through the heater 51 is raised about 0.5-5 degreeC here.

정석탑 C 에 부설된 미결정 부가물 용해 탱크 Q 내에 있어서는 입경 100 ㎛ 이하인 미결정 부가물 성분이 용해되고, 미결정 성분이 용해된 슬러리는 라인 (53) 을 통하여 정석탑 C 에 되돌리어져서 그 성장이 촉진된다.In the microcrystalline adduct dissolving tank Q placed in the crystal tower C, the microcrystalline adduct component having a particle size of 100 μm or less is dissolved, and the slurry in which the microcrystalline component is dissolved is returned to the crystal tower C through the line 53 to promote its growth. do.

정석탑 C 내의 내통 P 의 저부로부터 발출된 슬러리의 일부는 라인 (52), 라인 (61) 및 라인 (62) 를 통하여 제2 단의 정석계를 구성하는 제2 정석탑 D 의 하부로 도입되며, 여기에서 결정의 성장이 이루어진다.A portion of the slurry extracted from the bottom of the inner cylinder P in the crystal tower C is introduced into the lower portion of the second crystal tower D which constitutes the crystallization system of the second stage through the lines 52, 61, and 62, and Here, crystal growth takes place.

이 제2 정석탑 D 는 상기 정석탑 A 에 제시한 것과 마찬가지로 조작된다. 정석탑 D 에 있어서 그 정석 온도는 45 ∼ 70℃ 이며 정석탑 C 의 온도 보다도 0 ∼ 10℃ 정도 낮고 또한 정석탑 B 보다도 0 ∼ 10℃ 정도 높게 유지된다.This second crystal tower D is operated in the same manner as the crystal tower A described above. In crystal tower D, the crystallization temperature is 45-70 degreeC, it is 0-10 degreeC lower than the temperature of crystal tower C, and it is maintained about 0-10 degreeC higher than crystal tower B.

한편, 가열기 (71) 을 통하는 슬러리는 여기에서 그 온도가 0.5 ∼ 5℃ 정도 상승시켜진다.On the other hand, the temperature of the slurry through the heater 71 is raised about 0.5-5 degreeC here.

정석탑 D 에 부설된 미결정 부가물 용해 탱크 Q 내에 있어서는 입경 100 ㎛ 이하인 미결정 부가물 성분이 용해되고, 미결정 성분이 용해된 슬러리는 라인 (73) 을 통하여 정석탑에 되돌리어져서 그 결정의 성장이 이루어진다. 정석탑 D 내의 내통 P 의 저부로부터 발출되는 슬러리 속의 결정 부가물의 농도는 35 중량 % 이하, 바람직하게는 25 중량 % 이하이며, 그 결정 부가물 중의 입경 100 ㎛ 이하인 미결정 부가물 성분의 함유율은 30 중량 % 이하, 바람직하게는 20 중량 % 이하이다.In the microcrystalline adduct dissolving tank Q placed in the crystal tower D, the microcrystalline adduct component having a particle size of 100 µm or less is dissolved, and the slurry in which the microcrystalline component is dissolved is returned to the crystal tower through line 73 to grow the crystals. Is done. The concentration of the crystal adduct in the slurry extracted from the bottom of the inner cylinder P in the crystal tower D is 35% by weight or less, preferably 25% by weight or less, and the content of the microcrystalline adduct component having a particle size of 100 μm or less in the crystal adduct is 30% by weight. % Or less, preferably 20% by weight or less.

정석탑 D 내의 내통 P 의 저부로부터 발출된 슬러리는 라인 (80) 을 통하여 제품 슬러리로서 회수된다. 이 슬러리는 필요에 따라 고액 분리되고 얻어진 결정 부가물은, 이것을 비스페놀 A 의 회수 공정으로 보내어 페놀을 제거하고 비스페놀 A 를 회수한다.The slurry extracted from the bottom of the inner cylinder P in the crystal tower D is recovered as a product slurry through the line 80. This slurry is solid-liquid-separated as needed, and the obtained crystal addition product is sent to the bisphenol A collection | recovery process, a phenol is removed, and bisphenol A is collect | recovered.

본 발명에 따라 결정 부가물을 얻기 위한 제1 의 프로세스에 따르면 고순도이며 색상이 APHA 15 이하로 양호한 비스페놀 A·페놀 결정 부가물을 고수율로 얻을 수가 있다.According to the first process for obtaining a crystal adduct according to the present invention, a bisphenol A-phenol crystal adduct with high purity and good color of APHA 15 or less can be obtained in high yield.

이 비스페놀 A·페놀 결정 부가물은 이것으로부터 페놀을 분리제거함으로써 고순도이며 색상이 좋은 비스페놀 A 를 부여한다.This bisphenol A phenol crystal adduct removes and removes a phenol from this, and gives bisphenol A of high purity and color.

(제2 의 프로세스)(Second process)

다음에 본 발명에 따라 결정 부가물을 얻기 위한 제2 의 프로세스를 도면에 의하여 설명한다.Next, a second process for obtaining a crystal adduct according to the present invention will be described with reference to the drawings.

제2 도는 2 개 (n = 2) 의 정석탑을 사용하여 본 발명을 실시하는 경우의 장치 계통도를 나타낸다. 이 도면에 있어서 A 는 제1 단째의 정석탑을 나타내고, B 는 제2 단째의 정석탑을 나타낸다.2 shows an apparatus flow diagram when carrying out the present invention using two (n = 2) crystal towers. In this figure, A represents the crystal tower of the first stage, and B represents the crystal tower of the second stage.

각 정석탑 A, B 는 그 내부에 개구부를 상부에 설치한 내통 P 가 삽입 배설되어 있다. 또한 각 정석탑 A, B 에는 미결정 부가물 용해탱크 Q 가 부설되어 있다.In each crystal tower A, B, the inner cylinder P which installed the opening part in the upper part is inserted and installed. In addition, each crystal tower A and B is provided with the microcrystalline adduct dissolution tank Q.

정상 운전되고 있는 각 정석탑 A, B 에 있어서는 그 내부에 있어서 결정 부가물이 석출되어 결정 부가물의 슬러리가 형성된다. 또한 각 정석탑 A, B 의 내통 P 의 저부로부터 결정 부가물 슬러리가 각 라인 (3), (23) 을 통하여 외부로 발출되며, 그 일부는 각 펌프 (4), (24), 라인 (5), (25), 및 냉각기 (6), (26), 및 라인 (2), (22) 을 통하여 각 정석탑 A, B 내로 순환되고, 이것으로 말미암아 정석탑 A, B 내의 슬러리는 냉각되어 각 정석탑 A, B 는 소정 온도로 냉각된다.In each crystal tower A, B which is normally operating, crystal addition product precipitates in the inside, and the slurry of crystal addition product is formed. In addition, from the bottom of the inner cylinder P of the crystallization towers A and B, the crystalline adduct slurry is discharged to the outside through each of the lines 3 and 23, a part of which is each of the pumps 4, 24 and 5 ), (25), and coolers (6), (26), and lines (2) and (22) are circulated into each crystal tower A and B, whereby the slurry in the crystal towers A and B is cooled to Each crystal tower A, B is cooled by predetermined temperature.

또한 각 정석탑 A, B 내의 내통 P 로부터 발출된 결정 부가물을 포함하는 슬러리의 일부는 라인 (7), (27), 펌프 (8), (28), 라인 (9), (29), 라인 (10), (29) 및 가열기 (11), (31) 을 통하여 미결정 부가물 용해 탱크 Q 로 도입되어, 여기에서 결정 부가물 속의 미세 결정 입자가 용해되고 일정한 크기의 조대 결정 부가물을 포함하는 슬러리가 라인 (13), (33) 을 통하여 정석탑 A,B 의 하부로 순환되며, 이로 말미암아 정석탑 A, B 내에 포함되는 결정 부가물의 입경이 고르게 되어 정석탑 A, B 내에는 미결정 부가물 입자 함유율이 낮고 조대 결정 부가물 입자 함유율이 높은 결정 부가물이 생성된다. 이 결정 부가물 슬러리를 용해 탱크 Q 로 용해처리한 후 정석탑으로 순환하는 조작은 적어도 최종 단에서 행하면 좋으며, 필요에 따라 다른 단의 정석탑에서는 이것을 생략할 수도 있다.In addition, a part of the slurry including the crystal adducts extracted from the inner cylinder P in each of the crystal towers A and B is line (7), (27), pump (8), (28), line (9), (29), Lines 10, 29 and heaters 11, 31 are introduced into the microcrystalline adduct dissolution tank Q, where the microcrystalline particles in the crystal adduct are dissolved and comprise coarse crystal adducts of constant size. The slurry to be circulated through the lines 13 and 33 to the lower portions of the crystallization towers A and B, whereby the grain diameters of the crystal additives contained in the crystallization towers A and B are evened, and thus, the crystallization additions are added to the crystallization towers A and B. A crystal adduct having a low water particle content rate and a high coarse crystal adduct content rate is produced. The operation of circulating the crystalline adduct slurry in the dissolution tank Q and then circulating to the crystallization tower may be performed at least in the final stage, and may be omitted in the crystallization tower of other stages as necessary.

정석탑 A, B 내에 있어서의 미결정 부가물은 그 비표면적이 크고 착색 원인 물질에 대하여 높은 흡착성을 나타낸다. 따라서 정석탑 A, B 에서 얻어지는 결정 부가물 속의 미결정 부가물 입자 함유율을 가급적 감소시킴으로써 색상이 좋은 결정 부가물을 얻을 수가 있다. 본 발명자들의 연구에 따르면 결정 부가물 중의 입경 100 ㎛ 이하인 미결정 부가물 입자 함유율을 30 중량 % 이하, 바람직하게는 20 중량 % 이하로 유지함으로써 색상이 좋은 고 순도 결정 부가물을 제조할 수 있는 것이 발견되었다.The microcrystalline adduct in the crystal towers A and B has a large specific surface area and shows high adsorption to the coloring agent. Therefore, the crystal addition product of a good color can be obtained by reducing the content rate of the microcrystal addition product particle in the crystal addition product obtained by crystal towers A and B as much as possible. According to the researches of the present inventors, it was found that high purity crystal adducts with good color can be produced by maintaining the content of microcrystalline adduct particles having a particle diameter of 100 μm or less in the crystal adducts at 30% by weight or less, preferably 20% by weight or less. It became.

라인 (2), (22) 를 통하는 온도 강하된 슬러리 및 라인 (13), (33) 을 통하여 온도 상승된 슬러리를 정석탑 A, B 내로 순환 도입시킬때 정석탑 A, B 의 외통 하부로부터 외통안으로 동일한 방향의 선회류를 생기게끔 행한다. 이 경우에 바람직하게는 외통 내주면에 대하여 접선 방향이 되도록 도입하고 또한 그 도입 위치가 다르도록 행한다. 또한 이들 2 개의 슬러리의 도입위치는 외통의 중심점으로부터 각도로 표시하여, 바람직하게는 90 ∼ 180 도 떨어진 위치에서 행하는 것이 좋다. 그리고 동일한 방향의 선회류가 생기도록 하기 위한 것이라면 2 개의 슬러리의 도입위치는 반드시 동일 수평상에 있을 필요는 없고, 적어도 외통 하부에서 다소의 고저의 차가 있어도 상관이 없다.External cylinder from bottom of outer cylinder of crystal towers A and B when circulating introduction of the temperature lowered slurry through lines (2) and (22) and the slurry with temperature rise through lines (13) and (33) into crystal towers A and B The swirl flows in the same direction inward. In this case, Preferably it introduces so that it may become tangential with respect to an outer cylinder inner peripheral surface, and it is performed so that the introduction position may differ. In addition, the introduction position of these two slurries is represented by the angle from the center point of an outer cylinder, Preferably it is good to carry out in the position which is 90-180 degree away. In addition, if the two flow directions are to be generated in the same direction, the introduction positions of the two slurries do not necessarily have to be on the same horizontal line, and there may be some height difference at least in the lower part of the outer cylinder.

상기와 같이하여 라인 (2), (22) 및 라인 (13),(33) 을 통하는 각 슬러리를, 그 도입 방향이 정석탑 A, B 의 내주면에 접선 방향이 되도록 정석탑 A, B 내로 도입하여 정석탑 A, B 내의 슬러리에 선회류가 생기도록함과 동시에, 이 선회류는 내통 P 의 상단부까지 상승하고 나서 내통 P 의 상부의 개구부로부터 내통 P 내를 하강하여, 그 내통 P 의 저부로부터 발출된다.As described above, the respective slurries passing through the lines (2), (22), and the lines (13) and (33) are introduced into the crystal towers A and B such that the introduction direction thereof is tangential to the inner circumferential surfaces of the crystal towers A and B. While the swirl flow is generated in the slurry in the crystal towers A and B, the swirl flow rises up to the upper end of the inner cylinder P, and then descends the inner cylinder P from the opening of the upper portion of the inner cylinder P, from the bottom of the inner cylinder P. It is released.

정석탑 A, B 내에 이와같은 선회류를 생기게 함으로써 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.By producing such swirling flows in the crystal towers A and B, the following effects can be obtained.

(1) 상이한 온도인 2 개의 액류를 효과적으로 균일하게 혼합할 수가 있다.(1) Two liquid streams of different temperatures can be effectively and uniformly mixed.

(2) 슬러리의 편류를 방지하고 외통내의 슬러리 농도가 균일하게 되므로 결정 부가물 입자의 외통 내에서의 체류시간의 불균일을 없앨 수가 있다.(2) Since dispersion of the slurry is prevented and the slurry concentration in the outer cylinder is uniform, nonuniformity of residence time in the outer cylinder of the crystal addition product particles can be eliminated.

(3) 결정 부가물 입자의 외통 내에서의 침강 퇴적을 방지할 만한 충분한 선속도를 얻을 수가 있다.(3) A sufficient linear velocity can be obtained to prevent sedimentation deposition in the outer cylinder of the crystal adduct particle.

본 발명에 있어서 비스페놀 A 를 포함하는 페놀 용액으로 이루어진 원료액은 제1 단째의 정석탑 A 로 순환되는 냉각기 (6) 을 통하여 냉각된 슬러리에 첨가하여 제1 단째의 정석탑 A 로 공급된다.In this invention, the raw material liquid which consists of a phenol solution containing bisphenol A is added to the cooled slurry through the cooler 6 circulated to the crystal tower A of the 1st stage, and is supplied to the crystal tower A of the 1st stage.

또한 본 발명에서는 제1 단째의 정석탑 A 의 내통 P 의 저부로부터 발출된 슬러리의 일부는, 이것을 제2 단째의 정석탑 B 로 순환되는 냉각기 (26) 을 통하여 냉각된 슬러리에 첨가하여 제2 단째의 정석탑 B 로 공급된다. 제1 단째의 정석탑 A 로부터 얻어진 슬러리를 이와같이 하여 제1 단째의 정석탑 B 로 공급함으로써 그 공급 슬러리의 효율적인 냉각이 달성됨과 동시에 냉각열이 결정 부가물 입자의 성장에 사용되어 액의 과포화도가 경감되고 결정 부가물 입자의 입경 분포를 크게할 수 있는 등의 이점이 얻어진다.In the present invention, a part of the slurry extracted from the bottom of the inner cylinder P of the crystallization tower A of the first stage is added to the slurry cooled through the cooler 26 circulated to the crystallization tower B of the second stage and the second stage It is supplied to the crystal tower B of. By supplying the slurry obtained from the crystallization tower A of the first stage in this way to the crystallization tower B of the first stage, efficient cooling of the feed slurry is achieved and cooling heat is used for the growth of crystal adduct particles to reduce the supersaturation of the liquid. Thus, advantages such as an increase in the particle size distribution of the crystal adduct particles can be obtained.

라인 (1) 로부터 공급되는 비스페놀 A 를 포함하는 페놀 용액의 온도는 부가물의 포화온도 보다 1 ∼ 20 ℃ 정도 높은 온도이며 정석탑 A 의 온도는 45 ∼ 70℃ 이다. 라인 (3), 펌프 (4), 냉각기 (6) 및 라인 (2) 를 통하여 순환되는 슬러리는 냉각기 (6) 에 있어서 그 온도가 10℃ 정도 이하, 바람직하게는 5℃ 정도 이하 강하시켜진다. 정석탑 A 에 있어서의 페놀 용액의 체류시간은 0.5 ∼ 10 시간, 바람직하게는 0.5 ∼ 5 시간이다.The temperature of the phenol solution containing bisphenol A supplied from the line (1) is 1-20 degreeC higher than the saturation temperature of an adduct, and the temperature of the crystallization tower A is 45-70 degreeC. The slurry circulated through the line 3, the pump 4, the cooler 6 and the line 2 is lowered in the cooler 6 at a temperature of about 10 ° C or less, preferably about 5 ° C or less. The residence time of the phenol solution in the crystal tower A is 0.5 to 10 hours, preferably 0.5 to 5 hours.

한편 라인 (7), 펌프 (8), 라인 (10), 가열기 (11) 을 통하여 미결정 부가물 용해 탱크 Q 로 도입되는 슬러리는 그 가열기 (11) 에 있어서 그 온도가 0.5   5℃ 정도 상승되어 미결정 부가물 용융 탱크 Q 에 유지된다. 이 탱크 Q 에 있어서의 슬러리의 체류시간은 3 ∼ 15 분 정도이다.On the other hand, the slurry introduced into the microcrystalline adduct dissolving tank Q through the line 7, the pump 8, the line 10, and the heater 11 is raised in the heater 11 by about 0.5 k to 5 ° C., and thus, uncrystallized. The adduct is kept in the melting tank Q. The residence time of the slurry in this tank Q is about 3 to 15 minutes.

미결정 용해 탱크 Q 내에 있어서는 입경 100 ㎛ 이하의 결정 부가물이 용해되며, 미결정이 용해된 슬러리는 라인 (13) 을 통하여 정석탑 A 로 되돌려져 결정의 성장이 촉진된다.In the microcrystalline dissolution tank Q, a crystal adduct having a particle size of 100 µm or less is dissolved, and the slurry in which the microcrystalline is dissolved is returned to the crystallization tower A through the line 13 to promote crystal growth.

제1 단째의 정석탑 A 내의 내통 P 의 저부로부터 발출된 슬러리의 일부는 라인 (7), 펌프 (8), 라인 (12) 및 라인 (21) 을 통한 후, 냉각기 (26) 을 통하여 정석탑 B 로 순환되는 슬러리에 첨가되어 제2 단째의 정석탑 B 로 도입된다. 이 제2 단째의 정석탑 B 는 상기 정석탑 A 에 관하여 제시한 것과 마찬가지로 조작된다.A part of the slurry extracted from the bottom of the inner cylinder P in the crystal tower A of the first stage is passed through the line 7, the pump 8, the line 12 and the line 21, and then through the cooler 26. It is added to the slurry circulated to B and introduced into the crystal tower B of the second stage. The crystal tower B of the second stage is operated in the same manner as described with respect to the crystal tower A.

정석탑 B 의 온도는 정석탑 A 의 온도 보다도 3 ∼ 10 ℃ 낮은 온도로 유지된다.The temperature of the crystal tower B is maintained at a temperature 3 to 10 ° C. lower than the temperature of the crystal tower A.

한편 가열기 (31) 을 통하는 슬러리는 여기에서 그 온도가 0.5 ∼ 5℃ 정도 상승시켜지고, 이로 말미암아 정석탑 B 에 부설된 미결정 부가물 용해 탱크 Q 의 온도는 정석탑 B 의 온도 보다도 0.5 ∼ 5℃ 정도 높은 온도로 유지된다.On the other hand, the slurry which passes through the heater 31 raises the temperature here about 0.5-5 degreeC, and the temperature of the microcrystal addition product dissolution tank Q which was attached to the crystallization tower B by this is 0.5-5 degreeC than the temperature of the crystallization tower B. It is maintained at a high temperature.

정석탑 B 에 부설된 미결정 부가물 용해 탱크 Q 내에 있어서는 입경 100 ㎛ 이하의 결정 부가물이 용해되고, 미결정이 용해된 슬러리는 라인 (33) 을 통하여 정석탑 B 로 되돌려져 결정 부가물의 결정의 성장이 촉진된다. 정석탑 B 내의 내통 P 의 저부로부터 발출되는 슬러리 속의 결정 부가물의 농도는 35 중량 % 이하, 바람직하게는 25 중량 % 이하이며, 그 결정 부가물 중의 입경 100 ㎛ 이하인 미결정 부가물 입자 함유율은 30 중량 % 이하, 바람직하게는 20 중량 % 이하이다.In the microcrystalline adduct dissolution tank Q placed in the crystal tower B, crystal adducts having a particle diameter of 100 μm or less are dissolved, and the slurry in which the microcrystals are dissolved is returned to the crystal tower B through the line 33 to grow crystals of the crystal adduct. This is facilitated. The concentration of the crystal adduct in the slurry extracted from the bottom of the inner cylinder P in the crystal tower B is 35% by weight or less, preferably 25% by weight or less, and the content of microcrystalline adduct particles having a particle size of 100 μm or less in the crystal adduct is 30% by weight. Or less, preferably 20% by weight or less.

제2 정석탑 B 내의 내통 P 의 저부로부터 발출된 슬러리의 일부는 라인 (35) 를 통하여 제품 슬러리로서 회수된다. 이 슬러리는 필요에 따라 고액 분리되고 얻어진 결정 부가물은, 이것을 비스페놀 A 의 회수 공정으로 보내어 페놀을 제거하고 비스페놀 A 를 회수한다.A part of the slurry extracted from the bottom of the inner cylinder P in the second crystal tower B is recovered as the product slurry through the line 35. This slurry is solid-liquid-separated as needed, and the obtained crystal addition product is sent to the bisphenol A collection | recovery process, a phenol is removed, and bisphenol A is collect | recovered.

제품 슬러리는 상기와 같이 제2 단째의 내통 P 의 저부로부터 발출할 수 있는 외에, 미결정 부가물 용해 탱크 Q 로부터 라인 (33) 을 통하여 정석탑 B 로 순환되는 가열된 순환 슬러리의 일부를 제품 슬러리로서 회수할 수도 있다.The product slurry can be extracted from the bottom of the inner cylinder P of the second stage as described above, and a part of the heated circulating slurry circulated from the microcrystalline adduct dissolution tank Q through the line 33 to the crystallization tower B as the product slurry. It can also be recovered.

제2 도에 있어서는 2 개의 정석탑 A, B 를 사용하여 본 발명의 방법을 실시하는 경우의 장치 계통도를 나타내었으나, 그것 보다 많은 수의 정석탑을 사용하여도 마찬가지로 실시할 수가 있다. 즉 n (n ≥ 2) 개의 정석탑을 사용하여 정석조작을 행하는 경우에 제1 단째의 정석탑으로 순환되는 냉각된 결정 부가물 슬러리에 원료액을 첨가하여 제1 단째의 정석탑으로 공급하고, 제1 단째로부터 제 (n-1) 단째 까지의 각 정석탑의 내통 저부로부터 발출된 결정 부가물 슬러리의 일부를 각 다음 단의 정석탑에 있어서의 순환 냉각 슬러리에 첨가하여 다음 단의 정석탑에 공급한 다음, 제 n 단째 (최종단) 의 정석탑의 내통 저부로부터 발출되는 결정 부가물 슬러리의 일부 또는 제 n 단째의 정석탑에 있어서의 가열된 순환 슬러리의 일부를 제품 슬러리로서 회수한다. 이 경우에 정석탑의 온도는 제1 단째의 정석탑의 온도를 가장 높게, 제 n 단째의 정석탑의 온도를 가장 낮은 온도로 유지하되, 제1 단째로부터 제 n 단째로 향하여 순차적으로 낮게 유지한다. 각 정석탑과 각 다음 단 의 정석탑 사이의 온도차는 3 ∼ 10℃, 바람직하게는 5 ∼ 8℃ 이며, 각 다음 단의 정석탑의 온도는 이 온도차 만큼 낮게 유지한다.In FIG. 2, although the apparatus flow diagram in the case of implementing the method of this invention using two crystal towers A and B is shown, it can carry out similarly even if more crystal towers are used. That is, when performing crystallization using n (n ≥ 2) crystallization towers, the raw material solution is added to the cooled crystal addition slurry circulated to the crystallization tower of the first stage and supplied to the crystallization tower of the first stage, A portion of the crystalline adduct slurry extracted from the inner cylinder bottom of each crystal tower from the first stage to the (n-1) stage is added to the circulating cooling slurry in the crystal tower of the next stage and added to the crystal tower of the next stage. After the supply, a part of the crystal adduct slurry extracted from the inner cylinder bottom of the nth stage (final stage) crystal tower or a part of the heated circulation slurry in the nth stage crystal tower is recovered as a product slurry. In this case, the temperature of the crystallization tower maintains the highest temperature of the crystallization tower of the first stage and the temperature of the crystallization tower of the nth stage at the lowest temperature, but is sequentially lowered from the first stage to the nth stage. . The temperature difference between each crystal tower and the crystal column of each next stage is 3-10 degreeC, Preferably it is 5-8 degreeC, and the temperature of the crystal tower of each next stage is kept as low as this temperature difference.

본 발명의 제2 의 프로세스에 따르면 고 순도이며 색상이 양호한 비스페놀 A · 페놀 결정 부가물을 고수율로 얻을 수가 있다.According to the second process of the present invention, bisphenol A-phenol crystal adduct having high purity and good color can be obtained in high yield.

이 비스 페놀 A · 페놀 결정 부가물은, 이것으로부터 페놀을 분리제거함으로써 고 순도이며 색상이 좋은 비스페놀 A 를 부여한다.This bisphenol A phenol crystal adduct provides a bisphenol A of high purity and good color by separating and removing phenol from this.

(제3 의 프로세스)(Third process)

다음에 본 발명에 따라 결정 부가물을 얻기 위한 제3 의 프로세스를 도면에 의하여 설명한다.Next, a third process for obtaining a crystal adduct according to the present invention will be described with reference to the drawings.

제2 도는 본 발명의 제3 의 프로세스를 실시하기 위한 장치 계통도이다. 이 도면에 있어서 (1) 은 외통, (2) 는 내통, (3) 은 미결정 부가물 용해 탱크, (4) 는 냉각기, (5) 는 가열기, (6), (7) 은 펌프, A 는 정석탑을 나타낸다.2 is an apparatus flow diagram for carrying out the third process of the invention. In this figure, (1) is an outer cylinder, (2) is an inner cylinder, (3) is a microcrystalline adduct dissolution tank, (4) is a cooler, (5) is a heater, (6), (7) is a pump, and A is Represents a crystal tower.

정석탑 A 는 밀폐구조의 외통 (1) 내에, 상부에 개구부를 가지는 내통 (2) 를 삽입한 2 중통 구조를 가진다.The crystal tower A has a double cylinder structure in which an inner cylinder 2 having an opening part is inserted into an outer cylinder 1 of a sealed structure.

본 발명에서 말하는 밀폐구조라 함은 정석탑이 대기 개방상태로 있는 것이 아니라 불활성 가스로 밀봉되어 있는 상태를 말한다.The closed structure as used in the present invention refers to a state in which the crystal tower is sealed with an inert gas, rather than being in an open air state.

대기 개방으로 하면 정석탑 내의 슬러리에 대기속의 산소의 일부가 흡수되어 부가물의 색상을 악화시킴과 동시에, 나아가서는 후단의 처리에 있어서 악영향을 주어 고품질의 부가물, 나아가서는 비스페놀 A 를 얻을 수가 없게 된다. 따라서 정석탑에 있어서는 산소의 혼입을 방지하기 위하여 불활성 가스로 봉할 필요가 생긴다. 이 경우에 산소의 혼입을 방지할 수가 있으면 반드시 고압에 견딜 수 있는 밀폐 내압 용기일 필요는 없다. 또 정석탑은 외통부에 직접 발출 구멍을 설치할 필요는 없고, 내부의 슬러리의 선회류 중심축상에 내통을 설치하고 그 상부까지 슬러리의 선회류를 상승시켜 내통 상부의 개구부로부터 슬러리를 익류시켜 내통 내부를 하강시킨 후 내통 저부로부터 발출하는 방법을 취한다. 이로 말미암아 도입된 순환 슬러리에 대하여 균일한 혼합과, 부가물 입자에 대하여 충분한 체류시간을 확보할 수가 있다.Opening the atmosphere will absorb some of the oxygen in the atmosphere in the slurry in the crystallization column, worsening the color of the adduct, and adversely affecting the subsequent treatment, so that high-quality adduct, even bisphenol A, cannot be obtained. . Therefore, in the crystal tower, it is necessary to seal with an inert gas in order to prevent the mixing of oxygen. In this case, if oxygen can be prevented from mixing, it is not necessarily a sealed pressure vessel that can withstand high pressure. In addition, the crystal tower does not need to provide a direct extraction hole in the outer cylinder portion, but installs the inner cylinder on the central axis of the swirl flow of the slurry inside and raises the swirl flow of the slurry to the upper portion thereof to make the slurry flow from the opening of the upper portion of the inner cylinder to open the inner cylinder. After descending, a method of ejecting from the inner cylinder bottom is taken. This makes it possible to ensure uniform mixing with respect to the circulating slurry introduced and sufficient residence time for the adduct particles.

본 발명을 바람직하게 실시하기 위해서는 우선 처리될 원료인 비스페놀 A 를 포함하는 페놀 용액을, 라인 (8) 및 라인 (9) 를 통하여 정석탑 A 내로 충전함과 동시에 내통 (2) 의 저부로부터 라인 (10) 을 통하여 페놀 용액을 발출하고, 이것을 라인 (11), 펌프 (6), 라인 (12), 냉각기 (4), 라인 (13) 및 라인 (9) 를 통하여 정석탑 A 하부의 외통내로 연속적으로 순환시킨다. 이 조작에 의해서 정석탑 A 내의 페놀용액은 냉각되어 결정 부가물이 정석되고 결정 부가물을 포함하는 슬러리가 생성된다. 이 슬러리는 내통 (2) 저부로부터 발출되어 상기와 같이 하여 냉각기 (4) 에서 냉각된 후, 정석탑 A 하부의 외통 (1) 내로 순환하게 된다.In order to carry out the present invention preferably, first, a phenol solution containing bisphenol A as a raw material to be treated is filled into the crystallization tower A through lines 8 and 9, and at the same time from the bottom of the inner cylinder 2 with a line ( 10) extract the phenol solution through the line (11), pump (6), line (12), cooler (4), line (13) and line (9) continuously into the barrel of the bottom of the crystal tower A Circulate By this operation, the phenol solution in the crystal tower A is cooled to crystallize the crystal adduct and produce a slurry containing the crystal adduct. This slurry is taken out from the bottom of the inner cylinder 2, cooled in the cooler 4 as described above, and then circulated into the outer cylinder 1 at the bottom of the crystal tower A.

또한 내통 (2) 의 저부로부터 슬러리의 일부를 라인 (10), 라인 (14), 펌프 (7), 라인 (15), 가열기 (5), 탱크 (3) 및 라인 (16), (17) 을 통하여 정석탑 A 하부의 외통 (1) 내로 연속적으로 순환시킨다. 이 조작에 의하여 내통 (2) 의 저부로부터 발출된 슬러리 속의 미결정 부가물 입자가 탱크 (3) 에서 용해되어 미결정 부가물 입자 함유율이 낮은 슬러리가 정석탑 A 내로 순환된다. 그 결과 정석탑 A 내의 미결정 부가물 입자의 함유율이 감소하게 된다.In addition, a portion of the slurry from the bottom of the inner cylinder 2 is transferred to the line 10, line 14, pump 7, line 15, heater 5, tank 3 and line 16, 17 Through the continuous circulation into the outer cylinder (1) of the lower portion of the crystal tower A through. By this operation, the microcrystalline adduct particles in the slurry extracted from the bottom of the inner cylinder 2 are dissolved in the tank 3, and the slurry having a low content of microcrystalline adduct particles is circulated into the crystal tower A. As a result, the content rate of the microcrystalline adduct particle in the crystallization tower A is reduced.

다음에 이와같은 상태에 있어서 원료 페놀 용액을 라인 (8), 및 라인 (9) 를 통하여 정석탑 A 하부의 외통 (1) 안으로 도입함과 동시에 내통 (2) 의 저부로부터 제품 슬러리를 라인 (20) 을 통하여 발출한다.In this state, the raw material phenol solution is introduced into the outer cylinder 1 at the bottom of the crystal tower A through the lines 8 and 9, and at the same time the product slurry is removed from the bottom of the inner cylinder 2. Eject through)

이 경우에 다음 공정으로 이 슬러리를 중력으로 흘러내리게 할 수 있는 경우에는 이와같이 라인 (20) 을 사용하여 발출하나, 그렇지 않는 경우에는 펌프 (7) 의 토출라인 (21) 로부터 그 일부를 발출할 수도 있다. 또한 미결정 함유율이 적은 슬러리의 일부를 라인 (18) 로부터 회수하고, 이것을 제품 결정 부가물 슬러리로 할 수도 있다.In this case, if the slurry can be flowed down by gravity in the next step, it is extracted using the line 20 in this way. Otherwise, a part thereof may be extracted from the discharge line 21 of the pump 7. have. In addition, a part of the slurry having a small content of microcrystals may be recovered from the line 18, and this may be used as a product crystal adduct slurry.

본 발명에 있어서는 라인 (9) 를 통하는 온도 강하된 슬러리 및 라인 (16), (17) 을 통하는 온도 상승된 슬러리를 외통 (1) 내로 도입시킬때, 외통 하부로부터 외통안으로 동일한 방향의 선회류가 생기도록 도입한다. 이 경우에 바람직하게는 외통 내주면에 대하여 접선방향이 되도록 도입하고, 또한 그 도입 위치가 다르도록 행한다. 도입 위치가 너무 가까우면 국부적인 흐름의 흐트러짐을 일으켜 평탄한 선회류를 얻을 수가 없게 되고 또한 정석탑의 구조 및 강도의 측면에서 바람직하지 못하다. 따라서 이들 2 개의 슬러리의 도입위치는 외통의 중심점으로부터 각도로 표시해서 바람직하게는 90 ∼ 180 도 떨어진 위치에 있어서 행하는 것이 좋다. 그리고 동일 방향의 선회류를 생기게 하기 위한 것이라면 2 개의 슬러리의 도입 위치는 반드시 동일 수평 면상에 있을 필요는 없고, 적어도 외통 하부에서 다소의 고저의 차가 있어도 상관이 없다.In the present invention, when introducing the temperature-reduced slurry through the line (9) and the temperature-rise slurry through the lines (16) and (17) into the outer cylinder (1), the swirl flow in the same direction from the lower portion of the outer cylinder into the outer cylinder Introduce to create. In this case, Preferably it introduces so that it may become tangential with respect to an outer cylinder inner peripheral surface, and it introduces so that the introduction position may differ. If the introduction position is too close, the local flow may be disturbed and a flat swirl flow may not be obtained, and it is not preferable in terms of the structure and strength of the crystal tower. Therefore, the introduction positions of these two slurries are preferably displayed at an angle from the center point of the outer cylinder and preferably at a position separated by 90 to 180 degrees. And if it is for producing the swirl flow in the same direction, the introduction positions of the two slurries need not necessarily be on the same horizontal plane, and there may be some height difference at least under the outer cylinder.

상기와 같이 하여 라인 (9) 및 라인 (16), (17) 을 통하는 각 슬러리를 외통안으로 동일 방향의 선회류가 생기도록 도입함과 동시에, 이 선회류는 외통 (1) 내를 내통 (2) 의 상단부까지 상승하고, 다음에 내통 (2) 의 상부 개구부로부터 내통 (2) 내를 하강하여 그 내통의 저부로부터 라인 (10) 을 통하여 발출된다.As described above, each slurry flowing through the lines 9, 16 and 17 is introduced into the outer cylinder so that the swirl flow in the same direction is generated, and the swirl flow passes through the inside of the outer cylinder 1 (2). ) To the upper end of the inner cylinder 2, and then descends the inner cylinder 2 from the upper opening of the inner cylinder 2 and is discharged through the line 10 from the bottom of the inner cylinder.

외통 (1) 내에 이와 같은 선회류를 생기게 함으로써 다음과 같은 효과를 얻을 수가 있다.By producing such a swirl flow in the outer cylinder 1, the following effects can be acquired.

(1) 상이한 온도인 2 개의 액류를 효과적으로 균일하게 혼합할 수가 있다.(1) Two liquid streams of different temperatures can be effectively and uniformly mixed.

(2) 슬러리의 편류를 방지하고 외통내의 슬러리 농도가 균일하게 되므로 결정 부가물 입자의 외통 내에서의 체류시간의 불균일을 없앨 수가 있다.(2) Since dispersion of the slurry is prevented and the slurry concentration in the outer cylinder is uniform, nonuniformity of residence time in the outer cylinder of the crystal addition product particles can be eliminated.

(3) 결정 부가물 입자의 외통내에서의 침강 퇴적을 방지할 만한 충분한 선속도를 얻을 수가 있다.(3) A sufficient linear velocity can be obtained to prevent sedimentation deposition in the outer cylinder of the crystal adduct particle.

또한 상기와 같이 내통 (2) 저부로부터 발출된 슬러리의 일부를 라인 (10), 라인 (14), 펌프 (7), 가열기 (5), 탱크 (3) 및 라인 (16), (17) 을 통하여 정석탑 A 로 순환시킬 때에는 슬러리 속의 미결정 부가물이 탱크 (3) 안에서 용해 소실되므로 일정 크기의 조대 결정 부가물을 포함하는 슬러리가 라인 (16), (17) 을 통하여 정석탑 A 로 순환되고, 이로 말미암아 정석탑 A 내에 포함되는 결정 부가물의 입경이 고르게 되어 정석탑 A 내에는 미결정 부가물 입자 함유율이 낮고 조대 결정 부가물 입자 함유율이 높은 결정 부가물이 생성된다. 정석탑 A 내에 있어서의 미결정 부가물은 그 비표면적이 크므로 착색 원인 물질에 대하여 높은 흡착성을 나타낸다. 따라서 정석탑 A 에서 얻어지는 결정 부가물 속의 미결정 부가물 입자 함유율을 가급적 감소시킴으로써 색상이 좋은 결정 부가물을 얻을 수가 있다. 본 발명자들의 연구에 따르면 결정 부가물 중의 입경 100 ㎛ 이하인 미결정 부가물 입자 함유율을 30 중량 % 이하, 바람직하게는 20 중량 % 이하로 유지함으로써 색상이 좋은 고 순도 결정 부가물을 제조할 수 있는 것이 발견되었다.In addition, as described above, a portion of the slurry extracted from the bottom of the inner cylinder 2 is transferred to the line 10, the line 14, the pump 7, the heater 5, the tank 3, and the lines 16 and 17. When circulating through the crystal tower A through the microcrystalline adduct in the slurry is dissolved and lost in the tank (3), a slurry containing a coarse crystal adduct of a certain size is circulated to the crystal tower A through lines (16) and (17). As a result, the grain size of the crystal adduct contained in the crystal tower A becomes uniform, and thus the crystal adduct is produced in the crystal tower A with a low content of microcrystalline adduct particles and a high content of coarse crystal adduct particles. The microcrystalline adduct in the crystal tower A has a large specific surface area and thus exhibits high adsorption to the coloring agent. Therefore, the crystal addition product of a good color can be obtained by reducing the content rate of the microcrystal addition product particle in the crystal addition product obtained by the crystal tower A as much as possible. According to the researches of the present inventors, it was found that high purity crystal adducts with good color can be produced by maintaining the content of microcrystalline adduct particles having a particle diameter of 100 μm or less in the crystal adducts at 30% by weight or less, preferably 20% by weight or less. It became.

라인 (8) 로부터 공급되는 비스페놀 A 를 포함하는 페놀용액의 온도는 부가물의 포화 온도 보다 1 ∼ 20 ℃ 정도 높은 온도이며, 정석탑 A 의 온도는 45 ∼ 70℃ 이다. 라인 (11), 펌프 (6), 냉각기 (4) 및 라인 (9) 를 통하여 순환되는 슬러리는 냉각기 (4) 에 있어서 그 온도가 10℃ 정도 이하, 바람직하게는 5 ℃ 이하 정도 강하된다. 정석탑 A 에 있어서의 페놀 용액의 체류시간은 0.5 ∼ 10 시간, 바람직하게는 0.5 ∼ 5 시간이다.The temperature of the phenol solution containing bisphenol A supplied from the line 8 is a temperature about 1-20 degreeC higher than the saturation temperature of an adduct, and the temperature of the crystallization tower A is 45-70 degreeC. The slurry circulated through the line 11, the pump 6, the cooler 4, and the line 9 is lowered in the cooler 4 at a temperature of about 10 ° C or less, preferably about 5 ° C or less. The residence time of the phenol solution in the crystal tower A is 0.5 to 10 hours, preferably 0.5 to 5 hours.

한편, 라인 (14), 펌프 (7), 라인 (15), 가열기 (5) 를 통하여 미결정 부가물 용해 탱크 (3) 으로 도입되는 슬러리는 그 가열기 (5) 에 있어서 그 온도가 0.5 ∼ 5℃ 정도 상승되어 미결정 용해탱크 (3) 에 유지된다. 이 탱크 (3) 에 있어서의 페놀 용액의 체류 시간은 3 ∼ 15 분 정도이다.On the other hand, the slurry introduced into the microcrystalline adduct dissolution tank 3 through the line 14, the pump 7, the line 15, and the heater 5 has a temperature of 0.5 to 5 ° C. in the heater 5. It is raised to the extent that it is held in the microcrystalline dissolution tank 3. The residence time of the phenol solution in this tank 3 is about 3 to 15 minutes.

미결정 용해 탱크 (3) 내에 있어서는 입경 100 ㎛ 이하인 결정 부가물이 용해되고, 라인 (16) 을 통하는 슬러리 속의 결정 부가물 속의 입경 100 ㎛ 이하인 결정 부가물 입자 함유율은 30 중량 % 이하, 바람직하게는 20 중량 % 이하이다.In the microcrystalline dissolution tank 3, a crystal adduct having a particle size of 100 μm or less is dissolved, and the content of the crystal adduct particle having a particle size of 100 μm or less in the crystal adduct in the slurry via the line 16 is 30% by weight or less, preferably 20 Weight% or less.

내탑 (2) 의 저부로부터 발출되는 슬러리의 일부는 라인 (20) 을 통하여 제품 슬러리로서 회수된다. 이 경우에 다음의 공정으로 이 슬러리를 중력으로 흘러내리게 하는 경우에는 이와같이 라인 (20) 을 사용하여 발출하나, 그렇지 않는 경우에는 펌프 (7) 의 토출라인 (21) 로부터 그 일부를 발출할 수도 있다. 또 미결정 함유율이 적은 슬러리의 일부를 라인 (18) 로부터 회수하고, 이것을 제품 결정 부가물 슬러리로 할 수도 있다. 이 슬러리에는 다시 상기와 마찬가지의 정석 처리를 할 수가 있다. 또한 이 슬러리를 고액 분리 처리함으로써 결정 부가물을 얻을 수가 있다.A part of the slurry drawn out from the bottom of the inner column 2 is recovered as a product slurry through the line 20. In this case, in the case of causing the slurry to flow down by gravity in the following process, it is extracted using the line 20 in this way. Otherwise, a part thereof may be extracted from the discharge line 21 of the pump 7. . In addition, a part of the slurry having a small content of microcrystals may be recovered from the line 18, and this may be used as a product crystal adduct slurry. This slurry can be subjected to the same crystallization treatment as above. In addition, the crystal addition product can be obtained by solid-liquid separation treatment of this slurry.

본 발명의 제3 의 프로세스에 따르면 미결정 부가물 입자 함유율이 낮고 색상이 양호한 결정 부가물을 효율좋게 생성시킬 수가 있다. 이 결정 부가물은 이것으로부터 페놀을 분리 제거함으로써 색상이 좋은 비스페놀 A 를 부여한다.According to the third process of the present invention, it is possible to efficiently produce crystal adducts having a low content of microcrystalline adduct particles and good color. This crystalline adduct gives bisphenol A of good color by isolate | separating and removing a phenol from this.

(제4 의 프로세스)(Fourth process)

다음에 본 발명에 따라 결정 부가물을 얻기 위한, 제4 의 프로세스 및 그것을 실시하기 위한 정석 장치를 제4 도에 의해 설명한다.Next, a fourth process for obtaining a crystal adduct according to the present invention and a crystallizing apparatus for carrying it out will be described with reference to FIG.

제4 도에 있어서 A 는 제1 정석탑, B 는 제2 정석탑, (3) ∼ (4) 는 제1 상용 쿨러 (cooler), (5) 는 예비 쿨러, (6) ∼ (7) 은 제2 상용 쿨러를 나타낸다.In FIG. 4, A is the first crystal tower, B is the second crystal tower, (3) to (4) is the first commercial cooler, (5) is the preliminary cooler, and (6) to (7) is A second commercial cooler is shown.

원료인 비스페놀 A 의 페놀 용액은 우선 라인 (101) 로부터 제1 정석탑 A 로 도입한다. 제1 정석탑 A 의 저부로부터 라인 (102) 에 의해 인발 (引拔) 된 결정 부가물 슬러리의 일부는 펌프 (8) 및 라인 (104) 를 지나 제2 정석탑 B 로 보내어지고, 일부는 펌프 (9) 및 (10) 및 쿨러 (3) 및 (4) 를 지나 냉각된 후 라인 (103) 으로부터 제1 정석탑 A 로 되돌리어진다. 제1 정석탑 A 내의 온도는 라인 (101) 로부터 유입하는 원료액과 라인 (103) 으로부터 유입하는 순환액의 각각의 온도 및 유입비에 따라 결정되며, 그 온도에 상당하는 농도에 이를 때까지 비스페놀 A 와 페놀과의 등 (等) 몰인 결정 부가물의 석출이 일어난다. 따라서 라인 (102) 로부터 펌프 (9) 및 (10) 및 쿨러 (3) 및 (4) 를 지나 라인 (103) 에 이르는 순환 라인 속을 흐르고 있는 액은 상기 결정 부가물을 포함하는 슬러리이다. 마찬가지로 제2 정석탑 B 의 저부로부터 라인 (105) 에 의해 인발된 액의 일부는 라인 (107) 에 의해 결정 부가물을 회수하기 위한 여과 장치로 보내어져서, 일부는 펌프 (12) 및 (13) 및 쿨러 (6) 및 (7) 을 지나 냉각된 후 라인 (106) 으로부터 제2 정석탑 B 로 되돌리어 진다. 제2 정석탑 B 내의 온도는 라인 (104) 로부터 유입하는 액과 라인 (106) 으로부터 유입하는 액의 각각의 온도 및 유입비에 따라서 결정되며, 그 온도에 상당하는 농도에 이를 때까지 비스페놀 A 와 페놀과의 등 몰인 결정 부가물의 석출이 일어난다. 따라서 라인 (105) 로부터 펌프 (12) 및 (13) 및 쿨러 (6) 및 (7) 을 지나 라인 (106) 에 이르는 순환 라인 속을 흐르고 있는 액은 상기 결정 부가물을 포함하는 슬러리이다.The phenol solution of bisphenol A which is a raw material is first introduced into the first crystal tower A from the line 101. A portion of the crystal adduct slurry drawn by the line 102 from the bottom of the first crystal tower A is passed through the pump 8 and the line 104 to the second crystal tower B, and a portion of the pump After cooling through (9) and (10) and coolers (3) and (4), it is returned from line 103 to the first crystal tower A. The temperature in the first crystallization tower A is determined according to the respective temperatures and inflow ratios of the raw material liquid flowing in from the line 101 and the circulating liquid flowing from the line 103, and the bisphenol is reached until a concentration corresponding to the temperature is reached. Precipitation of the crystal addition product which is equimolar between A and phenol occurs. The liquid flowing in the circulation line from line 102 through pumps 9 and 10 and coolers 3 and 4 to line 103 is thus a slurry comprising the crystal adduct. Similarly, a portion of the liquid drawn by line 105 from the bottom of the second crystal tower B is sent by line 107 to a filtration device for recovering the crystalline adduct, so that some of the pumps 12 and 13 And after cooling through the coolers 6 and 7, it is returned from the line 106 to the second crystal tower B. The temperature in the second crystal tower B is determined in accordance with the respective temperatures and inlet ratios of the liquid flowing in from the line 104 and the liquid flowing out of the line 106, and the bisphenol A and Precipitation of a crystal adduct that is equimolar with phenol occurs. The liquid flowing in the circulation line from line 105 through pumps 12 and 13 and coolers 6 and 7 to line 106 is therefore a slurry comprising the crystal adduct.

펌프 (11) 및 쿨러 (5) 를 포함하는 라인은 다른 펌프 및 쿨러를 라인으로부터 떼어냈을 때에 그 부하를 대신 떠맡기 위한 예비 라인이다. 상용 쿨러 (3), (4), (6) 및 (7) 그리고 예비 쿨러 (5) 의 운용의 일례를 하기 표 1 에 표시한다.The line comprising the pump 11 and the cooler 5 is a spare line to take over the load when another pump and cooler is removed from the line. An example of the operation of the commercial coolers (3), (4), (6) and (7) and the preliminary cooler 5 is shown in Table 1 below.

운전 모드Driving mode 1One 22 33 44 55 쿨러 3쿨러 4쿨러 5쿨러 6쿨러 7Cooler 3Cooler 4Cooler 5Cooler 6Cooler 7 AA/BBAA / BB /AABB/ AABB AAB/BAAB / B A/ABBA / ABB AABB/AABB /

표 1 에 있어서 A 는 제1 정석계의 슬러리를 냉각하는 것을 나타내고, B 는 제2 정석계의 슬러리를 냉각하는 것을 나타낸다. 운전 모드를 (1) 로부터 (5) 로 순차적으로 이행시켜, 다시 (1) 로 되돌아온 시점에서 1 사이클이 종료된다. 전열면 (傳熱面) 에 석출한 결정 부가물을 용해하기 위해서는 쿨러내의 액온이 결정 용해 온도 이상으로 상승하고 나서부터 약 1 시간을 요하나, 결정 부가물의 부착에 의해 쿨러의 전열효과가 저하하여 재생이 필요할 때까지의 시간은 사용조건에도 관계되지만 적어도 수 10 시간이며 상기 사이클은 용이하게 달성가능하다. 본 발명의 제4 의 프로세스 및 그 실시를 위한 정석 장치는 상기와 같이 쿨러를 사용하여 결정 부가물 슬러리의 냉각을 행하는 외부 냉각식 정석 장치계의 조작에 있어서 쿨러를 복수기 병렬로 설치하여, 그들 복수기의 쿨러 중의 1 기를 예비 쿨러로 하고 예비쿨러 이외의 쿨러만을 사용하여 결정 부가물 슬러리의 냉각을 행하며, 전열면에 결정이 석출하여 전열효율이 저하한 쿨러를 예비쿨러와 교환하여 연속 운전을 함과 동시에, 그 전열효율이 저하한 쿨러를 가온함으로써 전열면에 부착한 결정 부가물을 용해하여 재생하는 것을 특징으로 한다. 이 경우에 복수기의 쿨러중의 1 기를 항상 예비쿨러로 하여 고정적으로 운용하여도 좋고, 혹은 각 쿨러를 순차적으로 예비 쿨러로 하여 순환적으로 운용하여도 좋다.In Table 1, A represents cooling the slurry of the first crystallization system, and B represents cooling the slurry of the second crystallization system. One cycle is completed at the time when the operation mode is sequentially shifted from (1) to (5) and returned to (1) again. In order to dissolve the crystal adduct deposited on the heat transfer surface, it takes about 1 hour after the liquid temperature in the cooler rises above the crystal dissolution temperature, but the heat transfer effect of the cooler decreases due to the attachment of the crystal adduct. The time until regeneration is required also depends on the conditions of use, but at least several ten hours and the cycle is easily achievable. In the fourth process of the present invention and the crystallizer for the implementation thereof, in the operation of the externally cooled crystallizer system which cools the crystal adduct slurry using the cooler as described above, the coolers are provided in parallel and the plurality of coolers are provided. One of the coolers is used as a preliminary cooler, and only the cooler other than the precooler is used to cool the crystal adduct slurry, and the cooler whose crystallization is deposited on the heat transfer surface and the heat transfer efficiency is reduced is replaced with the preliminary cooler. At the same time, it is characterized by dissolving and regenerating the crystal adduct attached to the heat transfer surface by heating the cooler whose heat transfer efficiency is lowered. In this case, one of the plurality of coolers may be fixedly operated as a preliminary cooler at all times, or may be operated cyclically with each cooler sequentially as a preliminary cooler.

본 발명에 있어서의 정석탑은 1 개로 할 수도 있으나 바람직하게는 제4 도에 표시한 바와같이 정석탑을 2 탑 직렬로 설치하여 2 단 정석을 행하고, 상용 쿨러는 각 정석탑 마다 별개로 설치하지만 예비 쿨러는 양 정석탑에 공통의 것을 1 기 설치하는 것이 좋다. 정석탑을 2 탑 직렬로 설치하여 2 단 정석을 행하면 각 탑에 있어서의 결정 부가물 슬러리 유입 온도와 탑내 온도와의 차를 적게할 수가 있기 때문에 급격한 결정 석출을 피할 수가 있으며, 이로 말미암아 순도가 높은 큰 결정 부가물을 얻을 수가 있다. 또한 쿨러의 부하를 내릴 수가 있기 때문에 쿨러 전열면으로의 결정 석출도 억제할 수가 있다. 그리고 예비 쿨러는 양 탑에 공통으로 하면 설비 코스트를 삭감할 수가 있다. 이 경우에 예비 쿨러는 온도 및 용질 농도가 다른 2 종류의 액의 냉각을 교대로 행하게 되나 열 교환 용량을 같게하면 온도나 용질농도의 다소의 차이는 그다지 문제가 되지 않다는 것을 알았다.The crystal tower in the present invention may be one, but preferably, as shown in FIG. 4, the crystal tower is installed in two towers in series to perform two-stage crystallization, and a commercial cooler is separately installed for each crystal tower. It is recommended to install one common cooler in both crystal towers. If the two-stage crystallization is carried out by installing two crystal towers in series, the difference between the inlet temperature of the crystalline adduct slurry in each tower and the temperature in the tower can be reduced, thereby avoiding the rapid crystallization, which leads to high purity. Large crystal adducts can be obtained. In addition, since the load on the cooler can be reduced, precipitation of crystals on the cooler heat transfer surface can be suppressed. And if the preliminary cooler is common to both towers, the installation cost can be reduced. In this case, the preliminary cooler alternately cools two kinds of liquids having different temperatures and solute concentrations. However, if the heat exchange capacity is the same, a slight difference in temperature or solute concentration is not a problem.

쿨러를 사용하여 결정 부가물 슬러리의 냉각을 행하는 외부 냉각식 정석 장치계에 있어서 쿨러속을 흐르는 액은 통상 결정 (비스페놀 A 와 페놀과의 결정 부가물) 을 포함하는 슬러리이다. 쿨러는 일종의 간접식 열 교환기이며, 쿨러를 통과하는 슬러리는 전열면을 통하여 냉각된다. 이것으로 말미암아 그 온도 저하에 상당하는 정도만큼 결정의 석출이 진행된다. 그러나, 온도 저하와 결정 석출과의 사이에는 타임 랙 (time lag) 이 있으며 일시적으로 과포화의 상태로 된 후에 서서히 결정이 석출된다. 또한 결정 부가물의 석출에는 종정의 존재가 필요하며 통상적으로는 슬러리 속의 결정이 종정으로서 작용하기 때문에 새로이 결정이 생성한다고 하기 보다는 이미 슬러리 속에 존재하는 결정이 성장한다는 형태로 석출이 진행된다. 따라서 쿨러의 전열면에 부착하는 스케일 (미세한 결정과 불순물로 이루어진다) 이 형성되는 속도는 처음 동안에는 그다지 크지 않으나 일단 부착하면 그것이 종정으로 작용하기 때문에 차차 가속되어 간다. 그리고 이 스케일이 축적하면 우선 전열효율 (즉 냉각효율) 이 저하된다는 문제가 생기고, 또한 스케일이 박리하여 정석탑에 운반되면 제품의 순도가 저하된다는 문제가 생긴다. 따라서 통상적으로는 스케일이 축적되어 가면 쿨러를 라인으로부터 떼어내어 세정하고 있다. 이 작업 동안은 정석조작을 정지하여야 하기 때문에 어느정도 연속적으로 정석조작을 행하고자 하면 이 작업을 빈번하게 행할 수는 없어, 그 결과 상당한 스케일이 축적할때까지 그 쿨러를 사용하게 된다.In the external cooling crystallizer system which cools the crystal addition product slurry using a cooler, the liquid flowing through the cooler is usually a slurry containing crystal (crystal addition product of bisphenol A and phenol). The cooler is a kind of indirect heat exchanger, and the slurry passing through the cooler is cooled through the heat transfer surface. Thereby, precipitation of a crystal advances to the extent corresponded to the temperature fall. However, there is a time lag between the temperature drop and crystal precipitation, and crystals gradually precipitate after being temporarily supersaturated. In addition, precipitation of crystal adducts requires the presence of seed crystals, and the precipitation proceeds in the form of crystals already existing in the slurry rather than new crystals because the crystals in the slurry act as seed seeds. Therefore, the rate at which the scale (consisting of fine crystals and impurities) is formed on the heat transfer surface of the cooler is not very large at first, but is accelerated gradually because it acts as a seed. When this scale accumulates, a problem arises that first, the heat transfer efficiency (ie, cooling efficiency) is lowered, and when the scale is peeled off and transported to the crystal tower, there is a problem that the purity of the product is lowered. Therefore, normally, when the scale accumulates, the cooler is removed from the line and cleaned. Since the operation of crystallization must be stopped during this operation, the operation of crystallization to some extent cannot be done frequently, and as a result, the cooler is used until a considerable scale has accumulated.

본 발명에 따르면 상기한 문제는 완전히 해결된다. 즉 본 발명에서는 스케일을 세정 제거하지 않고 쿨러 전열면에 미세한 결정이 약간 석출한 시점에서 그 쿨러의 부하를 예비 쿨러로 전환하여, 그 쿨러에는 필요에 따라 냉각 매체 대신에 가온 매체를 흘러내리게 하여 전열면에 석출한 미세한 결정을 용해제거하는 것이다. 이 가온 매체는 별도로 순환 라인을 설치해 두고 그 쿨러를 가온 매체 순환 라인에 접속하면 된다. 이와 같이 하여 미세한 결정을 그것이 딱딱한 스케일을 형성하기 전에 제거하기 때문에 시간과 수고가 드는 스케일 세정 작업을 하지 않아도, 당해 쿨러를 단순히 라인으로부터 떼어내어 가열하는 것만으로 상기 스케일 부착 문제를 회피할 수가 있는 것이다.According to the invention the above problem is completely solved. That is, in the present invention, when fine crystals slightly precipitate on the cooler heat transfer surface without cleaning and removing the scale, the load of the cooler is switched to a preliminary cooler, and the cooler is allowed to flow a warming medium instead of a cooling medium, if necessary. It is to dissolve and remove fine crystals deposited on the heat surface. The heating medium may be separately provided with a circulation line, and the cooler may be connected to the heating medium circulation line. In this way, since fine crystals are removed before they form a hard scale, the scale attachment problem can be avoided by simply removing the cooler from the line and heating without the need for time-consuming and laborious scale cleaning operations. .

(제5 의 프로세스)(5th process)

다음에 본 발명에 따라 결정 부가물을 얻기 위한 제5 의 프로세스를 도면을 참조하여 설명한다.Next, a fifth process for obtaining a crystal adduct according to the present invention will be described with reference to the drawings.

제5 도는 본 발명의 방법을 실시하는 경우의 플로시트의 일례를 나타낸다. 제5 도에 있어서 A-1, A-2, A-3 는 각각 제1 정석 공정, 제1 정석 공정, 제1 정석 공정을 나타낸다. B-1, B-2, B-3 는 각각 제1 고액 분리 공정, 제2 고액 분리 공정, 제3 고액 분리 공정을 나타낸다. C-1, C-2 는 각각 결정 부가물의 제1 재용해 공정, 제2 재용해 공정을 나타낸다.5 shows an example of a flow sheet in the case of carrying out the method of the present invention. In FIG. 5, A-1, A-2, and A-3 represent a 1st crystallization process, a 1st crystallization process, and a 1st crystallization process, respectively. B-1, B-2, and B-3 represent a 1st solid-liquid separation process, a 2nd solid-liquid separation process, and a 3rd solid-liquid separation process, respectively. C-1 and C-2 represent the 1st remelting process and the 2nd remelting process of a crystal addition product, respectively.

제5 도에 나타낸 플로시트에 따라서 결정 부가물을 제조하는 경우에, 그 정상 상태의 플로차트에 있어서는 정석 처리용 원료액인 비스페놀 A 를 포함하는 페놀 용액은 라인 (1) 을 통하여 제1 정석 공정 A-1 으로 도입된다.In the case of producing the crystal adduct according to the flow sheet shown in Fig. 5, in the steady state flowchart, the phenol solution containing bisphenol A, which is the raw material for crystallization, is subjected to the first crystallization step A- via line (1). Introduced by 1.

제1 정석 공정 A-1 에서 얻어진 정석 생성물은 라인 (2) 를 통하여 제1 고액 분리 공정 B-1 으로 도입되고 여기에서 제1 결정 부가물 D-1 과 제1 모액 F-1 로 분리되며, 제1 모액 F-1 은 그 속에 페놀, 비스페놀 A 등의 유용 성분을 포함하기 때문에 적당한 처리를 실시한 후에 페놀과 아세톤과의 반응 공정으로 순환시킨다. 제1 정석 생성물로부터 분리된 제1 결정 부가물은 다음 단의 제2 고액 분리 공정, B-2 에서 얻어진 제2 모액 F-2 로 세정되고, 이 세정에서 얻어진 제1 세정 배액 E-1 은 페놀과 아세톤과의 반응공정으로 순환된다.The crystallization product obtained in the first crystallization step A-1 is introduced into the first solid-liquid separation step B-1 through line (2), where it is separated into the first crystal adduct D-1 and the first mother liquor F-1, Since 1st mother liquid F-1 contains useful components, such as a phenol and bisphenol A in it, after performing a suitable process, it circulates in the reaction process of a phenol and acetone. The first crystal adduct separated from the first crystallization product is washed with the second mother liquor F-2 obtained in the second solid-liquid separation step B-2 of the next stage, and the first washing liquid E-1 obtained in this washing is phenol. It is circulated in the reaction process with and acetone.

상기와 같이 제2 모액 F-2 로 세정된 제1 결정 부가물 D-1 은 제1 재용해 공정 C-1 으로 도입되어 다음 단의 제2 고액 분리 공정 B-2 로부터의 제2 결정 부가물 세정 배액 E-2 에 의해 용해된 후 라인 (3) 을 통하여 제2 정석 공정 A-2 로 도입된다.The first crystal adduct D-1 washed with the second mother liquor F-2 as described above is introduced into the first remelting step C-1 and the second crystal adduct from the second solid-liquid separation step B-2 in the next stage. It is dissolved by the washing drainage E-2 and then introduced into the second crystallization step A-2 via the line 3.

제2 정석 공정 A-2 에서 얻어진 정석 생성물은 라인 (4) 를 통하여 제2 고액 분리 공정 B -2 로 도입되고, 여기에서 제2 결정 부가물 D-2 와 제2 모액 F-2 로 분리되어, 제2 모액 F-2 는 상기와 같이 제1 고액 분리 공정 B-1 에서 분리된 결정 부가물 D-1 을 세정하는데 사용된다. 한편 제2 결정 부가물 D-2 는 다음 단의 제3 고액 분리 공정 B-3 에서 얻어진 제3 모액 F-3 으로 세정되고, 그 제2 세정 배액 E-2 는 상기와 같이 제1 재용해 공정 C-1 에 있어서의 제1 결정 부가물 D-1 의 용해용의 페놀 용액으로서 사용된다.The crystallization product obtained in the second crystallization step A-2 is introduced into the second solid-liquid separation step B-2 through line 4, where it is separated into the second crystal adduct D-2 and the second mother liquor F-2. The second mother liquor F-2 is used to wash the crystal adduct D-1 separated in the first solid-liquid separation step B-1 as described above. On the other hand, the second crystal adduct D-2 is washed with the third mother liquor F-3 obtained in the third solid-liquid separation step B-3 of the next stage, and the second washing liquid E-2 is the first re-dissolution step as described above. It is used as a phenol solution for melt | dissolution of the 1st crystal addition product D-1 in C-1.

상기와 같이 제3 모액 F-3 으로 세정된 제1 결정 부가물 D-2 는 제2 재용해 공정 C-2 로 도입되어 다음 단의 제3 고액 분리 공정 B-3 로부터의 제3 결정 부가물 세정 배액 E-3 에 의해 용해된 후, 라인 (5) 를 통하여 제3 정석 공정 A-3 으로 도입된다.The first crystal adduct D-2 washed with the third mother liquor F-3 as described above is introduced into the second remelting step C-2, and the third crystal adduct from the third solid-liquid separation step B-3 in the next stage. After dissolving by washing | cleaning waste liquid E-3, it introduce | transduces into the 3rd crystallization process A-3 via the line 5.

제3 정석 공정 A-3 으로 얻어진 정석 생성물은 라인 (6) 을 통하여 제3 고액 분리 공정 B-3 으로 도입되고, 여기에서 제3 결정 부가물 D-3 과 제3 모액 F-3 으로 분리되며, 제3 모액 F-3 는 상기와 같이 제2 고액 분리 공정 B-2 에서 분리된 제2 결정 부가물 D-2 를 세정하는데 사용된다.The crystallization product obtained in the third crystallization step A-3 is introduced into the third solid-liquid separation step B-3 via line 6, where it is separated into the third crystal adduct D-3 and the third mother liquor F-3. The third mother liquor F-3 is used to clean the second crystal adduct D-2 separated in the second solid liquid separation step B-2 as described above.

제3 결정 부가물 D-3 는 정제 페놀 F 에 의하여 세정되고, 그 제3 세정 배액 E-3 은 상기와 같이 제2 재용해 공정 C-2 에 있어서의 제2 결정 부가물 D-2 의 용해용 페놀 용액으로 사용된다.The 3rd crystal addition product D-3 is wash | cleaned with refined phenol F, The 3rd washing | cleaning liquid E-3 dissolves the 2nd crystal addition product D-2 in a 2nd remelting process C-2 as mentioned above. Used as a phenolic solution.

제3 고액 분리 공정에서 얻어지는 정제 페놀 F 로 세정된 제3 결정 부가물 D-3 은 제품으로써 회수된다.The third crystal adduct D-3 washed with purified phenol F obtained in the third solid-liquid separation process is recovered as a product.

본 발명에 있어서 정제 페놀 F 로서는 통상, 그 용융색 APHA 가 바람직하게는 15 이하인 것이면 임의의 것을 사용할 수 있다.In the present invention, as the purified phenol F, usually, any one can be used as long as the molten color APHA is preferably 15 or less.

본 발명에서 바람직스럽게 사용할 수 있는 정제 페놀로는 예컨대 상기 결정 부가물의 정제 방법에 관하여 제시한 각종의 페놀 정제물을 사용할 수가 있다.As the purified phenol that can be preferably used in the present invention, for example, various phenol purified products presented with respect to the purification method of the above crystal addition product can be used.

본 발명에 있어서의 각 단계의 결정 부가물의 세정액으로는, 그 적어도 일부에 다음 단으로부터의 모액을 사용하나, 이 경우에 필요에 따라 다음 단으로부터의 세정액의 일부를 병용하는 것도 가능하다. 또한 각 단의 재용해 공정에 있어서의 결정 부가물 용해용의 페놀 용액으로는, 그 적어도 일 부에 다음단으로부터의 세정 배액을 사용하지만, 이 경우 필요에 따라 다음 단으로부터의 모액의 일부를 병용할 수가 있다. 본 발명에 있어서 결정 부가물의 세정에 사용하는 세정액 및 결정 부가물을 용해시키기 위한 페놀 용액은 어느 것이나 그것에 포함되는 불순물 농도가 하류측, 즉 제1 단의 정석공정으로부터 제 n 단의 정석공정으로 향함에 따라 적어지고 있다. 환언하면 각 단에 있어서 사용되는 결정 부가물 세정액 및 결정 부가물 용해용 페놀 용액속의 불순물 농도는 다음 단에 있어서의 그것보다도 커져있다. 인접하는 각 단에서 사용되는 세정액속의 불순물 농도는 거의 등비 급수적으로 감소한다.As the cleaning liquid of the crystal adduct of each step in the present invention, a mother liquid from the next stage is used for at least part thereof, but in this case, it is also possible to use a part of the cleaning liquid from the next stage in combination. As a phenol solution for dissolving the crystal adduct in each stage of re-dissolution, washing drainage from the next stage is used for at least part thereof, but in this case, a part of the mother liquor from the next stage is used in combination. You can do it. In the present invention, the cleaning liquid used for washing the crystal adduct and the phenol solution for dissolving the crystal adduct are both impurity concentrations contained in the downstream side, that is, from the crystallization step in the first stage to the crystallization step in the nth stage. It is being written down. In other words, the impurity concentration in the crystalline addition product washing liquid and the phenol solution for dissolving the crystalline adduct used in each stage is larger than that in the next stage. The impurity concentration in the washing liquid used in each adjacent stage decreases almost equipotentially.

또 본 명세서에서 말하는 불순물이라 함은 페놀과 아세톤과의 반응으로 비스페놀 A 를 생성할 때의 부 생성물을 의미하는 것이다. 이와같은 불순물에는 비스페놀 A 의 이성체, 크로만 화합물등이 포함된다.In addition, an impurity as used in this specification means the side product at the time of producing bisphenol A by reaction of a phenol and acetone. Such impurities include isomers of bisphenol A, chroman compounds, and the like.

또한, 본 발명에서는 제품 부가물의 요구 순도에 따라 제1 단째로부터 제 n-1 단째 까지의 각 세정공정의 일부를 생략해서, 고액 분리 공정에서 얻어진 결정 부가물을 그대로 다음 단의 재용해 공정으로 가져올 수도 있다. 이 경우에 재용해 공정에서 사용하는 페놀용액은 다음 단의 고액 분리 공정에서 얻어지는 모액 (또는 세정배액) 을 사용한다.In addition, according to the required purity of the product adduct, a part of each washing process from the first stage to the n-1th stage is omitted, and the crystal addition product obtained in the solid-liquid separation process is directly brought to the next dissolution step. It may be. In this case, the phenol solution used in the remelting process uses the mother liquid (or washing liquid) obtained in the solid-liquid separation step of the next step.

이와같이 본 발명에서는 제품 부가물의 요구 순도에 따라 각 단에서 사용되는 세정용 페놀용액의 양을 조정함으로써 전체로서의 페놀의 사용량을 낮추어 코스트를 억제하는 것도 가능하다.As described above, in the present invention, the amount of the phenol used as a whole can be lowered and the cost can be reduced by adjusting the amount of the phenol solution for washing used in each stage according to the required purity of the product adduct.

본 발명에 있어서의 정석 공정은 2 단 이상이며 도면에 있어서는 3 단의 정석 공정을 포함하는 예를 나타내었으나, 4 단 이상의 정석 공정이라도 상기와 마찬가지로 해서 실시할 수가 있다.Although the crystallization process in this invention is two or more stages, and the example which included the three-stage crystallization process was shown in the figure, even if it is four or more stages of crystallization processes, it can carry out similarly to the above.

본 발명의 제5 프로세스에 따르면 최종 단의 결정 부가물의 세정에만 정제 페놀을 사용하는 것만으로 고품위의 결정 부가물을 얻을 수가 있다. 따라서 본 발명에서는 고 순도 정제 페놀의 사용량이 적어도 되며, 결정 부가물의 제조 코스트가 낮아도 되는 이점이 있다.According to the fifth process of the present invention, high-quality crystal adducts can be obtained only by using purified phenol only for washing the crystal adducts of the final stage. Therefore, in this invention, the use amount of high-purity refined phenol is at least, and there exists an advantage that the manufacturing cost of a crystal addition product may be low.

(제6 의 프로세스)(The sixth process)

본 발명에 따라 결정 부가물을 얻기 위한 제6 의 프로세스를 이하에서 설명한다. 이 프로세스의 원료로서 사용되는 결정 부가물 슬러리는 페놀과 아세톤을 반응시켜서 얻어진 반응 생성물을 정석처리하여 얻어지는 결정 부가물 슬러리이거나, 이 슬러리로부터 분리한 결정 부가물을 재용해 하여 정석처리하여 얻어지는 결정 부가물 슬러리 등일 수가 있다.A sixth process for obtaining crystal adducts according to the present invention is described below. The crystal addition product slurry used as a raw material of this process is a crystal addition product slurry obtained by crystallizing a reaction product obtained by reacting phenol and acetone, or a crystal addition product obtained by crystallizing by re-dissolving the crystal addition product separated from this slurry. Water slurry and the like.

본 발명에서는 이 결정 부가물 슬러리를 여과 처리하여 결정 부가물을 모액으로부터 분리할 경우에 그 슬러리 속에 포함되는 결정 부가물 중 입경 100 ㎛ 이하인 미결정 부가물 성분의 적어도 일부를 여액 (모액) 측으로 이행시켜, 입경 100 ㎛ 이하인 미결정 부가물 성분의 비율이 20 중량 % 이하, 바람직하게는 15 중량 % 이하인 조대 결정 부가물을 얻는다. 이 경우에 미결정 부가물 성분을 여액측으로 이행시키기 위해서는 필터의 선정이나 여과 조작 조건의 선정에 따라 행할 수가 있다. 필터로서는 일반적으로 그 메쉬가 100 ∼ 150 ㎛, 바람직하게는 100 ∼ 125 ㎛ 인 것이 사용된다. 또한 여과 조작 조건에 따른 미결정 부가물 성분을 여액측으로 이행시키는 경우에, 그 여과처리에 의해 얻어지는 결정 부가물 케이크의 두께나 그 케이크를 역세 (逆洗) 하는 빈도에 따라 행할 수가 있다.In the present invention, when the crystalline adduct slurry is filtered to separate the crystalline adduct from the mother liquor, at least a part of the microcrystalline adduct component having a particle size of 100 μm or less in the crystalline adduct contained in the slurry is transferred to the filtrate (mother liquor) side. A coarse crystal adduct having a proportion of the microcrystalline adduct component having a particle size of 100 µm or less is 20% by weight or less, preferably 15% by weight or less. In this case, in order to transfer the microcrystalline adduct component to the filtrate side, it can be performed according to the selection of a filter or selection of filtration operation conditions. Generally as a filter, the mesh is 100-150 micrometers, Preferably it is 100-125 micrometers. When the microcrystalline adduct component according to the filtration operation conditions is shifted to the filtrate side, it can be performed depending on the thickness of the crystal adduct cake obtained by the filtration treatment and the frequency of backwashing the cake.

본 발명에 있어서는 상기와 같이 하여 얻어진 조대 결정 부가물은 그 자체가 불순물 함유량이 낮은 고품위인 것이지만, 다시 그 조대 결정 부가물을 정제 페놀로 세정함으로써 그 품위를 더욱 향상시킬 수가 있다. 이 경우에 정제 페놀로서는 상기 결정 부가물의 정제방법에 관하여 제시한 각종의 페놀 정제물을 사용할 수가 있다.In the present invention, the coarse crystal adduct obtained as described above is itself a high quality having a low impurity content, but the quality can be further improved by washing the coarse crystal adduct with purified phenol again. In this case, as the purified phenol, various phenol purified products presented with respect to the purification method of the above crystal adduct can be used.

정제 페놀에 의한 결정 부가물의 세정은 결정 부가물과 정제 페놀과의 접촉을 충분히 달성할 수 있는 방법이면 된다. 이 세정처리는 예컨대 결정 부가물을 분리하기 위한 여과기나 원심 분리기등의 고액 분리 장치 속에서 모액을 결정 부가물로부터 제거한 후, 정제 페놀을 그 고액 분리 장치 내로 도입하여 세정하는 방법이거나, 고액 분리 장치로부터 배출되는 소량의 모액이 부착하는 결정 부가물을 별도의 교반조에 있어서 정제 페놀에 의해 세정할 수도 있다. 결정 부가물에 대한 정제 페놀의 사용 비율은 결정 부가물 100 중량부에 대하여 50 중량부 이상, 바람직하게는 100 중량부 이상이다.The washing | cleaning of a crystal addition product with refined phenol should just be a method which can fully achieve contact of a crystal addition product with refined phenol. This washing treatment is a method of removing the mother liquor from the crystal adduct in a solid-liquid separation device such as a filter or centrifugal separator for separating the crystal adduct, and then introducing purified phenol into the solid-liquid separation device or washing the solid-liquid separation device. The crystal adduct attached by the small amount of mother liquor discharged | emitted from can also be wash | cleaned with refined phenol in a separate stirring tank. The use ratio of the purified phenol relative to the crystal adduct is 50 parts by weight or more, preferably 100 parts by weight or more based on 100 parts by weight of the crystal addition product.

상기의 정제 페놀에 의해 세정처리된 결정 부가물은 그 표면에 정제 페놀이 부착되는 것인데, 이것은 결정 부가물로부터 페놀 제거공정에 보내어 여기에서 페놀을 제거하고 고 순도의 제품 비스페놀 A 를 회수한다. 결정 부가물로부터 페놀을 제거하는데는 종래 공지의 방법 예컨대 증류, 추출, 증기 스트립핑 (Steam stripping) 등의 방법에 따라 행할 수가 있다.The crystal addition product washed by the above-mentioned purified phenol is to attach purified phenol to the surface thereof, which is sent to the phenol removal process from the crystal addition product to remove the phenol from which the high-purity product bisphenol A is recovered. The removal of phenol from the crystalline adduct can be carried out by a conventionally known method such as distillation, extraction, steam stripping, or the like.

본 발명에 따르면 색상이 우수하고 또한 착색이 생기기 어려운 열 안정성이 좋은 결정 부가물을 용이하게 얻을 수가 있다. 또한 이 결정 부가물로부터 페놀을 제거하여 얻어지는 비스페놀 A 도 색상이 우수하고 또한 착색이 생기기 어려운 고 품위의 것이다.According to the present invention, it is possible to easily obtain a crystal adduct having excellent color stability and good thermal stability that is hardly colored. In addition, bisphenol A obtained by removing phenol from this crystal adduct is also a high-quality product which is excellent in color and hardly colored.

다음에 본 발명에 따라 비스페놀 A 를 얻기 위한 각 프로세스에 대하여 상술한다.Next, each process for obtaining bisphenol A according to this invention is explained in full detail.

(제1 의 프로세스)(First process)

본 발명에 따라 비스페놀 A 를 얻기 위한 제1 의 프로세스를 이하에서 설명한다.The first process for obtaining bisphenol A according to the invention is described below.

본 발명에 있어서는 결정 부가물로서 실질적으로 중성 조건하에 있으며 또한 용융색 APHA 가 15 이하, 바람직하게는 15 이하인 것을 사용한다.In the present invention, the crystal adduct is used under substantially neutral conditions and has a melt color APHA of 15 or less, preferably 15 or less.

비스페놀 A 를 얻기 위한 페놀과 아세톤과의 반응에 있어서는 산 촉매로서 염산, 황산, 술폰산 형의 강 이온 교환 수지등의 강 산성 물질이 사용된다. 이와같은 강 산성 물질은 페놀과 아세톤과의 반응계에 있어서는 그 촉매로서 작용하는 외에, 가열조건하에서는 착색 물질이나 불순물의 발생을 촉진시키는 작용도 나타내어 회수되는 비스페놀 A 및 페놀의 색상 및 순도를 저하시킨다. 따라서 이와같은 강 산성 물질은 가열조건을 수반하는 후속의 탈 페놀 공정으로 유출되지 않도록 반응후 제거 또는 중화할 것이 제안되어 있다. 예컨대 염산을 촉매로서 사용하는 반응에서는 반응후 생성물을 가열하여 염산을 제거하고, 잔류하는 염산은 이것을 알칼리로 중화하여 pH 5 ∼ 6 으로 중화하는 방법이 제안되어 있다 (일본국 특공소 47-43937 호). 또한 강산형 이온 교환 수지를 사용하는 방법에서는 반응할 때 그 이온 교환 수지의 분해에 의하여 유기 술폰산이 탈리하여 생성물 속에 혼입하므로, 그 유기 술폰산을 약 염기성 이온 교환 수지를 사용하여 중화하는 방법이 제안되어 있다 (미국 특허 제4191843 호). 한편 페놀 및 비스페놀 A 의 색상 및 순도는 산만이 아니고 알칼리에 의해서도 저하되므로 강산성 물질의 알칼리에 의한 중화는 중화점을 넘지 않도록 행하는 것이 필요하다.In the reaction between phenol and acetone for obtaining bisphenol A, strong acidic substances such as hydrochloric acid, sulfuric acid, and sulfonic acid type strong ion exchange resins are used as the acid catalyst. In addition to acting as a catalyst in the reaction system between phenol and acetone, such highly acidic substances also exhibit the action of promoting the generation of colored substances and impurities under heating conditions, thereby reducing the color and purity of the recovered bisphenol A and phenol. Therefore, it is proposed to remove or neutralize such strong acidic substances after the reaction so as not to flow to a subsequent dephenol process involving heating conditions. For example, in a reaction using hydrochloric acid as a catalyst, a method has been proposed in which a product is heated after the reaction to remove hydrochloric acid, and the remaining hydrochloric acid is neutralized with alkali to neutralize it to pH 5 to 6 (JP-A 47-43937). ). In addition, in the method using a strong acid type ion exchange resin, organic sulfonic acid is detached and mixed into the product by decomposition of the ion exchange resin when reacting, and thus a method of neutralizing the organic sulfonic acid using a weakly basic ion exchange resin is proposed. (US Pat. No. 4191843). On the other hand, since the color and purity of phenol and bisphenol A are lowered not only by acid but also by alkali, it is necessary to neutralize the strongly acidic substance by alkali so as not to exceed the neutralization point.

이상과 같이 페놀과 아세톤을 강 산성 물질의 존재하에서 반응시키는 반응에서는 반응 생성물 속에 존재하는 강 산성 물질을 반응후, 중화점을 넘지 않도록 중화하던가, 반응계로부터 제거하는 것이 필요하며, 또한 강 산성 물질의 중화에 사용한 알칼리가 잔존할 때에는 이 알칼리를 제거하는 것이 필요하다. 또한 반응 생성물 속에 존재하는 강 산성 물질 또는 알칼리의 제거는 후속의 정석 공정에 있어서 다단계 정석공정을 사용함으로써 제거할 수가 있다.As described above, in the reaction in which phenol and acetone are reacted in the presence of a strong acidic substance, it is necessary to neutralize the strong acidic substance present in the reaction product so as not to cross the neutralization point or to remove it from the reaction system. When the alkali used for neutralization remains, it is necessary to remove this alkali. In addition, the removal of the strongly acidic substance or alkali present in the reaction product can be removed by using a multi-stage crystallization process in the subsequent crystallization process.

본 발명에서 사용하는 실질적으로 중성 조건하에 있는 결정 부가물이라 함은 상기와 같은 강 산성 물질이나 알칼리성 물질의 영향이 제거된 결정 부가물을 의미하는 것이다. 이와같은 결정 부가물은 pH 5.0 을 나타내도록 산도를 조정한 메탄올 수용액에 첨가 용해하고, 페놀의 실질적 비전리 조건하에 있어서의 pH 측정 방법에 있어서 pH 4.90 ∼ 5.50, 바람직하게는 pH 4.95 ∼ 5.20 을 나타내는 것을 말한다. 또한 본 명세서에 있어서 나타내는 결정 부가물의 pH 는 상기 측정법으로부터 얻어진 것이다.The term crystalline adduct under substantially neutral conditions used in the present invention means a crystalline adduct with the influence of the above strong acidic or alkaline substances removed. Such a crystal addition product is dissolved in an aqueous methanol solution adjusted to acidity so as to show pH 5.0, and in a pH measurement method under substantially non-isolating conditions of phenol, pH 4.90-5.50, preferably pH 4.95-5.20. Say that. In addition, pH of the crystal addition product shown in this specification is obtained from the said measuring method.

본 발명에서는 결정 부가물로서 상기한 바와 같이 실질적으로 중성 조건하에 있는 것을 사용하나, 이 경우에 결정 부가물의 용융색 APHA 을 15 이하로 유지하는 것이 바람직하다. 용융색 APHA 가 15 이하의 결정 부가물은 상기한 바와같이 결정 부가물을 실질적으로 중성 조건하에 유지함으로써 얻을 수가 있으나, 필요에 따라 정석 공정에 있어서의 정석 단수를 증가시킴으로써 얻을 수 있으며, 또한 결정 부가물을 정제 페놀로 세정함으로써 얻을 수가 있다.In the present invention, as the crystal adducts, those having substantially neutral conditions as described above are used, but in this case, it is preferable to keep the melt color APHA of the crystal adducts of 15 or less. Melt color APHA of 15 or less can be obtained by maintaining the crystal adduct under substantially neutral conditions as described above, but can be obtained by increasing the number of crystallization stages in the crystallization step as necessary, It can be obtained by washing water with purified phenol.

결정 부가물을 정제 페놀로 세정하는 경우에 그 정제 페놀로는 제품 비스페놀 A 의 착색 원인으로 되지 않는 불순물 함유율이 적은 것이면 어떠한 것이라도 좋다. 본 발명에서는 정제 페놀로는 통상, 그 용융색 APHA 가 10 이하, 바람직하게는 5 이하인 것이 바람직스럽게 사용된다.When the crystalline adduct is washed with purified phenol, the purified phenol may be any one as long as the content of impurities is small so as not to cause coloring of the product bisphenol A. In the present invention, as the purified phenol, the melt color APHA is usually 10 or less, preferably 5 or less.

본 발명에서 바람직스럽게 사용할 수 있는 정제 페놀로는, 예컨대 상기 결정 부가물의 정제 방법에 관하여 제시한 각종의 정제 페놀을 들 수가 있다.As the refined phenol which can be preferably used in the present invention, various purified phenols described for the purification method of the above crystal adduct can be mentioned, for example.

정제 페놀에 의한 결정 부가물의 세정은 결정 부가물과 정제 페놀과의 접촉을 충분히 달성할 수 있는 방법이면 된다. 이 세정처리는 예컨대 결정 부가물을 분리하기 위한 여과기나 원심 분리기 등의 고액 분리 장치 속에서 모액을 결정 부가물로부터 제거한 후, 정제 페놀을 그 고액 분리 장치내로 도입하여 세정하는 방법이지만, 고액 분리 장치로부터 배출되는 소량의 모액이 부착하는 결정 부가물을, 별도의 교반조에 있어서 정제 페놀에 의해 세정할 수도 있다. 결정 부가물에 대한 정제 페놀의 사용 비율은 결정 부가물 100 중량부에 대하여 30 ∼ 1000 중량부, 바람직하게는 100 ∼ 300 중량부의 비율이다. 결정 부가물의 세정에 사용된 후의 정제 페놀은 그대로 또는 앞 단의 정석 공정에서 얻어지는 조제 결정 부가물의 세정에 사용한 후, 비스페놀 A 의 합성 반응 공정에 있어서의 원료 페놀로서 순환사용된다.The washing | cleaning of a crystal addition product with refined phenol should just be a method which can fully achieve contact of a crystal addition product with refined phenol. This washing treatment is a method of removing the mother liquor from the crystal addition product in a solid-liquid separation device such as a filter or centrifugal separator for separating the crystal addition product, and then introducing purified phenol into the solid-liquid separation device. The crystal adduct adhered by a small amount of mother liquor discharged | emitted from can also be wash | cleaned with refined phenol in another stirring tank. The use ratio of the purified phenol relative to the crystal adduct is 30 to 1000 parts by weight, preferably 100 to 300 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the crystal adduct. The purified phenol after being used for washing the crystal adduct is used as it is or as a raw material phenol in the synthesis reaction step of bisphenol A after being used for washing the prepared crystal adduct obtained in the previous crystallization step.

본 발명에서는, 이 결정 부가물을 가열 용융하여 얻어진 용융물로부터 페놀을 증발 제거하는데 그때, 그 가열 용융공정 및 용융물로부터 페놀을 증발제거하는 공정에 있어서의 가열 분위기 속의 산소 농도를 0.005 vol % 이하, 바람직하게는 0.001 vol % 이하로 유지한다.In the present invention, the phenol is evaporated and removed from the melt obtained by heating and melting the crystal adduct. At this time, the oxygen concentration in the heating atmosphere in the heating melting step and the step of evaporating and removing the phenol from the melt is preferably 0.005 vol% or less. Preferably lower than 0.001 vol%.

결정 부가물을 가열 용융할때의 온도는 115 ∼ 180℃, 바람직하게는 120 ∼ 150℃ 이며, 또한 그 압력은 절대압으로 1.0 ∼ 5.0 atm, 바람직하게는 1.0 ∼ 1.9 atm 이다. 결정 부가물의 가열 용융은 외열식의 가열용기를 사용하여 이룰 수 있다.The temperature at the time of heating and melting a crystal adduct is 115-180 degreeC, Preferably it is 120-150 degreeC, and the pressure is 1.0-5.0 atm in absolute pressure, Preferably it is 1.0- 1.9 atm. The heat melting of the crystal adduct may be accomplished using an external heating vessel.

결정 부가물의 용융물로부터의 페놀의 증발 제거는 증류탑이나 박막 증발기를 사용하여 이룰 수가 있다. 이 경우에 증발 장치는 다 단으로 할 수 있으나 최종 단의 가열온도는 160 ∼ 200℃, 바람직하게는 170 ∼ 185℃ 이며, 압력은 감압 조건이 채용되어 통상 100 토르 이하, 바람직하게는 5 ∼ 40 토르의 압력이 채용된다.Evaporation and removal of phenols from the melt of the crystalline adduct can be accomplished using distillation towers or thin film evaporators. In this case, the evaporation apparatus may be multi-stage, but the heating temperature of the final stage is 160-200 ° C., preferably 170-185 ° C., and the pressure is usually 100 Torr or less, preferably 5-40 Thor pressure is employed.

이 페놀의 바람직한 증발 제거는 대부분의 페놀을 박막 증발기등을 사용하여 유거한 후, 잔류하는 미량의 페놀을 증기 스트립핑에 의해 제거함으로써 이루어진다. 이 경우에 증기의 공급량은 비스페놀 A 에 대하여 중량비로 1/50 ∼ 1/5, 바람직하게는 1/25 ∼ 1/10 이다.Preferred evaporation removal of this phenol is accomplished by distilling most of the phenol using a thin film evaporator or the like and then removing the remaining traces of phenol by steam stripping. In this case, the supply amount of steam is 1/50 to 1/5, preferably 1/25 to 1/10 by weight relative to bisphenol A.

상기와 같이 하여 얻어지는 제품 비스페놀 A 는 순도 99.95 중량 % 이상의 것이며, 더구나 색상이 우수한 것으로서 통상, APHA 20 이하의 색상을 가진다. 이와같은 고품위의 비스페놀 A 는 고품위의 폴리카르보네이트나 에폭시 수지의 원료 비스페놀 A 로서 적합한 것이며 또한 광학 분야에 있어서 사용되느 비스페놀 A 로서 적합한 것이다.The product bisphenol A obtained as described above has a purity of 99.95% by weight or more, and is excellent in color, and usually has a color of APHA 20 or less. Such high-quality bisphenol A is suitable as a raw material bisphenol A of high-quality polycarbonate or epoxy resin and also suitable as bisphenol A used in the optical field.

(제2 의 프로세스)(Second process)

본 발명에 따른 비스페놀 A 를 얻기 위한 제2 의 프로세스를 이하에서 설명한다.A second process for obtaining bisphenol A according to the present invention is described below.

본 발명에 있어서 사용하는 증발처리용 원료는 실질적으로 중성 조건에 있는 용융색 AHPA 가 15 이하인 결정 부가물과 지방족 카르복실산을 포함하는 혼합물이다.The raw material for evaporation treatment used in this invention is a mixture containing the crystal addition product and aliphatic carboxylic acid whose melt-color AHPA is 15 or less in neutral conditions substantially.

본 발명을 바람직하게 실시하기 위해서는 실질적으로 중성 조건하에 있는 결정 부가물 혹은 그 용융물 또는 그 결정 부가물과 페놀과의 혼합물 혹은 그 용융물을, 지방족 카르복실산의 존재하에서 용융하고 감압하에서 가열하여 페놀을 증발제거한다.In order to carry out the present invention preferably, the crystalline adduct or its melt or mixture of the crystalline adduct with phenol or its melt under substantially neutral conditions is melted in the presence of aliphatic carboxylic acid and heated under reduced pressure to give phenol. Evaporate off.

본 발명에서 사용되는 지방족 카르복실산은 용융 상태에 있는 비스페놀 A 를 공기와 장시간 접촉시킨다거나 고온으로 유지할때의 비스페놀 A 의 착색을 방지하는 작용을 나타내는 것이다. 본 발명에 있어서는 실질적으로 중성 조건하에 있는 결정 부가물과 지방족 카르복실산으로 이루어지는 혼합물을 증발처리하고, 결정 부가물 속의 페놀을 증발 제거시킴으로써 색상이 우수하고 또한 착색이 없는 비스페놀 A 를 얻을 수가 있다.The aliphatic carboxylic acid used in the present invention exhibits an action of preventing the coloring of bisphenol A when the bisphenol A in a molten state is brought into contact with air for a long time or kept at a high temperature. In the present invention, bisphenol A having excellent color and no coloration can be obtained by evaporating a mixture composed of a crystal adduct and an aliphatic carboxylic acid under substantially neutral conditions, and evaporating off the phenol in the crystal adduct.

지방족 카르복실산으로서는 비스페놀 A 에 대하여 착색 방지 효과를 나타내는 것이면 어떠한 것이라도 좋으며 종래 공지의 것이 사용된다. 이와같은 것으로는 예컨대 포름산, 옥살산, 시트르산, 타르타르산, 글리콜산, 젖산, 말산, 글리세린산 등을 들 수가 있다. 이와같은 것들은 반응중에 160℃ 이상의 온도에서 분해 또는 이성화를 일으켜 비스페닐 A 에 대한 착색 방지제로서 우수한 작용을 나타낸다.As aliphatic carboxylic acid, any thing may be used as long as it exhibits a coloring prevention effect with respect to bisphenol A, and a conventionally well-known thing is used. For example, formic acid, oxalic acid, citric acid, tartaric acid, glycolic acid, lactic acid, malic acid, glycerin acid and the like can be given. Such compounds decompose or isomerize at a temperature of 160 ° C. or higher during the reaction to show an excellent effect as a color inhibitor for bisphenyl A.

본 발명에 있어서의 착색 방지제로는 지방족 카르복실산을 사용하는 것이 필요하며 옥살산 에스테르, 테레프탈산, 인산 수소 나트륨 등을 사용하면 충분한 비스페놀 A 의 착색 방지 효과를 얻을 수 없으며, 이런 경우에는 비스페놀 A 를 장시간 공기와 접촉시킨다거나 고온으로 유지하면 비스페놀 A 에 착색을 일으켜 그 색상이 현저하게 악화된다. 지방족 카르복실산의 첨가량은 결정 부가물에 대하여 1 ∼ 100 중량 ppm, 바람직하게는 5 ∼ 50 중량 ppm 이다.As the anti-coloring agent in the present invention, it is necessary to use aliphatic carboxylic acid. If oxalic acid ester, terephthalic acid, sodium hydrogen phosphate and the like are used, sufficient anti-coloring effect of bisphenol A cannot be obtained. Contact with air or at elevated temperatures causes bisphenol A to become pigmented, which significantly deteriorates its color. The addition amount of aliphatic carboxylic acid is 1-100 weight ppm with respect to a crystal addition product, Preferably it is 5-50 weight ppm.

또한 본 발명에 있어서 결정 부가물 또는 이것을 포함하는 혼합물을 옥살산 또는 시트르산의 존재하에서 가열 용해하는 경우에 그 용융 온도는 115 ∼ 180℃, 바람직하게는 120 ∼ 150℃ 이며, 용융 압력은 1 ∼ 5 atm, 바람직하게는 1.0 ∼1.9 atm 이다. 용융 분위기는 될 수 있는 대로 산소 농도가 낮은 분위기가 바람직하며 통상, 산소 농도 0.005 vol %, 바람직하게는 0.001 vol % 이하인 분위기의 사용이 유리하다.In addition, in this invention, when melt | dissolving a crystal adduct or the mixture containing this in the presence of oxalic acid or citric acid, its melting temperature is 115-180 degreeC, Preferably it is 120-150 degreeC, and melting pressure is 1-5 atm. Preferably it is 1.0-1.9 atm. The molten atmosphere is preferably an atmosphere having a low oxygen concentration, and it is usually advantageous to use an atmosphere having an oxygen concentration of 0.005 vol%, preferably 0.001 vol% or less.

또한 본 발명에 있어서는 결정 부가물 또는 이것을 포함하는 혼합물을 단시간에 용융시키기 위하여 그 결정 부가물 또는 이것을 포함하는 혼합물을 상기한 바와 같은 정제 페놀과 같은 착색이 거의 없는 열 페놀을 사용해서 희석하여 용융하는 방법이거나, 결정 부가물 또는 이것을 포함하는 혼합물의 용융이 끝난 액속에 용해시키는 방법등을 채용할 수도 있다.Furthermore, in the present invention, in order to melt a crystal adduct or a mixture containing the same in a short time, the crystal adduct or the mixture containing the same is diluted and melted using a heat phenol having almost no coloring such as purified phenol as described above. Or a method of dissolving a crystalline adduct or a mixture containing the same in a molten liquid solution.

본 발명에 있어서는 상기한 바와같이 하여 얻은 가열 용융물을 증발처리하는데, 이 경우의 증발처리는 130 ∼ 200℃, 감압 조건하에서 행한다. 바람직한 증발처리는 용융물 전체의 온도가 185℃ 이하이며 또한 용융물의 적어도 일부가 160℃ 이상인 온도의 가열을 받도록 행한다. 증발처리 온도가 너무 낮아지면 착색 방지제로서 첨가한 지방족 카르복실산의 효과가 충분히 발휘할 수 없게 되고, 한편 너무 높아지면 지방족 카르복실산의 착색 분해를 일으키게 된다. 이 증발 처리는 감압하에서 이루어지며 그 압력은 100 토르 이하, 바람직하게는 5 ∼ 40 토르이다. 또한 증발처리의 분위기는 될 수 있는대로 산소 농도가 낮은 분위기가 바람직하며 통상, 산소 농도 0.005 vol % 이하, 바람직하게는 0.001 vol % 이하인 분위기의 사용이 유리하다.In the present invention, the heated melt obtained as described above is evaporated. In this case, the evaporation is carried out under 130 to 200 deg. Preferred evaporation is performed such that the temperature of the entire melt is 185 ° C. or less and at least a portion of the melt is heated to a temperature of 160 ° C. or more. If the evaporation temperature is too low, the effect of the aliphatic carboxylic acid added as a coloring inhibitor cannot be sufficiently exhibited, while if too high, the color decomposition of the aliphatic carboxylic acid is caused. This evaporation process is carried out under reduced pressure and the pressure is 100 Torr or less, preferably 5 to 40 Torr. In addition, the atmosphere of the evaporation treatment is preferably an atmosphere having a low oxygen concentration, and it is generally advantageous to use an atmosphere having an oxygen concentration of 0.005 vol% or less, preferably 0.001 vol% or less.

본 발명에 따르면 고순도이고 색상이 뛰어나고 또한 용융시에 있어서의 착색이 방지된 제품 비스페놀 A 를 얻을 수가 있다. 또한 이와같은 것은 저장 안정성도 우수하다.According to the present invention, it is possible to obtain a product bisphenol A having high purity, excellent color, and prevention of coloring at the time of melting. Such a thing also has excellent storage stability.

(제3 의 프로세스)(Third process)

본 발명에 따른 비스페놀 A 를 얻기 위한 제3 의 프로세스를 이하에서 설명한다.A third process for obtaining bisphenol A according to the present invention is described below.

본 발명에 있어서 사용하는 비스페놀 A 와 페놀의 결정 부가물은 종래 공지의 방법에 의하여 제조된다. 즉 과잉의 페놀과 아세톤과를 강산 촉매의 존재하에서 반응시켜 비스페놀 A 를 포함하는 반응 생성물을 얻은 뒤, 이 반응 생성물을 정석처리함으로써 비스페놀 A 와 페놀과의 결정 부가물을 얻을 수가 있다. 이 경우에 결정 부가물의 순도는 정석 공정을 다단계로 행한다거나, 결정 부가물을 세정처리하는 방법등에 의해 향상시킬 수 있으나 결정 부가물 속에는 페놀과 아세톤의 반응에서 촉매로 사용한 강산성 물질이 미량 혼입하는 경우가 많다. 그리고 이 강산성 물질은 가열조건하에 있어서는 페놀이나 비스페놀 A 와 반응하여 착색 물질이나 불순물의 발생을 촉진시켜, 회수되는 비스페놀 A 및 페놀의 순도를 저하시킨다. 한편 페놀과 아세톤의 반응에 있어서 촉매로 사용한 강산성 물질은 반응후, 중화처리에 의하여 일반적으로 제거되고 또한 다 단계 정석공정에 의해서도 제거되나, 그 제거는 완전하지 못한 경우가 많고 결정 부가물 속에는 통상, 미량의 강산성 물질이 혼입한다.The crystal adduct of bisphenol A and phenol used in this invention is manufactured by a conventionally well-known method. That is, an excess of phenol and acetone can be reacted in the presence of a strong acid catalyst to obtain a reaction product containing bisphenol A, and then crystallized by the reaction product to obtain crystal adducts of bisphenol A and phenol. In this case, the purity of the crystal adduct can be improved by performing the crystallization process in multiple stages or by the method of washing the crystal adduct. However, in the case where a small amount of strongly acidic material used as a catalyst in the reaction between phenol and acetone is contained in the crystal adduct. There are many. This strongly acidic substance reacts with phenol or bisphenol A under heating conditions to promote the generation of colored substances and impurities, thereby lowering the purity of the recovered bisphenol A and phenol. On the other hand, strongly acidic substances used as catalysts in the reaction of phenol and acetone are generally removed by the neutralization treatment after the reaction and also by the multi-stage crystallization process, but the removal is often incomplete and usually in the crystal adduct. Trace amounts of strongly acidic material are incorporated.

본 발명은 이와같이 미량의 강산을 포함하는 결정 부가물을 원료로 사용하는 것이다. 본 발명에서 사용하는 결정 부가물속의 강산성 물질의 혼입량은 통상, 0.3 meq /ℓ 이하이다. 이와같은 결정 부가물은 pH 5.0 을 나타내도록 산도를 조정한 메탄올 수용액에 첨가용해하고, 페놀의 실질적 비전리 조건하에 있어서의 pH 측정 방법에 있어서 pH 4.0 ∼ 5.5, 바람직하게는 pH 4.3 ∼ 5.2 를 나타내는 것이다. 본 명세서 속에서 말하는 약산성 조건하에 있는 결정 부가물 이라함은 이와같은 pH 범위의 결정 부가물을 의미한다.The present invention uses, as a raw material, a crystal adduct containing a small amount of strong acid. The amount of the strongly acidic substance in the crystal adduct used in the present invention is usually 0.3 meq / L or less. Such a crystal adduct is dissolved in an aqueous methanol solution adjusted to acidity so as to show pH 5.0, and in a pH measuring method under substantially non-isolating conditions of phenol, pH 4.0 to 5.5, preferably pH 4.3 to 5.2. will be. As used herein, the term "crystal adduct" under weakly acidic conditions means a crystal adduct in such a pH range.

본 발명에서는 결정 부가물로서 상기한 바와같이 약 산성 조건하에 있는 것을 사용하는데, 이 경우에 결정 부가물의 용융색 APHA 를 15 이하로 유지하는 것이 바람직하다. 용융색 APHA 가 15 이하인 결정 부가물은 결정 부가물을 정석시키는 정석공정에 있어서의 정석 단수를 증가시킴으로써 얻을 수 있으며, 또한 결정 부가물을 정제 페놀로 세정함으로써 얻을 수가 있다.In the present invention, as the crystal adduct, it is used under mildly acidic conditions as described above. In this case, it is preferable to keep the molten color APHA of the crystal adduct below 15 or less. A crystal adduct with a melt color APHA of 15 or less can be obtained by increasing the number of crystallization stages in the crystallization step of crystallizing the crystal adduct, and also by washing the crystal adduct with purified phenol.

본 발명을 바람직하게 실시하기 위해서는 약 산성 조건하에 있는 결정 부가물을 지방족 카르복실산염의 존재하에서 용융하고, 감압하에 있어서 가열하여 페놀을 증발제거한다.In order to carry out the present invention preferably, the crystalline adduct under mildly acidic conditions is melted in the presence of aliphatic carboxylate, and heated under reduced pressure to evaporate phenol off.

본 발명에서 사용하는 지방족 카르복실산염은 결정 부가물 속에 혼입하는 미량의 강산성 물질과 반응하여, 이것을 중화함과 동시에 그 중화 반응에 의하여 유리된 지방족 카르복실산을 부생한다. 따라서 본 발명에 있어서 결정 부가물을 지방족 카르복실산염의 존재하에서 용융하여 증발처리할때에는 페놀과 비스페놀 A 와 반응하여 착색 물질 및 불순물을 생성하는 강산성 물질이 존재하지 않으므로 색상이 우수한 비스페놀 A 를 얻을 수가 있으며 또한 부생한 유리된 카르복실산의 착색 방지 효과로 인해, 얻어진 비스페놀 A 는 용융물의 착색이 현저하게 억제된 것이 된다.The aliphatic carboxylic acid salt used in the present invention reacts with the trace amount of strongly acidic substance incorporated into the crystal adduct, and neutralizes it and at the same time by-produces the aliphatic carboxylic acid liberated by the neutralization reaction. Therefore, in the present invention, when the crystal adduct is melted and evaporated in the presence of aliphatic carboxylate, there is no strong acidic substance that reacts with phenol and bisphenol A to generate coloring substance and impurities, thereby obtaining bisphenol A having excellent color. In addition, due to the anti-coloring effect of the by-product free carboxylic acid, the obtained bisphenol A is a thing that the coloring of the melt is significantly suppressed.

지방족 카르복실산염으로는 강산성 물질과 반응할 수 있는 것이면 임의의 것을 사용할 수 있으나, 일반적으로 알칼리 금속염, 암모늄염, 알칼리 토류 금속염이 사용된다. 또한 지방족 카르복실산염의 지방족 카르복실산 성분으로는 비스페놀 A 에 대하여 착색 방지 효과를 갖는 것이 바람직하게 사용되고 종래 공지의 것, 예컨대 포름산, 옥살산, 시트르산, 타르타르산, 글리콜산, 젖산, 말산, 글리세린산 등을 들 수 있다. 이들의 지방족 카르복실산염은 반응중에 160℃ 이상의 온도에서 분해 또는 이성화를 일으켜 비스페놀 A 에 대한 착색 방지제로서 우수한 작용을 나타낸다. 지방족 카르복실산염의 첨가량은 결정 부가물을 실질적으로 완전히 중화하는 양, 즉 강산성 물질의 중화 상당량이다. 이 중화 상당량 보다 많은 카르복실산염의 첨가는 바람직하지 못하며, 카르복실산염이 다량 잔존하면 제품 비스페놀 A 의 색상을 악화시킨다. 또 카르복실산염을 첨가할 경우, 부생하는 유리 카르복실산의 양이 적고 유리 카르복실산에 의한 착색 방지 효과가 적을때에는 카르복실산염과 더불어 유리카르복실산을 첨가할 수도 있다. 유리 카르복실산의 첨가량은 부생 유리 카르복실산을 포함해서 결정 부가물에 대하여 0.1 ∼ 50 wt ppm, 바람직하게는 1 ∼ 30 wt ppm 이다. 결정 부가물을 카르복실산염의 존재하에서 가열 용융하는 경우에, 그 용융온도는 115 ∼ 180℃, 바람직하게는 120 ∼ 150℃ 이며, 용융압력은 1 ∼ 5 atm, 바람직하게는 1.0 ∼ 1.9 atm 이다. 용융 분위기는 될수 있는 대로 산소 농도가 낮은 분위기가 바람직하며 통상, 산소 농도 0.005 vol % 이하, 바람직하게는 0.001 vol % 이하인 분위기가 유리하다. 또한 본 발명에 있어서는 결정 부가물을 단시간에 용융시키기 위하여 그 결정 부가물을, 상기한 바와같은 정제 페놀과 같은 착색이 거의 없는 열 페놀을 사용해서 희석하여 용융하는 방법이거나, 결정 부가물의 용융이 끝난 액속에 용융시키기는 방법등을 채용할 수도 있다.As the aliphatic carboxylate, any one can be used as long as it can react with a strongly acidic substance, but alkali metal salts, ammonium salts and alkaline earth metal salts are generally used. As the aliphatic carboxylic acid component of the aliphatic carboxylate, those having an anti-coloring effect on bisphenol A are preferably used, and conventionally known ones such as formic acid, oxalic acid, citric acid, tartaric acid, glycolic acid, lactic acid, malic acid, glycerin acid, and the like. Can be mentioned. These aliphatic carboxylates decompose or isomerize at a temperature of 160 ° C. or higher during the reaction, and exhibit an excellent effect as a color inhibitor for bisphenol A. The amount of aliphatic carboxylate added is the amount that substantially neutralizes the crystal adduct, that is, the amount of neutralization of the strongly acidic substance. The addition of more carboxylate salts than this neutralization equivalent is undesirable, and a large amount of carboxylate salts deteriorates the color of the product bisphenol A. When carboxylate is added, free carboxylic acid may be added together with the carboxylate when the amount of by-product free carboxylic acid is small and the coloring prevention effect by the free carboxylic acid is small. The addition amount of free carboxylic acid is 0.1-50 wt ppm with respect to a crystal addition product including by-product free carboxylic acid, Preferably it is 1-30 wt ppm. In the case of heating and melting the crystal adduct in the presence of a carboxylate salt, its melting temperature is 115 to 180 ° C, preferably 120 to 150 ° C, and the melting pressure is 1 to 5 atm, preferably 1.0 to 1.9 atm. . The molten atmosphere is preferably an atmosphere having a low oxygen concentration, and usually an atmosphere having an oxygen concentration of 0.005 vol% or less, preferably 0.001 vol% or less is advantageous. In the present invention, in order to melt the crystal adduct in a short time, the crystal adduct is diluted and melted using a heat phenol having almost no coloring such as purified phenol as described above, or the melting of the crystal adduct is completed. The method etc. which melt | dissolve in a liquid flow can also be employ | adopted.

본 발명에 있어서는 지방족 카르복실산염을 첨가한 결정 부가물의 가열 용융물을 증발처리하는데, 이 경우의 증발처리는 130 ∼ 200℃, 감압 조건하에서 행한다. 바람직한 증발처리는 용융물 전체의 온도가 185℃ 이하이고 또한 용융물의 적어도 일부가 160℃ 이상인 온도의 가열을 받도록 행한다. 증발처리 온도가 너무 낮아지면 강산성 물질과 지방족 카르복실산염과의 반응에서 부생한 지방족 카르복실산의 착색 방지 효과를 충분히 발휘할 수 없게 되고, 한편 너무 높아지면 지방족 카르복실산의 착색 분해를 일으키게 된다. 이 증발 처리는 감압하에서 이루어지고, 그 압력은 100 토르 이하, 바람직하게는 5 ∼ 40 토르이다. 또한 증발처리의 분위기는 될 수 있는대로 산소 농도가 낮은 분위기가 바람직하며 통상, 산소 농도 0.005 vol % 이하, 바람직하게는 0.001 vol % 이하인 분위기의 사용이 유리하다.In this invention, although the heating melt of the crystal addition product which added the aliphatic carboxylate was evaporated, the evaporation process in this case is performed under 130-200 degreeC and pressure reduction conditions. Preferred evaporation is carried out such that the temperature of the entire melt is 185 ° C. or less and at least a portion of the melt is subjected to heating at a temperature of 160 ° C. or more. If the evaporation temperature is too low, it will not be possible to sufficiently exhibit the anti-coloring effect of the by-produced aliphatic carboxylic acid in the reaction between the strongly acidic substance and the aliphatic carboxylate, while if too high, the color decomposition of the aliphatic carboxylic acid will be caused. This evaporation process is performed under reduced pressure, The pressure is 100 Torr or less, Preferably it is 5-40 Torr. In addition, the atmosphere of the evaporation treatment is preferably an atmosphere having a low oxygen concentration, and it is generally advantageous to use an atmosphere having an oxygen concentration of 0.005 vol% or less, preferably 0.001 vol% or less.

본 발명에 따르면 고 순도로서 색상이 우수하고 또한 용융시에 있어서의 착색이 방지된 제품 비스페놀 A 를 얻을 수가 있다. 또한 이와같은 것은 저장 안정성도 우수하다.According to the present invention, it is possible to obtain a product bisphenol A having high purity and excellent color and preventing coloring at the time of melting. Such a thing also has excellent storage stability.

(제4 의 프로세스)(Fourth process)

본 발명에 따른 비스페놀 A 를 얻기 위한 제4 의 프로세스를 이하에서 설명한다.A fourth process for obtaining bisphenol A according to the present invention is described below.

본 발명에 있어서 사용하는 결정 부가물은 그 용융색 APHA 가 15 이하, 바람직하게는 10 이하인 것이다. 이와같은 결정 부가물은 비스페놀 A 를 포함하는 페놀 용액을 다단 정석 처리함으로써 얻을 수가 있다. 또한 비스페놀 A 를 포함하는 페놀 용액을 정석 처리하여 얻어진 결정 부가물을 상기한 착색 원인 물질이 제거된 정제 페놀로 세정함으로써 얻을 수 있다. 본 발명에 있어서 사용하는 바람직한 결정 부가물은 비스페놀 A 를 얻기 위해 제시한 상기 본 발명의 제1, 제2 및 제3 의 프로세스에 관하여 제시한 것이다.As for the crystal addition product used in this invention, the melt color APHA is 15 or less, Preferably it is 10 or less. Such a crystal addition product can be obtained by multistage crystallization of the phenol solution containing bisphenol A. Furthermore, the crystal addition product obtained by crystallizing the phenol solution containing bisphenol A can be obtained by wash | cleaning with the refined phenol from which the said coloring cause substance was removed. Preferred crystal adducts for use in the present invention are those relating to the first, second and third processes of the present invention presented for obtaining bisphenol A.

상기와 같이 하여 얻어진 결정 부가물은 이것을 용융장치 및 증발장치를 포함하는 결정 부가물로부터의 페놀 제거 장치계를 사용하여 처리하나, 본 발명에 있어서는 그 처리에 앞서 미리 페놀 제거장치에 포함되는 적어도 그 용융장치 및 증발장치 내벽면을 구성하는 재질의 표면에 부착하는 산소 제거 처리를 실시한다.The crystal adduct obtained as described above is treated with a phenol removal apparatus system from a crystal adduct including a melting apparatus and an evaporation apparatus, but in the present invention, at least the crystalline adduct is previously contained in the phenol removing apparatus. Oxygen removal treatment adhering to the surface of the material constituting the inner wall of the melting apparatus and the evaporation apparatus is performed.

상기 용융장치 및 증발장치의 내벽면은 금속재질, 통상 스테인레스 스틸, 예컨대 SUS304, SUS 316, 316L 등으로 형성되고, 그 표면에는 통상, 1 m2당 30 ∼ 60 밀리몰 정도의 산소가 부착 결합되어 있다. 이 산소량은 여러가지 방법에 의하여 측정할 수가 있다. 예컨대 시험편에 의해 세정 조건과, 표면 에칭에 의해 깊이가 측정된 표면 부착 결합 산소량과의 상관을 구하여 추정하는 방법도 있으나, 표면 부착 결합 산소량과 세정 페놀의 착색의 관계로부터도 측정할 수 있다. 또한 다른 세정액의 경우에도 그 착색과 표면 부착 결합 산소량의 상관을 미리 구하여 놓고 그것을 측정 방법으로 할 수가 있다. 예컨대 페놀의 착색은 산소 100 만분의 1 중량부에 대하여 6 APHA 가 되며, 이 측정의 상관으로서 사용할 수가 있다. 본 발명자들의 연구에 따르면 그들 용융장치 및 증발장치는 미리 그 내벽 표면에 부착하는 산소를 제거해서 사용할 때는, 결정 부가물의 용융이나 용융액의 증발처리에 있어서의 가열에 의해 생기는 착색 원인 물질의 생성을 현저하게 억제할 수가 있어 색상이 양호한 제품 비스 페놀을 얻을 수 있음이 발견되었다.The inner wall surface of the melting apparatus and the evaporation apparatus is formed of a metal material, usually stainless steel, such as SUS304, SUS 316, 316L, etc., and usually 30 to 60 millimoles of oxygen per 1 m 2 is attached to the surface. . This oxygen amount can be measured by various methods. For example, there is also a method of obtaining and estimating the correlation between the cleaning conditions and the amount of surface-bonded oxygen measured by the surface etching by the test piece, but can also be measured from the relationship between the amount of surface-bonded oxygen and the coloring of the cleaning phenol. Also in the case of other cleaning liquids, the correlation between the coloring and the amount of surface-bonded oxygen can be determined in advance and used as a measuring method. For example, coloring of phenol becomes 6 APHA per 1 part by weight of oxygen, and can be used as a correlation of this measurement. According to the researches of the present inventors, when the melter and the evaporator are used by removing the oxygen adhering to the inner wall surface in advance, the melting agent and the evaporator are remarkably produced by the melting of the crystal adducts and the generation of the coloring causative material generated by heating in the evaporation of the melt. It was found that the product bisphenol having good color can be obtained by suppressing it.

용융장치 및 증발장치의 내벽면으로부터의 산소제거는 내벽면을 유기용제를 사용하여 세정처리 함으로써 이룰 수가 있다. 유기 용제로는 페놀 또는 비스 페놀 A, 페놀과 비스 페놀 A 의 혼합물 등을 사용할 수 있다. 세정처리 온도는 100 ∼ 200℃, 바람직하게는 120 ∼ 185 ℃ 이다. 세정에 있어서의 분위기로는 질소가스나 질소가스와 아르곤가스, 탈가스 증기 등의 비산성 가스 분위기나, 감압 분위기가 사용되고, 그 분위기 중의 산소농도는 0.01 vol % 이하, 바람직하게는 0.005 vol % 이하, 더욱 바람직하게는 0.001 vol % 이하이다. 유기 용제에 의한 내면벽의 세정은 내벽면에 대하여 스프레이 노즐을 통하여 유기 용제를 분사시킴으로써 이룰 수가 있다. 유기 용제에 의한 세정 후에는 용융장치 및 증발장치의 저부에 체류하는 유기용제를 배출하고, 필요에 따라 내부를 건조처리한다. 또한 기상인 산소의 농도 측정에는 통상적인 가스 크로마토그래피법 또는 전기 화학법에 의한 미량 산소 분석계 등을 이용할 수 있다.Oxygen removal from the inner wall surface of the melting apparatus and the evaporation apparatus can be achieved by washing the inner wall surface with an organic solvent. As the organic solvent, phenol or bisphenol A, a mixture of phenol and bisphenol A, and the like can be used. The washing treatment temperature is 100 to 200 ° C, preferably 120 to 185 ° C. As the atmosphere for cleaning, a non-acidic gas atmosphere such as nitrogen gas, nitrogen gas, argon gas, or degassed gas, or a reduced pressure atmosphere is used, and the oxygen concentration in the atmosphere is 0.01 vol% or less, preferably 0.005 vol% or less. More preferably, it is 0.001 vol% or less. Cleaning of the inner wall by the organic solvent can be achieved by spraying the organic solvent on the inner wall through the spray nozzle. After washing with the organic solvent, the organic solvent remaining in the bottom of the melting apparatus and the evaporation apparatus is discharged, and the interior is dried as necessary. In addition, a trace oxygen analyzer by a conventional gas chromatography method or an electrochemical method can be used for the measurement of the concentration of the gaseous oxygen.

상기 내벽면으로부터의 산소 제거 처리에 있어서는 그 내벽면에 부착하는 산소량이 내벽면 1 m2당 10 밀리몰 이하, 바람직하게는 5 밀리몰 이하가 되도록 행한다.In the oxygen removal treatment from the inner wall surface, the amount of oxygen adhering to the inner wall surface is 10 millimoles or less, preferably 5 millimoles or less per 1 m 2 of the inner wall surface.

용융장치로는 외벽면에 가열 자켓을 갖춘 외부가열 방식의 밀폐형 용기나, 내부에 가열코일을 갖춘 내부 가열 방식의 밀폐형 용기등이 사용된다. 증발장치로는 증류탑이나 스트립핑장치, 원심 박막 증발기 등이 사용된다.As the melting apparatus, an external heating hermetic container having a heating jacket on the outer wall surface, or an internal heating hermetic container having a heating coil inside is used. Distillation column, stripping device, centrifugal thin film evaporator is used as the evaporator.

용융장치와 증발장치 사이에는 배관이 부설되고, 증발장치에는 비스페놀 A 의 배출관이 부설되는데, 본 발명에 있어서는 이들의 배관 내벽면에 대하여도 상기와 마찬가지로하여 산소 제거 처리를 행하는 것이 바람직하다.A pipe is provided between the melting apparatus and the evaporator, and a discharge pipe of bisphenol A is provided in the evaporator. In the present invention, the oxygen removal treatment is preferably performed on the inner wall surface of these pipes in the same manner as described above.

본 발명에 있어서는 상기와 같이하여 장치계에 포함되는 적어도 용융장치 및 증발장치에 대하여 그 내벽면에 부착하는 산소제거처리를 실시한 후, 그 장치계에 대하여 결정 부가물을 공급하고 용융장치에서 결정 부가물을 용융하여, 얻어진 용융액을 증발 장치로 증발처리하여 페놀을 증발 제거한다.In the present invention, at least the melting apparatus and the evaporation apparatus included in the apparatus system as described above are subjected to the oxygen removing treatment of adhering to the inner wall surface thereof, and then the crystal additives are supplied to the apparatus system and the crystal addition is performed in the melting apparatus. Water is melted, and the obtained melt is evaporated by an evaporator to evaporate phenol.

용융장치의 조작 조건으로는 온도 : 115 ∼ 180℃, 바람직하게는 120 ∼ 150 ℃, 압력 : 상압, 산소농도 : 0.01 vol % 이하, 바람직하게는 0.005 vol % 이하, 더욱 바람직하게는 0.001 vol % 이하인 조건이 채용된다. 증발장치는 1 단 또는 다단을 사용할 수 있으나, 1 단으로 사용하는 경우에는 그 1 단의 증발장치 및 다단으로 사용하는 경우에는 그 최종 단의 증발장치의 조작조건으로는 180 ∼ 200℃, 바람직하게는 170 ∼ 185℃, 압력 : 1 ∼ 100 토르, 바람직하게는 5 ∼ 40 토르, 분위기 중 산소 농도 : 0.005 vol % 이하, 바람직하게는 0.001 vol % 이하인 조건이 채용된다.The operating conditions of the melting apparatus are: temperature: 115 to 180 ° C, preferably 120 to 150 ° C, pressure: atmospheric pressure, oxygen concentration: 0.01 vol% or less, preferably 0.005 vol% or less, more preferably 0.001 vol% or less. Conditions are employed. The evaporator may be used in one stage or in multiple stages, but in the case of using in one stage, the operating conditions of the evaporator of the final stage in the case of using in one stage and in the case of multiple stages are 180 to 200 ° C, preferably Is 170 to 185 ° C, pressure: 1 to 100 Torr, preferably 5 to 40 Torr, oxygen concentration in the atmosphere: 0.005 vol% or less, preferably 0.001 vol% or less.

본 발명에 따르면 결정 부가물의 용융 및 그 용융액의 증발처리에 있어서의 가열에 기인하는 착색 원인 물질의 생성량을 현저하게 억제시킬 수가 있어, 색상이 양호한 고순도 비스 페놀 A 를 얻을 수가 있다.According to the present invention, it is possible to remarkably suppress the amount of the coloring causative agent due to the melting of the crystal adduct and the heating in the evaporation of the melt, thereby obtaining a high-purity bisphenol A having good color.

(제5 의 프로세스)(5th process)

본 발명에 따른 비스페놀 A 를 얻기 위한 제5 의 프로세스를 이하에 설명한다.The fifth process for obtaining bisphenol A according to the present invention is described below.

본 발명에 있어서 사용하는 결정 부가물로는 비스페놀 A 를 얻기 위하여 제시한 상기 본 발명의 제4 의 프로세스에 관하여 제시한 각종의 결정 부가물이 사용된다.As the crystal adduct used in the present invention, various crystal adducts presented with respect to the fourth process of the present invention presented for obtaining bisphenol A are used.

본 발명에서 원료로서 사용하는 결정 부가물은 이것을, 그것에 부착 또는 동반하는 페놀과 더불어 용융한 후, 적어도 1 개의 증발 표면적을 향상시키는 부재를 내부에 배설한 증발탑으로 이루어지는 증발 처리 공정으로 인도하여 페놀을 증발제거하는 것인데, 본 발명에 있어서는 그 증발탑의 운전 개시에 앞서 미리 증발탑의 내벽면 및 증발 표면적을 향상시키는 부재의 표면에 부착하는 산소를 제거한다.The crystalline adduct used as a raw material in the present invention is melted together with phenol attached to or entrained therein, and then led to an evaporation process comprising an evaporation tower in which a member for improving at least one evaporation surface area is disposed therein. In the present invention, the oxygen adhering to the inner wall surface of the evaporation tower and the surface of the member for improving the evaporation surface area is removed prior to the start of operation of the evaporation tower.

증발탑의 내벽 및 증발 표면적을 향상시키는 부재, 예컨대 충전제나 시렁 (rack) 단을 구성하는 금속의 표면은 통상적인 스테인레스 스틸, 예컨대 SUS 304, SUS 316, SUS 316L 등으로 형성되어 그 표면에는 통상, 1 m2당 30 ∼ 60 밀리몰 정도의 산소가 부착 결합되어 있다. 본 발명자들의 연구에 따르면 그 금속 표면에 부착하는 산소를 미리 제거하여 증발탑을 사용할 때에는 결정 부가물의 증발 처리에 있어서의 가열에 의해 생기는 착색 원인 물질의 생성을 현저하게 억제할 수가 있어, 색상이 양호하고 또한 색상의 경시 변화가 억제된 제품 비스페놀 A 를 얻을 수 있다는 것이 발견되었다.The inner wall of the evaporation tower and the member for improving the evaporation surface area, for example, the surface of the metal constituting the filler or the rack stage, are formed of conventional stainless steel, for example, SUS 304, SUS 316, SUS 316L, etc. About 30 to 60 millimolar of oxygen is attached and bonded per 1 m 2 . According to the researches of the present inventors, when the evaporation tower is used by removing the oxygen adhering to the metal surface in advance, it is possible to remarkably suppress the generation of a coloring causative material caused by the heating in the evaporation treatment of the crystal adduct, and the color is good. It was also found that a product bisphenol A in which the change in color over time was suppressed can be obtained.

증발탑의 내벽면 및 증발 표면적을 향상시킨 표면, 예컨대 충전재 표면으로부터의 산소 제거는 그 표면을 유기 용제를 사용하여 세정처리함으로써 이룰 수가 있다. 유기 용제로는 페놀 및/또는 비스페놀 A, 페놀과 비스페놀 A 의 혼합물 등을 사용할 수 있다. 세정 처리 온도는 100 ∼ 200℃, 바람직하게는 120 ∼ 185℃ 이다. 세정에 있어서의 분위기로는 불활성 가스, 예컨대 질소 가스나 아르곤 가스 또는 탈가스 스팀 분위기 등의 산소 농도가 0.1 vol % 이하, 바람직하게는 0.05 vol % 이하인 분위기가 사용된다. 유기 용제에 의한 증발탑의 내벽면 및 증발 표면적을 향상시키는 부재 표면의 세정은 그 표면에 스프레이 노즐을 통하여 용기용제를 분사시킴으로써 이룰 수가 있는 외에, 증발탑 내로 유기용제를 유통시킴으로써 이룰 수 있다.Oxygen removal from the inner wall surface of the evaporation tower and the surface which improved the evaporation surface area, for example, the filler surface, can be achieved by cleaning the surface with an organic solvent. As the organic solvent, phenol and / or bisphenol A, a mixture of phenol and bisphenol A, and the like can be used. Cleaning process temperature is 100-200 degreeC, Preferably it is 120-185 degreeC. As an atmosphere for washing, an atmosphere having an oxygen concentration of 0.1 vol% or less, preferably 0.05 vol% or less, such as an inert gas such as nitrogen gas, argon gas or degassing steam atmosphere is used. The cleaning of the inner wall surface of the evaporation tower and the surface of the member which improves the evaporation surface area by the organic solvent can be achieved by spraying a container solvent on the surface through a spray nozzle, and also by distributing the organic solvent into the evaporation tower.

상기 산소 제거 처리에 있어서는 증발탑 내벽면 및 증발 표면적을 향상시키는 부재 표면에 부착하는 산소량이 표면적 1 m2당 10 밀리몰 이하, 바람직하게는 5 밀리몰 이하가 되도록 행한다.In the oxygen removal treatment, the amount of oxygen adhering to the inner wall surface of the evaporation tower and the surface of the member for improving the evaporation surface area is 10 millimoles or less, preferably 5 millimoles or less per 1 m 2 of surface area.

본 발명에 있어서는 상기 산소 제거처리는 증발탑의 내벽면 및 증발 표면적을 향상시키는 부재표면에 대하여 적용하는 외에, 결정 부가물 용융액 또는 비스페놀 A 용융액이 접촉하는 다른 금속 표면, 예컨대 결정 부가물을 용융하기 위한 용융장치의 내벽면, 용융장치와 증발탑 사이의 배관의 내벽면, 나아가서는 증발탑에 부설된 비스페놀 A 발출 배관의 내벽면 등에 대하여 적용하는 것이 바람직하다.In the present invention, the oxygen removal treatment is applied not only to the inner wall surface of the evaporation tower and to the member surface for improving the evaporation surface area, but also to melt other metal surfaces such as crystal adducts contacted by the crystalline adduct melt or the bisphenol A melt. It is preferable to apply to the inner wall surface of the melting apparatus, the inner wall surface of the piping between the melting apparatus and the evaporation tower, and moreover, the inner wall surface of the bisphenol A extraction piping provided in the evaporation tower.

본 발명에 있어서의 결정 부가물은 이것을 가열 용융시켜서 용융액으로 한 후, 증발탑에 공급하고 여기에서 페놀의 증발 제거를 행한다.The crystal addition product in the present invention is heated and melted to form a molten liquid, and then supplied to an evaporation tower, whereby phenol is evaporated off.

결정 부가물의 용융 장치로는 외벽면에 가열 자켓을 갖춘 외부가열 방식의 밀폐형 용기나, 내부에 가열 코일을 갖춘 내부가열 방식의 밀폐형 용기등이 사용된다.As the melting apparatus of the crystal additive, an external heating hermetic container having a heating jacket on the outer wall surface, an internal heating hermetic container having a heating coil inside, or the like is used.

결정 부가물을 용융할 때의 조작 조건으로는 일반적으로는 온도 : 115 ∼ 180 ℃, 바람직하게는 120 ∼ 150 ℃, 압력 : 1.0 ∼ 5.0 atm (절대압), 바람직하게는 1.0 ∼ 1.9 atm (절대압) 인 조건이 채용된다. 또한 결정 부가물의 용융 분위기 중의 산소 농도는 0.005 vol % 이하, 바람직 하기는 0.001 vol % 이하로 유지된다. 또한 본 발명에 있어서는 결정 부가물을 단시간에 용융시키기 위하여, 그 결정 부가물을 상기한 바와같은 정제 페놀과 같은 착색이 거의 없는 열 페놀을 사용해서 희석하여 용융하는 방법이거나, 결정 부가물의 용융이 끝난 액속에 용융시키는 방법등을 채용할 수도 있다.The operating conditions when melting the crystal adduct are generally temperatures: 115 to 180 ° C, preferably 120 to 150 ° C, pressure: 1.0 to 5.0 atm (absolute pressure), preferably 1.0 to 1.9 atm (absolute pressure) Conditions are employed. In addition, the oxygen concentration in the molten atmosphere of the crystal adduct is maintained at 0.005 vol% or less, preferably 0.001 vol% or less. In the present invention, in order to melt the crystal addition product in a short time, the crystal addition product is diluted or melted using a heat phenol having almost no coloring such as the above-described purified phenol, or the melting of the crystal addition product is finished. It is also possible to employ a method of melting in a liquid flow.

증발탑으로는 적어도 내벽면이 금속 재질, 특히 스테인레스 스틸, 예컨대 SUS 304, SUS 316, SUS 316L 등으로 형성되어 있는 통체 내부에 증발 표면적을 향상시키는 부재를 배설한 것이 사용된다. 이 증발탑은 그 저부에 가열수단을 배설할 수가 있다. 증발 표면적을 향상시키는 부재로는 종래 공지의 충전재나 시렁 단, 습벽 (wet wall) 등을 제시할 수 있으며, 이와 같은 것들은 단독 또는 조합하여 사용할 수 있다. 이 경우에는 충전재나 시렁단, 습벽형재 재료, 금속재료, 예컨대 SUS 304, SUS 316, SUS 316L 등의 스테인레스 스틸로 구성된다. 또한 충전재는 라시히 링 (Raschig ring), 폴 링 (pall ring), 판체, 다공판 등일 수가 있으며, 시렁 단의 트레이 (tray) 는 포종형 (泡鐘型), 다공판형 등이며, 그 트레이가 다운 카머를 갖춘 것일 수가 있다.As an evaporation tower, the thing which provided the member which improves the evaporation surface area at least inside the cylinder body whose inner wall surface is formed from metal materials, especially stainless steel, for example, SUS304, SUS 316, SUS 316L, is used. This evaporation tower can provide heating means at its bottom. As a member for improving the evaporation surface area, a conventionally known filler, cache stage, wet wall, or the like can be proposed, and these can be used alone or in combination. In this case, it is composed of a filler, a cache end, a wet wall member material, a metal material such as stainless steel such as SUS 304, SUS 316, and SUS 316L. In addition, the filler may be a Raschig ring, a pall ring, a plate, or a perforated plate, and the tray of the cache stage may be a bubble type, a perforated plate, or the like. It may be with a down camem.

증발탑은 적어도 1 개, 바람직하게는 2 개 이상 조합하여 사용된다. 이 증발탑은 증기를 사용하는 증발탑 (증기 스트립핑 증발탑) 일 수가 있다. 본 발명에 따른 결정 부가물 용융액의 바람직한 증발 처리는 증기를 사용하지 않는 통상적인 증발탑과 증기를 사용하는 증기 스트립핑 증발탑과의 조합을 사용하여 이루어진다.The evaporation tower is used in combination of at least one, preferably two or more. This evaporation tower may be an evaporation tower (vapor stripping evaporation tower) using steam. Preferred evaporation of the crystalline adduct melt according to the invention is achieved using a combination of a conventional evaporation tower without steam and a vapor stripping evaporation tower using steam.

다음에 증기를 사용하지 않는 제1 증발탑과 증기를 사용하는 제1 증발탑으로 이루어지는 증발처리 장치계를 사용하여 결정 부가물 용융액을 증발 처리하는 방법에 대하여 상술한다.Next, a method of evaporating a crystal addition product melt using an evaporation treatment system comprising a first evaporation tower using no steam and a first evaporation tower using steam will be described in detail.

이 증발 처리 방법에 있어서는 결정 부가물 용융 장치로부터의 용융액은 이것을 제1 의 증발탑으로 도입하여 여기에서 증기의 비존재하, 감압하에 증발처리하고, 그 용융액 속의 페놀의 일부를 증발 제거한다. 이 제1 증발탑의 탑정으로부터는 페놀을 포함하는 증기가 분리 회수되고, 그 저부로부터는 페놀의 일부가 증발 제거된 용융액이 분리회수된다. 이 제1 증발탑으로부터의 탑저물은 이것을 제2 증발탑으로 도입하여 여기에서 증기의 존재하, 감압하에 있어서 증발처리하고, 용융액 속의 잔부 페놀을 증발 제거한다. 이 제2 증발탑으로부터는 그 탑정물로서 페놀, 증기 및 소량의 비스 페놀 A 를 포함하는 혼합 증기가 배출되고, 그 탑저물로서 고순도 비스페놀 A 가 분리 회수된다.In this evaporation treatment method, the molten liquid from the crystal addition product melting apparatus is introduced into the first evaporation tower and evaporated therein in the absence of steam and under reduced pressure, to evaporate a part of phenol in the melt. Steam containing phenol is separated and recovered from the top of the first evaporation tower, and a molten liquid in which part of the phenol is evaporated and removed is recovered from the bottom. The bottoms from the first evaporation tower are introduced into the second evaporation tower, where the evaporation is carried out in the presence of steam and under reduced pressure, and the residual phenol in the melt is evaporated off. From this second evaporation tower, a mixed vapor containing phenol, steam, and a small amount of bisphenol A is discharged from the tower top, and high-purity bisphenol A is separated and recovered as the column bottoms.

증기를 사용하지 않는 제1 증발탑의 조작 조건으로는 온도 : 125 ∼ 200 ℃, 바람직하게는 130 ∼ 185 ℃, 압력 : 100 토르 이하, 바람직하게는 5 ∼ 40 토르가 채용된다. 증발탑 내의 증기 분위기 중의 산소 농도는 0.005 vol % 이하, 바람직하게는 0.001 vol % 이하로 유지된다. 이 제1 증발탑에 있어서 결정 부가물 용융액 중에 존재하는 페놀의 95 ∼ 99.8 % 중량 %, 바람직하게는 98 ∼ 99.7 중량 % 가 증발 제거된다.As operation conditions of the 1st evaporation tower which does not use steam, temperature: 125-200 degreeC, Preferably 130-185 degreeC, pressure: 100 Torr or less, Preferably 5-40 Torr is employ | adopted. The oxygen concentration in the vapor atmosphere in the evaporation tower is maintained at 0.005 vol% or less, preferably 0.001 vol% or less. In this first evaporation column, 95 to 99.8% by weight, preferably 98 to 99.7% by weight, of the phenol present in the crystal addition product melt is evaporated off.

상기 증기를 사용하는 제2 증발탑의 조작 조건으로서는 온도 : 130 ∼ 200 ℃, 바람직하게는 160 ∼ 185 ℃, 압력 : 100 토르이하, 바람직하게는 5 ∼ 40 토르, 비스페놀 A 용융액 1 Kg 당의 증기 공급량 : 0.02 ∼ 0.2 Kg, 바람직하게는 0.04 ∼ 0.1 Kg 의 조건이 채용된다. 증발탑내의 증기분위기 중의 산소농도는, 0.005 vol % 이하, 바람직하게는 0.001 vol % 이하로 유지된다. 이 제2 증발탑에 있어서는, 제1 증발탑에서 얻어지는 결정 부가물 용융액 중의 페놀의 실질적 전량이 증발 제거되고, 탑저물로서 페놀 함유율 200 wt ppm 이하, 바람직하게는 50 wt ppm 이하의 비스페놀 A 가 얻어진다.The operating conditions of the second evaporation tower using the steam are: temperature: 130 to 200 ° C., preferably 160 to 185 ° C., pressure: 100 torr or less, preferably 5 to 40 torr, and steam supply amount per 1 kg of bisphenol A melt : 0.02-0.2Kg, Preferably the conditions of 0.04-0.1Kg are employ | adopted. The oxygen concentration in the vapor atmosphere in the evaporation tower is maintained at 0.005 vol% or less, preferably 0.001 vol% or less. In this second evaporation column, substantially the entire amount of phenol in the crystalline addition product melt obtained in the first evaporation column is evaporated off, and bisphenol A having a phenol content of 200 wt ppm or less, preferably 50 wt ppm or less is obtained as the bottoms. Lose.

상기의 증기를 사용하는 제2 의 증발탑으로부터는, 증기, 페놀 및 소량의 비스페놀 A 를 함유하는 혼합 증기가 얻어지지만, 이 혼합증기로부터는 페놀 및 비스페놀 A 를 분리 회수한다. 이 혼합증기로부터의 페놀 및 비스페놀 A 의 분리 회수는, 종래 공지의 각종 방법으로 실시할 수 있지만, 본 발명에 있어서는, 특히, 후술하는 2 단계의 냉각 공정으로 이루어지는 스트립핑 가스의 응축방법을 사용하여 실시하는 것이 바람직하다.A mixed vapor containing steam, phenol and a small amount of bisphenol A is obtained from the second evaporation tower using the above steam, but phenol and bisphenol A are separated and recovered from the mixed vapor. Separation and recovery of phenol and bisphenol A from this mixed steam can be carried out by various conventionally known methods, but in the present invention, in particular, by using a condensation method of stripping gas comprising a two-step cooling step described later, It is preferable to carry out.

본 발명에 의하면, 결정 부가물 용융액의 증발처리를 감압조건하에 있어서, 증발 표면적이 큰 증발탑을 사용하여 실시하므로써, 그 증발처리를 좋은 효율로 실시 할수 있다. 더우기, 이 경우에, 이 증발탑으로서는, 사전에, 그 내벽면 및 내부에 배설한 부재표면에서 산소제거 처리를 실시한 것을 사용하므로써 그 용융액의 증발에 있어서의 가열에 기인하는 착색 원인 물질의 생성량을 현저하게 감소시킬 수 있고, 색상이 뛰어나고, 또한 용융액의 색상의 경시 변화를 현저하게 감소시킨 고순도 비스페놀 A 를 얻을 수 있다.According to the present invention, the evaporation treatment of the crystalline adduct melt can be carried out by using an evaporation tower having a large evaporation surface area under reduced pressure, so that the evaporation treatment can be carried out with good efficiency. Furthermore, in this case, as the evaporation tower, the amount of generation of colored causative substances due to heating in the evaporation of the melt can be obtained by using an oxygen removal treatment on the inner wall surface and the member surface disposed inside. High-purity bisphenol A can be obtained which can be remarkably reduced, excellent in color, and remarkably reduced the change in color of the melt over time.

(제6 의 프로세스)(The sixth process)

본 발명에 의한 비스페놀 A 를 얻기 위한 제6 의 프로세스를 이하에설명한다.The sixth process for obtaining bisphenol A by this invention is demonstrated below.

본 발명에서 사용하는 결정 부가물로서는 비스페놀 A 를 얻기 위하여 표시한 상기 발명의 제4 의 프로세스에 관해서 표시한 각종의 결정 부가물이 사용된다.As the crystal adduct used in the present invention, various crystal adducts described in relation to the fourth process of the above invention indicated in order to obtain bisphenol A are used.

다음에 본 발명의 제6 의 프로세스를 제6 도를 참조하여 설명한다.Next, a sixth process of the present invention will be described with reference to FIG.

제6 도에 있어서 (1), (2) 및 (3) 은 박막 증발기를 나타낸다. 이것은, 그 내주벽에 형성된 박막을 외부로부터의 가열에 의하여 증발시키는 구조의 것이다. 본 발명에 있어서는, 내부에 회전날개를 가지며, 그 회전날개의 회전에 따라서 내주벽면에 액막을 형성하도록 한 원심 박막 증발기의 사용이 바람직하다.In FIG. 6, (1), (2), and (3) represent a thin film evaporator. This is a structure of evaporating the thin film formed in the inner peripheral wall by heating from the outside. In the present invention, it is preferable to use a centrifugal thin film evaporator which has a rotary blade inside and which forms a liquid film on the inner peripheral wall surface in accordance with the rotation of the rotary blade.

또, 제6 도에 있어서, (4) 는 각각의 박막 증발기에 부설된 외부 히터이다. 이것은 통상, 가열매체가 유통하는 자켓으로서 구성된다.In Fig. 6, reference numeral 4 denotes an external heater attached to each thin film evaporator. This is usually configured as a jacket through which the heating medium flows.

본 발명에 있어서는, 원료로서 사용하는 결정 부가물은, 이것을 가열에 의하여 용융하거나, 또는 정제 페놀로 희석용해 시켜서, 비스페놀 A 를 함유하는 페놀 용액으로 한다. 본 발명에서 바람직하게 사용하는 페놀 용액은, APHA 15 이하의 색상을 가지며, 비스페놀 A 농도가 50 ∼ 80 중량 %, 바람직하게는 60 ∼ 75 중량 % 인 것이다.In this invention, the crystal addition product used as a raw material melt | dissolves this by heating or dilutes it with refined phenol, and makes it the phenol solution containing bisphenol A. The phenol solution preferably used in the present invention has a color of APHA 15 or less and a bisphenol A concentration of 50 to 80% by weight, preferably 60 to 75% by weight.

이 원료 페놀 용액은, 라인 (10) 에서 제1 박막 증발기 (이하, 단순히 증발기라고도 함) (1) 에 도입되고, 페놀 용액은, 이 증발기의 내주벽을 액막으로서 흘러 내리는 동시에 그 사이에 외부히터 (4) 에 의하여 가열되고, 페놀 및 비스페놀 A 를 함유하는 증기 라인 (11) 을 지나서 배출된다. 이 증기는, 이것을 응축처리하여, 페놀 및 비스페놀 A 를 회수한다.This raw phenol solution is introduced into the first thin film evaporator (hereinafter also referred to simply as the evaporator) 1 in line 10, and the phenol solution flows down the inner circumferential wall of the evaporator as a liquid film and the external heater therebetween. It is heated by (4) and discharged past the steam line 11 containing phenol and bisphenol A. This steam condenses this to recover phenol and bisphenol A.

라인 (10) 을 지나는 페놀 용액의 온도는 바람직하게는 120 ∼ 150 ℃이다. 제1 증발기 (1) 의 온도는, 160 ∼ 185℃, 바람직하게는 165 ∼ 175 ℃이고, 그 압력은 15 ∼ 60 토르, 바람직하게는 15 ∼ 30 토르이다.The temperature of the phenol solution passing through the line 10 is preferably 120 to 150 ° C. The temperature of the 1st evaporator 1 is 160-185 degreeC, Preferably it is 165-175 degreeC, The pressure is 15-60 torr, Preferably it is 15-30 torr.

제1 증발기 (1) 에 있어서, 원료 페놀 용액을 증발 처리하여 얻어진 잔액 (비스페놀 A) 는, 라인 (12) 을 지나서 발출되고, 제2 증발기 (2) 에 도입된다. 라인 (12) 을 지나는 페놀 용액의 증발 잔액의 온도는 바람직하게는 170 ∼ 185 ℃이다. 또, 이 잔액을 구성하는 비스페놀 A 중의 페놀 농도는 1 ∼ 5 중량 % 이다.In the 1st evaporator 1, the residual liquid (bisphenol A) obtained by evaporating a raw material phenol solution is taken out through the line 12, and is introduce | transduced into the 2nd evaporator 2. As shown in FIG. The temperature of the evaporated balance of the phenol solution passing through the line 12 is preferably 170 to 185 ° C. Moreover, the phenol concentration in bisphenol A which comprises this balance is 1-5 weight%.

제2 증발기 (2) 에 있어서는, 비스페놀 A 는 제3 증발기 (3) 에서 발출되는 증기, 페놀 및 비스페놀 A 로 이루어지는 스트립핑 가스와 향류 접촉하면서, 외부 히터 (4) 에 의하여 가열되고, 페놀, 비스페놀 A 및 증기를 함유하는 스트립핑가스가 라인 (13) 을 지나서 배출된다.In the second evaporator (2), bisphenol A is heated by the external heater (4) while countercurrently contacting the stripping gas consisting of steam, phenol and bisphenol A extracted from the third evaporator (3), phenol, bisphenol The stripping gas containing A and steam is discharged past the line 13.

제2 증발기 (2) 에 있어서의 온도는 바람직하게는 170 ∼ 185 ℃ 이고, 압력은 15 토르 이하, 통상, 10 ∼ 15 토르이다.The temperature in the 2nd evaporator 2 becomes like this. Preferably it is 170-185 degreeC, and a pressure is 15 Torr or less, and usually 10-15 Torr.

제2 증발기 (2) 에서 얻어지는 증발잔액은, 라인 (14) 을 지나서 제3 증발기 (3) 로 도입된다. 이 잔액의 온도는 바람직하게는 170 ∼ 185 ℃ 이고, 잔액을 구성하는 비스페놀 A 중의 페놀 농도는 0.05 ∼ 0.10 중량 %, 바람직하게는 0.05 ∼ 0.07 중량 % 이다.The evaporation residue obtained in the second evaporator 2 is introduced into the third evaporator 3 via the line 14. Preferably the temperature of this residue is 170-185 degreeC, and the phenol concentration in bisphenol A which comprises a balance is 0.05-0.10 weight%, Preferably it is 0.05-0.07 weight%.

제3 증발기 (3) 에 있어서는, 제2 증발기 (2) 로부터의 비스페놀 A 는, 라인 (15) 를 지나서 도입되는 증기와 향류 접촉하면서, 외부 히터 (4) 에 의하여 가열되고, 스트립핑 가스가 라인 (17) 을 지나서 발출되고, 이 스트립핑가스는, 제2 증발기 (2) 에 그 스트립핑용 가스로서 도입된다. 제3 증발기에 있어서의 온도는 170 ∼ 185℃이고, 압력은 15 토르이하, 통상 10 ∼ 15토르이다. 라인 (15) 에서 제1 증발기 (3) 에 도입되는 스팀량은, 라인 (14) 을 지나서 제3 증발기 (3) 으로 도입되는 비스페놀 A 에 대해서, 중량비로 3 중량 % 이상, 바람직하게는 4 ∼ 6 중량 % 이다. 라인 (17) 을 지나는 스트립핑 가스의 조성은, 페놀 : 0.8 ∼ 1.2 중량 %, 바람직하게는 1 중량 % 이하, 비스페놀 A : 5 ∼ 7 중량 % , 잔부 : 증기이다.In the third evaporator 3, the bisphenol A from the second evaporator 2 is heated by the external heater 4 while in countercurrent contact with the steam introduced through the line 15, and the stripping gas is lined. Extracted after (17), this stripping gas is introduce | transduced into the 2nd evaporator 2 as the stripping gas. The temperature in a 3rd evaporator is 170-185 degreeC, and a pressure is 15 torr or less, and is usually 10-15 torr. The amount of steam introduced into the first evaporator 3 in the line 15 is 3% by weight or more, preferably 4 to 6, in weight ratio relative to the bisphenol A introduced into the third evaporator 3 through the line 14. Weight%. The composition of the stripping gas passing through the line 17 is phenol: 0.8 to 1.2% by weight, preferably 1% by weight or less, bisphenol A: 5 to 7% by weight, and the balance: steam.

제3 증발기 (3) 에 있어서 얻어진 고순도 비스페놀 A 는 라인 (16) 을 지나서 발출된다. 이 비스페놀 A 는, 페놀 함유율이 0.005 중량 % 의 것이고, 그 색상 APHA 가 20 이하의 고품위의 것이다.The high purity bisphenol A obtained in the third evaporator 3 is extracted after the line 16. This bisphenol A has a phenol content of 0.005 wt%, and the color APHA has a high quality of 20 or less.

제2 증발기 (2) 에서 라인 (13) 을 지나서 발출되는 스트립핑 가스는, 응축처리를 이용하여, 그 가스에 함유되는 페놀 및 비스페놀 A 가 분리 회수된다. 이 스트립핑 가스는 종래 공지의 방법에 의하여 응축처리를 할수 있지만, 특히 후술하는 2 단계의 냉각 공정으로 이루어지는 스트립핑가스의 응축방법을 사용하여 실시하는 편이 바람직하다.In the stripping gas discharged from the second evaporator 2 past the line 13, the phenol and bisphenol A contained in the gas are separated and recovered by using a condensation treatment. Although the stripping gas can be condensed by a conventionally known method, it is particularly preferable to carry out by using the condensation method of the stripping gas which consists of a two-step cooling process described later.

본 발명에 있어서는, 비스페놀 A·페놀 결정 부가물에서 유도된 비스페놀 A 를 함유하는 페놀 용액을 우선 제1 박막 증발기를 사용하여 증발처리하고, 페놀 함유율이 1 ∼ 5 중량 % 의 비스페놀 A 를 얻지만, 본 발명의 경우, 그 제1 박막 증발기의 온도를 160 ∼ 185℃, 압력을 15 ∼ 60 토르의 조건에 유지하므로서, 페놀의 급속한 증발에 의한 냉각이 생겨도, 비스페놀 A 가 석출하는 적은 없고, 원활하게 그 증발처리를 실시할 수 있다.In the present invention, a phenol solution containing bisphenol A derived from bisphenol A-phenol crystal adduct is first evaporated using a first thin film evaporator to obtain bisphenol A having a phenol content of 1 to 5% by weight. In the case of the present invention, while the temperature of the first thin film evaporator is maintained at a condition of 160 to 185 ° C. and the pressure at 15 to 60 Torr, bisphenol A is not precipitated smoothly even if cooling due to rapid evaporation of phenol occurs. The evaporation process can be performed.

또, 본 발명에 있어서는, 상기와 같이하여 얻어진 비스페놀 A 를, 이에 함유되는 페놀을 증발제거하기 위하여 박막 증발기를 사용하여 증기 스트립핑 처리하지만, 본 발명의 경우, 그 비스페놀 A 중의 페놀 함유량이 1 ∼ 5 중량 % 로 낮고, 또한 2 개의 박막 증발기를 직렬로 결합하여 사용하므로 이들 증발기의 온도를 170 ∼ 180 ℃ 로 유지하고, 또한 15 토르이하의 고진공으로 유지하여, 그 비스페놀 A 중의 페놀을 증발제거할 수 있게되고, 색상이 뛰어나는 동시에, 페놀 함유량이 0.005 중량 % 이하의 고순도 비스페놀 A 를 얻을 수 있다.In the present invention, the bisphenol A obtained as described above is steam stripped by using a thin film evaporator in order to evaporate and remove the phenol contained therein. However, in the case of the present invention, the phenol content in the bisphenol A is 1 to 1. Since it is low as 5% by weight and two thin film evaporators are used in series, the temperature of these evaporators is maintained at 170 to 180 ° C. and is maintained at a high vacuum of 15 Torr or less to evaporate phenol in the bisphenol A. It is possible to obtain a high-purity bisphenol A with a phenol content of 0.005% by weight or less while being excellent in color.

색상이 뛰어난 비스페놀 A 를 얻는 데에는, 그 제조 원료인 비스페놀 A 를 함유하는 페놀 용액 및 그 용액을 증발처리하는 경우의 온도를, 185 ℃ 이하로 유지하고, 이소프로페닐 페놀 등의 착색 불순물의 생성을 억제함이 필요하지만, 본 발명의 경우는, 그 증발처리 온도를 185 ℃ 이하로 유지하여 페놀을 실질적으로 완전히 증발제거할 수 있기 때문에, 얻어지는 비스페놀 A 는, APHA 20 이하의 색상이 뛰어난 고순도의 것이다.In order to obtain bisphenol A which is excellent in color, the phenol solution containing bisphenol A which is the manufacturing raw material, and the temperature at the time of evaporating this solution are maintained at 185 degreeC or less, and generation | occurrence | production of colored impurities, such as isopropenyl phenol, is carried out. In the case of the present invention, since the evaporation temperature is maintained at 185 ° C. or lower, the phenol can be substantially completely evaporated and removed, and thus the bisphenol A obtained has a high purity with excellent color of APHA 20 or less. .

또한 본 발명에 있어서는, 제3 박막 증발기에서 생성된 페놀, 비스페놀 A 를 함유하는 증기로 이루어지는 스트립핑가스를, 제2 박막 증발기에 대한 스트립핑용 증기가스로서 사용하므로써, 제2 박막 증발기에 있어서의 페놀 스트립핑 효과가 높아진다고하는 이점도 있다.Moreover, in this invention, the phenol in a 2nd thin film evaporator is used by using the stripping gas which consists of the vapor | steam containing phenol and bisphenol A produced | generated by the 3rd thin film evaporator as a steam gas for stripping with respect to a 2nd thin film evaporator. There is also an advantage that the stripping effect is increased.

본 발명의 증발처리에 따르면, 전체적으로 극히 짧은 체류시간 (통상 60 ∼ 180초) 에서 증발처리를 할 수 있기 때문에, 그 처리 효율은 매우 높아진다. 특히 본 발명의 경우, 제1 박막 증발기와 제2 박막 증발기와 제3 박막 증발기를 위쪽에서 그 순으로 결합하고, 액체의 흐름을 중력에 의하여 위쪽에서 아래쪽으로 흘러내리게 하는 것이 바람직하고, 이에 따라서 산소리프의 방지를 효과적으로 행하는 동시에, 장치계내에 있어서의 액체의 체류시간을 짧게 유지할 수 있다.According to the evaporation treatment of the present invention, since the evaporation treatment can be performed in a very short residence time (usually 60 to 180 seconds) as a whole, the treatment efficiency is very high. In particular, in the case of the present invention, it is preferable to combine the first thin film evaporator, the second thin film evaporator, and the third thin film evaporator in order from the top, and to flow the liquid flow from the top to the bottom by gravity, and thus oxygen The leaf can be effectively prevented and the residence time of the liquid in the system can be kept short.

(제7 의 프로세스)(Seventh process)

본 발명에 의한 비스페놀 A 를 얻기 위한 제7 의 프로세스를 하기에서 설명한다.The seventh process for obtaining bisphenol A by this invention is demonstrated below.

본 발명에 있어서 사용하는 결정부가물로서는, 비스페놀 A 를 얻기 위하여 표시한 상기 본 발명의 제1 프로세스에 관해서 표시한 실질적으로 중성 조건하에 있고, 용융색이 15 APHA 이하, 바람직하게는 10 APHA 이하의 것이 사용된다.As the crystal addition product to be used in the present invention, under the substantially neutral conditions indicated in relation to the first process of the present invention indicated to obtain bisphenol A, the melt color is 15 APHA or less, preferably 10 APHA or less Is used.

본 발명에 있어서는, 실질적으로 중성 조건하에 있고, 용융색이 15 APHA 이하의 결정 부가물로 형성된 비스페놀 A 를 함유하는 용액을, 박막 증발기를 사용하여 실질적으로 무산소하, 감압하에 있어서 페놀을 증발제거 시키는 공정을 포함한다. 이 경우에, 실질적으로 무산소하란, 페놀을 증발제거하는 장치계내의 분위기 중에 있어서의 산소 농도가 0.005 부피 ppm 이하인 것을 의미한다. 장치계내를 이와같은 실질적으로 무산소 상태로하는 방법으로서는, 장치계내에서 질소가스나 아르곤가스등의 불활성가스를 퍼지 (purging) 하는 방법이 있고, 보다 바람직하게는, 장치계내를 감압하는 공정과 그 감압하의 장치계내에 불활성가스를 퍼지하는 공정을 반복하여 실시하는 방법이 있다.In the present invention, a solution containing bisphenol A, which is formed under crystal additives having a melt color of 15 APHA or less under substantially neutral conditions, is subjected to evaporation and removal of phenol under reduced pressure using a thin film evaporator under substantially anoxic. Process. In this case, substantially oxygen free means that the oxygen concentration in the atmosphere in the apparatus system for evaporating and removing phenol is 0.005 volume ppm or less. As a method of bringing the inside of the apparatus system into such an oxygen-free state, there is a method of purging an inert gas such as nitrogen gas or argon gas in the apparatus system, and more preferably, the step of depressurizing the inside of the apparatus system and under the reduced pressure. There is a method of repeatedly carrying out the step of purging the inert gas in the system.

본 발명에 따라 특정한 결정부가물로 형성된 비스페놀 A 를 함유하는 용액에서 페놀을 증발 제거하는 경우, 필요에 따라서, 착색 방지제를 첨가할 수 있다. 이 착색 방지제는 결정 부가물에 직접 첨가 할수 있고, 이 경우에, 착색 방지제는, 임의의 상태에 있는 결정 부가물, 즉 분말상태, 용융상태, 슬러리 상태 또는 용액 상태에 있는 결정부가물에 첨가 혼합시킬 수 있다.In the case of evaporating off phenol from a solution containing bisphenol A formed from a specific crystal adduct according to the present invention, a coloring inhibitor may be added if necessary. This anti-coloring agent can be added directly to the crystalline adduct, in which case the anti-coloring agent is added and mixed to the crystalline adduct in any state, ie the crystalline adduct in powder, molten, slurry or solution state. You can.

본 발명에 있어서, 바람직하게 사용할 수 있는 착색 방지제는 지방족 카르복실산이다. 이 지방족 카르복실산은 용융상태에 있는 비스페놀 A 를 대기와 장시간 접촉시킨다거나, 고온으로 유지한 때의 비스페놀 A 의 착색을 방지하는 작용을 나타내는 것이다.In this invention, the coloring inhibitor which can be used preferably is an aliphatic carboxylic acid. This aliphatic carboxylic acid exhibits the effect of making bisphenol A in a molten state contact with the air for a long time or preventing coloring of bisphenol A when kept at a high temperature.

지방족 카르복실산으로서는, 비스페놀 A 에 대해서 착색 방지 효과를 나타내는 것이면 어떠한 것도 좋고, 종래 공지의 것이 사용된다. 이와 같은 것으로서는 예를 들면 포름산, 옥살산, 시트르산, 타르타르산, 글리콜산, 젖산, 말산, 글리세린산 등을 들수 있다. 이들의 것은 반응중 160 ℃ 이상의 온도에서 분해 혹은 이성화를 일으키고, 비스페놀 A 에 대한 착색 방지제로서 뛰어난 작용을 나타낸다. 지방족 카르복실산의 첨가량은 결정부가물에 대해서, 1 ∼ 100 중량 ppm, 바람직하게는 5 ∼ 50 중량 ppm 이다.As aliphatic carboxylic acid, any thing can be used as long as it exhibits a coloring prevention effect with respect to bisphenol A, and a conventionally well-known thing is used. As such a thing, formic acid, oxalic acid, citric acid, tartaric acid, glycolic acid, lactic acid, malic acid, glycerin acid, etc. are mentioned, for example. These cause decomposition or isomerization at the temperature of 160 degreeC or more during reaction, and show the outstanding effect as a coloring inhibitor to bisphenol A. The addition amount of aliphatic carboxylic acid is 1-100 weight ppm with respect to a crystal addition product, Preferably it is 5-50 weight ppm.

이 지방족 카르복실산의 첨가로, 용융시에 착색이 방지된 열안정성이 좋은 제품 비스페놀 A 를 얻을 수 있다.By addition of this aliphatic carboxylic acid, the product bisphenol A with good thermal stability which prevented coloring at the time of melting can be obtained.

본 발명은, 제6 도에 나타낸 장치계를 사용하는 상기 본 발명의 제6 의 프로세스의 경우와 동일하게하여 실시할 수 있다.This invention can be implemented similarly to the case of the said 6th process of this invention using the apparatus system shown in FIG.

(제8 프로세스)(Eighth process)

본 발명에 의한 비스페놀 A 를 얻기 위한 제8 의 프로세스를 이하에 나타낸다.The eighth process for obtaining bisphenol A by this invention is shown below.

본 발명에서 처리될 원료로서 사용하는 스트립핑가스는, 페놀과 비스페놀 A 와의 혼합물을 증기로 스트립핑 할 때에 얻어지는 가스이고, 페놀, 비스페놀 A 및 증기로 이루어진 것이다. 이와같은 스트립핑 가스로서는 예를 들면 제6 도에 나타내지는 라인 (13) 에서 배출되는 스트립핑가스를 사용할 수 있다.The stripping gas used as the raw material to be treated in the present invention is a gas obtained when stripping a mixture of phenol and bisphenol A with steam, and is composed of phenol, bisphenol A and steam. As such a stripping gas, for example, a stripping gas discharged from the line 13 shown in FIG. 6 can be used.

본 발명에 있어서는 스트립핑가스는, 그 감압 상태 그대로 제1 냉각 공정으로 공급하고, 여기에서 페놀 또는 비스페놀 A 를 함유하는 페놀로 이루어진 제1 냉각 매체와 향류 접속시켜서 냉각한다. 이 제1 냉각 공정은 스트립핑가스 중의 비스페놀 A 의 실질적 전량을 냉각 매체 중에 용해하도록 실시한다. 스트립핑 가스중의 증기는, 이 제1 냉각 공정에서는 거의 응축되지 않고, 다음의 제1 냉각 공정으로 보내진다. 스트립핑 가스중의 페놀은 그 일부가 이 제2 냉각 공정에서 응축되고, 나머지의 미응축의 것은 증기와 함께 다음의 제2 냉각 공정으로 보내진다. 제1 냉각 공정에서 스트립핑가스에서 분리 회수된 비스페놀 A 와 페놀의 혼합액은, 그 일부를 냉각매체로서 사용할 수 있다. 제1 냉각 매체의 온도는, 페놀의 응고점보다 1 ∼ 50 ℃ 정도 높은 온도이다. 이 제1 냉각 공정에 있어서의 페놀의 회수율은, 이 제1 냉각 공정에 대한 전공급 페놀에 대해서, 70 중량 % 이상, 바람직하게는 85 중량 % 이상이다.In the present invention, the stripping gas is supplied to the first cooling step as it is under reduced pressure, where it is cooled by making a countercurrent connection with a first cooling medium made of phenol or phenol containing bisphenol A. This first cooling step is performed such that substantially the entire amount of bisphenol A in the stripping gas is dissolved in the cooling medium. The vapor in the stripping gas is hardly condensed in this first cooling step, and is sent to the next first cooling step. Part of the phenol in the stripping gas is condensed in this second cooling process and the remaining uncondensed is sent to the next second cooling process with steam. A part of the mixed solution of bisphenol A and phenol separated and recovered from the stripping gas in the first cooling step can be used as a cooling medium. The temperature of a 1st cooling medium is a temperature about 1-50 degreeC higher than the freezing point of phenol. The recovery rate of phenol in this first cooling step is 70% by weight or more, preferably 85% by weight or more, relative to the pre-feed phenol for this first cooling step.

제1 냉각 공정에서 사용되는 냉각 매체는, 스트립핑가스를 소망온도로 냉각 하기에 충분한 양이면 좋고, 통상, 스트립핑가스에 대한 중량비로 5 ∼ 10, 바람직하게는 5 ∼ 6 이다. 또, 제1 냉각공정에서 얻어지는 스트립핑 가스중의 비스페놀 A 와 페놀을 용해한 냉각매체 중에 함유되는 비스페놀 A 의 페놀에 대한 중량비는 0.05 ∼ 0.20, 바람직하게는 0.08 ∼ 0.14 이다. 제1 냉각 공정에 있어서는, 비스페놀 A 에 대해서 과잉의 페놀이 존재하므로서, 비스페놀 A 의 응고점 이하의 냉각온도일지라도, 비스페놀 A 와 페놀과의 결정 부가물이 정석하는 일은 없다.The cooling medium used in the first cooling step may be an amount sufficient to cool the stripping gas to a desired temperature, and is usually 5 to 10, preferably 5 to 6, by weight ratio to the stripping gas. The weight ratio of bisphenol A in the stripping gas obtained in the first cooling step to bisphenol A contained in the cooling medium in which the phenol is dissolved is 0.05 to 0.20, preferably 0.08 to 0.14. In the 1st cooling process, since excess phenol exists with respect to bisphenol A, even if it is cooling temperature below the freezing point of bisphenol A, the crystal adduct of bisphenol A and phenol does not crystallize.

제1 냉각 공정의 압력은 30 토르 이하, 바람직하게는 5 ∼ 20 토르이고 제2 박막 증발기 (2) 에 있어서의 압력에 대응한다. 또, 제1 냉각 공정의 온도는 상기 압력 조건하에 있어서 증기가 기체를 유지하고, 페놀의 일부가 액체를 유지하는 온도이다. 바람직한 냉각온도 (비스페놀 A 를 응축시키는 온도) 는, 페놀의 응고점 보다도 1 ∼ 50 ℃ 정도 높은 온도이고, 그 냉각 온도는 42 ∼ 90 ℃, 바람직하게는 45 ∼ 55 ℃ 이다.The pressure of the first cooling process is 30 Torr or less, preferably 5 to 20 Torr and corresponds to the pressure in the second thin film evaporator 2. The temperature of the first cooling step is a temperature at which steam maintains a gas and a part of phenol maintains a liquid under the above pressure conditions. Preferable cooling temperature (temperature which condenses bisphenol A) is temperature which is 1-50 degreeC higher than the freezing point of a phenol, and its cooling temperature is 42-90 degreeC, Preferably it is 45-55 degreeC.

제2 냉각 공정으로 보내진 증기와 페놀의 혼합가스는, 여기에서 페놀의 수용액으로 이루어진 제2 냉각 매체와 향류접촉시켜서 냉각한다. 이 제2 의 냉각 공정은, 이 공정으로 보내진 증기와 페놀의 실질적 전량이 응축액화 하도록 실시하고, 이 공정에서는 페놀의 수용액이 회수된다. 이 제2 냉각 공정에서 얻어지는 페놀의 수용액은 그 일부를 제2 냉각 매체로서 사용할 수 있다. 수용액중의 페놀의 농도는, 스트립핑가스의 조성 및 제1 냉각 공정의 조건으로 정해지지만, 통상 55 ∼ 75 중량 % 이다. 또, 이 제2 냉각 매체의 온도는, 증기의 응축온도 보다 1 ∼ 10 ℃ 정도 낮은 온도이다.The mixed gas of steam and phenol sent to the second cooling step is cooled in countercurrent contact with a second cooling medium made of an aqueous solution of phenol. This 2nd cooling process is performed so that the substantially whole quantity of the vapor | steam and phenol sent to this process may be condensed, and in this process, the aqueous solution of phenol will be collect | recovered. The aqueous solution of the phenol obtained by this 2nd cooling process can use one part as a 2nd cooling medium. The concentration of phenol in the aqueous solution is determined by the composition of the stripping gas and the conditions of the first cooling step, but is usually 55 to 75% by weight. Moreover, the temperature of this 2nd cooling medium is a temperature about 1-10 degreeC lower than the steam condensation temperature.

제2 냉각 공정에서 사용하는 제2 냉각 매체는, 혼합가스의 전량을 응축시키기에 충분한 양이면 좋고, 통상, 제1 냉각 공정에서 보내진 증기와 페놀과의 혼합 가스에 대한 중량비로, 100 ∼ 300, 바람직하게는 190 ∼ 250 이다. 이러한 제2 냉각 공정의 압력은, 30 토르이하, 바람직하게는 5 ∼ 20 토르이며, 제1 냉각 공정의 압력에 대응한다. 제2 냉각 공정에 있어서의 냉각 온도 (증기 응축온도) 는, 상기 압력 조건하에 있어서 증기와 페놀의 혼합 가스의 전량이 응축액화하는 온도이면 좋다.The second cooling medium used in the second cooling step may be an amount sufficient to condense the total amount of the mixed gas, and is usually 100 to 300, in a weight ratio to the mixed gas of the vapor and the phenol sent in the first cooling step. Preferably it is 190-250. The pressure of this 2nd cooling process is 30 Torr or less, Preferably it is 5-20 Torr, and respond | corresponds to the pressure of a 1st cooling process. The cooling temperature (vapor condensation temperature) in the second cooling step may be a temperature at which the entire amount of the mixed gas of steam and phenol is condensed under the above pressure conditions.

제1 냉각 공정 및 제2 냉각 공정에 있어서 사용하는 냉각기는, 기액접촉형의 장치이면 좋고, 임의의 것이 사용된다. 이와 같은 냉각기로서는, 예를 들면, 충전탑 및 스프레이 탑 등을 사용할 수 있다. 충전탑을 사용하는 경우, 그 충전물로서는, 압력 손실을 억제하도록 라시히 링이나 폴링, 다공금속판등을 사용하는 것이 좋다. 또, 제1 냉각공정과 제2 냉각공정에서 사용하는 냉각기는, 각각 개별적으로 설치할 수도 있지만, 2 개의 냉각기를 포함하는 1 탑형의 장치라도 좋다.The cooler used in a 1st cooling process and a 2nd cooling process should just be a gas-liquid contact type apparatus, and arbitrary things are used. As such a cooler, a packed tower, a spray tower, etc. can be used, for example. In the case of using a packed column, as the filler, it is preferable to use a Rashihi ring, a polling, a porous metal plate or the like so as to suppress pressure loss. In addition, although the coolers used by a 1st cooling process and a 2nd cooling process may be respectively provided separately, the 1 tower type apparatus containing two coolers may be sufficient.

다음에, 상기의 스트립핑가스의 응축처리 방법의 한 실시양태에 관하여 도면을 참조하여 설명한다.Next, an embodiment of the above condensation treatment method for stripping gas will be described with reference to the drawings.

제7 도에 있어서, (21) 은 제1 냉각기를, (22) 는 제2 냉각기를 나타낸다. 라인 (23) 은 상기 제6 도에 표시하는 라인 (13) 에 접속하는 스트립핑가스 라인을 표시한다. 라인 (24) 은 배기 펌프 (도시않음) 및 냉각기에 접속하는 진공라인이고, 냉각기를 포함하는 전장치계는 감압조건으로 유지된다.In Fig. 7, reference numeral 21 denotes the first cooler and reference numeral 22 denotes the second cooler. Line 23 indicates a stripping gas line connected to the line 13 shown in FIG. Line 24 is a vacuum line that connects to an exhaust pump (not shown) and a cooler, and the entire electric system including the cooler is maintained under reduced pressure.

스트립핑 가스는, 라인 (23) 을 지나서, 제1 냉각기 (21) 의 하부에 공급되고, 여기에서 라인 (25) 을 지나서 제1 냉각기의 상부에서 도입되는 제1 냉각매체 (페놀 또는 비스페놀 A 를 함유하는 페놀) 과 향류접촉한다. 이 제1 냉각기에서 응축한 비스페놀 A 와 페놀을 용해한 냉각 매체는 발출 펌프 (27) 을 내포하는 라인 (26) 을 지나서 제1 냉각기의 저부에서 발출된다. 이 라인 (26) 을 지나서 발출되는 냉각매체는, 필요에 따라서 그 일부를 소요 온도로 냉각한 후, 냉각매체로서 라인 (25) 에 재순환시킬 수도 있다.The stripping gas is fed to the lower part of the first cooler 21 via line 23, where it is introduced into the first cooling medium (phenol or bisphenol A) at the top of the first cooler beyond line 25. Phenol)) in countercurrent contact. The cooling medium which melt | dissolved bisphenol A and phenol which condensed in this 1st cooler is taken out at the bottom of a 1st cooler through the line 26 containing the extraction pump 27. As shown in FIG. The cooling medium discharged past this line 26 may be partially recycled to the line 25 as a cooling medium after cooling a part of it to the required temperature if necessary.

제1 냉각기 (21) 의 정상부에서 라인 (28)을 지나서 발출되는 증기와 페놀의 혼합가스는, 제2 냉각기 (22) 의 하부에 도입되고, 여기에서 라인 (29) 를 지나서 제2 냉각기의 상부에서 도입되는 제2 냉각매체 (페놀의 수용액) 와 향류 접촉한다. 이 제2 냉각기에서 증기와 페놀의 혼합가스는 응축액화되고, 이 응축액은 냉각 매체와 함께 제2 냉각기 (22) 의 저부에서 발출되고 펌프 (31) 를 포함하는 라인 (30) 을 지나서 발출되고 그 일부는 라인 (33) 을 지나고, 냉각 매체용의 냉각기 (34) 를 지나서 냉각된 후, 라인 (29) 을 지나고, 제2 냉각기에 재순환된다. 라인 (30) 을 지나서 발출된 응축 증기와 페놀을 함유하는 냉각 매체의 잔부는 라인 (32) 을 지나서 계외로 발출된다.The mixed gas of steam and phenol which is extracted from the top of the first cooler 21 via the line 28 is introduced into the lower part of the second cooler 22, where the upper part of the second cooler is past the line 29. In countercurrent contact with a second cooling medium (aqueous solution of phenol) introduced at In this second cooler, the mixed gas of steam and phenol is condensed, and this condensate is drawn off at the bottom of the second cooler 22 together with the cooling medium and past the line 30 including the pump 31 and Some pass over line 33, cool down past cooler 34 for the cooling medium, then pass over line 29 and are recycled to the second cooler. The remainder of the cooling medium containing condensed vapor and phenol extracted via line 30 is drawn out of system beyond line 32.

다음에 상기 스트립핑가스의 응축처리법에 있어서, 제1 냉각기와 제2 냉각기를 포함하는 1 탑형의 냉각장치를 사용한 경우의 플로시트를 제8 도에 표시한다.Next, in the condensation treatment method of the stripping gas, a flow sheet in the case of using a first tower cooling device including a first cooler and a second cooler is shown in FIG.

제8 도에 있어서, (50) 은 그 내부에 제1 냉각기 (21) 와 제2 냉각기 (22) 를 갖춘 1 탑형의 냉각장치이다. 이 냉각장치는 제1 냉각기 (21) 와 제2 냉각기 (22) 와의 중간에 중앙부에 개구 (開口) 를 가진 간막이 판 (45) 을 배설하고, 그 개구에 통체 (43) 를 세워 설치한 구조를 갖는다. 이 장치에 있어서, 통체 (43) 의 외주면과 냉각장치 (50) 의 내벽과의 사이에 형성되는 고리상 중공실은 액체를 저류 (貯留) 하기 위한 것이다. (42) 는 제2 냉각기 (22) 를 흘러내리는 액체를 상기 고리상 중공실로 안내하기 위한 안내판이다. 통상 공간 (44) 은 가스 통로를 나타낸다.In Fig. 8, reference numeral 50 denotes a tower cooling device having a first cooler 21 and a second cooler 22 therein. This cooling device has a structure in which a partition plate 45 having an opening in the center is disposed in the middle of the first cooler 21 and the second cooler 22, and the tubular body 43 is formed in the opening. Have In this apparatus, the annular hollow chamber formed between the outer circumferential surface of the cylinder body 43 and the inner wall of the cooling device 50 is for storing liquid. Reference numeral 42 is a guide plate for guiding the liquid flowing down the second cooler 22 to the annular hollow chamber. Normal space 44 represents a gas passage.

또한, 제8 도의 부호에 있어서, 제7 도에 표시한 것과 동일 부호는 동일 의미를 표시한다. 또 제8 도에 있어서는, 제7 도에 표시한 유량 콘트롤계는 도시되지 않았다.In addition, in the code | symbol of FIG. 8, the same code | symbol as shown in FIG. 7 shows the same meaning. 8, the flow control system shown in FIG. 7 is not shown.

상기 스트립핑 가스의 응축처리법에 의하면 스트립핑가스를 승압하는 일이 없이 30 토르이하의 감압상태인 채로 냉각시킬 수 있다. 더우기, 이 경우에, 30 토르 이하라고 하는 낮은 압력 조건과 이에 따른 낮은 스팀 응축 온도 조건을 채용했음에도 불구하고, 비스페놀 A 나 페놀의 결정은 하등 석출되지 않는다. 따라서, 이 스트립핑 가스의 응축처리법에 있어서는, 고체석출에 의한 냉각기의 효율저하나 냉각기의 폐쇄 문제점은 하등 생기지 않는다.According to the condensation treatment of the stripping gas, the stripping gas can be cooled under a reduced pressure of 30 Torr or less without boosting the stripping gas. Moreover, in this case, despite adopting a low pressure condition of 30 torr or less and thus a low steam condensation temperature condition, crystals of bisphenol A or phenol are not precipitated at all. Therefore, in the condensation treatment method of the stripping gas, the efficiency of the cooler due to solid precipitation and the problem of closing the cooler do not occur at all.

또, 상기 스트립핑가스의 응축처리에 의하면 스트립핑가스를 구성하는 스팀, 페놀 및 비스페놀 A 의 모든 것이 응축되고, 진공배기계에는 그들의 가스가 실질적으로 유입되지 않는다. 따라서, 진공배기 펌프는, 장치계를 소정의 감압조건으로 유지하는 것 뿐이기 때문에, 배기 용량이 작은 것으로 되고, 설비 비용 및 에너지 비용도 적으므로 매우 유리하다.Further, according to the condensation treatment of the stripping gas, all of steam, phenol and bisphenol A constituting the stripping gas are condensed, and their gas is not substantially introduced into the vacuum exhaust machine. Therefore, the vacuum exhaust pump is advantageous because only the apparatus system is maintained at a predetermined decompression condition, the exhaust capacity is small, and the equipment cost and energy cost are small.

실시예Example

다음에 본 발명을 실시예에 의하여 더욱 상세히 설명한다.Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.

A : 결정 부가물의 정제방법A: Purification Method of Crystal Additives

실시예 A-1Example A-1

시판 공업용 페놀 (수분농도 0.1 wt%, 불순물 농도 0.05 wt %) 를 롬 앤드 하스사 제조 앰버라이트 IR-118 H + 수지를 사용하여 온도 80℃, 접촉시간 50 분으로 접촉처리하고, 증류탑저 온도 175℃, 탑정압력 560 토르에서 증류하여 용융색 6 APHA 의 정제 페놀을 얻었다.Commercially available industrial phenols (moisture concentration 0.1 wt%, impurity concentration 0.05 wt%) were contact-treated using a Amberlite IR-118H + resin manufactured by Rohm and Haas at a temperature of 80 ° C. and a contact time of 50 minutes, and a distillation column temperature of 175 It distilled at 560 torr of column top pressure, and the refined phenol of melt color 6 APHA was obtained.

한편, 페놀과 아세톤을 산촉매의 존재하에서 반응시켜 얻어지는 용융색 50 APHA 인 비스페놀 A, 페놀 및 불순물의 혼합물을 정석하여 결정부가물을 석출시켰다.On the other hand, a mixture of bisphenol A, phenol, and impurities, which are molten color 50 APHA obtained by reacting phenol and acetone in the presence of an acid catalyst, was crystallized to precipitate a crystal adduct.

다음에, 이 결정 부가물의 슬러리를 감압여과하여 고형상 결정부가물을 얻고, 이것을 상기에서 얻은 정제 페놀을 그 결정 부가물 1 중량부에 대해서 2.5 중량부의 비율로 사용하여 세정했다. 이와같이 하여 얻어진 결정 부가물을 175 ℃, 25 토르에서 30 분간 수증기 스트립핑하여 페놀을 실질적으로 완전히 제거하여 비스페놀 A 를 얻었다. 이 비스페놀 A 의 용융색 (APHA) 는 15 이고 극히 색상이 좋은 것이었다. 용융색 (APHA) 수는 ASTM. D 1686 (Standard Test Method for Color of Solid Aromatic Hydrocarbons and Related Materials in the Molten State) 에 준하여 측정했다.Next, the slurry of this crystal adduct was filtered under reduced pressure to obtain a solid crystal adduct, and the resultant was washed using the purified phenol obtained above at a ratio of 2.5 parts by weight based on 1 part by weight of the crystal adduct. Thus obtained crystal adduct was steam stripped at 175 ° C. and 25 Torr for 30 minutes to substantially completely remove phenol to obtain bisphenol A. This bisphenol A had a melt color (APHA) of 15 and an extremely good color. The melt color (APHA) number is ASTM. It was measured according to D 1686 (Standard Test Method for Color of Solid Aromatic Hydrocarbons and Related Materials in the Molten State).

비교예 A-1Comparative Example A-1

용융색 50 APHA 인 비스페놀 A, 페놀 및 불순물의 혼합물을 정석하여 결정 부가물을 석출시켰다. 이 결정 부가물의 슬러리를 감압 여과하고, 고형상 결정 부가물을 얻고, 그 일부를 190℃ 에서 분해하여 페놀을 회수했다. 이 페놀을, 나머지의 결정 부가물 1 중량부에 대해서, 2.5 중량부의 비율로 사용하여 세정했다. 이와 같이하여 얻어진 세정 결정 부가물을 175℃, 25 토르로 30 분간 수증기 스트립핑하여 실질적으로 페놀의 전부를 제거하여 비스페놀 A 를 얻었지만, 이것은 용융색 20 APHA 였다. 또 이 비스페놀 A 를 용융후 5 시간 대기압하에 유지한 때의 색상은 80 APHA 였다.A mixture of bisphenol A, a phenol and an impurity of melt color 50 APHA was crystallized to precipitate a crystal adduct. The slurry of this crystal addition product was filtered under reduced pressure, the solid crystal addition product was obtained, the one part was decomposed | disassembled at 190 degreeC, and phenol was collect | recovered. This phenol was wash | cleaned using the ratio of 2.5 weight part with respect to 1 weight part of remaining crystal adducts. The washing crystal adduct thus obtained was steam stripped at 175 ° C. and 25 Torr for 30 minutes to substantially remove all of the phenol to obtain bisphenol A, but this was a melt color of 20 APHA. Moreover, the color when this bisphenol A was kept at atmospheric pressure for 5 hours after melting was 80 APHA.

비교예 A-2Comparative Example A-2

정제 페놀을 증류할 때에, 증류탑저 온도 200℃로 하는 외는 실시예 A-1과 같게하여 페놀을 얻었다. 이 페놀을 결정부가물의 세정액으로서 사용하여 실시예 A-1 과 동일하게 하여 비스페놀 A 를 얻었지만, 이것은 용융색 30 APHA 였다.When distilling purified phenol, the distillation column bottom temperature was 200 degreeC and it carried out similarly to Example A-1, and obtained phenol. Bisphenol A was obtained in the same manner as in Example A-1 using this phenol as a washing liquid for crystal adduct, but this was a melt color of 30 APHA.

상기 실시예 A-1 및 비교예 A-1 과 A-2 에서 얻은 비스페놀 A 의 175 ℃ 에 있어서의 용융색을, 다음 표에 정리하여 표시한다.The molten color at 175 degreeC of the bisphenol A obtained by said Example A-1 and Comparative Examples A-1 and A-2 is put together in the following table, and is displayed.

표 A-1TABLE A-1

번호number 비스페놀 A 의 용융색 (APHA)Melt Color of Bisphenol A (APHA) 실시예 A-1Example A-1 1515 비교예 A-1Comparative Example A-1 2020 비교예 A-2Comparative Example A-2 3030

실시예 A-2Example A-2

수분농도 0.07 wt %, 불순물 농도 430 wt ppm 의 공업용 페놀을 롬 앤드하스사 제조 앰버라이트 IR-118H+ 수지를 사용하여 온도 80℃, 접촉시간 20 분에서 접촉 처리했다. 다음에 얻어진 접촉처리물을 증류탑저 온도 173℃, 탑정압력 560 토르에서 증류하고, 정제 페놀을 얻었다.Industrial phenols having a water concentration of 0.07 wt% and an impurity concentration of 430 wt ppm were subjected to contact treatment at a temperature of 80 ° C. and a contact time of 20 minutes using Amberlite IR-118H + resin manufactured by Rohm and Haas. Next, the obtained contact treated material was distilled at the distillation column bottom temperature of 173 degreeC, and column top pressure 560 Torr, and the refined phenol was obtained.

비교예 A-3Comparative Example A-3

수분 농도 0.73 wt%, 불순물 농도 430 wt ppm 의 공업용 페놀을 사용한 외는 실시예 A-2 와 동일하게 실험을 실시했다.The experiment was carried out in the same manner as in Example A-2, except that industrial phenol having a water concentration of 0.73 wt% and an impurity concentration of 430 wt ppm was used.

이상과 같이하여 얻어진 정제 페놀의 성상을, 원료 공업페놀 및 이온 교환수지 처리후의 페놀의 성상과 함께, 표 A-2 에 표시한다.The properties of the purified phenol obtained as described above are shown in Table A-2 together with the properties of the raw material industrial phenol and the phenol after ion exchange resin treatment.

표 A-2Table A-2

번호number 항목Item 원료 공업 페놀Raw material for industrial phenol 이온 교환 수지 후의 페놀Phenolic After Ion Exchange Resin 증류처리후의 페놀Phenolic After Distillation 실시예A-2Example A-2 불순물 색상Impurity color 430 wt ppm(310 wt ppm)20APHA430 wt ppm (310 wt ppm) 20 APHA 1205 wt ppm(미검출)30APHA1205 wt ppm (not detected) 30 APHA 5 wt ppm(미검출)5 APHA5 wt ppm (undetected) 5 APHA 비교예A-3Comparative Example A-3 불순물 (벤조푸란류) 색상Impurities (Benzofuran) Color 430 wt ppm(310 wt ppm)20APHA430 wt ppm (310 wt ppm) 20 APHA 796 wt ppm(42 wt ppm)30APHA796 wt ppm (42 wt ppm) 30 APHA 115 wt ppm(25 wt ppm)10APHA115 wt ppm (25 wt ppm) 10 APHA

실시예 A-3Example A-3

실시예 A-2 에 표시하는 이온 교환 수지 처리를 연속적으로 1000 시간 실시했지만, 이경우에, 처리후의 페놀 중에는 불순물을 대표하는 화합물인 벤조푸란류는 검출되지 않았다.Although the ion exchange resin treatment shown in Example A-2 was continuously performed for 1000 hours, in this case, benzofuran, which is a compound representing impurities, was not detected in the phenol after the treatment.

실시예 A-4Example A-4

페놀과 아세톤을 산촉매의 존재하에서 반응시킨 후, 얻어진 반응 생성물에서 생성수의 대부분과 페놀의 일부를 증발시켜서 얻어지는 용융색 50 APHA 인 비스페놀 A 와 페놀과 불순물과의 혼합물을 정석처리하여, 결정 부가물을 석출시켰다. 이 결정 부가물 슬러리 용액을 감압여과하고, 후술하는 방법으로 얻은 정제 페놀을 부가물 1 중량부에 대해서 2.5 중량부를 사용하여 세정했다. 이와같이 하여 얻어진 결정 부가물을, 175℃, 25 토르에서 30 분간 수증기 스트립핑하여 페놀을 실질적으로 완전히 제거하여 비스페놀 A 를 얻었다. 이 비스페놀 A 의 용융색 10 ∼ 15 APHA 를 표시하고, 극히 색상이 좋은 것이었다. 또, 이 비스페놀 A 를 용융후 5 시간 대기압하에 유지한 때의 색상은 30 APHA 이고, 착색성이 낮은 것임이 확인되었다.After reacting phenol and acetone in the presence of an acid catalyst, bisphenol A, a molten color 50 APHA obtained by evaporating most of the produced water and a part of phenol from the reaction product obtained, is crystallized by crystallization. Precipitated. The crystalline adduct slurry solution was filtered under reduced pressure, and the purified phenol obtained by the method described below was washed using 2.5 parts by weight based on 1 part by weight of the adduct. Thus obtained crystal adduct was steam stripped at 175 ° C. and 25 Torr for 30 minutes to substantially completely remove phenol to obtain bisphenol A. The molten color of this bisphenol A was 10-15 APHA, and the color was extremely good. Moreover, when the bisphenol A was kept at atmospheric pressure for 5 hours after melting, it was confirmed that the color was 30 APHA, and the colorability was low.

또한, 상기에서 사용한 정제 페놀은 용융색 5 APHA 의 것이고, 이것은, 상기의 페놀을 아세톤과의 반응 생성물에서 증발 분리된 페놀을 탈수처리한 것 (수분농도 0.1 wt%) 를, 롬 앤드 하스사제조 앰버라이트 IR-118H+ 수지를 사용하여 온도 80℃, 접촉시간 50 분으로 접촉처리하고, 이어서 증류탑 바닥온도 175℃, 탑정압력 560 토르에서 증류하여 얻어진 것이다.In addition, the purified phenol used above is a thing of melt color 5 APHA, This is the thing which dehydrated the phenol which evaporated and separated the said phenol from the reaction product with acetone (water concentration 0.1 wt%), rom and Haas Corporation make. It was obtained by contact treatment with an Amberlite IR-118H + resin at a temperature of 80 ° C. and a contact time of 50 minutes, followed by distillation at a column bottom temperature of 175 ° C. and a tower static pressure of 560 Torr.

B : 결정부가물의 제조방법B: Method of Producing Crystal Additives

실시예 B-1(제2 프로세스) Example B-1 (second process)

제2 도에 표시한 장치계통도에 따라, 비스페놀 A 를 함유하는 페놀 용액에서, 결정 부가물을 함유하는 슬러리를 얻고, 이 슬러리에서 결정 부가물을 분리회수했다. 이 경우의 주요 조작조건을, 제2 도에 있어서 부호로 표시한 라인 또는 장치와의 관계를 이하에 나타낸다.According to the apparatus flow diagram shown in FIG. 2, in the phenol solution containing bisphenol A, the slurry containing crystal addition product was obtained, and the crystal addition product was collect | recovered separately from this slurry. The relationship with the line or apparatus which indicated the main operation conditions in this case by the code | symbol in FIG. 2 is shown below.

(1) 라인 (1) 에서의 공급원료의 성분 조성(1) Composition of Ingredients in Feedstock in Line (1)

비스페놀 A : 22 중량 %Bisphenol A: 22% by weight

페놀 : 74 중량 %Phenolic: 74 wt%

기타 : 4 중량 %Other: 4 wt%

(2) 정석탑 A(2) Crystal Tower A

(i) 온도 : 54℃(i) Temperature: 54 ℃

(ii) 체류시간 : 120 분(ii) Residence time: 120 minutes

(3) 정석탑 A 에 부설된 미결정 부가물 용해탱크(3) Melt tank of microadducts attached to crystal tower A

(i) 온도 : 55℃(i) Temperature: 55 ℃

(ii) 체류시간 : 6 분(ii) Residence time: 6 minutes

(4) 정석탑 B(4) crystal tower B

(i) 온도 : 47℃(i) Temperature: 47 ℃

(ii) 체류시간 : 120 분(ii) Residence time: 120 minutes

(5) 정석탑 B 에 부설한 미결정 부가물 용해 탱크(5) The microcrystalline adduct dissolution tank attached to the crystallization tower B

(i) 온도 : 48℃(i) Temperature: 48 ℃

(ii) 체류 시간 : 6 분(ii) residence time: 6 minutes

상기 실험에 있어서, 라인 (35) 을 통해서 얻어지는 슬러리에서 분리된 결정 부가물의 색상은, 15APHA, 결정 부가물 중의 입경 100 ㎛ 이하의 미립자 성분의 함유율은 13 중량 % 였다.In the above experiment, the content of the fine particle component having a particle size of 100 µm or less in 15 APHA and the crystal adduct was 13 weight% in the color of the crystal adduct separated from the slurry obtained through the line 35.

비교예 B-1Comparative Example B-1

제2 도에 나타낸 장치계에 있어서, 제1 단의 정석탑 A 만을 사용하여 결정부가물 슬러리의 제조를 실시했다. 이 경우에, 정석탑 A 의 조작조건은, 그 온도를 47℃, 정석탑 A 에 부설된 미결정 부가물 용해 탱크 Q 의 온도를 48℃ 로 한 이외는 실시예 B-1 의 경우와 동일하게 했다.In the apparatus system shown in FIG. 2, the crystalline adduct slurry was manufactured using only the crystal tower A of the 1st stage. In this case, the operating conditions of the crystallization tower A were the same as in the case of Example B-1 except that the temperature was 47 ° C and the temperature of the microcrystalline adduct dissolution tank Q placed in the crystallization tower A was 48 ° C. .

이 실험에 의하여 얻어진 결정부가물의 색상은 30 APHA 이고, 결정부가물 중의 입경 100 ㎛ 이하의 미세입자 성분의 비율은 29 중량 % 였다.The color of the crystal addition product obtained by this experiment was 30 APHA, and the ratio of the microparticle component of 100 micrometers or less in particle size in the crystal addition product was 29 weight%.

실시예 B-2(제3 프로세스) Example B-2 (third process)

제3 도에 표시한 장치 계통도에 따라서 비스페놀 A 를 함유하는 페놀 용액으로부터, 결정 부가물을 함유하는 슬러리를 얻고, 이 슬러리에서 결정 부가물을 분리 회수했다. 이 경우의 주요조작 조건을, 제3 도에 있어서, 부호로 표시한 라인 또는 장치와의 관계를 이하에 표시한다.According to the apparatus flow diagram shown in FIG. 3, the slurry containing a crystal addition product was obtained from the phenol solution containing bisphenol A, and the crystal addition product was collect | recovered and recovered from this slurry. In Fig. 3, the main operation conditions in this case are shown below in relation to the line indicated by the reference sign or the device.

(1) 라인 (8) 에 있어서의 공급원료의 성분조성(1) Composition of Feedstock in Line (8)

비스페놀 A : 22 중량 %Bisphenol A: 22% by weight

페놀 : 74 중량 %Phenolic: 74 wt%

기타 : 4 중량 %Other: 4 wt%

(2) 정석탑 A(2) Crystal Tower A

(i) 온도 : 54℃(i) Temperature: 54 ℃

(ii) 체류시간 : 120 분(ii) Residence time: 120 minutes

(3) 정석탑 A 에 부설한 미결정부가물 용해탱크 (3)(3) Melt tank of microcrystalline adducts attached to crystal tower A (3)

(i) 온도 : 55℃(i) Temperature: 55 ℃

(ii) 체류시간 : 6 분(ii) Residence time: 6 minutes

상기 실험에 있어서, 라인 (20) 을 지나서 얻어지는 슬러리에서 분리된 결정 부가물 중의 입경 100 ㎛ 이하의 미립자의 비율은 20 중량 % 였다.In the above experiment, the proportion of the particles having a particle size of 100 μm or less in the crystal adduct separated from the slurry obtained via the line 20 was 20% by weight.

실시예 B-3(제3 프로세스) Example B-3 (third process)

실시예 B-2 에 있어서, 정석탑 A 의 온도를 44℃ 로 바꾸는 동시에, 미결정 부가물 용해 탱크 (3) 에 있어서의 온도와 정석탑 A 의 온도와의 차를 5℃ 로 설정하고, 다시 그 탱크 (3) 에 있어서의 슬러리의 체류시간을 4 분으로 설정한 이외는 동일하게 하여 실험을 실시했다. 그 결과, 라인 (20) 을 통해서 회수되는 슬러리 중의 결정 부가물에 함유되는 입경 100 ㎛ 이하의 미립자 성분의 비율은 29.5 중량 % 였다.In Example B-2, the temperature of the crystallization tower A is changed to 44 ° C, and the difference between the temperature in the microcrystalline adduct dissolution tank 3 and the temperature of the crystallization tower A is set to 5 ° C, and again The experiment was performed similarly except having set the residence time of the slurry in the tank 3 to 4 minutes. As a result, the proportion of the particulate component having a particle size of 100 µm or less contained in the crystal adduct in the slurry recovered through the line 20 was 29.5 wt%.

비교예 B-2Comparative Example B-2

실시예 B-3 에 있어서, 내통 (2) 의 저부에서 발출되는 슬러리의 일부를, 가열기 (5) 및 탱크 (3) 를 통해서 재순환시키지 않는 이외는 동일하게 실험을 했다. 그 결과 라인 (20) 을 통해서 회수되는 슬러리 중의 결정 부가물에 함유되는 미립자 성분의 비율은 69 중량 % 였다.In Example B-3, the same experiment was conducted except that a part of the slurry extracted from the bottom of the inner cylinder 2 was not recycled through the heater 5 and the tank 3. As a result, the proportion of the particulate component contained in the crystal adduct in the slurry recovered through the line 20 was 69% by weight.

참고예 B-1(제5 프로세스의 참고예) Reference Example B-1 (Reference Example of the 5th Process)

아세톤 및 페놀을 산촉매 존재하에서 반응시켜서 얻어진 반응 생성물을 농축하고, 50℃ 에서 정석하고, 비스페놀 A·페놀 부가물 20 wt% 의 정석 슬러리 3000 g 을 얻었다. 이것을 50℃ 에서 감압여과 (이때 얻어진 여과 후의 모액 (2250 g) 을 A 로 한다) 하여 얻어진 결정부가물을 별도 준비한 정제 페놀 600 g 을 사용하여 세정 여과 했다 (이때 얻어진 세정배액 580 g 을 B 로 한다).The reaction product obtained by making acetone and phenol react in presence of an acidic catalyst was concentrated, crystallized at 50 degreeC, and 3000 g of crystallization slurries of 20 wt% of bisphenol A phenol addition products were obtained. The resultant was filtered under reduced pressure at 50 ° C (preparation of the mother liquor (2250 g) after filtration obtained as A) using 600 g of purified phenol prepared separately, and 580 g of the washing liquid obtained at that time was B. ).

세정후의 결정 부가물을 별도 준비한 정제 페놀 (APHA : 5) 1310 g 에 재용해하고, 50℃ 에 있어서 정석하고, 비스페놀 A·페놀부가물 20 wt% 의 슬러리를 얻고, 이것을 50℃ 에서 감압여과 (이때 얻어진 모액 1430 g 을 C 로 한다) 한 후 별도 준비한 정제페놀 600 g 으로 2 회 세정여과를 실시했다 (이때 얻어진 1 회째의 세정 배액 580 g 을 D, 2 회째의 세정 배액 580 g 을 E 로 한다). 이리하여 얻어진 비스페놀.페놀 결정 부가물의 불순물 농도는 100 wt ppm, 용융색은 5 APHA 였다.The crystalline adduct after washing was redissolved in 1310 g of purified phenol (APHA: 5) separately prepared, crystallized at 50 ° C, and a slurry of 20 wt% of bisphenol A-phenol adduct was obtained, which was filtered under reduced pressure at 50 ° C ( At this time, 1430 g of the obtained mother liquor was taken as C), and filtration was performed twice with 600 g of purified phenol separately prepared (the first washing drainage 580 g obtained at this time was D, and 580 g of the second washing drainage was E). ). Bisphenol thus obtained . The impurity concentration of the phenol crystal adduct was 100 wt ppm and the molten color was 5 APHA.

실시예 B-4(제5 프로세스) Example B-4 (Fifth Process)

참고예 B-1 과 동일하게 아세톤 및 페놀을 산촉매 존재하에서 반응시켜 얻어진 반응 생성물을 농축하고 50℃ 의 온도에서 정석하여, 비스페놀 A, 페놀 결정부가물 20 wt% 의 정석 슬러리 3000 g 을 얻었다. 이것을 50℃ 에서 감압여과하여 얻어진 결정 부가물을 참고예 B-1 의 모액 C 700 g 으로 세정했다. 세정후의 결정 부가물을 참고예 B-1 의 모액 C 의 나머지 730 g 과, 세정 배액 D 580 g 을 가하여, 재용해한 후, 50℃ 에서 정석하고, 비스페놀 A.페놀 결정 부가물 20 wt% 의 정석 슬러리를 얻고, 이것을 50℃ 에서 감압여과 했다. 이어서, 얻어진 결정 부가물을, 참고예 B-1 의 세정 배액 E 580 g 으로 세정한 후, 다시 최종 세정 공정으로서 정제 페놀 600 g 으로 세정했다. 이때 얻어진 비스페놀 A.페놀 결정 부가물의 불순물 농도는 참고예와 같은 100 wt ppm 이고, 또한 용융색도 5APHA 를 나타냈다.In the same manner as in Reference Example B-1, the reaction product obtained by reacting acetone and phenol in the presence of an acid catalyst was concentrated and crystallized at a temperature of 50 ° C to obtain 3000 g of a crystallization slurry of bisphenol A and 20 wt% of a phenol crystal adduct. The crystal adduct obtained by filtering this under reduced pressure at 50 degreeC was wash | cleaned with the mother liquor C of Reference Example B-1. Additional crystals after washing refer to water added to the remaining 730 g and washed drain D 580 g of stock solution C of Example B-1, after the re-dissolution, crystallization from 50 ℃, and bisphenol-A. The crystallization slurry of 20 wt% of phenol crystal adducts was obtained, and the resultant was filtered under reduced pressure at 50 ° C. Subsequently, the obtained crystal adduct was washed with 580 g of washing liquid E in Reference Example B-1, and then washed with 600 g of purified phenol again as a final washing step. Bisphenol A obtained at this time . The impurity concentration of the phenol crystal adduct was 100 wt ppm as in the reference example, and the melt color was 5APHA.

따라서, 본 실시예에 있어서는, 최종단의 세정 공정에 정제 페놀을 사용했을 뿐이고, 나머지는 모두 공정의 후단측에서 회수된 모액 내지 세정액을 사용한 것이 되고, 정제 페놀의 사용량을 적게하고, 고품위의 비스페놀 A·페놀 결정 부가물, 나아가서는, 고품위 비스페놀 A 를 얻을 수 있다.Therefore, in this Example, only the refined phenol was used for the washing | cleaning process of the last stage, and all the rest used the mother liquid or washing | cleaning liquid collect | recovered at the back-end side of a process, and the usage-amount of refined phenol is reduced, and high quality bisphenol is used. A-phenol crystal adduct, Furthermore, high quality bisphenol A can be obtained.

실시예 B-5(제6 프로세스) Example B-5 (sixth process)

페놀과 아세톤을 산촉매의 존재하에서 반응시켜서 얻어진 반응 생성물에서, 페놀을 유거시킨 후, 얻어진 농축액을 50℃ 에서 정석처리하여 비스페놀 A.페놀 결정 부가물을 20 중량 % 함유하는 결정 부가물 슬러리를 얻었다.In the reaction product obtained by making phenol and acetone react in presence of an acidic catalyst, after distilling a phenol, the obtained concentrate is crystallized at 50 degreeC, and bisphenol A. is carried out . A crystal adduct slurry containing 20 wt% phenol crystal adduct was obtained.

다음에 이 슬러리를 106 ㎛ 의 메쉬를 갖는 여과포를 세트한 여과기에 의하여, 슬러리 온도를 50℃ 로 유지하면서 감압여과한 후, 얻어진 결정 부가물 케이크를 정제 페놀에 의하여 세정했다.Next, the slurry was filtered under reduced pressure while maintaining a slurry temperature at 50 degreeC with the filter which set the filter cloth which has a 106 micrometers mesh, and the obtained crystal addition product cake was wash | cleaned with refined phenol.

이 세정 결정 부가물 중의 100 ㎛ 이하의 미결정 부가물 성분의 비율은 5 중량 % 였다. 이 결정 부가물의 용융색은 10 APHA 이고, 착색 불순물의 농도는 현저하게 낮은 것이었다. 또, 이 결정 부가물에 함유되는 크로만 화합물 (착색성 불순물) 의 농도는 100 wt ppm 이었다.The proportion of the microcrystalline adduct component of 100 µm or less in this washing crystal addition product was 5% by weight. The molten color of this crystal adduct was 10 APHA, and the concentration of colored impurities was remarkably low. Moreover, the density | concentration of the chromman compound (colorable impurity) contained in this crystal adduct was 100 wt ppm.

또, 상기에 있어서, 여과포로서 여러가지 메쉬의 것을 사용한 이외는 동일하게하여, 입경 100 ㎛ 이하의 미결정 부가물 함유율이 여러가지 변화한 결정 부가물을 얻었다. 이 결정부가물에 대해서, 그 용융색의 색상 APHA 및 크로만 화합물의 농도를 측정하고, 그 결과를 표 B-2 에 나타낸다.Moreover, except having used the thing of the various mesh as a filter cloth in the above, the crystal adduct which variously changed the microcrystal addition product content rate of particle size 100 micrometers or less was obtained. About this crystalline adduct, the density | concentration of the hue APHA of a molten color, and a Kroman compound is measured, and the result is shown to Table B-2.

표 B-2Table B-2

실험 번호Experiment number 미결정 부가물 성분의 비율(중량 %)Percentage of microcrystalline adduct component (% by weight) 결정 부가물 성상Crystalline adduct 색상 (APHA)Color (APHA) 크로만 화합물 농도(wt ppm)Chromman Compound Concentration (wt ppm) 123451 2 3 4 5 510203545510203545 10152030401015203040 100110150230400100110150230400

표 B-2에 나타낸 결과에서 알 수 있는 바와같이, 입경 100 ㎛ 이하의 미결정 부가물 성분의 비율이 20 중량 % 이하의 결정부가물은, 색상이 뛰어나고, 또한 착색성 불순물인 크로만 화합물의 농도도 낮은 고품위의 것이다.As can be seen from the results shown in Table B-2, the crystal adduct having a proportion of the microcrystalline adduct component having a particle size of 100 μm or less and 20% by weight or less is excellent in color and has a concentration of a chroman compound which is a coloring impurity. It is of low quality.

C : 비스페놀 A 의 제조C: Preparation of Bisphenol A

실시예 C-1(제1 프로세스) Example C-1 (First Process)

페놀과 아세톤을 산촉매의 존재하에 반응시켜서 얻어지는, 비스페놀 A, 페놀 및 불순물로 이루어진 혼합물을 다단계의 정석 공정에서 처리하므로써 용융색 APHA 5, pH 5.05 의 결정 부가물을 얻었다.A mixture of bisphenol A, phenol and impurities, obtained by reacting phenol and acetone in the presence of an acid catalyst, was treated in a multistage crystallization process to obtain a crystalline adduct of molten color APHA 5, pH 5.05.

다음에 이 결정부가물을 온도 : 130℃, 압력 (절대압) : 1.20atm, 분위기중산소 농도 : 0.0010 vol% 의 조건하에, 외열식 밀폐가열용기를 사용하여 가열용융 하고, 이어서 얻어진 용융물을 배관에 의하여 밀폐형 증발장치로 옮기고, 용융물 온도 : 180℃, 분위기중의 산소 농도 : 0.001 vol% 의 조건에서 증발처리하고, 이어서 스팀을 도입하고, 온도 180℃ 에서 분위기중의 산소 농도 0.0030 wt% 의 조건으로 스트립핑했다.Next, the crystalline adduct was heated and melted using an external heat-sealing heating vessel under conditions of temperature: 130 ° C., pressure (absolute pressure): 1.20 atm, and atmospheric oxygen concentration: 0.0010 vol%. To a closed evaporator, and evaporated at a melt temperature of 180 ° C. and an oxygen concentration of 0.001 vol% in the atmosphere, and then steam was introduced, and at a temperature of 180 ° C. under an oxygen concentration of 0.0030 wt%. Stripped.

이렇게 얻은 비스페놀 A 는, 순도 99.96 중량 % 이상, 프리페놀 함유량 30wt ppm 이하의 것이고, 용융색 APHA 20 의 색상을 나타내는 고품위의 것이었다.The bisphenol A thus obtained had a purity of 99.96% by weight or more and a prephenol content of 30 wt ppm or less, and was of a high quality exhibiting the color of the molten color APHA 20.

비교예 C-1Comparative Example C-1

실시예 C-1 에 있어서는, 결정부가물의 가열용융공정 및 용융물의 증발 및 스트립핑 처리 공정에 있어서의 분위기중의 산소 농도를 0.006 vol% 로 한 이외는 동일하게 하여 실험을 실시했다. 이 경우에는 얻어진 비스페놀 A 는, 용융색 APHA 65 를 나타내고, 순도 99.96 중량 % 이상, 프리페놀함유량 30wt ppm 이하의 것이었다.In Example C-1, experiments were conducted in the same manner except that the oxygen concentration in the atmosphere in the heating and melting step of the crystal addition product and the evaporation and stripping treatment step of the melt were set to 0.006 vol%. In this case, the obtained bisphenol A exhibited a molten color APHA 65 and had a purity of 99.96% by weight or more and a prephenol content of 30 wt ppm or less.

비교예 C-2Comparative Example C-2

실시예 C-1 에 있어서, 별도 조제한 용융색 APHA 10, pH 4.85 의 결정 부가물을 사용한 이외는 동일하게 하여 실험을 실시했다. 이 경우에는, 얻어진 비스페놀 A 는, 용융색 APHA 40 을 나타내고, 순도 99.90 중량 % 이상, 프리 페놀 함유율 50ppm 이하의 것이었다.In Example C-1, the same experiment was conducted except that the separately prepared molten color APHA 10 and pH 4.85 crystal addition product were used. In this case, the obtained bisphenol A exhibited a fused color APHA 40, and had a purity of 99.90% by weight or more and a free phenol content of 50 ppm or less.

비교예 C-3Comparative Example C-3

실시예 C-1 에 있어서, 별도 조제한 용융색 APHA 20, pH 5.05 의 부가물을 사용한 이외는 동일하게 하여 실험을 실시했다. 얻어진 비스페놀 A 는, 용융색 APHA 45 를 표시하고, 순도 99.96 중량 % 이상, 프리페놀 함유량 30 wt ppm 이하의 것이었다.In Example C-1, the same experiment was conducted except that the separately prepared molten color APHA 20 and pH 5.05 adduct were used. Obtained bisphenol A showed the molten color APHA45, and was 99.96 weight% or more in purity, and 30 wt ppm or less of prephenol content.

실시예 C-2Example C-2

실시예 C-1 에 있어서, 결정부가물의 가열 용융공정 및 용융물의 증발 처리 공정에 있어서의 분위기중의 산소 농도를 여러가지 변화시킨 이외는 동일 하게 하여 실험을 실시했다. 그 결과를 표 C-1에 표시한다.In Example C-1, the experiment was carried out in the same manner except that the oxygen concentration in the atmosphere in the heat melting step of the crystal addition product and the evaporation treatment step of the melt were variously changed. The results are shown in Table C-1.

또한 표 C-1에 있어서의 BPA 는, 비스페놀 A 를 표시한다. 실험 번호 6 은 비교예를 나타낸다.In addition, BPA in Table C-1 represents bisphenol A. Experiment number 6 shows a comparative example.

표 C-1TABLE C-1

실험 번호Experiment number 분위중 산소 농도 (vol %)Oxygen concentration in the atmosphere (vol%) 제품 BPAProduct BPA 결정 부가물 용융 공정Crystal Additive Melting Process 증발 공정Evaporation process 증기 스트립핑 공정Steam stripping process BPA 의 색상(APHA)Color of BPA (APHA) BPA 중의 프리 페놀(wt ppm)Free Phenolic (wt ppm) in BPA BPA 의 순도(wt %)Purity of BPA (wt%) 1One 0.00010.0001 좌동Left 0.00020.0002 1010 <30<30 >99.96> 99.96 22 0.00050.0005 좌동Left 0.00100.0010 1010 <30<30 >99.96> 99.96 33 0.00150.0015 좌동Left 0.00400.0040 2525 <30<30 >99.96> 99.96 44 0.00200.0020 좌동Left 0.00400.0040 3030 <30<30 >99.96> 99.96 55 0.0020.002 좌동Left 0.00450.0045 3030 <30<30 >99.96> 99.96 66 0.00300.0030 좌동Left 0.00550.0055 4040 <30<30 >99.96> 99.96

실시예 C-3(제2 의 프로세스) Example C-3 (second process)

페놀과 아세톤을 산촉매의 존재하에서 반응시켜서 얻어지는, 용융색 50 APHA 인 비스페놀 A, 페놀 및 불순물의 혼합물을 다단계에서 정석하여 결정 부가물을 석출시켰다. 이 슬러리 용액을 감압여과하여 고형상 결정 부가물을 얻고, 이것을 후술하는 방법으로 얻은 정제 페놀을 부가물 1 중량부에 대해서 2.5 중량부의 비율로 사용하여 세정했다. 이와같이 하여 얻어진 결정 부가물 (색상: APHA 5∼10, pH 5.05 이하)에 표 C-2에 나타내는 첨가제10 중량 ppm을 첨가하고, 온도 : 150℃, 분위기중 산소농도 : 0.0010 vol%의 조건하에서 용융하고, 이어서 얻어진 용융물을 온도: 175℃, 압력: 10 토르, 분위기중 산소 농도: 0.0010 vol % 의 조건하에서 증발처리하고, 페놀을 실질적으로 완전히 제거하여 비스페놀 A 를 얻었다. 이 경우에, 프리페놀 함유량은 30 wt ppm 이하였다.A mixture of bisphenol A, phenol and impurity, which is a molten color 50 APHA, obtained by reacting phenol and acetone in the presence of an acid catalyst, was crystallized in multiple steps to precipitate a crystal adduct. The slurry solution was filtered under reduced pressure to obtain a solid crystal adduct, and the purified phenol obtained by the method described later was washed at a ratio of 2.5 parts by weight based on 1 part by weight of the adduct. 10 ppm by weight of the additive shown in Table C-2 was added to the crystal adduct obtained as described above (color: APHA 5 to 10, pH 5.05 or less), and melted under the conditions of temperature: 150 ° C and oxygen concentration in the atmosphere: 0.0010 vol%. Subsequently, the obtained melt was evaporated under the conditions of temperature: 175 ° C., pressure: 10 Torr, oxygen concentration in the atmosphere: 0.0010 vol%, and phenol was substantially completely removed to obtain bisphenol A. In this case, the prephenol content was 30 wt ppm or less.

다음에, 이 비스페놀 A 를, 공기분위기하에서 175℃ 에서 0 시간 또는 2시간 가열유지하는 열안정성시험(시험 A) 및 공기를 175℃ 에서 2.0 시간 불어 넣어 가속열안정성시험 (시험 B)를 이용하고, 그 때의 색상을 평가했다. 그 결과를 표 C-2에 표시한다. 또한 실험번호 6 ∼ 12 는 비교예를 표시한다.Next, the bisphenol A was heated and maintained at 175 ° C. for 0 hours or 2 hours under an air atmosphere, and the accelerated thermal stability test (test B) was carried out by blowing air at 175 ° C. for 2.0 hours. Evaluated the color at that time. The results are shown in Table C-2. In addition, experiment numbers 6-12 show a comparative example.

표 C-2Table C-2

또한, 상기에서 사용한 정제 페놀은 용융색 6 APHA 의 것이고, 시판공업용 페놀(수분농도 0.1 wt%, 불순물농도 0.05 wt%)를 롬앤드하스사제조 앰버라이트 IR-118H+ 수지를 사용하여 온도 80℃, 접촉시간 50분에서 접촉처리하고, 증류탑저 온도 175℃, 탑정압력 560 토르에서 증류하여 얻어진 것이다.In addition, the refined phenol used above was of melt color 6 APHA, and commercial phenol (water concentration of 0.1 wt%, impurity concentration of 0.05 wt%) was used at 80 ° C, using Amberlite IR-118H + resin manufactured by Rohm and Haas. It was obtained by contact treatment at a contact time of 50 minutes and by distillation at a distillation column bottom temperature of 175 ° C and a tower static pressure of 560 Torr.

비교예 C-4Comparative Example C-4

실시예 C-3에 있어서, 별도 조제한 용융색 APHA 5 ∼ 10, pH 4.85의 결정 부가물을 사용한 이외는 동일하게 하여 실험을 실시했다. 이 경우에 얻어진 비스페놀 A 의 색상은 표 C-3과 같았다. 또 비스페놀 A 중의 프리페놀은 50 wt ppm 였다.In Example C-3, the same experiment was conducted except that the separately prepared molten color APHA 5 to 10 and pH 4.85 crystalline adduct were used. The color of Bisphenol A obtained in this case was as Table C-3. Moreover, the prephenol in bisphenol A was 50 wt ppm.

표 C-3Table C-3

비교예 C-5Comparative Example C-5

정제 페놀을 증류할때에 증류탑저 온도 200℃ 로 하는 외는 실시예 C-3과 동일하게 하여 비스페놀 A 를 얻었지만, 이것은 175℃ ∼ 0 시간의 시험 A 후의 용융색 APHA 30 을 나타냈다.Bisphenol A was obtained in the same manner as in Example C-3 when the purified phenol was distilled off at a column bottom temperature of 200 ° C., but this showed a molten color APHA 30 after Test A of 175 ° C. to 0 hours.

실시예 C-4(제3 의 프로세스) Example C-4 (Third Process)

페놀과 아세톤을 산촉매의 존재하에서 반응시켜서 얻어지는, 용융색 50 APHA 인 비스페놀 A, 페놀 및 불순물의 혼합물을 다단계로 정석하여 결정부가물 (색상 : APHA 5 ∼ 10, pH 4.85 이하)를 얻었다. 이 결정부가물에 표 C-4에 나타내는 첨가제를 첨가하고, 온도 : 150℃, 분위기중 산소농도 : 0.0010 vol % 의 조건하에서 용융하고, 이어서 얻어진 용융물을 온도 : 175℃, 압력 : 10 토르, 분위기중 산소농도 : 0.0010 vol% 의 조건하에서 증발처리하여, 페놀을 실질적 으로 완전하게 제거하여 비스페놀 A 를 얻었다. 이 경우에, 프리페놀 함유량은 30 wt ppm 이하였다.A mixture of bisphenol A, a phenol and an impurity, which is a molten color 50 APHA, obtained by reacting phenol and acetone in the presence of an acid catalyst, was crystallized in multiple steps to obtain a crystal addition product (color: APHA 5-10, pH 4.85 or less). The additive shown in Table C-4 was added to this crystal addition product, and the resultant melt was melted under the conditions of temperature: 150 ° C. and oxygen concentration in the atmosphere: 0.0010 vol%. The resulting melt was then heated to temperature: 175 ° C., pressure: 10 torr, and atmosphere. Medium oxygen concentration: It was evaporated under the conditions of 0.0010 vol%, and phenol was substantially completely removed to obtain bisphenol A. In this case, the prephenol content was 30 wt ppm or less.

다음에, 이 비스페놀 A를, 공기분위기하에서 175℃ 에서 0 시간 및 175℃ 에서 2 시간 유지하는 열안정성시험 (시험 A) 및 공기를 175℃ 에서 2.5 시간 불어넣는 가속열안정성시험(시험 B)을 이용하여, 그 때의 색상을 평가했다. 그 결과를 표 C-4에 나타낸다. 또한, 실험번호 6 ∼ 9 는 비교예를 나타낸다.Next, the thermal stability test (test A) which hold | maintains this bisphenol A for 0 hours at 175 degreeC, and 2 hours at 175 degreeC under air atmosphere, and the accelerated thermal stability test (test B) which blows air at 175 degreeC for 2.5 hours are performed next. The color at that time was evaluated. The results are shown in Table C-4. In addition, experiment numbers 6-9 show a comparative example.

또한, 표 C-4 에 나타낸 첨가제에 있어서 본 발명에 의한 첨가제 (실험 번호 1 ∼ 5)의 첨가량은 결정부가물 중의 강산성물질의 중화 상당량 (결정부가물에 대해서 약 1 ppm)이고, 비교를 위한 첨가제 (실험번호 6 ∼ 8) 의 첨가량은, 결정 부가물에 대해서 약 20ppm 이다.In addition, in the additive shown in Table C-4, the addition amount of the additive (Experiment Nos. 1 to 5) according to the present invention is the neutralization equivalent amount of the strongly acidic substance in the crystal addition product (about 1 ppm relative to the crystal addition product), for comparison. The amount of the additive (experimental numbers 6 to 8) added is about 20 ppm relative to the crystal adduct.

표 C-4Table C-4

실시예 C-5Example C-5

실시예 C-4에 있어서, 용융색 APHA 5 ∼ 10, pH 4.22 의 결정부가물을 사용한 이외는 동일하게 하여 실험을 실시했다. 그 결과를 표 C-5에 표시한다.In Example C-4, the same experiment was conducted except that the molten color APHA 5 to 10 and pH 4.22 crystal addition product were used. The results are shown in Table C-5.

또한, 표 C-5에 표시한 첨가제에 있어서, 본 발명에 의한 시트르산 마그네슘 및 말산나트륨의 첨가량은, 결정부가물중의 강산성물질의 중화 상당량(결정 부가물에 대해서 약 4 ppm)이고, 비교를 위하여 사용한 시트르산의 첨가량은, 결정 부가물에 대해서 20 ppm 이다.In addition, in the additive shown in Table C-5, the addition amount of magnesium citrate and sodium malate according to the present invention is a neutralization equivalent amount (about 4 ppm relative to the crystal addition product) of the strongly acidic substance in the crystal addition product. The addition amount of citric acid used for this is 20 ppm with respect to a crystal addition product.

표 C-5Table C-5

실시예 C-6(제4 프로세스) Example C-6 (fourth process)

용융장치로서, SUS 304 제의 외부가열식 밀폐용기를 사용하고, 증발장치 로서, SUS 304 제의 스트립핑장치를 사용했다. 용융장치의 상부에 결정 부가물 공급관을 부설하고, 또, 그 저부에는 용융액 배관을 부설하고, 이 용융액 배관을 스트립핑장치의 중간부에 연결했다. 또, 이 스트립핑장치의 상부에는 페놀 증기 배출용 배관을 부설하고, 또 그 저부에는 비스페놀 A 의 용융액 배출용의 배관을 부설했다. 또한, 상기한 배관은 어느 것이나 SUS 304 제였다.As the melting apparatus, an external heating hermetic container made of SUS 304 was used, and a stripping apparatus made of SUS 304 was used as the evaporator. The crystal addition product supply pipe was provided in the upper part of the melter, and the melt pipe was provided in the bottom part, and this melt pipe was connected to the middle part of the stripping apparatus. In addition, a pipe for phenol vapor discharge was provided at the top of the stripping device, and a pipe for discharging the melt of bisphenol A was provided at the bottom thereof. In addition, all of the said piping was made of SUS304.

다음에, 상기와 같이하여 구성된 장치계에 있어서, 그 용융장치의 내벽면, 스트립핑장치의 내벽면, 용융장치와 스트립핑장치와의 사이의 배관, 스트립핑 장치에 부설된 비스페놀 A 용융의 액의 배출용 배관에 대해서 이하와 같이 그 내벽면을 세정했다.Next, in the apparatus system configured as described above, the inner wall surface of the melting apparatus, the inner wall surface of the stripping apparatus, the piping between the melting apparatus and the stripping apparatus, and the liquid of bisphenol A melt attached to the stripping apparatus. The inner wall surface of the piping for discharging of was cleaned as follows.

(1) 용융장치내 벽면의 세정(1) Cleaning the wall inside the melting apparatus

스프레이 노즐을 통해서, 상압하에, 130℃ 의 페놀액을 내벽면에 분사시켜서, 내벽면을 충분히 세정한 후, 150℃ 의 페놀 / 비스페놀 A 혼합액(혼합 중량비 : 65/35)을 분사시켜서 내벽면을 충분히 세정했다.After spraying 130 degreeC phenol liquid to an inner wall surface through a spray nozzle, and fully wash | cleaning an inner wall surface, the inside wall surface is sprayed by spraying 150 degreeC phenol / bisphenol A mixture liquid (mixed weight ratio: 65/35). It fully washed.

(2) 스트립핑장치내벽면의 세정(2) Cleaning the inner wall of the stripping device

상압하에, 130℃의 페놀을 그 장치상부에 부설된 스프레이 노즐에서 흐르게 하고, 장치내 중심부의 세정을 실시한 후, 130℃ 의 페놀, 이어서 150℃ 의 페놀/ 비스페놀 A 혼합물(혼합중량비 = 65/35)에 의하여 장치 벽면이 충분히 젖도록 유통 시켰다. 이어서, 180℃, 10토르의 조건으로 페놀/비스페놀 A 혼합물 (혼합 중량비 = 65/35)을 유통시켰다.Under normal pressure, 130 ° C. phenol was allowed to flow through a spray nozzle attached to the upper part of the device, and after washing the center of the device, 130 ° C. phenol followed by 150 ° C. phenol / bisphenol A mixture (mixed weight ratio = 65/35 ) So that the device wall is sufficiently wetted. The phenol / bisphenol A mixture (mixed weight ratio = 65/35) was then passed through under conditions of 180 ° C. and 10 Torr.

(3) 배관 내벽면의 세정(3) Cleaning the inner wall of the pipe

130℃ 의 페놀을 배관내를 유통시켜서 세정했다. 그때, 관내벽면에 기상이 존재하지 않도록 주의했다.The phenol of 130 degreeC was made to flow through the piping, and it was wash | cleaned. At that time, care was taken not to exist in the interior wall.

또한, 상기의 세정에 의하여, 각 장치 및 배관의 내벽면에 부착하는 산소량은, 내벽면 1m2당 5 밀리몰 이하인 것이 확인되었다.Moreover, it was confirmed by the said washing | cleaning that the amount of oxygen adhering to the inner wall surface of each apparatus and piping is 5 mmol or less per 1 m <2> of inner wall surfaces.

다음에 상기와 같이 하여, 결정 부가물의 용융액 및 비스페놀 A 의 용융액이 접촉하는 장치 및 배관의 내벽면이 미리 산소제거된 장치계를 사용하여, 이하와 같이하여 제조한 정제결정 부가물(용융색 APHA : 5)에서 페놀을 증발 제거하여, 비스페놀 A 를 분리했다.Then, as described above, using a device in which the molten liquid of the crystal additive product and the molten liquid of bisphenol A are in contact with each other, and an apparatus system in which the inner wall surface of the pipe is previously deoxygenated, the purified crystal additive product (molten colored APHA) Phenolic was evaporated and removed in 5), and bisphenol A was isolate | separated.

(결정 부가물의 제조)(Production of Crystal Additives)

페놀과 아세톤을 산촉매의 존재하에서 반응시켜서 얻어지는, 용융색 50 APHA 인 비스페놀 A, 페놀 및 불순물의 혼합물을 정석하여 부가물을 석출시켰다. 이 슬러리 용액을 감압여과하고, 후술하는 방법으로 얻어진 정제 페놀을 부가물 1 중량부에 대해서 2.5 중량부를 사용하여 세정하고, 정제결정 부가물을 얻었다.A mixture of bisphenol A, phenol and impurity, which is a molten color 50 APHA, obtained by reacting phenol and acetone in the presence of an acid catalyst, was crystallized to precipitate an adduct. This slurry solution was filtered under reduced pressure, and the refine | purified phenol obtained by the method mentioned later was wash | cleaned using 2.5 weight part with respect to 1 weight part of addition products, and the refined crystal addition product was obtained.

(정제 페놀의 제조)(Production of Purified Phenol)

상기에서 사용한 정제 페놀은 용융색 6 APHA 의 것이고, 이하와 같이하여 제조했다. 시판공업용 페놀 (수분농도 0.1wt%, 불순물농도 0.05wt%)를 롬 앤드 하스사제조 앰버라이트 IR-118H+ 수지를 사용하여 온도 80℃, 접촉시간 50분 으로 접촉처리하고, 얻어진 처리물을 증류탑저 온도 175℃, 탑정압력 560 토르에서 증류하고, 증류탑정에서 정제페놀을 회수했다.The purified phenol used above was a thing of melt color 6 APHA, and was manufactured as follows. A commercial phenol (water concentration of 0.1 wt%, impurity concentration of 0.05 wt%) was subjected to contact treatment at a temperature of 80 DEG C and a contact time of 50 minutes using Amberlite IR-118H + resin manufactured by Rohm and Haas Co., Ltd. Distillation was carried out at a temperature of 175 ° C and a column top pressure of 560 Torr to recover purified phenol from the column.

(조작 조건)(Operation conditions)

또, 상기에 있어서의 용융장치 및 스트립핑장치의 조작조건은 이하와 같다.Moreover, the operating conditions of the melting apparatus and the stripping apparatus in the above are as follows.

(용융장치)(Melting device)

온도 : 130℃Temperature: 130 ℃

압력 : 상압Pressure: normal pressure

분위기산소농도 : 0.0005 vol%Atmospheric oxygen concentration: 0.0005 vol%

(스트립핑 장치)(Striping device)

온도 : 175℃Temperature: 175 ℃

압력 : 10 토르Pressure: 10 Torr

분위기산소농도분압 : 0.0015 vol%Atmospheric oxygen concentration partial pressure: 0.0015 vol%

비교예 C-6Comparative Example C-6

실시예 C-6 에 있어서, 용융장치, 스트립핑장치 및 배관의 각 내벽을 세정하지 않은 이외는 동일하게 하여 실험을 실시했다.In Example C-6, the same experiment was conducted except that the inner walls of the melting apparatus, the stripping apparatus, and the pipe were not cleaned.

다음에, 상기 실시예 C-6 및 비교예 C-6 에서 얻어진 비스페놀 A 의 175℃ 에 있어서의 용융색을 다음표에 정리하여 표시한다.Next, the molten color at 175 ° C of bisphenol A obtained in Example C-6 and Comparative Example C-6 is collectively displayed in the following table.

표 C-6Table C-6

번호number 비스페놀 A 의 용융색 (APHA)Melt Color of Bisphenol A (APHA) 실시예 C-6비교예 C-6Example C-6 Comparative Example C-6 10801080

실시예 C-7(제5 의 프로세스) Example C-7 (Fifth Process)

결정 부가물 용해장치로서, SUS 316 제의 외부가열식 밀폐용기를 사용하고, 결정부가물 용융액의 증발처리 장치로서, 내부에 SUS 316 제의 충전재를 충전한 SUS 304 제의 2 개의 충전탑을 사용했다.As a crystal adduct dissolving device, an external heating hermetically sealed container made of SUS 316 was used, and two packing towers made of SUS 304 were used as an evaporation treatment apparatus for the crystal adduct melt, in which SUS 316 filler was filled therein. .

용융장치에는, 그 상부에 결정부가물 공급관을 부설하고, 그 저부에 용융액 배관을 부설하고, 이 배관을 제1 충전탑의 중간부에 연결했다. 이 제1 충전탑에는, 그 탑정부에 페놀증기 배출용 배관을 부설하고, 그 저부에 비스페놀 A 와 페놀을 함유하는 용융액 배관을 부설하고, 이 배관을 제2 충전탑의 중간부에 연결했다. 이 제2 충전탑의 탑정부는 페놀, 증기 및 소량의 비스 페놀 A 를 함유하는 혼합증기 배출용 배관을 부설하고, 이 배관은, 이것을 제2 도에 나타낸 냉각 응축장치에 연결시켰다. 또, 이 제2 의 충전탑의 탑 저부에는, 비스페놀 A 배출배관과 증기공급관을 부설했다.In the melting apparatus, a crystal addition product supply pipe was placed at the top thereof, a melt pipe was placed at the bottom thereof, and the pipe was connected to the middle of the first packed column. In this 1st packed tower, the phenol vapor discharge piping was provided in the tower part, the melt pipe containing bisphenol A and phenol was installed in the bottom part, and this piping was connected to the intermediate part of the 2nd packed tower. The top of this second packed column installed a pipe for discharging the mixed vapor containing phenol, steam and a small amount of bisphenol A, which was connected to the cooling condenser shown in FIG. In addition, a bisphenol A discharge pipe and a steam supply pipe were installed at the bottom of the column of the second packed column.

또한, 상기한 제1 충전탑 및 제2 충전탑의 각 저부에는, 가열증기를 유통시키는 가열코일을 배설했다. 또, 상기한 각 배관은 어느 것이나 SUS 316 제의 것이었다.Moreover, the heating coil which distribute | circulates a heating steam was arrange | positioned in each bottom part of said 1st packed tower and a 2nd packed tower. In addition, all the above-mentioned pipings were all made of SUS316.

다음에, 상기와 같이하여 구성된 장치계에 있어서, 그 용융장치의 내벽면, 제1 충전탑 및 제2 충전탑의 내벽면 및 그 충전재표면, 용융장치와 제1 충전탑과의 사이의 배관, 제1 충전탑과 제2 충전탑과의 사이의 배관 및 제2 충전탑의 저부에 배설된 비스페놀 A 배출배관에 대해서, 이하와 같이 하여 부착산소 제거용의 세정처리를 실시했다.Next, in the apparatus system configured as described above, the inner wall surface of the melting apparatus, the inner wall surface of the first filling tower and the second filling tower and the filling material surface thereof, piping between the melting apparatus and the first filling tower, The piping between the first packed column and the second packed column and the bisphenol A discharge pipe disposed at the bottom of the second packed column were washed as follows to remove the adhered oxygen.

(1) 용융장치 내벽면의 세정(1) Cleaning the inner wall of the melting apparatus

스프레이 노즐을 통해서 상압하에 130℃ 의 페놀액을 내벽면에 분사시켜서, 내벽면을 충분히 세정한 후, 150℃ 의 페놀/비스페놀 A 혼합액 (혼합중량비 = 65/35)를 분사시켜서 내벽면을 충분히 세정했다.After spraying 130 degreeC phenol liquid on the inner wall surface under normal pressure through a spray nozzle, and fully wash | cleaning an inner wall surface, it sprays 150 degreeC phenol / bisphenol A mixed liquid (mixed weight ratio = 65/35), and fully wash | cleans an inner wall surface. did.

(2) 충전탑내벽면 및 충전재표면의 세정(2) Cleaning of the inner wall and filling surface of the packed column

상압하에, 130℃의 페놀을, 그 장치의 상부에 부설된 스프레이 노즐에서 유입시켜 장치내의 세정을 실시한 후, 130℃의 페놀, 이어서 150℃ 의 페놀/비스페놀 A 혼합물(혼합중량비 = 65/35)에 의하여 장치벽면 및 충전재표면이 충분히 젖도록 유통시켰다. 이어서 180℃, 10 토르의 조건으로 페놀/비스페놀 A 혼합물 (혼합중량비 = 65/35)를 유통시켰다.Under normal pressure, 130 ° C. phenol was introduced into a spray nozzle installed at the top of the device, followed by washing in the device, followed by 130 ° C. phenol followed by 150 ° C. phenol / bisphenol A mixture (mixed weight ratio = 65/35). The device wall and the filler surface were circulated sufficiently to get wet. The phenol / bisphenol A mixture (mixed weight ratio = 65/35) was then passed through under conditions of 180 ° C. and 10 Torr.

(3) 배관내벽면의 세정(3) Cleaning the inner wall of pipe

130 ℃ 의 페놀을 배관내를 유통시켜서 세정했다. 그 때, 관내벽면에 기상이 존재하지 않도록 주의했다.The phenol at 130 ° C. was passed through the pipe and washed. At that time, care was taken not to exist in the gas phase wall surface.

또한, 상기의 세정에 의하여, 용융장치내벽면, 충전탑내 벽면과 그 충전재 표면 및 배관의 내벽면에 부착하는 산소량은, 표면적 1m2당 5 밀리몰 이하로 확인되었다.In addition, by the above cleaning, the amount of oxygen adhering to the inner wall surface of the melting apparatus, the inner wall surface of the packed column and its filler, and the inner wall surface of the pipe was found to be 5 mmol or less per 1 m 2 of surface area.

다음에, 결정부가물의 용융액 및 비스페놀 A 의 용융액이 접촉하는 용융장치, 충전탑, 충전재 및 배관의 표면이 미리 산소제거된 상기 장치계를 사용 하여, 이하와 같이하여 제조한 정제 결정부가물 (용융색 APHA : 5)에서 페놀을 증발제거하여, 비스페놀 A 를 분리회수하는 동시에, 제2 충전탑의 탑정에서 얻어지는 혼합증기의 냉각응축처리를 실시했다.Next, using the above-mentioned apparatus system in which the surface of the melting apparatus, the packed column, the filler, and the pipe which the molten liquid of the crystal additive adduct and the molten liquid of bisphenol A come into contact with each other is previously deoxygenated, Phenolic was evaporated and removed by color APHA: 5), and the bisphenol A was separated and recovered, and cooling condensation treatment of the mixed vapor obtained in the top of the second packed column was performed.

(결정부가물의 제조)(Production of Crystal Additives)

페놀과 아세톤을 산촉매의 존재하에서 반응시켜 얻어지는, 용융색 50 APHA 인 비스페놀 A, 페놀 및 불순물의 혼합물을 정석하여, 결정 부가물을 석출시켰다. 이 슬러리 용액을 감압여과하고, 고형상의 결정부가물을 얻고, 이것을 후술하는 방법으로 얻은 정제 페놀을 부가물 1 중량부에 대해서 2.5 중량부의 비율로 사용하여 세정하고, 정제 결정 부가물을 얻었다.A mixture of bisphenol A, a phenol and an impurity 50 mol of APHA obtained by reacting phenol and acetone in the presence of an acid catalyst was crystallized to precipitate a crystal adduct. The slurry solution was filtered under reduced pressure to obtain a solid crystal adduct. The purified phenol obtained by the method described later was washed at a ratio of 2.5 parts by weight based on 1 part by weight of the adduct, thereby obtaining a purified crystal adduct.

(정제 페놀의 제조)(Production of Purified Phenol)

상기에서 사용한 정제페놀은 용융색 6 APHA 의 것이고, 이하와 같이 하여 제조했다. 시판공업용 페놀 (수분 농도 0.1 wt%, 불순물 농도 0.05 wt%)를 롬 앤드 하스사제조 앰버라이트 IR-118H+ 수지를 사용하여 온도 80℃, 접촉시간 50분으로 접촉처리하고, 얻어진 처리물을 증류탑저 온도 175℃, 탑정압력 560 토르로 증류하고, 증류탑에서 정제페놀을 회수했다.The refined phenol used above was of melt color 6 APHA and was prepared as follows. A commercial phenol (water concentration of 0.1 wt%, impurity concentration of 0.05 wt%) was subjected to contact treatment using a Amberlite IR-118H + resin, manufactured by Rohm and Haas, at a temperature of 80 ° C. and a contact time of 50 minutes, and the resulting product was subjected to a distillation column Distillation was carried out at a temperature of 175 DEG C and a column static pressure of 560 Torr to recover purified phenol from the distillation column.

(조작조건)(Operation conditions)

또 상기에 있어서의 용융장치, 제1 충전탑, 제2 충전탑 및 냉각응축 장치계의 조작조건은 이하와 같다.In addition, the operating conditions of the melting apparatus, the first packed column, the second packed column, and the cooling condenser system in the above are as follows.

(용융장치)(Melting device)

온도 : 130℃Temperature: 130 ℃

압력 : 상압Pressure: normal pressure

분위기중 산소농도 : 0.0005 vol%Oxygen concentration in the atmosphere: 0.0005 vol%

(제1 충전탑)(First charging tower)

온도 : 170℃Temperature: 170 ℃

압력 : 10 토르Pressure: 10 Torr

증기분위기중산소농도 : 0.0015 vol%Oxygen concentration in steam atmosphere: 0.0015 vol%

(제2 충전탑)(Second charging tower)

온도 : 180℃Temperature: 180 ℃

압력 : 10 토르Pressure: 10 Torr

증기공급량 : 용융액 1kg 당 0.08 kgSteam supply: 0.08 kg per kg of melt

증기분위기중산소농도 : 0.0002 vol%Oxygen concentration in steam atmosphere: 0.0002 vol%

(제6 도의 제1 냉각기의 조작조건)(Operation conditions of the first cooler of FIG. 6)

(1) 라인 (3) 에서 제1 냉각기(1)에 도입되는 스트립핑가스(1) stripping gas introduced into the first cooler (1) in line (3)

압력 : 10 토르Pressure: 10 Torr

온도 : 180℃Temperature: 180 ℃

조성 : 비스페놀 A 25 wt%, 페놀 25wt%, 증기 50 wt%Composition: Bisphenol A 25 wt%, Phenol 25wt%, Steam 50 wt%

(2) 라인 (5)에서 도입되는 제1 냉각 매체(페놀)(2) a first cooling medium (phenol) introduced in line (5)

온도 : 50℃Temperature: 50 ℃

냉각매체 / 스트립핑가스 중량비 : 6Cooling medium / stripping gas weight ratio: 6

(3) 냉각기(1)에 있어서의 스트립핑가스로부터의 비스페놀 A 의 회수율 : 100%(3) Recovery rate of bisphenol A from stripping gas in the cooler 1: 100%

(제6 도의 제2 냉각기의 조작조건)(Operation conditions of the second cooler of FIG. 6)

(1) 라인 (8) 에서 제2 냉각기에 도입되는 미응축 가스(1) uncondensed gas introduced into the second cooler in line (8)

압력 : 10 토르Pressure: 10 Torr

온도 : 51℃Temperature: 51 ℃

조성 : 페놀 65 wt%, 증기 35wt%Composition: 65 wt% phenol, 35 wt% steam

(2) 라인 (9)에서 제2 냉각기(2)로 도입되는 제2 냉각매체(페놀수용액)(2) a second cooling medium (phenol aqueous solution) introduced into the second cooler (2) in line (9)

온도 : 9℃Temperature: 9 ℃

냉각매체/미응축가스 중량비 : 190Cooling medium / uncondensed gas weight ratio: 190

(3) 냉각기(2)에 있어서의 미응축가스로부터의 페놀 및 증기의 각 회수율(3) Recovery rate of each phenol and steam from uncondensed gas in the cooler (2)

페놀회수율 : 100 %Phenol Recovery Rate: 100%

증기회수율 : 100 %Steam recovery rate: 100%

실시예 C-8Example C-8

실시예 C-7 에 있어서, 산소제거처리를 각 충전탑의 내벽면 및 충전재의 표면에 대해서만 실시한 이외는 동일하게 하여 실험을 실시했다.In Example C-7, the same experiment was conducted except that the oxygen removal treatment was performed only on the inner wall surface of each packed tower and the surface of the filler.

비교예 C-7Comparative Example C-7

실시예 C-7 에 있어서, 산소제거처리를 전혀 실시하지 않은 이외는 동일하게 하여 실험을 실시했다.In Example C-7, the same experiment was conducted except that no oxygen removal treatment was performed.

비교예 C-8Comparative Example C-8

실시예 C-7 에 있어서, 각 충전탑의 내벽면 및 충전재 표면에 산소 제거 처리를 하지않은 충전탑을 사용한 이외는 동일하게 하여 실험을 실시했다.In Example C-7, experiments were carried out in the same manner as in the case of using the packed column without oxygen removal treatment on the inner wall surface and the filler surface of each packed tower.

이상의 각 실시예 및 비교예에서 얻어진 비스페놀 A 의 175℃ 에서의 용융색을 다음표에 정리하여 표시한다.The molten color at 175 ° C of bisphenol A obtained in each of the above Examples and Comparative Examples is collectively shown in the following table.

표 C-7Table C-7

번호number 비스페놀 A 의 용융색 (APHA)Melt Color of Bisphenol A (APHA) 용융직후Immediately after melting 실시예 C-7실시예 C-8비교예 C-7비교예 C-7Example C-7 Comparative Example C-8 Comparative Example C-7 Comparative Example C-7 10152002001015200200

실시예 C-9(제6 의 프로세스) Example C-9 (sixth process)

페놀과 아세톤을 산촉매의 존재하에서 반응시켜서 얻어진 반응혼합물을 다단계 정석처리하여 얻은 그의 용융색이 APHA 5 인 비스페놀 A·페놀 결정부가물을 정제페놀로 부분희석하고, 130℃ 로 가열하여 비스페놀 A 30 중량 % 를 함유 하는 페놀용액으로 하였다.The reaction mixture obtained by reacting phenol and acetone in the presence of an acid catalyst was subjected to multistage crystallization. Bisphenol A-phenol crystalline adduct whose melt color was APHA 5 was partially diluted with purified phenol, and heated to 130 ° C. to give 30 weight of bisphenol A. It was set as the phenol solution containing%.

이 페놀용액을 원료액으로서 사용하여 제6 도에 표시한 증발장치계를 사용하여 처리하였다.This phenol solution was used as a raw material liquid and processed using the evaporator system shown in FIG.

다음에 제6 도에 표시한 장치계의 주요한 운전조건 및 주요라인을 지나는 액체의 성분조성에 관하여 이하에 표시하였다.Next, the main operating conditions of the apparatus system shown in FIG. 6 and the composition of the liquids passing through the main line are shown below.

(1) 제1 증발기 (1)(1) first evaporator (1)

(i) 외부히터온도 : 170℃(i) External heater temperature: 170 ℃

(ii) 내부압력 : 20토르(ii) Internal pressure: 20 Torr

(2) 제2 증발기 (2)(2) second evaporator (2)

(i) 외부히터온도 : 180℃(i) External heater temperature: 180 ℃

(ii) 내부압력 : 10 토르(ii) Internal pressure: 10 Torr

(3) 제3 증발기 (3)(3) third evaporator (3)

(i) 외부히터온도 : 180℃(i) External heater temperature: 180 ℃

(ii) 내부압력 : 10 토르(ii) Internal pressure: 10 Torr

(4) 라인 (12) 를 지나는 비스페놀 A 중의(4) in bisphenol A passing through line (12)

페놀함유율 : 2.7 중량 %Phenolic content: 2.7 weight%

(5) 라인 (16)을 지나는 비스페놀 A(5) bisphenol A passing through line (16)

(i) 페놀함유율 : 23wt ppm(i) Phenol content: 23wt ppm

(ii) 용융색 : APHA 20(ii) Melt color: APHA 20

(6) 라인 (15) 를 지나는 증기공급량 : 라인 (14) 를 지나는 비스페놀 A 1 중량부당 0.04 중량부(6) Steam feed through line 15: 0.04 parts by weight per 1 part by weight of bisphenol A through line 14

비교예 C-9Comparative Example C-9

제1 증발기 (1)의 운전조건을 190℃, 10토르로한 바, 라인(12)를 지나는 비스페놀 A 중의 페놀함유율은 7 중량 % 까지 밖에 저하하지 않으며, 제1 증발기의 운전은 불안정하였다.When the operating conditions of the first evaporator 1 were 190 ° C and 10 Torr, the phenol content in bisphenol A passing through the line 12 was reduced only to 7% by weight, and the operation of the first evaporator was unstable.

비교예 C-10Comparative Example C-10

제2 증발기 (2) 및 제3 증발기 (3)에 있어서의 각 외부히터 온도를 200℃로 한 바, 라인 (16)을 지나는 제품 비스페놀 A 의 용융색은 APHA 45로 되고 페놀 함유율은 70 ppm 였다.When the temperature of each external heater in the second evaporator 2 and the third evaporator 3 was set to 200 ° C., the molten color of the product bisphenol A passing through the line 16 became APHA 45 and the phenol content was 70 ppm. .

실시예 C-10(제7 의 프로세스) Example C-10 (seventh process)

페놀과 아세톤을 산촉매의 존재하에서 반응시켜서 얻어진 반응혼합물을 다단계 정석처리하여 얻은 실질적으로 중성조건하 (pH 5.05)에 있고, 용융색이 APHA 5 인 비스페놀 A·페놀 결정부가물을 정제페놀로 부분희석하여 130℃ 로 가열하여 비스페놀 A 30중량% 를 함유하는 페놀 용액으로 하였다.Bisphenol A-phenol crystalline adducts having a melt color of APHA 5 and partially diluted with purified phenol under substantially neutral conditions (pH 5.05) obtained by multi-step crystallization of the reaction mixture obtained by reacting phenol and acetone in the presence of an acid catalyst. It heated to 130 degreeC and made it the phenol solution containing 30 weight% of bisphenol A.

이 페놀 용액을 원료액으로서 사용하고 제6 도에 표시한 증발 장치계를 사용하여 처리하였다.This phenol solution was used as a raw material liquid, and it processed using the evaporator system shown in FIG.

다음에 제6 도에 표시한 장치계의 주요한 운전조건 및 주요라인을 지나는 액체의 성분조성에 관하여 이하에 표시하였다.Next, the main operating conditions of the apparatus system shown in FIG. 6 and the composition of the liquids passing through the main line are shown below.

(1) 제1 증발기 (1)(1) first evaporator (1)

(i) 외부히터온도 : 170℃(i) External heater temperature: 170 ℃

(ii) 내부압력 : 20 토르(ii) Internal pressure: 20 Torr

(iii) 분위기중 산소농도 : 0.0010 vol%(iii) Oxygen concentration in the atmosphere: 0.0010 vol%

(2) 제2 증발기 (2)(2) second evaporator (2)

(i) 외부히터온도 : 180℃(i) External heater temperature: 180 ℃

(ii) 내부압력 : 10 토르(ii) Internal pressure: 10 Torr

(iii) 분위기중 산소농도 : 0.0030 vol%(iii) Oxygen concentration in the atmosphere: 0.0030 vol%

(3) 제3 증발기 (3)(3) third evaporator (3)

(i) 외부히터온도 : 180℃(i) External heater temperature: 180 ℃

(ii) 내부압력 : 10 토르(ii) Internal pressure: 10 Torr

(iii) 분위기중 산소농도 : 0.0030 vol%(iii) Oxygen concentration in the atmosphere: 0.0030 vol%

(4) 라인 (16) 을 지나는 비스페놀 A(4) bisphenol A via line (16)

(i) 페놀함유율 : 29 wt ppm(i) Phenol content: 29 wt ppm

(ii) 용융색 : APHA 15(ii) Melt color: APHA 15

(5) 라인 (15) 를 지나는 증기 공급량 : 라인 (14)를 지나는 1 중량부의 비스페놀 A 에 대해 0.04 중량부(5) Steam feed through line 15: 0.04 parts by weight relative to 1 part by weight of bisphenol A through line 14

실시예 C-11Example C-11

실시예 C-10 에 있어서, 원료로서의 비스페놀 A 를 함유하는 페놀용액에 표 8에 표시한 첨가제를 20 wt ppm 첨가한 것 이외는 동일하게하여 실험을 하였다. 이 실험에 의해 라인 (16) 을 지나게해서 고순도 비스페놀 A (APHA : 10, 페놀 함유율 : 27 wt ppm)을 얻었다.In Example C-10, the same experiment was conducted except that 20 wt ppm of the additive shown in Table 8 was added to the phenol solution containing bisphenol A as a raw material. This experiment was carried out through the line 16, and high purity bisphenol A (APHA: 10, phenol content: 27 wt ppm) was obtained.

다음에 이 비스페놀 A 를 공기분위기 하에서 175℃ 에서 0시간 또는 2시간 가열유지하는 열안정성 시험(시험 A) 및 공기를 175℃ 에서 2.0 시간 불어넣는 가속열안정성 시험(시험 B)을 이용하여 그 때의 색상을 평가하였다. 그 결과를 표 C-8 에 표시하였다.Next, using the thermal stability test (test A) which keeps this bisphenol A heated at 175 degreeC for 0 hours or 2 hours in air atmosphere, and the accelerated thermal stability test (test B) which blows air at 175 degreeC for 2.0 hours, The color of was evaluated. The results are shown in Table C-8.

표 C-8Table C-8

실시예 C-12Example C-12

페놀과 아세톤을 산촉매의 존재하에서 반응시켜서 얻어지는 용융색 50 APHA 인 비스페놀 A, 페놀 및 불순물의 혼합물을 다단계로 정석하여 결정부가물을 석출시켰다. 이 슬러리 용액을 감압여과하여 고형상 결정부가물을 얻고, 이것을 후술하는 방법으로 얻은 정제페놀을 부가물 1 중량부에 대하여 2.5 중량부의 비율로 사용하여 세정하여 결정부가물 (색상 : APHA 5 ∼ 10, pH 5.05 이하)를 얻었다.A mixture of bisphenol A, a phenol and an impurity of molten color 50 APHA obtained by reacting phenol and acetone in the presence of an acid catalyst was crystallized in multiple steps to precipitate a crystal adduct. The slurry solution was filtered under reduced pressure to obtain a solid crystal adduct. The purified phenol obtained by the method described below was washed at a ratio of 2.5 parts by weight based on 1 part by weight of the adduct, and then the crystal adduct (color: APHA 5 to 10). , pH 5.05 or less).

다음에 이 결정 부가물 1 중량부에 정제페놀 1 중량부를 가하여 130℃ 에서 용융하고, 이어서 얻어진 용융물 (pH 5.05)를 실시예 C-1와 동일하게 하여 증발 처리하여 고순도 비스페놀 A (순도 99.96 wt%)를 얻었다. 이 비스페놀 A의 페놀 함유율은 30 wt ppm 이하이며, 또 그의 용융색은 15APHA 이었다.Next, 1 part by weight of purified phenol was added to 1 part by weight of this crystal adduct, and the resultant was melted at 130 ° C., and then the obtained melt (pH 5.05) was evaporated in the same manner as in Example C-1 to obtain high-purity bisphenol A (purity 99.96 wt%). ) The phenol content of this bisphenol A was 30 wt ppm or less, and the melt color was 15 APHA.

또한 상기에서 사용한 정제 페놀은 용융색 6 APHA 의 것이며, 시판 공업용 페놀 (수분농도 0.1 wt%, 불순물농도 0.05wt%)를 롬 앤드 하스사제조 앰버라이트 IR-118 H + 수지를 사용하여 온도 80℃, 접촉시간 50분에서 접촉 처리하고, 증류탑저 온도 175℃, 탑정압력 560 토르로 증류하여 얻어진 것이다.In addition, the refined phenols used above were of melt color 6 APHA, and commercially available industrial phenols (water concentration of 0.1 wt%, impurity concentration of 0.05 wt%) were used at 80 ° C using Amberlite IR-118H + resin manufactured by Rohm and Haas And contact treatment at 50 minutes of contact time, followed by distillation at a distillation column bottom temperature of 175 ° C and a tower static pressure of 560 Torr.

실시예 C-13Example C-13

제7 도에 표시한 계통도에 따라서 스트립핑가스의 연속적 응축처리를 하였다. 이 경우의 제1 냉각기 (1) 및 제2 냉각기 (2)의 조작조건을 이하에 표시하였다.Continuous condensation of the stripping gas was carried out according to the system diagram shown in FIG. The operating conditions of the 1st cooler 1 and the 2nd cooler 2 in this case are shown below.

(제1 냉각기의 조작조건)(Operation condition of the first cooler)

(1) 라인 (23)으로부터 제1 냉각기(21)에 도입되는 스트립핑가스(1) stripping gas introduced into the first cooler 21 from the line 23

압력 : 10 토르Pressure: 10 Torr

온도 : 180℃Temperature: 180 ℃

조성 : 비스페놀 A 25 wt%, 페놀 25wt%, 증기 50 wt%Composition: Bisphenol A 25 wt%, Phenol 25wt%, Steam 50 wt%

(2) 라인 (25)로부터 도입되는 제1 냉각매체(페놀)(2) a first cooling medium (phenol) introduced from line 25

온도 : 50℃Temperature: 50 ℃

냉각매체/스트립핑가스중량비 : 6Cooling medium / stripping gas weight ratio: 6

(3) 냉각기(21)에 있어서의 스트립핑가스로부터의 비스페놀 A 의 회수율 : 100%(3) Recovery rate of bisphenol A from the stripping gas in the cooler 21: 100%

(제2 냉각기의 조작조건)(Operation condition of the second cooler)

(1) 라인 (28)로부터 제2 냉각기(22)에 도입되는 미응축가스(1) uncondensed gas introduced from the line 28 to the second cooler 22

압력 : 10 토르Pressure: 10 Torr

온도 : 51℃Temperature: 51 ℃

조성 : 페놀 65wt%, 증기 35wt%Composition: Phenolic 65wt%, Vapor 35wt%

(2) 라인 (29)로부터 제2 냉각기 (22)에 도입되는 제2 냉각매체 (페놀 수용액)(2) a second cooling medium (phenolic aqueous solution) introduced from the line 29 to the second cooler 22

온도 : 9℃Temperature: 9 ℃

냉각매체 / 미응축가스중량비 : 190Cooling medium / uncondensed gas weight ratio: 190

(3) 냉각기 (21)에 있어서의 미응축가스로부터의 페놀 및 증기의 각 회수율(3) Recovery rates of phenol and steam from uncondensed gas in the cooler 21

페놀 회수율 : 100%Phenol Recovery: 100%

증기 회수율 : 100%Steam recovery rate: 100%

본 발명의 방법으로, 고품위 결정 부가물을 고효율로 제조할 수 있고, 정석탑에서 결정 부가물을 석출시킴에 있어 미결정 부가물 함유율이 낮은 고품위 결정 부가물을 석출시킬 수 있고, 결정 부가물로부터 그것에 함유되는 페놀을 증발제거하여 비스페놀 A 를 제조함에 있어, 색상이 뛰어나고, 용융물의 착색이 없는 고품위의 비스페놀 A 를 얻을 있고, 결정 부가물로부터 그것에 함유되는 페놀을 증발제거하여 비스페놀 A 를 제조할 때에 그 증발에 있어서의 가열에 의한 비스페놀 A 의 착색을 방지할 수 있다. 또한, 페놀 함유 비스페놀 A 를 스트립핑 처리할 때에 얻어지는 스트립핑 가스를 고체상의 비스페놀 A 및 페놀을 석출시키지 않고 응축시킬 수 있다.By the method of the present invention, it is possible to produce high quality crystal adducts with high efficiency, and to precipitate high quality crystal adducts having a low content of microcrystalline adducts in depositing crystal adducts in a crystal column, In preparing bisphenol A by evaporating off the phenol contained therein, a high-quality bisphenol A having excellent color and no coloration of the melt is obtained, and when the bisphenol A is produced by evaporating off the phenol contained therefrom from the crystal adduct. Coloring of bisphenol A by heating in evaporation can be prevented. In addition, the stripping gas obtained when stripping the phenol-containing bisphenol A can be condensed without depositing the solid bisphenol A and phenol.

Claims (3)

페놀과 비스페놀과의 혼합 용융액을 30 토르 이하의 저압조건으로 증기 스트립핑 처리할 때에 얻어지는 페놀화합물, 비스페놀 A 및 증기를 함유하는 스티립핑 가스를 응축처리하는 방법에 있어서, 이 스트립핑 가스를 30 토르 이하의 저압력 조건하에서와 증기를 기체로 유지하고, 페놀화합물의 일부를 액체로 유지하는 온도조건하에서, 페놀 또는 비스페놀 A 를 함유하는 페놀로 이루어진 제1 냉각매체와 향류 접촉시켜서, 이 스트립핑가스에 함유되는 비스페놀 A의 실질적인 전량과 페놀의 일부를 응축시키는 동시에, 미응축의 증기와 페놀의 혼합 가스를 얻는 제1 냉각공정과, 이 제1 냉각공정에서 얻어진 상기 혼합가스를 30 토르 이하의 저압력 조건하에서와 이 혼합가스의 실질적 전량을 응축시키는 온도 조건하에서, 페놀의 수용액으로 이루어진 제2 냉각 매체와 향류 접촉시켜서, 이 혼합가스의 실질적 전량을 응축시키는 제2 냉각공정으로 이루어지는 스트립핑 가스의 응축처리방법.A method of condensing a stiffening gas containing a phenolic compound, bisphenol A, and steam obtained by steam stripping a mixed melt of phenol and bisphenol under a low pressure of 30 Torr or less, wherein the stripping gas is 30 torr. The stripping gas is brought into countercurrent contact with a first cooling medium made of phenol or a phenol containing bisphenol A under the following low pressure conditions and under temperature conditions in which the vapor is maintained as a gas and a portion of the phenolic compound is maintained as a liquid. The first cooling step of condensing substantially the entire amount of bisphenol A and a part of the phenol contained in the same, and obtaining a mixed gas of uncondensed steam and phenol, and the mixed gas obtained in this first cooling step is 30 Torr or less. A second solution consisting of an aqueous solution of phenol under pressure conditions and under temperature conditions condensing substantially the entire amount of the mixed gas Each medium is brought into contact with counter-current, condensing treatment of the stripping gas comprising a second cooling step for condensing a substantial amount of the mixed gas. 제 1 항에 있어서, 제2 냉각공정에서 얻어진 혼합가스의 응축액의 일부를 제2 냉각 매체로서 사용하는 방법.The method according to claim 1, wherein a part of the condensate of the mixed gas obtained in the second cooling step is used as the second cooling medium. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 제1 냉각공정에 있어서의 냉각 온도가 42 ∼ 90℃ 인 방법.The method of Claim 1 or 2 whose cooling temperature in a 1st cooling process is 42-90 degreeC.
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