KR0177229B1 - Method for patterning a sacrificial layer of the projection system - Google Patents

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KR0177229B1 KR1019950052088A KR19950052088A KR0177229B1 KR 0177229 B1 KR0177229 B1 KR 0177229B1 KR 1019950052088 A KR1019950052088 A KR 1019950052088A KR 19950052088 A KR19950052088 A KR 19950052088A KR 0177229 B1 KR0177229 B1 KR 0177229B1
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Abstract

본 발명은 광로 조절 장치의 희생층을 소정 형상으로 패터닝시키기 위한 방법에 관한 것으로 그 방법은 복수개의 패드가 형성된 구동 기판상에 보호층, 스톱층 및 희생층을 순차적으로 형성시키는 단계와, 상기 희생층상에 형성된 감광층을 패터닝시키는 단계와, 상기 감광층의 패턴을 통하여 노출된 상기 희생층의 일부를 건식 식각 공정 및 습식 식각 공정에 의하여 제거하는 단계로 이루어지며 이에 의해서 희생층을 원하는 선폭 크기 및 형상으로 형성시킬 수 있을 뿐만 아니라 스톱층이 식각되어서 패드를 보호하기 위한 보호층이 화학적 손상을 받는 것을 방지시킬 수 있다.The present invention relates to a method for patterning a sacrificial layer of an optical path control device into a predetermined shape, the method comprising the steps of sequentially forming a protective layer, a stop layer and a sacrificial layer on a driving substrate on which a plurality of pads are formed; Patterning the photosensitive layer formed on the layer, and removing a portion of the sacrificial layer exposed through the pattern of the photosensitive layer by a dry etching process and a wet etching process. Not only can it be formed into a shape, but the stop layer can be etched to prevent the protective layer for protecting the pad from chemical damage.

Description

광로 조절 장치의 희생층 패턴 형성 방법Method of forming a sacrificial layer pattern of the optical path control device

제1도는 종래 실시예에 따른 건식 식각 공정에 의하여 형성된 희생층의 패턴을 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a pattern of a sacrificial layer formed by a dry etching process according to a conventional embodiment.

제2도는 습식 식각 공정에 의하여 형성된 희생층의 패턴을 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view showing a pattern of a sacrificial layer formed by a wet etching process.

제3도는 본 발명에 따른 식각 공정에 의하여 형성된 희생층의 패턴을 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view showing a pattern of a sacrificial layer formed by an etching process according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

31 : 보호층 32 : 스톱층31: protective layer 32: stop layer

33 : 희생층 34 : 감광층33: sacrificial layer 34: photosensitive layer

본 발명은 광로 조절 장치의 희생층 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 특히 희생층의 패턴 형성시 스톱층의 화학적 손상에 의하여 보호층이 불산 용액으로부터 화학적 손상을 받는 것을 방지시키기 위한 광로 조절 장치의 희생층 패턴 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a sacrificial layer pattern of an optical path control device, and in particular, a sacrificial layer of an optical path control device for preventing a protective layer from being chemically damaged from a hydrofluoric acid solution by chemical damage of a stop layer when forming a pattern of a sacrificial layer. It relates to a pattern formation method.

일반적으로, 평판 디스플레이 장치는 무게, 부피, 전력 소모가 튼 CRT를 대체하기 위한 평판 표시 장치로서, 투사형 디스플레이와 직시형 디스플레이로 구분되며 또한 이러한 디스플레이 장치는 PDP, EL, LED, FED 등의 방출형 디스플레이 장치와 LCD, ECD, DMD, AMA, GLV 등의 비방출형 디스플레이 장치로 구분된다.In general, a flat panel display device is a flat panel display device to replace a CRT having a high weight, volume, and power consumption. The flat display device is classified into a projection display and a direct view display. It is divided into display devices and non-emission display devices such as LCD, ECD, DMD, AMA, and GLV.

이때, 상기 AMA(actuated mirror array)는 광로 조절 장치에 사용되는 소자로서, 전자-광학적 비선형 특성을 향상시키기 이하여 능동 소자를 사용하는 능동 행렬 구동 방식(active matrix addrssing)에 의하여 구동되며 화소 단위의트랜지스터와 지지대에 의하여 지지되는 변형부의 압전 효과에 의하여 빛의 광로를 조절시킨다.In this case, the actuated mirror array (AMA) is an element used in an optical path control device, and is driven by an active matrix addrssing using an active element to improve electro-optical nonlinear characteristics, The optical path of the light is controlled by the piezoelectric effect of the deformation part supported by the transistor and the support.

한편, 상기된 바와 같은 광로 조절 장치의 AMA는, 제1도에 도시되어 잇는 바와 같이, 구동 기판상에 화소 단위로 배열된 패드(11)를 보호하기 위한 보호층(12)과, 상기 보호층(12)이 불산 용액으로부터 화학적 손상을 받는 것을 방지시키기 위한 스톱층(13)과 상기 스톱층(13)상에 형성되는 희생층(14)을 포함하고 있다.On the other hand, the AMA of the optical path control apparatus as described above, as shown in Figure 1, the protective layer 12 for protecting the pad 11 arranged in units of pixels on the drive substrate, and the protective layer (12) includes a stop layer 13 for preventing chemical damage from the hydrofluoric acid solution and a sacrificial layer 14 formed on the stop layer 13.

여기에서, 상기 희생층(14)을 CMP 공정에 의하여 평탄화시킨 후 그의 상부에 형성된 감광층(15)의 패턴을 이용하여 상기 희생층(14)을 건식 식각 공정에 의하여 패터닝시킬 때 상기 패드(11)상에 형성된 상기 희생층(14)의 적층 두께(b)와 상기 패드(11)사이에 형성된 상기 희생층(14)의 적층 두께(a) 차이에 의하여 상기 스톱층(13)이 식각에 의한 손상을 받게 되며 이에 의해서 화살표로 표시된 바와 같이 상기 보호층(12)이 화학적 손상을 받게 된다.Here, when the sacrificial layer 14 is planarized by a CMP process and the sacrificial layer 14 is patterned by a dry etching process using a pattern of the photosensitive layer 15 formed thereon, the pad 11 The stop layer 13 is etched due to the difference in the stacking thickness b of the sacrificial layer 14 formed on the pad layer 11 and the stacking thickness a of the sacrificial layer 14 formed between the pad 11. Damage is thereby caused to cause the protective layer 12 to be chemically damaged as indicated by the arrow.

또한, 제2도에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 희생층(14)을 습식 식각 공정에 의하여 소정 형상으로 패터닝시킬 때 상기 습식 식각 공정의 등방성 식각 특성에 의하여 상기 감광층(15)에 의한 오버 행 구조가 형성되며 이에 의해서 상기 희생층(14)은 원하는 선폭 크기 및 형상으로 형성되지 않는다는 문제점이 발생된다.In addition, as shown in FIG. 2, when the sacrificial layer 14 is patterned into a predetermined shape by a wet etching process, the isotropic etching characteristic of the wet etching process causes an overhang by the photosensitive layer 15. A structure is formed, thereby causing the problem that the sacrificial layer 14 is not formed in a desired line width size and shape.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소시키기 위하여 안출된 것으로 그 목적은 희생층을 소정 형상으로 패터닝시킬 때 상기 희생층을 원하는 선폭 크기 및 형상으로 형성시킬 수 있을 뿐만 아니라 스톱층이 식각되어서 패드를 보호하기 위한 보호층이 화학적 손상을 받는 것을 방지시키기 위한 광로 조절 장치의 패턴 형성 방법을 제공하는 데 있다.The present invention has been made in order to solve the above-described conventional problems, and its object is to not only form the sacrificial layer in a desired line width and shape when patterning the sacrificial layer to a predetermined shape, but also to stop the pad by etching the stop layer. It is to provide a pattern forming method of the optical path control device for preventing the protective layer for protecting the chemical damage.

본 발명에 따르면 상기의 목적은 복수개의 패드가 형성된 구동 기판상에 보호층, 스톱층 및 희생층을 순차적으로 형성시키는 단계와, 상기 희생층상에 형성된 감광층을 패터닝시키는 단계와, 상기 감광층의 패턴을 통하여 노출된 상기 희생층의 일부를 건식 식각 공정 및 습식 식각 공정에 의하여 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 패턴 형성 방법에 의해서 달성된다.According to the present invention, the object is to sequentially form a protective layer, a stop layer and a sacrificial layer on a driving substrate on which a plurality of pads are formed, patterning a photosensitive layer formed on the sacrificial layer, and A portion of the sacrificial layer exposed through the pattern is removed by a dry etching process and a wet etching process.

본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 건식 식각 공정에 의하여 상기 희생층의 일부가 부분적으로 제거되고 상기 습식 식각 공정에 의하여 상기 스톱층의 일부가 노출되는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, a part of the sacrificial layer is partially removed by the dry etching process, and a part of the stop layer is exposed by the wet etching process.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제3도는 본 발명에 따라서 패터닝되는 희생층을 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a sacrificial layer patterned in accordance with the present invention.

즉, 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 희생층 패턴 형성 방법은 복수개의 패드(11)가 형성된 구동 기판상에 보호층(31), 스톱층(32) 및 희생층(33)을 순차적으로 형성시키는 단계와, 상기 희생층(34)상에 형성된 감광층(34)을 패터닝시키는 단계와, 상기 감광층(34)의 패턴을 통하여 노출된 상기 희생층(33)의 일부를 건식 식각 공정 및 습식 식각 공정에 의하여 제거하는 단계로 이루어진다.That is, in the method for forming a sacrificial layer pattern of the optical path control apparatus according to the present invention, the protective layer 31, the stop layer 32, and the sacrificial layer 33 are sequentially formed on the driving substrate on which the plurality of pads 11 are formed. Patterning the photosensitive layer 34 formed on the sacrificial layer 34, dry etching and wet etching a part of the sacrificial layer 33 exposed through the pattern of the photosensitive layer 34. It is a step of removing by the process.

먼저, 전기적 접점 단자로 작용하는 패드(11)는 도시되어 있지 않은 제어 시스템과 전기적으로 연결되어 있는 복수개의 트랜지스터를 내장하고 있는 상기 구동 기판의 표면상에 메트릭스 구조로 형성되어 있다.First, the pad 11 serving as an electrical contact terminal is formed in a matrix structure on the surface of the drive substrate in which a plurality of transistors are electrically connected with a control system not shown.

이때, 상기 구동 기판의 패드(11)상에 화학 기상 증착 공정(CVD) 또는 급가열 공정(rapid thermal process)에 의하여 절연 물질을 소정 두게로 적층시킴으로서 상기 패드를 보호하기 위한 보호층(31)을 형성시킨다.In this case, a protective layer 31 for protecting the pad is formed by depositing an insulating material on a pad 11 of the driving substrate in a predetermined thickness by a chemical vapor deposition process (CVD) or a rapid thermal process. To form.

여기에서, 상기 절연 물질은 상기 구동 기판상에 형성된 패드(11)가 상호간에 전기적으로 도통되는 것을 방지시키기 위한 절연 특성을 나타낼 수 있을 뿐만 아니라 상기 패드(11)의 표면 보호 특성을 나타내는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the insulating material not only exhibits insulating properties for preventing the pads 11 formed on the driving substrate from electrically conducting with each other, but also exhibits surface protection characteristics of the pads 11. .

한편, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 절연 물질은 광로 조절 장치의 AMA의 스텝 커버리지(step coverage)를 양호하게 유지시킬 수 있도록 약 350℃ 내지 450℃의 고온에서 양호한 유동 특성을 나타내고 인이 상대적으로 많이 함유된 산화 실리콘(PSG:phosphosilic ateglass)으로 구성된다.On the other hand, according to a preferred embodiment of the present invention, the insulating material exhibits good flow characteristics at a high temperature of about 350 ℃ to 450 ℃ to maintain a good step coverage of the AMA of the optical path control device It is composed of relatively high content of silicon oxide (PSG: phosphosilic ateglass).

한편, 상기 보호층(31)상에 불산 용액에 대한 내식성이 양호한 절연 물질을 저압 화학 기상 증착 공정(LPCVD) 또는 플라즈마 화학 기상 증착 공정(PECVD)에 의하여 소정 두께로 적층시킴으로서 스톱층(32)을 형성시킨다.Meanwhile, the stop layer 32 is deposited on the protective layer 31 by depositing an insulating material having good corrosion resistance to the hydrofluoric acid solution to a predetermined thickness by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) or plasma chemical vapor deposition (PECVD). To form.

이때, 본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 스톱층(32)을 구성하는 절연 물질은 양호한 절연 특성을 나타낼 수 있을 뿐만 아니라 상기된 바와 같이 불산(HF) 용액에 대한 내식성이 양호한 실리콘 질화물(Si3N4) 조성으로 이루어진다.At this time, according to an embodiment of the present invention, the insulating material constituting the stop layer 32 may not only exhibit good insulating properties but also have good corrosion resistance to hydrofluoric acid (HF) solution as described above. 3 N 4 ) composition.

한편, 상기 스톱층(32)상에 상기된 바와 같이 인이 함유된 실리콘 산화물 즉 포스포 실리게이트 글라스(PSG) 또는 다결정 실리콘을 스핀 온 코팅 공정(spin-on coating)과 같은 물리 기상 증착 공정(PVD) 또는 화학 기상 증착 공정(CVD)에 의하여 소정 두께로 적층시킴으로서 희생층(33)을 형성시킨다.On the other hand, as described above on the stop layer 32, a physical vapor deposition process such as spin-on coating of silicon oxide containing phosphorus, that is, phosphosilicon glass (PSG) or polycrystalline silicon ( The sacrificial layer 33 is formed by laminating to a predetermined thickness by PVD) or chemical vapor deposition process (CVD).

또한, 상기 희생층(33)상에 포토 레지스트(PR)를 스핀 코팅 공정에 의하여 소정 두께로 도포시켜서 감광층(34)을 형성시킨 후 상기 감광층(34)을 노광 및 현상시키는 포토 리쏘그래피 공정에 의하여 소정 형상으로 패터닝시킨다.In addition, a photolithography process of forming a photoresist layer 34 by applying a photoresist PR on the sacrificial layer 33 to a predetermined thickness by a spin coating process, and then exposing and developing the photoresist layer 34. By patterning to a predetermined shape.

이때, 상기 감광층(34)의 패턴을 통하여 노출된 상기 희생층(33)의 일부는 건식 식각 공정 및 습식 식각 공정에 의하여 제거되며 그 결과 상기 스톱층(32)의일부를 노출시킨다.In this case, a part of the sacrificial layer 33 exposed through the pattern of the photosensitive layer 34 is removed by a dry etching process and a wet etching process, thereby exposing a part of the stop layer 32.

여기에서, 상기 희생층(33)의 일부는 상기 건식 식각 공정의 이방성 식각 특성에 의하여 제거되어서 제3도에 일점쇄선으로 표시된 바와 같이 상기 스톱층(32)상에 일부를 잔존시킨다.Here, a part of the sacrificial layer 33 is removed by the anisotropic etching characteristic of the dry etching process to leave a part on the stop layer 32 as indicated by a dashed line in FIG.

또한, 상기 스톱층(32)상에 잔존하는 상기 희생층(33)의 일부는 동방성 식각 특성을 나타내는 습식 식각 공정에 의하여 상기 스톱층(32)의 화학적 손상 없이 제거된 후 상기 감광층(35)은 아세톤과 같은 포토 레지스트 제거제에 용해되거나 또는 포토 레지스트 스트립퍼에 용해되어서 제거되며 그 결과 상기 스톱층(32)의 일부가 상기 희생층(33)의 패턴을 통하여 노출된다.In addition, a portion of the sacrificial layer 33 remaining on the stop layer 32 is removed without chemical damage to the stop layer 32 by a wet etching process exhibiting an isotropic etching characteristic. ) Is dissolved in a photoresist remover such as acetone or dissolved in a photoresist stripper, so that a portion of the stop layer 32 is exposed through the pattern of the sacrificial layer 33.

이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명이 속하는 분야의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다.The foregoing is merely illustrative of a preferred embodiment of the present invention and those skilled in the art to which the present invention pertains may make modifications and changes to the present invention without changing the subject matter of the present invention.

따라서, 본 발명에 따르면, 희생층을 건식 식각 공정 및 습식 식각 공정에 의하여 소정 형상으로 패터닝시킴으로서 스톱층의 화학적 손상을 방지시킬 수 있으며 그 결과 보호층은 상호 인접한 패드에 대한 양호한 절연 특성을 나타낸다.Therefore, according to the present invention, by chemically patterning the sacrificial layer into a predetermined shape by a dry etching process and a wet etching process, chemical damage of the stop layer can be prevented, and as a result, the protective layer exhibits good insulating properties for pads adjacent to each other.

Claims (3)

복수개의 패드(11)가 형성된 구동 기판상에 보호층(31), 스톱층(32) 및 희생층(33)을 순차적으로 형성시키는 단계와, 상기 희생층(34)상에 형성된 감광층(34)을 패터닝시키는 단계와, 그리고 상기 감광층(34)의 패턴을 통하여 노출된 상기 희생층(33)의 일부를 건식 식각 공정 및 습식 식각 공정에 의하여 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 희생층 패턴 형성 방법.Sequentially forming the protective layer 31, the stop layer 32, and the sacrificial layer 33 on the driving substrate on which the plurality of pads 11 are formed, and the photosensitive layer 34 formed on the sacrificial layer 34. ) And a portion of the sacrificial layer 33 exposed through the pattern of the photosensitive layer 34 is removed by a dry etching process and a wet etching process. Method of forming a sacrificial layer pattern. 제1항에 있어서, 상기 건식 식각 공정에 의하여 상기 희생층(33)의 일부는 부분적으로 제거되어서 상기 스톱층(32)상에 상기 희생층(33)의 잔부가 잔존하는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 희생층 패턴 형성 방법.The optical path control according to claim 1, wherein a part of the sacrificial layer 33 is partially removed by the dry etching process so that the remainder of the sacrificial layer 33 remains on the stop layer 32. A method of forming a sacrificial layer pattern of a device. 제2항에 있어서, 상기 스톱층(32)상에 잔존하는 상기 희생층(33)의 잔부는 습식 식각 공정에 의하여 제거되며 그 결과 상기 희생층(33)의 패턴을 통하여 상기 스톱층(32)의 일부가 노출되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 희생층 패턴 형성 방법.The method of claim 2, wherein the remainder of the sacrificial layer 33 remaining on the stop layer 32 is removed by a wet etching process, and as a result, the stop layer 32 is formed through the pattern of the sacrificial layer 33. A portion of the sacrificial layer pattern forming method of the optical path control device, characterized in that exposed.
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