KR0166929B1 - Improvement of inner potential of crt - Google Patents

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KR0166929B1
KR0166929B1 KR1019950043310A KR19950043310A KR0166929B1 KR 0166929 B1 KR0166929 B1 KR 0166929B1 KR 1019950043310 A KR1019950043310 A KR 1019950043310A KR 19950043310 A KR19950043310 A KR 19950043310A KR 0166929 B1 KR0166929 B1 KR 0166929B1
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이종환
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구자홍
엘지전자주식회사
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/44Factory adjustment of completed discharge tubes or lamps to comply with desired tolerances
    • H01J9/445Aging of tubes or lamps, e.g. by "spot knocking"

Abstract

본 발명은 음극선관의 내전압 특성 향상방법에 관한 것으로써, 좀더 구체적으로는 전자총을 구성하는 각 전극을 전해 연마한 다음 G2, G3-그라운드방식을 포함하는 노킹(Knocking)공정을 실시하여 음극선관의 내전압 특성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a method for improving the breakdown voltage characteristic of a cathode ray tube, and more specifically, electrolytic polishing of each electrode constituting an electron gun, and then performing a knocking process including a G2 and G3-ground method. It is to improve the withstand voltage characteristics.

이를 위해, 전자총을 구성하는 전극을 전해연마하는 제1공정과, 상기 제1공정을 거친 각 전극을 어셈블리화하는 제2공정과, 상기 제2공정을 거친 전자총을 펀넬의 네크부에 봉지시킨 다음 음극선관의 내부를 배기시키는 제3공정과, 제3공정을 거친 전자총의 고전압전극인 G6전극(6)에 고압을 인가하고 저전압전극인 G1, G2, G4전극(1)(2)(4)은 접지시키며, 나머지 전극은 플로우팅시켜 제1노킹공정을 수행하는 제4단계와, 상기 제4단계를 거친 다음 전극부에 증착된 증착물질을 제거하기 위해 에이징을 실시하는 제5단계와, 상기 제5단계를 거친 전자총의 고전압전극인 G6전극(6)에 고압을 인가하고 중전압전극인 G3, G5-B,C,D(3)(5b)(5c)(5d)은 접지시키며, 나머지 전극은 플로우팅시켜 제2노킹공정을 수행하는 제6단계를 차례로 수행하거나, 제3공정이후에 제2노킹공정을 실시한 다음 에이징공정을 실시하고 제1노킹공정을 수행하도록 된 것이다.To this end, the first step of electropolishing the electrode constituting the electron gun, the second step of assembling each electrode passed through the first step, and the electron gun passed through the second step is sealed in the neck of the funnel A third step of evacuating the inside of the cathode ray tube and a high voltage is applied to the G6 electrode 6, which is the high voltage electrode of the electron gun, which has passed through the third step, and the low voltage electrodes G1, G2, G4 electrodes (1) (2) (4) And grounding the remaining electrodes, and performing a first knocking process by floating the remaining electrodes; and a fifth step of aging to remove the deposition material deposited on the electrode part after the fourth step; The high voltage was applied to the G6 electrode 6, which is the high voltage electrode of the electron gun, which passed through the fifth step, and the middle voltage electrodes G3, G5-B, C, D (3) (5b) (5c) (5d) were grounded, and the remaining electrodes were grounded. To perform the sixth step of performing the second knocking step by floating, or after the third step, After the implementation, the aging process is performed and the first knocking process is performed.

Description

음극선관의 내전압 특성 향상방법How to improve the breakdown voltage characteristics of cathode ray tube

제1도는 전자총의 구성을 나타낸 개략도.1 is a schematic diagram showing the configuration of an electron gun.

제2도는 본 발명의 일 실시예를 나타낸 공정도.2 is a process diagram showing an embodiment of the present invention.

제3도는 본 발명의 다른 실시에를 나타낸 공정도.3 is a process diagram showing another embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : G1전극 2 : G2전극1: G1 electrode 2: G2 electrode

3 : G3전극 4 : G4전극3: G3 electrode 4: G4 electrode

5a : G5-A전극 5b : G5-B전극5a: G5-A electrode 5b: G5-B electrode

5c : G5-C전극 5d : G5-D전극5c: G5-C electrode 5d: G5-D electrode

본 발명은 음극선관의 내전압 특성 향상방법에 관한 것으로써, 좀더 구체적으로는 전자총을 구성하는 G1전극 , G2전극을 전해 연마한 다음 조립한 후 G2, G3-그라운드방식을 포함하는 노킹(koncking)공정을 실시하여 음극선관의 내전압 특성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a method for improving the breakdown voltage characteristic of a cathode ray tube, and more specifically, a knocking process including a G2 and G3-ground method after electrolytic polishing and then assembling the G1 electrode and G2 electrode constituting the electron gun. This is to improve the withstand voltage characteristics of the cathode ray tube.

일반적으로 음극선관은 화상을 얻기 위한 형광면이 도포된 펀넬과, 상기 형광면측으로 전자빔을 방사하여 충돌시키는 전자총이 네크부에 봉입된 펀넬로 구성되어 있다.In general, a cathode ray tube is composed of a funnel coated with a fluorescent surface for obtaining an image, and a funnel in which an electron gun that radiates an electron beam to collide with the fluorescent surface is enclosed in a neck portion.

상기한 음극선관에서 고화질을 얻기 위해서는 전자총 및 형광면에 고압을 인가하는 방법이 통상 실시되고 있다.In order to obtain high quality in the cathode ray tube, a method of applying high pressure to the electron gun and the fluorescent surface is usually practiced.

그러나 전자총 및 형광면에 고압을 인가하는 경우 전자총에 관계하는 방전현상의 증가, 전자총의 전극과 절연부품(비드그라스, 네크부)들과의 사이에서 발생하는 간극 스퍼터(Sputter)및 네크부의 발광을 동반하는 진공파괴발생 등으로 인해 음극선관의 품질이 저하되는 문제점이 발생된다.However, when high pressure is applied to the electron gun and the fluorescent surface, the discharge phenomenon related to the electron gun is increased, and the gap sputter and light emission generated between the electrode of the electron gun and the insulating parts (beadgrass, neck part) are accompanied. There is a problem that the quality of the cathode ray tube is deteriorated due to the occurrence of vacuum breakage.

상기한 문제점을 개선하기 위한 수단으로는 USP4,214,798호에 게재되어 있는 플로우팅 노킹(Floating Knocking)범, USP18,907공보에 게재되어 있는 메탈라이지드비드(Metallized Bead)법 등의 해결수단이 제안되고 있지만, 상기 문제점을 개선하는데는 충분하지 못하였다.As a means for improving the above problems, a solution such as a floating knocking device disclosed in USP 4,214,798 and a metallized bead method disclosed in USP 18,907 is proposed. However, it was not enough to improve the problem.

일반적으로 알려진 음극선관의 제조방법은 조립완료된 전자총을 네크부에 형성된 개구부를 통해 펀넬에 삽입하여 봉지한 다음 배기공정을 실시한 후, 에이징(Aging)공정과 노킹공정을 차례로 실시한다.In general, a method of manufacturing a cathode ray tube is inserted into a funnel through an opening formed in a neck portion and sealed, and then subjected to an exhaust process, followed by an aging process and a knocking process.

상기 공정중 전자총의 각 전극에 고압이 인가될 때 이물질 또는 전극표면의 돌기에서 표유방사(Stray Emission)가 발생되고, 전극 상호간에서 전자충돌을 일으키게 되므로 스퍼터(Sputter)발생의 원인이 되기 때문에 봉지공정을 완료한 시점에서는 음극선관내의 청정도유지, 특히 이물질 등이 음극선관내에 존재하지 않는 것과, 전자총의 전극표면이 평활한 것을 절대적인 필요조건으로 하고 있다.When high pressure is applied to each electrode of the electron gun during the process, stray emission is generated from the foreign matter or the projection of the electrode surface, and electron collision is caused between the electrodes, which causes sputtering. At the completion of the process, it is an absolute requirement that the cleanliness of the cathode ray tube, particularly foreign matter, is not present in the cathode ray tube, and that the electrode surface of the electron gun is smooth.

이런 현상을 완화하기 위해 공정중에 음극선관의 동작전압보다 2∼3배 정도되는 고전압을 단계적으로 인가해서 전극간에 강제적으로 방전이 일어나도록 하여 이물질을 제거하거나, 비산시키는 노킹공정을 실시하게 된다.In order to alleviate this phenomenon, a knocking process is performed to remove or scatter foreign matters by forcibly discharging the electrodes by applying a high voltage, which is two to three times higher than the operating voltage of the cathode ray tube, during the process.

또한 전극표면을 청정화하기 위한 방법으로는 저전압 전극 및 중전압 전극을 접지한 다음 애노드 및 고전압 전극에 통상 사용전압의 수배되는 노킹전압을 직류 도는 펄스로 인가하는 방법이 사용되고 있다.In addition, as a method for cleaning the surface of the electrode, a method of grounding a low voltage electrode and a medium voltage electrode and then applying a knocking voltage, which is a multiple of the normal voltage, to the anode and the high voltage electrode using a direct current pulse.

예를 들어, 유니 포텐셜(Uni-Potential)형의 전자총인 경우 제1그리드전극(이하G1전극이라함) 및 제2그리드전극(이하G2전극이라함)그리고 제4그리드 전극(이하G4전극이라함)을 접지하고, 제3그리드전극(이하G3전극이라함)및 제5그리드전극(이하G5전극이라함)에는 통상 사용전압의 약 2배인 60KV정도의 전압을 인가하여 전극표면을 청정화하게 된다.For example, in the case of a uni-potential electron gun, the first grid electrode (hereinafter referred to as G1 electrode) and the second grid electrode (hereinafter referred to as G2 electrode) and the fourth grid electrode (hereinafter referred to as G4 electrode) ) And the third grid electrode (hereinafter referred to as G3 electrode) and the fifth grid electrode (hereinafter referred to as G5 electrode) are applied with a voltage of about 60 KV, which is about twice the normal voltage, to clean the electrode surface.

선행기술 USP 5,178,570호에서는 분압 노킹방법을 이용하고 있는데, 이는 애노드에 인가된 고압이 포커싱전극인 G3전극, G5전극과 고압전극인 G6전극에 연결된 고저항에 의해 분압되어 노킹현상을 극대화하도록 되어 있으나, 상기한 방법에서 원하는 효과를 얻기 위해서는 적절한 저항선택이 필수적으로 수반되어야 한다.Prior art USP 5,178,570 uses a partial pressure knocking method, in which the high pressure applied to the anode is divided by the high resistance connected to the G3 electrode, the G5 electrode, and the G6 electrode, the focusing electrode, to maximize the knocking phenomenon. In order to achieve the desired effect in the above method, proper resistance selection must be accompanied.

한편, 직접고압을 인가하여 전자총의 전극을 청정화하는 방법이 널리 사용되고 있다.On the other hand, a method of applying a direct high pressure to clean the electrode of the electron gun is widely used.

즉, USP4,406,639호에서는 노킹전에 전극을 미리 청정화시키기 위해 과산화수소용액에 전극을 디핑(Dipping)하여 표면의 돌기 및 이물질을 제거하였다.That is, US Pat. No. 4,406,639 removes protrusions and foreign substances on the surface by dipping the electrode in a hydrogen peroxide solution to clean the electrode before knocking.

한편, 통상 1000℃의 고온에서 동작하는 디스펜서 음극은 산화물 음극보다 바륨증발이 심하여 G1전극, G2전극에 증착되기 쉽고, G1전극, G2전극의 온도가 좁기 때문에 표유방사가 발생하기 쉽게된다.On the other hand, the dispenser cathode, which operates at a high temperature of 1000 ° C., tends to have more barium evaporation than the oxide cathode, and thus is easily deposited on the G1 electrode and G2 electrode, and the stray radiation is likely to occur because the temperature of the G1 electrode and G2 electrode is narrow.

일반적으로 노킹방식은 전자총 전극의 결선방법 및 구조에 따라 차이가 있기 때문에 각 전극의 이물질을 없애거나, 표유방사 문제를 해결하기 위해서는 노킹하고자 하는 적합한 전자총에 적합한 노킹방식을 선택하여야 되었다.In general, the knocking method is different depending on the wiring method and structure of the electron gun electrode. Therefore, in order to remove foreign substances from each electrode or to solve the stray radiation problem, it is necessary to select a knocking method suitable for the electron gun to be knocked.

따라서 전자총을 구성하는 전극이 많거나, 길이가 긴 경우에는 각 전극에 이물질이 존재하여 표유방사의 원인이 될 수 있는 가능성이 더욱 높고, 디스펜서 음극을 구비하는 전자총에 있어서는 바륨증발이 심하고 G1전극, G2전극의 온도가 높아 표유방사에 대단히 불리하기 때문에 노킹방식으로 해결하기 어렵게 된다.Therefore, when there are many electrodes or long lengths of the electron gun, foreign substances are present on each electrode, which is more likely to cause stray radiation.In an electron gun having a dispenser cathode, barium evaporation is severe and G1 electrode, The high temperature of the G2 electrode is very disadvantageous for stray radiation, so it is difficult to solve by the knocking method.

본 발명은 종래의 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로써, 음극선관의 내전압특성을 향상시키기 위해 전자총을 구성하는 G1전극, G2전극을 전해연마한 후 노킹시에는 G2전극-그라운드, G3전극-그라운드방식으로 노킹공정을 실시하여 표유방사를 최소화시키는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve such a problem in the prior art, in order to improve the withstand voltage characteristics of the cathode ray tube, the electrolytic polishing of the G1 electrode, G2 electrode constituting the electron gun when knocking G2 electrode-ground, G3 electrode -It aims to minimize stray radiation by carrying out knocking process by ground method.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 형태에 따르면, 디스펜서 음극에 이웃하는 G1전극, G2전극을 전해 연마하는 제1공정과, 상기 제1공정을 거친 각 전극을 어셈블리화하는 제2공정과, 상기 제2공정을 거친 전자총을 펀넬의 네크부에 봉지시킨 다음 음극선관의 내부를 배기시키는 제3공정과, 상기 제3공정을 거친 전자총의 각 전극에 증착된 증착물질을 제거하기 위해 에이징을 실시하는 제4공정과, 상기 제4공정을 거친 전자총의 고전압전극인 G6전극에 고압을 인가하고 저전압전극인 G1, G2, G4전극을 접지시키며, 나머지 전극은 플로우팅시켜 제1노킹공정을 수행하는 제5공정과, 상기 제5공정을 거친 전자총의 고전압전극인 G6전극에 고압을 인가하고 중전압전극인 G3, G5-B, C, D전극은 접지시키며, 나머지 전극은 플로우팅시켜 제2노킹공정을 수행하는 제6공정을 차례로 구행함을 특징으로 하는 음극선관의 내전압 특성 향상방법이 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, a first step of electropolishing the G1 electrode, G2 electrode adjacent to the dispenser cathode, a second step of assembling each electrode subjected to the first step, and A third step of encapsulating the electron gun subjected to the second step in the neck portion of the funnel and then evacuating the inside of the cathode ray tube, and aging to remove the deposition material deposited on each electrode of the electron gun passed through the third step Applying a high pressure to the G6 electrode which is the high voltage electrode of the electron gun which has undergone the fourth process and the fourth process, grounds the G1, G2 and G4 electrodes which are the low voltage electrodes, and floats the remaining electrodes to perform the first knocking process. Step 5 and applying a high pressure to the G6 electrode of the high voltage electrode of the electron gun that passed through the fifth step, ground the medium voltage electrodes G3, G5-B, C, D electrodes, and float the remaining electrodes to perform the second knocking process. The sixth hole to perform This improves the withstand voltage characteristic of the cathode ray tube characterized in the works, in turn is provided with a sphere.

이하, 본 발명을 일 실시예로 도시한 첨부된 도면 제1도를 참고로 하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings of FIG. 1 as an embodiment.

첨부도면 제1도는 전자총의 구성을 나타낸 개략도로써, 본 발명은 전자총을 구성하는 각 전극의 내전압 특성을 향상시키기 위해 전자총의 서브펜서 음극에 이웃하는 G1전극, G2전극을 전해 연마한 후 전자총을 네크부에 봉지하여 배기한 다음 노킹공정을 수행할 때 고전압전극인 G6전극(6)에 고압을 인가하고, 저전압전극인 G1, G2, G4전극(1)(2)(4)은 접지시키며 나머지 전극은 플로우팅하는 제1노킹공정과, 고전압전극인 G6전극(6)에 고압을 인가하고 중전압전극인 G3, G5-B,C,D전극(3)(5b)(5c)(5d)은 접지시키며 나머지전극은 플로우팅시키는 제2노킹공정을 차례로 수행한다.1 is a schematic view showing the configuration of an electron gun, and the present invention provides a necked electron gun after electropolishing the G1 electrode and G2 electrode adjacent to the sub-penser cathode of the electron gun to improve the breakdown voltage characteristics of each electrode constituting the electron gun. After encapsulation and exhausting, the high voltage is applied to the G6 electrode 6, which is a high voltage electrode, and the G1, G2, G4 electrodes 1, 2, 4, which are low voltage electrodes, are grounded and the remaining electrodes are grounded. A first knocking process in which silver is floated, and a high voltage is applied to the G6 electrode 6, which is a high voltage electrode, and the G3, G5-B, C, D electrodes 3, 5b, 5c, and 5d, which are medium voltage electrodes, are grounded. The second electrode is successively subjected to the second knocking process of floating.

첨부도면 제2도는 본 발명의 일 실시예를 나타낸 공정도로써, 제1공정에서 G1전극, G2전극(1)(2)의 전해 연마를 마운트 어셈블리(Mount Assembling)전에 실시하며, 제2공정에서는 전해 연마된 G1전극,G2전극과 디스펜서 음극 그리고 나머지 전극을 어셈블리화하는 작업을 실시한다.2 is a process diagram showing an embodiment of the present invention, in which the electrolytic polishing of the G1 electrode and the G2 electrode 1, 2 is performed before the mount assembly in the first process, and in the second process, the electrolytic polishing is performed. Assemble the polished G1 electrode, G2 electrode, dispenser cathode and the remaining electrode.

다음으로, 제3공정에서는 조립된 전자총을 펀넬의 네크부(7)에 삽입하여 봉지한 다음 음극선관의 내부에 공기를 외부로 배기시키는 작업을 실시한다.Next, in the third step, the assembled electron gun is inserted into the neck portion 7 of the funnel and sealed, and then the air is exhausted to the outside in the cathode ray tube.

제4공정에서는 전자총의 각 전극에 증착된 증착물질을 제거하기 위해 에이징을 실시한다.In the fourth step, aging is performed to remove the deposition material deposited on each electrode of the electron gun.

제5공정에서는 고전압전극인 G6전극(6)에 65∼80KV의 고압을 인가하고 저전압전극인 G1, G2, G4전극(1)(2)(4)은 접지시키며, 나머지전극은 플로우팅시키는 G2-그라운드방식을 포함하는 제1노킹공정을 실시한다.In the fifth step, a high voltage of 65 to 80 KV is applied to the G6 electrode 6, which is a high voltage electrode, and the G1, G2, and G4 electrodes 1, 2, 4, which are low voltage electrodes, are grounded, and the remaining electrodes are floated. -Carry out the first knocking process including grounding;

제6공정에서는 고전압전극인 G6전극(6)에 65∼85KV의 고압을 인가하고 중전압전극인 G3전극(3), G5-B,C,D전극(5b)(5c)(5d)은 접지시키며, 나머지전극은 플로우팅시키고 G3-그라운드방식을 포함하는 제2노킹공정을 실시한다.In the sixth step, a high voltage of 65 to 85 KV is applied to the G6 electrode 6, which is a high voltage electrode, and the G3 electrodes 3, G5-B, C, D electrodes 5b, 5c, 5d, which are medium voltage electrodes, are grounded. In addition, the remaining electrode is floated and a second knocking process including a G3-ground method is performed.

이와같은 공정으로 수행되는 본 발명을 좀더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Referring to the present invention carried out in such a process in more detail as follows.

제1공정에서는 전자총의 마운트 조립전에 G1전극, G2전극(1)(2)의 전해 연마를 실시한다.In the first step, electrolytic polishing of the G1 electrode and the G2 electrode 1 (2) is performed before assembling the electron gun.

전해 연마를 위한 약품으로는 인산(H2PO4), 황산(H2SO4), 크롬산(CrO3), 순수(H2O)를 적당한 비율로 혼합하여 사용하며, 전원의 (-)단자에 연결되는 전극은 니켈판 또는 스테인페스판을 사용한다.Chemicals for electropolishing use phosphoric acid (H 2 PO 4 ), sulfuric acid (H 2 SO 4 ), chromic acid (CrO 3 ), pure water (H 2 O) in an appropriate ratio, and the negative terminal of the power source. The electrode to be connected uses a nickel plate or a stained plate.

따라서 연마를 하고자 하는 전자총의 전극을 전원의(+)단자에 연결하고 5∼10V의 전압하에서 2∼5분정도 혼합액에 담가 전기분해시킨다.Therefore, the electrode of the electron gun to be polished is connected to the (+) terminal of the power supply and immersed in the mixed solution for about 2 to 5 minutes under a voltage of 5 to 10V for electrolysis.

그후, 전해 연마된 전극을 초음파 물세척, 암모니아 중화, 물세척, 끊는물 세척을 차례로 거친후, 80∼83℃의 항온실에서 20분이상 건조시킨다.Thereafter, the electropolished electrode is subjected to ultrasonic water washing, neutralization of ammonia, water washing, and rinsing off water, and then dried in a constant temperature room at 80 to 83 ° C. for at least 20 minutes.

제2공정에서는 전해 연마된 전자총의 전극표면에 손상을 일으키지 않도록 주의하면서 디스펜서 음극을 포함하여 마운트 어셈블리작업을 실시한다.In the second step, the mount assembly operation is performed including the dispenser cathode while being careful not to damage the electrode surface of the electropolished electron gun.

제3공정에서는 조립된 전자총을 펀넬의 네크부에 삽입하여 봉지한 다음 배기를 실시한다.In the third step, the assembled electron gun is inserted into the neck portion of the funnel to be sealed and then evacuated.

제4공정에서는 디스펜서의 음극온도가 1100∼1200℃에서 70분 미만으로 에이징을 실시한다.In the fourth step, the cathode temperature of the dispenser is aged at 1100 to 1200 ° C. for less than 70 minutes.

이는 음극온도를 상기한 온도이상으로 할 경우에는 음극물질이 산화되기 때문이다.This is because the cathode material is oxidized when the cathode temperature is higher than the above-mentioned temperature.

제5공정의 G2-그라운드 노킹방식을 포함하는 제1노킹공정에서는 저전압전극인 G4, G2, G1전극(4)(2)(1)을 크리닝하는 것이 목적인데, 이때 DC간접 노킹, 인덕션 간접 노킹, 분압 노킹 등을 G2-그라운드 노킹방식과 병행하여 실시하는 것도 가능하다.In the first knocking step including the G2-ground knocking method of the fifth step, the purpose is to clean the low voltage electrodes G4, G2, and G1 electrodes (4) (2) (1), where DC indirect knocking and induction knocking are performed. It is also possible to perform partial pressure knocking in parallel with the G2-ground knocking method.

G2-그라운드 노킹방식에서도 G3-그라운드 노킹방식과 마찬가지로 고압전극인 G6전극(6)에 인가되는 전압은 DC전압이나, 펄스전압을 인가할 수 있게 되며, 고압을 종래보다 5∼10KV가 높은 80KV까지도 인가시킬 수 있게 된다.In the G2-ground knocking method, the voltage applied to the G6 electrode 6, which is a high voltage electrode, can be applied with a DC voltage or a pulse voltage, similar to the G3-ground knocking method. It can be applied.

G2-그라운드 노킹방식은 저전압전극인 G4, G2, G1전극(4)(2)(1)만이 접지되어 있기 때문에 고압이 직접 저전압전극 부근을 강제로 방전시켜 줄수 있게 된다.In the G2-ground knocking method, since only the low voltage electrodes G4, G2, and G1 electrodes 4, 2, and 1 are grounded, a high voltage can directly discharge the vicinity of the low voltage electrode.

또한, G5-A, B, C, D전극(5a)(5b)(5c)(5d)과 G3전극(3)이 플로우팅되어 있기 때문에 유기전압에 의해 전극을 크리닝시켜 줄수 있게 된다.In addition, since the G5-A, B, C, and D electrodes 5a, 5b, 5c, 5d, and G3 electrode 3 are floating, the electrodes can be cleaned by an organic voltage.

제6공정의 G3-그라운드 노킹방식을 포함하는 제2노킹공정에서는 중전압전극인 G5, G3전극(5)(3)을 크리닝시키는 것이 목적인데, 이때 DC직접 노킹, 인덕션 직접 노킹, G3-플로우팅 노킹 등을 G3-그라운드 노킹방식과 병행하여 실시하는 것도 가능하다.In the second knocking step including the G3-ground knocking method of the sixth step, the purpose is to clean the medium voltage electrodes G5 and G3 electrodes 5 and 3, wherein DC direct knocking, induction direct knocking, and G3-floating are performed. It is also possible to carry out knocking in parallel with the G3-ground knocking method.

G3-그라운드 노킹방식에서 고압전극인 G6전극(6)에 인가되는 전압은 DC전압이나, 펄스전압을 인가할 수도 있다.In the G3-ground knocking method, a voltage applied to the G6 electrode 6 which is a high voltage electrode may be a DC voltage or a pulse voltage.

G3-그라운드 노킹방식은 중전압전극인 G5-B,C,D전극(5b)(5c)(5d)과 G3전극(3)만이 접지되어 있기 때문에 고압이 직접 중전압전극 부근을 강제로 방전시켜 줄수 있게 된다.In the G3-ground knocking method, since only the medium voltage electrodes G5-B, C, and D electrodes 5b, 5c, 5d, and G3 electrodes 3 are grounded, a high voltage can directly discharge the vicinity of the medium voltage electrode. Will be.

또한, G5-A, G4, G2전극(5a)(4)(2)은 플로우팅되어 있기 때 유기전압에 의해 노킹현상을 기대할 수 있게 된다.In addition, when the G5-A, G4, and G2 electrodes 5a, 4, and 2 are floating, knocking can be expected due to an induced voltage.

즉, 본 발명의 일 실시예에서는 노킹공정전에 G1전극,G2전극을 전해 연마한 다음 노킹공정에서는 전자총의 각 전극을 구분하여 노킹하므로써, 표유방사를 최대한 억제시킬 수 있게 되는 것이다.That is, in one embodiment of the present invention, electrolytic polishing of the G1 electrode and the G2 electrode before the knocking step, and then knocking each electrode of the electron gun separately in the knocking step, can suppress stray radiation as much as possible.

첨부도면 제3도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 공정도로써, 디스펜서 음극의 에이징공정을 제2노킹공정의 후에 실시한 다음에 제1노킹공정을 실시한 것이다.3 is a process diagram showing another embodiment of the present invention, in which the aging step of the dispenser cathode is performed after the second knocking step and then the first knocking step is performed.

이는 에이징공정시 발생되는 바륨의 증발에 의해 각 전극에 증착되는 현상을 줄임과 동시에 노킹공정에서 전극표면에 달라붙어 있던 증착물질 및 이물질을 최대한 제거하기 위함이다.This is to reduce the phenomenon of deposition on each electrode by the evaporation of barium generated during the aging process, and at the same time to remove the deposition material and foreign matter stuck to the electrode surface in the knocking process as much as possible.

이상에서와 같이 본 발명은 전자총을 음극선관에 봉지하기 전에 G1전극,G2전극을 전해 연마하므로써 노킹시에 네크부(7)의 손상을 주지 않게 되고, 표유방사를 최소화시키게 되므로 디스펜서 음극을 구비하는 전자총의 전극을 청정화시킬 수 있게 된다.As described above, the present invention does not damage the neck portion 7 during knocking by minimizing stray radiation by electrolytically polishing the G1 electrode and the G2 electrode before encapsulating the electron gun in the cathode ray tube. The electrode of the electron gun can be cleaned.

또한, 노킹공정에서 타겟(Target)전극을 접지시키는 G3-그라운드 및 G2전극-그라운드 방식을 포함하는 방법을 사용하므로써 전자총 전극의 구조나 결선에 상관없이 모든 전자총에 적용할 수 있으며, G2계 표유 및 G3계 표유방사를 효과적으로 억제할 수 있기 때문에 디스펜서 음극을 적용하고 있는 전자총 전극의 표유방사에 의한 화상 품질저하를 최소화할 수 있게 되고, 이에 따라 내전압특성의 향상 및 생산성 향상을 기대할 수 있게 된다.In addition, by using a method including a G3-ground and a G2 electrode-ground method of grounding the target electrode in the knocking process, it can be applied to all electron guns regardless of the structure or wiring of the electron gun electrode. Since G3-based stray radiation can be effectively suppressed, it is possible to minimize image degradation due to stray radiation of the electron gun electrode to which the dispenser cathode is applied, thereby improving the withstand voltage characteristics and improving productivity. .

Claims (12)

전자총을 구성하는 G1전극, G2전극을 전해연마하는 제1공정과, 상기 제1공정을 거친 G1전극,G2전극과 디스펜서 음극 그리고 나머지전극을 어셈블리화하는 제2공정과, 상기 제2공정을 거친 전자총을 펀넬의 네크부에 봉지시킨 다음 음극선관의 내부를 배기시키는 제3공정과, 제3공정을 거친 다음 전극부에 증착된 증착물질을 제거하기 위해 에이징을 실시하는 제4공정과, 상기 제4공정을 거친 전자총의 고전압전극인 G6전극에 고압을 인가하고 중전압 전극인 G3, G5-B,C,D전극은 접지시키며, 나머지 전극은 플로우팅시켜 제1노킹공정을 수행하는 제5공정과, 상기 제5공정을 거친 전자총의 고전압전극인 G6전극에 고압을 인가하고 저전압 전극인 G1, G2, G4전극은 접지시키며, 나머지 전극은 플로우팅시켜 제2노킹공정을 수행하는 제6공정을 차례로 수행함을 특징으로 하는 음극선관의 내전압 특성 향상방법.A first step of electropolishing the G1 electrode and the G2 electrode constituting the electron gun, a second step of assembling the G1 electrode, the G2 electrode and the dispenser cathode, and the remaining electrode, which have been subjected to the first step, and the second step A third step of encapsulating the electron gun in the neck portion of the funnel and then evacuating the inside of the cathode ray tube; and a fourth step of aging to remove the deposited material deposited on the electrode part after the third step; A fifth step of applying a high voltage to the G6 electrode, which is the high voltage electrode of the electron gun which has passed through the fourth step, grounds the G3, G5-B, C, and D electrodes, which are the medium voltage electrodes, and performs the first knocking process by floating the remaining electrodes. And applying a high pressure to the G6 electrode, which is the high voltage electrode of the electron gun which has passed the fifth process, grounds the low voltage electrodes G1, G2, and G4 electrodes, and floats the remaining electrodes to perform the second knocking process. Characterized by To improve the breakdown voltage characteristics of a cathode ray tube. 제1항에 있어서, 제1공정에서 전극을 전해연마시 G1전극만을 전해연마함을 특징으로 하는 음극선관의 내전압 특성 향상방법.2. The method of improving the breakdown voltage characteristic of a cathode ray tube according to claim 1, wherein only the G1 electrode is electropolished when electrolytically polishing the electrode in the first step. 제1항에 있어서, 제5공정인 제1노킹공정을 실시할 때 간접 노킹, 인덕션 간접 노킹, 분압 노킹을 병행하여 실시함을 특징으로 하는 음극선관의 내전압 특성 향상방법.The method of improving the withstand voltage characteristic of a cathode ray tube according to claim 1, wherein indirect knocking, induction indirect knocking, and partial pressure knocking are performed in parallel when the first knocking step, which is a fifth step, is performed. 제1항에 있어서, 제6공정인 제2노킹공정을 실시할 때 직접 노킹, 인덕션 직접 노킹, G3-플로우팅 노킹을 병행하여 실시함을 특징으로 하는 음극선관의 내전압 특성 향상방법.2. The method of improving the withstand voltage characteristic of a cathode ray tube according to claim 1, wherein the knocking, induction direct knocking, and G3-floating knocking are performed in parallel when the second knocking step is performed. 제1항에 있어서, 제1공정시 전극에 인가되는 전압은 5∼10V이상, 전류는 3A이하의 조건에서 G1전극, G2전극을 전해질 용액내에 2∼5분동안 정도 담가 전해연마를 실시함을 특징으로 하는 음극선관의 내전압 특성 향상방법.According to claim 1, wherein the electrolytic polishing is performed by immersing the G1 electrode and G2 electrode in the electrolyte solution for about 2 to 5 minutes under the conditions that the voltage applied to the electrode in the first step is 5 ~ 10V or more, the current is 3A or less. A method of improving the breakdown voltage characteristic of a cathode ray tube characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, 제4공정시 디스펜서 음극의 온도가 1100∼1200℃에서 70분 미만으로 에이징을 실시함을 특징으로 하는 음극선관의 내전압 특성 향상방법.The method according to claim 1, wherein the temperature of the dispenser cathode is aged at 1100 to 1200 ° C. for less than 70 minutes in the fourth step. 전자총을 구성하는 G1전극,G2전극을 전해연마하는 제1공정과, 상기 제1공정을 거친 G1전극,G2전극과 디스펜서 음극 그리고 나머지전극을 어셈블리화하는 제2공정과, 상기 제2공정을 거친 전자총을 펀넬의 네크부에 봉지시킨 다음 음극선관의 내부를 배기시키는 제3공정과, 상기 제3공정을 거친 전자총의 고전압전극인 G6전극에 고전을 인가하고 저전압 전극인 G1, G2, G4전극은 접지시키며, 나머지 전극은 플로우팅시켜 제2노킹공정을 수행하는 제4공정과, 제4공정을 거친 다음 전극부에 증착된 증착물질을 제거하기 위해 에이징을 실시하는 제5공정과, 상기 제5공정을 거친 전자총을 고전압전극인 G6전극에 고압을 인가하고 중전압 전극인, G3, G5-B,C,D전극은 접지시키며, 나머지 전극은 플로우팅시켜 제1노킹공정을 수행하는 제6공정을 차례로 수행함을 특징으로 하는 음극선관의 내전압 특성 향상방법.A first step of electropolishing the G1 electrode and the G2 electrode constituting the electron gun, a second step of assembling the G1 electrode, the G2 electrode and the dispenser cathode, and the remaining electrode, which have been subjected to the first step, and the second step A third step of encapsulating the electron gun in the neck portion of the funnel and then evacuating the inside of the cathode ray tube, and applying a high voltage to the G6 electrode, which is the high voltage electrode of the electron gun, passed through the third step, and the low voltage electrodes G1, G2, and G4 electrodes A fifth step of performing a second knocking step by floating the remaining electrodes, and a fifth step of aging to remove the deposition material deposited on the electrode part after the fourth step, and the fifth step. The sixth step of applying a high pressure to the G6 electrode, which is a high voltage electrode, and grounding the G3, G5-B, C, D electrodes, which are the medium voltage electrodes, and floating the remaining electrodes to perform the first knocking process. Characterized in that To improve the breakdown voltage characteristics of a cathode ray tube. 제7항에 있어서, 제1공정에서 전극을 전해연마시 G1전극만을 전해연마함을 특징으로 하는 음극선관의 내전압 특성 향상방법.8. The method of improving the breakdown voltage characteristic of a cathode ray tube according to claim 7, wherein only the G1 electrode is electropolished when electrolytically polishing the electrode in the first step. 제7항에 있어서, 제6공정인 제1노킹공정을 실시할 때 간접 노킹, 인덕션 간접 노킹, 분압 노킹을 병행하여 실시함을 특징으로 하는 음극선관의 내전압 특성 향상방법.8. The method of improving the breakdown voltage characteristic of a cathode ray tube according to claim 7, wherein indirect knocking, induction indirect knocking, and partial pressure knocking are performed in parallel when the first knocking step is performed. 제7항에 있어서, 제4공정인 제2노킹공정을 실시할 때 직접 노킹, 인덕션 직접 노킹, G3-플로우팅 노킹을 병행하여 실시함을 특징으로 하는 음극선관의 내전압 특성 향상방법.8. The method of improving the breakdown voltage characteristic of a cathode ray tube according to claim 7, wherein when the second knocking step, the fourth knocking step, is performed, direct knocking, induction direct knocking, and G3-floating knocking are performed in parallel. 제7항에 있어서, 제1공정시 전극에 인가되는 전압은 5∼10V이상, 전류는 3A이하의 조건에서 G1전극, G2전극을 전해질 용액내에 2∼5분동안 정도 담가 전해연마를 실시함을 특징으로 하는 음극선관의 내전압 특성 향상방법.8. The electrolytic polishing according to claim 7, wherein the G1 electrode and the G2 electrode are immersed in the electrolyte solution for about 2 to 5 minutes under the condition that the voltage applied to the electrode is 5-10V or more and the current is 3A or less. A method of improving the breakdown voltage characteristic of a cathode ray tube characterized by the above-mentioned. 제7항에 있어서, 제5공정시 디스펜서 음극의 온도가 1100∼1200℃에서 70분 미만으로 에이징을 실시함을 특징으로 하는 음극선관의 내전압 특성 향상방법.8. The method of claim 7, wherein the temperature of the dispenser cathode is aged at 70 ° C. for less than 70 minutes at the fifth step.
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