KR0165060B1 - 음극선관의 누설전계 차단구조 - Google Patents

Abstract

본 발명은 음극선관의 누설전계 차단구조에 관한 것으로 특히 브라운관의 제작시 반사방지막의 상층부에 도전테이프를 부착함으로 생기는 접촉저항을 저감시키고 누설전계를 현저히 감소시키며 대전기능을 향상하여 보다 안정적인 브라운관을 제공할수 있도록 한 것으로서, 대전방지막의 상층부에 도전테이프를 방폭밴드와 연결하여 부착하고 그 상층부에 반사방지막을 형성한 것이다.

Description

음극선관의 누설전계 차단구조

제1도는 일반적인 브라운관의 개략도.

제2도는 종래 음극선관의 판넬부 구성도.

제3도는 제2도의 A부 상세도.

제4도는 본 발명 음극선관의 판넬부 구성도.

제5도는 종래와 본발명의 대전특성 비교도.

제6도는 브라운관의 제조공정 순서도로서,

(a)는 종래 구성도.

(b)는 본 발명의 구성도.

제7도는 본 발명의 도전테이프로서,

(a)는 구성 상세도.

(b)는 브라운관에 부착 상태도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

102 : 판넬글라스 103 : 도전테이프

104 : 방폭밴드 106 : 반사방지막

107 : 대전방지막

본 발명은 음극선관의 누설전계 차단구조에 관한 것으로서 특히 음극선관의 제조시 접촉저항을 감소시켜 대전기능을 향상시키고 누설전계량을 줄여줄수 있도록 한 것이다.

일반적으로 음극선관의 구성은 제1도에 도시된 바와 같이 전자총(5)이 넥크부에 구성되는 펀넬(9)과, 상기 전자총(5)으로 부터 발생된 전자빔(11)을 편향시켜주는 편향요크(10)와, 상기 펀넬(9)과 판넬(2)의 결합을 지지해주는 방폭밴드(4)와, 상기 방폭밴드(4)와그라운드부를 연결시켜주는 도전테이프(3)로 구성되었으며, 상기 판넬(2)에는 제2도에 도시된 바와같이 대전기능을 가진 대전방지막(7)과 외부 광 반사의 영향을 최소화하기 위해 반사방지막(6)이 형성되었다.

도면중 미설명부호 1 은 외장혹연이고 12 는 에노드버턴을 나타낸다.

이와같은 종래 음극선관의 제조방법을 살펴보면 제6도의 (a)와 같이 먼저 판넬(2)와 펀넬(9), 전자총(5)이 조립된 완성브라운관을 세록스(Ce02)로 연마한다. 이때 연마를 하는 이유는 글래스의 표면을 활성화 시켜 코팅액의 부착력을 좋게 하기 위해서이다.

그리고 연마한 브라운관을 알콜, 물로 세척한 다음 더운 공기로 건조시킨다. 건조된 브라운관을 예열로에 넣어서 50℃ 정도로 가열하여 브라운관의 표면온도를 높인다음 스핀코팅기를 이용하여 대전방지막(7)을 형성한다. 이때 대전방지막의 저항은 10⁸∼10¹⁰Ω/D 정도이다.

상기와 같이 대전방지막(7)을 형성한 다음 다시 예열로에 넣어서 브라운관표면 온도를 높이고 다시 스핀코팅하여 반사방지막(6)을 형성한다.

이와같이 대전방지막(7)과 반사방지막(6)이 형성된 브라운관을 소성로에 넣어 200℃정도로 구운다음 꺼내고 브라운관의 표면부에 도전성테이프(3)를 부착한다. 이때 도전성테이프는 반사방지막(6)과 방폭밴드(4)에 접속되도록 부착한다.

그러나 이러한 종래기술은 반사방지막(6)의 상층부에 도전테이프(3)가 부착되므로 접촉저항이 커지게 되며 그 이유는 반사방지막의 경우 굴절율이 낮은 절연체를 사용하게 되므로 절연체에 도전테이프를 부착하게 되어 대전기능이 저하되고 접속저항과 콘덴서량에 의해 누설전계의 차단효과가 떨어지게 되며 이로 인하여 제5도에 나타낸바와 같이 대전기능도 함께 떨어지게 되는 문제점이 발생하였다.

특히 근래 인체공학에 대한 관심이 커지면서 누설전계에 대한 규제가 강화되고 있는 실정에서는 대단히 큰 문제로 부각되고 있다. 브라운관에서 누설전계는 편향요크(10)의 코일에는 수평플라이백 펄스가 인가되고 고압발생부로 부터 에노드버턴(12)에 24∼27KV 정도의 고압이 걸리며 이로 인하여 브라운과 앞쪽에 인체에 해로운 전장이 유기되게 되는 문제점이 있었다.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 대전기능을 갖는 대전방지막의 상층부에 도전테이프를 부착하고 난 다음 반사방지막을 형성하도록 구성함으로서, 접촉저항을 현격히 개선시키고 누설전계를 차단하며 대전기능을 개선하여 브라운관의 성능을 향상 시킬수 있도록 하는데 목적이 있다.

이하 본 발명의 구성을 제4도에 의하여 설명한다.

먼저 판넬글라스(102)의 상층부에 전기저항이 10²∼10⁴Ω/D 의 대전방지막(107)을 코팅하고, 그 상층부에 도전테이프(103)을 방폭밴드(104)와 연결하여 부착하며, 그 상층부에 반사방지막(106)을 형성하게 된다.

이때 도전테이프(103)는 미세구멍(108)을 필요에 따라 형성이 가능하다.

본 발명의 제조과정을 제6도의 (b)에 의하여 살펴보면 판넬부와 펀넬부, 전자총이 조립된 완성브라운관을 세록스로 연마한다. 그리고 연마한 브람운관을 종래의 방법으로 세척한 다음 브라운관 표면에 스핀 코팅으로 10¹∼10⁴Ω/D정도의 도전성을 지닌 대전방지막(107)을 형성한다. 그리고 대전방지막(107)을 형성한 다음 도전테이프(103)를 부착하고 그 상층부에 반사방지막을 1층 또는 다층으로 형성한다.

제7도에서는 본 발명 도전테이프(103)를 나타내주고 있다.

이때 도전테이프(103)는 미세기공을 가질수 있으며 미세기공(108)은 졸(Sol)-겔(Gel) 방법일 경우에 특히 필요하다. 도전테이프(103)는 금속류에 수지류를 코팅한것을 사용할 수도 있으며 바로 금속막을 부착할 수도 있다.

따라서 대전방지막(107)의 상층부에 도전테이프(103)를 부착하고 난 다음 반사 방지막(106)을 형성하면 접촉저항이 현격히 개선되어 누설전계를 다음표와 같이 현격히 줄여줄수 있으며 대전기능 또한 제5도와 같이 개선되게 되는 것이다.

이상에서 살펴본 바와같이 본 발명은 음극선관의 제조공정시 도전테이프에 의한 접촉저항을 감소시켜 대전기능을 향상시키고 누설전계량을 줄여줌으로 소비자에게 보다 안정적인 제품을 제공할수 있도록 하는 발명이다.

Claims (2)

1. 판넬과 결합되는 판넬부에서 판넬글라스 상층에 도포되어 대전기능을 갖는 대전 방지막과, 상기 대전방지막 상층부에 방폭밴드와 연결하여 부착하는 도전테이프와, 상기 도전테이프가 부착된 대전방지막 상층부에 형성되는 반사방지막으로 구성된 것을 특징으로 하는 음극선관의 누설전계 차단구조.
2. 제1항에 있어서, 상기 도전테이프에는 미세구멍을 구비한것을 특징으로 하는 음극선관의 누설전계 차단구조.