KR0160382B1 - Gas and power error supply alarm system of semiconductor manufacture - Google Patents
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Abstract
본 발명은 공정을 수행하기 위하여 공급되는 가스량 또는 고주파전력량에 이상이 발생했을 때 이를 감지하여 경보동작을 수행하는 반도체 제조시스템의 가스 및 전력 이상공급 경보장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas and power abnormality supply alarm device of a semiconductor manufacturing system that detects when an abnormality occurs in an amount of gas or a high frequency power supplied to perform a process.
본 발명에 따른 반도체 제조시스템의 가스 및 전력 이상공급 경보장치는, 가스공급원 및 고주파전원으로부터 공정챔버로 공정수행을 위한 반응가스 및 고주파전력을 공급하도록 구성된 반도체 제조시스템에서, 상기 공정챔버로 반응가스를 공급하는 공급라인의 가스흐름량 및 고주파전력 공급량을 검출하는 검출수단, 상기 검출수단에서 검출된 반응가스 및 고주파전력의 공급량을 미리 기준설정된 상한 및 하한레벨과 비교한 후 초과 또는 미만으로 판단되면 그에 따른 판단신호를 출력하는 비교판단수단 및 상기 비교판단수단으로부터 출력되는 판단신호에 따라 경보동작을 하는 경보수단을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.Gas and power abnormality supply alarm device of the semiconductor manufacturing system according to the present invention, in the semiconductor manufacturing system configured to supply the reaction gas and the high frequency power for the process performance from the gas supply source and the high frequency power supply to the process chamber, the reaction gas to the process chamber Detecting means for detecting the gas flow amount and the high frequency power supply of the supply line for supplying the supply, and when the supply amount of the reaction gas and the high frequency power detected by the detection means is determined to be above or below the predetermined upper limit and lower limit level, Comparing means for outputting the determination signal according to the characterized in that it comprises a warning means for the alarm operation in accordance with the determination signal output from the comparison determination means.
본 발명에 의하면, 반도체 제조시스템의 작업성 및 생산성을 극대화시킬 수 있으며, 불량에 따른 자재의 낭비를 막을 수 있어서 그에 해당하는 만큼의 경비절감을 기대할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, it is possible to maximize the workability and productivity of the semiconductor manufacturing system, it is possible to prevent the waste of materials due to defects, there is an effect that can be expected to reduce the cost as much.
Description
제1도는 본 발명에 따른 반도체 제조시스템의 가스 및 전력 이상공급 경보장치의 실시예를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an embodiment of a gas and power abnormality supply alarm device of a semiconductor manufacturing system according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10 : 공정챔버 12 : 가스공급원10: process chamber 12: gas supply source
14 : RF전원 16,17 : 센서14: RF power supply 16, 17: sensor
18 : 전력검출부 20,22,24 : A/D컨버터18: power detector 20, 22, 24: A / D converter
26,28,30 : 디스플레이부 32,34,36 : 비교부26, 28, 30: display unit 32, 34, 36: comparison unit
38,40,42 : 발광부 44 : 부저38, 40, 42: light emitting unit 44: buzzer
46 : 경보부 Q1 내지 Q3 : 트랜지스터46: alarm unit Q1 to Q3: transistor
본 발명은 반도체 제조시스템에 관한 것으로서, 공정을 수행하기 위하여 공급되는 가스량 또는 고주파전력량에 이상공급이 발생했을 때 이를 감지하여 경보동작을 수행하는 반도체 제조시스템의 가스 및 전력 이상공급 경보장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing system, and more particularly, to a gas and power abnormality supply alarm device of a semiconductor manufacturing system which detects when an abnormal supply occurs in an amount of gas or a high frequency power supplied to perform a process. .
통상, 반도체소자를 제조하는 공정챔버는 산화, 식각, 확산, 플라즈마반응 및 이온주입 등의 공정을 수행하기 위하여 별도로 구성되고, 이들 공정챔버로 각각 해당 공정을 수행하기 위한 반응가스가 공급되도록 가스공급시스템이 구성되어 있으며 또 고주파전압을 인가하도록 구성되어 있다.In general, a process chamber for manufacturing a semiconductor device is separately configured to perform processes such as oxidation, etching, diffusion, plasma reaction, and ion implantation, and gas is supplied to supply the reaction gas for performing the corresponding process to each of these process chambers. The system is configured and configured to apply high frequency voltage.
이러한 공정챔버는 호스트컴퓨터의 동작명령에 따라 정해진 공정을 수행하도록 되어 있다. 그러나 이들 설비 특히 건식식각설비는 반응가스 또는 전력이 정상적으로 공급되지 않고 허용된 한계치를 벗어날 때 이를 자체적으로 점검하여 경보동작하는 기능이 제공되지 않고 있다.The process chamber is configured to perform a predetermined process according to an operation command of a host computer. However, these facilities, especially dry etching facilities, are not provided with a function to check and alarm itself when the reaction gas or electric power is not supplied normally and is outside the permitted limits.
이러한 문제점으로 인하여 대형 품질사고가 유발될 수 있으며, 이는 작업자가 공정조건의 설정 오류, 레귤레이터의 압력설정 오류 또는 가스수용용기의 미개봉에 따라서 공정챔버로의 정상적인 가스공급이 이루어지지 않아서 품질사고가 발생될 수 있으며, 또는 설비상의 문제점으로써 유량조절기의 미작동으로 인하여 요구된 양으로 가스가 공급되지 않음에도 공정챔버가 정상적인 가스공급이 이루어지는 것으로 오판하여 가동되는 경우에도 품질사고가 발생될 수 있다.Due to this problem, a large quality accident can be caused, which is caused by the operator's failure to set the process conditions, the regulator's pressure setting error, or the unsealing of the gas container. Or, as a matter of equipment, even if the gas is not supplied in the required amount due to the malfunction of the flow regulator, a quality accident may occur even when the process chamber is misjudged to operate normally.
본 발명자는 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 노력한 결과, 본 발명을 착안하게 되었다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of trying to solve the above-mentioned conventional problem, the present inventors came to mind this invention.
본 발명의 목적은, 반도체소자를 제조하는 설비에 정상적인 가스공급 및 고주파전력공급이 이루어지지 않으면 이를 감지하여 경보동작하는 반도체 제조시스템의 가스 및 전력 이상공급 경보장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a gas and power abnormality supply alarm device of a semiconductor manufacturing system that detects and alarms when a normal gas supply and a high frequency power supply are not provided to a facility for manufacturing a semiconductor device.
본 발명에 따른 반도체 제조시스템의 가스 및 전력 이상공급 경보장치는, 가스공급원 및 고주파전원으로부터 공정챔버로 공정수행을 위한 반응가스 및 고주파전력을 공급하도록 구성된 반도체 제조시스템에 있어서, 상기 공정챔버로 반응가스를 공급하는 공급라인의 가스흐름량 및 고주파전력 공급량을 검출하는 검출수단, 상기 검출수단에서 검출된 반응가스 및 고주파전력의 공급량을 미리 기준설정된 상한 및 하한레벨과 비교한 후 초과 또는 미만으로 판단되면 그에 따른 판단신호를 출력하는 비교판단수단 및 상기 비교판단수단으로부터 출력되는 판단신호에 따라 경보동작을 하는 경보수단을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.The gas and power abnormality supply alarm device of the semiconductor manufacturing system according to the present invention is a semiconductor manufacturing system configured to supply reaction gas and high frequency power for process performance from a gas supply source and a high frequency power source to a process chamber, and react with the process chamber. A detection means for detecting a gas flow amount and a high frequency power supply amount of a supply line for supplying a gas, and a supply amount of the reaction gas and the high frequency power detected by the detection means is compared with a predetermined upper limit and lower limit level and then judged to be above or below Comparing means for outputting the determination signal according to the characterized in that it comprises a warning means for the alarm operation in accordance with the determination signal output from the comparison determination means.
그리고, 상기 검출수단은 상기 공급라인에 설치되어서 가스의 흐르는 양을 센싱하는 가스량센싱수단 및 상기 고주파전원으로부터 상기 공정챔버로 공급되는 전력량을 검출하는 전력량센싱수단을 포함하여 구성될 수 있다.The detecting means may include gas quantity sensing means for sensing the amount of gas flowing in the supply line and power quantity sensing means for detecting the amount of power supplied from the high frequency power source to the process chamber.
그리고, 상기 검출수단에는 상기 가스량센싱수단 및 상기 전력량센싱수단으로부터 출력되는 아날로그신호를 디지탈신호로 변환하는 아날로그/디지탈 컨버터가 각각 더 구성됨이 바람직하다.Preferably, the detecting means further comprises an analog / digital converter for converting the analog signal output from the gas amount sensing means and the power amount sensing means into a digital signal.
그리고, 상기 검출수단으로부터 가스량 또는 고주파 전력량을 검출한 신호가 입력되어서 해당량을 디스플레이하는 디스플레이수단이 더 구성됨이 바람직하다.And, it is preferable that the display means for displaying the corresponding amount by inputting a signal detecting the gas amount or the high frequency power amount from the detection means is preferably configured.
상기 비교판단수단은, 상기 반응가스공급량의 공급 기준범위를 설정하여 상기 검출수단으로부터 입력되는 가스흐름량이 상기 기준범위의 상한 또는 하한을 벗어나면 그에 따른 판단신호를 출력하는 가스량 비교판단수단 및 상기 고주파전력량의 공급 기준범위를 설정하여 상기 검출수단으로부터 입력되는 고주파전력 공급량이 상기 기준범위의 상한 또는 하한을 벗어나면 그에 따른 판단신호를 출력하는 고주파전력량 비교판단수단을 포함하여 구성될 수 있다.The comparison judging means sets a supply reference range of the reaction gas supply amount, and outputs a determination signal according to the gas amount comparison decision means when the gas flow amount input from the detection means deviates from the upper limit or the lower limit of the reference range. It may include a high frequency power amount comparison determination means for setting the power supply reference range of the amount of power and outputs a determination signal according to the high frequency power supply input from the detection means is out of the upper limit or the lower limit of the reference range.
그리고, 상기 비교판단수단으로부터 공급되는 가스량 또는 고주파전력량을 판단하여 기준범위의 상한 또는 하한으로 벗어나면 그에 따라 출력되는 판단신호가 인가되어서 발광하는 상한 또는 하한 발광수단이 더 구성될 수 있다.In addition, the upper limit or lower limit light emitting means for determining the amount of gas or the high frequency power supplied from the comparison determining means and outputting a determination signal which is output according to the upper limit or the lower limit of the reference range may be further configured.
상기 경보수단은, 상기 비교판단수단으로부터 출력되는 판단신호에 의하여 정전압을 스위칭인가하는 스위칭수단, 상기 스위칭수단의 스위칭동작에 따라 인가되는 정전압에 의하여 경보동작하는 경보부로 구성될 수 있다.The alarm means may include a switching means for switching a constant voltage according to a determination signal output from the comparison determining means, and an alarm unit for alarming by a constant voltage applied according to a switching operation of the switching means.
상기 스위칭수단의 스위칭동작에 따라 인가되는 정전압에 의하여 부저음을 출력하는 부저가 더 구성될 수 있다.The buzzer for outputting the buzzer sound by the constant voltage applied according to the switching operation of the switching means may be further configured.
그리고, 상기 경보수단은, 상기 비교판단수단으로부터 출력된 가스 및 고주파전력의 공급량에 대한 판단신호를 노아(NOR) 논리조합하여 경보동작을 하도록 구성될 수 있으며, 구체적으로는 가스 및 고주파전력의 공급량에 대한 판단신호가 입력되는 노아게이트, 상기 노아게이트에서 논리조합되어 출력되는 신호를 증폭시키는 증폭기 및 상기 증폭된 신호레벨에 따라 경보동작하는 경보부를 포함하여 구성될 수 있다.The alarm means may be configured to perform an alarm operation by logically combining the determination signal for the supply amount of the gas and the high frequency power output from the comparison determination means, and specifically, the supply amount of the gas and the high frequency power. And an alarm unit configured to amplify a signal that is logically combined and output from the NOA gate, and an alarm unit configured to alarm according to the amplified signal level.
그리고, 상기 경보수단은, 경보동작을 리세트시키기 위한 리세트 스위치가 포함되어 구성됨이 바람직하다.The alarm means preferably includes a reset switch for resetting the alarm operation.
이하, 본 발명에 따른 반도체 제조시스템의 가스 및 전력 이상공급 경보장치의 바람직한 실시예에 대하여 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a gas and power abnormality supply alarm device of a semiconductor manufacturing system according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제1도를 참조하면, 본 발명의 실시예는 반도체소자를 제조하는 공정챔버(10)로 공정을 위한 복수의 반응가스 즉 O2, CF4와 같은 가스가 공급라인을 통하여 공급되도록 가스공급원(12)이 연결되어 있고, 공정챔버(10)의 동작을 위한 고주파전력(일명 'RF(Radio Frequency)전력'이라 함)을 공급하도록 RF전원(14)이 연결되어 있다.Referring to FIG. 1, an embodiment of the present invention provides a process chamber 10 for manufacturing a semiconductor device, such that a plurality of reaction gases for a process, that is, gases such as O 2 and CF 4 , are supplied through a supply line. 12 is connected, and the RF power source 14 is connected to supply a high frequency power (also referred to as 'RF (Radio Frequency) power') for the operation of the process chamber 10.
그리고, 공급라인에는 공정챔버(10)로 공급되는 반응가스의 양을 센싱하기 위하여 센서(16,17)가 구성되어 있다. 그리고 공정챔버(10)로 공급되는 RF전력은 전력검출부(18)에 의하여 검출되도록 구성되어 있다.In the supply line, sensors 16 and 17 are configured to sense the amount of reaction gas supplied to the process chamber 10. The RF power supplied to the process chamber 10 is configured to be detected by the power detector 18.
공정챔버(10)로 공급되는 각 반응가스 공급량이 각 센서(16,17)에서 센싱되고, 이때 센싱신호는 아날로그/디지탈 컨버터(Analog/Digital Converter:이하 'A/D컨버터'라 함)(20,22)로 입력된다. 전력검출부(18)에서 공정챔버(10)로 공급되는 RF전력량이 센싱되며, 센싱된 신호는 A/D컨버터(24)로 입력되도록 구성되어 있다.Each reaction gas supply amount supplied to the process chamber 10 is sensed by each sensor 16 and 17, and the sensing signal is an analog / digital converter (hereinafter referred to as an 'A / D converter') (20). , 22). The amount of RF power supplied from the power detector 18 to the process chamber 10 is sensed, and the sensed signal is configured to be input to the A / D converter 24.
각 A/D컨버터(20,22,24)는 가스공급량 및 전력량을 센싱한 아날로그신호를 각각 디지탈신호로 변환하여 출력하고, 디지탈신호로 변환된 센싱신호는 각 디스플레이부(26,28,30)로 입력되어서 센싱된 양을 디스플레이하도록 구성되어 있다. 그리고 A/D컨버터(20,22,24)의 출력신호는 비교부(32,34,36)로 입력되도록 구성되어 있으며, 각 비교부(32,34,36)는 입력된 신호가 미리 내부에 설정된 특정 범위내에 속하는가 판단하여 그에 따른 판단신호를 각 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)의 베이스로 인가하도록 구성되어 있다. 그리고, 비교부(32,34,36)에는 발광부(38,40,42)가 각각 연결되어 있어서 비교판단동작을 수행한 후 출력되는 판단신호에 의하여 설정된 범위내로 가스 및 RF전력이 공급되면 발광하도록 구성되어 있다.Each of the A / D converters 20, 22, and 24 converts the analog signal sensing the gas supply amount and the power amount into a digital signal, respectively, and outputs the converted digital signal. The sensing signal converted into the digital signal is displayed in each of the display units 26, 28, and 30. It is configured to display the amount sensed as entered. In addition, the output signals of the A / D converters 20, 22, and 24 are configured to be input to the comparators 32, 34, and 36, and each comparator 32, 34, and 36 has an input signal pre-internally. It is configured to judge whether it is within a specified specific range and apply the determination signal according to the base of each transistor Q1, Q2, Q3. In addition, the light emitters 38, 40, and 42 are connected to the comparators 32, 34, and 36, respectively, and emit light when gas and RF power are supplied within a range set by a determination signal output after performing the comparison determination operation. It is configured to.
그리고, 각 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)의 콜렉터로는 저항(R1,R2,R3)을 통하여 정전압(Vcc)이 인가되도록 구성되어 있고, 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)의 스위칭동작에 따라 부저(44) 또는 경보부(46)로 정전압(Vcc)이 인가되어서 부저음 발생 또는 경보동작을 수행하도록 구성되어 있다.The collectors of the transistors Q1, Q2, and Q3 are configured such that the constant voltage Vcc is applied through the resistors R1, R2, and R3, and the buzzer is switched according to the switching operations of the transistors Q1, Q2, and Q3. A constant voltage Vcc is applied to the 44 or the alarm unit 46 to generate a buzzer sound or perform an alarm operation.
경보부(46)의 경보동작은 작업자가 공정챔버별로 공정을 제어하는 호스트컴퓨터에 디스플레이 메시지를 출력시키거나, 별도의 경보음을 발생시킴으로써 수행될 수 있다.The alarm operation of the alarm unit 46 may be performed by the operator outputting a display message to the host computer that controls the process for each process chamber or by generating a separate alarm sound.
전술한 구성에서 센서(16,17)와 A/D컨버터(20,22,24)가 검출수단으로 구성되어 있고, 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)와 부저(44) 및 경보부(46)가 경보수단으로 구성되어 있다. 그리고, 각 비교부(32,34,36)로부터 출력된 판단신호에 의하여 부저(44) 또는 경보부(46)를 동작시키기 위하여 노아(NOR)게이트와 증폭기가 혼합구성될 수 있다.In the above-described configuration, the sensors 16 and 17 and the A / D converters 20, 22 and 24 are configured as detection means, and the transistors Q1, Q2 and Q3, the buzzer 44 and the alarm unit 46 are alarmed. It consists of means. In addition, the NOR gate and the amplifier may be mixed to operate the buzzer 44 or the alarm unit 46 according to the determination signals output from the comparators 32, 34, and 36.
전술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 실시예의 작용 및 효과에 대하여 설명한다.The operation and effects of the embodiment according to the present invention configured as described above will be described.
일예로서 건식식각을 수행하기 위해서 공정챔버(10)로는 O2220 SCCM과 CF490 SCCM이 공급되고, 이들 가스가 공급되고 나서 공정챔버(10)의 내부는 일정 압력조건으로 설정되며, 압력설정 후 RF전력이 약 300W 정도로 인가된다.For example, in order to perform dry etching, O 2 220 SCCM and CF 4 90 SCCM are supplied to the process chamber 10, and after the gas is supplied, the inside of the process chamber 10 is set to a predetermined pressure condition, and the pressure is set. RF power is applied after about 300W.
이때 공급될 가스 또는 RF전력의 양이 소정범위로 비교부(32,34,36)에 미리 설정되고, 설정된 바에 따라 비교부(32,34,36)에는 공급될 가스 또는 RF전력에 대한 각각 허용범위내의 상한레벨 및 하한레벨이 정해지게 된다.At this time, the amount of gas or RF power to be supplied is preset in the comparison unit 32, 34, and 36 in a predetermined range, and the comparison unit 32, 34 and 36 is allowed for the gas or RF power to be supplied, respectively, as set. The upper limit level and the lower limit level within the range are determined.
따라서, 건식식각 공정을 위한 공정챔버(10)에 O2및 CF4가 공급되면 그 양이 각 센서(16,17)에 의하여 센싱되어 A/D컨버터(20,22)로 입력되고, RF전력이 공급되면 그 양이 전력검출부(18)에 의하여 센싱되어 A/D컨버터(24)로 아날로그신호로써 입력된다. 그러면 각 A/D컨버터(20,22,24)는 입력된 아날로그신호를 디지탈신호로 변환시킨 후, 디스플레이부(26,28,30)로 출력하여 현재 공급되고 있는 반응가스 또는 RF전력의 양을 작업자가 확인할 수 있도록 디스플레이시키고, 또 비교부(32,34,36)로 디지탈신호를 입력한다.Therefore, when O 2 and CF 4 are supplied to the process chamber 10 for the dry etching process, the amounts are sensed by the respective sensors 16 and 17 and input to the A / D converters 20 and 22 , and RF power is supplied. When supplied, the amount is sensed by the power detector 18 and input to the A / D converter 24 as an analog signal. Then, each A / D converter 20, 22, 24 converts the input analog signal into a digital signal, and then outputs to the display units 26, 28, 30 to output the amount of reaction gas or RF power currently supplied. The display is displayed for the operator to check, and the digital signals are input to the comparators 32, 34, and 36.
각 A/D컨버터(20,22,24)로부터 디지탈신호가 입력되면 비교부(32,34,36)는 각각 입력된 신호로써 현재 공급되는 각 가스의 양 및 RF전력의 양을 미리 설정한 범위내인지 확인하게 되고, 그에 따른 판별신호를 출력한다. 만약 현재 공급되는 각 가스의 양 및 RF전력의 양이 설정범위를 초과하거나 미만이면 비교부(32,34,36)는 발광부(38,40,42)로 인가되는 신호를 가변하여 발광부(38,40,42)를 소등시킨다.When digital signals are input from each of the A / D converters 20, 22, and 24, the comparing units 32, 34, and 36 respectively set the amount of each gas and the amount of RF power currently supplied as the input signals. It is checked whether it is inside, and a discrimination signal is output accordingly. If the amount of each gas and the amount of RF power that are currently supplied are above or below the set range, the comparing units 32, 34, and 36 vary the signals applied to the light emitting units 38, 40, and 42, respectively. Turn off 38,40,42).
그리고, 미리 설정된 범위를 초과하거나 미만으로 벗어나면 비교부(32,34,36)는 그에 따른 판단신호를 하이(High)로 하여 각 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)의 베이스로 인가하여 턴온시킨다. 만약 각 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)중 어느 하나라도 턴온되면 부저(44) 및 경보부(46)로 정전압(Vcc)이 인가되므로, 부저(44)는 부저음을 발생시키고 경보부(46)는 설정된 경보동작을 수행한다.When the range exceeds or falls below the preset range, the comparison units 32, 34, and 36 turn the determination signal high to the bases of the transistors Q1, Q2, and Q3, and turn them on. If any one of the transistors Q1, Q2, and Q3 is turned on, the constant voltage Vcc is applied to the buzzer 44 and the alarm unit 46, so that the buzzer 44 generates a buzzer sound and the alarm unit 46 sets the alarm. Perform the action.
즉, 특정 공정, 예를 들어서 건식식각과 같은 공정을 수행하기 위하여 공정챔버를 구동시킬 때 발광, 부저음 발생 또는 기타의 경보동작이 수행되면 작업자는 즉시 공정 이상임을 확인할 수 있고, 그에 따라서 각 반응가스를 공급하는 봄베단을 확인하고 가스공급량 조절을 위해 레귤레이터를 조절하며 RF전원을 점검하여 이상에 대한 적절한 조처를 취할 수 있다.That is, if light emission, buzzer sound or other alarm action is performed when driving the process chamber to perform a specific process, for example, dry etching, the operator can immediately confirm that the process is abnormal, and accordingly, each reaction gas By checking the bomber end supplying the regulator, adjusting the regulator to adjust the gas supply amount, and checking the RF power supply, appropriate action can be taken.
따라서, 작업자가 공정조건의 설정 또는 레귤레이터의 압력설정에 오류를 범하여 정상적으로 가스가 공급되지 않으면 이를 자동으로 감지하여 작업자에게 경보를 전달하므로 공정오류를 방지하여 품질불량을 막을 수 있다. 그리고, 봄베단을 개방시키지 않아서 가스가 공급되지 않을 때도 이와 동일하게 적절한 조치를 취하도록 경보동작이 수행될 수 있다.Therefore, if an operator makes an error in the setting of a process condition or a pressure setting of a regulator and detects that the gas is not normally supplied, the operator automatically detects this and transmits an alarm to the operator, thereby preventing a quality error by preventing a process error. In addition, the alarm operation may be performed to take appropriate measures in the same manner when gas is not supplied because the bombadan is not opened.
그리고, 설비의 문제점으로 인하여 가스가 정상적으로 공급되지 않을 때에도 경보동작이 수행되므로 작업자는 경보에 따라 설비를 점검함으로써 품질불량을 방지할 수 있다.In addition, since the alarm operation is performed even when the gas is not normally supplied due to the problem of the facility, the operator can prevent the quality defect by checking the facility according to the alarm.
따라서, 반도체 제조시스템의 작업성 및 생산성을 극대화시킬 수 있으며, 불량에 따른 자재의 낭비를 막을 수 있어서 그에 해당하는 만큼의 경비절감을 기대할 수 있는 효과가 있다.Therefore, it is possible to maximize the workability and productivity of the semiconductor manufacturing system, it is possible to prevent the waste of materials due to defects, there is an effect that can be expected to reduce the cost as much.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims.
Claims (13)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950049329A KR0160382B1 (en) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | Gas and power error supply alarm system of semiconductor manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019950049329A KR0160382B1 (en) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | Gas and power error supply alarm system of semiconductor manufacture |
Publications (2)
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KR0160382B1 true KR0160382B1 (en) | 1999-02-01 |
Family
ID=19439660
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2000021869A (en) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Tokyo Electron Ltd | Vacuum treating apparatus |
-
1995
- 1995-12-13 KR KR1019950049329A patent/KR0160382B1/en not_active IP Right Cessation
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