KR0158650B1 - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 화소 결함에 의해 발생되는 시인성의 감소를 줄이고, 공정수의 증가없이 광시야각을 향상시킨 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
제1 게이트선에 분지에 의해 연결되어 있는 제2 게이트선으로 이루어진 복수 게이트선, 제1 게이트선의 일부에 형성되어 있는 제1 박막 트랜지스터와 제2 게이트선의 일부에 형성되어 있는 제2 박막 트랜지스터로 이루어진 복수 박막 트랜지스터, 제1 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 제1 화소 전극과 제2 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 제2 화소 전극으로 이루어진 복수 화소 전극, 그리고 제1 화소 전극의 둘레에 형성되어 있는 제1 저장 캐패시터와 제2 화소 전극의 둘레에 형성되어 있는 제2 저장 캐패시터로 이루어진 복수 저장 캐패시터를 포함한다.
Description
제1도는 종래의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 평면도이고,
제2도는 본 발명의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 평면도이다.
본 발명은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세히 말하자면 화소 결함에 의해 발생되는 시인성의 감소를 줄이고, 공정수의 증가없이 광시야각을 향상시킨 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
제1도는 종래의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 평면도이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 제1도에 도시한 바와 같이, 박막 트랜지스터(102) 및 화소 전극(104)이 형성되어 있는 다수의 화소 단위가 행렬의 형태로 형성되어 있으며, 게이트선(106) 및 데이터선(108)이 각각 화소의 행과 화소의 열을 따라 형성되어 있는 컬러 필터 기판, 그리고 그 사이에 봉입되어 있는 액정 물질을 포함하고 있다.
이때, 박막 트랜지스터 기판의 게이트 전극은 게이트선(106)을 통해 게이트 구동 드라이브로부터 게이트 구동 신호를 전달받아 반도체층에 채널을 형성시키고, 이에 따라 데이터 구동 드라이브로부터의 데이터 신호가 상기 데이터선(108)을 통해 소스 전극에 전달되어 반도체층과 드레인 전극을 거쳐 화소 전극(104)에 전달된다.
이와 같은 액정 표시 장치는 대면적화 및 고정세 되어감에 따라 광시야각의 개선이 요구되고 있으며, 시인성의 향상도 필요하게 되었다.
먼저, 광시야각의 문제점을 살펴보면, 사용자가 바라보는 각도에 따라 화상 정보가 다르게 나타나 올바른 화상 정보를 얻을 수 없다는 것이다.
이에 따라, 사진 공정을 이용하고 한 화소에 서로 다른 도메인을 갖도록 배향막을 형성하여 광시야각을 개선시킨 이중 도메인 방법이 제시되었는데, 사진 공정에 의한 비용의 증가와 수율의 감소로 문제점이 있다.
다음, 시인성의 문제점을 살펴보면, 화소 결함으로 인해 사용자가 보는 화상이 제대로 나타나지 않는다는 것이다.
따라서 화면이 대면적 고정세되어 감에 따라 시인성 향상이 더욱 요구되어진다.
그러므로 본 발명의 목적은 이러한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 복수 스토리지 캐패시터와 복수 화소 전극을 형성하여 시인성 향상과 광시야각의 개선을 이룰 수 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판은, 제1 게이트선과 상기 제1 게이트선에 분지에 의해 연결되어 있는 제2 게이트선으로 이루어진 스위칭 신호를 전달하는 복수 게이트선, 상기 제1 게이트선의 일부에 형성되어 있는 제1 박막 트랜지스터와 상기 제2 게이트선의 일부에 형성되어 있는 제2 박막 트랜지스터로 이루어진 스위치 역할을 하는 복수 박막 트랜지스터, 상기 게이트선에 교차되게 형성되어 있으며 상기 복수 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 데이터 신호를 전달하는 데이터선, 상기 제1 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 제1 화소 전극과 상기 제2 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 제2 화소 전극으로 이루어진 복수 화소 전극, 상기 제1 화소 전극의 둘레에 형성되어 있는 제1 저장 캐패시터와 상기 제2 화소 전극의 둘레에 형성되어 있는 제2 저장 캐패시터로 이루어진 복수 저장 캐패시터를 포함하고 있다.
이와 같이, 종래의 하나의 화소 단위를 두 개로 분할하여 복수 화소로 만들어 줌으로써 화소 불량에 따른 시인성 감소를 줄일 수 있다. 왜냐하면 만약 복수의 화소중 어느 한 화소에 불량이 발생하더라도 똑같은 화상 신호값을 갖는 복수의 화소 중 다른 하나의 화소가 동작하기 때문이다.
한편, 종래의 하나의 전압 크기를 갖는 저장 캐패시터에 비해 서로 다른 전압 크기를 갖는 복수의 저장 캐패시터를 갖고 있으므로 광시야각을 개선시킬 수 있다. 왜냐하면 사용자의 보는 각도에 따라 화상 정보가 크게 왜곡되어 보이는 현상을 복수의 저장 캐패시터 용량을 서로 다르게 함으로써 왜곡의 정도를 어느 정도 해소할 수 있기 때문이다.
아하, 첨부한 도면을 참고로 하여, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
제2도는 본 발명의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 평면도이다.
제2도에 도시한 바와 같이, 기판 위에 제1 게이트선(106-1)과 제1 게이트선(106-1)에 분지에 의해 연결되어 있는 제2 게이트선(106-2)이 형성되어 있다. 이러한 제1 게이트선(106-1)과 제2 게이트선(106-2)으로 이루어진 복수 게이트선은 게이트 구동 드라이브(도시하지 않음)로부터 동일한 게이트 신호를 전달 받으므로 만약, 제1 게이트선(106-1)이 단선되더라도 제2 게이트선(106-2)에 의해 게이트 구동 신호가 전달된다.
그리고 제1 게이트선(106-1)의 일부에 형성되어 있는 제1 박막 트랜지스터(102-1)와 제2 게이트선(106-2)의 일부에 형성되어 있는 제2 박막 트랜지스터(102-2)로 이루어진 복수 박막 트랜지스터는 데이터 구동 드라이브(도시하지 않음)로부터 동일한 화상 신호를 전달받아 제1 화소 전극(104-1) 및 제2 화소 전극(104-2)에 이 신호를 전달한다.
그리고, 상기 복수 게이트선에 교차되게 형성되어 있으며 상기 복수 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화상 신호를 전달하는 데이터선(108)은 제1 박막 트랜지스터(102-1)와 제2 박막 트랜지스터(102-2)의 각각의 소스 전극에 연결되어 있다. 이때 소스 전극은 제1 박막 트랜지스터(102-1)와 제2 박막 트랜지스터(102-2)에 각각 별도로 분리하여 형성하지 않고 공통 소스 전극(101)으로 사용하는 것이 좋다.
그리고 제1 박막 트랜지스터(102-1)에 연결되어 있는 제1 화소 전극(104-1)과 상기 제2 박막 트랜지스터(102-2)에 연결되어 있는 제2 화소 전극(104-2)으로 이루어진 복수 화소 전극은 동일한 화상 정보를 담고 있다. 따라서 만약 하나의 화소 전극(104-1)에 불량이 발생하더라도 다른 하나의 화소 전극(104-2)에 의해 어느 정도 시인성을 향상시킬 수 있다.
그리고, 제1 화소 전극(104-1)의 둘레에는 제1 저장 캐패시터(106-1)가 형성되어 있고, 마찬가지로 제2 화소 전극(104-2)의 둘레에는 제2 저장 캐패시터(106-2)가 형성되어 있어서 서로 다른 전압을 갖게하여 광시야각을 개선할 수 있다.
그러므로 본 발명은 화소 결함에 의해 발생되는 시인성의 감소를 줄이고, 공정수의 증가없이 광시야각을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (4)
- 제1 게이트선과 상기 제1 게이트선에 분지에 의해 연결되어 있는 제2 게이트선으로 이루어진 스위칭 신호를 전달하는 복수 게이트선, 상기 제1 게이트선에 일부에 형성되어 있는 제1 박막 트랜지스터와 상기 제2 게이트선에 일부에 형성되어 있는 제2 박막 트랜지스터로 이루어진 스위치 역할을 하는 복수 박막 트랜지스터, 상기 게이트선에 교차되게 형성되어 있으며 상기 복수 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 데이터 신호를 전달하는 데이터선, 상기 제1 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 제1 화소 전극과 상기 제2 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 제2 화소 전극으로 이루어진 복수 화소 전극, 상기 제1 화소 전극의 둘레에 형성되어 있는 제1 저장 캐패시터와 상기 제2 화소 전극의 둘레에 형성되어 있는 제2 저장 캐패시터로 이루어진 복수 저장 캐패시터를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서, 상기 제1 저장 캐패시터와 상기 제2 저장 캐패시터의 용량이 서로 다르게 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서, 상기 복수 게이트선의 상기 제1 게이트선과 상기 제2 게이트선은 서로 평행하게 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서, 상기 복수 저장 캐패시터의 상기 제1 저장 캐패시터 및 상기 제2 저장 캐패시터는 상기 복수 화소 전극의 상기 제1 화소 전극 및 상기 제2 화소 전극의 가장 자리를 따라 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
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| KR1019950044314A KR0158650B1 (ko) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 |
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|---|---|---|---|---|
| KR100920340B1 (ko) * | 2003-01-03 | 2009-10-07 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 박막 트랜지스터 표시판 |
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