KR0158500B1

KR0158500B1 - Far detection circuit of the auto-focus system of a camera

Info

Publication number: KR0158500B1
Application number: KR1019950067552A
Authority: KR
Inventors: 주호걸
Original assignee: 김광호; 삼성전자주식회사
Priority date: 1995-12-29
Filing date: 1995-12-29
Publication date: 1999-03-30
Also published as: KR970048870A

Abstract

본 발명은 카메라 자동 포커스 시스템의 원거리 검출(Far Detection)회로에 관한 것으로, 특히 무신호시에 확실한 무한 판정을 실현시키기 위해 무한 판정 특성을 개선한 카메라 자동 포커스 시스템의 원거리 검출 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a far detection circuit of a camera auto focus system, and more particularly to a far detection circuit of a camera auto focus system having improved indefinite determination characteristics in order to realize a definite infinite determination upon no signal.

이를 위해 본 발명은 전원에 콜렉터가 연결되고 PSD로부터 입력되는 피사체 정보 신호를 베이스 입력으로 하는 제1트랜지스터, 상기 제1트랜지스터의 에미터에 베이스가 연결되고 접지에 콜렉터가 연결되어 에미터로 원거리 검출 신호를 출력하는 제2트랜지스터, 전원에 콜렉터가 연결되고 입력되는 정전압을 베이스 입력으로 하는 제3트랜지스터, 및 상기 제3트랜지스터의 에미터에 베이스가 연결되고 상기 제2트랜지스터의 에미터에 에미터가 연결되고 접지에 콜렉터가 연결된 제4트랜지스터를 포함하여 구성되는 원거리 검출회로에 있어서, 상기 제4트랜지스터에 연결되어 무신호시 무한 판정을 수행하는 무한 판정 회로를 더 포함하여 구성된다.To this end, in the present invention, a collector is connected to a power source and a first transistor having a subject information signal input from a PSD as a base input, a base is connected to an emitter of the first transistor, and a collector is connected to ground, thereby detecting remotely by an emitter. A second transistor for outputting a signal, a third transistor having a collector connected to a power supply and a constant voltage input thereto as a base input, and a base connected to an emitter of the third transistor, and an emitter connected to an emitter of the second transistor A far-field detection circuit comprising a fourth transistor connected to a collector connected to ground, and further comprising an infinite decision circuit connected to the fourth transistor to perform an infinite decision upon no signal.

Description

Remote detection circuit of camera auto focus system

제1도는 일반적인 카메라 자동 포커스 시스템의 구성도.1 is a block diagram of a general camera auto focus system.

제2도는 종래의 원거리 검출 회로의 구성도.2 is a configuration diagram of a conventional remote detection circuit.

제3도는 제2도의 출력 종속 전압의 상관 관계도.3 is a correlation diagram of the output dependent voltage of FIG.

제4도는 본 발명에 의한 원거리 검출 회로의 구성도.4 is a block diagram of a remote detection circuit according to the present invention.

제5도는 제4도의 출력 종속 전압의 상관 관계도.5 is a correlation diagram of the output dependent voltage of FIG.

제6도는 차동 증폭기의 출력 파형도.6 is an output waveform diagram of a differential amplifier.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : PSD 2,3 : 전류 증폭기1: PSD 2,3: current amplifier

4 : 원거리 검출 회로 5 : 차동 증폭기4: long range detection circuit 5: differential amplifier

6 : 오실 레이터 7 : 로직 제어부6: oscillator 7: logic controller

8 : A/D 변환기 9 : LED구동부8: A / D converter 9: LED driver

10 : 마이콤 11 : 모터 드라이버10: micom 11: motor driver

21,23 : 전류원 22 : 정전압원21,23: current source 22: constant voltage source

24 : 레벨 쉬프터 25 : 원거리 검출부24: level shifter 25: remote detection unit

26 : 무한 판정 회로 Q1~Q20 : 트랜지스터26: infinite judgment circuit Q1 to Q20: transistor

R1~R14 : 저항R1 ~ R14: Resistance

본 발명은 카메라 자동 포커스 시스템의 원거리 검출(Far Detection)회로에 관한 것으로, 특히 무신호시에 확실한 무한 판정을 실현시키기 위해 무한 판정 특성을 개선한 원거리 검출 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a far detection circuit of a camera auto focus system. More particularly, the present invention relates to a far detection circuit having improved infinite determination characteristics in order to realize a reliable infinite determination at no signal.

제1도는 일반적인 카메라 자동 포커스 시스템의 구성도이고, 제2도는 종래의 원거리 검출 회로의 구성도이고, 제3도는 제2도의 출력 종속 전압의 상관 관계도이다.1 is a configuration diagram of a general camera auto focus system, FIG. 2 is a configuration diagram of a conventional remote detection circuit, and FIG. 3 is a correlation diagram of output dependent voltages of FIG.

일반적인 카메라 자동 포커스 시스템은 제1도에 도시한 바와 같이 피사체의 위치를 감지하기 위한 PSD(Position Sensitivity Device)(1), PSD(1)로부터 출력되는 두 개의 피사체 정보에 대한 신호를 각각 증폭하는 전류 증폭기(2,3), 전류 증폭기(2,3)의 출력을 이용하여 무한 판정 기능을 수행하는 원거리 검출 회로(4), 원거리 검출 회로(4)의 출력을 차동 증폭하는 차동 증폭기(5), 일정한 주파수 신호를 출력하는 오실레이터(6), 오실레이터(6)의 출력을 이용하여 제어 신호를 출력하는 로직 제어부(7), 로직 제어부(7)의 출력에 따라 적외선 LED를 구동하는 LED 구동부(9), 로직 제어부(7)의 제어에 따라 차동 증폭기(5)의 출력을 A/D 변환하는 A/D 변환기(8), A/D 변환기(8)의 출력을 입력으로 자동 포커스 기능을 제어하는 마이콤(10), 및 마이콤(10)의 출력에 따라 모터를 구동하는 모터 드라이버(11)로 구성된다.A general camera auto focus system, as shown in FIG. 1, a current for amplifying signals for two subject information output from a PSD (Position Sensitivity Device) 1 for detecting a position of a subject and a PSD 1, respectively. A far-field detection circuit 4 performing an infinite determination function using the outputs of the amplifiers 2 and 3, the current amplifiers 2 and 3, a differential amplifier 5 differentially amplifying the outputs of the far-field detection circuit 4, An oscillator 6 for outputting a constant frequency signal, a logic controller 7 for outputting a control signal using the output of the oscillator 6, and an LED driver 9 for driving an infrared LED in accordance with the output of the logic controller 7 The microcomputer controls the autofocus function by inputting the output of the A / D converter 8 and the A / D converter 8 that perform A / D conversion on the output of the differential amplifier 5 under the control of the logic controller 7. 10, and a module for driving the motor in accordance with the output of the microcomputer 10 It consists of a driver 11.

이와 같이 구성되는 일반적인 카메라 자동 포커스 시스템의 동작을 설명한다.The operation of the general camera auto focus system configured as described above will be described.

PSD(1)로부터 입력된 두 개의 피사체 정보에 대한 신호는 전류 증폭기(2,3)에서 신장 및 LOG 변환되고 외부의 잡음인 AC/DC 잡음이 제거된후, 원거리 검출 회로(4)에서 무한 판정된다. 원거리 검출 회로(4)로부터 출력되는 로그로 변환된 두 정보 신호에 대한 차신호는 차동 증폭기(5)에서 증폭된 후 캐패시터에 충전된다.The signals for the two subject information input from the PSD 1 are stretched and LOG converted by the current amplifiers 2 and 3, and the AC / DC noise, which is an external noise, is removed, and then the distance detection circuit 4 determines infinitely. do. The difference signal for the two information signals converted to the log output from the remote detection circuit 4 is amplified by the differential amplifier 5 and then charged to the capacitor.

이와 같이 차동 증폭기(5)의 캐패시터에 충전된 전압은 A/D(Analog/Dgigtal) 변환기(8)에서 로직 제어부(7)의 제어에 따라 디지털 신호로 변환된 후 시리얼 데이터로 출력된다. A/D 변환기(5)의 출력은 마이콤(10)의 입력으로 사용되어 마이콤(10)에서는 입력 신호에 따라 내장된 프로그램에 의해 포커싱이 되도록 모터 드라이버(11)를 제어하여 모터를 구동시킨다.As such, the voltage charged in the capacitor of the differential amplifier 5 is converted into a digital signal by the A / D (Analog / Dgigtal) converter 8 under the control of the logic controller 7 and then output as serial data. The output of the A / D converter 5 is used as an input of the microcomputer 10, and the microcomputer 10 drives the motor by controlling the motor driver 11 to be focused by an embedded program according to the input signal.

제1도의 카메라 자동 포커스 시스템에서 종래의 원거리 검출 회로는 제2도에 도시한 바와 같이 전류 미러로 구성되어 전원(Vcc)으로부터 전류를 공급하는 전류원(21), 전류 미러로 구성되어 외부로부터 인가되는 바이어스 전류(B-FAR)에 따라 전원(Vcc)으로부터 전류를 공급하는 전류원(23), 전원(Vcc)에 베이스와 콜렉터가 연결되고 원거리 검출부(25)에 에미터가 연결된 npn 트랜지스터(Q5)로 구성되어 정전압을 공급하는 정전압원(22), 전류원(21,23)과 정전압원(22)에 연결되어 입력되는 피사체 정보 신호(FI1)에 따라 원거리를 검출하여 원거리 검출 신호(DIF1)를 출력하는 원거리 검출부(25), 및 전원(Vcc)과 전류원(23)에 연결되고 피사체 정보 신호(FI2)를 입력으로 하여 원거리 검출 신호(DIF1)과 레벨을 맞춰 원거리 검출 신호(DIF2)를 출력하는 레벨 쉬프터(24)로 구성된다.In the camera autofocus system of FIG. 1, the conventional remote detection circuit is composed of a current mirror, as shown in FIG. 2, a current source 21 for supplying current from a power supply Vcc, and a current mirror, which is applied from the outside. Based on the bias current B-FAR, the current source 23 supplies the current from the power supply Vcc, and the npn transistor Q5 is connected to the base and the collector to the power supply Vcc and the emitter is connected to the remote detection unit 25. And outputs a remote detection signal DIF1 by detecting a long distance according to a subject information signal FI1 inputted by being connected to the constant voltage source 22, the current sources 21 and 23, and the constant voltage source 22, which supplies a constant voltage. A level shifter connected to the remote detection unit 25 and the power supply Vcc and the current source 23 and outputting the remote detection signal DIF2 by matching the level with the remote detection signal DIF1 using the subject information signal FI2 as an input. It consists of 24.

여기서, 원거리 검출부(25)는 전원(Vcc)에 콜렉터가 연결되고 입력되는 피사체 정보 신호(FI1)를 베이스 입력으로 하고 전류원(23)에 에미터가 연결된 npn트랜지스터(Q15), npn트랜지스터(Q15)의 에미터에 저항(R12)를 통해 베이스가 연결되고 전류원(21)에 에미터가 연결되고 접지에 콜렉터가 연결되어 에미터로 원거리 검출 신호(DIF1)를 출력하는 pnp트랜지스터(Q16), pnp트랜지스터(Q16)의 에미터에 에미터가 연결되고 접지에 콜렉터가 연결되고 전류원(21)에 베이스가 연결된 pnp트랜지스터(Q17), pnp트랜지스터(Q17)의 베이스에 일단이 연결되고 전류원(23)에 타단이 연결된 저항(R13), 및 정전압원(22)의 npn트랜지스터(Q5)의 에미터에 베이스가 연결되고 전원(Vcc)에 콜렉터가 연결되고 저항(R13)의 타단에 에미터가 연결된 npn트랜지스터(Q18)로 구성된다.Here, the remote detector 25 has npn transistors Q15 and npn transistors Q15 having a collector connected to a power source Vcc and inputting the subject information signal FI1 as a base input, and an emitter connected to a current source 23. Pnp transistor (Q16), pnp transistor for outputting the remote detection signal (DIF1) to the emitter by connecting the base to the emitter at the emitter of R12, the emitter to the current source 21, and the collector to ground An emitter is connected to the emitter of Q16, a collector is connected to ground, and a base is connected to the base of the pnp transistor Q17 and the base connected to the current source 21, and the other end is connected to the current source 23. The npn transistor having a base connected to the emitter of the connected resistor R13 and the npn transistor Q5 of the constant voltage source 22, a collector connected to the power supply Vcc, and an emitter connected to the other end of the resistor R13. Q18).

또한, 전류원(21)은 전원(Vcc)에 저항(R1)을 통해 에미터가 연결되고 전류원(23)에 콜렉터와 베이스가 연결된 pnp트랜지스터(Q1), 전원(Vcc)에 저항(R2)을 통해 에미터가 연결되고 pnp트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 베이스가 연결되고 pnp트랜지스터(Q16,Q17)의 에미터에 콜렉터가 연결된 pnp트랜지스터(Q2), 전원(Vcc)에 저항(R3)을 통해 에미터가 연결되고 pnp트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 베이스가 연결되고 pnp트랜지스터(Q17)의 베이스에 콜렉터가 연결된 pnp트랜지스터(Q3), 및 전원(Vcc)에 저항(R4)을 통해 콜렉터가 연결되고 pnp트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 베이스가 연결되고 원거리 검출 신호(DIF2)의 출력단과 레벨 쉬프터(24)에 에미터가 연결된 pnp트랜지스터(Q24)로 구성된다.In addition, the current source 21 is a pnp transistor (Q1) connected to the emitter is connected to the power supply (Vcc) through the resistor (R1), the collector and the base is connected to the current source (23), through the resistor (R2) The emitter is connected, the base is connected to the collector of the pnp transistor (Q1), the collector is connected to the emitter of the pnp transistors (Q16, Q17), and the emitter is connected through the resistor (R3) to the power supply (Vcc). Is connected, the base is connected to the collector of the pnp transistor (Q1), the collector is connected to the base of the pnp transistor (Q17), and the collector is connected through a resistor (R4) to the power supply (Vcc) and the pnp transistor is connected. A base is connected to the collector of Q1, and the output terminal of the remote detection signal DIF2 is composed of a pnp transistor Q24 connected to an emitter at the level shifter 24.

또한, 전류원(23)은 외부로부터 인가되는 바이어스 전류(B-FAR)를 베이스 입력으로 하고 전원(Vcc)에 콜렉터가 연결된 npn트랜지스터(Q6), 바이어스 전류(B-FAR)를 콜렉터 입력으로 하고 npn트랜지스터(Q6)의 에미터에 베이스가 연결되고 접지에 저항(R5)을 통해 에미터가 연결된 npn트랜지스터(Q7), 전류원(21)의 pnp트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 콜렉터가 연결되고 npn트랜지스터(Q6)의 에미터에 베이스가 연결되고 접지에 저항(R7)을 통해 에미터가 연결된 npn트랜지스터(Q8), npn트랜지스터(Q15)의 에미터에 콜렉터가 연결되고 npn트랜지스터(Q6)의 에미터에 베이스가 연결되고 접지에 저항(R7)을 통해 에미터가 연결된 npn트랜지스터(Q9), npn트랜지스터(Q18)의 에미터에 콜렉터가 연결되고 npn트랜지스터(Q6)의 에미터에 베이스가 연결되고 접지에 저항(R8)을 통해 에미터가 연결된 npn트랜지스터(Q10), 정전압원(22)의 npn트랜지스터(Q5)의 에미터에 콜렉터가 연결되고 npn트랜지스터(Q6)의 에미터에 베이스가 연결되고 접지에 저항(R9)을 통해 에미터가 연결된 npn트랜지스터(Q11), 및 레벨 쉬프터(24)에 콜렉터가 연결되고 npn트랜지스터(Q6)의 에미터에 베이스가 연결되고 접지에 저항(R10)을 통해 에미터가 연결된 npn트랜지스터(Q12)로 구성된다.In addition, the current source 23 uses the bias current B-FAR applied from the outside as the base input, the npn transistor Q6 connected with the collector connected to the power supply Vcc, and the bias current B-FAR as the collector input. The collector is connected to the collector of the npn transistor Q7, the pnp transistor Q1 of the current source 21, the base connected to the emitter of the transistor Q6 and the emitter connected to the ground via a resistor R5, and the npn transistor ( The collector is connected to the emitter of the npn transistor (Q8) and the npn transistor (Q15) with the base connected to the emitter of Q6) and the emitter connected to the ground via a resistor (R7), and to the emitter of the npn transistor (Q6). The collector is connected to the npn transistor (Q9), the emitter of the npn transistor (Q18), and the base is connected to the emitter of the npn transistor (Q6), with the base connected and the emitter connected to the ground via a resistor (R7). Np with emitter connected via resistor (R8) The collector is connected to the n transistor (Q10), the emitter of the npn transistor (Q5) of the constant voltage source 22, the base is connected to the emitter of the npn transistor (Q6), and the emitter is connected to the ground through a resistor (R9). The npn transistor Q11 and the npn transistor Q12 are connected to the level shifter 24, the npn transistor Q12 is connected to the base of the emitter of the npn transistor Q6, and the emitter is connected to the ground through the resistor R10. .

또한, 레벨 쉬프터(24)는 피사체 정보 신호(FI2)를 베이스 입력으로 하고 전원(Vcc)에 콜렉터가 연결되고 전류원(23)의 npn트랜지스터(Q12)의 콜렉터에 에미터가 연결된 npn트랜지스터(Q13), npn트랜지스터(Q13)의 에미터에 일단이 연결된 저항(R11), 및 저항(R11)의 타단에 베이스가 연결되고 전류원(21)의 pnp트랜지스터(Q4)의 콜렉터에 에미터가 연결되고 접지에 콜렉터가 연결된 pnp트랜지스터(Q14)로 구성된다.In addition, the level shifter 24 has the subject information signal FI2 as a base input, a collector connected to the power supply Vcc, and an npn transistor Q13 having an emitter connected to the collector of the npn transistor Q12 of the current source 23. Resistor R11, one end of which is connected to the emitter of npn transistor Q13, and a base connected to the other end of resistor R11, and the emitter connected to the collector of pnp transistor Q4 of current source 21 and connected to ground. It consists of a pnp transistor (Q14) to which the collector is connected.

이와 같이 구성되는 종래의 원거리 검출 회로의 동작을 제2도를 참조하여 설명한다.The operation of the conventional remote detection circuit constructed as described above will be described with reference to FIG.

전류원(21,23)과 정전압원(22)은 전원(Vcc)을 입력으로 원거리 검출 회로에 전류를 공급하는 기능을 한다.The current sources 21 and 23 and the constant voltage source 22 function to supply current to the remote sensing circuit by inputting the power supply Vcc.

PSD(1)로부터 입력되는 피사체 정보 신호(FI1)가 있을때에는 pnp트랜지스터(q17)의 베이스 전압이 pnp트랜지스터(Q16)의 베이스 전압보다 더 높게 세팅되어 원거리 검출 신호(DIF1)가 피사체 정보 신호(FI1)에 종속적인 값으로 나오게 된다.When the subject information signal FI1 is input from the PSD 1, the base voltage of the pnp transistor q17 is set higher than the base voltage of the pnp transistor Q16 so that the far-field detection signal DIF1 becomes the subject information signal FI1. Will be dependent on).

한편, 입력으로 PSD(1)로부터 들어오는 피사체 정보 신호(FI1)가 여러가지 요인, 즉 거리 및 반사율등에 의해 작아지게 되면 원거리 검출 회로의 원거리 검출 신호(DIF1)의 전압이 점점 상승하게 되어 pnp트랜지스터(Q17)의 베이스 전압 근처에서는 pnp트랜지스터(Q16,Q17)가 동시에 액티브 영역에 있게 된다.On the other hand, when the subject information signal FI1 coming from the PSD 1 as an input becomes smaller due to various factors, such as distance and reflectance, the voltage of the far-field detection signal DIF1 of the far-field detection circuit gradually increases and the pnp transistor Q17 Pnp transistors Q16 and Q17 are in the active region at the same time.

따라서 제3도에 도시한 바와 같이 원거리 검출 신호(DIF1)의 전압과 또 다른 원거리 검출 신호(DIF2)간의 전압 차이가 크지 못하여 A/D 변환기(8)의 입력인 차동 증폭기(5)의 캐패시터의 전압이 일정 수준 이하로 낮아지지 못하여 확실한 무한 판정을 수행하지 못하게 된다.Accordingly, as shown in FIG. 3, the voltage difference between the voltage of the far-field detection signal DIF1 and another far-field detection signal DIF2 is not large, so that the capacitor of the capacitor of the differential amplifier 5, which is the input of the A / D converter 8, is not shown. The voltage will not be lowered below a certain level, and a certain infinite determination will not be made.

즉, 거리가 점점 멀어짐에 따라 입력되는 입력되는 전류량이 적어지므로 원거리 검출 회로(25)에 입력되는 피사체 정보 신호(FI1)의 전압이 점점 커지게 된다. 이때, pnp트랜지스터(Q16,Q17)는 동시에 액티브 영역에 들어가게 되는데, 그에 따라 원거리 검출 신호(DIF1,DIF2)의 차이가 많이 나지 않게 된다. 따라서 다음단인 차동 증폭기(5)에서 원거리 검출 신호(DIF1,DIF2)의 전압차가 적어 출력이 커지게 된다.In other words, as the distance increases, the amount of input current input decreases, so that the voltage of the subject information signal FI1 input to the remote detection circuit 25 increases. At this time, the pnp transistors Q16 and Q17 enter the active region at the same time, so that the difference between the remote detection signals DIF1 and DIF2 is not large. Therefore, the voltage difference between the far-field detection signals DIF1 and DIF2 is small in the differential amplifier 5, which is the next stage, so that the output becomes large.

그러나 실제로는 차동 증폭기(5)에서 굉장히 적은 출력이 나와야 하므로 확실한 무한 판정이 이루어지지 않게 되는 문제점이 있었다.In reality, however, very little output has to be output from the differential amplifier 5, so that there is a problem that a certain infinite determination is not made.

상기 문제점을 개선하기 위한 본 발명은 카메라 자동 포커스 시스템에 있어서, 무신호시에 확실한 무한 판정을 할 수 있도록 하기 위한 원거리 검출 회로를 제공함에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problem in the camera auto focus system, to provide a remote detection circuit for enabling a reliable endless determination upon no signal.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 원거리 검출 회로는 전원에 콜렉터가 연결되고 PSD로부터 입력되는 피사체 정보 신호를 베이스 입력으로 하는 제1트랜지스터, 상기 제1트랜지스터의 에미터에 베이스가 연결되고 접지에 콜렉터가 연결되어 에미터로 원거리 검출 신호를 출력하는 제2트랜지스터, 전원에 콜렉터가 연결되고 입력되는 정전압을 베이스 입력으로 하는 제3트랜지스터, 및 상기 제3트랜지스터의 에미터에 베이스가 연결되고 상기 제2트랜지스터의 에미터에 에미터가 연결된 제4트랜지스터를 포함하여 구성되는 원거리 검출 회로에 있어서, 상기 제4트랜지스터에 연결되어 무신호시 확실한 무한 판정을 수행하는 무한 판정 회로를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.In the remote sensing circuit according to the present invention for achieving the above object, a first transistor having a collector connected to a power supply and a subject information signal input from the PSD as a base input, a base connected to an emitter of the first transistor, and connected to ground. A second transistor configured to connect a collector to output a remote detection signal to an emitter, a third transistor connected to a power supply and a constant voltage inputted as a base input, and a base connected to an emitter of the third transistor, A far-field detection circuit comprising a fourth transistor having an emitter connected to an emitter of two transistors, the far-field detecting circuit further comprising an infinite decision circuit connected to the fourth transistor to perform a definite infinite decision upon no signal. It features.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제4도는 본 발명에 의한 원거리 검출 회로의 구성도이고, 제5도는 제4도의 출력 종속 전압의 상관 관계도이고, 제6도는 차동 증폭기(5)의 출력 파형도이다.4 is a configuration diagram of the remote detection circuit according to the present invention, FIG. 5 is a correlation diagram of the output dependent voltage of FIG. 4, and FIG. 6 is an output waveform diagram of the differential amplifier 5. FIG.

본 발명에 의한 원거리 검출 회로는 제4도에 도시한 바와 같이 제2도의 종래의 원거리 검출 회로에 무한 판정 회로(26)가 포함도어 구성된다.In the far-field detecting circuit according to the present invention, as shown in FIG. 4, the infinite distance detecting circuit 26 is included in the conventional far-field detecting circuit in FIG.

즉, 본 발명에 의한 원거리 검출 회로는 제4도에 도시한 바와 같이 전류원(21,23), 정전압원(22) 레벨쉬프터(24), 원거리 검출부(25), 및 무한 판정 회로(26)로 구성된다.That is, the far-field detection circuit according to the present invention includes the current sources 21 and 23, the constant voltage source 22 level shifter 24, the far-field detection section 25, and the infinite determination circuit 26 as shown in FIG. It is composed.

여기서, 전류원(21,23), 정전압원(22), 레벨 쉬프터(24), 및 원거리 검출부(25)는 제2도의 종래의 원거리 검출 회로와 동일하게 구성된다.Here, the current sources 21 and 23, the constant voltage source 22, the level shifter 24, and the remote detection unit 25 are configured in the same manner as the conventional remote detection circuit of FIG.

또한, 무한 판정 회로는 제4도에 도시한 바와 같이 pnp트랜지스터(Q19)와 npn트랜지스터(Q20), 및 저항(R14)으로 구성된다.In addition, the infinite determination circuit is composed of a pnp transistor Q19, an npn transistor Q20, and a resistor R14 as shown in FIG.

즉, pnp트랜지스터(Q19)는 pnp트랜지스터(Q17)의 콜렉터에 에미터가 연결되고 입력되는 펄스 신호(PI)를 베이스 입력으로 하고 접지에 콜렉터가 연결된다.That is, in the pnp transistor Q19, the emitter is connected to the collector of the pnp transistor Q17 and the input pulse signal PI is used as the base input, and the collector is connected to the ground.

또한, npn트랜지스터(Q20)는 pnp트랜지스터(Q17)의 콜렉터에 베이스가 연결되고 pnp트랜지스터(Q17)의 베이스에 에미터가 연결되고 접지에 콜렉터가 연결된다.In addition, the npn transistor Q20 has a base connected to the collector of the pnp transistor Q17, an emitter connected to the base of the pnp transistor Q17, and a collector connected to the ground.

또한, 저항(R14)은 pnp트랜지스터(Q19)의 에미터와 접지에 연결되며, pnp트랜지스터(Q17)의 베이스 전압을 낮추는 정도에 따라 저항값이 달라진다.In addition, the resistor R14 is connected to the emitter and the ground of the pnp transistor Q19, and the resistance value varies according to the degree of lowering the base voltage of the pnp transistor Q17.

이와 같이 구성되는 본 발명에 의한 원거리 검출 회로의 동작을 제5도를 참조하여 설명한다.The operation of the remote detection circuit according to the present invention configured as described above will be described with reference to FIG.

입력이 없을 때에는 피사체 정보 신호(FI1)의 레벨이 높아져 pnp트랜지스터(Q16,Q17)가 베이스 전압에 따라 양 pnp트랜지스터(Q16,Q17)에 흐르는 전류의 양이 달라져도 동시에 액티브 영역에서 동작하게 된다.When there is no input, the level of the subject information signal FI1 increases so that the pnp transistors Q16 and Q17 operate in the active region at the same time even if the amount of current flowing through both pnp transistors Q16 and Q17 varies depending on the base voltage.

이때, 저항(R14)에 의해 npn트랜지스터(Q20)의 베이스 전압이 잡혀져 pnp트랜지스터(Q17)의 베이스 전압을 낮추게 된다.At this time, the base voltage of the npn transistor Q20 is held by the resistor R14 to lower the base voltage of the pnp transistor Q17.

이때, 낮추는 정도는 저항(R14)의 저항값에 의해 좌우되지만 여기서는 pnp트랜지스터(Q16,Q17)가 동시에 액티브 영역에 들어갈 때 바로 npn트랜지스터(Q20)가 포화되도록 한다.In this case, the degree of lowering depends on the resistance of the resistor R14, but here the npn transistor Q20 is saturated as soon as the pnp transistors Q16 and Q17 enter the active region at the same time.

따라서, 저항(R14)과 npn트랜지스터(Q20)에 의해 원거리 검출 회로의 출력인 원거리 검출 신호(DIF1,DIF2)에는 많은 전압차가 발생한다.Therefore, a large voltage difference occurs in the remote detection signals DIF1 and DIF2, which are outputs of the remote detection circuit, by the resistor R14 and the npn transistor Q20.

즉, pnp트랜지스터(Q16,Q17)의 베이스 전압에 따라 제5도에 도시한 바와 같이 원거리 검출 신호(DIF1)의 전압과 또 다른 원거리 검출 신호(DIF2)간의 전압차이가 크게 된다.That is, according to the base voltages of the pnp transistors Q16 and Q17, as shown in FIG. 5, the voltage difference between the voltage of the remote detection signal DIF1 and another remote detection signal DIF2 becomes large.

따라서, 무한 판정시에 차동 증폭기(5)의 캐패시터에 전류가 충전되지 않아 A/D 변환기(8)의 출력이 항상 '0'이 되게 된다.Therefore, at the time of infinite determination, no current is charged in the capacitor of the differential amplifier 5 so that the output of the A / D converter 8 is always '0'.

즉, pnp트랜지스터(Q16,Q17)이 동시에 액티브 영역에 들어가는 순간 npn트랜지스터(Q20)가 저항(R14)에 의해 포화되어 pnp트랜지스터(Q17)의 베이스 전압을 많이 떨어뜨리게 된다. 그러므로 원거리 검출 신호(DIF1)가 낮은 전압으로 잡혀서 원거리 검출 신호(DIF2)와의 차이가 크게 발생한다.That is, as soon as the pnp transistors Q16 and Q17 enter the active region at the same time, the npn transistor Q20 is saturated by the resistor R14, which causes the base voltage of the pnp transistor Q17 to drop a lot. Therefore, the distance detection signal DIF1 is caught at a low voltage, so that a large difference from the distance detection signal DIF2 occurs.

따라서 차동증폭기(5)의 입력신호의 차가 크게 되어 차동 증폭기의 캐패시터에 충전되는 전류는 매우 적게 되고 전압 출력이 낮아져 확실한 무한 판정이 이루어질 수 있게 된다.Therefore, the difference in the input signal of the differential amplifier 5 is large, so that the current charged in the capacitor of the differential amplifier is very small and the voltage output is lowered, so that a certain infinite determination can be made.

즉, 제6도에 도시한 바와 같이 차동 증폭기(5)의 출력이 나타나게 된다.That is, the output of the differential amplifier 5 appears as shown in FIG.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 원거리 검출 회로의 무한 판정 회로는 무신호시에 확실한 무한 판정이 이루어질 수 있도록 하는 효과가 있다.As described above, the infinite determination circuit of the remote detection circuit according to the present invention has the effect of making sure the infinite determination can be made at the time of no signal.

Claims

The collector is connected to the power supply Vcc, and the base is connected to the first transistor Q15 and the emitter of the first transistor Q15, the ground being the base input of the subject information signal FI1 input from the PSD 1, and grounded. A second transistor Q16 connected to a collector and outputting a remote detection signal DIF1 to an emitter, a third transistor Q18 connected to a power supply Vcc and having a constant voltage input thereto as a base input, and the In the remote detection circuit of the camera auto focus system comprising a fourth transistor (Q17) is connected to the emitter of the third transistor (Q18) and the emitter is connected to the emitter of the second transistor (Q16) And an endless decision circuit 26 connected to the fourth transistor Q17 to perform a definite endless decision upon no signal. Circuit.

[5] The fifth transistor of claim 1, wherein the infinite determination circuit 26 uses a pulse signal PI that is connected to the collector of the fourth transistor Q17 and is input as a base input, and a collector is connected to ground. Q19), a sixth transistor (Q20) having a base connected to the collector of the fourth transistor (Q17), an emitter connected to the base of the fourth transistor (Q17), and a collector connected to the ground, and the fifth transistor ( Q19), and the remote detection circuit of the camera auto focus system, characterized in that it comprises a resistor (R14) connected to ground.

3. The remote detection circuit of a camera auto focus system according to claim 2, wherein the resistance (R14) varies according to a degree of lowering the base voltage of the fourth transistor (Q17).