KR0157920B1

KR0157920B1 - Method of cleaning semiconductor wafer

Info

Publication number: KR0157920B1
Application number: KR1019950047887A
Authority: KR
Inventors: 허윤준; 안재영
Original assignee: 문정환; 엘지반도체주식회사
Priority date: 1995-12-08
Filing date: 1995-12-08
Publication date: 1999-02-01
Also published as: KR970053111A

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼의 세정방법에 관한 것으로, 종래 원 베쓰에 의한 세정법이 식각량이 크고, 식각균일도가 나빠지는 문제가 있는 바, 이는 베쓰에 세정액 주입시 하부에서 세정액이 공급되고, 세정액의 배출시에도 하부측으로 배출되기 때문에 기판의 하부측은 세정액과 접촉되는 시간이 길어져 전체 기판의 식각량이 증가되며, 상하부측에서의 식각도의 차이를 갖게 되는 것이었다.The present invention relates to a method of cleaning a semiconductor wafer, and the conventional method of cleaning by one bath has a problem that the etching amount is large and the etching uniformity is deteriorated. This is because the cleaning liquid is supplied from the bottom when the cleaning liquid is injected into the bath, and the cleaning liquid is discharged. Since Edo is discharged to the lower side, the lower side of the substrate has a longer contact time with the cleaning liquid, so that the etching amount of the entire substrate is increased, and the etching degree at the upper and lower sides is different.

이에 세정액이 담긴 베쓰에 기판을 투입하는 단계와; 세정액을 순환시키면서 세정을 실시하는 단계와; 세정단계의 종료 후 베쓰 내에 세정액이 잔류되어 있는 상태에서 순수를 기판의 하부측으로부터 주입함으로써 순수의 공급으로 인해 세정액을 베쓰의 상부로 배출시키는 단계와; 세정액이 완전히 베쓰에서 배출된 후에도 계속해서 순수를 공급하여 순수가 베쓰에서 흘러넘치면서 린스를 실시하는 단계의 순서로 수행하는 본 발명을 제공하여 원 베쓰를 이용하여 투 베쓰에 의한 세정법에 비해 장비의 점유면적을 줄일수 있음과 동시에 원 베쓰에 의한 세정법에서의 문제점이었던 식각량의 증대를 방지하며, 기판의 상,하부측에서의 식각량의 차이를 방지하도록 한 것이다.Injecting a substrate into the bath containing the cleaning solution; Performing cleaning while circulating the cleaning liquid; Discharging the cleaning liquid to the upper part of the bath due to the supply of the pure water by injecting pure water from the lower side of the substrate while the cleaning liquid remains in the bath after the completion of the cleaning step; Even after the cleaning liquid has been completely discharged from the bath, the present invention provides the present invention which is continuously supplied with pure water so that the pure water flows out of the bath and rinsing, thus occupying the equipment as compared to the cleaning method using a two bath using a single bath. It is possible to reduce the area and to prevent the increase of the etching amount which was a problem in the cleaning method by the original bath, and to prevent the difference in the etching amount on the upper and lower sides of the substrate.

Description

Method of Cleaning Semiconductor Wafers

제1도는 종래 기술에 의한 투 베쓰에 의한 반도체 웨이퍼의 세정방법의 공정상태도.1 is a process state diagram of a method for cleaning a semiconductor wafer by a two bath according to the prior art.

제2도는 종래 기술에 의한 원 베쓰에 의한 반도체 웨이퍼의 세정방법의 공정상태도.2 is a process state diagram of a method for cleaning a semiconductor wafer by a one-bed bath according to the prior art.

제3도는 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 세정방법의 일실시례를 보인 공정상태도.3 is a process state diagram showing one embodiment of a method for cleaning a semiconductor wafer according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

11 : 베쓰 W : 웨이퍼 기판11: Beth W: Wafer Substrate

본 발명은 반도체 웨이퍼의 세정방법에 관한 것으로, 특히 원 베쓰에 의한 세정을 실시하는 과정에서 세정 실시후 세정액을 상측으로 배출시킴으로써 기판 전체의 식각균일도를 향상시키도록 한 반도체 웨이퍼의 세정방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of cleaning a semiconductor wafer, and more particularly, to a method of cleaning a semiconductor wafer in which the etching uniformity of the entire substrate is improved by discharging the cleaning liquid to the upper side after the cleaning is performed in the process of cleaning by one bath. .

일반적인 반도체 웨이퍼의 세정방법을 제1도를 참조하여 설명하면 먼저 세정액이 채워져 있는 세정 베쓰(bath)(1)에 기판을 담그고(도면 a), 충분한 시간이 경과된 후에 기판(W)을 세정액이 담긴 베쓰(1)에서 순수가 담겨져 있는 린스 베쓰(rinse bath)(2)로 이동시켜(도면 b), 순수를 오버 플로워시키면서 기판(W)에 묻어 있는 잔류 세정액과, 불순물을 씻어준 후(도면 c), 젖은 기판(W)을 건조기(3)에서 건조시킨다(도면 d).Referring to Fig. 1, a method of cleaning a general semiconductor wafer is first immersed in a cleaning bath 1 filled with a cleaning liquid (Fig. A), and then the substrate W is cleaned after sufficient time has elapsed. After moving from the bath 1 containing the pure water to the rinse bath 2 containing the pure water (Fig. B), the residual cleaning liquid on the substrate W was washed while the pure water was overflowed, and then the impurities were washed (Fig. c) The wet substrate W is dried in the dryer 3 (Fig. d).

이와 같은 세정방법은 기본적으로 건조기(3)를 제외한 세정 베쓰(1)와, 린스 베쓰(2) 등 두 개의 베쓰가 필요하기 때문에 장비가 점유하는 면적이 커지게 되는 문제가 있다.Such a cleaning method basically requires two baths, ie, a washing bath 1 excluding the dryer 3 and a rinse bath 2, thereby increasing the area occupied by the equipment.

이러한 문제점을 해소하기 위하여 세정 공정과, 린스 공정을 하나의 베쓰에서 수행하는 원 베쓰(one bath) 개념의 세정방법이 알려져 있다.In order to solve such a problem, a cleaning method of a one bath concept in which a cleaning process and a rinse process are performed in one bath is known.

상기 원 베쓰에 의한 세정방법은 제2도에 도시한 바와 같이, 베쓰(11)에 세정액이 담긴 상태에서 기판(W)이 들어오면(도면 a), 세정액을 순환시키면서 기판 세정을 실시하게 되고(도면 b), 세정액을 하부측으로 배출시킨 후에(도면 c), 순수를 공급하여(도면 d), 순수를 흘러넘치게(over flow) 하면서 린스를 실시하게 된다(도면 e).In the cleaning method using the original bath, as shown in FIG. 2, when the substrate W enters in the state in which the cleaning liquid is contained in the bath 11 (Fig. A), the cleaning of the substrate is performed while circulating the cleaning liquid ( In FIG. B), after the cleaning liquid is discharged to the lower side (Fig. C), pure water is supplied (Fig. D), and rinsing is performed while the pure water is overflowed (Fig. E).

그런데 이와 같이 원 베쓰에 의한 세정방법을 이용하는 경우에는 아래의 표1에서 보는 바와 같이, 종래의 투 베쓰에 의한 세정방법에 비해 식각량이 증가하고, 식각 균일도가 나빠지는 문제가 있다.However, in the case of using the one-bath cleaning method as shown in Table 1 below, there is a problem that the etching amount is increased and the etching uniformity is worse than that of the conventional two-bath cleaning method.

이상과 같이 종래 원 베쓰에 의한 세정법이 식각량이 크고, 식각균일도가 나쁜 것은 베쓰에 세정액 주입시 하부에서 세정액이 공급되고, 세정액의 배출시에도 하부측으로 배출되기 때문에 기판의 하부측은 세정액과 접촉되는 시간이 길어져 전체 기판의 식각량이 증가되며, 상하부측에서의 식각도의 차이를 갖게 되는 것이다.As described above, the conventional cleaning method using the original bath has a large etching amount and a poor etching uniformity, since the cleaning liquid is supplied from the lower side when the cleaning liquid is injected into the bath, and is discharged to the lower side even when the cleaning liquid is discharged. This increases the etching amount of the entire substrate, and the difference in etching degree in the upper and lower sides.

이와 같이 종래의 원 베쓰에 의한 세정법도 일정한 문제점을 갖고있어 보다 향상된 세정법이 요구되고 있는 실정이다.As described above, the conventional one-bath cleaning method also has a certain problem, and thus, an improved cleaning method is required.

이러한 요구에 부응하여 안출된 본 발명의 목적은 원 베쓰에 의한 세정법에서 식각량을 줄이고, 식각균일도를 향상시키려는데 있다.An object of the present invention devised in response to this demand is to reduce the amount of etching and improve the etching uniformity in the cleaning method by the original bath.

이와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 세정액이 담긴 베쓰에 기판을 투입하는 단계와; 세정액을 순환시키면서 세정을 실시하는 단계와; 세정단계의 종료 후 베쓰 내에 세정액이 잔류되어 있는 상태에서 순수를 기판의 하부측으로부터 주입함으로써 순수의 공급으로 인해 세정액을 베쓰의 상부로 배출시키는 단계와; 세정액이 완전히 베쓰에서 배출된 후에도 계속해서 순수를 공급하여 순수가 베쓰에서 흘러넘치면서 린스를 실시하는 단계의 순서로 수행함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 세정방법이 제공된다.In order to achieve the object of the present invention, the step of putting the substrate in the bath containing the cleaning liquid; Performing cleaning while circulating the cleaning liquid; Discharging the cleaning liquid to the upper part of the bath due to the supply of the pure water by injecting pure water from the lower side of the substrate while the cleaning liquid remains in the bath after the completion of the cleaning step; There is provided a cleaning method of a semiconductor wafer, characterized in that the pure water is continuously supplied even after the cleaning liquid is completely discharged from the bath, and the pure water flows in the bath in the order of rinsing.

이하, 상기한 본 발명을 첨부도면에 도시한 일실시례에 의거하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the embodiment shown in the accompanying drawings.

첨부도면 제3도는 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 세정방법의 공정상태도로서, 도면에서 보는 바와 같이, 먼저 세정액이 담긴 베쓰(11)에 기판(W)을 투입하고, 세정액을 순환시키면서 세정을 실시하며, 세정이 종료된 후, 베쓰(11) 내에 세정액이 잔류되어 있는 상태에서 순수를 기판(W)의 하부측으로부터 주입함으로써, 순수의 공급으로 인해 자연스럽게 세정액이 베쓰(11)의 상부로 흘러 넘치게 한다.FIG. 3 is a process state diagram of a method of cleaning a semiconductor wafer according to the present invention. As shown in the drawing, first, the substrate W is introduced into a bath 11 containing a cleaning solution, and the cleaning solution is circulated. After the cleaning is finished, pure water is injected from the lower side of the substrate W in a state in which the cleaning liquid remains in the bath 11 so that the cleaning liquid naturally flows to the top of the bath 11 due to the supply of pure water. .

세정액이 완전히 베쓰(11)에서 흘러넘친 후에도 계속해서 순수를 공급하여 순수가 베쓰(11)에서 흘러넘치면서 린스를 실시하도록 한다.Even after the cleaning liquid has completely flowed out of the bath 11, the pure water is continuously supplied so that the pure water flows out of the bath 11 to rinse.

이와 같이 본 발명에 의한 원 베쓰를 이용한 세정법은 세정액의 공급시에 기판(W)의 하부측에서 세정액에 공급하고, 세정액을 베쓰(11)의 상부측으로 배출시키기 때문에 투 베쓰에 의한 세정법에 비해 식각량이 증가되는 것을 방지하고, 전체 기판의 식각균일도가 향상되는 효과가 있는 것이다.As described above, the cleaning method using the one-bed bath according to the present invention is supplied to the cleaning liquid from the lower side of the substrate W at the time of supply of the cleaning liquid, and the cleaning liquid is discharged to the upper side of the bath 11. The amount is prevented from increasing, and the etching uniformity of the entire substrate is improved.

이상과 같이 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 세정방법은 원 베쓰를 이용하여 투 베쓰에 의한 세정법에 비해 장비의 점유면적을 줄일수 있음과 동시에 원 베쓰에 의한 세정법에서의 문제점이었던 식각량의 증대를 방지하며, 기판의 상,하부측에서의 식각량의 차이를 방지하도록 한 것이다.As described above, the method of cleaning a semiconductor wafer according to the present invention can reduce the footprint of the equipment compared to the cleaning method using two baths and prevents the increase of the etching amount which was a problem in the cleaning method using one baths. It is to prevent the difference in the etching amount on the upper and lower sides of the substrate.

Claims

Injecting a substrate into the bath containing the cleaning liquid; Performing cleaning while circulating the cleaning liquid; Discharging the cleaning liquid to the upper part of the bath due to the supply of the pure water by injecting pure water from the lower side of the substrate while the cleaning liquid remains in the bath after the completion of the cleaning step; A method of cleaning a semiconductor wafer, characterized by continuing to supply pure water even after the cleaning liquid has been completely discharged from the bath, followed by rinsing with pure water flowing out of the bath.