KR0157676B1 - Liquid quality monitoring method for high specific resistance liquid, liquid quality monitor thereof and liquid quality monitoring system - Google Patents

Liquid quality monitoring method for high specific resistance liquid, liquid quality monitor thereof and liquid quality monitoring system Download PDF

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KR0157676B1
KR0157676B1 KR1019950041590A KR19950041590A KR0157676B1 KR 0157676 B1 KR0157676 B1 KR 0157676B1 KR 1019950041590 A KR1019950041590 A KR 1019950041590A KR 19950041590 A KR19950041590 A KR 19950041590A KR 0157676 B1 KR0157676 B1 KR 0157676B1
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high resistivity
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아끼라 나까노
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아베 아끼라
가부시키 가이샤 프론테크
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Abstract

본 발명의 목적은 고비저항액체의 사용점에서도 측정가능한 고비저항액체의 액질감시방법, 그 액질감시장치 및 그 액질감시스템을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a liquid quality monitoring method of a high resistivity liquid, a liquid quality monitoring apparatus and a liquid quality monitoring system thereof, which can be measured at the point of use of a high resistivity liquid.

본 발명의 고비저항액체의 액질감시방법은 고비저항액체를 흐르게 하기 위하여 사용하는 배관부에 있어서, 상기 고비저항액체가 접촉하는 상기 배관부의 일부가 적어고 상기 배관부와 전기적으로 절연된 도전성부재로 구성되어 있고, 상기 도전성부재로 이루어지는 센서부의 대전량을 검출하는 것을 특징으로 한다. 또, 고비저항액체를 취출하는 사용점 근방 또는 사용점 단부에 상기 센서부를 설치하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 센서부와 접지점과의 전하이동량을 측정하므로써 대전량을 검출하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 고비저항액체의 액질감시장치는 상술한 고비저항액체의 액질감시방법을 가지는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 고비저항액체의 액질감시시스템은 경고를 발하는 경고수단을 가지는 것을 특징으로 한다.In the liquid-resistance monitoring method of the high resistivity liquid of the present invention, in the piping portion used for flowing the high resistivity liquid, a portion of the piping portion in contact with the high resistivity liquid is less, and the conductive member is electrically insulated from the piping portion. It is characterized by detecting the charge amount of the sensor portion consisting of the conductive member. In addition, the sensor portion is provided near the point of use or the end of the point of use for taking out the high resistivity liquid. In addition, the charge amount is detected by measuring the amount of charge movement between the sensor portion and the ground point. The liquid quality monitoring value of the high resistivity liquid of the present invention is characterized by having the above-described liquid quality monitoring method of the high resistivity liquid. The liquid quality monitoring system of the high resistivity liquid of the present invention is characterized by having a warning means for issuing a warning.

Description

고비저항액체의 액질감시방법, 그 액질감시장치, 및 그 액질감시시스템Liquid quality monitoring method of high resistivity liquid, liquid quality monitoring device, and liquid quality monitoring system

제1도는 본 발명의 2차순수 제조라인의 일례를 나타내는 개략도.1 is a schematic view showing an example of a secondary pure water production line of the present invention.

제2도는 제1도의 도전성부재로 이루어지는 센서부(a지점) 부근의 확대도.FIG. 2 is an enlarged view of the vicinity of the sensor portion (point a) made of the conductive member of FIG.

제3도는 실시예 2에 관계되는 초순수의 분출회수와 전압치와의 관계를 나타낸 그래프.3 is a graph showing the relationship between the discharge frequency of ultrapure water and the voltage value according to the second embodiment.

제4도는 실시예3에 관계되는 고비저항액체를 취출하는 사용점 단부의 구조체를 나타낸 개략도.4 is a schematic view showing a structure of an end point of use point for taking out a high resistivity liquid according to Example 3. FIG.

제5도는 실시예 6에 관계되는 각 측정기기의 배치를 나타내는 개략도.5 is a schematic view showing the arrangement of each measuring apparatus according to Example 6. FIG.

제6도는 실시예 6에 관계되는 초순수의 분출회수와 전하량과의 관계를 나타낸 그래프.6 is a graph showing the relationship between the ejection frequency of ultrapure water and the amount of charge according to Example 6. FIG.

제7도는 실시예 7에 관계되는 각 측정기기의 배치를 나타내는 개략도7 is a schematic view showing the arrangement of each measuring apparatus according to Example 7

제8도는 실시예 7에 관계되는 초순수의 분출회수와 전하량과의 관계를 나타내는 그래프.8 is a graph showing the relationship between the ejection frequency and charge amount of ultrapure water according to Example 7. FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

101 : 1차순수 보관용기 102 : 펌프101: primary water storage container 102: pump

103 : 열교환기 104 : 저압 UV산화기103: heat exchanger 104: low pressure UV oxidizer

105 : 아니온데미너 106 : 데미너105: Anion Deminer 106: Deminer

107 : UF 108 : 분기포인트107: UF 108: branch point

109 : 디벨로퍼 110 : 배관부109: developer 110: piping

111,401,501,701 : 센서부 112 : 저항111,401,501,701: sensor 112: resistance

402 : 초순수를 도입하는 배관부 502,702 : 도전성 전극402: piping unit for introducing ultrapure water 502,702: conductive electrode

403 : 질소가스를 도입하는 배관부 704 : 기판403: piping unit for introducing nitrogen gas 704: substrate

503,703 : 패러데이게이지 705 : 기판지지대503,703: Faraday gauge 705: substrate support

본 발명은 고비저항액체의 액질감시방법, 그 액질감시장치, 및 그 액질감시시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게는 배관부내에 사용점에서 및 피세정물을 개재하여 고비저항액체의 순도관리가 가능한 고비저항액체의 액질감시방법, 그 액질감시장치, 및 그 액질감시시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid quality monitoring method of a high resistivity liquid, a liquid quality monitoring apparatus, and a liquid quality monitoring system. More specifically, the present invention relates to a liquid quality monitoring method of a high resistivity liquid capable of managing purity of a high resistivity liquid at a point of use and through a substance to be cleaned in the piping section, a liquid quality monitoring apparatus, and a liquid quality monitoring system.

반도체나 각종 전자부품, 또는 원자력 등의 하이테크 산업에서는, 사용하는 초순수의 저항율을 관리하는 것이 높은 양품율의 실현, 또는 높은 신뢰성의 실현에 연결된다. 특히, 반도체분야에서는 세정공정에 사용하는 순수의 저항율관리는 보다 집적밀도가 높은 소자를 제조하는 경우의 키테크놀로지의 하나이다.In the high-tech industries such as semiconductors, various electronic components, or nuclear power, managing the resistivity of ultrapure water to be used leads to the realization of high yield or the high reliability. In particular, in the semiconductor field, the resistivity control of pure water used in the cleaning process is one of key technologies for manufacturing devices with higher integration density.

종래, 고비저항액체의 액질감시장치로서는 순수의 도전율을 측정하기 위한 소자와, 순수의 온도를 측정하기 위한 소자를 일체화한 복합센서가 사용되고 있다. 예를들면, 도전율측정용으로서는 Ti로 이루어지는 2극의 전극이 절연체를 개재하여 설치된 소자가, 온도측정용으로서는 서미스터를 들 수 있다. 여기서 도전율이라는 것은 순수에 포함되는 전해질의 총량을 아는 지표이고, 또 순수의 순도를 아는 지표로써 사용하는 저항율의 역수이다. 이 복합센서는 항상 순수가 흐르고 있는 배관계에 설치되어 수온의 변화를 보정하면서 도전율을 고정밀도로 측정할 수 있다고 하는 장점이 있다.Background Art Conventionally, as a liquid quality monitoring apparatus for a high resistivity liquid, a complex sensor in which an element for measuring the conductivity of pure water and an element for measuring the temperature of pure water are integrated. For example, an element provided with a bipolar electrode made of Ti via an insulator for conductivity measurement may be a thermistor for temperature measurement. Here, the conductivity is an index that knows the total amount of electrolyte contained in pure water and is an inverse of the resistivity used as an index that knows the purity of pure water. This complex sensor has the advantage of being able to measure the conductivity with high accuracy while always being installed in the piping system where pure water flows.

그러나 상기 종래 기술에는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the prior art has the following problems.

(1) 검출부를 순수중에 삽입하여 사용하는 타입으로 배관내의 순수가 저장수가 되기도 하고, 또는 배관내가 외기가 접촉하는 사용점 부근에서는 사용할 수 없다.(1) This type is used by inserting the detection part into pure water. Pure water in the pipe may be used as storage water, or it may not be used near the point of use where the outside air contacts the pipe.

(2) 배관계에 센서를 설치한 장소에서만 측정할 수 있어 배관계에 있어서 자유로운 측정점을 선택할 수 없다.(2) Measurements can be made only at the location where the sensor is installed in the piping system, and the free measuring point cannot be selected in the piping system.

(3) 센서가격이 높기 때문에 배관계에 다수개의 센서를 설치하고 다점측정에서는 순수의 액질감시시스템을 구축하기에는 많은 비용을 요한다.(3) Due to the high price of sensors, it is expensive to install multiple sensors in the piping system and to establish a pure liquid quality monitoring system for multi-point measurement.

본 발명은 고비저항액체의 사용점 단말에 있어서도 측정가능하고, 배관계에 있어서 자유로운 측정점을 선택할 수 있고, 또 센서가 저렴하기 때문에 고비저항액체의 수질감시 시스템구축이 용이한 고비저항액체의 액질감시방법, 그 액질감시장치, 및 그 액질감시시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.According to the present invention, it is possible to measure the point of use of a high resistivity liquid, and to select a free measurement point in the piping system, and because the sensor is inexpensive, the quality monitoring of the high resistivity liquid is easy because the water quality monitoring system of the high resistivity liquid is easy to construct. It is an object to provide a method, a liquid quality monitoring device, and a liquid quality monitoring system thereof.

본 발명은 고비저항액체를 흐르게 하기 위하여 사용하는 배관부에 있어서, 상기 고비저항액체가 접촉하는 상기 배관부의 일부가 적어도 상기 배관부와 전기적으로 절연된도전성부재로 구성되어 있고, 상기 도전성부재로 이루어지는 센서부의 대전량을 검출하는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법에 요지가 존재한다.According to the present invention, in a pipe portion used for flowing a high resistivity liquid, a portion of the pipe portion in contact with the high resistivity liquid is composed of at least a conductive member electrically insulated from the pipe portion, and is made of the conductive member. SUMMARY OF THE INVENTION There is a gist in the liquid quality monitoring method of a high resistivity liquid, characterized by detecting the charge amount of the sensor portion.

청구항 1항에 관계되는 발명에서는 고비저항액체를 흐르게 하기 위하여 사용하는 배관부의 일부가 적어도 상기 배관부와 전기적으로 절연된 도전성부재로 구성되어 있기 때문에, 이 도전성부재에는 배관부내를 흐르는 고비저항액체로부터 전하의 대전이 생긴다. 그 결과 그 대전량을 검출함으로써 고비저항액체의 저항율 변화 측정이 가능해진다.In the invention according to claim 1, at least a portion of the pipe portion used for flowing the high resistivity liquid is composed of at least a conductive member electrically insulated from the pipe portion. Charge of charge occurs. As a result, the resistivity change of the high resistivity liquid can be measured by detecting the charge amount.

또, 배관부의 일부가 적어도 상기 배관부와 전기적으로 절연된 도전성부재로 구성하는 것만으로 상기 검출이 가능해지기 때문에 다점측정을 저렴하게 실현할 수 있다.In addition, since the detection can be performed only by forming at least a portion of the pipe portion from the conductive member electrically insulated from the pipe portion, multi-point measurement can be realized at low cost.

청구항 2항에 관계되는 발명에서는 고비저항액체를 취출하는 사용점부근에 상기 센서의 일부를 설치하고 있기 때문에 상기 사용점으로부터 배출되기 직전의 고비저항액체의 액질을 검출할 수 있다. 그 결과, 상기 고비저항액체가 흐르지 않는 경우, 배관내가 외기가 되는 사용점 부근에 있어서 정밀도가 높은 고비저항액체의 액질감시가 가능해진다.In the invention according to claim 2, since a part of the sensor is provided near the point of use for taking out the high resistivity liquid, the liquid quality of the high resistivity liquid just before being discharged from the point of use can be detected. As a result, when the high resistivity liquid does not flow, it is possible to monitor the liquid quality of the high resistivity liquid with high precision in the vicinity of the point of use where the inside of the pipe becomes outside air.

청구항 3항에 관계되는 발명에서는 고비저항액체를 취출하는 사용점 단부에 상기 센서의 일부를 설치하고 있기 때문에, 상기 사용점으로부터 분출되는 사용 직전의 고비저항액체의 액질을 검출할 수 있을 뿐아니라, 상기 센서부의 형상을 임의로 선택할 수 있게 되고, 또 상기 센서부의 탈착이 어느때라도 가능해진다. 그 결과, 고비저항액체를 흐르게 하기 위하여 사용하는 배관부를 멈추는 일 없이 상기 센서부의 수리·점검·교환등이 가능해진다.In the invention according to claim 3, since a part of the sensor is provided at the end of the point of use for taking out the high resistivity liquid, the liquid quality of the high resistivity liquid immediately before use ejected from the point of use can be detected. The shape of the sensor portion can be arbitrarily selected, and the sensor portion can be detached at any time. As a result, it is possible to repair, inspect, or replace the sensor section without stopping the pipe section used for flowing the high resistivity liquid.

청구항 4항에 관계되는 발명에서는 상기 센서부와 접지점과의 전하이동량을 측정하므로써 대전량을 검출할 수 있기 때문에, 인라인에서의 고비저항액체의 액질모니터를 액에 외란을 주는 일 없이 용이하게 실현할 수 있다. 그 결과, 고비저항액체에 영향을 주는 일이 없는 액질관리를 도모할 수 있다.In the invention according to claim 4, since the amount of charge can be detected by measuring the amount of charge transfer between the sensor portion and the ground point, the liquid quality monitor of the high resistivity liquid in the inline can be easily realized without disturbing the liquid. have. As a result, it is possible to manage the liquid quality without affecting the high resistivity liquid.

청구항 5항에 관계되는 발명에서는 상기 센서부는 상기 센서부내를 고비저항액체가 통과하는 링형상으로 하였기 때문에, 상기 고비저항액체의 유량에 의존하지 않고, 상기 센서부는 안정되게 상기 고비저항액체에 접할 수 있게 된다. 그 결과, 검출감도의 안정화가 도모된다.In the invention according to claim 5, since the sensor portion has a ring shape through which the high resistivity liquid passes, the sensor portion can stably contact the high resistivity liquid without depending on the flow rate of the high resistivity liquid. Will be. As a result, the detection sensitivity can be stabilized.

청구항 6항에 관계되는 발명에서는 고비저항액체가 순수 또는 중수(重水)이기 때문에 불순물의 미량 함유가 문제가 되는 반도체분야의 세정 수용도로부터 원자력분야의 냉각수 용도까지 광범위한 이용분야에의 적용이 가능하다.In the invention according to claim 6, since the high resistivity liquid is pure water or heavy water, it can be applied to a wide range of applications from washing water solubility in the semiconductor field where trace amounts of impurities are problematic to cooling water applications in the nuclear field. .

청구항 7항에 관계되는 발명에서는 상기 사용점으로부터 분출되는 상기 고비저항액체를 피세정물의 표면을 개재하지 않고 패러데이게이지에 접속된 도전성전극에 직접적으로 걸리게하므로써 상기 고비저항액체에 걸린 전하량을 측정하기 위하여 상기 사용점과 상기 도전성전극과의 사이에 있는 공간내의 오염이 상기 고비저항액체에 미치는 영향을 검출할 수 있다. 그 결과, 상기 사용점과 상기 도전성전극과의 사이에 있는 공간내의 청정도관리가 가능해진다.In the invention according to claim 7, in order to measure the amount of electric charge applied to the high resistivity liquid by applying the high resistivity liquid ejected from the point of use directly to the conductive electrode connected to the Faraday gauge without interposing the surface of the object to be cleaned. The effect of contamination in the space between the point of use and the conductive electrode on the high resistivity liquid can be detected. As a result, cleanliness management in the space between the point of use and the conductive electrode becomes possible.

청구항 8항에 관계되는 발명에서는 상기 사용점으로부터 분출된 상기 고비저항액체를 피세정물의 표면을 개재하여 패러데이게이지에 접속된 도전성전극에 간접적으로부터 걸리게하므로써 상기 고비저항액체에 걸린 전하량을 측정할 수 있기 때문에 상기 피세정물의 표면의 청정도, 즉 세정된 정도를 검출할 수 있다. 그 결과, 상기 피세정물의 오염도가 달라도 각 피세정물마다 최적의 세정조건 등을 순차 정할 수 있다.In the invention according to claim 8, the amount of charge applied to the high resistivity liquid can be measured by applying the high resistivity liquid ejected from the point of use to the conductive electrode connected to the Faraday gauge indirectly through the surface of the object to be cleaned. Therefore, the cleanliness of the surface of the object to be cleaned, that is, the degree of cleaning can be detected. As a result, even if the degree of contamination of the to-be-cleaned object is different, the optimal washing | cleaning conditions etc. can be determined sequentially for each to-be-cleaned object.

청구항 9항에 관계되는 발명에서는 청구항 1항 및 청구항 8항 중 어느 한 항 기재의 고비저항액체의 액질감시방법을 가짐으로써 범용성이 높고, 또 저렴한 고비저항액체의 액질감시장치가 얻어진다.In the invention according to claim 9, the liquid quality monitoring device for a highly versatile and inexpensive high specific resistance liquid is obtained by having the liquid quality monitoring method for the high resistivity liquid according to any one of claims 1 to 8.

청구항 10항에 관계되는 발명에서는 상기 대전량 또는 상기 전하량의 값이 변화한 경우 경고를 발하는 경고수단을 가지기 때문에 상기 고비 저항액체의 액질감시를 피이드백 제어할 수 있게 된다.In the invention according to claim 10, since it has a warning means for warning when the value of the charge amount or the charge amount changes, it is possible to control the liquid quality monitoring of the high-resistance liquid.

그 결과, 신뢰성이 높은 고비저항액체의 액질감시시스템이 얻어진다.As a result, a high quality liquid resistivity monitoring system is obtained.

[실시예]EXAMPLE

[실시예 1]Example 1

이하, 본 발명의 일 실시예를 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.

본 예에서는 고비저항액체를 흐르게 하기 위하여 사용하는 배관부에 있어서, 상기 고비저항액체가 접촉하는 상기 배관부의 일부가 적어도 상기 배관부와 전기적으로 절연된 도전성부재로 구성된 점이 종래와 다르다. 상기 고비저항액체로서는 순수를 사용하고 상기 도전성부재로 이루어지는 센서부의 대전을 검출하므로써 순수의 도전율을 검출하였다.In this example, the pipe portion used for flowing the high resistivity liquid differs from the conventional one in that a part of the pipe portion in contact with the high resistivity liquid is composed of at least a conductive member electrically insulated from the pipe portion. Pure water was used as the high resistivity liquid, and electrical conductivity of pure water was detected by detecting the charging of the sensor portion made of the conductive member.

이하에서는 제1도 및 제2도를 참조하여 본 예에 대하여 설명한다. 제1도는 본 발명의 2차순수 제조라인의 일례를 나타내는 개략도이다. 제2도는 제1도의 도전성부재로 이루어지는 센서부(a지점) 부근의 확대도이고, 제2(a)도가 사시도, 제2(b)도가, 제2(a)도의 A-A'부분의 단면도이다.Hereinafter, this example will be described with reference to FIGS. 1 and 2. 1 is a schematic view showing an example of the secondary pure water production line of the present invention. FIG. 2 is an enlarged view of the vicinity of the sensor portion (point a) made of the conductive member of FIG. 1, and FIG. 2 (a) is a perspective view, FIG. 2 (b) is a sectional view of part A-A 'of FIG. 2 (a). to be.

본 발명의 2차순수 제조라인은 다음의 101~110의 각 기기로 구성하였다.Secondary pure water production line of the present invention was composed of each of the following devices 101-110.

101은 1차순수 제조라인(도시하지 않음)에서 처리된 초순수(비저항이 MΩ㎝오더)를 저장하는 1차순수 보관용기, 102는 초순수를 순환시키기 위한 펌프, 103은 초순수의 온도를 일정하게 유지하기 위한 열교환기로서 24℃로 유지하였다. 104는 유기물을 분해하기 위한 저압 UV산화기, 105는 아니온(부이온)을 제거하기 위한 이온 교환기(아니온데미너)로서, 그 주목적은 전단계의 저압 UV산화기에서 발생하는 유기산이나 탄산이온의 제거에 있다. 106은 정부에 상관없이 이온을 제거하기 위한 이온교환기(데미너), 107은 미립자를 제거하기 위한 파이널필터(UF), 108은 2차순수를 사용점에 분기하는 분기포인트, 109는 2차순수 사용점(디벨로퍼)이다.101 is a primary storage container for storing ultrapure water (resistance is MΩcm order) treated in a primary pure water production line (not shown), 102 is a pump for circulating ultrapure water, and 103 is a constant temperature of ultrapure water It maintained at 24 degreeC as a heat exchanger for this. 104 is a low pressure UV oxidizer for decomposing organic matter, 105 is an ion exchanger (Anion Deminer) for removing anion (neon ion), and its main purpose is organic acid or carbonate ion generated from low pressure UV oxidizer of the previous stage. Is in the removal of. 106 is an ion exchanger (miner) for removing ions regardless of government, 107 is a final filter (UF) for removing particulates, 108 is a branch point for branching secondary pure water to a point of use, and 109 is a secondary pure water. Use point (developer).

제1도에 나타내는 바와 같이 101~108은 환상(環狀)으로, 108과 109는 선상(線狀)으로 배관부(110)에 의하여 접속하였다. 배관부(110)의 재질로서는 절연성부재인 PVDF(Poly vinylidene fluoride)를 사용하였다. 배관부(110)의 a지점에서는 배관부(110)의 일부를 도전성부재로 이루어지는 센서부(111)로 치환하였다. 센서부(111)의 재질로서는 SUS304를 사용하였다.As shown in FIG. 1, 101-108 are annular and 108 and 109 were connected by the piping part 110 in a linear form. As a material of the pipe part 110, PVDF (Poly vinylidene fluoride) which is an insulating member was used. At a point a of the pipe part 110, a part of the pipe part 110 was replaced with a sensor part 111 made of a conductive member. SUS304 was used as a material of the sensor part 111. As shown in FIG.

제2도에 나타내는 바와 같이 센서부(111)는 배관부(110)속을 흐르는 초순수가 직접 접촉하는 위치에 설치하였다. 센서부(111)에는 초순수의 흐름에 의하여 대전이 발생한다. 센서부(111)와 지점간의 사이에는 100MΩ의 저항(112)을 재치하여 저항(112)의 양단에 걸리는 전압치를 측정하였다. 즉, 상기 대전에 의한 전하량의 변화는 상기 대전치의 변화로서 관측하였다.As shown in FIG. 2, the sensor part 111 was installed in the position which the ultrapure water which flows in the piping part 110 directly contacts. Charging occurs in the sensor unit 111 by the flow of ultrapure water. Between the sensor part 111 and the point, the resistance 112 of 100 MΩ was mounted, and the voltage value applied to both ends of the resistance 112 was measured. That is, the change in the charge amount due to the charging was observed as the change in the charging value.

본 예에서는 상술한 대전량과 전압치의 관계를 조사하였더니 비저항이 18MΩ㎝인 정상인 초순수를 흐르게 한 경우 전압치는 약 -0.3mV이었다. 한편, 이 초순수의 순도를 저하시킨 경우, 상기 전압치는 0mV방향으로 절대치가 감소하는 경향이 있음을 발견하였다. 따라서, 본 발명의 센서부(111)를 사용하므로써 초순수의 순도관리를 행할 수 있다고 판단하였다.In this example, when the relationship between the charge amount and the voltage value described above was examined, the voltage value was about -0.3 mV when a normal ultrapure water having a specific resistance of 18 MΩcm was flowed. On the other hand, when the purity of this ultrapure water was reduced, it was found that the voltage value tends to decrease in the absolute value in the 0 mV direction. Therefore, it was judged that purity management of ultrapure water can be performed by using the sensor part 111 of this invention.

본 예에서는 배관부(110)의 a지점에 센서부(111)를 배치하였는데 제1도의 환상부가 아닌, 예를들면 b지점이나 c지점이어도 상관은 없다.In this example, although the sensor part 111 was arrange | positioned at the point a of the piping part 110, it does not matter even if it is the point b or c which is not the annular part of FIG.

또, 본 예에서는 고비저항액체를 초순수로 하였는데 중수를 사용하여도 같은 효과가 확인되었다.In this example, a high resistivity liquid was used as ultrapure water, but the same effect was confirmed even when heavy water was used.

[실시예 2]Example 2

본 예에서는 도전성부재로 이루어지는 센서부를 설치하는 위치를 고비저항액체를 취출하는 사용점 부근으로 한 점이 실시예 1과 다르다. 고비저항액체를 취출하는 사용점 부근이라는 것은 제1도에 있어서의 d지점을 가리킨다.This example differs from Example 1 in that the position where the sensor portion made of the conductive member is provided is near the point of use for taking out the high resistivity liquid. The vicinity of the point of use for taking out the high resistivity liquid indicates the point d in FIG.

다른 점을 실시예 1과 마찬가지로 하였다.The other point was carried out similarly to Example 1.

제3도는 사용점 부근에서 초순수를 흐르게 하지 않고 2시간 봉지한후, 초순수를 60초간 분출시켰을때의 전압치를 나타낸다. 초순수의 유량은 4300cc/분으로 하였다. 횡축은 초순수의 분출회수이다.3 shows the voltage value when the ultrapure water is ejected for 60 seconds after sealing for 2 hours without flowing ultrapure water near the point of use. The flow rate of ultrapure water was 4300 cc / min. The abscissa is the ejection frequency of ultrapure water.

제3도로부터 분출회수에 의하여 전압치가 변화하는 것을 알 수 있었다. 분출회수가 증가함에 따라 전압치가 -30mV정도로 안정되었다. 이것으로부터 초순수의 봉지에 의하여 사용점 부근은 오염되어 있고, 초순수를 2~3회 분출시킨 후, 초순수의 이용을 개시하므로써 안정된 순도로 초순수를 사용할 수 있다고 판단하였다.It can be seen from FIG. 3 that the voltage value is changed by the ejection frequency. As the number of ejections increased, the voltage level stabilized at -30 mV. From this, the vicinity of the point of use was contaminated by the bag of ultrapure water, and it was judged that ultrapure water can be used with a stable purity by starting the use of ultrapure water after ejecting the ultrapure water two or three times.

또, 종래 측정할 수 없었던 배관부내가 외기와 접촉하는 사용점 부근에서도 본 예의 센서부를 사용하므로써 초순수의 순도관리가 가능해졌다.In addition, the use of the sensor unit of this example makes it possible to manage ultrapure water even in the vicinity of the point of use where the inside of the piping unit, which could not be measured conventionally, is in contact with the outside air.

[실시예 3]Example 3

본 예에서는 도전성부재로 이루어지는 센서부를 설치하는 위치를 고비저항액체를 취출하는 사용점 단부로 한 점이 실시예 2와 다르다.This example differs from Example 2 in that the position where the sensor portion made of the conductive member is provided is the end point of the use point for taking out the high resistivity liquid.

고비저항액체를 취출하는 사용점 단부로서는 제4도에 나타낸 구조체를 사용하였다. 제4도의 사용점 단부에서는 SUS304로 이루어지는 노즐이 센서부(401)이고, 상기 센서부(401)에는 초순수를 도입하는 배관부(402)와 질소가스를 도입하는 배관구(403)를 접속하였다. 초순수와 질소가스를 동시에 공급하므로써 센서부(401)로부터 분무상으로 된 초순수를 분출시켰다.The structure shown in FIG. 4 was used as an end point of use point for taking out the high resistivity liquid. At the end point of FIG. 4, a nozzle made of SUS304 is a sensor portion 401, and a pipe portion 402 for introducing ultrapure water and a piping port 403 for introducing nitrogen gas are connected to the sensor portion 401. By supplying ultrapure water and nitrogen gas simultaneously, the ultrapure water in the form of a spray was ejected from the sensor unit 401.

다른 점은 실시예 2와 마찬가지로 하였다.Other points were the same as in Example 2.

본 예에서는 실시예 2와 같은 효과가 얻어졌다. 따라서, 도전성부재로 이루어지는 센서부를 설치하는 위치가 고비저항액체를 취출하는 사용점 단부이어도 되기 때문에 센서부의 형상은 임의로 선택할 수 있게 되고, 또 각 사용점마다 언제라도 탈착이 가능해졌다.In this example, the same effects as in Example 2 were obtained. Therefore, since the position where the sensor portion made of the conductive member is provided may be an end point of use point for taking out the high resistivity liquid, the shape of the sensor portion can be arbitrarily selected, and detachment can be performed at any time for each use point.

[실시예 4]Example 4

본 예에서는 실시예 1에서도 이미 나타낸 바와 같이 센서부와 접지부와의 사이에 저항을 배치하고, 상기 저항에 센서부를 흐르는 고비저항액체의 액질에 따라 발생하는 전하를 흐르게하여 상기 저항의 양단에 걸리는 전압치를 측정하였다.In this example, as already shown in Example 1, a resistor is disposed between the sensor portion and the ground portion, and the charge generated by the liquid of the high-resistance liquid flowing through the sensor portion flows through the resistance to be applied to both ends of the resistance. Voltage value was measured.

본 예에서는 종래의 액질감시장치에 비하여 저렴하고 용이한 측정이 가능해졌다.In this example, it is possible to measure cheaper and easier than conventional liquid quality monitoring apparatus.

또, 본 예에서는 저항의 양단에 발생하는 전압을 전압계로 측정하는 구성으로 하였는데, 센서부와 접지점과의 사이에 미소전류계를 배치한 것에서도 같은 결과가 확인되었다.In this example, the voltage generated at both ends of the resistor was measured by a voltmeter. Similar results were confirmed even when a microammeter was disposed between the sensor portion and the ground point.

[실시예 5]Example 5

본 예에서는 센서부의 형상을 상기 센서 내부를 고비저항액체가 통과하는 링형상으로 한 점이 실시예 1과 다르다.This embodiment differs from the first embodiment in that the shape of the sensor portion is formed into a ring shape through which the high resistivity liquid passes through the inside of the sensor.

다른 점은 실시예 1과 마찬가지로 하였다.Other points were the same as in Example 1.

본 예에서는 실시예 1과 거의 같은 효과가 얻어졌다. 그러나 본 예의 경우, 고비저항액체와의 접촉면적이 크기 때문에 실시예 1의 형상보다 검출감도의 안정화가 도모되었다.In this example, almost the same effects as in Example 1 were obtained. However, in this example, the detection sensitivity is stabilized more than the shape of Example 1 because of the large contact area with the high resistivity liquid.

또, 본 예에서는 센서부의 형상을 링형상으로 하였는데, 링형상내에 도전성재료로 메슈를 설치한 것에서도 같은 효과가 확인되었다.Moreover, in this example, the shape of the sensor part was made into a ring shape, but the same effect was also confirmed when a mesh was installed as a conductive material in the ring shape.

[실시예 6]Example 6

본 예에서는 상기 사용점으로부터 분출된 상기 고비저항액체를 피세정물의 표면을 개재하지 않고 패러데이게이지에 접속된 도전성전극에 직접적으로 걸리게하므로써 상기 고비저항액체에 걸린 전하량을 측정하였다.In this example, the amount of charge applied to the high resistivity liquid was measured by directly applying the high resistivity liquid ejected from the point of use to the conductive electrode connected to the Faraday gauge without interposing the surface of the object to be cleaned.

제5도는 본 예에 있어서의 각 측정기기의 배치를 나타내는 개략도이다.5 is a schematic view showing the arrangement of each measuring apparatus in this example.

고비저항액체를 취출하는 사용점 단부로서는 제4도와 마찬가지로 SUS304로 이루어지는 노즐을 센서부(501)로 하였다. 상기 노즐로부터 분출된 초순수가 조사되는 위치에 도전성전극(502)을 설치하였다. 상기 도전성전극(502)은 패러데이게이지(503)에 접속되어 있고, 분출되는 초순수에 걸린 전하를 상기 도전성전극(502)을 개재하여 패러데이게이지(503)로 측정하였다.As the end point of the use point for taking out the high resistivity liquid, a nozzle made of SUS304 was used as the sensor portion 501 as in FIG. The conductive electrode 502 was provided at the position to which the ultrapure water ejected from the nozzle was irradiated. The conductive electrode 502 is connected to the Faraday gauge 503, and the charge applied to the ultrapure water discharged was measured by the Faraday gauge 503 via the conductive electrode 502.

제6도는 사용점 근방에 초순수를 흐르게 하지 않고 2시간 봉지한후, 초순수를 60초간 분출시켰을 때의 분출되는 초순수에 걸린 전하량을 나타냈다. 초순수의 유량은 430cd/분으로 하였다. 횡축은 초순수의 분출회수이다.FIG. 6 shows the amount of charge applied to the ultrapure water ejected when the ultrapure water was ejected for 60 seconds after sealing for 2 hours without flowing ultrapure water near the point of use. The flow rate of ultrapure water was 430 cd / min. The abscissa is the ejection frequency of ultrapure water.

제6도로부터 분출회수에 의하여 분출되는 초순수에 걸린 전하량이 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히, 분출회수가 4회 이상이 되면 상기 전하량은 120nC정도로 안정되었다. 또, 이 안정된 전하량과 실시예 3에서 검출되는 전하량은 극성이 다르고, 절대치는 ±3%의 흐트러짐내에서 같다는 것도 확인되었다.It can be seen from FIG. 6 that the amount of charge applied to the ultrapure water jetted by the jet frequency changes. In particular, when the number of ejections was four or more, the charge amount was stabilized at about 120nC. It was also confirmed that this stable charge amount and the charge amount detected in Example 3 were different in polarity, and the absolute value was the same within a disturbance of ± 3%.

한편, 사용점 근방 또는 사용점 단부에 설치한 센서부의 결과(실시예 2 또는 실시예 3)에서는 분출회수가 2회이상에서 초순수의 순도는 회복하고 있었다.On the other hand, in the result (Example 2 or Example 3) of the sensor part installed in the vicinity of a use point or the end of a use point, the purity of ultrapure water was recovering more than 2 times.

이 두가지의 결과로부터 본 예의 쪽이 보다 다수회 분출시키지 않으면 초순수의 순도가 회복하지 않는 것은 상기 사용점과 상기 도전성전극과의 사이에 있는 공간내 오염의 영향으로 판단하였다. 이 결과 본 발명에 의하여 상기 사용점과 상기 도전성전극과의 사이에 있는 공간내의 청정도관리가 가능해졌다.From these two results, it was determined that the purity of ultrapure water did not recover unless the present example ejected more than a few times due to the effect of contamination in space between the point of use and the conductive electrode. As a result, the present invention enables the cleanliness management in the space between the point of use and the conductive electrode.

[실시예 7]Example 7

본 예에서는 상기 사용점으로부터 분출된 상기 고비저항액체를 피세정물의 표면을 개재하여 패러데이게이지에 접속된 도전성전극에 간접적으로 걸리게하므로써 상기 고비저항액체에 걸린 전하량을 측정하였다.In this example, the amount of charge applied to the high resistivity liquid was measured by indirectly applying the high resistivity liquid ejected from the point of use to the conductive electrode connected to the Faraday gauge via the surface of the object to be cleaned.

제7도는 본 예에 있어서의 각 측정기기의 배치를 나타내는 개략도이다.7 is a schematic view showing the arrangement of each measuring apparatus in this example.

고비저항액체를 취출하는 사용점 단부로서는 제4도와 마찬가지로 SUS304로 이루어지는 노즐을 센서부(701)로 하였다. 상기 노즐로부터 분출된 초순수가 조사되는 위치에 피세정물로서 유리에 Al을 성막한 기판(704)을 설치하였다. 상기 기판(704)은 진공 척기구를 가지는 기판지지대(705)의 위에 재치되었다. 상기 기판(704)을 초순수로 세정할 때는 상기 기판지지대(705)를 자전시켰다. 이 자전에 의하여 상기 기판(704)으로부터 비산된 초순수가 조사되는 위치에 도전성전극(702)을 설치하였다. 상기 도전성전극(702)은 패러데이게이지(703)에 접속되어 있고, 비산되는 초순수에 걸린 전하를 상기 도전성전극(702)을 개재하여 패러데이게이지(703)로 측정하였다.As the end point of the point of use for taking out the high resistivity liquid, a nozzle made of SUS304 was used as the sensor portion 701 as in FIG. The board | substrate 704 which formed Al into a film as a to-be-cleaned object was provided in the position where the ultrapure water sprayed from the said nozzle is irradiated. The substrate 704 was mounted on a substrate support 705 having a vacuum chuck mechanism. When cleaning the substrate 704 with ultrapure water, the substrate support 705 was rotated. The electroconductive electrode 702 was provided in the position to which the ultrapure water scattered from the said board | substrate 704 is irradiated by this rotation. The conductive electrode 702 is connected to the Faraday gauge 703, and the charge applied to the ultrapure water that is scattered was measured by the Faraday gauge 703 via the conductive electrode 702.

제8도는 사용점 근방에 초순수를 흐르게 하지 않고 2시간 봉지한 후, 초순수를 60초간 분출시켰을 때 기판으로부터 비산된 초순수에 걸린 전하량을 나타냈다. 초순수의 유량은 530cc/분으로 하였다. 횡축은 초순수의 분출회수이다.FIG. 8 shows the amount of charge applied to the ultrapure water scattered from the substrate when the ultrapure water was ejected for 60 seconds after sealing for 2 hours without flowing ultrapure water near the point of use. The flow rate of ultrapure water was 530 cc / min. The abscissa is the ejection frequency of ultrapure water.

제8도로부터 분출회수에 의하여 기판으로부터 비산된 초순수에 걸린 전하량이 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 분출회수가 10회 이상이 되면 상기 전하량은 120nC정도로 안정되었다. 이 결과도 실시예 6과 마찬가지로 실시예 3에서 검출되는 전하량과 극성이 다르고, 절대치는 ±3%이내에서 흐트러짐이 같았다..It can be seen from FIG. 8 that the amount of charge applied to the ultrapure water scattered from the substrate is changed by the ejection frequency. In particular, when the number of ejection cycles was 10 or more, the charge amount was stabilized at about 120 nC. This result also differs in the amount of charge detected in Example 3 and in the same polarity as in Example 6, and the absolute value is distorted within ± 3%.

한편, 사용점으로부터 분출된 고비저항액체를 피세정물의 표면을 개재하지 않고 패러데이게이지에 접속된 도전성극성에 직접적으로 걸리게 하므로써 상기 고비저항액체에 걸린 전하량을 측정한 결과(실시예 6)에서는, 분출회수가 4회 이상에서 초순수의 순도를 회복하고 있었다.On the other hand, when the amount of charge applied to the high resistivity liquid was measured by directly applying the high resistivity liquid ejected from the point of use to the conductive polarity connected to the Faraday gauge without interposing the surface of the object to be cleaned (Example 6), The recovery was more than four times to restore the purity of ultrapure water.

이 두가지의 결과로부터 본 예의 쪽이 보다 다수회 분출시키지 않으면 초순수의 순도가 회복하지 않는 것은 피세정물인 기판(704)의 청정도, 즉 세정된 정도의 영향으로 판단하였다. 이 결과, 본 발명에 의하여 피세정물의 오염도가 달라도 각 피세정물마다 최적의 세정조건 등을 순차 정할 수 있게 되었다.From these two results, it is judged that the purity of ultrapure water does not recover unless the present example ejects more times than it is due to the cleanliness of the substrate 704 to be cleaned, that is, the degree of cleaning. As a result, according to the present invention, even if the degree of contamination of the object to be cleaned differs, optimum cleaning conditions and the like can be sequentially determined for each object to be cleaned.

상술한 바와 같이 실시예 1~7에 나타낸 고비저항액체의 액질감시방법은, 이미 설치된 2차순수 제조라인에 용이하게 조립할 수 있다. 또, 센서부의 구조가 간단하고, 또 범용품의 이용도 가능하기 때문에 종래보다 낮은 비용의 고비저항액체의 액질감시장치의 제공이 가능해졌다.As described above, the liquid-resistance monitoring method of the high resistivity liquid shown in Examples 1 to 7 can be easily assembled to the already-installed secondary pure water production line. In addition, since the structure of the sensor unit is simple and a general purpose product can be used, it is possible to provide a liquid quality monitoring device of a high resistivity liquid at a lower cost than in the prior art.

또한, 상기 대전량 또는 상기 전하량의 값이 변화한 경우에 경고를 발하는 경고수단을 설치하므로써, 상기 고비저항액체의 액질감시를 피이드백 제어할 수 있는 고비저항액체의 액질감시시스템의 제공이 가능해졌다.Further, by providing a warning means for warning when the charge amount or the value of the charge amount changes, the provision of a high-resistance liquid quality monitoring system capable of feedback control of the monitoring of the high-resistance liquid It became possible.

이상 설명한 바와 같이 제1항에 관계되는 발명에 의하면, 다점측정을 저렴하고, 또 용이하게 실현할 수 있는 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.As described above, according to the invention according to claim 1, a liquid quality monitoring method of a high resistivity liquid which can realize multi-point measurement at low cost and can be easily realized.

제2항에 관계되는 발명에 의하면 고비저항액체를 취출하는 사용점 근방에서 검출가능한 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.According to the invention according to claim 2, a liquid quality monitoring method of a high resistivity liquid detectable near the point of use for extracting the high resistivity liquid is obtained.

제3항에 관계되는 발명에 의하면 센서부의 형상은 임의로 선택할 수 있고, 또 센서부의 탈착이 언제라도 가능한 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.According to the invention according to claim 3, the shape of the sensor portion can be arbitrarily selected, and the liquid quality monitoring method of the high resistivity liquid can be obtained at any time.

제4항에 관계되는 발명에 의하면 고비저항액체에 영향을 미치는 일이 없는 고비저항액테의 액질감시방법이 얻어진다.According to the invention according to claim 4, a liquid-resistance monitoring method of a high resistivity fluid, which does not affect the high resistivity liquid, is obtained.

제5항에 관계되는 발명에 의하면 검출감도가 안정된 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.According to the invention according to claim 5, a liquid quality monitoring method of a high resistivity liquid with stable detection sensitivity is obtained.

제6항에 관계되는 발명에 의하면 광범위한 이용분야에의 적용이 가능한 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.According to the invention according to claim 6, there is obtained a liquid quality monitoring method of a high resistivity liquid that can be applied to a wide range of applications.

제7항에 관계되는 발명에 의하면 사용점과 도전성전극과의 사이에 있는 공간내의 청정도관리가 가능한 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.According to the invention according to claim 7, a liquid quality monitoring method of a high resistivity liquid capable of managing cleanliness in a space between a point of use and a conductive electrode is obtained.

제8항에 관계되는 발명에 의하면 피세정물마다 최적의 세정조건 등을 순차 정할 수 있는 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.According to the invention according to claim 8, there is obtained a liquid quality monitoring method of a high resistivity liquid capable of sequentially determining optimum cleaning conditions and the like for each object to be cleaned.

제9항에 관계되는 발명에 의하면 범용성이 높고, 또 저렴한 고비저항액체의 액질감시방법이 얻어진다.According to the invention according to claim 9, a liquid quality monitoring method for a high versatility and inexpensive high resistivity liquid is obtained.

제10항에 관계되는 발명에 의하면 신뢰성이 높은 고비저항액체의 액질감시시스템이 얻어진다.According to the invention according to claim 10, a liquid quality monitoring system of a high resistivity liquid with high reliability is obtained.

Claims (10)

고비저항액체를 흐르게 하기 위하여 사용하는 배관부에서, 상기 고비저항액체가 접촉하게 되는 상기 배관부의 일부가, 적어도 상기 배관부와 전기적으로 절연된 도전성부재로 구성되어 있고, 상기 도전성부재로 이루어지는 센서부의대전량을 검출하는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.In a pipe section used for flowing a high resistivity liquid, a part of the pipe section where the high resistivity liquid is in contact is composed of at least a conductive member electrically insulated from the piping section, and the sensor section comprising the conductive member. A liquid quality monitoring method for a high resistivity liquid, characterized by detecting the charge amount. 제1항에 있어서, 상기 고비저항액체를 취출하는 사용점 근방에 상기 센서부를 설치하는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.The method for monitoring the quality of liquid of a high resistivity liquid according to claim 1, wherein the sensor part is provided near a point of use for extracting the high resistivity liquid. 제1항에 있어서, 상기 고비저항액체를 취출하는 사용점 단부에 상기 센서부를 설치하는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.The method of monitoring liquid quality of a high resistivity liquid according to claim 1, wherein the sensor part is provided at an end point of a use point for extracting the high resistivity liquid. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 센서부와 접지점과의 전하이동량을 측정하므로써 대전량을 검출하는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.4. The method of monitoring liquid quality of a high resistivity liquid according to any one of claims 1 to 3, wherein a charge amount is detected by measuring an amount of charge transfer between the sensor portion and the ground point. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 센서부는, 상기 센서부내가 고비저항액체가 통과하는 링형상인 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.The method of monitoring liquid quality of a high resistivity liquid according to any one of claims 1 to 3, wherein the sensor part has a ring shape through which a high resistivity liquid passes. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고비저항액체는 순수 또는 중수인 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.The method of monitoring liquid quality of a high resistivity liquid according to any one of claims 1 to 3, wherein the high resistivity liquid is pure water or heavy water. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 사용점으로부터 분출된 상기 고비저항액체를 피세정물의 표면을 개재하지 않고 패러데이게이지에 접속된 도전성전극에 직접적으로 걸리게하므로써 상기 고비저항액체에 걸린 전하량을 측정하는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.The high resistivity liquid of any one of claims 1 to 3, wherein the high resistivity liquid ejected from the point of use is directly caught by a conductive electrode connected to a Faraday gauge without interposing the surface of the object to be cleaned. A liquid quality monitoring method for a high resistivity liquid, characterized by measuring the amount of charged charge. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 사용점으로부터 분출된 상기 고비저항액체를 피세정물의 표면을 개재하여 패러데이게이지에 접속된 도전성전극에 간접적으로 걸리게하므로써 상기 고비저항액체에 걸린 전하량을 측정하는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시방법.4. The high resistivity liquid according to any one of claims 1 to 3, wherein the high resistivity liquid ejected from the point of use is indirectly caught by the conductive electrode connected to the Faraday gauge via the surface of the object to be cleaned. A liquid quality monitoring method for a high resistivity liquid, characterized in that the amount of charge is measured. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항 기재의 고비저항액체의 액질감시방법을 가지는 것을 특징으로 하는 고비저항액체의 액질감시장치.A liquid quality monitoring apparatus for a high resistivity liquid, comprising: a liquid quality monitoring method for a high resistivity liquid according to any one of claims 1 to 8. 상기 대전량 또는 상기 전하량의 값이 변화한 경우에, 경고를 발하는 경고수단을 가지는 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항 기재의 고비저항액체의 액질감시시스템.A liquid-resistance monitoring system for a high resistivity liquid according to any one of claims 1 to 9, comprising a warning means for issuing a warning when the charge amount or the value of the charge amount changes.
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