KR0155950B1 - 플라즈마 확산 제어 방법 및 그 장치 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 에칭 장치내의 플라즈마 확산 제어 방법 및 그 장치를 개시한다. 플라즈마 확산 챔버벽에 평행한 방향으로 자력선이 생기도록 평행한 전류가 흐르는 여러개의 전선을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 확산제어 장치를 제공한다. 상기 전선들은 균등한 간격으로 확산 챔버주변에 위치시켜는 것이 바람직하다. 상기 전선의 방향은 플라즈마의 이동 방향과 평행한 방향인 것이 바람직하다. 상기 전선은 얇고 넓은 띠 모양의 도체로 이루어진 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면, 확산 챔버 내벽에서 내벽과 평행한 방향으로 자장이 형성되어, 이자장에 의해 플라즈마가 챔버벽쪽으로 확산되는 것을 방지할 수 있다.
뿐만 아니라 이 경우는 국소적으로 강한 자장이 작용하는 영역은 존재하지 않게 되기 때문에, 확산챔버 내벽의 폴리머가 국소적으로 많은 양이 증착되는 현상을 해결 할 수 있게 된다.

Description

플라즈마 확산 제어 방법 및 그 장치
제1a도 와 제1b도는 종래의 플라즈마 확산 제어 챔버의 사시도와 평면도이다.
제2도에서는 종래의 방식을 사용한 경우의 챔버벽에 부착된 폴리머의 양태를 나타낸 사진이다.
제3a도 와 제3b도는 전선에 전류가 흐를 때 전선 주변의 자장의 모양을 나타낸 사시도와 단면도이다.
제4도 여러개의 평행하게 인접한 전선에 같은 방향의 전류가 흐를 때 형성되는 자장의 모양이다.
제5도는 본 발명에 의해 인접한 여러개의 평행한 전선을 확산 챔버의 외벽 주변에 둥글게 감아서 장착한 장치의 사시도이다.
제6도는 본 발명에 의해 12개의 평행한 전선이 둘러싼 플라즈마 확산 제어 챔버의 단면도이다.
제7도는 본 발명에 의해 12개의 전선에 전류를 흘릴 때 챔버내 자장의 세기를 중심으로부터의 거리에 따른 변화로 나타낸 그래프이다.
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히 플라즈마 에칭 장치내의 플라즈마 확산 제어 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 가공하는 에칭설비 가운데는 별도의 플라즈마 발생 장치를 이용하여 플라즈마원 영역에서 플라즈마를 먼저 생성하고, 이와같이 만들어진 플라즈마를 가공하려는 웨이퍼 위치까지 확산에 의해 이동시켜서 웨이퍼 표면위의 막질을 에칭하는 방식이 많이 이용되고 있다. 특히 최근 고집적 소자에 이용되는 에칭 설비 가운데는 저압, 고밀도 플라즈마 설비로서 전자 사이크로트론 공명 에칭 설비(Electron Cyclotron Resonance Etcher), 유도 결합형 플라즈마 에칭 설비(Inductively Coupled Plasma Etcher), 헬리콘파 플라즈마 에칭 설비(Helicon Wave Plasma Etcher)등은 모두 이 확산 방식을 이용하고 있다.
그러나, 별도의 플라즈마원으로부터 생성된 플라즈마를 이동시키기 위하여 확산시키는 경우, 고밀도의 플라즈마를 생성하였다고 하더라도 플라즈마를 확산시킴에 따라서 가공하려는 웨이퍼 근처에서는 플라즈마 밀도가 급격히 낮아지게 된다. 또한, 확산시 전자의 이동성(mobility)이 이온의 이동성 보다 103배이상 크기 때문에 플라즈마로부터 손실되는 전자의 수가 손실되는 이온의 수보다 많게 되어 플라즈마 전위가 더불어 상승하게 된다. 이러한 현상을 방지하기 위하여 확산 챔버에 다중 영구자석을 설치하여 플라즈마 밀도를 보존하는 것이 종래의 방법이다.
제1a도 와 제1b도는 종래 방식의 플라즈마 확산 챔버의 사시도와 평면도이다. 참조번호 10은 확산 챔버벽을 나타내고, 12는 챔버벽에 부착된 다중 영구 자석이다. 그러나 종래의 방법의 경우, 참조 번호 14의 위치에서는 자장의 방향이 챔버벽에 평행하게 진행하여 자장에 의한 플라즈마의 반사가 잘 이루어지는 반면, 16의 위치에서는 표면에 수직인 방향의 자속이 매우 강하게 형성되어 이 자속의 방향을 따라서 플라즈마가 진행하여, 챔버벽에 폴리머의 부착이 가속된다. 제2도에서는 종래의 방식을 사용한 경우의 챔버벽에 부착된 폴리머의 양태를 나타낸 사진이다. 이와같이 챔버벽에 부착된 폴리머는 에칭 공정 진행시 먼지의 근원이 되어 가공된 소자의 수율을 떨어뜨리고, 설비의 가동률을 저하시킴과 동시에 수명을 단축 시키는 주 원인이 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래방법의 문제점들을 해결 할 수 있는 플라즈마 확산제어 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 확산 제어 방법을 적용한 플라즈마 확산 제어 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 전류에 의한 자력선을 이용하여 플라즈마 에칭장치의 플라즈마 확산 챔버벽에 평행한 방향으로 자력선이 생기도록 다수의 평행한 전류가 흐르는 여러개의 전선을 배치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 확산제어 방법을 제공한다.
상기 전선들은 균등한 간격으로 확산 챔버주변에 위치시키는 것이 바람직하다.
상기 전선의 방향은 플라즈마의 이동 방향과 평행한 방향인 것이 바람직하다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 플라즈마 확산 챔버벽에 평행한 방향으로 자력선이 생기도록 평행한 전류가 흐르는 여러개의 전선을 확산 챔버의 외벽 주변에 배치하여 장착한 것을 특징으로 하는 플라즈마 확산제어 장치를 제공한다.
상기 전선들은 균등한 간격으로 확산 챔버주변에 위치시켜는 것이 바람직하다.
상기 전선의 방향은 플라즈마의 이동 방향과 평행한 방향인 것이 바람직하다.
상기 전선은 얇고 넓은 띠 모양의 도체로 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 확산 챔버 내벽에서 내벽과 평행한 방향으로 자장이 형성되어, 이자장에 의해 플라즈마가 챔버벽쪽으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 뿐만 아니라 본 발명의 경우는 국소적으로 강한 자장이 작용하는 영역은 존재하지 않게 되기 때문에, 확산챔버 내벽의 폴리머가 국소적으로 많은 양이 증착되는 현상을 해결 할 수 있게 된다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제3a도 와 제3b도는 전선에 전류가 흐를 때 전선 주변의 자장의 모양을 나타낸 사시도와 단면도이다.
제3a도에서와 같이 직류전류 I가 곧은 전선(18)을 따라 흐를 때, 전선 주변에 유도되는 자장은 전선에 수직한 평면위에서 전선을 중심으로 동심원 방향으로 생성되며(제3b도), 이때의 자장의 세기 b는,
로 부터
로 주어진다. 여기서 r은 전선 중심 부터으로 부터의 거리, c는 광속으로서 3×1010㎝/sec이다. 같은 방법으로 생각하여서, 여러개의 평행한 전선을 인접하게 위치 시키고 같은 방향으로 전류를 흘릴 때 주변에 형성되는 자장 모양은 제4도와 같이 나타난다. 참조 번호 20, 22, 24, 26, 28은 전류가 흘러 자장이 형성된 전선이다. 이 경우 영구자석을 배치한 종래의 방식과는 다르게 상반되는 방향의 자장이 만나는 부분은 존재하지 않게 되어 전체적으로 자장의 세기의 변화가 완만하며, 국소적으로 강한 자장이 작용하는 영역은 존재하지 않는다.
제5도는 본 발명에 의해 인접한 여러개의 평행한 전선을 확산 챔버의 외벽 주변에 둥글게 감아서 장착한 장치이다. 참조번호 30은 플라즈마 확산 챔버벽, 32는 플라즈마 생성 영역, 34는 전류가 흐르는 전선이다. 도면에서 화살표로 표시된 선으로 전선을 연결한 것은 전류의 흐름을 나타내기 위한 것이다. 도면과 같이 장착한 경우, 확산 챔버내에서 내벽과 평행한 방향으로 자장이 형성되어, 이자장에 의해 플라즈마가 챔버벽쪽으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 뿐만 아니라 이경우는 국소적으로 강한 자장이 작용하는 영역은 존재하지 않게 되기 때문에, 확산챔버 내벽의 폴리머가 국소적으로 많은 양이 증착되는 현상을 해결 할 수 있게 된다. 결국, 전류가 흐르는 다수의 평행한 전선을 확산 챔버 외벽에 배치함으로써 국소적으로 강한 자장이 형성되지 않을 뿐만 아니라 챔버벽에 평행하게 형성된 자력선에 의해 자계 플라즈마 차폐막이 형성되어 진다.
제6도는 플라즈마 확산 제어 챔버를 둘러싼 12개의 평행한 전선을 나타낸 단면도이다. r은 확산챔버 중심으로부터 임의의 지점 까지의 거리이고 R은 확산 챔버 중심으로부터의 확산 챔버 외벽까지의 반경이다. 참조번호 40은 전류가 흐르는 전선이고, 42는 확산 챔버로서, 상기 평행한 전선에 흐르는 전류에 의한 자계 플라즈마 차폐막이 형성된 플라즈마 확산 제어 챔버이다. 상기 12개의 전선 각각에 전류가 10 암페어가 흐르는 경우를 생각해 보자. 10 암페어는 3×1010esu /sec의 전하량의 흐름에 해당하며, 전류를 흘리는 각 전선의 직경을 0.2㎝라고 할 때, 하나의 전선의 위치로부터 챔버중심방향으로의 자장의 세기 변화를 컴퓨터를 이용하여 계산하여 보면, 제7도와 같이 나타난다.
여기서 r/R은 정규화된 반경(normalized radius)으로 챔버 반경에 대한 챔버중심으로 부터의 거리를 상대적인 양으로 나타낸 값이다. 이 그래프를 살펴 보면, 챔버 내벽의 바로 표면에서는 자장의 세기가 40 가우스(gauss)이상으로서 확산하려는 플라즈마를 차폐하기에 충분한 크기의 자장을 형성 할 수 있음을 알 수 있다. 또한, 챔버벽의 표면으로부터 챔버의 중심부분으로 이동하면서 자장의 세기의 변화를 관측하여보면, 챔버벽의 표면으로부터 약간만 떨어져도 자장의 세기는 급격히 감소함을 알 수 있다. 다시 말하면 전류에 의한 자계 플라즈마 차폐막의 자장은 챔버 내벽의 표면 근처에만 효과적으로 존재하며 플라즈마를 차폐하며, 챔버의 중심 부분에서는 자장의 영향이 무시될 수 있을 정도로 작다는 점을 알 수 있다. 따라서 에칭 공정 진행시 우려되는 자장의 영향에 의한 소자의 특성 변화나 에칭손상(etching damage)등에는 큰 영향이 없다고 볼 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 확산 챔버 내벽에서 내벽과 평행한 방향으로 자장이 형성되어, 이 자장에 의해 플라즈마가 챔버벽쪽으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 뿐만 아니라 이경우는 국소적으로 강한 자장이 작용하는 영역은 존재하지 않게 되기 때문에, 확산챔버 내벽의 폴리머가 국소적으로 많은 양이 증착되는 현상을 해결 할 수 있게 된다.
이것은 결국 확산 챔버의 오염을 줄여 설비를 청결하게 유지할 수 있다.

Claims (7)

  1. 플라즈마 확산 챔버에 있어서, 플라즈마 확산 챔버벽에 평행한 방향으로 자력선이 생기도록 전류가 흐르는 여러개의 전선을 위치시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 확산제어 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전선들은 균등한 간격으로 확산 챔버주변에 위치시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 확산 제어 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전선의 방향은 플라즈마의 이동 방향과 평행한 방향인 것을 특징으로 하는 플라즈마 확산 제어 방법.
  4. 플라즈마 확산 챔버에 있어서, 플라즈마 확산 챔버벽에 평행한 방향으로 자력선이 생기도록 전류가 흐르는 여러개의 전선을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 확산제어 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 전선들은 균등한 간격으로 확산 챔버주변에 위치시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 확산제어 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기전선의 방향은 플라즈마의 이동 방향과 평행한 방향인 것을 특징으로 하는 플라즈마 확산 제어 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 전선은 얇고 넓은 띠 모양의 도체로 이루어진 것을 특징으로하는 플라즈마 확산 제어 장치.
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