KR0154717B1 - Memory management system - Google Patents
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야: 본 발명은 메모리 관리 구조 및 그 처리 방법에 관한 것이다.1. Field of the Invention The invention relates to a memory management structure and a processing method thereof.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제: 본 발명은 상태 머신 3개를 가지고 모든 뱅크와 모든 엑세스 싸이클을 지원하게 하여 다이나믹 램의 상태 머신이 롬의 상태 머신을 공유하여 사용하는 시스템의 메모리 관리 구조 및 그 처리 방법을 제공한다.2. Technical problem to be solved by the present invention: The present invention has three state machines to support all banks and all access cycles, so that the memory management structure of the system in which the state machine of dynamic RAM shares and uses the state machine of ROM and It provides a processing method.
3. 발명의 해결방법의 요지: 본 발명은 메모리 어레이로 구성된 다수개의 뱅크를 가지는 시스템 메모리 관리 구조에 있어서, 싸이클을 만드는 상태를 가지는 바이싸이클과, 전체 경로를 위한 상태를 가지는 패스맵과, 다이나믹 램만을 위한 상태를 가지는 램패스로 구성됨을 특징으로 한다.3. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a system memory management structure having a plurality of banks composed of a memory array, wherein a cycle having a state of making a cycle, a path map having a state for the entire path, and a dynamic are provided. It is characterized by consisting of a ram path having a state for only ram.
4. 발명의 중요한 용도 : 본 발명은 시스템 메모리 관리 구조에 적합하게 사용된다.4. Significant Uses of the Invention The present invention is suitably used in a system memory management structure.
Description
제1도는 본 발명에 따른 전체 블록도.1 is an overall block diagram according to the present invention.
제2도는 제1도의 엑세스 싸이클을 나타내는 상태블록도.2 is a state block diagram showing the access cycle of FIG.
제3도는 제1도의 엑세스 형태를 나타내는 상태블록도.3 is a state block diagram showing the access type of FIG.
제4도는 제3도의 상태블록도를 상태간의 천이를 제외한 개략화된 도면.4 is a schematic diagram of the state block diagram of FIG. 3 excluding transitions between states.
제5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f도는 제4도의 각 상태를 보여주는 도면.5a, 5b, 5c, 5d, 5e, and 5f are views showing respective states of FIG.
제6도는 제1도의 디램 엑세스 형태를 나타내는 상태블록도.6 is a state block diagram showing the DRAM access type of FIG.
제7도는 다이나믹 램의 엑세스 타이밍을 나타내는 동작 타이밍도.7 is an operation timing diagram showing an access timing of the dynamic RAM.
제8도는 리이드 온리 메모리 또는 스태릭 램의 엑세스 타이밍을 나타낸 동작 타이밍도.8 is an operation timing diagram showing an access timing of the read only memory or the static RAM.
제9도는 리프레쉬 싸이클을 나타내는 동작 타이밍도.9 is an operation timing diagram showing a refresh cycle.
제10, 11, 12, 13도는 다이나믹 램 라이트 싸이클을 나타내는 동작 타이밍도.10, 11, 12, and 13 degrees are operation timing diagrams showing a dynamic RAM write cycle.
본 발명은 메모리 관리 시스템에 관한 것으로, 특히 상태천이에 따른 메모리에 관련된 신호를 만들어주기 위한 메모리 관리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a memory management system, and more particularly, to a memory management system for generating a signal related to a memory according to a state transition.
여러개의 뱅크(Bank)가 존재하는 메모리 관리 시스템(Memory Management Unit System)에서의 상태 머신(State machine)은 일반적으로 복잡하고 전체 게이트(Gate) 수가 큰 문제점이 있다.State machines in memory management unit systems, in which several banks exist, are generally complex and have a large number of gates.
따라서, 본 발명의 목적은 상태 머신 3개를 가지고 모든 뱅크와 모든 엑세스 싸이클을 지원하게 하고 다이나믹 램의 상태 천이회로가 롬의 상태 천이회로를 공유하여 사용하는 시스템의 메모리 관리 및 그 처리 방법을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a memory management and processing method of a system having three state machines supporting all banks and all access cycles, and a state transition circuit of a dynamic RAM sharing a state transition circuit of a ROM. Is in.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상은, 메모리 어레이로 구성된 다수개의 뱅크를 가지는 시스템의 메모리 관리 구조에 있어서, 엑세스 싸이클수에 따라 천이되는 상태 회로인 바이싸이클과, 엑세스 형태에 따라 천이되는 상태 회로인 패스맵과, 다이나믹 램의 엑세스를 위한 상태 회로인 램패스로 구성됨을 특징으로 한다.The technical idea of the present invention for achieving the above object is, in the memory management structure of a system having a plurality of banks composed of a memory array, a cycle which is a state circuit transitioned according to the number of access cycles, and transitions according to the access type And a pass path, which is a state circuit, and a ram path, which is a state circuit for accessing the dynamic RAM.
제1도는 본 발명에 따른 전체 블록도이다. 제1도를 참조하면, 전체 뱅크의 엑세스 싸이클(Access Cycle)에 따라 구동되는 엑세스 싸이클 상태 머신(Access Cycle machine)인 바이싸이클(Bicycle) 1과, 데이타 엑세스 형태에 따른 상태 머신인 패스맵(이하 PATHMAP) 2와, 다이나믹 램만의 상태에 따라 천이되는 상태 머신인 램패스(이하 RAMPATH) 3과, 다이나믹 램 페이지 모드와 엑세스 싸이클에 관여하는 싸이클/PGMHIT 4와, 라스 프리차아지 옵션(RAS precharge option)을 위한 블록 TrpCLk 5와, 입출력 신호발생기 6으로 구성되어 있다.1 is an overall block diagram according to the present invention. Referring to FIG. 1, a cycle 1, which is an access cycle state machine driven according to an access cycle of an entire bank, and a passmap, which is a state machine according to a data access type, are described below. PATHMAP) 2, RAMPATH 3, a state machine that transitions according to the state of dynamic RAM, cycle / PGMHIT 4 involved in dynamic ram page mode and access cycles, and RAS precharge option. Block TrpCLk 5 and input / output signal generator 6).
제2도는 제1도의 바이싸이클을 나타내는 상태천이도이다. 제2도를 참조하면, 신호 pedal은 상태 머신(state machine)의 신호 status로 각종 제어신호의 참조 값이 된다. 신호 Wheel은 다른 상태 머신 즉 ROM 뱅크를 위한 상태로서 PATHMAP 2에 가해져서 전체 상태 머신의 구동을 제어한다. 또 입출력 신호발생기 6이나 싸이클/PGMHIT 4의 입력으로 공급되어 제어신호의 역할을 한다. 신호 ancyle은 엑세스해야할 뱅크의 엑세스 시간 (access Time)이 몇 클럭(clock)의 시간을 갖는가에 따르는 신호 플래그(flag)이다. 상기 제2도에서 보듯이 최초 록 상태(Lock Status)에서 신호 ancyle이 0에서 7사이의 값에 따라 상태 천이가 이루어진다. 이때 클럭(clock)은 상기 TrpCLK 5에서 만들어지는 시스템 클럭(System clock mcke)의 다른 형태다. TWOCT, ONECT, RESRT등의 상태에서 상기 Wheel이 펄스(pulse)을 발생하게 된다.FIG. 2 is a state transition diagram showing the cycle of FIG. Referring to FIG. 2, the signal pedal is a signal status of a state machine and becomes a reference value of various control signals. The signal wheel is applied to PATHMAP 2 as a state for another state machine, the ROM bank, to control the operation of the entire state machine. It is also supplied to the input / output signal generator 6 or the cycle / PGMHIT 4 as an input to control signals. The signal ancyle is a signal flag depending on how many clocks the access time of the bank to access has. As shown in FIG. 2, the state transition is performed according to a value between 0 and 7 in the first lock state. At this time, the clock is another form of the system clock (System clock mcke) made in the TrpCLK 5. In the state of TWOCT, ONECT, RESRT, etc., the wheel generates a pulse.
상기 제1도의 도면부호 2는 다이나믹 램 상태 머신의 흐름을 제어하는 상태 머신(PATHMAP)으로 외부 메모리(memory)의 구성에서의 워드(Word), 하프워드(Halfword), 바이트(byte)와 시스템 내부의 엑세스 존건(Word, byte)에 따라 제4도처럼 상태를 천이한다. 상기 제2도에서, 록(Lock)은 전체 상태가 아이들(idle) 상태를 말하고, 라스트(LAST)는 엑세스 싸이클의 마지막 단계를 말하며, 쓰리(THREE), 포어(FOUR), 화이브(FIVE), 씩스(SIX), 세븐(SEVEN)은 엑세스 싸이클의 중간단계를 말한다. 또한 RESRT, ONECT, TWOCT는 상태 머신을 실제 1번 구동하는 단계를 말한다.2 is a state machine (PATHMAP) for controlling the flow of the dynamic RAM state machine. Word, halfword, byte, and system in the configuration of an external memory are shown in FIG. Transition state as shown in Figure 4 according to access zone (Word, byte) of. In FIG. 2, lock refers to the idle state of the entire state, LAST refers to the last stage of the access cycle, and includes THREE, FOUR, FIVE, SIX and SEVEN are the intermediate stages of an access cycle. Also, RESRT, ONECT, and TWOCT are the steps to actually drive the state machine once.
제3도는 제1도의 패스맵(2)를 나타내는 상태블록도이다. 즉, 상기 PATHMAP 2의 전체 상태 머신 상태도이고, 제4도는 그 상태도에서 상태간의 천이를 제외시킨 개략적인 천이상태도이다. 다시말해 실제 상태 머신에서는 상태 W_W에서 아이들 상태(idle state)로 가지 않고 다른 상태 W_HW0, 0.0, 0.2, 0.3등으로 천이가 가능하나 여기 제4도에서는 그런 상태간의 천이는 생략하고 그린 도면이다. 상태 0.1, 0.2, 0.3, 0.0은 각각 S_01, S_02, S_03, S_00이고 상기 제3도의 상태 0, 1, 2, 3등도 마찬가지 방법으로 알 수 있다.3 is a state block diagram showing the path map 2 of FIG. That is, the overall state machine state diagram of PATHMAP 2, and FIG. 4 is a schematic state diagram of state transitions excluding transitions between states in the state diagram. In other words, in the actual state machine, it is possible to transition from other states W_HW0, 0.0, 0.2, 0.3, etc. without going from the idle state to the idle state, but in FIG. The states 0.1, 0.2, 0.3, and 0.0 are S_01, S_02, S_03, S_00, respectively, and the states 0, 1, 2, 3, etc. of FIG.
상기 제4도에서 0,11(A0-A1:00)등의 표시는 시스템에서 엑세스하려고 하는 상태와 실제 메모리의 상태를 표현한 것으로 첫 번째 값은 0일 때 바이트(Byte)1은 워드(Word)[CPU나 다른 마스터(Master)가 요구하는 상태], 두번째 값은 두 비트 01은 바이트, 10은 하프원드, 11은 워드(메모리 상태) 그리고 괄호안은 (A0 A1:11)은 어드레스(Adress)가 11일때라는 표현이다. 정리하면, 최초 아이들 상태(Idle state)에서 워드로 구성된 메모리 뱅크를 중앙처리장치(CPU)가 워드 엑세스 요구하면 어드레스에 상관없이 상태 W_W로 천이 이때 상기 PATHMAP 2에서 표시됐듯이 플래스(flag)는 6이라는 값이다. 또한 각 상태별로 설명하면, W_W(워드-워드)는 마스터(Master)가 워드 엑세스를 원하고 소자(Device)도 워드로 구성됨을 의미하고,W_WH(워드-하프워드)는 마스터가 워드 엑세스를 원하고 소자는 하프워드로 구성되며 이때는 네 번의 상태가 동작함을 의미한다. 또한 W_B(워드-바이트)는 바이트 엑세스를 원하고 소자는 바이트로 구성되며 이때는 네 번의 상태가 동작함을 의미하고, B_W(바이트-워드)는 마스터가 바이트 엑세스를 원하고 소자는 워드로 구성되며 이때는 네가지의 상태중 한 가지만 동작함을 의미하고, B_HW(바이트-하프워드)는 마스터가 바이트 엑세스를 원하고 소자는 하프워드로 구성되며 이때는 두가지의 상태중 한 가지만 동작함을 의미한다. 또한 B_B(바이트-바이트)는 마스터가 바이트 엑세스를 원하고 소자는 바이트로 구성함을 의미한다.In FIG. 4, 0,11 (A0-A1: 00), etc., represent the state that the system is trying to access and the state of the physical memory. When the first value is 0, byte 1 is word. [Status required by CPU or other Master], the second value is two bits, 01 is a byte, 10 is a half-won, 11 is a word (memory state), and parentheses (A0 A1: 11) are addresses. 11 is the expression. In summary, when the CPU requests word access to a memory bank consisting of words in an initial idle state, the state transitions to the state W_W regardless of the address. As shown in PATHMAP 2, the flag is displayed. The value is 6. In addition, in each state, W_W (word-word) means that the master wants word access and the device is composed of words. W_WH (word-half word) means that the master wants word access. The device consists of halfwords, which means that four states operate. In addition, W_B (word-byte) means byte access, and the device is composed of bytes. In this case, four states operate. B_W (byte-word) means that the master wants byte access and the device is composed of words. In this case, only one of the four states is active, and B_HW (Byte-Halfword) means that the master wants to access the byte and the device is composed of halfwords, in which case only one of the two states is active. B_B (byte-byte) also means that the master wants to access the byte and the device consists of bytes.
제5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f도는 제4도의 각 상태를 보여주는 도면이다. 내부데이타 경로와 메모리 장치간의 입출력 관계를 설명하고 있다.5a, 5b, 5c, 5d, 5e, and 5f are views showing respective states of FIG. The I / O relationship between the internal data path and the memory device is described.
제6도는 제1도의 램패스를 나타내는 상태블록도이다. 제6도를 참조하면 ,상기 제1도에서의 램패스 3은 다이나믹 램 뱅크 엑세스시 동작되는 상태 머신이다. 이 상태는 최초 아이들(idle)에서 다이나믹 램(Dynamic RAM) 엑세스가 시작이 되면 프리차아지 상태(prechage state)로 천이되고 또는 리프레쉬(refresh)상태의 조건일때도 이 프리차아지 상태로 천이한다. 이때 각 상태는 Trp 옵션(Option)에 따라 인에이블(enable) 또는 디세이블(Disable)이 되는데 이 신호는 신호 enTrp로 출력된다. 상기 enTrp는 상기 TrpCLK 5로 인가되어 신호 TCLK를 한번 건너 뛰게(skip)함으로써 모든 싸이클(cycle)이 스트레치(strech)되게 한다. 이는 프리차아지 시간이 하나의 클럭으로 부족할 경우 옵션으로 사용하여 그 시간을 맞추고자 함이다.6 is a state block diagram showing the ram path of FIG. Referring to FIG. 6, the RAM path 3 in FIG. 1 is a state machine operated when the dynamic RAM bank is accessed. This state transitions to the precharge state when dynamic RAM access is initiated at the first idle, or to the precharge state even under the condition of the refresh state. At this time, each state is enabled or disabled according to the Trp option. This signal is output as a signal enTrp. The enTrp is applied to the TrpCLK 5 to skip the signal TCLK once so that all cycles are stretched. This means that if the precharge time is insufficient for one clock, it can be used as an option to set the time.
또한 다이나믹 램인 경우 페이지 모드(Page Mode)를 지원하기 위해서 신호 PGMHIT 4에서 상기 PGMHIT를 액티브(Active)시키면 신호 RAMPATH는 페이지 모드 싸이클에 맞추어 로우어드레스스트로우브 시간(Row Address Strobe time:RAS time)을 건너 뛰게 한다. 이 페이지 모드는 상기 신호 acycle이 변하게 되어 상기 싸이클/PGMHIT 4의 플래그가 변하고 상기 바이싸이클 1의 상태가 변하게 되므로 상기 pedal이라는 상태(status)를 달리 가져가게 된다. 그러므로 전체 다이나믹 램 엑세스 타이밍중 로우어드레스스트로우브 시간(RAS)만 제거된다. 기본 싸이클 타이밍과 페이지 모드 싸이클에 대한 동작 타이밍이 제7도에 나타나있다. 제7도는 다이나믹 램의 엑세스 타이밍을 나타내는 동작 타이밍도이다. 제8도는 리이드 온리 메모리(Read Only Memory:ROM)의 리이드 싸이클과 스태릭 램의 리이드 라이트 싸이클을 나타낸 동작 타이밍도이다. 제9도는 리프레쉬 싸이클을 나타내는 동작 타이밍도이다. 제10도는 리이드 온리 메모리 싸이클을 시뮬레이션(Simulation)한 결과를 나타내는 동작 타이밍도이다. 제11도는 리프레쉬 싸이클을 시뮬레이션한 결과를 보내주는 동작 타이밍도이다. 제12도는 다이나믹 램 싸이클을 시뮬레이션한 결과를 보내주는 동작 타이밍도이다. 제13도는 시뮬레이션(Simulation)한 결과에 따르는 전체 동작 타이밍도이다. 제13도를 참조하면, 이 타이밍은 상기 ROM의 엑세스[리이드(Read)시]때 메모리가 하프워드가 구성되어있고 2싸이클 엑세스 시간을 갖는 경우이다. 또한 리프레쉬가 7싸이클일 경우와 다이나믹 램 라이트(write) 싸이클(바이트로 구성된 워드 엑세스)일 경우를 시뮬레이션한 결과다.In the case of dynamic RAM, if the PGMHIT is activated in the signal PGMHIT 4 to support the page mode, the signal RAMPATH crosses the Low Address Strobe time (RAS time) in accordance with the page mode cycle. Let's run In this page mode, the signal acycle is changed, the flag of the cycle / PGMHIT 4 is changed, and the state of the cycle 1 is changed, so that the status of the pedal is different. Therefore, only the low address strobe time (RAS) is eliminated during the entire dynamic ram access timing. The basic cycle timing and the operation timing for the page mode cycle are shown in FIG. 7 is an operation timing diagram illustrating an access timing of the dynamic RAM. 8 is an operation timing diagram illustrating a read cycle of a read only memory (ROM) and a read write cycle of a static RAM. 9 is an operation timing diagram showing a refresh cycle. FIG. 10 is an operation timing diagram showing a result of simulation of a lead only memory cycle. 11 is an operation timing diagram for sending a result of a simulation of a refresh cycle. FIG. 12 is an operation timing diagram for sending a simulation result of a dynamic RAM cycle. FIG. 13 is an overall operation timing diagram according to a simulation result. Referring to FIG. 13, this timing is a case where the memory has a half word and two cycle access time when the ROM is accessed (when read). The result is a simulation of a refresh cycle with 7 cycles and a dynamic write cycle (byte access word).
전술한 바와 같이, 본 발명은 상태 머신 3개가 모든 뱅크와 모든 엑세스 싸이클을 지원하게 하는 것으로 다이나믹 램의 상태 머신이 롬의 상태 머신을 공유해 쓰는 효과를 가진다.As described above, the present invention allows three state machines to support all banks and all access cycles, so that the state machine of the dynamic RAM shares the state machine of the ROM.
상기한 본 발명은 도면을 중심으로 예를 들어 한정되었지만, 그 동일한 것은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 변화와 변형이 가능함이 본 분야의 숙련된 자에게 있어 명백할 것이다.Although the present invention described above is limited to, for example, the drawings, the same will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950047551A KR0154717B1 (en) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | Memory management system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950047551A KR0154717B1 (en) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | Memory management system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR970049586A KR970049586A (en) | 1997-07-29 |
KR0154717B1 true KR0154717B1 (en) | 1998-11-16 |
Family
ID=19438358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950047551A KR0154717B1 (en) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | Memory management system |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR0154717B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100898710B1 (en) * | 2001-12-21 | 2009-05-21 | 에이저 시스템즈 인크 | Multi-bank scheduling to improve performance on tree accesses in a dram based random access memory subsystem |
-
1995
- 1995-12-07 KR KR1019950047551A patent/KR0154717B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100898710B1 (en) * | 2001-12-21 | 2009-05-21 | 에이저 시스템즈 인크 | Multi-bank scheduling to improve performance on tree accesses in a dram based random access memory subsystem |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR970049586A (en) | 1997-07-29 |
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