KR0153615B1 - Sense amplifier circuit with better equalizing action - Google Patents
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야:1. The technical field to which the invention described in the claims belongs:
반도체 메모리 장치의 센스앰프회로에 관한 것이다.A sense amplifier circuit of a semiconductor memory device.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제;2. The technical problem to be solved by the invention;
커플링 노이즈를 줄여 오동작을 제거할 수 있는 센스앰프회로를 제공함에 있다.It is to provide a sense amplifier circuit that can reduce the coupling noise to eliminate the malfunction.
3. 발명의 해결방법의 요지 ;3. Summary of Solution to Invention;
전압전류 변환기로 부터 변환된 전류를 인가받는 두 입력단자인 제1,2감지라인과 출력단자사이에 각기 접속되고 베이스를 통해 등화동작을 제어하기 위한 제어신호를 베이스로 인가받는 제1,2바이폴라 트랜지스터와, 상기 출력단자와 전원전압사이에 각기 접속된 저항을 적어도 구비함을 요지로 한다.First and second bipolars, which are connected between the first and second sensing lines and the output terminals respectively receiving the converted current from the voltage-current converter, and receive a control signal for controlling the equalization operation through the base. At least one resistor connected between the transistor and the output terminal and the power supply voltage is provided.
4. 발명의 중요한 용도 ;4. Important uses of the invention;
센스앰프에 적합하게 사용된다.It is suitably used for sense amplifiers.
Description
제1a,1b도는 종래의 기술에 따라 설계된 개략적인 센스앰프회로도와 그 출력의 파형도.1A and 1B are schematic sense amplifier circuits designed according to the prior art and waveform diagrams of their output.
제2a,2b도는 본 발명에 따라 설계된 개략적인 센스앰프회로도와 그 출력의 파형도.2a, 2b are schematic sense amplifier circuits designed in accordance with the present invention and waveform diagrams thereof.
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 센스앰프회로에 관할 것이다.The present invention relates to a semiconductor memory device, and more particularly to a sense amplifier circuit.
최근 메모리가 고집적화 및 사이즈가 증가되면서 감지(Sensing)라인의 길이와 부하는 증가하는 반면 쎌 전류는 감소 또는 현상유지 되므로 빠른 시간내에 센싱라인의 스윙(Swing)을 키우는 것이 점점 어려워지고 있다. 이와같은 현상을 해결하기 위해 사용되는 센스앰프가 제1a도에 도시되어 있다. 즉, 바이폴라 트랜지스터 T1, T2를 사용하여 감지라인 L1, L2과 출력단자 Vout를 전기적으로 독립시킴으로써 부하가 큰 감지라인 L1,L2의 스윙을 적게 유지하면서 큰 출력전압을 얻을 수 있다. 그리고 상기 센스앰프는 저항 R1, R2과 바이폴라 트랜지스터들 T1, T2과 전류원 Io로 구성된 차동증폭기이다. 또한 상기 바이폴라 트랜지스터들 T1, T2의 베이스로 공통모드전압 Vcm이 인가된다. 상기 공통모드전압 Vcm은 항상 하이레벨을 유지한다. 상기 바이폴라 트랜지스터들 T1, T2의 에미터단자에 각기 접속된 감지라인 L1, L2사이에 드레인-소오스간의 채널이 직렬로 피모오스 트랜지스터 T3가 접속되어 있고, 이의 게이트는 클럭신호φEQ와 접속되어 있다. 상기 감지라인 L1, L2과 입력단자 Vin사이에 접속되어 입력되는 전압을 전류로 변환시켜주는 전압전류변환기(10)가 도시되어 있다.Recently, as the memory density is increased and the size is increased, the length and load of the sensing line increase while the current of the sensing line is reduced or maintained, making it difficult to raise the swing of the sensing line in a short time. A sense amplifier used to solve this phenomenon is shown in FIG. 1A. That is, the bipolar transistors T1 and T2 are used to electrically separate the sense lines L1 and L2 and the output terminal Vout to obtain a large output voltage while maintaining a small swing of the sense lines L1 and L2 with a large load. The sense amplifier is a differential amplifier consisting of resistors R1, R2 and bipolar transistors T1, T2 and current source Io. In addition, a common mode voltage Vcm is applied to the bases of the bipolar transistors T1 and T2. The common mode voltage Vcm always maintains a high level. A drain-source channel is connected in series between the sensing lines L1 and L2 connected to the emitter terminals of the bipolar transistors T1 and T2, respectively, and the gate thereof is connected to the clock signal φ EQ. A voltage current converter 10 is shown which is connected between the sensing lines L1, L2 and the input terminal Vin to convert an input voltage into a current.
동작을 살펴보면, 상기 감지라인 L1, L2사이의 스윙 전압 Vaa는 전류차 I1-I2의 로그(Log)값에 비례하는 반면, 출력단자 Vout의 출력전압 Vbb는 전류차 I1-I2에 저항 R을 곱한 값으로 결정된다. 상기 센스앰프에 대한 동작은 널리 공지된 사항이므로 상세한 동작은 생략한다.In operation, the swing voltage Vaa between the sensing lines L1 and L2 is proportional to the log value of the current difference I1-I2, while the output voltage Vbb of the output terminal Vout is multiplied by the resistance R by the current difference I1-I2. It is determined by the value. Since the operation of the sense amplifier is well known, detailed operations will be omitted.
출력전압이 크게 벌어진 경우, 다음 신호가 반대로 들어올 경우 이를 반전시키기 위해 검출시간을 손해보게 되며, 잘못된 데이터를 검출하는 경우도 생길수 있다. 이를위해서 감지라인 L1, L2의 양단에 피모오스 트랜지스터 T3를 연결하여 클럭신호 φEQ를 로우레벨로 인가하여 양단의 감지라인을 일치시키는 등가회로를 채용한다.If the output voltage is large, the detection time is lost to reverse it when the next signal is reversed, and wrong data may be detected. For this purpose, an equivalent circuit is employed to connect the PMOS transistor T3 at both ends of the sense lines L1 and L2 to apply the clock signal φEQ at a low level to match the sense lines at both ends.
그러나, 이 경우 구조적으로 큰 부하의 감지라인을 빠른시간내에 완전히 일치시키기가 어려우며, 그 결과에 의해 출력의 일치까지 시간지연이 생긴다. 이것은 제1B도에 도시된 센싱동작시의 출력 파형도와 함께 설명될 것이다. 도면중 구간 M1은 감지구간을 나타내고, 전구간과 후구간은 등화기간을 나타내고 있다. 등화동작시 상기 전압전류 변환기(Voltage to Current Converter,10)부분을 오프 시켜야 하는 부담이 있으며, 상기 피모오스 트랜지스터 T3인 등가 트랜지스터의 온 혹은 오프시 생기는 커플링 노이즈가 출력으로 증폭되어 오동작을 일으킬수 있다.In this case, however, it is difficult to completely match the sense line of structurally heavy load in a short time, and as a result, there is a time delay until the output is matched. This will be explained with the output waveform diagram in the sensing operation shown in FIG. 1B. In the figure, section M1 represents a sensing section, and a front section and a rear section represent an equalization period. There is a burden to turn off the voltage to current converter (10) part during the equalization operation, and the coupling noise generated when the equivalent transistor of PMOS transistor T3 is turned on or off may be amplified by the output and cause a malfunction. have.
따라서, 본 발명의 목적은 등가 트랜지스터의 온 혹은 오프시 발생될 수 있는 커플링 노이즈를 제거하여 오동작을 방지할 수 있는 센스앰프회로를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a sense amplifier circuit capable of preventing malfunction by eliminating coupling noise that may occur when an equivalent transistor is turned on or off.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따르면, 전압전류 변환기로 부터 변환된 전류를 인가받는 두 입력단자인 제1,2감지라인과 출력단자사이에 각기 접속되고 베이스를 통해 등화동작을 제어하기 위한 제어신호를 베이스로 인가받는 제1,2바이폴라 트랜지스터와, 상기 출력단자와 전원전압사이에 각기 접속된 저항을 적어도 구비하는 것을 특징으로 한다.According to the technical idea of the present invention for achieving the above object, between the first and second sensing lines, which are the two input terminals receiving the converted current from the voltage-current converter and the output terminal, respectively, the equalization operation is performed through the base. And at least one resistor connected between the output terminal and the power supply voltage, the first and second bipolar transistors receiving a control signal for control as a base.
이하 본 발명의 바람직한 실시예들의 상세한 설명이 첨부된 도면들을 참조하여 설명된다.DETAILED DESCRIPTION A detailed description of preferred embodiments of the present invention will now be described with reference to the accompanying drawings.
도면들중 동일한 구성요소 및 부분들은 가능한한 어느곳에서든지 동일한 부호들을 나타내고 있음을 유의하여야 한다.It should be noted that like elements and parts in the figures represent the same numerals wherever possible.
제2a도는 본 발명에 따라 감지라인의 등화를 제어하기 위한 회로도이고 제2b도는 본 발명에 따른 센싱동작시의 출력파형도이다.FIG. 2A is a circuit diagram for controlling equalization of a sense line according to the present invention, and FIG. 2B is an output waveform diagram during a sensing operation according to the present invention.
제2a,2b도를 참조하면, 상기 감지라인 L1, L2의 등화를 하기 위해 사용된 피모오스 트랜지스터 T3를 없애고 상기 바이폴라 트랜지스터 T1, T2를 통하여 감지동작과 등화동작을 병행하기 위한 제어신호인 제어클럭신호 φEQC을 인가함으로써 감지와 등화를 교대하여 수행할 수 있게 하였다. 즉 바이폴라 트랜지스터 T1, T2에 하이레벨이 인가되면, 기존의 센스앰프와 같은 감지동작을 수행하고, 로우레벨이 인가되면, 상기 감지라인 L1, L2 과 출력단자 Vout간을 오픈(Open)시켜서 전원전압VCC과 저항 R1, R2에 의한 등화동작을 수행한다. 즉 상기 제어클럭신호 φEQC는 하이레벨에서 로우레벨로 또는 로우레벨에서 하이레벨로 천이가능한 신호이다. 이러한 구조는 출력을 직접 상기 저항 R1, R2을 통해 등화시키므로 고속의 확실한 등화를 실현가능케 하며, 또한 입력라인인 감지라인 L1, L2을 등화시키지 않으므로 등화 노이즈를 크게 줄일 수 있다.Referring to FIGS. 2A and 2B, a control clock which is a control signal for eliminating the PMOS transistor T3 used to equalize the sensing lines L1 and L2 and performing a sensing operation and an equalization operation through the bipolar transistors T1 and T2. By applying the signal φEQC, detection and equalization can be performed alternately. That is, when the high level is applied to the bipolar transistors T1 and T2, the sensing operation is performed as in the conventional sense amplifier, and when the low level is applied, the power supply voltage is opened between the sensing lines L1 and L2 and the output terminal Vout. Equalization operation is performed by VCC and resistors R1 and R2. That is, the control clock signal? EQC is a signal that can transition from a high level to a low level or from a low level to a high level. This structure equalizes the output directly through the resistors R1 and R2, thereby realizing high-speed and reliable equalization, and further reducing equalization noise since it does not equalize the input lines sense lines L1 and L2.
전술한 바와같이 본 발명은 커플링 노이즈를 줄일수 있는 효과가 있다. 또한 본 발명은 감지라인의 등화동작시 발생될 수 있는 오동작을 제거할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention has an effect of reducing coupling noise. In addition, the present invention has the effect of eliminating the malfunction that may occur during the equalization operation of the sensing line.
상기한 본 발명은 도면을 중심으로 예를들어 한정되었지만, 그 동일한 것은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 변화와 변형이 가능함이 본 분야의 숙련된 자에게 있어 명백할 것이다.Although the present invention described above is limited to, for example, the drawings, the same will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950034854A KR0153615B1 (en) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | Sense amplifier circuit with better equalizing action |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950034854A KR0153615B1 (en) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | Sense amplifier circuit with better equalizing action |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970023406A KR970023406A (en) | 1997-05-30 |
KR0153615B1 true KR0153615B1 (en) | 1998-12-01 |
Family
ID=19429825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950034854A KR0153615B1 (en) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | Sense amplifier circuit with better equalizing action |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR0153615B1 (en) |
-
1995
- 1995-10-11 KR KR1019950034854A patent/KR0153615B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR970023406A (en) | 1997-05-30 |
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