KR0153222B1 - Driving circuit of display device - Google Patents

Driving circuit of display device

Info

Publication number
KR0153222B1
KR0153222B1 KR1019940034642A KR19940034642A KR0153222B1 KR 0153222 B1 KR0153222 B1 KR 0153222B1 KR 1019940034642 A KR1019940034642 A KR 1019940034642A KR 19940034642 A KR19940034642 A KR 19940034642A KR 0153222 B1 KR0153222 B1 KR 0153222B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
connection
line
signal line
lines
connection point
Prior art date
Application number
KR1019940034642A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR950020374A (en
Inventor
다까유끼 시마다
도시히로 야마시따
마사히데 와다따니
Original Assignee
쯔지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쯔지 하루오, 샤프 가부시끼가이샤 filed Critical 쯔지 하루오
Publication of KR950020374A publication Critical patent/KR950020374A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR0153222B1 publication Critical patent/KR0153222B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3685Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3688Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only

Abstract

본 발명의 표시 장치의 구동 회로는 서로 평행하게 배치된 복수의 제1신호선과, 제1신호선의 각각에 접속되어 있고, 제1신호선과 제1신호선에 대응하는 제2신호선 사이의 ON/OFF 상태를 제어하기 위한 제어 수단 및 제어 수단과의 사이에 제1접속점을 갖고 대응하는 제2신호선과의 사이에 제2접속점을 각각 갖는 복수의 접속선을 구비하고 있고, 상기 복수의 접속선에서 제1접속점과 제2접속점사이의 거리가 서로 같다.The driving circuit of the display device of the present invention is connected to each of a plurality of first signal lines and first signal lines arranged in parallel with each other, and is in an ON / OFF state between a first signal line and a second signal line corresponding to the first signal line. And a plurality of connection lines each having a first connection point between the control means for controlling the control and the control means and each having a second connection point between the corresponding second signal line and the first connection point. The distance between the connection point and the second connection point is the same.

Description

표시 장치의 구동 회로Drive circuit of display device

제1도는 TFT 활성 매트릭스 액정 표시장치의 주요 부분의 회로 구성도.1 is a circuit diagram of a main part of a TFT active matrix liquid crystal display.

제2도는 샘플링 게이트의 부근에서의 회로 기판을 나타내는 단면도.2 is a cross-sectional view showing a circuit board in the vicinity of the sampling gate.

제3도는 종래의 표시 장치의 구동회로의 배선 패턴의 일실시예를 나타낸 평면도.3 is a plan view showing an embodiment of a wiring pattern of a driving circuit of a conventional display device.

제4도는 본 발명의 표시장치의 구동회로의 배선 패턴의 일실시예를 나타낸 평면도.4 is a plan view showing an embodiment of a wiring pattern of a driving circuit of a display device of the present invention.

제5도는 본 발명의 표시 장치의 구동회로의 배선 패턴의 다른 실시예를 나타낸 평면도.5 is a plan view showing another embodiment of the wiring pattern of the drive circuit of the display device of the present invention.

제6도는 본 발명의 표시 장치의 구동회로의 다른 응용을 나타낸 평면도.6 is a plan view showing another application of the driving circuit of the display device of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

100 : 기판 105 : 게이트 구동 회로100: substrate 105: gate driving circuit

106 : 데이터 구동 회로 110 : 액정 패널106: data driving circuit 110: liquid crystal panel

111 : 병렬 게이트 버스선 112 : 병렬 데이터 버스선111: parallel gate bus line 112: parallel data bus line

113 : 캐패시턴스 114 : TFT113: capacitance 114: TFT

본 발명은 주로 액정 표시장치(liquid crystal display device)등과 같은 표시 장치에 사용하는 구동 회로(driving circuit)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention mainly relates to driving circuits for use in display devices such as liquid crystal display devices.

제1도는 박막 트랜지스터(thin film transistor;TFT)를 사용하는 종래의 활성 매트릭스(active matrix) 액정 표시 장치를 나타내고 있다. 이 액정 표시 장치에서는, 액정 패널 및 구동회로가 하나의 동일한 기판상에 형성되어 있고, 따라서 이 장치는 크기 및 중량면에서 감소될 수 있으며, 표시 유닛(display unit)으로서 일체 완결형의 부품(integral and completed component)을 공급할 수 있게 된다. 이와 같은 기술은 일본 특개소 제63-148928 호에 나타나 있으며 널리 공지되어 있어 광범위하게 채용되고 있다.1 shows a conventional active matrix liquid crystal display device using a thin film transistor (TFT). In this liquid crystal display device, a liquid crystal panel and a driving circuit are formed on one and the same substrate, so that the device can be reduced in size and weight, and is integrally integrated as a display unit. and completed component). Such a technique is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-148928 and is widely known and widely adopted.

제1도를 참조하여, 이 표시 장치의 구조를 설명한다.With reference to FIG. 1, the structure of this display apparatus is demonstrated.

이 표시 장치는 기판(100)과, 이 기판(100)상에 형성된 액정 패널(liquid crystal panel;110)과, 게이트 구동 회로(gate driving circuit;105)를 구비하고 있다. 액정 패널(110)상에는, 복수의 병렬 게이트 버스선(parallel gate bus line;111) 및 복수의 병렬 데이터 버스선(parallel data bus line;112)이 형성되어 있다. 게이트 구동 회로(105)는 액정 패널(110)의 한쪽 측면에 형성되어 있고, 각각의 게이트 버스선(111)에 접속되어 있다. 데이터 구동 회로(106)는 액정 표시 패널(110)의 다른 쪽 측면에 형성되어 있으며 각각의 데이터 버스선(112)에 접속되어 있다. 게이트 버스선(111)과 데이타 버스선(112)의 교차부분에는, 화소(picture element)가 설치되어 있다. 각 화소는 액정 캐패시턴스(capacitance) 및 화소에 대한 저장 캐패시턴스(storage capacitance)로 구성되어 있다 캐패시턴스를 모두 캐패시턴스(113)이라고 한다. 각각의 화소는 게이트 버스선(111)중 대응하는 것과 데이타 버스선(112)중 대응하는 곳에 각각의 TFT(114)를 거쳐 접속되어 있다. 게이트 구동 회로(105)는 TFT(114)의 ON/OFF 상태를 제어하기 위한 신호를 게이트 버스선(111)에 출력한다. TFT(114)가 이 제어 신호에 응답하여 ON으로 될 때, 데이터 구동 회로(106)로부터 데이타 버스선(112)상으로 제공된 데이터 신호들은 화소의 캐패시턴스(113)로 기록되어 액정을 구동 및 제어하도록 한다.The display device includes a substrate 100, a liquid crystal panel 110 formed on the substrate 100, and a gate driving circuit 105. On the liquid crystal panel 110, a plurality of parallel gate bus lines 111 and a plurality of parallel data bus lines 112 are formed. The gate driving circuit 105 is formed on one side of the liquid crystal panel 110 and is connected to each gate bus line 111. The data driving circuit 106 is formed on the other side of the liquid crystal display panel 110 and is connected to each data bus line 112. A pixel (picture element) is provided at the intersection of the gate bus line 111 and the data bus line 112. Each pixel is composed of liquid crystal capacitance and storage capacitance for the pixel. Both capacitances are referred to as capacitance 113. Each pixel is connected via a respective TFT 114 to a corresponding one of the gate bus lines 111 and a corresponding one of the data bus lines 112. The gate driving circuit 105 outputs a signal for controlling the ON / OFF state of the TFT 114 to the gate bus line 111. When the TFT 114 is turned on in response to this control signal, the data signals provided from the data driving circuit 106 onto the data bus line 112 are written to the capacitance 113 of the pixel to drive and control the liquid crystal. do.

데이터 구동 회로(106)는 시프트 레지스터(107) 및 샘플링 게이트(108)를 포함하고 있다. 샘플링 게이트(108)는 시프트 레지스터(107)의 출력에 의하여 제어된다. 샘플링 게이트(108)가 ON 상태에 있는 때에는, R, G, B 영상 신호가 영상 신호선(120)을 통하여 외부로 공급되어 데이터 버스선(112)으로 입력된다. 이와 같이 상기한 데이터 신호가 공급된다.The data drive circuit 106 includes a shift register 107 and a sampling gate 108. The sampling gate 108 is controlled by the output of the shift register 107. When the sampling gate 108 is in the ON state, the R, G, and B video signals are supplied to the outside through the video signal line 120 and input to the data bus line 112. In this way, the above-described data signal is supplied.

제2도 및 제3도를 참조하면서, 샘플링 게이트(108)의 부근의 구조 및 그의 제조 방법을 상세히 설명한다.Referring to Figs. 2 and 3, the structure of the vicinity of the sampling gate 108 and a manufacturing method thereof will be described in detail.

제2도는 샘플링 게이트(108)의 주변부의 단면도를 나타낸다. 제2도에 도시한 바와 같이, 유리 기판(100)상에 형성된 다결정 실리콘 층(polycrystalline silicon layer)은 샘플링 게이트(108)를 구성하는 TFT의 반도체 층으로서의 하부 전극(lower electrode;122)으로 패턴화(pattern)된다. 그 다음에, 게이트 절연막(gate insulating film;123)이 이 하부 전극(122) 위에 형성된다. 그 다음에, TFT의 게이트 전극으로서의 상부 전극(upper electrode;124a)과 접속선(interconnection line; 124b)으로 되는 다결정 실리콘 층이 형성되어 패턴화된다. 도핑 과정(doping process)이후에, 소정 부분에 이온 주입(ion implantation)을 함으로써 제1층간 절연막(first interlayer insulating film;125)이 모든 표면에 걸쳐 형성된다. 소정 부분에, 접촉 구멍(contact hole;301, 302, 303)을 개구한다(open). 그리고 나서, 패턴화함으로써 금속 배선(126a) 및 접속 전극(126b)이 형성된다. 제2층간 절연막(127)이 형성된다. 그 결과, 샘플링 게이트(108) 및 그 부근에서의 배선 패턴(wiring pattern)이 유리 기판(100)상에 형성된다.2 shows a cross-sectional view of the periphery of the sampling gate 108. As shown in FIG. 2, a polycrystalline silicon layer formed on the glass substrate 100 is patterned with a lower electrode 122 as a semiconductor layer of the TFT constituting the sampling gate 108. (pattern). A gate insulating film 123 is then formed over this lower electrode 122. Then, a polycrystalline silicon layer consisting of an upper electrode 124a as a gate electrode of the TFT and an interconnection line 124b is formed and patterned. After the doping process, a first interlayer insulating film 125 is formed over all surfaces by ion implantation in a predetermined portion. In a predetermined portion, contact holes 301, 302 and 303 are opened. Then, the metal wiring 126a and the connection electrode 126b are formed by patterning. The second interlayer insulating film 127 is formed. As a result, a sampling pattern 108 and a wiring pattern in the vicinity thereof are formed on the glass substrate 100.

제3도는 각 샘플링 게이트(108)를 영상 신호선(120)에 접속하기 위한 배선 패턴을 나타내고 있다. 제2도에 도시된 구조를 갖는 복수의 샘플링 게이트(108)의 소오스 전극은 금속 배선 층의 접속 전극(126b) 및 다결정 실리콘 층의 접속선(124b)을 거쳐 영상 신호선(120)에 접속되어 있다. 영상 신호선(120)은 금속 배선층으로 형성되어 있으며 접촉 구멍(300)을 통하여 접속선(124b)에 접속되어 있다. 접속선(124b)은 복수의 접촉 구멍(301)을 통하여 접속 전극(126b)에 접속되어 있고, 또한 복수의 접촉 구멍(302)을 통하여 샘플링 게이트(108)를 구성하는 TFT의 소오스 전극에 접속되어 있다. 상부 전극(124a)으로서 시프트 레지스터(107)로부터의 신호선(X1 내지 Xn)은 샘플링 게이트(108)의 게이트에 접속되어 있다. 이와같이, 샘플링 게이트(108)의 ON/OFF 상태가 제어되며 따라서 영상 신호선(120)은 복수의 접촉 구멍(303)을 통하여 데이터 버스선(112)에 접속되어 있다.3 shows a wiring pattern for connecting each sampling gate 108 to the video signal line 120. The source electrodes of the plurality of sampling gates 108 having the structure shown in FIG. 2 are connected to the video signal line 120 via the connection electrode 126b of the metal wiring layer and the connection line 124b of the polycrystalline silicon layer. . The video signal line 120 is formed of a metal wiring layer and is connected to the connection line 124b through the contact hole 300. The connecting line 124b is connected to the connecting electrode 126b through the plurality of contact holes 301, and is connected to the source electrode of the TFT constituting the sampling gate 108 through the plurality of contact holes 302. have. The signal lines X1 to Xn from the shift register 107 as the upper electrode 124a are connected to the gate of the sampling gate 108. In this way, the ON / OFF state of the sampling gate 108 is controlled so that the video signal line 120 is connected to the data bus line 112 through the plurality of contact holes 303.

접촉 구멍(300)을 통한 R, G, B 영상 신호선(120) 상의 접속점으로부터 접촉 구멍(301)을 통한 접속 전극(126b)상의 접속점들로의 접속 배선(124b)의 길이(LL1 내지 LL3)는 각각의 샘플링 게이트(108)사이에 서로 다르다는 것을 제3도로부터 알 수 있다. 접속선(124b)이 다결정 실리콘 층을 사용하여 형성되는 경우, 면저항(sheet resistance)은 증가되고 따라서 각각의 접속선(124b)사이의 배선 저항의 차가 증가하게 된다. 그러므로, 샘플링 게이트(108)가 ON 상태로 설정되어 있는 동안에 동일한 영상 신호가 영상 신호선(120)으로부터 공급될 때에는, 데이터 버스선(112)에 공급되는 영상 신호의 레벨은 서로 다르다. 이것은 밝기가 균일하지 않은 현상을 야기한다. 이 현상은 단색 표시장치의 경우에는 줄무늬로서 감지되어 화질이 상당히 저하된다.The lengths LL1 to LL3 of the connection wirings 124b from the connection points on the R, G, and B image signal lines 120 through the contact holes 300 to the connection points on the connection electrodes 126b through the contact holes 301 It can be seen from FIG. 3 that each sampling gate 108 is different from one another. When the connecting line 124b is formed using the polycrystalline silicon layer, the sheet resistance is increased and thus the difference in wiring resistance between each connecting line 124b is increased. Therefore, when the same video signal is supplied from the video signal line 120 while the sampling gate 108 is set to the ON state, the levels of the video signals supplied to the data bus line 112 are different. This causes a phenomenon in which the brightness is not uniform. This phenomenon is detected as streaks in the case of a monochrome display device, and the image quality deteriorates considerably.

신호가 소오스 버스선(112)의 캐패시턴스에 의하여 보유되는 점순차방식 구동 방법(point-sequential driving method)에 있어서, 신호는 비교적 큰 캐패시턴스를 가지는 소오스 버스선으로 기록된다. 이와 같은 경우에, 상기한 결점이 신호 파형을 왜곡(deformation)시키는 현상 및 배선 저항의 차로 인하여 생기는 시정수(time constant)의 변동으로 생기는 타이밍 에러로 나타난다.In a point-sequential driving method in which a signal is held by the capacitance of the source bus line 112, the signal is recorded as a source bus line having a relatively large capacitance. In such a case, the above-described drawbacks appear as timing errors caused by variations in the time constant caused by the phenomenon of distortion of the signal waveform and the difference in wiring resistance.

배선 저항의 차이로 인하여 생기는 상기한 여러 가지 현상들은 배선 저항을 동일하게 하는 기술에 의하여 예방될 수 있다. 에를들어, 일본 특개소 제 5-72563 호는 접속을 위한 배선 패턴의 폭 및 길이를 적당히 변경하여 저항값을 동일하게 하는 기술을 개시하구 있다.The above-mentioned various phenomena caused by the difference in wiring resistance can be prevented by a technique of making the wiring resistance equal. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 5-72563 discloses a technique of making the resistance value the same by appropriately changing the width and length of the wiring pattern for connection.

본 발명의 종래의 기술을 나타낸 제3도에 있어서, 배선 폭은 면저항값을 증가시키기 위하여 보다 짧은 배선에 대하여 더 작게 만들어져 배선 저항이 서로 동일하게 만들어져 있다.In FIG. 3 showing the prior art of the present invention, the wiring width is made smaller for shorter wiring so as to increase the sheet resistance value, so that the wiring resistances are made equal to each other.

그러나, 요즈음에 스크린의 크기가 더 커지고 해상도가 더 높아짐에 따라 미세한 크기로 상호 접속을 실현시키는 것이 필요하게 된다. 이와 같이, 배선 폭을 변동시킴으로써 저항 값을 변경하는 방법은 패턴 정밀도(pattern precision)의 관점에서 저항값을 서로 다르게 만드는 것이 어렵기 때문에 채용할 수 없다. 설계 마스크(design mask)의 메시 크기(mesh size)에서의 또다른 문제점이 있어 물리적 장해를 야기하게 된다.However, as the size of screens become larger and the resolutions become higher these days, it becomes necessary to realize interconnections in finer sizes. As described above, the method of changing the resistance value by varying the wiring width cannot be adopted because it is difficult to make the resistance values different from the viewpoint of pattern precision. Another problem with the mesh size of the design mask is causing physical disturbances.

상기한 문제점을 해결한 경우에, 배선 폭에 있어서의 작은 에러는 직접적으로 저항값의 변동에 영향을 미치게 된다. 그러므로 배선 저항을 동일하게 하는 것이 용이하지 않다.When the above problem is solved, a small error in the wiring width directly affects the change in the resistance value. Therefore, it is not easy to make the wiring resistance the same.

배선의 길이가 증가될 경우에, 충분한 거리와 면적이 요구되고, 따라서 기판상에 공간을 차지하게 된다. 그 외에도, 배선 길이가 폴딩 패턴을 사용함으로써 증가할 때, 선 간 캐패시턴스(interline capacitance)가 추가 패턴에 기인하여 생기게 된다. 그 결과, 특성이 변경되고 추가의 변동이 생길 수 있다.When the length of the wiring is increased, sufficient distance and area are required, thus taking up space on the substrate. In addition, when the wiring length increases by using the folding pattern, interline capacitance is caused due to the additional pattern. As a result, the characteristic can be changed and further variation can occur.

본 발명의 표시 장치용 구동 회로는 서로 평행하게 배치된 복수의 제1신호선과, 제 1신호선의 각각에 접속되어 있고, 이 제1신호선과 이 제1신호선에 대응하는 제2신호선 사이의 ON/OFF를 제어하기 위한 제어 수단 및 제어 수단과의 사이에 제1접속점을 갖고, 또 대응하는 제2신호선과의 사이에 제2접속점을 갖는 복수의 접속선을 포함하고 있고, 상기 복수의 접속선에서 제1접속점과 제2접속점 사이의 거리가 서로 같은 것을 특징으로 한다.The display circuit driving circuit of the present invention is connected to each of a plurality of first signal lines and a first signal line arranged in parallel with each other, and is connected between the first signal line and a second signal line corresponding to the first signal line. A plurality of connection lines having a first connection point between the control means for controlling the OFF and the control means, and having a second connection point between the corresponding second signal line; The distance between the first connection point and the second connection point is the same.

본 발명의 제1실시예에 있어서, 제1접속점들은 복수의 접속선들 중에서 서로 다른 위치에 제공됨으로써 제1접속점과 제2접속점 사이의 거리는 복수의 접속선에서 서로 같게 만들어져 있다.In the first embodiment of the present invention, the first connection points are provided at different positions among the plurality of connection lines so that the distance between the first connection point and the second connection point is made equal to each other at the plurality of connection lines.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 복수의 접속선 각각은 제2신호선들 중 대응하는 선을 따라 뻗어 있는 분기된 부분을 가짐으로써 제1접속점과 제2접속점 사이의 거리는 복수의 접속 배선에서 서로 같게 되어 있다.In another embodiment of the present invention, each of the plurality of connection lines has a branched portion extending along a corresponding one of the second signal lines so that the distance between the first connection point and the second connection point is equal to each other in the plurality of connection wires. It is.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 접속선은 접속선에 접속되어 있으며 제어 수단을 구비한 전극이 되는 박막의 면저항보다 적어도 두 배 더 큰 면저항을 가진다.In another embodiment of the present invention, the connecting line has a sheet resistance that is at least twice as large as the sheet resistance of the thin film which is connected to the connecting line and becomes the electrode provided with the control means.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 제1신호선은 데이터 신호선이며, 제2신호선은 영상 신호선이다.In another embodiment of the present invention, the first signal line is a data signal line, and the second signal line is a video signal line.

본 발명의 다른 일면에 따르면, 표시 장치용 구동 회로는 서로 평행하게 배치된 복수의 제1신호선과, 서로 평행하게 배치되어 있으며 복수의 그룹으로 이루어진 복수의 제2신호선과, 제1신호선 각각에 접속되어 있으며 제1신호선과 제1신호선에 대응하는 제2신호선 사이의 ON/OFF 상태를 제어하기 위한 제어 수단 및 제어 수단에 대한 제1접속점 및 제2신호선들 중의 대응하는 선에 대한 제2접속점을 갖는 복수의 접속선을 포함하고 있으며, 복수의 그룹 각각에 대응하는 복수의 상호 접속에 있어서, 제1접속점과 제2접속점 사이의 거리가 서로 같도록 되어 있는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, a driving circuit for a display device includes a plurality of first signal lines arranged in parallel with each other, a plurality of second signal lines arranged in parallel with each other and a plurality of groups, and connected to each of the first signal lines. A first connection point for the control means for controlling the ON / OFF state between the first signal line and the second signal line corresponding to the first signal line, and a second connection point for the corresponding one of the second signal lines. It includes a plurality of connection lines having, characterized in that the distance between the first connection point and the second connection point is equal to each other in the plurality of interconnections corresponding to each of the plurality of groups.

본 발명에 따르면, 접속점으로부터 접속을 위한 길이는 서로 동일하게 되어 있기 때문에 배선 저항을 같게 하기 위해 패턴 폭 등을 변경할 필요가 없다. 단지 접속 위치만을 변경하게 되는 이 기술은 현재의 기술 수준으로 제어 폭을 상당히 높은 정밀도로 수행할 수 있고, 배선 저항의 변동은 문제가 거의 발생하지 않을 정도로 감소될 수 있다. 이와 같은 변경은 특별한 기술을 사용하지 않고 종래의 기술로서 저렴하고도 용이하게 실현될 수 있다.According to the present invention, since the lengths for the connection from the connection point are the same, there is no need to change the pattern width or the like to make the wiring resistance the same. This technique, which only changes the connection position, can perform the control width with a very high precision to the present technology level, and the fluctuations in the wiring resistance can be reduced to such an extent that problems rarely occur. Such a change can be realized inexpensively and easily as a conventional technique without using a special technique.

이와같이, 여기에 기술된 본 발명의 간단한 구조를 가지며, 여러 가지 특성에 어떤 영향도 주지 않고 배선 저항을 서로 동일하게 만들 수 있는 구동 회로를 제공하는 잇점을 가능케 한다.As such, it has the simple structure of the present invention described herein, which makes it possible to provide the advantage of providing a driving circuit which can make the wiring resistance equal to each other without any influence on various characteristics.

본 발명의 상기한 것 및 다른 잇점들은 첨부된 도면을 참조하면서 이후의 상세한 설명을 읽고 이해하면 당해 기술분야의 전문가라면 분명할 것이다.These and other advantages of the present invention will become apparent to those skilled in the art upon reading and understanding the following detailed description, with reference to the accompanying drawings.

본 발명을 첨부된 도면을 참조하면서 예시적인 제1일실시예로서 설명되어 있다.The invention has been described as an exemplary first embodiment with reference to the accompanying drawings.

[제1실시예][First Embodiment]

제4도를 참조하면서 본 발명의 제1실시예를 설명한다. 제4도는 샘플링 게이트 및 영상 신호선 부근에서의 배선 패턴의 확대도를 나타낸다. 이 실시예에서는 설명되지는 않는 표시 장치의 제조 과정 및 그 일부분의 구조는 종래의 실시예와 동일하다. 게다가, 동일한 구조를 가지는 유사한 부품은 제1도 내지 제3도에 도시된 종래의 기술에서의 유사 참조 번호로 표시되어 있다.A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4 shows an enlarged view of the wiring pattern in the vicinity of the sampling gate and the image signal line. The manufacturing process of the display device and the structure of a portion thereof, which are not described in this embodiment, are the same as in the conventional embodiment. In addition, like parts having the same structure are denoted by like reference numerals in the prior art shown in FIGS.

이 실시예에서, TFT로 구성되 샘플링 게이트(108)의 소오스 전극에 접속되어 있는 접속 전극(4)을 영상 신호선(120)에 접속시키기 위한 접속선(1)을 형성하는 다결정 실리콘 층은 n형으로 도핑된 것으로서 두께가 450nm이다. 이 경우에 먼저 저항은 30Ω/□ 이었다. 영상 신호를 공급하기 위한 영상 신호선(120)은 400nm의 두께를 가지는 Al의 금속 배선층으로 형성되어 있다. 이 경우 면저항은 0.1Ω/□ 이었다.In this embodiment, the polycrystalline silicon layer which forms the connection line 1 for connecting the connection electrode 4 which consists of TFTs and is connected to the source electrode of the sampling gate 108 to the image signal line 120 is n-type. Doped with a thickness of 450 nm. In this case, first, the resistance was 30 mA / square. The video signal line 120 for supplying a video signal is formed of an Al metal wiring layer having a thickness of 400 nm. In this case, the sheet resistance was 0.1 kΩ / □.

접속선(1)은 접촉 구멍(2)을 통하여 영상 신호선(120)에 각각 접속되어 있다. 샘플링 게이트(108)의 소오스 전극은 접촉 구멍(3)을 통하여 금속 배선 층의 접속 전극(4)에 각각 접속되어 있으며 접촉 구멍(5)을 통하여 접속선(1)에 접속되어 있다.The connection line 1 is respectively connected to the video signal line 120 through the contact hole 2. The source electrode of the sampling gate 108 is connected to the connection electrode 4 of a metal wiring layer through the contact hole 3, respectively, and is connected to the connection line 1 through the contact hole 5. As shown in FIG.

예를들어, 샘플링 게이트(108) 각각에 있어서, 접촉 구멍(5)을 통한 접속점의 개수는 6 이다. 샘플링 게이트(108)의 왼쪽의 것이 영상 신호선(120)의 최하위 선(120R)에 접속되어 있을 때에, 접촉 구멍(5)을 통한 접속점은 최하위 위치에 배치되어 접속점의 최하위 것으로부터 선(120R)까지의 길이는 제4도에 도시된 바와 같이 L 이다.For example, in each of the sampling gates 108, the number of connection points through the contact holes 5 is six. When the left side of the sampling gate 108 is connected to the lowest line 120R of the video signal line 120, the connection point through the contact hole 5 is disposed at the lowest position and extends from the lowest point of the connection point to the line 120R. The length of is L as shown in FIG.

샘플링 게이트(108)의 중심에 있는 것은 영상 신호선(120)의 중심선(120G)에 접속되어 있다. 선(120G)은 선(120R)보다 제4도의 영상 신호선의 선 피치(line pitch)만큼 더 위에 위치하고 있다. 따라서, 접촉 구멍(5)을 통한 접속점은 왼쪽 샘플링 게이트(108)에 대한 위치보다 선 피치와 같은 길이만큼 더 위에 있는 위치에 배치되어 있기 때문에 접속점중 최하위의 것으로부터 서(120G)까지의 길이는 L과 같을 수 있다.The center of the sampling gate 108 is connected to the center line 120G of the video signal line 120. Line 120G is located higher by line pitch of the image signal line of FIG. 4 than line 120R. Therefore, since the connection point through the contact hole 5 is disposed at a position higher by the same length as the line pitch than the position with respect to the left sampling gate 108, the length from the lowest of the connection points to 120G is May be equal to L.

샘플링 게이트(108)의 오른쪽의 것은 영상 신호선(120)의 상부선(120B)에 접속되어 있다. 선(120B)는 선(120G)보다 제4도에 도시된 영상 신호선(120)의 선 피치만큼 더 위에 위치하고 있다. 따라서, 접촉 구멍(5)을 통한 접속점은 중심 샘플링 게이트(108)에 대한 위치보다 선 피치와 동일한 길이만큼 더 상부의 위치에 배치되어 있기 때문에 접속점중 최하위의 것으로부터 선(120B)까지의 길이는 L과 같을 수 있다.The right side of the sampling gate 108 is connected to the upper line 120B of the video signal line 120. Line 120B is located higher than line 120G by the line pitch of video signal line 120 shown in FIG. Therefore, since the connection point through the contact hole 5 is disposed at an upper position by the same length as the line pitch than the position with respect to the center sampling gate 108, the length from the lowest of the connection points to the line 120B May be equal to L.

이와같이, 이 실시예에 따르면, 각 샘플링 게이트(108)에 대한 접촉 구멍을 통한 접속점은 영상 신호선의 선 피치와 같은 길이만큼 시프트되므로 길이는 모든 샘플링 게이트(108)에 대하여 L과 같게 된다. 그 결과, 배선 저항은 서로 같게 만들 수 있다.Thus, according to this embodiment, the connection point through the contact hole for each sampling gate 108 is shifted by the same length as the line pitch of the video signal line, so the length becomes equal to L for all the sampling gates 108. As a result, the wiring resistances can be made equal to each other.

상기한 구성에 따르면, 접촉 구멍(5)을 통한 접속점과 접속 전극(4)사이의 위치 관계는 샘플링 게이트(108) 각각에 대하여 다르게 된다. 이것이 문제를 야기하는 것으로 여겨진다. 그러나, 접속 전극(4)이 금속 배선 층으로 형성되고, 그의 면저항과 접속선(1)을 구성하는 게이트 층의 면 저항의 비가 1/300으로 설정되는 경우에, 접촉 구멍(5)의 위치의 변경에 기인한 접속 전극(4)에서의 저항값의 변동은 실제적으로 무시할 수 있을 정도로 억압될 수 있다. 금속 배선 층의 면저항과 게이트 층의 면저항의 비가 1/2 또는 이보다 더 작을 경우에는, 저항값의 변동은 효과적으로 억압될 수 있다.According to the above configuration, the positional relationship between the connection point through the contact hole 5 and the connection electrode 4 becomes different for each of the sampling gates 108. This is believed to cause problems. However, in the case where the connecting electrode 4 is formed of a metal wiring layer and the ratio of the sheet resistance of the sheet layer to the sheet resistance of the gate layer constituting the connecting line 1 is set to 1/300, the position of the contact hole 5 The variation in the resistance value at the connection electrode 4 due to the change can be suppressed to a practically negligible level. When the ratio of the sheet resistance of the metal wiring layer to the sheet resistance of the gate layer is 1/2 or smaller, the variation in the resistance value can be effectively suppressed.

[제2실시예]Second Embodiment

본 발명은 제2실시예는 제5도를 참조하면서 설명한다. 제4와 유사하게, 제5도는 샘플링 게이트 부근에서의 배선 패턴과 영상 신호선의 확대도를 나타내고 있다.The second embodiment will be described with reference to FIG. 5. Similarly to FIG. 4, FIG. 5 shows an enlarged view of the wiring pattern and the image signal line in the vicinity of the sampling gate.

접촉 구멍(5)의 위치가 제1실시예에서와 같이 샘플링 게이트(108)에서 영상 신호선(120)의 선 피치와 같은 길이만큼 시프트할 수 없을 경우에는, 이 실시예는 효과적이다. 특히, 샘플링 게이트(108)를 영상 신호선(120)에 각각 접속시키기 위한 접속선은(1)은 접촉 구멍(2)을 통하여 영상 신호선(120)에 접속되어 있고 접촉 구멍(5)을 통하여 접속 전극(4)에 접속되어 있다. 접촉 구멍(2, 5)을 통한 접속점들 사이의 거리가 서로 같도록 하기 위하여, 접속선(1)은 분기하여 영상 신호선(120)을 따라서 계속 뻗어 있기 때문에 접촉 구멍(2)을 통한 접소점들의 위치는 분기된 접속선으로 시프트된다.This embodiment is effective when the position of the contact hole 5 cannot be shifted by the same length as the line pitch of the video signal line 120 in the sampling gate 108 as in the first embodiment. In particular, the connecting line for connecting the sampling gate 108 to the video signal line 120, respectively (1) is connected to the video signal line 120 through the contact hole 2 and the connecting electrode through the contact hole 5; It is connected to (4). In order to ensure that the distances between the connection points through the contact holes 2 and 5 are equal to each other, the connection line 1 branches and extends along the image signal line 120 so that the contact points through the contact holes 2 The position is shifted to the branched connecting line.

구조는 이하에서 더 상세하게 설명한다.The structure is described in more detail below.

접속 전극(4)에서의 접촉 구멍(5)의 위치는 샘플링 게이트(108) 각각에서 시프트되지 않는다. 샘플링 게이트(108)중 왼쪽의 것은 영상 신호선(120)의 최하위 선(120R)에 접속되어 있다. 선120R이 가장 멀리 떨어져 있는 선이기 때문에, 접속선(1)은 수직으로 배치되고, 그들이 직교 교차(orthogonally cross)하는 위치(접촉 구멍(5)중 최하위의 것으로부터 상대 길이(relative length) L를 갖는 위치)에 있는 접촉 구멍(2)을 거쳐 선(120R)에 직접 접속되어 있다.The position of the contact hole 5 in the connection electrode 4 is not shifted in each of the sampling gates 108. The left side of the sampling gate 108 is connected to the lowest line 120R of the video signal line 120. Since the line 120R is the furthest line, the connecting lines 1 are arranged vertically, and the positions at which they are orthogonally cross (relative length L from the lowest of the contact holes 5). It connects directly to the line 120R via the contact hole 2 in the position which it has.

영상 신호선(120)중 중심선(120G)에 접속되어 있는 샘플링 게이트(108)중 중심의 것에 대하여, 접속선(1)은 선(120G)을 따라서 분기하도록 배치되어 있으며 접촉 구멍(5)중 최하위 것으로부터 상대 길이 L를 가지는 분기된 부분의 단자 위치에서 접촉 구멍(2)을 거쳐 선(120G)에 접속되어 있다.With respect to the center of the sampling gates 108 connected to the centerline 120G of the video signal line 120, the connection line 1 is arranged to branch along the line 120G and is the lowest of the contact holes 5. Is connected to the line 120G via the contact hole 2 at the terminal position of the branched part having the relative length L from.

영상 신호선(120)중 상부선(120B)에 접속되어 있는 샘플링 게이트(108)중 오른쪽의 것에 대하여, 접속선(1)은 선(120B)을 따라서 분기하도록 배치되어 있으며 접촉 구멍(5)중 최하위 것으로부터 상대 길이 L를 가지는 분기된 긴 부분의 단자 위치에서 접촉 구멍(2)을 거쳐 선(120B)에 접속되어 있다.With respect to the right side of the sampling gates 108 connected to the upper line 120B of the video signal line 120, the connecting line 1 is arranged to branch along the line 120B and is the lowest of the contact holes 5. It is connected to the line 120B via the contact hole 2 at the terminal position of the branched long part which has the relative length L from the thing.

상기한 바와 같이, 제1실시예 1 및 제2실시예에서, 접속점들 사이의 접속배선의 길이는 모두 서로 같기 때문에, 배선 저항에 있어서의 차로 인하여 야기된 여러 가지 문제점들이 완전히 해결될 수 있다.As described above, in the first and second embodiments, since the lengths of the connection wirings between the connection points are all the same, various problems caused by the difference in the wiring resistance can be completely solved.

[제3실시예]Third Embodiment

본 발명의 제3실시예는 제6도를 참조하면서 설명한다. 제1실시예 1 및 제2실시예는 배선 저항이 샘플링 게이트(108)와 영상 신호선(120) 사이의 접속관계에 대하여 서로 같게 만들어져 있는 구성을 개시하고 있다. 본 발명은 이와같은 특정한 구성에 한정되지 않음을 잘 알아야 한다. 본 발명은 동일한 문제즘을 포함하고 있는 다른 부분에도 적용할 수 있다. 본 실시예는 본 발명이 시프트 레지스터(107)의 클럭 입력부에 있는 배선 패턴에 적용되는 실시예를 보여준다.A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The first and second embodiments disclose configurations in which the wiring resistances are made equal to each other with respect to the connection relationship between the sampling gate 108 and the video signal line 120. It is to be understood that the present invention is not limited to this particular configuration. The present invention can be applied to other parts including the same problemism. This embodiment shows an embodiment in which the present invention is applied to the wiring pattern in the clock input portion of the shift register 107.

제6도는 제1도의 회로선도에서 시프트 레지스터(107)의 클럭 입력부에 있는 배선 패턴의 일예를 나타내고 있다. 이 실시예에서, 두 개의 시프트 레지스터 셋트는 4 위상 클럭 신호에 의하여 구동된다. 제6도는 클럭 신호가 입력되는 클럭(clocked)되는 인버터 부근의 레이아웃을 나타내고 있다.FIG. 6 shows an example of a wiring pattern in the clock input section of the shift register 107 in the circuit diagram of FIG. In this embodiment, two sets of shift registers are driven by a four phase clock signal. 6 shows a layout around a clocked inverter to which a clock signal is input.

선 A 및 선 B 는 제1시프트 레지스터에 해당하며 선 C 및 선 D는 제2시프트 레지스터에 해당한다. 도면에 도시한 바와 같이, TFT(510)과 클럭 신호선(500)사이의 거리는 각각의 셋트사이에서, 즉 선A와 선 B 사이 또한 선 C 와 선 D 사이에서 서로 다르다. 종래의 배선에 따르면, 이 차이는 두 셋트의 시프트 레지스터에 의하여 샘플링의 타이밍 천이를 야기하는 배선 저항에서의 차이를 야기한다. 그러나, 이 실시예에서, 접속선은 필요한 경우에 클럭 신호선을 따라서 분기되어 TFT(510)에 대한 접속점으로부터 동일한 상대 거리를 가지는 그들의 단자 위치에서 클럭 신호선에 접속되어 있다. 그 결과, 클럭 신호선(500)을 가진 접속점으로부터 각각의 TFT(510)까지의 거리는 선 A 와 선 B 사이 또한 선 C 와 선 D 사이에서 서로 같게 된다. 이 구성에 따르면, 각각의 시프트 레지스터의 각각의 단계(stage)에서의 샘플링을 위한 타이밍의 변동도 예방할 수 있다. 이와같이, 화질을 개선할 수 있다.Lines A and B correspond to the first shift register and lines C and D correspond to the second shift register. As shown in the figure, the distance between the TFT 510 and the clock signal line 500 is different between each set, that is, between the lines A and B and also between the lines C and D. According to the conventional wiring, this difference causes a difference in wiring resistance which causes the timing shift of sampling by two sets of shift registers. However, in this embodiment, the connection line is branched along the clock signal line if necessary and connected to the clock signal line at their terminal positions having the same relative distance from the connection point to the TFT 510. As a result, the distance from the connection point with clock signal line 500 to each TFT 510 becomes equal to each other between line A and line B and also between line C and line D. According to this configuration, it is also possible to prevent a change in timing for sampling at each stage of each shift register. In this way, image quality can be improved.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 접속점으로부터 측정한 접속을 위한 길이는 단지 접속점의 위치를 변경시킴으로써만 서로 같게 만들어진다. 종래의 기술과는 다르게, 배선 저항을 서로 같게 하기 위하여 패턴 폭등을 변경시킬 필요가 없다. 또한 선을 연장하기 위한 부가적인 공간을 제공하지 않아도 된다. 그러므로, 화질이 패턴의 변동 및 부유 캐패시턴스의 발생으로 인하여 열화되지 않는다. 구성이 간단하고 커다란 효과를 거둘 수 있는 표시 장치에 대한 구동 회로를 실현할 수 있다.As mentioned above, according to the invention, the lengths for the connection measured from the connection points are made equal to each other only by changing the position of the connection points. Unlike the prior art, it is not necessary to change the pattern width and the like in order to make the wiring resistance equal to each other. In addition, it is not necessary to provide additional space for extending the line. Therefore, the image quality does not deteriorate due to the fluctuation of the pattern and the generation of the floating capacitance. It is possible to realize a driving circuit for a display device with a simple configuration and a great effect.

여러 가지 다른 변경도 당해 기술 분야의 전문가에게는 당연한 것이며 본 발명의 범위 및 정신을 벗어나지 아니하고 용이하게 이루어질 수 있다. 따라서, 이후에 첨부된 특허 청구의 범위가 여기에 기재한 설명에 한정되는 것은 아니며 오히려 청구의 범위는 넓게 해석되어야 한다.Many other modifications are natural to those skilled in the art and can be readily made without departing from the scope and spirit of the invention. Accordingly, the claims appended hereto are not intended to be limited to the description set forth herein, but rather should be construed broadly.

Claims (6)

서로 평행한 복수의 제1신호선과, 서로 평행한 복수의 제2신호선과, 상기 제1신호선의 각각에 접속되어 있고, 상기 제1신호선과 상기 제1신호선에 대응하는 제2신호선과의 ON/OFF를 제어하기 위한 제어 수단, 및 상기 제어 수단과의 사이에 제1접속점(connecting point)을 각각 갖고, 또 상기 복수의 제2신호선중의 대응하는 제2신호선과의 사이에 제2접속점을 각각 갖는 복수의 접속선(interconnection line)을 구비하되, 상기 제1접속점과 상기 제2접속점 사이의 거리가 상기 복수의 접속선에서 각각 같은 것을 특징으로 하는 표시 장치의 구동 회로.ON / off of a plurality of first signal lines parallel to each other, a plurality of second signal lines parallel to each other, and a second signal line connected to each of the first signal lines and corresponding to the first signal line; Control means for controlling OFF, and a first connecting point between the control means and a second connecting point between the corresponding second signal lines of the plurality of second signal lines, respectively. And a plurality of connection lines, wherein the distance between the first connection point and the second connection point is the same at each of the plurality of connection lines. 제1항에 있어서, 상기 제1접속점이 상기 복수의 접속선들 중에서 서로 다른 위치에 제공되고, 이로인해 제1접속점과 제2접속점 사이의 거리가 상기 복수의 접속선에서 서로 같게 되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 구동 회로.The method according to claim 1, wherein the first connection point is provided at different positions among the plurality of connection lines, so that the distance between the first connection point and the second connection point is equal to each other in the plurality of connection lines. Drive circuit of the display device. 제1항에 있어서, 상기 복수의 접속선 각각이 상기 대응하는 제2신호선상에서 이를 따라 연장하는 분기된 부분을 가지며, 이로인해 상기 제1접속점과 상기 제2접속점 사이의 거리가 상기 복수의 접속선에 있어서 서로 같게 되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 구동 회로.2. The plurality of connection lines of claim 1, wherein each of the plurality of connection lines has a branched portion extending along it on the corresponding second signal line, such that the distance between the first connection point and the second connection point is increased. The drive circuit of a display device characterized by being the same as each other. 제1항에 있어서, 상기 접속선의 면저항은, 상기 제어 수단을 구성하고 상기 접속선이 접속되어 있는 전극이 되는 박막의 면저항의 적어도 2배 이상인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 구동 회로.2. The drive circuit of a display device according to claim 1, wherein the sheet resistance of the connecting line is at least twice the sheet resistance of the thin film forming the control means and serving as an electrode to which the connecting line is connected. 제1항에 있어서, 상기 제1신호선은 데이터 신호선이고, 상기 제2신호선은 영상 신호선인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 구동 회로.The display circuit of claim 1, wherein the first signal line is a data signal line, and the second signal line is an image signal line. 서로 평행한 복수의 제1신호선과, 복수의 그룹으로 이로어지고, 서로 평행한 복수의 제2신호선과, 상기 제1신호선의 각각에 접속되어 있고, 상기 제1신호선과 상기 제1신호선에 대응하는 제2신호선 사이의 ON/OFF를 제어하기 위한 제어 수단, 및 상기 제어수단과의 사이에 제1접속점을 각각 갖고, 또 상기 복수의 제2신호선중의 대응하는 제2신호선과의 사이에 제2접속점을 각각 갖는 복수의 접속선(interconnection line)을 구비하되, 상기 복수의 접속선의 상기 복수의 그룹마다, 상기 제1접속접과 상기 제2접속점 사이의 거리가 상기 복수의 접속선에서 각각 같은 것을 특징으로 하는 표시 장치의 구동 회로.A plurality of first signal lines parallel to each other, a plurality of second signal lines parallel to each other, and connected to each of the first signal lines, and corresponding to the first signal line and the first signal line; A control means for controlling ON / OFF between the second signal lines, and a first connection point between the control means and a corresponding second signal line in the plurality of second signal lines, respectively. A plurality of connection lines each having two connection points, wherein for each of the plurality of groups of the plurality of connection lines, a distance between the first connection contact point and the second connection point is the same at each of the plurality of connection lines; A drive circuit for a display device, characterized in that.
KR1019940034642A 1993-12-17 1994-12-16 Driving circuit of display device KR0153222B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-317221 1993-12-17
JP31722193A JP3050738B2 (en) 1993-12-17 1993-12-17 Display device drive circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950020374A KR950020374A (en) 1995-07-24
KR0153222B1 true KR0153222B1 (en) 1998-11-16

Family

ID=18085834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940034642A KR0153222B1 (en) 1993-12-17 1994-12-16 Driving circuit of display device

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP3050738B2 (en)
KR (1) KR0153222B1 (en)
TW (1) TW263580B (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100722732B1 (en) * 2004-07-30 2007-05-29 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Electro-optical-device driving circuit, electro-optical device, and electronic apparatus
US11276713B2 (en) 2018-05-14 2022-03-15 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method, display panel and display device thereof

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10198292A (en) 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and its manufacture
JP3846057B2 (en) * 1998-09-03 2006-11-15 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device drive circuit, electro-optical device, and electronic apparatus
US7023021B2 (en) 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW583431B (en) * 2000-02-22 2004-04-11 Toshiba Corp Liquid crystal display device
US6789910B2 (en) 2000-04-12 2004-09-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Illumination apparatus
JP4202110B2 (en) 2002-03-26 2008-12-24 シャープ株式会社 Display device, driving method, and projector device
US7250720B2 (en) 2003-04-25 2007-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2004361443A (en) * 2003-06-02 2004-12-24 Advanced Display Inc Display device and method for manufacturing the display device
JP4581557B2 (en) * 2004-08-26 2010-11-17 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
JP2006099134A (en) * 2005-11-25 2006-04-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
JP4992347B2 (en) * 2006-09-05 2012-08-08 ソニー株式会社 Video signal supply circuit, display device, and video display device
JP5029382B2 (en) * 2008-01-22 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 Processing apparatus and processing method
JP5463658B2 (en) * 2008-12-03 2014-04-09 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
WO2011086837A1 (en) 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP2010152376A (en) * 2010-02-02 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device
CN111540298B (en) * 2020-05-29 2022-07-12 Tcl华星光电技术有限公司 Display panel and display device
CN111540297B (en) * 2020-05-29 2022-07-12 Tcl华星光电技术有限公司 Display panel and display device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100722732B1 (en) * 2004-07-30 2007-05-29 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Electro-optical-device driving circuit, electro-optical device, and electronic apparatus
US11276713B2 (en) 2018-05-14 2022-03-15 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method, display panel and display device thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR950020374A (en) 1995-07-24
JP3050738B2 (en) 2000-06-12
JPH07175038A (en) 1995-07-14
TW263580B (en) 1995-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0153222B1 (en) Driving circuit of display device
US7804097B2 (en) Liquid crystal display device
KR100769307B1 (en) Image display and manufacturing method thereof
US5610414A (en) Semiconductor device
US11521530B2 (en) Display panel
US8619207B2 (en) Amorphous silicon thin film transistor-liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US20060289939A1 (en) Array substrate and display device having the same
US20180322838A1 (en) Display device
JP2002214643A (en) Liquid crystal display element and electronic device
US6532055B2 (en) Liquid crystal display, and method for transferring its signal, and liquid crystal panel
US6829029B2 (en) Liquid crystal display panel of line on glass type and method of fabricating the same
JP2023529530A (en) DISPLAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, DISPLAY DEVICE
US20020027543A1 (en) Driving circuit of liquid crystal display device
CN114613789A (en) Array substrate, manufacturing method of array substrate, display panel and display device
CN113724667B (en) Display substrate, manufacturing method thereof and display device
CN113785350B (en) Display substrate, manufacturing method thereof and display device
JPS61223791A (en) Active matrix substrate
US6670936B1 (en) Liquid crystal display
KR100914782B1 (en) Substrate of thin film transistor and liquid crystal display using the same
CN114442354B (en) Array substrate, manufacturing method thereof and display device
KR0151269B1 (en) Lcd device
CN108594552B (en) Display substrate, display panel, display device and driving method thereof
CN110426900B (en) Array substrate, display panel and display device
KR19990012232A (en) Gradation correction voltage supply device
JPS63183484A (en) Matrix type display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130621

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140626

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term