KR0140717B1 - Method for forming fine photoresist pattern of semiconductor device - Google Patents
Method for forming fine photoresist pattern of semiconductor deviceInfo
- Publication number
- KR0140717B1 KR0140717B1 KR1019950016020A KR19950016020A KR0140717B1 KR 0140717 B1 KR0140717 B1 KR 0140717B1 KR 1019950016020 A KR1019950016020 A KR 1019950016020A KR 19950016020 A KR19950016020 A KR 19950016020A KR 0140717 B1 KR0140717 B1 KR 0140717B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- exposure beam
- mask
- light
- photoresist pattern
- main exposure
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 미세 감광막 패턴 형성방법에 관한 것으로, 마스크의 전면에 주 노광빔을 조사하고 상기 주 노광빔과 위상차를 갖는 보조 노광빔을 크롬이 부착된 마스크의 후면에 조상하여 마스크 전면 조사광에 의한 회절광과 마스크의 후면 조사에 의한 반사광의 간섭을 이용하여 광 콘트라스트가 큰 공간 이미지를 얻음으로써, 감광막 패턴을 미세하게 형성할 수 있도록 한다.The present invention relates to a method of forming a fine photoresist pattern of a semiconductor device, and irradiates a mask front surface by irradiating a main exposure beam on the entire surface of the mask and an auxiliary exposure beam having a phase difference with the main exposure beam on the rear surface of the mask with chromium. By using the interference of the diffracted light caused by the light and the reflected light caused by the backside irradiation of the mask, a spatial image having a large light contrast can be obtained, whereby the photoresist pattern can be finely formed.
Description
제 1a 도와 제 1b 도는 종래의 일반적인 마스크를 사용하여 감광막 패터닝을 할 때의 상태 및 마스크를 통과한 회절광의 파형을 도시한 도면.1A and 1B show the state of photosensitive film patterning using a conventional general mask and the waveform of diffracted light passing through the mask.
제 2a 도 내지 제 2c 도는 종래의 위상변조 마스크(PSM) 마스크를 상요하여 감광막 패터닝을 할 때의 상태 및 마스크를 통과하는 회절광의 파형을 도시한 도면.2A to 2C show the state of photosensitive film patterning using a conventional phase modulation mask (PSM) mask and the waveform of diffracted light passing through the mask.
제 3a 도 내지 제 3d 도는본 발명에 방법에 따른 감광막 패터닝시의 상태 및 마스크를 통과하는 회절광의 파형을 도시한 도면.3A to 3D show the state of photosensitive film patterning and the waveform of diffracted light passing through a mask according to the method of the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1:빔(Beam)2:석영판1: Beam 2: Quartz Plate
3:크롬4:투영렌즈3: Chrome 4: Projection lens
5:웨이퍼6,8,18:회절광의 파형5: Wafer 6, 8, 18: Diffraction light waveform
7,9,19:공간 이미지(Aerial Image)10:광원7,9,19: Aerial Image 10: Light source
11:빔 스플리터(Beam splitter)12,13,14:반사거울11: Beam splitter 12, 13, 14: Reflective mirror
15:주 노광빔16:보조 노광빔15: primary exposure beam 16: secondary exposure beam
30,50:마스크30,50: mask
본 발명은 반도체 소자의 미세 감광막 패턴 형성방법에 관한 것으로, 특히 마스크의 전면에 주 노광빔을 조사하고 상기 주 노광빔과 위상차를 갖는 보조 노광빔을 크롬이 부착된 마스크의 후면에 조사하여 마스크 전면 조사광에 의한 회절광과 마스크의 후면 조사에 의한 반사광의 간섭을 이용하여 광 콘트라스트가 큰 공간 이미지를 얻음으로써, 감광막 패턴을 미세하게 형성할 수 있도록 하는 반도체 소자의 미세 감광막 패턴 형상 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for forming a fine photoresist pattern of a semiconductor device. In particular, the front surface of the mask is irradiated by irradiating a main exposure beam to the front surface of the mask and an auxiliary exposure beam having a phase difference with the main exposure beam to the rear surface of the mask with chromium. The present invention relates to a method of forming a fine photosensitive film pattern of a semiconductor device in which a photosensitive film pattern can be finely formed by obtaining a spatial image having a large light contrast by using interference of diffracted light by irradiated light and reflected light by backside irradiation of a mask. .
일반적으로 마스크의 패턴을 웨이퍼상의 감광제에 전사시키는 리소그라피(Lithography) 공정에 있어서, 해상력의 향상을 도모하기 위한 기술의 하나로 위상변조 마스크(Phase Shift Msdk ; 이하 PSM 이라 함.)를 이용한 감광막 패터닝(Patterning)기술이 있다.In general, in a lithography process in which a pattern of a mask is transferred to a photoresist on a wafer, photoresist patterning using a phase shift mask (hereinafter referred to as PSM) is one of techniques for improving resolution. There is technology.
우선, 종래의 일반적인 마스크를 사용한 감광막 패턴을 형성하는 기술에 관해 알살펴보기로 한다.First, the technique of forming a photosensitive film pattern using a conventional general mask will be described.
제 1a 도는 종래의 일반적인 마스크를 사용하여 감광막 패턴을 형성하는 상태를 도시한 도면이고,1A is a view showing a state in which a photosensitive film pattern is formed by using a conventional general mask.
제 1b 도는 마스크를 통해 회절되어 나온 광의 파형을 도시한 도면이다.FIG. 1B shows a waveform of light diffracted through a mask.
일반적으로 리소그라피 공정에 있어서, 감광막 패턴을 형성하기 위해서는 제 1a 도에 도시된 바와같이, 조사되는 광을 차단하는 광차단막 역할을 하는 크롬(3)이 석영기판(2)의 소정부위에 부착된 마스크(30)를 사용한다. 즉, 광원으로부터 나온 빔(1)이 감광막 패턴 형성 마스크(30)를 통과할 때, 마스크의 석영부(2)와 크롬부(3)에서 각각 회절되고, 회절된 광은 투영렌즈(4)에서 접속되어 웨이퍼(5)상의 감광막 이미지면(Image plane)에 마스크(30)의 패턴 형상대로 결상되는데, 이때, 마스크(30)에서 얻어지는 회절광의 파형은 제 1b 도의 파형(6)과 같게된다. 여기서, 실제 이미징(Imaging)에 사용되는 공간 이미지(Aerial Image)(또는 광 세기:Intensity)는 제 1b 도의 파형(7)과 같이 된다.In general, in the lithography process, in order to form a photoresist pattern, as shown in FIG. 1A, a mask in which chromium 3, which serves as a light blocking film that blocks irradiated light, is attached to a predetermined portion of the quartz substrate 2. Use 30. That is, when the beam 1 from the light source passes through the photosensitive film pattern forming mask 30, it is diffracted in the quartz portion 2 and the chrome portion 3 of the mask, respectively, and the diffracted light is reflected in the projection lens 4 Connected to and formed into the pattern shape of the mask 30 on the photosensitive film image plane (Image plane) on the wafer 5, At this time, the waveform of the diffracted light obtained by the mask 30 becomes the same as the waveform 6 of FIG. Here, the spatial image (or intensity) used for actual imaging becomes like the waveform 7 of FIG. 1b.
상기 공간 이미지는 회절광의 파형 (또는 회절광의 전기장)을 제곱한 값으로 나타난다. 마스크(30)상에 부착된 광차단막 즉, 크롬부(3) 에서의 회절광의 세기는 제 1b 도의 a' (a' = a2)가 되고 그 세기는 0 보다 크다.(a' ＞ 0)The spatial image is represented by the square of the waveform of the diffracted light (or the electric field of the diffracted light). The intensity of the diffraction light in the light-blocking film attached to the mask 30, ie, the chrome portion 3, becomes a '(a' = a 2 ) in FIG. 1b, and the intensity is greater than zero (a '> 0).
또한, 광 콘트라스트(Contrast)는 (b'-a')/(b'+a')으로 주어지는데, 여기서, a' 의 값이 0 에 근접할 수록 광 콘트라스트가 좋아져 해상력이 증가됨을 알 수 있다. (여기서, b'=b2, a'=a2이 됨.)In addition, the optical contrast is given by (b'-a ') / (b' + a '), where the closer the value of a' is to 0, the better the optical contrast and the higher the resolution is. . (Where b '= b 2 and a' = a 2 )
다음, 앞서 언급한 바 있는 종래의 PSM 기술에 대해 살펴 보기로 한다.Next, the conventional PSM technology mentioned above will be described.
제 2a 도 내지 제 2c 도는 종래의 PSM 기술에 의해 감광막 패터닝 형성시 마스크를 통과하는 회절광의 파형을 도시한 도면이다.2A to 2C are diagrams showing waveforms of diffracted light passing through a mask when forming photoresist patterning by conventional PSM techniques.
PSM 기술은 종래의 마스크(30)에 조사된 광의 위상을 변화시키는 위상변조체(10)가 부착된 마스크(50)를 사용하며, 이 경우 상기 마스크(50)를 통과한 회절광의 파형(또는 전기장)은 제 2b 도에 도시된 파형(8)과 같이 형성된다. 이때 상기 파형(8)의 공간 이미지는 제 2c 도에 도시된 파형(9)와 같이 형성된다.The PSM technique uses a mask 50 having a phase modulator 10 attached to change a phase of light irradiated onto a conventional mask 30, in which case a waveform (or an electric field) of diffracted light passing through the mask 50 is applied. ) Is formed as waveform 8 shown in FIG. 2B. At this time, the spatial image of the waveform 8 is formed like the waveform 9 shown in FIG.
참고로, 본 실시예에서 도시된 PSM 기술은 레벤슨(LEVENSON)형 PSM 의 경우인데, 기타의 PSM 기술 예를들면, 헬프-톤(Half-Tone)형 PSM 기술도 상기의 파형과 동일하게 표현된다.For reference, the PSM technique shown in this embodiment is a case of the LEVENSON type PSM, and other PSM techniques, for example, the half-tone PSM technique is expressed in the same manner as the above waveform. do.
제 2a 도에 도시된 바와같이, 마스크(50)의 석영판(2)의 소정부위에 부착된 위상변조체(Phase shifter)(10)는 마스크(50)의 석영판(2) 부위를 통과한 회절광과 위상이 180도 변하도록 설계된 것으로서, 이와같은 위상변조체(10)를 마스크(50)에 부착함으로써 제 2c 도에 도시된 파형(9)와 같은 공간 이미지를 얻을 수 있게되어 해상력이 향상되는 것이다.As shown in FIG. 2A, a phase shifter 10 attached to a predetermined portion of the quartz plate 2 of the mask 50 passes through the quartz plate 2 portion of the mask 50. As the diffracted light and the phase are designed to be changed by 180 degrees, by attaching such phase modulator 10 to the mask 50, a spatial image such as waveform 9 shown in FIG. 2C can be obtained, thereby improving resolution. Will be.
여기서, 해상력이 향상됨을 알 수 있는 것은 마스크(50)의 크롬부위(제 2c 도의 a')의 회절광의 세기가 0으로 되어 전체 회절광의 콘트라스트가 크게 되기 때문이다.It can be seen that the resolution is improved because the intensity of the diffracted light of the chromium portion (a 'in FIG. 2C) of the mask 50 becomes zero and the contrast of all the diffracted light becomes large.
그러나, 상기와 같은 종래의 PSM 기술은 해상력 향상에 매우 우수한 방법이기는 하나, 정확한 두께를 갖는 위상변조체(10)의 부착이 요구되고, 또한 사용하고자 하는 노광광원의 종류 예를 들면, G선, i선과 같은 노광광원에 따라 위상변조체(10)의 종류 및 두께가 변화되어야 하는 단점을 가지고 있다. 아울러, 마스크의 제조단가가 종래의 마스크 제조단가에 비해 2배 이상의 고가이며, 또 결함에 대해 치명적이라는 점등의 문제점을 안고 있다.However, while the conventional PSM technology is a very excellent method for improving the resolution, it is required to attach the phase modulator 10 having the correct thickness, and the type of exposure light source to be used, for example, G line, There is a disadvantage in that the type and thickness of the phase modulator 10 should be changed according to an exposure light source such as i line. In addition, the manufacturing cost of the mask is more than twice as expensive as the conventional manufacturing cost of the mask, and has a problem of lighting that is fatal to defects.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 제작이 어려운 PSM 마스크를 사용하는 대신 종래의 마스크를 그대로 사용하고, 크롬이 부착된 마스크의 후면에 위상이 변조된 보조 노광빔을 조사시켜 전면 조사광에 의한 회절광과 후면 조사광에 의한 반사광이 간섭을 일으켜 마스크의 크롬부위의 광세기가 0에 가깝도록 함으로써 해상력을 증대시킬 수 있는 반도체 소자의 미세 감광막 패턴 형상방법을 제공함에 그 목적이 있다.Therefore, in order to solve the above problem, the present invention uses a conventional mask as it is, and instead of using a difficult PSM mask, and irradiates an auxiliary exposure beam whose phase is modulated to the rear surface of the mask with chromium to be applied to the front irradiation light. It is an object of the present invention to provide a method for forming a fine photoresist pattern of a semiconductor device capable of increasing resolution by causing diffraction light and reflected light by backside irradiation light to interfere with each other so that the light intensity of the chrome portion of the mask is close to zero.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 반도체 소자의 미세 감광막 패턴 형성방법에 있어서,In the present invention for achieving the above object in the method for forming a fine photosensitive film pattern of a semiconductor device,
광원으로부터 조사되어 나온 빔을 빔 스플리터에 의해 주 노광빔과 상기 주 노광빔과 위상차를 갖는 보조 노광빔으로 분기시키는 공정과,Dividing the beam emitted from the light source into a main exposure beam and an auxiliary exposure beam having a phase difference from the main exposure beam by a beam splitter;
상기 주 노광빔의 조사방향을 조정하여 크롬이 부착되지 않은 감광막 패턴 형성 마스크의 전면상에 조사하는 공정과,Adjusting the irradiation direction of the main exposure beam and irradiating it on the entire surface of the photoresist pattern forming mask to which chromium is not attached;
상기 주 노광빔과 위상이 다른 보조 노광빔을 조사방향을 조정하여 크롬이 부착되어 있는 마스크의 후면상에 조사하는 공정을 구비하여,Irradiating an auxiliary exposure beam having a phase different from that of the main exposure beam and irradiating it on a rear surface of a mask to which chromium is attached;
상기 마스크의 전면 조사광에 의한 회절광과 마스크의 후면 조사광에 의한 반사광과의 간섭에 의해 광 콘트라스트가 콘 공간 이미지를 얻음으로써 감광막 패턴을 미세하게 형성할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.The photocontrast pattern may be finely formed by obtaining a cone spatial image by interference between diffracted light by the front irradiation light of the mask and reflected light by the back irradiation light of the mask.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대한 상세한 설명을 하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
제 3a 도 내지 제 3d 도는 본 발명의 방법에 따른 감광막 패터닝시의 상태 및 마스크를 통과하는 회절광의 파형을 도시한 도면이다.3A to 3D show the state of the photosensitive film patterning according to the method of the present invention and the waveform of diffracted light passing through the mask.
제 3a 도는 본 발명의 방법에 따라 마스크(30)의 석영기판(2)면에 크롬(3)이 부착된 종래의 일반적인 마스크(30)의 후면에 주 노광빔(Main Exposure Beam)과 상기 주 노광빔과 위상차를 갖는 보조 노광빔(Auxially Exposure Beam)을 조사하여 미세한 마스크 패턴을 형성방법을 개략적으로 도시한 도면이다.3a shows a main exposure beam and a main exposure beam on the rear surface of a conventional mask 30 in which chromium 3 is attached to the quartz substrate 2 surface of the mask 30 according to the method of the present invention. A method of forming a fine mask pattern by irradiating an auxiliary exposure beam having a phase difference with a beam is schematically illustrated.
상기 제 3a 도를 참조하면, 광원(10)으로부터 나온 빔이 빔 스플리터(Beam Splitter)(10)를 통해 주 노광빔(15)과 보조 노광빔(16)으로 분리된다. 이때, 분리되어 나오는 보조 노광빔(16)은 주 노광빔(15)과 위상차를 갖도록 한다. 상기 보조 노광빔(16)이 주 노광빔(15)과 위상차를 갖도록 하기 위해서는 빔 스플리터(10)로 부터 분리되어 나오면서 위상차를 갖게하거나, 또는 상기 보조 노광빔(16)의 경로상에 상 변환(Phase shift)물질(미도시)을 위치시킴으로써 할 수 있다.Referring to FIG. 3A, a beam from the light source 10 is separated into a main exposure beam 15 and an auxiliary exposure beam 16 through a beam splitter 10. In this case, the separated auxiliary exposure beam 16 has a phase difference from the main exposure beam 15. In order for the auxiliary exposure beam 16 to have a phase difference from the main exposure beam 15, the auxiliary exposure beam 16 is separated from the beam splitter 10 and has a phase difference, or an image conversion is performed on the path of the auxiliary exposure beam 16. Phase shift) can be made by placing a material (not shown).
또한, 상기 주 노광빔(15) 또는 보조 노광빔(16)의 파장은 50nm~800nm의 범위로 하며, 파장을 서로 같게 하거나 또는 다르게 할 수도 있다.In addition, the wavelength of the main exposure beam 15 or the auxiliary exposure beam 16 is in the range of 50nm to 800nm, the wavelength may be the same or different.
상기 주 노광빔(15)은 반사거울(13)에 의해 조사방향이 조정되어 마스크(30)의 전면으로 조사되어 마스크(30)의 크롬(3)이 부착되지 않은 부위의 석영부(2)를 통과하게 되고, 통과된 빔은 제 3b 도의 회절파형(18)과 같이 형성된다. 이와 동시에, 빔 스플리터(10)로 부터 분리되어 나와 반사거울(12,14)를 통해 마스크(30)의 후면에 부착된 크롬면(3)의 상부에 조사되는 보조 노광빔(16)은 마스크(30)의 크롬부(3)에서 반사되는데, 이때, 상기 조사되는 보조 노광빔(16)의 위상이 주 노광빔(15)의 위상과 180도 다를 경우에는, 제 3c 도의 반사파형(18')와 같이 형성된다. 상기 보조 노광빔(16)의 반사는 마스크(30)의 크롬부(3)에서 강하게 일어나기 때문에 크롬부위(3)에서의 반사광의 전기장의 세기(c')는 주 노광빔(15)의 회절에 의한 전기장의 세기(c)를 상쇄하게 된다. 이같은 상쇄는 보조 노광빔(16)이 주 노광빔(15)과 위상차이를 갖고 있기 때문이다.The main exposure beam 15 is irradiated to the entire surface of the mask 30 by adjusting the irradiation direction by the reflection mirror 13 to open the quartz portion 2 at the portion where the chromium 3 of the mask 30 is not attached. Passed through, the beam passed is formed like the diffraction waveform 18 in FIG. At the same time, the auxiliary exposure beam 16 separated from the beam splitter 10 and irradiated onto the chrome surface 3 attached to the rear surface of the mask 30 through the reflective mirrors 12 and 14 is a mask ( Reflected by the chromium portion 3 of 30, when the phase of the irradiated auxiliary exposure beam 16 is 180 degrees different from the phase of the main exposure beam 15, the reflected waveform 18 'of FIG. It is formed as Since the reflection of the auxiliary exposure beam 16 occurs strongly in the chrome portion 3 of the mask 30, the intensity c ′ of the electric field of the reflected light at the chrome portion 3 is determined by the diffraction of the main exposure beam 15. This offsets the strength c of the electric field. This offset is because the auxiliary exposure beam 16 has a phase difference from the main exposure beam 15.
이와같은 원리에 의해 마스크(30)의 크롬부위(3)는 주 노광빔(15)에 의한 회절광고 보조 노광빔(16)의 반사광에 의해 상쇄되어 거의 강도를 나타내지 못하게 된다.(제 3d 도의 e 부위) 또한, 마스크(30)의 석영부(2)는 광이 투과되어 큰 영향을 주지못해 제 3d 도의 (f)와 같은 강도를 나타낸다.By this principle, the chromium part 3 of the mask 30 is canceled by the reflected light of the diffraction advertisement auxiliary exposure beam 16 by the main exposure beam 15, and hardly exhibits the intensity. (E of FIG. 3d) In addition, the quartz part 2 of the mask 30 has the same strength as that in FIG.
제 3d 도에 도시된 파형(19)은 제 3c 도에 도시된 광의 공간 이미지로서, 크롬부위(e) 에서의 강도 Ie와 석영부위(f) 에서의 강도 If는 아래의 식 (1)과 (2)로 각각 주어진다.The waveform 19 shown in FIG. 3d is a spatial image of the light shown in FIG. 3c, where the intensity I e at the chromium site e and the intensity I f at the quartz site f are given by Equation (1) And (2), respectively.
따라서, 본 발명에 의한 광 콘트라스트는 (d2- 0)/(d2+ 0) ≒ 1 이 되고, 종래의 일반적인 회절광만을 이용한 광 콘트라스트는 (d2- c2)/(d2+ c2)로서, c2은 항상 양수이므로, 상기 값은 1 보다 작아진다. 즉, 본 발명에 있어서의 경우가 종래의 경우보다 더 큰 효과를 얻을 수 있음을 알 수 있다. 이는 곧 감광막 패턴을 보다 더 미세하게 패터닝 할 수 있다는 것을 의미한다.Thus, the optical contrast of the present invention (d 2 - 0) / ( d 2 + 0) and the ≒ 1, the optical contrast using a conventional general only the diffracted light of the (d 2 - c 2) / (d 2 + c 2 ), since c 2 is always positive, the value is less than one. That is, it can be seen that the case in the present invention can obtain a larger effect than the conventional case. This means that the photoresist pattern can be patterned more finely.
제 3d 도에서의 파형(19)는 상기 본 발명의 방법에 의해 형성된 공간 이미지(또는 광 강도)로서, 앞에서 기술한 PSM 기술을 적용했을 때의 공간 이미지의 파형(제 2c 도의 9)과 거의 흡사함을 알 수 있다.The waveform 19 in FIG. 3d is a spatial image (or light intensity) formed by the method of the present invention, which is almost similar to the waveform of the spatial image (9 in FIG. 2c) when the PSM technique described above is applied. It can be seen.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자의 미세 감광막 패턴 형성방법은 광차단막인 크롬이 부착된 마스크 후면에 조사되는 보조 노광빔의 반사특성을 이용하여 광 콘트라스트가 큰 공간 이미지를 형성함으로써 종래의 노광장비나 감광제, PSM 기술을 이용하지 않고도 해상력 및 촛점 여유도의 증가를 가져오게 하여 보다 미세한 감광막 패턴을 형성할 수 있다.As described above, the method of forming the microphotoresist pattern of the semiconductor device according to the present invention is conventionally formed by forming a spatial image having a large light contrast by using the reflection characteristic of the auxiliary exposure beam irradiated on the rear surface of the mask with chromium as the light blocking film. It is possible to form finer photoresist patterns by increasing resolution and focus margin without using exposure equipment, photoresist, or PSM technology.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950016020A KR0140717B1 (en) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | Method for forming fine photoresist pattern of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950016020A KR0140717B1 (en) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | Method for forming fine photoresist pattern of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970002454A KR970002454A (en) | 1997-01-24 |
| KR0140717B1 true KR0140717B1 (en) | 1998-06-15 |
Family
ID=19417312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950016020A KR0140717B1 (en) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | Method for forming fine photoresist pattern of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0140717B1 (en) |
-
1995
- 1995-06-16 KR KR1019950016020A patent/KR0140717B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970002454A (en) | 1997-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5863677A (en) | Aligner and patterning method using phase shift mask | |
| US5565286A (en) | Combined attenuated-alternating phase shifting mask structure and fabrication methods therefor | |
| US5539567A (en) | Photolithographic technique and illuminator using real-time addressable phase shift light shift | |
| JP2732498B2 (en) | Reduction projection type exposure method and apparatus | |
| US5229230A (en) | Photomask | |
| US6657208B2 (en) | Method of forming optical images, mask for use in this method, method of manufacturing a device using this method, and apparatus for carrying out this method | |
| US5935736A (en) | Mask and method to eliminate side-lobe effects in attenuated phase shifting masks | |
| JPH0684750A (en) | Exposing device and exposing method using it | |
| Mansuripur et al. | Projection photolithography | |
| US5329335A (en) | Method and apparatus for projection exposure | |
| EP0720055A1 (en) | Focal plane phase-shifting lithography | |
| US20020030802A1 (en) | Projection exposure apparatus | |
| JPH03252659A (en) | Photomask | |
| US7732106B2 (en) | Methods for etching devices used in lithography | |
| JPH06250378A (en) | Exposure method and photomask used in the same | |
| KR0140717B1 (en) | Method for forming fine photoresist pattern of semiconductor device | |
| JPH06177010A (en) | Projection aligner and projection exposure | |
| JPH05165194A (en) | Photomask | |
| US6544721B1 (en) | Multiple exposure method | |
| US6122037A (en) | Reflective phaseshift lithography system | |
| JP2004517474A (en) | Projection lithography using a phase shift aperture | |
| KR0146399B1 (en) | Semiconductor pattern forming method | |
| JP3427210B2 (en) | Projection exposure apparatus, projection exposure method, device manufacturing method using the projection exposure method, and device manufactured by the device manufacturing method | |
| JPH09138497A (en) | Resist exposure method and exposure mask | |
| KR100219538B1 (en) | Method of measuring 180 degree phase of phase shift mask |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090223 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |