KR0136822Y1 - A developer nozzle - Google Patents

A developer nozzle Download PDF

Info

Publication number
KR0136822Y1
KR0136822Y1 KR2019960045475U KR19960045475U KR0136822Y1 KR 0136822 Y1 KR0136822 Y1 KR 0136822Y1 KR 2019960045475 U KR2019960045475 U KR 2019960045475U KR 19960045475 U KR19960045475 U KR 19960045475U KR 0136822 Y1 KR0136822 Y1 KR 0136822Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
developer
wafer
nozzle
shape
lower disc
Prior art date
Application number
KR2019960045475U
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR19980032596U (en
Inventor
송경섭
윤재철
Original Assignee
문정환
엘지반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 엘지반도체주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR2019960045475U priority Critical patent/KR0136822Y1/en
Publication of KR19980032596U publication Critical patent/KR19980032596U/en
Application granted granted Critical
Publication of KR0136822Y1 publication Critical patent/KR0136822Y1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

본 고안은 반도체 제조 공정의에서 노광이 완료된 웨이퍼에 현상액을 뿌려 패턴(pattern)을 형성시키는 포토 현상 공정에서 사용되는 포토 현상 장치에 관한 것으로 특히, ∨형태의 원형판의 형상을 갖는 하부원판과, 상기 하부원판과 소정의 간격을 유지하며 그 중심부에 상기 현상액 공급 수단으로부터 형상액을 공급받을 수 있도록 연결통로를 갖고 ∨형태의 형상을 갖고 있는 상부면, 및 상기 하부원판과 상부면을 고정 지지하며 상기 하부원판과 상부면이 유지하고 있는 간격을 통해 유출되는 현상액이 상기 하부원판 아래에 위치하는 웨이퍼에 분사시키기 위한 환형 커버로 구성되는 것을 특징으로 하는 분수 사출 방식의 현상액 노즐을 제공하면, 현상공정에서 발생 할 수 있는 미세 패턴의 가공 크기에 대한 균일도를 극대화 할수 있으며 포토공정에서 감광액으로 형성하는 패턴의 균일도를 최대한 안정하게 유지할 수 있다는 효과가 있다.The present invention relates to a photodevelopment apparatus used in a photodevelopment process in which a developer is sprayed onto an exposed wafer in a semiconductor manufacturing process to form a pattern. Maintaining a predetermined distance from the lower disc, and having a connecting passage so as to receive a shape liquid from the developer supply means at the center thereof, and having an upper surface having a U-shape, and fixedly supporting the lower disc and the upper plane; In the developing process, if a developer injection nozzle of a fractional injection method is provided, the developer discharges through an interval maintained by the lower disc and the upper surface, and comprises an annular cover for injecting the wafer under the lower disc. It is possible to maximize the uniformity of the processing size of the fine pattern that can occur and the photo process Standing there is an effect that can be maintained as much as possible to stabilize the uniformity of the pattern formed in the photoresist.

Description

분수 사출 방식의 현상액 노즐Developer nozzle with fractional injection method

제1도는 종래 포토 현상 장치의 구성 예시도.1 is a diagram illustrating a configuration of a conventional photo developing apparatus.

제2도는 본 고안에 따른 분수 사출 방식의 현상액 노즐을 적용한 포토 현상 장치의 구성 예시도.2 is a view illustrating the configuration of a photo developing apparatus to which a developer nozzle of a fountain injection method according to the present invention is applied.

제3도는 본 고안에 따른 분수 사출 방식의 현상액 노즐의 단면도와 배면도를 도시한 예시도.3 is an exemplary view showing a cross-sectional view and a rear view of the developer nozzle of the fountain injection method according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 웨이퍼 2 : 포토레지스터1: wafer 2 photoresistor

3 : 웨이퍼 척 4 : 회전축3: wafer chuck 4: rotation axis

5 : 현상액 튜브 6 : 노즐5: developer tube 6: nozzle

7 : 항온수 튜브 8 : 세척액 분사장치7: constant temperature water tube 8: washing liquid injector

9 : 캐치컵9: catch cup

본 고안은 반도체 제조 공정의에서 노광이 완료된 웨이퍼에 현상액을 뿌려 패턴(pattern)을 형성시키는 포토 현상 공정에서 사용되는 포토 현상 장치에 관한 것으로 특히, 현상액을 분수 사출 방식에 따라 분사시키는 노즐에 관한 것이다.The present invention relates to a photodevelopment apparatus used in a photodevelopment process in which a developer is sprayed onto an exposed wafer in a semiconductor manufacturing process to form a pattern, and more particularly, a nozzle for injecting a developer in accordance with a fractional injection method. .

일반적으로, 종래의 포토 현상 장치는 첨부한 제1도에 도시되어 있는 바와 같이, 웨이퍼(1)가 안착되는 장소를 제공하는 웨이퍼 척(3)과, 상기 웨이퍼 척(3)에 고정되어 있으며 상기 웨이퍼 척(3)을 회적시키기 위한 회전축(4)과, 현상액을 공급하는 현상액 튜브(5)와, 상기 현상액 튜브(5)의 일측에 형성되어 있으며 현상액을 분사시키는 노즐(6)과, 회전시 웨이퍼 상단에 뿌려지는 현상액 및 세척액을 배기시킬수 있도록 구성된 캐치컵(9)과, 상기 현상액 튜브(5)의 둘레를 감고 있으며 공급되는 현상액의 온도를 일정하게 유지시켜 주기 위한 항온수 튜브(7) 및 현상이 완료된후 현상된 포토레지스터(2)를 세정하기 위한 세척액 분사장치(8)로 구성되어 있다.In general, a conventional photodevelopment apparatus is fixed to the wafer chuck 3 and to the wafer chuck 3 which provides a place where the wafer 1 is seated, as shown in the attached FIG. A rotating shaft 4 for rotating the wafer chuck 3, a developer tube 5 for supplying a developer, a nozzle 6 formed on one side of the developer tube 5, and spraying a developer, A catch cup 9 configured to exhaust the developer and the cleaning solution sprayed on the wafer top, a constant temperature water tube 7 wound around the developer tube 5 to maintain a constant temperature of the supplied developer, and After the development is completed, the cleaning liquid injector 8 for cleaning the developed photoresist (2).

상기와 같이 구성되는 종래의 포토 현상 장치의 동작을 살펴보면, 현상공정 유니트에 로딩된 웨이퍼에 일정한 온도를 유지할 수 있게 항온수 튜브(7)내에 설치된 현상액 튜브(5)내의 현상액은 노즐(6)을 통하여 웨이퍼 척(3)에 안착되어 있는 웨이퍼(1)의 중심부에 사출된다.Referring to the operation of the conventional photo developing apparatus configured as described above, the developer in the developer tube 5 installed in the constant temperature water tube 7 may maintain the nozzle 6 so as to maintain a constant temperature on the wafer loaded in the developing process unit. Through the injection, it is injected into the center of the wafer 1 seated on the wafer chuck 3.

이때, 상기 웨이퍼 척(3)에 연결되어 있는 회전축(4)이 저속으로 회전운동함에 따라 상기 웨이퍼 척(3)에 안착되어 있는 웨이퍼(1) 역시 저속으로 회전운동하게 된다. 그에따라, 상기 노즐(6)을 통해 사출되는 현상액이 웨이퍼 전면에 퍼져 나갈수 있게 된다.At this time, as the rotary shaft 4 connected to the wafer chuck 3 rotates at low speed, the wafer 1 seated on the wafer chuck 3 also rotates at low speed. Accordingly, the developer injected through the nozzle 6 can spread out on the front surface of the wafer.

상술한 과정을 통하여 웨이퍼전면에 일정량의 현상액이 사출되면 상기 노즐(6)은 웨이퍼 상단에서 외각지역으로 이동 정지하게 된다.When a predetermined amount of developer is injected into the front surface of the wafer through the above-described process, the nozzle 6 stops moving from the top of the wafer to the outer region.

이후, 전면에 현상액이 묻은 웨이퍼(1)는 회전축(4)의 운동에 의하여 정지, 저속 좌, 우회전을 하다 일정시간이 경과하면 세척액 분사장치(8)에서 세척액을 뿌려주어 세정작업을 실시한다.Subsequently, the wafer 1 on which the developer is deposited on the entire surface is stopped, rotated left and right at low speed by the movement of the rotary shaft 4, and when a predetermined time elapses, the cleaning solution is sprayed by the washing liquid spraying device 8 to perform the cleaning operation.

최종적으로, 웨이퍼상에 잔류하는 세척액 성분을 없애주기 위해 세척액 공급을 멈춘후 고속회전을 함으로써, 현상공정은 완료된다.Finally, the developing process is completed by stopping the cleaning solution supply and rotating at a high speed in order to remove the cleaning solution components remaining on the wafer.

그러나, 상술한 바와 같이 동작하는 종래의 포토 현상 장치에서 현상액을 사출하는 최종적인 구성인 노즐이 원통형으로 구성되어 있음으로 웨이퍼 중심부에만 뿌려짐으로 중심부와 웨이퍼 가장자리에 닿는 시간차가 생김으로 패턴의 크기 차이가 발생하게 된다.However, in the conventional photo developing apparatus operating as described above, the nozzle, which is the final component for injecting the developer, is formed in a cylindrical shape, so that the difference in the size of the pattern is caused by the time difference between the center and the edge of the wafer because it is only sprayed on the center of the wafer. Will occur.

또한, 현상액 공급을 중지한 후에 현상액 공급측에서 역으로 흡인력을 발생시켜 노즐 끝에 남아있는 미소량의 현상액을 흡입하게 되는데, 상술한 바와 같이, 상기 노즐(6)의 형상이 수직 원통형으로 되어 있어 상기 노즐(6)의 끝에 잔류하는 미소량의 현상액이 웨이퍼 전면에 떨어져 불량을 유발시키게 된다는 문제점이 발생되었다.In addition, after the developer supply is stopped, a suction force is generated inversely from the developer supply side to suck a small amount of developer remaining at the tip of the nozzle. As described above, the shape of the nozzle 6 is a vertical cylindrical shape, and the nozzle A problem arises in that a small amount of developer remaining at the end of (6) falls on the entire surface of the wafer and causes a defect.

상술한 문제점을 해소하기 위한 본 고안의 목적은 현상공정에서 현상액 분사시 형상액과 웨이퍼가 접촉되는 면적을 최대화 할 수 있도록 하기 위한 분수 사출 방식의 현상액 노즐을 제공하는데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a developer nozzle of a fractional injection method for maximizing the contact area between the shape liquid and the wafer during developer injection in the developing process.

상기 목적을 달성하기 위한 본 고안의 특징을, ∨형태의 원형판의 형상을 갖는 하부원판과, 상기 하부원판과 소정의 간격을 유지하며 그 중심부에 상기 현상액 공급 수단으로부터 형상액을 공급받을 수 있도록 연결통로를 갖고 ∨형태의 형상을 갖고 있는 상부면, 및 상기 하부원판과 상부면을 고정 지지하며 상기 하부원판과 상부면이 유지하고 있는 간격을 통해 유출되는 현상액이 상기 하부원판 아래에 위치하는 웨이퍼에 분사시키기 위한 환형 커버로 구성되는 데 있다.Features of the present invention for achieving the above object, the lower disk having a shape of a circular plate, the shape of the lower disk and the predetermined distance to the lower disk connected to the center so that the shape liquid can be supplied from the developer supply means An upper surface having a channel shape and a X-shaped shape, and a developer which is fixedly supported by the lower disk and the upper surface and flows out through a gap maintained by the lower disk and the upper surface, is placed on a wafer positioned below the lower disk. It consists of an annular cover for spraying.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 고안에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

제2도는 본 고안에 따른 분수 사출 방식의 현상액 노즐을 적용한 포토 현상 장치의 구성을 도시하였다.2 shows the configuration of a photo developing apparatus to which a developer nozzle of a fractional injection method according to the present invention is applied.

상기 제2도에 도시되어 있는 포토 현상 장치의 전체적인 구성은 종래의 포토 현상 장치의 구성과 크게 달라진 것은 없으며, 다만 노즐의 형상이 달라진 것을 알 수 있다.The overall configuration of the photo developing apparatus shown in FIG. 2 is not significantly different from that of the conventional photo developing apparatus, but it can be seen that the shape of the nozzle is changed.

상기 제2도에 도시되어 있는 바와 같이 노즐(10A∼10C)의 형상이 달라짐에 따라 종래 기술에서의 문제점을 어떻게 해소하게 되었는지를 첨부한 제3도를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.As shown in FIG. 2, the shapes of the nozzles 10A to 10C are changed, and the method of solving the problems in the prior art will be described with reference to FIG.

제3도는 본 고안에 따른 분수 사출 방식의 현상액 노즐의 단면도와 배면도를 도시하고 있다.3 is a cross-sectional view and a rear view of the developer nozzle of the fountain injection method according to the present invention.

본 고안에 따른 노즐의 현상액 사출방식을 살펴보면, 노즐(10A∼10C)은 회전하고 있는 웨이퍼 상단으로 이동한 후 종래와 동일하게 현상액 공급 라인으로 공급된 현상액이 운형모양의 분사 노즐장치를 통하여 웨이퍼에 원형 모양의 띠를 형성하여 현상액을 뿌려주게된다.Looking at the developer injection method of the nozzle according to the present invention, the nozzles (10A to 10C) is moved to the top of the rotating wafer and the developer supplied to the developer supply line in the same manner as before, the nozzle is supplied to the wafer through a cloud-shaped spray nozzle device. A circular band is formed to spray the developer.

노즐의 구성은 원형판 모양으로 ∨형태를 이루고 있는 하부원판(B)에 상기 현상액 공급 라인과 연결되어 있는 ∨형태의 상부면(A)을 덮개로 씌워 놓은 형태이다.The configuration of the nozzle is a shape in which a cover of the upper surface A of the X-shape connected to the developer supply line is covered with the lower disc B which is the X-shaped in a circular plate shape.

이때, 상하부 판 사이에는 흠을 형성하여 외부로부터 공급된 현상액이 분사될 수 있도록 하였다.At this time, a flaw was formed between the upper and lower plates so that the developer supplied from the outside could be injected.

또한, 상기 하부원판(B)과 상부면(A)이 모두 ∨형태의 형태를 취하고 있어 분사되는 현상액이 웨이퍼에 분사될 수 있도록 원형으로 분사 환형커버(10C)를 구비하고 있다.In addition, since both the lower disc B and the upper face A are in the shape of a X, the injection annular cover 10C is provided in a circular shape so that the developer to be injected can be injected onto the wafer.

따라서, 현상액은 제3도에 도시되어 있는 배면도에서 알 수 있듯이 노즐의 중심에서 분사되는 것이 아니라 소정의 영역을 이루는 원형의 가장자리에서 분사됨에 따라 웨이퍼에 분사되는 위치가 웨이퍼 중심으로부터 가장자리 사이에 환형으로 떨어짐으로 웨이퍼에 도포되는 시간이 균일화 되어질 수 있다.Therefore, the developer is not sprayed at the center of the nozzle as shown in the rear view shown in FIG. 3, but is sprayed at the circular edge forming a predetermined area, so that the position sprayed on the wafer is annular between the wafer center and the edge. By falling off, the time applied to the wafer can be made uniform.

또한, 사출되는 끝모양을 ∨형태로 만들어 역으로 분사됨으로 분사완료전후 노즐끝 부분에 현상액이 남더라도 상기 하부원판(B)의 중심에 모여있게 되어 웨이퍼에 떨어질 염려가 없다.In addition, by making the end of the injection shape in the shape of ∨ and sprayed in reverse, even if the developer remains at the nozzle end before and after the injection is completed, there is no fear of falling on the wafer because it is collected at the center of the lower disc (B).

상기와 같이 본 고안에 따른 분수 사출 방식의 현상액 노즐을 제공하면, 현상공정에서 발생 할 수 있는 미세 패턴의 가공 크기에 대한 균일도를 극대화 할 수 있으며 포토공정에서 감광액으로 형성하는 패턴의 균일도를 최대한 안정하게 유지할 수 있다는 효과가 있다.Providing the developer injection nozzle of the fractional injection method according to the present invention as described above, it is possible to maximize the uniformity of the processing size of the fine pattern that may occur in the developing process, and to stabilize the uniformity of the pattern formed by the photosensitive liquid in the photo process to the maximum It is effective to keep it.

Claims (2)

회전하는 웨이퍼의 상부에 위치하며 현상액 공급 수단으로부터 제공받은 현상액을 상기 웨이퍼에 도포하기 위한 노즐에 있어서, ∨형태의 원형판의 형상을 갖는 하부원판과; 상기 하부원판과 소정의 간격을 유지하며 그 중심부에 상기 현상액 공급 수단으로부터 형상액을 공급받을 수 있도록 연결통로를 갖고 ∨형태의 형상을 갖고 있는 상부면; 및 상기 하부원판과 상부면을 고정 지지하며 상기 하부원판과 상부면이 유지하고 있는 간격을 통해 유출되는 현상액이 상기 하부원판 아래에 위치하는 웨이퍼에 분사시키기 위한 환형 커버로 구성되는 것을 특징으로 하는 분수 사출 방식의 현상액 노즐.A nozzle positioned on an upper portion of a rotating wafer to apply a developer solution provided from a developer supply means to the wafer, the nozzle comprising: a lower disc having a shape of a circular plate; An upper surface having a predetermined shape and having a connection shape so as to receive a shape liquid from the developer supply means at a central portion thereof while maintaining a predetermined distance from the lower disc; And an annular cover for fixing and supporting the lower disk and the upper surface, and for injecting the developer, which flows out through the gap maintained by the lower disk and the upper surface, to the wafer positioned below the lower disk. Injection developer nozzle. 제1항에 있어서, 상기 상부면이 차지하는 면적은 하부원판의 면적보다 작은 것을 특징으로 하는 분수 사출 방식의 현상액 노즐.The developer nozzle according to claim 1, wherein the area occupied by the upper surface is smaller than that of the lower disc.
KR2019960045475U 1996-12-04 1996-12-04 A developer nozzle KR0136822Y1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019960045475U KR0136822Y1 (en) 1996-12-04 1996-12-04 A developer nozzle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019960045475U KR0136822Y1 (en) 1996-12-04 1996-12-04 A developer nozzle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980032596U KR19980032596U (en) 1998-09-05
KR0136822Y1 true KR0136822Y1 (en) 1999-03-20

Family

ID=19477212

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019960045475U KR0136822Y1 (en) 1996-12-04 1996-12-04 A developer nozzle

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0136822Y1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980032596U (en) 1998-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100224462B1 (en) Cleaning method and cleaning apparatus
JP3580664B2 (en) Developing device and developing method
KR0136822Y1 (en) A developer nozzle
JPH1020508A (en) Developing and device for substrate
JPH11244760A (en) Substrate treating device
KR100672928B1 (en) Photoresist coating equipment
KR970000385Y1 (en) Drying apparatus of wafer rearface
JPH1167622A (en) Developing device
JP3210893B2 (en) Processing device and processing method
KR20000003937A (en) Spray-type photoresist developer and developing method thereof
KR0172269B1 (en) Spray nozzle assembly of processing liquid
JP3290773B2 (en) Processing device and processing method
KR20010009035A (en) A method of developing photoresist
KR0140088Y1 (en) Developing apparatus for resist
KR100485541B1 (en) Apparatus for spraying developing solution of developer
JPS62229837A (en) Method and device for devloping resist
KR20020088981A (en) Wafer back lins apparatus for spinner mechanism
KR100804400B1 (en) Photoresist coating system and photoresist coating method in photo lithography process
KR100545217B1 (en) Apparatus and Method for developing wafer
KR950005390Y1 (en) Developing treatment apparatus of wafer
KR20020037858A (en) Resist coating apparatus
KR200244927Y1 (en) Semiconductor Wafer Developer
JPH03262563A (en) Coating apparatus
KR20000020585U (en) Apparatus for cleansing semiconductor wafer of coating system
JPS63173327A (en) Production equipment for semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101025

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee