KR0126781B1 - Thin film manufacturing method and its device - Google Patents

Thin film manufacturing method and its device

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KR0126781B1 KR1019940017409A KR19940017409A KR0126781B1 KR 0126781 B1 KR0126781 B1 KR 0126781B1 KR 1019940017409 A KR1019940017409 A KR 1019940017409A KR 19940017409 A KR19940017409 A KR 19940017409A KR 0126781 B1 KR0126781 B1 KR 0126781B1
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Abstract

A thin film manufacturing method including the process of sputtering a metal target, and simultaneously injecting gas which is to react with the metal target through another plasma beam source to a substrate. On a general reactive sputter deposition equipment, a radical beam plasma source is additionally equipped.This method and equipment can form a superior quality metal compound.

Description

박막 제조방법 및 그 제조장치Thin film manufacturing method and apparatus for manufacturing same

제1도는 일반적인 반응성 스퍼터 증착 장치의 개략도이다.1 is a schematic of a typical reactive sputter deposition apparatus.

제2도는 래디컬 빔 플라즈마 소오스를 장착한 본 발명에 의한 반응성 스퍼터 증착 장치의 개략도이다.2 is a schematic diagram of a reactive sputter deposition apparatus according to the present invention equipped with a radical beam plasma source.

제3도는 본 발명의 반응성 스퍼터 증착 장치에 장착되는 래디컬 빔 플라즈마 소오스의 개략도이다.3 is a schematic diagram of a radical beam plasma source mounted to the reactive sputter deposition apparatus of the present invention.

본 발명은 반도체소자의 제조방법 및 그 제조장치에 관한 것으로, 특히 금속화합물막의 막질을 향상시킬 수 있는 박막 제조방법 및 그 제조장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a device for manufacturing the same, and more particularly, to a method for manufacturing a thin film and a device for improving the film quality of a metal compound film.

박막의 금속 화합물을 형성하기위하여 널리 사용되는 반응성 스퍼터증착(reactive sputter deposition) 방식은, 금속 타겟트(target)를 스퍼터하여 금속을 이온상태로 만듬과 동시에 분자상태의 반응 기체를 챔버(chamber)내에 주입한 후 플라즈마화 하여, 이 금속이온과 플라즈마화된 기체의 반응을 일으키는 방식이다.Reactive sputter deposition, which is widely used to form a thin metal compound, sputters a metal target to make the metal into an ionic state and at the same time a molecular reaction gas into the chamber. It is a method of injecting a plasma after injecting and causing reaction of this metal ion with a plasma gas.

제1도는 일반적인 반응성 스퍼터 증착 장치의 개략도로서, 도면부호 2는 히터(heater)를, 4는 기판(substrate)을, 6은 양극(anode)을, 8은 타겟트를, 10은 자석(magnet)을, 12는 기체주입부(inletline)를 그리고, 4는 챔버를 나타낸다.FIG. 1 is a schematic diagram of a general reactive sputter deposition apparatus, in which reference numeral 2 denotes a heater, 4 denotes a substrate, 6 denotes an anode, 8 denotes a target, and 10 denotes a magnet. 12 denotes a gas inletline, and 4 denotes a chamber.

예컨대, 이산화실리콘(SiO2) 상에 티타늄 나이트라이드(TiN)막을 형성하고자 할 경우, Ti 타겟트(8)가 스퍼터함과 동시에 기체주입부(12)로 분자상태의 반응기체, 즉 질소(N)를 주입한다. 주입된 질소는 챔버 내에서 활성화되어 플라즈마 상태로 변하고, 이 플라즈마 상태의 질소와 스퍼터 된 Ti이 기판 근처에서 반응하여 기판 표면에 TiN막을 형성시킨다.For example, when a titanium nitride (TiN) film is to be formed on silicon dioxide (SiO 2 ), the Ti target 8 is sputtered and at the same time a molecular reactant in the gas state 12, that is, nitrogen (N). Inject). The injected nitrogen is activated in the chamber to change into a plasma state, and the nitrogen in the plasma state and sputtered Ti react near the substrate to form a TiN film on the substrate surface.

그러나, 이 방식은 반응기체의 활성화 비율이 높지 않으므로, 타겟트 금속으로 기판과 반응성이 강한 물질을 사용할 경우, 초기 침적 시, 이들(타겟트과 기판)간의 반응방지가 힘들며, 이에 따라 막질 자체도 어느정도 영향을 받게 된다. 즉, 스퍼트 된 타겟트 금속이 기판을 향해 주행하는 도중, 플라즈마화 된(여기 원자상태 또는 이온 상태) 반응기체와 만나 반응을 하여, 기판 표면에 금속과 반응기체의 화합물을 형성해야 하나, 실제의 경우, 침적 초기에는 상기 반응기체가 활성화되는 비율이 적으므로, 타겟트 금속과 활성화된 기체가 반응하는 비율보다 타겟트 금속과 기판이 반응하는 비율이 더 높다. 따라서 침적 초기에 기판표면에 침적된 물질의 막질은 벌크(bulk)(원하는 이상적인 막질을 가진 막) 내의 막질과 상당히 차이가 난다.However, since this method does not have a high activation rate of the reactant, when a material that is highly reactive with the substrate is used as the target metal, it is difficult to prevent a reaction between them (target and substrate) during initial deposition, and thus the film quality itself is somewhat reduced. Will be affected. That is, while the sputtered target metal is traveling toward the substrate, it is required to react with the plasmalized (excited atomic or ionic state) reactant to form a compound of the metal and the reactant on the substrate surface. In this case, since the rate of activation of the reactant is small at the initial stage of deposition, the rate at which the target metal reacts with the substrate is higher than the rate at which the target metal reacts with the activated gas. Thus, the film quality of the material deposited on the substrate surface at the beginning of deposition differs significantly from that in the bulk (film with the desired ideal film quality).

SiO2기판 상에 TiN막을 형성하는 상기의 경우, 침적 초기에, N에 대한 Ti의 비율은 벌크 내에서의 비율보다 높고, 이 때의 잉여 Ti는 SiO2을 구성하고 있는 산소와 반응하는 것으로 관측되고 있다. 잉여 Ti와 산소가 결합하여 생성된 Ti산화물은 SiO2와 TiN 사이에 Ti 산화물층을 형성하고, 이는 막의 특성을 열화시키는 요인이 될 수 있다. 따라서 침적 초기부터 Ti의 대부분이 반응기체와 반응할 수 있도록 기판 근처에 충분한 양의 활성화된 기체를 공급해 주어야 한다.In the above case of forming a TiN film on a SiO 2 substrate, at the beginning of deposition, the ratio of Ti to N is higher than the ratio in the bulk, and the excess Ti at this time is observed to react with the oxygen constituting SiO 2 . It is becoming. The Ti oxide produced by combining excess Ti and oxygen forms a Ti oxide layer between SiO 2 and TiN, which may cause deterioration of the film properties. Therefore, from the beginning of deposition, a sufficient amount of activated gas must be supplied near the substrate so that most of the Ti can react with the reactant.

본 발명의 목적은 양질의 막질을 가진 금속 화합물 박막을 형성할 수 있는 박막 제조방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a thin film manufacturing method capable of forming a metal compound thin film having a good film quality.

본 발명의 다른 목적은 양질의 막질을 가진 금속 화합물 박막을 형성할 수 있는 박막 제조장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a thin film manufacturing apparatus capable of forming a metal compound thin film having a good film quality.

본 발명의 상기 목적은, 금속 타겟트를 스퍼터링(sputtering)함과 동시에 상기 금속과 반응할 기체를 별도의 플라즈마 빔 소오스를 통해 기판으로 주입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 제조방법에 의해 달성된다.The object of the present invention is achieved by a method for manufacturing a thin film, comprising sputtering a metal target and simultaneously injecting a gas to react with the metal into a substrate through a separate plasma beam source. do.

상기 금속 타겟트를 구성하는 물질로 기판을 구성하는 물질과 강한 반응을 하는 것을 사용할 수 있다. 예컨대, 상기 금속 타겟트를 구성하는 물질을 티타늄 및 텅스텐 중 어느 하나이고, 상기 기판을 구성하는 물질은 이산화실리콘(SiO2)등이다. 그리고, 상기 별도의 플라즈마 빔 소오스는 질소가스이다.As the material constituting the metal target, a material that makes a strong reaction with the material constituting the substrate may be used. For example, the material constituting the metal target is any one of titanium and tungsten, and the material constituting the substrate is silicon dioxide (SiO 2 ). The separate plasma beam source is nitrogen gas.

본 발명의 상기 다른 목적은, 일반적인 반응성 스퍼터 증착(reactive sputter deposition)장치에 래디컬 빔 플라즈마 소오스(radical beam plasma source)를 장착한 박막 제조장치에 의해 달성된다.Another object of the present invention is achieved by a thin film manufacturing apparatus equipped with a radical beam plasma source in a general reactive sputter deposition apparatus.

상기 래디컬 빔 플라즈마 소오스는 반응성 증착 장치 내에 부착되어 있는 기판의 표면과 약 50°~70°의 각도로 장착되고, 상기 래디컬 빔 플라즈마 소오스에서 공급되는 플라즈마 빔의 직경은 10cm 이상이다.The radical beam plasma source is mounted at an angle of about 50 ° to 70 ° with the surface of the substrate attached in the reactive deposition apparatus, and the diameter of the plasma beam supplied from the radical beam plasma source is 10 cm or more.

상기 래디컬 빔 플라즈마 소오스는 전단의 라디오 주파수 플라즈마(Radio Frequency plasma)부분, 후단의 가스 삽입부(gas inlet), 냉각수(water-cooled) 및 피드스루우(feedthrough) 등으로 구성된다.The radical beam plasma source is composed of a radio frequency plasma portion at the front end, a gas inlet at the rear end, water-cooled and feedthrough.

따라서, 금속 타겟트를 스퍼터링함과 동시에 활성화된 반응 기체를 챔버 내에 주입하므로 양질의 금속 화합물을 형성할 수 있다.Therefore, the sputtering of the metal target and the activated reaction gas are injected into the chamber at the same time, thereby forming a good metal compound.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 박막 제조장치 및 제조방법을 더욱 더 자세하게 설명하고자 한다. 계속해서 소개되는 도면들에 있어서, 상기 제1도에서 참조한 참조부호와 동일한 부호는 동일부분을 나타낸다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in more detail the thin film manufacturing apparatus and manufacturing method according to the present invention. In the figures introduced subsequently, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same parts.

제2도는 래디컬 빔 플라즈마 소오스를 장착한 본 발명에 의한 반응성 스퍼터 증착 장치의 개략도로서, 도면부호 16은 본 발명의 특징부인 상기 래디컬 빔 플라즈마 소오스를 나타낸다.2 is a schematic diagram of a reactive sputter deposition apparatus according to the present invention equipped with a radical beam plasma source, and reference numeral 16 denotes the radical beam plasma source which is a feature of the present invention.

상기 래디컬 빔 플라즈마 소오스(16)는, 반응성 스퍼터 증착장치의 챔버(14) 내에 장착되어 있는 기판(4)의 표면과 50°~70° 정도의 각도를 이루도록 장착된다. 이 때, 래디컬 원자의 방사상 분포는 입사 빔의 직경 및 기판 표면과의거리에 의하여 결정되므로 충분한 균일성 확보를 위해서는 입사 빔의 직경(L로 표시)이 10cm 이상, 기판과의 거리가 10cm 이상이 되도록 한다.The radical beam plasma source 16 is mounted to form an angle of about 50 ° to 70 ° with the surface of the substrate 4 mounted in the chamber 14 of the reactive sputter deposition apparatus. At this time, the radial distribution of the radical atoms is determined by the diameter of the incident beam and the distance from the substrate surface. Therefore, in order to ensure sufficient uniformity, the diameter of the incident beam (denoted by L) is 10 cm or more and the distance from the substrate is 10 cm or more. Be sure to

금속 타겟트(8)가 스퍼터하고 가스주입부(12)로 반응기체가 주입됨과 동시에, 또는 그 직전에 래디컬 빔 플라즈마 소오스(16)로 래디컬(radical) 원자상태(여기 원자상태 또는 이온 상태)의 반응기체가 원격(remote) 분사된다. 따라서, 금속 타겟트에서 스퍼터되어 기판을 향하여 주행 중이던 금속이온은 반응성이 강한 기판과 반응하기 이전에, 원격 분사된 상기래디컬 원자상태의 반응기체와 반응하여 금속 화합물을 생성한다.At the same time as or immediately before the metal target 8 is sputtered and the gas is injected into the gas injection unit 12, the radical beam state (excitation atomic state or ionic state) is applied to the radical beam plasma source 16. The reactor gas is remotely injected. Therefore, the metal ions sputtered from the metal target and traveling toward the substrate react with the remotely injected radical reactor to generate a metal compound before reacting with the highly reactive substrate.

본 발명의 일 실시예에서는, 상기 금속 타겟트(8)로 티타늄(Ti)을 사용하고, 상기 반응기체로 질소가스를 사용하였다. 이 때, 래디컬 빔 플라즈마 소오스(16)로 분사되는 반응기체는 래디컬 원자상태의 질소가스이고, 기판은 SiO2로 구성되어 있다.In one embodiment of the present invention, titanium (Ti) was used as the metal target 8, and nitrogen gas was used as the reactive gas. At this time, the reactive gas injected into the radical beam plasma source 16 is nitrogen gas in a radical atomic state, and the substrate is composed of SiO 2 .

본 발명에 의한 박막 제조장치 및 그 제조방법에 의하면, 활성화된 반응기체를 금속 타겟트를 스퍼터와 동시에 챔버 내로 분사함으로써, 침적 초기에, 가스주입부로 주입되는 반응기체의 활성화 비율이 낮아서 발생하는 문제점들을 해결한다.According to the apparatus for manufacturing a thin film according to the present invention and a method for manufacturing the same, a problem occurs due to a low activation rate of the reactive gas injected into the gas injection unit at the beginning of deposition by spraying the activated reactive gas into the chamber simultaneously with the metal target. Solve them.

본 발명에 의한 박막 제조장치 및 그 제조방법은, 금속 타겟트와 기판 사이의 반응이 강할 때 더욱 효과를 낸다. 예컨대, 금속 타겟트가 W(텅스텐) 및 Ti(티타늄)등과 같은 금속으로 구성되고 기판은 이상화실리콘으로 구성될 때 더욱 효과적이다. 또한, 양질의 질화막만을 형성할 때에도 상기 제조방법 및 제조장치는 효과적이다.The thin film manufacturing apparatus and its manufacturing method by this invention have an effect further when the reaction between a metal target and a board | substrate is strong. For example, it is more effective when the metal target is composed of metals such as W (tungsten) and Ti (titanium) and the like and the substrate is composed of idealized silicon. In addition, the above-mentioned manufacturing method and apparatus are effective even when only high quality nitride film is formed.

제3도는 본 발명의 반응성 스퍼터 증착 장치에 장착되는 래디컬 빔 플라즈마 소오스의 개략도로서, 전단의 라디오 주파수 플라즈마(Radio Frequency plasma)부분, 후단의 가스 삽입부(gas inlet); 냉각 루프(cooling loop) 및 피드스루우(feedthrough) 등으로 구성된다(J. Vac. Sci. Technol. A 10(5), Sep/Oct 1932, p3100~3101, Characterization of a radio frequency plasma source for molecular beam epitaxial growth of high-Tc superconductor films 참조)3 is a schematic diagram of a radical beam plasma source mounted to the reactive sputter deposition apparatus of the present invention, comprising: a radio frequency plasma portion at a front end, a gas inlet at a rear end; Cooling loop and feedthrough (J. Vac. Sci. Technol. A 10 (5), Sep / Oct 1932, p3100-3101, Characterization of a radio frequency plasma source for molecular beam epitaxial growth of high-Tc superconductor films)

도면부호 20은 옵티컬 이미션 디텍터(optical emission detector)를, 22는 듀얼 가스인레트(dual gas inlet)를, 24는 RF쉴드(RF shield)를, 26은 RF 콘트롤러(RF controller)를, 28은 세라믹 피드스루우(ceramic feedthrough)를, 30은 쿨링 루프(cooling loop)를, 32는 RF 쉴드(RF shield)를, 34는 RF코일(RF coil)을, 36은 히팅 링(heating ring)을, 38은 디스차지 튜브(discharge tube)를 그리고 40은 개구판(aperture plate)을 나타낸다.Reference numeral 20 is an optical emission detector, 22 is a dual gas inlet, 24 is an RF shield, 26 is an RF controller, 28 is Ceramic feedthrough, 30 for cooling loop, 32 for RF shield, 34 for RF coil, 36 for heating ring, 38 represents a discharge tube and 40 represents an aperture plate.

제3도의 래디컬 빔 플라즈마 소오스의 동작을 간단하게 살펴보면, 듀얼 가스인네트(22)로 주입된 반응기체는 디스챠지 튜브(38)에서 래디컬 원자상태로 변환한 후, 개구판(40)을 통하여 기판으로 분사된다.Referring briefly to the operation of the radical beam plasma source of FIG. 3, the reactor injected into the dual gas innet 22 is converted into a radical atomic state in the discharge tube 38 and is then transferred to the substrate through the opening plate 40. Sprayed.

래디컬 원자빔을 분산하는 방법은 에피텍시층 성장을 위해 기판표면을 세척(cleaning)하거나, 식각 또는 질소 분순물을 도우프하는 등의 용도로 주로 사용되고 있으나, 스퍼터에 의한 금속 화합물 침적시 반응기체의 공급원으로는 아직 사용되지 않고 있다.The method of dispersing the radical atomic beam is mainly used for cleaning the surface of the substrate for etching the epitaxial layer, or for etching or doping the nitrogen impurities, but it is used for the deposition of a metal compound by sputtering. It is not yet used as a source of.

본 발명에 의한 방법에 의하면, 기존의 분자 상태의 반응기체 주입과 달리, 애초부터 반응성이 뛰어난 래디컬 원자를 기판 표면 부위에 직접 분사하여 스퍼터 된 금속 원자와 반응기체와의 반응 확률을 증가시켰다. 따라서 금속원자와 기판과의 반응을 크게 줄일 수 있다는 이점이 있다. 또한 스퍼터링을 위한 플라즈마와는 별도의 소오스로 반응기체를 제어하므로 원하는 계면 조건에 따라 공급 시작시간 및 플라즈마 파워(power) 등을 독립적으로 조절하는 것이 가능하다. 특히 산화막 위에 질화 금속 전극막을 형성할 경우, 스퍼터링 시작 전 미리 래디컬 질소비임을 일정시간 분사하여 산화막 표면을 적당히 질화시킨 다음 스퍼터 침적을 함으로써, 금속과 산소와의 반응을 방지함과 동시에 우수한 계면특성을 확보할 수 있다.According to the method according to the present invention, unlike the conventional injection of the reactor in the molecular state, radical radicals with high reactivity were directly injected onto the surface of the substrate to increase the probability of reaction between the sputtered metal atoms and the reactor. Therefore, there is an advantage that the reaction between the metal atoms and the substrate can be greatly reduced. In addition, since the reactor is controlled by a source separate from the plasma for sputtering, it is possible to independently adjust the supply start time and the plasma power according to the desired interface conditions. In particular, when the metal nitride electrode film is formed on the oxide film, a radical nitrogen beam is sprayed in advance for a predetermined time before the start of sputtering, the surface of the oxide film is appropriately nitrided, and sputter deposition is performed, thereby preventing the reaction between metal and oxygen and at the same time providing excellent interfacial properties. It can be secured.

따라서, 본 발명에 의한 박막 제조방법 및 그 제조장치에 의하면, 양질의 막질을 가진 금속 화합물막을 형성할 수 있다.Therefore, according to the thin film manufacturing method and its manufacturing apparatus by this invention, the metal compound film | membrane of a quality film quality can be formed.

본 발명은 아직 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명이 속한 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the embodiment yet, it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit to which the present invention belongs.

Claims (8)

소정의 반응기체를 사용하여 금속 타겟트를 스퍼터링(sputtering)함과 동시에, 상기 반응기체를 별도의 플라즈마 빔 소오스를 통해 기판으로 주입하여 상기 금속과 반응하도록 함으로써, 상기 금속을 포함하는 박막이 형성되도록 하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 제조방법.By sputtering a metal target using a predetermined reactant and injecting the reactant into a substrate through a separate plasma beam source to react with the metal, a thin film comprising the metal is formed. Thin film manufacturing method comprising the step of. 제1항에 있어서, 상기 금속 타겟트를 구성하는 물질로 기판을 구성하는 물질과 강한 반응을 하는 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 제조방법.The method of claim 1, wherein the material constituting the metal target has a strong reaction with a material constituting the substrate. 제2항에 있어서, 상기 금속 타겟트를 구성하는 물질은 티타늄 및 텅스텐 중 어느 하나이고, 상기 기판을 구성하는 물질은 이산화실리콘(SiO2) 등인 것을 특징으로 하는 박막 제조방법.The method of claim 2, wherein the material constituting the metal target is one of titanium and tungsten, and the material constituting the substrate is silicon dioxide (SiO 2 ) or the like. 제3항에 있어서, 상기 별도의 플라즈마 빔 소오스는 질소가스인 것을 특징으로 하는 박막 제조방법.The method of claim 3, wherein the separate plasma beam source is nitrogen gas. 기판과, 상기 기판에 증착되어 박막을 형성하기 위한 타겟금속과, 상기 타겟금속과 반응하여 상기 기판상에 금속화합물을 박막을 형성하기 위한 반응기체를 주입하는 반응기체 주입구 및 상기 증착이 이루어지도록 하는 챔버를 구비하는 박막 제조장치에 있어서, 상기 기판에 상기 금속과 반응할 반응기체를 플라즈마 상태로 분사시키기 위한 래디컬 빔 플라즈마 소오스(radical beam plasma source)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 제조장치.A substrate, a target metal to be deposited on the substrate to form a thin film, a reactant inlet for reacting with the target metal to inject a reactant to form a thin film of a metal compound on the substrate, and to perform the deposition A thin film manufacturing apparatus having a chamber, the thin film manufacturing apparatus further comprising a radical beam plasma source for injecting a reactive gas to react with the metal in a plasma state on the substrate. 제5항에 있어서, 상기 래디컬 빔 플라즈마 소오스는 상기 챔버 내에 부착되어 있는 기판의 표면과 약 50°~70°의 각도로 장착되는 것을 특징으로 하는 박막 제조장치.The apparatus of claim 5, wherein the radical beam plasma source is mounted at an angle of about 50 ° to 70 ° with a surface of a substrate attached in the chamber. 제5항에 있어서, 상기 래디컬 빔 플라즈마 소오스에서 공급되는 플라즈마 빔의 직경은 10cm 이상인 것을 특징으로 하는 박막 제조장치.The apparatus of claim 5, wherein a diameter of the plasma beam supplied from the radical beam plasma source is 10 cm or more. 제5항에 있어서, 상기 래디컬 빔 플라즈마 소오스는 전단의 라디오 주파수 플라즈마(Radio Frequency plasma)부분, 후단의 가스 삽입부(gas inlet), 냉각 루프(cooling loop) 및 피드스루우(feedthrough) 등으로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 제조장치.6. The radical beam plasma source of claim 5, wherein the radical beam plasma source comprises a radio frequency plasma portion at a front end, a gas inlet at a rear end, a cooling loop, a feedthrough, and the like. Thin film manufacturing apparatus characterized in that the.
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WO2011044359A2 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 Ovshinsky Innovation, Llc Remote plasma apparatus for manufacturing solar cells
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