KR0125266B1 - A method of determining contact quality and line integrity in a tft/lcd array tester - Google Patents

A method of determining contact quality and line integrity in a tft/lcd array tester

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KR0125266B1
KR0125266B1 KR1019940011793A KR19940011793A KR0125266B1 KR 0125266 B1 KR0125266 B1 KR 0125266B1 KR 1019940011793 A KR1019940011793 A KR 1019940011793A KR 19940011793 A KR19940011793 A KR 19940011793A KR 0125266 B1 KR0125266 B1 KR 0125266B1
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이찌오까 요시까즈
찰리스 젠킨스 레슬리
신이찌 기무라
존. 폴라스트리 로버트
로이 트라우트맨 로날드
루크 위즈니프 로버트
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윌리엄 티. 엘리스
인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
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Abstract

본 발명은 전기 검사기 특히, 박막 트랜지스터 액정 트레이(TFT/LCD)를 전기적으로 검사하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로, TFT/LCD 어레이내의 패드들에 대한 접촉 특성을 결정하기 위한 방법 및 접촉 특성에 따라 얻어진 파형을 추정함으로써 TFT/LCD의 결점에 따른 특정 형태를 식별하기 위한 것이다.The present invention relates to a method and apparatus for electrically inspecting an electrical inspector, in particular a thin film transistor liquid crystal tray (TFT / LCD), in accordance with the method and contact characteristics for determining contact characteristics for pads in a TFT / LCD array. By estimating the obtained waveform, it is for identifying the specific shape according to the defect of the TFT / LCD.

본 발명은 완전도를 갖는 공지된 게이트 라인에 게이트 펄스를 인가하고; 데이타 라인이 연속하는 것을 나타내도록 데이타 라인상의 대응 시그너처 펄스의 존재를 관찰하며; 동일한 방법으로 맨 우측 및 맨 좌측 연속 데이타 라인들을 결정하기 위해 연속적으로 데이타 라인들을 검사하며 완전도를 갖는 맨 우측 및 맨 좌측 데이타 라인들을 사용하여 모든 게이트 라인들을 추정함으로써 TFT/LCD 어레이를 검사할 수 있다.The present invention applies a gate pulse to a known gate line having completeness; Observe the presence of a corresponding signature pulse on the data line to indicate that the data line is continuous; In the same way, the TFT / LCD array can be inspected by examining the data lines continuously to determine the right and leftmost data lines and estimating all gate lines using the right and left data lines with completeness. have.

Description

박막 트랜지스터/액정 디스플레이(TFT/LCD) 어레이 검사기내에서 접촉 특성 및 라인 완전도를 결정하는 방법How to determine contact characteristics and line integrity in thin film transistor / liquid crystal display (TFT / LCD) array inspectors

제1도는 기술된 방법을 사용하는 본 발명에 따른 어레인 검사기 시스템의 개략적/부분적인 투시도.1 is a schematic / partial perspective view of an arrangement checker system according to the invention using the described method.

제2도는 박막 트랜지스터/액정 디스플레이 어레이를 포함하는 기판의 확대된 개략적인 평면도.2 is an enlarged schematic plan view of a substrate including a thin film transistor / liquid crystal display array.

제3도는 제2도의 어레이의 데이타 라인들내에서 개구들을 배치하는 방법을 도시하는 도면.3 illustrates a method of arranging openings within data lines of the array of FIG.

제4도는 제2도의 어레이의 게이트 라인들내에서 개구들을 배치하는 방법을 도시하는 도면.4 illustrates a method of placing openings in the gate lines of the array of FIG.

제5도는 정상 동작의 특성인 어레이 검사기 파형을 도시하는 도면.5 shows an array inspector waveform that is characteristic of normal operation.

제6도는 게이트 접촉이 없는 것이 특성이 어레이 검사기 파형을 도시하는 도면.6 shows an array inspector waveform characterized by the absence of a gate contact.

제7도는 개구 라인의 특성인 어레이 검사기 파형을 도시하는 도면.7 shows an array inspector waveform that is characteristic of an opening line.

제8도는 저항성 교차 결함의 특성인 어레이 검사기 파형을 도시하는 도면.8 illustrates an array inspector waveform that is characteristic of resistive cross defects.

제9도는 단락된 인접 라인들의 특성인 어레이 검사기 파형을 도시하는 도면.9 illustrates an array inspector waveform that is characteristic of adjacent shorted lines.

제10도는 제2도에 도시된 형태의 어레이를 검사하는 과정에 대한 일반화된 플로우챠트.FIG. 10 is a generalized flowchart for inspecting an array of the type shown in FIG.

제11도는 제1도의 장치에 대한 제어 순서를 설명하기 위한 플로우챠트.11 is a flowchart for explaining a control procedure for the apparatus of FIG.

제12도는 결함이 있는지의 여부와 결함이 있다면 그 성질을 결정하기 위해 제5도 내지 제8도의 파형을 분석하는데 유용한 플로우챠트.FIG. 12 is a flowchart useful for analyzing the waveforms of FIGS. 5-8 to determine if there is a defect and if so, its nature.

제13도는 인터리브 타이밍을 이용하는 동작을 나타내는 일반화된 타이밍도.13 is a generalized timing diagram illustrating an operation using interleaved timing.

제14도는 인터리브 타이밍을 이용하는 동작에 대한, 제11도와 유사한 플로우챠트.FIG. 14 is a flowchart similar to FIG. 11 for operation using interleaved timing.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 기판12 : TFT 어레이10 substrate 12 TFT array

14 : 기판 홀더18 : 정렬 핀14 substrate holder 18 alignment pin

20 : 데이타 라인22 : 데이타 라인 패드20: data line 22: data line pad

24 : 게이트 라인26 : 게이트 라인 패드24: gate line 26: gate line pad

28 : 전도성 검사 프로우브32: 케이블28: conductivity test probe 32: cable

34 : 데이타 라인 구동/감지 유니트44 : 게이트 라인 구동 유니트34: data line drive / sensing unit 44: gate line drive unit

46 : 검사 제어기52 : 컴퓨터46: inspection controller 52: computer

60 : 접속 링64 : 저항성 소자60: connection ring 64: resistive element

66 : 검사 라인67 : 검사 패드66: inspection line 67: inspection pad

68 : 절연기 68A : 절연기68: Isolator 68A: Isolator

본 발명은 전기 검사기에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 박막 트랜지스터/액정 어레이(TFT/LCD)를 전기적으로 검사하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electrical inspector. In particular, the present invention relates to methods and apparatus for electrically inspecting thin film transistors / liquid crystal arrays (TFT / LCDs).

미합중국 특허 제5,179,345호에 기술된 어레이 검사기는 어레이의 연부 접속만을 사용하여 TFT/LCD 어레이내의 모든 셀을 포괄적으로 검사하기 위한 수단을 제공한다. 어레이 검사기에 의해 수행된 기본적인 검사는(게이트 및 데이타 라인을 양호하게 바이어싱함으로써) 셀 상으로 전하를 기록하고, 게이트를 바이어스 오프시킴으로써 셀상에 전하를 저장하며, 데이타 라인에 전하 집적 회로를 접속하고, 게이트 라인을 바이어스 온시킴으로써 셀의 보유 전하를 판독하여, 전하의 최종 값을 결정하기 위해 전하 집적 회로에 전송된 전하를 측정하는 것이다.The array inspector described in US Pat. No. 5,179,345 provides a means for comprehensively inspecting all cells in a TFT / LCD array using only the edge connection of the array. The basic inspection performed by the array inspector writes charge onto the cell (by good biasing the gate and data line), stores the charge on the cell by biasing off the gate, connects the charge integrated circuit to the data line, By biasing the gate line, the retained charge of the cell is read to measure the charge transferred to the charge integrated circuit to determine the final value of the charge.

라인 구동기들의 부착 이전의 소정의 단계에서 TFT/LCD 디스플레이에 본래부터 내장되어 있는 많은 어레이를 전기적으로 검사하는 것은 많은 수의 패드(전형적으로 수천개 정도)를 접촉시킬 것을 요구한다. (잔류 포토레지스트, 산화물막 등과 같은) 오염물 및 편평하지 않은 기판이 검사기 프로우브(tester probe)와 어레이 패드를 사이의 양호한 전기 접속을 방해할 수 있다. 선택된 픽셀들에 전하를 기록하고, 선택된 픽셀들로부터의 전하를 판독하는 많은 검사들의 유용성을 보장하기 위해, 검사기 프로우브들이 어레이 패드들에 실제적으로 접촉하게 할 것인지의 여부를 결정하는 것이 필요하다.Electrical inspection of many arrays inherently embedded in a TFT / LCD display at some stage prior to the attachment of the line drivers requires contacting a large number of pads (typically thousands). Contaminants (such as residual photoresist, oxide film, etc.) and uneven substrates can interfere with good electrical connection between the tester probe and the array pad. In order to ensure the usefulness of many tests that write charges to selected pixels and read charges from selected pixels, it is necessary to determine whether or not the inspector probes will actually contact the array pads.

패드에 전기적인 접촉을 확실히 하기 위한 다양한 기계적인 방법들이 있다. 그러나, 이들은 패드들과 프로우브들 사이에 적어도 하나의 기계적 동작, 전기적 접촉의 완전도 또는 패드들 또는 게이트 라인들의 기계적인 마멸을 결정하기 위한 부가적인 프로우브들의 사용을 요구한다. 이러한 절차는 낭비적이고, 시간 소모적이며, 이들 과정이 검사시에 어레이가 오동작하게 하는 가능성을 제공할 수 있다. 따라서, 다양한 전기적 완전도 체크는 일반적으로 패드들에 접촉하기 위해 필요하고, 상술한 특허에 기재된 일반적인 방법으로 사용된 프로우브들만을 사용하게 할 수 있게 하는 것이 매우 바람직하다.There are various mechanical methods to ensure electrical contact with the pads. However, they require the use of additional probes to determine at least one mechanical action, completeness of electrical contact or mechanical wear of the pads or gate lines between the pads and the probes. This procedure is wasteful and time consuming, and these procedures can provide the possibility of an array malfunctioning during inspection. Thus, various electrical integrity checks are generally required to contact the pads, and it is highly desirable to be able to use only probes used in the general manner described in the patents mentioned above.

본 발명의 목적은 TFT/LCD 어레이내의 패드들에 대한 접촉 특성을 결정하기 위한 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a method for determining contact characteristics for pads in a TFT / LCD array.

본 발명의 다른 목적은 접촉 특성에 따라 얻어진 전기 파형을 평가함으로써 TFT/LCD 어레이내의 특정 형태의 결함을 식별하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to identify specific types of defects in the TFT / LCD array by evaluating the electrical waveform obtained according to the contact characteristics.

본 발명을 적용하기 이전에, TFT/LCD 어레이는 게이트 라인들의 구동 단부에 구동 펄스를 인가하고, 게이트 라인이 연속하는 것을 나타내도록 구동 단부 근처의 제1데이타 라인 및 구동 단부와 대향하는 단부의 제2데이타 라인상에 대응 시그너처(signature) 펄스의 존재를 관찰하고; 동일한 방법으로 최상부(topmost) 및 최하부(bottom most) 연속 게이트 라인을 결정하기 위해 게이트 라인을 연속적으로 검사하고; 완전도를 갖는 최상 및 최하 게이트 라인을 사용함으로써 모든 데이타 라인들의 완전도를 평가함에 의해 검사된다.Prior to applying the present invention, the TFT / LCD array applies a driving pulse to the driving ends of the gate lines, and the first data line near the driving end and the first end of the end opposite the driving end to indicate that the gate lines are continuous. Observe the presence of a corresponding signature pulse on the two data lines; Examine the gate lines continuously to determine the topmost and bottom most consecutive gate lines in the same manner; It is checked by evaluating the completeness of all data lines by using the top and bottom gate lines with completeness.

본 방법은 완전도를 갖는 공지된 게이트 라인에 게이트 펄스를 인가하고; 데이타 라인이 연속하는 것을 나타내도록 데이타 라인상의 대응 시그너처 펄스의 존재를 관찰하며, 동일한 방법으로 맨 우측(right most) 및 맨 좌측(left most) 연속 데이타 라인들을 결정하기 위해 연속적으로 데이타 라인들을 검사하며 완전도를 갖는 맨 우측 및 맨 좌측 데이타 라인들을 사용하여 모든 게이트 라인들의 집적도를 평가함으로써 TFT/LCD 어레이를 검사할 수 있다.The method applies a gate pulse to a known gate line with completeness; Observe the presence of the corresponding signature pulse on the data line to indicate that the data line is continuous, and examine the data lines continuously to determine the right most and left most consecutive data lines in the same way. The TFT / LCD array can be examined by evaluating the integration of all gate lines using the rightmost and leftmost data lines with completeness.

본 발명은 최소한 하나의 결함이 있는 라인 및 이 라인에의 접촉 결함을 분리시키기 위해 게이트 라인 및 데이타 라인의 완전도에 관한 데이타 사용을 고려할 수 있다.The present invention contemplates the use of data regarding the integrity of gate lines and data lines to isolate at least one defective line and contact defects to the line.

본 발명에 따라, TFT/LCD 어레이의 전극들과의 프로우브 접촉 완전도를 검사하기 위한 방법은 전극용 전도성 접속 링을 제공하는 단계; 상기 접속 링과 각각의 상기 이 전극들 사이에 전기 접속을 제공하는 단계; 최소한 2개의 상기 전극에 전도성 프로우브 접촉들을 전기적으로 인가하는 단계; 상기 최소한 2개의 프로우브 접촉 사이에 전압을 인가하는 단계; 및 상기 프로우브 접촉들과 상기 전극들 사이의 전기적 연속성의 특성을 결정하기 위해 상기 최소한 2개의 접촉 사이의 전류를 측정하는 단계를 포함한다. 전기 접속은 고저항 소자에 의해 이루어진다.According to the present invention, a method for checking probe contact integrity with electrodes of a TFT / LCD array includes providing a conductive connection ring for an electrode; Providing an electrical connection between the connection ring and each of these electrodes; Electrically applying conductive probe contacts to at least two of the electrodes; Applying a voltage between the at least two probe contacts; And measuring a current between the at least two contacts to determine a property of electrical continuity between the probe contacts and the electrodes. The electrical connection is made by a high resistance element.

본 발명은 게이트 라인들 및 데이타 라인들을 갖는 TFT/LCD 어레이의 전극 접속 영역들에 대하여 프로우브 접촉 완전도를 검사하는 방법을 더 포함하는데, 이 방법은 상기 전극들과 교차하고 상기 전극들로부터 절연된 도전성 라인을 상기 접속 영역들의 행에 인접하게 제공하는 단계; 상기 라인과 각각의 상기 전극들 사이에 작은 캐패시턴스를 제공하는 단계; 각각의 상기 접속 영역들과 접촉하여 도전성 프로우브를 배치하는 단계; 상기 프로우브를 통하여 각각의 상기 접속 영역들에 전압 펄스를 연속적으로 인가하는 단계; 및 상기 프로우브와 상기 접속 영역들 사이의 전기 접속의 특성을 결정하기 위해 각각의 인가된 펄스에 대해 상기 라인상의 시그너처 펄스의 존재를 관찰하는 단계를 포함한다.The invention further includes a method of checking probe contact integrity for electrode connection regions of a TFT / LCD array having gate lines and data lines, the method intersecting and insulating from the electrodes. Providing a conductive line adjacent to said row of connection regions; Providing a small capacitance between the line and each of the electrodes; Placing a conductive probe in contact with each of the connection regions; Continuously applying a voltage pulse to each of the connection regions through the probe; And observing the presence of a signature pulse on the line for each applied pulse to determine a characteristic of the electrical connection between the probe and the connection regions.

본 발명은 또한 데이타 라인 및 게이트 라인을 갖는 TFT/LCD 어레이를 검사하는 방법을 포함하는데, 이 방법은 상기 게이트 라인들중의 하나에 펄스를 인가하는 단계; 적분 파형을 얻기 위해 상기 데이타 라인들의 연속적인 라인상에 최종 시그너처 펄스를 적분하는 단계; 및 상기 TFT/LCD의 기능적인 최소한의 레벨 및 상기 라인들에 대한 접촉 특성에 관한 정보를 얻기 위해 적분 파형을 관찰하는 단계를 포함한다.The invention also includes a method of inspecting a TFT / LCD array having a data line and a gate line, the method comprising applying a pulse to one of the gate lines; Integrating a final signature pulse on a continuous line of data lines to obtain an integral waveform; And observing the integral waveform to obtain information regarding the functional minimum level of the TFT / LCD and the contact characteristics for the lines.

제1도를 참조하면, TFT 어레이(12)가 형성되어 있는 기판(10)이 최소한 3개의 정렬 핀(18)에 의해 선정된 위치에 상부 평면 표면(16)을 기판 홀도(14)상에 지지되어 있다. 기판(10)은 TFT/LCD 어레이를 구동하기 위한 많은 수의 데이타 라인(20)을 갖는다. 각각의 데이타 라인은 데이타 라인 전극 또는 데이타 라인 패드(22)에서 종단한다. 또한 기판(10)사에는 각각 게이트 라인 전극 또는 게이트 라인 패드(26)에서 종단하는 많은 수의 게이트 라인(24)가 형성되어 있다.Referring to FIG. 1, the upper planar surface 16 is placed on the substrate hole diagram 14 at a position where the substrate 10 on which the TFT array 12 is formed is selected by at least three alignment pins 18. Supported. The substrate 10 has a large number of data lines 20 for driving a TFT / LCD array. Each data line terminates at a data line electrode or data line pad 22. In addition, a large number of gate lines 24 terminating from the gate line electrodes or the gate line pads 26 are formed in the substrate 10.

각각의 데이타 라인 패드(22)는 데이타 라인 프로우브 홀딩 고정구(30)로부터 연장하는 전도성 검사 프로우브(28)에 의해 접촉시킨다. 케이블(32)는 데이타 라인 구동/감지 유니트(34) 내의 구동 회로에 각각의 검사 프로우브(28)을 접촉시킨다. 각각의 게이트 라인 패드(26)은 고정구(40)으로부터 연장하는 전도성 프로우브(38)에 의해 접촉된다. 케이블(42)는 게이트 라인 유니트(44) 내의 각각의 게이트 라인 구동기에 각각의 프로우브(38)을 접속시키기 위한 배선을 갖는다. 데이타 라인 구동/감지 유니트(34) 및 게이트 라인 구동 유니트(44)의 동작 방식은 젠킨스(Jenkinds)와 위즈니프(Wisnieff)에게 허여된 상술한 미합중국 특허에 상세하게 기술되어 있다.Each data line pad 22 is contacted by a conductive test probe 28 extending from the data line probe holding fixture 30. The cable 32 contacts each test probe 28 to a drive circuit in the data line drive / sensing unit 34. Each gate line pad 26 is contacted by a conductive probe 38 extending from the fixture 40. The cable 42 has wiring for connecting each probe 38 to each gate line driver in the gate line unit 44. The manner of operation of data line drive / sensing unit 34 and gate line drive unit 44 is described in detail in the above-mentioned US patents issued to Jenkinds and Wisnieff.

데이타 라인/감지 유니트(34) 및 게이트 라인 구동 유니트(44)는 검사 제어기(46)에 의해 제어된다. 제어기(46)은 다양한 게이트 라인(24) 및 데이타 라인(20)이 적절하게 순차적으로 활성화되도록 일련의 래치, 레지스터, 메모리 버퍼 및 제어 논리부를 포함한다. 특히, 인기될 전압, 활성화될 라인들 및 활성화의 시간과 길이와 같은 검사를 수행하는 방법에 관한 명령이 검사 제어기(46)에 전송된다. 제어기(46)은 버스(47)을 경유하여 게이트 라인 구동 유니트(44) 내의 회로의 동작을 시퀀스시키고, 데이타 라인 구동/감지 유니트(34)와의 상호동작은 양방향 버스(48)을 경유한다. 특히, 아래에 설명하는 방식으로 분석용 데이타 라인으로부터 신호를 얻기 위한 설비가 있다.The data line / sensing unit 34 and the gate line driving unit 44 are controlled by the inspection controller 46. The controller 46 includes a series of latches, registers, memory buffers, and control logic so that various gate lines 24 and data lines 20 may be appropriately sequentially activated. In particular, commands are sent to the inspection controller 46 as to how to perform the inspection, such as the voltage to be popular, the lines to be activated and the time and length of activation. The controller 46 sequences the operation of the circuits in the gate line drive unit 44 via the bus 47, and the interaction with the data line drive / sensing unit 34 is via the bidirectional bus 48. In particular, there is a facility for obtaining signals from analytical data lines in the manner described below.

검사 제어기(46)은 컴퓨터(52) 내부에 배치된 표준 디지탈 인터페이스 보드(54)에 의해 컴퓨터(52)에 양방향 버스(50)으로 접속된다. 컴퓨터(52)는 후술하는 기능을 달성하기 위해 C언어로 프로그램하도록 도와주는 적절한 소프트웨어를 갖는 IBM PS/2 모뎀(80)과 같은 많은 퍼스널 컴퓨터중의 어느 하나일 수 있다. 컴퓨터(52)는 본 기술 분야에 공지된 자기 디스크 어레이와 같은 큰 용량의 데이타 저장 장치(56)에 접속된다.The inspection controller 46 is connected to the computer 52 by a bidirectional bus 50 by a standard digital interface board 54 disposed inside the computer 52. The computer 52 can be any one of many personal computers, such as the IBM PS / 2 modem 80 with appropriate software to help program in the C language to achieve the functions described below. The computer 52 is connected to a large capacity data storage device 56 such as a magnetic disk array known in the art.

기판(10)의 더 상세한 설명을 위해 제2도를 참조하면, 기판(10)의 상부 표면상의 접속 링(60)이 연속적인 도전성 루프를 형성한다. 접속 링(60)은 접속 링 접촉 또는 패드를 전기 접속시키는데 편리한 위치를 제공하도록 접속 링 접촉 또는 패드(62)에 전기적으로 접속된다. 각각의 데이타 라인 패드(22) 및 게이트 라인 패드(26)은 전기 저항성 소자(64)를 통해 접속 링(60)에 전기적으로 접속된다. 소자(64)는 양호하게는 고저항이고, 1000메그옴(megohm) 박막(실리콘 평면) 저항기이지만, 양호한 저항을 가질 수 있게 하는 접속부를 갖는 한 쌍의 백투 백 다이오드(back to back diode) 또는 박막 트랜지스터일 수 있다. 본 기술분야에 숙련된 자들은 기판(10)이 제2기판, 스페이서, 액정 물질 및 밀봉부(seal)로 조립된다면, 도전성 접속 링(60) 및 저항성 소자(64)는 필요하지 않다는 것을 명확히 이해할 것이다. 다시 말하면, 기판(10)은 이들 소자들을 제거하기 위해 절단될 수 있다.Referring to FIG. 2 for a more detailed description of the substrate 10, the connecting ring 60 on the upper surface of the substrate 10 forms a continuous conductive loop. The connection ring 60 is electrically connected to the connection ring contact or pad 62 to provide a convenient location for electrical connection of the connection ring contact or pad. Each data line pad 22 and gate line pad 26 are electrically connected to a connection ring 60 through an electrically resistive element 64. Device 64 is preferably a high resistance, 1000 megohm thin film (silicon plane) resistor, but a pair of back to back diodes or thin film with connections that allow for good resistance. It may be a transistor. Those skilled in the art will clearly understand that the conductive connection ring 60 and the resistive element 64 are not required if the substrate 10 is assembled with a second substrate, spacer, liquid crystal material and seal. will be. In other words, the substrate 10 can be cut to remove these devices.

어레이 패드와의 프로우브 접촉을 체크하기 위한 하나의 방법은 선택된 게이트 라인 또는 데이타 라인 프로우브에 DC 전압을 인가하고, 접속 링(60) 내에 흐르는 전류를 측정하는 것이다. 완전 회로가 패드(62)를 접촉시키는 프로우브로 만들어진다. 프로우브가 게이트 라인 또는 데이타 라인 패드에 접촉될 때, 프로우브에 1볼트의 전압이 인가되면 접속 링에는 약 1nA의 전류가 흐르게 될 것이다. 프로우브가 패드에 접촉되지 않으면, 무시할 정도의 전류1pA가 흐르게 될 것이다.One method for checking probe contact with the array pad is to apply a DC voltage to the selected gate line or data line probe and measure the current flowing in the connection ring 60. The complete circuit is made of a probe that contacts pad 62. When the probe is in contact with the gate line or data line pad, if a voltage of 1 volt is applied to the probe, a current of about 1 nA will flow through the connection ring. If the probe is not in contact with the pad, a negligible current of 1 pA will flow.

단락 링(60)을 접촉시키기 위한 필요성을 제거하는 다양한 방법은 각각의 인접한 쌍의 프로우브들 사이에 흐르는 전류를 측정하는 것이다. 양 프로우브 접촉들이 양호하다면, 이제 전류는 검출된 2개의 저항성 소자(64)를 통해 흐르기 때문에 최종 전류는 상술한 값의 약 반이다. 어느 한쪽의 프로우브가 패드에 접촉되지 않는다면, 전류는 다시 무시할 정도로 된다. 연속적으로 프로우브 쌍들이 측정될 때의 전류를 비교함으로써, 불량 접촉(또는 접촉들)이 쉽게 분리된다. 예를 들어, 2개의 인접한 쌍들에 무시할 정도의 전류가 나타난다면, 양쌍들에 공통한 프로우브는 불량 접촉으로서 분리되는데, 일반적으로 n+1의 연속적인 불량쌍들은 n의 연속적인 불량 접촉들을 분리시킨다. 그러나, 이러한 변화는 2개의 불량 접촉들 사이에 끼인 단일의 좋은 프로우브 접촉을 검출할 수 없다. 이 방법은 게이트 라인 패드와 그 각각의 프로우브 사이의 불량 접촉을 검출할 수 없을 것이다.Various methods of eliminating the need for contacting the short ring 60 are by measuring the current flowing between each adjacent pair of probes. If both probe contacts are good, the final current is about half of the above value since the current now flows through the two resistive elements 64 detected. If either probe does not touch the pad, the current is again negligible. By comparing the current when successive pairs of probes are measured, the bad contact (or contacts) are easily separated. For example, if negligible current appears in two adjacent pairs, the probe common to both pairs is separated as bad contacts, in general, n + 1 consecutive bad pairs separate n consecutive bad contacts. Let's do it. However, this change could not detect a single good probe contact sandwiched between two bad contacts. This method will not be able to detect a bad contact between the gate line pad and its respective probe.

제2도의 기판(10)은 또한 패드 접촉 특성에 대한 프로우브를 결정하기 위한 다른 방법의 사용을 허용하는 구조를 포함한다. 도전성 루프의 형태로 될 검사 라인(66)은 검사 패드(676)에 접속된다. 라인(66)은 일련의 절연기(68)에 의해 패드(22)로부터 절연된다. 따라서, 작은 캐패시터가 각각의 패드(22)와 라인(66) 사이에 형성된다. 대안으로서, 패드(26)에 대해 도시된 바와 같이, 절연층 또는 일련의 다른 절연기(68A)는 라인(66) 위에 형성될 수 있고, 패드(26)은 절연기(68A)상으로, 연장하는 연장부(26A)를 각각 가질 수 있게 되어 캐패시터를 형성할 수 있다. 더우기, 라인(66)은 절연기(68A) 및 연장기(26A) 아래에 형성될 수 있다.The substrate 10 of FIG. 2 also includes a structure that allows the use of other methods to determine probes for pad contact properties. An inspection line 66 to be in the form of a conductive loop is connected to the inspection pad 676. Line 66 is insulated from pad 22 by a series of insulators 68. Thus, a small capacitor is formed between each pad 22 and line 66. Alternatively, as shown for pad 26, an insulating layer or series of other insulators 68A may be formed over line 66, and pads 26 extend over insulator 68A. It is possible to have each of the extension portion 26A to form a capacitor. Moreover, line 66 may be formed under isolator 68A and extender 26A.

이런 대체적인 구조 검사 라인(66)은 패드(67)을 통해 패드 접촉에 양호한 동작 프로우브의 시그너처를 인식할 수 있는 상술한 특허에 기술된 종류의 검출기에 접속될 수 있다. 따라서, 패드 접촉에 대한 프로우브의 특성을 원한다면, 접속 링(60)없이 체크될 수 있다.This alternate structural inspection line 66 may be connected via a pad 67 to a detector of the type described in the above-mentioned patent that can recognize the signature of a good working probe for pad contact. Thus, if desired the properties of the probe to pad contact can be checked without the connection ring 60.

도전성 라인(66)은 또한 게이트와 데이타 라인들의 팬-아웃(fan-out) 영역 즉, 패드(22 또는 26)과 TFT/LCD 어레이(12) 사이의 영역에 배치될 수 있다. 이러한 경우에, 게이트 라인 또는 데이타 라인과 라인(66) 사이에 형성된 캐패시터를 통해 각각의 패드에 인접한 게이트 라인 또는 데이타 라인의 영역내에 개구가 있는지의 여부를 확인하는 것이 가능하다.Conductive line 66 may also be disposed in the fan-out area of the gate and data lines, that is, between the pads 22 or 26 and the TFT / LCD array 12. In this case, it is possible to determine whether there is an opening in the region of the gate line or data line adjacent to each pad via a capacitor formed between the gate line or the data line and the line 66.

제3도에 개략적으로 표시된 것을 참조하면, 수직 데이타 라인(20)은 기판의 상부 및 하부상의 패드로부터 나온다. 게이트 라인(24)는 좌우 연부들상의 패드로부터 수평으로 나온다. 박막 절연기는 중첩 캐패시터를 형성하는, 서로 교차하는 게이트 및 데이타 라인들을 절연시킨다. 전기적 펄스는 그 연부 접속기에서 개별적인 게이트 라인에 인가될 수 있다. 이 펄스는 데이타 라인에 전기용량적으로 결합되고 데이타 라인에 접속된 회로에 의해 감지된다. 디스플레이 양단에 분사된 많은 데이타 라인들의 평행하게 샘플될 수 있고, 그들의 파형이 분석될 수 있다. 게이트 라인의 각각의 단부에서 교차하는 데이타 라인에서 감지된 정상 파형은 게이트 라인이 연속적이라는 것을 입증한다. 이 절차는 모든 게이트 라인에 대해 반복될 수 있다. 하나는 디스플레이의 상부 근처에 있고, 다른 하나는 디스플레이의 하부 근처에 있는 좋은 것으로 식별된 2개의 게이트 라인은 그 후 데이타 라인 검사를 위해 사용된다. 이러한 경우에 모든 데이타 라인이 감지되고, 그들의 접촉들 및 연속성이 검증된다. 다양한 오동작 메카니즘(라인의 단락, 라인에 대한 불량 접속, 라인 손상)이 또한 더 상세히 후술되는 바와 같이 이 검사로부터 결정될 수 있다.Referring schematically to FIG. 3, vertical data lines 20 emerge from pads on the top and bottom of the substrate. Gate line 24 emerges horizontally from the pads on the left and right edges. The thin film insulator insulates the gate and data lines that cross each other, forming an overlap capacitor. Electrical pulses can be applied to individual gate lines at their edge connectors. This pulse is capacitively coupled to the data line and sensed by a circuit connected to the data line. Many data lines ejected across the display can be sampled in parallel, and their waveforms can be analyzed. The normal waveform sensed at the data line crossing at each end of the gate line demonstrates that the gate line is continuous. This procedure can be repeated for all gate lines. Two gate lines identified as good, one near the top of the display and the other near the bottom of the display, are then used for data line inspection. In this case all data lines are sensed and their contacts and continuity verified. Various malfunction mechanisms (short circuits of lines, bad connections to lines, line damages) can also be determined from this inspection as described in more detail below.

따라서, 제3도에서 펄스는 게이트 라인의 구동 단부에 인가된다. 구동 단부 근처의 제1데이타 라인 및 구동 단부와 대향하는 단부에서의 제2데이타 라인상의 대응 시그너처 펄스의 종료가 관찰된다면, 이것은 게이트 라인이 연속이라는 것을 나타낸다. 연속적인 게이트 라인들은 이러한 방식으로 최상부 및 최하부의 연속적인 게이트 라인을 결정하기 위해 검사된다. 최종적으로, 모든 데이타 라인들의 완전도는 완전도를 갖는 최상부 및 최하부 게이트 라인들을 사용함으로써 평가된다. 제3도에서, 데이타 라인(3 및 4)는 이 방법에 의해 개구들은 갖는 것으로 식별된다. 상술된 미합중국 특허에 기술된 형태의 감지 증폭기는 결함이 있는 데이타 라인(3 및 4)에 접속되고, 게이트 라인 펄스 여기(excitation)가 상부 게이트 라인으로부터 시작하는 게이트 라인에 순차적으로 인가된다. 이것은 정상 여기 절차이고, 게이트 라인 구동기의 동작의 시퀀스를 결정하기 위한 특정 논리가 필요하지 않다. 데이타 라인 응답이 정상에서 제로까지 변화하는 위치는 데이타 라인내의 개구의 위치를 한정한다는 것을 주의해야 한다. [데이타 라인(3)과 같은] 상부에서 감지된 데이타 라인들에 대해, 게이트 라인(2)가 비활성화된 후의 반응은 정상에서 제로로 변하고, [데이타 라인(4)와 같은] 하부에서 감지된 데이타 라인에 대한 반응은 [게이트 라인(5)가 활성화될 때] 제로에서 정상으로 변한다.Thus, in FIG. 3 a pulse is applied to the driving end of the gate line. If the end of the corresponding signature pulse on the first data line near the drive end and the second data line at the end opposite the drive end is observed, this indicates that the gate line is continuous. Successive gate lines are examined in this manner to determine the top and bottom consecutive gate lines. Finally, the completeness of all data lines is evaluated by using the top and bottom gate lines with completeness. In FIG. 3, data lines 3 and 4 are identified as having openings by this method. A sense amplifier of the type described in the above-mentioned US patent is connected to the defective data lines 3 and 4, and gate line pulse excitation is sequentially applied to the gate line starting from the upper gate line. This is a normal excitation procedure, and no special logic is needed to determine the sequence of operation of the gate line driver. Note that the position at which the data line response varies from normal to zero defines the position of the opening in the data line. For data lines sensed at the top (such as data line 3), the response after gate line 2 is deactivated changes from normal to zero, and data sensed below (such as data line 4). The response to the line changes from zero to normal (when gate line 5 is activated).

대체예에서, 부가적인 논리가 게이트 라인 구동기 여기의 정도를 제어하기 위해 이용될 수 있다면, 개구위치를 찾기 위해 사용될 수 있는 소정 수의 검색 알고리듬(search algorithm)이 있다. 하나의 예는 뉴튼할프 인터발 알고리듬(Newton half interval algorithm)을 사용하는 것이다.In the alternative, if additional logic can be used to control the degree of gate line driver excitation, there is a certain number of search algorithms that can be used to find the opening position. One example is to use the Newton half interval algorithm.

제4도를 참조하면, 게이트 라인(3)은 제3도를 참조하여 상술한 방법에 의한 개구를 갖는 것으로 식별되었다. 게이트 라인 펄스 여기는 게이트 라인(3)에 인가된다. 상술한 미합중국 특허에 기술된 바와 같이 멀티플렉스 스위치를 통해 접속된 감지 증폭기에 의해 결정된 바와 같이 다양한 데이타 라인상의 반응이 관찰된다. 멀티플렉스 스위치의 다음 세팅을 위해 제2게이트 라인 펄스가 인가되고, 모든 감지 증폭기의 반응들이 저장된다. 이 절차는 감지가 모든 데이타 라인들에 대해 행해질 때까지 계속된다. 반응이 정상에서 제로까지 변하는 위치는 제3도에 관하여 상술한 것과 유사한 방식으로 게이트 라인내의 개구의 위치를 나타낸다.Referring to FIG. 4, the gate line 3 has been identified as having an opening by the method described above with reference to FIG. Gate line pulse excitation is applied to gate line 3. Reactions on various data lines are observed as determined by sense amplifiers connected through multiplex switches as described in the above-mentioned US patent. A second gate line pulse is applied for the next setting of the multiplex switch and the responses of all sense amplifiers are stored. This procedure continues until sensing is done for all data lines. The position at which the reaction changes from normal to zero indicates the position of the opening in the gate line in a manner similar to that described above with respect to FIG.

제5도 내지 제9도를 참조하면, 펄스가 게이트 라인들 중의 하나에 인가될 때, 특정 시그너처를 갖는 최종 펄스는 데이타 라인들 중의 하나에 연속적으로 나타날 것이다. 펄스는 상술한 미합중국 특허에 기술된 감지 회로를 사용하여 적분될 수 있다. 펄스 또는 양호하게는 펄스로부터 최종적으로 적분된 파형은 TFT/LCD의 기능적인 최소한의 레벨 및 라인들에 대한 접촉 특성에 관한 정보를 얻기 위해 분석될 수 있다.5-9, when a pulse is applied to one of the gate lines, the last pulse with a particular signature will appear continuously in one of the data lines. The pulse can be integrated using the sensing circuit described in the above-mentioned US patent. The pulse, or preferably the waveform finally integrated from the pulse, can be analyzed to obtain information regarding the functional minimum level of the TFT / LCD and the contact characteristics for the lines.

TFT/LCD 어레이를 검사하기 위해, 결함이 있는지의 여부와 만약 결함이 있다면 그 결함의 성질을 평가하는 것이 중요하다. 하나의 접근 방법은 전체 파형을 디지탈화시키는 것이다. 이것은 데이타를 획득하기 위한 시간, 데이타를 저장하기 위해 필요한 메모리 및 데이타의 분석을 위해 필요한 시간의 측면에서 상당한 비용이 많이 들게 되었다. 놀랍게도, 이 절차는 다양한 시점에서 파형을 샘플링함으로써 자동화될 수 있다는 것이 발견되었다. 특히, 각각의 파형은 게이트 펄스의 인가 이전의 시간 A, 그 시간의 조금 후의 시간 B, 게이트 펄스의 근사적인 중심에서의 시간 C(실제적으로 전체 전압 변화가 제5도에 도시된 정상 파형의 경우에서 일어난 후), 게이트 펄스의 종료 직전의 시간 D 및 게이트 펄스의 종료 조금 후의 시간 E에서 샘플될 수 있다. 시간의 이런 일반적 설명이 상당히 정확함에도 불구하고, 실제 샘플링 시간은 게이트 펄스의 다양한 폭, TFT/LCD 어레이의 다양한 설계 및 특히 다양한 픽셀 설계용으로 조정된다. 더우기, 시간은 제12도에 관하여 아래에 설명되는 바와 같이 수행된 분석을 용이하게 하기 위해 선택된다.In order to inspect a TFT / LCD array, it is important to assess whether there is a defect and if so, the nature of the defect. One approach is to digitize the entire waveform. This has become quite expensive in terms of time to acquire the data, memory required to store the data and time needed to analyze the data. Surprisingly, it has been found that this procedure can be automated by sampling the waveform at various points in time. In particular, each waveform has a time A before application of the gate pulse, a time B just after that time, and a time C at the approximate center of the gate pulse (actually for a normal waveform in which the total voltage change is shown in FIG. 5). Sampled at time D just before the end of the gate pulse and time E just after the end of the gate pulse. Although this general description of time is fairly accurate, the actual sampling time is adjusted for various widths of gate pulses, various designs of TFT / LCD arrays, and particularly various pixel designs. Moreover, time is chosen to facilitate the analysis performed as described below with respect to FIG. 12.

제10도를 참조하면, TFT/LCD 어레이를 검사하기 위해 일반화된 시퀀스가 도시된다. 컴퓨터(52)가 단계 70에서 개시 명령을 수신하면, 프로그램은 라인 검사가 수행되는 단계 72로 진행한다. 데이타 점들은 각각의 게이트 라인의 길이에 따라 얻어진다. 단계 74에서는, 패널의 상부 및 하부에서 정상 게이트 라인에 대한 검색이 수행된다. 그러나, 데이타는 모든 게이트 라인에 대해 얻어져서 저장된다. 단계 76에서, 완전도를 갖는 2개의 게이트 라인이 모든 데이타 라인상에 데이타를 얻기 위해 사용된다. 단계 78에서, 얻어진 데이타는 데이타 라인들을 특성화하기 위해 사용된다. 제5도 내지 제9도에 도시된 형태의 파형들이 얻어지고, 제12도와 관련하여 더 상세하게 후술되는 방식으로 분석된다.Referring to FIG. 10, a generalized sequence for inspecting a TFT / LCD array is shown. If the computer 52 receives the start command in step 70, the program proceeds to step 72 where a line check is performed. Data points are obtained along the length of each gate line. In step 74, a search is performed for normal gate lines at the top and bottom of the panel. However, data is obtained and stored for every gate line. In step 76, two gate lines with completeness are used to obtain data on all data lines. In step 78 the data obtained is used to characterize the data lines. Waveforms of the type shown in FIGS. 5-9 are obtained and analyzed in the manner described below in more detail with respect to FIG.

단계 80에서, 패널은 단락을 교차하기 위해 주사된다. 단락의 경우에, 제8도에 도시된 형태의 파형들이 나타나게 될 것이지만, 전압 강하는 더 현저하게 될 것이다. 점 A와 점 E에서의 전압을 비교하고 큰 차이를 표시함으로써, 단락의 존재가 검출된다, TFT/LCD 어레이에 대한 전체 검사 시퀀스에서 이것을 빨리 수행하는 것이 유리하다. 적당한 수의 단락이 나타나면, 어레이는 즉시 결함이 있다고 판달될 것이며, 검사가 종료될 것이다.In step 80, the panel is scanned to cross the short. In the case of a short, the waveforms of the type shown in FIG. 8 will appear, but the voltage drop will be more pronounced. By comparing the voltages at points A and E and indicating a large difference, the presence of a short is detected, it is advantageous to do this early in the entire inspection sequence for the TFT / LCD array. If a reasonable number of shorts appear, the array will immediately be determined to be defective and the test will end.

단계 82에서, 패널은 개별적인 셀들의 셀 전하 보존에 대한 데이타를 수집하기 위해 주사된다. 이것이 행해지는 방식은 제11도를 참조하여 더 상세히 설명된다.In step 82, the panel is scanned to collect data on cell charge conservation of individual cells. The way this is done is described in more detail with reference to FIG.

단계 84에서, 개별적인 셀들에 대한 파형이 수집된다. 단계 86에서, 검사는 박막 트랜지스터에 대한 특성화 곡선을 얻기 위해 수행된다. 단계 84 및 86이 수행되는 방식은 상술한 미합중국 특허에 충분히 기술되어 있다.In step 84, waveforms for individual cells are collected. In step 86, a check is performed to obtain a characterization curve for the thin film transistor. The manner in which steps 84 and 86 are performed is fully described in the above-mentioned US patent.

단계 88에서, 소정의 TFT/LCD 어레이에 대한 검사가 종료된다. 기판은 검사기로부터 제거된다. 그후 검사될 TFT/LCD 어레이를 갖는 새로운 기판(10)이 기판 홀더(14) (제1도)상에 배치된다. 컴퓨터(52)에 의해 적절한 명령을 수신할 때, 단계 70에서 개시하는 새로운 기판에 대한 검사 시퀀스가 반복된다.In step 88, the inspection for the given TFT / LCD array is finished. The substrate is removed from the inspector. Then a new substrate 10 having the TFT / LCD array to be inspected is placed on the substrate holder 14 (FIG. 1). Upon receipt of the appropriate command by the computer 52, the inspection sequence for the new substrate starting at step 70 is repeated.

제11도는 제10도의 프로그램항 달성되는 제1도의 장치에 대한 제어 시퀀스를 도시한다. 단계 100에서, 디지탈 인터페이스 보드(54) (제1도)로부터 검사 제어기(46)으로의 모든 출력이 소정의 논리 레벨(예를 들어, 논리 제로 상태)과 동일하게 설정됨으로써 초기화된다. 단계 102에서, 검사 제어기(46)내에서의 소위 핸드 쉐이킹 래치(hand shaking latch)가 클리어된다. 이 핸드 쉐이킹 래치는 하드웨어와 소프트웨어가 동기화되고, 다른 동작이 소프트웨어에서 일어나는 동안 기능이 하드웨어에서 수행될 수 있도록 소프트웨어에 의해서만 재설정될 수 있는 레지스터에 응답한다.FIG. 11 shows a control sequence for the apparatus of FIG. 1 accomplished with the program term of FIG. In step 100, all outputs from the digital interface board 54 (FIG. 1) to the inspection controller 46 are initialized by being set equal to a predetermined logic level (e.g., logic zero state). In step 102, a so-called hand shaking latch in the inspection controller 46 is cleared. This handshaking latch responds to a register that can only be reset by software so that hardware and software are synchronized and functions can be performed in hardware while other operations occur in software.

단계 104는 모드 선택 단계이다. 소위 단일 셀 모드가 선택된다면(제10도의 단계 84 및 86), 반복 측정이 단일 픽셀상에서 발생된다. 곡선균이 생길 수 있거나, 파형들이 분석될 수 있다. 소위 주사 모드가 선택되면, 모든 시간에서 검사가 수행되고(판독 선택), 검사시의 게이트 라인수가 1씩 증가한다. 예를 들어, 패널상의 모든 픽셀상의 전하 보유 체킹과 같은 주사 모드가 사용되어야 한다. 게이트 라인에 걸친 자동 시퀀스 때문에, 주사 모드에서 게이트 라인들을 수동으로 선택하는 것이 불필요하다.Step 104 is a mode selection step. If the so-called single cell mode is selected (steps 84 and 86 in FIG. 10), repeat measurements are generated on a single pixel. Curved bacteria can occur or waveforms can be analyzed. When the so-called scanning mode is selected, the inspection is performed at all times (read selection), and the number of gate lines in the inspection increases by one. For example, scanning modes such as charge retention checking on all pixels on the panel should be used. Because of the automatic sequence across the gate lines, it is unnecessary to manually select the gate lines in the scan mode.

단계 106에서, 논리 동작이 게이트 라인들을 구동시키는 시프트 레지스터에서 모든 데이타를 클리어시키기 위해 행해진다. 그후 게이트 설정 실행(go gate set)이라는 서브루틴은 단계 104의 주사 모드가 선택되면 자동적으로 시프트 레지스터를 통해 논리 1신호를 증가시키거나, 또는 단일 셀 모드가 선택되면 펄스가 정확한 게이트 라인에 인가되도록 적절한 위치로 시프트 레지스터를 통해 논리 1신호를 증가시킨다. 그후 게이트 종료 실행(do gate end)이라는 다른 서브루틴은 적절한 게이트 라인이 핸드 쉐이킹 래치를 점검함으로써 활성화되는 것을 확실히 하고, 따라서 검사가 시작되기 전에 이 프로세스의 완료를 보장한다.In step 106, a logic operation is performed to clear all data in the shift register driving the gate lines. Then a subroutine called go gate set automatically increments the logic 1 signal through the shift register when the scan mode of step 104 is selected, or the pulse is applied to the correct gate line when the single cell mode is selected. Increment the logic 1 signal through the shift register to the proper position. Then another subroutine called do gate end ensures that the appropriate gate line is activated by checking the handshaking latch, thus ensuring the completion of this process before the check begins.

단계 108에서, 컴퓨터(52)를 사용함에 의해 선택되는 모든 검사 파라미터는 디지탈 인터페이스 보드(54)의 동작 및 버스(50)에 의한 송신에 의해 검사 제어기(46)으로 보내진다. 이들 값들은 제어 검사 제어기(46)에 의해 적절한 레지스터 내로 래치된다.In step 108, all test parameters selected by using the computer 52 are sent to the test controller 46 by operation of the digital interface board 54 and transmission by the bus 50. These values are latched into the appropriate registers by the control check controller 46.

단계 110에서, 검사 제어기(46)에서 메모리 버퍼내의 어드레스가 검사를 진행하기 위해 000의 값으로 설정된다.In step 110, the address in the memory buffer at the check controller 46 is set to a value of 000 to proceed with the check.

단계 112에서, 적절한 멀티플렉서가 검사를 진행하기 위해 턴온된다. 결과적으로, 상술한 특허에서 설명된 형태의 짝수 또는 홀수 데이타 라인 구동기들 및 각각의 감지 회로가 선택된다.In step 112, the appropriate multiplexer is turned on to proceed with the test. As a result, even or odd data line drivers of the type described in the above patents and respective sensing circuits are selected.

단계 100 내지 단계 112는 실행될 검사의 거의 모든 형태에 공통적인 것이다. 그러나, 단계 114에서 특정 형태의 검사가 선택된다. 예를 들어, 파형 검사가 제5도 내지 제9도에 도시된 형태의 파형을 얻기 위해 행해진다면, 아날로그-디지탈 변환기가 시간, A, B, C, D 및 E에서의 파형을 샘플하기 위해 동작될 시간을 구체화하는 것이 필요하다. 따라서, TCONV.인 샘플링 시간은 검사 제어기(46)내의 래치로 보내진다. 이것은 검사를 수행하기 위해 필요한 조건을 구체화하기 위해 필요한 데이타의 마지막 데이타일 수 있다.Steps 100 through 112 are common to almost all forms of inspection to be performed. However, in step 114 a particular type of test is selected. For example, if a waveform check is made to obtain a waveform of the type shown in FIGS. 5-9, the analog-to-digital converter operates to sample the waveform at time, A, B, C, D, and E. It is necessary to specify the time to be. Thus, a sampling time of TCONV. Is sent to the latch in the inspection controller 46. This may be the last data of the data needed to specify the conditions needed to perform the test.

단계 116에서, 검사가 실제적으로 행해진다. 모든 필요한 회로가 활성화되면, 적절한 게이트 펄스가 제공되고, 데이타 전압이 턴온되며, 판독이 아날로그-디지탈 변환기에 의해 수행되고, 최종 디지탈 데이타가 검사 제어기내의 메모리 버퍼내에 저장된다. 수행된 검사의 실제적인 성질은 상술한 특허에 상세히 설명되었다.In step 116, the check is actually done. Once all necessary circuitry is activated, the appropriate gate pulses are provided, the data voltage is turned on, reading is performed by the analog-to-digital converter, and the final digital data is stored in a memory buffer in the inspection controller. The actual nature of the tests performed is described in detail in the above patents.

단계 118에서, 검사가 완료되었는지의 여부에 관한 결정이 이루어진다. 검사가 완료되지 않았다면, 프로그램 분기(branch)들이 TCONV.가 증가되고 검사가 다시 행해지는 단계 114로 돌아간다. 검사는 전체 파형을 샘플하기 위해 행해지는 증가된 각각의 시간인 Tconv.으로 반복적으로 행해진다.In step 118, a determination is made as to whether the inspection is complete. If the check is not complete, program branches return to step 114 where TCONV. Is incremented and the check is performed again. The test is performed at T conv. It is done repeatedly.

검사가 종료되면, 단계 120으로의 분기가 일어난다. 단계 120에서, 메모리 내에 원하는 데이타를 저장할 것인지를 결정하기 위해 계산이 수행된다. 패널의 완전한 주사를 위해 모든 데이타가 요구될 수 있다. 그러나, 개별적인 셀에 대하여는, 많은 수의 셀이 동시에 검사되기 때문에, 선택된 데이타만이 요구될 수 있다. 단계 120에서의 계산은 또한 데이타가 홀수 데이타 버퍼인지 또는 짝수 데이타 버퍼인지를 결정한다. 단계 122에서, 단계 120에서의 계산에 따라, 짝수 또는 홀수 데이타 버퍼가 선택된다. 최종적으로, 단계 124에서 데이타 버퍼로부터 판독된 데이타는 버스(50) 및 디지탈 인터페이스 보드(54)를 통해 컴퓨터(52)로 들어간다.When the test ends, a branch to step 120 occurs. In step 120, a calculation is performed to determine whether to store the desired data in memory. All data may be required for a complete scan of the panel. However, for individual cells only selected data may be required since a large number of cells are checked at the same time. The calculation at step 120 also determines whether the data is an odd data buffer or an even data buffer. In step 122, according to the calculation in step 120, an even or odd data buffer is selected. Finally, the data read from the data buffer in step 124 enters the computer 52 via the bus 50 and the digital interface board 54.

본 발명에 따라, 제12도는 상술한 미합중국 특허에 개괄된 방법에 의해 얻어진 적분 파형을 분석하기 위해 이용된다. 파형의 일반적인 형태는 제5도 내지 제9도에 도시된 바와 같이 얻어질 수 있다. 제12도는 제10도의 단계 78의 실행을 상세하게 설명한 것이다.In accordance with the present invention, FIG. 12 is used to analyze the integral waveform obtained by the method outlined in the above-mentioned US patent. The general shape of the waveform can be obtained as shown in FIGS. 12 illustrates the execution of step 78 of FIG. 10 in detail.

제12도를 참조하면, 심볼은 논리 and 동작을 나타내고, 수식은 괄호안에 들어 있다. 논의를 간단히 하기 위해, 문자 A, B, C, D, 및 E가 각각 시간 A, B, C, D, 및 E에서의 전압 레벨을 나타내기 위해 사용된다. 전압 레벨들의 차이가 DIFF1, DIFF2 …DIFF8로 특정화되고, 전형적인 패널에 대한 값들은 예를 들어, 1 카운트가 약 2.5밀리볼트와 동일하게 제12도에서 구체화된다.Referring to FIG. 12, symbols represent logic and operations, and expressions are in parentheses. To simplify the discussion, the letters A, B, C, D, and E are used to indicate voltage levels at times A, B, C, D, and E, respectively. The difference between the voltage levels is DIFF1, DIFF2... Characterized for DIFF8, the values for a typical panel are specified in FIG. 12 with one count equal to about 2.5 millivolts, for example.

소프트웨어의 적절한 초기화가 일어날 때, 단계 200에서 동작이 개시된다. 단계 202에서, 파형의 초기 특성이 행해진다. 그것은 A, B, C, D, 및 E에서의 전압 관계에 기초한 것이다. 여기에 설명된 수학적인 조건은 데이타 라인의 양 단부에서 셀들과 연결된 데이타 라인으로부터 얻어진 데이타와 합치하면, 단계 204로의 분기가 일어난다. 다시 말하면, 단계 204로의 분기를 발생시키기 위해서는 2개의 선택된 픽셀에 대한 5개의 다른 조건들이 있어야 한다. 제12도에 이용된 차이 DIFF1, DIFF2 …DIFF8이 검사될 특성 TFT/LCD 어레이에 대해 모두 정해지면, 소정의 일반적인 파형 특성들이 정상(제5도)으로 판단될 동작을 위해 요구된다. 예를 들어, 정상인 경우에는 점 A와 점 B 사이의 전압의 차이가 상당하게 되어야 한다. 특히, 점 A에서의 전압(본 논의에서 A)은 최소한 DIFF1(예를 들어, 40카운트)만큼 점 B에서의 전압(본 논의에서 B)보다(더 긍정적으로)높아야 한다. B는 최소한 DIFF2(예를 들어, 70카운트)만큼 C보다 높아야 한다. 따라서, 이들은 점 A에서 점 B까지에서보다 점 B에서 점 C까지의 전압이 더 가파르게 낙하해야 한다. 그러나 C는 D-DIFF3보다만 클 필요가 있다. 다시 말하면, 점 C와 점 D 사이의 전압은 비교적 일정해야 한다. 또한, 점 D에서의 전압은 점 E에서의 전압보다 작아야 한다. 최종적으로 점 A에서의 전압은 점 E+DIFF5(예를 들어, 80카운트)에서의 전압보다 작다.When proper initialization of the software takes place, the operation is initiated in step 200. In step 202, initial characteristics of the waveform are performed. It is based on the voltage relationship at A, B, C, D, and E. If the mathematical conditions described herein match the data obtained from the data line connected to the cells at both ends of the data line, then branching to step 204 occurs. In other words, there must be five different conditions for the two selected pixels to generate a branch to step 204. Difference DIFF1, DIFF2 used in FIG. Once DIFF8 has been determined for the characteristic TFT / LCD array to be inspected, certain general waveform characteristics are required for the operation to be judged normal (FIG. 5). For example, in normal cases, the difference in voltage between point A and point B should be significant. In particular, the voltage at point A (A in this discussion) should be at least (more positive) higher than the voltage at point B (B in this discussion) by at least DIFF1 (eg, 40 counts). B must be at least as high as C by DIFF2 (for example, 70 counts). Thus, they must drop the voltage from point B to point C more steeply than from point A to point B. But C needs to be larger than D-DIFF3. In other words, the voltage between point C and point D should be relatively constant. Also, the voltage at point D must be less than the voltage at point E. Finally, the voltage at point A is less than the voltage at point E + DIFF5 (eg, 80 counts).

단계 204에서, 2개의 부가적인 체크가 양 라인에 대해 행해진다. 먼저, A는 E-DIFF6(예를 들어, 30카운트의 비교적 작은 변화)을 초과해야 한다. 또한, A는 E+DIFF7(100카운트)보다 작아야 한다. 이러한 조건들이 모두 충족되면, 단계 206으로의 분기가 일어나고, 신호가 정상임이 판단되어 파형이 단계 210에서 종단된 것으로 분석한다. 그러나, 단계 204의 조건이 충족되지 않는다면, 프로그램은 단계 208로 분기한다. 파형은 게이트 라인과 데이타 라인 사이가 비교적 고 임피던스 단락이라는 조건의, 저항성 교차의 특성인 제8도의 형태로서 식별된다. 그후 분석이 단계 210)에서 종료한다.In step 204, two additional checks are made on both lines. First, A must exceed E-DIFF6 (eg, a relatively small change of 30 counts). Also, A must be less than E + DIFF7 (100 counts). If all of these conditions are met, a branch to step 206 occurs, where it is determined that the signal is normal and the waveform is terminated at step 210. However, if the condition of step 204 is not met, the program branches to step 208. The waveform is identified as the form of FIG. 8, which is a characteristic of the resistive crossover, provided that the gate line and the data line are relatively high impedance short circuits. The analysis then ends at 210.

단계 202에서의 조건이 양 라인에 대해 충족되지 않으면, 단계 212로의 분기가 일어난다. 단계 212에서, 단계 202에서 구체화된 5개의 조건 중 2개의 제1조건과 제4조건이 하나의 라인에 대해서만 충족된다면, 단계 214로의 분기가 일어난다. 단계 214에서, D+DIFF4(예를 들어, 60카운트)가 E 보다 작은지의 여부에 대한 결정이 이루어진다. 이러한 경우가 양 라인에 대한 것이라면, 단계 216으로의 분기가 일어난다. 결정트리(tree)는 제9도의 파형의 식별을 리드하고, 단락된 인접 데이타 라인의 식별을 표시하게 된다. 분석은 단계 210에서 종료된다.If the condition in step 202 is not met for both lines, then branching to step 212 occurs. In step 212, if two first and fourth conditions of the five conditions specified in step 202 are satisfied for only one line, then branching to step 214 occurs. At step 214, a determination is made whether D + DIFF4 (e.g. 60 counts) is less than E. If this case is for both lines, then branching to step 216 occurs. The decision tree leads to the identification of the waveform of FIG. 9 and indicates the identification of shorted adjacent data lines. The analysis ends at step 210.

단계 214의 조건이 양 라인에 대해 충족되지 않는다면, 단계 218로의 분기가 일어난다. 제7도의 파형이 파손(broken) 데이타 라인 표시로 식별된다. 분석은 단계 210에서 종료된다.If the condition of step 214 is not met for both lines, then branching to step 218 occurs. The waveform of FIG. 7 is identified with a broken data line representation. The analysis ends at step 210.

단계 212에서 구체화된 조건이 최소한 하나의 라인에 대해 충족되면, 단계 220으로의 분기가 일어난다. 5개의 조건들이 단계 220에서 체크된다. 이것들은 A가 B+DIFF3(20카운트)보다 작고, B가 C+DIFF3(60카운트)보다 작으며, C가 D+DIFF3(20카운트)보다 작고, D가 E+DIFF3보다 작으며 그리고, A가 E+DIFF3보다 작은지의 여부이다. 이들 조건이 양 라인에 대해 존재하면, 단계 222로의 분기가 일어난다. 이것은 제6도의 기본적인 플랫 파형을 나타내고, 게이트 프로우브에 의한 각각의 게이트 패드의 접촉이 없다는 것을 나타낸다. 이 조건은 식별되고, 분석은 단계 210에서 종료한다.If the condition specified in step 212 is met for at least one line, then branching to step 220 occurs. Five conditions are checked in step 220. These are A less than B + DIFF3 (20 counts), B less than C + DIFF3 (60 counts), C less than D + DIFF3 (20 counts), D less than E + DIFF3, and A Is less than E + DIFF3. If these conditions exist for both lines, then branching to step 222 occurs. This represents the basic flat waveform of FIG. 6, indicating that there is no contact of each gate pad by the gate probe. This condition is identified and analysis ends at step 210.

단계 220에서, 전체 5개의 조건이 양 라인에 대해 충족되지 않는다면 단계 224로의 분기가 일어난다. 검사는 어느 한 라인에 대해 A가 E+DIFF(800카운트)보다 큰지를 결정한다. 이러한 경우라면, 제10도의 단계 80에 관하며 상술한 설명에서처럼 단계 226으로의 분기가 일어나고, 단락의 존재가 표시된다. 분석은 단계 210에서 종료된다.In step 220, branching to step 224 occurs if all five conditions are not met for both lines. The check determines for which line A is greater than E + DIFF (800 counts). If this is the case, for step 80 of FIG. 10, a branch to step 226 occurs as described above, and the presence of a short is indicated. The analysis ends at step 210.

단계 224에서 구체화된 조건이 어느 라인에 대해서도 충족되지 않으면, 단계 228로의 분기가 일어난다. 이것은 제5도 내지 제9도에 도시된 것들 이외의 파형이 나타난다는 것을 가리킨다. 공지된 형태의 파형은 매뉴얼에 따라(manually) 조사되고 허용가능한 편차(deviation)를 구성하거나 TFT/LCD 어레이가 결함이 있는 것으로 간주되는 것이 필요한지에 관한 결정이 이루어질 때까지 결함이 있는 것으로 처리된다.If the conditions specified in step 224 are not met for any line, then branching to step 228 occurs. This indicates that waveforms other than those shown in FIGS. 5 to 9 appear. Waveforms of known type are inspected according to the manual and treated as defective until a determination is made that constitutes an acceptable deviation or whether the TFT / LCD array needs to be considered defective.

따라서, 제12도에 사용된 결정 트리를 나타내는 플로우챠트는 감지 회로로부터 수신된 파형을 특성화시키기 위해 가능한 최대의 효율적인 방법을 제공한다. 파형들이 겨우 몇 개의 점에서만 샘플되기 때문에, 분석은 간단한 소프트웨어 방법으로 수행된다.Thus, the flowchart representing the decision tree used in FIG. 12 provides the maximum efficient way possible to characterize the waveform received from the sensing circuit. Since the waveforms are only sampled at a few points, the analysis is performed by a simple software method.

각각의 셀은 샘플되기 전에 프레임 시간(16.7msec)으로 전하를 보유하는 것이 차례로 필요하기 때문에, 상술된 내용에서와 같이 디스플레이내의 모든 픽셀을 조작적으로 검사하는 것은 느리다. 선택된 라인을 따라 픽셀의 세트를 검사하기 위해 다중 감지기를 사용하는 경우라도, 이것은 어레이당 수분이 걸린다. 예를 들어, 120감지 채널을 사용하여 VGA 디스플레이(480×640×3) 내의 모든 픽셀에 대한 단일 기록-홀드-판돌 사이클을 순차적으로 수행하기 위해 요구된 시간은 2분 이상이고, 많은 검사들이 다중 사이클을 요구한다. 전체 어레이는 후술하는 방식으로, 설제적인 생산 라인용으로 사용하기에는 충분한 시간보다 10 내지 100배 빨리 검사된다.Since each cell in turn needs to hold a charge at frame time (16.7 msec) before being sampled, it is slow to manipulate all pixels in the display as described above. Even when using multiple detectors to inspect a set of pixels along a selected line, this takes several minutes per array. For example, the time required to sequentially perform a single write-hold-dollar cycle for all pixels in a VGA display (480 × 640 × 3) using 120 sense channels is more than 2 minutes, and many tests require multiple Requires a cycle. The entire array is inspected in a manner described below, 10 to 100 times faster than sufficient time for use in a prefabricated production line.

상술한 특허에 설명된 것처럼, 어레이 검사기는 접지 전위 이상으로 특정화된 전압으로 데이타 라인을 홀딩하는 동안 게이트 라인을 펄스 처리함으로써 픽셀의 저장 캐패시터상에 전하를 기록한다. 홀드 시간 TH로 불리는 시간의 경과후, 감지 적분기내의 데이타 라인 전류를 적분하는 동안 게이트 라인을 펄싱함으로써 픽셀 캐패시턴스로부터의 전하를 판독한다. 홀드 주기는 전하 손실에 대해 검사하기 위해 필요하다. 적분기의 최종 값은 셀 전하에 대해 공지된 관계를 갖는다. 모든 픽셀이 순차적으로 검사될 때, 게이트 라인 Gn+1에 대한 펄스 기록은 게이트 라인 Gn상의 펄스를 판독할 때까지 개시될 수 없다.As described in the above patent, the array inspector writes charge on the storage capacitor of the pixel by pulsed the gate line while holding the data line with a voltage specified above ground potential. After a period of time, referred to as hold time T H , the charge from the pixel capacitance is read by pulsing the gate line while integrating the data line current in the sense integrator. The hold period is needed to check for charge loss. The final value of the integrator has a known relationship to the cell charge. When all the pixels are checked sequentially, the pulse write for gate line G n + 1 cannot be started until the pulse on gate line Gn is read.

다중 판독-기록 사이클이 수행된 간단한 기록-홀드-판독의 순서는 동일한 수의 판독과 기록의 수를 인터리빙함으로써 홀드 시간 동안 변화된다. 이것에 대한 타이밍은 제13도에 도시된다. 기록 동작의 수 N이 수행되면, 홀드 시간 TH후에, 동일한 N셀들이 기록된 것과 동일한 순서로 판독된다. 기록 시간과 판독 시간이 γ와 동일하다고 가정하면, Nγ+TD=TH이다(여기서 TD는 적절한 지연이고 제로일 수 있다). 보통, 홀드 시간 TH는 프레임 시간(공통적으로 16.7ms)과 동일하지만, 필수적인 것은 아니다. 위의 식은 홀딩 시간 TH내에 기록될 수 있는 수 N세트를 결정한다. 최종적으로, 전하 데이타가 방해없이 저장되도록 버퍼 구조를 제공하고, 일정한 기록을 판독 시간 간격으로 검사기를 유지시키는 것이 필요하다.The order of a simple write-hold-read in which multiple read-write cycles have been performed is changed during the hold time by interleaving the same number of reads and the number of writes. The timing for this is shown in FIG. If the number N of write operations is performed, after the hold time T H , the same N cells are read in the same order as they were written. Assuming that the write time and read time are equal to γ, then Nγ + T D = T H (where T D is an appropriate delay and may be zero). Usually, the hold time T H is equal to the frame time (commonly 16.7 ms) but is not required. The above equation determines the number N sets that can be recorded within the holding time T H. Finally, it is necessary to provide a buffer structure so that the charge data is stored without interruption, and to keep the checker at a constant reading time interval.

전하는 그들이 기입된 후 및 모든 N세트들이 판독될 때까지 실제적으로 시간 TH로 픽셀의 제1세트로부터 판독된다. 각 시간마다 전하는 선택된 게이트 라인을 따라 픽셀들의 세트로부터 판독되고, 데이타 버퍼내에 배치된다. N세트의 제1블럭이 버퍼내에 배치된 후에, 버퍼의 내용은 고 데이타 비율 경로를 따라 저장매체로 전송된다. 전체 어레이 검사는 제2블럭에 후속하는 N세트들의 제1블럭을 검사함으로써 모든 게이트 라인들이 평가될 때까지 프로세스된다.The charge is actually read from the first set of pixels at time T H after they are written and until all N sets are read. Each time the charge is read from the set of pixels along the selected gate line and placed in the data buffer. After N sets of first blocks are placed in the buffer, the contents of the buffer are transferred to the storage medium along the high data rate path. The full array check is processed until all the gate lines are evaluated by checking the N blocks of the first block following the second block.

컴퓨터(52)로부터의 명령(제1도)은 제1N세트에 대한 전하 판독 순서에 의해 전하 기록 순서를 초기화한다. 적분기로부터의 데이타는 디지탈형으로 변환되고 데이타 버퍼내에 배치된다. 버퍼 크기(바이트) S=BxNxC인데, B는 하나의 셀로부터의 판독을 저장하기 위해 요구된 바이트들의 수이고, C는 평행하게 동작하는 감지 채널들의 수이다. 하드웨어는 데이타 버퍼로부터 데이타를 독립적으로 전송하고, 다음 기록 동작이 동시에 진행되는 동안 버퍼 데이타가 컴퓨터(52)에 전송될 수 있도록 픽셀에 전하를 기록하도록 설계된다. N세트들의 제2블럭 내의 전하는 판독될 준비가 되어 버퍼내에 배치되며, 컴퓨터(52)에 전송된다.The instruction from the computer 52 (FIG. 1) initializes the charge write order by the charge read order for the 1N set. Data from the integrator is converted to digital form and placed in the data buffer. Buffer size (bytes) S = BxNxC, where B is the number of bytes required to store the read from one cell and C is the number of sense channels operating in parallel. The hardware is designed to transfer the data independently from the data buffer and write the charge to the pixels so that the buffer data can be transferred to the computer 52 during the next write operation simultaneously. The charge in the N sets of second blocks is ready to be read and placed in a buffer and sent to the computer 52.

제14도를 참조하면, 인터리브 동작에 대한 제어 순서가 설명되는데, 아래에 기술되는 것 이외는 제11도에 사용된 것보다 200단위가 높은 유사한 참조 번호로 대응하는 동작을 나타낸다. 이들 단계에 대해 추가되지 않은 설명이 후술된다.Referring to FIG. 14, a control sequence for the interleaving operation is described, except for the following, which indicates a corresponding operation with a similar reference number 200 units higher than that used in FIG. Descriptions not added to these steps are described below.

단계 313에서, 셀들의 블럭으로의 전하를 기록 또는 전송이 개시된다. 단계 314에서, 블럭을 완전히 하기 위해 원하는 수의 게이트들이 활성화되었는지에 대한 결정이 이루어진다. 블럭이 완성되지 않았다면, 다시 단계 313으로 프로그램이 분기한다. 블럭의 완료시 프로그램은 단계 315로 다시 분기한다.In step 313, recording or transfer of charge to the block of cells is initiated. In step 314, a determination is made whether the desired number of gates have been activated to complete the block. If the block is not complete, the program branches back to step 313. Upon completion of the block the program branches back to step 315.

인터리빙을 위해 단계 308에서 행해진 동작의 일부로서 블럭에서 활성화될 게이트 라인의 수를 구체화하기 위해 파라미터가 컴퓨터(52)로부터 검사 제어기(46)에 인가된다는 것을 주목해야 한다.Note that a parameter is applied from the computer 52 to the inspection controller 46 to specify the number of gate lines to be activated in the block as part of the operation performed in step 308 for interleaving.

단계 315에서, 단계 313동안 선택된 블럭의 셀내로 기록된 전하가 판독되고, 적절한 데이타가 버퍼내에 저장된다. 단계 316에서, 전체 블럭이 판독되었는지의 여부에 대한 결정이 이루어지고, 데이타가 저장된다. 판독 동작이 종료되지 않았다면, 프로그램은 단계 315로 다시 분기한다.In step 315, the charge written into the cell of the selected block during step 313 is read out, and the appropriate data is stored in the buffer. In step 316, a determination is made as to whether the entire block has been read and data is stored. If the read operation has not ended, the program branches back to step 315.

판독 및 저장 동작의 완료시, 프로그램은 버퍼 어드레스가 000으로 설정되는 단계 317로 분기한다.Upon completion of the read and store operations, the program branches to step 317 where the buffer address is set to 000.

단계 318에서, 짝수 데이타 버퍼가 선택된다. 단계 319에서, 버퍼로부터의 데이타가 컴퓨터(52)로 판독된다.In step 318, an even data buffer is selected. At step 319, data from the buffer is read into computer 52.

단계 322에서, 홀수 데이타 버퍼가 선택된다. 단계 324에서 데이타가 홀수 데이타 버퍼로부터의 컴퓨터(52)내로 판독된다.In step 322, an odd data buffer is selected. At step 324 data is read into computer 52 from an odd data buffer.

단계 325에서, 모든 블럭들이 검사되었는지에 대한 결정이 이루어진다. 모든 블럭이 검사되지 않았다면, 프로그램은 단계 313으로 분기하고, 단계 313 내지 단계 325의 순서가 반복된다. 이것은 전체 어레이를 검사하기 위해 요구된 블럭의 수에 대해 일어난다.At step 325, a determination is made whether all blocks have been examined. If all blocks have not been checked, the program branches to step 313, and the sequence of steps 313 to 325 is repeated. This happens for the number of blocks required to examine the entire array.

단계 326에서, 모든 멀티플렉서 스위치 형태가 검사용으로 사용되었는지에 대한 결정이 이루어진다. 모든 상태가 사용되지 않았다면, 프로그램은 단계 312로 분기하고, 다른 멀티플렉서가 사용되며, 단계 313에서 시작하여 단계 326에서 끝나는 검사 순서가 반복된다. 이것은 멀티플렉서의 모든 위치가 검사 순서 종료를 위해 사용될 때, 멀티플렉서 위치의 수와 동일한 다수의 횟수에 대해 일어난다.At step 326, a determination is made whether all multiplexer switch types have been used for inspection. If all states have not been used, the program branches to step 312, another multiplexer is used, and the check sequence starting at step 313 and ending at step 326 is repeated. This happens for a number of times equal to the number of multiplexer locations when all locations of the multiplexer are used for ending the test sequence.

발명이 양호한 실시예에 관한 특별히 도시되고 설명되었지만, 본 분야의 숙련된 기술자들에게는 본 발명의 취지 및 범위를 벗어남이 없이 변경될 수 있음을 이해할 것이다.While the invention has been particularly shown and described with respect to preferred embodiments, it will be understood by those skilled in the art that changes may be made without departing from the spirit and scope of the invention.

Claims (13)

TFT/LCD 디스플레이상의 전극들과의 프로우브 접촉 완전도를 검사하기 위한 방법이, 상기 전극들용 전도성 접속 링을 제공하는 단계, 상기 접속 링과 상기 전극들 각각과의 사이에 전기 접속을 제공하기 위한 단계, 최소한 2개의 상기 전극에 전도성 프로우브 접촉을 제공하기 위한 단계, 상기 최소한 2개의 프로우브 접촉 사이에 전압을 인가하기 위한 단계, 및 상기 프로우브 접촉들과 상기 전극들 사이의 전기적인 연속성의 특성을 결정하기 위해 상기 최소한 2개의 접촉들 사이의 전류를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.A method for checking probe contact integrity with electrodes on a TFT / LCD display includes providing a conductive connection ring for the electrodes, providing an electrical connection between the connection ring and each of the electrodes. For providing conductive probe contacts to at least two of the electrodes, applying a voltage between the at least two probe contacts, and electrical continuity between the probe contacts and the electrodes. Measuring the current between the at least two contacts to determine a characteristic of the method. 제1항에 있어서, 상기 전기 접속은 고 저항, 최소한 하나의 다이오드 및 최소한 하나의 박막 트랜지스터 중의 하나에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1 wherein the electrical connection is made by one of a high resistance, at least one diode and at least one thin film transistor. 게이트 라인들 및 데이타 라인들을 갖는 TFT/LCD 디스플레이상의 전극 접속 영역에 프로우브 접촉 완전도를 검사하기 위한 방법이, 상기 접속 영역의 행에 인접하여, 상기 전극들과 교차하고, 상기 전극들로부터 절연된 도전성 라인을 제공하는 단계, 상기 라인과 각각의 상기 전극들 사이에 작은 캐패시턴스를 제공하는 단계, 각각의 상기 접속 영역들과 접촉하여 도전성 프로우브를 배치하는 단계, 상기 프로우브를 통하여 각각의 상기 접속 영역들에 전압 펄스를 연속적으로 인가하는 단계, 및 상기 프로우브와 상기 접속 영역 사이의 전기 접속의 특성을 결정하기 위해 각각 인가된 펄스에 대해 상기 라인상의 시그너처 펄스의 존재를 관찰하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.A method for checking probe contact integrity on an electrode connection area on a TFT / LCD display with gate lines and data lines intersects with and insulates the electrodes, adjacent to the row of the connection area. Providing a conductive line, a small capacitance between the line and each of the electrodes, disposing a conductive probe in contact with each of the connection regions, each of the above through the probe Continuously applying a voltage pulse to the connection regions, and observing the presence of a signature pulse on the line for each applied pulse to determine a characteristic of the electrical connection between the probe and the connection region. Characterized in that. 데이타 라인들 및 게이트 라인들을 갖고 있는 TFT/LCD를 검사하는 방법이, 상기 게이트 라인들 중의 하나에 펄스를 인가하는 단계, 적분 파형을 얻기 위해 상기 데이타 라인중의 연속적인 라인상이 최종 시그너처 펄스를 적분하는 단계, 및 상기 TFT/LCD의 최소한의 기능적인 레벨에 관한 정보 및 상기 라인들의 접촉 특성에 관한 정보를 얻기 위해 적분 파형을 관찰하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.A method for inspecting a TFT / LCD having data lines and gate lines includes applying a pulse to one of the gate lines, integrating the final signature pulse on successive lines in the data line to obtain an integral waveform. And observing an integral waveform to obtain information about the minimum functional level of the TFT / LCD and information about the contact characteristics of the lines. 제4항에 있어서, 적분 파형이 관찰되고, 전압 출력이 나타나지 않을 때는 상기 파형이, 상기 데이타 라인 또는 상기 게이트 라인에의 접촉 결함이 있는 것으로 해석하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단계.5. The method of claim 4, further comprising interpreting the waveform as having a contact defect with the data line or the gate line when an integral waveform is observed and no voltage output is shown. 제4항에 있어서, 적분 파형이 관찰될 때, 이 펄스의 처음과 끝 부분에서의 전압이 단지 2번의 작은 변화가 있다면, 상기 파형을 개구 게이트 라인 또는 개구 데이타 라인 중의 하나로서 해석하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.5. The method of claim 4, further comprising interpreting the waveform as either an opening gate line or an opening data line if the voltage at the beginning and end of the pulse has only two small changes when an integral waveform is observed. Method comprising a. 제4항에 있어서, 적분 파형이 관찰될 때, 이 파형이 보다 작은 적분 전압과 적분기 증폭기의 포화를 나타내는 전압 중의 하나를 포함하고 있으며, 게이트 라인과 데이타 라인 사이에 도전성 교차가 있는 것으로 상기 파형을 해석하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.5. The waveform of claim 4, wherein when an integral waveform is observed, the waveform comprises one of a smaller integral voltage and a voltage representing the saturation of the integrator amplifier, wherein the waveform is characterized by a conductive intersection between the gate line and the data line. Further comprising interpreting. 제4항에 있어서, 적분 파형이 관찰될 때, 이 파형이 낮은 임피던스 반응을 포함하고 있으며, 인접 라인들 사이에 단락이 있는 것으로 상기 파형을 해석하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.5. The method of claim 4, wherein when the integral waveform is observed, the waveform includes a low impedance response and further comprising interpreting the waveform as having a short between adjacent lines. 게이트 라인들과 데이타 라인들을 갖고 있는 TFT/LCD 어레이를 검사하고, 결함을 분류하기 위한 장치가, 상기 게이트 라인들에는 게이트 펄스를, 상기 데이타 라인들에는 펄스를 인가함으로써 어레이의 셀들을 활성화하기 위한 수단, 상기 어레이의 데이타 라인들로부터 파형을 얻기 위한 수단, 선택된 시점에서 파형을 샘플링하기 위한 수단, 및 결함이 있는지를 검출하고, 상기 선택된 시점에서의 파형의 전압을 비교함으로서 상기 결함의 성질을 나타내기 위해 파형을 분류하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.An apparatus for inspecting a TFT / LCD array having gate lines and data lines, and for classifying defects, for activating cells in the array by applying gate pulses to the gate lines and pulses to the data lines. Means, means for obtaining a waveform from data lines of the array, means for sampling the waveform at a selected time point, and detecting the presence of a defect, and comparing the voltage of the waveform at the selected time point to indicate the nature of the defect. Means for classifying the waveform to produce. 제9항에 있어서, 5개의 시점을 선택하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.10. The apparatus of claim 9, comprising means for selecting five viewpoints. 제10항에 있어서, 상기 5개의 시점은 게이트 펄스 이전, 게이트 펄스의 개시 이후, 실제적으로 게이트 펄스의 중심에서, 게이트 펄스의 종료 이전, 그리고 게이트 펄스의 종료 후에 선택되는 것을 특징으로 하는 장치.11. The apparatus of claim 10, wherein the five time points are selected before the gate pulse, after the start of the gate pulse, substantially at the center of the gate pulse, before the end of the gate pulse and after the end of the gate pulse. 제9항에 있어서, 어레이는 어레이의 연속적인 블럭내에 전하를 배치하고, 다음의 연속적인 블럭에 기록하기 전에 각각의 블럭을 판독함으로써 검사되는 것을 특징으로 하는 장치.10. The apparatus of claim 9, wherein the array is inspected by placing charge in successive blocks of the array and reading each block before writing to the next successive block. 게이트 라인들, 데이타 라인들 및 상기 게이트 라인들 및 상기 데이타 라인용 접속 패드들을 갖는 TFT/LCD을 포함하는 기판에 있어서, 캐패시터가 상기 패드들 각각과 상기 도전성 라인 사이에 형성되도록 상기 패드들과 교차하지만, 상기 패드들로부터 절연되도록 배치된 도전성 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판.A substrate comprising a TFT / LCD having gate lines, data lines and connection pads for the gate lines and the data lines, the substrate intersecting the pads such that a capacitor is formed between each of the pads and the conductive line. However, the substrate comprising conductive lines arranged to be insulated from the pads.
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