KR0123844B1 - 에스오지(SOG)막의 사이드 비드(Bead) 제거장치 - Google Patents

에스오지(SOG)막의 사이드 비드(Bead) 제거장치

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KR0123844B1
KR0123844B1 KR1019940013725A KR19940013725A KR0123844B1 KR 0123844 B1 KR0123844 B1 KR 0123844B1 KR 1019940013725 A KR1019940013725 A KR 1019940013725A KR 19940013725 A KR19940013725 A KR 19940013725A KR 0123844 B1 KR0123844 B1 KR 0123844B1
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김명수
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Abstract

본 발명은 웨이퍼상에 코팅된 에스오지(SOG)막의 에지부에 발생하는 에스오지막의 둔턱을 제거하는 에스오지막 사이드 비드(Bead) 제거장치에 관한 것으로, 종래의 아이피에이 분사노즐만을 부착하고 있는 아암의 일측 단부에 아이피에이 분사노즐과 인접하여 질소 분사노즐을 설치하므로서, 종래의 아이피에이 분사노즐만으로 에스오지막의 사이드 비드부를 제거할 때, 웨이퍼 에지부 쪽에서 웨이퍼 중심부쪽으로 생기는 분력에 의해 에스오지막을 웨이퍼 중심부 쪽으로 밀어올려 둔턱이 진 사이드 비드를 형성하는데, 이 비드를 질소노즐을 통해 질소를 분사시켜 깎아내림으로써 에스오지막의 에지부에 형성되는 잔류비드의 높이를 최소화시키는 에스오지막 사이드 비드 제거장치이다.

Description

에스오지(SOG)막의 사이드 비드(Bead) 제거장치
제1도는 웨이퍼상에 에스오지막을 코팅한 직후의 상태를 도시한 단면도.
제2a도는 종래의 에스오지막 사이드 비드 제거장치에 의해 웨이퍼상에 코팅된 에스오지막의 사이드 비드를 제거하는 상태를 도시한 단면도.
제2b도는 a도의 종래의 장치에 의해 에스오지막의 사이드 비드를 제거한 후의 상태를 도시한 단면도.
제3a도 내지 b도는 본 발명에 따른 에스오지막의 사이드 비드 제거장치로 사이드 비드를 제거하는 상태를 도시한 단면도.
제3c도는 b도의 본 발명에 따른 장치에 의해 에스오지막의 사이드 비드를 제거한 후의 상태를 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 웨이퍼 2 : 에스오지(SOG)막
3 : 회전척 4 : 사이드 비드(Bead)
5 : 아이피에이(IPA) 노즐 6,8 : 잔류비드
9 : 아암 10 : 질소 공급관
11 : 아이피에이 공급관
본 발명은 웨이퍼상에 코팅된 에스오지(SOG)막의 에지부에 발생하는 비드를 제거하는 에스오지막 사이드 비드(Bead) 제거장치에 관한 것으로, 특히, 아이피에시(IPA) 분사노즐 측면에 질소 분사노즐을 설치하여 에스오지막의 에지부 주위를 둘러서 형성되는 일정한 높이를 가진 둔턱인 에스오지막의 사이드 비드의 높이를 최소화 시키는 에스오지막 사이드 비드 제거장치이다.
일반적으로 웨이퍼상에 에스오지막을 코팅하게 되면 제1도에 도시한 바와 같이 에스오지막(2)의 에지(Edge)부에는 에지부 주위로 빙둘러서 발생되는 일정두께의 높은 둔턱 형태를 가진 비드(Bead)(4)가 형성된다.
이러한 에지부에 발생하는 비드(4)를 제거하기 위해 제2a도에 도시한 바와 같은 아이피에이(IPA) 분사노즐(5)을 통해 아이피에이를 분사시켜 비드를 제거하게 된다.
종래의 에스오지 코팅 장비에 있어서는, 에스오지막의 코팅직후, 아이피에이(IPA : Iso-Prophyl Alco-hol)만으로 에스오지막 사이드 비드를 제거하게 되나, 사이드 비드 제거 후에도 여전히 잔류 비드가 남아 있게 된다. 따라서 상기 잔류 비드는 일정온도로 에스오지 큐어링(Curing)을 실시할 때 대부분 크랙(Crack)이 발생하게 된다. 이러한 크랙은 또한 조각이 나면서 파티클로 작용하게 되며 차후 공정을 거치면서 비아콘택 불량(Via Contact Fail)또는 메탈-2 오픈(Open) 현상을 초래하는 문제점이 생긴다.
종래의 에스오지 코팅장비에 있어서, 상기와 같이 에스오지막 에지부에 발생하는 사이드 비드를 완전히 제거할 수 없게 되는 요인은 제2a도에 도시된 바와 같이, 아이피에이가 에스오지막의 비드부를 향해 분사될 때 분사되는 아이피에이의 힘은 두개의 분력으로 나눠진다. 즉, 웨이퍼(1)의 중심부에서 에지부 쪽으로 향하는 힘의 성분(a)과 웨이퍼(1) 에지부에서 웨이퍼(1) 중심부 쪽으로 향하는 힘의 성분(b)으로 나눠지고, 특히, 웨이퍼(1) 에지부에서 웨이퍼(1) 중앙부로 향하는 힘의 성분(b)에 의해 에스오지막(2)을 웨이퍼(1) 중앙부 쪽으로 밀어 올리면서 비드를 형성하기 때문이다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 종래의 아이피에이 노즐 측면에 질소 분사노즐을 설치하여 종래의 웨이퍼 에지부에서 웨이퍼 중심부 쪽으로 향하는 힘의 성분에 의해 발생되는 비드를 깎아내림으로써 아이피에이에 의한 에스오지막의 사이드 비드 제거후 발생되는 에스오지막의 잔류비드의 높이를 줄여 에스오지막의 사이드 비드를 극소화시키는 에스오지막 사이드 비드 제거장치를 제공함에 그 목적이 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 상세한 설명을 하기로 한다.
제3a도와 제3b도는 본 발명에 따른 에스오지막 사이드 비드 제거장치로 에스오지막 에지부의 사이드 비드를 제거하는 상태의 도면이다. 상기 도면에 있어서, 본 발명에 따른 에스오지막 사이드 비드 제거장치는 내부에 아이피에이 공급라인(11)과 질소 공급라인(10)을 포함하고 있는 아암(9)과, 상기 아이피에이 공급라인(11)과 연결되어 아암(9)의 일측 단부에 부착된 아이피에이 분사즐(5)과, 웨이퍼(1) 중심부측 방향으로 상기 아이피에이 분사노즐(5)에 인접하여 상기 아암(9)의 단부에 부착된 질소노즐(10)로 구성된다.
즉, 본 발명에 따른 에스오지막 사이드 비드 제거장치는 종래의 아이피에이 분사노즐만을 부착하고 있는 아암의 일측 단부에 아이피에이 분사노즐과 인접하여 설치한 에스오지막 사이드 비드 제거장치이다. 이때 상기 아암(9)에 부착되는 각 분사노즐(5,7)은 상,하,좌,우로 각도를 조절할 수 있도록 부착되고 특히, 질소분사노즐(7)은 노즐로부터 분사되는 분사액의 방향이 웨이퍼(1)의 중심부에서 웨이퍼(1) 에지부 쪽으로 향하도록 아암(9)의 일측 단부에 부착되도록 한다.
상기 질소 분사노즐(7)의 역할은 종래의 아이피에이 분사노즐(5)만으로 에스오지막(2)의 비드부를 제거할 때 웨이퍼(1) 에지부 쪽에서 웨이퍼(1) 중심부쪽으로 생기는 분력(b)에 의해 에스오지막(2)을 웨이퍼(1) 중심부 쪽으로 밀어올려 둔턱이진 비드를 형성하게 되는데, 이 비드를 질소 분사노즐(7)을 통해 질소를 분사시킴으로써 깎아내림과 동시에 아이피에이 분사노즐로 제거하므로서 발생되는 에스오지막의 잔류비드(8)(제3c도) 높이를 최소화 시킨다.
이러한 질소 분사에 의한 에스오지막의 비드(8) 높이가 낮아져 12KÅ 이하가 되면, 에스오지막(2)의 에지부가 420℃에서 진행되는 에스오지 큐어링 온도에서도 충분히 견디며, 크랙이 거의 발생하지 않아 에스오지 크랙성 파티클을 억제할 수 있고, 이로 인한 디바이스 불량을 억제할 수 있는 효과가 있다.
이때, 질소 분사노즐의 크기, 위치, 질소압, 각도, 시간등의 요소들의 세팅값들을 적절하게 조정하므로서 에스오지막의 잔류비드의 높이를 더 효과적으로 조정할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 에스오지막 사이드 비드 제거장치는 종래의 아이피에이 분사노즐만을 부착하고 있는 아암의 일측 단부에 아이피에이 분사노즐과 인접하여 질소 분사노즐을 설치하므로서, 종래의 아이피에이 분사노즐만으로 에스오지막의 비드부를 제거할때, 웨이퍼 에지쪽에서 웨이퍼 중심부쪽으로 생기는 분력에 의해 에스오지막을 웨이퍼 중심부 쪽으로 밀어올려 둔턱이진 사이드 비드를 형성하는데, 이 비드를 질소노즐을 통해 질소를 분사시켜 깎아내림으로써 에스오지막의 에지부에 형성되는 잔류비드의 높이를 최소화시키는 에스오지막 사이드 비드 제거장치이다.
아울러, 본 발명은 디엠엘(DML : Double Level Metal)을 적용하는 4M SRAM, 16M급 이상의 디램 디바이스의 메탈과 메틸 사이의 절연 및 평탄화 공정으로 사용하는 에스오지 코팅 공정진행시 효과적으로 적용할 수 있는 장치이다.

Claims (2)

  1. 웨이퍼상에 코팅된 에스오지막의 에지부에 발생하는 비드를 제거하는 에스오지막 사이드 비드 제거장치에 있어서, 내부에 아이피에이 공급라인과 질소 공급라인을 포함하고 있는 아암과, 상기 아이피에이 공급라인과 연결되어 아암의 일측 단부에 부착된 아이피에이 분사노즐과, 웨이퍼 중심부측 방향으로 상기 아이피에이 분사노즐에 인접하여 상기 아암의 단부에 부착된 질소노즐로 구성되어, 상기 질소 분사노즐로써 아이피에이 분사노즐로부터 분사되는 아이피에이의 힘의 성분중 웨이퍼 중심부 쪽으로 향하는 힘에 의해 형성되는 에스오지막의 비드를 깎아내려 웨이퍼 에지부에 형성되는 에스오지막의 사이드 비드의 높이를 최소화 시키도록 한 것을 특징으로 하는 에스오지막 사이드 비드 제거장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 질소 분사노즐은 분사되는 방향이 웨이퍼 중심부측에서 웨이퍼 에지부쪽을 향하도록 상기 아암에 부착된 것을 특징으로 하는 에스오지막 사이드 비드 제거장치.
KR1019940013725A 1994-06-17 1994-06-17 에스오지(SOG)막의 사이드 비드(Bead) 제거장치 KR0123844B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190070125A (ko) 2017-12-12 2019-06-20 주식회사 포엠일렉트로옵틱 태양광 발전용 집광장치

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