JPWO2021195368A5 - - Google Patents
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Claims (20)
- ジョセフソンパラメトリック増幅器を含む超伝導回路であって:前記ジョセフソンパラメトリック増幅器は:
一対の超伝導共振器;
前記一対の超伝導共振器間で超伝導的電気的に連通可能に結合された複合化複合ジョセフソン接合;及び
前記複合化複合ジョセフソン接合へ連通可能に結合された第1の制御回路を含み、前記第1の制御回路は:
前記ジョセフソンパラメトリック増幅器の前記複合化複合ジョセフソン接合へ連通可能に結合されたアナログDC電流バイアス;
前記ジョセフソンパラメトリック増幅器の前記複合化複合ジョセフソン接合へ連通可能に結合されたディジタル/アナログ変換器(DAC);及び
第1のチューニング可能相互インダクタンスへ連通可能に結合された第1のマイクロ波ドライブを含み、
前記第1のチューニング可能相互インダクタンスは前記ジョセフソンパラメトリック増幅器の前記複合化複合ジョセフソン接合へ連通可能に結合される、超伝導回路。 - 前記第1の制御回路の前記第1のチューニング可能相互インダクタンスは前記ジョセフソンパラメトリック増幅器の前記複合化複合ジョセフソン接合へ誘導的に連通可能に結合され、前記第1の制御回路の前記アナログDC電流バイアス及び前記DACは前記ジョセフソンパラメトリック増幅器の前記複合化複合ジョセフソン接合へ誘導的に連通可能に結合される、請求項1に記載の超伝導回路。
- 前記第1の制御回路は、第1の角周波数において共振ドライブを介し及び第2の角周波数においてパラメトリックドライブを介し実効ハミルトニアンのX項及びZ項の強さを制御するように動作可能であり、前記第2の角周波数は前記第1の角周波数の2倍と時間依存デチューニング周波数との差に等しい、請求項1に記載の超伝導回路。
- 前記超伝導回路は第2の制御回路をさらに含み、前記第2の制御回路は第2のチューニング可能相互インダクタンスへ連通可能に結合された第2のマイクロ波ドライブを含み、前記第2のチューニング可能相互インダクタンスは前記ジョセフソンパラメトリック増幅器の前記複合化複合ジョセフソン接合へ連通可能に結合される、請求項1に記載の超伝導回路。
- 前記第2の制御回路の前記第2のチューニング可能相互インダクタンスは前記ジョセフソンパラメトリック増幅器の前記複合化複合ジョセフソン接合へ誘導的に連通可能に結合される、請求項4に記載の超伝導回路。
- 前記第1及び第2のチューニング可能相互インダクタンスは複合ジョセフソン接合により遮断される超伝導ループを含む、請求項4に記載の超伝導回路。
- 前記一対の超伝導共振器の各共振器は、同軸伝送線路共振器、及び互いに直列に電気的に連通可能に結合された複数のLC回路を含むラダー回路のうちの1つである、請求項1に記載の超伝導回路。
- 第1、第2、第3、及び第4の超伝導量子ビットを含む超伝導回路であって、前記第1、第2、第3、及び第4の量子ビットは4量子ビット偶数パリティスタビライザにより連通可能に結合され、
前記4量子ビット偶数パリティスタビライザは、
第1の臨界温度以下で超伝導性である材料を含む超伝導スタビライザループ;
前記超伝導スタビライザループの第1のインダクタンスであって、前記第1の超伝導量子ビットのインダクタンスへ誘導的に連通可能に結合された第1のインダクタンス;
前記超伝導スタビライザループの第2のインダクタンスであって、前記第2の超伝導量子ビットのインダクタンスへ誘導的に連通可能に結合された第2のインダクタンス;
前記超伝導スタビライザループの第3のインダクタンスであって、前記第3の超伝導量子ビットのインダクタンスへ誘導的に連通可能に結合された第3のインダクタンス;
前記超伝導スタビライザループの第4のインダクタンスであって、前記第4の超伝導量子ビットのインダクタンスへ誘導的に連通可能に結合された第4のインダクタンス;及び
前記超伝導ループへ連通可能に結合されたパリティ執行超伝導量子ビットを含む、超伝導回路。 - 前記第1、第2、第3、第4、及びパリティ執行超伝導量子ビットのそれぞれは超伝導磁束量子ビットであり、前記第1、第2、第3、及び第4の超伝導磁束量子ビットのそれぞれはそれぞれの複合化複合ジョセフソン接合を含む、請求項8に記載の超伝導回路。
- 前記第1、第2、第3、及び第4の超伝導磁束量子ビットのそれぞれはそれぞれの超伝導量子ビットループを含み、前記それぞれの超伝導量子ビットループは第2の臨界温度以下で超伝導性である材料を含み、各超伝導量子ビットループはそれぞれの交差部を含む、請求項9に記載の超伝導回路。
- 前記パリティ執行超伝導磁束量子ビットは完全電気化学的CJJ結合デバイスにより前記超伝導ループへ連通可能に結合される、請求項9に記載の超伝導回路。
- 第1、第2、第3、及び第4のジョセフソンパラメトリック増幅器を含む量子プロセッサであって、前記第1、第2、第3、及び第4のパラメトリック増幅器は4量子ビット偶数パリティスタビライザにより互いに連通可能に結合され、
前記4量子ビット偶数パリティスタビライザは、
臨界温度以下で超伝導性である材料を含む超伝導ループであって、交差部を含む超伝導ループ;
前記超伝導ループの第1、第2、第3、及び第4のインダクタンスであって、それぞれが、それぞれのジョセフソンパラメトリック増幅器のインダクタンスへ誘導的に連通可能に結合される第1、第2、第3、及び第4のインダクタンス;及び
パリティ執行ジョセフソンパラメトリック増幅器を含み、
前記パリティ執行ジョセフソンパラメトリック増幅器は前記超伝導ループへ連通可能に結合される、量子プロセッサ。 - 前記第1、第2、第3、及び第4のジョセフソンパラメトリック増幅器のそれぞれはそれぞれの対の超伝導マイクロ波共振器を含み、前記それぞれの対の超伝導マイクロ波共振器の各超伝導マイクロ波共振器は複合化複合ジョセフソン接合により互いに連通可能に結合される、請求項12に記載の量子プロセッサ。
- 前記第1、第2、第3、及び第4のジョセフソンパラメトリック増幅器のそれぞれは、
それぞれの複合化複合ジョセフソン接合;及び
前記第1、第2、第3、及び第4のジョセフソンパラメトリック増幅器の前記それぞれの複合化複合ジョセフソン接合へ連通可能に結合されたそれぞれの第1の制御回路を含み、各それぞれの第1の制御回路は:
前記第1、第2、第3、及び第4のジョセフソンパラメトリック増幅器の前記それぞれの複合化複合ジョセフソン接合へ連通可能に結合されたアナログDC電流バイアス;
前記第1、第2、第3、及び第4のジョセフソンパラメトリック増幅器の前記それぞれの複合化複合ジョセフソン接合へ連通可能に結合されたディジタル/アナログ変換器(DAC);及び
それぞれの第1のチューニング可能相互インダクタンスへ連通可能に結合されたそれぞれの第1のマイクロ波ドライブを含み、
前記それぞれの第1のチューニング可能相互インダクタンスは、前記第1、第2、第3、及び第4のジョセフソンパラメトリック増幅器の前記それぞれの複合化複合ジョセフソン接合へ連通可能に結合される、請求項13に記載の量子プロセッサ。 - 前記それぞれの第1の制御回路の各第1の制御回路の前記それぞれの第1のチューニング可能相互インダクタンスは、前記第1、第2、第3、及び第4のジョセフソンパラメトリック増幅器の前記それぞれの複合化複合ジョセフソン接合へ誘導的に連通可能に結合され、前記アナログDC電流バイアスのそれぞれ及び前記それぞれの第1の制御回路の前記DACのそれぞれは、前記第1、第2、第3、及び第4のジョセフソンパラメトリック増幅器の前記それぞれの複合化複合ジョセフソン接合へ誘導的に連通可能に結合される、請求項14に記載の量子プロセッサ。
- 各それぞれの第1の制御回路は、第1の角周波数において共振ドライブを介し及び第2の角周波数においてパラメトリックドライブを介し実効ハミルトニアンのX項及びZ項の強さを制御するように動作可能であり、前記第2の角周波数は前記第1の角周波数の2倍と時間依存デチューニング周波数との差に等しい、請求項14に記載の量子プロセッサ。
- 前記第1、第2、第3、及び第4のジョセフソンパラメトリック増幅器のそれぞれはさらに、それぞれの第2の制御回路を含み、
各それぞれの第2の制御回路はそれぞれの第2のチューニング可能相互インダクタンスへ連通可能に結合されたそれぞれの第2のマイクロ波ドライブを含み、
各それぞれの第2のチューニング可能相互インダクタンスは、前記第1、第2、第3、及び第4のジョセフソンパラメトリック増幅器の前記それぞれの複合化複合ジョセフソン接合へ連通可能に結合される、請求項14に記載の量子プロセッサ。 - 前記それぞれの第2の制御回路の各それぞれの第2チューニング可能相互インダクタンスは、前記第1、第2、第3、及び第4のジョセフソンパラメトリック増幅器の前記それぞれの複合化複合ジョセフソン接合へ誘導的に連通可能に結合される、請求項17に記載の量子プロセッサ。
- 各それぞれの第1及び第2のチューニング可能相互インダクタンスは複合ジョセフソン接合により遮断される超伝導ループを含む、請求項17に記載の量子プロセッサ。
- 前記第1、第2、第3、及び第4のジョセフソンパラメトリック増幅器の前記それぞれの対の前記超伝導マイクロ波共振器のそれぞれは、同軸伝送線路共振器、及び互いに直列に電気的に連通可能に結合された複数のLC回路を含むラダー回路のうちの1つである、請求項13に記載の量子プロセッサ。
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