JPWO2021046058A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2021046058A5
JPWO2021046058A5 JP2022514153A JP2022514153A JPWO2021046058A5 JP WO2021046058 A5 JPWO2021046058 A5 JP WO2021046058A5 JP 2022514153 A JP2022514153 A JP 2022514153A JP 2022514153 A JP2022514153 A JP 2022514153A JP WO2021046058 A5 JPWO2021046058 A5 JP WO2021046058A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
feature
molybdenum
metal
oxide
nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022514153A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2022547025A (en
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2020/048951 external-priority patent/WO2021046058A1/en
Publication of JP2022547025A publication Critical patent/JP2022547025A/en
Publication of JPWO2021046058A5 publication Critical patent/JPWO2021046058A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Description

図３のブロック３１５に戻ると、金属含有表面上でＭｏ膜の選択的成長が実施される。選択的堆積とは、酸化物表面または窒化物表面に対する金属含有表面への選択的な堆積を意味する。そのため、金属含有表面に形成された充填部分は、酸化物表面または窒化物表面に形成された充填部分よりも厚い。このことは、Ｍｏ膜４０８の選択的堆積の開始を示す図４の４３０に示されている。Ｍｏ膜４０８の核生成は、金属含有底面４０２で開始する。図４の例では、側壁面４０４の酸化物または窒化物にＭｏ膜の成長はない。金属含有底面４０２における成長は、大粒子化および／または低抵抗化をもたらす可能性がある。選択的堆積は、ＡＬＤ（以下に図６を参照してさらに説明）または化学蒸着（ＣＶＤ）の間に用いられてよい。 Returning to block 315 of FIG. 3 , selective growth of Mo films on metal-containing surfaces is performed. Selective deposition means selective deposition on metal-containing surfaces relative to oxide or nitride surfaces. As such, fills formed on metal-containing surfaces are thicker than fills formed on oxide or nitride surfaces. This is shown at 430 in FIG. Nucleation of the Mo film 408 begins at the metal-containing bottom surface 402 . In the example of FIG. 4, there is no Mo film growth on the oxide or nitride of sidewall surfaces 404 . Growth on the metal-containing bottom surface 402 can lead to larger grains and/or lower resistivity. Selective deposition may be used during ALD (further described with reference to FIG. 6 below) or chemical vapor deposition (CVD).

Ｍｏを選択的に堆積させるために、Ｍｏ前駆体、温度、反応物分圧が制御されてよい。Ｍｏ前駆体は、Ｍｏx Ｏ ｙ Ｈzなどのオキシハライドであり、Ｈはハロゲン（フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、またはヨウ素（Ｉ））である（ｘ、ｙ、ｚは、安定分子を形成できるゼロよりも大きい数字）。Ｍｏ前駆体の例は、四フッ化酸化モリブデン（ＭｏＯＦ4）、酸化四塩化モリブデン（ＭｏＯＣｌ4）、二酸化二塩化モリブデン（ＭｏＯ2Ｃｌ2）、二臭化二酸化モリブデン（ＭｏＯ2Ｂｒ2）、ならびに、酸ヨウ化モリブデンＭｏＯ2ＩおよびＭｏ4Ｏ11Ｉである。還元剤は、モリブデンオキシハライドと反応してモリブデン元素を形成する。いくつかの実施形態では、還元剤は、熱水素またはプラズマ水素（Ｈ2）である。 Mo precursors, temperature, and reactant partial pressures may be controlled to selectively deposit Mo. Mo precursors are oxyhalides such as Mo x O y Hz , where H is a halogen (fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), or iodine (I)) (x, y, z is a number greater than zero that can form a stable molecule). Examples of Mo precursors are molybdenum oxide tetrafluoride ( MoOF4 ), molybdenum oxide tetrachloride (MoOCl4), molybdenum dichloride dioxide ( MoO2Cl2 ), molybdenum dioxide dibromide ( MoO2Br2 ), as well as , the acids molybdenum iodide MoO 2 I and Mo 4 O 11 I. The reducing agent reacts with the molybdenum oxyhalide to form elemental molybdenum. In some embodiments, the reducing agent is thermal or plasma hydrogen ( H2 ).

図の処理チャンバ９１４は、図９に示された実施形態で１から４の番号が付けられた４つの処理ステーションを備える。各ステーションは、加熱台座（ステーション１の９１８で図示）およびガスライン入口を有する。いくつかの実施形態では、各処理ステーションは異なる目的または複数の目的を有してよいことが分かるだろう。例えば、いくつかの実施形態では、処理ステーションは、ＡＬＤ処理モードとプラズマ強化ＡＬＤ処理モードとの間で切り替え可能であってよい。いくつかの実施形態では、堆積前駆体への曝露と、第２の反応物およびプラズマへの曝露とは、同じステーションで実施される。加えて、またはあるいは、いくつかの実施形態では、処理チャンバ９１４は、１つ以上の対応対のＡＬＤ処理ステーションおよびプラズマ強化ＡＬＤ処理ステーションを備えてよい。さらに、前処理ガスまたはプラズマへの曝露およびＡＬＤプロセスは、同じステーションまたは異なるステーションで生じてよい。図の処理チャンバ９１４は４つのステーションを備えるが、本開示による処理チャンバは、任意の適した数のステーションを有してよいことが理解されるだろう。例えば、いくつかの実施形態では、処理チャンバは５つ以上のステーションを有してよいが、他の実施形態では、処理チャンバは３つ以下のステーションを有してよい。さらにいくつかの実施形態では、基板が第２の台座温度で第２のステーションに移動した状態で、第１のステーションにおいて部分ギャップ充填が第１の台座温度で実施されてよい。 The illustrated processing chamber 914 comprises four processing stations numbered 1 through 4 in the embodiment shown in FIG. Each station has a heated pedestal (shown at 918 for station 1) and a gas line inlet. It will be appreciated that in some embodiments each processing station may have a different purpose or multiple purposes. For example, in some embodiments, a processing station may be switchable between an ALD processing mode and a plasma-enhanced ALD processing mode. In some embodiments, exposure to the deposition precursor and exposure to the second reactant and plasma are performed at the same station. Additionally or alternatively, in some embodiments, processing chamber 914 may include one or more matched pairs of ALD processing stations and plasma-enhanced ALD processing stations. Additionally, the exposure to the pretreatment gas or plasma and the ALD process may occur at the same station or different stations. Although the illustrated processing chamber 914 includes four stations, it will be appreciated that processing chambers according to the present disclosure may have any suitable number of stations. For example, in some embodiments a processing chamber may have five or more stations, while in other embodiments a processing chamber may have three or fewer stations. Further, in some embodiments, partial gap fill may be performed at a first pedestal temperature at a first station while the substrate is moved to a second station at a second pedestal temperature.

結び
前記の実施形態は、理解を明確にするためにある程度詳しく説明されたが、添付の特許請求の範囲内で特定の変更および修正が行われてよいことは明らかだろう。本実施形態のプロセス、システム、および装置を実施する多くの別の手段があることに注意されたい。従って、本実施形態は、制限的ではなく例示的とみなされるべきであり、本明細書に記載の詳細に限定されるべきでない。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
方法であって、
フィーチャ底部およびフィーチャ側壁を有するフィーチャを備える基板を提供する工程であって、前記フィーチャ底部は金属含有表面を含み、前記フィーチャ側壁は酸化物表面または窒化物表面を含む、工程と、
複数サイクルの原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを実施して、前記酸化物表面または前記窒化物表面に対して前記金属含有表面上に、選択的にモリブデン（Ｍｏ）膜を堆積させる工程であって、前記ＡＬＤプロセスは、第１の基板温度で、モリブデン含有オキシハライド前駆体と還元剤との交互パルスに前記フィーチャを曝露する工程を含む、工程と、
を含む、方法。
適用例２：
適用例１に記載の方法であって、さらに、
前記複数サイクルの前記ＡＬＤ堆積プロセスを実施する前に、前記金属含有表面を水素含有プラズマに曝露する工程を含む、方法。
適用例３：
適用例１に記載の方法であって、
前記還元剤は、熱水素（Ｈ 2 ）である、方法。
適用例４：
適用例１に記載の方法であって、
前記還元剤は、水素（Ｈ 2 ）から生成されたプラズマに提供される、方法。
適用例５：
適用例１に記載の方法であって、
前記還元剤の分圧は、少なくとも１０トルである、方法。
適用例６：
適用例１に記載の方法であって、
前記モリブデン含有前駆体は、オキシ塩化モリブデンである、方法。
適用例７：
適用例６に記載の方法であって、
前記第１の温度は、６００℃以下である、方法。
適用例８：
適用例６に記載の方法であって、
前記第１の温度は、４５０℃以下である、方法。
適用例９：
適用例６に記載の方法であって、
前記第１の温度は、４００℃以下である、方法。
適用例１０：
適用例７から適用例９のいずれかに記載の方法であって、
前記第１の温度は、少なくとも３５０℃である、方法。
適用例１１：
適用例１に記載の方法であって、
前記モリブデン含有前駆体は、オキシフッ化モリブデンである、方法。
適用例１２：
適用例１に記載の方法であって、さらに、
前記基板が前記第１の温度である間に前記フィーチャを部分的に充填し、前記基板が第２の温度である間に前記フィーチャを完全に充填する工程であって、前記第２の温度は、前記第１の温度よりも高い、工程を含む、方法。
適用例１３：
適用例１２に記載の方法であって、
部分的に充填する前記工程は、処理チャンバの第１のステーションで行われ、完全に充填する前記工程は、前記処理チャンバの第２のステーションで行われる、方法。
適用例１４：
適用例１に記載の方法であって、
前記金属含有表面は、コバルト、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、チタン、スズ、タンタル、ニッケル、イリジウム、およびロジウムからなる群からの材料の１つである、方法。
適用例１５：
適用例１に記載の方法であって、
前記金属含有表面は、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タングステン、炭窒化タングステン、チタンアルミニウムカーバイド、チタンシリサイド、および窒化タンタルからなる群からの材料の１つである、方法。
適用例１６：
適用例１に記載の方法であって、
前記金属含有表面は、金属元素表面である、方法。
適用例１７：
適用例１に記載の方法であって、
前記側壁は、ポリエチレンオキサイド、オルトケイ酸テトラエチル、流動性酸化物、および炭素ドープ酸化物から選択された酸化物を含む、方法。
適用例１８：
適用例１に記載の方法であって、
前記金属含有膜上の前記Ｍｏ膜は、前記側壁の前記酸化物表面または前記窒化物表面上の前記Ｍｏ膜よりも少なくとも約２０Å厚い、方法。
適用例１９：
方法であって、
フィーチャ底部およびフィーチャ側壁を有するフィーチャを備える基板を提供する工程であって、前記フィーチャ底部は金属含有表面を含み、前記フィーチャ側壁は酸化物表面または窒化物表面を含む、工程と、
堆積プロセスを実施して、前記酸化物表面または前記窒化物表面に対して前記金属含有表面上に、選択的にモリブデン（Ｍｏ）膜を堆積させる工程であって、前記堆積プロセスは、第１の基板温度で、モリブデン含有オキシハライド前駆体および還元剤に前記フィーチャを曝露する工程を含む、工程と、
を含む、方法。 Conclusion Although the foregoing embodiments have been described in some detail for clarity of understanding, it will be apparent that certain changes and modifications may be made within the scope of the appended claims. Note that there are many alternative means of implementing the processes, systems and apparatus of the present embodiments. Accordingly, the embodiments are to be considered illustrative rather than restrictive, and should not be limited to the details set forth herein.
The present invention can also be implemented in the following aspects, for example.
Application example 1:
a method,
providing a substrate comprising a feature having a feature bottom and feature sidewalls, wherein the feature bottom comprises a metal-containing surface and the feature sidewall comprises an oxide or nitride surface;
performing a multi-cycle atomic layer deposition (ALD) process to selectively deposit a molybdenum (Mo) film on the metal-containing surface relative to the oxide surface or the nitride surface, comprising: wherein the ALD process includes exposing the feature to alternating pulses of a molybdenum-containing oxyhalide precursor and a reducing agent at a first substrate temperature;
A method, including
Application example 2:
The method according to Application Example 1, further comprising:
and exposing the metal-containing surface to a hydrogen-containing plasma prior to performing the multiple cycles of the ALD deposition process.
Application example 3:
The method according to Application Example 1,
The method , wherein the reducing agent is hot hydrogen (H2) .
Application example 4:
The method according to Application Example 1,
The method of claim 1, wherein the reducing agent is provided to a plasma generated from hydrogen (H2) .
Application example 5:
The method according to Application Example 1,
The method, wherein the reducing agent partial pressure is at least 10 Torr.
Application example 6:
The method according to Application Example 1,
The method, wherein the molybdenum-containing precursor is molybdenum oxychloride.
Application example 7:
The method according to Application Example 6,
The method, wherein the first temperature is 600° C. or less.
Application example 8:
The method according to Application Example 6,
The method, wherein the first temperature is 450° C. or lower.
Application example 9:
The method according to Application Example 6,
The method, wherein the first temperature is 400° C. or lower.
Application example 10:
The method according to any one of Application Examples 7 to 9,
The method, wherein the first temperature is at least 350°C.
Application example 11:
The method according to Application Example 1,
The method, wherein the molybdenum-containing precursor is molybdenum oxyfluoride.
Application example 12:
The method according to Application Example 1, further comprising:
partially filling the feature while the substrate is at the first temperature and fully filling the feature while the substrate is at a second temperature, wherein the second temperature is , above the first temperature.
Application example 13:
The method according to Application Example 12,
The method of claim 1, wherein said step of partially filling is performed at a first station of a processing chamber and said step of fully filling is performed at a second station of said processing chamber.
Application example 14:
The method according to Application Example 1,
A method, wherein said metal-containing surface is one of a material from the group consisting of cobalt, ruthenium, copper, tungsten, molybdenum, titanium, tin, tantalum, nickel, iridium, and rhodium.
Application example 15:
The method according to Application Example 1,
The method, wherein the metal-containing surface is one of a material from the group consisting of titanium nitride, molybdenum nitride, tungsten nitride, tungsten carbonitride, titanium aluminum carbide, titanium silicide, and tantalum nitride.
Application example 16:
The method according to Application Example 1,
The method, wherein the metal-containing surface is an elemental metal surface.
Application example 17:
The method according to Application Example 1,
The method, wherein the sidewall comprises an oxide selected from polyethylene oxide, tetraethyl orthosilicate, flowable oxide, and carbon-doped oxide.
Application example 18:
The method according to Application Example 1,
The method, wherein the Mo film on the metal-containing film is at least about 20 Å thicker than the Mo film on the oxide surface or the nitride surface of the sidewall.
Application example 19:
a method,
providing a substrate comprising a feature having a feature bottom and feature sidewalls, wherein the feature bottom comprises a metal-containing surface and the feature sidewall comprises an oxide or nitride surface;
performing a deposition process to deposit a molybdenum (Mo) film selectively on the metal-containing surface relative to the oxide surface or the nitride surface, the deposition process comprising: exposing the feature to a molybdenum-containing oxyhalide precursor and a reducing agent at a substrate temperature;
A method, including

Claims (19)

方法であって、
フィーチャ底部およびフィーチャ側壁を有するフィーチャを備える基板を提供する工程であって、前記フィーチャ底部は金属含有表面を含み、前記フィーチャ側壁は酸化物表面または窒化物表面を含む、工程と、
複数サイクルの原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを実施して、前記酸化物表面または前記窒化物表面に対して前記金属含有表面上に、選択的にモリブデン（Ｍｏ）膜を堆積させる工程であって、前記ＡＬＤプロセスは、第１の基板温度で、モリブデン含有オキシハライド前駆体と還元剤との交互パルスに前記フィーチャを曝露する工程を含む、工程と、
を含む、方法。 a method,
providing a substrate comprising a feature having a feature bottom and feature sidewalls, wherein the feature bottom comprises a metal-containing surface and the feature sidewall comprises an oxide or nitride surface;
performing a multi-cycle atomic layer deposition (ALD) process to selectively deposit a molybdenum (Mo) film on the metal-containing surface relative to the oxide surface or the nitride surface, comprising: wherein the ALD process includes exposing the feature to alternating pulses of a molybdenum-containing oxyhalide precursor and a reducing agent at a first substrate temperature;
A method, including 請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記複数サイクルの前記ＡＬＤプロセスを実施する前に、前記金属含有表面を水素含有プラズマに曝露する工程を含む、方法。 2. The method of claim 1, further comprising:
A method comprising exposing the metal-containing surface to a hydrogen-containing plasma prior to performing the multiple cycles of the ALD process. 請求項１に記載の方法であって、
前記還元剤は、熱水素（Ｈ2）である、方法。 2. The method of claim 1, wherein
The method, wherein the reducing agent is hot hydrogen ( H2 ). 請求項１に記載の方法であって、
前記還元剤は、水素（Ｈ2）から生成されたプラズマに提供される、方法。 2. The method of claim 1, wherein
The method of claim 1, wherein the reducing agent is provided to a plasma generated from hydrogen ( H2 ). 請求項１に記載の方法であって、
前記還元剤の分圧は、少なくとも１０トルである、方法。 2. The method of claim 1, wherein
The method, wherein the reducing agent partial pressure is at least 10 Torr. 請求項１に記載の方法であって、
前記モリブデン含有前駆体は、オキシ塩化モリブデンである、方法。 2. The method of claim 1, wherein
The method, wherein the molybdenum-containing precursor is molybdenum oxychloride. 請求項６に記載の方法であって、
前記第１の基板温度は、６００℃以下である、方法。 7. The method of claim 6, wherein
The method, wherein the first substrate temperature is 600° C. or lower. 請求項６に記載の方法であって、
前記第１の基板温度は、４５０℃以下である、方法。 7. The method of claim 6, wherein
The method, wherein the first substrate temperature is 450° C. or less. 請求項６に記載の方法であって、
前記第１の基板温度は、４００℃以下である、方法。 7. The method of claim 6, wherein
The method, wherein the first substrate temperature is 400° C. or less. 請求項７から請求項９のいずれかに記載の方法であって、
前記第１の基板温度は、少なくとも３５０℃である、方法。 A method according to any one of claims 7 to 9,
The method, wherein the first substrate temperature is at least 350 degrees Celsius. 請求項１に記載の方法であって、
前記モリブデン含有前駆体は、オキシフッ化モリブデンである、方法。 2. The method of claim 1, wherein
The method, wherein the molybdenum-containing precursor is molybdenum oxyfluoride. 請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記基板が前記第１の基板温度である間に前記フィーチャを部分的に充填し、前記基板が第２の温度である間に前記フィーチャを完全に充填する工程であって、前記第２の温度は、前記第１の基板温度よりも高い、工程を含む、方法。 2. The method of claim 1, further comprising:
partially filling the feature while the substrate is at the first substrate temperature and fully filling the feature while the substrate is at a second temperature, wherein is higher than the first substrate temperature. 請求項１２に記載の方法であって、
部分的に充填する前記工程は、処理チャンバの第１のステーションで行われ、完全に充填する前記工程は、前記処理チャンバの第２のステーションで行われる、方法。 13. The method of claim 12, wherein
The method of claim 1, wherein said step of partially filling is performed at a first station of a processing chamber and said step of fully filling is performed at a second station of said processing chamber. 請求項１に記載の方法であって、
前記金属含有表面は、コバルト、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、チタン、スズ、タンタル、ニッケル、イリジウム、およびロジウムからなる群からの材料の１つである、方法。 2. The method of claim 1, wherein
A method, wherein said metal-containing surface is one of a material from the group consisting of cobalt, ruthenium, copper, tungsten, molybdenum, titanium, tin, tantalum, nickel, iridium, and rhodium. 請求項１に記載の方法であって、
前記金属含有表面は、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タングステン、炭窒化タングステン、チタンアルミニウムカーバイド、チタンシリサイド、および窒化タンタルからなる群からの材料の１つである、方法。 2. The method of claim 1, wherein
The method, wherein the metal-containing surface is one of a material from the group consisting of titanium nitride, molybdenum nitride, tungsten nitride, tungsten carbonitride, titanium aluminum carbide, titanium silicide, and tantalum nitride. 請求項１に記載の方法であって、
前記金属含有表面は、金属元素表面である、方法。 2. The method of claim 1, wherein
The method, wherein the metal-containing surface is an elemental metal surface. 請求項１に記載の方法であって、
前記側壁は、ポリエチレンオキサイド、オルトケイ酸テトラエチル、流動性酸化物、および炭素ドープ酸化物から選択された酸化物を含む、方法。 2. The method of claim 1, wherein
The method, wherein the sidewall comprises an oxide selected from polyethylene oxide, tetraethyl orthosilicate, flowable oxide, and carbon-doped oxide. 請求項１に記載の方法であって、
前記金属含有表面上の前記Ｍｏ膜は、前記側壁の前記酸化物表面または前記窒化物表面上の前記Ｍｏ膜よりも少なくとも約２０Å厚い、方法。 2. The method of claim 1, wherein
The method, wherein the Mo film on the metal-containing surface is at least about 20 Å thicker than the Mo film on the oxide or nitride surface of the sidewall. 方法であって、
フィーチャ底部およびフィーチャ側壁を有するフィーチャを備える基板を提供する工程であって、前記フィーチャ底部は金属含有表面を含み、前記フィーチャ側壁は酸化物表面または窒化物表面を含む、工程と、
堆積プロセスを実施して、前記酸化物表面または前記窒化物表面に対して前記金属含有表面上に、選択的にモリブデン（Ｍｏ）膜を堆積させる工程であって、前記堆積プロセスは、第１の基板温度で、モリブデン含有オキシハライド前駆体および還元剤に前記フィーチャを曝露する工程を含む、工程と、
を含む、方法。 a method,
providing a substrate comprising a feature having a feature bottom and feature sidewalls, wherein the feature bottom comprises a metal-containing surface and the feature sidewall comprises an oxide or nitride surface;
performing a deposition process to deposit a molybdenum (Mo) film selectively on the metal-containing surface relative to the oxide surface or the nitride surface, the deposition process comprising: exposing the feature to a molybdenum-containing oxyhalide precursor and a reducing agent at a substrate temperature;
A method, including
JP2022514153A 2019-09-03 2020-09-01 molybdenum deposition Pending JP2022547025A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962895407P 2019-09-03 2019-09-03
US62/895,407 2019-09-03
PCT/US2020/048951 WO2021046058A1 (en) 2019-09-03 2020-09-01 Molybdenum deposition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022547025A JP2022547025A (en) 2022-11-10
JPWO2021046058A5 true JPWO2021046058A5 (en) 2023-08-28

Family

ID=74852386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022514153A Pending JP2022547025A (en) 2019-09-03 2020-09-01 molybdenum deposition

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220328317A1 (en)
JP (1) JP2022547025A (en)
KR (1) KR20220053668A (en)
CN (1) CN114342062A (en)
TW (1) TW202124751A (en)
WO (1) WO2021046058A1 (en)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112262457A (en) 2018-05-03 2021-01-22 朗姆研究公司 Methods of depositing tungsten and other metals in 3D NAND structures
CN113169056A (en) 2018-11-19 2021-07-23 朗姆研究公司 Molybdenum template for tungsten
US11970776B2 (en) 2019-01-28 2024-04-30 Lam Research Corporation Atomic layer deposition of metal films
KR20210127262A (en) 2019-03-11 2021-10-21 램 리써치 코포레이션 Precursors for Deposition of Molybdenum-Containing Films
CN118382719A (en) * 2021-12-13 2024-07-23 朗姆研究公司 Large grain tungsten growth in features
US20230323543A1 (en) * 2022-04-06 2023-10-12 Applied Materials, Inc. Integrated cleaning and selective molybdenum deposition processes
WO2023215135A1 (en) * 2022-05-05 2023-11-09 Lam Research Corporation Molybdenum halides in memory applications
WO2023229953A1 (en) * 2022-05-23 2023-11-30 Lam Research Corporation In situ treatment of molybdenum oxyhalide byproducts in semiconductor processing equipment
US20240035151A1 (en) * 2022-07-27 2024-02-01 Applied Materials, Inc. Methods of selective deposition of molybdenum
US20240102157A1 (en) * 2022-09-22 2024-03-28 Applied Materials, Inc. Plasma-enhanced molybdenum deposition

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050282384A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Hidemi Nawafune Method for forming protective film and electroless plating bath
US20060068098A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Tokyo Electron Limited Deposition of ruthenium metal layers in a thermal chemical vapor deposition process
TW200734482A (en) * 2005-03-18 2007-09-16 Applied Materials Inc Electroless deposition process on a contact containing silicon or silicide
US7786006B2 (en) * 2007-02-26 2010-08-31 Tokyo Electron Limited Interconnect structures with a metal nitride diffusion barrier containing ruthenium and method of forming
US8021974B2 (en) * 2009-01-09 2011-09-20 Internatioanl Business Machines Corporation Structure and method for back end of the line integration
US20190067003A1 (en) * 2017-08-30 2019-02-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film on a dielectric surface of a substrate and related semiconductor device structures
KR20210077797A (en) * 2018-12-19 2021-06-25 엔테그리스, 아이엔씨. Method of depositing a layer of tungsten or molybdenum in the presence of a reducing co-reactant

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9812355B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP7196291B2 (en) Method for depositing tungsten or molybdenum films
US20190067095A1 (en) Layer forming method
US7892602B2 (en) Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride
TWI784036B (en) Layer forming method
KR101434116B1 (en) Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, substrate processing apparatus and computer-readable recording medium
TWI385730B (en) Methods of fabricating a barrier layer with varying composition for copper metallization
JP2006225764A (en) Preparation of metal silicon nitride film via cyclic deposition
KR20090057665A (en) Method for depositing thin film containing metal
JP7433437B2 (en) Silicon carbonitride gap filling with adjustable carbon content
JPWO2021046058A5 (en)
JP6416031B2 (en) Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program
TWI628305B (en) Deposition of films comprising aluminum alloys with high aluminum content
JP6469495B2 (en) Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program
JP6490470B2 (en) Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program
US20030190424A1 (en) Process for tungsten silicide atomic layer deposition
JP2019026939A (en) Method for manufacturing semiconductor device, recording medium, and substrate processing apparatus
WO2016098183A1 (en) Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device, and recording medium
TW202225445A (en) Methods and apparatus for metal fill in metal gate stack
JP7422971B2 (en) Method for depositing molybdenum metal films on dielectric surfaces of substrates and associated semiconductor device structures
JP2003524888A (en) Method for depositing nanolaminate thin films on sensitive surfaces
JP2022031988A (en) Manufacturing method of metal ruthenium thin film by atomic layer deposition method
JP7542046B2 (en) Tungsten Deposits Without Barrier Layers
US20240162089A1 (en) Surface depassivation with thermal etch after nitrogen radical treatment
US20230290679A1 (en) Tungsten molybdenum structures