JPWO2020106335A5 - - Google Patents
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Claims (26)
- スキャトロメトリオーバーレイ(SCOL)測定方法であって、
信号行列を生成することであって、
少なくとも1つの照射パラメータにおける複数の値で、および前記ターゲット上の複数のスポット位置で、SCOLターゲットを照射することであって、前記照射はスポット直径が1μm未満で、開口数(NA)が1/3より大きいものである、照射すること、
ゼロ次回折および一次回折の干渉信号を測定すること、および
前記照射パラメータおよび前記ターゲット上の前記スポット位置に対する前記測定された干渉信号から、前記信号行列を構築することによって、前記信号行列を生成することと、
前記信号行列を分析することによってターゲットオーバーレイを導出することと
を含むことを特徴とするスキャトロメトリオーバーレイ(SCOL)測定方法。 - 請求項1に記載のSCOL測定方法であって、前記SCOLターゲットは、少なくとも1つの周期的構造を備え、前記複数のスポット位置は、前記少なくとも1つの周期的構造のピッチ内であることを特徴とするSCOL測定方法。
- 請求項2に記載のSCOL測定方法であって、前記少なくとも1つの周期的構造の測定方向に沿って前記ターゲットピッチ以内の前記ターゲット上に、前記複数のスポット位置を設定することと、前記測定方向と垂直な方向において前記測定された干渉信号の平均値を求めることとをさらに含むことを特徴とするSCOL測定方法。
- 請求項1に記載のSCOL測定方法であって、前記少なくとも1つの照射パラメータは、照射波長を含み、その前記複数の値は、少なくとも3つの照射波長を含むことを特徴とするSCOL測定方法。
- 請求項1に記載のSCOL測定方法であって、既知のオーバーレイ値を用いてSCOLターゲットの測定を行うまたはシミュレートすることによって、前記信号行列を校正することをさらに含むことを特徴とするSCOL測定方法。
- 請求項5に記載のSCOL測定方法であって、前記スポット位置、照射パラメータ、およびターゲットオーバーレイに関して前記信号行列のモデルを作り出すことをさらに含むことを特徴とするSCOL測定方法。
- コンピュータ可読プログラムを有する非一時的コンピュータ可読記憶媒体を備えたコンピュータプログラム製品であって、請求項1に記載のSCOL測定方法を備える1つまたは複数の実行命令をプロセッサで遂行することを特徴とするコンピュータプログラム製品。
- 請求項7に記載のコンピュータプログラム製品を備えることを特徴とする計測モジュール。
- スキャトロメトリオーバーレイ(SCOL)測定システムであって、
少なくとも1つの照射パラメータにおける複数の値で、および前記ターゲット上の複数のスポット位置で、SCOLターゲットを照射するように構成された照射ユニットであって、前記照射はスポット直径が1μm未満で、開口数(NA)が1/3より大きいものである、照射ユニットと、
ゼロ次回折および一次回折の干渉信号を測定するように構成された測定ユニットと、
前記照射パラメータおよび前記ターゲット上の前記複数のスポット位置に対する前記測定された干渉信号から、信号行列を構築することと、前記信号行列を分析することによってターゲットオーバーレイを導出することとを行うように構成された処理ユニットと
を備えることを特徴とするスキャトロメトリオーバーレイ(SCOL)測定システム。 - 請求項9に記載のSCOL測定システムであって、前記少なくとも1つの周期的構造の測定方向に沿って前記ターゲットピッチ以内の前記ターゲット上に、前記複数のスポット位置を設定することと、前記少なくとも1つの周期的構造の要素に沿って前記SCOLターゲットをスキャンすることによって、前記測定方向と垂直な方向において前記測定された干渉信号の平均値を求めることとを行うようにさらに構成されることを特徴とするSCOL測定システム。
- 請求項9に記載のSCOL測定システムであって、前記少なくとも1つの照射パラメータは、照射波長を含み、その前記複数の値は、少なくとも3つの照射波長を含むことを特徴とするSCOL測定システム。
- 請求項9に記載のSCOL測定システムであって、既知のオーバーレイ値を用いてSCOLターゲットの測定を行うまたはシミュレートすることによって、前記信号行列を校正するようにさらに構成されることを特徴とするSCOL測定システム。
- 請求項12に記載のSCOL測定システムであって、前記スポット位置、照射パラメータ、およびターゲットオーバーレイに関して前記信号行列のモデルを作り出すようにさらに構成されることを特徴とするSCOL測定システム。
- 複数の層で周期的構造を有する単一セルを備え、2μm×2μmもしくはそれ未満である、SCOLターゲット。
- 請求項14に記載のSCOLターゲットであって、前記周期的構造は最大でも4ピッチバー幅である、SCOLターゲット。
- 請求項15に記載のSCOLターゲットであって、前記周期的構造は2ピッチバー幅である、SCOLターゲット。
- 請求項14に記載のSCOLターゲットであって、対応するウェハ上にダイ内に配置される、SCOLターゲット。
- 請求項14記載のSCOLターゲットであって、前記周期的構造は格子である、SCOLターゲット。
- 請求項18に記載のSCOLターゲットであって、更に、前記複数の層の間に少なくとも1つの中間層を備える、SCOLターゲット。
- 請求項14に記載のSCOLターゲットであって、前記単一セルは、1μm未満のスポット直径で照射されるように構成される、SCOLターゲット。
- 請求項20に記載のSCOLターゲットであって、前記スポット直径の開口数は1/3より大きい、SCOLターゲット。
- 請求項14に記載のSCOLターゲットであって、前記単一セルは複数のスポット位置で照射されるように構成される、SCOLターゲット。
- 請求項22に記載のSCOLターゲットであって、前記複数のスポット位置は、少なくとも1つの前記周期的構造の1ピッチ以内である、SCOLターゲット。
- 請求項14に記載のSCOLターゲットであって、前記周期的構造は整列されている、SCOLターゲット。
- 請求項14に記載のSCOLターゲットであって、前記周期的構造はゼロ次及び一次の混合を含んだ信号を提供するように構成される、SCOLターゲット。
- 請求項14に記載のSCOLターゲットであって、前記周期的構造は前記周期的構造からの測定された信号にゼロ次と一次の間の重複を提供するように構成される、SCOLターゲット。
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