JPWO2019221019A1 - セキュリティデバイス、転写箔、及びセキュリティデバイス付物品 - Google Patents

Abstract

改竄抑制効果を有するセキュリティデバイスを提供する。本発明のセキュリティデバイス（１）は、複数のスリット（１３０）を有している金属層（１３）を含んだ偽造防止構造体（１０）であって、前記金属層（１３）における共振に起因して透過率のピークを有する偽造防止構造体（１０）と、前記偽造防止構造体（１０）の一方の主面に設けられ、前記主面の一部の領域と接触した第１部分（２１）と、前記主面の他の一部と接触した第２部分（２２）とを含み、前記第１部分（２１）は、前記第２部分（２２）と比較して、前記偽造防止構造体（１０）に対してより小さな接着強さを達成する接着層（２０）とを含む。

Description

本発明は、セキュリティデバイス、転写箔、及びセキュリティデバイス付物品に関する。

従来から、例えば、株券、債券、小切手、商品券、宝くじ券、定期券等の証券類には、偽造を防止するための種々の工夫が施されている。そのような工夫の一種として、肉眼ではその存在の判別が難しい肉眼判別困難マークを上記証券類に付して、肉眼判別困難マークを機械により読み取ることが行われている。

特許文献１には、可視光域に吸収が少なく、赤外領域に吸収を有する錫ドープ酸化インジウム粉からなる色材を含んだ赤外線吸収インキ組成物が開示されている。

特許文献２には、可視光で照明した場合には無色であり、紫外線を照射した場合に蛍光を発する特殊蛍光インキを使用して、バーコードを印刷することが開示されている。

特許文献３には、真贋判別にテラヘルツ電磁波を用いた方法、及び、その方法に適用される偽造防止構造体が開示されている。この偽造防止構造体は、所定のパターンに配列された開口部を有する導電性層、導電性層の表裏に配置される絶縁層、及び、絶縁性を持つ隠蔽層を備えている。そして、この文献に記載された真贋判別方法では、テラヘルツ電磁波を偽造防止構造体に照射し、これにより得られる透過率を基準値と比較して、両者の差異の有無を判定している。

特許文献４には、特定周波数のテラヘルツ電磁波を照射した場合に所定の透過率を示す偽造防止構造体が開示されている。

日本国特開２０００−３０９７３６号公報 日本国特開平６−２９７８８８号公報 日本国特開２００８−２５４３１０号公報 日本国特開２０１６−１４１０６５号公報

本発明は、改竄抑制効果を有するセキュリティデバイスを提供することを目的とする。

本発明の第１側面によると、複数のスリットを有している金属層を含んだ偽造防止構造体であって、前記金属層における共振に起因して透過率のピークを有する偽造防止構造体と、前記偽造防止構造体の一方の主面に設けられ、前記主面の一部の領域と接触した第１部分と、前記主面の他の一部と接触した第２部分とを含み、前記第１部分は、前記第２部分と比較して、前記偽造防止構造体に対してより小さな接着強さを達成する接着層とを含むセキュリティデバイスが提供される。

本発明の第２側面によると、第１側面に係るセキュリティデバイスを含んだ転写材層と、前記転写材層を、前記接着層との間に前記偽造防止構造体が介在するように、剥離可能に支持した支持部材とを具備した転写箔が提供される。

本発明の第３側面によると、第１側面に係るセキュリティデバイスと、前記セキュリティデバイスが、前記接着層によって貼り付けられた物品とを含むセキュリティデバイス付物品が提供される。

本発明によれば、改竄抑制効果を有するセキュリティデバイスの提供が可能となる。

図１は、本発明の一実施形態に係るセキュリティデバイス付物品を概略的に示す上面図である。 図２は、図１に示すセキュリティデバイス付物品が含むセキュリティデバイスを拡大して示す上面図である。 図３は、図２に示すセキュリティデバイスが含む金属層及び接着層を拡大して示す上面図である。 図４は、図１に示すセキュリティデバイス付物品に採用可能な構造の一例を示す断面図である。 図５は、セキュリティデバイス付物品に貼り付けた粘着テープの剥離を開始した状態を示す上面図である。 図６は、図５に示す状態から粘着テープの剥離を更に進めた状態の一例を示す上面図である。 図７は、粘着テープの剥離を完了した状態の一例を示す断面図である。 図８は、図７に示す構造が含んでいるセキュリティデバイスのうち、粘着テープによって剥離された部分を示す下面図である。 図９は、図７に示す構造が含んでいるセキュリティデバイスのうち、粘着テープによる剥離後に物品上に残った部分を示す上面図である。 図１０は、図１に示すセキュリティデバイス付物品に採用可能な構造の他の例を示す断面図である。 図１１は、粘着テープの剥離を完了した状態の他の例を示す断面図である。 図１２は、図１１に示す構造が含んでいるセキュリティデバイスのうち、粘着テープによって剥離された部分を示す下面図である。 図１３は、図１１に示す構造が含んでいるセキュリティデバイスのうち、粘着テープによる剥離後に物品上に残った部分を示す上面図である。 図１４は、図１１に示す構造が含んでいるセキュリティデバイスのうち粘着テープによって物品から剥離された部分を、粘着テープとともに、他の物品に貼り付けることによって得られる、改竄されたセキュリティデバイス付物品を示す上面図である。 図１５は、図１４に示す改竄されたセキュリティデバイス付物品の一部を拡大して示す断面図である。 図１６は、正規のセキュリティデバイス付物品及び改竄されたセキュリティデバイス付物品に対して照射したテラヘルツ波の周波数と透過率との関係を示すグラフである。 図１７は、正規のセキュリティデバイス付物品及び改竄されたセキュリティデバイス付物品に対して一定周波数でテラヘルツ波を照射し、測定箇所をＸ方向に動かしながら透過率を測定した結果を示すグラフである。 図１８は、変形例に係るセキュリティデバイスを含んだセキュリティデバイス付物品の断面図である。 図１９は、他の実施形態に係るセキュリティデバイスが含む金属層及び接着層を拡大して示す上面図である。 図２０は、他の実施形態に係るセキュリティデバイス付物品の断面図である。 図２１は、他の実施形態に係るセキュリティデバイス物品に貼り付けた粘着テープの剥離を開始した状態を示す上面図である。 図２２は、粘着テープの剥離を完了した状態の一例を示す他の実施形態に係るセキュリティデバイス付物品の断面図である。 図２３は、図２２に示す構造が含んでいるセキュリティデバイスのうち、粘着テープによって剥離された部分を示す下面拡大図である。 図２４は、図２２に示す構造が含んでいる構造のうち、粘着テープによって物品から剥離された部分を、粘着テープとともに、他の物品に貼り付けることによって得られる、改竄されたセキュリティデバイス付物品を示す上面図である。 図２５は、図２４に示す改竄されたセキュリティデバイス付物品の一部を拡大して示す断面図である。 図２６は、図２０に示す正規のセキュリティデバイス付物品及び図２４に示す改竄されたセキュリティデバイス付物品に対して照射した、テラヘルツ波としてのｐ偏光及びｓ偏光の周波数と、透過率との関係を示すグラフである。 図２７は、図２４に示す改竄されたセキュリティデバイス付物品に対して、テラヘルツ波として一定周波数のｐ偏光及びｓ偏光を照射し、測定箇所をＸ方向に動かしながら透過率を測定した結果を示すグラフである。 図２８は、図２０に示す正規のセキュリティデバイス付物品に対して、テラヘルツ波として一定周波数のｐ偏光及びｓ偏光を照射し、測定箇所をＸ方向に動かしながら透過率を測定した結果を示すグラフである。 図２９は、本発明の一実施形態に係る転写箔を概略的に示す断面図である。 図３０は、一変形例に係る構造を拡大して示す上面図である。 図３１は、他の変形例に係る構造を拡大して示す上面図である。 図３２は、更に他の変形例に係る構造を拡大して示す上面図である。 図３３は、更に他の変形例に係る構造を拡大して示す上面図である。 図３４は、テラヘルツ波の電場ベクトルの振動方向がスリットの配列方向に対して成す角度を示す上面図である。 図３５は、透過スペクトルの例を示すグラフである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、同様又は類似した機能を有する要素については、同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

１．セキュリティデバイス付物品
１−１．構成
本発明の一実施形態に係るセキュリティデバイス及びセキュリティデバイス付物品の構成を、図１乃至図４を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るセキュリティデバイス付物品を概略的に示す上面図である。図２は、図１に示すセキュリティデバイス付物品が含むセキュリティデバイスを拡大して示す上面図である。図３は、図２に示すセキュリティデバイスが含む金属層及び接着層を拡大して示す上面図である。図４は、図１に示すセキュリティデバイス付物品に採用可能な構造の一例を示す断面図である。

なお、図４に示す断面は、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面に対応している。また、図１乃至図４及び他の図において、Ｘ方向は、セキュリティデバイス付物品の主面に平行な方向であり、Ｙ方向は、先の主面に平行であり且つＸ方向に対して垂直な方向であり、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向に対して垂直な方向である。

図１、図２及び図４に示すセキュリティデバイス付物品３は、例えば、株券、債券、小切手、商品券、宝くじ券、定期券等の証券類である。セキュリティデバイス付物品３は、セキュリティデバイス１と、このセキュリティデバイス１が図３及び図４に示す接着層２０によって貼り付けられた物品３０とを含んでいる。

物品３０は、少なくともセキュリティデバイス１が貼り付けられる位置で、導電層を含んでいない。すなわち、物品３０は、少なくとも上記の位置で絶縁性である。

物品３０は、図１に示すように、物品本体３１と、物品本体３１に設けられた印刷層３２とを含んでいる。

物品本体３１は、例えば、紙基材である。物品本体３１は、プラスチック基材であってもよい。物品本体３１は、その形状に制限はないが、一例によれば、フィルム状又はシート状である。

印刷層３２は、物品本体３１上に設けられている。印刷層３２は、例えば、蛍光を発しない着色インキであるプロセスインキ、蛍光インキ、及び、繰り返し反射干渉による干渉色を呈するパールインキの１以上からなる。印刷層３２は、文字や図形などの画像を表示する。

セキュリティデバイス１は、図４に示すように、偽造防止構造体１０と接着層２０とを含んでいる。

偽造防止構造体１０は、複数のスリット１３０を有している金属層１３を含んでいる。また、後述するように、この偽造防止構造体１０は、金属層１３において、共振に起因して透過率のピークを生じる。

接着層２０は、偽造防止構造体１０の一方の主面に設けられ、この主面の一部の領域と接触した第１部分２１と、先の主面の他の一部と接触した第２部分２２とを含んでいる。第１部分２１は、第２部分２２と比較して、偽造防止構造体１０に対してより小さな接着強さを達成する。

ここでは、偽造防止構造体１０は、図４に示すように、金属層１３に加え、保護層１１と隠蔽層１２とを更に含んでいる。以下に詳しく説明する。

保護層１１は、例えば、可視光透過性を有している。また、保護層１１は、絶縁性である。保護層１１は、例えば、アクリル系樹脂などの樹脂からなる。
保護層１１を設けることは、セキュリティデバイス１の表面を損傷及び劣化から保護する上で有利である。なお、保護層１１は省略することもできる。

隠蔽層１２は、例えば、回折格子及びホログラムなどの回折構造が設けられた層、又は、印刷層である。
回折構造は、例えば、レリーフ型の回折構造である。レリーフ型の回折構造が設けられた層は、例えば、透明樹脂からなり、表面にレリーフ型の回折構造が設けられたレリーフ構造形成層と、この表面を被覆した絶縁性の透明反射層とを含んだ多層構造を有している。透明反射層には、絶縁性の材料、例えば、絶縁性の無機酸化物を用いる。絶縁性の無機酸化物としては、例えば、ＳｉＯ_２を用いることができる。透明反射層は、省略することもできる。

印刷層は、例えば、蛍光を発しない着色インキであるプロセスインキ、蛍光インキ、及び、繰り返し反射干渉による干渉色を呈するパールインキの１以上からなる。印刷層は、例えば、文字や図形などの画像を表示する。

隠蔽層１２は、少なくとも金属層１３の位置で、例えば、テラヘルツ波長帯域にある電磁波（以下、テラヘルツ波又はテラヘルツ電磁波とも記載する）を遮断する材料を含まない。隠蔽層１２は、その全体が絶縁性の材料からなることが好ましい。
隠蔽層１２を設けることは、金属層１３に形成されたパターンを隠蔽するため、さらに高いレベルのセキュリティを達成する上で有利である。また、隠蔽層１２を設けることは、意匠性を高める上でも有利である。なお、隠蔽層１２は、省略することもできる。

金属層１３は、単体金属又は合金からなる。金属層１３は、例えば、Ａｌ，Ｆｅ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｚｎ及びＳｎの１以上からなる金属薄膜層から構成されている。金属層１３は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。金属層１３の厚さは、２０ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、３０ｎｍ乃至８０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。

金属層１３には、図３に示すように、規則的に配列した複数のスリット１３０が設けられている。
スリット１３０の幅は、５μｍ乃至５０μｍの範囲内にあることが好ましい。スリット１３０の長さは、１００μｍ乃至１０００μｍの範囲内にあることが好ましい。

複数のスリット１３０の各々は、一端がそのスリット１３０の他端又は別のスリット１３０の一端と隙間を隔てて向き合っていることが好ましい。スリット１３０の一端と、そのスリット１３０の他端又は別のスリット１３０の一端との距離は、１μｍ乃至５０μｍの範囲内にあることが好ましい。
複数のスリット１３０をこのように形成することは、セキュリティデバイス１の剥離に伴う金属層１３の構造の変化と、それに伴うセキュリティデバイス１のテラヘルツ波透過特性の変化とを生じやすくし、改竄抑制効果を高める上で有利である。また、複数のスリット１３０をこのように形成することは、隠蔽層１２が回折構造を含んでいる場合に、その回折効率を高める上でさらに有利である。

複数のスリット１３０は、複数の環を形成していることが好ましい。ここでは、複数のスリット１３０の各々は、図３に示すように、１か所で開口した環、すなわち、Ｃ字型の環を形成している。これら環は、互いに交差する２つの方向、ここでは、Ｘ方向及びＹ方向へ規則的に配列している。また、ここでは、これら環は、同じ位置で開口している。
複数のスリット１３０のＸ方向およびＹ方向におけるピッチは、１００μｍ乃至１０００μｍの範囲内にあることが好ましい。

上記の構造を金属層１３に採用することは、隠蔽層１２が可視光透過性を有している場合や隠蔽層を省略した場合に、スリット１３０が目立ちにくい等の意匠性の観点から好ましい。

また、これら環の各々を、長さ方向へ互いから間を隔てて直列に並んだ複数のスリット１３０で構成してもよい。このような構成を採用した場合、改竄抑制効果をさらに高めることができる。

ここで、金属層１３のうち、スリット１３０が形成する環の外側に位置する領域を第１領域１３１とし、スリット１３０が形成する環によって取り囲まれる領域を第２領域１３２とする。

スリット１３０が形成する環の内径は、１０００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ乃至５００μｍの範囲内にあることがより好ましい。
環の内径を大きくすると、スリット１３０が目立ち易くなり、意匠性が低下する虞がある。なお、環の内径の下限は、例えば、製造上の限界により設定される。

接着層２０は、偽造防止構造体１０の一方の主面に設けられている。ここでは、接着層２０は、偽造防止構造体１０の金属層１３側の主面上に設けられている。

接着層２０は、第１部分２１と第２部分２２とを含んでいる。第１部分２１は、上記主面の一部の領域と接触している。第２部分２２は、上記主面の他の一部と接触している。第１部分２１は、第２部分２２と比較して、偽造防止構造体１０に対してより小さな接着強さを達成する。

接着層２０は、図３に示すように、第１部分２１と第２部分２２とに区分されている。すなわち、ここでは、第１部分２１及び第２部分２２は、それぞれ、第２領域１３２及び第１領域１３１上に位置している。接着層２０は、第１部分２１が第１領域１３１上に位置し、第２部分２２が第２領域１３２上に位置していてもよい。また、第１部分２１と第２部分２２との配置は、第１領域１３１と第２領域１３２との配置に対応していなくてもよい。

第１部分２１は、例えば、以下に例示する接着剤と接着力低減用の添加剤との混合物からなる層によって形成されている。
接着剤としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂、塩化ビニル酢酸ビニル共重合樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、エポキシ樹脂、エポキシウレタン樹脂、ポリカーボネートウレタン樹脂、又はブチラール樹脂を使用することができる。接着剤としては、これらのうち１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を使用してもよい。

また、接着力低減用の添加剤としては、例えば、ニトロセルロース、酢酸セルロース、酢酸プロピオン酸セルロース、シリカフィラー、シリコンフィラー、ポリテトラフルオロエチレンフィラー、ポリエチレンワックス、ポリプロピレンワックス、又はシリコンオイルを使用することができる。接着力低減用の添加剤としては、これらのうち１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を使用してもよい。

第１部分２１を、接着剤と接着力低減用の添加剤との混合物を使用して形成する場合、この混合物に占める接着力低減用の添加剤の割合は、１乃至５０重量％の範囲内にあることが好ましい。

第２部分２２は、例えば、上述した接着剤のみによって、又は、接着剤と接着力低減用の添加剤との混合物によって形成される。なお、この混合物に占める接着力低減用の添加剤の割合は、例えば、第１部分２１を形成するのに使用する混合物に占める接着力低減用の添加剤の割合よりも小さい。この割合は、５０重量％以下であることが好ましく、２０重量％以下であることがより好ましい。
第１部分２１と第２部分２２とを形成する材料を上記のように構成することで、第１領域１３１と第２領域１３２とに対する接着層２０の接着強さに差を生じさせることができる。

接着層２０は、熱可塑性樹脂や紫外線硬化樹脂からなる接着層であってもよく、粘着剤からなる接着層であってもよい。前者の場合、セキュリティデバイス１は、例えば、転写箔を使用して物品３０に貼り付けることができる。後者の場合、セキュリティデバイス１を粘着ラベルとして使用することが可能となる。

セキュリティデバイス付物品３において、第１部分２１及び第２部分２２の接着強さは、以下の範囲内にあることが好ましい。すなわち、第２部分２２における物品３０に対する偽造防止構造体１０の層間接着強さは、５．０Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましい。また、第１部分２１における物品３０に対する偽造防止構造体１０の層間接着強さは、３．０Ｎ／１０ｍｍ以下であることが好ましく、１．０乃至３．０Ｎ／１０ｍｍの範囲内にあることがより好ましい。
なお、層間接着強さは、ＪＩＳ Ｋ６８５４−１：１９９９（「接着剤−はく離接着強さ試験方法−第１部：９０度はく離）において規定された、９０度はく離試験によって得られるはく離接着強さである。

第１部分２１及び第２部分２２の接着強さを上記の範囲内とすることは、粘着テープ等を使用したセキュリティデバイス付物品の改竄を抑制する上で有利である。

１−２．セキュリティデバイスの製造方法
上述したセキュリティデバイス１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
第１に、剥離性を有している基材、例えば、表面にフッ素加工を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材の上に、保護層１１を形成する。保護層１１の形成は、例えば、塗布法によって行なうことができる。
第２に、保護層１１の表面に隠蔽層１２を設ける。

レリーフ型の回折構造を含んだ隠蔽層１２は、例えば、以下の方法により得る。
まず、保護層１１上に熱可塑性樹脂を塗布して塗膜を形成し、この塗膜に加熱しながら版を押し当てる。冷却後、塗膜から版を取り除くことによりレリーフ構造形成層を得る。その後、必要に応じて、レリーフ構造形成層上に、気相堆積法を用いて透明反射層を形成する。

或いは、まず、保護層１１上に紫外線硬化樹脂を塗布して塗膜を形成し、この塗膜に版を押し当て、この状態で紫外線を照射する。その後、塗膜から版を取り除くことによりレリーフ構造形成層を得る。その後、必要に応じて、レリーフ構造形成層上に、気相堆積法を用いて透明反射層を形成する。

印刷層としての隠蔽層１２は、例えば、保護層１１に対して、インクのベタ塗りや、文字及び模様などのプリントを施すことにより得ることができる。

第３に、隠蔽層１２の表面に金属層１３を形成する。金属層１３の形成は、例えば、金属の真空蒸着によって行なう。
第４に、金属層１３へスリット１３０を形成する。スリット１３０の形成は、公知の方法によって行なうことができる。例えば、スリット１３０は、フォトリソグラフィーを利用して形成する。
第５に、金属層１３の表面に接着層２０を形成する。例えば、金属層１３の第２領域１３２上に、第２部分２２の材料を印刷する。その後、第１領域１３１上に、第２部分の材料の印刷に用いた版の逆版を用いて、第１部分２１の材料を印刷する。第１部分２１及び第２部分２２の形成順序は逆でもよい。
以上の工程により、セキュリティデバイス１を製造することができる。

１−３．セキュリティデバイスの機能
上記の構成を有するセキュリティデバイス付物品３は、セキュリティデバイス１を、粘着テープ等によって剥離しようとした場合に、以下のことを生じる。

図１及び図２に示すセキュリティデバイス付物品３からセキュリティデバイス１を剥離する際に生じる変化の一例について、図２及び図４乃至図９を参照しながら説明する。

図５は、セキュリティデバイス付物品に貼り付けた粘着テープの剥離を開始した状態を示す上面図である。図６は、図５に示す状態から粘着テープの剥離を更に進めた状態の一例を示す上面図である。図７は、粘着テープの剥離を完了した状態の一例を示す断面図である。図８は、図７に示す構造が含んでいるセキュリティデバイスのうち、粘着テープによって剥離された部分を示す下面図である。図９は、図７に示す構造が含んでいるセキュリティデバイスのうち、粘着テープによる剥離後に物品上に残った部分を示す上面図である。

ここでは、以下の条件を仮定する。すなわち、図４に示すように、第１部分２１が第２領域１３２上に位置し、第２部分２２が第１領域１３１上に位置しているとする。
このようなセキュリティデバイス１を物品３０に接着した場合、物品３０に対する第２領域１３２における偽造防止構造体１０の層間接着強さは、物品３０に対する第１領域１３１における偽造防止構造体１０の層間接着強さと比較してより小さい。

上記の構成を採用したセキュリティデバイス１を物品３０から剥離させる方法として、例えば、粘着テープを使用した方法が考えられる。なお、ここでは、以下の条件を仮定する。粘着テープ４０の偽造防止構造体１０に対する粘着力は、第２部分２２の偽造防止構造体１０に対する接着力よりも小さく、第１部分２１の偽造防止構造体１０に対する接着力よりも大きいこととする。第１部分２１と物品３０との間の接着力は、第１部分２１と第２領域１３２との間の接着力と比較してより小さいこととする。第１部分２１と物品３０との間の接着力は、第２領域１３２と隠蔽層１２との間の接着力と比較してより小さいこととする。第２部分２２と物品３０との間の接着力は、第１領域１３１と隠蔽層１２との間の接着力と比較してより大きいこととする。第２部分２２と第１領域１３１との間の接着力は、第１領域１３１と隠蔽層１２との間の接着力と比較してより大きいこととする。

粘着テープを使用した上記方法では、セキュリティデバイス１に粘着テープ４０を貼り付け、この粘着テープ４０を、図５に示すように引き剥がす。こうすると、セキュリティデバイス１は、図６に示すように、粘着テープ４０によって剥離される部分１ａと、物品３０上に残る部分１ｂとに分かれる。
図７に示す断面図を参照しながら、さらに説明する。すなわち、セキュリティデバイス１のうち、保護層１１と隠蔽層１２と第２領域１３２と第１部分２１とからなる部分１ａは、粘着テープ４０によって物品３０から剥離される。一方、セキュリティデバイス１のうち、第１領域１３１と第２部分２２とからなる部分１ｂは、剥離されずに物品３０の表面に残る。

その結果、セキュリティデバイス１のうち、粘着テープ４０によって剥離された部分１ａが含んでいる金属層は、図８に示すように、第２領域１３２のみからなる。また、セキュリティデバイス１のうち、物品３０の表面に残った部分１ｂが含んでいる金属層は、図９に示すように、第１領域１３１のみからなる。

従って、セキュリティデバイス１が、上記の構造を有している場合、金属層１３に設けられたスリット１３０のパターンを、剥離の前後で維持することができない。スリット１３０のパターンが変化すると、後述するように、テラヘルツ波の透過スペクトルに変化を生じる。それ故、テラヘルツ波の透過を利用して、改竄が行われたか否かを判別できる。従って、優れた改竄抑制効果を達成することが可能である。

次に、図２に示すセキュリティデバイス付物品３からセキュリティデバイス１を剥離する際に生じる変化の他の例について、図２、図４及び図１０乃至図１５を参照しながら説明する。

図１０は、図１に示すセキュリティデバイス付物品に採用可能な構造の他の例を示す断面図である。図１１は、粘着テープの剥離を完了した状態の他の例を示す断面図である。図１２は、図１１に示す構造が含んでいるセキュリティデバイスのうち、粘着テープによって剥離された部分を示す下面図である。図１３は、図１１に示す構造が含んでいるセキュリティデバイスのうち、粘着テープによる剥離後に物品上に残った部分を示す上面図である。図１４は、図１１に示す構造が含んでいるセキュリティデバイスのうち粘着テープによって物品から剥離された部分を、粘着テープとともに、他の物品に貼り付けることによって得られる、改竄されたセキュリティデバイス付物品を示す上面図である。図１５は、図１４に示す改竄されたセキュリティデバイス付物品の一部を拡大して示す断面図である。

ここでは、以下の条件を仮定する。すなわち、図１０に示すように、第１部分２１が、第１領域１３１に位置し、第２部分２２が第２領域１３２に位置しているとする。
このようなセキュリティデバイス１を物品３０に接着した場合、物品３０に対する第１領域１３１における偽造防止構造体１０の層間接着強さは、物品３０に対する第２領域１３２における偽造防止構造体１０の層間接着強さと比較してより小さい。

上述した構成を採用したセキュリティデバイス１を、粘着テープ４０を使用して引き剥がすと、図１１に示すように、粘着テープ４０によって剥離される部分１ａと、物品３０上に残る部分１ｂとに分かれる。すなわち、セキュリティデバイス１のうち、保護層１１と隠蔽層１２と第１領域１３１と第１部分２１とからなる部分１ａは、粘着テープ４０によって物品３０から剥離される。一方、セキュリティデバイス１のうち、第２領域１３２と第２部分２２とからなる部分１ｂは、剥離されずに物品３０の表面に残る。

その結果、セキュリティデバイス１のうち、粘着テープ４０によって剥離された部分１ａが含んでいる金属層は、図１２に示すように、第１領域１３１のみからなる。また、セキュリティデバイス１のうち、物品３０の表面に残った部分１ｂが含んでいる金属層は、図１３に示すように、第２領域１３２のみからなる。

次に、セキュリティデバイス１のうち粘着テープ４０で剥離された部分１ａを、他の物品３０’へ再び貼付してなる改竄されたセキュリティデバイス付物品３’について説明する。
図１４及び図１５に示す改竄されたセキュリティデバイス付物品３’は、図１１に示す粘着テープ４０を加工してなる粘着テープ４０’を、他の物品３０’に貼付したものである。なお、図１４及び図１５に示す粘着テープ４０’は、部分１ａが貼り付いている粘着テープ４０から、部分１ａが貼り付いている領域の周囲を取り除いたものである。また、図１５において、参照符号２３は、他の物品３０’への粘着テープ４０’の再貼付に使用した接着剤である。

図１５に示す改竄されたセキュリティデバイス付物品３’と、剥離前のセキュリティデバイス付物品３とは、以下のように異なる。
上記のように改竄されたセキュリティデバイス付物品３’において、部分１ａは、金属層として第１領域１３１のみを含んでいる。このような改竄されたセキュリティデバイス付物品３’は、剥離前、すなわち正規のセキュリティデバイス付物品３とは、金属層１３に設けられた開口部の形状が異なっている。

金属層１３に設けられた開口部の形状が変化すると、後述するように、テラヘルツ波の透過スペクトルに変化を生じる。それ故、テラヘルツ波の透過を利用して、改竄が行われたか否かを判別できる。従って、セキュリティデバイス１が、上記の構造を有している場合、優れた改竄抑制効果を達成することができる。

１−４．真贋判定
以下、セキュリティデバイス１の真贋判定方法を説明する。
セキュリティデバイス１の真贋判定は、例えば、テラヘルツ波、換言すると、テラヘルツ周波数帯域である０．１乃至０．８ＴＨｚの周波数帯域にある電磁波を照射し、セキュリティデバイス１のテラヘルツ波に関する透過率を測定することにより行なう。

金属層に複数のスリットを設ける代わりに、金属層を複数のＣ字型パターンへパターニングしてなる構造は、テラヘルツ周波数帯域の大部分で透過率は高いが、ＬＣ共振により特定の周波数のテラヘルツ波の透過率が低い特性を示す。これに対し、この構造とは金属部とそれ以外の部分との位置を反転させた関係にある本実施形態の構造は、特性も先の構造とは反転した関係にある。すなわち、本実施形態の構造は、テラヘルツ周波数帯域の大部分で透過率は低いが、特定の周波数のテラヘルツ波の透過率が高い特性を示す。

それ故、セキュリティデバイス１に向けてテラヘルツ波を照射すると、特定の周波数を有しているテラヘルツ波は、金属層１３において共振を生じる。すなわち、複数のスリット１３０が複数の環を形成している場合、スリット１３０の各々は、分割リング共振器と類似の機能を有する。

また、スリット１３０の幅が十分に狭ければ、テラヘルツ周波数帯域の大部分で、金属層１３は高い透過率を示さない。
従って、セキュリティデバイス１は、テラヘルツ波を照射すると、特定の周波数を有しているテラヘルツ波に対して高い透過率を示し、テラヘルツ周波数帯域に透過率のピークを生じる。

テラヘルツ波に対するセキュリティデバイス１の透過スペクトルは、スリット１３０の形状やピッチによって異なる。そのため、図１０などを参照しながら説明したセキュリティデバイス付物品３と、図１４及び図１５などを参照しながら説明した、改竄されたセキュリティデバイス付物品３’とでは、テラヘルツ波の透過スペクトルが異なる。

透過スペクトルの変化について、図１６及び図１７を参照しながら説明する。図１６は、正規のセキュリティデバイス付物品及び改竄されたセキュリティデバイス付物品に対して照射したテラヘルツ波の周波数と透過率との関係を示すグラフである。図１７は、正規のセキュリティデバイス付物品及び改竄されたセキュリティデバイス付物品に対して一定周波数でテラヘルツ波を照射し、測定箇所をＸ方向に動かしながら透過率を測定した結果を示すグラフである。

図１０などを参照しながら説明した正規のセキュリティデバイス付物品３のセキュリティデバイス１に向けて、テラヘルツ波を、その周波数を変化させながら照射すると、例えば、図１６の実線で描かれるような透過スペクトルが得られる。この透過スペクトルでは、約０．３ＴＨｚの周波数で、最大の透過率を示している。すなわち、セキュリティデバイス１は、透過率のピークをテラヘルツ周波数帯域内に有している。

一方、図１４及び図１５などを参照しながら説明した、改竄されたセキュリティデバイス付物品３’の部分１ａに向けて、上記と同様にテラヘルツ波を照射すると、例えば、図１６の破線で描かれるような透過スペクトルが得られる。この透過スペクトルでは、上記の特定の周波数における透過率が低下しており、約０．４ＴＨｚ以上の周波数帯域の殆どで透過率が高まっている。

従って、セキュリティデバイス付物品３及びセキュリティデバイス付物品３’に対し、０．３ＴＨｚのテラヘルツ波をそれらの主面に対して垂直な方向に照射し、Ｘ方向に沿って走査すると、図１７に示すようなスキャン結果を得ることができる。なお、ここでは、テラヘルツ波は、セキュリティデバイス付物品のうち、セキュリティデバイスが存在しない領域、金属層１３が存在しているがスリット１３０が設けられていない領域、金属層１３が存在し且つスリット１３０が設けられている領域、金属層１３が存在しているがスリット１３０が設けられていない領域、及び、セキュリティデバイスが存在しない領域へ順次照射している。

セキュリティデバイス付物品３について得られたスキャン結果は、以下の通りである。すなわち、セキュリティデバイス付物品３は、セキュリティデバイス１が存在しない領域に対応した区間Ｌ１及びＬ５で最も高い透過率を示し、金属層１３が存在しているがスリット１３０が設けられていない領域に対応した区間Ｌ２及びＬ４で最も低い透過率を示し、金属層１３が存在し且つスリット１３０が設けられている領域に対応した区間Ｌ３で区間Ｌ１及びＬ５ほどではないにしろ高い透過率を示している。

一方で、改竄されたセキュリティデバイス付物品３’について得られたスキャン結果は、以下の通りである。すなわち、セキュリティデバイス付物品３’は、セキュリティデバイス付物品３と同様に、セキュリティデバイス１が存在しない領域に対応した区間Ｌ１及びＬ５で最も高い透過率を示し、金属層１３が存在しているがスリット１３０が設けられていない領域に対応した区間Ｌ２及びＬ４で最も低い透過率を示している。但し、セキュリティデバイス付物品３’は、金属層１３が存在し且つスリット１３０が設けられている領域に対応した区間Ｌ３では、セキュリティデバイス付物品３ほど高い透過率を示していない。

このように、正規のセキュリティデバイス付物品３を用いた場合と、改竄されたセキュリティデバイス付物品３’を用いた場合とでは、特定の周波数でテラヘルツ波を照射したときに得られる透過パターンに違いを生じる。従って、例えば、これら透過パターンを対比することにより、真贋判定を比較的容易に行なうことができる。

なお、上述した実施形態では、第１部分２１と第２部分２２とが厚さ方向に重ならないように配置された形態を説明したが、第２部分２２は、偽造防止構造体１０の一方の主面の一部と接触していればよい。従って、例えば、第２部分２２は、図１８に示すように、第１部分２１と厚さ方向に重なっていてもよい。

１−５．他の実施形態に係るセキュリティデバイス付物品
本発明の他の実施形態に係るセキュリティデバイス付物品の構成を、図１９及び図２０を参照しながら説明する。図１９は、他の実施形態に係るセキュリティデバイスが含む金属層及び接着層を拡大して示す上面図である。図２０は、他の実施形態に係るセキュリティデバイス付物品の断面図である。
なお、図２０に示す図は、図１９のＸＸ−ＸＸ線に沿った断面に対応している。

図２０に示すように、他の実施形態に係るセキュリティデバイス付物品２は、以下の点を除いて、上述したのとほぼ同様の構成を採用している。すなわち、偽造防止構造体１０は、セラミック層１４を更に含んでいる。セラミック層１４は、絶縁性を有する材料からなる。セラミック層１４を構成する材料は、例えば、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２又はＳｉＯ_ｘ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、及び酸化チタン（ＴｉＯ_２）である。セラミック層１４は、例えば、真空蒸着によって形成される。

セラミック層１４の厚さは、１０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、５０ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。セラミック層１４は、金属層１３上であって、第１部分２１と第２部分２２との境界をまたぐ領域に位置していることが好ましい。また、セラミック層１４は、スリット１３０の位置にさらに設けてもよい。ここでは、セラミック層１４は、金属層１３を全域に亘って被覆するように設けている。
また、ここでは、金属層１３のうち、隠蔽層１２と接していない主面上にのみセラミック層１４を設けているが、隠蔽層１２と金属層１３との間にのみセラミック層１４を設けてもよく、それら両方の主面上にセラミック層１４を設けてもよい。

セラミック層１４をさらに備えていることは、以下に説明するように、物品３０として、紙基材、特には短い繊維からなる紙基材等の紙剥けを生じやすい基材を採用したセキュリティデバイス付物品に対して、テラヘルツ波の透過を利用して、改竄が行われたか否かを判別する上で有利である。

上記の構成を有する他の実施形態に係るセキュリティデバイス付物品２は、セキュリティデバイス１を、粘着テープ等によって剥離しようとした場合に、以下のことを生じる。図２０に示すセキュリティデバイス付物品２からセキュリティデバイス１を剥離する際に生じる変化の一例について、図２０乃至図２３を参照しながら説明する。
図２１は、他の実施形態に係るセキュリティデバイス物品に貼り付けた粘着テープの剥離を開始した状態を示す上面図である。図２２は、粘着テープの剥離を完了した状態の一例を示す他の実施形態に係るセキュリティデバイス付物品の断面図である。図２３は、図２２に示す構造が含んでいるセキュリティデバイスのうち、粘着テープによって剥離された部分を示す下面拡大図である。

ここでは、以下の条件を仮定する。すなわち、図２０に示すように、第１部分２１が、第１領域１３１に位置し、第２部分２２が第２領域１３２に位置しており、セラミック層１４が金属層１３と接着層２０との間に位置している。また、物品３０として、表面強度の低い紙基材を用いている。

このようなセキュリティデバイス１を物品３０に接着した場合、第１領域１３１の位置では、第２領域１３２の位置と比較して、物品３０に対する偽造防止構造体１０の層間接着強さがより小さい。

上述した構成を採用したセキュリティデバイス１を、粘着テープ４０を使用して引き剥がすと、図２２に示すように、セキュリティデバイス１は、部分的な層間剥離を生じることなく、物品３０の一部３０ａとともに、物品３０の残りの部分３０ｂから剥離されることがある。すなわち、粘着テープ４０によって剥離される部分１ａは、保護層１１と隠蔽層１２と金属層１３とセラミック層１４と接着層２０と物品３０の一部３０ａとからなる。

この剥離を行なうと、粘着テープ４０によって剥離された部分１ａのうち、セキュリティデバイス１が含んでいる金属層１３には、図２３に示すように、スリット１３０の一端と、そのスリット１３０の他端との間の位置に、第１領域１３１と第２領域１３２とを互いから分断する亀裂を生じる。

次に、粘着テープ４０で剥離された部分１ａを他の物品３０’へ再び貼付してなる改竄されたセキュリティデバイス付物品２’について、図２４及び図２５を参照しながら説明する。
図２４は、図２２に示す構造のうち、粘着テープによって物品から剥離された部分を、粘着テープとともに、他の物品に貼り付けることによって得られる、改竄されたセキュリティデバイス付物品を示す上面図である。図２５は、図２４に示す改竄されたセキュリティデバイス付物品の一部を拡大して示す断面図である。

図２４及び図２５に示す改竄されたセキュリティデバイス付物品２’は、図１４及び図１５を参照しながら説明した方法と同様の方法により得られる。

図２５に示す改竄されたセキュリティデバイス付物品２’と、剥離前のセキュリティデバイス付物品２とは、以下のように異なる。
上記のように改竄されたセキュリティデバイス付物品２’において、部分１ａは、複数のスリット１３０の各々の一端と、それらスリット１３０の各々の他端との間の位置に亀裂を生じた金属層１３を含んでいる。このような改竄されたセキュリティデバイス付物品２’は、剥離前、すなわち正規のセキュリティデバイス付物品２とは、金属層１３に設けられた開口部の形状が異なっている。

そして、正規のセキュリティデバイス付物品２では、金属層１３の第１領域１３１と第２領域１３２とが互いに電気的に接続されているのに対し、改竄されたセキュリティデバイス付物品２’では、金属層１３の第１領域１３１と第２領域１３２とは互いに絶縁されている。従って、上述したように、改竄されたセキュリティデバイス付物品２’は、正規のセキュリティデバイス付物品２とは、テラヘルツ波の透過スペクトルが異なっている。

上記の構成を有する他の実施形態に係るセキュリティデバイス付物品２の真贋判定は、例えば、以下のように行なう。
図１９及び図２３に示すように、正規のセキュリティデバイスは、Ｙ方向に開口したスリット１３０が金属層１３に設けられているのに対し、改竄されたセキュリティデバイスは、スリット１３０の開口部分において金属層１３に亀裂を生じている。このような構造の相違は、テラヘルツ波としてｐ偏光又はｓ偏光を照射した場合に、透過スペクトルの相違を生じさせる。

以下、図２６乃至図２８を参照しながら詳しく説明する。図２６は、図２０に示す正規のセキュリティデバイス付物品及び図２４に示す改竄されたセキュリティデバイスに対して照射した、テラヘルツ波としてのｐ偏光及びｓ偏光の周波数と、透過率との関係とを示すグラフである。図２７は、図２４に示す改竄されたセキュリティデバイスに対して、テラヘルツ波として一定周波数のｐ偏光及びｓ偏光を照射し、測定箇所をＸ方向に動かしながら透過率を測定した結果を示すグラフである。図２８は、図２０に示す正規のセキュリティデバイスに対して、テラヘルツ波として一定周波数のｐ偏光及びｓ偏光を照射し、測定箇所をＸ方向に動かしながら透過率を測定した結果を示すグラフである。なお、ここでは、ｐ偏光の電場ベクトルの振動方向はＹ方向に平行であり、ｓ偏光の電場ベクトルの振動方向はＹ方向に垂直である。

図２０などを参照しながら説明した正規のセキュリティデバイス付物品２が含んでいるセキュリティデバイス１に向けて、テラヘルツ波としてｓ偏光を、その周波数を変化させながら照射すると、例えば、図２６のＣ１で描かれるような透過スペクトルが得られる。この透過スペクトルでは、約０．３ＴＨｚの周波数で、最大の透過率を示している。
また、このセキュリティデバイス１に向けて、テラヘルツ波としてｐ偏光を、その周波数を変化させながら照射すると、例えば、図２６のＣ２で描かれるような透過スペクトルが得られる。この透過スペクトルでは、０．３ＴＨｚの周波数における透過率が低下しており、約０．５ＴＨｚの周波数で最大の透過率を示している。

一方、図２４及び図２５などを参照しながら説明した、改竄されたセキュリティデバイス付物品２’の部分１ａに向けて、テラヘルツ波としてｓ偏光を、その周波数を変化させながら照射すると、例えば、図２６のＣ３で描かれるような透過スペクトルが得られる。この透過スペクトルでは、約０．３ＴＨｚの周波数で最大の透過率を示している。
また、同様に、部分１ａに向けて、テラヘルツ波としてｐ偏光を、その周波数を変化させながら照射すると、例えば、図２６のＣ４で描かれるような透過スペクトルが得られる。この透過スペクトルでは、約０．３ＴＨｚの周波数で最大の透過率を示している。

すなわち、正規のセキュリティデバイス付物品２については、そのセキュリティデバイス１が含んでいるスリット１３０のＣ字形状に起因した透過スペクトルの特徴を、テラヘルツ波の電場ベクトルの振動方向を変化させたときに検出できる。これに対し、上記のような改竄されたセキュリティデバイス付物品２’では、テラヘルツ波の電場ベクトルの振動方向を変化させても、透過スペクトルに殆ど変化を生じない。

従って、正規のセキュリティデバイス付物品２及び改竄されたセキュリティデバイス付物品２’に対し、テラヘルツ波として特定の周波数、例えば０．３ＴＨｚのｐ偏光及びｓ偏光を、それらの主面に対して照射し、Ｘ方向に沿って走査すると、例えば、図２７及び図２８に示すようなスキャン結果を得ることができる。なお、ここでは、図１７を参照しながら説明したのと同様の領域について、順次照射を行なっている。

改竄されたセキュリティデバイス付物品２’についてテラヘルツ波としてｐ偏光及びｓ偏光を照射して得られたスキャン結果は、それぞれ、図２７の破線及び実線に示す通りである。すなわち、セキュリティデバイス付物品２’については、ｐ偏光を照射して得られたスキャン結果と、ｓ偏光を照射して得られたスキャン結果との間に大きな違いはない。

一方、正規のセキュリティデバイス付物品２についてテラヘルツ波としてｐ偏光及びｓ偏光を照射して得られたスキャン結果は、それぞれ、図２８の破線及び実線で示す通りである。すなわち、セキュリティデバイス付物品２については、ｐ偏光を照射して得られたスキャン結果と、ｓ偏光を照射して得られたスキャン結果とは、金属層１３が存在し且つスリット１３０が設けられている領域に対応した区間Ｌ３において透過率が大きく異なっている。

このように、正規のセキュリティデバイス付物品２を用いた場合には、特定周波数のｐ偏光を照射して得られるスキャン結果と、この周波数のｓ偏光を照射して得られるスキャン結果との間に大きな相違を生じる。これに対し、改竄されたセキュリティデバイス付物品２’を用いた場合には、特定周波数のｐ偏光を照射して得られるスキャン結果と、この周波数のｓ偏光を照射して得られるスキャン結果との間に大きな相違は生じない。従って、例えば、これら透過パターンを対比することにより、真贋判定を比較的容易に行なうことができる。

１−６．効果
上述したセキュリティデバイス１は、物品３０に貼り付けてなるセキュリティデバイス付物品３から、セキュリティデバイス１の破壊又は変形を生じることなしに取り外すことが困難である。従って、優れた改竄抑制効果を発揮することが可能となる。

上記のセキュリティデバイス１は、複数のスリット１３０を有する金属層１３を含んでおり、金属層１３における共振に起因した透過率のピークに基づいて、改竄されたか否かを判別することができる。共振は、一例によれば、テラヘルツ波を金属層１３に向けて照射することにより生じる。テラヘルツ波の照射及びその透過率のピークの検出は、特殊な装置を要する。
従って、上記のセキュリティデバイス１は、容易に入手可能である赤外線照射装置や紫外線照射装置を用いてその形状や寸法を知ることが可能な構造と比較して、正規品であることを示す形状や寸法が他者に知られる可能性が低い構造を有している。

また、一実施形態によれば、セキュリティデバイス付物品３と改竄されたセキュリティデバイス付物品３’とは、正規のセキュリティデバイス付物品３が含んでいるセキュリティデバイス１に特定周波数のテラヘルツ波を照射しながらスキャンすることにより、真贋判定を行なうことができる。従って、長い時間を要することなく真贋判定することができる。

また、このセキュリティデバイス１は、金属層１３に設けられたスリット１３０は隠蔽層１２によって隠蔽されているため、肉眼や触覚でその存在を知ることは困難である。

さらに、この隠蔽層１２として回折構造を採用した場合には、先の金属層１３を反射層としても用いることができるため、高い回折効率を達成することが出来る。高い回折効率を有している回折構造を設けると、その下方にテラヘルツ波を用いた真贋判定を可能とする構造が設けられていることが悟られ難くなる。従って、この構造は、改竄の抑制に有効である。

２．転写箔
次に、本発明の一実施形態に係る転写箔について説明する。
図２９は、本発明の一実施形態に係る転写箔を概略的に示す断面図である。

図２９に示す転写箔４は、セキュリティデバイス１を含んだ転写材層５０と、支持部材５１とを含んでいる。
支持部材５１は、転写材層５０を、支持部材５１と接着層２０との間に偽造防止構造体１０が介在するように剥離可能に支持している。支持部材５１は、例えば、接着層２０よりも高い耐熱性を有する樹脂フィルム又はシートである。支持部材５１は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの耐熱性に優れた材料からなる。
また、支持部材５１は、転写材層５０側の面に図示しない剥離層を有していてもよい。図２９に示すように、剥離層は、セキュリティデバイス１が含んでいる保護層１１であってもよい。別途、剥離層を設ける場合には、例えば、フッ素樹脂又はシリコーン樹脂を使用することができる。

転写材層５０は、セキュリティデバイス１と同様の層構成を有している。転写材層５０の一部は、セキュリティデバイス１に相当している。

上述したセキュリティデバイス１、セキュリティデバイス付物品２及び３、並びに転写箔４には、様々な変形が可能である。例えば、セキュリティデバイス１、セキュリティデバイス付物品２及び３、並びに転写箔４には、以下の構造を採用することができる。

図３０は、一変形例に係る構造を拡大して示す上面図である。
図３０では、金属層１３は、単位構造ＲＵをＸ及びＹ方向へ配列させた構造を有している。各単位構造ＲＵは、４つのスリット１３０を含んでいる。各単位構造ＲＵにおいて、４つのスリット１３０は、Ｘ及びＹ方向に配列している。これら４つのスリットが形成している環の各々は、Ｙ方向の端部で開口している。具体的には、これら４つの環のうち、２つは同じ位置で開口し、残りの２つは前者とは１８０°異なる位置で開口している。

図５及び図６に示す例では、セキュリティデバイス付物品３に貼り付けた粘着テープ４０の剥離を、Ｘ方向の一端側から行っている。しかしながら、粘着テープ４０の剥離は、Ｘ方向の他端側から行われる可能性や、Ｙ方向の一端側又は他端側から行われる可能性もある。

図３に示す構造では、スリット１３０が形成する環は、同じ位置で開口している。セキュリティデバイス１が図３に示す構造を採用している場合、例えば、粘着テープ４０の剥離がＹ方向の一端側から行われたときと、Ｙ方向の他端側から行われたときとで、第１領域１３１と第２領域１３２との境界における金属層１３の破断の生じ易さに相違を生じる可能性がある。その結果、図１４及び図１５を参照しながら説明した、改竄されたセキュリティデバイス付物品３’の構造が、粘着テープ４０の剥離がＹ方向の一端側から行われたときと、Ｙ方向の他端側から行われたときとで異なる可能性がある。このような構造のばらつきは、図１６に破線で示す透過スペクトルや、図１７に破線で示す透過率分布に影響を及ぼし得る。

図３０を参照しながら説明した構造を採用した場合、粘着テープ４０の剥離がＹ方向の一端側から行われたときと、Ｙ方向の他端側から行われたときとで、金属層１３の破断をより生じ易い境界の数と金属層１３の破断をより生じ難い境界の数との比はほぼ等しい。それ故、粘着テープ４０の剥離がＹ方向の一端側から行われたときと、Ｙ方向の他端側から行われたときとで、図１６に破線で示す透過スペクトルや、図１７に破線で示す透過率分布に相違を生じ難い。従って、真贋判定をより高い精度で行うことができる。

図３１は、他の変形例に係る構造を拡大して示す上面図である。
図３１では、金属層１３は、単位構造ＲＵをＸ及びＹ方向へ配列させた構造を有している。各単位構造ＲＵは、４つのスリット１３０を含んでいる。各単位構造ＲＵにおいて、４つのスリット１３０は、Ｘ及びＹ方向に配列している。これら４つのスリットが形成している環のうち、１つはＹ方向の端部で開口し、他の３つは、前者とは、９０°、１８０°及び２７０°異なる位置で開口している。

この構造を採用した場合、粘着テープ４０の剥離がＹ方向の一端側から行われたときと、Ｙ方向の他端側から行われたときと、Ｘ方向の一端側から行われたときと、Ｘ方向の他端側から行われたときとで、図１６に破線で示す透過スペクトルや、図１７に破線で示す透過率分布に相違を生じ難い。従って、真贋判定を更に高い精度で行うことができる。

なお、図３を参照しながら説明した構造を採用した場合、図２６の曲線Ｃ１及びＣ２のように、テラヘルツ波としてｓ偏光を照射したときと、テラヘルツ波としてｐ偏光を照射したときとで、透過スペクトルは異なる。これに対し、図３１を参照しながら説明した構造を採用した場合、テラヘルツ波を照射する領域の大きさが単位領域ＲＵの大きさ以上であれば、テラヘルツ波としてｓ偏光を照射したときと、テラヘルツ波としてｐ偏光を照射したときとで、透過スペクトルはほぼ一致する。それ故、テラヘルツ波の電場ベクトルの振動方向に拘わらず、例えば、図２６に曲線Ｃ１で示す透過スペクトルと曲線Ｃ２で示す透過スペクトルとの算術平均に相当する透過スペクトルが得られる。また、この場合、テラヘルツ波の電場ベクトルの振動方向に拘わらず、例えば、図１７に破線で示す透過率分布と実線で示す透過率分布との算術平均に相当する透過率分布が得られる。

図３２は、更に他の変形例に係る構造を拡大して示す上面図である。
図３２では、金属層１３は、単位構造ＲＵをＸ及びＹ方向へ配列させた構造を有している。各単位構造ＲＵは、４つのスリット１３０を含んでいる。各単位構造ＲＵにおいて、４つのスリット１３０は、Ｘ及びＹ方向に配列している。これら４つのスリットが形成している環のうち、１つはＹ方向の端部で開口し、他の１つは前者とは９０°異なる位置で開口し、残りの２つは前者とは１８０°異なる位置で開口している。

この構造を採用した場合、図３１を参照しながら説明した構造を採用した場合ほどではないが、粘着テープ４０の剥離がＹ方向の一端側から行われたときと、Ｙ方向の他端側から行われたときと、Ｘ方向の一端側から行われたときと、Ｘ方向の他端側から行われたときとで、図１６に破線で示す透過スペクトルや、図１７に破線で示す透過率分布に相違を生じ難い。従って、真贋判定を更に高い精度で行うことができる。

なお、図３２を参照しながら説明した構造では、各単位構造ＲＵは、Ｙ方向に開口した環を各々が形成している３つのスリット１３０と、Ｘ方向に開口した環を形成している１つのスリット１３０とを含んでいる。それ故、テラヘルツ波を照射する領域の大きさが単位領域ＲＵの大きさ以上であれば、図３２を参照しながら説明した構造を採用したときの透過率は、（Ｔ_Ｘ＋３×Ｔ_Ｙ）／４とほぼ等しい値となる。

従って、テラヘルツ波としてｓ偏光を照射した場合、図２６において曲線Ｃ１で表される透過率を３倍し、この積に図２６において曲線Ｃ２で表される透過率を加え、この和を４で除することにより算出されるのとほぼ等しい透過スペクトルが得られる。また、テラヘルツ波としてｐ偏光を照射した場合、図２６において曲線Ｃ２で表される透過率を３倍し、この積に図２６において曲線Ｃ１で表される透過率を加え、この和を４で除することにより算出されるのとほぼ等しい透過スペクトルが得られる。

図３３は、更に他の変形例に係る構造を拡大して示す上面図である。
図３３では、金属層１３は、単位構造ＲＵをＸ及びＹ方向へ配列させた構造を有している。各単位構造ＲＵは、９つのスリット１３０を含んでいる。各単位構造ＲＵにおいて、９つのスリット１３０は、Ｘ及びＹ方向に３行×３列で配列している。これら９つのスリットが形成している環のうち、中央の１つはＹ方向の端部で開口し、中央の１つを間に挟んでＸ方向に隣り合った２つは前者とは９０°異なる位置で開口し、中央の１つを間に挟んでＹ方向に隣り合った２つは前者とは２７０°異なる位置で開口し、中央の行を間に挟んでＹ方向に隣り合った２組の環のうち一方の組の環は中央の環と同じ位置で開口し、中央の行を間に挟んでＹ方向に隣り合った２組の環のうち他方の組の環は中央の環とは１８０°異なる位置で開口している。

この構造を採用した場合も、粘着テープ４０の剥離がＹ方向の一端側から行われたときと、Ｙ方向の他端側から行われたときと、Ｘ方向の一端側から行われたときと、Ｘ方向の他端側から行われたときとで、図１６に破線で示す透過スペクトルや、図１７に破線で示す透過率分布に相違を生じ難い。従って、真贋判定を更に高い精度で行うことができる。

なお、図３３を参照しながら説明した構造では、各単位構造ＲＵは、Ｙ方向に開口した環を各々が形成している５つのスリット１３０と、Ｘ方向に開口した環を形成している４つのスリット１３０とを含んでいる。それ故、テラヘルツ波を照射する領域の大きさが単位領域ＲＵの大きさ以上であれば、図３３を参照しながら説明した構造を採用したときの透過率は、（４×Ｔ_Ｘ＋５×Ｔ_Ｙ）／９とほぼ等しい値となる。

従って、テラヘルツ波としてｓ偏光を照射した場合、図２６において曲線Ｃ１で表される透過率を５倍してなる積と、図２６において曲線Ｃ２で表される透過率を４倍してなる積とを加え、この和を９で除することにより算出されるのとほぼ等しい透過スペクトルが得られる。また、テラヘルツ波としてｐ偏光を照射した場合、図２６において曲線Ｃ２で表される透過率を５倍してなる積と、図２６において曲線Ｃ１で表される透過率を４倍してなる積とを加え、この和を９で除することにより算出されるのとほぼ等しい透過スペクトルが得られる。

以上の通り、スリット１３０が形成する複数の環の１以上と他の１以上とを異なる位置で開口させると、真贋判定をより高い精度で行うことができる。

また、以上の通り、図３１乃至図３３を参照しながら説明した構造の何れかを採用すると、スリット１３０が形成している環の開口位置が全て同じである構造、すなわち、環の中心と開口位置とを結ぶ線分がＸ方向に対してなす角度が等しく、この角度に応じた透過率の変化を真贋判定に利用する構造に比べ、テラヘルツ波の電場ベクトルの振動方向が透過率に及ぼす影響を小さくすることができる。これについて、図３４及び図３５を参照しながら更に説明する。

図３４は、テラヘルツ波の電場ベクトルの振動方向がスリットの配列方向に対して成す角度を示す上面図である。図３５は、透過スペクトルの例を示すグラフである。

図３４では、テラヘルツ波の電場ベクトルの振動方向を両矢印で示している。また、図３４では、この振動方向がＸ方向に対して成す角度をαとしている。

図３１乃至図３３を参照しながら説明した構造の何れかを採用した場合、図３５に示すように、角度αが±１５°のときの透過スペクトルは、角度αが０°のときの透過スペクトルとほぼ等しい。具体的には、例えば、スリット１３０が形成している環の開口位置が全て同じであり、環の中心と開口位置とを結ぶ線分がＸ方向に対してなす角度が６０°である構造を採用した場合、１次の共振周波数ｆ１における角度αが−１５°のときの透過率と、１次の共振周波数ｆ１における角度αが＋１５°のときの透過率との差は、例えば約２０％である。これに対し、図３１を参照しながら説明した構造を採用した場合、１次の共振周波数ｆ１における角度αが０°のときの透過率と、１次の共振周波数ｆ１における角度αが±１５°のときの透過率との差は、例えば約０％である。また、図３２を参照しながら説明した構造を採用した場合、１次の共振周波数ｆ１における角度αが０°のときの透過率と、１次の共振周波数ｆ１における角度αが±１５°のときの透過率との差は、例えば約１％である。そして、図３３を参照しながら説明した構造を採用した場合、１次の共振周波数ｆ１における角度αが０°のときの透過率と、１次の共振周波数ｆ１における角度αが±１５°のときの透過率との差は、例えば約０．３％である。

図３０乃至図３３を参照しながら説明した構造の２以上を、１つのセキュリティデバイス１に採用してもよい。この場合、より複雑な透過率分布が得られる。

図３０乃至図３３を参照しながら説明した構造は、第２実施形態において説明したセキュリティデバイス１にも適用可能である。この場合も、上述したのと同様の効果を得ることができる。

以下、本発明の実施例を説明する。本発明は、実施例に限定されるものではない。
＜転写箔の製造＞
図２９に示す転写箔４を以下のように作製した。ここでは、セキュリティデバイス１には、図２０に示す構造を採用した。

まず、以下に組成を示す保護層形成用の塗液を調製した。
［保護層形成用の塗液］
アクリル系樹脂（ＢＲ−１１６：三菱レーション(株)社製） ２０部
溶剤（トルエン／ＭＥＫ／酢酸エチル） ４０部／３５部／５部
なお、「ＭＥＫ」はメチルエチルケトンである。また、ここで使用する「部」は質量部を表している。

この塗液を支持部材５１上に塗布し、保護層１１を形成した。ここで、支持部材５１としては、厚さ１９μｍの透明ＰＥＴフィルムを用いた。塗液の塗布量は、保護層１１の厚さが１．０μｍとなるように設定した。

次に、以下に組成を示すレリーフ構造形成層形成用の塗液を調製した。
［レリーフ構造形成層形成用の塗液］
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体（ソルバイン（登録商標）ＣＨ：日信化学工業（株）社製） ２５部
ウレタン樹脂（コロネート（登録商標）Ｔ−１００：日本ポリウレタン工業（株）社製） １０部
ＭＥＫ ７０部
トルエン ３０部
この塗液を保護層１１上に塗布し、レリーフ構造形成層を形成した。ここで、塗液の塗布量は、レリーフ構造形成層の厚さが１．０μｍとなるように設定した。
続いて、レリーフ構造形成層に回折格子構造を設けた。具体的には、温度１６０℃、線厚４０ｋｇ／ｃｍの条件下において、レリーフ構造形成層に対してロール状の回折格子版を押し当て、回折格子構造を設けた。このようにして、保護層１１の上に隠蔽層１２を設けた。

次に、隠蔽層１２の上に金属層１３を設けた。まず、隠蔽層１２上に、アルミニウムを真空蒸着法によって蒸着させた。ここで、真空蒸着は、アルミニウム層の厚さが６０ｎｍとなるまで行なった。

その上に、エッチングマスク層を設けてエッチングを行なった。なお、エッチングマスク層形成用の塗液としては、以下に組成を示す塗液を使用した。
［エッチングマスク層形成用の塗液］
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体（ソルバインＣ：日信化学工業（株）社製） ３０部
ＭＥＫ ７０部
この塗液を、上記の金属層の上に、厚さが１．０μｍとなるように塗布し、エッチングマスク層を設けた。このエッチングマスク層には、図１９に示すスリット１３０に対応した貫通孔を設けた。このパターニングはスクリーン印刷法を利用して行なった。
そして、アルミニウム層のうち、このエッチングマスク層によって被覆されていない部分をエッチングにより除去した。具体的には、アルミニウム層を１．５Ｎの水酸化ナトリウム溶液で処理した後に、水洗し、０．１Ｎの塩酸で中和した。このようにして、スリット１３０が設けられた金属層１３を得た。

得られたスリット１３０は、Ｙ方向の１か所で開口した環であり、その寸法は以下の通りであった。すなわち、スリット１３０の幅は２０μｍであり、スリット１３０の一端と、そのスリット１３０の他端との距離は３２μｍであった。

エッチングマスク層を除去した後、金属層１３上にセラミック層１４を設けた。ここでは、真空蒸着法によって、ＭｇＦ_２をその厚さが１００ｎｍとなるまで蒸着させた。

その後、セラミック層１４の上に接着層２０を設けた。
まず、第１部分２１を形成した。第１部分２１は、以下に示す接着剤と接着力低減用の添加剤との混合物によって形成した。すなわち、接着剤としてアクリルウレタン樹脂を使用し、添加剤としてニトロセルロースを使用した。
［第１部分２１を形成する材料］
ニトロセルロース（Ｈ１／８：太平化学製品（株）社製） ２０部
アクリルウレタン樹脂（８ＵＡ３４７：大成ファインケミカル（株）社製） ５０部
ＭＥＫ ３０部
この混合物をセラミック層１４の上にパターン状に塗布した。具体的には、金属層１３の第１領域１３１に対応する位置にこの混合物が印刷されるように設計された版を用いて印刷した。ここで、この混合物の塗布量は、第１部分２１の厚さが１．０μｍとなるように設定した。

次に、第２部分２２を形成した。第２部分２２は、以下に示す接着剤によって形成した。すなわち、接着剤として、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体とポリエステル樹脂との混合物を使用した。
［第２部分２２を形成する材料］
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体（ソルバインＣ：日信化学工業（株）社製） ３０部
ポリエステル樹脂（バイロン（登録商標）２００：東洋紡（株）社製） ２０部
ＭＥＫ ２５部
トルエン ２５部
この混合物を、セラミック層１４の上にパターン状に塗布した。具体的には、第１部分２１を形成する際に使用した版の逆版を使用して、金属層１３の第２領域１３２に対応する位置にこの混合物を印刷した。ここで、この混合物の塗布量は、第２部分２２の厚さが１．０μｍとなるように設定した。

以上の方法により、転写箔４を作製した。この転写箔４が含んでいるセキュリティデバイス１において、第１部分２１は、第２部分２２と比較して、偽造防止構造体１０に対するより小さな接着強さを達成する。

＜剥離試験＞
物品３０として、紙基材を含んだ商品券サンプルを準備した。この物品３０上に、上記の転写箔４が含んでいる転写材層５０をホットスタンプにて熱転写した。これにより、図２０などを参照しながら説明したセキュリティデバイス付物品２を得た。

得られたセキュリティデバイス付物品２に対して、粘着テープによるセキュリティデバイス１の剥離試験を行なった。ここで、粘着テープとしては、強力粘着テープ（３Ｍスコッチ（株）社製、ＤＵＣＴ−ＴＰ１８）を使用した。
粘着テープをセキュリティデバイス付物品２のうち、セキュリティデバイス１が位置している部分に貼り付けたのちに、引き剥がした。そして、引き剥がされた粘着テープに付着した部分１ａを、他の物品３０’に貼り付けた。ここで、他の物品３０’としては、物品３０である商品券サンプルをカラーコピーして得られた紙片を使用した。
以上の方法により、改竄されたセキュリティデバイス付物品２’を作製した。

＜真贋判定＞
この改竄されたセキュリティデバイス付物品２’について、図２７などを参照しながら説明した方法により、テラヘルツ波の透過を利用した真贋判定を行なった。すなわち、改竄されたセキュリティデバイス付物品２’に対し、テラヘルツ波として特定の周波数のｐ偏光及びｓ偏光を、その主面に対して照射し、測定方向をＸ方向に動かしながら透過率を測定した。

その結果、図２７を参照しながら説明したのと同様の結果が得られた。すなわち、改竄されたセキュリティデバイス付物品２’のスキャン結果は、ｐ偏光を照射して得られるスキャン結果とｓ偏光を照射して得られるスキャン結果との間に大きな相違を生じなかった。これは、ｐ偏光を照射して得られるスキャン結果とｓ偏光を照射して得られるスキャン結果との間に大きな相違を生じる正規のセキュリティデバイス付物品２のスキャン結果とは異なる。従って、得られたセキュリティデバイス付物品が改竄されたセキュリティデバイス付物品であることを容易に判定することができた。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、実施形態は、可能であれば適宜組み合わせて実施してもよく、その場合、組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形態には種々の発明が含まれており、開示される複数の構成要件から選択された組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、課題が解決でき、効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。

１…セキュリティデバイス、２及び３…セキュリティデバイス付物品、４…転写箔、１０…偽造防止構造体、１１…保護層、１２…隠蔽層、１３…金属層、１４…セラミック層、２０…接着層、２１…第１部分、２２…第２部分、２３…接着剤、３０及び３０’…物品、３１…物品本体、３２…印刷層、４０及び４０’…粘着テープ、５０…転写材層、５１…支持部材、１３０…スリット、１３１…第１領域、１３２…第２領域。

Claims (13)

1. 複数のスリットを有している金属層を含んだ偽造防止構造体であって、前記金属層における共振に起因して透過率のピークを有する偽造防止構造体と、
   前記偽造防止構造体の一方の主面に設けられ、前記主面の一部の領域と接触した第１部分と、前記主面の他の一部と接触した第２部分とを含み、前記第１部分は前記第２部分と比較して前記偽造防止構造体に対してより小さな接着強さを達成する接着層と
   を含むセキュリティデバイス。
2. 前記偽造防止構造体は、前記透過率のピークをテラヘルツ周波数帯域内に有する請求項１に記載のセキュリティデバイス。
3. 前記複数のスリットの各々は、一端がそのスリットの他端又は別のスリットの一端と隙間を隔てて向き合っている請求項１又は２に記載のセキュリティデバイス。
4. 前記複数のスリットは複数の環を形成している請求項３に記載のセキュリティデバイス。
5. 前記複数の環の内径は１０００μｍ以下である請求項４に記載のセキュリティデバイス。
6. 前記複数の環は同じ位置で開口している請求項４又は５に記載のセキュリティデバイス。
7. 前記複数の環の１以上と他の１以上とは異なる位置で開口している請求項４又は５に記載のセキュリティデバイス。
8. 前記第１部分は、前記金属層のうち前記スリットが形成する複数の環の各々によって囲まれた部分に位置し、前記第２部分は、前記金属層のうち前記複数の環の各々の外側に位置している請求項２乃至７の何れか１項に記載のセキュリティデバイス。
9. 前記偽造防止構造体は、前記金属層上であって、前記第１部分と前記第２部分との境界をまたぐ領域に位置するようにセラミック層をさらに含んだ請求項１乃至８の何れか１項に記載のセキュリティデバイス。
10. 前記接着層は粘着剤からなる請求項１乃至９の何れか１項に記載のセキュリティデバイス。
11. 請求項１乃至１０の何れか１項に記載のセキュリティデバイスを含んだ転写材層と、
    前記転写材層を、前記接着層との間に前記偽造防止構造体が介在するように剥離可能に支持した支持部材と
    を具備した転写箔。
12. 請求項１乃至１０の何れか１項に記載のセキュリティデバイスと、
    前記セキュリティデバイスが、前記接着層によって貼り付けられた物品と
    を含むセキュリティデバイス付物品。
13. 前記第２部分における前記物品に対する前記偽造防止構造体の層間接着強さは、５．０Ｎ／１０ｍｍ以上であり、前記第１部分における前記物品に対する前記偽造防止構造体の層間接着強さは、３．０Ｎ／１０ｍｍ以下である請求項１２に記載のセキュリティデバイス付物品。

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