JPWO2019181732A1 - Manufacturing method of adhesive tape and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

【課題】 本発明は、特に先ダイシング法を採用した微小半導体チップの製造時に、バックグラインドテープ10からピックアップテープ30または接着テープへのチップ21の転写不良を低減することを目的としている。また、バックグラインドテープ10からピックアップテープ30または接着テープへのチップの転写効率を改善することを目的としている。【解決手段】 本発明に係る粘着テープ10は、上記バックグラインドテープとして好ましく用いられ、基材11と、その片面に設けられた粘着剤層12とを含み、前記粘着剤層12が、エネルギー線硬化性粘着剤からなり、前記粘着剤層12にシリコンウエハ鏡面を貼付後、粘着剤層にエネルギー線照射して硬化し、さらに圧力0.5N/cm2、210℃で5秒間熱圧着した後の23℃における粘着力が9.0N/25mm以下であることを特徴としている。【選択図】 図5PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce transfer failure of a chip 21 from a back grind tape 10 to a pickup tape 30 or an adhesive tape, particularly at the time of manufacturing a micro semiconductor chip adopting a pre-dicing method. Another object of the present invention is to improve the transfer efficiency of the chip from the back grind tape 10 to the pickup tape 30 or the adhesive tape. An adhesive tape 10 according to the present invention is preferably used as the back grind tape, and includes a base material 11 and an adhesive layer 12 provided on one side thereof, and the adhesive layer 12 is an energy ray. It is made of a curable pressure-sensitive adhesive, and after a silicon wafer mirror surface is attached to the pressure-sensitive adhesive layer 12, the pressure-sensitive adhesive layer is cured by irradiating it with energy rays, and further heat-bonded at a pressure of 0.5 N / cm2 and 210 ° C. for 5 seconds. It is characterized in that the adhesive strength at 23 ° C. is 9.0 N / 25 mm or less. [Selection diagram] Fig. 5

Description

本発明は粘着テープに関し、さらに詳しくはいわゆる先ダイシング法により半導体装置を製造する際に、半導体ウエハやチップを一時的に固定するために好ましく使用される粘着テープ、及びその粘着テープを用いた半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an adhesive tape, and more specifically, an adhesive tape preferably used for temporarily fixing a semiconductor wafer or a chip when manufacturing a semiconductor device by a so-called pre-dicing method, and a semiconductor using the adhesive tape. Regarding the manufacturing method of the device.

各種電子機器の小型化、多機能化が進む中、それらに搭載される半導体チップも同様に、小型化、薄型化が求められている。チップの薄型化のために、半導体ウエハの裏面を研削して厚さ調整を行うことが一般的である。また、ウエハの表面側から所定深さの溝を形成した後、ウエハ裏面側から研削を行い、研削により溝の底部を除去してウエハを個片化し、チップを得る先ダイシング法と呼ばれる工法を利用することもある。先ダイシング法では、ウエハの裏面研削と、ウエハの個片化を同時に行うことができるので、薄型チップを効率よく製造できる。 As various electronic devices are becoming smaller and more multifunctional, the semiconductor chips mounted on them are also required to be smaller and thinner. In order to reduce the thickness of the chip, it is common to grind the back surface of the semiconductor wafer to adjust the thickness. Further, after forming a groove having a predetermined depth from the front surface side of the wafer, grinding is performed from the back surface side of the wafer, the bottom of the groove is removed by grinding to individualize the wafer, and a method called a pre-dicing method for obtaining chips is performed. It may be used. In the pre-dicing method, the back surface of the wafer can be ground and the wafer can be separated into individual pieces at the same time, so that a thin chip can be efficiently manufactured.

従来、半導体ウエハの裏面研削時や、先ダイシング法によるチップの製造時には、ウエハ表面の回路を保護し、また、半導体ウエハ及び半導体チップを固定しておくために、ウエハ表面にバックグラインドテープと呼ばれる粘着テープを貼付するのが一般的である。 Conventionally, when the back surface of a semiconductor wafer is ground or when a chip is manufactured by a pre-dicing method, a back grind tape is called on the wafer surface in order to protect the circuit on the wafer surface and fix the semiconductor wafer and the semiconductor chip. It is common to attach an adhesive tape.

以下に先ダイシング法によりウエハを個片化した後のチップのピックアップについて、図面を参照して説明する。先ダイシングにより、半導体ウエハは個片化され、バックグラインドテープ10上には個片化された多数のチップ21からなるチップ群20が得られる(図1)。このチップ群20は、ピックアップテープ30と呼ばれる粘着テープに転写され、必要に応じてチップ間隔を拡張するエキスパンドを行った後に、ピックアップテープ30から剥離される(特許文献1:特開2012−209385号公報)。このピックアップテープ30としては、ダイシングテープと呼ばれる粘着テープ類が使用されることが多い。バックグラインドテープ10からピックアップテープ30へのチップ群20の転写は、以下のように行われる。すなわち、バックグラインドテープ10上の保持されたチップ群20にピックアップテープ30を貼付する。この際、ピックアップテープ30の外周部をリングフレーム40により固定する(図2)。次いでバックグラインドテープ10のみを剥離することで、チップ群20はピックアップテープ30に転写される。 The chip pickup after the wafer is separated into individual pieces by the pre-dicing method will be described below with reference to the drawings. By the pre-dicing, the semiconductor wafer is fragmented, and a chip group 20 composed of a large number of fragmented chips 21 is obtained on the back grind tape 10 (FIG. 1). The chip group 20 is transferred to an adhesive tape called a pickup tape 30, expanded to expand the chip spacing as necessary, and then peeled off from the pickup tape 30 (Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-209385). Gazette). As the pickup tape 30, adhesive tapes called dicing tapes are often used. The transfer of the chip group 20 from the back grind tape 10 to the pickup tape 30 is performed as follows. That is, the pickup tape 30 is attached to the held chip group 20 on the back grind tape 10. At this time, the outer peripheral portion of the pickup tape 30 is fixed by the ring frame 40 (FIG. 2). Then, by peeling off only the back grind tape 10, the chip group 20 is transferred to the pickup tape 30.

バックグラインドテープ10は、裏面研削工程ではウエハやチップ群を安定して保持できる程度の粘着力が必要であり、チップ群をピックアップテープ30に転写する際にはチップ表面から容易に剥離できる程度の粘着力であることを要する。このため、バックグラインドテープ10の粘着剤層12には、エネルギー線照射により粘着力を低減できるエネルギー線硬化性粘着剤が使用されることが多い。たとえば特許文献2(特開2002−053819号公報)には、エネルギー線硬化前の粘着力が150g/25mm以上であり、エネルギー線硬化後の粘着力が150g/25mm以下となるバックグラインドテープが開示されている。ここで粘着力は、JIS Z−0237に規定される方法に準拠して、被着体としてSUS304−BA板を用い、剥離速度300mm/分、剥離角度180度の条件下で測定した粘着力である。 The back grind tape 10 needs to have an adhesive force sufficient to stably hold the wafer and the chip group in the back surface grinding process, and can be easily peeled off from the chip surface when the chip group is transferred to the pickup tape 30. It needs to be adhesive. For this reason, an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive that can reduce the adhesive force by irradiation with energy rays is often used for the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the back grind tape 10. For example, Patent Document 2 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-053819) discloses a backgrind tape having an adhesive force of 150 g / 25 mm or more before energy ray curing and an adhesive force of 150 g / 25 mm or less after energy ray curing. Has been done. Here, the adhesive strength is the adhesive strength measured under the conditions of a peeling speed of 300 mm / min and a peeling angle of 180 degrees using a SUS304-BA plate as an adherend in accordance with the method specified in JIS Z-0237. is there.

また、特許文献3(特開2016−72546号公報)には、先ダイシング法に用いられる半導体ウエハ表面保護用粘着テープが開示されている。この粘着テープは、先ダイシング時におけるカーフシフトを抑制し、半導体チップへの粘着剤の転着、および半導体チップの剥離不良を解消することを目的とし、粘着テープの基材が、引張弾性率1〜10GPaの剛性層を少なくとも1層有し、粘着剤層を放射線硬化させた後における剥離角度30°での剥離力が、0.1〜3.0N/25mmであることを特定している。 Further, Patent Document 3 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-72546) discloses an adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer used in the pre-dicing method. The purpose of this adhesive tape is to suppress calf shift during pre-dicing, to eliminate the transfer of the adhesive to the semiconductor chip and the peeling failure of the semiconductor chip, and the base material of the adhesive tape has a tensile elastic modulus of 1. It is specified that at least one rigid layer of 10 GPa is provided, and the peeling force at a peeling angle of 30 ° after the pressure-sensitive adhesive layer is radiation-cured is 0.1 to 3.0 N / 25 mm.

バックグラインドテープ10の剥離時には、バックグラインドテープ10の背面(基材面)に剥離の切っ掛けとなる剥離用テープ50を固定する(図3)。バックグラインドテープは、半導体ウエハと略同形状であり、剥離の切っ掛けとなる起点がないため、短冊状の剥離用テープ50を固定して剥離の起点とする。剥離用テープ50は、バックグラインドテープ10背面に熱圧着によって強く固定される。 When the back grind tape 10 is peeled off, the peeling tape 50 that serves as a trigger for peeling is fixed to the back surface (base material surface) of the back grind tape 10 (FIG. 3). Since the back grind tape has substantially the same shape as the semiconductor wafer and does not have a starting point for peeling, the strip-shaped peeling tape 50 is fixed as a starting point for peeling. The peeling tape 50 is firmly fixed to the back surface of the back grind tape 10 by thermocompression bonding.

特開2012−209385号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-209385 特開2002−053819号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-0538919 特開2016−72546号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-72546

バックグラインドテープ10に剥離用テープ50を熱圧着する際には、140〜230℃程度に加熱し、圧力を加えて、バックグラインドテープ10背面に剥離用テープ50をヒートシールする。このため、ヒートシール部分に位置するバックグラインドテープの粘着剤層も加熱、加圧される。この結果、エネルギー線照射により硬化した粘着剤層が、加熱、加圧により流動、活性化し、バックグラインドテープの硬化後の粘着剤層と、チップとが熱圧着される。この状態で剥離用テープを起点としてバックグラインドテープ10の剥離を行うと、ヒートシール部およびその近傍で、チップ21がバックグラインドテープ10に固着された状態でバックグラインドテープが剥離し、チップの収率が低下する(図4、図5)。以下、この現象を「チップの転写不良」と呼ぶことがある。 When the peeling tape 50 is thermocompression bonded to the back grind tape 10, the peeling tape 50 is heat-sealed on the back surface of the back grind tape 10 by heating to about 140 to 230 ° C. and applying pressure. Therefore, the adhesive layer of the back grind tape located in the heat seal portion is also heated and pressurized. As a result, the pressure-sensitive adhesive layer cured by energy beam irradiation flows and is activated by heating and pressurizing, and the cured pressure-sensitive adhesive layer of the backgrind tape and the chip are thermocompression-bonded. When the back grind tape 10 is peeled off from the peeling tape as a starting point in this state, the back grind tape is peeled off with the chip 21 fixed to the back grind tape 10 in the heat-sealed portion and its vicinity, and the tip is collected. The rate decreases (FIGS. 4 and 5). Hereinafter, this phenomenon may be referred to as "chip transfer failure".

チップサイズが比較的大きな場合には、バックグラインドテープとチップ表面との剥離は良好に行われたが、チップサイズが小さくなるにつれて、チップがバックグラインドテープの粘着剤層12に埋め込まれ易くなる。この結果、バックグラインドテープからのチップの剥離がより困難になり、チップの転写不良が増大する。さらに、先ダイシング法では、バックグラインドテープの基材11として比較的硬質な基材が用いられることが多い。このため、バックグラインドテープの剥離時に、バックグラインドテープを十分に折り返すことができないことも剥離を困難にし、転写不良を増大する要因となる。 When the chip size was relatively large, the back grind tape and the chip surface were successfully peeled off, but as the chip size became smaller, the chip was more likely to be embedded in the adhesive layer 12 of the back grind tape. As a result, it becomes more difficult to peel the chip from the back grind tape, and transfer defects of the chip increase. Further, in the pre-dicing method, a relatively hard base material is often used as the base material 11 of the back grind tape. Therefore, when the back grind tape is peeled off, the back grind tape cannot be sufficiently folded back, which also makes peeling difficult and causes an increase in transfer defects.

特許文献3では、基材が硬質であるため、粘着テープを折り曲げることが困難になる。このため、剥離角度を鋭角となり、剥離力が強く、剥離に時間が掛かる。 In Patent Document 3, since the base material is hard, it becomes difficult to bend the adhesive tape. Therefore, the peeling angle becomes an acute angle, the peeling force is strong, and it takes time to peel.

したがって、本発明は、特に先ダイシング法を採用した微小半導体チップの製造時に、チップ群20をバックグラインドテープ10から、ピックアップテープまたは接着テープのような他のテープに転写する際に、チップ21の転写不良を低減することを目的としている。また、バックグラインドテープからピックアップテープまたは接着テープのような他のテープへのチップの転写効率を改善することを目的としている。 Therefore, according to the present invention, particularly when the chip group 20 is transferred from the back grind tape 10 to another tape such as a pickup tape or an adhesive tape during the production of a micro semiconductor chip adopting the pre-dicing method, the chip 21 The purpose is to reduce transfer defects. It is also intended to improve the efficiency of chip transfer from back grind tapes to other tapes such as pickup tapes or adhesive tapes.

このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下の通りである。
(1)基材と、その片面に設けられた粘着剤層とを含む粘着テープであって、
前記粘着剤層が、エネルギー線硬化性粘着剤からなり、
前記粘着剤層にシリコンウエハ鏡面を貼付後、粘着剤層にエネルギー線照射して硬化し、さらに圧力0.5N/cm2、210℃で5秒間熱圧着した後の23℃における粘着力が9.0N/25mm以下である粘着テープ。
(2)半導体ウエハ表面に溝が形成された半導体ウエハの表面にバックグラインドテープを貼付して、裏面を研削して、その研削により半導体ウエハを半導体チップに個片化し、その後個片化されたチップ群をピックアップテープまたは接着テープに転写する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記バックグラインドテープとして使用される、(1)に記載の粘着テープ。
(3)半導体ウエハ表面に溝が形成された半導体ウエハの表面にバックグラインドテープを貼付して、裏面を研削して、その研削により半導体ウエハを半導体チップに個片化し、その後個片化されたチップ群をピックアップテープまたは接着テープに転写する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記バックグラインドテープとして(1)に記載の粘着テープを使用する半導体装置の製造方法。
(4)上記(1)に記載の粘着テープの使用であって、半導体ウエハ表面に溝が形成された半導体ウエハの表面にバックグラインドテープを貼付して、裏面を研削して、その研削により半導体ウエハを半導体チップに個片化し、その後個片化されたチップ群をピックアップテープまたは接着テープに転写する工程を含む半導体装置の製造方法における、前記バックグラインドテープとしての使用。
The gist of the present invention for solving such a problem is as follows.
(1) An adhesive tape containing a base material and an adhesive layer provided on one side thereof.
The pressure-sensitive adhesive layer comprises an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive.
After a silicon wafer mirror surface is attached to the pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer is cured by irradiating it with energy rays, and further thermocompression-bonded at a pressure of 0.5 N / cm 2 and 210 ° C. for 5 seconds, and the adhesive strength at 23 ° C. is 9. Adhesive tape of 0.0N / 25mm or less.
(2) A back grind tape was attached to the surface of the semiconductor wafer having grooves formed on the surface of the semiconductor wafer, the back surface was ground, and the semiconductor wafer was fragmented into semiconductor chips by the grinding, and then fragmented. The adhesive tape according to (1), which is used as the backgrinding tape in a method for manufacturing a semiconductor device including a step of transferring a group of chips to a pickup tape or an adhesive tape.
(3) A back grind tape was attached to the surface of the semiconductor wafer having grooves formed on the surface of the semiconductor wafer, the back surface was ground, and the semiconductor wafer was fragmented into semiconductor chips by the grinding, and then fragmented. A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step of transferring a chip group to a pickup tape or an adhesive tape, wherein the adhesive tape according to (1) is used as the backgrinding tape.
(4) In the use of the adhesive tape according to (1) above, a back grind tape is attached to the surface of a semiconductor wafer having grooves formed on the surface of the semiconductor wafer, the back surface is ground, and the semiconductor is ground by the grinding. Use as the backgrinding tape in a method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step of fragmenting a wafer into semiconductor chips and then transferring the fragmented chips to a pickup tape or an adhesive tape.

本発明に係る粘着テープ10によれば、エネルギー線硬化性粘着剤層の硬化後に、剥離用テープ50の熱圧着を行なっても、被着体(半導体チップ)と粘着テープとの粘着力を極めて低いレベルに抑えることで、チップの転写不良を防止できる。 According to the adhesive tape 10 according to the present invention, even if the peeling tape 50 is thermocompression bonded after the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer is cured, the adhesive strength between the adherend (semiconductor chip) and the adhesive tape is extremely strong. By suppressing the level to a low level, it is possible to prevent poor transfer of the chip.

先ダイシング法によりバックグラインドテープ10上にチップ群20を得た状態を示す。A state in which the chip group 20 is obtained on the back grind tape 10 by the pre-dicing method is shown. チップ群20を、バックグラインドテープ10からピックアップテープ30に転写する工程を示す。The process of transferring the chip group 20 from the back grind tape 10 to the pickup tape 30 is shown. バックグラインドテープ10の背面に剥離用テープ50を熱圧着した状態を示す。A state in which the peeling tape 50 is thermocompression bonded to the back surface of the back grind tape 10 is shown. 剥離用テープ50を起点としてバックグランドテープ10を剥離している状態を示す。The state in which the background tape 10 is peeled off from the peeling tape 50 as a starting point is shown. 図4の斜視図を示す。The perspective view of FIG. 4 is shown.

以下、本発明に係る粘着テープについて、具体的に説明する。まず、本明細書で使用する主な用語を説明する。
本明細書において、例えば「(メタ)アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の双方を示す語として用いており、他の類似用語についても同様である。
Hereinafter, the adhesive tape according to the present invention will be specifically described. First, the main terms used in the present specification will be described.
In the present specification, for example, "(meth) acrylate" is used as a term indicating both "acrylate" and "methacrylate", and the same applies to other similar terms.

粘着テープとは、基材と、その片面に設けられた粘着剤層とを含む積層体を意味し、これら以外の他の構成層を含むことを妨げない。たとえば、粘着剤層側の基材表面にはプライマー層(易接着層)が形成されていてもよく、粘着剤層の表面には、使用時まで粘着剤層を保護するための剥離シートが積層されていてもよい。また、基材は単層であってもよく、緩衝層などの機能層を備えた多層であってもよい。粘着剤層も同様である。
半導体ウエハの「表面」とは回路が形成された面を指し、「裏面」は回路が形成されていない面を指す。
半導体ウエハの個片化とは、半導体ウエハを回路毎に分割し、半導体チップを得ることを言う。
The adhesive tape means a laminate including a base material and an adhesive layer provided on one side thereof, and does not prevent the inclusion of other constituent layers other than these. For example, a primer layer (easy-adhesive layer) may be formed on the surface of the base material on the pressure-sensitive adhesive layer side, and a release sheet for protecting the pressure-sensitive adhesive layer is laminated on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer. It may have been done. Further, the base material may be a single layer or may be a multilayer having a functional layer such as a buffer layer. The same applies to the pressure-sensitive adhesive layer.
The "front surface" of the semiconductor wafer refers to the surface on which the circuit is formed, and the "back surface" refers to the surface on which the circuit is not formed.
Fragmentation of a semiconductor wafer means dividing a semiconductor wafer into circuits to obtain a semiconductor chip.

シリコンベアウエハとは、パターン形成などの加工処理を行う前の状態のシリコンウエハであり、表面は鏡面研磨されている。
先ダイシング法とは、ウエハの表面側から所定深さの溝を形成した後、ウエハ裏面側から研削を行い、研削によりウエハを個片化する方法を言う。
The silicon bare wafer is a silicon wafer in a state before processing such as pattern formation, and its surface is mirror-polished.
The pre-dicing method is a method in which a groove having a predetermined depth is formed from the front surface side of the wafer, then grinding is performed from the back surface side of the wafer, and the wafer is separated by grinding.

バックグラインドテープとは、半導体ウエハの裏面研削時にウエハ回路面を保護するために使用される粘着テープであり、特に本明細書では先ダイシング法に好ましく使用される粘着テープを指す。
ピックアップテープとは、チップ群を転写し、チップのピックアップを行うための粘着テープであり、典型的にはダイシングテープと呼ばれる粘着テープ類が用いられる。
接着テープとは、接着剤として機能する薄層を有し、接着剤層を他の被着体に転写するために用いられる各種のテープを意味する。具体的には、フィルム状接着剤と剥離シートとの積層体、ダイシングテープとフィルム状接着剤との積層体や、ダイシングテープとダイボンディングテープの両方の機能を有する接着剤層と剥離シートとからなるダイシング・ダイボンディングテープ等が挙げられる。
The back grind tape is an adhesive tape used to protect the wafer circuit surface when grinding the back surface of a semiconductor wafer, and particularly, in this specification, refers to an adhesive tape preferably used in a pre-dicing method.
The pickup tape is an adhesive tape for transferring a group of chips and picking up the chips, and typically, adhesive tapes called dicing tapes are used.
Adhesive tape means various tapes that have a thin layer that functions as an adhesive and are used to transfer the adhesive layer to another adherend. Specifically, from a laminate of a film-like adhesive and a release sheet, a laminate of a dicing tape and a film-like adhesive, and an adhesive layer and a release sheet having the functions of both a dicing tape and a die bonding tape. Examples include dicing and die bonding tapes.

本発明に係る粘着テープは、上記バックグラインドテープとして特に好ましく用いられる。本発明に係る粘着テープ10は、基材11と、その片面に設けられた粘着剤層12とを含む。以下に、本発明の粘着テープ10の各部材の構成をさらに詳細に説明する。
[基材11]
粘着テープ10の基材11には、バックグラインドテープの基材として使用されている各種の樹脂フィルムが用いられる。
The adhesive tape according to the present invention is particularly preferably used as the back grind tape. The adhesive tape 10 according to the present invention includes a base material 11 and an adhesive layer 12 provided on one side thereof. Hereinafter, the configuration of each member of the adhesive tape 10 of the present invention will be described in more detail.
[Base material 11]
As the base material 11 of the adhesive tape 10, various resin films used as the base material of the back grind tape are used.

以下に本発明で用いられる基材11の一例を詳述するが、これらは単に基材の入手を容易するための記載であって、何ら限定的に解釈されるべきではない。 An example of the base material 11 used in the present invention will be described in detail below, but these are merely descriptions for facilitating the acquisition of the base material and should not be construed in any limited way.

本発明の基材は、たとえば比較的硬質の樹脂フィルムであってもよい。また、基材の片面もしくは両面には、比較的軟質の樹脂フィルムからなる緩衝層が積層されていてもよい。 The base material of the present invention may be, for example, a relatively hard resin film. Further, a buffer layer made of a relatively soft resin film may be laminated on one side or both sides of the base material.

好ましい基材は、ヤング率が1000MPa以上である。ヤング率が1000MPa未満の基材を使用すると、粘着テープによる半導体ウエハ又は半導体チップに対する保持性能が低下し、裏面研削時の振動等を抑制することができず、半導体チップの欠けや破損が発生しやすくなる。一方、基材のヤング率を1000MPa以上とすることで、粘着テープによる半導体ウエハ又は半導体チップに対する保持性能が高まり、裏面研削時の振動等を抑制し、半導体チップの欠けや破損を防止できる。また、粘着テープを半導体チップから剥離する際の応力を小さくすることが可能になり、テープ剥離時に生じるチップ欠けや破損を防止できる。さらに、粘着テープを半導体ウエハに貼付する際の作業性も良好にすることが可能である。このような観点から、基材のヤング率は、好ましくは1800〜30000MPa、より好ましくは2500〜6000MPaである。 A preferred substrate has a Young's modulus of 1000 MPa or more. If a base material having a Young's modulus of less than 1000 MPa is used, the holding performance of the adhesive tape on the semiconductor wafer or semiconductor chip deteriorates, vibration during backside grinding cannot be suppressed, and the semiconductor chip is chipped or damaged. It will be easier. On the other hand, by setting the Young's modulus of the base material to 1000 MPa or more, the holding performance of the adhesive tape on the semiconductor wafer or the semiconductor chip is enhanced, vibration or the like during backside grinding can be suppressed, and chipping or breakage of the semiconductor chip can be prevented. In addition, the stress when the adhesive tape is peeled from the semiconductor chip can be reduced, and the chip chipping or breakage that occurs when the tape is peeled can be prevented. Further, it is possible to improve the workability when the adhesive tape is attached to the semiconductor wafer. From this point of view, the Young's modulus of the base material is preferably 1800 to 30000 MPa, more preferably 2500 to 6000 MPa.

基材11の厚さ(D1)は特に限定されないが、500μm以下であることが好ましく、15〜350μmであることがより好ましく、20〜160μmであることがさらに好ましい。基材の厚さを500μm以下とすることで、粘着テープの剥離力を制御しやすくなる。また、15μm以上とすることで、基材が粘着テープの支持体としての機能を果たしやすくなる。 The thickness (D1) of the base material 11 is not particularly limited, but is preferably 500 μm or less, more preferably 15 to 350 μm, and further preferably 20 to 160 μm. By setting the thickness of the base material to 500 μm or less, it becomes easy to control the peeling force of the adhesive tape. Further, when the thickness is 15 μm or more, the base material easily functions as a support for the adhesive tape.

基材11の材質としては、種々の樹脂フィルムを用いることができる。ここで、ヤング率が1000MPa以上の基材として、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、全芳香族ポリエステル等のポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、二軸延伸ポリプロピレン等の樹脂フィルムが挙げられる。
これら樹脂フィルムの中でも、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、二軸延伸ポリプロピレンフィルムから選ばれる1種以上を含むフィルムが好ましく、ポリエステルフィルムを含むことがより好ましく、ポリエチレンテレフタレートフィルムを含むことがさらに好ましい。
As the material of the base material 11, various resin films can be used. Here, as a base material having a Young ratio of 1000 MPa or more, for example, polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, and total aromatic polyester, polyimide, polyamide, polycarbonate, polyacetal, modified polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, and polysulfone, Examples thereof include resin films such as polyether ketone and biaxially stretched polypropylene.
Among these resin films, a film containing at least one selected from a polyester film, a polyamide film, a polyimide film, and a biaxially stretched polypropylene film is preferable, a polyester film is more preferable, and a polyethylene terephthalate film is further preferable. ..

また、基材には、本発明の効果を損なわない範囲において、可塑剤、滑剤、赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、フィラー、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、触媒等を含有させてもよい。また、基材は、粘着剤層を硬化する際に照射されるエネルギー線に対して透過性を有する。
また、基材の少なくとも一方の表面には、緩衝層及び粘着剤層の少なくとも一方との密着性を向上させるために、コロナ処理等の接着処理を施してもよい。また、基材は、上記した樹脂フィルムと、樹脂フィルムの少なくとも一方の表面に被膜された易接着層(プライマー層)とを有しているものでもよい。
Further, the base material may contain a plasticizer, a lubricant, an infrared absorber, an ultraviolet absorber, a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, a catalyst, etc., as long as the effects of the present invention are not impaired. Good. In addition, the base material has transparency to the energy rays emitted when the pressure-sensitive adhesive layer is cured.
Further, the surface of at least one of the base materials may be subjected to an adhesive treatment such as a corona treatment in order to improve the adhesion with at least one of the buffer layer and the pressure-sensitive adhesive layer. Further, the base material may have the above-mentioned resin film and an easy-adhesion layer (primer layer) coated on at least one surface of the resin film.

易接着層を形成する易接着層形成用組成物としては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステルウレタン系樹脂、アクリル系樹脂等を含む組成物が挙げられる。易接着層形成用組成物には、必要に応じて、架橋剤、光重合開始剤、酸化防止剤、軟化剤(可塑剤)、充填剤、防錆剤、顔料、染料等を含有してもよい。
易接着層の厚さとしては、好ましくは0.01〜10μm、より好ましくは0.03〜5μmである。なお、易接着層の厚さは、基材の厚さに対して小さく、材質も柔らかいため、ヤング率に与える影響は小さく、基材のヤング率は、易接着層を有する場合でも、樹脂フィルムのヤング率と実質的に同一である。
The composition for forming the easy-adhesive layer for forming the easy-adhesive layer is not particularly limited, and examples thereof include compositions containing a polyester resin, a urethane resin, a polyester urethane resin, an acrylic resin, and the like. The composition for forming an easy-adhesive layer may contain a cross-linking agent, a photopolymerization initiator, an antioxidant, a softening agent (plasticizer), a filler, a rust preventive, a pigment, a dye, etc., if necessary. Good.
The thickness of the easy-adhesion layer is preferably 0.01 to 10 μm, more preferably 0.03 to 5 μm. Since the thickness of the easy-adhesion layer is small with respect to the thickness of the base material and the material is soft, the influence on the Young's modulus is small, and the Young's modulus of the base material is the resin film even when the easy-adhesion layer is provided. It is substantially the same as Young's modulus of.

[緩衝層]
上記基材11の片面もしくは両面には、緩衝層が設けられていても良い。緩衝層は、比較的軟質の樹脂フィルムからなり、半導体ウエハの研削による振動を緩和して、半導体ウエハに割れ及び欠けが生じることを防止する。また、粘着テープを貼付した半導体ウエハは、裏面研削時に、吸着テーブル上に配置されるが、粘着テープは緩衝層を設けたことで、吸着テーブルに適切に保持されやすくなる。
[Cushioning layer]
A buffer layer may be provided on one side or both sides of the base material 11. The cushioning layer is made of a relatively soft resin film, which alleviates vibration caused by grinding the semiconductor wafer and prevents the semiconductor wafer from cracking and chipping. Further, the semiconductor wafer to which the adhesive tape is attached is placed on the suction table at the time of backside grinding, but the adhesive tape is easily held on the suction table by providing the cushioning layer.

緩衝層の厚さ(D2)は、8〜80μmであることが好ましく、10〜60μmであることがさらに好ましい。 The thickness (D2) of the buffer layer is preferably 8 to 80 μm, more preferably 10 to 60 μm.

緩衝層は、ポリプロピレンフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、エチレン(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、LDPEフィルム、LLDPEフィルムが好ましい。また、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層であってもよい。緩衝層を有する基材は、基材と上記のフィルムとをラミネートして得られる。また、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物を上記基材上に塗工、硬化して緩衝層を形成することも好ましい態様である。エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物は、エネルギー線重合性化合物を含むことで、エネルギー線が照射されることで硬化し、緩衝層を形成する。なお、「エネルギー線」とは、紫外線、電子線等を指し、好ましくは紫外線を使用する。 The buffer layer includes polypropylene film, ethylene-vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene (meth) acrylic acid ester copolymer film, LDPE film, and LLDPE film. preferable. Further, it may be a layer formed from a composition for forming a buffer layer containing an energy ray-polymerizable compound. The base material having a buffer layer is obtained by laminating the base material and the above film. Further, it is also a preferable embodiment that a composition for forming a buffer layer containing an energy ray-polymerizable compound is applied onto the base material and cured to form a buffer layer. The composition for forming a buffer layer containing an energy ray-polymerizable compound contains the energy ray-polymerizable compound and is cured by being irradiated with energy rays to form a buffer layer. The "energy ray" refers to ultraviolet rays, electron beams, etc., and preferably ultraviolet rays are used.

また、緩衝層形成用組成物は、より具体的には、ウレタン(メタ)アクリレート(a1)、環形成原子数6〜20の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物(a2)を含むことが好ましい。緩衝層形成用組成物は、上記(a1)及び(a2)成分に加えて、官能基を有する重合性化合物(a3)を含有することがより好ましい。
また、緩衝層形成用組成物は、上記(a1)及び(a2)又は(a1)〜(a3)成分に加えて、光重合開始剤を含有することがさらに好ましく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤や樹脂成分を含有してもよい。
以下、緩衝層形成用組成物中に含まれる各成分について詳細に説明する。
More specifically, the composition for forming a buffer layer contains urethane (meth) acrylate (a1) and a polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or a heterocyclic group having 6 to 20 ring-forming atoms. Is preferable. It is more preferable that the composition for forming a buffer layer contains a polymerizable compound (a3) having a functional group in addition to the above components (a1) and (a2).
Further, the composition for forming a buffer layer preferably contains a photopolymerization initiator in addition to the above components (a1) and (a2) or (a1) to (a3), and does not impair the effects of the present invention. In the range, other additives and resin components may be contained.
Hereinafter, each component contained in the composition for forming a buffer layer will be described in detail.

(ウレタン(メタ)アクリレート(a1))
ウレタン(メタ)アクリレート(a1)としては、少なくとも(メタ)アクリロイル基及びウレタン結合を有する化合物であり、エネルギー線照射により重合硬化する性質を有するものである。ウレタン(メタ)アクリレート(a1)は、オリゴマーまたはポリマーである。
(Urethane (meth) acrylate (a1))
The urethane (meth) acrylate (a1) is a compound having at least a (meth) acryloyl group and a urethane bond, and has a property of being polymerized and cured by irradiation with energy rays. Urethane (meth) acrylate (a1) is an oligomer or polymer.

成分(a1)の質量平均分子量(Mw)は、好ましくは1,000〜100,000、より好ましくは2,000〜60,000、更に好ましくは3,000〜20,000である。なお、質量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で測定されるポリスチレン換算の値であり、具体的には以下の条件で測定される。
(測定条件)
・カラム:「TSK guard column HXL−H」「TSK gel GMHXL(×2)」「TSK gel G2000HXL」(いずれも東ソー株式会社製)
・カラム温度:40℃
・展開溶媒:テトラヒドロフラン
・流速:1.0mL/min
また、成分(a1)中の(メタ)アクリロイル基数(以下、「官能基数」ともいう)としては、単官能、2官能、もしくは3官能以上でもよいが、単官能又は2官能であることが好ましい。
成分(a1)は、例えば、ポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリレートを反応させて得ることができる。なお、成分(a1)は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
The mass average molecular weight (Mw) of the component (a1) is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 60,000, and even more preferably 3,000 to 20,000. The mass average molecular weight (Mw) is a polystyrene-equivalent value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method, and is specifically measured under the following conditions.
(Measurement condition)
-Column: "TSK guard colon HXL-H""TSK gel GMHXL (x2)""TSK gel G2000HXL" (all manufactured by Tosoh Corporation)
-Column temperature: 40 ° C
・ Developing solvent: tetrahydrofuran ・ Flow rate: 1.0 mL / min
The number of (meth) acryloyl groups (hereinafter, also referred to as “functional number”) in the component (a1) may be monofunctional, bifunctional, or trifunctional or higher, but is preferably monofunctional or bifunctional. ..
The component (a1) can be obtained, for example, by reacting a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound with a polyhydric isocyanate compound with a (meth) acrylate having a hydroxyl group. The component (a1) may be used alone or in combination of two or more.

成分(a1)の原料となるポリオール化合物は、ヒドロキシ基を2つ以上有する化合物であれば特に限定されない。具体的なポリオール化合物としては、例えば、アルキレンジオール、ポリエーテル型ポリオール、ポリエステル型ポリオール、ポリカーボネート型ポリオール等が挙げられる。これらの中でも、ポリエステル型ポリオールが好ましい。
なお、ポリオール化合物としては、2官能のジオール、3官能のトリオール、4官能以上のポリオールのいずれであってもよいが、2官能のジオールが好ましく、ポリエステル型ジオールがより好ましい。
The polyol compound used as a raw material for the component (a1) is not particularly limited as long as it is a compound having two or more hydroxy groups. Specific examples of the polyol compound include alkylene diols, polyether-type polyols, polyester-type polyols, and polycarbonate-type polyols. Among these, polyester type polyol is preferable.
The polyol compound may be any of a bifunctional diol, a trifunctional triol, and a tetrafunctional or higher functional polyol, but a bifunctional diol is preferable, and a polyester type diol is more preferable.

多価イソシアネート化合物としては、例えば、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族系ポリイソシアネート類;イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−2,4’−ジイソシアネート、ω,ω’−ジイソシアネートジメチルシクロヘキサン等の脂環族系ジイソシアネート類;4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、テトラメチレンキシリレンジイソシアネート、ナフタレン−1,5−ジイソシアネート等の芳香族系ジイソシアネート類等が挙げられる。
これらの中でも、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートが好ましい。
Examples of the polyisocyanate compound include aliphatic polyisocyanates such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and trimethylhexamethylene diisocyanate; isophorone diisocyanate, norbornan diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, and dicyclohexylmethane-2. , 4'-diisocyanate, ω, ω'-diisocyanate Diisocyanate diisocyanates such as dimethylcyclohexane; 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, trizine diisocyanate, tetramethylene xylylene diisocyanate, naphthalene- Examples thereof include aromatic diisocyanates such as 1,5-diisocyanate.
Among these, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and xylylene diisocyanate are preferable.

上述のポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレートを反応させてウレタン(メタ)アクリレート(a1)を得ることができる。ヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレートとしては、少なくとも1分子中にヒドロキシ基及び(メタ)アクリロイル基を有する化合物であれば、特に限定されない。 Urethane (meth) acrylate (a1) can be obtained by reacting a (meth) acrylate having a hydroxy group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting the above-mentioned polyol compound with a polyhydric isocyanate compound. The (meth) acrylate having a hydroxy group is not particularly limited as long as it is a compound having a hydroxy group and a (meth) acryloyl group in at least one molecule.

ヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレートとしては、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシシクロヘキシル(メタ)アクリレート、5−ヒドロキシシクロオクチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェニルオキシプロピル(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート;N−メチロール(メタ)アクリルアミド等のヒドロキシ基含有(メタ)アクリルアミド;ビニルアルコール、ビニルフェノール、ビスフェノールAのジグリシジルエステルに(メタ)アクリル酸を反応させて得られる反応物等が挙げられる。
これらの中でも、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートが好ましく、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートがより好ましい。
Examples of the (meth) acrylate having a hydroxy group include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 4-hydroxycyclohexyl (meth) acrylate, and 5 -Hydroxycyclooctyl (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-phenyloxypropyl (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate and other hydroxyalkyl (Meta) acrylate; Hydroxyl group-containing (meth) acrylamide such as N-methylol (meth) acrylamide; Reactant obtained by reacting diglycidyl ester of vinyl alcohol, vinylphenol, bisphenol A with (meth) acrylic acid, etc. Can be mentioned.
Among these, hydroxyalkyl (meth) acrylate is preferable, and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate is more preferable.

末端イソシアネートウレタンプレポリマー及びヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレートを反応させる条件としては、必要に応じて添加される溶剤、触媒の存在下、60〜100℃で、1〜4時間反応させる条件が好ましい。
緩衝層形成用組成物中の成分(a1)の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量(100質量%)に対して、好ましくは10〜70質量%、より好ましくは20〜60質量%、更に好ましくは25〜55質量%、より更に好ましくは30〜50質量%である。
The conditions for reacting the terminal isocyanate urethane prepolymer and the (meth) acrylate having a hydroxy group are preferably conditions of reacting at 60 to 100 ° C. for 1 to 4 hours in the presence of a solvent and a catalyst added as necessary. ..
The content of the component (a1) in the buffer layer forming composition is preferably 10 to 70% by mass, more preferably 20 to 60% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the buffer layer forming composition. , More preferably 25 to 55% by mass, and even more preferably 30 to 50% by mass.

(環形成原子数6〜20の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物(a2))
成分(a2)は、環形成原子数6〜20の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物であり、少なくとも1つの(メタ)アクリロイル基を有する化合物であることが好ましい。この成分(a2)を用いることで、得られる緩衝層形成用組成物の成膜性を向上させることができる。
(Polymeric compound (a2) having an alicyclic group or a heterocyclic group having 6 to 20 ring-forming atoms)
The component (a2) is a polymerizable compound having an alicyclic group or a heterocyclic group having 6 to 20 ring-forming atoms, and is preferably a compound having at least one (meth) acryloyl group. By using this component (a2), the film forming property of the obtained buffer layer forming composition can be improved.

成分(a2)が有する脂環基又は複素環基の環形成原子数は、好ましくは6〜20であるが、より好ましくは6〜18、更に好ましくは6〜16、特に好ましくは7〜12である。当該複素環基の環構造を形成する原子としては、例えば、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。
なお、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造の化合物の当該環自体を構成する原子の数を表し、環を構成しない原子(例えば、環を構成する原子に結合した水素原子)や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。
The number of ring-forming atoms of the alicyclic group or the heterocyclic group contained in the component (a2) is preferably 6 to 20, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 16, and particularly preferably 7 to 12. is there. Examples of the atom forming the ring structure of the heterocyclic group include a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom and the like.
The number of ring-forming atoms represents the number of atoms constituting the ring itself of a compound having a structure in which atoms are cyclically bonded, and atoms not forming a ring (for example, hydrogen atoms bonded to atoms constituting the ring). Or, the atoms included in the substituent when the ring is substituted by the substituent are not included in the number of ring-forming atoms.

具体的な成分(a2)としては、例えば、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、アダマンタン(メタ)アクリレート等の脂環基含有(メタ)アクリレート;テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、モルホリン(メタ)アクリレート等の複素環基含有(メタ)アクリレート;等が挙げられる。
なお、成分(a2)は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの中でも、脂環基含有(メタ)アクリレートが好ましく、イソボルニル(メタ)アクリレートがより好ましい。
Specific components (a2) include, for example, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxy (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, and the like. Alicyclic group-containing (meth) acrylates such as adamantan (meth) acrylate; heterocyclic group-containing (meth) acrylates such as tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate and morpholin (meth) acrylate; and the like can be mentioned.
The component (a2) may be used alone or in combination of two or more.
Among these, alicyclic group-containing (meth) acrylate is preferable, and isobornyl (meth) acrylate is more preferable.

緩衝層形成用組成物中の成分(a2)の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量(100質量%)に対して、好ましくは10〜70質量%、より好ましくは20〜60質量%、更に好ましくは25〜55質量%、特に好ましくは30〜50質量%である。 The content of the component (a2) in the buffer layer forming composition is preferably 10 to 70% by mass, more preferably 20 to 60% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the buffer layer forming composition. , More preferably 25 to 55% by mass, and particularly preferably 30 to 50% by mass.

(官能基を有する重合性化合物(a3))
成分(a3)は、水酸基、エポキシ基、アミド基、アミノ基等の官能基を含有する重合性化合物であり、さらには、少なくとも1つの(メタ)アクリロイル基を有する化合物であることが好ましい。
成分(a3)は、成分(a1)との相溶性が良好であり、緩衝層形成用組成物の粘度を適度は範囲に調整しやすくする。また、成分(a3)を含有すると、緩衝層を比較的薄くしても緩衝性能が良好になる。
成分(a3)としては、例えば、水酸基含有(メタ)アクリレート、エポキシ基含有化合物、アミド基含有化合物、アミノ基含有(メタ)アクリレート等が挙げられる。
(Polymerizable compound having a functional group (a3))
The component (a3) is a polymerizable compound containing a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, and an amino group, and more preferably a compound having at least one (meth) acryloyl group.
The component (a3) has good compatibility with the component (a1), and makes it easy to adjust the viscosity of the buffer layer forming composition to an appropriate range. Further, when the component (a3) is contained, the buffering performance is improved even if the buffering layer is made relatively thin.
Examples of the component (a3) include a hydroxyl group-containing (meth) acrylate, an epoxy group-containing compound, an amide group-containing compound, and an amino group-containing (meth) acrylate.

水酸基含有(メタ)アクリレートとしては、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、フェニルヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
エポキシ基含有化合物としては、例えば、グリシジル(メタ)アクリレート、メチルグリシジル(メタ)アクリレート、アリルグリシジルエーテル等が挙げられ、これらの中では、グリシジル(メタ)アクリレート、メチルグリシジル(メタ)アクリレート等のエポキシ基含有(メタ)アクリレートが好ましい。
アミド基含有化合物としては、例えば、(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、N−ブチル(メタ)アクリルアミド、N−メチロール(メタ)アクリルアミド、N−メチロールプロパン(メタ)アクリルアミド、N−メトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−ブトキシメチル(メタ)アクリルアミド等が挙げられる。
アミノ基含有(メタ)アクリレートとしては、例えば、第1級アミノ基含有(メタ)アクリレート、第2級アミノ基含有(メタ)アクリレート、第3級アミノ基含有(メタ)アクリレート等が挙げられる。
Examples of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 3-hydroxy. Examples thereof include butyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, and phenylhydroxypropyl (meth) acrylate.
Examples of the epoxy group-containing compound include glycidyl (meth) acrylate, methyl glycidyl (meth) acrylate, and allyl glycidyl ether, and among these, epoxy such as glycidyl (meth) acrylate and methyl glycidyl (meth) acrylate. Group-containing (meth) acrylates are preferred.
Examples of the amide group-containing compound include (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N-butyl (meth) acrylamide, N-methylol (meth) acrylamide, N-methylolpropane (meth) acrylamide, and N. Examples thereof include -methoxymethyl (meth) acrylamide and N-butoxymethyl (meth) acrylamide.
Examples of the amino group-containing (meth) acrylate include a primary amino group-containing (meth) acrylate, a secondary amino group-containing (meth) acrylate, and a tertiary amino group-containing (meth) acrylate.

これらの中でも、水酸基含有(メタ)アクリレートが好ましく、フェニルヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等の芳香環を有する水酸基含有(メタ)アクリレートがより好ましい。
なお、成分(a3)は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Among these, a hydroxyl group-containing (meth) acrylate is preferable, and a hydroxyl group-containing (meth) acrylate having an aromatic ring such as phenylhydroxypropyl (meth) acrylate is more preferable.
The component (a3) may be used alone or in combination of two or more.

緩衝層形成用組成物中の成分(a3)の含有量は、緩衝層形成用組成物の成膜性を向上させるために、緩衝層形成用組成物の全量(100質量%)に対して、好ましくは5〜40質量%、より好ましくは7〜35質量%、更に好ましくは10〜30質量%、特に好ましくは13〜25質量%である。
また、緩衝層形成用組成物中の成分(a2)と成分(a3)との含有量比〔(a2)/(a3)〕は、好ましくは0.5〜3.0、より好ましくは1.0〜3.0、更に好ましくは1.3〜3.0、特に好ましくは1.5〜2.8である。
The content of the component (a3) in the buffer layer forming composition is based on the total amount (100% by mass) of the buffer layer forming composition in order to improve the film forming property of the buffer layer forming composition. It is preferably 5 to 40% by mass, more preferably 7 to 35% by mass, still more preferably 10 to 30% by mass, and particularly preferably 13 to 25% by mass.
The content ratio [(a2) / (a3)] of the component (a2) to the component (a3) in the buffer layer forming composition is preferably 0.5 to 3.0, more preferably 1. It is 0 to 3.0, more preferably 1.3 to 3.0, and particularly preferably 1.5 to 2.8.

(成分(a1)〜(a3)以外の重合性化合物)
緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、上記の成分(a1)〜(a3)以外のその他の重合性化合物を含有してもよい。
その他の重合性化合物としては、例えば、炭素数1〜20のアルキル基を有するアルキル(メタ)アクリレート;スチレン、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、N−ビニルホルムアミド、N−ビニルピロリドン、N−ビニルカプロラクタム等のビニル化合物:等が挙げられる。なお、これらのその他の重合性化合物は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(Polymerizable compounds other than components (a1) to (a3))
The composition for forming a buffer layer may contain other polymerizable compounds other than the above-mentioned components (a1) to (a3) as long as the effects of the present invention are not impaired.
Other polymerizable compounds include, for example, alkyl (meth) acrylates having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; styrene, hydroxyethyl vinyl ether, hydroxybutyl vinyl ether, N-vinylformamide, N-vinylpyrrolidone, N-vinylcaprolactam. Vinyl compounds such as: and the like. In addition, these other polymerizable compounds may be used alone or in combination of 2 or more types.

緩衝層形成用組成物中のその他の重合性化合物の含有量は、好ましくは0〜20質量%、より好ましくは0〜10質量%、更に好ましくは0〜5質量%、特に好ましくは0〜2質量%である。 The content of the other polymerizable compound in the buffer layer forming composition is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 10% by mass, still more preferably 0 to 5% by mass, and particularly preferably 0 to 2. It is mass%.

(光重合開始剤)
緩衝層形成用組成物には、緩衝層を形成する際、光照射による重合時間を短縮させ、また、光照射量を低減させる観点から、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。
光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物、さらには、アミンやキノン等の光増感剤等が挙げられ、より具体的には、例えば、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、8−クロールアンスラキノン、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキシド等が挙げられる。
これらの光重合開始剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
緩衝層形成用組成物中の光重合開始剤の含有量は、エネルギー線重合性化合物の合計量100質量部に対して、好ましくは0.05〜15質量部、より好ましくは0.1〜10質量部、更に好ましくは0.3〜5質量部である。
(Photopolymerization initiator)
The composition for forming a buffer layer preferably further contains a photopolymerization initiator from the viewpoint of shortening the polymerization time by light irradiation and reducing the amount of light irradiation when forming the buffer layer.
Examples of the photopolymerization initiator include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphinoxide compounds, titanosen compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. Specifically, for example, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzylphenyl sulfate, etc. Examples thereof include tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyrolnitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloranthraquinone, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide and the like.
These photopolymerization initiators can be used alone or in combination of two or more.
The content of the photopolymerization initiator in the buffer layer forming composition is preferably 0.05 to 15 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the energy ray-polymerizable compound. It is by mass, more preferably 0.3 to 5 parts by mass.

(その他の添加剤)
緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤(可塑剤)、充填剤、防錆剤、顔料、染料等が挙げられる。これらの添加剤を配合する場合、緩衝層形成用組成物中の各添加剤の含有量は、エネルギー線重合性化合物の合計量100質量部に対して、好ましくは0.01〜6質量部、より好ましくは0.1〜3質量部である。
(Other additives)
The composition for forming a buffer layer may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired. Examples of other additives include antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, dyes and the like. When these additives are blended, the content of each additive in the buffer layer forming composition is preferably 0.01 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the energy ray-polymerizable compound. More preferably, it is 0.1 to 3 parts by mass.

(樹脂成分)
緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、樹脂成分を含有してもよい。樹脂成分としては、例えば、ポリエン・チオール系樹脂や、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、及びスチレン系共重合体等の熱可塑性樹脂等が挙げられる。
緩衝層形成用組成物中のこれらの樹脂成分の含有量は、好ましくは0〜20質量%、より好ましくは0〜10質量%、更に好ましくは0〜5質量%、特に好ましくは0〜2質量%である。
(Resin component)
The composition for forming a buffer layer may contain a resin component as long as the effects of the present invention are not impaired. Examples of the resin component include polyene-thiol-based resins, polyolefin-based resins such as polybutene, polybutadiene, and polymethylpentene, and thermoplastic resins such as styrene-based copolymers.
The content of these resin components in the composition for forming a buffer layer is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 10% by mass, still more preferably 0 to 5% by mass, and particularly preferably 0 to 2% by mass. %.

[粘着剤層12]
粘着剤層12は、上記基材11の一方の面に直接または緩衝層を介して形成されている。本発明では、粘着剤層がエネルギー線硬化性粘着剤からなり、粘着剤層にシリコンウエハ鏡面を貼付後、粘着剤層にエネルギー線照射して硬化し、さらに圧力0.5N/cm2、210℃で5秒間熱圧着した後の23℃における、シリコンウエハ鏡面と粘着剤層との間の粘着力が9.0N/25mm以下であることを特徴としている。
以下では、上記の粘着力を「熱圧着後粘着力」と呼ぶことがある。
[Adhesive layer 12]
The pressure-sensitive adhesive layer 12 is formed on one surface of the base material 11 directly or via a buffer layer. In the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer is made of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, and after the silicon wafer mirror surface is attached to the pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer is cured by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with energy rays, and the pressure is 0.5 N / cm 2 , 210. It is characterized in that the adhesive force between the silicon wafer mirror surface and the adhesive layer at 23 ° C. after thermocompression bonding at ° C. for 5 seconds is 9.0 N / 25 mm or less.
Hereinafter, the above-mentioned adhesive force may be referred to as "adhesive force after thermocompression bonding".

熱圧着後粘着力は、粘着剤の組成によって制御できる。熱圧着後粘着力を制御するための一般的な指針については後述する。
熱圧着後粘着力は、好ましくは0.001〜7N/25mm、さらに好ましくは0.1〜1N/25mmの範囲にある。熱圧着後粘着力が上記範囲にあることで、粘着剤層の硬化後であってもチップ群20を安定して保持することができ、かつピックアップテープ30または接着テープへのチップ群の転写時には、粘着剤層をチップ群から容易に残渣物を残すことなく剥離できる。熱圧着後粘着力を測定する際には、粘着剤をエネルギー線照射により完全に硬化する。すなわち、さらにエネルギー線照射を行っても、粘着力の変化が起らない程度にまで硬化する。この際、粘着テープの基材側表面には、後に説明する剥離用テープ50を同時に熱圧着する。剥離用テープ50は剥離の起点となり、また測定装置の係合にも使用される。なお、後述の熱圧着後粘着力の測定では、剥離の進行に伴い、測定される粘着力が変動することがある。本発明では、粘着テープ10の剥離が完了するまでの最大値を熱圧着後粘着力と呼ぶ。
The adhesive force after thermocompression bonding can be controlled by the composition of the adhesive. A general guideline for controlling the adhesive force after thermocompression bonding will be described later.
The adhesive strength after thermocompression bonding is preferably in the range of 0.001 to 7 N / 25 mm, more preferably 0.1 to 1 N / 25 mm. When the adhesive strength after thermocompression bonding is within the above range, the chip group 20 can be stably held even after the pressure-sensitive adhesive layer is cured, and when the chip group is transferred to the pickup tape 30 or the adhesive tape. , The adhesive layer can be easily peeled off from the chip group without leaving a residue. When measuring the adhesive strength after thermocompression bonding, the adhesive is completely cured by irradiation with energy rays. That is, even if further energy ray irradiation is performed, the material is cured to the extent that the adhesive strength does not change. At this time, the peeling tape 50, which will be described later, is thermocompression bonded to the surface of the adhesive tape on the substrate side at the same time. The peeling tape 50 serves as a starting point for peeling and is also used for engaging the measuring device. In the measurement of the adhesive force after thermocompression bonding described later, the measured adhesive force may fluctuate as the peeling progresses. In the present invention, the maximum value until the peeling of the adhesive tape 10 is completed is called the adhesive force after thermocompression bonding.

一般的に硬化後の粘着剤は、常温での粘着力は低下するが、熱圧着を行うと被着体に強固に接着し、剥離が困難になる傾向がある。しかし、本発明の粘着剤は、硬化後に熱圧着を行っても、粘着力が過度に上がらず、比較的低い粘着力を維持する。熱圧着後粘着力が上記範囲にあることで、剥離用テープ50を高温で熱圧着しても、チップ等が粘着剤層に埋め込まれず、チップの転写不良を大幅に低減できる。 Generally, the adhesive after curing has a reduced adhesive strength at room temperature, but when thermocompression bonding is performed, it adheres firmly to the adherend and tends to be difficult to peel off. However, the pressure-sensitive adhesive of the present invention does not excessively increase the adhesive strength even when thermocompression bonding is performed after curing, and maintains a relatively low adhesive strength. Since the adhesive strength after thermocompression bonding is within the above range, even if the peeling tape 50 is thermocompression bonded at a high temperature, the chips and the like are not embedded in the adhesive layer, and transfer defects of the chips can be significantly reduced.

また粘着剤のエネルギー線硬化前の23℃における貯蔵弾性率が0.05〜0.50MPaであるものが好ましい。さらに、エネルギー線硬化前の23℃における損失正接(tanδ=損失弾性率/貯蔵弾性率)は、好ましくは0.2以上である。半導体ウエハの表面には、回路等が形成され通常凹凸がある。粘着テープは、粘着剤の貯蔵弾性率およびtanδが上記範囲内にあることで、凹凸があるウエハ表面に貼付される際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ、かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能になる。そのため、粘着テープの半導体ウエハへの固定を確実に行い、かつ裏面研削時にウエハ表面を適切に保護することが可能になる。これらの観点から、粘着剤のエネルギー線硬化前の23℃における貯蔵弾性率は、0.10〜0.35MPaであることがより好ましい。 Further, it is preferable that the storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive at 23 ° C. before energy ray curing is 0.05 to 0.50 MPa. Further, the loss tangent (tan δ = loss modulus / storage modulus) at 23 ° C. before the energy ray curing is preferably 0.2 or more. Circuits and the like are formed on the surface of the semiconductor wafer and are usually uneven. The adhesive tape has the storage elastic modulus and tan δ of the adhesive within the above ranges, so that when the adhesive tape is attached to the uneven wafer surface, the unevenness of the wafer surface and the adhesive layer are sufficiently brought into contact with each other, and the adhesive It becomes possible to appropriately exert the adhesiveness of the layer. Therefore, the adhesive tape can be reliably fixed to the semiconductor wafer, and the wafer surface can be appropriately protected during backside grinding. From these viewpoints, the storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive at 23 ° C. before energy ray curing is more preferably 0.10 to 0.35 MPa.

また、硬化後の粘着剤の200℃における貯蔵弾性率E’200が1.5MPa以上であることが好ましい。以下、粘着剤の硬化後の200℃における貯蔵弾性率を、硬化後貯蔵弾性率とよぶことがある。Further, it is preferable that the storage elastic modulus E '200 at 200 ° C. after curing of the adhesive is not less than 1.5 MPa. Hereinafter, the storage elastic modulus at 200 ° C. after curing of the pressure-sensitive adhesive may be referred to as the storage elastic modulus after curing.

硬化後貯蔵弾性率は、さらに好ましくは2.0〜100MPa、特に好ましくは2.5〜70MPaの範囲にある。硬化後貯蔵弾性率E’200が上記範囲にあることで、粘着剤層の硬化後であってもチップ群20を安定して保持することができ、かつピックアップテープ30または接着テープへのチップ群の転写時には、粘着剤層をチップ群から容易に残渣物を残すことなく剥離できる。硬化後貯蔵弾性率を測定する際には、粘着剤をエネルギー線照射により完全に硬化する。すなわち、さらにエネルギー線照射を行っても、弾性率の変化が起らない程度にまで硬化する。一般的に硬化後の粘着剤は、常温では比較的貯蔵弾性率が高く、高温になるにつれて貯蔵弾性率が低下する傾向にある。しかし、本発明の粘着剤は、高温においても高い硬化後貯蔵弾性率を維持する。したがって、剥離用テープ50を熱圧着する際の条件が高温であっても、本発明の粘着テープによれば、硬化後の粘着剤層が軟化し難い。この結果、剥離用テープの高温で熱圧着しても、チップの転写不良を大幅に低減できる。The storage elastic modulus after curing is more preferably in the range of 2.0 to 100 MPa, particularly preferably 2.5 to 70 MPa. After curing storage elastic modulus E '200 is that in the above range, even after curing of the adhesive layer can hold a chip group 20 stably, and chip group to pick the tape 30 or adhesive tape At the time of transfer, the pressure-sensitive adhesive layer can be easily peeled off from the chip group without leaving a residue. When measuring the storage elastic modulus after curing, the adhesive is completely cured by irradiation with energy rays. That is, even if further energy beam irradiation is performed, the product is cured to such an extent that the elastic modulus does not change. Generally, the cured adhesive has a relatively high storage elastic modulus at room temperature, and tends to decrease as the temperature rises. However, the pressure-sensitive adhesive of the present invention maintains a high post-curing modulus of elasticity even at high temperatures. Therefore, according to the adhesive tape of the present invention, the adhesive layer after curing is unlikely to soften even if the conditions for thermocompression bonding the release tape 50 are high. As a result, even if the peeling tape is thermocompression bonded at a high temperature, transfer defects of the chip can be significantly reduced.

また粘着剤層は、エネルギー線硬化前には常温において適度な感圧接着性を有する。エネルギー線硬化前の粘着剤層のシリコンウエハ鏡面に対する23℃での粘着力は、好ましくは10〜1500mN/25mm、さらに好ましくは10〜700mN/25mmの範囲にある。 Further, the pressure-sensitive adhesive layer has an appropriate pressure-sensitive adhesive property at room temperature before the energy ray curing. The adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer before energy ray curing on the mirror surface of the silicon wafer at 23 ° C. is preferably in the range of 10 to 1500 mN / 25 mm, more preferably 10 to 700 mN / 25 mm.

粘着剤層12の厚さ(D3)は、200μm未満であることが好ましく、5〜55μmがより好ましく、10〜50μmがさらに好ましい。粘着剤層をこのように薄くすると、粘着テープにおいて、剛性の低い部分の割合を少なくすることができるため、裏面研削時に生じる半導体チップの欠けを一層防止しやすくなる。 The thickness (D3) of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is preferably less than 200 μm, more preferably 5 to 55 μm, and even more preferably 10 to 50 μm. When the pressure-sensitive adhesive layer is thinned in this way, the proportion of low-rigidity portions of the pressure-sensitive adhesive tape can be reduced, so that it becomes easier to prevent chipping of the semiconductor chip that occurs during backside grinding.

粘着剤層12は、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤等を主剤とするエネルギー線硬化性粘着剤から形成されるが、アクリル系のエネルギー線硬化性粘着剤が好ましい。 The pressure-sensitive adhesive layer 12 is formed of, for example, an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive mainly composed of an acrylic pressure-sensitive adhesive, a urethane-based pressure-sensitive adhesive, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, a silicone-based pressure-sensitive adhesive, or the like. Sex adhesives are preferred.

粘着剤層12は、エネルギー線硬化性粘着剤から形成されることで、エネルギー線照射による硬化前には、23℃における粘着力、弾性率を上記範囲に設定しつつ、硬化後においては粘着力を1000mN/50mm以下に容易に設定することが可能になる。なお、ここで粘着力とは、後述するヒートシール部を除く部分の粘着テープの粘着力をいう。 Since the pressure-sensitive adhesive layer 12 is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive force and elastic modulus at 23 ° C. are set within the above ranges before curing by energy ray irradiation, and the pressure-sensitive adhesive force after curing. Can be easily set to 1000 mN / 50 mm or less. Here, the adhesive strength refers to the adhesive strength of the adhesive tape in the portion excluding the heat-sealing portion described later.

また、粘着剤層12は、エネルギー線硬化後の状態における破断応力が、好ましくは10MPa以上であり、特に好ましくは15MPa以上である。また、エネルギー線硬化後の破断伸度が、好ましくは15%以上であり、特に好ましくは20%以上である。このように、破断応力の値が10MPa以上であり、破断伸度の値が15%以上である場合、エネルギー線硬化性粘着剤層の引張り物性は良好であり、たとえ紫外線等の照射が不十分であり、エネルギー線硬化性粘着剤層が十分に硬化されなかった場合においても、ウエハ上に粘着剤残渣が付着することを防止可能である。 Further, the adhesive layer 12 has a breaking stress of preferably 10 MPa or more, particularly preferably 15 MPa or more in a state after energy ray curing. The elongation at break after energy ray curing is preferably 15% or more, and particularly preferably 20% or more. As described above, when the breaking stress value is 10 MPa or more and the breaking elongation value is 15% or more, the tensile physical properties of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer are good, and even if irradiation with ultraviolet rays or the like is insufficient. Therefore, even when the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer is not sufficiently cured, it is possible to prevent the pressure-sensitive adhesive residue from adhering to the wafer.

以下、粘着剤の具体例について詳述するが、これらは非限定的例示であり、本発明における粘着剤層はこれらに限定的に解釈されるべきではない。
エネルギー線硬化性粘着剤としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(「粘着性樹脂I」ともいう)に加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物(以下、「X型の粘着剤組成物」ともいう)が使用可能である。また、エネルギー線硬化性粘着剤として、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂の側鎖に不飽和基を導入したエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(以下、「粘着性樹脂II」ともいう)を主成分として含み、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含まない粘着剤組成物(以下、「Y型の粘着剤組成物」ともいう)も使用してもよい。
Specific examples of the pressure-sensitive adhesive will be described in detail below, but these are non-limiting examples, and the pressure-sensitive adhesive layer in the present invention should not be construed as being limited to these.
Examples of the energy ray-curable adhesive include an energy ray-curable adhesive containing an energy ray-curable compound other than the adhesive resin in addition to a non-energy ray-curable adhesive resin (also referred to as “adhesive resin I”). An agent composition (hereinafter, also referred to as “X-type pressure-sensitive adhesive composition”) can be used. Further, as an energy ray-curable adhesive, an energy ray-curable adhesive resin (hereinafter, also referred to as "adhesive resin II") in which an unsaturated group is introduced into the side chain of a non-energy ray-curable adhesive resin is used. A pressure-sensitive adhesive composition (hereinafter, also referred to as “Y-type pressure-sensitive adhesive composition”) containing as a main component and not containing an energy ray-curable compound other than a pressure-sensitive adhesive resin may also be used.

さらに、エネルギー線硬化性粘着剤としては、X型とY型の併用型、すなわち、エネルギー線硬化性の粘着性樹脂IIに加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物も含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物(以下、「XY型の粘着剤組成物」ともいう)を使用してもよい。
これらの中では、XY型の粘着剤組成物を使用することが好ましい。XY型のものを使用することで、硬化前においては十分な粘着特性を有する一方で、硬化後においては、半導体ウエハに対する粘着力を十分に低くすることが可能である。
Further, as the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, an energy ray-curable adhesive containing both X-type and Y-type, that is, an energy ray-curable adhesive resin II and an energy ray-curable compound other than the adhesive resin. A pressure-sensitive adhesive composition (hereinafter, also referred to as “XY type pressure-sensitive adhesive composition”) may be used.
Among these, it is preferable to use an XY type pressure-sensitive adhesive composition. By using the XY type, it is possible to have sufficient adhesive properties before curing, but to sufficiently reduce the adhesive force to the semiconductor wafer after curing.

なお、以下の説明において“粘着性樹脂”は、上記した粘着性樹脂I及び粘着性樹脂IIの一方又は両方を指す用語として使用する。具体的な粘着性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂等が挙げられるが、アクリル系樹脂が好ましい。
以下、粘着性樹脂として、アクリル系樹脂が使用されるアクリル系粘着剤についてより詳述に説明する。
In the following description, "adhesive resin" is used as a term referring to one or both of the above-mentioned adhesive resin I and adhesive resin II. Specific examples of the adhesive resin include acrylic resin, urethane resin, rubber resin, silicone resin and the like, but acrylic resin is preferable.
Hereinafter, the acrylic pressure-sensitive adhesive in which an acrylic resin is used as the pressure-sensitive adhesive resin will be described in more detail.

アクリル系樹脂には、アクリル系重合体(b)が使用される。アクリル系重合体(b)は、少なくともアルキル(メタ)アクリレートを含むモノマーを重合して得たものであり、アルキル(メタ)アクリレート由来の構成単位を含む。アルキル(メタ)アクリレートとしては、アルキル基の炭素数が1〜20のものが挙げられ、アルキル基は直鎖であってもよいし、分岐であってもよい。アルキル(メタ)アクリレートの具体例としては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)メタクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、n−オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート等が挙げられる。アルキル(メタ)アクリレートは、単独で又は2種以上組み合わせて用いてもよい。 As the acrylic resin, the acrylic polymer (b) is used. The acrylic polymer (b) is obtained by polymerizing a monomer containing at least an alkyl (meth) acrylate, and contains a structural unit derived from the alkyl (meth) acrylate. Examples of the alkyl (meth) acrylate include those having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and the alkyl group may be linear or branched. Specific examples of alkyl (meth) acrylates include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) methacrylate, and 2-ethylhexyl (meth). ) Acrylate, n-octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate and the like. The alkyl (meth) acrylate may be used alone or in combination of two or more.

また、アクリル系重合体(b)は、粘着剤層の粘着力を向上させる観点から、アルキル基の炭素数が4以上であるアルキル(メタ)アクリレート由来の構成単位を含むことが好ましい。該アルキル(メタ)アクリレートの炭素数としては、好ましくは4〜12、更に好ましくは4〜6である。また、アルキル基の炭素数が4以上であるアルキル(メタ)アクリレートは、アルキルアクリレートであることが好ましい。 Further, the acrylic polymer (b) preferably contains a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms from the viewpoint of improving the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer. The alkyl (meth) acrylate has preferably 4 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 6 carbon atoms. The alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms is preferably an alkyl acrylate.

アクリル系重合体(b)において、アルキル基の炭素数が4以上であるアルキル(メタ)アクリレートは、アクリル系重合体(b)を構成するモノマー全量(以下単に“モノマー全量”ともいう)に対して、好ましくは40〜98質量%、より好ましくは45〜95質量%、更に好ましくは50〜90質量%である。 In the acrylic polymer (b), the alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms is based on the total amount of monomers constituting the acrylic polymer (b) (hereinafter, also simply referred to as “total amount of monomers”). It is preferably 40 to 98% by mass, more preferably 45 to 95% by mass, and further preferably 50 to 90% by mass.

アクリル系重合体(b)は、アルキル基の炭素数が4以上であるアルキル(メタ)アクレート由来の構成単位に加えて、粘着剤層の弾性率や粘着特性を調整するために、アルキル基の炭素数が1〜3であるアルキル(メタ)アクリレート由来の構成単位を含む共重合体であることが好ましい。なお、該アルキル(メタ)アクリレートは、炭素数1又は2のアルキル(メタ)アクリレートであることが好ましく、メチル(メタ)アクリレートがより好ましく、メチルメタクリレートが最も好ましい。アクリル系重合体(b)において、アルキル基の炭素数が1〜3であるアルキル(メタ)アクリレートは、モノマー全量に対して、好ましくは1〜30質量%、より好ましくは3〜26質量%、更に好ましくは6〜22質量%である。 The acrylic polymer (b) is composed of an alkyl group in order to adjust the elastic modulus and adhesive properties of the pressure-sensitive adhesive layer, in addition to the structural unit derived from the alkyl (meth) aclate having 4 or more carbon atoms in the alkyl group. A copolymer containing a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate having 1 to 3 carbon atoms is preferable. The alkyl (meth) acrylate is preferably an alkyl (meth) acrylate having 1 or 2 carbon atoms, more preferably methyl (meth) acrylate, and most preferably methyl methacrylate. In the acrylic polymer (b), the alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferably 1 to 30% by mass, more preferably 3 to 26% by mass, based on the total amount of the monomers. More preferably, it is 6 to 22% by mass.

アクリル系重合体(b)は、上記したアルキル(メタ)アクリレート由来の構成単位に加えて、官能基含有モノマー由来の構成単位を有することが好ましい。官能基含有モノマーの官能基としては、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。官能基含有モノマーは、後述の架橋剤と反応し、架橋起点となったり、不飽和基含有化合物と反応して、アクリル系重合体(b)の側鎖に不飽和基を導入させたりすることが可能である。 The acrylic polymer (b) preferably has a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural unit derived from the alkyl (meth) acrylate described above. Examples of the functional group of the functional group-containing monomer include a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, an epoxy group and the like. The functional group-containing monomer reacts with a cross-linking agent described later to serve as a cross-linking starting point, or reacts with an unsaturated group-containing compound to introduce an unsaturated group into the side chain of the acrylic polymer (b). Is possible.

官能基含有モノマーとしては、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。これらのモノマーは、単独で又は2種以上組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましく、水酸基含有モノマーがより好ましい。 Examples of the functional group-containing monomer include a hydroxyl group-containing monomer, a carboxy group-containing monomer, an amino group-containing monomer, and an epoxy group-containing monomer. These monomers may be used alone or in combination of two or more. Among these, a hydroxyl group-containing monomer and a carboxy group-containing monomer are preferable, and a hydroxyl group-containing monomer is more preferable.

水酸基含有モノマーとしては、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート;ビニルアルコール、アリルアルコール等の不飽和アルコール等が挙げられる。 Examples of the hydroxyl group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 3-hydroxybutyl (meth). ) Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as acrylates and 4-hydroxybutyl (meth) acrylates; unsaturated alcohols such as vinyl alcohols and allyl alcohols.

カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸;フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸及びその無水物、2−カルボキシエチルメタクリレート等が挙げられる。 Examples of the carboxy group-containing monomer include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid and crotonic acid; ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, and citraconic acid, and their anhydrides. , 2-Carboxyethyl methacrylate and the like.

官能基モノマーは、アクリル系重合体(b)を構成するモノマー全量に対して、好ましくは1〜35質量%、より好ましくは3〜32質量%、更に好ましくは6〜30質量%である。
また、アクリル系重合体(b)は、上記以外にも、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の上記のアクリル系モノマーと共重合可能なモノマー由来の構成単位を含んでもよい。
The functional group monomer is preferably 1 to 35% by mass, more preferably 3 to 32% by mass, and further preferably 6 to 30% by mass with respect to the total amount of the monomers constituting the acrylic polymer (b).
In addition to the above, the acrylic polymer (b) is derived from a monomer copolymerizable with the above acrylic monomers such as styrene, α-methylstyrene, vinyltoluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, and acrylamide. It may include a structural unit.

上記アクリル系重合体(b)は、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂I(アクリル系樹脂)として使用することができる。また、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂としては、上記アクリル系重合体(b)の官能基に、エネルギー線重合性不飽和基を有する化合物(不飽和基含有化合物ともいう)を反応させたものが挙げられる。 The acrylic polymer (b) can be used as a non-energy ray-curable adhesive resin I (acrylic resin). The energy ray-curable acrylic resin is obtained by reacting the functional group of the acrylic polymer (b) with a compound having an energy ray-polymerizable unsaturated group (also referred to as an unsaturated group-containing compound). Can be mentioned.

不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体(b)の官能基と結合可能な置換基、及びエネルギー線重合性不飽和基の双方を有する化合物である。エネルギー線重合性不飽和基としては、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、アリル基等が挙げられるが、(メタ)アクリロイル基が好ましい。
また、不飽和基含有化合物が有する、官能基と結合可能な置換基としては、イソシアネート基やグリシジル基等が挙げられる。したがって、不飽和基含有化合物としては、例えば、(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、(メタ)アクリロイルイソシアネート、グリシジル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
The unsaturated group-containing compound is a compound having both a substituent capable of binding to a functional group of the acrylic polymer (b) and an energy ray-polymerizable unsaturated group. Examples of the energy ray-polymerizable unsaturated group include a (meth) acryloyl group, a vinyl group, an allyl group and the like, and a (meth) acryloyl group is preferable.
Examples of the substituent that can be bonded to the functional group of the unsaturated group-containing compound include an isocyanate group and a glycidyl group. Therefore, examples of the unsaturated group-containing compound include (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, (meth) acryloyl isocyanate, and glycidyl (meth) acrylate.

また、不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体(b)の官能基の一部に反応することが好ましく、具体的には、アクリル系重合体(b)が有する官能基の50〜98モル%に、不飽和基含有化合物を反応させることが好ましく、55〜93モル%反応させることがより好ましい。このように、エネルギー線硬化性アクリル系樹脂において、官能基の一部が不飽和基含有化合物と反応せずに残存することで、架橋剤によって架橋されやすくなる。
なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量(Mw)は、好ましくは30万〜160万、より好ましくは40万〜140万、更に好ましくは50万〜120万である。また、アクリル系樹脂のガラス転移温度(Tg)は、好ましくは−70〜10℃である。
Further, the unsaturated group-containing compound preferably reacts with a part of the functional groups of the acrylic polymer (b), and specifically, 50 to 98 mol of the functional groups of the acrylic polymer (b). % Is preferably reacted with an unsaturated group-containing compound, more preferably 55 to 93 mol%. As described above, in the energy ray-curable acrylic resin, a part of the functional groups remains without reacting with the unsaturated group-containing compound, so that the resin is easily crosslinked by the cross-linking agent.
The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 300,000 to 1.6 million, more preferably 400,000 to 1.4 million, and even more preferably 500,000 to 1.2 million. The glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably −70 to 10 ° C.

(エネルギー線硬化性化合物)
X型又はXY型の粘着剤組成物に含有されるエネルギー線硬化性化合物としては、分子内に不飽和基を有し、エネルギー線照射により重合硬化可能なモノマー又はオリゴマーが好ましい。
このようなエネルギー線硬化性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトール(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−へキサンジオール(メタ)アクリレート等の多価(メタ)アクリレートモノマー、ウレタン(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート,ポリエーテル(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート等のオリゴマーが挙げられる。エネルギー線硬化性化合物の分子量(オリゴマーの場合は重量平均分子量)は、好ましくは100〜12000、より好ましくは200〜10000、更に好ましくは400〜8000、特に好ましくは600〜6000である。
(Energy ray curable compound)
As the energy ray-curable compound contained in the X-type or XY-type pressure-sensitive adhesive composition, a monomer or oligomer having an unsaturated group in the molecule and capable of polymerizing and curing by energy ray irradiation is preferable.
Examples of such energy ray-curable compounds include trimethylpropantri (meth) acrylate, pentaerythritol (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and 1,4-. Polyvalent (meth) acrylate monomers such as butylene glycol di (meth) acrylate and 1,6-hexanediol (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, polyether (meth) acrylate, epoxy ( Examples thereof include oligomers such as meta) acrylate. The molecular weight of the energy ray-curable compound (weight average molecular weight in the case of an oligomer) is preferably 100 to 12000, more preferably 200 to 10000, still more preferably 400 to 8000, and particularly preferably 600 to 6000.

これらの中でも、比較的分子量が高く、粘着剤層の弾性率を低下させにくい観点から、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーが好ましい。 Among these, urethane (meth) acrylate oligomers are preferable from the viewpoint of having a relatively high molecular weight and not easily lowering the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer.

好ましいウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーとしては、イソシアナートユニットとポリオールユニットとを含み、末端に(メタ)アクリロイル基を有する化合物である。ウレタン(メタ)アクリレートとしては、アルキレンポリオール、ポリエーテル化合物、ポリエステル化合物等の末端にヒドロキシル基を有するポリオールとポリイソシアナートとの反応によりウレタンオリゴマーを生成し、その末端の官能基に(メタ)アクリロイル基を有する化合物を反応させて得られる化合物などが挙げられる。このようなウレタン(メタ)アクリレートは、(メタ)アクリロイル基の作用により、エネルギー線硬化性を有する。 A preferable urethane (meth) acrylate oligomer is a compound containing an isocyanate unit and a polyol unit and having a (meth) acryloyl group at the end. As the urethane (meth) acrylate, a urethane oligomer is produced by reacting a polyol having a hydroxyl group at the terminal such as an alkylene polyol, a polyether compound, or a polyester compound with polyisocyanate, and (meth) acryloyl is used as a functional group at the terminal. Examples thereof include a compound obtained by reacting a compound having a group. Such urethane (meth) acrylate has energy ray curability due to the action of the (meth) acryloyl group.

上述のポリイソシアナートとしては、イソホロンジイソシアナート(IPDI)、1,3−ビス−(イソシアナトメチル)−シクロヘキサン(H6XDI)、4,4’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアナート(H12MDI)等のジシアナートが用いられる。これらのポリイソシアナートは、エネルギー線硬化性ウレタン(メタ)アクリレート中に、40〜49モル%用いられることが好ましい。また、これらのジイソシアナートの中では、エネルギー線硬化性アクリル系重合体に対するエネルギー線硬化性ウレタン(メタ)アクリレートの相溶性を向上させることが可能なイソホロンジイソシアナート(IPDI)を用いることが特に好ましい。 Examples of the above-mentioned polyisocyanate include isophorone diisocyanate (IPDI), 1,3-bis- (isocyanatomethyl) -cyclohexane (H6XDI), and 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate (H12MDI). Used. These polyisocyanates are preferably used in an energy ray-curable urethane (meth) acrylate in an amount of 40 to 49 mol%. Further, among these diisocyanates, isophorone diisocyanate (IPDI), which can improve the compatibility of the energy ray-curable urethane (meth) acrylate with respect to the energy ray-curable acrylic polymer, can be used. Especially preferable.

(メタ)アクリロイル基を形成するためのアクリレートとして、2−ヒドロキシプロピルアクリレート(2HPA)、2−ヒドロキシエチルアクリレート(2HEA)等が用いられる。これらのアクリレートは、エネルギー線硬化性ウレタン(メタ)アクリレート中に、4〜40モル%用いられることが好ましい。 As the acrylate for forming the (meth) acryloyl group, 2-hydroxypropyl acrylate (2HPA), 2-hydroxyethyl acrylate (2HEA) and the like are used. These acrylates are preferably used in an energy ray-curable urethane (meth) acrylate in an amount of 4 to 40 mol%.

エネルギー線硬化性ウレタン(メタ)アクリレートは、エネルギー線硬化性アクリル系重合体100質量部に対して、好ましくは1〜200質量部、より好ましくは5〜100質量部、さらに好ましくは10〜50質量部の割合で使用される。また、ウレタン(メタ)アクリレートの分子量は、エネルギー線硬化性アクリル系重合体との相溶性、エネルギー線硬化性粘着剤層の加工性等の観点から、好ましくは数平均分子量として300〜30,000程度の範囲である。より好ましくは20,000以下、例えば1,000〜15,000のオリゴマーである。 The energy ray-curable urethane (meth) acrylate is preferably 1 to 200 parts by mass, more preferably 5 to 100 parts by mass, and further preferably 10 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the energy ray-curable acrylic polymer. Used in proportions of parts. The molecular weight of the urethane (meth) acrylate is preferably 300 to 30,000 as a number average molecular weight from the viewpoint of compatibility with the energy ray-curable acrylic polymer, processability of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer, and the like. It is a range of degrees. More preferably, it is 20,000 or less, for example 1,000 to 15,000 oligomers.

X型の粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂100質量部に対して、好ましくは40〜200質量部、より好ましくは50〜150質量部、更に好ましくは60〜90質量部である。
一方で、XY型の粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂100質量部に対して、好ましくは1〜30質量部、より好ましくは2〜20質量部、更に好ましくは3〜15質量部である。XY型の粘着剤組成物では、粘着性樹脂が、エネルギー線硬化性であるため、エネルギー線硬化性化合物の含有量が少なくても、エネルギー線照射後、十分に粘着力を低下させることが可能である。
The content of the energy ray-curable compound in the X-type pressure-sensitive adhesive composition is preferably 40 to 200 parts by mass, more preferably 50 to 150 parts by mass, and further preferably 60 to 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the pressure-sensitive adhesive resin. It is 90 parts by mass.
On the other hand, the content of the energy ray-curable compound in the XY type pressure-sensitive adhesive composition is preferably 1 to 30 parts by mass, more preferably 2 to 20 parts by mass, still more preferably, with respect to 100 parts by mass of the pressure-sensitive adhesive resin. Is 3 to 15 parts by mass. In the XY type pressure-sensitive adhesive composition, since the adhesive resin is energy ray-curable, even if the content of the energy ray-curable compound is small, the adhesive strength can be sufficiently lowered after the energy ray irradiation. Is.

(架橋剤)
粘着剤組成物は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。架橋剤は、例えば粘着性樹脂が有する官能基モノマー由来の官能基に反応して、粘着性樹脂同士を架橋するものである。架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等、及びそれらのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤;1,3−ビス(N,N’−ジグリシジルアミノメチル)シクロヘキサン等のエポキシ系架橋剤;ヘキサ〔1−(2−メチル)−アジリジニル〕トリフォスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤;アルミニウムキレート等のキレート系架橋剤;等が挙げられる。これらの架橋剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(Crosslinking agent)
The pressure-sensitive adhesive composition preferably further contains a cross-linking agent. The cross-linking agent, for example, reacts with a functional group derived from a functional group monomer of the adhesive resin to cross-link the adhesive resins with each other. Examples of the cross-linking agent include isocyanate-based cross-linking agents such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and their adducts; epoxy-based cross-linking such as 1,3-bis (N, N'-diglycidylaminomethyl) cyclohexane. Agents; isocyanate-based cross-linking agents such as hexa [1- (2-methyl) -aziridinyl] triphosphatriazine; chelate-based cross-linking agents such as aluminum chelate; and the like. These cross-linking agents may be used alone or in combination of two or more.

これらの中でも、凝集力を高めて粘着力を向上させる観点、及び入手し易さ等の観点から、イソシアネート系架橋剤が好ましい。
架橋剤の配合量は、架橋反応を促進させる観点から、粘着性樹脂100質量部に対して、好ましくは0.01〜10質量部、より好ましくは0.03〜7質量部、更に好ましくは0.05〜4質量部である。
Among these, an isocyanate-based cross-linking agent is preferable from the viewpoint of increasing the cohesive force to improve the adhesive force and the availability.
From the viewpoint of accelerating the cross-linking reaction, the amount of the cross-linking agent is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 7 parts by mass, and further preferably 0 with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. .05-4 parts by mass.

(光重合開始剤)
また、粘着剤組成物は、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。光重合開始剤を含有することで、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線でも、粘着剤組成物の硬化反応を十分に進行させることができる。
(Photopolymerization initiator)
Further, the pressure-sensitive adhesive composition preferably further contains a photopolymerization initiator. By containing the photopolymerization initiator, the curing reaction of the pressure-sensitive adhesive composition can be sufficiently advanced even with relatively low-energy energy rays such as ultraviolet rays.

光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物、さらには、アミンやキノン等の光増感剤等が挙げられ、より具体的には、例えば、1−ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、8−クロールアンスラキノン、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキシド等が挙げられる。 Examples of the photopolymerization initiator include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphinoxide compounds, titanosen compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. Specifically, for example, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl phenyl. Examples thereof include sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyrolnitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloranthraquinone, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide and the like.

これらの光重合開始剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
光重合開始剤の配合量は、粘着性樹脂100質量部に対して、好ましくは0.01〜10質量部、より好ましくは0.03〜5質量部、更に好ましくは0.05〜5質量部である。
These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
The blending amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 5 parts by mass, and further preferably 0.05 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. Is.

(その他の添加剤)
粘着剤組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤(可塑剤)、充填剤、防錆剤、顔料、染料等が挙げられる。これらの添加剤を配合する場合、添加剤の配合量は、粘着性樹脂100質量部に対して、好ましくは0.01〜6質量部である。
(Other additives)
The pressure-sensitive adhesive composition may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired. Examples of other additives include antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, dyes and the like. When these additives are blended, the blending amount of the additives is preferably 0.01 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin.

また、粘着剤組成物は、基材や剥離シートへの塗布性を向上させる観点から、更に有機溶媒で希釈して、粘着剤組成物の溶液の形態としてもよい。
有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサン、n−ヘキサン、トルエン、キシレン、n−プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
なお、これらの有機溶媒は、粘着性樹脂の合成時に使用された有機溶媒をそのまま用いてもよいし、該粘着剤組成物の溶液を均一に塗布できるように、合成時に使用された有機溶媒以外の1種以上の有機溶媒を加えてもよい。
Further, the pressure-sensitive adhesive composition may be further diluted with an organic solvent in the form of a solution of the pressure-sensitive adhesive composition from the viewpoint of improving the coatability on the base material or the release sheet.
Examples of the organic solvent include methyl ethyl ketone, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, n-hexane, toluene, xylene, n-propanol, isopropanol and the like.
As these organic solvents, the organic solvent used at the time of synthesizing the adhesive resin may be used as it is, or other than the organic solvent used at the time of synthesis so that the solution of the pressure-sensitive adhesive composition can be uniformly applied. One or more organic solvents of the above may be added.

(熱圧着後粘着力の制御)
上記粘着剤層12を構成するエネルギー線硬化性粘着剤の熱圧着後粘着力が上記範囲にあることで、剥離用テープ50を熱圧着しても、チップ等が粘着剤層に埋め込まれず、チップの転写不良を大幅に低減できる。
(Control of adhesive force after thermocompression bonding)
Since the adhesive strength of the energy ray-curable adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 12 after thermocompression bonding is within the above range, even if the peeling tape 50 is thermocompression-bonded, the chips and the like are not embedded in the pressure-bonding layer, and the chips Transfer defects can be significantly reduced.

熱圧着後粘着力は、粘着剤の組成によって制御できる。たとえば、エネルギー線硬化後における粘着剤の架橋度を高くすることで、熱圧着後粘着力を低くできる。したがって、粘着剤に配合する架橋剤の量を多くする、あるいは官能基数の多い架橋剤を使用することで、粘着剤の架橋度は高くなり、熱圧着後粘着力を低くできる。また、粘着性樹脂として、比較的高いTgのアクリル系樹脂を使用することで、熱圧着後粘着力を低くすることもできる。 The adhesive force after thermocompression bonding can be controlled by the composition of the adhesive. For example, by increasing the degree of cross-linking of the pressure-sensitive adhesive after energy ray curing, the pressure-bonding force after thermocompression bonding can be reduced. Therefore, by increasing the amount of the cross-linking agent to be blended in the pressure-sensitive adhesive or by using a cross-linking agent having a large number of functional groups, the degree of cross-linking of the pressure-sensitive adhesive can be increased and the adhesive strength after thermocompression bonding can be lowered. Further, by using an acrylic resin having a relatively high Tg as the adhesive resin, it is possible to reduce the adhesive force after thermocompression bonding.

しかし、これらの方法ではエネルギー線硬化前の粘着力が低くなり、エネルギー線硬化前に十分な感圧接着性を得られないことがある。このため、たとえば、粘着剤に含まれるエネルギー線重合性の不飽和基の密度を高くすることも有効である。具体的には、エネルギー線硬化性粘着性樹脂IIに導入されるエネルギー線重合性不飽和基量を増加する、エネルギー線硬化性化合物の配合量を多くする、エネルギー線硬化性化合物として、不飽和基数の多い化合物を使用する、あるいは光重合開始剤の配合量を多くすることで、エネルギー線硬化により高度な架橋構造が形成され、熱圧着後粘着力を低めに制御できる。 However, with these methods, the adhesive strength before the energy ray curing becomes low, and sufficient pressure-sensitive adhesiveness may not be obtained before the energy ray curing. Therefore, for example, it is also effective to increase the density of energy ray-polymerizable unsaturated groups contained in the pressure-sensitive adhesive. Specifically, the amount of the energy ray-curable unsaturated group introduced into the energy ray-curable adhesive resin II is increased, the amount of the energy ray-curable compound is increased, and the energy ray-curable compound is unsaturated. By using a compound having a large number of groups or by increasing the blending amount of the photopolymerization initiator, a highly crosslinked structure is formed by energy ray curing, and the adhesive strength after thermal pressure bonding can be controlled to be low.

一般的に硬化後の粘着剤は、常温では比較的粘着力が低く、高温になるにつれて粘着力が増加する傾向にある。しかし、粘着剤中に高度な架橋構造を導入することで、粘着剤層は、高温での軟化、流動が抑制され、低い粘着力を維持する。この結果、剥離用テープ50を熱圧着しても、チップ等が粘着剤層に埋め込まれず、転写不良を抑制できる。 Generally, the cured pressure-sensitive adhesive has a relatively low adhesive strength at room temperature, and the adhesive strength tends to increase as the temperature rises. However, by introducing a highly crosslinked structure into the pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive layer is suppressed from softening and flowing at high temperatures, and maintains low adhesive strength. As a result, even if the peeling tape 50 is thermocompression bonded, the chips and the like are not embedded in the pressure-sensitive adhesive layer, and transfer defects can be suppressed.

また、硬化後に粘着剤層が過度に硬化すると、粘着テープが変形し難くなるため、硬化後の粘着テープの剥離が困難になることがある。この場合、基材11として比較的柔軟性の高い基材を用いることで、剥離が容易になることがある。基材が柔軟であると、剥離時に粘着テープ10を折り返すことができ、剥離角度が大きくなる。このため、剥離が進行している部分での、チップと粘着剤層との接触面積が小さくなるため、比較的小さな力で剥離できる。一方、基材が硬すぎると、剥離角度は小さくなり、剥離が進行している部分での、チップと粘着剤層と接触面積が大きく、粘着力(剥離力)は高くなる。同様の理由から、基材の厚みを薄くすることも剥離を容易にする上で有効である。しかし、基材が過度に柔軟であったり、薄過ぎる場合には、粘着テープの操作性が低下し、また裏面研削時の振動等を抑制できなくなり、半導体チップの欠けや破損を招くことがある。 Further, if the adhesive layer is excessively cured after curing, the adhesive tape is less likely to be deformed, which may make it difficult to peel off the adhesive tape after curing. In this case, by using a base material having a relatively high flexibility as the base material 11, peeling may be facilitated. If the base material is flexible, the adhesive tape 10 can be folded back at the time of peeling, and the peeling angle becomes large. For this reason, the contact area between the chip and the pressure-sensitive adhesive layer at the portion where the peeling is progressing becomes small, so that the peeling can be performed with a relatively small force. On the other hand, if the base material is too hard, the peeling angle becomes small, the contact area between the chip and the pressure-sensitive adhesive layer at the portion where the peeling is progressing is large, and the adhesive force (peeling force) becomes high. For the same reason, reducing the thickness of the base material is also effective in facilitating peeling. However, if the base material is excessively flexible or too thin, the operability of the adhesive tape deteriorates, vibration during backside grinding cannot be suppressed, and the semiconductor chip may be chipped or damaged. ..

したがって、粘着剤層12の物性および基材11のヤング率や厚みを適切に設定することで、粘着テープ10の剥離性を制御することが好ましい。 Therefore, it is preferable to control the peelability of the adhesive tape 10 by appropriately setting the physical properties of the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the Young's modulus and thickness of the base material 11.

[剥離シート]
粘着テープの表面には、剥離シートが貼付されていてもよい。剥離シートは、具体的には、粘着テープの粘着剤層の表面に貼付される。剥離シートは、粘着剤層表面に貼付されることで輸送時、保管時に粘着剤層を保護する。剥離シートは、剥離可能に粘着テープに貼付されており、粘着テープが使用される前(すなわち、ウエハ裏面研削前)には、粘着テープから剥離されて取り除かれる。
剥離シートは、少なくとも一方の面が剥離処理をされた剥離シートが用いられ、具体的には、剥離シート用基材の表面上に剥離剤を塗布したもの等が挙げられる。
[Peeling sheet]
A release sheet may be attached to the surface of the adhesive tape. Specifically, the release sheet is attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape. The release sheet is attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer to protect the pressure-sensitive adhesive layer during transportation and storage. The release sheet is detachably attached to the adhesive tape, and is peeled off from the adhesive tape before the adhesive tape is used (that is, before grinding the back surface of the wafer).
As the release sheet, a release sheet in which at least one surface has been peeled is used, and specific examples thereof include a release sheet coated with a release agent on the surface of the base material for the release sheet.

剥離シート用基材としては、樹脂フィルムが好ましく、当該樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂フィルム、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂等のポリオレフィン樹脂等が挙げられる。剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。
剥離シートの厚さは、特に制限ないが、好ましくは10〜200μm、より好ましくは20〜150μmである。
A resin film is preferable as the base material for the release sheet, and examples of the resin constituting the resin film include polyester resin films such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, and polyethylene naphthalate resin, polypropylene resin, and polyethylene resin. Examples thereof include the polyolefin resin of. Examples of the release agent include rubber-based elastomers such as silicone-based resins, olefin-based resins, isoprene-based resins, and butadiene-based resins, long-chain alkyl-based resins, alkyd-based resins, and fluorine-based resins.
The thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 10 to 200 μm, more preferably 20 to 150 μm.

(粘着テープ10の製造方法)
本発明の粘着テープ10の製造方法としては、特に制限はなく、公知の方法により製造することができる。
例えば、剥離シート上に緩衝層形成用組成物を塗工、硬化して設けた緩衝層と、基材とを貼り合わせ、剥離シートを除去することで、緩衝層と基材との積層体が得られる。そして、剥離シート上に設けた粘着剤層を、積層体の基材側に貼り合わせ、粘着剤層の表面に剥離シートが貼付された粘着テープを製造することができる。なお、緩衝層を基材の両面に設けた場合には、粘着剤層は緩衝層上に形成される。粘着剤層の表面に貼付される剥離シートは、粘着テープの使用前に適宜剥離して除去すればよい。
(Manufacturing method of adhesive tape 10)
The method for producing the adhesive tape 10 of the present invention is not particularly limited, and the adhesive tape 10 can be produced by a known method.
For example, by applying a buffer layer forming composition on a release sheet, curing the buffer layer, and the base material, and removing the release sheet, a laminate of the buffer layer and the base material can be obtained. can get. Then, the pressure-sensitive adhesive layer provided on the release sheet can be attached to the base material side of the laminate to produce an adhesive tape in which the release sheet is attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer. When the buffer layer is provided on both sides of the base material, the pressure-sensitive adhesive layer is formed on the buffer layer. The release sheet attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer may be appropriately peeled off and removed before using the pressure-sensitive adhesive tape.

剥離シート上に緩衝層を形成する方法としては、緩衝層形成用組成物を、公知の塗布方法にて、剥離シート上に直接塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜にエネルギー線を照射することで、緩衝層を形成することができる。また、基材の片面に、緩衝層形成用組成物を直接塗布して、加熱乾燥あるいは塗布膜にエネルギー線を照射することで、緩衝層を形成してもよい。 As a method of forming a buffer layer on the release sheet, the buffer layer forming composition is directly applied onto the release sheet by a known coating method to form a coating film, and the coating film is irradiated with energy rays. By doing so, a buffer layer can be formed. Further, the buffer layer may be formed by directly coating the composition for forming a buffer layer on one side of the base material and drying by heating or irradiating the coating film with energy rays.

緩衝層形成用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。また、塗布性を向上させるために、緩衝層形成用組成物に対して有機溶媒を配合し、溶液の形態として、剥離シート上に塗布してもよい。 Examples of the coating method of the buffer layer forming composition include a spin coating method, a spray coating method, a bar coating method, a knife coating method, a roll coating method, a blade coating method, a die coating method, and a gravure coating method. Further, in order to improve the coatability, an organic solvent may be blended with the composition for forming a buffer layer and coated on a release sheet in the form of a solution.

緩衝層形成用組成物がエネルギー線重合性化合物を含む場合、緩衝層形成用組成物の塗布膜に対して、エネルギー線を照射することで硬化させ、緩衝層を形成することが好ましい。緩衝層の硬化は、一度の硬化処理で行ってもよいし、複数回に分けて行ってもよい。例えば、剥離シート上の塗布膜を完全に硬化させて緩衝層を形成した後に基材に貼り合わせてもよく、当該塗布膜を完全に硬化させずに半硬化の状態の緩衝層形成膜を形成し、当該緩衝層形成膜を基材に貼り合わせた後、再度エネルギー線を照射して完全に硬化させて緩衝層を形成してもよい。当該硬化処理で照射するエネルギー線としては、紫外線が好ましい。なお、硬化する際は、緩衝層形成用組成物の塗布膜が暴露された状態でもよいが、剥離シートや基材で塗布膜が覆われ、塗布膜が暴露されない状態でエネルギー線を照射して硬化することが好ましい。 When the composition for forming a buffer layer contains an energy ray-polymerizable compound, it is preferable that the coating film of the composition for forming a buffer layer is cured by irradiating the coating film with energy rays to form a buffer layer. The buffer layer may be cured by a single curing treatment or may be performed in a plurality of times. For example, the coating film on the release sheet may be completely cured to form a buffer layer and then bonded to the base material, or the coating film may not be completely cured to form a semi-cured buffer layer forming film. Then, after the buffer layer forming film is attached to the base material, the buffer layer may be formed by irradiating with energy rays again and completely curing the film. Ultraviolet rays are preferable as the energy rays to be irradiated in the curing treatment. When curing, the coating film of the buffer layer forming composition may be exposed, but the coating film is covered with a release sheet or a base material, and energy rays are irradiated in a state where the coating film is not exposed. It is preferable to cure.

剥離シート上に粘着剤層を形成する方法としては、粘着剤(粘着剤組成物)を、公知の塗布方法にて、剥離シート上に直接塗布して塗布膜を加熱乾燥することで、粘着剤層を形成することができる。 As a method of forming the pressure-sensitive adhesive layer on the release sheet, a pressure-sensitive adhesive (adhesive composition) is directly applied onto the release sheet by a known coating method, and the coating film is heated and dried to obtain a pressure-sensitive adhesive. Layers can be formed.

また、基材の片面もしくは緩衝層上に、粘着剤(粘着剤組成物)を直接塗布して、粘着剤層を形成してもよい。粘着剤の塗布方法としては、緩衝層の製造法で示した、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。 Further, the pressure-sensitive adhesive (adhesive composition) may be directly applied on one side of the base material or on the buffer layer to form the pressure-sensitive adhesive layer. Examples of the method for applying the adhesive include the spin coating method, the spray coating method, the bar coating method, the knife coating method, the roll coating method, the blade coating method, the die coating method, and the gravure coating method shown in the method for producing the buffer layer. Be done.

[半導体装置の製造方法]
本発明の粘着テープ10は、先ダイシング法において、半導体ウエハ回路面を保護しつつ、裏面研削が行う際に、ウエハ回路面に貼付されるバックグラインドテープとして特に好ましく使用される。バックグラインドテープとしての非限定的な使用例について、半導体装置の製造を例にとり、さらに具体的に説明する。
[Manufacturing method of semiconductor devices]
The adhesive tape 10 of the present invention is particularly preferably used as a back grind tape to be attached to the wafer circuit surface when backside grinding is performed while protecting the semiconductor wafer circuit surface in the pre-dicing method. A non-limiting example of use as a backgrinding tape will be described in more detail by taking the production of a semiconductor device as an example.

半導体装置の製造方法は、具体的には、以下の工程1〜工程4を少なくとも備える。
工程1:半導体ウエハの表面側から溝を形成する工程
工程2:上記の粘着テープ10(バックグラインドテープ)を、半導体ウエハの表面に貼付する工程
工程3:粘着テープ10が表面に貼付され、かつ上記溝が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、溝の底部を除去して、複数のチップ(チップ群20)に個片化させる工程(図1参照)
工程4:チップ群20を、ピックアップテープ30または接着テープに転写し(図2〜図5参照)、ピックアップテープまたは接着テープから個々のチップを剥離する工程
Specifically, the method for manufacturing a semiconductor device includes at least the following steps 1 to 4.
Step 1: Forming a groove from the surface side of the semiconductor wafer Step 2: Attaching the above-mentioned adhesive tape 10 (back grind tape) to the surface of the semiconductor wafer Step 3: The adhesive tape 10 is attached to the surface and A step of grinding a semiconductor wafer having the grooves formed from the back surface side, removing the bottom of the grooves, and individualizing the semiconductor wafer into a plurality of chips (chip group 20) (see FIG. 1).
Step 4: The step of transferring the chip group 20 to the pickup tape 30 or the adhesive tape (see FIGS. 2 to 5) and peeling the individual chips from the pickup tape or the adhesive tape.

以下、上記半導体装置の製造方法の各工程を詳細に説明する。
(工程1)
工程1では、半導体ウエハの表面側から溝を形成する。
本工程で形成される溝は、半導体ウエハの厚さより浅い深さの溝である。溝の形成は、従来公知のウエハダイシング装置等を用いてダイシングにより行うことが可能である。また、半導体ウエハは、後述する工程3において、溝の底部を除去することで、溝に沿って複数の半導体チップに分割される。
Hereinafter, each step of the method for manufacturing the semiconductor device will be described in detail.
(Step 1)
In step 1, a groove is formed from the surface side of the semiconductor wafer.
The groove formed in this step is a groove having a depth shallower than the thickness of the semiconductor wafer. The groove can be formed by dicing using a conventionally known wafer dicing apparatus or the like. Further, the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips along the groove by removing the bottom portion of the groove in step 3 described later.

本製造方法で用いられる半導体ウエハはシリコンウエハであってもよいし、またガリウム・砒素などのウエハや、サファイアウエハ、ガラスウエハであってもよい。半導体ウエハの研削前の厚さは特に限定されないが、通常は500〜1000μm程度である。また、半導体ウエハは、通常、その表面に回路が形成されている。ウエハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法などの従来汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。 The semiconductor wafer used in this manufacturing method may be a silicon wafer, a wafer such as gallium arsenide or arsenide, a sapphire wafer, or a glass wafer. The thickness of the semiconductor wafer before grinding is not particularly limited, but is usually about 500 to 1000 μm. Further, a semiconductor wafer usually has a circuit formed on its surface. The circuit can be formed on the wafer surface by various methods including a conventionally used method such as an etching method and a lift-off method.

(工程2)
工程2では、溝が形成された半導体ウエハ表面に、本発明の粘着テープ10を粘着剤層を介して貼付する。
(Step 2)
In step 2, the adhesive tape 10 of the present invention is attached to the surface of the semiconductor wafer on which the grooves are formed via the adhesive layer.

(工程3)
工程1及び工程2の後、吸着テーブル上の半導体ウエハの裏面を研削して、半導体ウエハを複数の半導体チップに個片化する。
ここで、裏面研削は、半導体ウエハに溝が形成される場合には、少なくとも溝の底部に至る位置まで半導体ウエハを薄くするように行う。この裏面研削により、溝は、ウエハを貫通する切り込みとなり、半導体ウエハは切り込みにより分割されて、個々の半導体チップに個片化される。
(Step 3)
After the steps 1 and 2, the back surface of the semiconductor wafer on the suction table is ground to separate the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips.
Here, when the groove is formed on the semiconductor wafer, the back surface grinding is performed so as to thin the semiconductor wafer at least to a position reaching the bottom of the groove. By this backside grinding, the groove becomes a notch penetrating the wafer, and the semiconductor wafer is divided by the notch and individualized into individual semiconductor chips.

個片化された半導体チップの形状は、方形でもよいし、矩形等の細長形状となっていてもよい。また、個片化された半導体チップの厚さは特に限定されないが、好ましくは5〜100μm程度であるが、より好ましくは10〜45μmである。また、個片化された半導体チップの大きさは、特に限定されないが、チップサイズが好ましくは200mm未満、より好ましくは150mm未満、さらに好ましくは120mm未満である。The shape of the individualized semiconductor chip may be a square shape or an elongated shape such as a rectangle. The thickness of the fragmented semiconductor chip is not particularly limited, but is preferably about 5 to 100 μm, and more preferably 10 to 45 μm. The size of the fragmented semiconductor chip is not particularly limited, but the chip size is preferably less than 200 mm 2 , more preferably less than 150 mm 2 , and even more preferably less than 120 mm 2.

上記工程を経て、図1に示すように粘着テープ(バックグラインドテープ)10上に、チップ群20が得られる。また、裏面研削の終了後、チップのピックアップに先立ち、ドライポリッシュを行ってもよい。 Through the above steps, the chip group 20 is obtained on the adhesive tape (back grind tape) 10 as shown in FIG. Further, after the back surface grinding is completed, dry polishing may be performed prior to picking up the chips.

(工程4)
次に、個片化されたチップ群20を、バックグラインドテープからピックアップテープ30または接着テープに転写し、ピックアップテープまたは接着テープから個々のチップ21を剥離する。以下、本工程について、ピックアップテープを使用した例に基づいて説明する。
(Step 4)
Next, the individualized chip group 20 is transferred from the back grind tape to the pickup tape 30 or the adhesive tape, and the individual chips 21 are peeled off from the pickup tape or the adhesive tape. Hereinafter, this step will be described based on an example using a pickup tape.

まず、粘着テープ10の粘着剤層12にエネルギー線を照射して粘着剤層を硬化する。次いで、チップ群20の裏面側に、ピックアップテープ30を貼付し(図2)、ピックアップが可能なように位置及び方向合わせを行う。この際、チップ群20の外周側に配置したリングフレーム40もピックアープテープ30に貼り合わせ、ピックアップテープ30の外周縁部をリングフレーム40に固定する。ピックアップテープ30には、チップ群20とリングフレーム40を同時に貼り合わせてもよいし、別々のタイミングで貼り合わせてもよい。次いで、バックグラインドテープ10のみを剥離し、ピックアップテープ上にチップ群20を転写する。 First, the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the pressure-sensitive adhesive tape 10 is irradiated with energy rays to cure the pressure-sensitive adhesive layer. Next, the pickup tape 30 is attached to the back surface side of the chip group 20 (FIG. 2), and the position and direction are adjusted so that the pickup can be picked up. At this time, the ring frame 40 arranged on the outer peripheral side of the chip group 20 is also attached to the pick-up tape 30, and the outer peripheral edge portion of the pickup tape 30 is fixed to the ring frame 40. The chip group 20 and the ring frame 40 may be attached to the pickup tape 30 at the same time, or may be attached at different timings. Next, only the back grind tape 10 is peeled off, and the chip group 20 is transferred onto the pickup tape.

バックグラインドテープ10の剥離時には、バックグラインドテープ10の背面(基材面)に剥離の切っ掛けとなる剥離用テープ50を固定する(図3)。バックグラインドテープは、半導体ウエハと略同形状であり、剥離の切っ掛けとなる起点がないため、短冊状の剥離用テープ50を固定して剥離の起点とする。剥離用テープ50は、バックグラインドテープ10背面に熱圧着によって強く固定される。
バックグラインドテープ10の剥離は、図4、図5に示すように、剥離用テープ50を起点として、バックグラインドテープ10を折り返すように剥離することが好ましい。
When the back grind tape 10 is peeled off, the peeling tape 50 that serves as a trigger for peeling is fixed to the back surface (base material surface) of the back grind tape 10 (FIG. 3). Since the back grind tape has substantially the same shape as the semiconductor wafer and does not have a starting point for peeling, the strip-shaped peeling tape 50 is fixed as a starting point for peeling. The peeling tape 50 is firmly fixed to the back surface of the back grind tape 10 by thermocompression bonding.
As shown in FIGS. 4 and 5, it is preferable that the back grind tape 10 is peeled off so that the back grind tape 10 is folded back from the peeling tape 50 as a starting point.

その後、必要に応じピックアップテープ30をエキスパンドしてチップ間隔を離間し、ピックアップテープ30上にある個々の半導体チップ21をピックアップし、基板等の上に固定化して、半導体装置を製造する。 After that, if necessary, the pickup tape 30 is expanded to separate the chip intervals, and the individual semiconductor chips 21 on the pickup tape 30 are picked up and fixed on a substrate or the like to manufacture a semiconductor device.

なお、ピックアップテープ30は、特に限定されないが、例えば、基材と、基材の一方の面に設けられた粘着剤層を備えるダイシングテープと呼ばれる粘着テープによって構成される。ピックアップテープ30の粘着力は、剥離時におけるバックグラインドテープ30の粘着力よりも大きければ良い。またピックアップテープ30からチップ21を剥離する際には粘着力を低減できる性質を有することが好ましい。したがって、ピックアップテープとしては、エネルギー線硬化性粘着テープが好ましく用いられる。 The pickup tape 30 is not particularly limited, but is composed of, for example, a base material and an adhesive tape called a dicing tape having an adhesive layer provided on one surface of the base material. The adhesive strength of the pickup tape 30 may be larger than the adhesive strength of the back grind tape 30 at the time of peeling. Further, when the chip 21 is peeled from the pickup tape 30, it is preferable that the chip 21 has a property of reducing the adhesive force. Therefore, as the pickup tape, an energy ray-curable adhesive tape is preferably used.

また、ピックアップテープの代わりに、接着テープを用いることもできる。接着テープとは、フィルム状接着剤と剥離シートとの積層体、ダイシングテープとフィルム状接着剤との積層体や、ダイシングテープとダイボンディングテープの両方の機能を有する接着剤層と剥離シートとからなるダイシング・ダイボンディングテープ等が挙げられる。また、ピックアップテープを貼付する前に、個片化された半導体ウエハの裏面側にフィルム状接着剤を貼り合わせてもよい。フィルム状接着剤を用いる場合、フィルム状接着剤はウエハと同形状としてもよい。 Also, an adhesive tape can be used instead of the pickup tape. The adhesive tape is composed of a laminate of a film-like adhesive and a release sheet, a laminate of a dicing tape and a film-like adhesive, and an adhesive layer and a release sheet having the functions of both a dicing tape and a die bonding tape. Examples include dicing and die bonding tapes. Further, before attaching the pickup tape, a film-like adhesive may be attached to the back surface side of the individualized semiconductor wafer. When a film-like adhesive is used, the film-like adhesive may have the same shape as the wafer.

接着テープを用いる場合やピックアップテープを貼付する前に個片化された半導体ウエハの裏面側にフィルム状接着剤を貼り合わせる場合には、接着テープやピックアップテープ上にある複数の半導体チップは、半導体チップと同形状に分割された接着剤層と共にピックアップされる。そして、半導体チップは接着剤層を介して基板等の上に固定化され、半導体装置が製造される。接着剤層の分割は、レーザーやエキスパンドによって行われる。 When using an adhesive tape or when applying a film-like adhesive to the back side of a semiconductor wafer that has been separated before attaching the pickup tape, the plurality of semiconductor chips on the adhesive tape or pickup tape are semiconductors. It is picked up with an adhesive layer divided into the same shape as the chip. Then, the semiconductor chip is fixed on a substrate or the like via an adhesive layer, and a semiconductor device is manufactured. The division of the adhesive layer is performed by laser or expanding.

また、剥離用テープ50としては、粘着テープ10の基材背面に強固にヒートシールできる材質であれば特に限定はされない。したがって、剥離用テープ50は、粘着テープ10の基材11の材質を考慮して適宜に選択される。本発明における基材11は、好ましくはポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル系フィルムにより構成される。したがって、剥離用テープ50は、ポリエステル系フィルムとのヒートシール性が良好なポリオレフィン系テープが好ましく用いられる。このようなポリオレフィン系テープとしては、たとえばポリエチレンテープ、ポリプロピレンテープなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。 The peeling tape 50 is not particularly limited as long as it is a material that can be firmly heat-sealed on the back surface of the base material of the adhesive tape 10. Therefore, the peeling tape 50 is appropriately selected in consideration of the material of the base material 11 of the adhesive tape 10. The base material 11 in the present invention is preferably composed of a polyester-based film such as polyethylene terephthalate. Therefore, as the peeling tape 50, a polyolefin-based tape having good heat-sealing property with a polyester-based film is preferably used. Examples of such polyolefin tapes include, but are not limited to, polyethylene tapes and polypropylene tapes.

剥離用テープ50は、短冊状に切断され、なんら限定されるものではないが通常は幅50mm長さ60mm程度である。また剥離用テープ50の厚みは10〜150μm程度であれば良い。 The peeling tape 50 is cut into strips and is not limited in any way, but usually has a width of about 50 mm and a length of about 60 mm. The thickness of the peeling tape 50 may be about 10 to 150 μm.

剥離用テープ50を粘着テープ10の背面(基材11)に固定する際には、熱圧着を行うことで両者を強固にヒートシールできる。熱圧着条件は、基材11の材質および剥離用テープ50の材質により様々であり、一般的には圧力0.2〜1N/cm2程度、温度120〜250℃程度で0.5〜10秒程度熱圧着を行なえばよい。また、熱圧着時は、剥離用テープ50が基材11に十分に固定できる程度の面積でヒートシール部を設ける。たとえば、基材11の外縁部から、基材11に中央方向に向けて0.1〜3mm程度の領域をヒートシール部とすることが好ましい。When the peeling tape 50 is fixed to the back surface (base material 11) of the adhesive tape 10, both can be firmly heat-sealed by performing thermocompression bonding. The thermocompression bonding conditions vary depending on the material of the base material 11 and the material of the peeling tape 50. Generally, the pressure is about 0.2 to 1 N / cm 2 and the temperature is about 120 to 250 ° C. for 0.5 to 10 seconds. Thermocompression bonding may be performed to some extent. Further, at the time of thermocompression bonding, a heat seal portion is provided with an area sufficient for the peeling tape 50 to be sufficiently fixed to the base material 11. For example, it is preferable that a region of about 0.1 to 3 mm from the outer edge portion of the base material 11 toward the base material 11 toward the center is a heat-sealed portion.

上記のように、剥離用テープ50を粘着テープ10の背面(基材11)に熱圧着すると、粘着テープ10の粘着剤層12にも熱および圧力が伝搬し、チップ21と粘着剤層12とが熱圧着される。熱圧着後粘着力が増大すると、チップは粘着剤層12に強固に粘着し、粘着テープ10の剥離時に、チップが粘着テープ10に同伴して剥離して、チップの転写不良を起こすことがある。しかし、本発明では、粘着テープ10の熱圧着後粘着力が所定範囲に制御されるため、チップの転写不良を低減できる。 As described above, when the peeling tape 50 is thermocompression bonded to the back surface (base material 11) of the adhesive tape 10, heat and pressure propagate to the adhesive layer 12 of the adhesive tape 10, and the chip 21 and the adhesive layer 12 Is thermocompression bonded. When the adhesive strength increases after thermocompression bonding, the chip firmly adheres to the adhesive layer 12, and when the adhesive tape 10 is peeled off, the chip may be peeled off along with the adhesive tape 10 to cause transfer failure of the chip. .. However, in the present invention, since the adhesive force of the adhesive tape 10 after thermocompression bonding is controlled within a predetermined range, transfer defects of the chip can be reduced.

なお、本発明における「熱圧着後粘着力」は、上記したように、圧力0.5N/cm2、210℃で5秒間熱圧着した後の23℃における粘着力をいう。熱圧着時の圧力を増加、温度を上昇、あるいは時間を長くしても、粘着力に大きな違いがないことは実験的に確認されている。すなわち、本発明で規定する熱圧着後粘着力を測定する際の熱圧着条件(圧力0.5N/cm2、210℃で5秒間)は、十分に過酷な条件であり、これ以上に条件を過酷にしても粘着力に大きな違いはない。したがって、熱圧着後粘着力を本願規定の範囲に制御することで、様々な熱圧着条件においてもチップ表面と粘着テープ10との粘着力を低いレベルに保つことができ、本発明の効果を奏する。As described above, the "adhesive force after thermocompression bonding" in the present invention refers to the adhesive force at 23 ° C. after thermocompression bonding at a pressure of 0.5 N / cm 2 and 210 ° C. for 5 seconds. It has been experimentally confirmed that there is no significant difference in adhesive strength even if the pressure during thermocompression bonding is increased, the temperature is increased, or the time is lengthened. That is, the thermocompression bonding conditions (pressure 0.5 N / cm 2 , 210 ° C. for 5 seconds) for measuring the adhesive force after thermocompression bonding specified in the present invention are sufficiently harsh conditions, and the conditions are more severe than this. There is no big difference in adhesive strength even if it is harsh. Therefore, by controlling the adhesive force after thermocompression bonding within the range specified in the present application, the adhesive force between the chip surface and the adhesive tape 10 can be maintained at a low level even under various thermocompression bonding conditions, and the effect of the present invention is exhibited. ..

以上、本発明の粘着テープについて、主に先ダイシング法により半導体ウエハを個片化する方法に使用する例について説明したが、本発明の粘着テープは、通常の裏面研削に使用することも可能であり、また、ガラス、セラミック等の加工時にも被加工物を一時的に固定するために使用することもできる。また、各種の再剥離粘着テープとしても使用できる。 The example in which the adhesive tape of the present invention is mainly used for the method of individualizing the semiconductor wafer by the pre-dicing method has been described, but the adhesive tape of the present invention can also be used for ordinary backside grinding. Also, it can be used to temporarily fix the workpiece during processing of glass, ceramics, etc. It can also be used as various removable adhesive tapes.

以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples.

本発明における測定方法、評価方法は以下のとおりである。 The measurement method and evaluation method in the present invention are as follows.

[硬化後貯蔵弾性率]
実施例および比較例にて準備した粘着剤組成物を、ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面をシリコーン系剥離剤で剥離処理した剥離シート(リンテック社製,SP−PET3801,厚さ:38μm)に塗工、乾燥し、厚さ20μmの粘着剤層を作製した。得られた粘着剤層を、厚さ3mmになるように複数層積層した。得られた粘着剤層の積層体から、直径8mmの円柱体(高さ3mm)を打ち抜き、これをサンプルとした。サンプルに紫外線を照射し、粘着剤層を完全に硬化した。なお、上記の紫外線照射条件は、波長365nm、照度150mW/cm、光量300mJ/cmである。
[Storage modulus after curing]
The pressure-sensitive adhesive composition prepared in Examples and Comparative Examples is coated and dried on a release sheet (manufactured by Lintec Corporation, SP-PET3801, thickness: 38 μm) in which one side of a polyethylene terephthalate film is peeled off with a silicone-based release agent. Then, a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 20 μm was prepared. A plurality of layers of the obtained pressure-sensitive adhesive layer were laminated so as to have a thickness of 3 mm. A cylinder (height 3 mm) having a diameter of 8 mm was punched out from the obtained laminated body of the pressure-sensitive adhesive layer, and this was used as a sample. The sample was irradiated with ultraviolet light to completely cure the pressure-sensitive adhesive layer. The above-mentioned ultraviolet irradiation conditions are a wavelength of 365 nm, an illuminance of 150 mW / cm 2 , and a light intensity of 300 mJ / cm 2 .

硬化したサンプルについて、動的粘弾性装置(オリエンテック社製、商品名「Rheovibron DDV−II−EP1」)により、周波数11Hzで、温度200℃における貯蔵弾性率E’を10個のサンプルについて測定した。
[熱圧着後粘着力]
ベアウエハ(直径12インチ、厚さ740μm、♯2000研磨)の研磨面に、実施例、比較例で得られた剥離シート付粘着テープを、剥離シートを剥がしつつテープラミネーター(リンテック株式会社製、商品名「RAD−3510F/12」)にセットし、貼付した。その後、粘着テープの外周部を切除し、ベアウエハと同形状とした。
For the cured samples, the storage elastic modulus E'at a frequency of 11 Hz and a temperature of 200 ° C. was measured for 10 samples by a dynamic viscoelastic device (manufactured by Orientec, trade name "Rheovibron DDV-II-EP1"). ..
[Adhesive strength after thermocompression bonding]
Adhesive tape with a release sheet obtained in Examples and Comparative Examples is applied to the polished surface of a bare wafer (diameter 12 inches, thickness 740 μm, # 2000 polishing), and a tape laminator (manufactured by Lintec Corporation, product name) while peeling off the release sheet. It was set on "RAD-3510F / 12") and attached. Then, the outer peripheral portion of the adhesive tape was cut off to have the same shape as the bare wafer.

その後、紫外線照射・テープ剥離装置付きマウンター(リンテック株式会社製、商品名「RAD−2700」)にて、粘着テープの基材面側から紫外線を照射し、粘着剤層を完全に硬化した。なお、上記の紫外線照射条件は、波長365nm、照度150mW/cm、光量300mJ/cmである。次にピックアップテープとして、ダイシングテープ(リンテック社製、Adwill D-175)をベアウエハの他面に貼付した。次いで剥離用テ
ープとして、幅50mm長さ60mmのポリプロピレンフィルム(リンテック社製、Adwill S-75C)を準備した。ヒートシール装置にて、圧力0.5N/cm2、210℃で5秒間ヒートシールを行い、粘着テープの外縁部に剥離用テープを熱圧着した。ヒートシール部は、粘着テープの外縁部から中央方向に向けて2mmの領域とした。
Then, with a mounter equipped with an ultraviolet irradiation / tape peeling device (manufactured by Lintec Corporation, trade name "RAD-2700"), ultraviolet rays were irradiated from the substrate surface side of the adhesive tape to completely cure the adhesive layer. The above-mentioned ultraviolet irradiation conditions are a wavelength of 365 nm, an illuminance of 150 mW / cm 2 , and a light intensity of 300 mJ / cm 2 . Next, as a pickup tape, a dicing tape (Adwill D-175 manufactured by Lintec Corporation) was attached to the other surface of the bare wafer. Next, as a peeling tape, a polypropylene film having a width of 50 mm and a length of 60 mm (Adwill S-75C manufactured by Lintec Corporation) was prepared. Heat sealing was performed at a pressure of 0.5 N / cm 2 and 210 ° C. for 5 seconds with a heat sealing device, and a peeling tape was thermocompression bonded to the outer edge of the adhesive tape. The heat-sealed portion is a region of 2 mm from the outer edge portion of the adhesive tape toward the center.

剥離用テープを引張試験機(島津製作所社製、オートグラフAG−IS)により、剥離速度300mm/min、剥離角度180°で、粘着テープをベアウエハから剥離した。剥離開始からヒートシール部を完全に剥離するまでの間(約1cm)での最大剥離力を測定した。10枚の粘着テープについて最大剥離力を測定し、その平均値を熱圧着後粘着力とした。 The peeling tape was peeled from the bare wafer by a tensile tester (manufactured by Shimadzu Corporation, Autograph AG-IS) at a peeling speed of 300 mm / min and a peeling angle of 180 °. The maximum peeling force from the start of peeling to the complete peeling of the heat-sealed portion (about 1 cm) was measured. The maximum peeling force was measured for 10 adhesive tapes, and the average value was taken as the adhesive force after thermocompression bonding.

[剥離評価]
上記熱圧着後粘着力の測定と同様のベアウエハの研磨面に、ウエハの縦方向および横方向にそれぞれ1mm間隔で、深さ70μm、幅30μmの溝を削成し、同面に粘着テープ(バックグラインドテープ)を貼付した。その後、ウエハの裏面側を研削し、先ダイシング法により厚さ30μm、チップサイズ1mm×1mmに個片化した。
[Peeling evaluation]
Grooves with a depth of 70 μm and a width of 30 μm are formed on the polished surface of the bare wafer in the same manner as in the measurement of the adhesive force after thermocompression bonding at 1 mm intervals in the vertical and horizontal directions of the wafer, and the adhesive tape (back) is formed on the same surface. Grind tape) was attached. Then, the back surface side of the wafer was ground and separated into pieces having a thickness of 30 μm and a chip size of 1 mm × 1 mm by a pre-dicing method.

裏面研削終了後、紫外線照射・テープ剥離装置付きマウンター(リンテック株式会社製、商品名「RAD−2700」)にて、粘着テープの基材面側から紫外線を照射し、粘着剤層を完全に硬化した。なお、上記の紫外線照射条件は、波長365nm、照度150mW/cm、光量300mJ/cmである。その後、ピックアップテープとして、ダイシングテープ(リンテック社製、Adwill D-175)をチップ群に貼付し、ダイシングテ
ープの外周部をリングフレームで固定した。次いで剥離用テープとして、幅50mm長さ60mmのポリプロピレンフィルム(リンテック社製、Adwill S-75C)を準備した。ヒートシール装置にて、圧力0.5N/cm2、210℃で5秒間ヒートシールを行い、粘着テープの外縁部に剥離用テープを熱圧着した。ヒートシール部は、粘着テープの外縁部から中央方向に向けて2mmの領域とした。
After the back surface grinding is completed, the adhesive layer is completely cured by irradiating the adhesive tape with ultraviolet rays from the base material surface side with a mounter with an ultraviolet irradiation / tape peeling device (manufactured by Lintec Corporation, trade name "RAD-2700"). did. The above-mentioned ultraviolet irradiation conditions are a wavelength of 365 nm, an illuminance of 150 mW / cm 2 , and a light intensity of 300 mJ / cm 2 . Then, as a pickup tape, a dicing tape (Adwill D-175 manufactured by Lintec Corporation) was attached to the chip group, and the outer peripheral portion of the dicing tape was fixed with a ring frame. Next, as a peeling tape, a polypropylene film having a width of 50 mm and a length of 60 mm (Adwill S-75C manufactured by Lintec Corporation) was prepared. Heat sealing was performed at a pressure of 0.5 N / cm 2 and 210 ° C. for 5 seconds with a heat sealing device, and a peeling tape was thermocompression bonded to the outer edge of the adhesive tape. The heat-sealed portion is a region of 2 mm from the outer edge portion of the adhesive tape toward the center.

剥離用テープを持ち、粘着テープを折り返すようにしながら、粘着テープをチップ群から剥離した。粘着テープの粘着剤層に残着されたチップの個数を確認した。
上記の操作で、粘着テープに残着したチップの個数を合計し、以下の基準で評価した。
優良:10個未満
良好:10個以上30個未満
不良:30個以上
The adhesive tape was peeled off from the chip group while holding the peeling tape and folding back the adhesive tape. The number of chips left on the adhesive layer of the adhesive tape was confirmed.
By the above operation, the number of chips remaining on the adhesive tape was totaled and evaluated according to the following criteria.
Excellent: Less than 10 Good: 10 or more and less than 30 Defective: 30 or more

なお、以下の実施例、及び比較例の質量部は全て固形分値である。
以下の複層基材を準備した。
(1)複層基材1
基材として厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(ヤング率:2500MPa)を用いた。この基材に以下の緩衝層を設けた複層基材1を準備した。
The mass parts of the following Examples and Comparative Examples are all solid content values.
The following multi-layer base material was prepared.
(1) Multi-layer base material 1
A polyethylene terephthalate film (Young's modulus: 2500 MPa) having a thickness of 50 μm was used as a base material. A multi-layer base material 1 provided with the following buffer layer on this base material was prepared.

(緩衝層形成用組成物)
(ウレタンアクリレート系オリゴマーの合成)
ポリカーボネートジオールと、イソホロンジイソシアネートとを反応させて得られた末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、2−ヒドロキシエチルアクリレートを反応させて、重量平均分子量(Mw)が約5000のウレタンアクリレート系オリゴマー(UA−1)を得た。
(Composition for forming a buffer layer)
(Synthesis of urethane acrylate oligomer)
A urethane acrylate-based oligomer (UA-1) having a weight average molecular weight (Mw) of about 5000 by reacting 2-hydroxyethyl acrylate with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polycarbonate diol with isophorone diisocyanate. Got

上記で合成したウレタンアクリレート系オリゴマー(UA−1)50質量部、イソボルニルアクリレート(IBXA)30質量部、テトラヒドロフルフリルアクリレート(THFA)40質量部、及び、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPHA)15質量部を配合し、さらに光重合開始剤としての2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン(BASFジャパン社製、製品名「ダロキュア1173」)1.0質量部を配合し、緩衝層形成用組成物を調製した。 50 parts by mass of urethane acrylate-based oligomer (UA-1) synthesized above, 30 parts by mass of isobornyl acrylate (IBXA), 40 parts by mass of tetrahydrofurfuryl acrylate (THFA), and dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA) 15 A part by mass is blended, and further, 1.0 part by mass of 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propane-1-one (manufactured by BASF Japan, product name "DaroCure 1173") as a photopolymerization initiator is blended. Then, a composition for forming a buffer layer was prepared.

(複層基材1の作成)
剥離シート(リンテック社製、商品名「SP−PET381031」)の剥離処理面に緩衝層形成用組成物を塗布し、塗布膜を形成した。次いで、この塗布膜に対して、紫外線を照射し、塗布膜を半硬化して厚さが53μmの緩衝層形成膜を形成した。
なお、上記の紫外線照射は、ベルトコンベア式紫外線照射装置(アイグラフィックス社製、装置名「US2−0801」) 及び高圧水銀ランプ(アイグラフィックス社製、装置名「H08−L41」) を使用し、ランプ高さ230mm、出力80mW/cm、光線波長365nmの照度90mW/cm、照射量50mJ/cmの照射条件下にて行った。
(Preparation of multi-layer base material 1)
The composition for forming a buffer layer was applied to the peeled surface of the peeling sheet (manufactured by Lintec Corporation, trade name "SP-PET38131") to form a coating film. Next, the coating film was irradiated with ultraviolet rays, and the coating film was semi-cured to form a buffer layer forming film having a thickness of 53 μm.
For the above ultraviolet irradiation, a belt conveyor type ultraviolet irradiation device (manufactured by Eye Graphics, device name "US2-0801") and a high-pressure mercury lamp (manufactured by Eye Graphics, device name "H08-L41") are used. The irradiation was performed under irradiation conditions of a lamp height of 230 mm, an output of 80 mW / cm, a light wavelength of 365 nm, an illuminance of 90 mW / cm 2 , and an irradiation amount of 50 mJ / cm 2.

そして、形成した緩衝層形成膜の表面と、PET基材とを貼り合わせ、緩衝層形成膜上の剥離シート側から再度紫外線を照射して、当該緩衝層形成膜を完全に硬化させ、厚さ53μmの緩衝層を形成し、PET基材と緩衝層とからなる複層基材1を準備した。なお、上記の紫外線照射は、上述の紫外線照射装置及び高圧水銀ランプを使用し、ランプ高さ220mm、換算出力120mW/cm、光線波長365nmの照度160mW/cm、照射量350mJ/cmの照射条件下にて行った。Then, the surface of the formed buffer layer forming film and the PET base material are adhered to each other, and ultraviolet rays are irradiated again from the release sheet side on the buffer layer forming film to completely cure the buffer layer forming film to obtain a thickness. A 53 μm buffer layer was formed, and a multi-layer substrate 1 composed of a PET substrate and a buffer layer was prepared. The above-mentioned ultraviolet irradiation uses the above-mentioned ultraviolet irradiation device and a high-pressure mercury lamp, and irradiates with a lamp height of 220 mm, a conversion output of 120 mW / cm , an illuminance of 160 mW / cm 2 with a light wavelength of 365 nm, and an irradiation amount of 350 mJ / cm 2 . It was performed under the conditions.

(2)複層基材2〜4
基材としてポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用いた。この基材に以下の緩衝層を設けた複層基材を準備した。緩衝層はいずれも厚さ27.5μmの低密度ポリエチレン(LDPE)を用いた。
複層基材2:LDPE(27.5μm)/PET(25.0μm)/LDPE(27.5μm)
複層基材3:LDPE(27.5μm)/PET(50μm)/LDPE(27.5μm)
複層基材4:LDPE(27.5μm)/PET(75.0μm)/LDPE(27.5μm)
(2) Multi-layer base material 2-4
A polyethylene terephthalate (PET) film was used as a base material. A multi-layer base material provided with the following buffer layer on this base material was prepared. As the buffer layer, low density polyethylene (LDPE) having a thickness of 27.5 μm was used.
Multi-layer substrate 2: LDPE (27.5 μm) / PET (25.0 μm) / LDPE (27.5 μm)
Multi-layer substrate 3: LDPE (27.5 μm) / PET (50 μm) / LDPE (27.5 μm)
Multi-layer substrate 4: LDPE (27.5 μm) / PET (75.0 μm) / LDPE (27.5 μm)

(3)粘着剤層
以下の粘着剤組成物A〜Eを調製した。
(粘着剤組成物Aの調製)
n−ブチルアクリレート(BA)65質量部、メチルメタクリレート(MMA)20質量部、及び2−ヒドロキシエチルアクリレート(2HEA)15質量部を酢酸エチル中で共重合して得たアクリル系重合体に、該アクリル系重合体の全水酸基のうち80モル%の水酸基に付加するように、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)を反応させて、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂(Mw:50万)を得た。
(3) Adhesive Layer The following adhesive compositions A to E were prepared.
(Preparation of Adhesive Composition A)
An acrylic polymer obtained by copolymerizing 65 parts by mass of n-butyl acrylate (BA), 20 parts by mass of methyl methacrylate (MMA), and 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (2HEA) in ethyl acetate. 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) is reacted so as to be added to 80 mol% of all hydroxyl groups of the acrylic polymer to obtain an energy ray-curable acrylic resin (Mw: 500,000). It was.

上述のエネルギー線硬化性アクリル系重合体100質量部に対し、トリレンジイソシアネート系架橋剤(東ソー社製、製品名「コロネートL」)1質量部(固形比)と、光重合開始剤(チバ・スペシャリティケミカルズ株式会社製、製品名「イルガキュア184」)3.3質量部(固形比)を混合し、エネルギー線硬化性粘着組成物Aを得た。 1 part by mass (solid ratio) of a tolylene diisocyanate-based cross-linking agent (manufactured by Toso Co., Ltd., product name "Coronate L") and a photopolymerization initiator (Ciba) with respect to 100 parts by mass of the above-mentioned energy ray-curable acrylic polymer. Product name "Irgacure 184") manufactured by Specialty Chemicals Co., Ltd.) 3.3 parts by mass (solid ratio) was mixed to obtain an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition A.

(粘着剤組成物Bの調製)
n−ブチルアクリレート(BA)89質量部、メチルメタクリレート(MMA)8質量部、及び2−ヒドロキシエチルアクリレート(2HEA)3質量部を共重合してアクリル系重合体(Mw:80万)を得た。
(Preparation of Adhesive Composition B)
89 parts by mass of n-butyl acrylate (BA), 8 parts by mass of methyl methacrylate (MMA), and 3 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (2HEA) were copolymerized to obtain an acrylic polymer (Mw: 800,000). ..

上述のアクリル系重合体100質量部に対し、架橋剤としてトリレンジイソシアネート系架橋剤(東ソー社製、製品名「コロネートL」)1質量部(固形分)、エポキシ系架橋剤(1,3-ビス(N,N-ジグリシジルアミノメチル)シクロヘキサン)2質量部(固形分)と、紫外線硬化型樹脂(日本合成化学工業株式会社製、製品名「紫光UV−3210EA」)45質量部(固形分)と光重合開始剤(チバ・スペシャリティケミカルズ株式会社製、製品名「イルガキュア184」)1質量部(固形分)を混合し、エネルギー線硬化性粘着剤組成物Bを得た。得られた粘着組成物を用いて、硬化後貯蔵弾性率を測定した。 With respect to 100 parts by mass of the above acrylic polymer, 1 part by mass (solid content) of a tolylene isocyanate-based cross-linking agent (manufactured by Toso Co., Ltd., product name "Coronate L") and an epoxy-based cross-linking agent (1,3- Bis (N, N-diglycidylaminomethyl) cyclohexane) 2 parts by mass (solid content) and UV curable resin (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., product name "Shikou UV-3210EA") 45 parts by mass (solid content) ) And 1 part by mass (solid content) of a photopolymerization initiator (manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., product name “Irgacure 184”) to obtain an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition B. The storage elastic modulus after curing was measured using the obtained adhesive composition.

(粘着剤組成物Cの調製)
n−ブチルアクリレート(BA)50質量部、メチルメタクリレート(MMA)25質量部、及び2−ヒドロキシエチルアクリレート(2HEA)25質量部を共重合して得たアクリル系重合体に、該アクリル系重合体の全水酸基のうち90モル%の水酸基に付加するように、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)を反応させて、エネルギー線硬化性のアクリル系重合体(Mw:50万)を得た。
(Preparation of Adhesive Composition C)
The acrylic polymer is added to an acrylic polymer obtained by copolymerizing 50 parts by mass of n-butyl acrylate (BA), 25 parts by mass of methyl methacrylate (MMA), and 25 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (2HEA). 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) was reacted so as to be added to 90 mol% of the total hydroxyl groups in the above, to obtain an energy ray-curable acrylic polymer (Mw: 500,000).

上述のエネルギー線硬化性アクリル系重合体100質量部に対し、エネルギー線硬化性化合物としてウレタンアクリレートオリゴマー(日本合成化学工業社製、製品名「UT−4220」)6質量部、トリレンジイソシアネート系架橋剤(東ソー社製、商品名「コロネートL」)1質量部(固形分)と、光重合開始剤(チバ・スペシャルティケミカルズ社製、イルガキュア184)1.16質量部(固形比)を混合し、エネルギー線硬化性粘着剤組成物Cを得た。得られた粘着組成物を用いて、硬化後貯蔵弾性率を測定した。 With respect to 100 parts by mass of the above-mentioned energy ray-curable acrylic polymer, 6 parts by mass of urethane acrylate oligomer (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., product name "UT-4220") as an energy ray-curable compound, tolylene diisocyanate-based cross-linking. 1 part by mass (solid content) of the agent (manufactured by Toso Co., Ltd., trade name "Coronate L") and 1.16 parts by mass (solid ratio) of the photopolymerization initiator (manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Irgacure 184) are mixed. An energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition C was obtained. The storage elastic modulus after curing was measured using the obtained adhesive composition.

(粘着剤組成物Dの調製)
n−ブチルアクリレート(BA)60質量部、メチルメタクリレート(MMA)20質量部、及び2−ヒドロキシエチルアクリレート(2HEA)20質量部を共重合して得たアクリル系重合体に、該アクリル系重合体の全水酸基のうち80モル%の水酸基に付加するように、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)を反応させて、エネルギー線硬化性のアクリル系重合体(Mw:45万)を得た。
(Preparation of Adhesive Composition D)
The acrylic polymer is added to an acrylic polymer obtained by copolymerizing 60 parts by mass of n-butyl acrylate (BA), 20 parts by mass of methyl methacrylate (MMA), and 20 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (2HEA). 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) was reacted so as to be added to 80 mol% of the total hydroxyl groups in the above, to obtain an energy ray-curable acrylic polymer (Mw: 450,000).

上述のエネルギー線硬化性アクリル系重合体100質量部に対し、トリレンジイソシアネート系架橋剤(東ソー社製、商品名「コロネートL」)0.7質量部(固形分)と、光重合開始剤(チバ・スペシャルティケミカルズ社製、イルガキュア184)1.16質量部(固形比)を混合し、エネルギー線硬化性粘着組成物Dを得た。得られた粘着組成物を用いて、硬化後貯蔵弾性率を測定した。 To 100 parts by mass of the above-mentioned energy ray-curable acrylic polymer, 0.7 parts by mass (solid content) of a tolylene diisocyanate-based cross-linking agent (manufactured by Toso Co., Ltd., trade name "Coronate L") and a photopolymerization initiator (solid content) 1.16 parts by mass (solid ratio) of Irgacure 184) manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd. was mixed to obtain an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition D. The storage elastic modulus after curing was measured using the obtained adhesive composition.

(粘着剤組成物Eの調製)
n−ブチルアクリレート(BA)89質量部、メチルメタクリレート(MMA)8質量部、及び2−ヒドロキシエチルアクリレート(2HEA)3質量部を共重合してアクリル系重合体(Mw:80万)を得た。
(Preparation of Adhesive Composition E)
89 parts by mass of n-butyl acrylate (BA), 8 parts by mass of methyl methacrylate (MMA), and 3 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (2HEA) were copolymerized to obtain an acrylic polymer (Mw: 800,000). ..

上述のアクリル系重合体100質量部に対し、架橋剤としてトリレンジイソシアネート系架橋剤(東ソー社製、製品名「コロネートL」)1質量部(固形分)、紫外線硬化型樹脂(日本合成化学工業株式会社製、製品名「紫光UV−3210EA」)22質量部(固形分)と光重合開始剤(チバ・スペシャリティケミカルズ株式会社製、製品名「イルガキュア184」)1.16質量部(固形分)を混合し、エネルギー線硬化性粘着剤組成物Eを得た。得られた粘着組成物を用いて、硬化後貯蔵弾性率を測定した。 1 part by mass (solid content) of tolylene diisocyanate-based cross-linking agent (manufactured by Toso Co., Ltd., product name "Coronate L"), UV curable resin (Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.) with respect to 100 parts by mass of the above acrylic polymer. Made by Co., Ltd., product name "Shikou UV-3210EA") 22 parts by mass (solid content) and photopolymerization initiator (manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., product name "Irgacure 184") 1.16 parts by mass (solid content) Was mixed to obtain an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition E. The storage elastic modulus after curing was measured using the obtained adhesive composition.

[実施例1]
剥離シート(リンテック社製、商品名「SP−PET381031」)の剥離処理面に、上記で得たエネルギー線硬化性粘着組成物Aの塗工液を塗工し、100℃で1分間加熱乾燥させて、剥離シート上に厚さが20μmの粘着剤層を形成した。
[Example 1]
The peeling surface of the peeling sheet (manufactured by Lintec Corporation, trade name "SP-PET38131") is coated with the coating liquid of the energy ray-curable adhesive composition A obtained above, and dried by heating at 100 ° C. for 1 minute. A pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 20 μm was formed on the release sheet.

複層基材1の緩衝層が形成された面の反対面に、粘着剤層を貼り合わせ、粘着テープを作製した。得られた粘着テープの熱圧着後粘着力を測定し、また剥離評価を行った。 An adhesive layer was attached to the opposite surface of the multi-layer base material 1 on which the buffer layer was formed to prepare an adhesive tape. The adhesive strength of the obtained adhesive tape after thermocompression bonding was measured, and peeling evaluation was performed.

[実施例2]
複層基材2および粘着剤組成物Bを用い、粘着剤層の厚さを50μmとした以外は、実施例1と同様にして、粘着テープを作製した。粘着剤層は緩衝層であるLDPE層上に設けた。得られた粘着テープの熱圧着後粘着力を測定し、また剥離評価を行った。
[Example 2]
An adhesive tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was 50 μm using the multilayer base material 2 and the pressure-sensitive adhesive composition B. The pressure-sensitive adhesive layer was provided on the LDPE layer, which is a buffer layer. The adhesive strength of the obtained adhesive tape after thermocompression bonding was measured, and peeling evaluation was performed.

[実施例3]
複層基材3および粘着剤組成物Cを用い、粘着剤層の厚さを20μmとした以外は、実施例1と同様にして、粘着テープを作製した。粘着剤層は緩衝層であるLDPE層上に設けた。得られた粘着テープの熱圧着後粘着力を測定し、また剥離評価を行った。
[Example 3]
An adhesive tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was set to 20 μm using the multilayer base material 3 and the pressure-sensitive adhesive composition C. The pressure-sensitive adhesive layer was provided on the LDPE layer, which is a buffer layer. The adhesive strength of the obtained adhesive tape after thermocompression bonding was measured, and peeling evaluation was performed.

[実施例4]
複層基材4および粘着剤組成物D用い、粘着剤層の厚さを40μmとした以外は、実施例1と同様にして、粘着テープを作製した。粘着剤層は緩衝層であるLDPE層上に設けた。得られた粘着テープの熱圧着後粘着力を測定し、また剥離評価を行った。
[Example 4]
An adhesive tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was set to 40 μm by using the multilayer base material 4 and the pressure-sensitive adhesive composition D. The pressure-sensitive adhesive layer was provided on the LDPE layer, which is a buffer layer. The adhesive strength of the obtained adhesive tape after thermocompression bonding was measured, and peeling evaluation was performed.

[比較例1]
複層基材3および粘着剤組成物Eを用い、粘着剤層の厚さを20μmとした以外は、実施例1と同様にして、粘着テープを作製した。粘着剤層は緩衝層であるLDPE層上に設けた。得られた粘着テープの熱圧着後粘着力を測定し、また剥離評価を行った。
[Comparative Example 1]
An adhesive tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was 20 μm using the multilayer base material 3 and the pressure-sensitive adhesive composition E. The pressure-sensitive adhesive layer was provided on the LDPE layer, which is a buffer layer. The adhesive strength of the obtained adhesive tape after thermocompression bonding was measured, and peeling evaluation was performed.

Figure 2019181732
Figure 2019181732

以上の結果から、熱圧着後粘着力が9.0N/25mm以下であれば、剥離用テープの熱圧着を行っても、ヒートシール部におけるチップ転写不良がなく、ピックアップテープまたは接着テープにチップを良好に転写できることが分かる。また、実施例、比較例に詳細に記載した粘着テープの他、各種の粘着テープを用いた試験により熱圧着後粘着力が9.0N/25mm以下であれば、良好な結果が得られることを確認した。 From the above results, if the adhesive strength after thermocompression bonding is 9.0 N / 25 mm or less, there is no chip transfer defect in the heat-sealed portion even if the peeling tape is thermocompression bonded, and the chip is attached to the pickup tape or the adhesive tape. It can be seen that the transfer can be performed well. In addition to the adhesive tapes described in detail in Examples and Comparative Examples, good results can be obtained if the adhesive strength after thermocompression bonding is 9.0 N / 25 mm or less in tests using various adhesive tapes. confirmed.

10…粘着テープ(バックグラインドテープ)
11…基材
12…粘着剤層
20…チップ群
21…チップ
30…ピックアップテープ
40…リングフレーム
50…剥離用テープ
10 ... Adhesive tape (back grind tape)
11 ... Base material 12 ... Adhesive layer 20 ... Chip group 21 ... Chip 30 ... Pickup tape 40 ... Ring frame 50 ... Peeling tape

Claims (4)

基材と、その片面に設けられた粘着剤層とを含む粘着テープであって、
前記粘着剤層が、エネルギー線硬化性粘着剤からなり、
前記粘着剤層にシリコンウエハ鏡面を貼付後、粘着剤層にエネルギー線照射して硬化し、さらに圧力0.5N/cm2、210℃で5秒間熱圧着した後の23℃における粘着力が9.0N/25mm以下である粘着テープ。
An adhesive tape containing a base material and an adhesive layer provided on one side thereof.
The pressure-sensitive adhesive layer comprises an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive.
After a silicon wafer mirror surface is attached to the pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer is cured by irradiating it with energy rays, and further thermocompression-bonded at a pressure of 0.5 N / cm 2 and 210 ° C. for 5 seconds, and then the adhesive strength at 23 ° C. is 9. Adhesive tape of 0.0N / 25mm or less.
半導体ウエハ表面に溝が形成された半導体ウエハの表面にバックグラインドテープを貼付して、裏面を研削して、その研削により半導体ウエハを半導体チップに個片化し、その後個片化されたチップ群をピックアップテープまたは接着テープに転写する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記バックグラインドテープとして使用される、請求項1に記載の粘着テープ。 A back grind tape is attached to the front surface of the semiconductor wafer having grooves formed on the surface of the semiconductor wafer, the back surface is ground, and the semiconductor wafer is fragmented into semiconductor chips by the grinding, and then the fragmented chip group is formed. The adhesive tape according to claim 1, which is used as the backgrinding tape in a method for manufacturing a semiconductor device including a step of transferring to a pickup tape or an adhesive tape. 半導体ウエハ表面に溝が形成された半導体ウエハの表面にバックグラインドテープを貼付して、裏面を研削して、その研削により半導体ウエハを半導体チップに個片化し、その後個片化されたチップ群をピックアップテープまたは接着テープに転写する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記バックグラインドテープとして請求項1に記載の粘着テープを使用する半導体装置の製造方法。 A back grind tape is attached to the front surface of the semiconductor wafer having grooves formed on the surface of the semiconductor wafer, the back surface is ground, and the semiconductor wafer is fragmented into semiconductor chips by the grinding, and then the fragmented chip group is formed. A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step of transferring to a pickup tape or an adhesive tape, wherein the adhesive tape according to claim 1 is used as the backgrinding tape. 請求項1に記載の粘着テープの使用であって、半導体ウエハ表面に溝が形成された半導体ウエハの表面にバックグラインドテープを貼付して、裏面を研削して、その研削により半導体ウエハを半導体チップに個片化し、その後個片化されたチップ群をピックアップテープまたは接着テープに転写する工程を含む半導体装置の製造方法における、前記バックグラインドテープとしての使用。 The adhesive tape according to claim 1, wherein a back grind tape is attached to the surface of the semiconductor wafer having grooves formed on the surface of the semiconductor wafer, the back surface is ground, and the semiconductor wafer is formed into a semiconductor chip by the grinding. Use as the backgrinding tape in a method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step of separating the pieces into individual pieces and then transferring the individualized pieces to a pickup tape or an adhesive tape.
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