JPWO2019038836A1 - Soft error inspection method, soft error inspection device and soft error inspection system - Google Patents

Soft error inspection method, soft error inspection device and soft error inspection system Download PDF

Info

Publication number
JPWO2019038836A1
JPWO2019038836A1 JP2019537464A JP2019537464A JPWO2019038836A1 JP WO2019038836 A1 JPWO2019038836 A1 JP WO2019038836A1 JP 2019537464 A JP2019537464 A JP 2019537464A JP 2019537464 A JP2019537464 A JP 2019537464A JP WO2019038836 A1 JPWO2019038836 A1 JP WO2019038836A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
soft error
signal
energy beam
semiconductor device
error inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019537464A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6870740B2 (en
Inventor
添田 武志
武志 添田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of JPWO2019038836A1 publication Critical patent/JPWO2019038836A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6870740B2 publication Critical patent/JP6870740B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/30Marginal testing, e.g. by varying supply voltage

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

半導体デバイスにおけるソフトエラー検査方法において、前記半導体デバイスのロジック回路に、エネルギービームを照射する工程と、前記エネルギービームの照射されている前記半導体デバイスのソフトエラーを測定する工程と、を有し、前記エネルギービームは、周期的な信号成分と、ノイズ成分とを加えた信号により強度変調されたものであることを特徴とするソフトエラー検査方法により上記課題を解決する。The soft error inspection method for a semiconductor device includes a step of irradiating a logic circuit of the semiconductor device with an energy beam and a step of measuring a soft error of the semiconductor device irradiated with the energy beam. The above problem is solved by a soft error inspection method characterized in that the energy beam is intensity-modulated by a signal to which a periodic signal component and a noise component are added.

Description

本発明は、ソフトエラー検査方法、ソフトエラー検査装置及びソフトエラー検査システムに関するものである。 The present invention relates to a soft error inspection method, a soft error inspection apparatus, and a soft error inspection system.

LSI(Large Scale Integration)等の半導体デバイスでは、放射線による誤動作、いわゆるソフトエラーが生じることが知られている。このようなソフトエラーは、インフラ系サーバやスパコンなどのミッションクリティカルな機器だけでなく、宇宙用や医療用等の耐放射線が求められる装置、FA(Factory Automation)機器や通信基地局機材等の24時間止められない装置においては、課題となっている。 It is known that semiconductor devices such as LSIs (Large Scale Integration) cause malfunctions due to radiation, so-called soft errors. Such soft errors occur not only in mission-critical equipment such as infrastructure servers and spacons, but also in equipment that requires radiation resistance for space and medical use, FA (Factory Automation) equipment, communication base station equipment, etc. This is a problem for devices that cannot stop time.

一般に、ソフトエラーは欠陥が残らないため検査が困難である。具体的には、ソフトエラーの検査方法としては、高地でのランニング試験や加速器を使った試験等がある。加速器を使った試験は、更に、中性子やイオンをLSIチップの全面に照射する方法と、集光可能な電子やレーザを局所的に照射する方法とに分けられる。これらの方法のうち、レーザ評価法は、真空にする必要がないため小規模な機材で実現可能であり、また特定のメモリ領域を個別に評価できる点で優れている。 In general, soft errors are difficult to inspect because no defects remain. Specifically, soft error inspection methods include running tests at high altitudes and tests using accelerators. The test using an accelerator is further divided into a method of irradiating the entire surface of the LSI chip with neutrons and ions and a method of locally irradiating condensing electrons and lasers. Of these methods, the laser evaluation method is superior in that it can be realized with a small-scale equipment because it does not need to be evacuated, and that a specific memory area can be evaluated individually.

特開2012−58247号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-58247 特開2002−207068号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-207068 特表2010−534331号公報Special Table 2010-534331A 特表2016−521352号公報Special Table 2016-521352

ところで、ソフトエラーには、半導体メモリに記憶されている情報が反転するメモリ反転の他、半導体により形成されたロジック回路における誤動作がある。具体的には、ロジック回路が形成されている領域に放射線が入射すると、それにより電荷が発生し、この電荷によりロジック回路を形成しているトランジスタにおいて電圧ノイズとなる場合がある。ロジック回路は入力されるクロック信号に基づき動作するため、この電圧ノイズがトリガ信号と誤認識されると、誤ったオペレーションが伝播し、誤動作につながる。このように、電圧ノイズがトリガ信号と誤認識される現象はシングルイベントトランジェント(SET:Single Event Transient)と呼ばれ、過渡的電圧変化によるロジック部の誤動作要因として知られている。 By the way, soft errors include memory inversion in which information stored in a semiconductor memory is inverted, and malfunction in a logic circuit formed by a semiconductor. Specifically, when radiation is incident on the region where the logic circuit is formed, an electric charge is generated by the radiation, and the electric charge may cause voltage noise in the transistor forming the logic circuit. Since the logic circuit operates based on the input clock signal, if this voltage noise is erroneously recognized as a trigger signal, the erroneous operation propagates, leading to a malfunction. Such a phenomenon in which voltage noise is erroneously recognized as a trigger signal is called a single event transient (SET), and is known as a cause of malfunction of the logic unit due to a transient voltage change.

このため、半導体デバイスがロジック回路等である場合において、SETによるソフトエラーの検査を行うことのできるソフトエラー検査方法が求められている。 Therefore, when the semiconductor device is a logic circuit or the like, there is a demand for a soft error inspection method capable of inspecting soft errors by SET.

本実施の形態の一観点によれば、半導体デバイスにおけるソフトエラー検査方法において、前記半導体デバイスのロジック回路に、エネルギービームを照射する工程と、前記エネルギービームの照射されている前記半導体デバイスのソフトエラーを測定する工程と、を有し、前記エネルギービームは、周期的な信号成分と、ノイズ成分とを加えた信号により強度変調されたものであることを特徴とする。 According to one aspect of the present embodiment, in the soft error inspection method for a semiconductor device, a step of irradiating the logic circuit of the semiconductor device with an energy beam and a soft error of the semiconductor device irradiated with the energy beam. The energy beam is intensity-modulated by a signal to which a periodic signal component and a noise component are added.

開示のソフトエラー検査方法によれば、半導体デバイスのロジック回路等において、SETによるソフトエラーの検査を行うことができる。 According to the disclosed soft error inspection method, it is possible to inspect soft errors by SET in a logic circuit or the like of a semiconductor device.

SETによるソフトエラーの説明図(1)Explanatory drawing of soft error by SET (1) SETによるソフトエラーの説明図(2)Explanatory drawing of soft error by SET (2) 第1の実施の形態におけるソフトエラー検査装置の構造図Structural drawing of the soft error inspection device according to the first embodiment 第1の実施の形態におけるソフトエラー検査装置の説明図Explanatory drawing of soft error inspection apparatus in 1st Embodiment 第1の実施の形態におけるソフトエラー検査に用いられる信号の説明図Explanatory drawing of the signal used for the soft error check in the 1st Embodiment 第1の実施の形態におけるソフトエラー検査方法のフローチャートFlowchart of soft error inspection method in the first embodiment 第2の実施の形態におけるソフトエラー検査装置の説明図Explanatory drawing of soft error inspection apparatus in 2nd Embodiment ソフトエラー検査に用いられる信号の説明図(1)Explanatory drawing of signals used for soft error inspection (1) ソフトエラー検査に用いられる信号の説明図(2)Explanatory drawing of signals used for soft error inspection (2) ソフトエラー検査に用いられる信号の説明図(3)Explanatory drawing of signals used for soft error inspection (3) 第2の実施の形態におけるソフトエラー検査方法の説明図Explanatory drawing of soft error inspection method in 2nd Embodiment ソフトエラー検査に用いられる信号の説明図(4)Explanatory drawing of signals used for soft error inspection (4)

実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。 The embodiment for carrying out will be described below. The same members and the like are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

〔第1の実施の形態〕
最初に、ソフトエラーについて説明する。高エネルギービームがLSIチップ内部に入射するとエネルギーが失われつつも進み続け、その飛跡に沿って電子・正孔対が生成される。これらの電荷が電極に移動すると電圧ノイズとなる場合がある。ロジック回路は入力されるクロック信号に基づき動作するため、この電圧ノイズがトリガ信号と誤認識されるとソフトエラーとなり、誤動作につながる。LSIチップでは、高速化の傾向にあるが、クロック数が高くなり、LSIチップが高速動作すると、トリガ信号を誤認識する確率が高くなる。従って、LSIチップの高速化に伴い、ソフトエラーの問題は顕著になるものと推察される。
[First Embodiment]
First, soft errors will be described. When the high-energy beam enters the inside of the LSI chip, it continues to advance while losing energy, and electron-hole pairs are generated along the track. When these charges move to the electrodes, they may cause voltage noise. Since the logic circuit operates based on the input clock signal, if this voltage noise is erroneously recognized as a trigger signal, a soft error will occur, leading to malfunction. The speed of the LSI chip tends to increase, but when the number of clocks increases and the LSI chip operates at high speed, the probability of erroneously recognizing the trigger signal increases. Therefore, it is presumed that the problem of soft error becomes more prominent as the speed of the LSI chip increases.

LSIチップ内におけるメモリの最大の誤動作要因としては、シングルイベントアップセット(SEU:Single Event Upset)と呼ばれるものがある。SEUは、記憶されていた情報が反転する静的な状態におけるソフトエラーである。これに対し、SETは、クロック信号により動作しているロジック回路の動的な状態におけるソフトエラーである。従って、SETのソフトエラーの検査は、SEUのソフトエラーの検査とは異なる方法で行われる。また、SETのソフトエラーは、ロジック回路の動的な状態におけるソフトエラーであることから、SEUのソフトエラーよりも検出が困難であるとされている。 The largest cause of memory malfunction in an LSI chip is what is called a single event upset (SEU). SEU is a soft error in a static state where the stored information is inverted. On the other hand, SET is a soft error in a dynamic state of a logic circuit operating by a clock signal. Therefore, the SET soft error check is performed in a different way than the SEU soft error check. Further, since the SET soft error is a soft error in the dynamic state of the logic circuit, it is said that it is more difficult to detect than the SEU soft error.

本実施の形態においては、LSIチップ内におけるフリップフロップの内部ノードやクロックノードなどで構成されるロジック回路のSETを加速評価するため、電子線やレーザなどのエネルギービームを集光し、LSIチップの局所を照射する。シリコンにおいては、電子照射の場合は電離作用により電荷が発生するが、レーザ照射の場合は二光子吸収の効果により電荷が発生する。電荷がトランジスタに取り込まれれば電圧ノイズとなるため、その後は照射されたエネルギービームの種類によらず、同じSETの素過程を経ると考えられる。 In the present embodiment, in order to accelerate and evaluate the SET of a logic circuit composed of an internal node of a flip-flop and a clock node in the LSI chip, an energy beam such as an electron beam or a laser is focused to be focused on the LSI chip. Irradiate the local area. In silicon, in the case of electron irradiation, an electric charge is generated by an ionization action, but in the case of laser irradiation, an electric charge is generated by the effect of two-photon absorption. If the electric charge is taken into the transistor, it becomes voltage noise. Therefore, it is considered that the same SET elementary process is performed thereafter regardless of the type of the irradiated energy beam.

具体的には、レーザの場合では、LSIチップにレーザを照射すると、二光子吸収といって2個の光子を同時に吸収する励起過程により、電子・正孔対が生成される。光子によるエネルギーがSiのバンドギャップエネルギーである1.12eVを上回れば、間接遷移により電子・正孔対が生成される。このように生成された電子・正孔により電圧ノイズが発生する。 Specifically, in the case of a laser, when the LSI chip is irradiated with a laser, electron-hole pairs are generated by an excitation process called two-photon absorption, which absorbs two photons at the same time. If the energy due to photons exceeds the bandgap energy of Si, 1.12 eV, electron-hole pairs are generated by indirect transition. Voltage noise is generated by the electrons and holes generated in this way.

例えば、図1に示すロジック回路の場合では、複数の論理回路が接続された組み合わせ回路110とフリップフロップ120とを有している。このようなロジック回路では、図2(a)に示すように、クロック信号CLKの立ち上がりの際に、フリップフロップ120に入力している入力信号Dinが取り込まれる。例えば、図1に示すように、組み合わせ回路110の領域111にエネルギービームが入射し、電圧ノイズが発生した場合、この電圧ノイズは、破線矢印に示すように組み合わせ回路110内を伝播し、入力信号Dinとして、フリップフロップ120に入力する。この電圧ノイズによる信号が、クロック信号CLKの立ち上がりと一致していなければ、フリップフロップ120には取り込まれないため、ソフトエラーとはならず、フリップフロップ120からの出力される出力信号DQは正常なままである。 For example, in the case of the logic circuit shown in FIG. 1, it has a combination circuit 110 to which a plurality of logic circuits are connected and a flip-flop 120. In such a logic circuit, as shown in FIG. 2A, the input signal Din input to the flip-flop 120 is taken in at the rising edge of the clock signal CLK. For example, as shown in FIG. 1, when an energy beam is incident on the region 111 of the combinational circuit 110 and voltage noise is generated, the voltage noise propagates in the combinational circuit 110 as shown by the broken line arrow and is an input signal. It is input to the flip-flop 120 as a Din. If the signal due to this voltage noise does not match the rising edge of the clock signal CLK, it will not be captured in the flip-flop 120, so a soft error will not occur and the output signal DQ output from the flip-flop 120 will be normal. There is up to.

しかしながら、図2(b)に示すように、入力信号Dinにおいて、発生した電圧ノイズによる信号が、クロック信号CLKの立ち上がりと一致している場合、電圧ノイズによる信号が誤ったトリガ信号としてフリップフロップ120に取り込まれてしまう。この場合には、フリップフロップ120からの出力される出力信号DQは反転し、ソフトエラーとなり、誤ったオペレーションが発生することになる。このような、SETのソフトエラーは、フリップフロップが動作している状態に生じるものであることから、検査等が困難である。 However, as shown in FIG. 2B, when the signal due to the generated voltage noise in the input signal Din coincides with the rising edge of the clock signal CLK, the signal due to the voltage noise is regarded as an erroneous trigger signal and the flip-flop 120 Will be taken in. In this case, the output signal DQ output from the flip-flop 120 is inverted, resulting in a soft error and an erroneous operation. Since such a SET soft error occurs in a state where the flip-flop is operating, it is difficult to inspect it.

ところで、SETによるソフトエラーは、自然な環境で放射されているエネルギービームである自然放射線により発生する。このような自然放射線は、エネルギーや強度にムラがあり、ゆらぎが存在していることが知られている。従って、LSIチップに単一な強度等でレーザを照射したのでは、正確なSETによるソフトエラーの検査を行うことができない。このため、自然放射線を模擬したようなレーザを照射して検査を行うことが、正確な検査を行う上で重要となる。 By the way, a soft error due to SET is generated by natural radiation, which is an energy beam emitted in a natural environment. It is known that such natural radiation has uneven energy and intensity, and fluctuations exist. Therefore, if the LSI chip is irradiated with a laser with a single intensity or the like, it is not possible to accurately inspect soft errors by SET. For this reason, it is important to perform an inspection by irradiating a laser that simulates natural radiation in order to perform an accurate inspection.

ここで、発明者は自然放射線について検討を行ったところ、自然放射線には、周期的に強度が変動する成分と、ノイズのようなランダムに強度が変動する成分とが存在していることを見出した。本実施の形態においては、周期的に強度が変動する信号成分と、ランダムに強度が変動するノイズ成分とを足し合わせた信号の強度分布のレーザをLSIチップに照射し、SETによるソフトエラーの検査を行うものである。これにより、実際の環境に近い状態でSETによるソフトエラーの検査を行うことができるため、ソフトエラーの検査を正確に行うことができる。尚、ノイズ成分は、ホワイトノイズに代えて、信号成分の周波数の10倍以上の高い周波数の高周波を用いてもよい。信号成分に対し十分に高い周波数の場合、信号成分に対してノイズ成分に近似したものとして考えることが可能であるからである。この場合、信号成分を第1の周波数成分と記載し、ノイズ成分に近似する高い周波数成分を第2の周波数成分と記載する場合がある。 Here, when the inventor examined natural radiation, he found that natural radiation has a component whose intensity fluctuates periodically and a component whose intensity fluctuates randomly such as noise. It was. In the present embodiment, the LSI chip is irradiated with a laser having a signal intensity distribution obtained by adding a signal component whose intensity fluctuates periodically and a noise component whose intensity fluctuates randomly, and a soft error is inspected by SET. Is to do. As a result, the soft error can be inspected by SET in a state close to the actual environment, so that the soft error can be inspected accurately. As the noise component, a high frequency having a frequency 10 times or more higher than the frequency of the signal component may be used instead of the white noise. This is because when the frequency is sufficiently high with respect to the signal component, it can be considered as being close to the noise component with respect to the signal component. In this case, the signal component may be described as the first frequency component, and the high frequency component that approximates the noise component may be described as the second frequency component.

(ソフトエラー検査装置及びソフトエラー検査システム)
次に、第1の実施の形態におけるソフトエラー検査装置について説明する。図3は、本実施の形態におけるソフトエラー検査装置及びソフトエラー検査システムを示す。本実施の形態におけるソフトエラー検査装置は、走査ステージ20、走査制御部21、照射源30、照射制御部31、測定器40、制御部50等を有している。制御部50は、情報処理部51、記憶部52等を有しており、表示部53及び入力部54が接続されている。
(Soft error inspection device and soft error inspection system)
Next, the soft error inspection device according to the first embodiment will be described. FIG. 3 shows a soft error inspection device and a soft error inspection system according to the present embodiment. The soft error inspection device according to the present embodiment includes a scanning stage 20, a scanning control unit 21, an irradiation source 30, an irradiation control unit 31, a measuring device 40, a control unit 50, and the like. The control unit 50 has an information processing unit 51, a storage unit 52, and the like, and the display unit 53 and the input unit 54 are connected to each other.

検査対象となる試料である半導体デバイス10は、LSIチップ等である。半導体デバイス10は走査ステージ20の上に設置され、走査ステージ20により2次元、即ち、X軸方向及びY軸方向に動かすことができる。走査ステージ20は、走査制御部21により制御される。 The semiconductor device 10 which is a sample to be inspected is an LSI chip or the like. The semiconductor device 10 is installed on the scanning stage 20 and can be moved in two dimensions by the scanning stage 20, that is, in the X-axis direction and the Y-axis direction. The scanning stage 20 is controlled by the scanning control unit 21.

照射源30は、半導体デバイス10に照射されるエネルギービームであるレーザを出射するものであり、照射制御部31により制御される。本実施の形態においては、照射源30からレーザが出射される場合について説明するが、電子線等の荷電粒子が出射されるものであってもよい。半導体デバイス10がシリコンにより形成された半導体デバイスである場合には、シリコンにおいて二光子吸収が生じる波長領域が1100nm〜2100nmであるため、この範囲の波長のレーザを照射する。例えば、照射源30より出射されるレーザの波長は、約1500nmである。 The irradiation source 30 emits a laser, which is an energy beam irradiated to the semiconductor device 10, and is controlled by the irradiation control unit 31. In the present embodiment, the case where the laser is emitted from the irradiation source 30 will be described, but charged particles such as electron beams may be emitted. When the semiconductor device 10 is a semiconductor device formed of silicon, since the wavelength region in which two-photon absorption occurs in silicon is 1100 nm to 2100 nm, a laser having a wavelength in this range is irradiated. For example, the wavelength of the laser emitted from the irradiation source 30 is about 1500 nm.

測定器40は、テスタ等であり、半導体デバイス10の端子に接続されており、半導体デバイス10におけるSETによる情報の変化を測定することができる。 The measuring instrument 40 is a tester or the like, and is connected to the terminal of the semiconductor device 10, and can measure a change in information due to SET in the semiconductor device 10.

制御部50は、本実施の形態におけるソフトエラー検査装置全体の制御及びソフトエラー検査方法に関する情報処理動作を行う。情報処理部51には、情報を記憶する記憶部52、必要な情報を表示するための表示部53、情報処理部51に情報を入力するための入力部54等が接続されている。本実施の形態においては、制御部50における制御により、以下に説明するソフトエラー検査方法を実行することができるソフトエラー検査システムとなっている。 The control unit 50 controls the entire soft error inspection device and performs information processing operations related to the soft error inspection method according to the present embodiment. The information processing unit 51 is connected to a storage unit 52 for storing information, a display unit 53 for displaying necessary information, an input unit 54 for inputting information to the information processing unit 51, and the like. In the present embodiment, the soft error inspection system is capable of executing the soft error inspection method described below under the control of the control unit 50.

本実施の形態においては、図4に示されるように、情報処理部51の内部には、信号成分を発生する第1の信号発生部61と、ノイズ成分を発生させる第2の信号発生部62と、これらの強度等を制御する信号制御部63等が設けられていてもよい。この場合、第1の信号発生部61において発生させる信号成分は、図5(a)に示すように、ソフトエラーが発生するしきい値以下の強度で変動する周期的な信号であり、例えば、100MHzの周波数の正弦波の信号である。第2の信号発生部62において発生させるノイズ成分は、例えば、図5(b)に示すように、ランダムなノイズ、具体的には、ホワイトノイズである。第1の信号発生部61において発生させる信号成分は、ソフトエラーが発生するしきい値を越えてはいないため、第2の信号発生部62において発生させるノイズ成分を加えていない状態では、ソフトエラーは発生しない。 In the present embodiment, as shown in FIG. 4, inside the information processing unit 51, a first signal generation unit 61 that generates a signal component and a second signal generation unit 62 that generates a noise component And, a signal control unit 63 or the like that controls these intensities or the like may be provided. In this case, the signal component generated by the first signal generation unit 61 is, as shown in FIG. 5A, a periodic signal that fluctuates with an intensity equal to or lower than the threshold value at which a soft error occurs. It is a sine wave signal having a frequency of 100 MHz. The noise component generated in the second signal generation unit 62 is, for example, random noise, specifically white noise, as shown in FIG. 5B. Since the signal component generated by the first signal generating unit 61 does not exceed the threshold value at which the soft error occurs, the soft error is not added in the state where the noise component generated by the second signal generating unit 62 is not added. Does not occur.

本実施の形態においては、第1の信号発生部61において発生させる信号成分に、第2の信号発生部62において発生させるノイズ成分を加えることにより、周期的な成分とランダムな成分とを含む信号を発生させる。このような信号に基づき照射制御部31において、照射源30より照射されるレーザの強度変調をすることにより、自然放射線を模擬した状態を発生させる。自然放射線による強度分布は、宇宙や極地に限らず、LSIチップを使用する環境等により異なる。このため、使用される環境における自然放射線が放射された状態と同様となるような、エネルギーのゆらぎを発生させ、SETによるソフトエラーの正確な加速試験を可能とするものである。 In the present embodiment, a signal including a periodic component and a random component is included by adding a noise component generated by the second signal generation unit 62 to the signal component generated by the first signal generation unit 61. To generate. Based on such a signal, the irradiation control unit 31 generates a state simulating natural radiation by modulating the intensity of the laser emitted from the irradiation source 30. The intensity distribution due to natural radiation is not limited to space and polar regions, but differs depending on the environment in which the LSI chip is used. For this reason, it is possible to generate energy fluctuations similar to the state in which natural radiation is radiated in the environment in which it is used, and to enable an accurate accelerated test of soft errors by SET.

自然放射線のパターンは、LSIチップの搭載された電子装置が使用される地域や環境によって異なる。このため、LSIチップの搭載された電子装置が使用される地域や環境に対応して、第1の信号発生部61において発生させる信号成分、及び、第2の信号発生部62において発生させるノイズ成分の強度を信号制御部63により制御する。 The pattern of natural radiation differs depending on the region and environment in which the electronic device on which the LSI chip is mounted is used. Therefore, the signal component generated by the first signal generation unit 61 and the noise component generated by the second signal generation unit 62 correspond to the area and environment in which the electronic device on which the LSI chip is mounted is used. The intensity of is controlled by the signal control unit 63.

(ソフトエラー検査方法)
次に、本実施の形態におけるソフトエラー検査方法について、図6に基づき説明する。本実施の形態におけるソフトエラー検査方法の検査の対象となるLSIチップである半導体デバイス10は、フリップフロップや論理回路等を有するロジック回路を含むものである。
(Soft error inspection method)
Next, the soft error inspection method in the present embodiment will be described with reference to FIG. The semiconductor device 10 which is an LSI chip to be inspected by the soft error inspection method in the present embodiment includes a logic circuit including a flip-flop, a logic circuit, and the like.

最初に、ステップ102(S102)に示すように、試料となる半導体デバイス10を走査ステージ20の上に設置し、自然放射線に対応したレーザの照射条件を設定する。具体的には、検査の対象となる半導体デバイス10が使用される環境等の自然放射線に対応したレーザの照射条件を信号成分とノイズ成分とを加え生成し、この信号をレーザの照射条件の信号として設定する。 First, as shown in step 102 (S102), the semiconductor device 10 as a sample is installed on the scanning stage 20, and the irradiation conditions of the laser corresponding to natural radiation are set. Specifically, a laser irradiation condition corresponding to natural radiation such as the environment in which the semiconductor device 10 to be inspected is used is generated by adding a signal component and a noise component, and this signal is generated as a signal of the laser irradiation condition. Set as.

次に、ステップ104(S104)に示すように、走査ステージ20の上に設置されている半導体デバイス10のロジック回路を動作させた状態で、ステップ102において設定されたレーザの照射条件で、照射源30より半導体デバイス10にレーザを照射する。 Next, as shown in step 104 (S104), with the logic circuit of the semiconductor device 10 installed on the scanning stage 20 being operated, the irradiation source is under the laser irradiation conditions set in step 102. The semiconductor device 10 is irradiated with a laser from 30.

次に、ステップ106(S106)に示すように、半導体デバイス10にレーザを照射した状態のまま、走査ステージ20の上に設置されている半導体デバイス10のSETによるソフトエラーの検査を行う。 Next, as shown in step 106 (S106), the semiconductor device 10 is inspected for soft errors by SET of the semiconductor device 10 installed on the scanning stage 20 while the semiconductor device 10 is irradiated with the laser.

以上のように、本実施の形態におけるソフトエラー検査方法では、自然放射線に近似した条件でレーザを照射することにより、自然放射線により生じるSETによるソフトエラーの加速試験を正確に行うことが可能となる。上記においては、照射源30において発生させるエネルギービームとして、レーザの場合について説明したが、電子線等であってもよい。 As described above, in the soft error inspection method of the present embodiment, by irradiating the laser under conditions similar to natural radiation, it is possible to accurately perform an accelerated test of soft errors caused by SET caused by natural radiation. .. In the above, the case of a laser has been described as the energy beam generated by the irradiation source 30, but an electron beam or the like may be used.

〔第2の実施の形態〕
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、自然放射線により発生するソフトエラーのパターンを再現することができるように、レーザの照射条件となる信号を変調信号を周期的な信号成分とランダムなノイズ成分より生成する方法に関するものである。本実施の形態においては、図7に示されるように、情報処理部51には、第1の信号発生部61、第2の信号発生部62、信号制御部63、出力測定部64、判定部65、しきい値調整部66等を有している。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described. The present embodiment relates to a method of generating a modulated signal from a periodic signal component and a random noise component to generate a signal that is a laser irradiation condition so that a soft error pattern generated by natural radiation can be reproduced. It is a thing. In the present embodiment, as shown in FIG. 7, the information processing unit 51 includes a first signal generation unit 61, a second signal generation unit 62, a signal control unit 63, an output measurement unit 64, and a determination unit. It has 65, a threshold value adjusting unit 66, and the like.

出力測定部64は、入力されたレーザの強度分布が、設定されたしきい値を越えているか否かを判断する。具体的には、入力されたレーザの強度分布において、レーザの強度がしきい値を越えている場合には、そのタイミングで「1」を出力する。このしきい値は、SETによるソフトエラーを発生させる強度であるか否かを判断するために設定される。 The output measuring unit 64 determines whether or not the intensity distribution of the input laser exceeds the set threshold value. Specifically, in the input laser intensity distribution, when the laser intensity exceeds the threshold value, "1" is output at that timing. This threshold value is set to determine whether or not the strength is such that a soft error due to SET is generated.

本実施の形態においては、記憶部52には、自然放射線によるソフトエラーの発生パターンが記憶されている。この自然放射線によるソフトエラーの発生パターンは、自然放射線の特定のエネルギーにおいて、予め自然放射線の強度とソフトエラーの発生頻度を計測することにより得ることができる。判定部65は、出力測定部64における出力と、記憶部52に記憶されている自然放射線によるソフトエラーの発生パターンとを比較し、その差の程度を判定する。差が大きい場合には、信号制御部63において、差が小さくなるように、第2の信号発生部62において発生させるノイズ成分の強度を調整したり、第1の信号発生部61において発生させる信号成分の周波数や強度を調整する。 In the present embodiment, the storage unit 52 stores the occurrence pattern of soft errors due to natural radiation. The pattern of occurrence of soft errors due to natural radiation can be obtained by measuring the intensity of natural radiation and the frequency of occurrence of soft errors in advance at a specific energy of natural radiation. The determination unit 65 compares the output in the output measurement unit 64 with the soft error occurrence pattern due to natural radiation stored in the storage unit 52, and determines the degree of the difference. When the difference is large, the signal control unit 63 adjusts the intensity of the noise component generated by the second signal generation unit 62 or the signal generated by the first signal generation unit 61 so that the difference becomes small. Adjust the frequency and intensity of the components.

図8に示されるように、第1の信号発生部61において発生させる信号成分のみの場合では、信号の強度が、ソフトエラーの発生するしきい値を越えてはいない。従って、第1の信号発生部61において発生させた信号成分を出力測定部64に入力しても、出力測定部64からの出力は「0」である。 As shown in FIG. 8, in the case of only the signal component generated by the first signal generation unit 61, the signal strength does not exceed the threshold value at which the soft error occurs. Therefore, even if the signal component generated by the first signal generation unit 61 is input to the output measurement unit 64, the output from the output measurement unit 64 is “0”.

一方、第1の信号発生部61において発生させた信号成分に加えられる第2の信号発生部62において発生させたノイズ成分の強度が強すぎると、図9に示されるように、ほぼすべての時間軸上でしきい値を越えてしまう。このため、このような信号を出力測定部64に入力すると、出力測定部64からの出力は連続的なものとなる。 On the other hand, if the intensity of the noise component generated in the second signal generation unit 62 added to the signal component generated in the first signal generation unit 61 is too strong, as shown in FIG. 9, almost all the time. The threshold is exceeded on the axis. Therefore, when such a signal is input to the output measuring unit 64, the output from the output measuring unit 64 becomes continuous.

このため、図10に示すように、自然放射線によるソフトエラーの発生パターンと同様のパターンとなるように、第2の信号発生部62において発生させるノイズ成分の強度を調整する。 Therefore, as shown in FIG. 10, the intensity of the noise component generated in the second signal generation unit 62 is adjusted so as to have a pattern similar to the soft error generation pattern due to natural radiation.

次に、図11に基づき本実施の形態におけるソフトエラーの検査方法について説明する。 Next, a soft error inspection method according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

最初に、ステップ202(S202)に示すように、あるエネルギーの自然放射線において、照射源30より出射するレーザの強度変調をするための信号の設定を行う。具体的には、第1の信号発生部61において発生させる信号成分として、例えば、100MHzの正弦波であって、ソフトエラーが発生するしきい値より低い強度の信号を設定する。第2の信号発生部62において発生させるノイズ成分としては、ホワイトノイズを設定する。 First, as shown in step 202 (S202), in natural radiation of a certain energy, a signal for intensifying the intensity of the laser emitted from the irradiation source 30 is set. Specifically, as a signal component generated by the first signal generation unit 61, for example, a signal having a 100 MHz sine wave and a strength lower than the threshold value at which a soft error occurs is set. White noise is set as the noise component generated in the second signal generation unit 62.

次に、ステップ204(S204)に示すように、第2の信号発生部62において発生させるノイズ成分の強度を所定の強度まで高くする。 Next, as shown in step 204 (S204), the intensity of the noise component generated in the second signal generation unit 62 is increased to a predetermined intensity.

次に、ステップ206(S206)に示すように、第1の信号発生部61において発生させた信号成分に、第2の信号発生部62において発生させたノイズ成分を加えた信号を出力測定部64に入力する。出力測定部64では、入力された信号において、しきい値を越えている場合には、そのタイミングで「1」となる出力し、この出力を測定する。 Next, as shown in step 206 (S206), a signal obtained by adding a noise component generated by the second signal generation unit 62 to the signal component generated by the first signal generation unit 61 is added to the output measurement unit 64. Enter in. When the input signal exceeds the threshold value, the output measurement unit 64 outputs a value of "1" at that timing and measures this output.

次に、ステップ208(S208)に示すように、判定部65において、出力測定部64に入力された信号によるレーザの照射が、自然放射線を模擬するものであるか否かを判断する。具体的には、判定部65において、出力測定部64からの出力と、記憶部52に記憶されている自然放射線によるソフトエラーの発生パターンとを比較し、その差が所定の範囲内であるか否かを判断する。出力測定部64からの出力と、記憶部52に記憶されている自然放射線によるソフトエラーの発生パターンとの差が所定の範囲内である場合には、出力測定部64に入力された信号によるレーザの照射が自然放射線を模擬するものであるものと判断される。出力測定部64に入力された信号が自然放射線を模擬するものであると判断された場合には、ステップ210に移行し、出力測定部64に入力された信号が自然放射線を模擬するものではないと判断された場合には、ステップ212に移行する。 Next, as shown in step 208 (S208), the determination unit 65 determines whether or not the laser irradiation by the signal input to the output measurement unit 64 simulates natural radiation. Specifically, the determination unit 65 compares the output from the output measurement unit 64 with the soft error occurrence pattern due to natural radiation stored in the storage unit 52, and whether the difference is within a predetermined range. Judge whether or not. When the difference between the output from the output measuring unit 64 and the soft error occurrence pattern due to natural radiation stored in the storage unit 52 is within a predetermined range, the laser based on the signal input to the output measuring unit 64 It is judged that the irradiation of is simulating natural radiation. If it is determined that the signal input to the output measuring unit 64 is for simulating natural radiation, the process proceeds to step 210, and the signal input to the output measuring unit 64 is not for simulating natural radiation. If it is determined, the process proceeds to step 212.

ステップ210(S210)では、出力測定部64からの出力と、記憶部52に記憶されている自然放射線によるソフトエラーの発生パターンとの差が小さくなるように調整する。具体的には、第2の信号発生部62において発生させるノイズ信号の強度や第1の信号発生部61において発生させる信号成分の周波数や強度を調整する。この後、ステップ206に移行し、出力測定部64に入力された信号が自然放射線を模擬するものであるとの判断がなされるまで、これらの工程を繰り返す。 In step 210 (S210), the difference between the output from the output measuring unit 64 and the soft error occurrence pattern due to natural radiation stored in the storage unit 52 is adjusted to be small. Specifically, the intensity of the noise signal generated by the second signal generation unit 62 and the frequency and intensity of the signal component generated by the first signal generation unit 61 are adjusted. After that, the process proceeds to step 206, and these steps are repeated until it is determined that the signal input to the output measuring unit 64 simulates natural radiation.

ステップ212(S212)では、判定部65において、出力測定部64に入力された信号が自然放射線を模擬するものであるものと判断された信号成分、及び、ノイズ成分の強度等の条件をそのエネルギーに視線放射線の模擬条件として記憶部52に記憶する。 In step 212 (S212), the energy of the signal component determined by the determination unit 65 that the signal input to the output measurement unit 64 is to simulate natural radiation, the intensity of the noise component, and the like. It is stored in the storage unit 52 as a simulated condition of line-of-sight radiation.

次に、ステップ214(S214)において、別のエネルギーの自然放射線について、レーザによる模擬が必要であるか否かを判断する。別のエネルギーの自然放射線について、レーザによる模擬が必要である場合には、ステップ202に移行し、別のエネルギーの自然放射線について、レーザによる模擬が必要ではない場合には、ステップ216に移行する。別のエネルギーの自然放射線について、レーザによる模擬が必要である場合としては、例えば、放射線のエネルギー分布を再現する必要がある場合等が挙げられる。 Next, in step 214 (S214), it is determined whether or not a laser simulation is required for natural radiation of another energy. If laser simulation of natural radiation of another energy is required, the process proceeds to step 202, and if natural radiation of another energy does not require laser simulation, the process proceeds to step 216. Examples of cases where it is necessary to simulate natural radiation of another energy by a laser include a case where it is necessary to reproduce the energy distribution of radiation.

次に、ステップ216(S216)に示すように、試料となる半導体デバイス10を走査ステージ20の上に設置し、記憶部52に記憶されている模擬条件より選択して、半導体デバイス10に照射する照射条件として入力する。 Next, as shown in step 216 (S216), the semiconductor device 10 as a sample is placed on the scanning stage 20, selected from the simulated conditions stored in the storage unit 52, and irradiated to the semiconductor device 10. Enter as an irradiation condition.

次に、ステップ218(S218)に示すように、走査ステージ20の上に設置されている半導体デバイス10のロジック回路を動作させた状態で、ステップ216において入力された照射条件により、照射源30より半導体デバイス10にレーザを照射する。 Next, as shown in step 218 (S218), from the irradiation source 30 according to the irradiation conditions input in step 216 in a state where the logic circuit of the semiconductor device 10 installed on the scanning stage 20 is operated. Irradiate the semiconductor device 10 with a laser.

次に、ステップ220(S220)に示すように、半導体デバイス10にレーザを照射した状態のまま、走査ステージ20の上に設置されている半導体デバイス10のSETによるソフトエラーの検査を行う。 Next, as shown in step 220 (S220), the semiconductor device 10 is inspected for soft errors by SET of the semiconductor device 10 installed on the scanning stage 20 while the semiconductor device 10 is irradiated with the laser.

以上により、半導体デバイスが使用される環境に対応した自然放射線を模擬したレーザの照射条件を得ることができ、この照射条件でレーザを照射し、SETによるソフトエラーの検査を行う。これにより、半導体デバイスが使用される環境におけるSETによるソフトエラーの検査を正確に行うことができる。上記においては、照射源30において発生させるエネルギービームとして、レーザの場合について説明したが、電子線等であってもよい。 From the above, it is possible to obtain a laser irradiation condition simulating natural radiation corresponding to the environment in which the semiconductor device is used, irradiate the laser under this irradiation condition, and inspect the soft error by SET. As a result, it is possible to accurately inspect soft errors by SET in the environment where the semiconductor device is used. In the above, the case of a laser has been described as the energy beam generated by the irradiation source 30, but an electron beam or the like may be used.

また、本実施の形態においては、図12に示すように、複数のしきい値を設けてもよい。具体的には、例えば、強度が低い方から順に、しきい値をth1、th2、th3、th4と設定する。しきい値th1以上であって、しきい値th2を越えないものは出力「1」、しきい値th2以上であって、しきい値th3を越えないものは出力「2」、しきい値th3以上であって、しきい値th4を越えないものは出力「3」となるようにする。このようにしきい値を複数設定することにより、自然放射線の強度分布を細かく再現することができる。 Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 12, a plurality of threshold values may be provided. Specifically, for example, the threshold values are set to th1, th2, th3, and th4 in ascending order of intensity. If the threshold value is th1 or more and does not exceed the threshold value th2, the output is "1". If the threshold value is th2 or more and does not exceed the threshold value th3, the output is "2". If the above value does not exceed the threshold value th4, the output is set to "3". By setting a plurality of threshold values in this way, the intensity distribution of natural radiation can be reproduced in detail.

また、本実施の形態は、ステップ210において、第2の信号発生部62において発生させるノイズ信号の出力を調整することに代えて、しきい値調整部66においてしきい値となる値を調整するものであってもよい。具体的には、出力測定部64からの出力と、記憶部52に記憶されている自然放射線によるソフトエラーの発生パターンとの差が大きい場合には、その差が小さくなるように、しきい値調整部66においてしきい値となる値を調整してもよい。また、ノイズ成分に代えて、信号成分の10倍以上の周波数の高周波を第2の信号発生部62において発生させて用いてもよい。 Further, in the present embodiment, in step 210, instead of adjusting the output of the noise signal generated by the second signal generating unit 62, the threshold value adjusting unit 66 adjusts the value that becomes the threshold value. It may be a thing. Specifically, when the difference between the output from the output measuring unit 64 and the soft error occurrence pattern due to natural radiation stored in the storage unit 52 is large, the threshold value is set so that the difference becomes small. A value serving as a threshold value may be adjusted in the adjusting unit 66. Further, instead of the noise component, a high frequency having a frequency 10 times or more the signal component may be generated and used in the second signal generation unit 62.

尚、上記以外の内容については、第1の実施の形態と同様である。 The contents other than the above are the same as those in the first embodiment.

以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。 Although the embodiments have been described in detail above, the embodiments are not limited to the specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims.

10 半導体デバイス
20 走査ステージ
30 照射源
21 走査制御部
31 照射制御部
40 測定器
51 情報処理部
52 記憶部
53 表示部
54 入力部
61 第1の信号発生部
62 第2の信号発生部
63 信号制御部
64 出力測定部
65 判定部
66 しきい値調整部
10 Semiconductor device 20 Scanning stage 30 Irradiation source 21 Scanning control unit 31 Irradiation control unit 40 Measuring instrument 51 Information processing unit 52 Storage unit 53 Display unit 54 Input unit 61 First signal generation unit 62 Second signal generation unit 63 Signal control Unit 64 Output measurement unit 65 Judgment unit 66 Threshold adjustment unit

Claims (10)

半導体デバイスにおけるソフトエラー検査方法において、
前記半導体デバイスのロジック回路に、エネルギービームを照射する工程と、
前記エネルギービームの照射されている前記半導体デバイスのソフトエラーを測定する工程と、
を有し、
前記エネルギービームは、周期的な信号成分と、ノイズ成分とを加えた信号により強度変調されたものであることを特徴とするソフトエラー検査方法。
In the soft error inspection method for semiconductor devices
The process of irradiating the logic circuit of the semiconductor device with an energy beam,
The process of measuring the soft error of the semiconductor device irradiated with the energy beam, and
Have,
A soft error inspection method, characterized in that the energy beam is intensity-modulated by a signal to which a periodic signal component and a noise component are added.
半導体デバイスにおけるソフトエラー検査方法において、
前記半導体デバイスのロジック回路に、エネルギービームを照射する工程と、
前記エネルギービームの照射されている前記半導体デバイスのソフトエラーを測定する工程と、
を有し、
前記エネルギービームは、周期的な第1の周波数成分と、前記第1の周波数成分の周波数の10倍以上の周波数の第2の周波数成分とを加えた信号により強度変調されたものであることを特徴とするソフトエラー検査方法。
In the soft error inspection method for semiconductor devices
The process of irradiating the logic circuit of the semiconductor device with an energy beam,
The process of measuring the soft error of the semiconductor device irradiated with the energy beam, and
Have,
The energy beam is intensity-modulated by a signal obtained by adding a periodic first frequency component and a second frequency component having a frequency 10 times or more the frequency of the first frequency component. A characteristic soft error inspection method.
前記エネルギービームは、レーザであることを特徴とする請求項1または2に記載のソフトエラー検査方法。 The soft error inspection method according to claim 1 or 2, wherein the energy beam is a laser. 前記ソフトエラーの測定は、前記半導体デバイスのロジック回路を動作させた状態で、前記半導体デバイスのSETによるソフトエラーを測定するものであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のソフトエラー検査方法。 The soft error measurement according to any one of claims 1 to 3, wherein the measurement of the soft error by SET of the semiconductor device is performed in a state where the logic circuit of the semiconductor device is operated. Soft error inspection method. 前記エネルギービームの強度変調は、自然放射線に対応するものであることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のソフトエラー検査方法。 The soft error inspection method according to any one of claims 1 to 4, wherein the intensity modulation of the energy beam corresponds to natural radiation. 半導体デバイスに照射されるエネルギービームを出射する照射源と、
前記半導体デバイスに接続され、前記エネルギービームが照射されている前記半導体デバイスのSETによるソフトエラーを測定する測定器と、
を有し、
前記エネルギービームは、周期的な信号成分に、ノイズ成分を加えた信号により強度変調されたものであることを特徴とするソフトエラー検査装置。
An irradiation source that emits an energy beam that irradiates a semiconductor device,
A measuring instrument that is connected to the semiconductor device and is irradiated with the energy beam to measure a soft error due to SET of the semiconductor device.
Have,
The energy beam is a soft error inspection apparatus characterized in that the energy beam is intensity-modulated by a signal obtained by adding a noise component to a periodic signal component.
前記信号成分を発生させる第1の信号発生部と、
前記ノイズ成分を発生させる第2の信号発生部と、
を有し、
前記エネルギービームの強度変調が、自然放射線に対応するように、前記第1の信号発生部において発生させる信号成分の周波数、または、前記第2の信号発生部において発生させるノイズ成分の強度が調整されたものであること特徴とする請求項6に記載のソフトエラー検査装置。
A first signal generator that generates the signal component,
A second signal generator that generates the noise component,
Have,
The frequency of the signal component generated in the first signal generation unit or the intensity of the noise component generated in the second signal generation unit is adjusted so that the intensity modulation of the energy beam corresponds to natural radiation. The soft error inspection device according to claim 6, wherein the soft error inspection device is characterized.
半導体デバイスに照射されるエネルギービームを出射する照射源と、
前記半導体デバイスに接続され、前記エネルギービームが照射されている前記半導体デバイスのSETによるソフトエラーを測定する測定器と、
を有し、
前記エネルギービームは、周期的な第1の周波数成分と、前記第1の周波数成分の周波数の10倍以上の周波数の第2の周波数成分とを加えた信号により強度変調されたものであることを特徴とするソフトエラー検査装置。
An irradiation source that emits an energy beam that irradiates a semiconductor device,
A measuring instrument that is connected to the semiconductor device and is irradiated with the energy beam to measure a soft error due to SET of the semiconductor device.
Have,
The energy beam is intensity-modulated by a signal obtained by adding a periodic first frequency component and a second frequency component having a frequency 10 times or more the frequency of the first frequency component. A featured soft error inspection device.
前記第1の周波数成分を発生させる第1の信号発生部と、
前記第2の周波数成分を発生させる第2の信号発生部と、
を有し、
前記エネルギービームの強度変調が、自然放射線に対応するように、前記第1の信号発生部において発生させる第1の周波数成分の強度、または、前記第2の信号発生部において発生させる第2の周波数成分の強度が調整されたものであること特徴とする請求項8に記載のソフトエラー検査装置。
A first signal generator that generates the first frequency component,
A second signal generator that generates the second frequency component,
Have,
The intensity of the first frequency component generated in the first signal generation unit or the second frequency generated in the second signal generation unit so that the intensity modulation of the energy beam corresponds to natural radiation. The soft error inspection apparatus according to claim 8, wherein the strength of the component is adjusted.
請求項6から9のいずれかに記載のソフトエラー検査装置を含み、制御部により制御がなされることを特徴とするソフトエラー検査システム。 A soft error inspection system including the soft error inspection apparatus according to any one of claims 6 to 9, wherein the control is performed by a control unit.
JP2019537464A 2017-08-22 2017-08-22 Soft error inspection method, soft error inspection device and soft error inspection system Active JP6870740B2 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2017/029986 WO2019038836A1 (en) 2017-08-22 2017-08-22 Soft error inspection method, soft error inspection device and soft error inspection system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2019038836A1 true JPWO2019038836A1 (en) 2020-10-01
JP6870740B2 JP6870740B2 (en) 2021-05-12

Family

ID=65440054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019537464A Active JP6870740B2 (en) 2017-08-22 2017-08-22 Soft error inspection method, soft error inspection device and soft error inspection system

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6870740B2 (en)
WO (1) WO2019038836A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3637118B1 (en) * 2017-06-05 2022-08-31 Fujitsu Limited Soft error inspection method, soft error inspection device, and soft error inspection system
KR102441670B1 (en) * 2022-04-20 2022-09-08 큐알티 주식회사 Intelligent beam intensity calculation system, and calculation method thereof

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05313000A (en) * 1992-05-12 1993-11-26 Hitachi Ltd Energy beam irradiation device and its irradiation method
JPH0783797A (en) * 1993-09-10 1995-03-31 Fujitsu Ltd Modulation and spectral testing method and device for semiconductor laser
JP2004125633A (en) * 2002-10-03 2004-04-22 Renesas Technology Corp Cosmic rays neutron software error resistance evaluation method for semiconductor device
US20100001738A1 (en) * 2008-07-03 2010-01-07 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation System and Method for Conducting Accelerated Soft Error Rate Testing
WO2011007708A1 (en) * 2009-07-15 2011-01-20 株式会社日立製作所 Measurement device and measurement method
JP2013531797A (en) * 2010-07-01 2013-08-08 ヨーロピアン・アエロノーティック・ディフェンス・アンド・スペース・カンパニー・イーデス・フランス A method for characterizing the sensitivity of electronic components to failure mechanisms.
JP2015517667A (en) * 2012-05-16 2015-06-22 ディーシージー システムズ、 インコーポライテッドDcg Systems Inc. Laser assisted device alternation using synchronized laser pulses

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05313000A (en) * 1992-05-12 1993-11-26 Hitachi Ltd Energy beam irradiation device and its irradiation method
JPH0783797A (en) * 1993-09-10 1995-03-31 Fujitsu Ltd Modulation and spectral testing method and device for semiconductor laser
JP2004125633A (en) * 2002-10-03 2004-04-22 Renesas Technology Corp Cosmic rays neutron software error resistance evaluation method for semiconductor device
US20100001738A1 (en) * 2008-07-03 2010-01-07 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation System and Method for Conducting Accelerated Soft Error Rate Testing
WO2011007708A1 (en) * 2009-07-15 2011-01-20 株式会社日立製作所 Measurement device and measurement method
JP2013531797A (en) * 2010-07-01 2013-08-08 ヨーロピアン・アエロノーティック・ディフェンス・アンド・スペース・カンパニー・イーデス・フランス A method for characterizing the sensitivity of electronic components to failure mechanisms.
JP2015517667A (en) * 2012-05-16 2015-06-22 ディーシージー システムズ、 インコーポライテッドDcg Systems Inc. Laser assisted device alternation using synchronized laser pulses

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019038836A1 (en) 2019-02-28
JP6870740B2 (en) 2021-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4786865A (en) Method and apparatus for testing integrated circuit susceptibility to cosmic rays
JP6870740B2 (en) Soft error inspection method, soft error inspection device and soft error inspection system
JP5983275B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
Pease et al. Comparison of SETs in bipolar linear circuits generated with an ion microbeam, laser light, and circuit simulation
Pouget et al. Time-resolved scanning of integrated circuits with a pulsed laser: Application to transient fault injection in an ADC
JP5873669B2 (en) Laser-assisted device alternation using two-photon absorption
Buchner et al. Pulsed-laser testing methodology for single event transients in linear devices
Pouget et al. Validation of radiation hardened designs by pulsed laser testing and SPICE analysis
TWI823125B (en) Charged-particle beam apparatus and related non-transitory computer readable medium
KR20180078897A (en) The test method of semiconductor device and test system for performing the same
KR100243828B1 (en) Fault point estimating system using abnormal current and potential contrast images
KR101697213B1 (en) Methods and appratus for soft error immunity test in digital integrated circuits
US11054460B2 (en) Soft error inspection method, soft error inspection apparatus, and soft error inspection system
Fouillat et al. Investigation of single-event transients in fast integrated circuits with a pulsed laser
Fouillat et al. Fundamentals of the pulsed laser technique for single-event upset testing
Raburn et al. Comparison of threshold transient upset levels induced by flash X-rays and pulsed lasers
JP6822572B2 (en) Soft error inspection method, soft error inspection device and soft error inspection system
US20240151669A1 (en) Electrical impedance measurement using an electron beam
Stern et al. Trust assessment for electronic components using laser and emission-based microscopy
WO2022138137A1 (en) Abnormality determination system for solar battery module and abnormality determination method for solar battery module
KR100469320B1 (en) Control method of electron beam irradiation to improve characteristics of the power semiconductors
Gili Pérez Single Event transient propagation and capture in nanometer CMOS ICs: Analysis and modeling
Kumari et al. Design Verification And Test Vector Minimization Using Heuristic Method Of A Ripple Carry Adder
Wen et al. Experimental evaluation of sensitivity of high-speed bus transceiver for space communication
JPWO2022070308A5 (en)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210316

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210329

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6870740

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150