JPWO2018198960A1 - フルオレン化合物を用いたレジスト下層膜形成組成物 - Google Patents
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Abstract
高エッチング耐性、高耐熱性と良好な塗布性とを併せ持つレジスト下層膜形成組成物、当該レジスト下層膜形成組成物を用いたレジスト下層膜及びその製造方法、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。下記式(1)[式(1)中、は単結合又は二重結合を表し、X1は−N(R1)−、X2は−N(R2)−、X3は−CH(R3)−、X4は−CH(R4)−等を表し、R1、R2、R3及びR4は水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基等を表し、R5、R6、R9及びR10は水素原子、ヒドロキシ基、アルキル基等を表し、R7及びR8はベンゼン環又はナフタレン環を表し、n及びoは0又は1である。]で示される化合物又は式(1)で示される化合物から誘導されるポリマーを含むことを特徴とするレジスト下層膜形成組成物とする。当該組成物を、半導体基板上に塗布・焼成してレジスト下層膜を形成し、その上に任意選択的に無機レジスト下層膜を介してレジスト膜を形成し、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成し、レジストパターンにより下層膜をエッチングし、パターン化された下層膜により半導体基板を加工して半導体装置を製造する。
Description
本発明は、高エッチング耐性、高耐熱性と良好な塗布性とを併せ持つレジスト下層膜形成組成物、当該レジスト下層膜形成組成物を用いたレジスト下層膜及びその製造方法、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
近年、レジスト下層膜の特性として高エッチング耐性や高耐熱性が強く求められており、フェニルナフチルアミンノボラック樹脂を含む、多層リソグラフィープロセス用レジスト下層膜材料(特許文献1)や、アリーレン基又は複素環基を含む単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物(特許文献2)から製造された下層膜は、その上に蒸着でハードマスクを形成可能な耐熱性を有し、反射防止膜としての効果も併せ持つと報告されている。
レジストパターンの微細化に伴い求められるレジスト層の薄膜化のため、レジスト下層膜を少なくとも2層形成し、該レジスト下層膜をマスク材として使用する、リソグラフィープロセスが知られている。これは、半導体基板上に、少なくとも一層の有機膜(下層有機膜)と、少なくとも一層の無機下層膜とを設け、上層レジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして無機下層膜をパターニングし、該パターンをマスクとして下層有機膜のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。前記少なくとも2層を形成する材料として、有機樹脂(例えば、アクリル樹脂、ノボラック樹脂)と、無機系材料(ケイ素樹脂(例えば、オルガノポリシロキサン)、無機ケイ素化合物(例えば、SiON、SiO2)等)の組み合わせが挙げられる。さらに近年では、1つのパターンを得るために2回のリソグラフィーと2回のエッチングを行うダブルパターニング技術が広く適用されており、それぞれの工程にて上記の多層プロセスが用いられている。
一方、レジスト下層膜形成組成物は半導体基板上にスピンコーターを用いて塗布・成膜することが生産性、経済性の観点からも望ましい。このような塗布型レジスト下層膜形成組成物では、良好な塗布性を有する必要がある。
上記の望ましい特性を更に改善したレジスト下層膜を与えるレジスト下層膜形成組成物が待望されていた。
本発明は、このような課題解決に基づいてなされたものであり、高エッチング耐性、高耐熱性と良好な塗布性とを併せ持つレジスト下層膜形成組成物を提供することにある。また本発明は、当該レジスト下層膜形成組成物を用いたレジスト下層膜及びその製造方法、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、高エッチング耐性、高耐熱性等の機能を与える新規な化合物を含むレジスト下層膜組成物を提供し、これを用いたレジスト下層膜を作製し、上記の特性を達成せんとするものである。
本発明は以下を包含する。
[1] 下記式(1)で示される化合物を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成組成物。
[式(1)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−又は−CH(R1)−を表し、
X2は、−N(R2)−又は−CH(R2)−を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1である。]
[2] 式(1)のR1、R2、R3又はR4が、ヒドロキシ基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子もしくは硫黄原子で中断されていてもよいC1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である、[1]に記載のレジスト下層膜形成組成物。
[3] 下記式(2)で示される繰り返し単位a、b、c、d、e、f、g、h、iの1つ又は複数を1単位以上含有する化合物を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成組成物。
式(2)
[式(2)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−、−CH(R1)−、−N<又は−CH<を表し、
X2は、−N(R2)−、−CH(R2)−、−N<又は−CH<を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−、−CH(R3)−、−N<又は−CH<を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−、−CH(R4)−、−N<又は−CH<を表し、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1であり、
B1とB2は同一又は異なり、それぞれ水素原子、酸素原子もしくは硫黄原子で中断されていてもよいC1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はC6〜40のアリール基及びC6〜40の複素環基からなる群より選択される芳香族化合物由来の基を表し、B1とB2はこれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成してもよく、前記芳香族化合物由来の基の水素原子は、C1〜20のアルキル基、フェニル基、縮合環基、複素環基、ヒドロキシ基、アミノ基、エーテル基、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基又はカルボキシル基で置換されていてもよい。]
[4] 下記式(3)で示される繰り返し単位j、k、l、m、r、s、t、u、v、wの1つ又は複数を1単位以上含有する化合物を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成組成物。
式(3)
[式(3)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N<又は−CH<を表し、
X2は、−N<又は−CH<を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1であり、
p及びqは0〜20の整数であり、
p個のメチレン基及びq個のメチレン基は2個以上の場合には酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
B3は直接結合、又はC1〜20のアルキル基、フェニル基、縮合環基、複素環基、ヒドロキシ基、アミノ基、エーテル基、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基もしくはカルボキシル基で置換されていてもよいC6〜40の芳香族化合物由来の基を表す。]
[5] 下記式(1)の化合物と1種類以上のアルデヒド化合物との反応、下記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物との反応、又は下記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物と1種類以上のアルデヒド化合物との反応によって得られる樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物。
[式(1)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−又は−CH(R1)−を表し、
X2は、−N(R2)−又は−CH(R2)−を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1である。]
[6] 式(1)のR1、R2、R3又はR4が、ヒドロキシ基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子もしくは硫黄原子で中断されていてもよいC1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である、[5]に記載のレジスト下層膜形成組成物。
[7] 架橋剤を更に含む[1]乃至[6]のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
[8] 酸及び/又は酸発生剤を更に含む[1]乃至[7]のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
[9] [1]乃至[8]のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成する工程を含むレジスト下層膜の製造方法。
[10] 半導体基板上に[1]乃至[8]のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物によりレジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、レジストパターンにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
[11] 半導体基板に[1]乃至[8]のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物によりレジスト下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、レジストパターンによりハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
[12] 下記式(1)の化合物と1種類以上のアルデヒド化合物とを反応させる工程、下記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物とを反応させる工程、又は下記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物と1種類以上のアルデヒド化合物とを反応させる工程を含む、レジスト下層膜形成組成物用樹脂の製造方法。
[式(1)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−又は−CH(R1)−を表し、
X2は、−N(R2)−又は−CH(R2)−を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1である。]
[1] 下記式(1)で示される化合物を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成組成物。
[式(1)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−又は−CH(R1)−を表し、
X2は、−N(R2)−又は−CH(R2)−を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1である。]
[2] 式(1)のR1、R2、R3又はR4が、ヒドロキシ基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子もしくは硫黄原子で中断されていてもよいC1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である、[1]に記載のレジスト下層膜形成組成物。
[3] 下記式(2)で示される繰り返し単位a、b、c、d、e、f、g、h、iの1つ又は複数を1単位以上含有する化合物を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成組成物。
式(2)
[式(2)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−、−CH(R1)−、−N<又は−CH<を表し、
X2は、−N(R2)−、−CH(R2)−、−N<又は−CH<を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−、−CH(R3)−、−N<又は−CH<を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−、−CH(R4)−、−N<又は−CH<を表し、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1であり、
B1とB2は同一又は異なり、それぞれ水素原子、酸素原子もしくは硫黄原子で中断されていてもよいC1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はC6〜40のアリール基及びC6〜40の複素環基からなる群より選択される芳香族化合物由来の基を表し、B1とB2はこれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成してもよく、前記芳香族化合物由来の基の水素原子は、C1〜20のアルキル基、フェニル基、縮合環基、複素環基、ヒドロキシ基、アミノ基、エーテル基、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基又はカルボキシル基で置換されていてもよい。]
[4] 下記式(3)で示される繰り返し単位j、k、l、m、r、s、t、u、v、wの1つ又は複数を1単位以上含有する化合物を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成組成物。
式(3)
[式(3)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N<又は−CH<を表し、
X2は、−N<又は−CH<を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1であり、
p及びqは0〜20の整数であり、
p個のメチレン基及びq個のメチレン基は2個以上の場合には酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
B3は直接結合、又はC1〜20のアルキル基、フェニル基、縮合環基、複素環基、ヒドロキシ基、アミノ基、エーテル基、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基もしくはカルボキシル基で置換されていてもよいC6〜40の芳香族化合物由来の基を表す。]
[5] 下記式(1)の化合物と1種類以上のアルデヒド化合物との反応、下記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物との反応、又は下記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物と1種類以上のアルデヒド化合物との反応によって得られる樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物。
[式(1)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−又は−CH(R1)−を表し、
X2は、−N(R2)−又は−CH(R2)−を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1である。]
[6] 式(1)のR1、R2、R3又はR4が、ヒドロキシ基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子もしくは硫黄原子で中断されていてもよいC1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である、[5]に記載のレジスト下層膜形成組成物。
[7] 架橋剤を更に含む[1]乃至[6]のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
[8] 酸及び/又は酸発生剤を更に含む[1]乃至[7]のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
[9] [1]乃至[8]のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成する工程を含むレジスト下層膜の製造方法。
[10] 半導体基板上に[1]乃至[8]のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物によりレジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、レジストパターンにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
[11] 半導体基板に[1]乃至[8]のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物によりレジスト下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、レジストパターンによりハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
[12] 下記式(1)の化合物と1種類以上のアルデヒド化合物とを反応させる工程、下記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物とを反応させる工程、又は下記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物と1種類以上のアルデヒド化合物とを反応させる工程を含む、レジスト下層膜形成組成物用樹脂の製造方法。
[式(1)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−又は−CH(R1)−を表し、
X2は、−N(R2)−又は−CH(R2)−を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1である。]
本発明のレジスト下層膜材料は、高エッチング耐性、高耐熱性を有するだけでなく、溶解性が高いためにスピンコート性に優れ、より微細な基板加工が達成される。
特に、本発明のレジスト下層膜形成組成物は、レジスト膜厚の薄膜化を目的としたレジスト下層膜を少なくとも2層形成し、該レジスト下層膜をエッチングマスクとして使用するリソグラフィープロセスに対して有効である。
特に、本発明のレジスト下層膜形成組成物は、レジスト膜厚の薄膜化を目的としたレジスト下層膜を少なくとも2層形成し、該レジスト下層膜をエッチングマスクとして使用するリソグラフィープロセスに対して有効である。
1.レジスト下層膜形成組成物
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物は、式(1)で示される化合物及び/又は式(1)で示される化合物から誘導されるポリマー、好ましくは、さらに架橋剤、酸及び/又は酸発生剤、溶媒及びその他の成分を含むものである。以下に順に説明する。
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物は、式(1)で示される化合物及び/又は式(1)で示される化合物から誘導されるポリマー、好ましくは、さらに架橋剤、酸及び/又は酸発生剤、溶媒及びその他の成分を含むものである。以下に順に説明する。
1.1.化合物(I)モノマー
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物は、下記式(1)で示される化合物を含むことができる。
[式(1)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−又は−CH(R1)−を表し、
X2は、−N(R2)−又は−CH(R2)−を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
− は、隣接する1つの元素との結合手(単結合)を表し、= は、隣接する1つの元素との結合手(二重結合)を表し、
R1、R2、R3及びR4が水素原子の場合は、上記のNは何れも二級窒素、Cは何れも二級炭素であり、R1、R2、R3及びR4が水素原子でない場合、−N=又は−CH=の場合は、上記のNは何れも三級窒素、Cは何れも三級炭素であり、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1である。]
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物は、下記式(1)で示される化合物を含むことができる。
[式(1)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−又は−CH(R1)−を表し、
X2は、−N(R2)−又は−CH(R2)−を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
− は、隣接する1つの元素との結合手(単結合)を表し、= は、隣接する1つの元素との結合手(二重結合)を表し、
R1、R2、R3及びR4が水素原子の場合は、上記のNは何れも二級窒素、Cは何れも二級炭素であり、R1、R2、R3及びR4が水素原子でない場合、−N=又は−CH=の場合は、上記のNは何れも三級窒素、Cは何れも三級炭素であり、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1である。]
X1、X2、X3、X4の少なくとも一つが窒素原子を含むことが好ましい。
X1は好ましくは、−N(R1)−を表す。X2は好ましくは、−N(R2)−を表す。X3は好ましくは、−CH=を表す。X4は好ましくは、−CH=を表す。
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R9及びR10におけるC1〜6のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基等を挙げることができる。
C1〜6のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、n−ペントキシ基、ネオペントキシ基、n−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、3−メチルペントキシ基等を挙げることができるが、メトキシ基又はエトキシ基が好ましい。
C1〜6のアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、i−ブトキシカルボニル基、sec−ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル基、n−ペンチロキシカルボニル基、n−ヘキシロキシカルボニル基等を挙げることができるが、メトキシカルボニル基又はエトキシカルボニル基が好ましい。
C1〜6のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、n−ペントキシ基、ネオペントキシ基、n−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、3−メチルペントキシ基等を挙げることができるが、メトキシ基又はエトキシ基が好ましい。
C1〜6のアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、i−ブトキシカルボニル基、sec−ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル基、n−ペンチロキシカルボニル基、n−ヘキシロキシカルボニル基等を挙げることができるが、メトキシカルボニル基又はエトキシカルボニル基が好ましい。
「アミノ基、グリシジル基もしくはヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子もしくは硫黄原子で中断されていてもよいC1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基」及び「C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基」におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基等の直鎖アルキル基、イソプロピル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1−メチルペンチル基、イソヘキシル基、1−プロピルブチル基、2−エチルヘキシル基、イソノニル基等の分岐鎖状アルキル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、p−tert−ブチルシクロヘキシル基、アダマンチル基等の環状アルキル基等を挙げることができるが、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、イソプロピル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基がより好ましい。
酸素原子もしくは硫黄原子で中断されたC1〜20のアルキル基としては、例えば、構造単位−CH2−O−、−CH2−S−を含有するものが挙げられる。−O−、−S−は前記アルキル基中に一単位又は二単位以上あってよい。−O−、−S−単位により中断されたC1〜20のアルキル基の具体例は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基等であり、更には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基又はオクタデシル基であって、その各々がメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基等により置換されたものである。好ましくはメトキシ基、エトキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基であり、より好ましくはメトキシ基、エトキシ基である。
C6〜20のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラシル基、フェナントシル基、ピレニル基等を挙げることができるが、フェニル基、ナフチル基又はビフェニル基が好ましい。
C2〜10又はC2〜20のアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基等を挙げることができるが、ビニル基が好ましい。
C2〜10のアルキニル基としては、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、オクチニル、ノニニル、デシニル、ブタジイニル、ペンタジイニル、ヘキサジイニル、ヘプタジイニル、オクタジイニル、ノナジイニル、デカジイニル基等を挙げることができるが、エチニル、プロピニル、ブチニルが好ましい。
C2〜10又はC2〜20のアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基等を挙げることができるが、ビニル基が好ましい。
C2〜10のアルキニル基としては、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、オクチニル、ノニニル、デシニル、ブタジイニル、ペンタジイニル、ヘキサジイニル、ヘプタジイニル、オクタジイニル、ノナジイニル、デカジイニル基等を挙げることができるが、エチニル、プロピニル、ブチニルが好ましい。
R1、R2、R3及びR4は好ましくは、ヒドロキシ基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子もしくは硫黄原子で中断されていてもよいC1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。好ましくは、ヒドロキシ基又はヒドロキシ基で置換されていてもよいC1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。
1.2.化合物(II)ポリマー
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物は、式(1)で示される化合物に加えて、又はこれに代えて式(1)で示される化合物から誘導されるポリマーを含むことができる。
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物は、式(1)で示される化合物に加えて、又はこれに代えて式(1)で示される化合物から誘導されるポリマーを含むことができる。
式(1)で示される化合物から誘導されるポリマーとしては、下記式(2)で示される繰り返し単位a、b、c、d、e、f、g、h、iの1つ又は複数を1単位以上含有する化合物を挙げることができる。
式(2)
[式(2)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−、−CH(R1)−、−N<又は−CH<を表し、
X2は、−N(R2)−、−CH(R2)−、−N<又は−CH<を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−、−CH(R3)−、−N<又は−CH<を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−、−CH(R4)−、−N<又は−CH<を表し、
− は、隣接する1つの元素との結合手(単結合)を表し、= は、隣接する1つの元素との結合手(二重結合)を表し、< は、隣接する2つの元素と各々結合する2本の結合手(2本の単結合)を表し、
R1、R2、R3及びR4が水素原子の場合は、上記のNは何れも二級窒素、Cは何れも二級炭素であり、R1、R2、R3及びR4が水素原子でない場合、−N=、−CH=、−N<又は−CH<の場合は、上記のNは何れも三級窒素、Cは何れも三級炭素であり、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1であり、
B1とB2は同一又は異なり、それぞれ水素原子、酸素原子もしくは硫黄原子で中断されていてもよいC1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はC6〜40のアリール基及びC6〜40の複素環基からなる群より選択される芳香族化合物由来の基を表し、B1とB2はこれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成してもよく、前記芳香族化合物由来の基の水素原子は、C1〜20のアルキル基、フェニル基、縮合環基、複素環基、ヒドロキシ基、アミノ基、エーテル基、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基又はカルボキシル基で置換されていてもよい。]
式(2)
[式(2)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−、−CH(R1)−、−N<又は−CH<を表し、
X2は、−N(R2)−、−CH(R2)−、−N<又は−CH<を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−、−CH(R3)−、−N<又は−CH<を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−、−CH(R4)−、−N<又は−CH<を表し、
− は、隣接する1つの元素との結合手(単結合)を表し、= は、隣接する1つの元素との結合手(二重結合)を表し、< は、隣接する2つの元素と各々結合する2本の結合手(2本の単結合)を表し、
R1、R2、R3及びR4が水素原子の場合は、上記のNは何れも二級窒素、Cは何れも二級炭素であり、R1、R2、R3及びR4が水素原子でない場合、−N=、−CH=、−N<又は−CH<の場合は、上記のNは何れも三級窒素、Cは何れも三級炭素であり、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1であり、
B1とB2は同一又は異なり、それぞれ水素原子、酸素原子もしくは硫黄原子で中断されていてもよいC1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はC6〜40のアリール基及びC6〜40の複素環基からなる群より選択される芳香族化合物由来の基を表し、B1とB2はこれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成してもよく、前記芳香族化合物由来の基の水素原子は、C1〜20のアルキル基、フェニル基、縮合環基、複素環基、ヒドロキシ基、アミノ基、エーテル基、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基又はカルボキシル基で置換されていてもよい。]
式(2)中の定義における好ましい態様や具体例については上記したとおりである。
B1とB2の定義におけるC6〜40のアリール基及びC6〜40の複素環基とは、(a)ベンゼンのような単環由来の基であってもよく、(b)ナフタレンのような縮合環由来の基であってもよく、(c)フラン、チオフェン、ピリジンのような複素環由来の基であってもよく、(d)ビフェニルのように(a)〜(c)の芳香族環が単結合で結合された基であってもよく、(e)−CH−、−(CH2)n−(n=1〜20)、−CH=CH−、−CH≡CH−、−N=N−、−NH−、−NHR−、−NHCO−、−NRCO−、−S−、−COO−、−O−、−CO−及び−CH=N−で例示されるスペーサーで(a)〜(d)の芳香族環が連結された化合物であってもよい。
好ましい芳香族環は、ベンゼン環、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピロール環、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、ナフタレン環、アントラセン環、キノリン環、カルバゾール環、キナゾリン環、プリン環、インドリジン環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、インドール環、及びアクリジン環である。
より好ましい芳香族環は、ベンゼン環、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピロール環、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、及びカルバゾール環である。
以上の芳香族環は、単結合又はスペーサーによって連結されていてもよい。
スペーサーの例としては−CH−、−(CH2)n−(n=1〜20)、−CH=CH−、−CH≡CH−、−N=N−、−NH−、−NHR−、−NHCO−、−NRCO−、−S−、−COO−、−O−、−CO−及び−CH=N−一種又は二種以上の組合せが挙げられる。これらのスペーサーは2つ以上連結していてもよい。
スペーサーの例としては−CH−、−(CH2)n−(n=1〜20)、−CH=CH−、−CH≡CH−、−N=N−、−NH−、−NHR−、−NHCO−、−NRCO−、−S−、−COO−、−O−、−CO−及び−CH=N−一種又は二種以上の組合せが挙げられる。これらのスペーサーは2つ以上連結していてもよい。
縮合環基とは、縮合環化合物に由来する置換基であり、具体的にはフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ナフタセニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基及びクリセニル基が挙げられるが、これらの中でもフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基及びピレニル基が好ましい。
複素環基とは、複素環式化合物に由来する置換基であり、具体的にはチオフェン基、フラン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ピロール基、オキサゾール基、チアゾール基、イミダゾール基、キノリン基、カルバゾール基、キナゾリン基、プリン基、インドリジン基、ベンゾチオフェン基、ベンゾフラン基、インドール基、アクリジン基、イソインドール基、ベンゾイミダゾール基、イソキノリン基、キノキサリン基、シンノリン基、プテリジン基、クロメン基(ベンゾピラン基)、イソクロメン基(ベンゾピラン基)、キサンテン基、チアゾール基、ピラゾール基、イミダゾリン基、アジン基が挙げられるが、これらの中でもチオフェン基、フラン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ピロール基、オキサゾール基、チアゾール基、イミダゾール基、キノリン基、カルバゾール基、キナゾリン基、プリン基、インドリジン基、ベンゾチオフェン基、ベンゾフラン基、インドール基及びアクリジン基が好ましく、最も好ましいのはチオフェン基、フラン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピロール基、オキサゾール基、チアゾール基、イミダゾール基及びカルバゾール基である。
式(1)で示される化合物から誘導されるポリマーとしてはまた、下記式(3)で示される繰り返し単位j、k、l、m、r、s、t、u、v、wの1つ又は複数を1単位以上含有する化合物を挙げることができる。
式(3)
[式(3)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N<又は−CH<を表し、
X2は、−N<又は−CH<を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1であり、
p及びqは0〜20の整数であり、
p個のメチレン基及びq個のメチレン基は2個以上の場合には酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
B3は直接結合、又はC1〜20のアルキル基、フェニル基、縮合環基、複素環基、ヒドロキシ基、アミノ基、エーテル基、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基もしくはカルボキシル基で置換されていてもよいC6〜40の芳香族化合物由来の基を表す。]
式(3)
[式(3)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N<又は−CH<を表し、
X2は、−N<又は−CH<を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1であり、
p及びqは0〜20の整数であり、
p個のメチレン基及びq個のメチレン基は2個以上の場合には酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
B3は直接結合、又はC1〜20のアルキル基、フェニル基、縮合環基、複素環基、ヒドロキシ基、アミノ基、エーテル基、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基もしくはカルボキシル基で置換されていてもよいC6〜40の芳香族化合物由来の基を表す。]
式(3)中の定義における好ましい態様や具体例については上記したとおりである。
1.3.ポリマーの製造方法
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物用樹脂は、上記式(1)の化合物と1種類以上のアルデヒド化合物とを反応させる工程、上記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物とを反応させる工程、又は上記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物と1種類以上のアルデヒド化合物とを反応させる工程を含む方法によって製造することができる。
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物用樹脂は、上記式(1)の化合物と1種類以上のアルデヒド化合物とを反応させる工程、上記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物とを反応させる工程、又は上記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物と1種類以上のアルデヒド化合物とを反応させる工程を含む方法によって製造することができる。
アルデヒド化合物としては、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、トリオキサン、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、トリメチルアセトアルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、フルフラール、フリルアクロレイン、ベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、o−メチルベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチルベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド、ケイ皮酸アルデヒド等が挙げられる。これらのアルデヒド化合物は、単独で、または2種類以上組み合わせて用いることができるが、好ましくは3種以下、さらに好ましくは2種以下の組み合わせで用いる。
芳香族化合物は、好ましくは二価基−C(B1)(B2)−、−B3−を誘導するC6〜40の芳香族化合物であり、上記式(2)又は(3)のポリマーを構成するための一成分である。かかる芳香族化合物は、(a)ベンゼンのような単環化合物であってもよく、(b)ナフタレンのような縮合環化合物であってもよく、(c)フラン、チオフェン、ピリジンのような複素環化合物であってもよく、(d)ビフェニルのように(a)〜(c)の芳香族環が単結合で結合された化合物であってもよく、(e)−CH−、−(CH2)n−(n=1〜20)、−CH=CH−、−CH≡CH−、−N=N−、−NH−、−NHR−、−NHCO−、−NRCO−、−S−、−COO−、−O−、−CO−及び−CH=N−で例示されるスペーサーで(a)〜(d)の芳香族環が連結された化合物であってもよい。
芳香族化合物としては、ベンゼン、チオフェン、フラン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピロール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾール、ナフタレン、アントラセン、キノリン、カルバゾール、キナゾリン、プリン、インドリジン、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、インドール、アクリジン等が挙げられる。
好ましくは、芳香族アミン又はフェノール性ヒドロキシ基含有化合物である。
芳香族アミンとしては、フェニルインドール、フェニルナフチルアミン等が挙げられる。
フェノール性ヒドロキシ基含有化合物としては、フェノール、ジヒドロキシベンゼン、トリヒドロキシベンゼン、ヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシナフタレン、トリヒドロキシナフタレン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1,2,2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン等が挙げられる。
芳香族アミンとしては、フェニルインドール、フェニルナフチルアミン等が挙げられる。
フェノール性ヒドロキシ基含有化合物としては、フェノール、ジヒドロキシベンゼン、トリヒドロキシベンゼン、ヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシナフタレン、トリヒドロキシナフタレン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1,2,2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン等が挙げられる。
上記C6〜40の芳香族化合物の水素原子は、C1〜20のアルキル基、フェニル基、縮合環基、複素環基、ヒドロキシ基、アミノ基、エーテル基、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基又はカルボキシル基で置換されていてもよい。
好ましくは、上記二価基は、C6〜40のアリールアミン化合物から誘導される二価基である。
好ましくは、上記二価基は、C6〜40のアリールアミン化合物から誘導される二価基である。
なお、以上の芳香族化合物は、単結合又はスペーサーによって連結されていてもよい。
スペーサーの例としては−CH−、−(CH2)n−(n=1〜20)、−CH=CH−、−CH≡CH−、−N=N−、−NH−、−NHR−、−NHCO−、−NRCO−、−S−、−COO−、−O−、−CO−及び−CH=N−の一種又は二種以上の組合せが挙げられる。これらのスペーサーは2つ以上連結していてもよい。
スペーサーの例としては−CH−、−(CH2)n−(n=1〜20)、−CH=CH−、−CH≡CH−、−N=N−、−NH−、−NHR−、−NHCO−、−NRCO−、−S−、−COO−、−O−、−CO−及び−CH=N−の一種又は二種以上の組合せが挙げられる。これらのスペーサーは2つ以上連結していてもよい。
又、上記二価基はアミノ基、ヒドロキシル基、又はその両者を含む芳香族化合物から誘導される二価基とすることができる。そして、上記二価基がアリールアミン化合物、フェノール化合物、又はその両者を含む芳香族化合物から誘導される二価基とすることができる。より具体的には上記二価基がアニリン、ジフェニルアミン、フェニルナフチルアミン、ヒドロキシジフェニルアミン、カルバゾール、フェノール、N,N’−ジフェニルエチレンジアミン、N,N’−ジフェニル−1,4−フェニレンジアミン、又は多核フェノールから誘導される二価基とすることができる。
上記多核フェノールとしては、ジヒドロキシベンゼン、トリヒドロキシベンゼン、ヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシナフタレン、トリヒドロキシナフタレン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、2,2’−ビフェノール、又は1,1,2,2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン等が挙げられる。
これらの芳香族化合物は、単独で、または2種類以上組み合わせて用いることができるが、好ましくは3種以下、さらに好ましくは2種以下の組み合わせで用いる。
B1、B2、B3は上記の範囲内で任意に選択することができるが、得られたポリマーが、上に述べた本発明に使用する溶媒に十分に溶解し、口径0.1μmのマイクロフィルターを通過するレジスト下層膜形成組成物を与えるように選択されることが望ましい。
反応に用いられる酸触媒としては、例えば硫酸、リン酸、過塩素酸等の鉱酸類、p−トルエンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸一水和物、メタンスルホン酸等の有機スルホン酸類、蟻酸、シュウ酸等のカルボン酸類が使用される。酸触媒の使用量は、使用する酸類の種類によって種々選択される。通常、芳香族化合物100質量部に対して、0.001乃至10000質量部、好ましくは、0.01乃至1000質量部、より好ましくは0.1乃至100質量部である。
上記の縮合反応と付加反応は無溶剤でも行われるが、通常溶剤を用いて行われる。溶剤としては反応を阻害しないものであれば全て使用することができる。例えば1,2−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類が挙げられる。
反応温度は通常40℃乃至200℃である。反応時間は反応温度によって種々選択されるが、通常30分乃至50時間程度である。
以上のようにして得られるポリマーの重量平均分子量Mwは、通常500乃至2,000,000、又は600乃至100,000、又は700乃至10,000、又は800乃至8,000、又は900乃至6,000である。
重合反応の結果、上記式(2)や上記式(3)で表される繰り返し単位を含有するポリマーが得られるほか、式(1)の化合物、芳香族化合物、アルデヒド化合物が複雑に結合したポリマー混合物も得られるので、その構造により直接特定することは必ずしも実際的でない。
反応温度は通常40℃乃至200℃である。反応時間は反応温度によって種々選択されるが、通常30分乃至50時間程度である。
以上のようにして得られるポリマーの重量平均分子量Mwは、通常500乃至2,000,000、又は600乃至100,000、又は700乃至10,000、又は800乃至8,000、又は900乃至6,000である。
重合反応の結果、上記式(2)や上記式(3)で表される繰り返し単位を含有するポリマーが得られるほか、式(1)の化合物、芳香族化合物、アルデヒド化合物が複雑に結合したポリマー混合物も得られるので、その構造により直接特定することは必ずしも実際的でない。
1.4.架橋剤
本発明のレジスト下層膜形成組成物は架橋剤成分を含むことができる。特に、上記式(1)の化合物がモノマーである場合、当該架橋剤成分は好ましく用いられる。その架橋剤としては、メラミン系、置換尿素系、またはそれらのポリマー系等が挙げられる。好ましくは、少なくとも2個の架橋形成置換基を有する架橋剤であり、メトキシメチル化グリコールウリル、ブトキシメチル化グリコールウリル、メトキシメチル化メラミン、ブトキシメチル化メラミン、メトキシメチル化ベンゾグワナミン、ブトキシメチル化ベンゾグワナミン、メトキシメチル化尿素、ブトキシメチル化尿素、またはメトキシメチル化チオ尿素等の化合物である。また、これらの化合物の縮合体も使用することができる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物は架橋剤成分を含むことができる。特に、上記式(1)の化合物がモノマーである場合、当該架橋剤成分は好ましく用いられる。その架橋剤としては、メラミン系、置換尿素系、またはそれらのポリマー系等が挙げられる。好ましくは、少なくとも2個の架橋形成置換基を有する架橋剤であり、メトキシメチル化グリコールウリル、ブトキシメチル化グリコールウリル、メトキシメチル化メラミン、ブトキシメチル化メラミン、メトキシメチル化ベンゾグワナミン、ブトキシメチル化ベンゾグワナミン、メトキシメチル化尿素、ブトキシメチル化尿素、またはメトキシメチル化チオ尿素等の化合物である。また、これらの化合物の縮合体も使用することができる。
また、上記架橋剤としては耐熱性の高い架橋剤を用いることができる。耐熱性の高い架橋剤としては分子内に芳香族環(例えば、ベンゼン環、ナフタレン環)を有する架橋形成置換基を含有する化合物を好ましく用いることができる。
この化合物は下記式(4)の部分構造を有する化合物や、下記式(5)の繰り返し単位を有するポリマー又はオリゴマーが挙げられる。
上記R11、R12、R13、及びR14は水素原子又は炭素数1乃至10のアルキル基であり、これらのアルキル基は上述の例示を用いることができる。
n1及びn2は各々0〜6の整数、n3及びn4は各々0〜4の整数を表す。
上記R11、R12、R13、及びR14は水素原子又は炭素数1乃至10のアルキル基であり、これらのアルキル基は上述の例示を用いることができる。
n1及びn2は各々0〜6の整数、n3及びn4は各々0〜4の整数を表す。
上記化合物は旭有機材工業(株)、本州化学工業(株)の製品として入手することができる。例えば上記架橋剤の中で式(4−23)の化合物は、商品名TMOM−BP(本州化学工業(株)製)、式(4−24)の化合物は商品名TM−BIP−A(旭有機材工業(株)製)として入手することができる。
架橋剤の添加量は、使用する塗布溶剤、使用する下地基板、要求される溶液粘度、要求される膜形状などにより変動するが、全固形分に対して0.001乃至80質量%、好ましくは 0.01乃至50質量%、さらに好ましくは0.05乃至40質量%である。これら架橋剤は自己縮合による架橋反応を起こすこともあるが、本発明の上記のポリマー中に架橋性置換基が存在する場合は、それらの架橋性置換基と架橋反応を起こすことができる。
架橋剤の添加量は、使用する塗布溶剤、使用する下地基板、要求される溶液粘度、要求される膜形状などにより変動するが、全固形分に対して0.001乃至80質量%、好ましくは 0.01乃至50質量%、さらに好ましくは0.05乃至40質量%である。これら架橋剤は自己縮合による架橋反応を起こすこともあるが、本発明の上記のポリマー中に架橋性置換基が存在する場合は、それらの架橋性置換基と架橋反応を起こすことができる。
1.5.酸及び酸発生剤
本発明では上記架橋反応を促進するための触媒として酸及び/又は酸発生剤を添加することができる。例えば、p−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウムp−トルエンスルホン酸、サリチル酸、5−スルホサリチル酸、4−フェノールスルホン酸、カンファースルホン酸、4−クロロベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、1−ナフタレンスルホン酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、ナフタレンカルボン酸等の酸性化合物、及び/又は2,4,4,6−テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシレート、2−ニトロベンジルトシレート、ピリジニウムp−ヒドロキシベンゼンスルホナート、ピリジニウムp−トルエンスルホナート、ピリジニウムトリフルオロメタンスルホナート等のピリジニウム塩系化合物、その他有機スルホン酸アルキルエステル等の熱酸発生剤を配合する事が出来る。配合量は全固形分に対して、0.0001乃至20質量%、好ましくは0.0005乃至10質量%、さらに好ましくは0.01乃至3質量%である。
本発明では上記架橋反応を促進するための触媒として酸及び/又は酸発生剤を添加することができる。例えば、p−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウムp−トルエンスルホン酸、サリチル酸、5−スルホサリチル酸、4−フェノールスルホン酸、カンファースルホン酸、4−クロロベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、1−ナフタレンスルホン酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、ナフタレンカルボン酸等の酸性化合物、及び/又は2,4,4,6−テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシレート、2−ニトロベンジルトシレート、ピリジニウムp−ヒドロキシベンゼンスルホナート、ピリジニウムp−トルエンスルホナート、ピリジニウムトリフルオロメタンスルホナート等のピリジニウム塩系化合物、その他有機スルホン酸アルキルエステル等の熱酸発生剤を配合する事が出来る。配合量は全固形分に対して、0.0001乃至20質量%、好ましくは0.0005乃至10質量%、さらに好ましくは0.01乃至3質量%である。
本発明のレジスト下層膜形成組成物は酸発生剤を含有することができる。
酸発生剤としては、熱酸発生剤や光酸発生剤が挙げられる。
光酸発生剤は、レジストの露光時に酸を生ずる。そのため、下層膜の酸性度の調整ができる。これは、下層膜の酸性度を上層のレジストとの酸性度に合わせるための一方法である。また、下層膜の酸性度の調整によって、上層に形成されるレジストのパターン形状の調整ができる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれる光酸発生剤としては、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、及びジスルホニルジアゾメタン化合物等が挙げられる。
酸発生剤としては、熱酸発生剤や光酸発生剤が挙げられる。
光酸発生剤は、レジストの露光時に酸を生ずる。そのため、下層膜の酸性度の調整ができる。これは、下層膜の酸性度を上層のレジストとの酸性度に合わせるための一方法である。また、下層膜の酸性度の調整によって、上層に形成されるレジストのパターン形状の調整ができる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれる光酸発生剤としては、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、及びジスルホニルジアゾメタン化合物等が挙げられる。
オニウム塩化合物としてはジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフエート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロノルマルオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースルホネート及びビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート等のヨードニウム塩化合物、及びトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート及びトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のスルホニウム塩化合物等が挙げられる。
スルホンイミド化合物としては、例えばN−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(ノナフルオロノルマルブタンスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(カンファースルホニルオキシ)スクシンイミド及びN−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ナフタルイミド等が挙げられる。
ジスルホニルジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルベンゼンスルホニル)ジアゾメタン、及びメチルスルホニル−p−トルエンスルホニルジアゾメタン等が挙げられる。
光酸発生剤は一種のみを使用することができ、または二種以上を組み合わせて使用することができる。
光酸発生剤が使用される場合、その割合としては、レジスト下層膜形成組成物の固形分100質量部に対して、0.01乃至5質量部、または0.1乃至3質量部、または0.5乃至1質量部である。
光酸発生剤が使用される場合、その割合としては、レジスト下層膜形成組成物の固形分100質量部に対して、0.01乃至5質量部、または0.1乃至3質量部、または0.5乃至1質量部である。
1.6.溶媒
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物は、後記する各種ポリマーを特定の溶媒に溶解させることによって調製され、均一な溶液状態で用いられる。
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物は、後記する各種ポリマーを特定の溶媒に溶解させることによって調製され、均一な溶液状態で用いられる。
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物の溶媒としては、上記ポリマーを溶解できる溶媒であれば、特に制限なく使用することができる。特に、本発明に係るレジスト下層膜形成組成物は均一な溶液状態で用いられるものであるため、その塗布性能を考慮すると、リソグラフィー工程に一般的に使用される溶媒を併用することが推奨される。
そのような溶媒としては、例えば、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、メチルイソブチルカルビノール、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエテルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテルプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸イソプロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソプロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸アミル、ギ酸イソアミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸ヘキシル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、酪酸イソプロピル、酪酸ブチル、酪酸イソブチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、3−メトキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−3−メチル酪酸メチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシブチルアセテート、3−メトキシプロピルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、3−メチル−3−メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノン、N、N−ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、4−メチル−2−ペンタノール、及びγ−ブチロラクトン等を挙げることができる。これらの溶媒は単独で、または二種以上の組み合わせで使用することができる。
これらの溶媒の中でプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、及びシクロヘキサノン等が好ましい。特にプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。
好ましくは、本発明に係るレジスト下層膜形成組成物は、溶媒として、式(6)で表される化合物を含む。
(式(6)中のR1、R2及びR3は各々水素原子、酸素原子、硫黄原子又はアミド結合で中断されていてもよい炭素原子数1〜20のアルキル基を表し、互いに同一であっても異なっても良く、互いに結合して環構造を形成しても良い。)
式(6)で表される化合物は、これと相溶性で、上記ポリマーを溶解できる溶媒であれば、上記した溶媒と併用することができる。
(式(6)中のR1、R2及びR3は各々水素原子、酸素原子、硫黄原子又はアミド結合で中断されていてもよい炭素原子数1〜20のアルキル基を表し、互いに同一であっても異なっても良く、互いに結合して環構造を形成しても良い。)
式(6)で表される化合物は、これと相溶性で、上記ポリマーを溶解できる溶媒であれば、上記した溶媒と併用することができる。
炭素原子数1〜20のアルキル基としては、置換基を有しても、有さなくてもよい直鎖または分岐を有するアルキル基が挙げられ、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−ノニル基、イソノニル基、p−tert−ブチルシクロヘキシル基、n−デシル基、n−ドデシルノニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基およびエイコシル基などが挙げられる。好ましくは炭素原子数1〜12のアルキル基、より好ましくは炭素原子数1〜8のアルキル基、更に好ましくは炭素原子数1〜4のアルキル基である。
酸素原子、硫黄原子又はアミド結合により中断された炭素原子数1〜20のアルキル基としては、例えば、構造単位−CH2−O−、−CH2−S−、−CH2−NHCO−又は−CH2−CONH−を含有するものが挙げられる。−O−、−S−、−NHCO−又は−CONH−は前記アルキル基中に一単位又は二単位以上あってよい。−O−、−S−、−NHCO−又は−CONH−単位により中断された炭素原子数1〜20のアルキル基の具体例は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ブチルカルボニルアミノ基、メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基等であり、更には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基又はオクタデシル基であって、その各々がメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基等により置換されたものである。好ましくはメトキシ基、エトキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基であり、より好ましくはメトキシ基、エトキシ基である。
これらの溶媒は比較的高沸点であることから、レジスト下層膜形成組成物に高埋め込み性や高平坦化性を付与するためにも有効である。
上記の中で、3−メトキシ−N,N−ジメチルプロピオンアミド、N,N−ジメチルイソブチルアミド、及び
下記式:
で表される化合物が好ましく、式(6)で表される化合物として特に好ましいのは、3−メトキシ−N,N−ジメチルプロピオンアミド、及びN,N−ジメチルイソブチルアミドである。
下記式:
で表される化合物が好ましく、式(6)で表される化合物として特に好ましいのは、3−メトキシ−N,N−ジメチルプロピオンアミド、及びN,N−ジメチルイソブチルアミドである。
上記の式(6)で表される化合物は、レジスト下層膜形成組成物中に微量含まれるだけで効果を発揮するので、その配合量に特に制限はない。好ましくは、式(6)で表される化合物は、本発明に係るレジスト下層膜形成組成物全体の重量に対し、5重量%以上含まれる。また、好ましくは、式(6)で表される化合物は、本発明に係るレジスト下層膜形成組成物全体の重量に対し、30重量%以下含まれる。
1.7.界面活性剤
本発明に係るレジスト下層膜材料には、ピンホールやストレーション等の発生がなく、表面むらに対する塗布性をさらに向上させるために、界面活性剤を配合することができる。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップEF301、EF303、EF352((株)トーケムプロダクツ製、商品名)、メガファックF171、F173、R−40、R−40N、R−40LM(DIC(株)製、商品名)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム(株)製、商品名)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(株)製、商品名)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配合量は、レジスト下層膜材料の全固形分に対して通常2.0質量%以下、好ましくは1.0質量%以下である。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また二種以上の組み合わせで使用することもできる。界面活性剤が使用される場合、その割合としては、レジスト下層膜形成組成物の固形分100質量部に対して0.0001乃至5質量部、または0.001乃至1質量部、または0.01乃至0.5質量部である。
本発明に係るレジスト下層膜材料には、ピンホールやストレーション等の発生がなく、表面むらに対する塗布性をさらに向上させるために、界面活性剤を配合することができる。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップEF301、EF303、EF352((株)トーケムプロダクツ製、商品名)、メガファックF171、F173、R−40、R−40N、R−40LM(DIC(株)製、商品名)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム(株)製、商品名)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(株)製、商品名)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配合量は、レジスト下層膜材料の全固形分に対して通常2.0質量%以下、好ましくは1.0質量%以下である。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また二種以上の組み合わせで使用することもできる。界面活性剤が使用される場合、その割合としては、レジスト下層膜形成組成物の固形分100質量部に対して0.0001乃至5質量部、または0.001乃至1質量部、または0.01乃至0.5質量部である。
1.8.その他の成分
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜材料には、吸光剤、レオロジー調整剤、接着補助剤などを添加することができる。レオロジー調整剤は、下層膜形成組成物の流動性を向上させるのに有効である。接着補助剤は、半導体基板またはレジストと下層膜の密着性を向上させるのに有効である。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜材料には、吸光剤、レオロジー調整剤、接着補助剤などを添加することができる。レオロジー調整剤は、下層膜形成組成物の流動性を向上させるのに有効である。接着補助剤は、半導体基板またはレジストと下層膜の密着性を向上させるのに有効である。
吸光剤としては例えば、「工業用色素の技術と市場」(CMC出版)や「染料便覧」(有機合成化学協会編)に記載の市販の吸光剤、例えば、C.I.Disperse Yellow 1,3,4,5,7,8,13,23,31,49,50,51,54,60,64,66,68,79,82,88,90,93,102,114及び124;C.I.D isperse Orange1,5,13,25,29,30,31,44,57,72及び73;C.I.Disperse Red 1,5,7,13,17,19,43,50,54,58,65,72,73,88,117,137,143,199及び210;C.I.Disperse Violet 43;C.I.Disperse Blue 96;C.I.Fluorescent Brightening Agent 112,135及び163;C.I.Solvent Orange2及び45;C.I.Solvent Red 1,3,8,23,24,25,27及び49;C.I.Pigment Green 10;C.I.Pigment Brown 2等を好適に用いることができる。 上記吸光剤は通常、リソグラフィー用レジスト下層膜材料の全固形分に対して10質量%以下、好ましくは5質量%以下の割合で配合される。
レオロジー調整剤は、主にレジスト下層膜形成組成物の流動性を向上させ、特にベーキング工程において、レジスト下層膜の膜厚均一性の向上やホール内部へのレジスト下層膜形成組成物の充填性を高める目的で添加される。具体例としては、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘキシルフタレート、ブチルイソデシルフタレート等のフタル酸誘導体、ジノルマルブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ジイソオクチルアジペート、オクチルデシルアジペート等のアジピン酸誘導体、ジノルマルブチルマレート、ジエチルマレート、ジノニルマレート等のマレイン酸誘導体、メチルオレート、ブチルオレート、テトラヒドロフルフリルオレート等のオレイン酸誘導体、またはノルマルブチルステアレート、グリセリルステアレート等のステアリン酸誘導体を挙げることができる。これらのレオロジー調整剤は、リソグラフィー用レジスト下層膜材料の全固形分に対して通常30質量%未満の割合で配合される。
接着補助剤は、主に基板あるいはレジストとレジスト下層膜形成組成物の密着性を向上させ、特に現像においてレジストが剥離しないようにする目的で添加される。具体例としては、トリメチルクロロシラン、ジメチルメチロールクロロシラン、メチルジフエニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン等のクロロシラン類、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルメチロールエトキシシラン、ジフエニルジメトキシシラン、フエニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン、N,N’−ビス(トリメチルシリル)ウレア、ジメチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダゾール等のシラザン類、メチロールトリクロロシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン類、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、2−メルカプトベンズイミダゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾオキサゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン等の複素環式化合物や、1,1−ジメチルウレア、1,3−ジメチルウレア等の尿素、またはチオ尿素化合物を挙げることができる。これらの接着補助剤は、リソグラフィー用レジスト下層膜材料の全固形分に対して通常5質量%未満、好ましくは2質量%未満の割合で配合される。
1.9.レジスト下層膜形成組成物
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物の固形分は通常0.1乃至70質量%、好ましくは0.1乃至60質量%とする。固形分はレジスト下層膜形成組成物から溶媒を除いた全成分の含有割合である。固形分中におけるポリマーの割合は、1乃至100質量%、1乃至99.9質量%、50乃至99.9質量%、50乃至95質量%、50乃至90質量%の順で好ましい。
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物の固形分は通常0.1乃至70質量%、好ましくは0.1乃至60質量%とする。固形分はレジスト下層膜形成組成物から溶媒を除いた全成分の含有割合である。固形分中におけるポリマーの割合は、1乃至100質量%、1乃至99.9質量%、50乃至99.9質量%、50乃至95質量%、50乃至90質量%の順で好ましい。
レジスト下層膜形成組成物が均一な溶液状態であるかどうかを評価する尺度の一つは、特定のマイクロフィルターの通過性を観察することであるが、本発明に係るレジスト下層膜形成組成物は、口径0.1μmのマイクロフィルターを通過し、均一な溶液状態を呈する。
上記マイクロフィルター材質としては、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、PFA(テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体)などのフッ素系樹脂、PE(ポリエチレン)、UPE(超高分子量ポリエチレン)、PP(ポリプロピレン)、PSF(ポリスルフォン)、PES(ポリエーテルスルホン)、ナイロンが挙げられるが、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)製であることが好ましい。
2.レジスト下層膜及び半導体装置の製造方法
以下、本発明に係るレジスト下層膜形成組成物を用いたレジスト下層膜及び半導体装置の製造方法について説明する。
以下、本発明に係るレジスト下層膜形成組成物を用いたレジスト下層膜及び半導体装置の製造方法について説明する。
本発明に係るレジスト下層膜は、上記したレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し、焼成することにより製造することができる。
半導体装置の製造に使用される基板(例えば、シリコンウエハー基板、シリコン/二酸化シリコン被覆基板、シリコンナイトライド基板、ガラス基板、ITO基板、ポリイミド基板、及び低誘電率材料(low−k材料)被覆基板等)の上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明のレジスト下層膜形成組成物が塗布され、その後、焼成することによりレジスト下層膜が形成される。焼成する条件としては、焼成温度80℃乃至250℃、焼成時間0.3乃至60分間の中から適宜、選択される。好ましくは、焼成温度150℃乃至250℃、焼成時間0.5乃至2分間である。ここで、形成される下層膜の膜厚としては、例えば、10乃至1000nmであり、又は20乃至500nmであり、又は30乃至300nmであり、又は50乃至300nmであり、又は50乃至200nmである。
半導体装置の製造に使用される基板(例えば、シリコンウエハー基板、シリコン/二酸化シリコン被覆基板、シリコンナイトライド基板、ガラス基板、ITO基板、ポリイミド基板、及び低誘電率材料(low−k材料)被覆基板等)の上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明のレジスト下層膜形成組成物が塗布され、その後、焼成することによりレジスト下層膜が形成される。焼成する条件としては、焼成温度80℃乃至250℃、焼成時間0.3乃至60分間の中から適宜、選択される。好ましくは、焼成温度150℃乃至250℃、焼成時間0.5乃至2分間である。ここで、形成される下層膜の膜厚としては、例えば、10乃至1000nmであり、又は20乃至500nmであり、又は30乃至300nmであり、又は50乃至300nmであり、又は50乃至200nmである。
また、本発明に係る有機レジスト下層膜上に無機レジスト下層膜(ハードマスク)を形成することもできる。例えば、WO2009/104552A1に記載のシリコン含有レジスト下層膜(無機レジスト下層膜)形成組成物をスピンコートで形成する方法の他、Si系の無機材料膜をCVD法などで形成することができる。
また、本発明に係るレジスト下層膜形成組成物を、段差を有する部分と段差を有しない部分とを有する半導体基板(いわゆる段差基板)上に塗布し、焼成することにより、当該段差を有する部分と段差を有しない部分との段差が3〜50nmの範囲内である、レジスト下層膜を形成することができる。
次いでそのレジスト下層膜の上に、例えばフォトレジストの層が形成される。フォトレジストの層の形成は、周知の方法、すなわち、フォトレジスト組成物溶液の下層膜上への塗布及び焼成によって行なうことができる。フォトレジストの膜厚としては例えば50乃至10000nmであり、または100乃至2000nmであり、または200乃至1000nmである。
レジスト下層膜の上に形成されるフォトレジストとしては露光に使用される光に感光するものであれば特に限定はない。ネガ型フォトレジスト及びポジ型フォトレジストのいずれも使用できる。ノボラック樹脂と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとからなるポジ型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物とアルカリ可溶性バインダーと光酸発生剤とからなる化学増幅型フォトレジスト、及び酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジストなどがある。例えば、シプレー社製商品名APEX−E、住友化学工業(株)製商品名PAR710、及び信越化学工業(株)製商品名SEPR430等が挙げられる。また、例えば、Proc.SPIE,Vol.3999,330−334(2000)、Proc.SPIE,Vol.3999,357−364(2000)、やProc.SPIE,Vol.3999,365−374(2000)に記載されているような、含フッ素原子ポリマー系フォトレジストを挙げることができる。
次に、所定のマスクを通して露光が行なわれる。露光には、近紫外線、遠紫外線、又は極端紫外線(例えば、EUV(波長13.5nm))等が用いられる。具体的には、KrFエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)及びF2エキシマレーザー(波長157nm)等を使用することができる。これらの中でも、ArFエキシマレーザー(波長193nm)及びEUV(波長13.5nm)が好ましい。露光後、必要に応じて露光後加熱(post exposure bake)を行なうこともできる。露光後加熱は、加熱温度70℃乃至150℃、加熱時間0.3乃至10分間から適宜、選択された条件で行われる。
また、本発明ではレジストとしてフォトレジストに変えて電子線リソグラフィー用レジストを用いることができる。電子線レジストとしてはネガ型、ポジ型いずれも使用できる。酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度を変化させる基を有するバインダーからなる化学増幅型レジスト、アルカリ可溶性バインダーと酸発生剤と酸により分解してレジストのアルカリ溶解速度を変化させる低分子化合物からなる化学増幅型レジスト、酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度を変化させる基を有するバインダーと酸により分解してレジストのアルカリ溶解速度を変化させる低分子化合物からなる化学増幅型レジスト、電子線によって分解してアルカリ溶解速度を変化させる基を有するバインダーからなる非化学増幅型レジスト、電子線によって切断されアルカリ溶解速度を変化させる部位を有するバインダーからなる非化学増幅型レジストなどがある。これらの電子線レジストを用いた場合も照射源を電子線としてフォトレジストを用いた場合と同様にレジストパターンを形成することができる。
次いで、現像液によって現像が行なわれる。これにより、例えばポジ型フォトレジストが使用された場合は、露光された部分のフォトレジストが除去され、フォトレジストのパターンが形成される。
現像液としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどのアルカリ金属水酸化物の水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリンなどの水酸化四級アンモニウムの水溶液、エタノールアミン、プロピルアミン、エチレンジアミンなどのアミン水溶液等のアルカリ性水溶液を例として挙げることができる。さらに、これらの現像液に界面活性剤などを加えることもできる。現像の条件としては、温度5乃至50℃、時間10乃至600秒から適宜選択される。
現像液としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどのアルカリ金属水酸化物の水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリンなどの水酸化四級アンモニウムの水溶液、エタノールアミン、プロピルアミン、エチレンジアミンなどのアミン水溶液等のアルカリ性水溶液を例として挙げることができる。さらに、これらの現像液に界面活性剤などを加えることもできる。現像の条件としては、温度5乃至50℃、時間10乃至600秒から適宜選択される。
そして、このようにして形成されたフォトレジスト(上層)のパターンを保護膜として無機下層膜(中間層)の除去が行われ、次いでパターン化されたフォトレジスト及び無機下層膜(中間層)からなる膜を保護膜として、有機下層膜(下層)の除去が行われる。最後に、パターン化された無機下層膜(中間層)及び有機下層膜(下層)を保護膜として、半導体基板の加工が行なわれる。
まず、フォトレジストが除去された部分の無機下層膜(中間層)をドライエッチングによって取り除き、半導体基板を露出させる。無機下層膜のドライエッチングにはテトラフルオロメタン(CF4)、パーフルオロシクロブタン(C4F8)、パーフルオロプロパン(C3F8)、トリフルオロメタン、一酸化炭素、アルゴン、酸素、窒素、六フッ化硫黄、ジフルオロメタン、三フッ化窒素及び三フッ化塩素、塩素、トリクロロボラン及びジクロロボラン等のガスを使用することができる。無機下層膜のドライエッチングにはハロゲン系ガスを使用することが好ましく、フッ素系ガスによることがより好ましい。フッ素系ガスとしては、例えば、テトラフルオロメタン(CF4)、パーフルオロシクロブタン(C4F8)、パーフルオロプロパン(C3F8)、トリフルオロメタン、及びジフルオロメタン(CH2F2)等が挙げられる。
その後、パターン化されたフォトレジスト及び無機下層膜からなる膜を保護膜として有機下層膜の除去が行われる。有機下層膜(下層)は酸素系ガスによるドライエッチングによって行なわれることが好ましい。シリコン原子を多く含む無機下層膜は、酸素系ガスによるドライエッチングでは除去されにくいからである。
最後に、半導体基板の加工が行なわれる。半導体基板の加工はフッ素系ガスによるドライエッチングによって行なわれることが好ましい。
フッ素系ガスとしては、例えば、テトラフルオロメタン(CF4)、パーフルオロシクロブタン(C4F8)、パーフルオロプロパン(C3F8)、トリフルオロメタン、及びジフルオロメタン(CH2F2)等が挙げられる。
フッ素系ガスとしては、例えば、テトラフルオロメタン(CF4)、パーフルオロシクロブタン(C4F8)、パーフルオロプロパン(C3F8)、トリフルオロメタン、及びジフルオロメタン(CH2F2)等が挙げられる。
また、レジスト下層膜の上層には、フォトレジストの形成前に有機系の反射防止膜を形成することができる。そこで使用される反射防止膜組成物としては特に制限はなく、これまでリソグラフィープロセスにおいて慣用されているものの中から任意に選択して使用することができ、また、慣用されている方法、例えば、スピナー、コーターによる塗布及び焼成によって反射防止膜の形成を行なうことができる。
本発明では基板上に有機下層膜を成膜した後、その上に無機下層膜を成膜し、更にその上にフォトレジストを被覆することができる。これによりフォトレジストのパターン幅が狭くなり、パターン倒れを防ぐためにフォトレジストを薄く被覆した場合でも、適切なエッチングガスを選択することにより基板の加工が可能になる。例えば、フォトレジストに対して十分に早いエッチング速度となるフッ素系ガスをエッチングガスとしてレジスト下層膜に加工が可能であり、また無機下層膜に対して十分に早いエッチング速度となるフッ素系ガスをエッチングガスとして基板の加工が可能であり、更に有機下層膜に対して十分に早いエッチング速度となる酸素系ガスをエッチングガスとして基板の加工を行うことができる。
レジスト下層膜形成組成物より形成されるレジスト下層膜は、また、リソグラフィープロセスにおいて使用される光の波長によっては、その光に対する吸収を有することがある。そして、そのような場合には、基板からの反射光を防止する効果を有する反射防止膜として機能することができる。さらに、本発明のレジスト下層膜形成組成物で形成された下層膜はハードマスクとしても機能し得るものである。本発明の下層膜は、基板とフォトレジストとの相互作用の防止するための層、フォトレジストに用いられる材料又はフォトレジストへの露光時に生成する物質の基板への悪作用を防ぐ機能とを有する層、加熱焼成時に基板から生成する物質の上層フォトレジストへの拡散を防ぐ機能を有する層、及び半導体基板誘電体層によるフォトレジスト層のポイズニング効果を減少させるためのバリア層等として使用することも可能である。
また、レジスト下層膜形成組成物より形成される下層膜は、デュアルダマシンプロセスで用いられるビアホールが形成された基板に適用され、ホールを隙間なく充填することができる埋め込み材として使用できる。また、凹凸のある半導体基板の表面を平坦化するための平坦化材として使用することもできる。
以下に実施例等を参照しつつ本発明を更に詳細に説明するが、本発明は下記の態様に限定されるものではない。
100mL二口フラスコにBINFL(旭有機材株式会社製)3.17g、1−ピレンカルボキシアルデヒド(アルドリッチ製)3.00g、N-メチル-2-ピロリジノン(関東化学株式会社製) 15.03g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート15.03g、メタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)0.25gを入れた。その後150℃まで加熱し、約15時間還流撹拌した。反応終了後、シクロヘキサノン25.24gで希釈した。この希釈溶液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、粉末の樹脂を4.85g得た。得られたポリマーは式(2−1)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは1,870であった。
100mL二口フラスコにBINFL(旭有機材株式会社製)5.45g、9−フルオレノン(東京化成工業株式会社製)4.00g、N-メチル-2-ピロリジノン(関東化学株式会社製) 9.76g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート9.76g、メタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)1.07gを入れた。その後150℃まで加熱し、約19時間還流撹拌した。反応終了後、シクロヘキサノン17.19gで希釈した。この希釈溶液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、粉末の樹脂を8.35g得た。得られたポリマーは式(2−2)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは4,850であった。
100mL二口フラスコにBINFL(旭有機材株式会社製)7.65g、2−エチルヘキサナール(東京化成工業株式会社製)4.00g、N-メチル-2-ピロリジノン(関東化学株式会社製) 9.86g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート9.86g、メタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)1.50gを入れた。その後150℃まで加熱し、約19時間還流撹拌した。反応終了後、シクロヘキサノン5.96gで希釈した。この希釈溶液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物の上澄みをデカンテーションして除去した後、60℃で一晩減圧乾燥した。そして、粉末の樹脂を10.75g得た。得られたポリマーは式(2−3)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは1,130であった。
100mL二口フラスコにDM−BINFL(旭有機材株式会社製)3.56g、カルバゾール(東京化成工業株式会社製)1.50g、N-メチル-2-ピロリジノン(関東化学株式会社製) 4.18g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート4.18g、メタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)0.51gを入れた。その後150℃まで加熱し、約15時間還流撹拌した。反応終了後、シクロヘキサノン11.32gで希釈した。この希釈溶液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、粉末の樹脂を2.36g得た。得られたポリマーは式(3−1)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは1,840であった。
100mL二口フラスコにDM−BINFL(旭有機材株式会社製)4.69g、ジフェニルアミン(東京化成工業株式会社製)4.69g、N-メチル-2-ピロリジノン(関東化学株式会社製) 5.52g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート5.52g、メタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)0.67gを入れた。その後150℃まで加熱し、約19時間還流撹拌した。反応終了後、シクロヘキサノン15.03gで希釈した。この希釈溶液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、粉末の樹脂を3.38g得た。得られたポリマーは式(3−2)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは2,860であった。
100mL二口フラスコにDM−BINFL(旭有機材株式会社製)5.18g、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン(東京化成工業株式会社製)4.00g、N-メチル-2-ピロリジノン(関東化学株式会社製) 7.53g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート7.53g、メタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)0.87gを入れた。その後150℃まで加熱し、約19時間還流撹拌した。反応終了後、シクロヘキサノン5.47gで希釈した。この希釈溶液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、粉末の樹脂を5.18g得た。得られたポリマーは式(3−3)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは1,270であった。
(比較合成例1)
100mL二口フラスコに9,9−ビス(4−ヒドロキシ)フルオレン(東京化成工業株式会社製)8.00g、1−ピレンカルボキシアルデヒド(アルドリッチ製)5.30g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート20.77g、メタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)0.55gを入れた。その後150℃まで加熱し、約16.5時間還流撹拌した。反応終了後、シクロヘキサノン34.62gで希釈した。この希釈溶液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、粉末の樹脂を7.05g得た。得られたポリマーは式(1−1)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは2,260であった。
100mL二口フラスコに9,9−ビス(4−ヒドロキシ)フルオレン(東京化成工業株式会社製)8.00g、1−ピレンカルボキシアルデヒド(アルドリッチ製)5.30g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート20.77g、メタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)0.55gを入れた。その後150℃まで加熱し、約16.5時間還流撹拌した。反応終了後、シクロヘキサノン34.62gで希釈した。この希釈溶液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、粉末の樹脂を7.05g得た。得られたポリマーは式(1−1)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは2,260であった。
100mL二口フラスコに9,9−ビス(4−ヒドロキシ)フルオレン(東京化成工業株式会社製)8.00g、9−フルオレノン(東京化成工業株式会社製)4.11g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート19.49g、メタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)0.88gを入れた。その後150℃まで加熱し、約16.5時間還流撹拌した。反応終了後、シクロヘキサノン28.09gで希釈した。この希釈溶液をメタノール/水(80質量%/20質量%)溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、粉末の樹脂を6.49g得た。得られたポリマーは式(1−2)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは4,600であった。
100mL二口フラスコに9,9−ビス(4−ヒドロキシ)フルオレン(東京化成工業株式会社製)10.00g、2−エチルヘキサナール(東京化成工業株式会社製)3.66g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート22.13g、メタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)1.10gを入れた。その後150℃まで加熱し、約16.5時間還流撹拌した。反応終了後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート8.64gで希釈した。この希釈溶液をメタノール/水(50質量%/50質量%)溶溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物の上澄みをデカンテーションして除去した後、60℃で一晩減圧乾燥した。そして、粉末の樹脂を14.21g得た。得られたポリマーは式(1−3)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは1,420であった。
(実施例1)
合成例1で得た樹脂をシクロヘキサノンに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は18.45質量%)を得た。この樹脂溶液5.50gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.20g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.714g、シクロヘキサノン3.75gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例1で得た樹脂をシクロヘキサノンに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は18.45質量%)を得た。この樹脂溶液5.50gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.20g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.714g、シクロヘキサノン3.75gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(実施例2)
合成例2で得た樹脂をシクロヘキサノンに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は18.85質量%)を得た。この樹脂溶液5.00gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.19g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.895g、シクロヘキサノン5.66gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例2で得た樹脂をシクロヘキサノンに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は18.85質量%)を得た。この樹脂溶液5.00gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.19g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.895g、シクロヘキサノン5.66gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(実施例3)
合成例3で得た樹脂をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は16.50質量%)を得た。この樹脂溶液6.50gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.11g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート1.23g、プロピレングリコールモノメチルエーテル2.90gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例3で得た樹脂をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は16.50質量%)を得た。この樹脂溶液6.50gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.11g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート1.23g、プロピレングリコールモノメチルエーテル2.90gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(実施例4)
合成例4で得た樹脂をシクロヘキサノンに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は16.45質量%)を得た。この樹脂溶液6.00gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.20g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.695g、シクロヘキサノン3.00gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例4で得た樹脂をシクロヘキサノンに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は16.45質量%)を得た。この樹脂溶液6.00gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.20g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.695g、シクロヘキサノン3.00gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(実施例5)
合成例5で得た樹脂をシクロヘキサノンに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は19.70質量%)を得た。この樹脂溶液4.80gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.19g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.901g、シクロヘキサノン5.90gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例5で得た樹脂をシクロヘキサノンに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は19.70質量%)を得た。この樹脂溶液4.80gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.19g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.901g、シクロヘキサノン5.90gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(実施例6)
合成例6で得た樹脂をプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は17.40質量%)を得た。この樹脂溶液5.00gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.09g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2.91g、プロピレングリコールモノメチルエーテル2.88gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例6で得た樹脂をプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は17.40質量%)を得た。この樹脂溶液5.00gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.09g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2.91g、プロピレングリコールモノメチルエーテル2.88gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(実施例7)
BINFL(旭有機材株式会社製)をシクロヘキサノンに溶解させ、BINFL含有シクロヘキサノン溶液(固形分は21.74質量%)を得た。この溶液1.45gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテル0.06g、TMOM−BP(本州化学工業(株)製)0.09g、2%K−PURE TAG2689(キングインダストリーズ社製トリフルオロメタンスルホン酸系化合物)含有プロピレングリコールモノメチルエーテル0.47g、シクロヘキサノン3.89g、プロピレングリコールモノメチルエーテル0.03gを加え、よく撹拌した後、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
BINFL(旭有機材株式会社製)をシクロヘキサノンに溶解させ、BINFL含有シクロヘキサノン溶液(固形分は21.74質量%)を得た。この溶液1.45gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテル0.06g、TMOM−BP(本州化学工業(株)製)0.09g、2%K−PURE TAG2689(キングインダストリーズ社製トリフルオロメタンスルホン酸系化合物)含有プロピレングリコールモノメチルエーテル0.47g、シクロヘキサノン3.89g、プロピレングリコールモノメチルエーテル0.03gを加え、よく撹拌した後、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(実施例8)
DM−BINFL(旭有機材株式会社製)をシクロヘキサノンに溶解させ、DM−BINFL含有シクロヘキサノン溶液(固形分は18.63質量%)を得た。この溶液1.69gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテル0.06g、TMOM−BP(本州化学工業(株)製) 0.09g、2%K−PURE TAG2689(キングインダストリーズ社製トリフルオロメタンスルホン酸系化合物)含有プロピレングリコールモノメチルエーテル0.47g、シクロヘキサノン3.64g、プロピレングリコールモノメチルエーテル0.03gを加えてよく撹拌した後、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
DM−BINFL(旭有機材株式会社製)をシクロヘキサノンに溶解させ、DM−BINFL含有シクロヘキサノン溶液(固形分は18.63質量%)を得た。この溶液1.69gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテル0.06g、TMOM−BP(本州化学工業(株)製) 0.09g、2%K−PURE TAG2689(キングインダストリーズ社製トリフルオロメタンスルホン酸系化合物)含有プロピレングリコールモノメチルエーテル0.47g、シクロヘキサノン3.64g、プロピレングリコールモノメチルエーテル0.03gを加えてよく撹拌した後、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(実施例9)
合成例1で得た樹脂をシクロヘキサノンに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は18.45質量%)を得た。この樹脂溶液3.00gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテル0.07g、TMOM−BP(本州化学工業(株)製) 0.21g、2%K−PURE TAG2689(キングインダストリーズ社製トリフルオロメタンスルホン酸系化合物)含有プロピレングリコールモノメチルエーテル1.06g、シクロヘキサノン6.91g、プロピレングリコールモノメチルエーテル0.51gを加えてよく撹拌した後、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例1で得た樹脂をシクロヘキサノンに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は18.45質量%)を得た。この樹脂溶液3.00gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテル0.07g、TMOM−BP(本州化学工業(株)製) 0.21g、2%K−PURE TAG2689(キングインダストリーズ社製トリフルオロメタンスルホン酸系化合物)含有プロピレングリコールモノメチルエーテル1.06g、シクロヘキサノン6.91g、プロピレングリコールモノメチルエーテル0.51gを加えてよく撹拌した後、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(比較例1)
比較合成例1で得た樹脂をシクロヘキサノンに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は22.65質量%)を得た。この樹脂溶液5.50gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.11g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート1.19g、シクロヘキサノン7.87gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
比較合成例1で得た樹脂をシクロヘキサノンに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は22.65質量%)を得た。この樹脂溶液5.50gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.11g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート1.19g、シクロヘキサノン7.87gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(比較例2)
比較合成例2で得た樹脂をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は21.95質量%)を得た。この樹脂溶液6.50gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.14g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート3.78g、プロピレングリコールモノメチルエーテル3.86gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
比較合成例2で得た樹脂をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は21.95質量%)を得た。この樹脂溶液6.50gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.14g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート3.78g、プロピレングリコールモノメチルエーテル3.86gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(比較例3)
比較合成例3で得た樹脂をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は20.67質量%)を得た。この樹脂溶液7.00gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.14g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート3.43g、プロピレングリコールモノメチルエーテル3.91gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
比較合成例3で得た樹脂をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解後、イオン交換を経て樹脂溶液(固形分は20.67質量%)を得た。この樹脂溶液7.00gに1%界面活性剤(DIC(株)製、メガファックR−40)含有プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート0.14g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート3.43g、プロピレングリコールモノメチルエーテル3.91gを加え、口径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製マイクロフィルターにて濾過して、レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(レジスト溶剤への溶出試験)
比較例1−3及び実施例1-9で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で400℃90秒間焼成し、レジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。なお、比較例3は耐熱性の観点から膜厚の維持が困難であったため、350℃90秒間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成し、実施例7−9は240℃90秒間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。これらレジスト下層膜をレジストに使用する溶剤である、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、及びシクロヘキサノンに浸漬した。これらレジスト下層膜はこれら溶剤に不溶であった。
比較例1−3及び実施例1-9で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で400℃90秒間焼成し、レジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。なお、比較例3は耐熱性の観点から膜厚の維持が困難であったため、350℃90秒間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成し、実施例7−9は240℃90秒間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。これらレジスト下層膜をレジストに使用する溶剤である、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、及びシクロヘキサノンに浸漬した。これらレジスト下層膜はこれら溶剤に不溶であった。
(光学定数測定)
比較例1−3及び実施例1-9で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で400℃90秒間焼成し、レジスト下層膜(膜厚0.05μm)を形成した。なお、比較例3は耐熱性の観点から膜厚の維持が困難であったため、350℃90秒間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成し、実施例7−9は240℃90秒間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。これらのレジスト下層膜を、分光エリプソメーターを用いて波長193nm、248nmでの屈折率(n値)及び光学吸光係数(k値、減衰係数とも呼ぶ)を測定した。結果を表1に示した。
比較例1−3及び実施例1-9で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で400℃90秒間焼成し、レジスト下層膜(膜厚0.05μm)を形成した。なお、比較例3は耐熱性の観点から膜厚の維持が困難であったため、350℃90秒間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成し、実施例7−9は240℃90秒間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。これらのレジスト下層膜を、分光エリプソメーターを用いて波長193nm、248nmでの屈折率(n値)及び光学吸光係数(k値、減衰係数とも呼ぶ)を測定した。結果を表1に示した。
(ドライエッチング速度の測定)
ドライエッチング速度の測定に用いたエッチャー及びエッチングガスは以下のものを用
いた。
RIE−10NR(サムコ製):CF4
比較例1−3及び実施例1-9で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で400℃90秒間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。なお、比較例3は耐熱性の観点から膜厚の維持が困難であったため、350℃90秒間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成し、実施例7−9は240℃90秒間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。エッチングガスとしてCF4ガスを使用してドライエッチング速度を測定し、比較例1−3及び実施例1-9とレジスト下層膜のドライエッチング速度との比較を行った。結果を表3に示した。ドライエッチング速度比は(レジスト下層膜)/(KrFフォトレジスト)のドライエッチング速度比である。
ドライエッチング速度の測定に用いたエッチャー及びエッチングガスは以下のものを用
いた。
RIE−10NR(サムコ製):CF4
比較例1−3及び実施例1-9で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で400℃90秒間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。なお、比較例3は耐熱性の観点から膜厚の維持が困難であったため、350℃90秒間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成し、実施例7−9は240℃90秒間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。エッチングガスとしてCF4ガスを使用してドライエッチング速度を測定し、比較例1−3及び実施例1-9とレジスト下層膜のドライエッチング速度との比較を行った。結果を表3に示した。ドライエッチング速度比は(レジスト下層膜)/(KrFフォトレジスト)のドライエッチング速度比である。
(レジスト下層膜の耐熱性試験)
比較例1−3及び実施例1-6で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で400℃1分間30秒間または350℃1分間30秒間焼成して、レジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。得られた膜を室温(約20℃)から一分間に10℃ずつの割合で昇温加熱して大気中で熱重量分析を行い、重量減少の経時変化を追跡した。結果を表3に示す。
比較例1−3及び実施例1-6で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で400℃1分間30秒間または350℃1分間30秒間焼成して、レジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。得られた膜を室温(約20℃)から一分間に10℃ずつの割合で昇温加熱して大気中で熱重量分析を行い、重量減少の経時変化を追跡した。結果を表3に示す。
本発明によれば、良好な塗布性を有し、高エッチング耐性、高耐熱性等に優れたレジスト下層膜を与えるレジスト下層膜形成組成物が提供される。
Claims (12)
- 下記式(1)で示される化合物を含む、レジスト下層膜形成組成物。
[式(1)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−又は−CH(R1)−を表し、
X2は、−N(R2)−又は−CH(R2)−を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1である。] - 式(1)のR1、R2、R3又はR4が、ヒドロキシ基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子もしくは硫黄原子で中断されていてもよいC1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である、請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 下記式(2)で示される繰り返し単位a、b、c、d、e、f、g、h、iの1つ又は複数を1単位以上含有する化合物を含む、レジスト下層膜形成組成物。
式(2)
[式(2)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−、−CH(R1)−、−N<又は−CH<を表し、
X2は、−N(R2)−、−CH(R2)−、−N<又は−CH<を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−、−CH(R3)−、−N<又は−CH<を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−、−CH(R4)−、−N<又は−CH<を表し、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1であり、
B1とB2は同一又は異なり、それぞれ水素原子、酸素原子もしくは硫黄原子で中断されていてもよいC1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はC6〜40のアリール基及びC6〜40の複素環基からなる群より選択される芳香族化合物由来の基を表し、B1とB2はこれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成してもよく、前記芳香族化合物由来の基の水素原子は、C1〜20のアルキル基、フェニル基、縮合環基、複素環基、ヒドロキシ基、アミノ基、エーテル基、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基又はカルボキシル基で置換されていてもよい。] - 下記式(3)で示される繰り返し単位j、k、l、m、r、s、t、u、v、wの1つ又は複数を1単位以上含有する化合物を含む、レジスト下層膜形成組成物。
式(3)
[式(3)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N<又は−CH<を表し、
X2は、−N<又は−CH<を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1であり、
p及びqは0〜20の整数であり、
p個のメチレン基及びq個のメチレン基は2個以上の場合には酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
B3は直接結合、又はC1〜20のアルキル基、フェニル基、縮合環基、複素環基、ヒドロキシ基、アミノ基、エーテル基、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基もしくはカルボキシル基で置換されていてもよいC6〜40の芳香族化合物由来の基を表す。] - 下記式(1)の化合物と1種類以上のアルデヒド化合物との反応、下記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物との反応、又は下記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物と1種類以上のアルデヒド化合物との反応によって得られる樹脂を含む、レジスト下層膜形成組成物。
[式(1)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−又は−CH(R1)−を表し、
X2は、−N(R2)−又は−CH(R2)−を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1である。] - 式(1)のR1、R2、R3又はR4が、ヒドロキシ基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子もしくは硫黄原子で中断されていてもよいC1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である、請求項5に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 架橋剤を更に含む請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 酸及び/又は酸発生剤を更に含む請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成する工程を含むレジスト下層膜の製造方法。
- 半導体基板上に請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物によりレジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、レジストパターンにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
- 半導体基板に請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物によりレジスト下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、レジストパターンによりハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
- 下記式(1)の化合物と1種類以上のアルデヒド化合物とを反応させる工程、下記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物とを反応させる工程、又は下記式(1)の化合物と1種類以上の芳香族化合物と1種類以上のアルデヒド化合物とを反応させる工程を含む、レジスト下層膜形成組成物用樹脂の製造方法。
[式(1)中、
は単結合又は二重結合を表し、
X1は、−N(R1)−又は−CH(R1)−を表し、
X2は、−N(R2)−又は−CH(R2)−を表し、
X3は、−N=、−CH=、−N(R3)−又は−CH(R3)−を表し、
X4は、−N=、−CH=、−N(R4)−又は−CH(R4)−を表し、
R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、それぞれ水素原子、C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜10のアルケニル基、C2〜10のアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表し、上記アルキル基及びアリール基はC1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、グリシジル基又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、且つ、酸素原子又は硫黄原子で中断されていてもよく、
R5、R6、R9及びR10は同一又は異なり、それぞれ水素原子、ヒドロキシ基、C1〜6のアシル基、C1〜6のアルコキシ基、C1〜6のアルコキシカルボニル基、C1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、C6〜20のアリール基、C2〜20のアルケニル基又はC2〜10のアルキニル基を表し、上記アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基は、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、グリシジル基及びカルボキシル基からなる群より選択される基を1つ又は複数有していても良く、
R7及びR8は同一又は異なり、それぞれベンゼン環又はナフタレン環を表し、
n及びoは0又は1である。]
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