JPWO2017047215A1 - 近赤外線吸収組成物、膜、近赤外線カットフィルタおよび固体撮像素子 - Google Patents

Abstract

優れた赤外線遮蔽性および可視透明性を有し、かつ、耐熱性に優れた膜を製造可能な近赤外線吸収組成物、膜、近赤外線カットフィルタおよび固体撮像素子を提供する。近赤外線吸収組成物は、銅化合物と、ラジカルトラップ剤と、１８０℃以上でラジカルを発生する樹脂と、を含む。

Description

本発明は、近赤外線吸収組成物、膜、近赤外線カットフィルタおよび固体撮像素子に関する。

ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、カメラ機能付き携帯電話などにはカラー画像の固体撮像素子である、電荷結合素子（ＣＣＤ）や、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）などが用いられている。これら固体撮像素子はその受光部において、近赤外線に感度を有するシリコンフォトダイオードを使用しているために、視感度補正を行うことが必要であり、近赤外線カットフィルタを用いることが多い。

特許文献１、２には、銅化合物を含む近赤外線吸収組成物を用いて近赤外線カットフィルタを製造することが記載されている。

特開２０１４−３２３８０号公報 国際公開２０１４／１６８２２１号

本発明者らの検討によれば、加熱によりラジカルを発生する樹脂は、銅化合物との相溶性が比較的良好であることを見出した。しかしながら、銅化合物と、加熱によりラジカルを発生する樹脂とを含む近赤外線吸収組成物を用いて製造した近赤外線カットフィルタは、加熱により着色が生じることがあり、耐熱性が不十分な場合があることが分かった。近赤外線カットフィルタは、耐熱性が低いと、加熱により着色が生じて、可視透明性や赤外線遮蔽性が低下することがあるため、近年においては、耐熱性のさらなる向上が求められている。

よって、本発明は、耐熱性に優れた膜を製造可能な近赤外線吸収組成物、膜、近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置を提供することにある。

本発明者らは鋭意検討した結果、近赤外線吸収組成物にラジカルトラップ剤を含有させることで、耐熱性に優れた膜を製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、以下を提供する。
＜１＞ 銅化合物と、ラジカルトラップ剤と、１８０℃以上でラジカルを発生する樹脂と、を含む近赤外線吸収組成物。
＜２＞ 銅化合物は、水素原子が結合した炭素原子を有する化合物を配位子として有する銅錯体である、＜１＞に記載の近赤外線吸収組成物。
＜３＞ 銅化合物は、非共有電子対で配位する配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体である、＜１＞または＜２＞に記載の近赤外線吸収組成物。
＜４＞ 銅化合物は、少なくとも２つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体である、＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の近赤外線吸収組成物。
＜５＞ ラジカルトラップ剤が、オキシム化合物、ヒンダードアミン化合物、ヒンダードフェノール化合物、硫黄系過酸化物分解物、リン系過酸物分解剤、Ｎ−オキシル化合物、アルキルフェノン化合物、アルデヒド化合物およびヒドロキシルアミン化合物から選ばれる少なくとも１種である、＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の近赤外線吸収組成物。
＜６＞ ラジカルトラップ剤が、下式（Ｉ）で表される化合物である、＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の近赤外線吸収組成物；

式中、Ａｒ¹⁰⁰は、アリール基またはヘテロ環基を表し、Ｒ¹⁰⁰およびＲ¹⁰¹は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。
＜７＞ ラジカルトラップ剤は、アミド型構造を有するオキシム化合物である、＜１＞〜＜６＞のいずれかに記載の近赤外線吸収組成物。
＜８＞ ラジカルトラップ剤は、一分子中に、下式（ＯＸ）で表される部分構造を２以上有するオキシム化合物である、＜１＞〜＜６＞のいずれかに記載の近赤外線吸収組成物；

式中、Ｒ^OXは、アルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表し、波線は、オキシム化合物を構成する原子団との連結位置を表す。
＜９＞ ラジカルトラップ剤を、近赤外線吸収組成物の全固形分中に、０．１〜３０質量％含有する、＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の近赤外線吸収組成物。
＜１０＞ 銅化合物を、近赤外線吸収組成物の全固形分中に、２５〜７５質量％含有する、＜１＞〜＜９＞のいずれかに記載の近赤外線吸収組成物。
＜１１＞ １８０℃以上でラジカルを発生する樹脂が、繰り返し単位の主鎖または側鎖に、下記（ａ）または（ｂ）で表される部分構造を有する、＜１＞〜＜１０＞のいずれかに記載の近赤外線吸収組成物；式中、波線は、樹脂の繰り返し単位を構成する原子団との連結位置を表す。

＜１２＞ １８０℃以上でラジカルを発生する樹脂が、下記式（Ａ）で表される繰り返し単位を有する、＜１＞〜＜１０＞のいずれかに記載の近赤外線吸収組成物；

式中Ｒ¹は、水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ¹〜Ｌ³は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表し、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基、または、芳香族基を表す；
Ｒ²は、繰り返し単位の主鎖の炭素原子またはＲ³と結合して環を形成してもよい；
Ｌ²は、繰り返し単位の主鎖の炭素原子と結合して環を形成してもよい；ただし、Ｌ²が、繰り返し単位の主鎖の炭素原子と結合して環を形成する場合は、Ｒ²は存在しない。
＜１３＞ １８０℃以上でラジカルを発生する樹脂が、架橋性基を有する繰り返し単位を含む、＜１＞〜＜１２＞のいずれかに記載の近赤外線吸収組成物。
＜１４＞ １８０℃以上でラジカルを発生する樹脂以外の成分として、更に、架橋性基を有する化合物を含む、＜１＞〜＜１３＞のいずれかに記載の近赤外線吸収組成物。
＜１５＞ ＜１＞〜＜１４＞のいずれかに記載の近赤外線吸収組成物を用いてなる膜。
＜１６＞ ＜１＞〜＜１４＞のいずれかに記載の近赤外線吸収組成物を用いてなる近赤外線カットフィルタ。
＜１７＞ ＜１６＞に記載の近赤外線カットフィルタを有する、固体撮像素子。

本発明によれば、耐熱性に優れた膜を製造可能な近赤外線吸収組成物、膜、近赤外線カットフィルタおよび固体撮像素子を提供することが可能となった。

本発明の実施形態に係る、近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュールの構成を示す概略断面図である。 カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタ周辺部分の一例を示す概略断面図である。 カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタ周辺部分の一例を示す概略断面図である。 カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタ周辺部分の一例を示す概略断面図である。

以下において、本発明の内容について詳細に説明する。尚、本願明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、アクリレートおよびメタクリレートを表し、「（メタ）アリル」は、アリルおよびメタリルを表し、「（メタ）アクリル」は、アクリルおよびメタクリルを表し、「（メタ）アクリロイル」は、アクリロイルおよびメタクリロイルを表す。
本明細書における基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は置換基を有さない基（原子団）と共に置換基を有する基（原子団）をも包含するものである。
本明細書において、化学式中のＭｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を、Ｐｒはプロピル基を、Ｂｕはブチル基を、Ｐｈはフェニル基をそれぞれ示す。
本明細書において、近赤外線とは、波長領域が７００〜２５００ｎｍの光（電磁波）をいう。
本明細書において、全固形分とは、組成物の全組成から溶剤を除いた成分の総質量をいう。
本明細書において、固形分とは、２５℃における固形分をいう。
本明細書において、重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）測定によるポリスチレン換算値として定義される。

＜近赤外線吸収組成物＞
本発明の近赤外線吸収組成物は、銅化合物と、ラジカルトラップ剤と、１８０℃以上でラジカルを発生する樹脂とを含む。本発明の近赤外線吸収組成物を用いることにより、優れた赤外線遮蔽性および可視透明性を有し、かつ、耐熱性に優れた膜（近赤外線カットフィルタ）を製造できる。このような効果が得られるメカニズムとしては、以下によるものであると推定される。銅化合物を用いた膜において、加熱による着色が発生する原因は、膜の製造時や、膜の製造後等における加熱によって樹脂などから発生したラジカルが、銅化合物と作用して、銅化合物が変色するためであると推定される。本発明の近赤外線吸収組成物は、ラジカルトラップ剤を含むので、樹脂などから発生したラジカルをラジカルトラップ剤で捕捉して、ラジカルと銅化合物との作用を抑制できるため、加熱による着色が抑制された、耐熱性に優れた膜を製造できると推定する。
以下、本発明の近赤外線吸収組成物の各成分について説明する。

＜＜ラジカルトラップ剤＞＞
本発明の近赤外線吸収組成物は、ラジカルトラップ剤を含む。本発明の近赤外線吸収組成物がラジカルトラップ剤を含むことで、膜の製造時または膜の製造後などにおける加熱により、樹脂などが熱分解してラジカルが発生しても、組成物中で発生したラジカルをラジカルトラップ剤にて捕捉できる。このため、銅化合物とラジカルとの反応を抑制でき、加熱による着色が抑制された、耐熱性に優れた膜を製造できる。すなわち、本発明の近赤外線吸収組成物において、ラジカルトラップ剤は、加熱によって樹脂などから発生したラジカルを捕捉して、ラジカルが銅化合物と反応することを抑制するものである。

本発明において、ラジカルトラップ剤は、オキシム化合物、ヒンダードアミン化合物、ヒンダードフェノール化合物、硫黄系過酸化物分解物、リン系過酸物分解剤、Ｎ−オキシル化合物、アルキルフェノン化合物、アルデヒド化合物、ヒドロキシルアミン化合物、アセトフェノン化合物、ベンゾフェノン化合物、ベンゾイン化合物、ベンゾインエーテル化合物、アミノアルキルフェノン化合物、チオ化合物などが挙げられる。なかでも、オキシム化合物、ヒンダードアミン化合物、ヒンダードフェノール化合物、硫黄系過酸化物分解物、リン系過酸物分解剤、Ｎ−オキシル化合物、アルキルフェノン化合物、アルデヒド化合物、ヒドロキシルアミン化合物が好ましく、オキシム化合物、アルキルフェノン化合物およびアルデヒド化合物がより好ましく、オキシム化合物が特に好ましい。オキシム化合物の分子量は、３００以上が好ましく、５００以上がより好ましい。上限は、例えば２０００以下とすることができる。分子量を高めることで、加熱時に揮発しにくい。このため、優れたラジカルトラップ能が得られやすい。また、非共役系の置換基を有するオキシム化合物や、後述する式（ＯＸ）で表される部分構造を一分子中に２以上有する化合物は、分子量を高めつつ優れたラジカルトラップ能が得られるので好ましい。

オキシム化合物は、オキシムエーテル化合物、および、オキシムエステル化合物が好ましく、オキシムエステル化合物が更に好ましい。特に、オキシムエステル化合物を用いることで、耐熱性に優れた膜が得られ易い。また、オキシムエステル化合物は、ケトオキシムエステル化合物が好ましい。オキシム化合物は、下式（Ｉ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ａｒ¹⁰⁰は、アリール基またはヘテロ環基を表し、Ｒ¹⁰⁰およびＲ¹⁰¹は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。

Ａｒ¹⁰⁰は、アリール基またはヘテロ環基を表し、アリール基が好ましい。
アリール基の炭素数は、６〜２０が好ましく、６〜１５がより好ましく、６〜１０が更に好ましい。
ヘテロ環基は、５員環または６員環が好ましい。ヘテロ環基は、単環であってもよく、縮合環であってもよい。縮合数は、２〜８が好ましく、２〜６がより好ましく、３〜５が更に好ましく、３〜４が特に好ましい。ヘテロ環基を構成する炭素原子の数は３〜４０が好ましく、３〜３０がより好ましく、３〜２０がより好ましい。ヘテロ環基を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロ環基を構成するヘテロ原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子が好ましい。

Ａｒ¹⁰⁰が表す、アリール基およびヘテロ環基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、−ＯＲ^X1、−ＳＲ^X1、−ＣＯＲ^X1、−ＣＯＯＲ^X1、−ＯＣＯＲ^X1、−ＮＲ^X1Ｒ^X2、−ＮＨＣＯＲ^X1、−ＣＯＮＲ^X1Ｒ^X2、−ＮＨＣＯＮＲ^X1Ｒ^X2、−ＮＨＣＯＯＲ^X1、−ＳＯ₂Ｒ^X1、−ＳＯ₂ＯＲ^X1、−ＮＨＳＯ₂Ｒ^X1などが挙げられる。Ｒ^X1およびＲ^X2は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。置換基は、例えば、−ＳＲ^X1、−ＮＨＣＯＲ^X1が好ましい。また、置換基は、アミド構造を有する基も好ましく、−ＮＨＣＯＲ^X1がより好ましい。
ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
置換基としてのアルキル基、ならびに、Ｒ^X1およびＲ^X2が表すアルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよいが、直鎖または分岐が好ましい。アルキル基は、水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換されていてもよい。また、アルキル基は、水素原子の一部または全部が、上記置換基で置換されていてもよい。
置換基としてのアリール基、ならびに、Ｒ^X1およびＲ^X2が表すアリール基の炭素数は、６〜２０が好ましく、６〜１５がより好ましく、６〜１０が更に好ましい。アリール基は、単環であってもよく、縮合環であってもよい。また、アリール基は、水素原子の一部または全部が、上記置換基で置換されていてもよい。
置換基としてのヘテロ環基、ならびに、Ｒ^X1およびＲ^X2が表すヘテロ環基は、５員環または６員環が好ましい。ヘテロ環基は、単環であってもよく、縮合環であってもよい。ヘテロ環基を構成する炭素原子の数は３〜３０が好ましく、３〜１８がより好ましく、３〜１２がより好ましい。ヘテロ環基を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロ環基を構成するヘテロ原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子が好ましい。また、ヘテロ基は、水素原子の一部または全部が、上記置換基で置換されていてもよい。

Ｒ¹⁰⁰およびＲ¹⁰¹は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表し、アルキル基またはアリール基が好ましい。なかでも、Ｒ¹⁰⁰およびＲ¹⁰¹の一方がアルキル基で、他方がアリール基である組み合わせが好ましく、Ｒ¹⁰⁰がアルキル基で、Ｒ¹⁰¹がアリール基である組み合わせが好ましい。
アルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１５がより好ましく、１〜１０が更に好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよいが、直鎖または分岐が好ましい。
アリール基の炭素数は、６〜２０が好ましく、６〜１５がより好ましく、６〜１０が更に好ましい。
ヘテロ環基は、５員環または６員環が好ましい。ヘテロ環基は、単環であってもよく、縮合環であってもよい。縮合数は、２〜８が好ましく、２〜６がより好ましく、３〜５が更に好ましく、３〜４が特に好ましい。ヘテロ環基を構成する炭素原子の数は３〜４０が好ましく、３〜３０がより好ましく、３〜２０がより好ましい。ヘテロ環基を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロ環基を構成するヘテロ原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子が好ましい。
Ｒ¹⁰⁰およびＲ¹⁰¹が表す上述した基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、Ａｒ¹⁰⁰で説明した置換基が挙げられる。

オキシム化合物の市販品としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦ社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ社製）、ＴＲ−ＰＢＧ−３０４（常州強力電子新材料有限公司社製）、アデカアークルズＮＣＩ−９３０（ＡＤＥＫＡ社製）等を用いることができる。また、オキシム化合物は、以下の化合物を用いることもできる。

本発明において、オキシム化合物は、Ｓ原子を含有しない化合物であることも好ましい。

本発明において、オキシム化合物は、フッ素原子を有するオキシム化合物を用いることも可能である。フッ素原子を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１０−２６２０２８号公報に記載されている化合物、特表２０１４−５００８５２号公報の０３４５段落に記載されている化合物２４、３６〜４０、特開２０１３−１６４４７１号公報の０１０１段落に記載されている化合物（Ｃ−３）が挙げられる。また、特表２０１０−５２７３３９号公報、国際公開ＷＯ２０１５／００４５６５号公報などに記載されているオキシム多量体も用いることができる。

本発明において、オキシム化合物は、ニトロ基を有するオキシム化合物を用いることも可能である。ニトロ基を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１３−１１４２４９号公報の段落００３１〜００４７、特開２０１４−１３７４６６号公報の段落０００８〜００１２、００７０〜００７９に記載されている化合物や、アデカアークルズＮＣＩ−８３１（ＡＤＥＫＡ社製）が挙げられる。

本発明において、オキシム化合物は、アルコキシシリル基を有するオキシム化合物を用いることもラジカルトラップ能を高める観点で好ましい。アルコキシシリル基を有するオキシム化合物の具体例としては、下記に示すものが挙げられる。

本発明において、オキシム化合物は、アミド型構造、エステル型構造、エーテル型構造、ウレア型構造、スルホニルアミド型構造、イミド型構造を有するオキシム化合物を用いることもできる。特に、アミド型構造を有するオキシム化合物を用いることがラジカルトラップ能を高める観点で好ましい。アミド型構造、エステル型構造、エーテル型構造、ウレア型構造、スルホニルアミド型構造、イミド型構造を有するオキシム化合物の具体例としては、下記に示すものが挙げられる。

本発明において、オキシム化合物は、一分子中に、下式（ＯＸ）で表される部分構造を２以上有するオキシム化合物も好ましい。このオキシム化合物は、ラジカルトラップ能を高める観点で好ましい。

式中、Ｒ^OXは、アルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表し、波線は、オキシム化合物を構成する原子団との連結位置を表す。
Ｒ^OXが表す、アルキル基、アリール基およびヘテロ環基は、式（Ｉ）のＲ¹⁰⁰およびＲ¹⁰¹で説明した基が挙げられ。好ましい範囲も同様である。

一分子中に式（ＯＸ）で表される部分構造を２以上有するオキシム化合物としては、下記式（Ｉ−１）で表される化合物が挙げられる。
式（Ｉ−１）

ｎは、２以上の整数を表し、２〜１０が好ましく、２〜５がより好ましく、２〜３がさらに好ましい。

Ｌは、ｎ価の基を表す。ｎ価の基としては、１から１００個までの炭素原子、０個から１０個までの窒素原子、０個から５０個までの酸素原子、１個から２００個までの水素原子、および０個から２０個までの硫黄原子から成り立つ基が含まれる。具体的には、下記の構造単位または以下の構造単位が２以上組み合わさって構成される基（環構造を形成していてもよい）を挙げることができる。

Ｌは、−ＣＨ₂−、−ＣＨ₂−を２以上組み合わせてなる基、または、−ＣＨ₂−と、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−から選ばれる少なくとも一種とを組み合わせてなる基が好ましい。

Ａｒ²⁰⁰は、アリール基またはヘテロ環基を表し、Ｒ²⁰⁰およびＲ²⁰¹は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Ａｒ²⁰⁰、Ｒ²⁰⁰およびＲ²⁰¹が表す基は、式（Ｉ）のＡｒ¹⁰⁰、Ｒ¹⁰⁰およびＲ¹⁰¹で説明した基が挙げられる。

式（Ｉ−１）で表される化合物の具体例としては、下記化合物が挙げられる。

ヒンダードアミン化合物としては、ＴＩＮＵＶＩＮ１２３、ＴＩＮＵＶＩＮ１４４、ＴＩＮＵＶＩＮ２９２（ＢＡＳＦ社製）や、アデカスタブＬＡ−５２（ＡＤＥＫＡ製）などが挙げられる。
ヒンダードフェノール化合物としては、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＢＨＴ、ＢＢＭ−Ｓ（住友化学製）、ＩＲＧＡＮＯＸ ２４５、１０１０（ＢＡＳＦ製）、アデカスタブＡＯ−２０、ＡＯ−３０、ＡＯ−４０、ＡＯ−５０、ＡＯ−６０、ＡＯ−８０（ＡＤＥＫＡ製）などが挙げられる。
硫黄系過酸化物分解物としては、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＭＢ（住友化学製）、アデカスタブＡＯ−４１２Ｓ（ＡＤＥＫＡ製）などが挙げられる。
リン系過酸物分解剤としては、アデカスタブ２１１２、ＰＥＰ−８、ＰＥＰ−２４Ｇ、ＰＥＰ−３６、ＰＥＰ−４５、ＨＰ−１０（ＡＤＥＫＡ製）、ＩＲＧＡＦＯＳ３８、１６８、Ｐ−ＥＰＱ（ＢＡＳＦ製）などが挙げられる。
Ｎ−オキシル化合物としては、Ｎ−オキシル基を有する化合物であれば特に制限はなく、公知の化合物を用いることができる。例えば、ピペリジン１−オキシルフリーラジカル化合物類、ピロリジン１−オキシルフリーラジカル化合物類などが挙げられる。ピペリジン１−オキシルフリーラジカル化合物類としては、例えばピペリジン１−オキシルフリーラジカル、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン１−オキシルフリーラジカル、４−オキソ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン１−オキシルフリーラジカル、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン１−オキシルフリーラジカル、４−アセトアミド−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン１−オキシルフリーラジカル、４−マレイミド−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン１−オキシルフリーラジカル、及び４−ホスホノキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン１−オキシルフリーラジカルからなる群より選択される化合物などが挙げられる。ピロリジン１−オキシルフリーラジカル化合物類としては、例えば３−カルボキシプロキシルフリーラジカル（３−カルボキシ−２，２，５，５−テトラメチルピロリジン１−オキシルフリーラジカル）などが挙げられる。
アルキルフェノン化合物としては、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン等が挙げられる。
アルデヒド化合物としては、脂肪族アルデヒド化合物、芳香族アルデヒドが挙げられ、芳香族アルデヒド化合物が好ましい。また、アルデヒド化合物は、水素原子の少なくとも１つがハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）またはハロゲン原子を含む置換基（好ましくは、フッ素原子を含む置換基、さらに好ましくは炭素数１〜５のフルオロアルキル基）で置換された化合物であることも好ましい。アルデヒド化合物の具体例としては、２−メチルベンズアルデヒド、２−クロロベンズアルデヒド、２−ニトロベンズアルデヒド、２−エトキシベンズアルデヒド、２−（トリフルオロメチル）ベンズアルデヒド、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンズアルデヒド、２，４−ジクロロベンズアルデヒド、２，４−ジヒドロキシベンズアルデヒド、２，４−ジスルフォベンザルデヒドナトリウム、ｏ−スルフォベンザルデヒド２ナトリウム、ｐ−ジメチルアミノベンズアルデヒド、２，６−ジメチルベンズアルデヒド、２，６−ジクロロベンズアルデヒド、２，６−ジメトキシベンズアルデヒド、２，４，６−トリメチルベンズアルデヒド（メシトアルデヒド）、２，４，６−トリエチルベンズアルデヒド、２，４，６−トリクロロベンズアルデヒドなどが挙げられる。

本発明の近赤外線吸収組成物は、ラジカルトラップ剤を、近赤外線吸収組成物の全固形分中に、０．１〜３０質量％含有することが好ましい。下限は、０．５質量％以上が好ましく、１質量％以上が更に好ましく、３質量％以上が特に好ましい。上限は、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下が更に好ましく、９質量以下が特に好ましい。ラジカルトラップ剤は１種類のみでも、２種類以上でもよく、２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。

＜＜１８０℃以上でラジカルを発生する樹脂＞＞
本発明の近赤外線吸収組成物は、１８０℃以上でラジカルを発生する樹脂（以下、樹脂Ａともいう）を含む。本発明において、樹脂のラジカル発生温度は、電子スピン共鳴法（ＥＳＲ）の方法で測定した値である。具体的には、後述する実施例に示す方法で測定した値である。なお、樹脂Ａは、後述する銅化合物とは異なる成分である。樹脂Ａは、銅を含まない樹脂である。

樹脂Ａが発生するラジカルの種類としては、樹脂の種類により異なる。例えば、アルキルラジカル、アリールラジカル、アルキルオキシラジカル、アリールオキシラジカル、アルキルカルボニルラジカル、アリールカルボニルラジカル、アミンラジカル、水素ラジカル、ヒドロキシラジカルなどが挙げられる。

樹脂Ａのラジカル発生温度は、１８０℃以上であり、１９０℃以上が好ましく、２００℃以上がより好ましい。上限は、例えば、４００℃以下が好ましく、３００℃以下がより好ましい。ラジカル発生温度が１８０℃以上であれば、加熱時における樹脂からのラジカル発生が小さく、また、樹脂からラジカルが発生してもこのラジカルをラジカルトラップ剤で捕捉できるので、耐熱性に優れた膜が得られ易い。

本発明において、樹脂Ａは、ラジカル重合性基を有さないことが好ましい。ラジカル重合性基としては、ビニル基、スチリル基、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基などが挙げられ、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基などのエチレン性不飽和結合を有する基が挙げられる。樹脂Ａがラジカル重合性基を有すると、ラジカル発生温度が低下する傾向にある。さらには、ラジカル重合性基がラジカルトラップ剤と反応して消費されることがあり、所望の効果を得るためにはラジカルトラップ剤の配合量を多くする必要がある。

本発明において、樹脂Ａは、アクリルエステル樹脂、アクリルアミド樹脂、アクリルイミド樹脂、マレイミド樹脂、アクリロニトリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルアセトアミド樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂、環状ポリオレフィン樹脂、芳香族ポリエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、フルオレンポリカーボネート樹脂、フルオレンポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリパラフェニレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、フッ素化芳香族ポリマー樹脂、エポキシ樹脂、アリルエステル樹脂およびシルセスキオキサン樹脂などが挙げられる。上記樹脂については、特開２０１４−２１８５９７号公報の段落００５６〜００６０の記載、特開２０１３−２１８３１２の段落００７４〜０１５６の記載を参酌でき、この内容は本願明細書に組み込まれることとする。なかでも、樹脂Ａは、アクリルエステル樹脂、アクリルアミド樹脂、アクリルイミド樹脂、マレイミド樹脂、アクリロニトリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルアセトアミド樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂が好ましい。

本発明において、樹脂Ａは、繰り返し単位の主鎖または側鎖に、下記（ａ）または（ｂ）で表される部分構造を有することも好ましい。式中、波線は、樹脂の繰り返し単位を構成する原子団との連結位置を表す。このような部分構造を有する樹脂としては、例えば、アクリルエステル樹脂、アクリルアミド樹脂、アクリルイミド樹脂、マレイミド樹脂などが挙げられる。

本発明において、樹脂Ａは、下記式（Ａ）で表される繰り返し単位、および、下記式（Ｂ）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１種を有する樹脂が好ましく、下記式（Ａ）で表される繰り返し単位を有する樹脂がより好ましい。

式（Ａ）において、Ｒ¹は、水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ¹〜Ｌ³は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表し、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基、または、芳香族基を表す。Ｒ²は、繰り返し単位の主鎖の炭素原子またはＲ³と結合して環を形成してもよい。Ｌ²は、繰り返し単位の主鎖の炭素原子と結合して環を形成してもよい。ただし、Ｌ²が、繰り返し単位の主鎖の炭素原子と結合して環を形成する場合は、Ｒ²は存在しない。
式（Ｂ）において、Ｒ¹は、水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ^1aおよびＬ^2aは、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表し、Ｒ^2aは、脂肪族炭化水素基、芳香族基、ラクトン環基またはカーボネート基を表す。

式（Ａ）において、Ｒ¹は、水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がさらに好ましく、１が特に好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐のいずれも好ましいく、直鎖がより好ましい。アルキル基は、Ｒ¹は、水素原子またはメチル基が好ましい。

式（Ａ）において、Ｌ¹〜Ｌ³は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ¹⁰−（Ｒ¹⁰は水素原子あるいはアルキル基を表す）、または、これらの組み合わせからなる基が挙げられる。アルキレン基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜１５より好ましく、１〜１０がさらに好ましい。アルキレン基は、置換基を有していてもよいが、無置換が好ましい。アルキレン基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよい。また、環状のアルキレン基は、単環、多環のいずれであってもよい。アリーレン基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１４がより好ましく、６〜１０がさらに好ましく、フェニレン基が特に好ましい。

Ｌ¹は、単結合が好ましい。Ｌ²およびＬ³は、それぞれ独立に、単結合、または、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ^10A−（Ｒ^10Aはアルキル基を表す）、および、これらの組み合わせからなる基が好ましく、単結合、−ＣＯ−、または、−ＳＯ₂−がより好ましい。

Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基または芳香族基を表す。脂肪族炭化水素基および芳香族基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アミノ基（アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ環アミノ基を含む）、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、シリル基、ラクトン環基、カーボネート基などが挙げられる。
脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基等が挙げられる。アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１０がさらに好ましい。アルケニル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。アルケニル基の炭素数は、２〜３０が好ましく、２〜２０がより好ましく、２〜１０がさらに好ましい。
芳香族基としては、アリール基、ヘテロアリール基が挙げられる。アリール基の炭素数は、６〜３０が好ましく、６〜２０がより好ましく、６〜１２が特に好ましい。ヘテロアリール基を構成する炭素原子の数は、１〜３０が好ましく、１〜１２がより好ましい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子の種類としては、例えば、窒素原子、酸素原子および硫黄原子を挙げることができる。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子の数としては、１〜３が好ましく、１〜２がより好ましい。ヘテロアリール基は、単環または縮合環が好ましく、単環または縮合数が２〜８の縮合環が好ましく、単環または縮合数が２〜４の縮合環がより好ましい。Ｒ²はアルキル基が好ましい。Ｒ³はアルキル基またはアリール基が好ましい。

式（Ａ）において、Ｒ²は、繰り返し単位の主鎖の炭素原子またはＲ³と結合して環を形成してもよい。また、Ｌ²は、繰り返し単位の主鎖の炭素原子と結合して環を形成してもよい。形成する環としては、脂環（非芳香性の炭化水素環）、芳香環、複素環などが挙げられる。環は単環であってもよく、複環であってもよい。
ただし、Ｌ²が、繰り返し単位の主鎖の炭素原子と結合して環を形成する場合は、Ｒ²は存在しない。Ｌ²と、繰り返し単位の主鎖の炭素原子と結合して環を形成する場合、Ｌ²は、−ＣＯ−であることが好ましい。また、Ｌ²と、繰り返し単位の主鎖の炭素原子と結合して環を形成する場合、式（Ａ）は後述する（Ａ１−２）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

式（Ａ）において、Ｌ²およびＬ³が単結合で、かつ、Ｒ²およびＲ³がそれぞれ独立にアルキル基である繰り返し単位を有する樹脂は、銅化合物との相溶性が特に良好であり、好ましく用いることができる。また、このような繰り返し単位を有する樹脂は、製造時や製造後の加熱によりラジカルが発生しやすい傾向があるが、本発明によれば、このようなラジカルが発生しやすい樹脂であっても、ラジカルトラップ剤を配合することにより、銅化合物の変色を抑制でき、耐熱性に優れた膜を製造できる。

式（Ｂ）において、Ｒ¹は、水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ^1aおよびＬ^2aは、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表し、Ｒ^2aは、脂肪族炭化水素基、芳香族基、ラクトン環基またはカーボネート基を表す。
式（Ｂ）のＲ¹は、式（Ａ）のＲ¹で説明した基が挙げられる。Ｒ¹は、水素原子又はメチル基が好ましい。
式（Ｂ）のＬ^1aにおける２価の連結基は、式（Ａ）のＬ¹で説明した２価の連結基が挙げられる。Ｌ^1aは、単結合が好ましい。
式（Ｂ）のＬ^2aにおける２価の連結基は、式（Ａ）のＬ²、Ｌ³で説明した２価の連結基が挙げられる。Ｌ^2aは、単結合、または、アルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ¹⁰−（Ｒ¹⁰は水素原子あるいはアルキル基を表す）、もしくは、これらの組み合わせからなる基が挙げられる。
式（Ｂ）のＲ^2aにおける脂肪族炭化水素基および芳香族基は、式（Ａ）のＲ²、Ｒ³で説明した脂肪族炭化水素基および芳香族基が挙げられる。Ｒ^2aが表すラクトン環基としては、例えば、アセトラクトン環基、プロピオンラクトン環基、ブチロラクトン環基などが挙げられる。

本発明において、樹脂Ａは、下記式（Ａ１−１）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。

式中Ｒ¹は、水素原子またはアルキル基を表し、Ｒ¹¹およびＲ¹²は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基、または、芳香族基を表し、Ｌ¹¹は、単結合、−ＣＯ−または−ＳＯ₂−を表し、Ｌ¹²は、単結合または２価の連結基を表す。Ｒ¹¹は、繰り返し単位の主鎖の炭素原子、またはＲ¹²と結合して環を形成してもよい。Ｌ¹¹は、繰り返し単位の主鎖の炭素原子と結合して環を形成してもよい。ただし、Ｌ¹¹が、繰り返し単位の主鎖の炭素原子と結合して環を形成する場合は、Ｒ¹¹は存在しない。

式（Ａ１−１）のＲ¹、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｌ¹²は、式（Ａ）のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｌ³と同義である。
Ｌ¹¹は、単結合、−ＣＯ−または−ＳＯ₂−を表す。Ｌ¹¹は、繰り返し単位の主鎖の炭素原子と結合して環を形成してもよい。Ｌ¹¹と、繰り返し単位の主鎖の炭素原子と結合して環を形成する場合、Ｌ¹¹は、−ＣＯ−であることが好ましい。ただし、Ｌ¹¹が、繰り返し単位の主鎖の炭素原子と結合して環を形成する場合は、Ｒ¹¹は存在しない。

樹脂Ａは、下記式（Ａ１−２）〜（Ａ１−４）から選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を有することが好ましい。

式（Ａ１−２）において、Ｌ²¹は、単結合または２価の連結基を表し、Ｒ²¹は、脂肪族炭化水素基、または、芳香族基を表す。式（Ａ１−２）のＬ²¹およびＲ²¹は、式（Ａ）のＬ³およびＲ³と同義であり、好まし範囲も同様である。式（Ａ１−２）において、Ｌ²¹は、単結合が好ましい。Ｒ²¹は、アルキル基またはアリール基が好ましく、アリール基がより好ましい。

式（Ａ１−３）において、Ｒ¹は、水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ²²は、単結合、または、−ＣＯ−を表し、Ｌ²³は、単結合または２価の連結基を表し、Ｒ²²は、脂肪族炭化水素基を表す。式（Ａ１−３）のＲ¹およびＬ²³は、式（Ａ）のＲ¹およびＬ³と同義であり、好まし範囲も同様である。Ｒ¹は、水素原子またはメチル基が好ましい。Ｌ²²は、−ＣＯ−が好ましい。Ｌ²³は、単結合、−ＣＯ−、または、−ＳＯ₂−が好ましく、単結合がより好ましい。Ｒ²²が表す炭化水素基は、アルキレン基が好ましい。アルキレン基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１０がさらに好ましい。アルキレン基は、直鎖または分岐が好ましい。

式（Ａ１−４）において、Ｒ¹は、水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ²⁴は、単結合、−ＣＯ−または−ＳＯ₂−を表し、Ｌ²⁵は、単結合または２価の連結基を表し、Ｒ²⁴およびＲ²⁵は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基、または、芳香族基を表す。式（Ａ１−４）のＲ¹、Ｌ²⁵、Ｒ²⁴およびＲ²⁵は、式（Ａ）のＲ¹、Ｌ³、Ｒ²およびＲ³と同義であり、好まし範囲も同様である。Ｒ¹は、水素原子またはメチル基が好ましい。Ｌ²⁴は、単結合が好ましい。Ｌ²⁵は、単結合、−ＣＯ−、または、−ＳＯ₂−が好ましく、単結合がより好ましい。Ｒ²⁴およびＲ²⁵は、それぞれ独立して、アルキル基またはアリール基が好ましい。

樹脂Ａは、式（Ａ）で表される繰り返し単位を、樹脂Ａの全繰り返し単中２５〜９５モル％含有することが好ましく、３０〜７０モル％がより好ましい。この態様によれば、耐熱性および耐溶剤性に優れた膜が得られ易い。式（Ａ）で表される繰り返し単位の具体例としては以下に示す構造が挙げられる。

本発明において、樹脂Ａは、架橋性基を有する繰り返し単位をさらに含むことが好ましい。この態様によれば、耐熱性および耐溶剤性がより優れた膜を製造しやすい。架橋性基は、エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、メチロール基、アルコキシシリル基等が挙げられ、環状エーテル基、メチロール基、アルコキシシリル基が好ましく、環状エーテル基またはアルコキシシリル基がより好まく、アルコキシシリル基が特に好ましい。エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、スチリル基、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基などが挙げられ、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基が好ましい。環状エーテル基としては、エポキシ基やオキセタニル基が挙げられ、エポキシ基が好ましい。アルコキシシリル基としては、モノアルコキシシリル基、ジアルコキシシリル基、トリアルコキシシリル基が挙げられ、ジアルコキシシリル基、トリアルコキシシリル基が好ましく、トリアルコキシシリル基がより好ましい。

架橋性基を有する繰り返し単位は、例えば、下記（Ａ２−１）〜（Ａ２−４）等が挙げられる。

Ｒ¹は、水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がさらに好ましく、１が特に好ましい。Ｒ¹は、水素原子またはメチル基が好ましい。
Ｌ⁵¹は、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、上記式（Ａ）のＬ¹〜Ｌ³で説明した２価の連結基が挙げられる。Ｌ⁵¹は、アルキレン基が好ましい。
Ｐ¹は、架橋性基を表す。架橋性基としては、エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、メチロール基、アルコキシシリル基等が挙げられる。エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、スチリル基、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基などが挙げられ、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基が好ましい。環状エーテル基としては、エポキシ基やオキセタニル基が挙げられ、エポキシ基が好ましい。アルコキシシリル基としては、モノアルコキシシリル基、ジアルコキシシリル基、トリアルコキシシリル基が挙げられ、ジアルコキシシリル基、トリアルコキシシリル基が好ましく、トリアルコキシシリル基がより好ましい。アルコキシシリル基におけるアルコキシ基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がより好ましく、１または２が特に好ましい。架橋性基は、アルコキシシリル基であることが好ましい。

樹脂Ａが、架橋性基を有する繰り返し単位を含む場合、樹脂Ａは、架橋性基を有する繰り返し単位を、樹脂Ａの全繰り返し単中５〜７５モル％含有することが好ましく、３０〜７０モル％がより好ましい。この態様によれば、耐熱性に優れた膜が得られ易い。架橋性基を有する繰り返し単位の具体例としては、以下に示す構造が挙げられる。以下において、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表す。

樹脂Ａは、式（Ａ）で表される繰り返し単位および架橋性基を有する繰り返し単位の他に、他の繰り返し単位を含有していてもよい。他の繰り返し単位を構成する成分としては、特開２０１０−１０６２６８号公報の段落番号００６８〜００７５（対応する米国特許出願公開第２０１１／０１２４８２４号明細書の［０１１２］〜［０１１８］）に開示の共重合成分の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

好ましい他の繰り返し単位としては、下記式（Ａ３−１）で表される繰り返し単位が挙げられる。

Ｒ¹は、水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がさらに好ましく、１が特に好ましい。Ｒ¹は、水素原子またはメチル基が好ましい。
Ｌ⁵²は、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、上記式（Ａ）のＬ¹〜Ｌ³で説明した２価の連結基が挙げられる。Ｌ⁵²は、アルキレン基が好ましい。
Ｒ⁵²は、アルキル基またはアリール基を表す。アルキル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１０がさらに好ましい。アリール基は、単環であっても多環であってもよいが単環が好ましい。アリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１０がより好ましい。

樹脂Ａが、他の繰り返し単位（好ましくは、式（Ａ３−１）で表される繰り返し単位）を含む場合、樹脂Ａは、他の繰り返し単位（好ましくは、式（Ａ３−１）で表される繰り返し単位）を、樹脂Ａの全繰り返し単位中０〜２０モル％含有することが好ましく、０〜１０モル％がより好ましい。
また、樹脂Ａは、他の繰り返し単位を実質的に含まない態様とすることもできる。樹脂Ａが、他の繰り返し単位を実質的に含有しないとは、他の繰り返し単位が、樹脂Ａの全繰り返し単中１モル％以下が好ましく、０．１モル％以下がより好ましく、含有しないことが更に好ましい。

本発明において、樹脂Ａの好ましい態様としては、以下が挙げられる。なかでも、以下の（４）〜（７）が好ましく、（５）〜（７）がより好ましく、（６）または（７）が更に好ましく、（７）が特に好ましい。この態様によれば、本発明の効果がより顕著に得られ易い。すなわち、ラジカルトラップ剤を配合したことによる耐熱性の向上がより顕著である。
（１）樹脂Ａが、上述した式（Ａ）で表される繰り返し単位を有する態様。
（２）樹脂Ａが、式（Ａ１−１）で表される繰り返し単位を有する態様。
（３）樹脂Ａが、式（Ａ１−２）〜（Ａ１−４）から選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を有する態様。
（４）樹脂Ａが、架橋性基を有する繰り返し単位を有する態様。
（５）樹脂Ａが、上述した式（Ａ）で表される繰り返し単位と、架橋性基を有する繰り返し単位を有する態様。
（６）樹脂Ａが、式（Ａ１−１）で表される繰り返し単位と、架橋性基を有する繰り返し単位を有する態様。
（７）樹脂Ａが、式（Ａ１−２）〜（Ａ１−４）から選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位と、架橋性基を有する繰り返し単位を有する態様。
（８）樹脂Ａが、ラジカル重合性基を有さない態様。
（９）上記（１）〜（７）の態様において、更にラジカル重合性基を有さない態様。

本発明において、樹脂Ａの重量平均分子量は、５００〜３００，０００が好ましい。下限は、３，０００以上がより好ましく、５，０００以上がさらに好ましい。上限は、５０，０００以下がより好ましく、３０，０００以下がさらに好ましい。樹脂Ａの数平均分子量は、３００〜２００，０００が好ましい。下限は、１，０００以上がより好ましく、２，５００以上がさらに好ましい。上限は、２５，０００以下がより好ましく、１５，０００以下がさらに好ましい。

本発明の近赤外線吸収組成物において、樹脂Ａの含有量は、近赤外線吸収組成物の全固形分に対して、３０〜８０質量％が好ましい。下限は、４０質量％以上が好ましく、４５質量％以上がより好ましく、５０質量％以上が更に好ましい。上限は、７０質量％以下が好ましく、６０質量％以下がより好ましい。樹脂Ａは、１種類のみでもよく、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。

＜＜銅化合物＞＞
本発明の近赤外線吸収組成物は、銅化合物を含有する。本発明の近赤外線吸収組成物は、赤外線吸収剤を、近赤外線吸収組成物の全固形分に対し、２５〜７５質量％含有することが好ましい。上限は、７０質量％以下が好ましく、６５質量％以下がより好ましい。下限は、３０質量％以上が好ましく、３５質量％以上がより好ましい。銅化合物の含有量が上記範囲であれば、赤外線遮蔽性に優れた膜を形成しやすい。

本発明において、銅化合物は、銅錯体が好ましい。銅錯体としては、銅と、銅に対する配位部位を有する化合物（配位子）との錯体が好ましい。銅に対する配位部位としては、アニオンで配位する配位部位、非共有電子対で配位する配位原子が挙げられる。銅錯体は、配位子を２つ以上有していてもよい。配位子を２つ以上有する場合は、それぞれの配位子は同一であってもよく、異なっていてもよい。銅錯体は、４配位、５配位および６配位が例示され、４配位および５配位がより好ましく、５配位がさらに好ましい。また、銅錯体は、銅と配位子によって、５員環および／または６員環が形成されていることが好ましい。このような銅錯体は、形状が安定であり、錯体安定性に優れる。

本発明において、銅錯体は、フタロシアニン銅錯体以外の銅錯体であることも好ましい。ここで、フタロシアニン銅錯体とは、フタロシアニン骨格を有する化合物を配位子とする銅錯体である。フタロシアニン骨格を有する化合物は、分子全体にπ電子共役系が広がり、平面構造を取る。フタロシアニン銅錯体は、π−π＊遷移で光を吸収する。π−π＊遷移で赤外領域の光を吸収するには、配位子をなす化合物が長い共役構造をとる必要がある。しかしながら、配位子の共役構造を長くすると、可視光透過性が低下する傾向にある。このため、フタロシアニン銅錯体は、可視光透過性が不十分な場合がある。
また、銅錯体は、４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有さない化合物を配位子とする銅錯体であることも好ましい。４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有する化合物を配位子とする銅錯体は、可視領域（例えば、４００〜６００ｎｍの波長領域）に吸収を有するため、可視光透過性が不十分な場合がある。４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有する化合物としては、長い共役構造を有し、π−π＊遷移の光の吸収の大きい化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニン骨格を有する化合物が挙げられる。
銅錯体は、水素原子が結合した炭素原子を有する化合物を配位子として有することが好ましい。この態様によれば、耐湿性に優れた膜が得られ易い。
また、銅錯体は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物を配位子として有することも好ましい。
また、銅錯体は、少なくとも２つの配位部位を有する化合物（以下、多座配位子ともいう）を配位子として有することも好ましい。多座配位子は、配位部位を少なくとも３つ有することがより好ましく、３〜５個有することが更に好ましい。多座配位子は、銅成分に対し、キレート配位子として働く。すなわち、多座配位子が有する少なくとも２つの配位原子が、銅とキレート配位することにより、銅錯体の構造が歪んで、可視光領域の高い透過性が得られ、赤外線の吸光能力を向上でき、色価も向上すると考えられる。これにより、近赤外線カットフィルタを長期間使用しても、その特性が損なわれず、またカメラモジュールを安定的に製造することも可能となる。

銅錯体は、例えば銅成分（銅または銅を含む化合物）に対して、銅に対する配位部位を有する化合物（配位子）を混合・反応等させて得ることができる。銅に対する配位部位を有する化合物（配位子）は、低分子化合物であってもよく、ポリマーであってもよい。両者を併用することもできる。

銅成分は、２価の銅を含む化合物が好ましい。銅成分は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。銅成分としては、例えば、酸化銅や銅塩を用いることができる。銅塩は、例えば、カルボン酸銅（例えば、酢酸銅、エチルアセト酢酸銅、ギ酸銅、安息香酸銅、ステアリン酸銅、ナフテン酸銅、クエン酸銅、２−エチルヘキサン酸銅など）、スルホン酸銅（例えば、メタンスルホン酸銅など）、リン酸銅、リン酸エステル銅、ホスホン酸銅、ホスホン酸エステル銅、ホスフィン酸銅、アミド銅、スルホンアミド銅、イミド銅、アシルスルホンイミド銅、ビススルホンイミド銅、メチド銅、アルコキシ銅、フェノキシ銅、水酸化銅、炭酸銅、硫酸銅、硝酸銅、過塩素酸銅、フッ化銅、塩化銅、臭化銅が好ましく、カルボン酸銅、スルホン酸銅、スルホンアミド銅、イミド銅、アシルスルホンイミド銅、ビススルホンイミド銅、アルコキシ銅、フェノキシ銅、水酸化銅、炭酸銅、フッ化銅、塩化銅、硫酸銅、硝酸銅がより好ましく、カルボン酸銅、アシルスルホンイミド銅、フェノキシ銅、塩化銅、硫酸銅、硝酸銅が更に好ましく、カルボン酸銅、アシルスルホンイミド銅、塩化銅、硫酸銅が特に好ましい。

本発明において、銅錯体は、７００〜１２００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有する化合物が好ましい。銅錯体の極大吸収波長は、７２０〜１２００ｎｍの波長領域にあることがより好ましく、８００〜１１００ｎｍの波長領域にあることがさらに好ましい。極大吸収波長は、例えば、Ｃａｒｙ ５０００ ＵＶ−Ｖｉｓ−ＮＩＲ（分光光度計 アジレント・テクノロジー株式会社製）を用いて測定することができる。
銅錯体の上述した波長領域における極大吸収波長でのモル吸光係数は、１２０（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上が好ましく、１５０（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上がより好ましく、２００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上がさらに好ましく、３００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上がよりさらに好ましく、４００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上が特に好ましい。上限は、特に限定はないが、例えば、３００００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以下とすることができる。銅錯体の上記モル吸光係数が、１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上であれば、薄膜であっても、赤外線遮蔽性に優れた膜を形成することができる。
銅錯体の８００ｎｍでのグラム吸光係数は、０．１１（Ｌ／ｇ・ｃｍ）以上が好ましく、０．１５（Ｌ／ｇ・ｃｍ）以上がより好ましく、０．２４（Ｌ／ｇ・ｃｍ）以上がさらに好ましい。
なお、本発明において、銅錯体のモル吸光係数およびグラム吸光係数は、銅錯体を溶媒に溶解させて１ｇ／Ｌの濃度の溶液を調製し、銅錯体を溶解させた溶液の吸収スペクトルを測定して求めることができる。測定装置としては、島津製作所製ＵＶ−１８００（波長領域２００〜１１００ｎｍ）、Ａｇｉｌｅｎｔ製Ｃａｒｙ ５０００（波長領域２００〜１３００ｎｍ）などを用いることができる。測定溶媒としては、水、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、１，２，４−トリクロロベンゼン、アセトンが挙げられる。本発明では、上述した測定溶媒のうち、測定対象の銅錯体を溶解できるものを選択して用いる。なかでも、プロピレングリコールモノメチルエーテルで溶解する銅錯体の場合は、測定溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルを用いることが好ましい。なお、溶解するとは、２５℃の溶媒に対する、銅錯体の溶解度が０．０１ｇ／１００ｇＳｏｌｖｅｎｔを超える状態を意味する。
本発明において、銅錯体のモル吸光係数およびグラム吸光係数は、上述した測定溶媒のいずれか１つを用いて測定した値であることが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルでの値であることがより好ましい。

＜＜＜低分子タイプの銅化合物＞＞＞
本発明において、銅化合物としては、例えば、下式（Ｃｕ−１）で表される銅錯体を用いることができる。この銅錯体は、中心金属の銅に配位子Ｌが配位した銅化合物であり、銅は、通常２価の銅である。例えば銅成分に対して、配位子Ｌとなる化合物またはその塩を混合・反応等させて得ることができる。
Ｃｕ（Ｌ）_n1・（Ｘ）_n2 式（Ｃｕ−１）
上記式中、Ｌは、銅に配位する配位子を表し、Ｘは、対イオンを表す。ｎ１は、１〜４の整数を表す。ｎ２は、０〜４の整数を表す。

Ｘは、対イオンを表す。銅化合物は、電荷を持たない中性錯体のほか、カチオン錯体、アニオン錯体になることもある。この場合、銅化合物の電荷を中和するよう、必要に応じて対イオンが存在する。
対イオンが負の対イオンの場合、例えば、無機陰イオンでも有機陰イオンでもよい。具体例としては、水酸化物イオン、ハロゲン陰イオン（例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン等）、置換または無置換のアルキルカルボン酸イオン（酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン等）、置換または無置換のアリールカルボン酸イオン（安息香酸イオン等）、置換もしくは無置換のアルキルスルホン酸イオン（メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン等）、置換もしくは無置換のアリールスルホン酸イオン（例えばパラ−トルエンスルホン酸イオン、パラ−クロロベンゼンスルホン酸イオン等）、アリールジスルホン酸イオン（例えば１，３−ベンゼンジスルホン酸イオン、１，５−ナフタレンジスルホン酸イオン、２，６−ナフタレンジスルホン酸イオン等）、アルキル硫酸イオン（例えばメチル硫酸イオン等）、硫酸イオン、チオシアン酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、テトラアリールホウ酸イオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン（Ｂ^-（Ｃ₆Ｆ₅）₄）、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ピクリン酸イオン、アミドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、メチドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたメチドを含む）が挙げられ、ハロゲン陰イオン、置換もしくは無置換のアルキルカルボン酸イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、テトラアリールホウ酸イオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、アミドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、メチドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたメチドを含む）が好ましい。
対イオンが正の対イオンの場合、例えば、無機もしくは有機のアンモニウムイオン（例えば、テトラブチルアンモニウムイオンなどのテトラアルキルアンモニウムイオン、トリエチルベンジルアンモニウムイオン、ピリジニウムイオン等）、ホスホニウムイオン（例えば、テトラブチルホスホニウムイオンなどのテトラアルキルホスホニウムイオン、アルキルトリフェニルホスホニウムイオン、トリエチルフェニルホスホニウムイオン等）、アルカリ金属イオンまたはプロトンが挙げられる。
また、対イオンは金属錯体イオンであってもよく、特に対イオンが銅錯体、すなわち、カチオン性銅錯体とアニオン性銅錯体の塩であっても良い。

配位子Ｌは、銅に対する配位部位を有する化合物であり、銅に対しアニオンで配位する配位部位、および、銅に対し非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる１種以上を有する化合物が挙げられる。アニオンで配位する配位部位は、解離していてもよく、非解離でも良い。配位子Ｌは、銅に対する配位部位を２個以上有する化合物（多座配位子）が好ましい。また、配位子Ｌは、可視透明性を向上させるために、芳香族などのπ共役系が連続して複数結合していないことが好ましい。配位子Ｌは、銅に対する配位部位を１個有する化合物（単座配位子）と、銅に対する配位部位を２個以上有する化合物（多座配位子）
とを併用することもできる。単座配位子としては、アニオンまたは非共有電子対で配位する単座配位子が挙げられる。アニオンで配位する配位子としては、ハライドアニオン、ヒドロキシドアニオン、アルコキシドアニオン、フェノキシドアニオン、アミドアニオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、イミドアニオン（アシル基やスルホニル基で置換されたイミドを含む）、アニリドアニオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアニリドを含む）、チオラートアニオン、炭酸水素アニオン、カルボン酸アニオン、チオカルボン酸アニオン、ジチオカルボン酸アニオン、硫酸水素アニオン、スルホン酸アニオン、リン酸二水素アニオン、リン酸ジエステルアニオン、ホスホン酸モノエステルアニオン、ホスホン酸水素アニオン、ホスフィン酸アニオン、含窒素へテロ環アニオン、硝酸アニオン、次亜塩素酸アニオン、シアニドアニオン、シアナートアニオン、イソシアナートアニオン、チオシアナートアニオン、イソチオシアナートアニオン、アジドアニオンなどが挙げられる。非共有電子対で配位する単座配位子としては、水、アルコール、フェノール、エーテル、アミン、アニリン、アミド、イミド、イミン、ニトリル、イソニトリル、チオール、チオエーテル、カルボニル化合物、チオカルボニル化合物、スルホキシド、へテロ環、あるいは、炭酸、カルボン酸、硫酸、スルホン酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、硝酸、または、そのエステルが挙げられる。

上記配位子が有するアニオンは、銅成分中の銅原子に配位可能なものであればよく、酸素アニオン、窒素アニオンまたは硫黄アニオンが好ましい。アニオンで配位する配位部位は、以下の１価の官能基群（ＡＮ−１）、または、２価の官能基群（ＡＮ−２）から選択される少なくとも１種であることが好ましい。なお、以下の構造式における波線は、配位子を構成する原子団との結合位置である。

群（ＡＮ−１）

群（ＡＮ−２）

上記式中、Ｘは、ＮまたはＣＲを表し、Ｒは、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
Ｒが表すアルキル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４がさらに好ましい。アルキル基の例としては、メチル基が挙げられる。アルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としてはハロゲン原子、カルボキシル基、ヘテロ基が挙げられる。置換基としてのヘテロ環基は、単環であっても多環であってもよく、また、芳香族であっても非芳香族であってもよい。ヘテロ環を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましく、１または２が好ましい。ヘテロ環を構成するヘテロ原子は、窒素原子が好ましい。アルキル基が置換基を有している場合、さらに置換基を有していてもよい。
Ｒが表すアルケニル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルケニル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましい。アルケニル基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
Ｒが表すアルキニル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルキニル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましい。アルキニル基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
Ｒが表すアリール基は、単環であっても多環であってもよいが単環が好ましい。アリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６がさらに好ましい。アリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
Ｒが表すヘテロアリール基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子、酸素原子が好ましい。ヘテロアリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。ヘテロアリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。

アニオンで配位する配位部位の例として、モノアニオン性配位部位も挙げられる。モノアニオン性配位部位は、１つの負電荷を有する官能基を介して銅原子と配位する部位を表す。例えば、酸解離定数（ｐＫａ）が１２以下の酸基が挙げられる。具体的には、リン原子を含有する酸基（リン酸ジエステル基、ホスホン酸モノエステル基、ホスフィン酸基等）、スルホ基、カルボキシル基、イミド酸基等が挙げられ、スルホ基、カルボキシル基が好ましい。

非共有電子対で配位する配位原子は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子またはリン原子が好ましく、酸素原子、窒素原子または硫黄原子がより好ましく、酸素原子、窒素原子がさらに好ましく、窒素原子が特に好ましい。非共有電子対で配位する配位原子が窒素原子である場合、窒素原子に隣接する原子が炭素原子、または、窒素原子であることが好ましい。

非共有電子対で配位する配位原子は、環に含まれること、または、以下の１価の官能基群（ＵＥ−１）、２価の官能基群（ＵＥ−２）、３価の官能基群（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種の部分構造に含まれることが好ましい。なお、以下の構造式における波線は、配位子を構成する原子団との結合位置である。
群（ＵＥ−１）

群（ＵＥ−２）

群（ＵＥ−３）

群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）中、Ｒ¹は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｒ²は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基またはアシル基を表す。

非共有電子対で配位する配位原子は、環に含まれていてもよい。非共有電子対で配位する配位原子が環に含まれる場合、非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、単環であっても多環であってもよく、また、芳香族であっても非芳香族であってもよい。非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、５〜１２員環が好ましく、５〜７員環がより好ましい。
非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、置換基を有していてもよく、置換基としては炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、ハロゲン原子、ケイ素原子、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアシル基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、カルボキシル基等が挙げられる。
非共有電子対で配位する配位原子を含む環が置換基を有している場合、さらに置換基を有していてもよく、非共有電子対で配位する配位原子を含む環からなる基、上述した群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種の部分構造を含む基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアシル基、ヒドロキシ基が挙げられる。

非共有電子対で配位する配位原子が群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）で表される部分構造に含まれる場合、Ｒ¹は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｒ²は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基またはアシル基を表す。
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、およびヘテロアリール基は、上記アニオンで配位する配位部位で説明したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、およびヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
アルコキシ基の炭素数は、１〜１２が好ましく、３〜９がより好ましい。
アリールオキシ基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。
ヘテロアリールオキシ基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリールオキシ基を構成するヘテロアリール基は、上記アニオンで配位する配位部位で説明したヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
アルキルチオ基の炭素数は、１〜１２が好ましく、１〜９がより好ましい。
アリールチオ基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。
ヘテロアリールチオ基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリールチオ基を構成するヘテロアリール基は、上記アニオンで配位する配位部位で説明したヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
アシル基の炭素数は、２〜１２が好ましく、２〜９がより好ましい。

配位子が、１分子内に、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを有する場合、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを連結する原子数は、１〜６であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。このような構成とすることにより、銅錯体の構造がより歪みやすくなるため、色価をより向上させることができ、可視光透過性を高めつつ、モル吸光係数を大きくし易い。アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを連結する原子の種類は、１種または２種以上であってもよい。炭素原子、または、窒素原子が好ましい。

配位子が１分子内に、非共有電子対で配位する配位原子を２以上有する場合、非共有電子対で配位する配位原子は３つ以上有していてもよく、２〜５つ有していることが好ましく、４つ有していることがより好ましい。非共有電子対で配位する配位原子同士を連結する原子数は、１〜６であることが好ましく、１〜３であることがより好ましく、２〜３が更に好ましい。このような構成とすることにより、銅錯体の構造がより歪みやすくなるため、色価をより向上させることができる。非共有電子対で配位する配位原子同士を連結する原子は、１種または２種以上であってもよい。非共有電子対で配位する配位原子同士を連結する原子は、炭素原子が好ましい。

本発明において、配位子は、少なくとも２つの配位部位を有する化合物（多座配位子）が好ましい。配位子は、配位部位を少なくとも３つ有することがより好ましく、３〜５個有することが更に好ましく、４〜５個有することが特に好ましい。

多座配位子は、アニオンで配位する配位部位を１つ以上と非共有電子対で配位する配位原子を１つ以上とを含む化合物、非共有電子対で配位する配位原子を２つ以上有する化合物、アニオンで配位する配位部位を２つ含む化合物等が挙げられる。これらの化合物は、それぞれ独立に、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、配位子となる化合物は、配位部位を１つのみ有する化合物を用いることもできる。

多座配位子は、下記一般式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１４）で表される化合物であることが好ましい。例えば、配位子が４つの配位部位を有する化合物である場合は、下記式（ＩＶ−３）、（ＩＶ−６）、（ＩＶ−７）、（ＩＶ−１２）で表される化合物が好ましく、金属中心により強固に配位し、耐熱性の高い安定な４配位錯体を形成しやすいという理由から、（ＩＶ−１２）で表される化合物がより好ましい。また、例えば、配位子が５つの配位部位を有する化合物である場合は、下記式（ＩＶ−４）、（ＩＶ−８）〜（ＩＶ−１１）、（ＩＶ−１３）、（ＩＶ−１４）で表される化合物が好ましく、金属中心により強固に配位し、耐熱性の高い安定な５配位錯体を形成しやすいという理由から、（ＩＶ−９）〜（ＩＶ−１０）、（ＩＶ−１３）、（ＩＶ−１４）で表される化合物がより好ましく、（ＩＶ−１３）で表される化合物が特に好ましい。

一般式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１４）中、Ｘ¹〜Ｘ⁵⁹はそれぞれ独立して、配位部位を表し、Ｌ¹〜Ｌ²⁵はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、Ｌ²⁶〜Ｌ³²はそれぞれ独立して３価の連結基を表し、Ｌ³³〜Ｌ³⁴はそれぞれ独立して４価の連結基を表す。
Ｘ¹〜Ｘ⁴²はそれぞれ独立して、非共有電子対で配位する配位原子を含む環からなる基、上述した群（ＡＮ−１）、または、群（ＵＥ−１）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
Ｘ⁴³〜Ｘ⁵⁶はそれぞれ独立して、非共有電子対で配位する配位原子を含む環からなる基、上述した群（ＡＮ−２）、または、群（ＵＥ−２）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
Ｘ⁵⁷〜Ｘ⁵⁹はそれぞれ独立して、上述した群（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
Ｌ¹〜Ｌ²⁵はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、炭素数１〜１２のアルキレン基、炭素数６〜１２のアリーレン基、−ＳＯ−、−Ｏ−、−ＳＯ₂−または、これらの組み合わせからなる基が好ましく、炭素数１〜３のアルキレン基、フェニレン基、−ＳＯ₂−またはこれらの組み合わせからなる基がより好ましい。
Ｌ²⁶〜Ｌ³²はそれぞれ独立して３価の連結基を表す。３価の連結基としては、上述した２価の連結基から水素原子を１つ除いた基が挙げられる。
Ｌ³³〜Ｌ³⁴はそれぞれ独立して４価の連結基を表す。４価の連結基としては、上述した２価の連結基から水素原子を２つ除いた基が挙げられる。
ここで、群（ＡＮ−１）〜（ＡＮ−２）中のＲ、および、群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）中のＲ¹は、Ｒ同士、Ｒ¹同士、あるいは、ＲとＲ¹間で連結して環を形成しても良い。
たとえば、一般式（ＩＶ−２）の具体例として、下の化合物（ＩＶ−２Ａ）が挙げられる。なお、Ｘ³、Ｘ⁴、Ｘ⁴³は以下に示した基であり、Ｌ²、Ｌ³はメチレン基、Ｒ¹はメチル基であるが、このＲ¹同士が連結して環を形成し、（ＩＶ−２Ｂ）や（ＩＶ−２Ｃ）のようになっても良い。

配位子をなす化合物の具体例としては、以下に示す化合物およびその塩が挙げられる。塩を構成する原子としては、金属原子、テトラブチルアンモニウムなどが挙げられる。金属原子としては、アルカリ金属原子またはアルカリ土類金属原子がより好ましい。アルカリ金属原子としては、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。アルカリ土類金属原子としては、カルシウム、マグネシウム等が挙げられる。また、特開２０１４−４１３１８号公報の段落００２２〜００４２の記載、特開２０１５−４３０６３号公報の段落００２１〜００３９の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

本発明で用いる銅錯体は、例えば、以下の（１）〜（５）の態様が好ましい一例として挙げられ、（２）〜（５）がより好ましく、（３）〜（５）が更に好ましく、（４）が一層好ましい。
（１）２つの配位部位を有する化合物の１つまたは２つを配位子として有する銅錯体
（２）３つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体
（３）３つの配位部位を有する化合物と２つの配位部位を有する化合物とを配位子として有する銅錯体
（４）４つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体
（５）５つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体

上記（１）の態様において、２つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物、または、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを有する化合物が好ましい。また、２つの配位部位を有する化合物の２つを配位子として有する場合、配位子の化合物は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
また、（１）の態様において、銅錯体は、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１〜３個とすることもできる。単座配位子の種類としては、アニオンで配位する単座配位子、非共有電子対で配位する単座配位子のいずれも好ましく、２つの配位部位を有する化合物が非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物の場合は配位力が強いという理由からアニオンで配位する単座配位子がより好ましく、２つの配位部位を有する化合物がアニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを有する化合物の場合には錯体全体が電荷を持たないという理由から非共有電子対で配位する単座配位子がより好ましい。

上記（２）の態様において、３つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を３つ有する化合物が更に好ましい。
また、（２）の態様において、銅錯体は、更に、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもできる。また、１個以上とすることもでき、１〜３個以上がより好ましく、１〜２個がさらに好ましく、２個が一層好ましい。単座配位子の種類としては、アニオンで配位する単座配位子、非共有電子対で配位する単座配位子のいずれも好ましく、上述した理由によりアニオンで配位する単座配位子がより好ましい。

上記（３）の態様において、３つの配位部位を有する化合物は、アニオンで配位する配位部位と、非共有電子対で配位する配位原子とを有する化合物が好ましく、アニオンで配位する配位部位を２つ、および、非共有電子対で配位する配位原子を１つ有する化合物が更に好ましい。さらに、この２つのアニオンで配位する配位部位が異なっていることが特に好ましい。また、２つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物が更に好ましい。なかでも、３つの配位部位を有する化合物が、アニオンで配位する配位部位を２つ、および、非共有電子対で配位する配位原子を１つ有する化合物であり、２つの配位部位を有する化合物が、非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物である組み合わせが、特に好ましい。
また、（３）の態様において、銅錯体は、更に、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１個以上とすることもできる。０個がより好ましい。

上記（４）の態様において、４つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を２以上有する化合物がより好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を４つ有する化合物が更に好ましい。
また、（４）の態様において、銅錯体は、更に、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１個以上とすることもでき、２個以上とすることもできる。１個が好ましい。単座配位子の種類としては、アニオンで配位する単座配位子、非共有電子対で配位する単座配位子のいずれも好ましい。

上記（５）の態様において、５つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を２以上有する化合物がより好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を５つ有する化合物が更に好ましい。
また、（５）の態様において、銅錯体は、更に、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１個以上とすることもできる。単座配位子の数は０個が好ましい。

［リン酸エステル銅錯体］
本発明において、銅化合物として、リン酸エステル銅錯体を用いることもできる。リン酸エステル銅錯体は、銅を中心金属としリン酸エステル化合物を配位子とするものである。リン酸エステル銅錯体の配位子をなすリン酸エステル化合物は、下記式（Ｌ−１００）で表される化合物またはその塩が好ましい。
（ＨＯ）_n−Ｐ（＝Ｏ）−（ＯＲ¹）_3-n 式（Ｌ−１００）
式中、Ｒ¹は炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数１〜１８のアラルキル基、または炭素数１〜１８のアルケニル基を表すか、−ＯＲ¹が、炭素数４〜１００のポリオキシアルキル基、炭素数４〜１００の（メタ）アクリロイルオキシアルキル基、または、炭素数４〜１００の（メタ）アクリロイルポリオキシアルキル基を表し、ｎは１または２を表す。ｎが１のとき、Ｒ²はそれぞれ同一でもよいし、異なっていてもよい。

上記式において、−ＯＲ¹の少なくとも１つが、炭素数４〜１００の（メタ）アクリロイルオキシアルキル基、または、炭素数４〜１００の（メタ）アクリロイルポリオキシアルキル基を表すことが好ましく、炭素数４〜１００の（メタ）アクリロイルオキシアルキル基を表すことがより好ましい。ポリオキシアルキル基、（メタ）アクリロイルオキシアルキル基、および（メタ）アクリロイルポリオキシアルキル基の炭素数は、それぞれ、４〜２０であることが好ましく、４〜１０であることがより好ましい。
リン酸エステル化合物の分子量は、３００〜１５００であることが好ましく、３２０〜９００であることがより好ましい。

リン酸エステル化合物の具体例としては、上述した配位子が挙げられる。また、特開２０１４−４１３１８号公報の段落００２２〜００４２の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

［スルホン酸銅錯体］
本発明において、銅化合物として、スルホン酸銅錯体を用いることもできる。スルホン酸銅錯体は、銅を中心金属としスルホン酸化合物を配位子とするものである。スルホン酸銅錯体の配位子をなすスルホン酸化合物は、下記式（Ｌ−２００）で表される化合物またはその塩が好ましい。
Ｒ²−ＳＯ₂−ＯＨ 式（Ｌ−２００）

式中、Ｒ²は１価の有機基を表す。１価の有機基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基などを挙げることができる。
アルキル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１０がさらに好ましい。
アリール基は、単環であっても多環であってもよいが単環が好ましい。アリール基の炭素数は６〜２５が好ましく、６〜１０がより好ましい。
ヘテロアリール基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子、酸素原子が好ましい。ヘテロアリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。
アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、重合性基（好ましくは、ビニル基、（メタ）アクリロイルオキシ基）、（メタ）アクリロイル基などのエチレン性不飽和結合を有する基）、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基、カルボン酸エステル基（例えば−ＣＯ₂ＣＨ₃）、ハロゲン化アルキル基（）、アルコキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、エーテル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルフィド基、アミド基、アシル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン原子を含有する酸基、アミノ基、カルバモイル基、カルバモイルオキシ基等が挙げられる。
上記のハロゲン化アルキル基としては、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。特に、フッ素原子を２つ以上有する炭素数が１〜１０のアルキル基が好ましい。ハロゲン化アルキル基は、直鎖、分岐および環状のいずれであってもよいが、直鎖または分岐が好ましい。ハロゲン化アルキル基における炭素数は、１〜１０がより好ましく、１〜５がさらに好ましく、１〜３がより好ましい。フッ素原子で置換されたアルキル基は、末端の構造が（−ＣＦ₃）であることが好ましい。フッ素原子で置換されたアルキル基は、フッ素原子の置換率が、５０〜１００％であることが好ましく、８０〜１００％であることがさらに好ましい。ここで、フッ素原子の置換率とは、フッ素原子で置換されたアルキル基において、水素原子がフッ素原子に置換されている比率（％）のことをいう。特に、ハロゲン化アルキル基としては、ペルフルオロアルキル基がより好ましく、炭素数１〜１０のペルフルオロアルキル基がさらに好ましく、トリフルオロエチル基及びトリフルオロメチル基がさらに好ましい。

上述したアルキル基、アリール基およびヘテロアリール基は、二価の連結基を有していてもよい。二価の連結基としては、−（ＣＨ₂）_m−（ｍは１〜１０の整数、好ましくは１〜６の整数、より好ましくは１〜４の整数）、炭素数５〜１０の環状のアルキレン基、または、これらの基と、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＮＨ−および−ＣＯ−の少なくとも１つの組み合わせからなる基が好ましい。

式（Ｌ−２００）中、Ｒ²は、式量が３００以下の有機基であることが好ましく、式量が５０〜２００の有機基がより好ましく、式量６０〜１００の有機基がさらに好ましい。
式（Ｌ−２００）で表されるスルホン酸化合物の分子量は、８０〜７５０が好ましく、８０〜６００がより好ましく、８０〜４５０がさらに好ましい。

スルホン酸銅錯体は、下記式（Ｌ−２０１）で表される構造を有することが好ましい。
Ｒ^2A−ＳＯ₂−Ｏ−＊ （Ｌ−２０１）
式中、Ｒ^2Aは、式（Ｌ−２００）におけるＲ²と同義であり、好ましい範囲も同様である。

スルホン酸化合物の具体例としては、上述した配位子が挙げられる。また、特開２０１５−４３０６３号公報の段落００２１〜００３９の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

＜＜＜ポリマータイプの銅化合物＞＞＞
本発明において、銅化合物として、ポリマー側鎖に銅錯体部位を有する銅含有ポリマーを用いることができる。銅含有ポリマーは、ポリマー側鎖に銅錯体部位を有するので、銅を起点として、ポリマーの側鎖間に架橋構造が形成されると考えられ、耐熱性に優れた膜が得られると考えられる。

銅錯体部位としては、銅と、銅に対して配位する部位（配位部位）とを有するものが挙げられる。銅に対して配位する部位としては、アニオンまたは非共有電子対で配位する部位が挙げられる。また、銅錯体部位は、銅に対して４座配位または５座配位する部位を有することが好ましい。配位部位の詳細については、上述した低分子タイプの銅化合物で説明したものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。

銅含有ポリマーは、配位部位を含むポリマー（ポリマー（Ｂ１）ともいう）と、銅成分との反応で得られるポリマーや、ポリマー側鎖に反応性部位を有するポリマー（以下ポリマー（Ｂ２）ともいう）と、ポリマー（Ｂ２）が有する反応性部位と反応可能な官能基を有する銅錯体とを反応させて得られるポリマーが挙げられる。

（ポリマー（Ｂ１））
配位部位を含むポリマー（Ｂ１）は、下記式（１）で表される基を側鎖に含むことが好ましい。
＊−Ｌ¹−Ｙ¹ ・・・（１）
一般式（１）において、Ｌ¹は単結合または連結基を表し、Ｙ¹は、銅成分に対しアニオンで配位する配位部位、および、銅成分に対し非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる１種以上を有する基を表し、＊は、ポリマーとの連結手を表す。

一般式（１）において、Ｙ¹は、銅成分に対しアニオンで配位する配位部位、および、銅成分に対し非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる１種以上を有する基を表し、アニオンで配位する配位部位を２個以上有する基、非共有電子対で配位する配位原子を２個以上有する基、または、非共有電子対で配位する配位原子を１個以上とアニオンで配位する配位部位を１個以上有する基が好ましい。

一般式（１）において、Ｌ¹が連結基を表す場合、２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ¹⁰−（Ｒ¹⁰は水素原子あるいはアルキル基を表し、水素原子が好ましい）、または、これらの組み合わせからなる基が挙げられる。
アルキレン基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜１５より好ましく、１〜１０がさらに好ましい。アルキレン基は、置換基を有していてもよいが、無置換が好ましい。アルキレン基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよい。また、環状のアルキレン基は、単環、多環のいずれであってもよい。
アリーレン基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１４がより好ましく、６〜１０がさらに好ましく、フェニレン基が特に好ましい。
ヘテロアリーレン基としては、特に限定されないが、５員環または６員環が好ましい。ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子が挙げられる。ヘテロ原子の数は、１〜３が好ましい。ヘテロアリーレン基は、単環でも縮合環であってもよく、単環または縮合数が２〜８の縮合環が好ましく、単環または縮合数が２〜４の縮合環がより好ましい。
Ｌ¹が３価以上の連結基を表す場合は、上述した２価の連結基の例として挙げた基のうち、１個以上の水素原子を取り除いた基が挙げられる。

ポリマー（Ｂ１）は、下記式（Ｂ１−１）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。

式（Ｂ１−１）中、Ｒ¹は水素原子または炭化水素基を表し、Ｌ¹は単結合または連結基を表し、Ｙ¹は、銅成分に対しアニオンで配位する配位部位、および、銅成分に対し非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる１種以上を有する基を表す。

式（Ｂ１−１）において、Ｒ¹は、水素原子または炭化水素基を表す。炭化水素基としては、直鎖状、分岐状または環状の脂肪族炭化水素基や、芳香族炭化水素基が挙げられる。炭化水素基は、置換基を有していてもよいが、無置換が好ましい。炭化水素基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜５がより好ましく、１〜３がさらに好ましい。炭化水素基はメチル基が好ましい。Ｒ¹は水素原子またはメチル基が好ましい。
式（Ｂ１−１）のＬ¹およびＹ¹は、上述した式（１）のＬ¹およびＹ¹と同義であり、好ましい範囲も同様である。

式（Ｂ１−１）で表される繰り返し単位としては、例えば、以下の（Ｂ１−１−１）〜（Ｂ１−１−４）で表される繰り返し単位が挙げられる。以下の（Ｂ１−１−１）、（Ｂ１−１−２）が好ましい。

式（Ｂ１−１−１）〜（Ｂ１−１−４）中、Ｒ¹は水素原子または炭化水素基を表し、Ｌ²は単結合または連結基を表し、Ｙ¹は、銅成分に対しアニオンで配位する配位部位、および、銅成分に対し非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる１種以上を有する基を表す。

式（Ｂ１−１−１）〜（Ｂ１−１−４）のＲ¹は、式（Ｂ１−１）のＲ¹と同義であり、好ましい範囲も同様である。
式（Ｂ１−１−１）〜（Ｂ１−１−４）のＹ¹は、式（Ｂ１−１）のＹ¹と同義であり、好ましい範囲も同様である。
式（Ｂ１−１−２）〜（Ｂ１−１−４）のＬ²は、式（Ｂ１−１）のＬ¹と同義であり、好ましい範囲も同様である。

ポリマー（Ｂ１）は、式（Ｂ１−１）で表される繰り返し単位の他に、他の繰り返し単位を含有していてもよい。他の繰り返し単位を構成する成分としては、特開２０１０−１０６２６８号公報の段落番号００６８〜００７５（対応する米国特許出願公開第２０１１／０１２４８２４号明細書の［０１１２］〜［０１１８］）に開示の共重合成分の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

また、ポリマー（Ｂ１）は、銅成分に対しアニオンで配位する配位部位、および、銅成分に対し非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる１種以上を有する基を有し、かつ、主鎖に芳香族炭化水素基および／または芳香族ヘテロ環基を有する重合体（以下、芳香族基含有重合体という。）を用いてもよい。芳香族基含有重合体は、主鎖に、芳香族炭化水素基および芳香族ヘテロ環基のうち少なくとも１種を有していればよく、２種以上有していてもよい。
芳香族炭化水素基の炭素数は、６〜２０が好ましく、６〜１５がより好ましく、６〜１２がさらに好ましい。特に、フェニル基、ナフチル基又はビフェニル基が好ましい。芳香族炭化水素基は単環又は多環であってもよいが、単環が好ましい。
芳香族ヘテロ環基の炭素数は、２〜３０が好ましい。芳香族ヘテロ環基は、５員環又は６員環が好ましい。芳香族ヘテロ環基は、単環または縮合数が２〜８の縮合環が好ましく、単環または縮合数が２〜４の縮合環がより好ましい。芳香族ヘテロ環基に含まれるヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子が例示され、窒素原子または酸素原子が好ましい。
芳香族基含有重合体は、ポリエーテルスルホン系重合体、ポリスルホン系重合体、ポリエーテルケトン系重合体、ポリフェニレンエーテル系重合体、ポリイミド系重合体、ポリベンズイミダゾール系重合体、ポリフェニレン系重合体、フェノール樹脂系重合体、ポリカーボネート系重合体、ポリアミド系重合体及びポリエステル系重合体から選択される少なくとも１種の重合体であることが好ましい。以下に各重合体の例を示す。
ポリエーテルスルホン系重合体：（−Ｏ−Ｐｈ−ＳＯ₂−Ｐｈ−）で表される主鎖構造（Ｐｈはフェニレン基を示す、以下同じ）を有する重合体
ポリスルホン系重合体：（−Ｏ−Ｐｈ−Ｐｈ−Ｏ−Ｐｈ−ＳＯ₂−Ｐｈ−）で表される主鎖構造を有する重合体
ポリエーテルケトン系重合体：（−Ｏ−Ｐｈ−Ｏ−Ｐｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｐｈ−）で表される主鎖構造を有する重合体
ポリフェニレンエーテル系重合体：（−Ｐｈ−Ｏ−、−Ｐｈ−Ｓ−）で表される主鎖構造を有する重合体
ポリフェニレン系重合体：（−Ｐｈ−）で表される主鎖構造を有する重合体
フェノール樹脂系重合体：（−Ｐｈ（ＯＨ）−ＣＨ₂−）で表される主鎖構造を有する重合体
ポリカーボネート系重合体：（−Ｐｈ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）で表される主鎖構造を有する重合体
ポリアミド系重合体としては、例えば、（−Ｐｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−）で表される主鎖構造を有する重合体
ポリエステル系重合体としては、例えば、（−Ｐｈ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−）で表される主鎖構造を有する重合体
ポリエーテルスルホン系重合体、ポリスルホン系重合体及びポリエーテルケトン系重合体としては、例えば、特開２００６−３１００６８号公報の段落００２２及び特開２００８−２７８９０号公報の段落００２８に記載の主鎖構造を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。ポリイミド系重合体としては、特開２００２−３６７６２７号公報の段落００４７〜００５８の記載及び特開２００４−３５８９１号公報の段落００１８〜００１９に記載の主鎖構造を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

芳香族基含有重合体の好ましい一例は、下記式（Ｂ１０−１）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。

（式（Ｂ１０−１）中、Ａｒ¹は芳香族炭化水素基および／または芳香族ヘテロ環基を表し、Ｌ¹⁰は単結合または２価の連結基を表し、Ｙ¹⁰は銅成分に対しアニオンで配位する配位部位、および、銅成分に対し非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる１種以上を有する基を表す。）
式（Ｂ１０−１）中、Ａｒ¹が芳香族炭化水素基を表す場合、上述した芳香族炭化水素基と同義であり、好ましい範囲も同様である。Ａｒ¹が芳香族ヘテロ環基を表す場合、上述した芳香族ヘテロ環基と同義であり、好ましい範囲も同様である。Ａｒ¹は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、アルキル基、重合性基（好ましくは、炭素−炭素二重結合を含む重合性基）、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボン酸エステル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、エーテル基、スルホニル基、スルフィド基、アミド基、アシル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アラルキル基などが例示され、アルキル基（特に炭素数１〜３のアルキル基）が好ましい。
式（Ｂ１０−１）のＬ¹⁰は、単結合であることが好ましい。Ｌ¹⁰が２価の連結基を表す場合、２価の連結基としては、式（Ｂ１−１）のＬ¹で説明した連結基が挙げられ、好ましい範囲も同様である。
式（Ｂ１０−１）のＹ¹⁰は、式（Ｂ１−１）のＹ¹と同義であり、好ましい範囲も同様である。

ポリマー（Ｂ１）の重量平均分子量は、２０００以上が好ましく、２０００〜２００万がより好ましく、６０００〜２００，０００がさらに好ましい。ポリマー（Ｂ１）の重量平均分子量をこのような範囲とすることにより、得られる膜の耐熱性がより向上する傾向にある。

（ポリマ（Ｂ２））
ポリマー（Ｂ２）は、銅錯体が有する官能基と反応性を有する反応性部位を有するものであればいずれも好ましく用いることができる。反応性部位は、ポリマーの側鎖に有することが好ましい。ポリマー（Ｂ２）が有する反応性部位と、銅錯体が有する上記官能基との好ましい組み合わせ、および反応によって形成される結合は、以下の（１）〜（１２）が挙げられ、（１）〜（６）が好ましい。以下において、左辺に、ポリマーが有する反応性部位と、銅錯体が有する上記官能基とを示し、右辺に、両者を反応させて得られる結合を示す。Ｒは、水素原子またはアルキル基を表すか、ポリマー主鎖に結合してもよい。Ｘはハロゲン原子を表す。

上記（７）〜（９）において、Ｒが、ポリマー主鎖に結合している場合とは、以下の構造が挙げられる。

ポリマー（Ｂ２）は、下式（Ｂ２−１）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。

式中、Ｒ¹は水素原子または炭化水素基を表し、Ｌ²⁰⁰は、単結合または連結基を表し、Ｚ²⁰⁰は、反応性部位を表す。

Ｒ¹は、水素原子または炭化水素基を表す。炭化水素基としては、直鎖状、分岐状または環状の脂肪族炭化水素基や、芳香族炭化水素基が挙げられる。炭化水素基は、置換基を有していてもよいが、無置換が好ましい。炭化水素基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜５がより好ましく、１〜３がさらに好ましい。炭化水素基はメチル基が好ましい。Ｒ¹は水素原子またはメチル基が好ましい。

Ｌ²⁰⁰は、単結合または連結基を表す。連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＯ₂−および−ＮＲ¹⁰−（Ｒ¹⁰は水素原子あるいはアルキル基を表し、水素原子が好ましい）から選ばれる少なくとも１種以上とを組み合わせてなる連結基が挙げられる。
Ｚ²⁰⁰は、反応性部位を表す。反応性部位は、銅錯体が有する官能基と反応性を有するものであればよい。例えば、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（＝Ｏ）−Ｒ、ハロゲン原子などが挙げられる。Ｒは、水素原子またはアルキル基を表すか、ポリマー主鎖に結合してもよい。

式（Ｂ２−１）で表される繰り返し単位としては、例えば、以下の（Ｂ２−１−１）〜（Ｂ２−１−３）で表される繰り返し単位が挙げられる。以下の（Ｂ２−１−１）が好ましい。

式中、Ｒ¹は水素原子または炭化水素基を表し、Ｌ²⁰¹は、単結合または連結基を表し、Ｚ²⁰⁰は、反応性部位を表す。

式中のＲ¹およびＺ²⁰⁰、式（Ｂ２−１）のＲ¹およびＺ²⁰⁰と同義であり、好ましい範囲も同様である。

式中のＬ²⁰¹は、単結合または連結基を表す。連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＯ₂−および−ＮＲ¹⁰−（Ｒ¹⁰は水素原子あるいはアルキル基を表し、水素原子が好ましい）から選ばれる少なくとも１種以上とを組み合わせてなる連結基が挙げられる。アルキレン基が好ましい。

ポリマー（Ｂ２）は、他の繰り返し単位を含有していてもよい。他の繰り返し単位としては、上述したポリマー（Ｂ１）で説明した他の繰り返し単位などが挙げられる。
ポリマー（Ｂ２）の重量平均分子量は、２０００以上が好ましく、２０００〜２００万がより好ましく、６０００〜２００，０００がさらに好ましい。重合体（Ｂ２）の重量平均分子量をこのような範囲とすることにより、得られる膜の耐熱性がより向上する傾向にある。

＜＜他の赤外線吸収剤＞＞
本発明の近赤外線吸収組成物は、銅化合物以外の赤外線吸収剤（以下、他の赤外線吸収剤ともいう）を含有することができる。なお、本発明において、赤外線吸収剤は、赤外領域の波長領域（好ましくは、波長７００〜１２００ｍｎの範囲）に吸収を有し、可視領域（好ましくは、波長４００〜６５０ｍｎの範囲）の波長の光を透過する化合物を意味する。赤外線吸収剤は、極大吸収波長を７００〜１２００ｎｍの範囲に有する化合物が好ましく、７００〜１０００ｎｍの範囲に有する化合物がより好ましい。

赤外線吸収剤としては、例えば、シアニン化合物、ピロロピロール化合物、スクアリリウム化合物、フタロシアニン化合物、ナフタロシアニン化合物、ジインモニウム化合物、チオール錯体系化合物、遷移金属酸化物系化合物、クオタリレン系化合物、クロコニウム系化合物等が挙げられる。なかでも、赤外線遮蔽性と可視透明性の両立に優れた膜を形成しやすいという理由から、シアニン化合物、ピロロピロール化合物、スクアリリウム化合物、フタロシアニン化合物、ナフタロシアニン化合物およびジインモニウム化合物が好ましい。

ピロロピロール化合物としては、例えば、特開２００９−２６３６１４号公報の段落番号００１６〜００５８に記載のピロロピロール化合物などが挙げられる。シアニン化合物、フタロシアニン化合物、ジインモニウム化合物、スクアリリウム系化合物及びクロコニウム系化合物は、特開２０１０−１１１７５０号公報の段落００１０〜００８１に記載の化合物を使用してもよく、この内容は本明細書に組み込まれる。また、シアニン系化合物は、例えば、「機能性色素、大河原信／松岡賢／北尾悌次郎／平嶋恒亮・著、講談社サイエンティフィック」を参酌することができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。また、フタロシアニン系化合物は、特開２０１３−１９５４８０号公報の段落００１３〜００２９の記載を参酌でき、この内容は本願明細書に組み込まれる。

本発明の近赤外線吸収組成物が、他の赤外線吸収剤を含有する場合、他の赤外線吸収剤の含有量は、近赤外線吸収組成物の全固形分に対し、０．１〜４０質量％が好ましい。下限は、０．５質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましい。

＜＜無機微粒子＞＞
本発明の近赤外線吸収組成物は、無機微粒子を含んでいてもよい。無機微粒子は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
無機微粒子は、主に、赤外線を遮光（吸収）する役割を果たす粒子である。無機微粒子は、赤外線遮蔽性がより優れる点で、金属酸化物微粒子または金属微粒子が好ましい。
金属酸化物粒子としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）粒子、酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）粒子、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子、Ａｌドープ酸化亜鉛（ＡｌドープＺｎＯ）粒子、フッ素ドープ二酸化スズ（ＦドープＳｎＯ₂）粒子、ニオブドープ二酸化チタン（ＮｂドープＴｉＯ₂）粒子などが挙げられる。
金属微粒子としては、例えば、銀（Ａｇ）粒子、金（Ａｕ）粒子、銅（Ｃｕ）粒子、ニッケル（Ｎｉ）粒子など挙げられる。なお、赤外線遮蔽性とフォトリソ性とを両立するためには、露光波長（３６５−４０５ｎｍ）の透過率が高い方が望ましく、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）粒子または酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）粒子が好ましい。
無機微粒子の形状は特に制限されず、球状、非球状を問わず、シート状、ワイヤー状、チューブ状であってもよい。

また、無機微粒子としては酸化タングステン系化合物が使用できる、具体的には、下記一般式（組成式）（Ｉ）で表される酸化タングステン系化合物であることがより好ましい。
Ｍ_xＷ_yＯ_z・・・（Ｉ）
Ｍは金属、Ｗはタングステン、Ｏは酸素を表す。
０．００１≦ｘ／ｙ≦１．１
２．２≦ｚ／ｙ≦３．０
Ｍが表す金属としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉが挙げられ、アルカリ金属が好ましく、ＲｂまたはＣｓがより好ましく、Ｃｓが特に好ましい。Ｍの金属は１種でも２種以上でも良い。
ｘ／ｙが０．００１以上であることにより、赤外線を十分に遮蔽することができ、１．１以下であることにより、酸化タングステン系化合物中に不純物相が生成されることをより確実に回避することできる。
ｚ／ｙが２．２以上であることにより、材料としての化学的安定性をより向上させることができ、３．０以下であることにより赤外線を十分に遮蔽することができる。
上記一般式（Ｉ）で表される酸化タングステン系化合物の具体例としては、Ｃｓ_0.33ＷＯ₃、Ｒｂ_0.33ＷＯ₃、Ｋ_0.33ＷＯ₃、Ｂａ_0.33ＷＯ₃などを挙げることができ、Ｃｓ_0.33ＷＯ₃又はＲｂ_0.33ＷＯ₃であることが好ましく、Ｃｓ_0.33ＷＯ₃であることが更に好ましい。
酸化タングステン系化合物は、例えば、住友金属鉱山株式会社製のＹＭＦ−０２などのタングステン微粒子の分散物として入手可能である。

無機微粒子の平均粒子径は、８００ｎｍ以下が好ましく、４００ｎｍ以下がより好ましく、２００ｎｍ以下が更に好ましい。無機微粒子の平均粒子径がこのような範囲であることによって、可視光領域における透光性をより確実にすることができる。光酸乱を回避する観点からは、平均粒子径は小さいほど好ましいが、製造時における取り扱い容易性などの理由から、無機微粒子の平均粒子径は、通常、１ｎｍ以上である。
無機微粒子の含有量は、近赤外線吸収組成物の全固形分に対して、０．０１〜３０質量％が好ましい。下限は、０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がさらに好ましい。上限は、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がさらに好ましい。

＜＜溶剤＞＞
本発明の近赤外線吸収組成物は、溶剤を含有することが好ましい。溶剤は、特に制限はなく、各成分を均一に溶解或いは分散しうるものであれば、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、水、有機溶剤を用いることができる。
有機溶剤としては、例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、およびジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホラン等が好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
アルコール類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類の具体例としては、特開２０１２−１９４５３４号公報段落０１３６等に記載のものが挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれる。
エステル類、ケトン類、エーテル類の具体例としては、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０４９７（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６０９]）に記載のものが挙げられる。さらに、酢酸−ｎ−アミル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、硫酸メチル、アセトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどが挙げられる。
溶剤としては、１−メトキシ−２−プロパノール、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、酢酸ブチル、乳酸エチルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルから選択される少なくとも１種以上を用いることが好ましい。

本発明において、金属含有量の少ない溶剤を用いることが好ましく、溶剤の金属含有量は、例えば１０ｐｐｂ以下であることが好ましい。必要に応じてｐｐｔレベルの溶剤を用いてもよく、そのような高純度溶剤は例えば東洋合成社が提供している。

溶剤から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、蒸留(分子蒸留や薄膜蒸留等)やフィルターを用いた濾過を挙げることができる。フィルターを用いたろ過におけるフィルター孔径としては、ポアサイズ１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がより好ましく、３ｎｍ以下が更に好ましい。フィルターの材質としては、ポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のフィルターが好ましい。

溶剤は、異性体（同じ原子数で異なる構造の化合物）が含まれていてもよい。また、異性体は、１種のみが含まれていてもよいし、複数種含まれていてもよい。

溶剤の含有量は、本発明の近赤外線吸収組成物の全固形分が５〜６０質量％となる量が好ましい。下限は、１０質量％以上がより好ましい。上限は、４０質量％以下がより好ましい。溶剤は１種類のみでも、２種類以上でもよく、２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。

＜＜架橋性基を有する化合物（架橋性化合物）＞＞
本発明の近赤外線吸収組成物は、上述した樹脂以外の成分として、架橋性基を有する化合物（以下、架橋性化合物ともいう）を含有してもよい。本発明の近赤外線吸収組成物が、架橋性化合物を含有することにより、耐熱性および耐溶剤性に優れた膜を製造することができる。架橋性化合物としては、ラジカル、酸、熱により架橋可能な公知の化合物を用いることができる。架橋性化合物は、熱により架橋可能な化合物が好ましい。

架橋性化合物は、例えば、エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、メチロール基、アルコキシシリル基等を有する化合物が挙げられる。エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、スチリル基、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基などが挙げられ、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基が好ましい。環状エーテル基としては、エポキシ基やオキセタニル基が挙げられ、エポキシ基が好ましい。アルコキシシリル基としては、モノアルコキシシリル基、ジアルコキシシリル基、トリアルコキシシリル基が挙げられ、ジアルコキシシリル基、トリアルコキシシリル基が好ましく、トリアルコキシシリル基がより好ましい。架橋性化合物は、環状エーテル基を有する化合物、またはアルコキシシリル基を有する化合物が好ましく、アルコキシシリル基を有する化合物がより好ましい。
架橋性化合物は、モノマー、ポリマーのいずれの形態であってもよいがモノマーが好ましい。

（エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物）
本発明において、架橋性化合物として、エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物を用いることができる。エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物は、モノマーであることが好ましい。上記化合物の分子量は、１００〜３０００が好ましい。上限は、２０００以下が好ましく、１５００以下が更に好ましい。下限は、１５０以上が好ましく、２５０以上が更に好ましい。上記化合物は、３〜１５官能の（メタ）アクリレート化合物であることが好ましく、３〜６官能の（メタ）アクリレート化合物であることがより好ましい。

エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物の例としては、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落００３３〜００３４の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物としては、エチレンオキシ変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としては、ＮＫエステルＡＴＭ−３５Ｅ；新中村化学社製）、ジペンタエリスリトールトリアクリレート（市販品としては、ＫＡＹＡＲＡＤ Ｄ−３３０；日本化薬株式会社製）、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としては、ＫＡＹＡＲＡＤ Ｄ−３２０；日本化薬株式会社製）ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート（市販品としては ＫＡＹＡＲＡＤ Ｄ−３１０；日本化薬株式会社製）、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート（市販品としては、ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ；日本化薬株式会社製、Ａ−ＤＰＨ−１２Ｅ；新中村化学工業社製）、およびこれらの（メタ）アクリロイル基がエチレングリコール、プロピレングリコール残基を介している構造が好ましい。またこれらのオリゴマータイプも使用できる。また、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落００３４〜００３８の重合性化合物の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。また、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０４７７（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０５８５]）に記載の重合性モノマー等が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
また、ジグリセリンＥＯ（エチレンオキシド）変性（メタ）アクリレート（市販品としては Ｍ−４６０；東亜合成製）が好ましい。ペンタエリスリトールテトラアクリレート（新中村化学製、Ａ−ＴＭＭＴ）、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（日本化薬社製、ＫＡＹＡＲＡＤ ＨＤＤＡ）も好ましい。これらのオリゴマータイプも使用できる。例えば、ＲＰ−１０４０（日本化薬株式会社製）などが挙げられる。

エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物は、カルボキシル基、スルホ基、リン酸基等の酸基を有していてもよい。酸基を有する化合物としては、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステルなどが挙げられる。脂肪族ポリヒドロキシ化合物の未反応のヒドロキシル基に、非芳香族カルボン酸無水物を反応させて酸基を持たせた化合物が好ましく、特に好ましくは、このエステルにおいて、脂肪族ポリヒドロキシ化合物がペンタエリスリトールおよび／またはジペンタエリスリトールであるものである。市販品としては、例えば、東亞合成株式会社製の多塩基酸変性アクリルオリゴマーとして、アロニックスシリーズのＭ−３０５、Ｍ−５１０、Ｍ−５２０などが挙げられる。酸基を有する化合物の酸価は、０．１〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましい。下限は５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上が好ましい。上限は、３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下が好ましい。

エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物は、カプロラクトン構造を有する化合物も好ましい態様である。カプロラクトン構造を有する化合物としては、分子内にカプロラクトン構造を有する限り特に限定されるものではないが、例えば、トリメチロールエタン、ジトリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ジトリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリペンタエリスリトール、グリセリン、ジグリセロール、トリメチロールメラミン等の多価アルコールと、（メタ）アクリル酸及びε−カプロラクトンをエステル化することにより得られる、ε−カプロラクトン変性多官能（メタ）アクリレートを挙げることができる。カプロラクトン構造を有する化合物としては、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落００４２〜００４５の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。カプロラクトン構造を有する化合物は、例えば、日本化薬（株）からＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＣＡシリーズとして市販されている、ＤＰＣＡ−２０、ＤＰＣＡ−３０、ＤＰＣＡ−６０、ＤＰＣＡ−１２０等、サートマー社製のエチレンオキシ鎖を４個有する４官能アクリレートであるＳＲ−４９４、イソブチレンオキシ鎖を３個有する３官能アクリレートであるＴＰＡ−３３０などが挙げられる。

エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物としては、特公昭４８−４１７０８号公報、特開昭５１−３７１９３号公報、特公平２−３２２９３号公報、特公平２−１６７６５号公報に記載されているようなウレタンアクリレート類や、特公昭５８−４９８６０号公報、特公昭５６−１７６５４号公報、特公昭６２−３９４１７号公報、特公昭６２−３９４１８号公報記載のエチレンオキサイド系骨格を有するウレタン化合物類も好適である。また、特開昭６３−２７７６５３号公報、特開昭６３−２６０９０９号公報、特開平１−１０５２３８号公報に記載される、分子内にアミノ構造やスルフィド構造を有する付加重合性化合物類を用いることによって、非常に感光スピードに優れた着色硬化性組成物を得ることができる。
市販品としては、ウレタンオリゴマーＵＡＳ−１０、ＵＡＢ−１４０（山陽国策パルプ社製）、ＵＡ−７２００（新中村化学社製）、ＤＰＨＡ−４０Ｈ（日本化薬社製）、ＵＡ−３０６Ｈ、ＵＡ−３０６Ｔ、ＵＡ−３０６Ｉ、ＡＨ−６００、Ｔ−６００、ＡＩ−６００（共栄社製）などが挙げられる。

本発明において、エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物は、エチレン性不飽和結合を有する基を側鎖に有するポリマーを用いることもできる。側鎖にエチレン性不飽和結合を有する基を有する繰り返し単位の含有量は、上記ポリマーを構成する全繰り返し単位の５〜１００質量％であることが好ましい。下限は、１０質量％以上がより好ましく、１５質量％以上が更に好ましい。上限は、９０質量％以下がより好ましく、８０質量％以下が更に好ましく、７０質量％以下が特に好ましい。

上記ポリマーは、側鎖にエチレン性不飽和結合を有する基を有する繰り返し単位の他に、他の繰り返し単位を含んでいてもよい。他の繰り返し単位は、酸基等の官能基を含んでいてもよい。官能基を含んでいなくてもよい。酸基としては、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基が例示される。酸基は１種類のみ含まれていても良いし、２種類以上含まれていても良い。酸基を有する繰り返し単位の割合は、上記ポリマーを構成する全繰り返し単位の０〜５０質量％であることが好ましい。下限は、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が更に好ましい。上限は、３５質量％以下がより好ましく、３０質量％以下が更に好ましい。

上記ポリマーの具体例としては、例えば、（メタ）アリル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体などが挙げられる。上記ポリマーの市販品としては、ダイヤナ−ルＮＲシリーズ（三菱レイヨン株式会社製）、Ｐｈｏｔｏｍｅｒ６１７３（ＣＯＯＨ含有 ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ ａｃｒｙｌｉｃ ｏｌｉｇｏｍｅｒ．Ｄｉａｍｏｎｄ Ｓｈａｍｒｏｃｋ Ｃｏ．Ｌｔｄ．，製）、ビスコートＲ−２６４、ＫＳレジスト１０６（いずれも大阪有機化学工業株式会社製）、サイクロマーＰシリーズ（例えば、ＡＣＡ２３０ＡＡ）、プラクセル ＣＦ２００シリーズ（いずれもダイセル化学工業株式会社製）、Ｅｂｅｃｒｙｌ３８００（ダイセルユーシービー株式会社製）、アクリキュア−ＲＤ−Ｆ８(日本触媒社製)などが挙げられる。

（環状エーテル基を有する化合物）
本発明では、架橋性化合物として、環状エーテル基を有する化合物を用いることもできる。環状エーテル基としては、エポキシ基、オキセタニル基が挙げられ、エポキシ基が好ましい。
環状エーテル基を有する化合物は、側鎖に環状エーテル基を有するポリマー、分子内に２個以上の環状エーテル基を有するモノマーまたはオリゴマーなどが挙げられる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等を挙げることができる。また単官能または多官能グリシジルエーテル化合物も挙げられ、多官能脂肪族グリシジルエーテル化合物が好ましい。
環状エーテル基を有する化合物の重量平均分子量は、５００〜５００００００が好ましく、１０００〜５０００００がより好ましい。これらの化合物は、市販品を用いてもよいし、ポリマーの側鎖へエポキシ基を導入することによっても得られるものを用いてもよい。

環状エーテル基を有する化合物の市販品としては、例えば、特開２０１２−１５５２８８号公報段落０１９１等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
また、デナコール ＥＸ−２１２Ｌ、ＥＸ−２１４Ｌ、ＥＸ−２１６Ｌ、ＥＸ−３２１Ｌ、ＥＸ−８５０Ｌ（以上、ナガセケムテックス(株)製）等の多官能脂肪族グリシジルエーテル化合物が挙げられる。これらは、低塩素品であるが、低塩素品ではない、ＥＸ−２１２、ＥＸ−２１４、ＥＸ−２１６、ＥＸ−３２１、ＥＸ−８５０なども同様に使用できる。
その他にも、ＡＤＥＫＡ ＲＥＳＩＮ ＥＰ−４０００Ｓ、同ＥＰ−４００３Ｓ、同ＥＰ−４０１０Ｓ、同ＥＰ−４０１１Ｓ（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＮＣ−２０００、ＮＣ−３０００、ＮＣ−７３００、ＸＤ−１０００、ＥＰＰＮ−５０１、ＥＰＰＮ−５０２（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＪＥＲ１０３１Ｓ、セロキサイド２０２１Ｐ、セロキサイド２０８１、セロキサイド２０８３、セロキサイド２０８５、ＥＨＰＥ３１５０、ＥＰＯＬＥＡＤ ＰＢ ３６００、同ＰＢ ４７００（以上、ダイセル化学工業（株）製）、サイクロマーＰ ＡＣＡ ２００Ｍ、同ＡＣＡ ２３０ＡＡ、同ＡＣＡ Ｚ２５０、同ＡＣＡ Ｚ２５１、同ＡＣＡ Ｚ３００、同ＡＣＡ Ｚ３２０（以上、ダイセル化学工業（株）製）等も挙げられる。
さらに、フェノールノボラック型エポキシ樹脂の市販品として、ＪＥＲ−１５７Ｓ６５、ＪＥＲ−１５２、ＪＥＲ−１５４、ＪＥＲ−１５７Ｓ７０（以上、三菱化学（株）製）等が挙げられる。
また、側鎖にオキセタニル基を有するポリマー、分子内に２個以上のオキセタニル基を有する重合性モノマーまたはオリゴマーの具体例としては、アロンオキセタンＯＸＴ−１２１、ＯＸＴ−２２１、ＯＸ−ＳＱ、ＰＮＯＸ（以上、東亞合成（株）製）を用いることができる。
エポキシ基を有する化合物としては、グリシジル（メタ）アクリレートやアリルグリシジルエーテル等のエポキシ基としてグリシジル基を有するものも使用可能であるが、好ましいものは脂環式エポキシ基を有する不飽和化合物である。このようなものとしては例えば特開２００９−２６５５１８号公報段落００４５等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
環状エーテル基を有する化合物は、エポキシ基またはオキセタニル基を繰り返し単位として有する重合体を含んでいてもよい。

（アルコキシシリル基を有する化合物）
本発明では、架橋性化合物として、アルコキシシリル基を有する化合物を用いることもできる。アルコキシシリル基におけるアルコキシ基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がより好ましく、１または２が特に好ましい。アルコキシシリル基は、一分子中に２個以上有することが好ましく、２〜３個有することがさらに好ましい。アルコキシシリル基を有する化合物の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランの塩酸塩、トリス−（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。また、下記化合物を用いることもできる。

市販品としては、信越シリコーン社製の ＫＢＭ−１３、ＫＢＭ−２２、ＫＢＭ−１０３、ＫＢＥ−１３、ＫＢＥ−２２、ＫＢＥ−１０３、ＫＢＭ−３０３３、ＫＢＥ−３０３３、ＫＢＭ−３０６３、ＫＢＭ−３０６６、ＫＢＭ−３０８６、ＫＢＥ−３０６３、ＫＢＥ−３０８３、ＫＢＭ−３１０３、ＫＢＭ−３０６６、ＫＢＭ−７１０３、ＳＺ−３１、ＫＰＮ−３５０４、ＫＢＭ−１００３、ＫＢＥ−１００３、ＫＢＭ−３０３、ＫＢＭ−４０２、ＫＢＭ−４０３、ＫＢＥ−４０２、ＫＢＥ−４０３、ＫＢＭ−１４０３、ＫＢＭ−５０２、ＫＢＭ−５０３、ＫＢＥ−５０２、ＫＢＥ−５０３、ＫＢＭ−５１０３、ＫＢＭ−６０２、ＫＢＭ−６０３、ＫＢＭ−９０３、ＫＢＥ−９０３、ＫＢＥ−９１０３、ＫＢＭ−５７３、ＫＢＭ−５７５、ＫＢＭ−９６５９、ＫＢＥ−５８５、ＫＢＭ−８０２、ＫＢＭ−８０３、ＫＢＥ−８４６、ＫＢＥ−９００７、Ｘ−４０−１０５３、Ｘ−４１−１０５９Ａ、Ｘ−４１−１０５６、Ｘ−４１−１８０５、Ｘ−４１−１８１８、Ｘ−４１−１８１０、Ｘ−４０−２６５１、Ｘ−４０−２６５５Ａ、ＫＲ−５１３，ＫＣ−８９Ｓ，ＫＲ−５００、Ｘ−４０−９２２５、Ｘ−４０−９２４６、Ｘ−４０−９２５０、ＫＲ−４０１Ｎ、Ｘ−４０−９２２７、Ｘ−４０−９２４７、ＫＲ−５１０、ＫＲ−９２１８、ＫＲ−２１３、Ｘ−４０−２３０８、Ｘ−４０−９２３８などが挙げられる。
また、アルコキシシリル基を有する化合物は、アルコキシシリル基やクロロシリル基を側鎖に有するポリマーを用いることもできる。

本発明の近赤外線吸収組成物が架橋性化合物を含有する場合、架橋性化合物の含有量は、近赤外線吸収組成物の全固形分に対して、１〜９０質量％が好ましい。下限は、５質量％以上が好ましく、１０質量％以上がより好ましく、２０質量％以上が更に好ましい。上限は、８０質量％以下が好ましく、７５質量％以下がより好ましい。架橋性化合物は、１種類のみでもよく、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明の近赤外線吸収組成物は、架橋性化合物を実質的に含有しないこともできる。「架橋性化合物を実質的に含有しない」とは、例えば、近赤外線吸収組成物の全固形分に対して、０．５質量％以下が好ましく、０．１質量％以下がより好ましく、含有しないことが一層好ましい。

＜＜触媒＞＞
本発明の近赤外線吸収組成物は、触媒を含んでもよい。触媒を含有することで、耐溶剤性や耐熱性に優れた膜が得られ易い。また、例えば、アルコキシシリル基を有する繰り返し単位を含む樹脂を用いた場合や、架橋性化合物として、アルコキシシリル基を有する化合物を用いた場合、近赤外線吸収組成物が触媒を含有することで、アルコキシシリル基の架橋を促進して、耐溶剤性や耐熱性がより優れた膜が得られ易い。

触媒としては、有機金属系触媒、酸系触媒、アミン系触媒などが挙げられ、有機金属系触媒が好ましい。有機金属系触媒は、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＢｉからなる群より選択される少なくとも１つの金属を含む、酸化物、硫化物、ハロゲン化物、炭酸塩、カルボン酸塩、スルホン酸塩、リン酸塩、硝酸塩、硫酸塩、アルコキシド、水酸化物、及び置換基を有していてもよいアセチルアセトナート錯体からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。なかでも、上記金属の、ハロゲン化物、カルボン酸塩、硝酸塩、硫酸塩、水酸化物、及び置換基を有していてもよいアセチルアセトナート錯体からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、アセチルアセトナート錯体が更に好ましい。特に、Ａｌのアセチルアセトナート錯体が好ましい。有機金属系触媒の具体例としては、例えば、トリス（２，４−ペンタンジオナト）アルミニウムなどが挙げられる。

本発明の近赤外線吸収組成物が、触媒を含有する場合、触媒の含有量は、近赤外線吸収組成物の全固形分に対して０．０１〜５質量％が好ましい。上限は、３質量％以下が好ましく、１質量％以下が更に好ましい。下限は、０．０５質量％以上が好ましい。

＜＜他の樹脂＞＞
本発明の近赤外線吸収組成物は、上記樹脂Ａ、上記銅化合物、および、上記架橋性化合物以外の樹脂（以下、他の樹脂ともいう）を含んでもよい。他の樹脂としては、酸基を有する樹脂などが挙げられる。酸基を有する樹脂としては、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０５５８〜０５７１（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の［０６８５］〜［０７００］）の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
本発明の近赤外線吸収組成物が、他の樹脂を含有する場合、他の樹脂の含有量は、近赤外線吸収組成物の全固形分に対して、１〜８０質量％が好ましい。下限は５質量％以上が好ましく、７質量％以上がより好ましい。上限は５０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましい。

＜＜界面活性剤＞＞
本発明の近赤外線吸収組成物は、界面活性剤を含んでもよい。界面活性剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。界面活性剤の含有量は、近赤外線吸収組成物の全固形分に対して、０．０００１〜５質量％が好ましい。下限は、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましい。上限は、２質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。

界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。近赤外線吸収組成物は、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤の少なくとも一方を含有することが好ましい。被塗布面と塗布液との界面張力が低下して、被塗布面への濡れ性が改善される。このため、組成物の液特性（特に、流動性）が向上し、塗布厚の均一性や省液性がより改善する。その結果、少量の液量で数μｍ程度の薄膜を形成した場合であっても、厚みムラの小さい均一厚の膜形成を行える。

フッ素系界面活性剤のフッ素含有率は、３〜４０質量％が好ましい。下限は、５質量％以上が好ましく、７質量％以上が更に好ましい。上限は、３０質量以下％が好ましく、２５質量％以下が更に好ましい。フッ素含有率が上述した範囲内である場合は、塗布膜の厚さの均一性や省液性の点で効果的であり、溶解性も良好である。
フッ素系界面活性剤として具体的には、特開２０１４−４１３１８号公報の段落００６０〜００６４（対応する国際公開ＷＯ２０１４／１７６６９号パンフレットの段落００６０〜００６４）等に記載の界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えば、メガファック Ｆ−１７１、同Ｆ−１７２、同Ｆ−１７３、同Ｆ−１７６、同Ｆ−１７７、同Ｆ−１４１、同Ｆ−１４２、同Ｆ−１４３、同Ｆ−１４４、同Ｒ３０、同Ｆ−４３７、同Ｆ−４７５、同Ｆ−４７９、同Ｆ−４８２、同Ｆ−５５４、同Ｆ−７８０（以上、ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１、同ＦＣ１７１（以上、住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ１０６８、同ＳＣ−３８１、同ＳＣ−３８３、同Ｓ３９３、同ＫＨ−４０（以上、旭硝子（株）製）等が挙げられる。
フッ素系界面活性剤は、特開２０１５−１１７３２７号公報の段落００１５〜０１５８に記載の化合物を用いることもできる。
フッ素系界面活性剤は、フッ素原子を有する（メタ）アクリレート化合物に由来する繰り返し単位と、アルキレンオキシ基（好ましくはエチレンオキシ基、プロピレンオキシ基）を２以上（好ましくは５以上）有する（メタ）アクリレート化合物に由来する繰り返し単位と、を含む含フッ素高分子化合物も好ましく用いることができ、下記化合物も本発明で用いられるフッ素系界面活性剤として例示される。

上記の化合物の重量平均分子量は、好ましくは３，０００〜５０，０００であり、例えば、１４，０００である。
また、エチレン性不飽和基を側鎖に有する含フッ素重合体をフッ素系界面活性剤として用いることもできる。具体例としては、特開２０１０−１６４９６５号公報００５０〜００９０段落および０２８９〜０２９５段落に記載された化合物、例えばＤＩＣ社製のメガファックＲＳ−１０１、ＲＳ−１０２、ＲＳ−７１８Ｋ、ＲＳ−７２Ｋ等が挙げられる。

ノニオン系界面活性剤として具体的には、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０５５３（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６７９]）等に記載のノニオン系界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
カチオン系界面活性剤として具体的には、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０５５４（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６８０]）に記載のカチオン系界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
アニオン系界面活性剤として具体的には、Ｗ００４、Ｗ００５、Ｗ０１７（裕商（株）社製）等が挙げられる。
シリコーン系界面活性剤としては、例えば、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０５５６（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６８２]）等に記載のシリコーン系界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

＜＜その他の成分＞＞
本発明の近赤外線吸収組成物で併用可能なその他の成分としては、例えば、分散剤、増感剤、硬化促進剤、フィラー、熱硬化促進剤、熱重合禁止剤、重合開始剤、可塑剤などが挙げられ、更に基材表面への密着促進剤及びその他の助剤類（例えば、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、表面張力調整剤、連鎖移動剤など）を併用してもよい。これらの成分を適宜含有させることにより、目的とする近赤外線カットフィルタの安定性、膜物性などの性質を調整することができる。これらの成分は、例えば、特開２０１２−００３２２５号公報の段落番号０１８３以降（対応する米国特許出願公開第２０１３／００３４８１２号明細書の[０２３７]以降）の記載、特開２００８−２５００７４号公報の段落番号０１０１〜０１０４、０１０７〜０１０９等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。また、酸化防止剤としては、フェノール化合物、亜リン酸エステル化合物、チオエーテル化合物などが挙げられる。分子量５００以上のフェノール化合物、分子量５００以上の亜リン酸エステル化合物又は分子量５００以上のチオエーテル化合物がより好ましい。これらは２種以上を混合して使用してもよい。フェノール化合物としては、フェノール系酸化防止剤として知られる任意のフェノール化合物を使用することができる。好ましいフェノール化合物としては、ヒンダードフェノール化合物が挙げられる。特に、フェノール性水酸基に隣接する部位（オルト位）に置換基を有する化合物が好ましい。前述の置換基としては炭素数１〜２２の置換又は無置換のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピオニル基、イソプロピオニル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ｔ−ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、２−エチルへキシル基がより好ましい。また、同一分子内にフェノール基と亜リン酸エステル基を有する化合物（酸化防止剤）も好ましい。また、酸化防止剤は、リン系酸化防止剤も好適に使用することができる。リン系酸化防止剤としてはトリス［２−［［２，４，８，１０−テトラキス（１，１−ジメチルエチル）ジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−６−イル］オキシ］エチル］アミン、トリス［２−［（４，６，９，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−２−イル）オキシ］エチル］アミン、および亜りん酸エチルビス（２，４−ジｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物が挙げられる。これらは、市販品として容易に入手可能であり、アデカスタブ ＡＯ−２０、アデカスタブ ＡＯ−３０、アデカスタブ ＡＯ−４０、アデカスタブ ＡＯ−５０、アデカスタブ ＡＯ−５０Ｆ、アデカスタブ ＡＯ−６０、アデカスタブ ＡＯ−６０Ｇ、アデカスタブ ＡＯ−８０、アデカスタブ ＡＯ−３３０（（株）ＡＤＥＫＡ）などが挙げられる。酸化防止剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０１〜２０質量％であることが好ましく、０．３〜１５質量％であることがより好ましい。酸化防止剤は、１種類のみでもよく、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。

＜近赤外線吸収組成物の好ましい態様＞
本発明の近赤外線吸収組成物の好ましい態様として、例えば以下に示す態様が挙げられる。
（１）銅化合物が、銅化合物は、水素原子が結合した炭素原子を有する化合物を配位子として有する銅錯体であり、樹脂Ａが、上述した式（Ａ）で表される繰り返し単位（好ましくは、式（Ａ１−１）で表される繰り返し単位、さらに好ましくは、式（Ａ１−２）〜（Ａ１−４）から選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位）を有する樹脂であり、ラジカルトラップ剤が、オキシム化合物（好ましくは、オキシムエステル化合物）である態様。
（２）上記（１）の態様において、樹脂Ａが、架橋性基（好ましくは、アルコキシシリル基）を有する繰り返し単位を有する態様。
（３）上記（１）の態様において、樹脂Ａが、上述した式（Ａ）で表される繰り返し単位と、架橋性基（好ましくは、アルコキシシリル基）を有する繰り返し単位を有する態様。
（４）上記（１）の態様において、樹脂Ａ以外の成分として、更に、架橋性基（好ましくは、アルコキシシリル基）を有する化合物（架橋性化合物）を含む態様。
（５）上記（１）〜（４）の態様において、ラジカルトラップ剤が上述した（Ｉ）で表される化合物である態様。
（６）上記（１）〜（５）の態様において、銅化合物が、銅化合物が、少なくとも２つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体である態様。

＜近赤外線吸収組成物の調製、用途＞
本発明の近赤外線吸収組成物は、上記各成分を混合して調製できる。
組成物の調製に際しては、組成物を構成する各成分を一括配合してもよいし、各成分を溶剤に溶解および／または分散した後に逐次配合してもよい。また、配合する際の投入順序や作業条件は特に制約を受けない。
本発明においては、異物の除去や欠陥の低減などの目的で、フィルタでろ過することが好ましい。フィルタとしては、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に限定されることなく用いることができる。例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ナイロン（例えばナイロン−６、ナイロン−６，６）等のポリアミド系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度、超高分子量を含む）等によるフィルタが挙げられる。これら素材の中でもポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）およびナイロンが好ましい。
フィルタの孔径は、０．０１〜７．０μｍ程度が適しており、好ましくは０．０１〜３．０μｍ程度、さらに好ましくは０．０５〜０．５μｍ程度である。この範囲とすることにより、微細な異物を確実に除去することが可能となる。また、ファイバ状のろ材を用いることも好ましく、ろ材としては例えばポリプロピレンファイバ、ナイロンファイバ、グラスファイバ等が挙げられ、具体的にはロキテクノ社製のＳＢＰタイプシリーズ（ＳＢＰ００８など）、ＴＰＲタイプシリーズ（ＴＰＲ００２、ＴＰＲ００５など）、ＳＨＰＸタイプシリーズ（ＳＨＰＸ００３など）のフィルタカートリッジを用いることができる。

フィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせてもよい。その際、第１のフィルタでのフィルタリングは、１回のみでもよいし、２回以上行ってもよい。
また、上述した範囲内で異なる孔径の第１のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照することができる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社（旧日本マイクロリス株式会社）又は株式会社キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択することができる。
第２のフィルタは、上述した第１のフィルタと同様の材料等で形成されたものを使用することができる。第２のフィルタの孔径は、０．２〜１０．０μｍが好ましく、０．２〜７．０μｍがより好ましく、０．３〜６．０μｍが更に好ましい。この範囲とすることにより、組成物に含有されている成分粒子を残存させたまま、異物を除去することができる。

本発明の近赤外線吸収組成物は、液状とすることができるため、例えば、本発明の近赤外線吸収組成物を基材などに適用し、乾燥させることにより近赤外線カットフィルタを容易に製造できる。
本発明の近赤外線吸収組成物の粘度は、塗布により近赤外線カットフィルタを形成する場合は、１〜３０００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。下限は、１０ｍＰａ・ｓ以上が好ましく、１００ｍＰａ・ｓ以上が更に好ましい。上限は、２０００ｍＰａ・ｓ以下が好ましく、１５００ｍＰａ・ｓ以下が更に好ましい。
本発明の近赤外線吸収組成物の全固形分は、塗布方法により変更されるが、例えば、１〜５０質量％であることが好ましい。下限は１０質量％以上がより好ましい。上限は３０質量％以下がより好ましい。

本発明の近赤外線吸収組成物の用途は、特に限定されないが、近赤外線カットフィルタ等の形成に好ましく用いることができる。例えば、固体撮像素子の受光側における近赤外線カットフィルタ（例えば、ウエハーレベルレンズに対する近赤外線カットフィルタ用など）、固体撮像素子の裏面側（受光側とは反対側）における近赤外線カットフィルタなどに好ましく用いることができる。特に、固体撮像素子の受光側における近赤外線カットフィルタとして好ましく用いることができる。
また、本発明の近赤外線吸収組成物によれば、耐熱性が高く、可視領域では高い透過率を維持しつつ、高い赤外線遮蔽性を実現できる近赤外線カットフィルタが得られる。さらには、近赤外線カットフィルタの膜厚を薄くでき、カメラモジュールや画像表示装置の低背化に寄与できる。

＜膜、近赤外線カットフィルタ＞
次に、本発明の膜について説明する。本発明の膜は、上述した本発明の近赤外線吸収組成物を用いてなるものである。本発明の膜は、近赤外線カットフィルタとして好ましく用いることができる。
また、本発明の近赤外線カットフィルタは、上述した本発明の近赤外線吸収組成物を用いてなるものである。
近赤外線カットフィルタは、光透過率が以下の（１）〜（９）のうちの少なくとも１つの条件を満たすことが好ましく、以下の（１）〜（９）のすべての条件を満たすことがより好ましく、（１）〜（９）のすべての条件を満たすことがさらに好ましい。
（１）波長４００ｎｍでの光透過率は８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましく、９２％以上がさらに好ましく、９５％以上が特に好ましい。
（２）波長４５０ｎｍでの光透過率は８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましく、９２％以上がさらに好ましく、９５％以上が特に好ましい。
（３）波長５００ｎｍでの光透過率は８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましく、９２％以上がさらに好ましく、９５％以上が特に好ましい。
（４）波長５５０ｎｍでの光透過率は８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましく、９２％以上がさらに好ましく、９５％以上が特に好ましい。
（５）波長７００ｎｍでの光透過率は２０％以下が好ましく、１５％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましく、５％以下が特に好ましい。
（６）波長７５０ｎｍでの光透過率は２０％以下が好ましく、１５％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましく、５％以下が特に好ましい。
（７）波長８００ｎｍでの光透過率は２０％以下が好ましく、１５％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましく、５％以下が特に好ましい。
（８）波長８５０ｎｍでの光透過率は２０％以下が好ましく、１５％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましく、５％以下が特に好ましい。
（９）波長９００ｎｍでの光透過率は２０％以下が好ましく、１５％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましく、５％以下が特に好ましい。

本発明の膜及び近赤外線カットフィルタは、波長４００〜５５０ｎｍの全ての範囲での光透過率が８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることが更に好ましい。可視領域での透過率は高いほど好ましく、波長４００〜５５０ｎｍで高透過率となることが好ましい。また、波長７００〜８００ｎｍの範囲の少なくとも１点での光透過率が２０％以下であることが好ましく、波長７００〜８００ｎｍの全ての範囲での光透過率が２０％以下であることがさらに好ましい。
近赤外線カットフィルタの膜厚は、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、５００μｍ以下が好ましく、３００μｍ以下がより好ましく、２５０μｍ以下がさらに好ましく、２００μｍ以下が特に好ましい。膜厚の下限は、例えば、０．１μｍ以上が好ましく、０．２μｍ以上がより好ましく、０．５μｍ以上がより好ましい。

本発明の膜及び近赤外線カットフィルタは、２００℃で５分間加熱した前後における、下式で表される波長４００ｎｍにおける吸光度の変化率が６％以下であることが好ましく、３％以下であることが特に好ましい。また、２００℃で５分間加熱した前後における、下式で表される波長８００ｎｍにおける吸光度の変化率が６％以下であることが好ましく、３％以下であることが特に好ましい。吸光度の変化率が上記範囲であれば、耐熱性に優れ、加熱による着色が抑制された近赤外線カットフィルタとすることができる。
波長４００ｎｍにおける吸光度の変化率（％）＝｜（試験前における波長４００ｎｍの吸光度−試験後における波長４００ｎｍの吸光度）／試験前における波長４００ｎｍの吸光度｜×１００（％）
波長８００ｎｍにおける吸光度の変化率（％）＝｜（試験前における波長８００ｎｍの吸光度−試験後における波長８００ｎｍの吸光度）／試験前における波長８００ｎｍの吸光度｜×１００（％）

近赤外線カットフィルタは、本発明の膜の他に、更に、紫外・赤外光反射膜や、紫外線吸収層を有していてもよい。紫外・赤外光反射膜を有することで、入射角依存性を改良する効果が得られる。紫外・赤外光反射膜としては、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落００３３〜００３９、ＷＯ２０１５／０９９０６０号の段落０１１０〜０１１４に記載の反射層を参酌することができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。紫外線吸収層を有することで、紫外線遮蔽性に優れた近赤外線カットフィルタとすることができる。紫外線吸収層としては、例えば、ＷＯ２０１５／０９９０６０号の段落００４０〜００７０、０１１９〜０１４５に記載の吸収層を参酌でき、この内容は本願明細書に組み込まれることとする。

本発明の膜及び近赤外線カットフィルタは、近赤外線を吸収・カットする機能を有するレンズ（デジタルカメラや携帯電話や車載カメラ等のカメラ用レンズ、ｆ−θレンズ、ピックアップレンズ等の光学レンズ）および半導体受光素子用の光学フィルタ、省エネルギー用に熱線を遮断する近赤外線吸収フィルムや近赤外線吸収板、太陽光の選択的な利用を目的とする農業用コーティング剤、近赤外線の吸収熱を利用する記録媒体、電子機器用や写真用近赤外線フィルタ、保護めがね、サングラス、熱線遮断フィルム、光学文字読み取り記録、機密文書複写防止用、電子写真感光体、レーザー溶着、などに用いられる。またＣＣＤカメラ用ノイズカットフィルター、ＣＭＯＳイメージセンサ用フィルタとしても有用である。

＜近赤外線カットフィルタの製造方法＞
本発明の近赤外線カットフィルタは、本発明の近赤外線吸収組成物を用いて製造できる。具体的には、本発明の近赤外線吸収組成物を支持体などに適用して近赤外線吸収組成物層を形成する工程、近赤外線吸収組成物層を乾燥する工程を経て製造できる。膜厚、積層構造などについては、目的に応じて適宜選択することができる。また、更にパターンを形成する工程を行ってもよい。

近赤外線吸収組成物層を形成する工程において、近赤外線吸収組成物の適用方法としては、公知の方法を用いることができる。例えば、滴下法（ドロップキャスト）；スリットコート法；スプレー法；ロールコート法；回転塗布法（スピンコーティング）；流延塗布法；スリットアンドスピン法；プリウェット法（たとえば、特開２００９−１４５３９５号公報に記載されている方法）；インクジェット（例えばオンデマンド方式、ピエゾ方式、サーマル方式）、ノズルジェット等の吐出系印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、反転オフセット印刷、メタルマスク印刷法などの各種印刷法；金型等を用いた転写法；ナノインプリント法などが挙げられる。インクジェットによる適用方法としては、近赤外線吸収組成物を吐出可能であれば特に限定されず、例えば「広がる・使えるインクジェット−特許に見る無限の可能性−、２００５年２月発行、住べテクノリサーチ」に示された特許公報に記載の方法（特に１１５ページ〜１３３ページ）や、特開２００３−２６２７１６、特開２００３−１８５８３１、特開２００３−２６１８２７、特開２０１２−１２６８３０、特開２００６−１６９３２５などにおいて、吐出する組成物を本発明の近赤外線吸収組成物に置き換える方法が挙げられる。滴下法（ドロップキャスト）の場合、所定の膜厚で、均一な膜が得られるように、支持体上にフォトレジストを隔壁とする近赤外線吸収組成物の滴下領域を形成することが好ましい。近赤外線吸収組成物の滴下量および固形分濃度、滴下領域の面積を調整することで、所望の膜厚が得られる。乾燥後の膜の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。

支持体は、ガラスなどの透明基板であってもよい。また、固体撮像素子であってもよい。また、固体撮像素子の受光側に設けられた別の基板であってもよい。また、固体撮像素子の受光側に設けられた平坦化層等の層であっても良い。

近赤外線吸収組成物層を乾燥する工程において、乾燥条件としては、各成分、溶剤の種類、使用割合等によっても異なる。例えば、６０〜１５０℃の温度で、３０秒間〜１５分間が好ましい。

パターンを形成工程としては、例えば、本発明の近赤外線吸収組成物を支持体上に適用して膜状の組成物層（近赤外線吸収組成物層）を形成する工程と、組成物層をパターン状に露光する工程と、未露光部を現像除去してパターンを形成する工程とを含む方法などが挙げられる。パターンを形成する工程としては、フォトリソグラフィ法でパターン形成してもよいし、ドライエッチング法でパターンを形成してもよい。

近赤外線カットフィルタの製造方法において、その他の工程を含んでいても良い。その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、基材の表面処理工程、前加熱工程（プリベーク工程）、硬化処理工程、後加熱工程（ポストベーク工程）などが挙げられる。

＜＜前加熱工程・後加熱工程＞＞
前加熱工程および後加熱工程における加熱温度は、８０〜２００℃が好ましい。上限は１５０℃以下が好ましい。下限は９０℃以上が好ましい。また、前加熱工程および後加熱工程における加熱時間は、３０〜２４０秒が好ましい。上限は１８０秒以下が好ましい。下限は６０秒以上が好ましい。

＜＜硬化処理工程＞＞
硬化処理工程を行うことにより、近赤外線カットフィルタの機械的強度が向上する。硬化処理工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、露光処理、加熱処理などが好適に挙げられる。ここで、本発明において「露光」とは、各種波長の光のみならず、電子線、Ｘ線などの放射線照射をも包含する意味で用いられる。

露光は放射線の照射により行うことが好ましく、露光に際して用いることができる放射線としては、特に、電子線、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ｇ線、ｈ線、ｉ線等の紫外線や可視光が好ましく用いられる。露光方式としては、ステッパー露光や、高圧水銀灯による露光などが挙げられる。露光量は５〜３０００ｍＪ／ｃｍ²が好ましい。上限は、２０００ｍＪ／ｃｍ²以下が好ましく、１０００ｍＪ／ｃｍ²以下がより好ましい。下限は、１０ｍＪ／ｃｍ²以上が好ましく、５０ｍＪ／ｃｍ²以上がより好ましい。露光処理の方法としては、例えば、形成された膜の全面を露光する方法が挙げられる。全面露光により架橋性分の架橋反応が促進され、膜の硬化が更に進行し、機械的強度、耐久性が改良される。露光装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、超高圧水銀灯などの紫外線露光機が好適に挙げられる。

加熱処理の方法としては、形成された上記膜の全面を加熱する方法が挙げられる。加熱処理により、パターンの膜強度が高められる。加熱温度は、１００〜２６０℃が好ましい。下限は１２０℃以上が好ましく、１６０℃以上がより好ましい。上限は２４０℃以下が好ましく、２２０℃以下がより好ましい。加熱温度が上記範囲であれば、強度に優れた膜が得られやすい。加熱時間は、１〜１８０分が好ましい。下限は３分以上が好ましい。上限は１２０分以下が好ましい。加熱装置としては、特に制限はなく、公知の装置の中から、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドライオーブン、ホットプレート、赤外線ヒーターなどが挙げられる。

＜固体撮像素子、カメラモジュール＞
本発明の固体撮像素子は、本発明の膜又は近赤外線カットフィルタを含む。また、本発明のカメラモジュールは、本発明の膜又は近赤外線カットフィルタを含む。

図１は、本発明の実施形態に係る近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュールの構成を示す概略断面図である。
図１に示すカメラモジュール１０は、固体撮像素子１１と、固体撮像素子１１の主面側（受光側）に設けられた平坦化層１２と、近赤外線カットフィルタ１３と、近赤外線カットフィルタ１３の上方に配置され内部空間に撮像レンズ１４を有するレンズホルダー１５と、を備える。カメラモジュール１０は、外部からの入射光ｈνが、撮像レンズ１４、近赤外線カットフィルタ１３、平坦化層１２を順次透過した後、固体撮像素子１１の撮像素子部に到達するようになっている。

固体撮像素子１１は、例えば、基板１６の主面（図１において上側）に、フォトダイオード（図示せず）、層間絶縁膜（図示せず）、ベース層（図示せず）、カラーフィルタ１７、オーバーコート（図示せず）、マイクロレンズ１８をこの順に備えている。カラーフィルタ１７（赤色のカラーフィルタ、緑色のカラーフィルタ、青色のカラーフィルタ）やマイクロレンズ１８は、固体撮像素子１１に対応するように、それぞれ配置されている。なお、平坦化層１２の表面に近赤外線カットフィルタ１３が設けられる代わりに、マイクロレンズ１８の表面、ベース層とカラーフィルタ１７との間、または、カラーフィルタ１７とオーバーコートとの間に、近赤外線カットフィルタ１３が設けられる形態であってもよい。例えば、近赤外線カットフィルタ１３は、マイクロレンズ１８表面から２ｍｍ以内（より好ましくは１ｍｍ以内）の位置に設けられていてもよい。この位置に設けると、近赤外線カットフィルタ１３を形成する工程が簡略化でき、マイクロレンズ１８への不要な近赤外線を十分にカットすることができるので、赤外線遮蔽性をより高めることができる。

本発明の膜及び近赤外線カットフィルタは、耐熱性に優れるため、半田リフロー工程に供することができる。半田リフロー工程によりカメラモジュールを製造することによって、半田付けを行うことが必要な電子部品実装基板等の自動実装化が可能となり、半田リフロー工程を用いない場合と比較して、生産性を格段に向上することができる。更に、自動で行うことができるため、低コスト化を図ることもできる。半田リフロー工程に供される場合、２５０〜２７０℃程度の温度にさらされることとなるため、近赤外線カットフィルタは、半田リフロー工程に耐え得る耐熱性（以下、「耐半田リフロー性」ともいう。）を有することが好ましい。本明細書中で、「耐半田リフロー性を有する」とは、１８０℃で１分間の加熱を行う前後で近赤外線カットフィルタとしての特性を保持することをいう。より好ましくは、２３０℃で１０分間の加熱を行う前後で特性を保持することである。更に好ましくは、２５０℃で３分間の加熱を行う前後で特性を保持することである。耐半田リフロー性を有しない場合には、上記条件で保持した場合に、近赤外線カットフィルタの赤外線遮蔽性が低下したり、膜としての機能が不十分となる場合がある。
カメラモジュールは、更に、紫外線吸収層を有することもできる。この態様によれば、紫外線遮蔽性を高めることができる。紫外線吸収層は、例えば、ＷＯ２０１５／０９９０６０号の段落００４０〜００７０、０１１９〜０１４５の記載を参酌でき、この内容は本願明細書に組み込まれることする。また、後述する紫外・赤外光反射膜を更に有することもできる。紫外線吸収層と紫外・赤外光反射膜は、両者を併用してもよく、いずれか一方のみであってもよい。

図２〜４は、カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタ周辺部分の一例を示す概略断面図である。

図２に示すように、カメラモジュールは、固体撮像素子１１と、平坦化層１２と、紫外・赤外光反射膜１９と、透明基材２０と、近赤外線吸収層（近赤外線カットフィルタ）２１と、反射防止層２２とをこの順に有していてもよい。紫外・赤外光反射膜１９は、近赤外線カットフィルタの機能を付与または高める効果を有し、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落００３３〜００３９、ＷＯ２０１５／０９９０６０号の段落０１１０〜０１１４を参酌することができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。透明基材２０は、可視領域の波長の光を透過するものであり、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落００２６〜００３２を参酌することができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。近赤外線吸収層２１は、上述した本発明の近赤外線吸収組成物を塗布することにより形成することができる。反射防止層２２は、近赤外線カットフィルタに入射する光の反射を防止することにより透過率を向上させ、効率よく入射光を利用する機能を有するものであり、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落００４０を参酌することができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。

図３に示すように、カメラモジュールは、固体撮像素子１１と、近赤外線吸収層（近赤外線カットフィルタ）２１と、反射防止層２２と、平坦化層１２と、反射防止層２２と、透明基材２０と、紫外・赤外光反射膜１９とをこの順に有していてもよい。

図４に示すように、カメラモジュールは、固体撮像素子１１と、近赤外線吸収層（近赤外線カットフィルタ）２１と、紫外・赤外光反射膜１９と、平坦化層１２と、反射防止層２２と、透明基材２０と、反射防止層２２とをこの順に有していてもよい。

＜画像表示装置＞
画像表示装置は、本発明の膜又は近赤外線カットフィルタを有する。本発明の膜及び近赤外線カットフィルタは、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示装置などの画像表示装置に用いることもできる。例えば、各着色画素（例えば赤色、緑色、青色）とともに用いることにより、表示装置のバックライト（例えば白色発光ダイオード（白色ＬＥＤ））に含まれる赤外光を遮断し、周辺機器の誤作動を防止する目的や、各着色表示画素に加えて赤外の画素を形成する目的で用いることが可能である。

表示装置の定義や各表示装置の詳細については、例えば「電子ディスプレイデバイス（佐々木 昭夫著、（株）工業調査会 １９９０年発行）」、「ディスプレイデバイス（伊吹 順章著、産業図書（株）平成元年発行）」などに記載されている。また、液晶表示装置については、例えば「次世代液晶ディスプレイ技術（内田 龍男編集、（株）工業調査会 １９９４年発行）」に記載されている。本発明が適用できる液晶表示装置に特に制限はなく、例えば、上記の「次世代液晶ディスプレイ技術」に記載されている色々な方式の液晶表示装置に適用できる。

画像表示装置は、白色有機ＥＬ素子を有するものであってもよい。白色有機ＥＬ素子としては、タンデム構造であることが好ましい。有機ＥＬ素子のタンデム構造については、特開２００３−４５６７６号公報、三上明義監修、「有機ＥＬ技術開発の最前線−高輝度・高精度・長寿命化・ノウハウ集−」、技術情報協会、３２６−３２８ページ、２００８年などに記載されている。有機ＥＬ素子が発光する白色光のスペクトルは、青色領域（４３０ｎｍ−４８５ｎｍ）、緑色領域（５３０ｎｍ−５８０ｎｍ）及び黄色領域（５８０ｎｍ−６２０ｎｍ）に強い極大発光ピークを有するものが好ましい。これらの発光ピークに加え更に赤色領域（６５０ｎｍ−７００ｎｍ）に極大発光ピークを有するものがより好ましい。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」、「％」は、質量基準である。

＜重量平均分子量（Ｍｗ）の測定＞
重量平均分子量（Ｍｗ）は、以下の方法で測定した。
カラムの種類：ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＡＷＭ―Ｈ（東ソー（株）製、６．０ｍｍ（内径）×１５．０ｃｍ）
展開溶媒：１０ｍｍｏｌ／Ｌ リチウムブロミドＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリジノン）溶液カラム温度：４０℃流量（サンプル注入量）：１０μＬ装置名：ＨＬＣ−８２２０（東ソー（株）製）
検量線ベース樹脂：ポリスチレン

＜樹脂のラジカル発生温度の測定＞
樹脂のラジカル発生温度は、電子スピン共鳴法（ＥＳＲ）の方法で測定した。
ＥＳＲ測定には、ＢｒｕｋｅｒＢｉｏｓｐｉｎ社製ＥＭＸを用い、Ｘ−ｂａｎｄ （９．４ ＧＨｚ） のマイクロ波で測定した。加熱測定には同社製温度可変ユニットＥＲ４１３１ＶＴを用いた。

＜近赤外線吸収組成物の調製＞
下記に示す材料を下記表に示す配合量で混合して、近赤外線吸収組成物を調製した。なお、表中に示す各成分の割合は、固形分中の割合（質量％）である。

（銅化合物）
Ｃｕ１：下記構造

メタノール中で下記化合物（Ａ２−１４）と塩化銅（ＩＩ）二水和物（和光純薬製）とを１：１のモル比で混合し、１０分間撹拌した。この反応液を減圧乾固させて固形物を得た。得られた固形物を水に溶解させ、撹拌しながら、この溶解液に過剰量のテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸リチウム（東京化成製）水溶液を加えた。析出した固体を濾過により回収し、銅錯体Ｃｕ１を得た。

Ｃｕ２：下記構造

フラスコに、下記化合物Ａ３−２３を３８ｍｇ、メタノールを１ｍＬ加え、室温で撹拌しながら、この溶液に塩化銅（ＩＩ）二水和物（和光純薬製）３４ｍｇを導入し、１０分間撹拌した。得られた青色溶液を減圧乾固することにより、銅錯体Ｃｕ２を緑色固体として得た。「ｒｔ」は、室温を示す。

Ｃｕ３：下記構造

フラスコに、酢酸銅（ＩＩ）一水和物（和光純薬製）（Ｃｕ（ＯＡｃ）₂・Ｈ₂０）１．９９ｇと、下記化合物Ａ３−５９（和光純薬製）１．６７ｇと、メタノール（ＭｅＯＨ）２０ｍＬとを導入し、１０分間加熱還流した。ここに下記化合物Ａ２−１５（東京化成製）１．８４ｇを加え、更に１０分間加熱還流した。溶媒を５ｍＬ程度まで減圧濃縮した後、水を２０ｍＬ加えた。これによって析出した固体を濾過により回収し、銅錯体Ｃｕ３を青色固体として得た。

Ｃｕ４：下記化合物を配位子として有する銅錯体。

Ｃｕ５：下記化合物を配位子として有する銅錯体。

Ｃｕ６：下記構造

リチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの代わりにリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（三菱マテリアル電子化成製）を用い、銅錯体Ｃｕ１と同様の方法で銅錯体Ｃｕ６を合成した。なお、反応後に水を滴下しただけでは固体が十分析出しなかったため、７０℃で減圧濃縮した後、０℃に冷却することで、銅錯体Ｃｕ６の結晶を得た。

Ｃｕ７：下記構造

リチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの代わりにカリウム１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロパン−１，３−ビス（スルホニル）イミド（三菱マテリアル電子化成製）を用い、銅錯体Ｃｕ１と同様の方法で銅錯体Ｃｕ７を合成した。なお、反応後に水を滴下しただけでは固体が十分析出しなかったため、７０℃で減圧濃縮した後、０℃に冷却することで、銅錯体Ｃｕ７の結晶を得た。

Ｃｕ８：下記構造

リチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの代わりにカリウムトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチド（セントラル硝子製）を用い、銅錯体Ｃｕ１と同様の方法で銅錯体Ｃｕ８を合成した。

Ｃｕ９：下記構造

２００ｍＬ三ツ口フラスコに、塩基性炭酸銅（銅含率５６．２％、関東化学製）０．６０ｇ、水１５ｍＬを導入し、室温で撹拌しながらトリフルオロ酢酸１．２４ｇを滴下し、メタノール５ｍＬを導入し、６０℃で３０分間撹拌した。ここにトリス［２−（ジメチルアミノ）エチル］アミン（Ｍｅ₆ｔｒｅｎ）（東京化成製）１．３４ｇを滴下し、メタノール５ｍＬを導入し、０℃で３０分間撹拌した後、さらにメタノール５０ｍＬを導入した。リチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（水分８．０重量％含有、東ソーファインケム製）３．５６ｇをメタノール１０ｍＬに溶解させ、この溶液を反応液に滴下し、６０℃で３０分間撹拌した。水３５ｍＬを滴下し、析出した固体を濾過により回収することで、銅錯体Ｃｕ９を青色固体として得た。

（樹脂）
Ｐ１：ＤＭＳＭＡ：ＤＭＡＡｍ＝４３：５７（ｍｏｌ％）（Ｍｗ＝７，０００、ラジカル検出温度＝１８０℃）
Ｐ２：ポリＤＭＡＡｍ（Ｍｗ＝８，０００、ラジカル検出温度＝１９０℃）
Ｐ３：ポリＤＥＡＡｍ（Ｍｗ＝７，０００、ラジカル検出温度＝１９０℃）
Ｐ４：ＶＤＭＳ：ＤＭＡＡｍ＝４３：５７（ｍｏｌ％）（Ｍｗ＝５，０００、ラジカル検出温度＝１８０℃）
Ｐ５：ＤＭＳＭＡ：ＰｈＭＩ＝４３：５７（ｍｏｌ％）（Ｍｗ＝１２，０００、ラジカル検出温度＝１８０℃）
Ｐ６：ＤＭＳＭＡ：ｃＨＭＩ＝４３：５７（ｍｏｌ％）（Ｍｗ＝１０，０００、ラジカル検出温度＝１８０℃）
Ｐ７：ＤＭＳＭＡ：ＭＭＩ＝４３：５７（ｍｏｌ％）（Ｍｗ＝７，０００、ラジカル検出温度＝１８０℃）
Ｐ８：ＤＭＳＭＡ：ＡＮ＝４３：５７（ｍｏｌ％）（Ｍｗ＝１４，０００、ラジカル検出温度＝１８０℃）
Ｐ９：ＤＭＳＭＡ：ＮＶＰ＝４３：５７（ｍｏｌ％）（Ｍｗ＝７，０００、ラジカル検出温度＝１８０℃）
Ｐ１０：ＤＭＳＭＡ：ＮＶＡＡｍ＝４３：５７（ｍｏｌ％）（Ｍｗ＝６，０００、ラジカル検出温度＝１８０℃）
Ｐ１１：ＤＭＳＭＡ：β−ＢＬＭＡ＝４３：５７（ｍｏｌ％）（Ｍｗ＝８，０００、ラジカル検出温度＝１８０℃）
Ｐ１２：ＤＭＳＭＡ：ＰＣＭＡ＝４３：５７（ｍｏｌ％）（Ｍｗ＝１０，０００、ラジカル検出温度＝１８０℃）
Ｐ１３：下記構造（ｎ：ｍ＝４３：５７（モル比）、Ｍｗ＝８，０００、ラジカル検出温度＝１８０℃）

ＤＭＳＭＡ：メタクリル酸３−（ジメトキシメチルシリル）プロピル
ＶＤＭＳ：ジメトキシメチルビニルシラン
ＤＭＡＡｍ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド
ＤＥＡＡｍ：Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド
ＰｈＭＩ：Ｎ−フェニルマレイミド
ｃＨＭＩ：Ｎ−シクロヘキシルマレイミド
ＭＭＩ：Ｎ−メチルマレイミド
ＡＮ：アクリロニトリル
ＮＶＰ：Ｎ−ビニルピロリドン
ＮＶＡＡｍ：Ｎ−ビニルアセトアミド
β−ＢＬＭＡ：メタクリル酸β−ラクトン
ＰＣＭＡ：メタクリル酸プロピレンカーボネート

（ラジカルトラップ剤）
Ｒ１〜Ｒ１１：下記構造

（ラジカルトラップ剤Ｒ８の合成方法）
３００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、化合物Ｒ８−ａ（東京化成製）５．０７ｇと、トリエチルアミン３．２１ｇと、テトラヒドロフラン（脱水）１００ｍＬとを導入し、０℃で攪拌しながら、シクロヘキサンカルボニルクロリド（東京化成製）４．２７ｇを滴下し、室温に昇温して１時間攪拌した。ここに水を１５０ｍＬ加えることで固体を析出させ、析出した固体を濾過により回収し、Ｒ８−ｂを白色固体として７．８ｇ得た。

２００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、化合物Ｒ８−ｂを３．０１ｇと、テトラヒドロフランとを６０ｍＬ導入し、０℃で攪拌しながら、濃塩酸（３７ｗｔ％）を１．６６ｍＬ滴下し、０℃で３０分間攪拌した。ここに亜硝酸ヘキシル（東京化成製）１．４４ｇと、テトラヒドロフラン４ｍＬとを導入し、室温で８時間攪拌した。この反応液に水を加え、酢酸エチルで３回分液抽出することにより有機相を得た。得られた有機相を、無水硫酸マグネシウムで予備乾燥した後に減圧濃縮し、茶色オイルを得た。得られた茶色オイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン混合液）により精製して、化合物Ｒ８−ｃを１．０７ｇ得た。

１００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、化合物Ｒ８−ｃを０．３３ｇと、トリエチルアミンを０．２０ｇと、テトラヒドロフラン（脱水）を１０ｍＬとを導入し、０℃で攪拌しながら、塩化ベンジルを０．１６ｇ滴下し、室温に昇温し、４時間攪拌した。反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を導入し、酢酸エチルで３回分液抽出して有機相を得た。得られた有機相を、無水硫酸マグネシウムで予備乾燥した後、減圧濃縮し、茶色オイルを得た。得られた茶色オイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン混合液）により精製して、化合物Ｒ８を得た。

（ラジカルトラップ剤Ｒ９の合成方法）

３００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、４’−ヒドロキシプロピオフェノン（東京化成製）７．５ｇと、テトラヒドロフラン（脱水）１５０ｍＬと、トリエチルアミン８．０ｇとを導入し、０℃で撹拌しながらアジポイルクロリド（東京化成製）６．０７ｇを滴下し、室温で４時間撹拌した。水１００ｍＬを加えることで固体を析出させ、析出した固体を濾過により回収し、Ｒ９−ａを白色固体として９．１６ｇ得た。
２００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、Ｒ９−ａを４．１ｇと、テトラヒドロフラン４０ｍＬとを導入した。０℃で撹拌しながら濃塩酸３．３３ｍＬを滴下し、０℃で３０分間撹拌した。ここに亜硝酸ヘキシル２．８８ｇを滴下し、室温で５時間撹拌した。反応液に水を加え、酢酸エチルで３回分液抽出して有機相を得た。得られた有機相を、無水硫酸マグネシウムで予備乾燥し、減圧濃縮することで黄色オイルを得た。得られた黄色オイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン混合液）により精製して、化合物Ｒ９−ｂを０．６ｇ得た。
１００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、Ｒ９−ｂを０．１３ｇと、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（脱水）２０ｍＬと、トリエチルアミン（ＭＥｔ₃）０．２７ｇとを導入した。０℃で撹拌しながら２−エチルヘキサノイルクロリド（東京化成製）０．２０ｇを滴下し、室温で５時間撹拌した。反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで３回分液抽出して有機相を得た。得られた有機相を、無水硫酸マグネシウムで予備乾燥し、減圧濃縮して粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン混合液）により精製して、化合物Ｒ９を０．１２ｇ得た。

（ラジカルトラップ剤Ｒ１０の合成方法）

３００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、４’−ヒドロキシプロピオフェノン７．５ｇと、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍＬと、炭酸カリウム１４．０ｇと、ヨウ化カリウム１０．０ｇとを導入し、撹拌した。ここに、１，６−ジクロロヘキサン（東京化成製）３．７８ｇを加え、８０℃で７時間撹拌した。５００ｍＬ三ツ口フラスコに、水１００ｍＬを導入し、撹拌しながら前述の反応液を滴下した。析出した固体を濾過により回収することで、Ｒ１０−ａを白色固体として得た。
２００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、Ｒ１０−ａを３．８ｇと、テトラヒドロフラン４０ｍＬとを導入した。０℃で撹拌しながら濃塩酸３．３３ｍＬを滴下し、０℃で３０分間撹拌した。ここに亜硝酸ヘキシル２．８８ｇを滴下し、室温で７時間撹拌した。反応液に水１００ｍＬを加え、析出した固体を濾過により回収した。この粗生成物を、テトラヒドロフランで再結晶することにより精製し、化合物Ｒ１０−ｂを１．１ｇ得た。
１００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、Ｒ１０−ｂを０．６６ｇと、テトラヒドロフラン（脱水）５０ｍＬと、トリエチルアミン０．６７ｇとを導入した。０℃で撹拌しながら２−エチルヘキサノイルクロリド０．６５ｇを滴下し、室温で５時間撹拌した。反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで３回分液抽出して有機相を得た。得られた有機相を、無水硫酸マグネシウムで予備乾燥し、減圧濃縮して粗生成物。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン混合液）により精製して、化合物Ｒ１０を０．６６ｇ得た。

（ラジカルトラップ剤Ｒ１１の合成方法）

１００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、化合物Ｒ１１−ａ（東京化成製）５．００ｇと、クロロベンゼン１４．４０ｇとを加え、撹拌した。氷冷して１０℃以下に保ち、塩化アルミニウム８．０５ｇを加え、塩化プロピオニル（和光純薬工業製）５．５８ｇを加え、室温で５時間撹拌した。反応液に１０％希塩酸２７．４ｇを加え、酢酸エチルで３回分液抽出して有機相を得た。得られた有機相を、無水硫酸マグネシウムで予備乾燥した後に、減圧濃縮して粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン）により精製することで、化合物Ｒ１１−ｂを得た。
１００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、化合物Ｒ１１−ｂを４．５０ｇと、テトラヒドロフランを１６．０１ｇと加え、０℃にて撹拌した。濃塩酸（３７ｗｔ％）を６．３７ｇ滴下し、０℃で３０分間攪拌した。ここに亜硝酸ヘキシル４．４１ｇ、テトラヒドロフラン１．６ｇを導入し、室温で２時間半攪拌した。この反応液に水を加え、析出した固体を濾過により回収し、化合物Ｒ１１−ｃを得た。
１００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、化合物Ｒ１１−ｃを１．００ｇと、テトラヒドロフラン（脱水）１１．２５ｍＬと、トリエチルアミンを０．６９ｇとを加え、氷冷した。５℃以下で撹拌しながら塩化ベンジル０．９６ｇを滴下し、室温で１時間撹拌した。ここに、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１０ｍＬと、酢酸エチル１０ｍＬとを加え、析出物を濾過により回収した。この固体に酢酸エチル１５０ｍＬを加えて還流温度まで加熱し、不溶な成分を濾別した。その後、濾液を濃縮し、０℃に冷却することで結晶が析出し、Ｒ１１を０．７５ｇ得た。

（溶剤）
ＸＡＮ：シクロヘキサノン
（触媒）
Ａｌ（ａｃａｃ）₃：トリス（２，４−ペンタンジオナト）アルミニウム
（架橋性化合物）
Ｓ１：メチルトリメトキシシラン
Ｓ２：ＫＢＭ−３０６６（１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン、信越シリコーン（株）製）
Ｓ３：ＫＢＭ−９６５９（トリス−（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、信越シリコーン（株）製）

＜近赤外線カットフィルタの作製＞
上記近赤外線吸収組成物を用いて、近赤外線カットフィルタを作製した。
具体的には、得られた近赤外線吸収組成物を、ガラスウェハ上に乾燥後の膜厚が１００μｍになるようにスピンコーターを用いて塗布し、１５０℃のホットプレートを用いて３時間加熱処理を行って、近赤外線カットフィルタを製造した。

＜＜赤外遮蔽性評価＞＞
上記のようにして得た近赤外線カットフィルタにおける波長８００ｎｍの透過率を分光光度計Ｕ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定した。赤外遮蔽性を以下の基準で評価した。結果を以下の表に示す。
Ａ：８００ｎｍの透過率≦５％
Ｂ：５％＜８００ｎｍの透過率≦７％
Ｃ：７％＜８００ｎｍの透過率≦１０％
Ｄ：１０％＜８００ｎｍの透過率

＜＜可視透明性評価＞＞
上記のようにして得た近赤外線カットフィルタにおける波長４００〜５５０ｎｍの透過率を分光光度計Ｕ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定した。可視透明性を以下の基準で評価した。結果を以下の表に示す。
Ａ：９７％≦波長４００〜５５０ｎｍの透過率の最小値
Ｂ：９５％≦波長４００〜５５０ｎｍの透過率の最小値＜９７％
Ｃ：８５％≦波長４００〜５５０ｎｍの透過率の最小値＜９５％
Ｄ：波長４００〜５５０ｎｍの透過率の最小値＜８５％

＜＜耐熱性（高温短時間）評価＞＞
上記のようにして得た近赤外線カットフィルタを２００℃で５分間放置した（耐熱性試験）。耐熱性試験前と耐熱性試験後とのそれぞれにおいて、４００ｎｍにおける吸光度を測定し、（（耐熱性試験後における吸光度−耐熱性試験前における吸光度）／耐熱性試験前における吸光度）×１００（％）で表される４００ｎｍの吸光度の変化率を求めた。耐熱性を以下の基準で評価した。吸光度の測定には、分光光度計Ｕ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いた。
Ａ：吸光度の変化率≦３％
Ｂ：３％＜吸光度の変化率≦６％
Ｃ：６％＜吸光度の変化率≦１０％
Ｄ：１０％＜吸光度の変化率

＜＜耐熱性（低温長時間）評価＞＞
上記のようにして得た近赤外線カットフィルタを１５０℃で２０時間放置した（耐熱性試験）。耐熱性試験前と耐熱性試験後とのそれぞれにおいて、４００ｎｍにおける吸光度を測定し、（（耐熱性試験後における吸光度−耐熱性試験前における吸光度）／耐熱性試験前における吸光度）×１００（％）で表される４００ｎｍの吸光度の変化率を求めた。耐熱性を以下の基準で評価した。吸光度の測定には、分光光度計Ｕ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いた。
Ａ：吸光度の変化率≦３％
Ｂ：３％＜吸光度の変化率≦６％
Ｃ：６％＜吸光度の変化率≦１０％
Ｄ：１０％＜吸光度の変化率

＜＜耐湿性評価＞＞
上記のようにして得た近赤外線カットフィルタを８５℃／相対湿度８５％の高温高湿下で１時間放置した（耐湿性試験）。耐湿性試験前と耐湿性試験後とのそれぞれにおいて、近赤外線カットフィルタの波長７００〜１４００ｎｍにおける最大吸光度（Ａｂｓλｍａｘ）と、波長４００〜７００ｎｍにおける最小吸光度（Ａｂｓλｍｉｎ）とを、分光光度計Ｕ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定し、「Ａｂｓλｍａｘ／Ａｂｓλｍｉｎ」で表される吸光度比を求めた。｜（耐湿性試験前における吸光度比−耐湿性試験後における吸光度比）／耐湿性試験前における吸光度比×１００｜（％）で表される吸光度比変化率を以下の基準で評価した。
Ａ：吸光度比変化率≦２％
Ｂ：２％＜吸光度比変化率≦４％
Ｃ：４％＜吸光度比変化率≦７％
Ｄ：７％＜吸光度比変化率

＜＜耐溶剤性評価＞＞
上記のようにして得た近赤外線カットフィルタを、２５℃のメチルプロピレングリコール（ＭＦＧ）中に、２分間浸漬した（耐溶剤性試験）。耐溶剤性試験前と耐溶剤性試験後とのそれぞれにおいて、近赤外線カットフィルタの波長８００ｎｍにおける吸光度を測定し、波長８００ｎｍにおける吸光度の変化率を、下式より求めた。吸光度の測定には、分光光度計Ｕ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いた。
波長８００ｎｍにおける吸光度の変化率（％）＝｜（耐溶剤性試験前における波長８００ｎｍの吸光度−耐溶剤性試験後における波長８００ｎｍの吸光度）／耐溶剤性試験前における波長８００ｎｍの吸光度｜×１００（％）
耐溶剤性を以下の基準で評価した。
Ａ：吸光度比変化率≦２％
Ｂ：２％＜吸光度比変化率≦４％
Ｃ：４％＜吸光度比変化率≦７％
Ｄ：７％＜吸光度比変化率

上記結果より、実施例は、加熱による着色が少なく、耐熱性に優れていた。これに対し、比較例は、加熱による着色があり、耐熱性が劣っていた。

実施例１〜３７の近赤外線カットフィルタの作製において、ガラスウェハ上にＷＯ２０１５／０９９０６０号の段落０１１９〜０１４０に記載の紫外線吸収体を含む層を形成した。この紫外線吸収体を含む層の表面に、実施例１〜３７の近赤外線吸収組成物を、乾燥後の膜厚が１００μｍになるようにスピンコーターを用いて塗布し、１５０℃のホットプレートを用いて３時間加熱処理を行って、近赤外線カットフィルタを作製した。このように作製した近赤外線カットフィルタも、耐熱性に優れていた。

１０ カメラモジュール、１１ 固体撮像素子、１２ 平坦化層、１３ 近赤外線カットフィルタ、１４ 撮像レンズ、１５ レンズホルダー、１６ 基板、１７ カラーフィルタ、１８ マイクロレンズ、１９ 紫外・赤外光反射膜、２０ 透明基材、２１
近赤外線吸収層、２２ 反射防止層

Claims (17)

1. 銅化合物と、ラジカルトラップ剤と、１８０℃以上でラジカルを発生する樹脂と、を含む近赤外線吸収組成物。
2. 前記銅化合物は、水素原子が結合した炭素原子を有する化合物を配位子として有する銅錯体である、請求項１に記載の近赤外線吸収組成物。
3. 前記銅化合物は、非共有電子対で配位する配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体である、請求項１または２に記載の近赤外線吸収組成物。
4. 前記銅化合物は、少なくとも２つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の近赤外線吸収組成物。
5. 前記ラジカルトラップ剤が、オキシム化合物、ヒンダードアミン化合物、ヒンダードフェノール化合物、硫黄系過酸化物分解物、リン系過酸物分解剤、Ｎ−オキシル化合物、アルキルフェノン化合物、アルデヒド化合物およびヒドロキシルアミン化合物から選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の近赤外線吸収組成物。
6. 前記ラジカルトラップ剤が、下式（Ｉ）で表される化合物である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の近赤外線吸収組成物；
   
   式中、Ａｒ¹⁰⁰は、アリール基またはヘテロ環基を表し、Ｒ¹⁰⁰およびＲ¹⁰¹は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。
7. 前記ラジカルトラップ剤は、アミド型構造を有するオキシム化合物である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の近赤外線吸収組成物。
8. 前記ラジカルトラップ剤は、一分子中に、下式（ＯＸ）で表される部分構造を２以上有するオキシム化合物である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の近赤外線吸収組成物；
   
   式中、Ｒ^OXは、アルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表し、波線は、オキシム化合物を構成する原子団との連結位置を表す。
9. 前記ラジカルトラップ剤を、前記近赤外線吸収組成物の全固形分中に、０．１〜３０質量％含有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の近赤外線吸収組成物。
10. 前記銅化合物を、前記近赤外線吸収組成物の全固形分中に、２５〜７５質量％含有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の近赤外線吸収組成物。
11. 前記１８０℃以上でラジカルを発生する樹脂が、繰り返し単位の主鎖または側鎖に、下記（ａ）または（ｂ）で表される部分構造を有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の近赤外線吸収組成物；
    
    式中、波線は、樹脂の繰り返し単位を構成する原子団との連結位置を表す。
12. 前記１８０℃以上でラジカルを発生する樹脂が、下記式（Ａ）で表される繰り返し単位を有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の近赤外線吸収組成物；
    
    式中Ｒ¹は、水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ¹〜Ｌ³は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表し、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基、または、芳香族基を表す；
    Ｒ²は、繰り返し単位の主鎖の炭素原子またはＲ³と結合して環を形成してもよい；
    Ｌ²は、繰り返し単位の主鎖の炭素原子と結合して環を形成してもよい；ただし、Ｌ²が、繰り返し単位の主鎖の炭素原子と結合して環を形成する場合は、Ｒ²は存在しない。
13. 前記１８０℃以上でラジカルを発生する樹脂が、架橋性基を有する繰り返し単位を含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の近赤外線吸収組成物。
14. 前記１８０℃以上でラジカルを発生する樹脂以外の成分として、更に、架橋性基を有する化合物を含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の近赤外線吸収組成物。
15. 請求項１〜１４のいずれか１項に記載の近赤外線吸収組成物を用いてなる膜。
16. 請求項１〜１４のいずれか１項に記載の近赤外線吸収組成物を用いてなる近赤外線カットフィルタ。
17. 請求項１６に記載の近赤外線カットフィルタを有する、固体撮像素子。