JPWO2017037757A1 - Surface treatment equipment - Google Patents
Surface treatment equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2017037757A1 JPWO2017037757A1 JP2017537035A JP2017537035A JPWO2017037757A1 JP WO2017037757 A1 JPWO2017037757 A1 JP WO2017037757A1 JP 2017537035 A JP2017537035 A JP 2017537035A JP 2017537035 A JP2017537035 A JP 2017537035A JP WO2017037757 A1 JPWO2017037757 A1 JP WO2017037757A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface treatment
- tank body
- opening
- treatment apparatus
- side plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F7/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects; Servicing or operating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
【課題】 多様化する被処理材に作業効率良く対応可能な表面処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明の表面処理装置は、被処理材表面を処理液に接触させて所要の表面処理をする表面処理装置であって、側壁の一部が切欠かれた側壁開口部を有し前記処理液を内部に貯めるための槽本体と、前記側壁開口部に着脱自在に設けられ表面処理時に前記被処理材の表面が前記槽本体内に臨む処理用開口部を有する交換側板と、前記被処理材を保持し移動して前記被処理材の表面が前記処理用開口部を介して前記槽本体内に臨むように支持する支持機構とを有することを特徴とする。
【選択図】 図1PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface treatment apparatus capable of dealing with diversified materials to be processed efficiently.
A surface treatment apparatus according to the present invention is a surface treatment apparatus that performs a required surface treatment by bringing a surface of a material to be treated into contact with a treatment liquid, and has a side wall opening portion in which a part of the side wall is cut out. A tank body for storing the processing liquid therein, a replacement side plate that is detachably provided in the side wall opening and has a processing opening in which the surface of the material to be treated faces the tank body during surface treatment, It has a support mechanism which holds and moves the material to be treated and supports the surface of the material to be treated so as to face the inside of the tank body through the processing opening.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は所要の処理液を用いて被処理材の表面に対する、めっき処理やエッチング処理などの表面処理を行う表面処理装置に関する。 The present invention relates to a surface treatment apparatus for performing a surface treatment such as a plating treatment or an etching treatment on a surface of a material to be treated using a required treatment liquid.
めっき処理を行うめっき装置として、最近では、膜厚分布の均一性に優れ、めっき液中の気泡による不良発生が抑えられる方式として、被めっき処理材をめっき槽内のめっき液に垂直に立てるように設置する縦型方式が知られている(例えば、特許文献1,2を参照)。 As a plating apparatus that performs plating treatment, recently, as a method that has excellent uniformity in film thickness distribution and suppresses the occurrence of defects due to bubbles in the plating solution, the material to be plated should be placed perpendicular to the plating solution in the plating tank. A vertical system is known that is installed in (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
しかしながら、縦型方式のめっき装置では、被めっき処理材を搬送したり、被めっき処理材の表面をめっき液に臨ませるための保持部材やアクチュエーターが必要となり、被めっき処理材を保持するための冶具なども必要とされる。このような縦型方式のめっき装置では、自動化を図る場合に、機構部分を制御することが行われるが、色々な被めっき処理材に対応するためには、めっき槽自体を交換して、機構部分に合わせることも行われ、作業効率が良くないなどの問題が生じている。 However, in the vertical type plating apparatus, a holding member and an actuator are required for transporting the material to be plated and for allowing the surface of the material to be plated to face the plating solution, and for holding the material to be plated. Jigs are also required. In such a vertical type plating apparatus, the mechanism portion is controlled in the case of automation, but in order to cope with various materials to be plated, the plating tank itself is replaced by a mechanism. There are also problems such as poor working efficiency.
そこで本発明は上述の課題に鑑み、多様化する被処理材に作業効率良く対応可能な表面処理装置の提供を目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a surface treatment apparatus capable of dealing with diversified materials to be processed with high work efficiency.
上述の技術的な課題に鑑み、本発明の表面処理装置は、被処理材表面を処理液に接触させて所要の表面処理をする表面処理装置であって、側壁の一部が切欠かれた側壁開口部を有し前記処理液を内部に貯めるための槽本体と、前記側壁開口部に着脱自在に設けられ表面処理時に前記被処理材の表面が前記槽本体内に臨む処理用開口部を有する交換側板と、前記被処理材を保持し移動して前記被処理材の表面が前記処理用開口部を介して前記槽本体内に臨むように支持する支持機構とを有することを特徴とする。 In view of the above technical problem, the surface treatment apparatus of the present invention is a surface treatment apparatus that performs a required surface treatment by bringing a surface of a material to be treated into contact with a treatment liquid, and a side wall with a part of the side wall cut away. A tank main body having an opening for storing the processing liquid therein, and a processing opening provided detachably on the side wall opening so that the surface of the material to be processed faces the tank main body during surface treatment. It has an exchange side plate and a support mechanism that holds and moves the material to be processed and supports the surface of the material to be processed so as to face the tank body through the processing opening.
本発明の表面処理装置によれば、前記側壁開口部に着脱自在に設けられる前記交換側板を用いることから、多様化する被処理材に作業効率良く対応可能とされる。 According to the surface treatment apparatus of the present invention, since the replacement side plate that is detachably provided in the side wall opening is used, it is possible to deal with diversified materials to be processed with high work efficiency.
本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明は、本発明の幾つかの具体例であり、本発明はその態様に限定されるものではない。また、本発明は、各図に示す各構成要素の配置や寸法などについても限定されるものではない。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the following description is some specific examples of this invention, and this invention is not limited to the aspect. Further, the present invention is not limited to the arrangement and dimensions of the components shown in the drawings.
第1の実施形態
本実施形態は、めっき処理を行う縦型方式のめっき装置10の例であり、図1及び図2に示すように、このめっき装置10には、側壁20の一部が切欠かれた側壁開口部18を有しめっき液を内部に貯めるための槽本体12と、側壁開口部18に着脱自在に設けられめっき処理時に前記被処理材22の表面が槽本体12内に臨む処理用開口部24を有する交換側板14と、被処理材22を保持し移動して被処理材22の表面が処理用開口部24を介して槽本体12内に臨むように支持する支持機構16とを有している。First Embodiment This embodiment is an example of a vertical
槽本体12は、概ね矩形状の例えば塩化ビニル樹脂(PVC)などの耐液性の有る板材を加工して形成される収納器であり、面を垂直にするように配された左右の側面板20L、20R及び背面板20Bが側壁20を構成する。槽本体12の底部側には、矩形状の底面部21が配されており、この底面部21のやや背面板20Bに近い側には一対のめっき液注入排出口26a、26bが設けられており、これらめっき液注入排出口26a、26bからめっき液が槽本体12の内部に導入される。槽本体12は、その側壁20の一部が切欠かれるように構成され、槽本体12の正面側のほぼ全面を開口する形状で側壁開口部18が設けられている。この側壁開口部18に交換側板14が着脱自在に挿入される。この側壁開口部18には、左右の側面板20L、20Rの正面側の端部に垂直に延長される垂直挿入溝19L、19Rがそれぞれ形成され、底面部21の正面側の端部に水平に延長される水平挿入溝19Hを垂直挿入溝19L、19Rの端部と連続するように形成される。これら水平挿入溝19H及び垂直挿入溝19L、19Rには、それぞれ所要の液漏れ防止のためのパッキングが配される。
The
槽本体12の左右の側面板20L、20Rの上側には、それぞれ液面を維持するための開口部26c、26dが形成されており、めっき液注入排出口26a、26bから注入されためっき液の液面を維持してめっき液を循環させることができる。めっき液注入排出口26a、26bの底面部21より下の部分はL字パイプ27a、27bに接続され、さらにL字パイプ27a、27bは連結部29を介してT字パイプ30の左右開口部に接続される。従って、めっき液を導入する場合には、ポンプなどからT字パイプ30の下部開口部にめっき液を導入し、そのめっき液はT字パイプ30内で分流されて左右のめっき液注入排出口26a、26bから槽本体12内に導入される。また、槽本体12内のめっき液は例えば開口部26c、26dから図示を省略しているがフィルターやポンプに戻されるように構成されている。
On the upper side of the left and
槽本体12は矩形状に限定されず他の形状であっても良く、かならずしも直線が交差するような角を有しない曲面を持った構造であっても良い。例えば、背面、側面、底面が一体となるような形状であっても良い。開口部26c、26dには図示しないオーバーフロー槽を取り付けることもでき、さらに槽本体12の内部にめっき液を貯留する貯液槽と処理に用いられるめっきを貯める処理槽とを区分する仕切り板を配設することも可能である。
The
このような槽本体12の側壁開口部18には、選択的に取り付け可能な交換側板14が着脱自在に取り付けられる。交換側板14も前述の槽本体12と同様な例えば塩化ビニル樹脂(PVC)などの耐液性の有る板材からなる。本実施形態では、交換側板14は、交換作業の便宜性から1枚の板材からなるが、交換側板14を例えば複数枚を組み合わせた構成とすることも可能である。交換側板14の中央には、めっき処理時に被処理材の表面が槽本体12内部に臨むように開口された処理用開口部24が設けられる。この処理用開口部24は、当該交換側板14については例えば42cm角程度の正方形形状である。処理用開口部24の被処理材側の端部には、長細い線条のパッキング部材28が一周するように取り付けられおり、後述するように被処理材22がステージごと押圧された際に液漏れを防止する。交換側板14を取り外すときは、めっき液が槽本体12の内部に存在していない状態で、交換側板14を垂直上方向にスライドさせ、交換側板14の側部が垂直挿入溝19L、19Rの溝内を摺動し、交換側板14自体を槽本体12から外すことができる。また、交換側板14を槽本体12に取り付けるときは、逆に、槽本体12の垂直挿入溝19L、19Rの溝内に交換側板14の側部を挿入して上から押しこむようにし、最後に交換側板14の底部を水平挿入溝19Hに嵌合させて、交換側板14の取り付けを終了する。なお、他の交換側板14を着脱する場合も同じ作業とされる。
An
槽本体12に着脱自在とされる交換側板14と対向するように、被処理材22を保持し移動させる支持機構16が槽本体12の正面側に配設される、支持機構16は、保持部材としての概ね正方形で例えば樹脂製のステージ32と、ステージ32を処理用開口部24に対して被処理材22ごと押圧するアクチュエーター34と、水平方向に延長された軸部材36と、この軸部材36を中心に回動するフレーム部材38とを有する。
A
ステージ32には、被処理材22を保持し、且つめっき液中に浸漬した際に被処理材22の裏面側にめっき液が回り込まないようにするシール部材40が設けられている。このシール部材40のサイズは、被処理材22よりも大きく、めっき処理を行う場合には、被処理材22はステージ32上のシール部材40のほぼ中央部に載置される。この時、真空吸着により被処理材22をシール部材40に対してチャッキングするように構成することも可能である。
The
ステージ32が水平に保持される際(図2で点線で示す。)、アクチュエーター34はステージ32の下部に位置し、ステージ32が垂直に保持される際(図2で実線で示す。)、アクチュエーター34はステージ32の側部に位置する。アクチュエーター34はトルクモーター42とその軸に取り付けられたシリンダー44とを有しており、トルクモーター42への信号によってステージ32自体を処理用開口部24側に押し付けたり離したりすることができる。シリンダー44の先端には図示しない球面軸受けなどが配設され、ステージ32はシリンダー44と平行に配設されたガイド46に沿って平行に移動される。これらアクチュエーター34及びステージ32はフレーム部材38と共に軸部材36を中心に回動する。軸部材36の図示しない端部には、軸部材アクチュエーターが配設され、、軸部材アクチュエーターの作動に応じて当該支持機構16の全体が回動し、ステージ32が水平に保持される位置とステージ32が垂直に保持される位置の間を移動させる。
When the
このようなめっき装置10には、さらに図2に示すように、必要に応じて陽極板50とその陽極板50からの電界を調整するための誘電体からなる調整板52を設けている。電気めっきではない場合には、これら陽極板50等は設けなくとも良い。また、めっき装置10の槽本体12の内部には、めっき液を撹拌するための撹拌部材54が設けられる。撹拌部材54はパドル撹拌を行う部材であるが、代わりに或いは併用する形で噴流や平行流などの他の液流制御部材を配設することもできる。調整板52には、被処理材22に合わせたサイズ及び形状の開口部52aが形成され、必要な電界の調整を行う。
As shown in FIG. 2, the
めっき処理時には、ステージ32の上に被処理材22を取り付け、軸部材アクチュエーターを作動させてステージ32ごと被処理材22を水平に保持する状態から被処理材22を垂直に保持する状態にする。次いで、アクチュエーター34を作動させてシリンダ44を交換側板14の処理用開口部24側に動かし、ステージ32ごと被処理材22を処理用開口部24を介して槽本体12の内部に臨むようにする。この時、処理用開口部24の周囲に形成されたパッキング材28により、ステージ32と交換側板14の間は液が漏れないように保持される。
At the time of plating, the
この状態でポンプ等を作動させてめっき液が槽本体12内にめっき液注入排出口26a、26bから導入される。以降、陽極板50と被処理材22の間に電界を与え、撹拌部材54によりめっき液を撹拌させながら、めっき液を循環させ、所要の表面処理である電気めっきを行う。なお、被処理材22を取り出すときは、上記工程の逆に機構を作動させる。
In this state, the pump or the like is operated to introduce the plating solution into the
次に、交換側板14を交換する場合について説明すると、図3に示すように、槽本体12の内部にめっき液がない状態で且つステージ32も処理用開口部24に押圧されていない状態で、交換側板14が垂直方向の上側に摺動され、交換側板14の側部が垂直挿入溝19L、19Rの溝内を摺動し、交換側板14自体を槽本体12から外すことができる。続いて図4に示すように、他の交換側板14Aを取り付ける場合には、異なる開口部64を有する交換側板14Aが垂直挿入溝19L、19R及び水平挿入溝19Hに嵌められるように、交換側板14Aが垂直方向の下側にスライドされ、他の交換側板14Aが槽本体12に着脱自在に取り付けられる。交換側板14Aには、中央に円形に開口した処理用開口部64が設けられ、その外側周囲にパッキング材68が配設されている。
Next, the case where the
このように交換側板14を交換側板14Aへ交換することで、開口部の形状を処理用開口部24の正方形を処理用開口部64の円形に簡単に変更することができる。また、図5に示すような、4つの処理用開口部62を有する交換側板66を用意することで、複数の被処理材に対するめっき処理も可能である。
By replacing the
本実施形態に適用されるめっき処理は、電気めっきでも良く、無電解めっきでも良い。被処理材22としては、めっき処理される基板などを対象とすることができ、半導体ウエハ、ガラス板、セラミック板、有機材料基板等が挙げられる。例えば、樹脂製等の基板に金属等の導電層を形成し、パターニングしたものや、表面に微細な回路パターンが設けられたシリコンウエハ等の半導体基板、プリント基板等の電子回路用基板等が挙げられる。また、これらの基板には、ブラインドビアホール、微細配線用のトレンチ(溝)、基板を貫通するスルーホール等が混在していても良い。これらの基板のさらに具体的な例としては、ICベアチップが直接実装されるパッケージ基板などのプリント基板や、LSIなどが直接実装されるシリコンウエハ、更には半導体チップそのものの製造を目的としたシリコンウエハ基板等を挙げることができる。 The plating treatment applied to this embodiment may be electroplating or electroless plating. The material to be processed 22 can be a substrate to be plated, and examples thereof include a semiconductor wafer, a glass plate, a ceramic plate, and an organic material substrate. For example, a conductive layer made of metal or the like formed on a substrate made of resin and patterned, a semiconductor substrate such as a silicon wafer provided with a fine circuit pattern on the surface, a substrate for electronic circuits such as a printed circuit board, etc. It is done. In addition, these substrates may include blind via holes, fine wiring trenches, through-holes penetrating the substrate, and the like. More specific examples of these substrates include printed circuit boards such as package substrates on which IC bare chips are directly mounted, silicon wafers on which LSIs are directly mounted, and silicon wafers for the purpose of manufacturing semiconductor chips themselves. A substrate etc. can be mentioned.
前述の支持機構16の構造は、一例であって、ステージ32の回動動作を伴わない支持機構であっても良い。たとえば、複数の槽本体12を並べて複数個の被処理材22を一括して処理する場合では、ガイドレールなどを設けて複数の槽本体12の並ぶ方向に支持機構16が移動できる構造とすることが好ましい。
The structure of the
本実施形態の縦型方式のめっき装置10を作製し、被処理材22として240mm角の銅張り基板を準備して、ニッケルの全面めっきを行った結果を図6に示す。使用めっき液としては、株式会社JCU製のBNI(ニッケルめっき液)を使用した。電気めっき条件としては、電流密度2.0A/dm2で24分間処理したものである。形成されためっきの状態を評価するため、膜厚分析器として株式会社フィッシャーインスツルメント製の蛍光X線分析装置XDVM−μを使用して、セグメント毎の膜厚の分布を測定した。FIG. 6 shows the result of producing the
このの結果は、図6に示すものであり、最大膜厚値は9.2μm、最小膜厚値は7.6μmであり、平均膜厚は8.5μmであり面均一性は9.4%であった。従って、中央部でやや膜厚が熱くなる傾向が見られたものの周辺部でも十分な膜厚でのめっき層が形成されており、実用性が十分に得られていることが証明されている。 The results are shown in FIG. 6. The maximum film thickness value is 9.2 μm, the minimum film thickness value is 7.6 μm, the average film thickness is 8.5 μm, and the surface uniformity is 9.4%. Met. Accordingly, although a tendency that the film thickness slightly increases in the central part, a plating layer having a sufficient film thickness is formed in the peripheral part, and it is proved that practicality is sufficiently obtained.
図7、図8は本発明の第2の実施形態のめっき装置10を示す。第1の実施形態のめっき装置10の各構成部材と同じ構成部材には、同じ参照符号を付与している。めっき装置10には、先に説明したと同様の槽本体12に、処理用開口部24を有した交換側板14が着脱自在に取り付けられている。この交換側板14の処理用開口部24には、処理用開口部24のサイズとよりわずかに小さなサイズの段差部72を有するアダプター70がその段差部72で嵌合する。このような構成の第2の交換側板として機能するアダプター70を槽本体12の外側から嵌め込むことで、より小さな処理用開口部にも即座に対応することができ、同時に図示しない支持機構からの押圧に対しても液漏れを防ぐことができる。詳しくは、アダプター70と交換側板14の間には、交換側板14の処理用開口部24周りのパッキング材28が配設され、アダプター70の開口部74の周囲にも所定のパッキング材が配されていることから、これらのパッキング材により液漏れを未然に防止することができる。なお、本実施形態では、螺子止めのような締結部材を用いてアダプターを処理用開口部24に装着することも可能である。
7 and 8 show a
以上のように、本発明の表面処理装置によれば、槽本体自体を変更することなく、交換側板を交換することで、処理用開口部の形状やサイズを変えることができるため、多様化する被処理材に作業効率良く対応できるものとなる。 As described above, according to the surface treatment apparatus of the present invention, it is possible to change the shape and size of the processing opening by changing the replacement side plate without changing the tank body itself, and thus diversify. It is possible to deal with the material to be processed with high work efficiency.
上述の実施形態では、本発明の表面処理装置を主にめっき装置として説明したが、本発明はこれに限定されず、エッチング装置、前処理装置や洗浄装置などの他の処理液、処理水を扱う装置にも適用することができる。 In the above-described embodiment, the surface treatment apparatus of the present invention has been mainly described as a plating apparatus. However, the present invention is not limited to this, and other treatment liquids such as an etching apparatus, a pretreatment apparatus and a cleaning apparatus, and treated water are used. It can also be applied to the handling equipment.
10 めっき装置
12 槽本体
14、14A、66 交換側板
16 支持機構
18 側壁開口部
19L、19R 垂直挿入溝
19H 水平挿入溝
20 側壁
20R、20L 側面板
20B 背面板
21 底面部
22 被処理材
24、62、64 処理用開口部
26a、26b めっき液注入排出口
26c、26d 開口部
27a、27b L字パイプ
28 パッキング材
29 連結部
30 T字パイプ
32 ステージ
34 アクチュエーター
36 軸部材
38 フレーム部材
40 シール部材
42 トルクモーター
44 シリンダー
46 ガイド
50 陽極板
52 調整板
52a 開口部
54 撹拌部材
70 アダプター
72 段差部
74 処理用開口部DESCRIPTION OF
Claims (8)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2015/004414 WO2017037757A1 (en) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | Surface treatment apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017037757A1 true JPWO2017037757A1 (en) | 2018-06-14 |
Family
ID=58186750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017537035A Pending JPWO2017037757A1 (en) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | Surface treatment equipment |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2017037757A1 (en) |
WO (1) | WO2017037757A1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN211479988U (en) * | 2019-10-14 | 2020-09-11 | Pyxis Cf私人有限公司 | Wet processing equipment |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11335895A (en) * | 1998-03-05 | 1999-12-07 | Ebara Corp | Plating of substrate and apparatus therefor |
JP2001140099A (en) * | 1999-11-17 | 2001-05-22 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | Plating device and plating method |
-
2015
- 2015-08-31 JP JP2017537035A patent/JPWO2017037757A1/en active Pending
- 2015-08-31 WO PCT/JP2015/004414 patent/WO2017037757A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11335895A (en) * | 1998-03-05 | 1999-12-07 | Ebara Corp | Plating of substrate and apparatus therefor |
JP2001140099A (en) * | 1999-11-17 | 2001-05-22 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | Plating device and plating method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017037757A1 (en) | 2017-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI624567B (en) | Electrofill vacuum plating cell | |
TWI769131B (en) | Pretreatment of nickel and cobalt liners for electrodeposition of copper into through silicon vias | |
US10662545B2 (en) | Enhancement of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating | |
US8784636B2 (en) | Plating apparatus and plating method | |
TWI656246B (en) | Alkaline pretreatment for electroplating | |
US10301739B2 (en) | Anisotropic high resistance ionic current source (AHRICS) | |
KR102583188B1 (en) | Method for uniform flow behavior in an electroplating cell | |
CN1678770A (en) | Electrochemical processing cell | |
US20220010446A1 (en) | Electrodeposition of nanotwinned copper structures | |
KR20140076524A (en) | Enhancement of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating | |
KR20120070520A (en) | Electroplating method | |
US20230175162A1 (en) | Cross flow conduit for foaming prevention in high convection plating cells | |
US20220275531A1 (en) | Differential contrast plating for advanced packaging applications | |
JP2019002051A (en) | Plating apparatus | |
KR20130075765A (en) | Process for production of semiconductor device, and semiconductor device | |
WO2017037757A1 (en) | Surface treatment apparatus | |
TWI518213B (en) | Method for forming conductive structure | |
WO2004009875A2 (en) | Tilted electrochemical plating cell with constant wafer immersion angle | |
KR101103442B1 (en) | Wafer plating apparatus | |
JP4602895B2 (en) | Plating equipment | |
CN219670692U (en) | Electroplating device | |
WO2023067649A1 (en) | Plating method | |
TWI417962B (en) | Electrochemical deposition system | |
KR20110051040A (en) | Wafer plating apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190423 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20191029 |