JPWO2015046111A1 - ガラス板 - Google Patents

Abstract

本発明は、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とする二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）による深さ方向プロファイル上で、一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値がもう一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値より大きく、両者の比が１．４より大きいガラス板であって、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、ガラス中に含まれるフッ素量が０．２３ｍｏｌ％・μｍ超２１ｍｏｌ％・μｍ以下であるガラス板に関する。本発明のガラス板によれば、化学強化後の反りを効果的に抑制することができるとともに、化学強化前の研磨処理等を省略または簡略化することができる。

Description

本発明は、ガラス板に関する。

近年、携帯電話または携帯情報端末（ＰＤＡ）、パーソナルコンピュータ、テレビ、車載ナビゲーション表示装置等のフラットパネルディスプレイ装置において、ディスプレイの保護および美観を高めるために、画像表示部分よりも広い領域となるように薄い板状のカバーガラスをディスプレイの前面に配置することが行われている。

このようなフラットパネルディスプレイ装置に対しては、軽量および薄型化が要求されており、そのため、ディスプレイ保護用に使用されるカバーガラスも薄くすることが要求されている。

しかし、カバーガラスの厚さを薄くしていくと、強度が低下し、使用中または携帯中の落下などによりカバーガラス自身が割れてしまうことがあり、ディスプレイ装置を保護するという本来の役割を果たすことができなくなるという問題がある。

このため従来のカバーガラスは、フロート法により製造されたガラス（以下、フロートガラスということがある。）を、化学強化することで表面に圧縮応力層を形成しカバーガラスの耐傷性を高めている。

フロートガラスは化学強化後に反りが生じて平坦性が損なわれることが報告されている（特許文献１〜３）。該反りは、フロート成形時に溶融錫等の溶融金属と接触していないガラス面（以下、トップ面ともいう。）と、溶融金属と接触しているガラス面（以下、ボトム面ともいう。）とが異質になり、両面の化学強化の入り方が異なることにより生じるとされている。

前記フロートガラスの反りは化学強化の入り方が強いほど大きくなる。したがって、高い耐傷性への要求に応えるべく表面圧縮応力をこれまで以上、特に６００ＭＰａ以上にする場合、反りの問題がより顕在化することとなる。

特許文献１には、ガラス表面にＳｉＯ_２膜を形成した後に化学強化することにより、化学強化時にガラスに入るイオンの量を調整するガラスの強化方法が開示されている。また、特許文献２および３には、トップ面側の表面圧縮応力を特定範囲とすることにより、化学強化後の反りを低減する方法が開示されている。

また、従来、前記反りの問題を低減するために、化学強化による強化応力を小さくしたり、ガラスの少なくとも一方の面を研削処理または研磨処理等することにより表面異質層を除去した後に化学強化する対処方法がなされている。

米国特許出願公開第２０１１／０２９３９２８号明細書 国際公開第２００７／００４６３４号 日本国特開昭６２−１９１４４９号公報

しかしながら、特許文献１に記載のガラス表面にＳｉＯ_２膜を形成した後に化学強化する方法では、化学強化の際の予熱条件が限定され、さらには条件によってはＳｉＯ_２膜の膜質が変化して反りに影響を与える可能性がある。また、特許文献２および３に記載のように、トップ面側の表面圧縮応力を特定範囲とする方法では、ガラスの強度の観点から問題がある。

また、化学強化前にガラスの少なくとも一方の面を研削処理または研磨処理等する方法は、生産性を向上させる観点から問題があり、これらの研削処理または研磨処理等を省略することが好ましい。

さらに、化学強化後にある程度以上の反りが生じる場合、カバーガラスの黒枠を印刷する時にガラスとステージの間に隙間が大きくなりすぎて、ガラスがステージに吸着しなくなることがある。また、タッチパネル一体型のカバーガラスに使用される場合には、後工程にて大板の状態でＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の成膜を行うことがある。その際に、ガラスが薬液処理槽や洗浄槽のエアーナイフに接触する等の搬送異常が生じたり、ＩＴＯ成膜中に反りが増大し、基板周辺部のＩＴＯの成膜状態が適切にならず、剥がれてしまう等の不具合を生じることがある。また、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）とタッチパネルが貼りつけられたカバーガラスの間に空間が存在するタイプの場合、カバーガラスに一定以上の反りがあると、輝度ムラやニュートンリングが生じることがある。

したがって、本発明は、化学強化後の反りを効果的に抑制することができるとともに、化学強化前の研磨処理等を省略または簡略化することができるガラス板を提供することを目的とする。

本発明者らは、ガラス表面をフッ素処理することにより、ガラスの一方の面ともう一方の面において化学強化の入り方に差が生じるのを抑制し、化学強化後の反りを低減できることを見出し、この知見に基づいて、本発明を完成させた。

すなわち、本発明は以下の通りである。
１．横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とする二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）による深さ方向プロファイル上で、一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値がもう一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値より大きく、両者の比が１．４より大きいガラス板であって、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、ガラス中に含まれるフッ素量が０．２３ｍｏｌ％・μｍ超２１ｍｏｌ％・μｍ以下であるガラス板。
２．一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値ともう一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値の比が４以上である前項１に記載のガラス板。
３．フロート法により製造されたガラス板であって、トップ面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値がボトム面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値より大きい前項１に記載のガラス板。
４．トップ面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値とボトム面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値の比が４．９以上である前項３に記載のガラス板。
５．横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、少なくとも一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値が、深さ５０〜７０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値より大きいガラス板であって、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、ガラス中に含まれるフッ素量が０．２３ｍｏｌ％・μｍ超２１ｍｏｌ％・μｍ以下であるガラス板。
６．横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、少なくとも一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値（Ｓ_１）を、同方向から見た深さ５０〜７０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値（Ｓ_４）で除した値（Ｓ_１／Ｓ_４）が２．１以上である前項１〜５のいずれか１項に記載のガラス板。
７．横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、少なくとも一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値（Ｓ_１）を、同方向から見た深さ５０〜７０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値（Ｓ_４）で除した値（Ｓ_１／Ｓ_４）が２．１〜１００である前項１〜６のいずれか１項に記載のガラス板。
８．フロート法により製造されたガラス板である前項６または７に記載のガラス板。
９．厚みが１．５ｍｍ以下である前項１〜８のいずれか１項に記載のガラス板。
１０．厚みが０．８ｍｍ以下である前項１〜９のいずれか１項に記載のガラス板。
１１．表面粗さＲａが２．５ｎｍ以下である前項１〜１０のいずれか１項に記載のガラス板。
１２．前項１〜１１のいずれか１項に記載のガラス板を化学強化して得られる化学強化ガラス板。
１３．カバーガラスを備えたフラットパネルディスプレイ装置であって、該カバーガラスが前項１２に記載の化学強化ガラス板であるフラットパネルディスプレイ装置。
１４．一方の面におけるフッ素濃度が他方の面におけるフッ素濃度より大きいフッ素含有ガラス板であって、下記式で表されるａが−０．１未満であり、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、ガラス中に含まれるフッ素量が０．２３ｍｏｌ％・μｍ超２１ｍｏｌ％・μｍ以下であるガラス板。
ａ＝（Ｆ_２０−Ｆ_３）／１７
Ｆ_２０＝（フッ素濃度の大きい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）
Ｆ_３＝（フッ素濃度の大きい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）
１５．一方の面におけるフッ素濃度が他方の面におけるフッ素濃度より大きいフッ素含有ガラス板であって、下記式で表されるｂが４以上であり、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、ガラス中に含まれるフッ素量が０．２３ｍｏｌ％・μｍ超２１ｍｏｌ％・μｍ以下であるガラス板。
ｂ＝Ｆ_３−３×ａ
ａ＝（Ｆ_２０−Ｆ_３）／１７
Ｆ_２０＝（フッ素濃度の大きい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）
Ｆ_３＝（フッ素濃度の大きい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）
１６．一方の面におけるフッ素濃度が他方の面におけるフッ素濃度より大きいフッ素含有ガラス板であって、下記式で表されるＦ_３が４以上であり、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、ガラス中に含まれるフッ素量が０．２３ｍｏｌ％・μｍ超２１ｍｏｌ％・μｍ以下であるガラス板。
Ｆ_３＝（フッ素濃度の大きい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）

本発明のガラス板はその表面がフッ素処理されていることにより、ガラスの一方の面ともう一方の面において化学強化の入り方に差が生じるのを抑制し、化学強化による応力値を所望の値にできる。また、化学強化前の研磨処理等を簡略化または省略しても、化学強化後におけるガラスの反りを低減し、優れた平坦度を得ることができる。

図１は、本発明で用いることのできる両流しタイプのインジェクタを模式的に示す図である。 図２は、本発明で用いることのできる片流しタイプのインジェクタを模式的に示す図である。 図３は、本発明の化学強化用フロートガラスを化学強化した後、フラットパネルディスプレイ用のカバーガラスとして用いたフラットパネルディスプレイの断面図である。 図４（ａ）は、アルミノシリケートガラスのＳＩＭＳによる典型的なフッ素濃度プロファイルを示す。図４（ｂ）は、横軸に深さ、縦軸に式（ａ）で表される任意の点ｘ_ｉにおける傾きをプロットした図を示す。図４（ｃ）は、図４（ｂ）中の点線部分を拡大した図を示す。 図５（ａ）にフロート法によるガラス板の製造において、その構造中にフッ素原子が存在する分子を含有する気体をビームにより供給してガラスリボンの表面を処理する方法の概略説明図を示す。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図６（ａ）〜（ｄ）は、気体の量をガラスリボンの幅方向で３分割して調整可能なビームの断面図を示す。 図７（ａ）〜（ｃ）は、フッ素処理したアルミノシリケートガラスのＳＩＭＳによる典型的なフッ素濃度プロファイルを示す。 図８は、ＳＩＭＳプロファイルから、ガラス中に含まれるフッ素量を算出する方法を示した図である。 図９は、ＳＩＭＳより求めた本発明に係るガラス板（ソーダライムガラス）のガラス中に含まれるフッ素量と、当該ガラスを化学強化処理した後の反り変位量との関係を示す図である。 図１０は、ＳＩＭＳより求めた本発明に係るガラス板（アルミノシリケートガラス）のガラス中に含まれるフッ素量と、当該ガラスを化学強化処理した後の反り変位量との関係を示す図である。

１．ガラス板
本発明において、「ガラス板」とは、溶融ガラスが板状に成形されているものも含み、たとえばフロートバス内のいわゆるガラスリボンもガラス板である。ガラス板の化学強化後の反りは、ガラス板の一方の面ともう一方の面において化学強化の入り方が異なることにより生じる。具体的には、例えば、フロートガラスの場合、フロート成形時に溶融金属（通常、錫）と接触していないガラス面（トップ面）と溶融金属と接触しているガラス面（ボトム面）において化学強化の入り方が異なることにより化学強化後の反りが生じる。

本発明によれば、ガラス板上をフッ素処理して一方の面のフッ素処理の程度ともう一方の面のフッ素処理の程度に差をつけることにより、ガラス板の一方の面ともう一方の面におけるイオンの拡散速度を調整して、一方の面ともう一方の面における化学強化の入り方を均衡化することができる。そのため、本発明のガラス板は、強化応力を調整したり、化学強化処理の前に研削および研磨等の処理をすることなく、化学強化後のガラス板の反りを低減することができる。

また、片面のガラス板上のフッ素処理の程度を変更することにより、処理面のイオン拡散速度と非処理面のイオン拡散速度が同じになるように調整して、化学強化の入り方を均衡化することができる。

ガラス板の表面をフッ素処理することにより化学強化後の反りが低減できるメカニズムとしては、以下のような現象が生じていると考えられる。
（１）ガラスの表面に取り込まれたフッ素により緩和が促進され、フッ素処理された面のＣＳ（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒｅｓｓ、表面圧縮応力）が低下する。
（２）ガラスの表面に取り込まれたフッ素によりイオン交換が阻害され、フッ素処理された面のＤＯＬ（ｄｅｐｔｈ ｏｆ ｌａｙｅｒ、圧縮応力深さ）が低下する。
（３）フッ素処理により、ガラスの脱アルカリが生じる。
（４）フッ素処理によりガラス表面の主成分が変化し、ガラス中のＳｉがＳｉＦ_４またはＨ_２ＳｉＦ_６としてガラス表面から減少するため、応力の入り方が変化する。
（５）フッ素処理により、ガラス表面からの脱水が抑制されるかあるいは水が侵入することにより、反りが低減される。

本発明のガラス板は、横軸をガラス表面をゼロとした時の深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値がもう一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値より大きいガラス板である。すなわち、一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値をＳ_１、もう一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値をＳ_２とした場合に、Ｓ_１／Ｓ_２≠１である。

なお、フロート法により製造されたガラス板である場合、少なくともトップ面の深さ０〜２０μｍにおける該深さ方向プロファイルの平均値がボトム面の深さ０〜２０μｍにおける該深さ方向プロファイルの平均値より大きいことが好ましい。

本発明のガラス板は、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値をもう一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値で除した値が１．０×１０^０より大きく、１．０×１０^５未満であることが好ましく、１．１×１０^０より大きく、１．０×１０^４未満であることがより好ましく、１．３×１０^０より大きく、１．０×１０^３未満であることがさらに好ましい。典型的には７．２２／５．１９超すなわち１．４超であり、４以上であることが好ましく、４．９以上であることがより好ましい。尚、割り算の値が１以上になるように計算することとする。

本発明のガラス板は、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値をもう一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値で除した値を１．０×１０^５未満とすることにより、反りの改善が進行しすぎて反対側に大きく反ってしまうのを防ぐことができる。一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値をもう一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値で除した値を１．０より大きくすることにより、反りの改善効果が小さくなってしまうのを防ぐことができる。

本発明のガラス板は、化学強化後のガラス板である場合にも、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値がもう一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値より大きいガラス板である。

本発明のガラス板は、化学強化後のガラス板である場合にも、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値をもう一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値で除した値Ｓ_１／Ｓ_２が１．０×１０^０より大きく、１．０×１０^５未満であることが好ましく、１．１×１０^０より大きく、１．０×１０^４未満であることがより好ましく、１．３×１０^０より大きく、１．０×１０^３未満であることがさらに好ましい。Ｓ_１／Ｓ_２はさらには１．４超、１．８超、特には２．１超であることが好ましく、４以上であることがより好ましく、４．９以上であることがさらに好ましい。

また、本発明のガラス板は、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、少なくとも一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値が、深さ５０〜７０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値より大きいガラス板である。すなわち、少なくとも一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値をＳ_１、同方向から見た深さ５０〜７０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値をＳ_４とした場合に、Ｓ_１／Ｓ_４＞１であり、２．１以上であることが好ましく、２．１以上１００以下であることがより好ましい。

なお、フロート法により製造されたガラス板である場合、トップ面の深さ０〜２０μｍにおける該深さ方向プロファイルの平均値が、深さ５０〜７０μｍにおける該深さ方向プロファイルの平均値より大きいことが好ましく、少なくともトップ面において、深さ０〜２０μｍにおける該深さ方向プロファイルの平均値が、深さ５０〜７０μｍにおける該深さ方向プロファイルの平均値より大きいことがより好ましい。

本発明のガラス板は、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、少なくとも一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値を、深さ５０〜７０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値で除した値が１．０×１０^０より大きく、１．０×１０^５未満であることが好ましく、１．１×１０^０より大きく、１．０×１０^４未満であることがより好ましく、１．３×１０^０より大きく、１．０×１０^３未満であることがさらに好ましい。Ｓ_１／Ｓ_４はさらには１．４超、１．８超、特には２．１超であることが好ましく、４以上であることがより好ましく、４．８以上であることがさらに好ましい。

横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、少なくとも一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値を、深さ５０〜７０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値で除した値を１．０×１０^５未満とすることにより、反りの改善が進行しすぎて反対側に大きく反ってしまうのを防ぐことができる。また、少なくとも一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値を、深さ５０〜７０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値で除した値を１．０より大きくすることにより、反りの改善効果が小さくなってしまうのを防ぐことができる。

本発明のガラス板は、化学強化後のガラス板である場合にも、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、少なくとも一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値が、深さ５０〜７０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値より大きいガラス板である。

本発明のガラス板は、化学強化後のガラス板である場合にも、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、少なくとも一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値を、深さ５０〜７０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値で除した値が１．０×１０^０より大きく、１．０×１０^５未満であることが好ましく、１．１×１０^０より大きく、１．０×１０^４未満であることがより好ましく、１．３×１０^０より大きく、１．０×１０^３未満であることがさらに好ましい。Ｓ_１／Ｓ_４はさらには１．４超、１．８超、特には２．１超であることが好ましく、４以上であることがより好ましく、４．８以上であることがさらに好ましい。

本発明のガラス板は、両面にフッ素を含有し、一方の面におけるフッ素濃度が他方の面におけるフッ素濃度より大きいガラス板であって、下記式で表されるａが−０．１未満であり、好ましくは−０．２以下であり、より好ましくは−２０以上−０．２以下である。ａが−０．１未満であることにより、化学強化後のガラス板の反りを低減することができる。
ａ＝（Ｆ_２０−Ｆ_３）／１７
Ｆ_２０＝（フッ素濃度の大きい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）
Ｆ_３＝（フッ素濃度の大きい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）

なお、本明細書において、「深さｘμｍのフッ素濃度」とは深さ（ｘ−０．５）〜（ｘ＋０．５）μｍの平均フッ素濃度として算出する。例えば、深さ３μｍのフッ素濃度とは深さ２．５〜３．５μｍの平均フッ素濃度として算出し、２０μｍのフッ素濃度とは、１９．５〜２０．５μｍの平均フッ素濃度として算出する。

本発明のガラス板は、両面にフッ素を含有し、一方の面におけるフッ素濃度が他方の面におけるフッ素濃度より大きいガラス板であって、下記式で表されるｂが４以上であり、５以上であることが好ましく、５以上３６０以下であることがより好ましい。ｂが４以上であることにより、化学強化後のガラス板の反りを低減することができる。
ｂ＝Ｆ_３−３×ａ
ａ＝（Ｆ_２０−Ｆ_３）／１７
Ｆ_２０＝（フッ素濃度の大きい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）
Ｆ_３＝（フッ素濃度の大きい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）

上記においてａ、ｂを求める際に深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度を考慮するのは、試料の履歴の観点から、深さ０〜２μｍにおけるフッ素濃度と比較して、フッ素処理後に試料が受ける影響を受けにくいと考えられるためである。

本発明のガラス板は、両面にフッ素を含有し、一方の面におけるフッ素濃度が他方の面におけるフッ素濃度より大きいガラス板であって、下記式で表されるＦ_３が４以上であり、５以上であることが好ましく、５以上３００以下であることがより好ましい。Ｆ_３が４以上であることにより、ガラス板の反りを低減することができる。
Ｆ_３＝（フッ素濃度の大きい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）

本発明のガラス板は、横軸をガラス表面をゼロとした時の深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とする二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）による深さ方向プロファイル上で、ガラス中に含まれるフッ素量が０．２３ｍｏｌ％・μｍ超２１ｍｏｌ％・μｍ以下であるガラス板である。

ガラス中に含まれるフッ素量とは、図８に示すように、ＳＩＭＳにおける深さ方向プロファイル上で、横軸をガラス表面をゼロとした時の深さ（μｍ）とし、縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とした際の積分（ｍｏｌ％・μｍ）により求めることができる。ＳＩＭＳにおけるフッ素濃度の算出方法については後述する。
ガラス中に含まれるフッ素量とは、正確にはガラス板全体に含まれるフッ素原子の量であるが、フッ素処理によってフッ素がガラス中に侵入できる深さには限界があると考えられることから、実際にはガラス表面からの深さが０〜３０μｍまでの深さ方向プロファイルを測定した際の積分値と同じ値であるとみなすことができる。

ガラス中に含まれるフッ素量（ｍｏｌ％・μｍ）と当該ガラスを化学強化処理した後の反り変位量（μｍ）とは、一次の比例関係にあると考えられる（図９及び図１０）。ここで反り変位量とは、以下に示す式により求められる。
反り変位量＝ΔＸ−ΔＹ
ΔＸ：未処理ガラス板の化学強化による反り変化量
ΔＹ：処理ガラス板の化学強化による反り変化量
ここで、反り変化量は、化学強化後のガラス板の反り量から、化学強化前のガラス板の反り量を減じた値である。反り変化量は、ΔＸ＞０とする。ΔＹはΔＸと同方向に反る場合にΔＹ＞０、ΔＸと逆方向に反る場合はΔＹ＜０とする。

ガラス中に含まれるフッ素量が上記範囲内であれば、そのガラスの種類によらず、化学強化した際の反りを改善することができる。中でも、フロート法により製造されたガラスは、より多くの反り改善効果がみられることから好ましい。ガラス中に含まれるフッ素量は０．２３ｍｏｌ％・μｍ超であり、０．７ｍｏｌ％・μｍ以上であることが好ましい。ガラス中に含まれるフッ素量が０．２３ｍｏｌ％・μｍ以下であると、反りの変位に有意な差が見られない。また、ガラス中に含まれるフッ素量は２１ｍｏｌ％・μｍ以下であり、９ｍｏｌ％・μｍ以下であることが実用上好ましい。

本発明のガラス板は、化学強化後のガラス板である場合にも、横軸を深さ（μｍ）とし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とする二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）による深さ方向プロファイル上で、ガラス中に含まれるフッ素量が０．２３ｍｏｌ％・μｍ超２１ｍｏｌ％・μｍ以下となる。

本発明のガラス板は、両面にフッ素を含有していても、一方の面にのみフッ素を含有していてもよい。中でも、後者の方が反り改善の点から好ましい。

なお、本明細書において、ガラス板の一方の面と他方の面とは、板厚方向に対向する一方の面と他方の面をいう。また、ガラス板の両面とは、板厚方向に対向する両面をいう。

次に、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）においてＦ濃度（ｍｏｌ％）を求める方法について説明する。
二次イオン質量分析における元素Ｍの同位体Ｍ_１の二次イオン強度Ｉ_Ｍ１は、一次イオン強度Ｉ_Ｐ、マトリックスのスパッタ率Ｙ、元素Ｍの濃度Ｃ_Ｍ（全濃度に対する比）、同位体Ｍ_１の存在確率α_１、元素Ｍの二次イオン化率β_Ｍ、および質量分析計の透過効率η（検出器の検出効率を含む）に比例する。
Ｉ_Ｍ１＝Ａ・Ｉ_Ｐ・Ｙ・Ｃ_Ｍ・α_１・β_Ｍ・η （式ｗ）

ここで、Ａは一次イオンビームの走査範囲に対する二次イオンの検出面積の比である。一般的には装置のηを求めるのは困難なためβ_Ｍの絶対値を求めることができない。そこで、同じ試料の中の主成分元素などを参照元素として用い、（式ｗ）との比をとることによりηを消去する。

ここで参照元素をＲ、その同位体をＲ_ｊとした場合、（式ｘ）が得られる。
Ｉ_Ｍ１／Ｉ_Ｒｊ＝（Ｃ_Ｍ・α_１・β_Ｍ）／（Ｃ_Ｒ・α_ｊ・β_Ｒ）＝Ｃ_Ｍ／Ｋ （式ｘ）
ここでＫは元素Ｍの元素Ｒに対する相対感度因子である。
Ｋ＝（Ｃ_Ｒ・α_ｊ・β_Ｒ）／（α_１・β_Ｍ） （式ｙ）
この場合、元素Ｍの濃度は（式ｚ）より求められる。
Ｃ_Ｍ＝Ｋ・Ｉ_Ｍ１／Ｉ_Ｒｊ （式ｚ）

本発明においては、ＦはＭ_１に、ＳｉはＲ_ｊにそれぞれ対応する。したがって、（式ｘ）より両者の強度比（Ｆ／Ｓｉ）はフッ素濃度Ｃ_ＭをＫで除したものに等しい。

平均フッ素濃度は、ＳＩＭＳ装置でガラス中のフッ素濃度プロファイル測定を実施し、以下の手順（ａ１）〜（ａ３）により該プロファイルから算出する。図７（ａ）〜（ｃ）はフッ素処理したアルミノシリケートガラスのＳＩＭＳによる典型的なフッ素濃度プロファイルを示す。
（ａ１）濃度が既知の標準試料および測定対象サンプルのＳＩＭＳによるフッ素濃度プロファイルを測定する［図７（ａ）］。
（ａ２）標準試料の測定結果から検量線を作成し、^１９Ｆ／^３０Ｓｉをフッ素濃度（ｍｏｌ％）に変換するための係数を算出する［図７（ｂ）］。
（ａ３）工程（ａ２）で算出した係数から測定対象サンプルのフッ素濃度（ｍｏｌ％）を求める。例えば、深さ０〜３μｍのＳＩＭＳによる平均フッ素濃度（ｍｏｌ％）は、深さ０〜３μｍのフッ素濃度を積算し、深さ３μｍで除した値である［図７（ｃ）］。
深さ０〜３０μｍのＳＩＭＳによる平均フッ素濃度（ｍｏｌ％）についても、同様に求めることができる。

このフッ素濃度（ｍｏｌ％）を縦軸とし、深さ（μｍ）を横軸とした際の積分値を、ガラス中に含まれるフッ素量（ｍｏｌ％・μｍ）と定義する。

ＳＩＭＳの分析条件としては、例えば、以下の条件が挙げられる。なお、以下で示す分析条件は例示であり、測定装置、サンプルなどによって適宜変更されるべきものである。また、ＳＩＭＳによって得られる深さ方向プロファイルの横軸の深さは、分析クレーターの深さを触針式膜厚計（例えば、Ｖｅｅｃｏ社製Ｄｅｋｔａｋ１５０）によって測定することで、求められる。

（分析条件）
一次イオン種：Ｃｓ^＋
一次イオン入射角：６０°
一次加速電圧：５ｋＶ

より具体的な分析条件としては、例えば、以下の条件が挙げられる。
（分析条件）
測定装置：四重極型質量分析器を有する二次イオン質量分析装置
一次イオン種：Ｃｓ^＋
一次加速電圧：５．０ｋＶ
一次イオンカレント：１μＡ
一次イオン入射角（試料面垂直方向からの角度）：６０°
ラスターサイズ：２００ｘ２００μｍ^２
検出領域：４０ｘ４０μｍ^２
二次イオン極性：マイナス
中和用の電子銃使用：有

四重極型質量分析器を有する二次イオン質量分析装置としては、例えば、アルバック・ファイ社製ＡＤＥＰＴ１０１０が挙げられる。

ガラス板の厚みは、特に制限されるものではなく、たとえば２ｍｍ、０．８ｍｍ、０．７３ｍｍ、０．７ｍｍ、０．５６ｍｍ、０．４ｍｍが挙げられるが、後述する化学強化処理を効果的に行うために、通常５ｍｍ以下であることが好ましく、３ｍｍ以下であることがより好ましく、１．５ｍｍ以下であることがさらに好ましく、０．８ｍｍ以下であることが特に好ましい。

通常、厚み０．７ｍｍのガラス板の化学強化後における反り量は４０μｍ以下であることが求められる。９０ｍｍ角のガラス板でＣＳが７５０ＭＰａ、ＤＯＬが４０μｍの場合、化学強化後の反り量は約１３０μｍである。一方、化学強化後におけるガラス板の反り量は板厚の２乗と反比例の関係にあるので、ガラス板の厚みが２．０ｍｍのときの反り量は約１６μｍとなり、実質的に反りが問題となることはない。したがって、ガラス板の厚み２ｍｍ未満、典型的には１．５ｍｍ以下で化学強化後における反りの問題が生じる可能性がある。

ガラス表層にフッ素を添加することで化学強化後の反りが改善されるが、フッ素の侵入深さを考慮して下記パラメータを設定する。

本発明のガラス板は、厚み方向に対向する一方の面のフッ素濃度が他方の面のフッ素濃度より大きいガラス板であって、下式（１）を満たすことが好ましい。
１≦ｘ…（１）
式（１）中、ｘはＳＩＭＳによるフッ素濃度プロファイルにおいて、任意の深さｘ_ｉ（μｍ）における傾きが下式（２）を満たす最大の深さ（μｍ）である。
［Ｆ（ｘ_ｉ＋０．１）−Ｆ（ｘ_ｉ）］／０．１＝−０．０１５…（２）
式（２）中、Ｆ（ｘ_ｉ）は、深さｘ_ｉ（μｍ）におけるＳＩＭＳによるフッ素濃度（ｍｏｌ％）を示す。

図４（ａ）に典型的なソーダライムガラスのＳＩＭＳによるフッ素濃度プロファイルを示す。図４（ｂ）は、横軸に深さ、縦軸に下式（ａ）で表される任意の点ｘ_ｉにおける傾きをプロットしたグラフである。下式（ａ）において、Ｆ（ｘ）は点ｘにおけるフッ素濃度（ｍｏｌ％）を示す。
［Ｆ（ｘ_ｉ＋Δｘ）−Ｆ（ｘ_ｉ）］／Δｘ…（ａ）
Δｘを０．１とした場合に、式（ａ）で表される傾きが−０．０１５となる最大の深さｘ（μｍ）は１以上であり、２以上であることが好ましく、２．８以上であることがより好ましく、３以上であることが特に好ましい。ｘが１未満であると、反りの変位に有意な差が見られない。

図４（ｃ）は、図４（ｂ）のグラフの点線部分を拡大した図である。例えば、図４（ｃ）において、Δｘを０．１とした場合に、式（ａ）で表される傾きが−０．０１５となる最大の深さｘ（μｍ）は６．５となる。

２．ガラス板の製造方法
本発明において溶融ガラスを板状のガラス板に成形する方法は特に限定されず、また該ガラスは化学強化処理による強化が可能な組成を有するものである限り、種々の組成のものを使用することができる。例えば、種々の原料を適量調合し、加熱溶融した後、脱泡または攪拌などにより均質化し、周知のフロート法、ダウンドロー法（例えば、フュージョン法など）またはプレス法などによって板状に成形し、徐冷後、所望のサイズに切断し、研磨加工を施して製造される。これらの製造方法の中でも、フロート法により製造されたガラスは、特に本発明の効果である化学強化後の反り改善が発揮され易いため、好ましい。

本発明に用いられるガラス板としては、具体的には、例えば、典型的にはソーダライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、ボレートガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、ホウ珪酸ガラスからなるガラス板が挙げられる。

これらの中でも、Ａｌを含む組成のガラスが好ましい。Ａｌはアルカリが共存すると４配位をとってＳｉと同様にガラスの骨格となる網目の形成に参加する。４配位のＡｌが増えると、アルカリイオンの移動が容易になり、化学強化処理時にイオン交換が進行しやすくなる。

本発明のガラス板の組成としては、モル％で表示した組成で、ＳｉＯ_２を５０〜８０％、Ａｌ_２Ｏ_３を０．１〜２５％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏを３〜３０％、ＭｇＯを０〜２５％、ＣａＯを０〜２５％およびＺｒＯ_２を０〜５％含むガラスが挙げられるが、特に限定されない。より具体的には、以下のガラスの組成が挙げられる。なお、例えば、「ＭｇＯを０〜２５％含む」とは、ＭｇＯは必須ではないが２５％まで含んでもよい、の意である。（ｉ）のガラスはソーダライムシリケートガラスに含まれ、（ｉｉ）および（ｉｉｉ）のガラスはアルミノシリケートガラスに含まれる。
（ｉ）モル％で表示した組成で、ＳｉＯ_２を６３〜７３％、Ａｌ_２Ｏ_３を０．１〜５．２％、Ｎａ_２Ｏを１０〜１６％、Ｋ_２Ｏを０〜１．５％、ＭｇＯを５〜１３％及びＣａＯを４〜１０％を含むガラス
（ｉｉ）モル％で表示した組成が、ＳｉＯ_２を５０〜７４％、Ａｌ_２Ｏ_３を１〜１０％、Ｎａ_２Ｏを６〜１４％、Ｋ_２Ｏを３〜１１％、ＭｇＯを２〜１５％、ＣａＯを０〜６％およびＺｒＯ_２を０〜５％含有し、ＳｉＯ_２およびＡｌ_２Ｏ_３の含有量の合計が７５％以下、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏの含有量の合計が１２〜２５％、ＭｇＯおよびＣａＯの含有量の合計が７〜１５％であるガラス
（ｉｉｉ）モル％で表示した組成が、ＳｉＯ_２を６８〜８０％、Ａｌ_２Ｏ_３を４〜１０％、Ｎａ_２Ｏを５〜１５％、Ｋ_２Ｏを０〜１％、ＭｇＯを４〜１５％およびＺｒＯ_２を０〜１％含有するガラス
（ｉｖ）モル％で表示した組成が、ＳｉＯ_２を６７〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜４％、Ｎａ_２Ｏを７〜１５％、Ｋ_２Ｏを１〜９％、ＭｇＯを６〜１４％およびＺｒＯ_２を０〜１．５％含有し、ＳｉＯ_２およびＡｌ_２Ｏ_３の含有量の合計が７１〜７５％、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏの含有量の合計が１２〜２０％であり、ＣａＯを含有する場合その含有量が１％未満であるガラス

本発明のガラス板の製造方法では、ガラス板またはガラスリボンの少なくとも一面に対して、その構造中にフッ素原子が存在する分子を含有する気体または液体（以下、フッ素含有流体という）を接触させて表面処理する。

ガラスリボンの少なくとも一面に対してフッ素含有流体を接触させて表面処理する場合、ガラスリボンの表面温度は６００℃以上であることが好ましく、６５０℃超であることがより好ましい。６５０℃超とすることにより、得られたガラスに対して化学強化後のガラスの反り量を低減するのに十分なフッ素総接触量でフッ素含有流体の吹き付け処理を実施しやすくなる。なお、以下ではガラス板という語をガラス板およびガラスリボンを総称するものとして用いることがある。

フッ素含有流体としては、例えば、フッ化水素（ＨＦ）、フロン（例えば、クロロフルオロカーボン、フルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボン、ハイドロフルオロカーボン、ハロン）、フッ化水素酸、フッ素単体、トリフルオロ酢酸、四フッ化炭素、四フッ化ケイ素、五フッ化リン、三フッ化リン、三フッ化ホウ素、三フッ化窒素、三フッ化塩素などが挙げられるが、これらの気体または液体に限定されるものではない。

これらの中でも、フッ化水素、フロンまたはフッ化水素酸がガラス板表面との反応性が高い点で好ましい。またこれらのガスのうち、２種以上を混合して使用してもよい。また、フロート法でガラスを製造するに際し、ガラスリボンに対してフッ素含有流体を吹き付ける場合には、フロートバス内では酸化力が強すぎるので、フッ素単体を使用しないことが好ましい。

また液体を使用する場合は、液体のまま、例えば、スプレー塗布でガラス板表面に供給しても、液体を気化してからガラス板表面に供給してもよい。また必要に応じて他の液体または気体で希釈してもよい。

フッ素含有流体としては、それらの液体や気体以外の液体または気体を含んでいてもよく、常温でフッ素原子が存在する分子と反応しない液体または気体であることが好ましい。

前記液体または気体としては、例えば、Ｎ_２、空気、Ｈ_２、Ｏ_２、Ｎｅ、Ｘｅ、ＣＯ_２、Ａｒ、ＨｅおよびＫｒなどが挙げられるが、これらのものに限定されるものではない。またこれらのガスのうち、２種以上を混合して使用することもできる。

フッ素含有流体のキャリアガスとしては、Ｎ_２、アルゴンなどの不活性ガスを用いることが好ましい。また、フッ素含有流体には、更にＳＯ_２を含んでもよい。ＳＯ_２はフロート法などで連続的にガラス板を生産する際に使用されており、徐冷域において搬送ローラーがガラス板と接触して、ガラスに疵を発生させることを防ぐ働きがある。また、高温で分解するガスを含んでいてもよい。

更に、フッ素含有流体には、水蒸気または水を含んでもよい。水蒸気は加熱した水に窒素、ヘリウム、アルゴン、二酸化炭素などの不活性ガスをバブリングさせて取り出すことができる。大量の水蒸気が必要な場合は、気化器に水を送り込んで直接気化させる方法をとることも可能である。

フッ素含有流体をガラス又はガラスリボンに吹き付けることにより、ガラス表面からフッ素を侵入させ、フッ素を含むガラスを得ることができる。フッ素含有流体を吹き付ける条件を、得られたガラスに含まれるフッ素が０．２３ｍｏｌ％・μｍ超２１ｍｏｌ％・μｍ以下となるように、調整することが必要である。

例えば、フロート法においてガラスリボンにフッ素含有流体を吹き付けてフッ素を侵入させる場合には、フッ素含有流体におけるフッ素原子濃度は０．１体積％〜１５体積％であることが設備への負荷低減の点から好ましく、０．１体積％〜１０体積％がより好ましい。さらに、ガラスリボンの表面温度は６００℃以上であることがガラスのより深くまでフッ素を侵入させる点から好ましい。

ガラスリボンの表面温度は、該ガラス板のガラス転移温度をＴｇとした場合に、（Ｔｇ＋５０℃）〜（Ｔｇ＋４６０℃）であることが好ましく、（Ｔｇ＋１５０℃）〜（Ｔｇ＋４６０℃）であることがより好ましく、（Ｔｇ＋２３０℃）〜（Ｔｇ＋４６０℃）であることがさらに好ましい。

ガラスリボンにフッ素含有流体を吹き付ける場合、フッ素含有流体を吹き付けることでフッ素をガラス内に侵入させるが、ガラスリボンを徐冷してフロートガラス板を製造するまでの間に、侵入したフッ素の一部はガラス内から抜けることがある。

しかしながら、本発明の趣旨においてその抜けるフッ素量は微量であることから、ガラスリボン中のフッ素原子濃度と、成形工程を経た後のフロートガラス中のフッ素原子濃度とを区別する技術的必要性はない。

本発明において溶融ガラスを板状のガラス板に成形する方法の具体例としてフロート法について詳述する。フロート法では、ガラスの原料を溶解する溶融炉と、溶融ガラスを溶融金属（錫等）上に浮かせてガラスリボンを成形するフロートバスと、該ガラスリボンを徐冷する徐冷炉とを有するガラス製造装置を用いてガラス板が製造される。

溶融金属（錫）浴上でガラスが成形される際に、溶融金属浴上を搬送されるガラス板に対して、金属面に触れていない側（トップ面）からフッ素含有流体を供給して当該ガラス板表面を処理してもよい。溶融金属（錫）浴に続く徐冷領域では、ガラス板はローラーにより搬送される。

ここで、徐冷領域とは、徐冷炉内だけではなく、フロートバス内で上記溶融金属（錫）浴から搬出されてから徐冷炉内に搬送されるまでの部分も含むものである。徐冷領域においては溶融金属（錫）に触れていない側から当該ガスを供給してもよい。

図５（ａ）にフロート法によるガラス板の製造において、フッ素含有流体を供給してガラス表面を処理する方法の概略説明図を示す。

溶融ガラスを溶融金属（錫等）上に浮かせてガラスリボン１０１を成形するフロートバスにおいて、フロートバス内に挿入したビーム１０２により、フッ素含有流体を、該ガラスリボン１０１に吹き付ける。図５（ａ）に示すように、フッ素含有流体は、ガラスリボン１０１が溶融金属面に触れていない側からガラスリボン１０１に吹き付けることが好ましい。矢印Ｙａは、フロートバスにおいてガラスリボン１０１が流れる方向を示す。

ビーム１０２によりガラスリボン１０１にフッ素含有流体を吹き付ける位置は、ガラス転移点が５５０℃以上の場合には、ガラスリボン１０１の温度は（Ｔｇ＋５０）℃〜（Ｔｇ＋４６０）℃が好ましく、（Ｔｇ＋１５０）℃〜（Ｔｇ＋４６０）℃がより好ましく、（Ｔｇ＋２３０）℃〜（Ｔｇ＋４６０）℃がさらに好ましい。好ましいガラスリボンの温度は、吹きつける流体の種類によっても異なるが、原則は、より高温でより高濃度及び／又はより多量の流体を吹き付けることによって、得られたガラス中のフッ素量を多くすることができる。

また、ビーム１０２の位置は、ラジエーションゲート１０３の上流であってもよいし、下流であってもよい。ガラスリボン１０１に吹きつけるフッ素含有流体の量は、ＨＦの場合１×１０^−６〜５×１０^−３ｍｏｌ／ガラスリボン１ｃｍ^２であることが好ましい。

図５（ｂ）に図５（ａ）のＡ−Ａ断面図を示す。ビーム１０２によりＹ１の方向からガラスリボン１０１に吹き付けられたフッ素含有流体は、「ＩＮ」から流入して、「ＯＵＴ」の方向から流出する。すなわち、矢印Ｙ４およびＹ５の方向に移動して、ガラスリボン１０１に曝露する。また、矢印Ｙ４の方向に移動したフッ素含有流体は矢印Ｙ２の方向から流出し、矢印Ｙ５の方向に移動したフッ素含有流体は矢印Ｙ３の方向から流出する。

ガラスリボン１０１の幅方向の位置によって化学強化後におけるガラス板の反り量が変化する場合もあり、そのような場合は、フッ素含有流体の量を調整することが好ましい。すなわち、反り量が大きい位置にはフッ素含有流体を吹きつける量を多くし、反り量が少ない位置にはフッ素含有流体を吹きつける量を少なくすることが好ましい。

ガラスリボン１０１の位置によって化学強化後におけるガラス板の反り量が変化する場合には、ビーム１０２の構造を、ガラスリボン１０１の幅方向でフッ素含有流体量を調整可能な構造とすることにより、ガラスリボン１０１の幅方向で反り量を調整してもよい。

具体例として、フッ素含有流体の量をガラスリボン１０１の幅方向１１０でＩ〜ＩＩＩに３分割して調整するビーム１０２の断面図を図６（ａ）に示す。ガス系統１１１〜１１３は、隔壁１１４、１１５によって分割されており、それぞれガス吹き穴１１６からフッ素含有流体を流出させて、ガラスに吹き付ける。

図６（ａ）における矢印はフッ素含有流体の流れを示す。図６（ｂ）における矢印は、ガス系統１１１におけるフッ素含有流体の流れを示す。図６（ｃ）における矢印は、ガス系統１１２におけるフッ素含有流体の流れを示す。図６（ｄ）における矢印は、ガス系統１１３におけるフッ素含有流体の流れを示す。

ガラス板にフッ素含有流体をガラス表面に供給する方法としては、例えば、インジェクタを用いる方法、および導入チューブを用いる方法等が挙げられる。

本発明で用いることのできるガラス板の表面処理に用いるインジェクタの模式図を図１および図２に示す。図１は、本発明で用いることのできる両流しタイプのインジェクタを模式的に示す図である。図２は、本発明で用いることのできる片流しタイプのインジェクタを模式的に示す図である。

フッ素含有流体は、中央スリット１及び外スリット２からガラス板２０に向かって吐出され、ガラス板２０上を流路４を通じて流れ、排気スリット５から排気される。なお、図１及び図２中の符号２１は、ガラス板２０が流れる方向であり、流路４と平行である。

インジェクタより供給されるフッ素含有流体が気体である場合、インジェクタの気体吐出口とガラス板との距離は５０ｍｍ以下であることが好ましい。

前記距離を５０ｍｍ以下とすることにより、気体が大気中に拡散するのを抑制し、所望するガス量に対して、ガラス板に十分量のガスを到達させることができる。逆にガラス板との距離が短すぎると、例えばフロート法で生産されるガラス板にオンラインで処理をする際に、ガラスリボンの変動により、ガラス板とインジェクタが接触する恐れがある。

またインジェクタより供給されるフッ素含有流体が液体である場合、インジェクタの液体吐出口とガラス板との距離には特段の制限がなく、ガラス板が均一に処理できるような配置であればよい。

インジェクタは、両流しまたは片流しなど、いずれの態様で用いてもよく、ガラス板の流れ方向に直列に２個以上並べて、ガラス板表面を処理してもよい。両流しインジェクタとは、図１に示す通り、吐出から排気へのガスの流れがガラス板の移動方向に対して、順方向と逆方向に均等に分かれるインジェクタである。

この両流しインジェクタは一般的なものであり、低反射ガラスを製造するために使用するものとしても知られている。例えば、６００℃まで再加熱した厚さ１．８ｍｍの旭硝子製ソーダライムシリケートガラス（ガラス転移点５６０℃）に、中央スリット１からＨＦガスを１．１２ＳＬＭ（標準状態での気体で毎分リットル）と窒素（Ｎ_２）ガス９ＳＬＭを混合したガスを１５０℃に加熱し流速６４ｃｍ／ｓで、外スリット２からＮ_２ガスを４５．５ＳＬＭ吹き付けるように、使用することがある。このようにしてＨＦガスが吹き付けられたガラス表面の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは３０．６ｎｍであり、上述のｘの値は２．５μｍである。

片流しインジェクタとは、図２に示す通り、吐出から排気へのガスの流れがガラス板の移動方向に対して順方向もしくは逆方向のいずれかに固定されるインジェクタである。片流しインジェクタを使用するときは、気流安定性の点でガラス板上のガスの流れとガラス板の移動方向が同じであることが好ましい。

また、フッ素含有流体の供給口と、未反応のフッ素含有流体ならびにガラス板と反応して生成する気体、またはフッ素含有流体のうち２種以上のガスが反応して生成する気体の排気口とが、ガラス板の同じ側の面に存在することが好ましい。

搬送されているガラス板表面に対してフッ素含有流体を供給して表面処理をするにあたっては、例えば、ガラス板がコンベヤーの上を流れている場合は、コンベヤーに触れていない側から供給してもよい。また、コンベヤーベルトにメッシュベルトなどのガラス板の一部が覆われていないメッシュ素材を用いることにより、コンベヤーに触れている側から供給してもよい。

また２つ以上のコンベヤーを直列に並べて、隣り合うコンベヤーの間にインジェクタを設置することにより、コンベヤーに触れている側から当該ガスを供給してガラス板表面を処理してもよい。また、ガラス板がローラーの上を流れている場合は、ローラーに触れていない側から供給してもよいし、ローラーに触れている側において、隣り合うローラーの間から供給してもよい。

ガラス板の両方の側から同じまたは異なるガスを供給してもよい。例えば、ローラーに触れていない側と、ローラーに触れている側の両方の側からガスを供給してガラス板を表面処理してもよい。例えば、徐冷領域で両方の側からガスを供給する場合は、連続的に搬送されているガラスに対してインジェクタを、ガラス板を挟んで向かい合うように配置して、ローラーに触れていない側とローラーに触れている側の両方の側からガスを供給してもよい。

ローラーに触れている側に配置されるインジェクタと、ローラーに触れていない側に配置されるインジェクタは、ガラス板の流れ方向に異なる位置に配置してもよい。異なる位置に配置するにあたっては、いずれがガラス板の流れ方向に対して上流に配置されても、下流に配置されてもよい。

フロート法によるガラス製造技術とＣＶＤ技術を組み合わせて、オンラインで機能膜付きガラス板が製造されていることは広く知られている。この場合透明導電膜及びその下地膜については、いずれも錫に触れていない面から、もしくは、ローラーに触れていない面からガスを供給して、ガラス板上に成膜されることが知られている。

例えば、このオンラインＣＶＤによる機能膜付きガラス板の製造において、ローラーに触れている面にインジェクタを配置して、そのインジェクタからガラス板にフッ素含有流体を供給してガラス板表面を処理してもよい。

また、フッ素含有流体をガラス板表面に供給する際のガラス板表面の圧力は、大気圧−１００Ｐａから大気圧＋１００Ｐａの圧力範囲の雰囲気であることが好ましく、大気圧−５０Ｐａから大気圧＋５０Ｐａの圧力範囲の雰囲気であることがより好ましい。

ガス流量について、フッ素含有流体としてＨＦを用いた場合について代表して述べる。ＨＦでガラス板を処理するにあたっては、ＨＦ流量が多いほど化学強化処理時の反り改善効果が大きいため好ましく、全ガス流量が同じ場合は、ＨＦ濃度が高いほど、化学強化処理時の反り改善効果が大きくなる。

全ガス流量とＨＦガス流量とが一定の場合は、ガラス板を処理する時間が長いほど、化学強化処理時の反り改善効果が大きくなる。例えばガラス板を加熱した後に、ＨＦガスを用いてガラス板表面を処理する場合、ガラス板の搬送速度が低いほど化学強化後の反りが改善する。全ガス流量やＨＦ流量をうまくコントロールできない設備でも、ガラス板の搬送速度を適宜コントロールすることによって、化学強化後の反りを改善することができる。

３．化学強化
化学強化は、ガラス転移点以下の温度で、イオン交換により、ガラス表面のイオン半径が小さなアルカリ金属イオン（典型的には、ＬｉイオンまたはＮａイオン）を、イオン半径のより大きなアルカリ金属イオン（典型的には、Ｋイオン）に交換することで、ガラス表面に圧縮応力層を形成する処理である。化学強化処理は従来公知の方法によって行うことができる。

本発明では、フッ素を導入したガラス板を化学強化することにより、化学強化後の反りが改善されたガラス板を得ることができる。化学強化前のガラス板に対する化学強化後のガラス板の反りの変化量（反り変化量）は、三次元形状測定機（例えば、三鷹光器株式会社製）、または、表面粗さ・輪郭形状測定機（例えば、株式会社東京精密製）で測定することができる。

本発明において、化学強化後の反りの改善は、フッ素含有流体により表面処理する以外は全て同じ条件の実験において、以下に示す式により求める反り変位量により評価する。

反り変位量＝ΔＸ−ΔＹ
ΔＸ：未処理ガラス板の化学強化による反り変化量
ΔＹ：処理ガラス板の化学強化による反り変化量
ここで、反り変化量は、化学強化後のガラス板の反り量から、化学強化前のガラス板の反り量を減じた値である。反り変化量は、ΔＸ＞０とする。ΔＹはΔＸと同方向に反る場合にΔＹ＞０、ΔＸと逆方向に反る場合はΔＹ＜０とする。

未処理ガラス板の化学強化による反り変化量は、種々の条件に依存しばらつきが大きい。反り変位量が所定値より大きいということは、上記ばらつきにかかわらず反りを制御できることを意味する。したがって、反り変位量が所定値、具体的には１０μｍ以上であるガラス板は、反り問題を低減することができる。

ガラス板のＣＳ（表面圧縮応力）およびＤＯＬ（圧縮応力層の深さ）は、表面応力計により測定することができる。化学強化ガラスの表面圧縮応力は６００ＭＰａ以上であることが好ましく、圧縮応力層の深さは１５μｍ以上であることが好ましい。化学強化ガラスの表面圧縮応力および圧縮応力層の深さを当該範囲とすることにより、優れた強度と耐傷性が得られる。

４．フラットパネルディスプレイ装置
以下、本発明のガラス板を化学強化した後、当該化学強化ガラスをフラットパネルディスプレイ装置のカバーガラスとして用いた例について説明する。図３は、カバーガラスが配置されたディスプレイ装置の断面図である。なお、以下の説明において、前後左右は図中の矢印の向きを基準とする。

ディスプレイ装置４０は、図３に示すように、筐体１５内に設けられた表示パネル４５と、表示パネル４５の全面を覆い筐体１５の前方を囲うように設けられるカバーガラス３０とを備える。

カバーガラス３０は、主として、ディスプレイ装置４０の美観や強度の向上、衝撃破損防止などを目的として設置されるものであり、全体形状が略平面形状の一枚の板状ガラスから形成される。カバーガラス３０は、図３に示すように、表示パネル４５の表示側（前側）から離間するように（空気層を有するように）設置されていてもよく、透光性を有する接着膜（図示せず）を介して表示パネル４５の表示側に貼り付けられてもよい。

カバーガラス３０の表示パネル４５からの光を出射する前面には機能膜４１が設けられ、表示パネル４５からの光が入射する背面には、表示パネル４５と対応する位置に機能膜４２が設けられている。なお、機能膜４１、４２は、図３では両面に設けたが、これに限らず前面または背面に設けてもよく、省略してもよい。

機能膜４１、４２は、例えば、周囲光の反射防止、衝撃破損防止、電磁波遮蔽、近赤外線遮蔽、色調補正、および／または耐傷性向上などの機能を有し、厚さおよび形状などは用途に応じて適宜選択される。機能膜４１、４２は、例えば、樹脂製の膜をカバーガラス３０に貼り付けることにより形成される。あるいは、蒸着法、スパッタ法またはＣＶＤ法などの薄膜形成法により形成されてもよい。

符号４４は、黒色層であり、例えば、顔料粒子を含むインクをカバーガラス３０に塗布し、これを紫外線照射、または加熱焼成した後、冷却することによって形成された被膜であり、筐体１５の外側からは表示パネル等が見えなくなり、外観の審美性を向上させる。

このように、ディスプレイ装置のカバーガラスとして本発明のガラス板を用いる場合、表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが２．５ｎｍ以下であることが好ましく、１．５ｎｍ以下であることがさらに好ましい。これにより、カバーガラスによってディスプレイ装置の表示像の鮮明さを損なうことを防止できる。ガラス板の表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００１年）に準拠して、次のように測定できる。測定装置として、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：原子間力顕微鏡）、例えばＰａｒｋ Ｓｙｓｔｅｍｓ社製、ＸＥ−ＨＤＭ用いて、スキャンサイズ１μｍ×１μｍにて３か所測定し、３か所の平均値をガラス板のＲａ値とする。

以下に本発明の実施例について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。

（ガラス板の組成）
本実施例では、以下の組成の硝材ＡおよびＢのガラス板を用いた。
（硝材Ａ）モル％表示で、ＳｉＯ_２を７２．０％、Ａｌ_２Ｏ_３を１．１％、Ｎａ_２Ｏを１２．６％、Ｋ_２Ｏを０．２％、ＭｇＯを５．５％、ＣａＯを８．６％含有するガラス（ガラス転移温度５６６℃）
（硝材Ｂ）モル％表示で、ＳｉＯ_２を６４．３％、Ａｌ_２Ｏ_３を８．０％、Ｎａ_２Ｏを１２．５％、Ｋ_２Ｏを４．０％、ＭｇＯを１０．５％、ＣａＯを０．１％、ＳｒＯを０．１％、ＢａＯを０．１％およびＺｒＯ_２を０．５％含有するガラス（ガラス転移温度６０４℃）

（反り量の測定）
化学強化前にサーフコム表面粗さ・輪郭形状測定機（株式会社東京精密製）で反り量を測定した後、各ガラスを化学強化し、化学強化後の反り量も同様に測定し、上述の手順に基づいて反り変位量を算出した。

（二次イオン質量分析；ＳＩＭＳ）
二次イオン質量分析の分析条件は以下とした。
測定装置：アルバック・ファイ社製 ＡＤＥＰＴ１０１０
一次イオン種：Ｃｓ^＋
一次加速電圧：５．０ｋＶ
一次イオンカレント：１μＡ
一次イオン入射角（試料面垂直方向からの角度）：６０°
ラスターサイズ：２００ｘ２００μｍ^２
検出領域：４０ｘ４０μｍ^２
二次イオン極性：マイナス
中和用の電子銃使用：有

得られた結果から、上述した式１〜式４より強度比（Ｆ／Ｓｉ）を求め、さらにフッ素濃度（ｍｏｌ％）に変換した。横軸を深さとし、縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とする深さ方向プロファイルを作成し、その積分値をガラス中に含まれるフッ素量（ｍｏｌ％・μｍ）とした。

また、ＳＩＭＳ分析によって得られる深さ方向プロファイルの横軸の深さは、分析クレーターの深さを触針式膜厚計（Ｖｅｅｃｏ社製Ｄｅｋｔａｋ１５０）によって測定した。

（ＨＦ総接触量）
ＨＦ総接触量（ｍｏｌ／ｃｍ^２）は、下式により求めた。同式中の処理時間とは、ＨＦガスがガラスリボンの表面と接触している時間である。
［ＨＦ総接触量（ｍｏｌ／ｃｍ^２）］＝［ＨＦガス濃度（体積％）］／１００×［ガス流量（ｍｏｌ／ｓ／ｃｍ^２）］×［処理時間（ｓ）］…（ｂ）

［実施例１］
硝材ＡおよびＢのガラスリボンが流れるフロートバスにおいて、フッ素含有流体としてＨＦガスを用いてフッ素処理（以下、ＨＦ処理という）を実施した。得られたガラスを上述の手順で測定し、ガラス中に含まれるフッ素量、フッ素の侵入深さｘ、表面フッ素濃度等を算出した。

得られた板厚０．７ｍｍのガラスを１００ｍｍ角３枚に切断し、その基板の９０ｍｍ角部に相当する部分の対角線２本の反りを測定し、その平均値を強化前の反り量とした。その後、硝材Ｂのガラス板を４５０℃に加熱されたＫＮＯ_３熔融塩中に２時間浸漬し、硝材Ａのガラス板を４２０℃に加熱されたＫＮＯ_３熔融塩中に２．５時間浸漬し化学強化を行った。次に、基板の９０ｍｍ角部に相当する部分の対角線２本の反りを測定し、その平均値を強化後の反り量とした。

結果を表１〜３に示す。なお、比較例１−１〜１−３は、ＨＦ処理を実施していないリファレンスである。

表３の「ａ」欄に記載の数値は、下記式により求めた。
ａ＝（Ｆ_２０−Ｆ_３）／１７
Ｆ_２０＝（フッ素濃度の大きい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）
Ｆ_３＝（フッ素濃度の大きい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）

表３の「ｂ」欄に記載の数値は、下記式により求めた。
ｂ＝Ｆ_３−３×ａ
ａ＝（Ｆ_２０−Ｆ_３）／１７
Ｆ_２０＝（フッ素濃度の大きい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）
Ｆ_３＝（フッ素濃度の大きい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）

表１〜３に示すように、ＨＦで表面処理した実施例１−１〜１−３７のガラス板は、ＨＦで表面処理しなかった比較例１−１〜１−３と比較して、化学強化後の反りが改善されていた。このことから、一方の面の深さ０〜２０μｍにおけるＳＩＭＳ分析における平均フッ素濃度が、もう一方の面の深さ０〜２０μｍにおける平均フッ素濃度より大きいガラス板は、反り変位量が１０μｍ以上となり、化学強化後の反りが改善されることが分かった。

また、一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値がもう一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値の比が１．４より大きく、且つガラス中に含まれるフッ素量が０．２３ｍｏｌ％・μｍ超２１ｍｏｌ％・μｍ以下である実施例１−１〜１−３７は、化学強化後の反り改善効果がより高いことがわかった。また、表１〜３に示すように、ｘ（μｍ）が１以上である実施例１−１〜１−３７は、化学強化後の反りが効果的に改善されていることがわかった。

また、表１〜３に示すように、ａを−０．１未満とすることにより、反り変位量１０μｍ以上となり、化学強化後の反りが改善されることが分かった。また、ｂを４以上とすることにより、反り変位量が１０μｍ以上となり、化学強化後の反りが改善されることが分かった。さらに、Ｆ_３を４以上とすることにより、反り変位量が１０μｍ以上となり、化学強化後の反りが改善されることが分かった。

本発明を特定の態様を参照して詳細に説明したが、本発明の精神と範囲を離れることなく様々な変更および修正が可能であることは、当業者にとって明らかである。
なお、本出願は、２０１３年９月２５日付けで出願された日本特許出願（特願２０１３−１９８４７２）に基づいており、その全体が引用により援用される。

１ 中央スリット
２ 外スリット
４ 流路
５ 排気スリット
１５ 筐体
２０ ガラス板
３０ カバーガラス
４０ ディスプレイ装置
４１，４２ 機能膜
４５ 表示パネル
１０１ ガラスリボン
１０２ ビーム
１０３ ラジエーションゲート
１１０ ガラスリボンの幅方向
１１１，１１２，１１３ ガス系統
１１４，１１５ 隔壁
１１６ ガス吹き穴

Claims (16)

1. 横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とする二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）による深さ方向プロファイル上で、一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値がもう一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値より大きく、両者の比が１．４より大きいガラス板であって、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、ガラス中に含まれるフッ素量が０．２３ｍｏｌ％・μｍ超２１ｍｏｌ％・μｍ以下であるガラス板。
2. 一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値ともう一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値の比が４以上である請求項１に記載のガラス板。
3. フロート法により製造されたガラス板であって、トップ面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値がボトム面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値より大きい請求項１に記載のガラス板。
4. トップ面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値とボトム面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値の比が４．９以上である請求項３に記載のガラス板。
5. 横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、少なくとも一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値が、深さ５０〜７０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値より大きいガラス板であって、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、ガラス中に含まれるフッ素量が０．２３ｍｏｌ％・μｍ超２１ｍｏｌ％・μｍ以下であるガラス板。
6. 横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、少なくとも一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値（Ｓ_１）を、同方向から見た深さ５０〜７０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値（Ｓ_４）で除した値（Ｓ_１／Ｓ_４）が２．１以上である請求項１〜５のいずれか１項に記載のガラス板。
7. 横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、少なくとも一方の面の深さ０〜２０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値（Ｓ_１）を、同方向から見た深さ５０〜７０μｍにおける深さ方向プロファイルの平均値（Ｓ_４）で除した値（Ｓ_１／Ｓ_４）が２．１〜１００である請求項１〜６のいずれか１項に記載のガラス板。
8. フロート法により製造されたガラス板である請求項６または７に記載のガラス板。
9. 厚みが１．５ｍｍ以下である請求項１〜８のいずれか１項に記載のガラス板。
10. 厚みが０．８ｍｍ以下である請求項１〜９のいずれか１項に記載のガラス板。
11. 表面粗さＲａが２．５ｎｍ以下である請求項１〜１０のいずれか１項に記載のガラス板。
12. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載のガラス板を化学強化して得られる化学強化ガラス板。
13. カバーガラスを備えたフラットパネルディスプレイ装置であって、該カバーガラスが請求項１２に記載の化学強化ガラス板であるフラットパネルディスプレイ装置。
14. 一方の面におけるフッ素濃度が他方の面におけるフッ素濃度より大きいフッ素含有ガラス板であって、下記式で表されるａが−０．１未満であり、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、ガラス中に含まれるフッ素量が０．２３ｍｏｌ％・μｍ超２１ｍｏｌ％・μｍ以下であるガラス板。
    ａ＝（Ｆ_２０−Ｆ_３）／１７
    Ｆ_２０＝（フッ素濃度の大きい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）
    Ｆ_３＝（フッ素濃度の大きい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）
15. 一方の面におけるフッ素濃度が他方の面におけるフッ素濃度より大きいフッ素含有ガラス板であって、下記式で表されるｂが４以上であり、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、ガラス中に含まれるフッ素量が０．２３ｍｏｌ％・μｍ超２１ｍｏｌ％・μｍ以下であるガラス板。
    ｂ＝Ｆ_３−３×ａ
    ａ＝（Ｆ_２０−Ｆ_３）／１７
    Ｆ_２０＝（フッ素濃度の大きい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ２０μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）
    Ｆ_３＝（フッ素濃度の大きい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）
16. 一方の面におけるフッ素濃度が他方の面におけるフッ素濃度より大きいフッ素含有ガラス板であって、下記式で表されるＦ_３が４以上であり、横軸を深さとし、且つ縦軸をフッ素濃度（ｍｏｌ％）とするＳＩＭＳによる深さ方向プロファイル上で、ガラス中に含まれるフッ素量が０．２３ｍｏｌ％・μｍ超２１ｍｏｌ％・μｍ以下であるガラス板。
    Ｆ_３＝（フッ素濃度の大きい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）／（フッ素濃度の小さい面における深さ３μｍのＳＩＭＳによるフッ素濃度）

Images