JPWO2015008375A1 - ストレージ装置および記憶制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
:Yes)は、SSDコントローラ710は、データを圧縮し(S107)、論物変換TBL23100を参照し、データの格納先のFM位置(Block#、Page#、及びCW#)を決定し、決定したFM位置にそのデータを格納する(S108)。
図22は、ホスト計算機30のリード処理に関わる処理の流れの一例を示すシーケンス図である。なお、図22における、ストレージコントローラ100の処理は、Read I/O プログラム12200が実行されることにより実現され、SSDコントローラ710の処理は、Read I/O プログラム22200が実行されることにより実現される。
Claims (15)
- 1以上の不揮発性の半導体記憶媒体と前記半導体記憶媒体に接続された媒体コントローラとを有する半導体記憶デバイスと、
前記半導体記憶デバイスに接続され前記半導体記憶デバイスが提供する論理記憶領域に対してデータを格納するストレージコントローラと
を有し、
前記媒体コントローラは、前記論理記憶領域に格納されるデータを圧縮し圧縮されたデータを前記半導体記憶媒体に格納し、
前記論理記憶領域の論理アドレス空間の大きさは、前記半導体記憶媒体の物理アドレス空間の大きさの合計よりも大きい
ストレージ装置。 - それぞれが1以上の半導体記憶デバイスで構成された複数の半導体記憶ユニットを有し、
前記ストレージコントローラは、
半導体記憶ユニットが枯渇するリスクを算出するための枯渇関連情報を前記複数の半導体記憶デバイス各々から取得し、
前記複数の半導体記憶ユニットの各々について、前記取得された枯渇関連情報に基づいて、半導体記憶ユニットの容量が枯渇するリスクである容量枯渇リスクを算出し、
前記複数の半導体記憶ユニットの各々の容量枯渇リスクに基づいて、前記複数の半導体記憶ユニットのうちのいずれかの容量枯渇リスクを軽減するように半導体記憶ユニット間でデータを移動する枯渇回避処理を実行する、
請求項1に記載のストレージ装置。 - 前記ストレージコントローラは、
半導体記憶ユニットの残寿命を算出するための残寿命情報を前記複数の半導体記憶デバイスの各々から取得し、
前記複数の半導体記憶ユニットの各々について、前記取得された前記残寿命情報に基づいて、半導体記憶ユニットの残寿命を算出し、
前記枯渇回避処理が終了した後に、前記複数の半導体記憶ユニットの各々について、前記取得された残寿命に基づいて、前記複数の半導体記憶ユニットにおける残寿命が平準化するように半導体記憶ユニット間でデータを移動する寿命平準化処理を実行する、
請求項2に記載のストレージ装置。 - 前記ストレージコントローラは、
半導体記憶ユニットにおいて入出力されるデータ量に関する入出力量情報を前記複数の半導体記憶デバイスの各々から取得し、
前記寿命平準化処理が終了した後に、前記複数の半導体記憶ユニットの各々について、前記取得された入出力量情報に基づいて、前記複数の半導体記憶ユニットについての入出力データ量が平準化するように半導体記憶ユニット間でデータを移動する入出力平準化処理を実行する、
請求項3に記載のストレージ装置。 - 前記ストレージコントローラは、前記複数の半導体記憶ユニットのいずれかの容量枯渇リスクが所定の閾値以上である場合に、前記枯渇回避処理を実行する、
請求項2に記載のストレージ装置。 - 前記枯渇関連情報は、その枯渇関連情報の取得元の半導体記憶デバイスについてのライト量、圧縮率、及び空き物理容量を含み、
前記ストレージコントローラは、前記枯渇関連情報が含むライト量、圧縮率、及び空き物理容量に基づいて、その枯渇関連情報の取得元の半導体記憶デバイスおよび半導体記憶ユニットについての容量枯渇リスクを算出する、
請求項2に記載のストレージ装置。 - 各半導体記憶媒体は、複数のブロックで構成されており、
前記枯渇回避処理では、ブロックよりも大きい記憶領域単位でデータが移動される、
請求項2に記載のストレージ装置。 - 前記ストレージコントローラは、前記複数の半導体記憶ユニットのうち、残寿命の差が所定の閾値以上となる2つの半導体記憶ユニットがある場合に、前記寿命平準化処理を実行する、
請求項3に記載のストレージ装置。 - 前記残寿命情報は、その残寿命情報の取得元の半導体記憶デバイスについてデータの消去が可能な回数である残消去回数の履歴を含み、
前記ストレージコントローラは、前記複数の半導体記憶ユニットの各々について、残消去回数の履歴に基づいて、半導体記憶ユニットの残寿命を算出する、
請求項3に記載のストレージ装置。 - 前記ストレージコントローラは、前記寿命平準化処理において、残寿命が短い半導体記憶ユニットの中でライト予想量が多い第1の部分記憶領域における第1のライト予想量が、残寿命が長い半導体記憶ユニットの中でライト予想量が少ない第2の部分記憶領域の第2のライト予想量よりも多い場合には、前記第1の部分記憶領域のデータと、前記第2の部分記憶領域のデータとを交換し、第1のライト予想量が、第2のライト予想量よりも多くない場合には、前記第1の部分記憶領域のデータと、前記第2の部分記憶領域のデータとの交換を行わないように制御する、
請求項3に記載のストレージ装置。 - 前記ストレージコントローラは、前記複数の半導体記憶ユニットのうち、所定時間に入出力されるデータ量の差が所定の閾値以上となる2つの半導体記憶ユニットがある場合に、前記入出力平準化処理を実行する、
請求項4に記載のストレージ装置。 - それぞれが1以上の半導体記憶デバイスで構成された複数の半導体記憶ユニットを有し、
前記ストレージコントローラは、
複数のデータ配置制御処理のうちのいずれか対象のデータ配置制御処理を行う前に、対象のデータ配置制御処理を行っても対象のデータ配置制御処理より優先度が高いデータ配置制御処理によって満たされるべき条件が満たされたままとなるか否かを判断し、
その判断の結果が肯定的の場合に、前記対象のデータ配置制御処理を行い、
前記複数のデータ配置制御処理の各々は、半導体記憶ユニット間でデータの移動が行われる処理である、
請求項1に記載のストレージ装置。 - 前記複数のデータ配置制御処理は、前記複数の半導体記憶ユニットのうちのいずれかの容量枯渇リスクを軽減するように半導体記憶ユニット間でデータを移動する枯渇回避処理、前記複数の半導体記憶ユニットにおける残寿命が平準化するように半導体記憶ユニット間でデータを移動する寿命平準化処理、前記複数の半導体記憶ユニットについての入出力データ量が平準化するように半導体記憶ユニット間でデータを移動する入出力平準化処理のうちの少なくとも2つを含み、
前記複数の半導体記憶ユニットの各々について、容量枯渇リスクは、半導体記憶ユニットの容量が枯渇するリスクである、
請求項12に記載のストレージ装置。 - 1以上の不揮発性の半導体記憶媒体と前記半導体記憶媒体に接続された媒体コントローラとを有する半導体記憶デバイスを基に、前記半導体記憶媒体の物理アドレス空間の大きさの合計よりも大きい論理アドレス空間の大きさを持つ論理記憶領域を提供し、
ストレージコントローラが、前記論理記憶領域の格納先に基づく半導体記憶デバイスに、格納対象のデータを送信し、
前記媒体コントローラが、前記格納対象のデータを受信し、受信したデータを圧縮し、圧縮されたデータを前記半導体記憶媒体に格納する、
記憶制御方法。 - 前記ストレージコントローラが、半導体記憶ユニットが枯渇するリスクを算出するための枯渇関連情報を、半導体記憶デバイスから取得し、
前記ストレージコントローラが、前記複数の半導体記憶ユニットの各々について、前記取得された枯渇関連情報に基づいて、半導体記憶ユニットの容量が枯渇するリスクである容量枯渇リスクを算出し、
前記ストレージコントローラが、前記複数の半導体記憶ユニットの各々の容量枯渇リスクに基づいて、前記複数の半導体記憶ユニットのうちのいずれかの容量枯渇リスクを軽減するように半導体記憶ユニット間でデータを移動する枯渇回避処理を実行する、
請求項14に記載の記憶制御方法。
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末安 泰三: "次世代ファイル・システムの本命 「Btrfs」完全活用", 日経LINUX, vol. 第11巻 第6号, JPN6017002514, 8 June 2009 (2009-06-08), JP, pages 63 - 76, ISSN: 0003488677 * |
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