JPWO2014208122A1 - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

液晶表示装置（１００）において、第１基板（１０）は、液晶層側から、第１配向膜（２５）と、第１電極（２４）と、誘電体層（２３）と、第２電極（２２）とをこの順で有し、第１および第２電極の一方は、互いに平行な複数の直線部分（２４ｓ）を有し、第２基板（３０）は、液晶層側から、第２配向膜（３５）と、開口部（３２ａ）を有する遮光層（３２）とをこの順で有し、液晶層（４２）は、誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含み、液晶材料に含まれる液晶分子は、第１および第２配向膜によってほぼ水平に配向しており、遮光層（３２）の開口部（３２ａ）は、複数の直線部分（２４ｓ）と平行で、開口部の幅を規定する２つの辺を有し、開口部（３２ａ）の２つの辺から、複数の直線部分（２４ｓ）の内の最も近い直線部分までの距離をＤ１およびＤ２とするとき、（Ｄ１＋Ｄ２）／２が１．０μｍ以上３．０μｍ未満である。

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、Fringe Field Switching（ＦＦＳ）モードの液晶表示装置に関する。

ＦＦＳモードの液晶表示装置は、従来の縦電界モード（例えば、ＶＡモード）の液晶表示装置に比べて、γ特性の視角依存性が小さいという利点を有しており、例えば、中小型の液晶表示装置として利用が広まっている。しかしながら、表示品位のさらなる向上が望まれており、ＦＦＳモードの液晶表示装置については、特に、表示輝度（透過率）の向上が望まれている。

現在市販されているＦＦＳモードの液晶表示装置は、Ｐ型液晶材料（誘電異方性が正、Δε＞０）のネマチック液晶材料が用いられている。これに対し、特許文献１には、Ｎ型液晶材料（誘電異方性が負、Δε＜０）のネマチック液晶材料を用いることによって、表示輝度を向上させることができると記載されている。

特開２０１０−８５９７号公報

特許文献１には、Ｎ型液晶材料を用いたＦＦＳモードの液晶表示装置は開示されているものの、具体的な画素の構造と表示輝度との関係は記載されていない。

本発明は、Ｎ型液晶材料を用いたＦＦＳモードの表示装置の表示輝度を効果的に高めることを目的とする。

本発明による実施形態の液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層とを有し、前記第１基板は、前記液晶層側から、第１配向膜と、第１電極と、誘電体層と、第２電極とをこの順で有し、前記第１および第２電極の一方は、互いに平行な複数の直線部分を有し、前記第２基板は、前記液晶層側から、第２配向膜と、開口部を有する遮光層とをこの順で有し、前記液晶層は、誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含み、前記液晶材料に含まれる液晶分子は、前記第１および第２配向膜によってほぼ水平に配向しており、前記遮光層の前記開口部は、前記複数の直線部分と平行で、前記開口部の幅を規定する２つの辺を有し、前記開口部の前記２つの辺から、前記複数の直線部分の内の最も近い直線部分までの距離をＤ１およびＤ２とするとき、（Ｄ１＋Ｄ２）／２が１．０μｍ以上３．０μｍ未満である。前記第１および第２配向膜によって規制される配向の方位は、平行または反平行である。

ある実施形態において、前記第１および第２配向膜は、光配向膜である。光配向膜は、光異性化によって配向規制方位を規定するものが好ましい。

ある実施形態において、前記第１および第２配向膜により規制される配向規制方向は、前記複数の直線部に対し、ほぼ直交する。

ある実施形態において、前記第１および第２配向膜によって規定されるプレチルト角は０°である。

ある実施形態において、前記複数の直線部分のそれぞれの幅Ｌは、１．５μｍ以上３．５μｍ以下であり、隣接する２つの直線部分の間隙の幅Ｓは、３．０μｍ超６．０μｍ以下である。

ある実施形態において、前記第１電極が前記複数の直線部分を有する。またある実施形態においては、前記第２電極が前記複数の直線部分を有する。前記複数の直線部分を有する電極は、画素電極または対向電極（共通電極）である。

本発明の実施形態によると、Ｎ型液晶材料を用いたＦＦＳモードの表示装置の表示輝度を効果的に高めることができる。

（ａ）は、液晶表示装置１００の模式的な平面図であり、（ｂ）は、（ａ）における１Ｂ−１Ｂ’線に沿った模式的な断面図である。 Ｎ型液晶材料を用いた場合と、Ｐ型液晶材料を用いた場合のモード効率がＤに依存する様子を示すグラフである。 液晶表示装置１００の画素における透過率分布を示すグラフである。 （ａ）Ｐ型液晶材料の液晶分子の配向の状態を模式的に示す図であり、（ｂ）はＮ型液晶材料の液晶分子の配向の状態を模式的に示す図である。 ネガ型液晶材料を用いた場合の光漏れ率の極角依存性を示すグラフである。

以下、図面を参照して、本発明による実施形態の液晶表示装置１００の構造を説明する。図１（ａ）および（ｂ）に、本発明による実施形態の液晶表示装置１００の構造を模式的に示す。図１（ａ）は、液晶表示装置１００の模式的な平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）における１Ｂ−１Ｂ’線に沿った模式的な断面図である。図１（ａ）および（ｂ）は、液晶表示装置１００の１つの画素に対応する構造を示している。液晶表示装置は、行および列を有するマトリクス状に配列された複数の画素を有しており、行方向の画素の配列のピッチをＰｘ、列方向の画素の配列のピッチをＰｙとする。

液晶表示装置１００は、ＴＦＴ基板（第１基板）１０と、対向基板（第２基板）３０と、ＴＦＴ基板１０と対向基板３０との間に設けられた液晶層４２とを有する。液晶表示装置１００は、さらに不図示の一対の偏光板を有している。偏光板は、ＴＦＴ基板１０および対向基板３０の外側に、クロスニコルに配置される。一方の透過軸（偏光軸）は水平方向、他方の透過軸は垂直方向に配置される。

ＴＦＴ基板１０は、液晶層４２側から、第１配向膜２５と、第１電極２４と、誘電体層２３と、第２電極２２とをこの順で有し、第１電極２４は、互いに平行な複数の直線部分２４ｓを有している。ここでは、第１電極２４が複数の直線部分２４ｓを有する構造を例示しているが、第２電極が複数の直線部分を有してもよい。直線部分２４ｓは、例えば、第１電極２４を形成する導電膜にスリットを設けることによって形成され得る。第１電極２４および第２電極２２の一方が画素電極であり、他方が対向電極（共通電極）であればよいが、ここでは、第１電極２４は画素電極であり、第２電極２２は対向電極ある例を説明する。この例の場合、対向電極は、典型的にはべた電極（スリットなどがない膜電極）である。画素電極２４が有する複数の直線部分２４ｓのそれぞれの幅Ｌは、例えば、１．５μｍ以上３．５μｍ以下であり、隣接する２つの直線部分２４ｓの間隙の幅Ｓは、例えば、３．０μｍ超６．０μｍ以下である。画素電極２４および対向電極２２は、ＩＴＯなどの透明導電材料から形成される。

液晶表示装置１００は、ＴＦＴ型であり、画素電極２４は、ＴＦＴのドレイン電極に接続されており、ＴＦＴを介して、ＴＦＴのソース電極に接続されたソースバスライン（不図示）から、表示信号が供給される。ソースバスラインは列方向の延びるように配置され、ゲートバスラインは行方向に延びるように配置されている。ＴＦＴとしては、酸化物半導体を用いたＴＦＴが好ましい。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体に代表される酸化物半導体は、高い移動度を有しているので、小型化が可能で、画素の開口率を高めることができる。液晶表示装置１００に好適に用いられる酸化物半導体については後述する。酸化物半導体を用いたＴＦＴを備えるＦＦＳモードの液晶表示装置は、種々のものが知られており、例えば国際公開第２０１３／０７３６３５号に開示されている。参考のために、国際公開第２０１３／０７３６３５号の開示内容の全てを本明細書に援用する。図１（ｂ）には、ボトムゲート型のＴＦＴを有する場合の積層構造を模式的に示している。

ＴＦＴ基板１０は、基板（例えばガラス基板）１１と、その上に形成されたゲートメタル層１２、ゲートメタル層１２を覆うゲート絶縁層１３と、ゲート絶縁層１３上に形成された酸化物半導体層１４と、酸化物半導体層１４上に形成されたソースメタル層１６と、ソースメタル層１６上に形成された層間絶縁層１７とをさらに有している。ここでは、簡略化しているが、ゲートメタル層１２はゲート電極、ゲートバスラインおよび対向電極用配線を含み、酸化物半導体層１４はＴＦＴの活性層を含み、ソースメタル層１６は、ソース電極、ドレイン電極およびソースバスラインを含む。対向電極２２は、層間絶縁層１７上に形成されている。必要に応じて、層間絶縁層１７と対向電極２２との間に、さらに平坦化層が設けられることもある。

対向基板３０は、基板（例えばガラス基板）３１上に、液晶層４２側から、第２配向膜３５と、開口部３２ａを有する遮光層３２（ブラックマトリクス）とをこの順で有する。遮光層３２の開口部３２ａには、カラーフィルタ層３４が形成される。遮光層３２は、例えば、感光性を有する黒色樹脂層を用いて形成することができる。カラーフィルタ層３４も、感光性を有する着色樹脂層を用いて形成することができる。基板３１の外側（液晶層４２とは反対側）に、必要に応じて、帯電を防止するための、ＩＴＯ等からなる透明導電層（不図示）が設けられることもある。

液晶層は、誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含み、液晶材料に含まれる液晶分子は、第１配向膜２５および第２配向膜３５によってほぼ水平に配向している。第１配向膜２５および第２配向膜３５によって規制される配向の方位は、平行または反平行であってよい。第１配向膜および第２配向膜による配向規制方位は、直線部分２４ｓの延びる方向にほぼ直交する。第１配向膜２５および第２配向膜３５によって規定されるプレチルト角は例えば０°である。

第１配向膜２５および第２配向膜３５は、例えば、光配向膜である。光配向膜は、光異性化によって配向規制方位を規定するものが好ましい。光配向膜として、国際公開第２００９／１５７２０７号に記載の光配向膜を用いることができる。例えば、ポリイミドの主鎖と、光反応性官能基としてのシンナメート基を含む側鎖とを有する高分子からなる配向膜に偏光紫外線を照射することによって、光配向膜を形成することができる。参考のために、国際公開第２００９／１５７２０７号の開示内容の全てを本明細書に援用する。

液晶表示装置１００の遮光層３２の開口部３２ａは、複数の直線部分２４ｓと平行で、開口部３２ａの幅Ｗｏを規定する２つの辺を有し、開口部３２ａの２つの辺から、複数の直線部分２４ｓの内の最も近い直線部分２４ｓまでの距離をＤ１およびＤ２とするとき、（Ｄ１＋Ｄ２）／２が１．０μｍ以上３．０μｍ未満である。（Ｄ１＋Ｄ２）／２をＤと表記することがある。ＴＦＴ基板と対向基板３０との間にアライメントずれがない場合には、Ｄ１＝Ｄ２＝Ｄとなる。液晶表示装置１００は、開口部３２ａと画素電極２４の直線部分２４ｓとが上記の関係を満足すように配置されているので、表示輝度を効果的に高めることができる。以下にこのことを詳細に説明する。

図２に、Ｎ型液晶材料を用いた場合と、Ｐ型液晶材料を用いた場合のモード効率がＤに依存する様子を示す。モード効率は、以下のように定義される。モード効率が高いほど、表示輝度が高い。
モード効率（％）＝（（液晶表示パネルの光透過率）／（一対の偏光板のみをパラレルニコルに配置したと想定したときの光透過率））＊１００

なお、上記式における「液晶表示パネルの光透過率」は、開口率で規格化されている。また、上記式における＊は、乗算を表す。開口率は、液晶表示パネルの表示領域の面積の内、実際の表示に寄与する面積の比率を表す。図１（ａ）を参照して説明すると、ＰｘとＰｙとの積で表される面積に対する、開口部３２ａの面積の比率に相当することになる。

ここで、シミュレーションに用いた構成（図１参照）を以下に示す。シミュレーションにはＥｘｐｅｒｔＬＣＤ（ＤＡＯＵ ＸＩＬＩＣＯＮ社製）を用いた。

Ｐｘ＝２７μｍ、Ｐｙ＝８１μｍ、Ｗｏ＝１９μｍ、Ｌ／Ｓ＝２．６μｍ／３．８μｍ
Ｎ型液晶材料：Δε＝−４．２、Δｎ＝０．１０３、白表示電圧５．０Ｖ、液晶層の厚さ３．４μｍ
Ｐ型液晶材料：Δε＝７．８、Δｎ＝０．１０３、白表示電圧４．６Ｖ、液晶層の厚さ３．４μｍ

図２を参照してまずわかるのは、Ｎ型液晶材料を用いた方が、従来のＰ型モード液晶を用いた場合よりも、モード効率が高いことである。これは、特許文献１にも記載されているように、Ｐ型液晶材料とＮ型液晶材料とで、液晶分子の配向の変化の仕方に差があるからであり、図４を参照して後述する。

図２をみると、驚くべきことに、遮光層３２の開口部３２ａの辺と、画素電極２４の直線部分２４ｓとの距離Ｄと、モード効率との関係が、Ｎ型液晶材料とＰ型液晶材料とで異なっている。従来のＰ型液晶材料を用いた液晶表示装置においては、Ｄが３μｍ付近で、モード効率が最大になるに対し、Ｎ型液晶材料を用いると、Ｄが１μｍ〜２μｍの間でモード効率が最大となり、Ｄが３μｍのときには、モード効率は最大値より４％程度低くなっている。

したがって、Ｎ型液晶材料を用いた液晶表示装置１００においては、Ｄを１μｍ以上３μｍ未満とすることによって、効果的にモード効率（すなわち表示輝度）を高めることができることがわかる。

この現象を図３および図４を参照して説明する。

図３は、液晶表示装置１００の画素における透過率分布を示すグラフである。なお、遮光層３２がない状態でのシミュレーション結果である。透過率の値は任意単位（ａ．ｕ．）である。

図３からわかるように、Ｐ型液晶材料を用いると、画素電極２４の直線部分２４ｓ上で透過率が低下しており、断面方向において、透過率がばらついている。これに対し、Ｎ型液晶材料を用いると、画素電極２４の直線部分２４ｓ上での透過率の低下は見られず、断面方向における透過率のばらつきが小さい。これは、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、Ｐ型液晶材料とＮ型液晶材料とで、液晶分子の配向の変化の仕方に差があるからである。

図４（ａ）に示すように、Ｐ型液晶材料からなる液晶層４２’に、画素電極２４および対向電極２２からの電界が作用すると、Ｐ型の液晶分子は、分子の長軸（誘電率が大きい軸）が電気力線と平行になるように配向する。従って、図４（ａ）に模式的に示したように、一部の液晶分子が、基板面（液晶層面）に対して立ち上がる。液晶分子が立ち上がると、その部分のリタデーションはその他の部分のリタデーションよりも小さくなり、その分だけ透過率が低下することになる。

図４（ｂ）に示すように、Ｎ型液晶材料からなる液晶層４２に、画素電極２４および対向電極２２からの電界が作用すると、Ｎ型の液晶分子は、分子の長軸（誘電率が大きい軸）が電気力線と直交するように配向する。液晶層４２に印加する電圧の大きさを変化させても、Ｎ型の液晶分子は、基板面（液晶層面）に平行な面内で配向方向を変化させるだけであり、一部の液晶分子が、基板面（液晶層面）に対して立ち上がるということはなく、透過率がP型液晶材料のように低下しない。

次に、図３の左側に注目する。画素電極２４のエッジから離れると、透過率は一旦上昇したのち、低下する。この透過率の低下が始まる位置が、Ｐ型液晶材料よりもＮ型液晶材料の方が、画素電極２４のエッジに近い。また、この透過率の低下の傾向が、Ｐ型液晶材料よりもＮ型液晶材料の方が、急峻になっっている。すなわち、Ｎ型液晶材料を用いると、画素電極２４のエッジから遮光層３２の開口部のエッジまでの領域の表示への寄与が、Ｐ型液晶材料を用いた場合よりも小さい。従って、図２に示したように、Ｎ型液晶材料を用いる場合には、Ｐ型液晶材料を用いた場合よりも、Ｄを小さくすることによって、モード効率をさらに高めることができるのである。

液晶表示装置１００を斜めから観察すると、隣接する２つの画素の色が混色（例えば、赤と青）する。この現象をカラーウォッシュアウトということがある。カラーウォッシュアウトを防止するために、従来のＰ型液晶材料を用いた表示装置では、Ｄを３．７５μｍに設定している。図２を参照して説明したように、Ｐ型液晶材料を用いた表示装置ではＤが３．０μｍ付近でモード効率が最大となるが、カラーウォッシュアウトを防止するために、０．７５μｍだけＤを大きくしている。

ここで、カラー液晶表示装置における混色の問題を説明する。カラー液晶表示装置は、複数の画素が１つのカラー表示画素を構成する。典型的には、赤画素、緑画素および青画素の３つの原色画素（単に画素という。）が１つのカラー表示画素を構成する。典型的なストライプ配列のカラー液晶表示装置では、行方向に異なる色の画素が配列されているので、視角を表示面の法線方向から水平方向に傾斜させると、混色が起こる。混色の程度は、以下のように定義される光漏れ率を用いて定量的に評価することができる。行方向に互いに隣接する２つの画素の内の一方の画素を白表示状態（点灯）とし、他方の画素の透過率を黒表示状態（非点灯）としたときの、非点灯画素の透過率の点灯画素の透過率に対する比率を光漏れ率とする。すなわち、光漏れ率は、下記の式で定義される。
光漏れ率（％）＝（（非点灯画素の透過率）／（点灯画素の透過率））×１００

ここでは、図２のモード効率を求めた場合と同じ構成について、種々の視角（表面法線からの極角で表す）における光漏れ率をＥｘｐｅｒｔＬＣＤを用いたシミュレーションで求めた。

図５にネガ型液晶材料を用いた場合の光漏れ率の極角依存性を示す。横軸は、表示面法線からの傾きの大きさを示す極角であり、縦軸は、光漏れ率（％）を示している。比較のために、従来のＰ型液晶材料を用いた表示装置のＤが３．７５μｍのときの光漏れ率の極角依存性を示している。

図５からわかるように、Ｄを大きくすることによって、斜め視角における光漏れ率を低下させることができる。現在、市場で実績のあるＰ型液晶材料を用いた表示装置における光漏れ率と同程度の光漏れ率を得るためには、Ｎ型液晶材料を用いた表示装置において、Ｄを２．５μｍ以上とすればよいことがわかる。従って、高いモード効率を得るとともに、カラーウォッシュアウトを防止するためには、Ｄは２．５μｍ以上３．０μｍ未満であることが好ましい。

もちろん、液晶表示装置の利用形態によっては、カラーウォッシュアウトを防止する必要は必ずしもなく、表示輝度を優先すればよい。

上述したように、本発明による実施形態の液晶表示装置１００のＴＦＴとして、酸化物半導体層を有するＴＦＴを用いることが好ましい。酸化物半導体として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体（以下、「Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体」と略する。）が好ましく、結晶質部分を含むＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体がさらに好ましい。ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物であって、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎの割合（組成比）は特に限定されず、例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２等を含む。

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層を有するＴＦＴは、高い移動度（ａ−ＳｉＴＦＴに比べ２０倍超）および低いリーク電流（ａ−ＳｉＴＦＴに比べ１００分の１未満）を有しているので、画素ＴＦＴだけでなく駆動ＴＦＴとしても好適に用いられる。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層を有するＴＦＴを用いれば、表示装置の有効開口率を増大させるとともに、表示装置の消費電力を削減することが可能になる。

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体は、アモルファスでもよいし、結晶質部分を含み、結晶性を有していてもよい。結晶質Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体としては、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体が好ましい。このようなＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体の結晶構造は、例えば、特開２０１２−１３４４７５号公報に開示されている。参考のために、特開２０１２−１３４４７５号公報の開示内容の全てを本明細書に援用する。

酸化物半導体層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体の代わりに、他の酸化物半導体を含んでいてもよい。例えばＺｎ−Ｏ系半導体（ＺｎＯ）、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体（ＩＺＯ（登録商標））、Ｚｎ−Ｔｉ−Ｏ系半導体（ＺＴＯ）、Ｃｄ−Ｇｅ−Ｏ系半導体、Ｃｄ−Ｐｂ−Ｏ系半導体、ＣｄＯ（酸化カドニウム）、Ｍｇ−Ｚｎ−Ｏ系半導体、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体（例えばＩｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂−ＺｎＯ）、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｏ系半導体などを含んでいてもよい。

本発明によると、ＦＦＳモードの表示装置の表示輝度を効果的に高めることができる。

１０ ＴＦＴ基板（第１基板）
１１ 基板
１２ ゲートメタル層
１３ ゲート絶縁層
１４ 酸化物半導体層
１６ ソースメタル層
１７ 層間絶縁層
２２ 対向電極（第２電極）
２３ 誘電体層
２４ 画素電極（第１電極）
２４ｓ 直線部分
２５ 第１配向膜
３０ 対向基板（第２基板）
３１ 基板
３２ 遮光層
３２ａ 開口部
３４ カラーフィルタ
３５ 第２配向膜
４２ 液晶層
１００ 液晶表示装置

Claims (6)

1. 第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層とを有し、
   前記第１基板は、前記液晶層側から、第１配向膜と、第１電極と、誘電体層と、第２電極とをこの順で有し、前記第１および第２電極の一方は、互いに平行な複数の直線部分を有し、
   前記第２基板は、前記液晶層側から、第２配向膜と、開口部を有する遮光層とをこの順で有し、
   前記液晶層は、誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含み、前記液晶材料に含まれる液晶分子は、前記第１および第２配向膜によってほぼ水平に配向しており、
   前記遮光層の前記開口部は、前記複数の直線部分と平行で、前記開口部の幅を規定する２つの辺を有し、
   前記開口部の前記２つの辺から、前記複数の直線部分の内の最も近い直線部分までの距離をＤ１およびＤ２とするとき、（Ｄ１＋Ｄ２）／２が１．０μｍ以上３．０μｍ未満である、液晶表示装置。
2. 前記第１および第２配向膜は、光配向膜である、請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１および第２配向膜によって規定される配向規定方向は、前記複数の直線部に対してほぼ直交する請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 前記第１および第２配向膜によって規定されるプレチルト角は０°である、請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
5. 前記複数の直線部分のそれぞれの幅Ｌは、１．５μｍ以上３．５μｍ以下であり、隣接する２つの直線部分の間隙の幅Ｓは、３．０μｍ超６．０μｍ以下である、請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示装置。
6. 前記第１電極が前記複数の直線部分を有する、請求項１から５のいずれかに記載の液晶表示装置。

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