JPWO2013099740A1 - Spin injection electrode structure, spin transport device, and spin transport device - Google Patents

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Abstract

【課題】室温でのシリコンチャンネル層におけるスピンの効果的な注入を可能とするスピン注入電極構造、スピン伝導素子又はスピン伝導デバイスを提供する。【解決手段】スピン注入電極構造は、シリコンチャンネル層（１２Ａ，１２Ｂ）と、シリコンチャンネル層上に設けられた非磁性スピネル膜（１３Ａ，１３Ｂ）と、非磁性スピネル膜上に設けられた強磁性層（１４Ａ，１４Ｂ）と、を備える。非磁性スピネル膜には、シリコンチャンネル層及び強磁性層の両方と格子整合している格子整合部分（Ｐ）が部分的に存在している。A spin injection electrode structure, a spin transport element, or a spin transport device that enables effective injection of spin in a silicon channel layer at room temperature. A spin injection electrode structure includes a silicon channel layer (12A, 12B), a nonmagnetic spinel film (13A, 13B) provided on the silicon channel layer, and a ferromagnetic provided on the nonmagnetic spinel film. Layers (14A, 14B). The nonmagnetic spinel film partially has a lattice matching portion (P) that is lattice matched with both the silicon channel layer and the ferromagnetic layer.

Description

本発明は、スピン注入電極構造、スピン伝導素子及びスピン伝導デバイスに関する。   The present invention relates to a spin injection electrode structure, a spin transport element, and a spin transport device.

近年、半導体からなるチャンネルにスピンを蓄積する技術が知られている。半導体からなるチャンネルにおけるスピン拡散長は、金属からなるチャンネルにおけるスピン拡散長よりも格段に長い。例えば下記非特許文献１〜５には、シリコンにスピンを注入する技術が記載されている。   In recent years, a technique for accumulating spin in a channel made of a semiconductor is known. The spin diffusion length in the channel made of semiconductor is much longer than the spin diffusion length in the channel made of metal. For example, Non-Patent Documents 1 to 5 below describe techniques for injecting spin into silicon.

Tomoyuki Sasaki et al., Applied PhysicsExpress 2, The Japan Society of Applied Physics, 053003-1, (2009)Tomoyuki Sasaki et al., Applied PhysicsExpress 2, The Japan Society of Applied Physics, 053003-1, (2009) O. M. J. van't Erve et al., APPLIED PHYSICSLETTERS 91, 212109-1, (2007)O. M. J. van't Erve et al., APPLIED PHYSICSLETTERS 91, 212109-1, (2007) Y. Ando et al., APPLIED PHYSICS LETTERS94, 182105-1, (2009)Y. Ando et al., APPLIED PHYSICS LETTERS94, 182105-1, (2009) SarojP.Dash et al., nature, vol.462, 491-494SarojP.Dash et al., Nature, vol.462, 491-494 T. Suzuki et al., Applied Physics Express4, 023003-1, (2011)T. Suzuki et al., Applied Physics Express4, 023003-1, (2011)

ところで、シリコンにおけるスピンの注入・伝導・検出の応用のためには、室温での十分な出力特性を得ることが望まれている。上記非特許文献１〜３では、シリコンにおけるスピンの注入・伝導・検出が報告されているものの、いずれも１５０Ｋ以下の低温での事象である。上記非特許文献４では、３００Ｋでのシリコンにおけるスピンの蓄積を観測するものの、室温でのシリコンにおけるスピンの伝導現象は観測されておらず、幅広い応用が期待できないのが現状である。非特許文献５では、シリコンにおける室温スピン伝導が観測されているが、高特性を得るためには、室温におけるスピンの効率的な注入を実現することが望まれている。   By the way, for application of spin injection, conduction, and detection in silicon, it is desired to obtain sufficient output characteristics at room temperature. Non-Patent Documents 1 to 3 report spin injection, conduction, and detection in silicon, but all are events at a low temperature of 150K or lower. In Non-Patent Document 4, although spin accumulation in silicon at 300 K is observed, the spin conduction phenomenon in silicon at room temperature has not been observed, and a wide range of applications cannot be expected at present. In Non-Patent Document 5, room temperature spin conduction in silicon is observed, but in order to obtain high characteristics, it is desired to realize efficient injection of spin at room temperature.

本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、室温でのシリコンチャンネル層におけるスピンの効果的な注入を可能とするスピン注入電極構造、スピン伝導素子およびスピン伝導デバイスを提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above problems, and provides a spin injection electrode structure, a spin transport element, and a spin transport device that enable effective injection of spin in a silicon channel layer at room temperature. With the goal.

上記の課題を解決するため、本発明のスピン注入電極構造は、シリコンチャンネル層と、シリコンチャンネル層上に設けられた非磁性スピネル膜と、非磁性スピネル膜上に設けられた強磁性層とを備える。非磁性スピネル膜には、シリコンチャンネル層および強磁性層の両方と格子整合している格子整合部分が部分的に存在している。   In order to solve the above problems, a spin injection electrode structure of the present invention includes a silicon channel layer, a nonmagnetic spinel film provided on the silicon channel layer, and a ferromagnetic layer provided on the nonmagnetic spinel film. Prepare. The nonmagnetic spinel film partially has a lattice matching portion that is lattice matched with both the silicon channel layer and the ferromagnetic layer.

このスピン注入電極構造では、非磁性スピネル膜はシリコンチャンネル層と強磁性層との間に設けられている。この非磁性スピネル膜は、シリコンチャンネル層および強磁性層の両方と格子整合している格子整合部分を部分的に有する。さらに、この“部分的”とは、シリコンチャンネル層上にエピタキシャル成長する非磁性スピネル膜のシリコンチャンネル層に接するドメインの幅は１０nｍ以下となることを意味する。また、この“ドメインの幅”とは、図４（ｂ）のＸ１の距離を指す。このドメインの幅は断面ＴＥＭなどによって求めることができる。スピン注入電極構造がこのような結晶形態であることにより、室温でのシリコンチャンネル層におけるスピンの効率的な注入が可能となる。これは、シリコンチャンネル層と非磁性スピネル膜の間の格子のミスマッチの影響を受けにくいことが原因であると考えられる。また、スピン注入用電流を格子整合部分に狭窄させることで、スピンの注入効率が向上されることに起因すると考えられる。   In this spin injection electrode structure, the nonmagnetic spinel film is provided between the silicon channel layer and the ferromagnetic layer. This nonmagnetic spinel film partially has a lattice matching portion that is lattice matched to both the silicon channel layer and the ferromagnetic layer. Further, this “partial” means that the width of the domain in contact with the silicon channel layer of the nonmagnetic spinel film epitaxially grown on the silicon channel layer is 10 nm or less. The “domain width” refers to the distance X1 in FIG. The width of this domain can be obtained by a cross-sectional TEM or the like. The spin injection electrode structure having such a crystal form enables efficient injection of spin in the silicon channel layer at room temperature. This is considered to be caused by being less susceptible to lattice mismatch between the silicon channel layer and the nonmagnetic spinel film. Further, it is considered that the spin injection efficiency is improved by confining the spin injection current in the lattice matching portion.

また非磁性スピネル膜の膜厚は、０．６ｎｍ以上２．０ｎｍ以下であることが好適である。非磁性スピネル膜の膜厚が２．０ｎｍ以下である場合、得られるスピン出力に対して界面抵抗率を低くしてノイズを抑えることができるので、スピンの注入を好適にできる。逆に、２．０ｎｍを超えた場合に界面抵抗は１ＭΩ・μｍ２となり、高出力を得るための電流を十分に流せなくなる。また、非磁性スピネル膜の膜厚が０．６ｎｍ以上である場合、シリコンチャンネル層上に均一に成膜された非磁性スピネル膜を用いることができる。非磁性スピネル膜の膜厚が０．６ｎｍ以下の場合にはトンネル膜として機能せず、シリコンチャンネル層へのスピンの注入が困難になる。Further, the film thickness of the nonmagnetic spinel film is preferably 0.6 nm or more and 2.0 nm or less. When the film thickness of the nonmagnetic spinel film is 2.0 nm or less, the interface resistivity can be lowered with respect to the obtained spin output to suppress noise, so that spin injection can be suitably performed. On the other hand, when the thickness exceeds 2.0 nm, the interface resistance becomes 1 MΩ · μm 2 , and a current for obtaining a high output cannot sufficiently flow. Further, when the film thickness of the nonmagnetic spinel film is 0.6 nm or more, a nonmagnetic spinel film uniformly formed on the silicon channel layer can be used. When the film thickness of the nonmagnetic spinel film is 0.6 nm or less, it does not function as a tunnel film, and spin injection into the silicon channel layer becomes difficult.

また、格子整合部分とシリコンチャンネル層との界面のドメインの幅Ｘ１は、格子整合部分と強磁性層との界面のドメインの幅Ｘ２より狭いことが好適である。このような関係により、スピン注入用電流を格子整合部分により狭窄でき、スピン注入効率をよりいっそう向上できる。   In addition, the width X1 of the domain at the interface between the lattice matching portion and the silicon channel layer is preferably narrower than the width X2 of the domain at the interface between the lattice matching portion and the ferromagnetic layer. With such a relationship, the spin injection current can be narrowed by the lattice matching portion, and the spin injection efficiency can be further improved.

また、強磁性層の結晶構造は、体心立方格子構造（ＢＣＣ）であることが好適である。この場合、非磁性スピネル膜上に強磁性層を部分的にエピタキシャル成長させることができる。   The crystal structure of the ferromagnetic layer is preferably a body-centered cubic lattice structure (BCC). In this case, the ferromagnetic layer can be partially epitaxially grown on the nonmagnetic spinel film.

また、強磁性層は、ＣｏおよびＦｅからなる群から選択される金属、前記群の元素を１以上含む合金、又は前記群から選択される１以上の元素とＢとを含む化合物であることが好適である。これらの材料はスピン分極率の大きい強磁性材料であるため、スピンの注入電極としての機能を好適に実現することが可能である。   The ferromagnetic layer may be a metal selected from the group consisting of Co and Fe, an alloy including one or more elements of the group, or a compound including one or more elements selected from the group and B. Is preferred. Since these materials are ferromagnetic materials having a high spin polarizability, the function as a spin injection electrode can be suitably realized.

また、強磁性層上に形成された反強磁性層を更に備え、反強磁性層は、強磁性層の磁化の向きを固定することが好適である。反強磁性層が強磁性層と交換結合することにより、強磁性層の磁化方向に一方向異方性を付与することが可能となる。この場合、反強磁性層を設けない場合よりも、高い保磁力を一方向に有する強磁性層が得られる。   In addition, it is preferable to further include an antiferromagnetic layer formed on the ferromagnetic layer, and the antiferromagnetic layer preferably fixes the magnetization direction of the ferromagnetic layer. When the antiferromagnetic layer is exchange coupled with the ferromagnetic layer, unidirectional anisotropy can be imparted to the magnetization direction of the ferromagnetic layer. In this case, a ferromagnetic layer having a higher coercive force in one direction can be obtained than when no antiferromagnetic layer is provided.

また、本発明に係るスピン伝導素子は、上述のいずれかのスピン注入電極構造をシリコンチャンネル層の第一部分上に設け、第一非磁性スピネル膜、第一強磁性層とし、更に、シリコンチャンネル層の第二部分上に設けられた第二非磁性スピネル膜と、第二非磁性スピネル膜上に設けられた第二強磁性層と、を備え、第二非磁性スピネル膜には、シリコンチャンネル層および第二強磁性層の両方と格子整合している第二格子整合部分が部分的に存在していることが好ましい。これにより、スピンの相互作用が第二格子整合部分に狭窄して行われるので、スピンの検出効率も上がる。第二非磁性スピネル膜は、第一非磁性スピネル膜と同じ構成であることが好ましく、第二強磁性層は、第一強磁性層と同じ構成であることが好ましい。   The spin transport device according to the present invention includes any one of the above-described spin injection electrode structures provided on the first portion of the silicon channel layer, forming a first nonmagnetic spinel film and a first ferromagnetic layer, and further, a silicon channel layer A second nonmagnetic spinel film provided on the second portion of the first nonmagnetic spinel film, and a second ferromagnetic layer provided on the second nonmagnetic spinel film, wherein the second nonmagnetic spinel film includes a silicon channel layer. Preferably, there is a partial second lattice matching portion that is lattice matched to both the second ferromagnetic layer. As a result, the spin interaction is confined to the second lattice matching portion, so that the spin detection efficiency is also increased. The second nonmagnetic spinel film preferably has the same configuration as the first nonmagnetic spinel film, and the second ferromagnetic layer preferably has the same configuration as the first ferromagnetic layer.

また、第一強磁性層および第二強磁性層は、形状異方性によって保磁力差がつけられていることが好適である。この場合、保磁力差をつけるための反強磁性層を省略することができる。   Moreover, it is preferable that the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer have a coercive force difference due to shape anisotropy. In this case, an antiferromagnetic layer for providing a coercive force difference can be omitted.

一般に、シリコンチャンネル層には、導電性を付与するためのイオンが打ち込まれる。シリコンチャンネル層の表面は、このイオンの打ち込みに起因するダメージが形成されるおそれがある。そこで、シリコンチャンネル層は、第一部分と第二部分との間に窪みを有し、窪みの深さは１０ｎｍ以上であることが好適である。この場合、表面ダメージの抑制されたシリコンチャンネル層を用いることができる。   Generally, ions for imparting conductivity are implanted into the silicon channel layer. The surface of the silicon channel layer may be damaged due to this ion implantation. Therefore, the silicon channel layer preferably has a recess between the first portion and the second portion, and the depth of the recess is preferably 10 nm or more. In this case, a silicon channel layer in which surface damage is suppressed can be used.

また、スピン伝導デバイスは、上述のスピン注入電極構造を有することが好適であり、室温でのシリコンチャンネル層におけるスピンの効果的な注入を可能とするスピン伝導デバイスを提供できる。   The spin transport device preferably has the above-described spin injection electrode structure, and can provide a spin transport device that enables effective injection of spin in the silicon channel layer at room temperature.

本発明によれば、室温でのシリコンチャンネル層におけるスピンの効果的な注入を可能とするスピン注入電極構造、スピン伝導素子およびスピン伝導デバイスを提供できる。   According to the present invention, it is possible to provide a spin injection electrode structure, a spin transport element, and a spin transport device that enable effective injection of spin in a silicon channel layer at room temperature.

図１は、本実施形態に係るスピン伝導素子の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of the spin transport device according to the present embodiment. 図２（ａ）は、本実施形態に係るスピン伝導素子の上面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す領域Ｂの拡大図である。FIG. 2A is a top view of the spin transport device according to the present embodiment. FIG. 2B is an enlarged view of the region B shown in FIG. 図３は、図１のIII−III線に沿った断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 図４（ａ）は、第一強磁性層１４Ａ及び第二強磁性層１４Ｂの上面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のIVB−IVB線に沿ったスピン注入電極構造の結晶形態を示す断面図である。FIG. 4A is a top view of the first ferromagnetic layer 14A and the second ferromagnetic layer 14B. FIG. 4B is a cross-sectional view showing the crystal form of the spin injection electrode structure along the line IVB-IVB in FIG. 図５は、本実施形態に係るスピン注入電極構造の結晶形態によるスピン注入を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic view showing spin injection by the crystal form of the spin injection electrode structure according to the present embodiment. 図６は、実施例１で作製されたスピン伝導素子の上面写真図である。6 is a top view photograph of the spin transport device fabricated in Example 1. FIG. 図７は、Ｆｅ／ＭｇＡｌ2Ｏ4／Ｓｉの断面ＴＥＭ像の結果である。FIG. 7 shows the result of a cross-sectional TEM image of Fe / MgAl 2 O 4 / Si. 図８は、ＮＬ測定法における印加磁場とスピン出力の関係を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing the relationship between the applied magnetic field and the spin output in the NL measurement method. 図９は、ＮＬ−Ｈａｎｌｅ測定法における印加磁場とスピン出力の関係を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing the relationship between the applied magnetic field and the spin output in the NL-Hanle measurement method. 図１０は、ドメイン幅（Ｘ１）とスピン出力の関係との関係を示すグラフである。FIG. 10 is a graph showing the relationship between the domain width (X1) and the relationship between the spin outputs.

以下、図面を参照しながら、本発明に係るスピン伝導素子の好適な実施形態について詳細に説明する。図中には、必要に応じてＸＹＺ直交座標軸系が示されている。図１は、本実施形態に係るスピン伝導素子の斜視図である。図２（ａ）は、本実施形態に係るスピン伝導素子の上面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す領域Ｂの拡大図である。図３は、図１のIII-III線に沿った断面図である。   Hereinafter, a preferred embodiment of a spin transport device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the figure, an XYZ orthogonal coordinate axis system is shown as necessary. FIG. 1 is a perspective view of the spin transport device according to the present embodiment. FIG. 2A is a top view of the spin transport device according to the present embodiment. FIG. 2B is an enlarged view of the region B shown in FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG.

図３に示すように、スピン伝導素子１は、基板１０と、酸化珪素膜１１と、シリコンチャンネル層１２と、第一非磁性スピネル膜１３Ａと、第二非磁性スピネル膜１３Ｂと、第一強磁性層１４Ａと、第二強磁性層１４Ｂと、第一参照電極１５Ａと、第二参照電極１５Ｂと、酸化膜７ａと、酸化膜７ｂと、を備える。シリコンチャンネル層１２と、第一非磁性スピネル膜１３Ａと、第一強磁性層１４Ａとが、スピン注入電極構造ＩＥを構成している。   As shown in FIG. 3, the spin transport device 1 includes a substrate 10, a silicon oxide film 11, a silicon channel layer 12, a first nonmagnetic spinel film 13A, a second nonmagnetic spinel film 13B, and a first strong A magnetic layer 14A, a second ferromagnetic layer 14B, a first reference electrode 15A, a second reference electrode 15B, an oxide film 7a, and an oxide film 7b are provided. The silicon channel layer 12, the first nonmagnetic spinel film 13A, and the first ferromagnetic layer 14A constitute a spin injection electrode structure IE.

基板１０、酸化珪素膜１１、およびシリコンチャンネル層１２として、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることができる。基板１０はシリコン基板であり、酸化珪素膜１１は基板１０上に設けられている。酸化珪素膜１１の膜厚は例えば２００ｎｍである。   As the substrate 10, the silicon oxide film 11, and the silicon channel layer 12, for example, an SOI (Silicon On Insulator) substrate can be used. The substrate 10 is a silicon substrate, and the silicon oxide film 11 is provided on the substrate 10. The film thickness of the silicon oxide film 11 is 200 nm, for example.

シリコンチャンネル層１２は、スピンが伝導する層として機能する。シリコンチャンネル層１２の上面は例えば（１００）面である。シリコンチャンネル層１２は、例えばＺ軸方向（厚み方向）から見てＸ軸を長軸方向とする矩形状を有している。シリコンチャンネル層１２はシリコンからなり、シリコンチャンネル層１２には必要に応じて一導電性を付与するための不純物イオンが添加されている。イオン濃度は、例えば５．０×１０１９ｃｍ−３である。シリコンチャンネル層１２の膜厚は例えば１００ｎｍである。あるいは、第一非磁性スピネル膜１３Ａまたは第二非磁性スピネル膜１３Ｂと、シリコンチャンネル層１２との界面におけるショットキー障壁を調整できるように、当該界面からシリコンチャンネル層１２における１０ｎｍの深さにイオン濃度のピークがあるような構造を有するシリコンチャンネル層１２でもよい。また、シリコンチャンネル層１２のイオン濃度が低い場合、酸化珪素膜１１に電圧を印加し、シリコンチャンネル層１２にキャリアを誘起させるなどの手法も考えられる。The silicon channel layer 12 functions as a layer that conducts spin. The upper surface of the silicon channel layer 12 is, for example, a (100) plane. The silicon channel layer 12 has, for example, a rectangular shape with the X axis as the major axis direction when viewed from the Z axis direction (thickness direction). The silicon channel layer 12 is made of silicon, and impurity ions for imparting one conductivity are added to the silicon channel layer 12 as necessary. The ion concentration is, for example, 5.0 × 10 19 cm −3 . The film thickness of the silicon channel layer 12 is, for example, 100 nm. Alternatively, ions can be formed from the interface to a depth of 10 nm in the silicon channel layer 12 so that the Schottky barrier at the interface between the first nonmagnetic spinel film 13A or the second nonmagnetic spinel film 13B and the silicon channel layer 12 can be adjusted. The silicon channel layer 12 may have a structure having a concentration peak. Further, when the ion concentration of the silicon channel layer 12 is low, a method of applying a voltage to the silicon oxide film 11 and inducing carriers in the silicon channel layer 12 is also conceivable.

図３に示すように、シリコンチャンネル層１２は側面に傾斜部を有しており、その傾斜角θは５０度から６０度である。この傾斜角θとは、シリコンチャンネル層１２の底部と側面のなす角度である。なお、シリコンチャンネル層１２はウェットエッチングにより形成することができる。   As shown in FIG. 3, the silicon channel layer 12 has an inclined portion on the side surface, and the inclination angle θ is 50 to 60 degrees. The inclination angle θ is an angle formed by the bottom and side surfaces of the silicon channel layer 12. The silicon channel layer 12 can be formed by wet etching.

図３に示すように、シリコンチャンネル層１２は、第一凸部（第一部分）１２Ａ、第二凸部（第二部分）１２Ｂ、第三凸部（第三部分）１２Ｃ、第四凸部（第四部分）１２Ｄ、および主部１２Ｅを含む。第一凸部１２Ａ、第二凸部１２Ｂ、第三凸部１２Ｃ、および第四凸部１２Ｄは、主部１２Ｅから突出するように延在する部分であり、この順に所定軸（図３に示す例ではＸ軸）方向に所定の間隔を置いて配列している。   As shown in FIG. 3, the silicon channel layer 12 includes a first convex portion (first portion) 12A, a second convex portion (second portion) 12B, a third convex portion (third portion) 12C, and a fourth convex portion ( 4th part) 12D and the main part 12E are included. The first convex portion 12A, the second convex portion 12B, the third convex portion 12C, and the fourth convex portion 12D are portions that extend so as to protrude from the main portion 12E, and in this order a predetermined axis (shown in FIG. 3). In the example, they are arranged at a predetermined interval in the (X-axis) direction.

第一凸部１２Ａ、第二凸部１２Ｂ、第三凸部１２Ｃ、および第四凸部１２Ｄの膜厚（図３に示す例ではＺ軸方向の長さ）Ｈ１は、例えば２０ｎｍである。主部１２Ｅの膜厚（図３に示す例ではＺ軸方向の長さ）Ｈ２は、例えば８０ｎｍである。第一凸部１２Ａと第三凸部１２Ｃとの間の距離Ｌ１は、例えば１００μｍ以下である。第一凸部１２ＡのＸ軸方向の長さの中央部と、第二凸部１２ＢのＸ軸方向の長さの中央部との間の距離ｄは、スピン拡散長以下であることが好ましい。室温（３００Ｋ）でのシリコンチャンネル層１２におけるスピン拡散長は例えば０．８μｍである。第一強磁性層１４Ａから第一凸部１２Ａに注入されたスピン、あるいは第二強磁性層１４Ｂから第二凸部１２Ｂに注入されたスピンは、主部１２Ｅにおける第一凸部１２Ａと第二凸部１２Ｂとの間の領域を拡散・伝導する。   The film thickness (length in the Z-axis direction in the example shown in FIG. 3) H1 of the first convex portion 12A, the second convex portion 12B, the third convex portion 12C, and the fourth convex portion 12D is, for example, 20 nm. The film thickness (length in the Z-axis direction in the example shown in FIG. 3) H2 of the main portion 12E is, for example, 80 nm. A distance L1 between the first convex portion 12A and the third convex portion 12C is, for example, 100 μm or less. The distance d between the central portion of the first convex portion 12A in the X-axis direction and the central portion of the second convex portion 12B in the X-axis direction is preferably equal to or less than the spin diffusion length. The spin diffusion length in the silicon channel layer 12 at room temperature (300 K) is, for example, 0.8 μm. The spins injected from the first ferromagnetic layer 14A into the first convex part 12A or the spins injected from the second ferromagnetic layer 14B into the second convex part 12B are the same as the first convex part 12A and the second convex part in the main part 12E. The region between the convex portion 12B is diffused and conducted.

非磁性スピネル膜材料としては、例えばマグネシウム、アルミニウム、酸素、亜鉛のいずれかを含んだスピネル構造の材料が挙げられる。代表的な例としては、ＭｇＡｌ２Ｏ４やＺｎＡｌ２Ｏ４などが挙げられる。Examples of the nonmagnetic spinel film material include a spinel structure material containing any of magnesium, aluminum, oxygen, and zinc. Typical examples include MgAl 2 O 4 and ZnAl 2 O 4 .

第一非磁性スピネル膜１３Ａおよび第二非磁性スピネル膜１３Ｂは、強磁性体（第一強磁性層１４Ａおよび第二強磁性層１４Ｂ）のスピン分極と、シリコンチャンネル層１２のスピン分極とを効率的に接続するためのトンネル絶縁膜として機能する。第一非磁性スピネル膜１３Ａは、シリコンチャンネル層１２の第一部分である第一凸部１２Ａ上に設けられている。第二非磁性スピネル膜１３Ｂは、シリコンチャンネル層１２の第二部分である第二凸部１２Ｂ上に設けられている。第一非磁性スピネル膜１３Ａおよび第二非磁性スピネル膜１３Ｂは、シリコンチャンネル層１２の例えば（１００）面上に結晶成長されたものである。これらの第一非磁性スピネル膜１３Ａまたは第二非磁性スピネル膜１３Ｂが設けられていることにより、第一強磁性層１４Ａまたは第二強磁性層１４Ｂからシリコンチャンネル層１２へスピン偏極した電子を多く注入することが可能となり、スピン伝導素子１の電位出力を高めることが可能となる。   The first nonmagnetic spinel film 13A and the second nonmagnetic spinel film 13B are efficient in spin polarization of the ferromagnetic material (first ferromagnetic layer 14A and second ferromagnetic layer 14B) and spin polarization of the silicon channel layer 12. Functions as a tunnel insulating film for connection. The first nonmagnetic spinel film 13 </ b> A is provided on the first convex portion 12 </ b> A that is the first portion of the silicon channel layer 12. The second nonmagnetic spinel film 13B is provided on the second convex portion 12B that is the second portion of the silicon channel layer 12. The first nonmagnetic spinel film 13 </ b> A and the second nonmagnetic spinel film 13 </ b> B are crystals grown on, for example, the (100) plane of the silicon channel layer 12. By providing the first nonmagnetic spinel film 13A or the second nonmagnetic spinel film 13B, the spin-polarized electrons from the first ferromagnetic layer 14A or the second ferromagnetic layer 14B to the silicon channel layer 12 can be obtained. A large amount can be injected, and the potential output of the spin transport element 1 can be increased.

第一非磁性スピネル膜１３Ａおよび第二非磁性スピネル膜１３Ｂの膜厚は２．０ｎｍ以下であることが好ましい。この場合、得られるスピン出力に対して界面抵抗率を１００ｋΩμｍ２以下に低くしてノイズを抑えることができるので、スピンの注入や出力を好適に行える。また、第一非磁性スピネル膜１３Ａおよび第二非磁性スピネル膜１３Ｂの膜厚は、０．６ｎｍ以上であることが好適であり、この場合、シリコンチャンネル層１２上に均一に成膜された第一非磁性スピネル膜１３Ａおよび第二非磁性スピネル膜１３Ｂを用いることができる。The film thicknesses of the first nonmagnetic spinel film 13A and the second nonmagnetic spinel film 13B are preferably 2.0 nm or less. In this case, since the interface resistivity can be lowered to 100 kΩμm 2 or less with respect to the obtained spin output, noise can be suppressed, so that spin injection and output can be suitably performed. The first nonmagnetic spinel film 13A and the second nonmagnetic spinel film 13B preferably have a thickness of 0.6 nm or more. In this case, the first nonmagnetic spinel film 13A and the second nonmagnetic spinel film 13B are uniformly formed on the silicon channel layer 12. One nonmagnetic spinel film 13A and second nonmagnetic spinel film 13B can be used.

第一強磁性層１４Ａおよび第二強磁性層１４Ｂの一方は、シリコンチャンネル層１２にスピンを注入するための電極として機能し、他方は、シリコンチャンネル層１２内のスピンを検出するための電極として機能する。第一強磁性層１４Ａは、第一非磁性スピネル膜１３Ａ上に設けられている。第二強磁性層１４Ｂは、第二非磁性スピネル膜１３Ｂ上に設けられている。   One of the first ferromagnetic layer 14A and the second ferromagnetic layer 14B functions as an electrode for injecting spin into the silicon channel layer 12, and the other as an electrode for detecting spin in the silicon channel layer 12. Function. The first ferromagnetic layer 14A is provided on the first nonmagnetic spinel film 13A. The second ferromagnetic layer 14B is provided on the second nonmagnetic spinel film 13B.

第一強磁性層１４Ａおよび第二強磁性層１４Ｂは強磁性材料からなる。第一強磁性層１４Ａおよび第二強磁性層１４Ｂの材料の一例として、ＣｏおよびＦｅからなる群から選択される金属、前記群の元素を１以上含む合金、又は、前記群から選択される１以上の元素とＢとからなる化合物が挙げられる。第一強磁性層１４Ａおよび第二強磁性層１４Ｂの結晶構造は、体心立方格子構造であることが好適である。これにより、第一非磁性スピネル膜上に第一強磁性層を部分的にエピタキシャル成長させることができるとともに、第二非磁性スピネル膜上に第二強磁性層を部分的にエピタキシャル成長させることができる。   The first ferromagnetic layer 14A and the second ferromagnetic layer 14B are made of a ferromagnetic material. As an example of the material of the first ferromagnetic layer 14A and the second ferromagnetic layer 14B, a metal selected from the group consisting of Co and Fe, an alloy containing one or more elements of the group, or 1 selected from the group The compound which consists of the above element and B is mentioned. The crystal structure of the first ferromagnetic layer 14A and the second ferromagnetic layer 14B is preferably a body-centered cubic lattice structure. Thus, the first ferromagnetic layer can be partially epitaxially grown on the first nonmagnetic spinel film, and the second ferromagnetic layer can be partially epitaxially grown on the second nonmagnetic spinel film.

図１に示す例では、第一強磁性層１４Ａおよび第二強磁性層１４Ｂは、Ｙ軸方向を長軸とした直方体形状を有している。第一強磁性層１４Ａおよび第二強磁性層１４Ｂの形状異方性によって、第一強磁性層１４Ａおよび第二強磁性層１４Ｂとは保磁力差が付けられていることが好適である。第一強磁性層１４Ａの幅（Ｘ軸方向の長さ）は、例えば３５０ｎｍ程度となっている。第二強磁性層１４Ｂの幅（Ｘ軸方向の長さ）は、例えば２μｍ程度となっている。図１に示す例では、第一強磁性層１４Ａの保磁力は、第二強磁性層１４Ｂの保磁力よりも大きくなっている。   In the example shown in FIG. 1, the first ferromagnetic layer 14 </ b> A and the second ferromagnetic layer 14 </ b> B have a rectangular parallelepiped shape with the major axis in the Y-axis direction. It is preferable that the first ferromagnetic layer 14A and the second ferromagnetic layer 14B have a coercive force difference due to the shape anisotropy of the first ferromagnetic layer 14A and the second ferromagnetic layer 14B. The width (length in the X-axis direction) of the first ferromagnetic layer 14A is, for example, about 350 nm. The width (length in the X-axis direction) of the second ferromagnetic layer 14B is, for example, about 2 μm. In the example shown in FIG. 1, the coercive force of the first ferromagnetic layer 14A is larger than the coercive force of the second ferromagnetic layer 14B.

第一参照電極１５Ａおよび第二参照電極１５Ｂは、シリコンチャンネル層１２に検出用電流を流すための電極としての機能と、スピンによる出力を読み取るための電極としての機能を有する。第一参照電極１５Ａは、シリコンチャンネル層１２の第三凸部１２Ｃ上に設けられている。第二参照電極１５Ｂは、シリコンチャンネル層１２の第四凸部１２Ｄ上に設けられている。第一参照電極１５Ａ及び第二参照電極１５Ｂは、導電性材料からなり、例えばＡｌなどのＳｉに対して低抵抗な非磁性金属からなる。   The first reference electrode 15A and the second reference electrode 15B have a function as an electrode for flowing a detection current through the silicon channel layer 12 and a function as an electrode for reading an output by spin. The first reference electrode 15 </ b> A is provided on the third protrusion 12 </ b> C of the silicon channel layer 12. The second reference electrode 15 </ b> B is provided on the fourth protrusion 12 </ b> D of the silicon channel layer 12. The first reference electrode 15A and the second reference electrode 15B are made of a conductive material, for example, a non-magnetic metal having a low resistance to Si such as Al.

酸化膜７ａは、シリコンチャンネル層１２の側面に形成されている。また、酸化膜７ｂは、シリコンチャンネル層１２、酸化膜７ａ、第一非磁性スピネル膜１３Ａ、第二非磁性スピネル膜１３Ｂ、第一強磁性層１４Ａ、第二強磁性層１４Ｂ、第一参照電極１５Ａ、及び第二参照電極１５Ｂの側面上に形成されている。また、シリコンチャンネル層１２の上面のうち、第一強磁性層１４Ａ、第二強磁性層１４Ｂ、第一参照電極１５Ａ、および第二参照電極１５Ｂの設けられていない主部１２Ｅ上には、酸化膜７ｂが形成されている。酸化膜７ｂは、第一非磁性スピネル膜１３Ａと第二非磁性スピネル膜１３Ｂとの間において、シリコンチャンネル層１２の主部１２Ｅ上に設けられている。酸化膜７ｂは、シリコンチャンネル層１２、第一非磁性スピネル膜１３Ａ、第二非磁性スピネル膜１３Ｂ、第一強磁性層１４Ａ、第二強磁性層１４Ｂ、第一参照電極１５Ａ、および第二参照電極１５Ｂの保護膜として機能し、これらの層の劣化を抑制する。酸化膜７ｂは、例えば酸化珪素膜である。   The oxide film 7 a is formed on the side surface of the silicon channel layer 12. The oxide film 7b includes the silicon channel layer 12, the oxide film 7a, the first nonmagnetic spinel film 13A, the second nonmagnetic spinel film 13B, the first ferromagnetic layer 14A, the second ferromagnetic layer 14B, and the first reference electrode. 15A and the second reference electrode 15B are formed on the side surfaces. In addition, on the upper surface of the silicon channel layer 12, the main ferromagnetic portion 12E where the first ferromagnetic layer 14A, the second ferromagnetic layer 14B, the first reference electrode 15A, and the second reference electrode 15B are not provided is oxidized. A film 7b is formed. The oxide film 7b is provided on the main portion 12E of the silicon channel layer 12 between the first nonmagnetic spinel film 13A and the second nonmagnetic spinel film 13B. The oxide film 7b includes a silicon channel layer 12, a first nonmagnetic spinel film 13A, a second nonmagnetic spinel film 13B, a first ferromagnetic layer 14A, a second ferromagnetic layer 14B, a first reference electrode 15A, and a second reference. It functions as a protective film for the electrode 15B and suppresses deterioration of these layers. The oxide film 7b is, for example, a silicon oxide film.

図１に示すように、第一参照電極１５Ａ上及び酸化膜７ｂ（シリコンチャンネル層１２の傾斜した側面）上に、配線１８Ａが設けられている。同様に、第一強磁性層１４Ａ上及び酸化膜７ｂ上に、配線１８Ｂが設けられている。第二強磁性層１４Ｂ上及び酸化膜７ｂ上に、配線１８Ｃが設けられている。第二参照電極１５Ｂ上及び酸化膜７ｂ上に、配線１８Ｄが設けられている。配線１８Ａ〜１８Ｄは、Ｃｕなどの導電性材料からなる。酸化膜７ｂ上に配線を設けることにより、この配線によってシリコンチャンネル層１２内を伝導するスピンが吸収されることを抑制できる。また、酸化膜７ｂ上に配線を設けることにより、配線からシリコンチャンネル層１２へ電流が流れることを抑制でき、スピン注入効率を向上できる。また、配線１８Ａ〜１８Ｄのそれぞれの端部には、測定用の電極パッドＥ１〜Ｅ４が設けられている。配線１８Ａ〜１８Ｄの端部及び測定用の電極パッドＥ１〜Ｅ４は、酸化珪素膜１１上に形成されている。電極パッドＥ１〜Ｅ４は、Ａｕなどの導電性材料からなる。   As shown in FIG. 1, a wiring 18A is provided on the first reference electrode 15A and on the oxide film 7b (an inclined side surface of the silicon channel layer 12). Similarly, the wiring 18B is provided on the first ferromagnetic layer 14A and the oxide film 7b. A wiring 18C is provided on the second ferromagnetic layer 14B and the oxide film 7b. A wiring 18D is provided on the second reference electrode 15B and the oxide film 7b. The wirings 18A to 18D are made of a conductive material such as Cu. By providing the wiring on the oxide film 7b, it is possible to suppress the absorption of spin conducted through the silicon channel layer 12 by this wiring. Further, by providing the wiring on the oxide film 7b, it is possible to suppress a current from flowing from the wiring to the silicon channel layer 12, and to improve the spin injection efficiency. In addition, measurement electrode pads E1 to E4 are provided at end portions of the wirings 18A to 18D, respectively. End portions of the wirings 18 </ b> A to 18 </ b> D and measurement electrode pads E <b> 1 to E <b> 4 are formed on the silicon oxide film 11. The electrode pads E1 to E4 are made of a conductive material such as Au.

図４（ａ）は、第一強磁性層１４Ａ及び第二強磁性層１４Ｂの上面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のIVB−IVB線に沿ったスピン注入電極構造の結晶形態を示す断面図である。スピン注入電極構造ＩＥでは、シリコンチャンネル層１２の例えば（１００）面上に、第一非磁性スピネル膜１３Ａ（または第二非磁性スピネル膜１３Ｂ）と、第一強磁性層１４Ａ（または第二強磁性層１４Ｂ）とが積層された構造となっている。第一非磁性スピネル膜１３Ａには、シリコンチャンネル層１２および第一強磁性層１４Ａの両方と格子整合している部分（第一格子整合部分）Ｐが部分的に存在している。この「格子整合している部分Ｐが部分的に存在している」とは、第一非磁性スピネル膜１３Ａの少なくとも一部には、シリコンチャンネル層１２および第一強磁性層１４Ａの両方と格子整合していない部分が含まれていることを表す。より具体的には、第一非磁性スピネル膜１３Ａには、シリコンチャンネル層１２の第一凸部１２Ａおよび第一強磁性層１４Ａの両方と格子整合している部分（第一格子整合部分）Ｐと、シリコンチャンネル層１２の第一凸部１２Ａおよび第一強磁性層１４Ａの両方と格子整合していない部分（第一非格子整合部分）Ｎとが混在している。第一非格子整合部分Ｎは、第一非磁性スピネル膜１３Ａの非晶質（アモルファス）部分、あるいは第一格子整合部分Ｐの面内の結晶方位と４５°ずれた結晶方位を有する結晶部分、あるいは、結晶方位が全くずれた方位の結晶質の層が非晶質層上に存在する部分であると考えられる。   FIG. 4A is a top view of the first ferromagnetic layer 14A and the second ferromagnetic layer 14B. FIG. 4B is a cross-sectional view showing the crystal form of the spin injection electrode structure along the line IVB-IVB in FIG. In the spin injection electrode structure IE, the first nonmagnetic spinel film 13A (or the second nonmagnetic spinel film 13B) and the first ferromagnetic layer 14A (or the second strong magnetic layer 14A) are formed on the (100) plane of the silicon channel layer 12, for example. The magnetic layer 14B) is laminated. In the first nonmagnetic spinel film 13A, a portion (first lattice matching portion) P lattice-matched with both the silicon channel layer 12 and the first ferromagnetic layer 14A is partially present. This “lattice-matched portion P is partially present” means that at least a part of the first nonmagnetic spinel film 13A is latticed with both the silicon channel layer 12 and the first ferromagnetic layer 14A. This indicates that the inconsistent part is included. More specifically, in the first nonmagnetic spinel film 13A, a portion (first lattice matching portion) P that is lattice matched with both the first convex portion 12A and the first ferromagnetic layer 14A of the silicon channel layer 12 is provided. And a portion (first non-lattice matching portion) N that is not lattice matched with both the first convex portion 12A and the first ferromagnetic layer 14A of the silicon channel layer 12. The first non-lattice matching portion N is an amorphous portion of the first non-magnetic spinel film 13A, or a crystal portion having a crystal orientation shifted by 45 ° from the in-plane crystal orientation of the first lattice matching portion P. Alternatively, it is considered that a crystalline layer having a crystal orientation completely deviated is present on the amorphous layer.

同様に、第二非磁性スピネル膜１３Ｂには、シリコンチャンネル層１２および第二強磁性層１４Ｂの両方と格子整合している部分（第二格子整合部分）Ｐが部分的に存在している。より具体的には、第二非磁性スピネル膜１３Ｂには、シリコンチャンネル層１２の第二凸部１２Ｂおよび第二強磁性層１４Ｂの両方と格子整合している部分（第二格子整合部分）Ｐと、シリコンチャンネル層１２の第一凸部１２Ａおよび第二強磁性層１４Ｂの両方と格子整合していない部分（第二非格子整合部分）Ｎとが混在している。第二非格子整合部分Ｎは、第二非磁性スピネル膜１３Ｂの非晶質（アモルファス）部分、あるいは第二格子整合部分Ｐの面内の結晶方位と４５°ずれた結晶方位を有する結晶部分、あるいは、結晶方位が全くずれた方位の結晶質の層が非晶質層上に存在する部分であると考えられる。   Similarly, a portion (second lattice matching portion) P that is lattice-matched to both the silicon channel layer 12 and the second ferromagnetic layer 14B partially exists in the second nonmagnetic spinel film 13B. More specifically, in the second nonmagnetic spinel film 13B, a portion (second lattice matching portion) P that is lattice-matched with both the second convex portion 12B and the second ferromagnetic layer 14B of the silicon channel layer 12 is provided. And a portion (second non-lattice matching portion) N that is not lattice-matched with both the first convex portion 12A and the second ferromagnetic layer 14B of the silicon channel layer 12 are mixed. The second non-lattice matching portion N is an amorphous portion of the second non-magnetic spinel film 13B, or a crystal portion having a crystal orientation shifted by 45 ° from the in-plane crystal orientation of the second lattice matching portion P, Alternatively, it is considered that a crystalline layer having a crystal orientation completely deviated is present on the amorphous layer.

また、シリコンチャンネル層１２とシリコンチャンネル層１２上にエピタキシャル成長した第一非磁性スピネル膜１３Ａが互いに接する界面のドメインの幅Ｘ１は０．５４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好適である。このような場合、界面のスピン分極率を高くすることができる。シリコンチャンネル層１２と第一非磁性スピネル膜１３Ａが互いに接する面において、このエピタキシャルしている面に結晶額的な欠陥が導入されにくい。なお、上記界面のドメインの幅Ｘ１が０．５４ｎｍ未満の場合はシリコンの格子定数以下の領域であり、一般に格子定数以下のエピタキシャル成長は定義できない。   The width X1 of the interface domain where the silicon channel layer 12 and the first nonmagnetic spinel film 13A epitaxially grown on the silicon channel layer 12 are in contact with each other is preferably 0.54 nm or more and 10 nm or less. In such a case, the spin polarizability of the interface can be increased. In the surface where the silicon channel layer 12 and the first nonmagnetic spinel film 13A are in contact with each other, it is difficult for crystal defects to be introduced into this epitaxial surface. When the width X1 of the interface domain is less than 0.54 nm, it is a region below the lattice constant of silicon, and in general, epitaxial growth below the lattice constant cannot be defined.

「格子整合している」とは、隣接する２つの層の界面において結晶格子の連続性が保たれている状態を表す。厳密には、連続性は保たれているものの、隣接する２つの層の界面付近では隣接する２つの層の結晶格子が歪み、それぞれの層が安定な結晶格子を保てる範囲で隣接する層の結晶格子に合わせて歪む状態を表す。また、「格子整合していない」とは、隣接する２つの層の界面において結晶格子が不連続である状態を表し、例えば、隣接する２つの層の界面において、アモルファス層による格子緩衝層が形成された状態や、方位の異なる結晶が接合して結晶粒界が形成された状態、あるいは、ドメインとしてはエピタキシャル成長しているが界面にデフェクトなどの連続性が乱された状態を表す。   “Lattice matching” represents a state in which the continuity of the crystal lattice is maintained at the interface between two adjacent layers. Strictly speaking, although the continuity is maintained, the crystal lattices of the two adjacent layers are distorted near the interface between the two adjacent layers, and the crystals of the adjacent layers are within a range in which each layer can maintain a stable crystal lattice. Represents a state of distortion according to the lattice. “Not lattice matched” means that the crystal lattice is discontinuous at the interface between two adjacent layers. For example, a lattice buffer layer is formed by an amorphous layer at the interface between two adjacent layers. This represents a state in which the crystal grain boundaries are formed by joining crystals having different orientations, or a state in which the domains are epitaxially grown but the continuity such as defects is disturbed at the interface.

図４（ｂ）に示すように、シリコンチャンネル層１２上における第一非磁性スピネル膜１３Ａ（または第二非磁性スピネル膜１３Ｂ）の結晶成長は、シリコンチャンネル層１２の最表面の結晶を種にしてなされる。具体的には、図４（ｂ）における左側の第一格子整合部分（または第二格子整合部分）Ｐで示す例では、成膜方向に棒状にエピタキシャル成長した膜となっている。この場合、シリコンチャンネル層１２の第一凸部１２Ａ（または第二凸部１２Ｂ）と、第一非磁性スピネル膜１３Ａ（または第二非磁性スピネル膜１３Ｂ）との界面における幅Ｘ１は、第一強磁性層１４Ａ（または第二強磁性層１４Ｂ）と、第一非磁性スピネル膜１３Ａ（または第二非磁性スピネル膜１３Ｂ）との界面における幅Ｘ２と同程度となっている。エピタキシャル成長しているか否かは異なる層の界面において連続性の有無で決定することが出来る。   As shown in FIG. 4B, the crystal growth of the first nonmagnetic spinel film 13A (or the second nonmagnetic spinel film 13B) on the silicon channel layer 12 is performed using crystals on the outermost surface of the silicon channel layer 12 as seeds. It is done. Specifically, in the example indicated by the left first lattice matching portion (or second lattice matching portion) P in FIG. 4B, the film is epitaxially grown in a rod shape in the film forming direction. In this case, the width X1 at the interface between the first convex portion 12A (or second convex portion 12B) of the silicon channel layer 12 and the first nonmagnetic spinel film 13A (or second nonmagnetic spinel film 13B) is The width X2 is about the same as the width X2 at the interface between the ferromagnetic layer 14A (or the second ferromagnetic layer 14B) and the first nonmagnetic spinel film 13A (or the second nonmagnetic spinel film 13B). Whether or not epitaxial growth is performed can be determined by the presence or absence of continuity at the interface between different layers.

あるいは、図４（ｂ）における右側の第一格子整合部分（または第二格子整合部分）Ｐで示す例では、結晶成長後期の方がより大きな結晶化領域となるようにエピタキシャル成長した膜である。この場合、第一非磁性スピネル膜１３Ａ（または第二非磁性スピネル膜１３Ｂ）と、第一強磁性層１４Ａ（または第二強磁性層１４Ｂ）との界面における幅Ｘ２は、第一非磁性スピネル膜１３Ａ（または第二非磁性スピネル膜１３Ｂ）と、シリコンチャンネル層１２の第一凸部１２Ａ（または第二凸部１２Ｂ）との界面における幅Ｘ１より大きくなっている。また、第一格子整合部分（または第二格子整合部分）Ｐとシリコンチャンネル層１２の第一凸部１２Ａ（または第二凸部１２Ｂ）との界面のドメインの幅Ｘ１は、第一格子整合部分（または第二格子整合部分）Ｐと第一強磁性層１４Ａ（または第二強磁性層１４Ｂ）との界面のドメインの幅Ｘ２以下である。このようなドメインの幅の関係により、スピン注入用電流を第一格子整合部分（または第二格子整合部分）Ｐに、よりいっそう狭窄でき、スピン注入効率をよりいっそう向上できる。   Alternatively, in the example indicated by the first lattice matching portion (or second lattice matching portion) P on the right side in FIG. 4B, the film is epitaxially grown so that the later crystal growth becomes a larger crystallization region. In this case, the width X2 at the interface between the first nonmagnetic spinel film 13A (or the second nonmagnetic spinel film 13B) and the first ferromagnetic layer 14A (or the second ferromagnetic layer 14B) is equal to the first nonmagnetic spinel. The width is larger than the width X1 at the interface between the film 13A (or the second nonmagnetic spinel film 13B) and the first convex portion 12A (or the second convex portion 12B) of the silicon channel layer 12. The width X1 of the domain at the interface between the first lattice matching portion (or the second lattice matching portion) P and the first convex portion 12A (or the second convex portion 12B) of the silicon channel layer 12 is the first lattice matching portion. (Or the second lattice matching portion) The width of the domain at the interface between P and the first ferromagnetic layer 14A (or the second ferromagnetic layer 14B) is not more than X2. Due to the domain width relationship, the spin injection current can be further confined to the first lattice matching portion (or the second lattice matching portion) P, and the spin injection efficiency can be further improved.

図５は、本実施形態に係るスピン注入電極構造ＩＥの結晶形態におけるスピン注入を示す模式図である。上述したように、第一非磁性スピネル膜１３Ａ（または第二非磁性スピネル膜１３Ｂ）において、第一格子整合部分（または第二格子整合部分）Ｐと第一非格子整合部分（または第二非格子整合部分）Ｎとが混在している。このため、スピン注入用電流は、第一強磁性層１４Ａから第一非磁性スピネル膜１３Ａを介してシリコンチャンネル層１２へ流れ、第一格子整合部分（または第二格子整合部分）Ｐでは第一非格子整合部分（または第二非格子整合部分）Ｎに比べて結晶格子の乱れが少ないため低抵抗になり、高いスピン分極率を持った電流が狭窄されると考えられる。これにより、スピンの注入効率が向上されると考えられる。また、第二非磁性スピネル膜１３Ｂを介して第二強磁性層１４Ｂと第二凸部１２Ｂとの間で、スピンの伝導効率が良い第二格子整合部分Ｐが支配的になる。これにより、スピンの検出効率が向上されると考えられる。従って、スピン注入電極構造ＩＥあるいはスピン伝導素子１がこのような結晶形態であることにより、室温でのシリコンチャンネル層におけるスピンの効果的な注入が可能となる。   FIG. 5 is a schematic diagram showing spin injection in the crystal form of the spin injection electrode structure IE according to the present embodiment. As described above, in the first nonmagnetic spinel film 13A (or the second nonmagnetic spinel film 13B), the first lattice matching portion (or the second lattice matching portion) P and the first nonlattice matching portion (or the second nonmagnetic spinel film 13B). (Lattice matching portion) N is mixed. Therefore, the spin injection current flows from the first ferromagnetic layer 14A to the silicon channel layer 12 via the first nonmagnetic spinel film 13A, and the first lattice matching portion (or second lattice matching portion) P is the first. Compared to the non-lattice matching portion (or the second non-lattice matching portion) N, the crystal lattice is less disturbed, so that the resistance becomes low and a current having a high spin polarizability is confined. This is considered to improve the spin injection efficiency. In addition, the second lattice matching portion P having good spin conduction efficiency is dominant between the second ferromagnetic layer 14B and the second convex portion 12B via the second nonmagnetic spinel film 13B. This is thought to improve the efficiency of detecting the spin. Therefore, when the spin injection electrode structure IE or the spin transport element 1 has such a crystal form, it is possible to effectively inject spin into the silicon channel layer at room temperature.

なお、シリコンチャンネル層へのスピン注入で効果的な手法として、シリコンチャンネル層上に非磁性スピネル膜を全面的にエピタキシャル成長させ、コヒーレントなトンネル電流を流すことによって、強磁性層からシリコンチャンネル層へスピンを注入する方法が考えられる。しかしながら、シリコンチャンネル層上に非磁性スピネル膜が全面的にエピタキシャル成長した例はない。   As an effective technique for spin injection into the silicon channel layer, a nonmagnetic spinel film is epitaxially grown on the entire surface of the silicon channel layer and a coherent tunnel current is applied to spin from the ferromagnetic layer to the silicon channel layer. It is conceivable to inject this. However, there is no example in which a nonmagnetic spinel film is entirely epitaxially grown on the silicon channel layer.

以下、本実施形態に係るスピン伝導素子１のＮＬ（非局所）測定法を用いる動作の一例について説明する。ＮＬ測定法では、図３に示すように、スピン伝導素子１は例えばＹ軸方向の外部磁場Ｂ１を検出する。第一強磁性層１４Ａの磁化方向Ｇ１（Ｙ軸方向）を第二強磁性層１４Ｂの磁化方向Ｇ２（Ｙ軸方向）と同一方向に固定する。また、図１に示すように、電極パッドＥ１及びＥ３を交流電流源７０に接続することにより、第一強磁性層１４Ａに検出用電流を流す。強磁性体である第一強磁性層１４Ａから、第一非磁性スピネル膜１３Ａを介して、非磁性体のシリコンチャンネル層１２へ検出用電流が流れることにより、第一強磁性層１４Ａの磁化の向きＧ１に対応するスピンを有する電子がシリコンチャンネル層１２へ注入される。注入されたスピンは第二強磁性層１４Ｂ側へ拡散していく。このように、シリコンチャンネル層１２に流れる電流及びスピン流が、主に所定の軸（Ｘ軸）方向に流れる構造とすることができる。そして、外部磁場Ｂ１によって変化される第一強磁性層１４Ａの磁化の向き、すなわち電子のスピンと、シリコンチャンネル層１２の第二強磁性層１４Ｂと接する部分の電子のスピンとの相互作用により、シリコンチャンネル層１２と第二強磁性層１４Ｂの間において出力が発生する。この出力は、電極パッドＥ２及びＥ４に接続した出力測定器８０により検出する。   Hereinafter, an example of the operation using the NL (non-local) measurement method of the spin transport device 1 according to the present embodiment will be described. In the NL measurement method, as shown in FIG. 3, the spin transport element 1 detects an external magnetic field B1 in the Y-axis direction, for example. The magnetization direction G1 (Y-axis direction) of the first ferromagnetic layer 14A is fixed in the same direction as the magnetization direction G2 (Y-axis direction) of the second ferromagnetic layer 14B. Further, as shown in FIG. 1, by connecting the electrode pads E1 and E3 to an alternating current source 70, a detection current is passed through the first ferromagnetic layer 14A. When a detection current flows from the first ferromagnetic layer 14A, which is a ferromagnetic material, to the non-magnetic silicon channel layer 12 through the first nonmagnetic spinel film 13A, the magnetization of the first ferromagnetic layer 14A is changed. Electrons having a spin corresponding to the direction G <b> 1 are injected into the silicon channel layer 12. The injected spin diffuses toward the second ferromagnetic layer 14B. As described above, a structure in which the current and spin current flowing in the silicon channel layer 12 flow mainly in a predetermined axis (X-axis) direction can be obtained. Then, due to the interaction between the magnetization direction of the first ferromagnetic layer 14A, which is changed by the external magnetic field B1, that is, the spin of electrons and the spin of electrons in the portion of the silicon channel layer 12 in contact with the second ferromagnetic layer 14B, An output is generated between the silicon channel layer 12 and the second ferromagnetic layer 14B. This output is detected by an output measuring device 80 connected to the electrode pads E2 and E4.

次に、本実施形態に係るスピン伝導素子１のＮＬ−Ｈａｎｌｅ測定法を用いる動作の一例を説明する。ＮＬ−Ｈａｎｌｅ測定法ではＨａｎｌｅ効果を利用する。Ｈａｎｌｅ効果とは、電流によって強磁性電極からチャンネルに注入されたスピンが他の強磁性電極に向かって拡散・伝導する際に、スピンの向きと垂直な方向から外部磁場が印加されたときに、ラーモア歳差を起こす現象である。ＮＬ−Ｈａｎｌｅ測定法では、図３に示すように、スピン伝導素子１は例えばＺ軸方向の外部磁場Ｂ２を検出する。第一強磁性層１４Ａの磁化方向Ｇ１（Ｙ軸方向）は、第二強磁性層１４Ｂの磁化方向Ｇ２（Ｙ軸方向）と同一方向に固定する。そして、第一強磁性層１４Ａおよび第一参照電極１５Ａを交流電流源７０に接続することにより、第一強磁性層１４Ａにスピンの検出用電流を流すことができる。強磁性体である第一強磁性層１４Ａから第一非磁性スピネル膜１３Ａを介して、非磁性体のシリコンチャンネル層１２へ電流が流れることにより、第一強磁性層１４Ａの磁化の向きＧ１に対応する向きのスピンを有する電子がシリコンチャンネル層１２の第一凸部１２Ａへ注入される。第一凸部１２Ａに注入されたスピンは、主部１２Ｅを通って第二強磁性層１４Ｂ側へ拡散していく。このように、シリコンチャンネル層１２に流れる電流およびスピン流が主にＸ軸方向に流れる構造となる。   Next, an example of the operation using the NL-Hane measurement method of the spin transport element 1 according to the present embodiment will be described. The NL-Hanle measurement method uses the Hanle effect. The Hanle effect means that when an external magnetic field is applied from a direction perpendicular to the direction of the spin when the spin injected from the ferromagnetic electrode into the channel by the current diffuses and conducts toward the other ferromagnetic electrode, It is a phenomenon that causes Larmor precession. In the NL-Hanle measurement method, as shown in FIG. 3, the spin transport element 1 detects an external magnetic field B2 in the Z-axis direction, for example. The magnetization direction G1 (Y-axis direction) of the first ferromagnetic layer 14A is fixed in the same direction as the magnetization direction G2 (Y-axis direction) of the second ferromagnetic layer 14B. Then, by connecting the first ferromagnetic layer 14A and the first reference electrode 15A to the alternating current source 70, a spin detection current can be passed through the first ferromagnetic layer 14A. When a current flows from the first ferromagnetic layer 14A, which is a ferromagnetic material, through the first nonmagnetic spinel film 13A to the silicon channel layer 12 that is a nonmagnetic material, the magnetization direction G1 of the first ferromagnetic layer 14A is changed. Electrons having spins in the corresponding directions are injected into the first convex portion 12A of the silicon channel layer 12. The spin injected into the first convex portion 12A diffuses toward the second ferromagnetic layer 14B through the main portion 12E. In this way, the current and spin current flowing through the silicon channel layer 12 flow mainly in the X-axis direction.

ここで、シリコンチャンネル層１２に外部磁場Ｂ２を印加しないとき、すなわち外部磁場がゼロのとき、シリコンチャンネル層１２のうち第一強磁性層１４Ａと第二強磁性層１４Ｂとの間の領域を拡散するスピンの向きは回転しない。よって、予め設定された第二強磁性層１４Ｂの磁化の向きＧ２と同一方向のスピンが、シリコンチャンネル層１２における第二強磁性層１４Ｂ側の領域に拡散してくることとなる。従って、外部磁場がゼロのとき、出力（例えば抵抗出力やスピン出力）は極値となる。なお、電流や磁化の向きで極大値または極小値をとりうる。出力は、第二強磁性層１４Ｂおよび第二参照電極１５Ｂに接続した電圧測定器などの出力測定器８０により評価できる。   Here, when the external magnetic field B2 is not applied to the silicon channel layer 12, that is, when the external magnetic field is zero, a region of the silicon channel layer 12 between the first ferromagnetic layer 14A and the second ferromagnetic layer 14B is diffused. The direction of the spinning spin does not rotate. Therefore, the spin in the same direction as the magnetization direction G2 of the second ferromagnetic layer 14B set in advance diffuses to the region on the second ferromagnetic layer 14B side in the silicon channel layer 12. Therefore, when the external magnetic field is zero, the output (for example, resistance output or spin output) is an extreme value. The maximum value or the minimum value can be taken depending on the direction of current or magnetization. The output can be evaluated by an output measuring device 80 such as a voltage measuring device connected to the second ferromagnetic layer 14B and the second reference electrode 15B.

対して、シリコンチャンネル層１２に外部磁場Ｂ２を印加する場合を考える。外部磁場Ｂ２は、第一強磁性層１４Ａの磁化方向Ｇ１（図３の例ではＹ軸方向）および第二強磁性層１４Ｂの磁化方向Ｇ２（図３の例ではＹ軸方向）に対して垂直な方向（図３の例ではＺ軸方向）から印加する。外部磁場Ｂ２を印加すると、シリコンチャンネル層１２内を拡散・伝導するスピンの向きは、外部磁場Ｂ２の軸方向（図３の例ではＺ軸方向）を中心として回転する（いわゆるＨａｎｌｅ効果）。シリコンチャンネル層１２における第二強磁性層１４Ｂ側の領域まで拡散してきたときのこのスピンの回転の向きと、予め設定された第二強磁性層１４Ｂの磁化の向きＧ２、すなわちスピンの向きと、の相対角により、シリコンチャンネル層１２と第二強磁性層１４Ｂの界面の出力（例えば抵抗出力やスピン出力）が決定される。外部磁場Ｂ２を印加する場合、シリコンチャンネル層１２内を拡散するスピンの向きは回転するので、第二強磁性層１４Ｂの磁化の向きと向きが揃わない。よって、出力は、外部磁場がゼロのときに極大値をとる場合、外部磁場Ｂ２を印加するときには極大値以下となる。また、出力は、外部磁場がゼロのときに極小値をとる場合、外部磁場Ｂ２を印加するときには極小値以上となる。   On the other hand, consider the case where an external magnetic field B2 is applied to the silicon channel layer 12. The external magnetic field B2 is perpendicular to the magnetization direction G1 (Y-axis direction in the example of FIG. 3) of the first ferromagnetic layer 14A and the magnetization direction G2 (Y-axis direction in the example of FIG. 3) of the second ferromagnetic layer 14B. Application is performed from any direction (Z-axis direction in the example of FIG. 3). When the external magnetic field B2 is applied, the direction of spin that diffuses and conducts in the silicon channel layer 12 rotates around the axial direction of the external magnetic field B2 (Z-axis direction in the example of FIG. 3) (so-called Hanle effect). The direction of rotation of this spin when diffusing up to the region on the second ferromagnetic layer 14B side in the silicon channel layer 12, and the direction G2 of magnetization of the second ferromagnetic layer 14B set in advance, that is, the direction of spin, , The output (for example, resistance output or spin output) at the interface between the silicon channel layer 12 and the second ferromagnetic layer 14B is determined. When the external magnetic field B2 is applied, the direction of the spin diffusing in the silicon channel layer 12 rotates, so that the magnetization direction and direction of the second ferromagnetic layer 14B are not aligned. Therefore, the output takes a maximum value when the external magnetic field is zero, and the output is less than the maximum value when the external magnetic field B2 is applied. Further, the output takes a minimum value when the external magnetic field is zero, and the output becomes a minimum value or more when the external magnetic field B2 is applied.

従って、ＮＬ−Ｈａｎｌｅ測定法では、外部磁場がゼロのときに出力のピークが現われ、外部磁場Ｂ２を増加または減少させると出力が減少していく。つまり、外部磁場Ｂ２の有無によって出力が変化するので、本実施形態に係るスピン伝導素子１は、例えば磁気センサーとして使用できる。   Therefore, in the NL-Hanle measurement method, an output peak appears when the external magnetic field is zero, and the output decreases as the external magnetic field B2 is increased or decreased. That is, since the output changes depending on the presence or absence of the external magnetic field B2, the spin transport element 1 according to this embodiment can be used as a magnetic sensor, for example.

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。シリコンチャンネル層１２には、導電性を付与するためのイオンが打ち込まれる。このイオン打ち込みに起因して、シリコンチャンネル層１２の表面にはダメージが残る。そこで、シリコンチャンネル層１２の表面から底部に向かってミリングすることが好ましく、シリコンチャンネル層は、第一部分と第二部分との間に窪みを有し、窪みの深さは１０ｎｍ以上であることが好ましい。この場合、表面ダメージの抑制されたシリコンチャンネル層１２を得ることができる。窪みの深さが１０ｎｍ未満の場合は、シリコンチャンネル層１２の表面にはダメージ層が残り、スピン伝導を阻害する要素となる。また、スピンを注入する電極においてスピンを電流で注入した際に生じる電場がスピンを検出する電極に電場を与え、ノイズやバックグラウンドとなり、デバイスとしての応用上の問題となる。窪みの深さが１０ｎｍ以上の場合は、このような効果が軽減される。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described in detail, this invention is not limited to the said embodiment. Ions for imparting conductivity are implanted into the silicon channel layer 12. Due to this ion implantation, damage remains on the surface of the silicon channel layer 12. Therefore, it is preferable to perform milling from the surface of the silicon channel layer 12 toward the bottom, and the silicon channel layer has a recess between the first portion and the second portion, and the depth of the recess is 10 nm or more. preferable. In this case, the silicon channel layer 12 with suppressed surface damage can be obtained. When the depth of the depression is less than 10 nm, a damaged layer remains on the surface of the silicon channel layer 12 and becomes an element that inhibits spin conduction. In addition, an electric field generated when a spin is injected with a current in an electrode for injecting a spin gives an electric field to the electrode for detecting a spin, resulting in noise and background, which becomes a problem in application as a device. When the depth of the depression is 10 nm or more, such an effect is reduced.

また、第二強磁性層１４Ｂの磁化方向は、第二強磁性層１４Ｂ上に設けられた反強磁性層によって、固定されていてもよい。この場合、反強磁性層を設けない場合よりも、高い保磁力を一方向に有する第二強磁性層１４Ｂが得られる。また、第二強磁性層１４Ｂの磁化方向を固定する磁場は、評価対象である外部磁場Ｂ１、Ｂ２よりも大きいことが好ましい。これにより、安定して外部磁場Ｂ１、Ｂ２を検出することができる。また、ＮＬ−Ｈａｎｌｅ測定法では、第一強磁性層１４Ａおよび第二強磁性層１４Ｂは、反強磁性層によって同一の方向に同程度の保磁力をもっていることが好ましい。同一の方向に同程度の保持力を持つことにより、この保持力以下の外部磁場で第一強磁性層１４Ａおよび第二強磁性層１４Ｂの磁化の向きが変化することがなく、ノイズの少ない信号を得ることが出来る。   The magnetization direction of the second ferromagnetic layer 14B may be fixed by an antiferromagnetic layer provided on the second ferromagnetic layer 14B. In this case, the second ferromagnetic layer 14B having a higher coercive force in one direction can be obtained than when no antiferromagnetic layer is provided. The magnetic field that fixes the magnetization direction of the second ferromagnetic layer 14B is preferably larger than the external magnetic fields B1 and B2 to be evaluated. Thereby, the external magnetic fields B1 and B2 can be detected stably. In the NL-Hanle measurement method, it is preferable that the first ferromagnetic layer 14A and the second ferromagnetic layer 14B have the same degree of coercive force in the same direction due to the antiferromagnetic layer. By having the same level of coercive force in the same direction, the direction of magnetization of the first ferromagnetic layer 14A and the second ferromagnetic layer 14B does not change with an external magnetic field below this coercive force, and the signal is low in noise. Can be obtained.

また、上述のスピン伝導素子１を複数備えた磁気検出装置とすることができる。例えば、上述のスピン伝導素子１を複数並列あるいは複数積層して、磁気検出装置とすることができる。この場合、各スピン伝導素子１の出力を合算することができる。このような磁気検出装置は、例えば癌細胞などを検知する生体センサーなどに適用できる。   Moreover, it can be set as the magnetic detection apparatus provided with two or more above-mentioned spin transport elements 1. FIG. For example, a plurality of the above-described spin transport elements 1 can be arranged in parallel or stacked to form a magnetic detection device. In this case, the outputs of the spin transport elements 1 can be added up. Such a magnetic detection device can be applied to, for example, a biological sensor that detects cancer cells and the like.

また、上述のスピン注入電極構造ＩＥやスピン伝導素子１は、例えば磁気ヘッド、磁気抵抗メモリ（ＭＲＡＭ）、論理回路、核スピンメモリ、量子コンピュータなどの種々のスピン伝導デバイスに用いることができる。   The above-described spin injection electrode structure IE and the spin transport element 1 can be used for various spin transport devices such as a magnetic head, a magnetoresistive memory (MRAM), a logic circuit, a nuclear spin memory, and a quantum computer.

また、スピン検出部（第二強磁性層１４Ｂ、第二非磁性スピネル膜１３Ｂ、およびシリコンチャンネル層１２の第二凸部１２Ｂ）の構成は、上記実施形態に限定されず、例えば電流を流すことによってスピンを検出するものでもよい。   Further, the configuration of the spin detection unit (the second ferromagnetic layer 14B, the second nonmagnetic spinel film 13B, and the second convex portion 12B of the silicon channel layer 12) is not limited to the above-described embodiment. It is also possible to detect spin by.

以下、実施例を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。また、上記はシリコンチャンネル層を例に出したが、シリコンをゲルマニウムに置き換えた例でも定量的に異なる結果が得られるものの、定性的にはほぼ同様な結果が得られ、材料もシリコンに限定されるものではない。   Hereinafter, examples will be described, but the present invention is not limited to the following examples. In addition, the silicon channel layer is taken as an example above, but even if the silicon is replaced with germanium, quantitatively different results are obtained, but qualitatively similar results are obtained, and the material is also limited to silicon. It is not something.

（実施例１）
まず、基板、絶縁膜、及びシリコン膜からなるＳＯＩ基板を準備した。基板にはシリコン基板、絶縁膜には２００ｎｍの酸化珪素層を用い、シリコン膜は１００ｎｍであった。シリコン膜の電子濃度を調整するためにリンイオンの打ち込みを行った。その後、９００℃のアニールにより不純物を拡散させて、シリコン膜の電子濃度の調整を行った。この際、シリコン膜全体の平均電子濃度が５．０×１０１９ｃｍ−３となるようにした。Example 1
First, an SOI substrate including a substrate, an insulating film, and a silicon film was prepared. A silicon substrate was used as the substrate, a 200 nm silicon oxide layer was used as the insulating film, and the silicon film was 100 nm. Phosphorus ions were implanted in order to adjust the electron concentration of the silicon film. Thereafter, the impurities were diffused by annealing at 900 ° C. to adjust the electron concentration of the silicon film. At this time, the average electron concentration of the entire silicon film was set to 5.0 × 10 19 cm −3 .

次いで、ＲＣＡ洗浄を用いて、ＳＯＩ基板の表面の付着物、有機物、及び自然酸化膜を除去した。その後、ＨＦ洗浄液を用いてＳＯＩ基板の表面を水素で終端させた。続いて、ＳＯＩ基板を分子線エピタキシー（ＭＢＥ）装置に搬入した。ベース真空度（積層処理を実際に施す前の装置内の真空度）を２．０×１０−９Ｔｏｒｒ以下とした。ＳＯＩ基板の加熱によるフラッシング処理を行った。これにより、シリコン膜表面の水素を離脱させ、清浄表面を形成した。Next, deposits, organic substances, and natural oxide films on the surface of the SOI substrate were removed using RCA cleaning. Thereafter, the surface of the SOI substrate was terminated with hydrogen using an HF cleaning solution. Subsequently, the SOI substrate was carried into a molecular beam epitaxy (MBE) apparatus. The degree of base vacuum (the degree of vacuum in the apparatus before the actual lamination process) was set to 2.0 × 10 −9 Torr or less. Flushing treatment was performed by heating the SOI substrate. As a result, hydrogen on the surface of the silicon film was released to form a clean surface.

続いて、ＭＢＥ法を用いて、シリコン膜上に非磁性スピネル膜であるＭｇＡｌ２Ｏ４、鉄膜、及びチタン膜をこの順に成膜し、積層体を得た。但し、ＭｇＡｌ２Ｏ４の組成比は作成条件によって異なるため、マグネシウム、アルミ及び酸素を含みスピネル構造を持つ膜を形成した。この膜が形成できていることは、ＸＲＤ、ＥＤＳ、ＥＥＬＳあるいは断面ＴＥＭなどの評価によって特定できる。成膜時における真空度は５×１０−８Ｔｏｒｒ以下であった。チタン膜は、鉄膜の酸化による特性劣化を抑制するためのキャップ層である。Subsequently, using a MBE method, a nonmagnetic spinel film, MgAl2O4, an iron film, and a titanium film were formed in this order on the silicon film to obtain a laminate. However, since the composition ratio of MgAl 2 O 4 varies depending on the preparation conditions, a film having a spinel structure containing magnesium, aluminum, and oxygen was formed. The formation of this film can be specified by evaluation of XRD, EDS, EELS, or cross-sectional TEM. The degree of vacuum during film formation was 5 × 10 −8 Torr or less. The titanium film is a cap layer for suppressing characteristic deterioration due to oxidation of the iron film.

次いで、積層体の表面の洗浄を行った後、フォトリソグラフィ法およびリフトオフにより、Ｔａのアライメントマークを基板に形成した。続いて、マスクを用いて、シリコン膜を異方性ウェットエッチングによりパターニングした。これにより、側面に傾斜部を有するシリコンチャンネル層１２を得た。この際、シリコンチャンネル層１２のサイズは、２３μｍ×３００μｍとなった。また、得られたシリコンチャンネル層１２の側面を酸化させて、酸化珪素膜（酸化膜７ａ）を形成した。   Next, after cleaning the surface of the laminate, Ta alignment marks were formed on the substrate by photolithography and lift-off. Subsequently, the silicon film was patterned by anisotropic wet etching using a mask. As a result, a silicon channel layer 12 having an inclined portion on the side surface was obtained. At this time, the size of the silicon channel layer 12 was 23 μm × 300 μm. Further, the side surface of the obtained silicon channel layer 12 was oxidized to form a silicon oxide film (oxide film 7a).

次いで、フォトリソグラフィ法を用いて、鉄膜をパターニングすることにより、第一強磁性層１４Ａおよび第二強磁性層１４Ｂを形成した。シリコンチャンネル層１２と、第一強磁性層１４Ａおよび第二強磁性層１４Ｂとの間以外に位置する酸化膜とマグネシウム膜を除去した。これにより、第一非磁性スピネル膜１３Ａおよび第二非磁性スピネル膜１３Ｂを得た。露出したシリコンチャンネル層１２の一端側と他端側に、Ａｌ膜を形成し、第一参照電極１５Ａおよび第二参照電極１５Ｂをそれぞれ得た。   Next, the first ferromagnetic layer 14A and the second ferromagnetic layer 14B were formed by patterning the iron film using a photolithography method. The oxide film and the magnesium film located except between the silicon channel layer 12 and the first ferromagnetic layer 14A and the second ferromagnetic layer 14B were removed. Thus, a first nonmagnetic spinel film 13A and a second nonmagnetic spinel film 13B were obtained. An Al film was formed on one end side and the other end side of the exposed silicon channel layer 12 to obtain a first reference electrode 15A and a second reference electrode 15B, respectively.

更に、イオンミリングおよびエッチングを用いて、シリコンチャンネル層１２の表面のうち、第一強磁性層１４Ａ、第二強磁性層１４Ｂ、第一参照電極１５Ａおよび第二参照電極１５Ｂの形成されていない部分において、シリコンチャンネル層１２の表面から２０ｎｍの深さまでシリコンチャンネル層１２を掘り込んだ。これにより、シリコンチャンネル層１２は、第一凸部１２Ａ、第二凸部１２Ｂ、第三凸部１２Ｃ、第四凸部１２Ｄ、および主部１２Ｅを含む構造となった。第一凸部１２Ａ、第二凸部１２Ｂ、第三凸部１２Ｃ、および第四凸部１２Ｄは、この順にＸ軸方向に所定の間隔を置いて配列され、主部１２Ｅから突出するように延在する部分である。第一凸部１２Ａ、第二凸部１２Ｂ、第三凸部１２Ｃ、および第四凸部１２Ｄの膜厚Ｈ１は、１０ｎｍであった。このような構造により、シリコンチャンネル層１２となるシリコン膜に、導電性を付与するイオンの打ち込みの際に形成された表面ダメージが除去された。   Further, a portion of the surface of the silicon channel layer 12 where the first ferromagnetic layer 14A, the second ferromagnetic layer 14B, the first reference electrode 15A, and the second reference electrode 15B are not formed by using ion milling and etching. Then, the silicon channel layer 12 was dug to a depth of 20 nm from the surface of the silicon channel layer 12. As a result, the silicon channel layer 12 has a structure including the first convex portion 12A, the second convex portion 12B, the third convex portion 12C, the fourth convex portion 12D, and the main portion 12E. The first convex portion 12A, the second convex portion 12B, the third convex portion 12C, and the fourth convex portion 12D are arranged in this order at predetermined intervals in the X-axis direction and extend so as to protrude from the main portion 12E. It is a part that exists. The film thickness H1 of the first convex portion 12A, the second convex portion 12B, the third convex portion 12C, and the fourth convex portion 12D was 10 nm. With such a structure, the surface damage formed when ions for imparting conductivity were implanted into the silicon film to be the silicon channel layer 12 was removed.

さらに、酸化膜７ａ、第一非磁性スピネル膜１３Ａ、第二非磁性スピネル膜１３Ｂ、第一強磁性層１４Ａ、第二強磁性層１４Ｂ、第一参照電極１５Ａおよび第二参照電極１５Ｂの側面上と、シリコンチャンネル層１２の上面のうち、第一強磁性層１４Ａ、第二強磁性層１４Ｂ、第一参照電極１５Ａおよび第二参照電極１５Ｂの形成されていない主部１２Ｅ上とに、酸化珪素膜（酸化膜７ｂ）を形成した。   Further, on the side surfaces of the oxide film 7a, the first nonmagnetic spinel film 13A, the second nonmagnetic spinel film 13B, the first ferromagnetic layer 14A, the second ferromagnetic layer 14B, the first reference electrode 15A, and the second reference electrode 15B. And silicon oxide on the main portion 12E where the first ferromagnetic layer 14A, the second ferromagnetic layer 14B, the first reference electrode 15A, and the second reference electrode 15B are not formed on the upper surface of the silicon channel layer 12. A film (oxide film 7b) was formed.

次に、第一強磁性層１４Ａ、第二強磁性層１４Ｂ、第一参照電極１５Ａおよび第二参照電極１５Ｂ上に配線１８Ａ〜１８Ｄをそれぞれ形成した。配線１８Ａ〜１８Ｄとして、Ｔａ（厚さ１０ｎｍ）、Ｃｕ（厚さ５０ｎｍ）、及びＴａ（厚さ１０ｎｍ）の積層構造を用いた。さらに、各配線１８Ａ〜１８Ｄの端部にそれぞれ電極パッドＥ１〜Ｅ４を形成した。電極パッドＥ１〜Ｅ４として、Ｃｒ（厚さ５０ｎｍ）とＡｕ（厚さ１５０ｎｍ）の積層構造を用いた。こうして、図１〜３に示すスピン伝導素子１と同様の構成を有する実施例１のスピン伝導素子を作成した。図６に、実施例１で作製したスピン伝導素子の上面写真図を示す。   Next, wirings 18A to 18D were formed on the first ferromagnetic layer 14A, the second ferromagnetic layer 14B, the first reference electrode 15A, and the second reference electrode 15B, respectively. As the wirings 18A to 18D, a stacked structure of Ta (thickness 10 nm), Cu (thickness 50 nm), and Ta (thickness 10 nm) was used. Furthermore, electrode pads E1 to E4 were formed at the ends of the wirings 18A to 18D, respectively. A laminated structure of Cr (thickness 50 nm) and Au (thickness 150 nm) was used as the electrode pads E1 to E4. Thus, the spin transport device of Example 1 having the same configuration as the spin transport device 1 shown in FIGS. FIG. 6 shows a top view photograph of the spin transport device manufactured in Example 1. FIG.

（断面ＴＥＭ像による測定の結果）
上述したシリコン膜、非磁性スピネル膜、および鉄膜の結晶構造の断面TEM測定結果の一例を図７に示す。図７の実線は各層の境界を表し、点線は非磁性スピネル膜内でのドメインの境界を表している。なお、ドメインの境界が不明瞭な部分は記載していない。(Result of measurement by cross-sectional TEM image)
An example of a cross-sectional TEM measurement result of the crystal structures of the silicon film, nonmagnetic spinel film, and iron film described above is shown in FIG. The solid line in FIG. 7 represents the boundary between the layers, and the dotted line represents the domain boundary in the nonmagnetic spinel film. In addition, the part where the domain boundary is unclear is not described.

すなわち、図７の実線及び点線で囲まれた領域がシリコンチャンネル層上にエピタキシャル成長した非磁性スピネル層である。作成された素子において図７のような断面ＴＥＭ像を測定することによりドメインの幅Ｘ１、Ｘ２を測定した。   That is, the region surrounded by the solid and dotted lines in FIG. 7 is a nonmagnetic spinel layer epitaxially grown on the silicon channel layer. The widths X1 and X2 of the domains were measured by measuring a cross-sectional TEM image as shown in FIG.

（ＮＬ測定の結果）
ＮＬ測定法では、実施例１で作製したスピン伝導素子において、第一強磁性層１４Ａの磁化方向Ｇ１および第二強磁性層１４Ｂの磁化方向Ｇ２を外部磁場Ｂ１の磁化方向と同一方向（図３に示すＹ軸方向）に固定した。このスピン伝導素子に対して、第一強磁性層１４Ａおよび第二強磁性層１４Ｂの磁化方向と平行な方向（Ｙ軸方向）から外部磁場Ｂ１を印加した。交流電流源７０からの検出用電流を第一強磁性層１４Ａへ流すことにより、第一強磁性層１４Ａからシリコンチャンネル層１２へスピンを注入した。そして、外部磁場Ｂ１による磁化変化に基づく出力を出力測定器８０により測定した。この際、測定はいずれも室温にて行った。(Result of NL measurement)
In the NL measurement method, in the spin transport device fabricated in Example 1, the magnetization direction G1 of the first ferromagnetic layer 14A and the magnetization direction G2 of the second ferromagnetic layer 14B are the same as the magnetization direction of the external magnetic field B1 (FIG. 3). In the Y-axis direction). An external magnetic field B1 was applied to the spin transport element from a direction (Y-axis direction) parallel to the magnetization directions of the first ferromagnetic layer 14A and the second ferromagnetic layer 14B. By flowing a detection current from the alternating current source 70 to the first ferromagnetic layer 14A, spin was injected from the first ferromagnetic layer 14A to the silicon channel layer 12. The output based on the magnetization change by the external magnetic field B1 was measured by the output measuring device 80. At this time, all measurements were performed at room temperature.

図８は、ＮＬ測定法における印加磁場とスピン出力の関係を示すグラフである。図８のＦ１は、外部磁場Ｂ１をマイナス側からプラス側に変化させた場合を示し、図８のＦ２は、外部磁場Ｂ１をプラス側からマイナス側に変化させた場合を示す。図８のＦ１及びＦ２に示されるように、スピン伝導素子では、約２５μＶのスピン出力であった。   FIG. 8 is a graph showing the relationship between the applied magnetic field and the spin output in the NL measurement method. F1 in FIG. 8 shows the case where the external magnetic field B1 is changed from the minus side to the plus side, and F2 in FIG. 8 shows the case where the external magnetic field B1 is changed from the plus side to the minus side. As shown in F1 and F2 of FIG. 8, the spin transport device had a spin output of about 25 μV.

（ＮＬ−Ｈａｎｌｅ測定の結果）
ＮＬ−Ｈａｎｌｅ測定法では、実施例１で作製したスピン伝導素子において、印加する外部磁場Ｂ２の方向（図３に示すＺ軸方向）を第一強磁性層１４Ａの磁化方向（図３に示すＹ軸方向）Ｇ１および第二強磁性層１４Ｂの磁化方向（図３に示すＹ軸方向）Ｇ２と垂直方向とした。図９は、ＮＬ−Ｈａｎｌｅ測定法における印加磁場とスピン出力の関係を示すグラフである。図９は、第一強磁性層１４Ａの磁化方向を第二強磁性層１４Ｂの磁化方向と平行に固定した場合の測定結果である。(Result of NL-Hanle measurement)
In the NL-Hane measurement method, in the spin transport device manufactured in Example 1, the direction of the applied external magnetic field B2 (Z-axis direction shown in FIG. 3) is the magnetization direction of the first ferromagnetic layer 14A (Y shown in FIG. 3). The axial direction was perpendicular to G1 and the magnetization direction (Y-axis direction shown in FIG. 3) G2 of the second ferromagnetic layer 14B. FIG. 9 is a graph showing the relationship between the applied magnetic field and the spin output in the NL-Hanle measurement method. FIG. 9 shows the measurement results when the magnetization direction of the first ferromagnetic layer 14A is fixed parallel to the magnetization direction of the second ferromagnetic layer 14B.

図９の測定結果からわかるように、外部磁場Ｂ２の印加によって、シリコンチャンネル層を伝導しているスピンが回転・減衰を起こしていることがわかる。   As can be seen from the measurement results of FIG. 9, it can be seen that the spin conducted through the silicon channel layer is rotated and attenuated by the application of the external magnetic field B2.

（ドメインの幅とスピン出力の評価）
まず、図４と同様の断面のＴＥＭ画像を観察することにより、シリコンチャンネル層１２とシリコンチャンネル層１２上にエピタキシャル成長した第一非磁性スピネル膜１３Ａが互いに接するドメインの幅Ｘ１を求めた。(Evaluation of domain width and spin output)
First, by observing a TEM image having the same cross section as in FIG. 4, the width X1 of the domain where the silicon channel layer 12 and the first nonmagnetic spinel film 13A epitaxially grown on the silicon channel layer 12 are in contact with each other was obtained.

（実施例２）
作成方法は実施例１と同様であるが、積層膜は、ＭＢＥ法を用いて、シリコン膜上に非磁性スピネル膜であるＺｎＡｌ２Ｏ４、鉄膜、及びチタン膜をこの順に成膜した。評価方法も実施例１と同様であり、図１０にシリコンチャンネル層１２とシリコンチャンネル層１２上にエピタキシャル成長した第一非磁性スピネル膜１３Ａが互いに接する面の幅Ｘ１とスピン出力をグラフにした。(Example 2)
The production method is the same as in Example 1, but the laminated film was formed by depositing a nonmagnetic spinel film of ZnAl2O4, an iron film, and a titanium film in this order on the silicon film using the MBE method. The evaluation method is the same as in Example 1. FIG. 10 is a graph showing the width X1 and the spin output of the surface where the silicon channel layer 12 and the first nonmagnetic spinel film 13A epitaxially grown on the silicon channel layer 12 are in contact with each other.

図１０から実施例１と実施例２を比較すると定性的に同様な結果が得られている。ＭｇＡｌ２Ｏ４の方がスピン出力特性が高いため、ＭｇＡｌ２Ｏ４の方が好ましい。しかしながら、ＺｎＡｌ２Ｏ４でもほぼ同等であるため、非磁性スピネル膜の一般的に生じる現象であると考えることができる。   Comparing Example 1 and Example 2 from FIG. 10, qualitatively similar results are obtained. MgAl2O4 is preferable because MgAl2O4 has higher spin output characteristics. However, since ZnAl 2 O 4 is almost the same, it can be considered that this is a phenomenon that generally occurs in nonmagnetic spinel films.

ＩＥ…スピン注入電極構造、１…スピン伝導素子、１０…基板、１１…酸化珪素膜、１２…シリコンチャンネル層、１３Ａ…第一非磁性スピネル膜、１３Ｂ…第二非磁性スピネル膜、１４Ａ…第一強磁性層、１４Ｂ…第二強磁性層、１５Ａ…第一参照電極、１５Ｂ…第二参照電極、７０…交流電流源、８０…出力測定器、Ｐ…格子整合部分、Ｎ…非格子整合部分。   IE ... spin injection electrode structure, 1 ... spin conduction element, 10 ... substrate, 11 ... silicon oxide film, 12 ... silicon channel layer, 13A ... first nonmagnetic spinel film, 13B ... second nonmagnetic spinel film, 14A ... first One ferromagnetic layer, 14B ... second ferromagnetic layer, 15A ... first reference electrode, 15B ... second reference electrode, 70 ... alternating current source, 80 ... output measuring instrument, P ... lattice matching portion, N ... non-lattice matching portion.

Claims (7)

シリコンチャンネル層と、
前記シリコンチャンネル層上に設けられた非磁性スピネル膜と、
前記非磁性スピネル膜上に設けられた強磁性層と、を備え、
前記非磁性スピネル膜には、前記シリコンチャンネル層および前記強磁性層の両方と格子整合している格子整合部分が部分的に存在している、スピン注入電極構造。A silicon channel layer,
A nonmagnetic spinel film provided on the silicon channel layer;
A ferromagnetic layer provided on the nonmagnetic spinel film,
The spin injection electrode structure, wherein the nonmagnetic spinel film partially has a lattice matching portion lattice-matched with both the silicon channel layer and the ferromagnetic layer. 前記シリコンチャンネル層上にエピタキシャル成長させた前記非磁性スピネル膜はＭｇ、Ａｌ、Ｏを含む元素で構成されることを特徴とする請求項１に記載のスピン注入電極構造。   2. The spin injection electrode structure according to claim 1, wherein the nonmagnetic spinel film epitaxially grown on the silicon channel layer is composed of an element including Mg, Al, and O. 3. 前記シリコンチャンネル層上にエピタキシャル成長させた前記非磁性スピネル膜の界面におけるドメインの幅が、０．５４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のスピン注入電極構造。   The spin injection electrode structure according to claim 1 or 2, wherein a domain width at an interface of the nonmagnetic spinel film epitaxially grown on the silicon channel layer is 0.54 nm or more and 10 nm or less. 前記非磁性スピネル膜の膜厚は０．６ｎｍ以上２．０ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のスピン注入電極構造。   The spin injection electrode structure according to any one of claims 1 to 3, wherein the film thickness of the nonmagnetic spinel film is 0.6 nm or more and 2.0 nm or less. 前記格子整合部分と前記シリコンチャンネル層との界面のドメインの幅は、前記格子整合部分と前記強磁性層との界面のドメインの幅以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のスピン注入電極構造。   5. The width of the domain at the interface between the lattice matching portion and the silicon channel layer is equal to or less than the width of the domain at the interface between the lattice matching portion and the ferromagnetic layer. Spin injection electrode structure. 請求項１〜５のいずれか一項に記載のスピン注入電極構造をシリコンチェンネル層の第一部分上に設け、更に
前記シリコンチャンネル層の第二部分上に設けられた第二非磁性スピネル膜と、
前記第二非磁性スピネル膜上に設けられた第二強磁性層と、を備え、
前記第二非磁性スピネル膜には、前記シリコンチャンネル層および前記第二強磁性層の両方と格子整合している第二格子整合部分が部分的に存在している、スピン伝導素子。The spin injection electrode structure according to any one of claims 1 to 5 is provided on a first portion of a silicon channel layer, and further a second nonmagnetic spinel film provided on a second portion of the silicon channel layer;
A second ferromagnetic layer provided on the second nonmagnetic spinel film,
The spin transport element, wherein the second nonmagnetic spinel film partially includes a second lattice matching portion lattice-matched with both the silicon channel layer and the second ferromagnetic layer. 請求項１〜５のいずれか一項に記載のスピン注入電極構造を有するスピン伝導デバイス。
A spin transport device having the spin injection electrode structure according to claim 1.
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