JPWO2012098996A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料 - Google Patents

Abstract

高い発光効率を示し、発光寿命が長く、低駆動電圧であり、かつ、短波な発光を示す有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を備えた照明装置、表示装置及び該素子の形成に用いる有機エレクトロルミネッセンス素子材料を提供する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と陰極との間に、少なくとも１つの発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（Ａ）で表される配位子を少なくとも１つ有し、該配位子が元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素に配位している金属錯体を含有することを特徴とする。一般式（Ａ）：Ａ−Ｂ

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう。）は発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・リン光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であることから、次世代の平面ディスプレイや照明として注目されている。

内部量子効率の上限が１００％となる励起三重項からのリン光発光を用いた有機ＥＬ素子がプリンストン大より報告されて以来（例えば、非特許文献１参照）、室温でリン光を示す材料の研究が活発になってきている（例えば、非特許文献２、特許文献１参照）。

また、室温でリン光を示す材料として、イリジウム錯体系等重金属錯体が検討されている（例えば、非特許文献３参照）。

例えば、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体が広く知られており（非特許文献２）、また、ドーパントの耐久性や発光効率向上を目的として、トリス（２−フェニルピリジン）骨格にシリル基を導入した配位子を有するイリジウム錯体が開示されている（例えば、特許文献２参照）。

しかし、これらのドーパントを用いた有機ＥＬ素子においても、発光寿命をはじめとして十分な素子性能が得られていない。

また、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体以外として、フェニルイミダゾール配位子やカルベン配位子を有するイリジウム錯体が開示されている（例えば、特許文献３及び４参照）。

更に、フェニルイミダゾール骨格にアルキルシリル基を導入した配位子を有するイリジウム錯体が開示されている（例えば、特許文献５参照）。

しかし、これらのドーパントを用いた有機ＥＬ素子においても、素子の寿命や発光効率は満足するものではない。

特に、青色発光のリン光材料は、発光波長の短波化が難しく実用に耐えうる性能を十分に達成できていないのが現状である。

これまでに、波長の短波化に関してはフェニルピリジンにフッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基等の電子吸引基を置換基として導入すること、配位子としてピコリン酸やピラザボール系の配位子を導入することが知られている（例えば、非特許文献３参照）。

しかしながら、これらの配位子では発光材料の発光波長が短波化して青色を達成し、高効率の素子を達成できる一方、素子の発光寿命は大幅に劣化するため、そのトレードオフの改善が求められているのが現状である。

米国特許第６０９７１４７号明細書 特開２００５−３２７５２６号公報 国際公開第２００６／０４６９８０号 国際公開第２００５／０１９３７３号 国際公開第２００５／００７７６７号

Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１〜１５４頁（１９９８年） Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０〜７５３頁（２０００年） Ｃ．Ａｄａｃｈｉ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７９号、２０８２−２０８４頁（２００１年）

本発明の目的は、高い発光効率を示し、発光寿命が長く、低駆動電圧であり、かつ、短波な発光を示す有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を備えた照明装置、及び表示装置及び該素子の形成に用いる有機エレクトロルミネッセンス素子材料を提供することである。

本発明の上記目的は下記の構成により達成された。

１．陽極と陰極の間に少なくとも一つの発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、元素周期表における８族から１０族の遷移金属元素に、下記一般式（Ａ）で表される配位子が、少なくとも１つ配位した金属錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

一般式（Ａ）：Ａ−Ｂ
〔式中、Ａは、該遷移金属元素に共有結合する環であって、６員の芳香族炭化水素環又は、５員若しくは６員の芳香族複素環を表し、Ｂは、炭素原子又は窒素原子で前記遷移金属元素に配位結合する５員の芳香族複素環を表し、該一般式（Ａ）で表される配位子は下記一般式（１）で表される基を少なくとも１つ有する。〕
一般式（１）：＊−（Ｌ）ｎ−Ｓｉ（Ｙ１）（Ｙ２）（Ｙ３）
〔式中、Ｌは２価の連結基を表す。ｎは０又は１〜３の整数を表し、ｎが２以上の場合複数のＬは同じでも異なっても良い。また、Ｌは置換基を有しても良い。Ｙ１、Ｙ２及びＹ３は、各々水素原子又は置換基を表す。但し、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３のうち少なくとも１つは芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。＊はＡで表される、遷移金属元素に共有結合する環との連結部位を表す。〕
２．前記一般式（１）のＹ１、Ｙ２及びＹ３が、各々芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表すことを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

３．前記金属錯体が、下記一般式（２）で表されることを特徴とする前記１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｘ及びＹは、各々炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ′は、Ｘ−Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環又は、５員若しくは６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒは、水素原子又は置換基を表す。ｎ１は、１〜４の整数を表し、ｎ１が２以上の場合、Ｒは同一でも異なる置換基であっても良い。Ｂ′は−Ｃ（Ｒ′_１）＝Ｃ（Ｒ′_２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ′_２）−、−Ｃ（Ｒ′_１）＝Ｎ−又は−Ｎ＝Ｎ−を表し、Ｒ′_１及びＲ′_２は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｚは、水素原子又は置換基を表す。Ｒ、Ｒ′_１、Ｒ′_２及びＺのうち少なくとも１つは、前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は、２又は３である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
４．前記金属錯体が下記一般式（３）で表されることを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｚ１はＣ−Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環又は、５員若しくは６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒは水素原子あるいは置換基を表す。ｎ１は１から４の整数である。ｎ１が２以上の場合、Ｒは同一でも異なる置換基であっても良い。Ｒ′は水素原子又は置換基を表し、ｎ２は１又は２の整数である。ｎ２が２の場合、Ｒ′は同一でも異なる置換基であっても良い。Ｚは水素原子あるいは置換基を表す。Ｒ、Ｒ′及びＺのうち少なくとも１つは、前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。Ｍは、元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
５．前記金属錯体が下記一般式（４）で表されることを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｚ、Ｒ′_１及びＲ′_２は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｒ_２〜Ｒ_５、Ｒ′_１、Ｒ′_２及びＺのうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
６．前記金属錯体が下記一般式（５）で表されることを特徴とする前記１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｚ２は、６員の芳香族炭化水素環又は、５員若しくは６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒａは置換基を表す。Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ′_１及びＲ′_２は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｒ_２〜Ｒ_５、Ｒ′_１及びＲ′_２のうち少なくとも１つは、前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
７．前記金属錯体が下記一般式（６）で表されることを特徴とする前記１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ′_１及びＲ′_２は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｒ_２〜Ｒ_５、Ｒ′_１及びＲ′_２のうち少なくとも１つは、前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
８．前記金属錯体が下記一般式（７）で表されることを特徴とする前記１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｘは炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ′はＸ−Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環又は、５員若しくは６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。ｎ１は１〜４の整数である。ｎ１が２以上の場合、Ｒは同一でも異なる置換基であっても良い。Ｂ′は−Ｃ（Ｒ′_１）＝Ｃ（Ｒ′_２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ′_２）−、−Ｃ（Ｒ′_１）＝Ｎ−又は−Ｎ＝Ｎ−を表し、Ｒ′_１及びＲ′_２は水素原子又は置換基を表す。Ｚは水素原子又は置換基を表す。Ｒ、Ｒ′_１、Ｒ′_２及びＺのうち少なくとも１つは、前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
９．前記金属錯体が下記一般式（８）で表されることを特徴とする前記１、２及び８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｘは炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ′はＸ−Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環又は、５員若しくは６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。ｎ１は１から４の整数である。ｎ１が２以上の場合、Ｒは同一でも異なる置換基であっても良い。Ｚは水素原子又は置換基を表す。Ｒ′_１及びＲ′_２は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｒ、Ｒ′_１、Ｒ′_２及びＺのうち少なくとも１つは、前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
１０．前記金属錯体が下記式（９）で表されることを特徴とする前記１、２、８及び９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｚ、Ｒ′_１及びＲ′_２は水素原子又は置換基を表す。Ｒ_２〜Ｒ_５、Ｒ′_１、Ｒ′_２及びＺのうち少なくとも１つは、前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
１１．前記３に記載の一般式（２）、前記４に記載の一般式（３）、前記８に記載の一般式（７）及び前記９に記載の一般式（８）のいずれかに記載のＲ、又は、前記５に記載の一般式（４）、前記６に記載の一般式（５）、前記７に記載の一般式（６）及び前記１０に記載の一般式（９）のいずれかに記載のＲ_２、Ｒ_３、Ｒ_４及びＲ_５の少なくとも１つが前記一般式（１）で表される基を表すことを特徴とする前記３〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１２．前記５に記載の一般式（４）、前記６に記載の一般式（５）、前記７に記載の一般式（６）及び前記１０に記載の一般式（９）のいずれかのＲ_３が一般式（１）で表される基を表すことを特徴とする前記５〜７又は１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１３．前記５に記載の一般式（４）、前記６に記載の一般式（５）、前記７に記載の一般式（６）及び前記１０に記載の一般式（９）のいずれかのＲ_４が一般式（１）で表される基を表すことを特徴とする前記５〜７又は１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１４．前記３に記載の一般式（２）、前記４に記載の一般式（３）、前記５に記載の一般式（４）、前記６に記載の一般式（５）、前記７に記載の一般式（６）、前記８に記載の一般式（７）、前記９に記載の一般式（８）、前記１０に記載の一般式（９）のいずれかのｍ２が０を表すことを特徴とする前記３〜１３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１５．前記一般式（１）のｎが０であることを特徴とする前記１〜１４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１６．前記Ｍがイリジウムを表すことを特徴とする前記１〜１５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１７．前記発光層の少なくとも１層に、前記金属錯体を含有することを特徴とする前記１〜１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１８．白色発光することを特徴とする前記１〜１７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１９．前記１〜１８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。

２０．前記１〜１８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。

２１．前記１〜１６のいずれか１項に記載の金属錯体からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。

本発明により、高い発光効率を示し、発光寿命が長く、低駆動電圧であり、かつ、短波な発光を示す有機エレクトロルミネッセンス素子、該有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた照明装置、表示装置及び該素子の形成に用いる有機エレクトロルミネッセンス素子材料を提供することができる。

有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。 表示部の模式図である。 画素の模式図である。 パッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図である。 本発明の照明装置の概略図である。 本発明の照明装置の断面図である。

本発明の有機ＥＬ素子においては、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の構成を有することにより、効率が高く、半減寿命が長く、低駆動電圧であり、かつ、素子の発光が短波長である有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができた。併せて、該有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた表示装置及び照明装置を提供することができた。

また、本発明の有機ＥＬ素子形成に有用な有機ＥＬ素子材料を開発することができた。

以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の各構成要素の詳細について、順次説明する。

本発明者らは従来の金属錯体の問題点のひとつとして、有機ＥＬ素子の構成層中で金属錯体同士の凝集が起こるために、実用に耐えるような、素子寿命や高発光効率が得られていないのではと推定し、問題点について鋭意検討した。

その結果、前記１に記載の上記一般式（Ａ）で表される配位子を少なくも１つ有し、該配位子が元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素に配位している金属錯体において、該配位子に上記一般式（１）で表される基を導入することにより、素子寿命が改善され、かつ、発光効率の上昇が見られることを見出した。

上記から、有機ＥＬ素子の構成層中における金属錯体同士の凝集を抑え、金属錯体の励起子三重項間で生じるＴ−Ｔ消滅を抑制することができたので、素子の寿命の向上が得られたと推定した。

また、別の観点から、本発明者らが検討したところ、金属錯体の再配向エネルギーを小さくすると素子の輝度及び寿命が向上することが分かった。再配向エネルギーを抑える方法としては、従来ベンゼン環等の芳香環に置換基を導入して分子構造の二面角の自由度を低下させたり、分子内に嵩高いアルキレン鎖を導入し、分子構造をなるべく固定して、自由に動けないようにすることが知られている。

そこで、本発明においては、前記１に記載の一般式（Ａ）で表される配位子に一般式（１）で表される嵩高い置換基を導入することにより、配位子を構成する芳香環の回転や振動を抑制し、また更には、上記置換基を導入することによって配位子同士の自由度も抑制することが可能となり、これにより一般式（１）で表される金属錯体の再配向エネルギーを抑えることが可能となった。

更に、別の観点から、前記１に記載の一般式（Ａ）で表される配位子に、上記一般式（１）で表されるような、芳香族炭化水素環基（芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう。）又は芳香族複素環基を少なくとも１つ有するシリル基を導入することで、該Ｓｉ原子に結合した芳香族炭化水素環又は芳香族複素環と、一般式（Ａ）のＡで表される６員の芳香族炭化水素環又は５員若しくは６員の芳香族複素環、又はＢで表される５員の芳香族複素環のいずれかとが、Ｓｉ原子を介して共役するために、本発明に係る金属錯体が安定化され、素子の発光寿命を改善することができたと推定される。

また、更に別の観点からは、前記１に記載の一般式（Ａ）で表される配位子に一般式（１）で表される基を導入することにより、素子の発光波長の短波化が可能であるということも見出すことができた。

《有機ＥＬ素子材料》
本発明の有機ＥＬ素子材料について説明する。

《金属錯体》
本発明の有機ＥＬ素子材料は、新規の金属錯体であり、具体的には、前記１に記載のように、一般式（Ａ）で表される配位子を少なくとも１つ有し、該配位子が元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素に配位している金属錯体である。

本発明の有機ＥＬ素子材料に係る金属錯体は、本発明の有機ＥＬ素子の構成層のいずれかの層に用いることができるが、本発明の効果（素子の発光効率（詳しくは、外部取り出し量子効率、単に効率ともいう。）の向上、半減寿命の増大、駆動電圧の低下）を十分に得る観点からは、素子の発光層、更に、該発光層中において発光ドーパント（単にドーパントともいう。）として用いることが好ましい。

なお、本発明の有機ＥＬ素子の構成層については、後に詳細に説明する。

《一般式（Ａ）で表される配位子》
まず、一般式（Ａ）のＡ−Ｂで表される配位子について説明する。

一般式（Ａ）において、Ａで表される、共有結合で遷移金属元素に結合している６員の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環が挙げられる。なお、該ベンゼン環は後述する、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基を更に有していてもよい。

一般式（Ａ）において、Ａで表される、共有結合で遷移金属元素に結合している５員又は６員の芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、イソオキサゾール環等が挙げられる。

なお、上記の環は、後述する、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基を更に有していてもよい。

一般式（Ａ）において、Ｂで表される、炭素原子又は窒素原子で前記遷移金属元素に配位結合している５員の芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

なお、これらの環は更に後述する、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基を更に有していてもよい。

上記Ａ及びＢが有する置換基は互いに結合して環を形成していてもよい。

上記一般式（Ａ）で表される配位子は、上記一般式（１）で表される基を少なくとも１つ有する。

（一般式（１）で表される基）
一般式（１）で表される基について説明する。

一般式（１）
＊−（Ｌ）ｎ−Ｓｉ（Ｙ１）（Ｙ２）（Ｙ３）
一般式（１）において、Ｌは、−Ｃ（Ｒｘ）（Ｒｙ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環から導出される２価の連結基、又はこれらの組み合わせを表す。＊は前記Ａで表される、遷移金属元素に共有結合する環との連結部位を表す。ここで、Ｒｘ、Ｒｙは、各々水素原子又は置換基を表し、該置換基は、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基と同義である。

一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素環基（芳香族炭化水素基、芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、ビフェニリル基）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、フタラジニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基（前記カルバゾリル基のカルバゾール環を構成する炭素原子の任意の一つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す）、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、アザジベンゾフリル基（前記ジベンゾフリル基のジベンゾフラン環を構成する炭素原子の任意の一つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す）、ベンゾチエニル基、インドリル基、ジベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キノキサリニル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾニル基、インドロカルバゾリル基、ヘキサアザトリフェニレニル基、ベンゾジフラニル基、ベンゾジチエニル基、ホスフォル基、シロリル基、ボロール基、ビピリジル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基（フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、ホスホノ基、ヒドロキシ基等が挙げられる。

これらの置換基は、上記の置換基によって更に置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
特に、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、アミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、シリル基が好ましく、これらの置換基は更に置換基を有していてもよい。

一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３のうち少なくとも１つは芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表すが、該芳香族炭化水素環基は、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基に記載の芳香族炭化水素環基と同義であり、該芳香族複素環基については、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基に記載の芳香族炭化水素環基と同義である。

（元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素）
本発明の有機ＥＬ素子材料に係る金属錯体の形成に用いられる元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ等が挙げられるが、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔが好ましく、中でも、Ｉｒが好ましく用いられる。

本発明の有機ＥＬ素子材料に係る金属錯体の好ましい態様としては、上記に記載の、一般式（２）〜（９）のいずれかに記載の金属錯体が挙げられる。

以下、本発明に係る金属錯体の好ましい態様である、一般式（２）〜（９）で表される金属錯体について順に説明する。

《一般式（２）で表される金属錯体》
一般式（２）で表される金属錯体について説明する。

一般式（２）において、Ａ′が、Ｘ−Ｃと共に形成する６員の芳香族炭化水素環としては、一般式（Ａ）において、Ａで表されるベンゼン環と同義である。

一般式（２）において、Ａ′が、Ｘ−Ｃと共に形成する５員又は６員の芳香族複素環としては、一般式（Ａ）において、Ａで表される５員又は６員の芳香族複素環と同義である。

一般式（２）において、Ｒ、Ｒ′_１、Ｒ′_２、Ｚで、各々表される置換基としては、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基と同義である。

一般式（２）において、Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２で表される２座の配位子としては、例えば、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。なお、これらの配位子は更に上記の置換基を有していてもよい。

一般式（２）において、Ｍで表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素は、一般式（Ａ）において、元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

《一般式（３）で表される金属錯体》
一般式（３）で表される金属錯体について説明する。

一般式（３）において、Ｚ１がＣ−Ｃと共に形成する６員の芳香族炭化水素環は、一般式（Ａ）において、Ａで表されるベンゼン環と同義である。

一般式（３）において、Ｚ１がＣ−Ｃと共に形成する５員又は６員の芳香族複素環は、一般式（Ａ）において、Ａで表される５員又は６員の芳香族複素環と同義である。

一般式（３）において、Ｒ、Ｒ′、Ｚで表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基と同義である。

一般式（３）において、Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２で表される２座の配位子は、一般式（２）において、Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２で表される２座の配位子と同義である。

一般式（３）において、Ｍで表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素は、一般式（Ａ）において、元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

《一般式（４）で表される金属錯体》
一般式（４）で表される金属錯体について説明する。

一般式（４）において、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｚ、Ｒ′_１、Ｒ′_２で、各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基と同義である。

一般式（４）において、Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２で表される２座の配位子は、一般式（２）において、Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２で表される２座の配位子と同義である。

一般式（４）において、Ｍで表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素は、一般式（Ａ）において、元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

《一般式（５）で表される金属錯体》
一般式（５）で表される金属錯体について説明する。

一般式（５）において、Ｚ２で表される６員の芳香族炭化水素環は、一般式（Ａ）において、Ａで表されるベンゼン環と同義である。

一般式（５）において、Ｚ２で表される５員又は６員の芳香族複素環は、一般式（Ａ）において、Ａで表される５員又は６員の芳香族複素環と同義である。

一般式（５）において、Ｒａ、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ′_１、Ｒ′_２で、各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基と同義である。

一般式（５）において、Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２で表される２座の配位子は、一般式（２）において、Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２で表される２座の配位子と同義である。

一般式（５）において、Ｍで表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素は、一般式（Ａ）において、元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

《一般式（６）で表される金属錯体》
一般式（６）で表される金属錯体について説明する。

一般式（６）において、Ｒｂ、Ｒｃで、各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基と同義である。中でも、Ｒｂ、Ｒｃの置換基の少なくとも一方は、炭素数２以上のアルキル基であることが好ましい。

一般式（６）において、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ′_１、Ｒ′_２で、各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基と同義である。

一般式（６）において、Ｒｄで、各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基と同義である。

中でも、Ｒｄの置換基の少なくとも１つは、５員又は６員の芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、非芳香族炭化水素環基、非芳香族複素環基が好ましく、更に好ましくは、フェニル基である。

これらの置換基は、上記の置換基によって更に置換されていてもよい。

また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。ｎは１〜３である。

一般式（６）において、Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２で表される２座の配位子は、一般式（２）において、Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２で表される２座の配位子と同義である。

一般式（６）において、Ｍで表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素は、一般式（Ａ）において、元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

《一般式（７）で表される金属錯体》
一般式（７）で表される金属錯体について説明する。

一般式（７）において、Ａ′がＸ−Ｃと共に形成する６員の芳香族炭化水素環は、一般式（Ａ）において、Ａで表されるベンゼン環と同義である。

一般式（７）において、Ａ′がＸ−Ｃと共に形成する５員又は６員の芳香族複素環は、一般式（Ａ）において、Ａで表される５員又は６員の芳香族複素環と同義である。

一般式（７）において、Ｒ、Ｒ′_１、Ｒ′_２、Ｚで、各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基と同義である。

一般式（７）において、Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２で表される２座の配位子は、一般式（２）において、Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２で表される２座の配位子と同義である。

一般式（７）において、Ｍで表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素は、一般式（Ａ）において、元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

《一般式（８）で表される金属錯体》
一般式（８）で表される金属錯体について説明する。

一般式（８）において、Ａ′がＸ−Ｃと共に形成する６員の芳香族炭化水素環は、一般式（Ａ）において、Ａで表されるベンゼン環と同義である。

一般式（８）において、Ａ′がＸ−Ｃと共に形成する５員又は６員の芳香族複素環は、一般式（Ａ）において、Ａで表される５員又は６員の芳香族複素環と同義である。

一般式（８）において、Ｒ、Ｒ′_１、Ｒ′_２、Ｚで、各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基と同義である。

一般式（８）において、Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２で表される２座の配位子は、一般式（２）において、Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２で表される２座の配位子と同義である。

一般式（８）において、Ｍで表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素は、一般式（Ａ）において、元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

《一般式（９）で表される金属錯体》
一般式（９）で表される金属錯体について説明する。

一般式（９）において、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｚ、Ｒ′_１、Ｒ′_２で各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３で、各々表される置換基と同義である。

一般式（９）において、Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２で表される２座の配位子は、一般式（２）において、Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２で表される２座の配位子と同義である。

一般式（９）において、Ｍで表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素は、一般式（Ａ）において、元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

上記の一般式（２）〜（９）のいずれかで表される金属錯体の更に好ましい幾つかの態様１〜態様５の各々は以下に示すとおりである。

（態様１）
前記一般式（２）、前記一般式（３）、前記一般式（７）及び前記の一般式（８）のいずれかに記載のＲ、又は、前記一般式（４）、前記一般式（５）、前記一般式（６）及び前記一般式（９）のいずれかに記載のＲ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５の少なくとも１つが一般式（１）で表される基の場合。

（態様２）
前記一般式（４）、前記一般式（５）、前記一般式（６）及び前記一般式（９）のいずれかのＲ_３が一般式（１）で表される基の場合。

（態様３）
前記一般式（４）、前記一般式（５）、前記一般式（６）及び前記一般式（９）のいずれかのＲ_４が一般式（１）で表される基の場合。

（態様４）
前記一般式（２）、前記一般式（３）、前記一般式（４）、前記一般式（５）、前記一般式（６）、前記一般式（７）、前記一般式（８）、前記一般式（９）のいずれかのｍ２が０を表す場合。

（態様５）
前記一般式（１）のｎが０を表す場合。

以下、本発明の有機ＥＬ素子材料である、一般式（Ａ）で表される配位子を少なくとも１つ有し、該配位子が元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素に配位している金属錯体、一般式（２）〜（９）のいずれかで表される金属錯体の具体例を示すが本発明はこれらに限定されない。

これらの金属錯体は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、２５７９〜２５８１頁（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５〜１６８７頁（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４〜１７１１頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５〜３０６６頁（２００２年）、Ｎｅｗ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１頁（２００２年）、Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４巻、６９５〜７０９頁（２００４年）、更にこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。

また、本発明の有機ＥＬ素子材料である、一般式（Ａ）で表される配位子を少なくとも１つ有し、該配位子が元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素に配位している金属錯体、一般式（２）〜（９）のいずれかで表される金属錯体の合成例については、後述する実施例において、詳細に説明する。

《有機ＥＬ素子の構成層》
本発明の有機ＥＬ素子の構成層について説明する。本発明において、有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。

（ｉ）陽極／発光層ユニット／電子輸送層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層ユニット／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iv）陽極／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。中間層は電荷発生層であってもよく、マルチフォトンユニット構成であってもよい。本発明の有機ＥＬ素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。

《発光層》
本発明に係る発光層は、電極又は電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。

発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２ｎｍ〜５μｍの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは２〜２００ｎｍの範囲に調整され、特に好ましくは、５〜１００ｎｍの範囲である。

発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット（Ｌａｎｇｍｕｉｒ Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法））等を挙げることができる。）等により製膜して形成することができる。（本発明に係る上記一般式（Ａ）又は、上記一般式（２）〜（９）のいずれかで表される化合物を発光層に用いる場合、ウェットプロセスで作製することが好ましい。）。

本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、発光ドーパント（リン光発光性ドーパント（リン光ドーパント、リン光発光性ドーパント基ともいう）や蛍光ドーパント等）化合物と、発光ホスト化合物とを含有することが好ましい。

（発光性ドーパント化合物）
発光性ドーパント化合物（発光ドーパント、単にドーパントともいう）について説明する。

発光性ドーパントとしては、蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう）、リン光ドーパント（リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう）を用いることができる。

（リン光ドーパント（リン光発光ドーパントともいう））
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。

本発明に係るリン光ドーパント化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。

上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。

リン光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、１つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こって発光性ホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう１つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こり、リン光ドーパント化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。

本発明の有機ＥＬ素子は、発光層の少なくとも１つがリン光発光性の有機金属錯体（リン光発光ドーパント、リン光ドーパント等ともいう）を含有するが、該リン光発光性の有機金属錯体としては、本発明の有機ＥＬ素子材料である、一般式（Ａ）で表される配位子を少なくとも１つ有し、該配位子が元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素に配位している金属錯体、一般式（２）〜（９）のいずれかで表される金属錯体を含有することが好ましい。

また、本発明に係る発光層には、以下の特許公報に記載されている従来公知の化合物等を併用してもよい。

例えば、国際公開第００／７０６５５号、特開２００２−２８０１７８号公報、特開２００１−１８１６１６号公報、特開２００２−２８０１７９号公報、特開２００１−１８１６１７号公報、特開２００２−２８０１８０号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００２−２９９０６０号公報、特開２００１−３１３１７８号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００１−３４５１８３号公報、特開２００２−３２４６７９号公報、国際公開第０２／１５６４５号、特開２００２−３３２２９１号公報、特開２００２−５０４８４号公報、特開２００２−３３２２９２号公報、特開２００２−８３６８４号公報、特表２００２−５４０５７２号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、特開２００２−３３８５８８号公報、特開２００２−１７０６８４号公報、特開２００２−３５２９６０号公報、国際公開第０１／９３６４２号、特開２００２−５０４８３号公報、特開２００２−１００４７６号公報、特開２００２−１７３６７４号公報、特開２００２−３５９０８２号公報、特開２００２−１７５８８４号公報、特開２００２−３６３５５２号公報、特開２００２−１８４５８２号公報、特開２００３−７４６９号公報、特表２００２−５２５８０８号公報、特開２００３−７４７１号公報、特表２００２−５２５８３３号公報、特開２００３−３１３６６号公報、特開２００２−２２６４９５号公報、特開２００２−２３４８９４号公報、特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００２−２４１７５１号公報、特開２００１−３１９７７９号公報、特開２００１−３１９７８０号公報、特開２００２−６２８２４号公報、特開２００２−１００４７４号公報、特開２００２−２０３６７９号公報、特開２００２−３４３５７２号公報、特開２００２−２０３６７８号公報等である。

（蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう））
蛍光ドーパントとしては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等や、レーザー色素に代表される蛍光量子収率が高い化合物が挙げられる。

また、本発明に係る発光ドーパントは、複数種の化合物を併用して用いてもよく、構造の異なるリン光ドーパント同士の組み合わせや、リン光ドーパントと蛍光ドーパントを組み合わせて用いてもよい。

ここで、発光ドーパントとして、本発明に係る一般式（Ａ）で表される金属錯体と併用して用いてもよい従来公知の発光ドーパントの具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

（発光ホスト化合物（発光ホスト等ともいう））
本発明においてホスト化合物は、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であり、かつ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。

本発明に用いることができる発光ホストとしては、特に制限はなく、従来有機ＥＬ素子で用いられる化合物を用いることができる。代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、又は、カルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体（ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも１つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。）等が挙げられる。

本発明に用いることができる公知の発光ホストとしては正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。

また、本発明においては、従来公知の発光ホストを単独で用いてもよく、又は複数種併用して用いてもよい。

発光ホストを複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。

また、前記リン光ドーパントとして用いられる本発明の金属錯体及び／又は従来公知の化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。

また、本発明に用いられる発光ホストとしては、低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（重合性発光ホスト）でもよく、このような化合物を一種又は複数種用いても良い。

公知の発光ホストの具体例としては、以下の文献に記載の化合物が挙げられる。

特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等。

以下、本発明の有機ＥＬ素子の発光層の発光ホストとして用いられる具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

更に、本発明の有機ＥＬ素子の発光層の発光ホストとしては、下記一般式（Ｂ）又は下記一般式（Ｂ′）で表される化合物を挙げることができる。

〔式中、ＸａはＯ又はＳを表し、Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄは、各々水素原子、置換基又は下記一般式（Ｃ）で表される基を表し、Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄのうち少なくとも１つは下記一般式（Ｃ）を表し、該一般式（Ｃ）で表される基のうち少なくとも１つはＡｒがカルバゾリル基を表す。〕
一般式（Ｃ）：Ａｒ−（Ｌ２）ｎ−＊
〔式中、Ｌ２は芳香族炭化水素環又は芳香族複素環から導出される２価の連結基を表す。ｎは０又は１〜３の整数を表し、ｎが２以上の場合複数のＬ２は同じでも異なっていてもよい。＊は一般式（Ｂ）との連結部位を表す。Ａｒは下記一般式（Ｄ）で表される基を表す。〕

〔式中、ＸｅはＮ（Ｒ″）、Ｏ又はＳを表し、Ｅ１〜Ｅ８はＣ（Ｒ″１）又はＮを表し、Ｒ″及びＲ″１は水素原子、置換基又はＬ２との連結部位を表す。＊はＬ２との連結部位を表す。〕
上記一般式（Ｂ）で表される化合物においては、好ましくは、Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄのうち少なくとも２つは前記一般式（Ｃ）で表され、より好ましくはＸｂが前記一般式（Ｃ）で表されかつ前記一般式（Ｃ）のＡｒが置換基を有していてもよいカルバゾリル基を表し、更に好ましくはＸｂが前記一般式（Ｃ）で表されかつ前記一般式（Ｃ）のＡｒが置換基を有していてもよいＮ位でＬ２と連結したカルバゾリル基を表す。

また、Ｘｃが一般式（Ｃ）で表されることが好ましく、更にＸｄが水素原子であることが好ましい。

式中、ＸａはＯ又はＳを表し、Ｘｂ及びＸｃは、各々水素原子、置換基又は上記一般式（Ｂ）の一般式（Ｃ）で表される基を表し、Ｘｂ又はＸｃのうち少なくとも１つは下記一般式（Ｃ）を表し、該一般式（Ｃ）で表される基のうち少なくとも１つはＡｒがカルバゾリル基を表す。

上記一般式（Ｂ′）で表される化合物においては、好ましくは、Ｘｂ及びＸｃのうち少なくとも一方が前記一般式（Ｃ）で表され、より好ましくは前記一般式（Ｃ）のＡｒが置換基を有していてもよいカルバゾリル基を表し、更に好ましくは前記一般式（Ｃ）のＡｒが置換基を有していてもよいＮ位でＬ２と連結したカルバゾリル基を表す。

前記化合物例ＯＣ−１〜ＯＣ−３２及び、以下に、本発明の有機ＥＬ素子の発光層のホスト化合物（発光ホストともいう）として用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層若しくは複数層を設けることができる。

電子輸送層は陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、電子輸送層の構成材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択し併用することも可能である。

電子輸送層に用いられる従来公知の材料（以下、電子輸送材料という）の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、カルボリン誘導体、又は、該カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つが窒素原子で置換されている環構造を有する誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体等が挙げられる。

更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引性基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も電子輸送材料として用いることができる。

これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も電子輸送材料として用いることができる。

その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも電子輸送材料として用いることができる。

また、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。

電子輸送層は電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット（Ｌａｎｇｍｕｉｒ Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法）等を挙げることができる。））等により、薄膜化することにより形成することが好ましい。

有機ＥＬ素子の構成層の形成法については、有機ＥＬ素子の作製方法のところで詳細に説明する。

電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５〜５０００ｎｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この電子輸送層は上記材料の一種又は二種以上からなる一層構造であってもよい。

また、金属錯体やハロゲン化金属など金属化合物等のｎ型ドーパントをドープして用いてもよい。

以下、本発明の白色有機ＥＬ素子の電子輸送層の形成に好ましく用いられる従来公知の化合物（電子輸送材料）の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。

これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。

陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。

また、陰極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、後述する陽極の説明で挙げたる導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。

《注入層：電子注入層（陰極バッファー層）、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層又は正孔輸送層の間、及び陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。

注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３頁〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。

陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、ヘキサアザトリフェニレン誘導体バッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体層等が挙げられる。

また、特表２００３−５１９４３２号や特開２００６−１３５１４５号等に記載されているようなアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔注入材料として用いることができる。

陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウム、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウム、フッ化セシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。

《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。

正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。

また、前述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。

正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げた、カルバゾール誘導体、カルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体（ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン環を構成する炭素原子のいずれかひとつが窒素原子で置き換わったものを示す）を含有することが好ましい。

また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の５０質量％以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが０．３ｅＶ以上大きいことが好ましい。

イオン化ポテンシャルは化合物のＨＯＭＯ（最高占有軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。

（１）米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ９８（Ｇａｕｓｓｉａｎ９８、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ａ．１１．４，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ ＰＡ，２００２．）を用い、キーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）として求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。

（２）イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Ｍｏｄｅｌ ＡＣ−１」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。

また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍであり、更に好ましくは５〜３０ｎｍである。

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。

正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。

正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。

また、特表２００３−５１９４３２号や特開２００６−１３５１４５号等に記載されているようなアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。

更にまた、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。

本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。

正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。

正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の一種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。

本発明においては、このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。

また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。

あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式製膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

《支持基板》
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基板、基材、支持体等ともいう）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が、１０^−５ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。

不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。

本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し効率は、１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。

ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。

また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。

《有機ＥＬ素子の作製方法》
有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）／陰極からなる素子の作製方法について説明する。

まず、適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの膜厚になるように形成させ、陽極を作製する。

次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層等の有機化合物を含有する薄膜を形成させる。

薄膜の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいう）等により製膜して形成することができる。

湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法等があるが、精密な薄膜が形成可能で、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。また、層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。

本発明に係る有機ＥＬ材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。

また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。

これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子が得られる。

また、順序を逆にして、陰極、陰極バッファー層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。

このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

本発明の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。

《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。

封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。

具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。

また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等から形成されたものを挙げることができる。

金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。

本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。

更には、ポリマーフィルムは、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０^−３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。

封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。

なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。

更に、該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。

《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。

《光取り出し》
有機ＥＬ素子は空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的にいわれている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等がある。

本発明においては、これらの方法を本発明の有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。

本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。

低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。また、更に１．３５以下であることが好ましい。

また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。

全反射を起こす界面若しくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が１次の回折や２次の回折といったいわゆるブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間若しくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。

導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。

しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。

回折格子を導入する位置としては前述のとおり、いずれかの層間若しくは媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。

このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。

回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。

《集光シート》
本発明の有機ＥＬ素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいはいわゆる集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。

マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０〜１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。

集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることができる。

プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。

また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることができる。

《用途》
本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ製膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング（株）製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。

また、本発明の有機ＥＬ素子が白色素子の場合には、白色とは、２度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ^２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．１の領域内にあることをいう。

《表示装置》
本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、本発明の有機ＥＬ素子を具備したものである。

本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。

発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法である。

表示装置に具備される有機ＥＬ素子の構成は、必要に応じて上記の有機ＥＬ素子の構成例の中から選択される。

また、有機ＥＬ素子の製造方法は、上記の本発明の有機ＥＬ素子の製造の一態様に示したとおりである。

得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２Ｖ〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。

表示デバイス、ディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。

発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

以下、本発明の有機ＥＬ素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。

図１は有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。

ディスプレイ１は複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ等からなる。

制御部Ｂは表示部Ａと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。

図２は表示部Ａの模式図である。

表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。

図においては、画素３の発光した光が白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。

配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示していない）。

画素３は走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。

発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。

次に、画素の発光プロセスを説明する。

図３は画素の模式図である。

画素は有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサ１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色、青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。

図３において、制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。

画像データ信号の伝達により、コンデンサ１３が画像データ信号の電位に応じて充電されると共に、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。

制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサ１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。

即ち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。

ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサ１３の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。

本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。

図４はパッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図４において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。

順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。

パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。

《照明装置》
本発明の照明装置について説明する。本発明の照明装置は上記有機ＥＬ素子を有する。

本発明の有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。

また、本発明の有機ＥＬ素子は照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。

動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。又は、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。

また、本発明の有機ＥＬ材料は照明装置として、実質白色の発光を生じる有機ＥＬ素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の３原色の３つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した２つの発光極大波長を含有したものでもよい。

また複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光又は蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光又はリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、本発明に係る白色有機ＥＬ素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけでよい。

発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。

この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機ＥＬ装置と異なり、素子自体が発光白色である。

発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。

《本発明の照明装置の一態様》
本発明の有機ＥＬ素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。

本発明の有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止し、図５、図６に示すような照明装置を形成することができる。

図５は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機ＥＬ素子１０１はガラスカバー１０２で覆われている（なお、ガラスカバーでの封止作業は、有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行った。）。

図６は、照明装置の断面図を示し、図６において、１０５は陰極、１０６は有機ＥＬ層、１０７は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。

以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。また、実施例において用いられる化合物の構造を下記に示す。

実施例１
《有機ＥＬ素子１−１の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社製、ＮＡ−４５）にパターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ株式会社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液をスピンコート法により製膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。

この第１正孔輸送層上に、正孔輸送材料Ｐｏｌｙ（Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル））ベンジジン（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ株式会社製、ＡＤＳ−２５４）のクロロベンゼン溶液をスピンコート法により製膜した。１５０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚４０ｎｍの第２正孔輸送層を設けた。

この第２正孔輸送層上に、ホスト化合物ＯＣ−１１及びドーパント化合物である比較１の酢酸ブチル溶液をスピンコート法により製膜し、１２０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚４０ｎｍの発光層を設けた。

この発光層上に、電子輸送材料ＥＴ−１１の１−ブタノールの溶液をスピンコート法により製膜し、膜厚２０ｎｍの電子輸送層を設けた。

これを、真空蒸着装置に取付け、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した。次いで、電子注入層としてフッ化リチウム１．０ｎｍ、陰極としてアルミニウム１１０ｎｍを蒸着し、有機ＥＬ素子１−１を作製した。

《有機ＥＬ素子１−２〜１−２１の作製》
有機ＥＬ素子１−１の作製において、発光層のホスト化合物ＯＣ−１１、ドーパント化合物比較１を表１に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機ＥＬ素子１−２〜１−２１を各々作製した。

《有機ＥＬ素子の評価》
得られた有機ＥＬ素子１−１〜１−２１を評価するに際しては、作製後の各有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図５、図６に示すような照明装置を形成して評価した。

次いで下記評価を行った。

（外部取り出し量子効率（単に、効率ともいう））
有機ＥＬ素子を室温（約２３〜２５℃）、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度（Ｌ）［ｃｄ／ｍ^２］を測定することにより、外部取り出し量子効率（η）を算出した。

ここで、発光輝度の測定はＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いて行い、外部取り出し量子効率は有機ＥＬ素子１−２（比較例）を１００とする相対値で表した。

（駆動電圧）
有機ＥＬ素子を室温（約２３℃〜２５℃）、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の定電流条件下により駆動した時の電圧を各々測定し、測定結果を下記に示した。

有機ＥＬ素子１−２（比較例）を１００として各々相対値で示した。

電圧＝（各素子の駆動電圧／有機ＥＬ素子１−２（比較例）の駆動電圧）×１００
なお、値が小さいほうが比較に対して駆動電圧が低いことを示す。

（半減寿命）
下記に示す測定法に従って、半減寿命の評価を行った。

各有機ＥＬ素子を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ^２を与える電流で定電流駆動して、初期輝度の１／２（５００ｃｄ／ｍ^２）になる時間を求め、これを半減寿命の尺度とした。

なお、半減寿命は比較の有機ＥＬ素子１−２（比較例）を１００とした時の相対値で表示した。

（発光色）
有機ＥＬ素子を室温下、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の定電流条件下による連続点灯を行った際の発光色を目視で評価した。

得られた結果を表１に示す。

表１から、比較の有機ＥＬ素子１−１、１−２に比べて、本発明の有機ＥＬ素子材料を用いて作製した本発明の有機ＥＬ素子１−３〜１−２１は、高い効率を示し、半減寿命が向上し、駆動電圧も低下する等、素子としての特性が向上していることが明らかである。

更にまた、素子の発光色（単に色ともいう）が純青〜青緑色の短波な発光であることが分かる。

実施例２
《有機ＥＬ素子２−１〜２−１６の作製）
有機ＥＬ素子１−１の作製において、発光層のホスト化合物ＯＣ−１１、ドーパント化合物である比較１を表２に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機ＥＬ素子２−１〜２−１６を作製した。

《有機ＥＬ素子２−１〜２−１６の評価》得られた有機ＥＬ素子２−１〜２−１６を評価するに際しては、実施例１の有機ＥＬ素子１−１〜１−２１と同様に封止し、図５、図６に示すような照明装置を形成して評価した。

次いで、下記の評価を行った。

（外部取り出し量子効率（単に、効率ともいう））
実施例１に記載の方法と同様にして行った。なお、外部取り出し量子効率は有機ＥＬ素子２−２（比較例）を１００とする相対値で表した。

（ダークスポット）
各有機ＥＬ素子を室温下、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の定電流条件下による連続点灯を行った際の発光面を目視で下記のようにランク評価を行った。なお、目視は無作為に抽出した１０人による目視評価である。

×：ダークスポットを確認した人数が５人以上
△：ダークスポットを確認した人数が１〜４人
○：ダークスポットを確認した人数が０人
とした。

（電圧上昇率）
６ｍＡ／ｃｍ^２の一定電流で駆動したときに、初期電圧と１５０時間後の電圧を測定した。初期電圧に対する１００時間後の電圧の相対値を電圧上昇率とした。

（発光色（単に色ともいう））
実施例１に記載の方法と同様にして行った。

得られた結果を表２に示す。

表２から、比較の有機ＥＬ素子２−１〜２−２に比べて、本発明の有機ＥＬ素子材料を用いて作製した本発明の有機ＥＬ素子２−３〜２−１６は、各々高い効率を示し、かつ、ダークスポットや電圧上昇も抑えられる等、素子としての諸特性が向上していることが明らかである。

更にまた、比較の有機ＥＬ素子に比べて、本発明の有機ＥＬ素子の発光色（単に色ともいう）は、純青〜青緑色の短波な発光であることが分かる。

実施例３
《有機ＥＬ素子３−１の作製）
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｈ．Ｃ．スタルク社製、ＣＬＥＶＩＯ Ｐ ＶＰ ＡＩ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を用い、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚２０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。

この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにα−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてＯＣ−３０を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＥＴ−８を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパント化合物である比較５を１００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。

次いで真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板に蒸着し２０ｎｍの第２正孔輸送層を設けた。

更に、ホスト化合物ＯＣ−３０とドーパント化合物である比較５の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．００６ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して４０ｎｍの発光層を設けた。

更にＥＴ−８入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層上に蒸着して膜厚３０ｎｍの電子輸送層を設けた。

なお、蒸着時の基板温度は室温であった。

引き続き、陰極バッファー層としてフッ化リチウム０．５ｎｍを蒸着し、更にアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子３−１を作製した。

《有機ＥＬ素子３−２〜３−１６の作製》
有機ＥＬ素子３−１の作製において、発光層のホスト化合物ＯＣ−３０、ドーパント化合物である比較５を表３に記載の化合物に置き換えた以外は同様にして、有機ＥＬ素子３−２〜３−１６を各々作製した。

《有機ＥＬ素子３−１〜３−１６の評価》
得られた有機ＥＬ素子３−１〜３−１６を評価するに際しては、実施例１の有機ＥＬ素子１−１〜１−２１と同様に封止し、図５、図６に示すような照明装置を形成して評価した。

次いで、下記評価を行った。

（発光輝度）
有機ＥＬ素子の温度２３℃、１０Ｖ直流電圧を印加した時の発光輝度（ｃｄ／ｍ^２）を測定した。発光輝度は有機ＥＬ素子３−１を１００とした時の相対値で表した。発光輝度については、ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）を用いて測定した。

（発光ムラ）
有機ＥＬ素子について、室温、乾燥窒素ガス雰囲気下で２．５ｍＡ／ｃｍ^２定電流を印加した時の発光輝度を分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）を用いて測定した。

発光面中の任意な点１０点を測定し、この際の測定値より、発光ムラ＝面内最低輝度／最高輝度として算出し、下記のように３段階のランク評価を行った。

○：発光ムラが０．９６以上
△：発光ムラが０．８６以上０．９６未満
×：発光ムラが０．８６未満
（保存素子電圧上昇）
各有機ＥＬ素子を５０℃、湿度８０％の条件で１週間保存後、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の定電流条件下により駆動した時の電圧を各々測定し、保存前の駆動電圧と比較した。

保存後電圧上昇＝（各素子の保存後駆動電圧／各素子の保存前駆動電圧）
なお、値が１に近いほど、保存前後での駆動電圧の上昇が小さいことを示す。

（発光色）
実施例１に記載の方法と同様にして行った。

得られた結果を表３に示す。

表３から、比較の有機ＥＬ素子３−１に比べて、本発明の有機ＥＬ素子材料を用いて作製した本発明の有機ＥＬ素子３−２〜３−１６は、各々高い発光輝度を示し、発光ムラや保存素子の電圧上昇も抑えられる等、素子としての諸特性が向上していることが明らかである。

更にまた、比較の有機ＥＬ素子に比べて、本発明の有機ＥＬ素子の発光色（単に色ともいう）は、純青〜青緑色の短波な発光であることが分かる。

実施例４
《有機ＥＬ素子４−１〜４−１２の作製）
有機ＥＬ素子４−１の作製において、発光層のホスト化合物ＯＣ−４、ドーパント化合物である比較５を表４に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機ＥＬ素子４−１〜４−１２を作製した。

《有機ＥＬ素子４−１〜４−１２の評価》
得られた有機ＥＬ素子４−１〜４−１２を評価するに際しては、実施例１の有機ＥＬ素子１−１〜１−２１と同様に封止し、図５、図６に示すような照明装置を形成して評価した。

次いで、下記評価を行った。

（発光輝度）
実施例３に記載の方法と同様にして行った。なお、発光輝度は有機ＥＬ素子４−１（比較例）を１００とした時の相対値で表した。

（初期劣化）
下記に示す測定法に従って、初期劣化の評価を行った。前記半減寿命の測定時に、輝度が９０％に到達する時間を測定し、これを初期劣化の尺度とした。

初期劣化は以下の計算式を基に計算した。

初期劣化＝（有機ＥＬ素子４−１の輝度９０％到達時間）／（各素子の輝度９０％到達時間）×１００
即ち、初期劣化の値は小さいほど初期の劣化が小さいことを示す。

（駆動電圧）
実施例１に記載の方法と同様にして行った。なお、駆動電圧は、有機ＥＬ素子４−１（比較例）を１００として各々相対値で示した。

（発光色）
実施例１に記載の方法と同様にして行った。

得られた結果を表４に示す。

表４から、比較の有機ＥＬ素子４−１に比べて、本発明の有機ＥＬ素子材料を用いて作製した本発明の有機ＥＬ素子４−２〜４−１２は、各々高い発光輝度を示し、初期劣化が抑えられ、かつ、駆動電圧も低下する等、素子としての諸特性が向上していることが明らかである。

更にまた、比較の有機ＥＬ素子に比べて、本発明の有機ＥＬ素子の発光色（単に色ともいう）は、純青〜青緑色の短波な発光であることが分かる。

実施例５
《白色発光有機ＥＬ素子５−１の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社製、ＮＡ−４５）にパターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ株式会社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液をスピンコート法により製膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。

この第１正孔輸送層上に、正孔輸送材料Ｐｏｌｙ（Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル））ベンジジン（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ株式会社製、ＡＤＳ−２５４）のクロロベンゼン溶液をスピンコート法により製膜した。１５０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚４０ｎｍの第２正孔輸送層を設けた。

次に、ホスト化合物２４（１００ｍｇ）とドーパント材料Ｄ−１（３ｍｇ）とＤ−１０（３ｍｇ）をトルエン１０ｍｌに溶解した溶液を用い、２０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。６０℃で１時間真空乾燥し第一発光層を形成した。

更にこの第一発光層上に、ホスト化合物ＯＣ−１１（１００ｍｇ）とドーパントＣ３（１６ｍｇ）を６ｍｌのヘキサフルオロイソプロパノール（ＨＦＩＰ）に溶解した溶液を用い、２０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコート法により製膜し、６０℃で１時間真空乾燥し、第二発光層を形成した。

この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、第二発光層上に、電子輸送材料ＥＴ−９を３０ｎｍ、続いて陰極バッファー層としてフッ化リチウムを０．５ｎｍ、更に陰極としてアルミニウムを１１０ｎｍ蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子５−１を作製した。

この素子に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。なお、例示の他の化合物に置き換えても同様に白色の発光が得られることが分かった。

実施例６
《白色発光有機ＥＬ素子６−１の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社製、ＮＡ−４５）にパターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ株式会社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液をスピンコート法により製膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。

この第１正孔輸送層上に、正孔輸送材料Ｐｏｌｙ（Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル））ベンジジン（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ株式会社製、ＡＤＳ−２５４）のクロロベンゼン溶液をスピンコート法により製膜した。１５０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚４０ｎｍの第２正孔輸送層を設けた。

次に、ホストとして７（１００ｍｇ）とドーパント材料Ｄ−１（３ｍｇ）とＤ−６（３ｍｇ）、Ｃ８９（１６ｍｇ）をトルエン１０ｍｌに溶解した溶液を用い、２０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。６０℃で１時間真空乾燥し発光層を形成した。

この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、発光層上に、電子輸送材料ＥＴ−１５を３０ｎｍ、続いて陰極バッファー層としてフッ化リチウムを０．５ｎｍ、更に陰極としてアルミニウムを１１０ｎｍ蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子６−１を作製した。

この素子に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。なお、例示の他の化合物に置き換えても同様に白色の発光が得られることが分かった。

実施例７
《白色発光有機ＥＬ素子７−１の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにα−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物として９を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＥＴ−１１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパント化合物であるＣ３５を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパント化合物であるＤ−１０を１００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。

次いで真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートをそれぞれ別々に通電して、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板に蒸着し２０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。

更に、ホスト化合物９とドーパント化合物であるＣ３５、ドーパント化合物であるＤ−１０の入った前記加熱ボートに通電して、ホスト化合物である９とドーパント化合物であるＣ３５及びＤ−１０の蒸着速度が１００：５：０．６になるように調節し、膜厚３０ｎｍの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。

更にＥＴ−１１入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層上に蒸着して膜厚３０ｎｍの電子輸送層を設けた。

なお、蒸着時の基板温度は室温であった。

引き続き、陰極バッファー層としてフッ化リチウム０．５ｎｍを蒸着し、更にアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子７−１を作製した。

この素子に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。なお、例示の他の化合物に置き換えても同様に白色の発光が得られることが分かった。

実施例８
以下に、代表的な化合物の合成例を示す。

《例示化合物Ｃ３の合成》
以下に示すようにして、配位子Ａ１の合成、次いで、錯体Ｂの合成を行い、次いで、本発明の有機ＥＬ素子材料である例示化合物Ｃ３を合成した。

《配位子Ａ１の合成》

（工程１）
窒素雰囲気下で１，３−ジブロモベンゼン２５ｇ（１０５．９８ｍｍｏｌ）を脱水ＴＨＦ２００ｍｌに溶解し、ドライアイス／アセトン浴で内温−７０℃まで冷却した。

ここに、１．６ｍｏｌ／Ｌ ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液７２ｍｌ（１１５．２０ｍｍｏｌ）を滴下し、０℃で１時間撹拌した。再びドライアイス／アセトン浴で内温−７０℃まで冷却し、トリフェニルクロロシラン１３．８２ｇ（１２７．１７ｍｍｏｌ）を加えた後、室温に戻し、２時間撹拌した。

反応溶液を飽和食塩水で洗浄して硫酸マグネシウムで脱水した。硫酸マグネシウムをろ過し、減圧乾固した。更に、シリカゲルクロマトグラフ−（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）で精製し、（３−ブロモフェニル）トリフェニルシラン３５．２ｇ（８４．７４ｍｍｏｌ、８０％）を得た。

（工程２）
窒素雰囲気下で、（３−ブロモフェニル）トリフェニルシラン３５ｇ（８４．２５ｍｍｏｌ）を脱水ＴＨＦ２００ｍｌに溶解した溶液を、ドライアイス／アセトン浴で内温−７０℃まで冷却した。ここに、１．６ｍｏｌ／ｌのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液５８ｍｌ（９２．８ｍｍｏｌ）を滴下し、０℃で１時間撹拌した。再びドライアイス／アセトン浴で内温−７０℃まで冷却し、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン１７ｇ（９１．３７ｍｍｏｌ）を加えた後、室温で２時間撹拌した。反応溶液を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加え脱水、硫酸マグネシウムをろ過したのち、減圧乾固した。更に、シリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）で精製し、トリフェニル（３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）シラン３１．２ｇ（８０％）を得た。

（工程３）：配位子Ａ１の合成
窒素雰囲気下で、トリフェニル（３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）シラン３０ｇ（６４．８７ｍｍｏｌ）及び、２−ブロモ−１−（２，４，６−トリメチルフェニル）−１Ｈ−イミダゾール１７．２０ｇ（６４．８７ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）７．５ｇ（６．４９ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１３．４４ｇ（９７．３０ｍｍｏｌ）、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）２００ｍｌ、純水２０ｍｌを加えて、内温７０℃で５時間撹拌した。

反応溶液に酢酸エチルと飽和食塩水を加え、酢酸エチルに目的物を抽出した。飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムを加え脱水、硫酸マグネシウムをろ過したのち、減圧乾固した。更に、シリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）により精製し、配位子Ａ１を１６．９ｇ（３２．４３ｍｍｏｌ、５０％）得た。

《錯体Ｂの合成》

窒素雰囲気下で、１５ｇ（２８．８ｍｍｏｌ）の配位子Ａ１（１−メシチル−２−（３−（トリフェニルシリル）フェニル）１Ｈ−イミダゾール）を２−エトキシエタノール１５０ｍｌに溶解した溶液に、塩化イリジウム３水和物３．８ｇ（１０．７８ｍｍｏｌ）及び、４０ｍｌの水を加え、内温８５℃で２時間加熱撹拌した。反応液を冷却し、メタノール５０ｍｌを加え、析出した結晶を濾取した。さらに、メタノールで洗浄し、乾燥後、錯体Ｂ９．８ｇ（３．８ｍｍｏｌ、７０％）を得た。

《例示化合物Ｃ３の合成》

窒素雰囲気下で、錯体Ｂ９ｇ（３．５ｍｍｏｌ）、配位子Ａ１（１−メシチル−２−（３−（トリフェニルシリル）フェニル）１Ｈ−イミダゾール）１１ｇ（２１．２ｍｍｏｌ）を酢酸フェニル１５０ｍｌに溶解した。内温１３０℃に加熱し、トリフルオロ酢酸銀４．６８ｇ（２１．２ｍｍｏｌ）を加えた後、内温１５０℃にして５時間加熱撹拌した。

反応液にＴＨＦと飽和食塩水を加え、ＴＨＦに目的物を抽出した。

食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加え脱水、硫酸マグネシウムをろ過したのち、減圧乾固した。更に、シリカゲルクロマトグラフィーによって精製し、例示化合物Ｃ３を３．７ｇ（２．１ｍｍｏｌ、３０％）得た。
構造は^１Ｈ−ＮＭＲとＥＳＩ−ＭＳにより特定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２） δ：７．３１−７．２８（９Ｈ、ｍ）、７．２４−７．１７（３６Ｈ、ｍ）、６．７０−６．５６（１５Ｈ、ｍ）、６．４４（６Ｈ、ｓ）、１．９２（９Ｈ、ｓ）、１．８５（９Ｈ、ｓ）、１．６１（９Ｈ、ｓ）
ＥＳＩ−ＭＳ Ｍ／Ｚ＝１７５２

日立製作所製分光蛍光光度計Ｆ−４５００を用いて測定した例示化合物Ｃ３の溶液におけるリン光発光波長は、４５８ｎｍであった（２−メチルテトラヒドロフラン中）。
一般式（１）の置換基を有していないＤ−２６のリン光波長を同様にして測定したところ、４６７ｎｍであり、一般式（１）の置換基を導入することで短波化されることが確認された。

《例示化合物Ｃ２４の合成》
公知の合成法により、配位子Ｃ１を合成した。次いで、以下に示すようにして、錯体Ｄの合成を行い、次いで、本発明の有機ＥＬ素子材料である例示化合物Ｃ２４を合成した。
《錯体Ｄの合成》

窒素雰囲気下で、２０ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）の配位子Ｃ１を２−エトキシエタノール２００ｍｌに溶解した溶液に、塩化イリジウム３水和物４．６ｇ（１３．０４ｍｍｏｌ）及び、５０ｍｌの水を加え、内温８５℃で２時間加熱撹拌した。反応液を冷却し、メタノール１００ｍｌを加え、析出した結晶を濾取した。さらに、メタノールで洗浄し、乾燥後、錯体Ｄ１０．４ｇ（３．９ｍｍｏｌ、６０％）を得た。

《例示化合物Ｃ２４の合成》

窒素雰囲気下で、錯体Ｄを１０ｇ（３．７ｍｍｏｌ）、配位子Ｃ１を６．２ｇ（１１．２ｍｍｏｌ）を酢酸フェニル１００ｍｌに溶解した。内温１３０℃に加熱し、トリフルオロ酢酸銀２．４７ｇ（１１．２ｍｍｏｌ）を加えた後、内温１５０℃にして５時間加熱撹拌した。

反応液にＴＨＦと飽和食塩水を加え、ＴＨＦに目的物を抽出した。
食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加え脱水、硫酸マグネシウムをろ過したのち、減圧乾固した。更に、シリカゲルクロマトグラフィーによって精製し、例示化合物Ｃ２４を３．５ｇ（１．９ｍｍｏｌ、２５％）得た。
構造は^１Ｈ−ＮＭＲとＥＳＩ−ＭＳにより特定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＡＣＥＴＯＮＥ−Ｄ_６） δ：７．７０−７．６８（９Ｈ、ｍ）、７．１３−７．１１（１８Ｈ、ｍ）、６．８９−６．６７（２１Ｈ、ｍ）、２．１３（９Ｈ、ｓ）、１．９８（９Ｈ、ｓ）、１．６９（９Ｈ、ｓ）
ＥＳＩ−ＭＳ Ｍ／Ｚ＝１８０６
日立製作所製分光蛍光光度計Ｆ−４５００を用いて測定した例示化合物Ｃ２４の２−メチルテトラヒドロフラン溶液中におけるリン光発光波長は、４５６ｎｍであった。

実施例９
《有機ＥＬ素子９−１〜実施例９−１５の作製》
有機ＥＬ素子１−１の作製において、発光層のホスト化合物ＯＣ−１１、ドーパント化合物である比較１、電子輸送材料ＥＴ−１１を表５に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機ＥＬ素子９−１〜９−１５を作製した。

得られた有機ＥＬ素子９−１〜９−１５の評価は下記に記載のように評価した。

（外部取り出し量子効率（単に、効率ともいう））
実施例１に記載の方法と同様にして行った。なお、外部取り出し量子効率は有機ＥＬ素子９−２（比較例）を１００とする相対値で表した。

（半減寿命）
実施例１に記載の方法と同様にして行った。なお、半減寿命は有機ＥＬ素子９−２（比較例）を１００とする相対値で表した。

（駆動電圧）
実施例１に記載の方法と同様にして行った。なお、駆動電圧は有機ＥＬ素子９−２（比較例）を１００とする相対値で表した。

（経時安定性）
有機ＥＬ素子を６０℃、７０％ＲＨの条件で一ヶ月保存後、実施例１と同様に発光輝度（ｃｄ／ｍ^２）を測定した。経時安定性は保存前の発光輝度測定値に対する相対値で表した。得られた結果を表５に示す。

表５から、比較の有機ＥＬ素子９−１、９−２に比べて、本発明の有機ＥＬ素子材料を用いて作製した本発明の有機ＥＬ素子９−３〜９−１５は、高い効率を示し、半減寿命が向上し、駆動電圧も低下する、経時安定性に優れる等、素子としての特性が向上していることが明らかである。

更にまた、素子の発光色（単に色ともいう）が純青〜青緑色の短波な発光であることが分かる。

実施例１０
《有機ＥＬ素子１０−１〜実施例１０−１４の作製》
有機ＥＬ素子１−１の作製において、発光層のホスト化合物ＯＣ−１１、ドーパント化合物である比較１、電子輸送材料ＥＴ−１１を表６に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機ＥＬ素子１０−１〜１０−１４を作製した。

得られた有機ＥＬ素子１０−１〜１０−１４の評価は下記に記載のように評価した。

（外部取り出し量子効率（単に、効率ともいう））
実施例１に記載の方法と同様にして行った。なお、外部取り出し量子効率は有機ＥＬ素子１０−２（比較例）を１００とする相対値で表した。

（半減寿命）
実施例１に記載の方法と同様にして行った。なお、半減寿命は有機ＥＬ素子１０−２（比較例）を１００とする相対値で表した。

（駆動電圧）
実施例１に記載の方法と同様にして行った。なお、駆動電圧は有機ＥＬ素子１０−２（比較例）を１００とする相対値で表した。

（駆動時の電圧上昇）
駆動時の電圧上昇とは、初期輝度３０００ｃｄ／ｍ^２での定電流駆動における電圧と、輝度半減時における電圧の比である。

ΔＶ＝輝度半減時の電圧／初期電圧
得られた結果を表６に示す。

表６から、比較の有機ＥＬ素子１０−１、１０−２に比べて、本発明の有機ＥＬ素子材料を用いて作製した本発明の有機ＥＬ素子１０−３〜１０−１４は、高い効率を示し、半減寿命が向上し、駆動電圧も低下する、駆動時の電圧上昇も抑えることができる等、素子としての特性が向上していることが明らかである。

更にまた、素子の発光色（単に色ともいう）が純青〜青緑色の短波な発光であることが分かる。

実施例１１
《有機ＥＬ素子１１−１〜実施例１１−１４の作製》
有機ＥＬ素子３−１の作製において、発光層のホスト化合物ＯＣ−３０、ドーパント化合物である比較３、電子輸送材料ＥＴ−８を表７に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機ＥＬ素子１１−１〜１１−１４を作製した。

得られた有機ＥＬ素子１１−１〜１１−１４の評価は下記に記載のように評価した。

（外部取り出し量子効率（単に、効率ともいう））
実施例１に記載の方法と同様にして行った。なお、外部取り出し量子効率は有機ＥＬ素子１１−１（比較例）を１００とする相対値で表した。

（半減寿命）
実施例１に記載の方法と同様にして行った。なお、半減寿命は有機ＥＬ素子１１−１（比較例）を１００とする相対値で表した。

（駆動電圧）
実施例１に記載の方法と同様にして行った。なお、駆動電圧は有機ＥＬ素子１１−１（比較例）を１００とする相対値で表した。

（初期劣化）
実施例４に記載の方法と同様にして行った。なお、初期劣化は以下の計算式を基に計算した。

初期劣化＝（有機ＥＬ素子１１−２の輝度９０％到達時間）／（各素子の輝度９０％到達時間）
即ち、初期劣化の値は小さいほど初期の劣化が小さいことを示す。
得られた結果を表７に示す。

表７から、比較の有機ＥＬ素子１１−１、１１−２に比べて、本発明の有機ＥＬ素子材料を用いて作製した本発明の有機ＥＬ素子１１−３〜１１−１４は、高い効率を示し、半減寿命が向上し、駆動電圧も低下する、また、初期劣化も抑えることができる等、素子としての特性が向上していることが明らかである。

更にまた、素子の発光色（単に色ともいう）が純青〜青緑色の短波な発光であることが分かる。

実施例１２
《有機ＥＬ素子１２−１〜実施例１２−１４の作製》
有機ＥＬ素子３−１の作製において、発光層のホスト化合物ＯＣ−３０、ドーパント化合物である比較３、電子輸送材料ＥＴ−８を表８に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機ＥＬ素子１２−１〜１２−１４を作製した。

得られた有機ＥＬ素子１２−１〜１２−１４の評価は下記に記載のように評価した。

（外部取り出し量子効率（単に、効率ともいう））
実施例１に記載の方法と同様にして行った。なお、外部取り出し量子効率は有機ＥＬ素子１２−１（比較例）を１００とする相対値で表した。

（半減寿命）
実施例１に記載の方法と同様にして行った。なお、半減寿命は有機ＥＬ素子１２−１（比較例）を１００とする相対値で表した。

（駆動電圧）
実施例１に記載の方法と同様にして行った。なお、駆動電圧は有機ＥＬ素子１２−１（比較例）を１００とする相対値で表した。

（ダークスポット）
実施例２に記載の方法と同様にして行った。得られた結果を表８に示す。

表８から、比較の有機ＥＬ素子１２−１、１２−２に比べて、本発明の有機ＥＬ素子材料を用いて作製した本発明の有機ＥＬ素子１２−３〜１２−１４は、高い効率を示し、半減寿命が向上し、駆動電圧も低下する、ダークスポットの発生も抑えることができる等、素子としての特性が向上していることが明らかである。

更にまた、素子の発光色（単に色ともいう）が純青〜青緑色の短波な発光であることが分かる。

実施例１３
《白色発光有機ＥＬ素子１３−１の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社製、ＮＡ−４５）にパターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ株式会社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液をスピンコート法により製膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。

この第１正孔輸送層上に、正孔輸送材料Ｐｏｌｙ（Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル））ベンジジン（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ株式会社製、ＡＤＳ−２５４）のクロロベンゼン溶液をスピンコート法により製膜した。１５０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚４０ｎｍの第２正孔輸送層を設けた。

次に、ホストとして３４（１００ｍｇ）とドーパント材料Ｄ−１（３ｍｇ）とＤ−６（３ｍｇ）、Ａ３３（１６ｍｇ）をトルエン１０ｍｌに溶解した溶液を用い、２０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。６０℃で１時間真空乾燥し発光層を形成した。

更にこの発光層上に、電子輸送材料ＥＴ−１２をブタノールに溶解した溶液を用い、２０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコート法により製膜し、６０℃で１時間真空乾燥し、電子輸送層を形成した。

この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、陰極バッファー層としてフッ化リチウムを０．５ｎｍ、更に陰極としてアルミニウムを１１０ｎｍ蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子１３−１を作製した。

この素子に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。なお、例示の他の化合物に置き換えても同様に白色の発光が得られることが分かった。

《白色発光有機ＥＬ素子１３−２の作製》
有機ＥＬ素子１３−１の作製において、発光層のホスト化合物３４を１に、ドーパント材料Ａ３３をＡ３６に置き換えた以外は同様にして、有機ＥＬ素子１３−２を作製した。

白色発光有機ＥＬ素子１３−１、１３−２に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。

実施例１４
《白色発光有機ＥＬ素子１４−１の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製抵抗加熱ボートにＣｕＰｃを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン抵抗加熱ボートにα−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに２を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＡ３１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＤ−４を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＤ−６を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＥＴ−２９を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。

次いで真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、ＣｕＰｃの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で、透明支持基板に蒸着し１０ｎｍの正孔注入層を設けた。

更にα−ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で、前記正孔注入層上に蒸着し２０ｎｍの正孔輸送層を設けた。

更に２とＡ３１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０１２ｎｍ／秒で、前記正孔輸送層上に共蒸着し６０ｎｍの第１発光層を設けた。

更に２とＤ−４とＤ−６の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０１２ｎｍ／秒、０．００２ｎｍ／秒で、前記第１発光層上に共蒸着し６０ｎｍの第２発光層を設けた。

更にＥＴ−２９の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で、前記第２発光層上に蒸着し２５ｎｍの電子輸送層を設けた。

引き続き、陰極バッファー層としてフッ化カリウム０．５ｎｍを蒸着し、更にアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子１４−１を作製した。

《白色発光有機ＥＬ素子１４−２の作製》
有機ＥＬ素子１４−１の作製において、発光層のホスト化合物２を３０に、ドーパント材料Ａ３１をＡ４８に置き換えた以外は同様にして、有機ＥＬ素子１４−２を作製した。

白色発光有機ＥＬ素子１４−１、１４−２に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。

実施例１５
（青色発光有機ＥＬ素子）
青色発光有機ＥＬ素子として実施例１２で作製した有機ＥＬ素子１２−９を用いた。

（緑色発光有機ＥＬ素子）
緑色発光有機ＥＬ素子として、実施例１２で作製した有機ＥＬ素子１２−９の作製において、Ａ２３をＤ−１に変更した以外は同様して、青色素子発光有機ＥＬ素子１２−９Ｂを作製した。

（赤色発光有機ＥＬ素子）
赤色発光有機ＥＬ素子として、実施例１２の有機ＥＬ素子１２−９の作製において、Ａ２３をＤ−１０に変更した以外は同様にして、赤色発光有機ＥＬ素子１２−９Ｃを作製した。

上記の赤色、緑色及び青色発光有機ＥＬ素子を同一基板上に並置し、図１に記載の形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製し、図２には、作製した前記表示装置の表示部Ａの模式図のみを示した。即ち、同一基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、並置した複数の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。前記複数の画素３は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。

当該フルカラー表示装置を駆動することにより、発光効率が高い発光寿命の長いフルカラー動画表示が得られることを確認することができた。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子は、高い発光効率を示し、発光寿命が長く、低駆動電圧であり、かつ短波な発光を示すもので、表示装置、各種照明装置に好適に利用できる。

１ ディスプレイ
３ 画素
５ 走査線
６ データ線
７ 電源ライン
１０ 有機ＥＬ素子
１１ スイッチングトランジスタ
１２ 駆動トランジスタ
１３ コンデンサ
Ａ 表示部
Ｂ 制御部
１０７ 透明電極付きガラス基板
１０６ 有機ＥＬ層
１０５ 陰極
１０２ ガラスカバー
１０８ 窒素ガス
１０９ 捕水剤

Claims (21)

1. 陽極と陰極の間に少なくとも一つの発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、元素周期表における８族から１０族の遷移金属元素に、下記一般式（Ａ）で表される配位子が、少なくとも１つ配位した金属錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
   一般式（Ａ）：Ａ−Ｂ
   〔式中、Ａは、該遷移金属元素に共有結合する環であって、６員の芳香族炭化水素環又は、５員若しくは６員の芳香族複素環を表し、Ｂは、炭素原子又は窒素原子で前記遷移金属元素に配位結合する５員の芳香族複素環を表し、該一般式（Ａ）で表される配位子は下記一般式（１）で表される基を少なくとも１つ有する。〕
   一般式（１）：＊−（Ｌ）ｎ−Ｓｉ（Ｙ１）（Ｙ２）（Ｙ３）
   〔式中、Ｌは２価の連結基を表す。ｎは０又は１〜３の整数を表し、ｎが２以上の場合複数のＬは同じでも異なっても良い。また、Ｌは置換基を有しても良い。Ｙ１、Ｙ２及びＹ３は、各々水素原子又は置換基を表す。但し、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３のうち少なくとも１つは芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。＊はＡで表される、遷移金属元素に共有結合する環との連結部位を表す。〕
2. 前記一般式（１）のＹ１、Ｙ２及びＹ３が、各々芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表すことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 前記金属錯体が、下記一般式（２）で表されることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｘ及びＹは、各々炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ′は、Ｘ−Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環又は、５員若しくは６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒは、水素原子又は置換基を表す。ｎ１は、１〜４の整数を表し、ｎ１が２以上の場合、Ｒは同一でも異なる置換基であっても良い。Ｂ′は−Ｃ（Ｒ′_１）＝Ｃ（Ｒ′_２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ′_２）−、−Ｃ（Ｒ′_１）＝Ｎ−又は−Ｎ＝Ｎ−を表し、Ｒ′_１及びＲ′_２は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｚは、水素原子又は置換基を表す。Ｒ、Ｒ′_１、Ｒ′_２及びＺのうち少なくとも１つは、前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は、２又は３である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
4. 前記金属錯体が下記一般式（３）で表されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｚ１はＣ−Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環又は、５員若しくは６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒは水素原子あるいは置換基を表す。ｎ１は１から４の整数である。ｎ１が２以上の場合、Ｒは同一でも異なる置換基であっても良い。Ｒ′は水素原子又は置換基を表し、ｎ２は１又は２の整数である。ｎ２が２の場合、Ｒ′は同一でも異なる置換基であっても良い。Ｚは水素原子あるいは置換基を表す。Ｒ、Ｒ′及びＺのうち少なくとも１つは、前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。Ｍは、元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
5. 前記金属錯体が下記一般式（４）で表されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｚ、Ｒ′_１及びＲ′_２は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｒ_２〜Ｒ_５、Ｒ′_１、Ｒ′_２及びＺのうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
6. 前記金属錯体が下記一般式（５）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｚ２は、６員の芳香族炭化水素環又は、５員若しくは６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒａは置換基を表す。Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ′_１及びＲ′_２は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｒ_２〜Ｒ_５、Ｒ′_１及びＲ′_２のうち少なくとも１つは、前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
7. 前記金属錯体が下記一般式（６）で表されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ′_１及びＲ′_２は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｒ_２〜Ｒ_５、Ｒ′_１及びＲ′_２のうち少なくとも１つは、前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
8. 前記金属錯体が下記一般式（７）で表されることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｘは炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ′はＸ−Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環又は、５員若しくは６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。ｎ１は１〜４の整数である。ｎ１が２以上の場合、Ｒは同一でも異なる置換基であっても良い。Ｂ′は−Ｃ（Ｒ′_１）＝Ｃ（Ｒ′_２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ′_２）−、−Ｃ（Ｒ′_１）＝Ｎ−又は−Ｎ＝Ｎ−を表し、Ｒ′_１及びＲ′_２は水素原子又は置換基を表す。Ｚは水素原子又は置換基を表す。Ｒ、Ｒ′_１、Ｒ′_２及びＺのうち少なくとも１つは、前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
9. 前記金属錯体が下記一般式（８）で表されることを特徴とする請求項１、２及び８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｘは炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ′はＸ−Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環又は、５員若しくは６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。ｎ１は１から４の整数である。ｎ１が２以上の場合、Ｒは同一でも異なる置換基であっても良い。Ｚは水素原子又は置換基を表す。Ｒ′_１及びＲ′_２は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｒ、Ｒ′_１、Ｒ′_２及びＺのうち少なくとも１つは、前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
10. 前記金属錯体が下記式（９）で表されることを特徴とする請求項１、２、８及び９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    

    

    〔式中、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｚ、Ｒ′_１及びＲ′_２は水素原子又は置換基を表す。Ｒ_２〜Ｒ_５、Ｒ′_１、Ｒ′_２及びＺのうち少なくとも１つは、前記一般式（１）で表される基を表す。Ｘ_１−Ｌ_１−Ｘ_２は２座の配位子を表し、Ｘ_１及びＸ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
11. 請求項３に記載の一般式（２）、請求項４に記載の一般式（３）、請求項８に記載の一般式（７）及び請求項９に記載の一般式（８）のいずれかに記載のＲ、又は、請求項５に記載の一般式（４）、請求項６に記載の一般式（５）、請求項７に記載の一般式（６）及び請求項１０に記載の一般式（９）のいずれかに記載のＲ_２、Ｒ_３、Ｒ_４及びＲ_５の少なくとも１つが前記一般式（１）で表される基を表すことを特徴とする請求項３〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. 請求項５に記載の一般式（４）、請求項６に記載の一般式（５）、請求項７に記載の一般式（６）及び請求項１０に記載の一般式（９）のいずれかのＲ_３が一般式（１）で表される基を表すことを特徴とする請求項５〜７又は１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
13. 請求項５に記載の一般式（４）、請求項６に記載の一般式（５）、請求項７に記載の一般式（６）及び請求項１０に記載の一般式（９）のいずれかのＲ_４が一般式（１）で表される基を表すことを特徴とする請求項５〜７又は１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
14. 請求項３に記載の一般式（２）、請求項４に記載の一般式（３）、請求項５に記載の一般式（４）、請求項６に記載の一般式（５）、請求項７に記載の一般式（６）、請求項８に記載の一般式（７）、請求項９に記載の一般式（８）、請求項１０に記載の一般式（９）のいずれかのｍ２が０を表すことを特徴とする請求項３〜１３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
15. 前記一般式（１）のｎが０であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
16. 前記Ｍがイリジウムを表すことを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
17. 前記発光層の少なくとも１層に、前記金属錯体を含有することを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
18. 白色発光することを特徴とする請求項１〜１７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
19. 請求項１〜１８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。
20. 請求項１〜１８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。
21. 請求項１〜１６のいずれか１項に記載の金属錯体からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。

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