JPWO2010073817A1 - Substrate positioning apparatus, substrate processing apparatus, substrate positioning program, and electronic device manufacturing method - Google Patents

Substrate positioning apparatus, substrate processing apparatus, substrate positioning program, and electronic device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JPWO2010073817A1
JPWO2010073817A1 JP2010543964A JP2010543964A JPWO2010073817A1 JP WO2010073817 A1 JPWO2010073817 A1 JP WO2010073817A1 JP 2010543964 A JP2010543964 A JP 2010543964A JP 2010543964 A JP2010543964 A JP 2010543964A JP WO2010073817 A1 JPWO2010073817 A1 JP WO2010073817A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
virtual center
distance
angle
waveform
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2010543964A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
勇二 伊藤
勇二 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Anelva Corp
Original Assignee
Canon Anelva Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Anelva Corp filed Critical Canon Anelva Corp
Publication of JPWO2010073817A1 publication Critical patent/JPWO2010073817A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like

Abstract

本発明は、半導体・電子部品製造装置に内において搬送中の基板の位置ずれを補正する目的を有する基板位置決め装置において、位置ずれの検出精度を向上させる。本発明の一実施形態では、遮光センサで測定した波形を一旦sinカーブで近似し、その近似式からずれの最大値とずれの位置を求める。The present invention improves the detection accuracy of misalignment in a substrate positioning apparatus having a purpose of correcting misalignment of a substrate being conveyed in a semiconductor / electronic component manufacturing apparatus. In one embodiment of the present invention, the waveform measured by the light shielding sensor is first approximated by a sin curve, and the maximum value of the deviation and the position of the deviation are obtained from the approximate expression.

Description

本発明は、半導体や磁気抵抗効果素子等の電子部品の製造装置における基板の位置決め装置、位置決め方法に関する。   The present invention relates to a substrate positioning apparatus and positioning method in a manufacturing apparatus for electronic components such as semiconductors and magnetoresistive elements.

従来、半導体や磁気抵抗効果素子等の電子部品の製造装置における基板の位置ずれ検出方法としては、特許文献1に開示される以下の方法が知られている。   Conventionally, the following method disclosed in Patent Document 1 is known as a method for detecting a positional deviation of a substrate in an apparatus for manufacturing an electronic component such as a semiconductor or a magnetoresistive element.

特許文献1では、基板をステージに載せた状態でステージを回転させ、ステージの外周に固定された遮光センサで、回転する基板の外周の位置を測定し、その測定値による波形に基づいて、基板の位置ずれを検出する。   In Patent Document 1, the stage is rotated with the substrate placed on the stage, the position of the outer periphery of the rotating substrate is measured with a light-shielding sensor fixed to the outer periphery of the stage, and the substrate is based on the waveform based on the measured value. Detects the position shift.

特開平8−8328号公報JP-A-8-8328

しかしながら、遮光センサの分解能は一定なので、基板の位置ずれ量が少なくなるとセンサの遮光量の変化が少なくなり、波形の変化も少なくなる。波形の変化が少ないと遮光量が最大となる箇所を見つけることは難しいという問題があった。   However, since the resolution of the light shielding sensor is constant, if the amount of positional deviation of the substrate is reduced, the change in the light shielding amount of the sensor is reduced and the change in the waveform is also reduced. There is a problem that it is difficult to find a portion where the light shielding amount is maximum when the change in the waveform is small.

本発明は上述した問題点に鑑みてなされたものであり、基板の位置ずれ量が小さい場合でも高精度に位置ずれ量を推定可能な基板位置決め装置、基板処理装置、基板位置決めプログラム及び電子デバイスの製造方法を提供することをその目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems. A substrate positioning apparatus, a substrate processing apparatus, a substrate positioning program, and an electronic device that can estimate the positional deviation amount with high accuracy even when the positional deviation amount of the substrate is small. The object is to provide a manufacturing method.

本発明の第1の態様は、基板位置決め装置であって、基板を保持するための基板保持手段と、前記基板保持手段に基板が保持される場合に、該基板の保持面内における仮想中心から前記基板端部までの面内方向距離を計測する距離計測手段と、前記仮想中心と基板端部の基準点とを結ぶ線分と、前記距離計測手段により前記面内方向距離が計測された計測箇所と前記仮想中心とを結ぶ線分とのなす角度を計測する角度取得手段と、前記距離計測手段により計測された面内方向距離及び前記角度取得手段により計測された角度に基づいて、前記面内方向距離と前記角度とを対応させた計測波形を取得する計測波形取得手段と、前記計測波形を三角関数に近似する近似手段と、前記近似手段により近似した三角関数に基づいて、前記保持された基板中心の前記仮想中心からのずれ量を演算する演算手段とを備えることを特徴とする。   A first aspect of the present invention is a substrate positioning apparatus, comprising: a substrate holding means for holding a substrate; and a virtual center in a holding surface of the substrate when the substrate is held by the substrate holding means. A distance measuring unit that measures an in-plane direction distance to the substrate end, a line segment that connects the virtual center and a reference point of the substrate end, and a measurement in which the in-plane direction distance is measured by the distance measuring unit An angle acquisition unit that measures an angle formed by a line segment that connects a location and the virtual center, an in-plane direction distance measured by the distance measurement unit, and an angle measured by the angle acquisition unit, Measurement waveform acquisition means for acquiring a measurement waveform corresponding to an inward distance and the angle, approximation means for approximating the measurement waveform to a trigonometric function, and the trigonometric function approximated by the approximation means. Group Characterized in that it comprises a calculating means for calculating a deviation amount from the virtual center of.

本発明の第2の態様は、基板位置決めプログラムであって、基板の保持面内における仮想中心から基板端部までの面内方向距離と、前記仮想中心と基板端部の基準点とを結ぶ線分と、前記面内方向距離が計測された計測箇所と前記仮想中心とを結ぶ線分とのなす角度と、を対応させた計測波形を取得する計測波形取得ステップと、前記計測波形を三角関数に近似する近似ステップと、前記近似ステップにおいて近似した三角関数に基づいて、前記保持面に保持された基板中心の前記仮想中心からのずれ量を演算する演算ステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate positioning program, which is a line connecting an in-plane direction distance from a virtual center to a substrate end in a substrate holding surface, and the virtual center and a reference point of the substrate end. A measurement waveform acquisition step for acquiring a measurement waveform in which a minute and an angle formed by a line segment connecting the measurement location where the in-plane direction distance is measured and the virtual center are matched, and the measurement waveform is a trigonometric function And an arithmetic step for calculating a deviation amount of the center of the substrate held on the holding surface from the virtual center based on the trigonometric function approximated in the approximating step. And

本発明の第3の態様は、基板処理装置であって、上記第1の態様に記載の基板位置決め装置と、基板を搬送させるための搬送ロボットを備えた搬送チャンバと、前記搬送チャンバに接続し、前記搬送ロボットにより基板の搬送が可能に構成され、搬送された基板に対し処理を行うためのプロセスチャンバとを備えることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus, the substrate positioning apparatus according to the first aspect, a transfer chamber including a transfer robot for transferring the substrate, and connected to the transfer chamber. The substrate is configured to be capable of transporting a substrate by the transport robot, and includes a process chamber for processing the transported substrate.

本発明の第4の態様は、電子デバイスの製造方法であって、上記第3の態様に記載の基板処理装置を用いて、電子デバイスを製造することを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an electronic device, wherein the electronic device is manufactured using the substrate processing apparatus according to the third aspect.

本発明で求めた値を使う事でウェハーの位置決め精度を向上することができる。   By using the values obtained in the present invention, the wafer positioning accuracy can be improved.

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るアライメントチャンバの概略横断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of an alignment chamber according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る、遮光センサと基板ステージの位置関係を示す平面図である。It is a top view which shows the positional relationship of the light-shielding sensor and substrate stage based on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板位置決めフローを示す図である。It is a figure which shows the board | substrate positioning flow which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る計測波形を示すグラフである。It is a graph which shows the measurement waveform which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る、sinカーブ近似による最大ずれ角度検出の概略を示すグラフである。It is a graph which shows the outline of the maximum shift angle detection by sin curve approximation based on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る、基板の位置ずれと基板ステージの位置との関係を示す平面図である。It is a top view which shows the relationship between the position shift of a board | substrate and the position of a substrate stage based on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る、遮光センサ測定値波形と測定値からsinカーブで近似した波形とを示す図である。It is a figure which shows the light-shielding sensor measured value waveform based on one Embodiment of this invention, and the waveform approximated by the sin curve from the measured value. 本発明の一実施形態に係る、ずれ量が小さい場合の遮光センサ測定値波形を示す図である。It is a figure which shows the light-shielding sensor measured value waveform when deviation | shift amount is small based on one Embodiment of this invention. ウェハーが一定のずれ量の時に、連続して最大ずれ位置の角度検出した場合の、本発明の一実施形態の適用前と適用後における精度のばらつきを示す図である。It is a figure which shows the dispersion | variation in the precision before and after application of one Embodiment of this invention when the angle of a largest deviation position is detected continuously when a wafer is a fixed deviation | shift amount. ウェハーが一定のずれ量の時に、連続して最大ずれ位置の角度検出した場合の、本発明の一実施形態の適用前と適用後における精度のばらつきを示す図である。It is a figure which shows the dispersion | variation in the precision before and after application of one Embodiment of this invention when the angle of a largest deviation position is detected continuously when a wafer is a fixed deviation | shift amount.

次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。   Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings described below, components having the same function are denoted by the same reference numerals, and repeated description thereof is omitted.

図1は、本発明による一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
図1に示す基板処理装置は、基板搬送用の搬送ロボット4が設けられ、基板位置決め装置としてのアライメントチャンバ1と、基板に対する処理を行うための複数のチャンバを備えた搬送チャンバ2と、搬送チャンバ2に接続され、基板に処理を行うための複数のプロセスチャンバ3と、を有する。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
The substrate processing apparatus shown in FIG. 1 is provided with a transfer robot 4 for transferring a substrate, an alignment chamber 1 as a substrate positioning device, a transfer chamber 2 having a plurality of chambers for processing a substrate, and a transfer chamber. 2 and a plurality of process chambers 3 for performing processing on the substrate.

搬送ロボット4によって複数のプロセスチャンバ3のそれぞれに基板が順に搬送され、各プロセスチャンバ3での処理が行われる。   The substrate is sequentially transferred to each of the plurality of process chambers 3 by the transfer robot 4, and processing in each process chamber 3 is performed.

プロセスチャンバ3が備える複数のチャンバとしては、スパッタリング法やCVD法により基板に成膜処理を行う成膜チャンバ、基板の加熱や冷却などの温度調整や脱ガス、クリーニングを行うためのチャンバ、エッチング処理を行うチャンバなどが挙げられる。   The plurality of chambers included in the process chamber 3 include a film formation chamber for performing film formation processing on the substrate by sputtering or CVD, a chamber for performing temperature adjustment, degassing, and cleaning such as heating and cooling of the substrate, and etching processing. And a chamber for performing the above.

アライメントチャンバ1は複数のチャンバを備える搬送チャンバ2に接続されており、アライメントチャンバ1を介して搬送チャンバ2とプロセスチャンバ3との間での基板の受け渡しが可能である。   The alignment chamber 1 is connected to a transfer chamber 2 having a plurality of chambers, and a substrate can be transferred between the transfer chamber 2 and the process chamber 3 via the alignment chamber 1.

搬送チャンバ2は、複数のロードロック/アンロードロックチャンバ6に接続されている。   The transfer chamber 2 is connected to a plurality of load lock / unload lock chambers 6.

ロードロック/アンロードロックチャンバ6を介してオートフィーダ5から供給される基板を搬送チャンバ2に導入することや、処理後の基板を搬送チャンバ2から回収することが可能である。   It is possible to introduce the substrate supplied from the auto-feeder 5 through the load lock / unload lock chamber 6 into the transfer chamber 2 and to collect the processed substrate from the transfer chamber 2.

上記の搬送チャンバ2、プロセスチャンバ3、ロードロック/アンロードロックチャンバ6、アライメントチャンバ1のそれぞれは、ターボ分子ポンプなどの排気手段を備えると共に、ゲートバルブを介して互いに接続されており、独立して真空排気可能である。   Each of the transfer chamber 2, the process chamber 3, the load lock / unload lock chamber 6 and the alignment chamber 1 includes exhaust means such as a turbo molecular pump and is connected to each other via a gate valve. And can be evacuated.

基板搬送前や基板処理前には、基板が配置されることとなる所定のチャンバで排気が行われる。   Before substrate transport or substrate processing, exhaust is performed in a predetermined chamber where the substrate is to be placed.

図2は、本実施形態に係るアライメントチャンバ1の概略横断面図であり、図3は、本実施形態に係る基板の載置状態及び遮光センサの配置状態を示す概略平面図である。   FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the alignment chamber 1 according to the present embodiment, and FIG. 3 is a schematic plan view illustrating a substrate mounting state and a light-shielding sensor arrangement state according to the present embodiment.

アライメントチャンバ1は、真空容器202に開口した搬送用通路201を通って、隣接する搬送チャンバ2が備える搬送ロボット4のアームが挿入可能になっており、これにより基板200が搬送可能になっている。   In the alignment chamber 1, the arm of the transfer robot 4 provided in the adjacent transfer chamber 2 can be inserted through the transfer passage 201 opened in the vacuum container 202, and thus the substrate 200 can be transferred. .

アライメントチャンバ1には、基板を載置した状態で面内回転させることができる基板ステージ12が設けられる。基板ステージ12は制御装置13からの回転指令に応じて回転し、実際に回転した角度を示す回転角度信号を制御装置13へ出力する。   The alignment chamber 1 is provided with a substrate stage 12 that can be rotated in-plane with the substrate placed thereon. The substrate stage 12 rotates in response to a rotation command from the control device 13 and outputs a rotation angle signal indicating the actually rotated angle to the control device 13.

また、載置された基板200の仮想中心(基板ステージ12の回転中心)から所定距離離れた場所であり、基板200の端部近傍となる箇所には遮光センサ11が設けられ、基板端部の基板ステージ12の回転中心からの距離が計測できるように構成されている。
なお、本明細書において、「仮想中心」とは、基板ステージといった基板保持手段においてずれて載置された基板の中心の補正対象となる点であって、ずれた基板の中心を合わせる基準となる点(例えば、基板ステージ12の回転中心)を指す。
Further, a light shielding sensor 11 is provided at a location that is a predetermined distance away from the virtual center of the placed substrate 200 (the rotation center of the substrate stage 12) and is near the end of the substrate 200. The distance from the center of rotation of the substrate stage 12 can be measured.
In the present specification, the “virtual center” is a point to be corrected for the center of the substrate that is shifted and placed on the substrate holding means such as the substrate stage, and serves as a reference for aligning the center of the shifted substrate. A point (for example, the rotation center of the substrate stage 12) is indicated.

遮光センサ11は、具体的には、本実施形態では、LEDアレイなどを有するライン状の発光部11aと、CCDセンサなどを有するライン状の受光部11bを備える。該発光部11aおよび受光部11bは、基板ステージ12の径方向に沿って、基板の端部を挟んで互いに対向する位置に設けられている。   Specifically, in the present embodiment, the light shielding sensor 11 includes a linear light emitting unit 11a having an LED array and a linear light receiving unit 11b having a CCD sensor and the like. The light emitting portion 11a and the light receiving portion 11b are provided at positions facing each other across the end portion of the substrate along the radial direction of the substrate stage 12.

発光部11aから照射された光は受光部11bにて受光されるわけだが、発光部11aから受光部11bへと照射される光を遮る基板200の領域に応じて、受光部11b(遮光センサ11)が感知する光量(遮光量)は変化する。すなわち、遮光量が大きくなるほど、基板200の上記光を遮る領域が大きくなり、該遮る領域の端部と回転ホルダー12の回転中心との間の距離は大きくなる。このように、遮光量と、基板200の端部と基板ステージ12の回転中心(仮想中心)との間の距離とは相関関係がある。従って、ある瞬間(基板200のある計測箇所)における遮光量を計測することは、該ある瞬間における、上記遮光量を検出した計測箇所と上記回転中心(仮想中心)との間の面内方向距離を計測することと同義となる。   The light emitted from the light emitting unit 11a is received by the light receiving unit 11b. Depending on the region of the substrate 200 that blocks the light emitted from the light emitting unit 11a to the light receiving unit 11b, the light receiving unit 11b (the light shielding sensor 11). ) Changes the amount of light (light shielding amount). That is, as the light shielding amount increases, the area of the substrate 200 that blocks the light increases, and the distance between the end of the blocking area and the rotation center of the rotary holder 12 increases. Thus, there is a correlation between the light shielding amount and the distance between the end of the substrate 200 and the rotation center (virtual center) of the substrate stage 12. Therefore, measuring the light shielding amount at a certain moment (a measurement location on the substrate 200) means that the in-plane direction distance between the measurement location where the light shielding amount is detected and the rotation center (virtual center) at the certain moment. It is synonymous with measuring.

遮光センサ11は、発光部11aからの光のうち、基板200の端部にて遮光された光を受光部11bで検出し、遮光量信号として制御装置13へと出力する。基板ステージ12、遮光センサ11及びこれらを制御する制御装置13は、本実施形態の基板位置決め装置に含まれる。   The light shielding sensor 11 detects the light shielded at the end of the substrate 200 among the light from the light emitting part 11a by the light receiving part 11b, and outputs it to the control device 13 as a light shielding amount signal. The substrate stage 12, the light shielding sensor 11, and the control device 13 for controlling them are included in the substrate positioning device of this embodiment.

制御装置13は、遮光センサ11からの遮光量信号、及び、基板ステージ12からの回転角度信号を、基板ステージ12の回転中に所定の時間間隔で受信しており、これらを対応させた計測波形を取得し、これに基づき後述する基板位置決め動作を実行する。   The control device 13 receives the light shielding amount signal from the light shielding sensor 11 and the rotation angle signal from the substrate stage 12 at a predetermined time interval during the rotation of the substrate stage 12, and a measurement waveform corresponding to these signals. Based on this, a substrate positioning operation described later is executed.

なお、本実施形態では、基板ステージ12からの回転角度信号は、基板ステージ12に内蔵されたロータリエンコーダの出力パルスであり、これに基づいて回転角度が算出される。すなわち、ロータリエンコーダは、基板200の端部の所定の点を基準点とすると、該基準点と回転ホルダー12の回転中心(仮想中心)とを結ぶ線分と、上記端部における基準点以外の点(計測箇所)と回転ホルダー12の回転中心とを結ぶ線分とのなす角度(回転角度)を取得することができる。   In the present embodiment, the rotation angle signal from the substrate stage 12 is an output pulse of a rotary encoder built in the substrate stage 12, and the rotation angle is calculated based on this. That is, when the rotary encoder has a predetermined point at the end portion of the substrate 200 as a reference point, a line segment connecting the reference point and the rotation center (virtual center) of the rotary holder 12 and a reference point other than the reference point at the end portion are used. The angle (rotation angle) formed by the line connecting the point (measurement location) and the rotation center of the rotary holder 12 can be acquired.

また、制御装置13は、プログラムにより動作するコンピュータなどから構成されるもので、種々の演算、制御、判別などの処理動作を実行するCPU(不図示)を備える。また、制御部13は、このCPUによって実行される様々な制御プログラムなどを格納する記憶部(不図示)を有する。この記憶部は、CPUの処理動作中のデータや入力データなどを一時的に格納するメモリ部を有することもできる。上記記憶部には、コンピュータを制御装置13として動作させるプログラムも格納される。   The control device 13 is configured by a computer or the like that is operated by a program, and includes a CPU (not shown) that executes processing operations such as various calculations, control, and determination. In addition, the control unit 13 includes a storage unit (not shown) that stores various control programs executed by the CPU. The storage unit can also include a memory unit that temporarily stores data during CPU processing operations, input data, and the like. The storage unit also stores a program that causes the computer to operate as the control device 13.

図4は、本実施形態に係る制御装置13の、基板を位置決めするための処理を示すフローチャートを示す図である。   FIG. 4 is a flowchart illustrating processing for positioning the substrate in the control device 13 according to the present embodiment.

まず、制御装置13は、基板200が基板ステージ12に載置されたことを検出する(ステップS101)。   First, the control device 13 detects that the substrate 200 has been placed on the substrate stage 12 (step S101).

次に、制御装置13は、基板ステージ12に回転指令を送信して基板ステージ11を回転させ(ステップS102)、遮光センサ11から遮光量信号を受信し、ロータリエンコーダから回転角度信号を受信する。このとき、ロータリエンコーダは、所定の時間間隔で回転角度を取得し、回転角度信号を制御装置13へと送信しているが、遮光センサ11は、該所定の時間間隔と同期して遮光量信号を制御装置13へと送信する。この処理は、所定の時間間隔毎に回転角度を取得しているので、基板200の端部(円周部)の複数の箇所におけるそれぞれの回転角度を取得し、かつ該箇所における遮光量を取得することになる。すなわち、遮光センサ11およびロータリエンコーダは、制御装置13がある回転角度における遮光量を認識できるように、遮光量信号と回転角度信号とを関連付けて送信するのである。
制御装置13は、受信した遮光量信号および回転角度信号に基づいて、各回転角度に対する遮光量をプロットして、計測波形を取得する(ステップS103)。このとき、遮光センサ11およびロータリエンコーダから遮光量信号および回転角度信号が同期して送信されるので、これらの信号をプロットすることにより、計測波形は、図5に示すようなサインカーブに近い波形となって現れる。
なお、上述のように、遮光量を測定することは、上記面内方向距離を測定することに他ならないので、図5に示す計測波形は、基板200の回転角度と、基板200の端部と基板ステージ12の回転中心(仮想中心)との間の距離(面内方向距離)との関係を示す計測波形であるとも言える。
Next, the control device 13 transmits a rotation command to the substrate stage 12 to rotate the substrate stage 11 (step S102), receives a light shielding amount signal from the light shielding sensor 11, and receives a rotation angle signal from the rotary encoder. At this time, the rotary encoder acquires the rotation angle at a predetermined time interval and transmits the rotation angle signal to the control device 13, but the light shielding sensor 11 synchronizes with the predetermined time interval. Is transmitted to the control device 13. In this process, since the rotation angle is acquired at every predetermined time interval, the respective rotation angles at a plurality of locations on the end portion (circumferential portion) of the substrate 200 are acquired, and the light shielding amount at the location is acquired. Will do. That is, the light shielding sensor 11 and the rotary encoder transmit the light shielding amount signal and the rotation angle signal in association with each other so that the control device 13 can recognize the light shielding amount at a certain rotation angle.
The control device 13 plots the light shielding amount with respect to each rotation angle based on the received light shielding amount signal and the rotation angle signal, and acquires a measurement waveform (step S103). At this time, since the light shielding amount signal and the rotation angle signal are transmitted synchronously from the light shielding sensor 11 and the rotary encoder, by plotting these signals, the measured waveform is a waveform close to a sine curve as shown in FIG. Appears as
Note that, as described above, measuring the light shielding amount is nothing but measuring the in-plane direction distance. Therefore, the measurement waveform shown in FIG. 5 includes the rotation angle of the substrate 200, the end portion of the substrate 200, and the like. It can also be said that the measurement waveform indicates the relationship with the distance (in-plane direction distance) between the rotation center (virtual center) of the substrate stage 12.

その後、制御装置13は、ステップS103にて取得した計測波形から所定の算出ルールに従って、図6に示すように、最も遮光量が大きくなる最大偏心位置を推定し、その振幅(最大振幅A1)と角度(最大偏心位置角度α1)とを算出する(ステップS104)。   Thereafter, the control device 13 estimates the maximum eccentric position at which the light shielding amount is maximum as shown in FIG. 6 from the measurement waveform acquired in step S103, according to a predetermined calculation rule, and the amplitude (maximum amplitude A1) and An angle (maximum eccentric position angle α1) is calculated (step S104).

算出ルールとしては、例えば、振幅が最大となる付近の計測値を抽出し、角度が大きくなるに従って振幅が増加傾向から減少傾向に変化する変曲点を最大偏心位置として、その振幅A1と角度α1を算出する。   As a calculation rule, for example, a measurement value in the vicinity where the amplitude is maximum is extracted, and an inflection point where the amplitude changes from an increasing tendency to a decreasing tendency as the angle increases is set as the maximum eccentric position, and the amplitude A1 and the angle α1. Is calculated.

次に、制御装置13は、下記式(1)の角度αと振幅Aに上述のステップで算出した角度α1と振幅A1を代入し、近似式Yを設定する(ステップS105)。
Y=Asin(θ+α)+B…式(1)
Next, the control device 13 substitutes the angle α1 and the amplitude A1 calculated in the above-described steps for the angle α and the amplitude A in the following formula (1), and sets the approximate expression Y (step S105).
Y = Asin (θ + α) + B (1)

図7は、(1)式中の記号A、Bを説明するための図である。図7には、基板200の基板中心と基板ステージ12の回転中心とがずれている状態が示されている。   FIG. 7 is a diagram for explaining symbols A and B in the equation (1). FIG. 7 shows a state where the substrate center of the substrate 200 and the rotation center of the substrate stage 12 are shifted.

ここで、記号Bは振幅の中心値であり、基板中心と基板ステージ12の回転中心が一致して回転させたときの遮光量である。また、記号Aは基板ステージ12の回転中心と基板200の基板中心との距離となる。
なお、記号Aは、基板200の配置ずれに応じて変化する。また、記号Bは、基板サイズによって決まる定数であり、各基板サイズに応じて(すなわち、基板中心と基板ステージ12の回転中心が一致して回転させたときの遮光量に応じて)、予め測定しておき、テーブル等により、基板サイズと関連付けて制御装置13の記憶部に予め保持させても良い。このようにすることで、制御装置13は、基板200のサイズに応じて上記テーブルを参照して、適切な定数Bを取得することができる。
Here, the symbol B is the center value of the amplitude, and is the light shielding amount when the substrate center and the rotation center of the substrate stage 12 are rotated in alignment. Symbol A is the distance between the rotation center of the substrate stage 12 and the substrate center of the substrate 200.
Note that the symbol A changes according to the displacement of the substrate 200. Symbol B is a constant determined by the substrate size, and is measured in advance according to each substrate size (that is, according to the light shielding amount when the substrate center and the rotation center of the substrate stage 12 coincide with each other). A table or the like may be stored in advance in the storage unit of the control device 13 in association with the substrate size. By doing in this way, the control apparatus 13 can acquire the appropriate constant B with reference to the said table according to the size of the board | substrate 200. FIG.

次に、制御装置13は、ステップS105にて設定した近似式と、ステップS103にて取得した計測波形との差の総和Dtを求めて、制御装置13の記憶部が有するメモリ部(不図示)に保存する(ステップS106)。総和Dtは、本実施形態では、一定間隔Rごとに差分Dnを算出して、全周(360°)の合計を算出し、上記メモリ部に保存する。   Next, the control device 13 obtains a sum Dt of differences between the approximate expression set in step S105 and the measurement waveform acquired in step S103, and a memory unit (not shown) included in the storage unit of the control device 13. (Step S106). In the present embodiment, the total sum Dt is calculated by calculating the difference Dn at every fixed interval R, calculating the sum of the entire circumference (360 °), and storing it in the memory unit.

この後、制御装置13は、α>α1+S、α<α1−Sを確認することにより所定の探索範囲(α1±S°)の探索が終了したかを確認する(ステップS107)。ここで、記号Sは所定の値である。   Thereafter, the control device 13 confirms whether or not the search for the predetermined search range (α1 ± S °) is completed by confirming α> α1 + S and α <α1-S (step S107). Here, the symbol S is a predetermined value.

ステップS107にて所定の探索範囲の探索が終了していないことが確認された場合には、制御装置13は、式(1)中の角度αの値をα1から所定量であるθ1ずつ前後にシフトさせた近似式を設定する(ステップS108)。このとき、θ1をn(nは自然数)回ずつ前後にシフトすれば良い。次いで、制御装置13は、ステップS105に戻って、n・θ1だけシフトした角度αのそれぞれに対して近似式を設定する。次いで、制御装置13は、該設定した近似式のそれぞれと計測波形との差分を求めて、求めた差分の各々をメモリ部に保存する(ステップS106)。すなわち、各角度αに対応する総和Dtをメモリ部に保存する。従って、制御装置13は、メモリ部から所定の総和Dtを取得することにより、該総和Dtに対応する角度αを取得することができ、対応する近似式を抽出することができる。   When it is confirmed in step S107 that the search for the predetermined search range has not been completed, the control device 13 increases the value of the angle α in the equation (1) from α1 to around θ1 that is a predetermined amount. The shifted approximate expression is set (step S108). At this time, θ1 may be shifted back and forth by n (n is a natural number) times. Next, the control device 13 returns to step S105 and sets an approximate expression for each of the angles α shifted by n · θ1. Next, the control device 13 obtains a difference between each of the set approximate equations and the measured waveform, and stores each obtained difference in the memory unit (step S106). That is, the sum Dt corresponding to each angle α is stored in the memory unit. Therefore, the control device 13 can acquire the angle α corresponding to the total sum Dt by acquiring the predetermined total sum Dt from the memory unit, and can extract the corresponding approximate expression.

ステップS105〜S108の動作は、ステップS107にて所定の探索範囲の探索が終了していることが確認されるまで行われ、これにより、所定の探索範囲(α1±S°)が探索し終わるまで、繰り返されることとなる。   The operations in steps S105 to S108 are performed until it is confirmed in step S107 that the search for the predetermined search range has been completed, and thereby the predetermined search range (α1 ± S °) has been searched. Will be repeated.

その後、制御装置13は、メモリ部に保存された各角度aに対応する総和Dtを参照して、探索した近似式の中で最も総和Dtの小さかった近似式を抽出し、そのときの角度αの値をαminとして算出する(ステップS109)。このステップS105〜S109は第1探索ステップである。すなわち、制御装置13は、第1探索ステップにおいて、式(1)中の角度αの値を所定量だけシフトし、該シフトした値の角度αに対する近似式をそれぞれ求め、該求められた近似式の中から、始めに設定した近似式よりも上記計測波形との差分が小さい近似式を探索する。   Thereafter, the control device 13 refers to the sum Dt corresponding to each angle a stored in the memory unit, and extracts the approximate expression having the smallest sum Dt from the searched approximate expressions, and the angle α at that time α Is calculated as αmin (step S109). Steps S105 to S109 are first search steps. That is, in the first search step, the control device 13 shifts the value of the angle α in the expression (1) by a predetermined amount, obtains approximate expressions for the angle α of the shifted value, and obtains the obtained approximate expression. From these, an approximate expression having a smaller difference from the measured waveform than the initially set approximate expression is searched.

次に、第1探索ステップと同様にして、第2探索ステップを行う。   Next, the second search step is performed in the same manner as the first search step.

このとき、制御装置13は、上記式(1)の振幅Aには最大振幅A1、角度αはステップS109で算出したαminとして近似式を設定し(ステップS110)、ステップS106と同様にして、このαminの値を所定量であるθ1′単位でシフトさせた近似式の計測波形との差分の総和Dtを算出、保存する(ステップS111)。   At this time, the control device 13 sets an approximate expression as the maximum amplitude A1 and the angle α as αmin calculated in step S109 for the amplitude A in the above formula (1) (step S110), A sum Dt of differences from the approximated measurement waveform obtained by shifting the value of αmin by a predetermined amount of θ1 ′ is calculated and stored (step S111).

この後、制御装置13は、α>α1+S′、α<α1−S′を確認することにより所定の探索範囲(α1±S°)の探索が終了したかを確認する(ステップS112)。なお、記号S’は、所定量でありその絶対値は、記号Sの絶対値よりも小さい。   Thereafter, the control device 13 confirms whether or not the search for the predetermined search range (α1 ± S °) is completed by confirming α> α1 + S ′ and α <α1−S ′ (step S112). The symbol S ′ is a predetermined amount, and the absolute value thereof is smaller than the absolute value of the symbol S.

ステップS112にて所定の探索範囲の探索が終了していないことが確認された場合には、制御装置13は、ステップS108と同様にして、式(1)中の角度αの値をαminから所定量であるθ1′単位でシフトさせた近似式を設定する(ステップS113)。このとき、θ1′をm(mは自然数)回ずつ前後にシフトすれば良い。次いで、制御装置13は、ステップS110に戻って、m・θ1′だけシフトした角度aのそれぞれに対して近似式を設定する。次いで、制御装置13は、該設定した近似式のそれぞれと計測波形との差分を求めて、求めた差分の各々をメモリ部に保存する。   When it is confirmed in step S112 that the search for the predetermined search range has not ended, the control device 13 determines the value of the angle α in the equation (1) from αmin in the same manner as in step S108. An approximate expression shifted in units of θ1 ′, which is a fixed amount, is set (step S113). At this time, θ1 ′ may be shifted back and forth by m (m is a natural number) times. Next, the control device 13 returns to step S110 and sets an approximate expression for each of the angles a shifted by m · θ1 ′. Next, the control device 13 obtains a difference between each of the set approximate equations and the measurement waveform, and stores each obtained difference in the memory unit.

上記のシフト量θ1′は第1探索ステップでのシフト量θ1よりも小さく、かつ、探索範囲(αmin±S′°)も第1探索ステップの探索範囲(αmin±S°)よりも狭く設定し、精度の高い探索を行う。   The shift amount θ1 ′ is set smaller than the shift amount θ1 in the first search step, and the search range (αmin ± S ′ °) is set to be narrower than the search range (αmin ± S °) in the first search step. , Search with high accuracy.

制御装置13は、メモリ部を参照して、このようにして探索した各近似式の中から最も総和Dtの小さい近似式を抽出する(ステップS114)。   The control device 13 refers to the memory unit and extracts an approximate expression having the smallest total sum Dt from the approximate expressions searched in this way (step S114).

その後、今度は、制御装置13は、ステップS115にて、式(1)中の振幅Aについて、所定の最適ルールに従って最適値の探索を行う。この最適化ルールとしては、例えば、振幅Aの値を現在の最大振幅A1の値から少しずつシフトさせ、所定角度における計測波形の遮光量との差分の全周(360°)にわたる総和を求める。   Then, this time, the control device 13 searches for an optimum value according to a predetermined optimum rule for the amplitude A in the equation (1) in step S115. As this optimization rule, for example, the value of the amplitude A is gradually shifted from the value of the current maximum amplitude A1, and the sum total over the entire circumference (360 °) of the difference from the light shielding amount of the measurement waveform at a predetermined angle is obtained.

上記の総和が負から正、又は、正から負に変わる振幅Aの値を探索する。探索範囲やシフト量を小さくして複数回の探索を行えば、さらに高い精度で近似式を求めることができる。   The value of the amplitude A at which the above sum changes from negative to positive or from positive to negative is searched. If the search range and shift amount are reduced and a plurality of searches are performed, an approximate expression can be obtained with higher accuracy.

制御装置13は、上記の過程を経て最終的な近似式を決定する(ステップS116)。その後、制御装置13は、ステップS116にて決定された近似式に基づいて基板の位置を決定する(ステップS116)。基板の位置は、図7に示すように、記号A,αを決定することで、回転中心からのずれ量として算出することができる。   The control device 13 determines a final approximate expression through the above process (step S116). Thereafter, the control device 13 determines the position of the substrate based on the approximate expression determined in step S116 (step S116). As shown in FIG. 7, the position of the substrate can be calculated as the amount of deviation from the center of rotation by determining the symbols A and α.

なお、基板の位置の修正は、搬送ロボットにより基板を取り出すときにエンドエフェクタの位置を調整することによって修正してもよいし、アライメントチャンバ1に修正用の装置を設けてもよい。   Note that the correction of the position of the substrate may be performed by adjusting the position of the end effector when the substrate is taken out by the transfer robot, or a correction device may be provided in the alignment chamber 1.

上記のように構成される本実施形態では、基板ステージ12は基板を保持する基板保持手段として動作する。   In the present embodiment configured as described above, the substrate stage 12 operates as substrate holding means for holding the substrate.

遮光センサ11、基板ステージ12および制御装置13は、基板200の保持面内における仮想中心から基板端部までの面内方向距離を計測する距離計測手段として動作する。   The light shielding sensor 11, the substrate stage 12, and the control device 13 operate as a distance measuring unit that measures the in-plane direction distance from the virtual center to the end of the substrate in the holding surface of the substrate 200.

また、遮光センサ11、基板ステージ12および制御装置13は、基板200の仮想中心及び基板200の端部の基準点に対して距離計測手段による計測箇所のなす角度を計測する角度取得手段として動作する。   Further, the light shielding sensor 11, the substrate stage 12, and the control device 13 operate as an angle acquisition unit that measures an angle formed by a distance measurement unit with respect to a virtual center of the substrate 200 and a reference point at the end of the substrate 200. .

また、遮光センサ11、基板ステージ12および制御装置13は、距離計測手段及び角度取得手段により複数箇所の基板端部を計測し、計測結果を面内方向距離と角度とを対応させた計測波形として取得する計測波形取得手段として動作する。   Further, the light shielding sensor 11, the substrate stage 12, and the control device 13 measure a plurality of substrate end portions by the distance measuring unit and the angle acquiring unit, and the measurement result is a measurement waveform in which the in-plane direction distance and the angle correspond to each other. It operates as a measurement waveform acquisition means for acquiring.

制御装置13は、計測波形を三角関数に近似し、近似式の記号A又はαの値を所定量シフトさせる第1、第2探索手段を含む近似手段と、近似手段により近似した三角関数に基づいて、基板中心の仮想中心からのずれ量を演算する演算手段として動作する。   The control device 13 approximates the measured waveform to a trigonometric function and based on the approximating means including first and second searching means for shifting the value of the symbol A or α of the approximate expression by a predetermined amount, and the trigonometric function approximated by the approximating means. Thus, it operates as a calculation means for calculating a deviation amount of the substrate center from the virtual center.

図8に、実際の計測波形と上述のようにして求めた近似式とのグラフを示す。測定値にばらつきが生じていても、近似式を用いることで、精確に基板の位置を求めることができる。   FIG. 8 shows a graph of the actual measurement waveform and the approximate expression obtained as described above. Even if the measurement values vary, the position of the substrate can be obtained accurately by using the approximate expression.

特に、これは図9に示すように、基板200の中心位置と仮想中心(回転ステージ12の回転中心)とのずれ量が小さい場合に顕著で、測定値のばらつきとずれ量の区別が困難な場合にも、高い精度で近似式を算出することができる。   In particular, as shown in FIG. 9, this is remarkable when the deviation amount between the center position of the substrate 200 and the virtual center (the rotation center of the rotary stage 12) is small, and it is difficult to distinguish the variation in the measurement value from the deviation amount. Even in this case, the approximate expression can be calculated with high accuracy.

(実施例)
次に、本発明の効果を確認するための試験を行った。
本試験では、図2に示すような装置において、基板ステージ12に基板を載置し、実施例の方法及び比較例の方法で、100回ずつ最大偏芯位置における角度αを算出した。
実施例の方法では、図4に示すフローのように2回の探索を行って近似式を求め、このときの角度αの値を得た。比較例の方法では、計測波形の振幅が最大となる点を最大偏芯位置におけるデータとして、そのときの角度を角度αとして得た。
(Example)
Next, a test for confirming the effect of the present invention was conducted.
In this test, in the apparatus as shown in FIG. 2, the substrate was placed on the substrate stage 12, and the angle α at the maximum eccentric position was calculated 100 times by the method of the example and the method of the comparative example.
In the method of the example, the approximate expression was obtained by performing the search twice as in the flow shown in FIG. 4, and the value of the angle α at this time was obtained. In the method of the comparative example, the point at which the amplitude of the measurement waveform is maximum is obtained as data at the maximum eccentric position, and the angle at that time is obtained as the angle α.

図10及び図11に結果を示す。図10は基板ステージ12の回転中心(仮想中心)からの基板中心のずれ量が2.0mmのとき、図11は同じずれ量が0.2mmと小さいときに行った試験の結果である。   The results are shown in FIGS. FIG. 10 shows the results of a test performed when the amount of deviation of the substrate center from the rotation center (virtual center) of the substrate stage 12 is 2.0 mm, and FIG. 11 shows the results when the same amount of deviation is as small as 0.2 mm.

これらの図に示すように、同じ基板を測定したものでも比較例による場合は、測定ごとに角度αの値のばらつきが大きいが、本実施例による場合には、角度αは測定ごとに角度αの値が安定し、ばらつきが小さいのが確認できる。   As shown in these figures, even when the same substrate is measured, when the comparative example is used, the variation in the value of the angle α is large for each measurement. However, according to this embodiment, the angle α is the angle α for each measurement. It can be confirmed that the value of is stable and the variation is small.

特に、図11に示すように基板のずれ量が小さいときにこの差は顕著であり、このよう場合でも本発明の方法によれば高い精度で基板の位置を決定できることが確認された。   In particular, as shown in FIG. 11, this difference is remarkable when the amount of deviation of the substrate is small. Even in this case, it was confirmed that the position of the substrate can be determined with high accuracy according to the method of the present invention.

近似式を用いることで、求めたウェハーずれ方向の繰返し精度が向上した。   By using the approximate expression, the repeatability in the obtained wafer shift direction was improved.

なお、本発明の適用は、上記実施形態に限定されない。例えば、遮光センサの方を回転させてもよい。また、複数の遮光センサを基板の周囲3か所以上に配置したり、全周を検出可能なCCDカメラを配置してもよい。   The application of the present invention is not limited to the above embodiment. For example, the light shielding sensor may be rotated. Further, a plurality of light shielding sensors may be arranged at three or more locations around the substrate, or a CCD camera capable of detecting the entire circumference may be arranged.

Claims (7)

基板を保持するための基板保持手段と、
前記基板保持手段に基板が保持される場合に、該基板の保持面内における仮想中心から前記基板端部までの面内方向距離を計測する距離計測手段と、
前記仮想中心と基板端部の基準点とを結ぶ線分と、前記距離計測手段により前記面内方向距離が計測された計測箇所と前記仮想中心とを結ぶ線分とのなす角度を計測する角度取得手段と、
前記距離計測手段により計測された面内方向距離及び前記角度取得手段により計測された角度に基づいて、前記面内方向距離と前記角度とを対応させた計測波形を取得する計測波形取得手段と、
前記計測波形を三角関数に近似する近似手段と、
前記近似手段により近似した三角関数に基づいて、前記保持された基板中心の前記仮想中心からのずれ量を演算する演算手段と
を備えることを特徴とする基板位置決め装置。
Substrate holding means for holding the substrate;
A distance measuring means for measuring an in-plane direction distance from a virtual center in the holding surface of the substrate to the edge of the substrate when the substrate is held by the substrate holding means;
An angle for measuring an angle formed by a line segment connecting the virtual center and the reference point of the substrate edge, and a line segment connecting the virtual center and the measurement point where the distance in the in-plane direction is measured by the distance measuring unit. Acquisition means;
Based on the in-plane direction distance measured by the distance measurement unit and the angle measured by the angle acquisition unit, a measurement waveform acquisition unit that acquires a measurement waveform corresponding to the in-plane direction distance and the angle;
Approximation means for approximating the measurement waveform to a trigonometric function;
A substrate positioning apparatus comprising: an arithmetic unit that calculates a deviation amount of the held substrate center from the virtual center based on a trigonometric function approximated by the approximating unit.
前記近似手段は、下記式(1)に設定した近似式の記号Aおよび記号αの少なくとも一方の値を所定量シフトさせ、当該近似式と前記計測波形の差分を算出する動作を繰り返し、前記設定した近似式よりも前記計測波形との差分が小さい近似式を探索する第1探索手段を備えることを特徴とする請求項1に記載の基板位置決め装置。
Asin(θ+α)+B…式(1)
The approximating means shifts a value of at least one of the symbol A and the symbol α of the approximate formula set in the following formula (1) by a predetermined amount, repeats the operation of calculating the difference between the approximate formula and the measured waveform, and sets the setting The substrate positioning apparatus according to claim 1, further comprising a first search unit that searches for an approximate expression having a smaller difference from the measurement waveform than the approximate expression.
Asin (θ + α) + B (1)
前記近似手段は、前記第1探索手段により探索された、前記計測波形との差分がより小さい記号Aおよび記号αの少なくとも一方の値について、前記第1探索手段によりも小さい所定量ずつ前後にシフトさせ、当該近似式と前記計測波形の差分を算出する動作を繰り返し、前記第1探索手段により探索した近似式よりも前記計測波形との差分が小さい近似式を探索する前記第2探索手段をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の基板位置決め装置。   The approximating means shifts back and forth by a predetermined amount smaller than the first searching means for at least one of the values of the symbols A and α searched for by the first searching means and having a smaller difference from the measured waveform. The second search means for searching for an approximate expression having a smaller difference from the measured waveform than the approximate expression searched for by the first search means by repeating the operation of calculating the difference between the approximate expression and the measured waveform. The substrate positioning apparatus according to claim 2, further comprising: 前記基板保持手段により保持される基板を前記保持面内において、前記距離計測手段に対して相対的に回転させる回転手段をさらに備え、
前記距離計測手段は、前記仮想中心から所定距離離れた位置に配置され、前記相対的に回転する基板端部を複数回検出することで、前記基板端部の複数箇所の前記仮想中心からの距離を計測することを特徴とする請求項1に記載の基板位置決め装置。
A rotating means for rotating the substrate held by the substrate holding means relative to the distance measuring means within the holding surface;
The distance measuring means is disposed at a position away from the virtual center by a predetermined distance, and detects the relatively rotating substrate end portion a plurality of times, thereby detecting the distance from the virtual center at a plurality of locations of the substrate end portion. The substrate positioning apparatus according to claim 1, wherein:
基板の保持面内における仮想中心から基板端部までの面内方向距離と、前記仮想中心と基板端部の基準点とを結ぶ線分と、前記面内方向距離が計測された計測箇所と前記仮想中心とを結ぶ線分とのなす角度と、を対応させた計測波形を取得する計測波形取得ステップと、
前記計測波形を三角関数に近似する近似ステップと、
前記近似ステップにおいて近似した三角関数に基づいて、前記保持面に保持された基板中心の前記仮想中心からのずれ量を演算する演算ステップと
をコンピュータに実行させることを特徴とする基板位置決めプログラム。
In-plane direction distance from the virtual center to the substrate end in the holding surface of the substrate, a line segment connecting the virtual center and the reference point of the substrate end, the measurement location where the in-plane direction distance was measured, and the A measurement waveform acquisition step for acquiring a measurement waveform corresponding to an angle formed by a line connecting the virtual center;
An approximation step for approximating the measured waveform to a trigonometric function;
A substrate positioning program that causes a computer to execute a calculation step of calculating a deviation amount of the substrate center held on the holding surface from the virtual center based on the trigonometric function approximated in the approximation step.
請求項1に記載の基板位置決め装置と、
基板を搬送させるための搬送ロボットを備えた搬送チャンバと、
前記搬送チャンバに接続し、前記搬送ロボットにより基板の搬送が可能に構成され、搬送された基板に対し処理を行うためのプロセスチャンバと
を備えることを特徴とする基板処理装置。
A substrate positioning device according to claim 1;
A transfer chamber having a transfer robot for transferring a substrate;
A substrate processing apparatus comprising: a process chamber connected to the transfer chamber and configured to be able to transfer a substrate by the transfer robot, and performing a process on the transferred substrate.
請求項6に記載の基板処理装置を用いて、電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。   An electronic device manufacturing method, wherein an electronic device is manufactured using the substrate processing apparatus according to claim 6.
JP2010543964A 2008-12-25 2009-10-29 Substrate positioning apparatus, substrate processing apparatus, substrate positioning program, and electronic device manufacturing method Withdrawn JPWO2010073817A1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008330815 2008-12-25
JP2008330815 2008-12-25
PCT/JP2009/068580 WO2010073817A1 (en) 2008-12-25 2009-10-29 Substrate positioning system, substrate processing apparatus, substrate positioning program, and electronic device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2010073817A1 true JPWO2010073817A1 (en) 2012-06-14

Family

ID=42287442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010543964A Withdrawn JPWO2010073817A1 (en) 2008-12-25 2009-10-29 Substrate positioning apparatus, substrate processing apparatus, substrate positioning program, and electronic device manufacturing method

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPWO2010073817A1 (en)
TW (1) TW201034111A (en)
WO (1) WO2010073817A1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016125204A1 (en) * 2015-02-04 2016-08-11 川崎重工業株式会社 Automatic robot deviation adjustment device and automatic robot deviation adjustment method
EP3082155B1 (en) 2015-04-14 2023-08-30 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11127618B2 (en) 2016-08-29 2021-09-21 Asml Netherlands B.V. System for dynamically compensating position errors of a sample
JP6869111B2 (en) * 2017-06-06 2021-05-12 東京エレクトロン株式会社 Board delivery method and board processing equipment

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2796296B2 (en) * 1987-08-28 1998-09-10 東京エレクトロン株式会社 Wafer pre-alignment method
JP3748940B2 (en) * 1995-03-20 2006-02-22 東京エレクトロン株式会社 Positioning device, processing system, and positioning method
JP2004199416A (en) * 2002-12-19 2004-07-15 Hitachi Zosen Corp Object azimuth detection device and device for detecting shifted angle of composite object

Also Published As

Publication number Publication date
TW201034111A (en) 2010-09-16
WO2010073817A1 (en) 2010-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6710518B2 (en) Conveying device and correction method
JP4961895B2 (en) Wafer transfer device, wafer transfer method, and storage medium
TWI397969B (en) Process apparatus with on-the-fly workpiece centering
US9446522B2 (en) Presence sensing and position correction for wafer on a carrier ring
TWI375293B (en) Method to position a wafer
JP4884345B2 (en) Image processing device
WO2004059699A2 (en) System and method for on-the-fly eccentricity recognition
JP2006351884A (en) Substrate conveyance mechanism and processing system
KR20100016329A (en) Processing device, processing method, method of recognizing processing target body, and storage medium
JP2002246447A (en) Dislocation detecting device for object to be processed, processing system and dislocation detecting method
JPWO2010073817A1 (en) Substrate positioning apparatus, substrate processing apparatus, substrate positioning program, and electronic device manufacturing method
TW200717690A (en) Vacuum processing method and vacuum processing apparatus
CN101832757A (en) Method for detecting offset position of wafer
TW201728516A (en) Substrate conveying method and substrate processing system capable of correctly determining the center position of a substrate by calculation
US20100085582A1 (en) Apparatus and method for the determination of the position of a disk-shaped object
JP2002246444A (en) Method and device for detecting position of wafer
JP2010287816A (en) Apparatus and method for positioning substrate
JP2018133415A5 (en)
WO2016199224A1 (en) Substrate transfer method and substrate transfer device
JP2009129944A (en) Aligner apparatus
CN114156219A (en) Positioning method for positioning wafer in edge etching chamber
JP2013080795A (en) Apparatus for manufacturing ic chip package
JP2000208590A (en) Method and apparatus for detecting position of wafer
KR100573471B1 (en) Wafer align method using digital image
JP6035035B2 (en) Substrate transport apparatus and substrate transport method

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120710

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20130122