JPS647414U - - Google Patents

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JPS647414U
JPS647414U JP10250187U JP10250187U JPS647414U JP S647414 U JPS647414 U JP S647414U JP 10250187 U JP10250187 U JP 10250187U JP 10250187 U JP10250187 U JP 10250187U JP S647414 U JPS647414 U JP S647414U
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JP
Japan
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transmission line
metal
electrode
fet
junction diode
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JP10250187U
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Publication date
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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例を示す回路レイア
ウト図、第2図はpn接合ダイオード容量の電圧
特性を示した図、第3図は従来のモノリシツク・
ガリウムヒ素FET発振器の回路レイアウト図、
第4図は従来のモノリシツク・ガリウムヒ素FE
T発振器の誘電体共振器の装荷方法を示した構造
図である。 図中、3はドレイン電極、4はFET、5は伝
送線路、16は金属―絶縁体―金属キヤパシタ、
17は出力回路、25はpn接合ダイオード容量
、28はバイアス線路、29はバイアス電極であ
る。なお、各図中同一符号は同一または相当部分
を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. FETとこのFETのドレイン電極に接続され
    た伝送線路と、この伝送線路に並列に接続される
    pn接合ダイオード容量と、このpn接合ダイオ
    ード容量のシヨツトキーダイオード電極と、この
    pn接合ダイオード電極に接続されたバイアス線
    路と、このバイアス線路に接続されたバイアス電
    極と、上記伝線路に直列に接続される金属―絶縁
    体―金属キヤパシタと、この金属―半導体―金属
    キヤパシタに接続された出力回路とをガリウムヒ
    素基板上に形成したことを特徴とするモノリシツ
    ク・ガリウムヒ素FET発振器。
JP10250187U 1987-07-03 1987-07-03 Pending JPS647414U (ja)

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JP10250187U JPS647414U (ja) 1987-07-03 1987-07-03

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JPS647414U true JPS647414U (ja) 1989-01-17

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