JPS646614B2 - - Google Patents

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JPS646614B2
JPS646614B2 JP5174680A JP5174680A JPS646614B2 JP S646614 B2 JPS646614 B2 JP S646614B2 JP 5174680 A JP5174680 A JP 5174680A JP 5174680 A JP5174680 A JP 5174680A JP S646614 B2 JPS646614 B2 JP S646614B2
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Japan
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circuit
overvoltage
surge
absorption
lateral
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JP5174680A
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Japanese (ja)
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JPS56148131A (en
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Akira Tomono
Tadahiro Nagayama
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は複数の対通信線を使用する電話機系装
置の横サージ吸収回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a lateral surge absorption circuit for telephone equipment using a plurality of paired communication lines.

従来、ボタン電話機など複数の対通信線を用い
る装置では、縦サージから装置を保護するため
に、第1図に示すように各線と大地間に縦サージ
を吸収する過電圧吸収素子が用いられている。同
図において5,6,7,8は2端子の過電圧吸収
素子で各線に1個ずつ一端を接続し、他端を共通
にして接続するもの、9,10は3端子の過電圧
吸収素子でそれぞれ5と6,7と8を一体化した
特性を持つものである。過電圧吸収素子には炭素
避雷器や避雷管のように放電を利用するものと定
電圧で動作する過電圧制限素子を用いるものがあ
るが、どちらを用いても複数の対通信線を用いる
装置では雷サージ侵入時には各線間に横サージと
呼ばれる高い電圧が発生する。横サージ発生機構
を説明する。
Conventionally, in devices such as button telephones that use multiple communication lines, in order to protect the device from vertical surges, overvoltage absorption elements are used between each line and the ground to absorb vertical surges, as shown in Figure 1. . In the figure, 5, 6, 7, and 8 are two-terminal overvoltage absorbing elements, one end of which is connected to each line, and the other end is connected in common, and 9 and 10 are three-terminal overvoltage absorbing elements, respectively. It has the characteristic of integrating 5 and 6, 7 and 8. There are two types of overvoltage absorbing elements: those that utilize electrical discharge, such as carbon lightning arresters and detonators, and those that use overvoltage limiting elements that operate at a constant voltage, but no matter which one is used, devices that use multiple pairs of communication lines will suffer from lightning surges. When an intrusion occurs, a high voltage called a lateral surge is generated between each line. The lateral surge generation mechanism will be explained.

第2図は、過電圧吸収素子として放電を利用す
る避雷器を用いた場合の横サージ発生機構を示す
図である。放電を利用する電話機用の避雷器は、
放電用始電圧が600〜1000Vとかなりのばらつき
があるため、サージが各線に同位相で侵入しても
○イ,○ロに示すように放電開始時間に遅れを生じた
り、○ハのように放電しない場合もあり、これによ
る横サージが○ニ,○ホのように発生する。○ニは○イ

○ロの間に発生する横サージ、○ホは○ロと○ハの間に

生する横サージである。また、位相が異つたサー
ジが侵入した場合には放電開始時間の遅れは一層
進み、さらに横サージを発生し易くなる。これら
の横サージは放電に起因するため、波形の立上り
は極めて早く0.1μsec以下になる場合もある。ま
た、電圧は縦サージの立上り早さにもよるが最大
1000Vにも達することがあり、横サージの継続時
間は○ホの場合が最も長く最大200μsec程度になる
場合もある。しかも、この横サージは2極避雷器
を用いた場合には、1,2,3,4の任意の線間
に現われ、3極避雷器を用いた場合には主として
AとB間に現われる。
FIG. 2 is a diagram showing a lateral surge generation mechanism when a lightning arrester that utilizes discharge is used as an overvoltage absorbing element. Lightning arresters for telephones that use electrical discharge are
Since the starting voltage for discharge varies considerably from 600 to 1000V, even if a surge enters each line in the same phase, the discharge start time may be delayed as shown in ○A and ○B, or as shown in ○C. Sometimes there is no discharge, and this causes lateral surges like ○D and ○E. ○D is a lateral surge that occurs between ○A and ○Ro, and ○Ho is a lateral surge that occurs between ○Ro and ○C. Furthermore, when a surge with a different phase enters, the delay in the discharge start time is further increased, and a lateral surge is more likely to occur. Since these lateral surges are caused by discharge, the rise of the waveform is extremely fast, sometimes less than 0.1 μsec. Also, the voltage depends on how quickly the vertical surge rises, but the maximum
It can reach up to 1000V, and the duration of the lateral surge is the longest in the case of ○ and can be up to about 200μsec. Moreover, this lateral surge appears between arbitrary lines 1, 2, 3, and 4 when a 2-pole arrester is used, and mainly appears between A and B when a 3-pole arrester is used.

第3図は、過電圧吸収素子として定電圧で動作
する過電圧制限素子を用いた場合の横サージ発生
機構を示す図である。過電圧制限素子とは半導体
バリスタや定電圧ダイオードなどであるが、これ
らは動作がきわめて早くばらつきも少ないので同
位相サージに対しては横サージの発生は少ない。
対通信線のL1,L2は局から加入者まで必ず同一
ルートで配線されるのでこれらに侵入するサージ
は同位相と考えられ、過電圧制限素子を用いた場
合にはこれらの線間の横サージは小さい。しか
し、複数の対通信線を用いる装置では、これらの
対通信線が局から加入者まで全て同一ルートで配
線されているとは限らず異ルートになる場合もあ
るため、各対通信線には位相及び電圧の異なるサ
ージが侵入する場合がある。この場合には、○ヘ,
○トのように過電圧制限素子が動作して縦サージの
電圧を素子の制限電圧に制限しても、対通信線間
には○チのような横サージが発生する。横サージの
最大値は対通信線に大地に対して逆極性の縦サー
ジが侵入したときに発生するもので、この場合に
は素子の制限電圧の2倍の電圧最大1000V程度が
印加されることがある。
FIG. 3 is a diagram showing a lateral surge generation mechanism when an overvoltage limiting element that operates at a constant voltage is used as an overvoltage absorbing element. Overvoltage limiting elements include semiconductor varistors and constant voltage diodes, which operate extremely quickly and have little variation, so lateral surges are less likely to occur in response to same-phase surges.
Since the communication lines L 1 and L 2 are always routed along the same route from the station to the subscriber, surges that enter these lines are considered to be in the same phase, and when an overvoltage limiting element is used, the surges between these lines are The surge is small. However, in devices that use multiple communication lines, these lines are not necessarily routed along the same route from the station to the subscriber, and may take different routes. Surges with different phases and voltages may enter. In this case,
Even if the overvoltage limiting element operates to limit the voltage of the vertical surge to the limiting voltage of the element as shown in ○, a horizontal surge as shown in ○ is generated between the paired communication lines. The maximum value of horizontal surge occurs when a vertical surge of opposite polarity to the ground enters the communication line, and in this case, a maximum voltage of about 1000V, which is twice the limiting voltage of the element, is applied. There is.

以上のように、複数の対通信線を使用する電話
系装置においては、従来のどのような縦サージ吸
収回路を使用しても各線間に横サージが発生し、
この電圧は対通信線間が特に高く最大1000V、立
上り時間は最小0.1μsec以下、サージ継続時間は
最大200μsec程度になる場合がある。
As described above, in telephone equipment that uses multiple communication lines, no matter what kind of conventional vertical surge absorption circuit is used, horizontal surges occur between each line.
This voltage is particularly high between the communication lines, reaching a maximum of 1000V, with a minimum rise time of 0.1μsec or less, and a surge duration of up to 200μsec.

また、複数の対通信線を用いる装置では通話路
を切替えるスイツチが電子化される傾向にある
が、交叉点に使用する半導体素子の耐圧は高々
500V程度であるため、交叉点に上記のような高
電圧が印加されるとスイツチは破壊する恐れがあ
る。しかも、この通話路スイツチがPNPN素子
で構成されているような場合には、立上りの早い
横サージによつてPNPN素子のdv/dt耐量オー
バによる誤動作や破壊が起きる恐れもある。従つ
て、電子通話路を用いる装置では横サージを効率
的に吸収するサージ吸収回路が重要である。
Additionally, in devices that use multiple communication lines, there is a trend toward electronic switches for switching communication paths, but the withstand voltage of the semiconductor elements used at the crossing points is high.
Since the voltage is approximately 500V, there is a risk that the switch will be destroyed if such a high voltage as mentioned above is applied to the crossing point. Furthermore, if this communication path switch is constructed of PNPN elements, there is a risk that a lateral surge that rises quickly will cause malfunction or destruction of the PNPN elements due to their dv/dt tolerance being exceeded. Therefore, in devices using electronic communications channels, a surge absorption circuit that efficiently absorbs lateral surges is important.

本発明は、横サージ電圧の制限及び立上り早さ
の制限により通信装置の回路の保護及びその中の
PNPNスイツチの誤動作、破壊の防止を行ない
得る横サージ吸収回路を提供するものである。
The present invention protects the circuits of communication devices by limiting the lateral surge voltage and limiting the rising speed.
The present invention provides a lateral surge absorption circuit that can prevent malfunction and destruction of a PNPN switch.

以下に図面を用いて本発明を詳細に説明する。 The present invention will be explained in detail below using the drawings.

第4図は本発明の実施例で、2つの対通信線を
用いる装置の横サージ吸収回路である。図におい
て、11,12は整流用のダイオードブツジ、1
1―1,2、12―1,2は被整流波入力端子、
11―3,4、12―3,4は整流出力端子、1
3は過電圧吸収回路である。この回路の動作原理
を説明する。横サージは1,2,3,4の任意の
線間に発生する可能性があるが、どの横サージも
過電圧吸収回路13の2端子間に印加される。こ
れは次の理由による。例えば、通信線1と2の間
に発生する横サージは、〔1→11(1)→11(3)→
13→11(4)→11(2)→2〕の回路に印加され、
1と3の間に発生する横サージは、〔1→11(1)
→11(3)→13→12(4)→12(1)→3〕の回路に
印加され、他の線間に発生する横サージも2つの
順方向ダイオードと過電圧吸収回路13の直列回
路に印加されるが、ダイオードの順方向降下電圧
は小さいので横サージの電圧のほとんどは過電圧
吸収回路13の2端子間に印加される。従つて、
過電圧吸収回路13には電話の信号では動作しな
いがサージに対して動作する特性を有する過電圧
吸収回路を用いれば、任意の線間の横サージを全
てこの過電圧吸収回路13で吸収することができ
る。また、過電圧吸収回路13には電圧は一方向
にのみ印加されるので単一方向性の吸収回路を用
いることもできる。ここで、過電圧吸収回路は、 放電を利用する避雷器、例えば2極避雷管や
カーボン避雷器、 定電圧で動作する過電圧制限素子、例えば半
導バリスタや定電圧ダイオード、 スイツチング素子、例えばサイリスタやシヨ
ツクレーダイオード、 などを用いて構成することができる。
FIG. 4 shows an embodiment of the present invention, which is a lateral surge absorption circuit for a device using two paired communication lines. In the figure, 11 and 12 are diode blocks for rectification;
1-1, 2, 12-1, 2 are rectified wave input terminals,
11-3, 4, 12-3, 4 are rectified output terminals, 1
3 is an overvoltage absorption circuit. The operating principle of this circuit will be explained. A lateral surge may occur between any of the lines 1, 2, 3, and 4, but any lateral surge is applied between two terminals of the overvoltage absorption circuit 13. This is due to the following reason. For example, the lateral surge that occurs between communication lines 1 and 2 is [1→11(1)→11(3)→
13→11(4)→11(2)→2] is applied to the circuit,
The lateral surge that occurs between 1 and 3 is [1→11(1)
→11(3)→13→12(4)→12(1)→3], and the lateral surge generated between other lines is also applied to the series circuit of two forward diodes and overvoltage absorption circuit 13. However, since the forward voltage drop of the diode is small, most of the voltage of the lateral surge is applied between the two terminals of the overvoltage absorption circuit 13. Therefore,
If the overvoltage absorption circuit 13 is an overvoltage absorption circuit that does not operate on telephone signals but has the characteristic of operating against surges, the overvoltage absorption circuit 13 can absorb all horizontal surges between arbitrary lines. Further, since voltage is applied to the overvoltage absorption circuit 13 only in one direction, a unidirectional absorption circuit can also be used. Here, the overvoltage absorption circuit includes a lightning arrester that uses discharge, such as a two-pole lightning arrester or a carbon lightning arrester, an overvoltage limiting element that operates at a constant voltage, such as a semiconductor varistor or a constant voltage diode, and a switching element such as a thyristor or Schottley diode. , etc. can be used.

第5図は、第1図の縦サージ吸収回路に本発明
の横サージ吸収回路を接続した図である。第5図
の回路では5,6,7,8又は9,10で縦サー
ジを吸収し、過電圧吸収回路13で横サージを吸
収する。
FIG. 5 is a diagram in which the horizontal surge absorption circuit of the present invention is connected to the vertical surge absorption circuit of FIG. 1. In the circuit shown in FIG. 5, vertical surges are absorbed by circuits 5, 6, 7, 8 or 9, 10, and horizontal surges are absorbed by overvoltage absorption circuit 13.

第6〜15図の各回路は、過電圧吸収回路13
の具体例で以下の特徴をもつ。
Each circuit in FIGS. 6 to 15 is an overvoltage absorption circuit 13.
This is a specific example with the following characteristics.

第6図は定電圧で動作する過電圧制限素子14
とこれに直列に過電圧吸収素子15を接続した回
路である。この回路の特徴を説明する。電話機で
使用される電圧は主として4KHzの音声信号が
重畳された約48Vの直流電圧、ベル信号に使用
される16Hzで実効値75Vの交流電圧、機器の絶
縁試験に使用される約250Vの直流電圧である。
第6図の回路はこれらの信号では動作してはなら
ずまた信号に影響を与えてもならない。過電圧制
限素子14に約48Vの直流電圧に音声信号の振幅
を加えた電圧以上の電圧で動作するものを用いる
と、第6図の回路では過電圧吸収素子15によら
ずでは動作せず、また過電圧制限素子14は不
動作状態での容量は小さいので音声信号に影響を
与えない。従つて、過電圧吸収素子15はベル信
号に影響を与えず、また直流250Vから過電圧制
限素子14の動作電圧を引いた直流電圧で動作し
ない条件のみに注意して、できるだけ低い電圧で
動作するように回路を設計することができる。な
お、第6図の回路は極性が定つているので過電圧
制限素子14には単一極性の素子を用いることも
可能である。
Figure 6 shows an overvoltage limiting element 14 that operates at a constant voltage.
This is a circuit in which an overvoltage absorbing element 15 is connected in series with this. The characteristics of this circuit will be explained. The voltages used in telephones are mainly approximately 48V DC voltage with a 4KHz voice signal superimposed, AC voltage with an effective value of 75V at 16Hz used for bell signals, and approximately 250V DC voltage used for equipment insulation tests. It is.
The circuit of FIG. 6 must not operate on or affect these signals. If the overvoltage limiting element 14 is one that operates at a voltage higher than the DC voltage of approximately 48 V plus the amplitude of the audio signal, the circuit shown in Fig. 6 will not operate without the overvoltage absorbing element 15, and the overvoltage will be reduced. Since the limiting element 14 has a small capacitance in an inactive state, it does not affect the audio signal. Therefore, the overvoltage absorbing element 15 is designed to operate at as low a voltage as possible without affecting the bell signal, and by paying attention to the condition that it does not operate at a DC voltage of 250V DC minus the operating voltage of the overvoltage limiting element 14. Can design circuits. Note that since the circuit shown in FIG. 6 has fixed polarity, it is also possible to use an element with a single polarity as the overvoltage limiting element 14.

第7図は過電圧制限素子14として双極性の過
電圧制限素子例である半導体バリスタ16を用い
た回路例、第8図は単一極性の過電圧制限素子例
である定電圧ダイオード17を用いた回路例であ
る。
FIG. 7 is an example of a circuit using a semiconductor varistor 16, which is an example of a bipolar overvoltage limiting element, as the overvoltage limiting element 14, and FIG. 8 is an example of a circuit using a constant voltage diode 17, which is an example of a unipolar overvoltage limiting element. It is.

第9図は過電圧吸収素子15としてコンデンサ
18と過電圧吸収素子19の並列回路を用いたも
のである。19としてはサイリスタ、シヨツクレ
ーダイオードなどの半導体スイツチング素子、バ
リスタ、定電圧ダイオードなど過電圧制限素子な
どが使用できる。コンデンサ18の効果を説明す
る。横サージの立上り早さは前述のように
0.1μsec以下とかなり早いものも存在する。この
ようなサージが第9図の回路に印加された場合、
19がサイリスタや耐圧オーバで動作するシヨツ
クレーダイオードなどサージが侵入してから動作
するまでの間に0.5〜1μsec程度の時間遅れを生ず
る過電圧吸収素子から構成されている場合には、
この遅れ時間に高電圧が発生し悪影響がある場合
がある。コンデンサ18はその容量と線路の抵抗
の時定数によつて横サージの立上りを遅らせ、1
9の動作の時間遅れによる高電圧の発生を防止す
るものである。コンデンサ18は16Hzのベル信号
に影響を与えない条件から3μF程度までの容量を
持つものが使用できるが、線路の抵抗は最低でも
10Ω以上と見込めるので、この時定数は数10μsec
となり、19の動作時間遅れ最大1μsec程度を完
全に補なうことができる。また、この立上りを鈍
らせることは通話路にPNPNスイツチを用いる
装置ではPNPNスイツチのdv/dt耐量オーバに
よる誤動作を防止することにも極めて効果があ
る。第9図の回路中破線で示す29は抵抗であ
る。サージが去つた後においてもなおコンデンサ
18に電荷が残つている場合には次のサージ侵入
時にコンデンサ18は動作しなくなる場合があ
る。抵抗29はサージが去つた後において、コン
デンサ18に残存する電荷を放電させるためのも
ので、ベル信号に影響がない高抵抗である。この
抵抗29は雷サージが短時間に続いて侵入する場
合に特に効果がある。
In FIG. 9, a parallel circuit of a capacitor 18 and an overvoltage absorbing element 19 is used as the overvoltage absorbing element 15. As 19, a semiconductor switching element such as a thyristor or a Schottley diode, or an overvoltage limiting element such as a varistor or a constant voltage diode can be used. The effect of the capacitor 18 will be explained. As mentioned above, the rise speed of the lateral surge is
There are some that are quite fast, less than 0.1μsec. If such a surge is applied to the circuit shown in Figure 9,
If 19 is composed of an overvoltage absorbing element such as a thyristor or a Shockley diode that operates when the withstand voltage is exceeded, which causes a time delay of about 0.5 to 1 μsec between the time a surge enters and the time it operates,
High voltage may be generated during this delay time, which may have an adverse effect. The capacitor 18 delays the rise of the lateral surge by its capacitance and the time constant of the line resistance, and
This prevents the generation of high voltage due to the time delay in the operation of step 9. Capacitor 18 can be used with a capacitance of up to 3μF under the condition that it does not affect the 16Hz bell signal, but the line resistance must be at least
Since it is expected to be 10Ω or more, this time constant is several tens of microseconds.
Therefore, it is possible to completely compensate for the maximum operating time delay of about 1 μsec in No. 19. Also, slowing down this rise is extremely effective in preventing malfunctions due to exceeding the dv/dt tolerance of the PNPN switch in equipment that uses a PNPN switch in the communication path. In the circuit of FIG. 9, 29 indicated by a broken line is a resistor. If charge remains in the capacitor 18 even after the surge has subsided, the capacitor 18 may become inoperable when the next surge occurs. The resistor 29 is used to discharge the charge remaining in the capacitor 18 after the surge has subsided, and is a high resistor that does not affect the bell signal. This resistor 29 is particularly effective when lightning surges occur in a short period of time.

第10図は19にシヨツクレーダイオード20
を用いた場合の回路例である。
In Figure 10, 19 is replaced with a Schottley diode 20.
This is an example of a circuit when using .

第11図は19にサイリスタを用いた過電圧吸
収回路例である。サイリスタを用いる利点はサイ
リスタはゲートに電流を流せば低い電圧で動作す
るのでサージ侵入時のみにサイリスタを駆動する
駆動回路を付加すれば、第11図の回路では横サ
ージを過電圧制限素子14のサージ電流通電時の
制限電圧約100Vを僅かに越える電圧に低く制限
できることにある。また、サイリスタは一方向性
素子なので過電圧吸収素子19に適する。図にお
いて、21はサイリスタ、22はコンデンサ、2
3は抵抗で22,23によりサイリスタ21を駆
動する。動作原理を説明する。横サージの周波数
成分は、波形をコンデンサ18により十分に鈍ら
せた場合においても最低1KHz以上あり、ベル信
号と比べて2桁近くも高い。従つて、ベル信号に
対するコンデンサ22の容量のインピーダンスは
サージに対する場合より最低でも2桁近く高い。
このため、ベル信号の場合はゲート・カソード間
の電圧降下は微少であるが、サージ侵入時にはサ
イリスタが動作するに十分な電圧がゲート・カソ
ード間にすみやかに印加できるようにコンデンサ
22の容量と抵抗23の値を選ぶことができ、そ
の場合にはベル信号に影響せずに横サージをすみ
やかに吸収することができる。また、一般のサイ
リスタは300V以上の順方向阻止電圧と逆方向耐
圧をともに容易に実現できるので、第11図の回
路は直流250V印加の絶縁試験では動作せず試験
に支障はない。
FIG. 11 is an example of an overvoltage absorbing circuit using a thyristor in 19. FIG. The advantage of using a thyristor is that the thyristor operates at a low voltage when current is passed through its gate, so if you add a drive circuit that drives the thyristor only when a surge enters, the circuit shown in Figure 11 can reduce the lateral surge to the surge of the overvoltage limiting element 14. The ability to limit the voltage to slightly more than 100V when current is applied is possible. Further, since the thyristor is a unidirectional element, it is suitable for the overvoltage absorbing element 19. In the figure, 21 is a thyristor, 22 is a capacitor, 2
A resistor 3 drives the thyristor 21 by means of 22 and 23. The operating principle will be explained. The frequency component of the lateral surge is at least 1 kHz or more even when the waveform is sufficiently blunted by the capacitor 18, which is nearly two orders of magnitude higher than that of the bell signal. Therefore, the impedance of the capacitance of the capacitor 22 for the bell signal is at least two orders of magnitude higher than for the surge.
Therefore, in the case of a bell signal, the voltage drop between the gate and cathode is minute, but when a surge enters, the capacitor 22's capacitance and resistance are A value of 23 can be selected, in which case the lateral surge can be quickly absorbed without affecting the bell signal. Further, since a general thyristor can easily achieve both a forward blocking voltage and a reverse breakdown voltage of 300 V or more, the circuit shown in FIG. 11 will not operate in an insulation test with 250 V DC applied, and there will be no problem with the test.

第12図の回路は抵抗23を定電圧ダイオード
24に置き換えサージ侵入時にゲート・カソード
間が一定値以上にならないようにしたものであ
る。
In the circuit shown in FIG. 12, the resistor 23 is replaced with a constant voltage diode 24 to prevent the voltage between the gate and the cathode from exceeding a certain value when a surge occurs.

第13図は過電圧吸収回路の他の実施例で、過
電圧制限素子14とコンデンサ18の直列回路に
並列に、過電圧制限素子14より動作電圧が高い
過電圧吸収素子25を接続したものである。この
回路では、過電圧制限素子14とコンデンサ18
の直列回路は横サージの侵入時にのみ動作し波形
の立上りを遅らせるが、その後は25が動作を開
始しこれが主にサージを吸収する。従つて、過電
圧制限素子14には比較的耐量の小さいものを用
いることができる。第14,15,16図の各回
路は25としてそれぞれ半導体バリスタ26、定
電圧ダイオード27、2極避雷管28を用いたも
のである。
FIG. 13 shows another embodiment of the overvoltage absorbing circuit, in which an overvoltage absorbing element 25 having a higher operating voltage than the overvoltage limiting element 14 is connected in parallel to the series circuit of the overvoltage limiting element 14 and the capacitor 18. In this circuit, overvoltage limiting element 14 and capacitor 18
The series circuit 25 operates only when a horizontal surge enters and delays the rise of the waveform, but after that, the circuit 25 starts operating and mainly absorbs the surge. Therefore, it is possible to use an overvoltage limiting element 14 having a relatively small withstand capacity. Each of the circuits shown in FIGS. 14, 15, and 16 uses a semiconductor varistor 26, a constant voltage diode 27, and a bipolar detonator 28 as 25, respectively.

本発明は、 複数の対通信線間に発生するあらゆる横サー
ジを1個の避雷器又は1個のサージ吸収回路で
吸収でき効率的、経済的である、 線間に発生する横サージの波形の立上りを遅
くしたのち低い電圧ですみやかに吸収できる、 電話系装置に接続しても電話の信号および絶
縁試験に対してほとんど影響がない、 などの利点により、高耐圧化が難しい電子化電話
機や高dv/dt耐量化が困難なPNPN通話路スイ
ツチを用いるボタン電話機、電子交換機、集線装
置などへの適用に効果が大きい。
The present invention is efficient and economical since all lateral surges occurring between multiple communication lines can be absorbed by one lightning arrester or one surge absorption circuit.The rise of the waveform of lateral surges occurring between lines Its advantages include that it can be absorbed quickly at a low voltage after slowing down the voltage, and that it has almost no effect on telephone signals and insulation tests even when connected to telephone equipment. It is highly effective for application to key telephones, electronic exchanges, line concentrators, etc. that use PNPN communication path switches, which are difficult to withstand.

また、本発明のうちサージ吸収回路の説明では
主として電話系装置を対象にしたがデータ系装置
など他の装置においても考え方は同様に適用でき
る。
Further, in the description of the surge absorption circuit of the present invention, the main subject is telephone equipment, but the concept can be similarly applied to other equipment such as data equipment.

さらに、本発明は各対通信線毎にダイオードブ
リツジを用いるものであるが、この回路は各通信
線毎にたがいにダイオードの極性が逆極性である
一対のダイオードの片極を通信線に接続し、前記
ダイオードのもう一方の他端を同一極性ごとに一
括して接続したものであるので、この考え方は偶
数の通信線を用いる装置でなくても奇数の通信線
を用いる装置にも適用できる。一例として3本の
通信線を使用する装置の横サージ吸収回路例を第
17図に示す。この場合には、見かけ上1と2、
1と3、及び2と3が対通信線となる。
Furthermore, although the present invention uses a diode bridge for each pair of communication lines, this circuit connects one pole of a pair of diodes with opposite polarities to the communication line for each communication line. However, since the other ends of the diodes are connected together for each polarity, this idea can be applied not only to devices that use an even number of communication lines but also to devices that use an odd number of communication lines. . As an example, FIG. 17 shows an example of a lateral surge absorption circuit for a device using three communication lines. In this case, apparently 1 and 2,
1 and 3 and 2 and 3 are paired communication lines.

なお、以上説明の対通信線以外に、実用上接地
線が用いられることがあるが、このようなサージ
が生じないか又は電圧の低いサージしか発生しな
い線についてはダイオードブリツジの付加を省略
し、本発明の適用から除外してもよい。
Note that in addition to the paired communication line explained above, a grounding line is sometimes used in practice, but for lines that do not generate surges or only generate low-voltage surges, the addition of a diode bridge can be omitted. , may be excluded from application of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の複数の対通信線を使用する装置
の縦サージ吸収回路例を示す接続系統図、第2図
は放電を利用する避雷器を用いた場合の横サージ
発生機構を示す波形図、第3図は定電圧で動作す
る過電圧制限素子を用いた場合の横サージ発生機
構を示す波形図、第4図は本発明の実施例を示す
回路図、第5図は本発明の使用例を示す回路図、
第6〜16図は本発明に用いる過電圧吸収回路の
具体例を示すブロツク図又は回路図、第17図は
本発明の他の実施例を示す回路図である。 1〜4……通信線、A……1,L1,2,L2
ら成る対通信線、B……3,L1,4,L2から成
る対通信線、5〜8……2端子の過電圧吸収素
子、9,10……3端子の過電圧吸収素子、1
1,12……整流用ダイオードブリツジ、11―
1,2,12―1,2……被整流波入力端子、1
1―3,4,12―3,4……整流出力端子、1
3……過電圧吸収回路、14……定電圧で動作す
る過電圧制限素子、15……過電圧吸収素子、1
6……半導体バリスタ、17……定電圧ダイオー
ド、18……コンデンサ、19……過電圧吸収素
子、20……シヨツクレーダイオード、21……
サイリスタ、22……コンデンサ、23……抵
抗、24……定電圧ダイオード、25……過電圧
吸収素子、26……半導体バリスタ、27……定
電圧ダイオード、28……2極避雷管、29……
抵抗。
Fig. 1 is a connection system diagram showing an example of a vertical surge absorption circuit of a conventional device using multiple paired communication lines, Fig. 2 is a waveform diagram showing a lateral surge generation mechanism when a lightning arrester using discharge is used, Fig. 3 is a waveform diagram showing the lateral surge generation mechanism when using an overvoltage limiting element that operates at a constant voltage, Fig. 4 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and Fig. 5 is a usage example of the present invention. Circuit diagram shown,
6 to 16 are block diagrams or circuit diagrams showing specific examples of the overvoltage absorbing circuit used in the present invention, and FIG. 17 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. 1 to 4...Communication line, A...Pair communication line consisting of 1, L1 , 2, L2 , B...Pair communication line consisting of 3, L1 , 4, L2 , 5 to 8...2 Terminal overvoltage absorbing element, 9, 10...3 terminal overvoltage absorbing element, 1
1, 12... Rectifier diode bridge, 11-
1, 2, 12-1, 2... Rectified wave input terminal, 1
1-3, 4, 12-3, 4... Rectifier output terminal, 1
3... Overvoltage absorption circuit, 14... Overvoltage limiting element that operates at constant voltage, 15... Overvoltage absorption element, 1
6... Semiconductor varistor, 17... Constant voltage diode, 18... Capacitor, 19... Overvoltage absorption element, 20... Shockley diode, 21...
Thyristor, 22... Capacitor, 23... Resistor, 24... Constant voltage diode, 25... Overvoltage absorption element, 26... Semiconductor varistor, 27... Constant voltage diode, 28... 2-pole detonator, 29...
resistance.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 複数の対通信線を使用する装置において、各
対通信線に整流用ダイオードブリツジの被整流波
入力端子が接続され、各ダイオードブリツジの整
流出力端子を共通にした2端子間に過電圧吸収回
路が接続されるように構成されたことを特徴とす
る横サージ吸収回路。 2 定電圧で動作する過電圧制限素子と直列に過
電圧吸収素子を接続した回路を前記過電圧吸収回
路とすることを特徴とする特許請求範囲第1項に
記載の横サージ吸収回路。 3 定電圧で動作する過電圧制限素子と直列に少
くともコンデンサと過電圧吸収素子の並列回路を
接続した回路を前記過電圧吸収回路とすることを
特徴とする特許請求範囲第1項に記載の横サージ
吸収回路。 4 前記並列回路にはコンデンサに並列に接続さ
れた抵抗を含むことを特徴とする特許請求範囲第
3項記載の横サージ吸収回路。 5 前記コンデンサに並列に接続する前記過電圧
吸収素子としてサイリスタを用いこの駆動回路と
してアノード・ゲート間にコンデンサを接続する
とともにゲート・カソード間に抵抗又は定電圧ダ
イオードを接続し、サージが侵入したときのみ該
ゲート・カソード間に該サイリスタの駆動のため
の電圧が印加されるように前記過電圧吸収回路を
構成したことを特徴とする特許請求範囲第3項又
は第4項に記載の横サージ吸収回路。 6 定電圧で動作する過電圧制限素子に直列に少
くともコンデンサを接続した回路に並列に過電圧
吸収素子を接続した回路を前記過電圧吸収回路と
することを特徴とする特許請求範囲第1項に記載
の横サージ吸収回路。 7 前記コンデンサには並列に抵抗が接続されて
いることを特徴とする特許請求範囲第6項記載の
横サージ吸収回路。
[Claims] 1. In a device using a plurality of pair communication lines, each pair communication line is connected to a rectified wave input terminal of a rectifying diode bridge, and each diode bridge has a common rectified output terminal. A lateral surge absorption circuit characterized in that the overvoltage absorption circuit is configured to be connected between two terminals. 2. The lateral surge absorption circuit according to claim 1, wherein the overvoltage absorption circuit is a circuit in which an overvoltage absorption element is connected in series with an overvoltage limiting element that operates at a constant voltage. 3. The lateral surge absorption according to claim 1, wherein the overvoltage absorption circuit is a circuit in which a parallel circuit of at least a capacitor and an overvoltage absorption element is connected in series with an overvoltage limiting element that operates at a constant voltage. circuit. 4. The lateral surge absorption circuit according to claim 3, wherein the parallel circuit includes a resistor connected in parallel to a capacitor. 5 A thyristor is used as the overvoltage absorbing element connected in parallel to the capacitor, and a capacitor is connected between the anode and the gate as the drive circuit, and a resistor or a constant voltage diode is connected between the gate and the cathode, and only when a surge enters. 5. The lateral surge absorption circuit according to claim 3, wherein the overvoltage absorption circuit is configured such that a voltage for driving the thyristor is applied between the gate and the cathode. 6. The overvoltage absorption circuit according to claim 1, wherein the overvoltage absorption circuit is a circuit in which an overvoltage absorption element is connected in parallel to a circuit in which at least a capacitor is connected in series with an overvoltage limiting element that operates at a constant voltage. Lateral surge absorption circuit. 7. The lateral surge absorption circuit according to claim 6, wherein a resistor is connected in parallel to the capacitor.
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