JPS646132B2 - - Google Patents
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- JPS646132B2 JPS646132B2 JP12036580A JP12036580A JPS646132B2 JP S646132 B2 JPS646132 B2 JP S646132B2 JP 12036580 A JP12036580 A JP 12036580A JP 12036580 A JP12036580 A JP 12036580A JP S646132 B2 JPS646132 B2 JP S646132B2
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- heating
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
- C03B37/01815—Reactant deposition burners or deposition heating means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B37/01846—Means for after-treatment or catching of worked reactant gases
-
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B2207/46—Comprising performance enhancing means, e.g. electrostatic charge or built-in heater
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光フアイバの母材の製造方法の改良に
関するものである。
関するものである。
石英よりなる反応管内にガラス形成用原料ガス
と酸素（O2）ガスとを導入し、前記反応管の外
壁を管軸方向に移動する加熱バーナを用いて加熱
し、反応管内にガラス層を堆積させる光フアイバ
母材の製造方法は周知である。
と酸素（O2）ガスとを導入し、前記反応管の外
壁を管軸方向に移動する加熱バーナを用いて加熱
し、反応管内にガラス層を堆積させる光フアイバ
母材の製造方法は周知である。
従来このような内付けCVD法で光フアイバの
母材を製造する場合、第１図に示すようにガラス
形成用原料ガスの四塩化硅素（SiCl4）と屈折率
制御用ドーパントガスの四塩化ゲルマニウム
（GeCl4）とを担持したアルゴン（Ar）ガスとO2
ガスとを反応管１のガス導入端部２から反応管内
へ導入し、加熱バーナ３を管軸方向に往復移動さ
せて、反応管の外壁を加熱してガラス層４を反応
管内に堆積させている。
母材を製造する場合、第１図に示すようにガラス
形成用原料ガスの四塩化硅素（SiCl4）と屈折率
制御用ドーパントガスの四塩化ゲルマニウム
（GeCl4）とを担持したアルゴン（Ar）ガスとO2
ガスとを反応管１のガス導入端部２から反応管内
へ導入し、加熱バーナ３を管軸方向に往復移動さ
せて、反応管の外壁を加熱してガラス層４を反応
管内に堆積させている。
しかしこのような方法で光フアイバ用母材を製
造すると、第１図に示すように形成される原料ガ
スのガラス形成用酸化物スートが、加熱バーナの
移動方向側に尾を引いて堆積され、その酸化物ス
ートが加熱バーナの移動によつて順次ガラス化さ
れるため、形成されるガラス層が反応管のガス排
出端部５へ近づく程、分厚く堆積されるような不
都合を生ずる。このようにして形成されたガラス
層をコアガラス層として反応管を中実化して光フ
アイバ母材を形成し、該母材を加熱延伸して光フ
アイバとしたとき、該光フアイバのコア径がフア
イバの長手方向に均一にならないといつた欠点を
生じる。
造すると、第１図に示すように形成される原料ガ
スのガラス形成用酸化物スートが、加熱バーナの
移動方向側に尾を引いて堆積され、その酸化物ス
ートが加熱バーナの移動によつて順次ガラス化さ
れるため、形成されるガラス層が反応管のガス排
出端部５へ近づく程、分厚く堆積されるような不
都合を生ずる。このようにして形成されたガラス
層をコアガラス層として反応管を中実化して光フ
アイバ母材を形成し、該母材を加熱延伸して光フ
アイバとしたとき、該光フアイバのコア径がフア
イバの長手方向に均一にならないといつた欠点を
生じる。
本発明は前記した欠点を除去し、反応管内にガ
ラス形成用原料ガスを導入し、管軸方向に移動す
る加熱バーナで反応管の外壁を加熱して、前記反
応管内にガラス層を堆積させる光フアイバ母材の
製造法において、前記堆積されるガラス層の厚さ
が反応管のガス導入端部より排出端部にわたつて
均一な厚さとなるような光フアイバ母材の製造法
の提供を目的とするものである。
ラス形成用原料ガスを導入し、管軸方向に移動す
る加熱バーナで反応管の外壁を加熱して、前記反
応管内にガラス層を堆積させる光フアイバ母材の
製造法において、前記堆積されるガラス層の厚さ
が反応管のガス導入端部より排出端部にわたつて
均一な厚さとなるような光フアイバ母材の製造法
の提供を目的とするものである。
かかる目的を達成するための光フアイバの母材
の製造方法は、反応管の外壁を加熱するバーナの
移動する方向側に、加熱バーナに隣接して連動す
る反応管の外壁の冷却手段と他の加熱手段とを併
設して反応管内のガラス堆積箇所を限定すること
を特徴とするものである。
の製造方法は、反応管の外壁を加熱するバーナの
移動する方向側に、加熱バーナに隣接して連動す
る反応管の外壁の冷却手段と他の加熱手段とを併
設して反応管内のガラス堆積箇所を限定すること
を特徴とするものである。
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細
に説明する。
に説明する。
第２図は本発明の光フアイバ母材の製造方式を
説明するための概略図である。
説明するための概略図である。
図示するように反応管１（本実施例では500mm）
のガス導入端部２より反応管のガス排出端部５へ
移動する加熱バーナ３（加熱温度1300℃）の移動
する方向側に隣接して反応管の外壁を冷却するた
めの液体N2（流量；５／分）からのN2ガスの
ような冷媒１１を噴射するノズル１２を設けてあ
る（冷却ゾーン長；50mm）。更に冷却用ノズルに
隣接して反応管の周囲を覆うような環状の電気加
熱炉１３（管軸方向長さ100mm、加熱温度600℃）
が設けられている。またこれらの冷却用ノズル１
２および電気加熱炉１３は加熱バーナ３と共に連
動して反応管の管軸に沿つて往復移動するように
なつている（連動移動速度200mm／分）。SiCl4お
よびGeCl4を担持したArガスおよびO2ガスをガ
ス導入端部２より反応管内に導入し、前記加熱バ
ーナ３、冷却ノズル１２、電気加熱炉１３をガス
導入端部よりガス排出端部に連動して移動させ
る。このようにすれば加熱バーナ３に隣接したノ
ズル１２からの冷媒によつて反応管の管壁が冷却
されているので前記加熱バーナ付近の高温によつ
て生成された酸化物スート１４は、加熱バーナの
移動方向の小領域内でほとんど反応管内壁に付着
するようになる。また反応管内に付着せずに残留
している酸化物スートも、冷却用ノズルに隣接し
ている電気加熱炉１３によつて管壁が加熱されて
いるので反応管内壁に付着するのが避けられる。
すなわち、反応管を覆うように電気加熱炉１３が
設けられているので、全体的に均一に加熱され、
スートの付着が回避されるものである。このよう
にすれば酸化物スートが移動する加熱バーナの移
動側の反応管内の小領域において、ほとんど堆積
されない形となるため、従来の方法のように加熱
バーナの移動方向側に尾を引いて堆積されるよう
なことがなくなり、反応管内の内壁の全面に均一
な厚さのガラス層が形成されるようになる。
のガス導入端部２より反応管のガス排出端部５へ
移動する加熱バーナ３（加熱温度1300℃）の移動
する方向側に隣接して反応管の外壁を冷却するた
めの液体N2（流量；５／分）からのN2ガスの
ような冷媒１１を噴射するノズル１２を設けてあ
る（冷却ゾーン長；50mm）。更に冷却用ノズルに
隣接して反応管の周囲を覆うような環状の電気加
熱炉１３（管軸方向長さ100mm、加熱温度600℃）
が設けられている。またこれらの冷却用ノズル１
２および電気加熱炉１３は加熱バーナ３と共に連
動して反応管の管軸に沿つて往復移動するように
なつている（連動移動速度200mm／分）。SiCl4お
よびGeCl4を担持したArガスおよびO2ガスをガ
ス導入端部２より反応管内に導入し、前記加熱バ
ーナ３、冷却ノズル１２、電気加熱炉１３をガス
導入端部よりガス排出端部に連動して移動させ
る。このようにすれば加熱バーナ３に隣接したノ
ズル１２からの冷媒によつて反応管の管壁が冷却
されているので前記加熱バーナ付近の高温によつ
て生成された酸化物スート１４は、加熱バーナの
移動方向の小領域内でほとんど反応管内壁に付着
するようになる。また反応管内に付着せずに残留
している酸化物スートも、冷却用ノズルに隣接し
ている電気加熱炉１３によつて管壁が加熱されて
いるので反応管内壁に付着するのが避けられる。
すなわち、反応管を覆うように電気加熱炉１３が
設けられているので、全体的に均一に加熱され、
スートの付着が回避されるものである。このよう
にすれば酸化物スートが移動する加熱バーナの移
動側の反応管内の小領域において、ほとんど堆積
されない形となるため、従来の方法のように加熱
バーナの移動方向側に尾を引いて堆積されるよう
なことがなくなり、反応管内の内壁の全面に均一
な厚さのガラス層が形成されるようになる。
なお以上の実施例においては液体窒素を蒸発さ
せた窒素ガスを冷媒として用いる例について説明
したが他のガスや水のような液体を用いても良
い。
せた窒素ガスを冷媒として用いる例について説明
したが他のガスや水のような液体を用いても良
い。
本発明によれば、堆積ガラス厚均一性は±５％
（従来方法では±10％）、堆積ガラス厚均一部長さ
は370mm（従来方法では280mm）であつた。
（従来方法では±10％）、堆積ガラス厚均一部長さ
は370mm（従来方法では280mm）であつた。
以上述べたように本発明の方法によつて光フア
イバ母材を形成すれば反応管内に均一な厚さでコ
アガラス層が堆積され、このような光フアイバ母
材を用いて光フアイバを形成すれば、コア径とク
ラツド層径の比が均一な光フアイバを容易に得る
ことが可能となる利点を生じる。
イバ母材を形成すれば反応管内に均一な厚さでコ
アガラス層が堆積され、このような光フアイバ母
材を用いて光フアイバを形成すれば、コア径とク
ラツド層径の比が均一な光フアイバを容易に得る
ことが可能となる利点を生じる。
第１図は従来の光フアイバ母材の製造法を説明
するための概略図、第２図は本発明の方法によつ
て光フアイバ母材を製造する場合の一実施例を示
す概略図である。 １：反応管、２：ガス導入端部、３：加熱バー
ナ、４：ガラス層、５：ガス排出端部、１１：冷
媒（N2）、１２：冷却用ノズル、１３：電気加熱
炉、１４：酸化物スート。
するための概略図、第２図は本発明の方法によつ
て光フアイバ母材を製造する場合の一実施例を示
す概略図である。 １：反応管、２：ガス導入端部、３：加熱バー
ナ、４：ガラス層、５：ガス排出端部、１１：冷
媒（N2）、１２：冷却用ノズル、１３：電気加熱
炉、１４：酸化物スート。
Claims (1)
- １ 反応管内にガラス形成用原料ガスを導入し、
前記反応管の外壁を管軸方向に移動する加熱バー
ナを用いて加熱して、反応管内にガラス層を堆積
させる光フアイバ母材の製造法に於いて、加熱バ
ーナの移動する方向側に上記バーナに隣接して該
加熱バーナと連動して移動する反応管の外壁の冷
却手段と、該冷却手段に隣接して移動し、原料ガ
スの移動方向側に位置し、反応管を覆つて加熱す
る別個の環状加熱手段とを併設したことを特徴と
する光フアイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12036580A JPS5747736A (en) | 1980-08-29 | 1980-08-29 | Manufacture of base material for optical fiber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12036580A JPS5747736A (en) | 1980-08-29 | 1980-08-29 | Manufacture of base material for optical fiber |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5747736A JPS5747736A (en) | 1982-03-18 |
| JPS646132B2 true JPS646132B2 (ja) | 1989-02-02 |
Family
ID=14784387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12036580A Granted JPS5747736A (en) | 1980-08-29 | 1980-08-29 | Manufacture of base material for optical fiber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5747736A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4212602A1 (de) * | 1992-04-15 | 1993-10-21 | Sel Alcatel Ag | Lichtwellenleiter sowie Verfahren und Vorrichtung zu seiner Herstellung |
| KR100450928B1 (ko) * | 2001-07-23 | 2004-10-02 | 삼성전자주식회사 | 수정된 화학기상 증착법을 이용한 광섬유 모재의 제조장치 및 방법 |
| FI123122B (fi) * | 2009-02-16 | 2012-11-15 | Optogear Oy | Laitteisto lasimateriaalin valmistamiseksi |
-
1980
- 1980-08-29 JP JP12036580A patent/JPS5747736A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5747736A (en) | 1982-03-18 |
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