JPS645987Y2 - - Google Patents

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JPS645987Y2
JPS645987Y2 JP7054384U JP7054384U JPS645987Y2 JP S645987 Y2 JPS645987 Y2 JP S645987Y2 JP 7054384 U JP7054384 U JP 7054384U JP 7054384 U JP7054384 U JP 7054384U JP S645987 Y2 JPS645987 Y2 JP S645987Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 (技術分野) 本考案はスイツチングレギユレータのスイツチ
ング特性の改良に関する。
[Detailed Description of the Invention] (Technical Field) The present invention relates to improvement of switching characteristics of a switching regulator.

(従来技術) 直流電源の回路方式としては、ノンスイツチン
グ方式とスイツチング方式とがある。ノンスイツ
チング方式の直流電源としては、例えば直列制御
方式電源を用いられる。直列制御方式電源はレギ
ユレートされていない直流電圧とレギユレートさ
れた出力との間にトランジスタ等の電圧可変素子
を接続し、出力が常に一定電圧になるように電圧
可変素子で制御するものである。しかしながら、
このような直列制御方式電源は、電圧可変素子で
該電圧可変素子にかかる電圧と負荷電流の積で定
まる電力を消費するので、発熱が大きくなり、効
率も悪くなる。そこで、最近ではノンスイツチン
グ方式の電源に代わつてスイツチング方式の電
源、即ちスイツチングレギユレータが用いられる
ようになつてきている。特に、デイジタル回路用
電源は、大容量を必要とするため、ほとんどスイ
ツチングレギユレータが用いられている。
(Prior Art) There are two types of DC power supply circuits: non-switching type and switching type. As the non-switching DC power supply, for example, a series control power supply is used. A series control type power supply connects a variable voltage element such as a transistor between an unregulated DC voltage and a regulated output, and controls the output with the variable voltage element so that the output is always at a constant voltage. however,
In such a series control type power supply, the voltage variable element consumes power determined by the product of the voltage applied to the voltage variable element and the load current, so heat generation increases and efficiency deteriorates. Therefore, in recent years, switching power supplies, ie, switching regulators, have come to be used instead of non-switching power supplies. In particular, since power supplies for digital circuits require large capacity, switching regulators are mostly used.

第1図は、従来のスイツチングレギユレータの
一例を示す構成ブロツク図である。図において、
Q1,Q2はそれぞれダーリントン接続されたトラ
ンジスタである。第1のトランジスタQ1のベー
スは、第2のトランジスタQ2のエミツタに接続
され、且つ第1及び第2のトランジスタQ1,Q2
のコレクタはそれぞれ共通接続され、ダーリント
ン接続を構成している。R1は第1のトランジス
タ(主トランジスタ)Q1のベース・エミツタ間
に接続されたバイアス抵抗、R2はR1をはさんで
第2のトランジスタQ2のベース・エミツタ間に
接続されたバイアス抵抗である。1はトランジス
タQ1,Q2及び抵抗R1,R2とで構成され、直流電
圧Vをオンオフするスイツチング回路、2は該ス
イツチング回路1を駆動する駆動回路である。該
駆動回路2は、抵抗R3を介してスイツチング回
路1を駆動する。スイツチング回路1はダーリン
トン接続されたトランジスタQ1,Q2で構成され
ているので、等価的にトランジスタの電流増幅率
Hfeを増やすことができ、駆動回路2からの小電
流の駆動信号で大電流のスイツチングを行うこと
ができるようになつている。尚、トランジスタ
Q1,Q2は図に示すようにPNP形のものに限る必
要はなくNPN形のものであつてもよい。Tはス
イツチング回路1で駆動される高周波トランスで
ある。該高周波トランスTは、スイツチング回路
1でオンオフ駆動されると、エネルギーを2次側
に伝達する。2次側に伝達された交流電圧は、整
流されて直流電圧に変換される。この直流電圧の
大きさを常時監視しておき、常に一定の大きさに
なるように駆動回路2でスイツチング回路1を駆
動している。
FIG. 1 is a block diagram showing an example of a conventional switching regulator. In the figure,
Q 1 and Q 2 are Darlington-connected transistors. The base of the first transistor Q1 is connected to the emitter of the second transistor Q2 , and the first and second transistors Q1 , Q2
The collectors of each are connected in common, forming a Darlington connection. R 1 is a bias resistor connected between the base and emitter of the first transistor (main transistor) Q 1 , and R 2 is a bias resistor connected between the base and emitter of the second transistor Q 2 across R 1 . It is resistance. Reference numeral 1 designates a switching circuit that is composed of transistors Q 1 and Q 2 and resistors R 1 and R 2 and turns on and off a DC voltage V, and 2 a drive circuit that drives the switching circuit 1 . The drive circuit 2 drives the switching circuit 1 via a resistor R3 . Since the switching circuit 1 is composed of transistors Q 1 and Q 2 connected in Darlington, the current amplification factor of the transistor is equivalently
Hfe can be increased, and large current switching can be performed with a small current drive signal from the drive circuit 2. Furthermore, the transistor
Q 1 and Q 2 do not have to be of PNP type as shown in the figure, but may be of NPN type. T is a high frequency transformer driven by the switching circuit 1. When the high frequency transformer T is turned on and off by the switching circuit 1, it transmits energy to the secondary side. The AC voltage transmitted to the secondary side is rectified and converted into DC voltage. The magnitude of this DC voltage is constantly monitored, and the driving circuit 2 drives the switching circuit 1 so that the magnitude is always constant.

ところで、スイツチング回路1として、図に示
すように、エミツタ接地形の回路を用いる場合、
以下のような問題が生じる。即ち、主トランジス
タQ1は高速でスイツチングをする必要があるが、
電荷蓄積時間が存在するため一般にオンからオフ
になるときのスイツチングスピードが遅い。この
スイツチングスピードを速くするためには、ベー
ス電位をエミツタ電位より高くして(NPN形ト
ランジスタの場合は逆)ベースからチヤージされ
ている電荷を抜く必要があるが、図に示す回路で
はこのような操作は不可能である。又、トランジ
スタQ1,Q2がダーリントン接続されているため
(特に高耐圧のトランジスタほど一般に電流増幅
率Hfeが小さいため、ダーリントン接続の必要が
ある)、トランジスタQ1でベース・エミツタ間電
圧VBEに相当する電圧がドロツプし、この電圧ド
ロツプ分と流れる電流との積で定まる電力が消費
され、主トランジスタQ1が発熱し効率が落ちて
しまう。
By the way, when an emitter grounded circuit is used as the switching circuit 1, as shown in the figure,
The following problems arise. In other words, the main transistor Q1 needs to switch at high speed,
Since there is a charge accumulation time, the switching speed when turning from on to off is generally slow. In order to increase this switching speed, it is necessary to make the base potential higher than the emitter potential (the opposite is true for NPN transistors) to remove the charge that has been charged from the base. operation is impossible. In addition, since transistors Q 1 and Q 2 are Darlington-connected (in particular, the higher the voltage resistance of the transistor, the smaller the current amplification factor Hfe is, Darlington connection is necessary), the base-emitter voltage V BE of transistor Q 1 is The voltage corresponding to the voltage drop drops, and power determined by the product of this voltage drop and the flowing current is consumed, causing the main transistor Q1 to generate heat and reduce its efficiency.

(考案の目的) 本考案は、このような点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、主トランジスタのスイツチング
スピードを高速化すると共に該主トランジスタの
電圧ドロツプ分を補正して効率を上昇させること
ができるスイツチングレギユレータを実現するこ
とにある。
(Objective of the Invention) The present invention has been made in consideration of the above points, and its objective is to realize a switching regulator that can increase the switching speed of the main transistor and correct the voltage drop of the main transistor to increase efficiency.

(考案の構成) このような目的を達成する本考案は、直流電圧
をオンオフするダーリントン接続されたトランジ
スタより構成されるスイツチング回路と、該スイ
ツチング回路を駆動する駆動回路と、前記スイツ
チング回路より駆動される高周波トランスより構
成されてなるスイツチングレギユレータにおい
て、前記ダーリントン接続された第1のトランジ
スタと第2のトランジスタとの間に弱い正帰還用
巻線を接続したことを特徴とするものである。
(Structure of the invention) The present invention that achieves the above object includes a switching circuit composed of Darlington-connected transistors that turn on and off a DC voltage, a drive circuit that drives the switching circuit, and a switch that is driven by the switching circuit. A switching regulator comprising a high frequency transformer, characterized in that a weak positive feedback winding is connected between the Darlington connected first transistor and second transistor. .

(実施例) 以下、図面を参照して本考案の実施例を詳細に
説明する。
(Embodiments) Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第2図は本考案の一実施例を示す構成ブロツク
図である。第1図と同一のものは同一の番号を付
して示す。図において、1′はスイツチング回路、
T′は1次側巻線L1,L2、2次側巻線L3とで構成
される高周波トランスである。1次側巻線のう
ち、L2巻線は第1のトランジスタQ1のベースと
第2のトランジスタQ2のエミツタ間に接続され
ている。図中、1次側巻線L1,L2に付した黒丸
印は巻線の極性を示す。図より明らかなように、
L2巻線はL1巻線と逆極性になるように巻回され
ている。従つて、主トランジスタQ1のベースか
らトランジスタQ2のエミツタには正帰還がかか
るようになつている。本考案においては、L2
線(正帰還用巻線)の巻数を少なくして弱い正帰
還がかかるようにし、正帰還用巻線L2のみでは
決して自走しないように巻数比を考慮する必要が
ある。このように構成された回路の動作を説明す
れば、以下の通りである。
FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. Components that are the same as those in FIG. 1 are designated by the same numbers. In the figure, 1' is a switching circuit;
T' is a high frequency transformer composed of primary windings L 1 and L 2 and secondary winding L 3 . Among the primary windings, the L2 winding is connected between the base of the first transistor Q1 and the emitter of the second transistor Q2 . In the figure, the black circles attached to the primary windings L 1 and L 2 indicate the polarity of the windings. As is clear from the figure,
The L2 winding is wound with opposite polarity to the L1 winding. Therefore, positive feedback is applied from the base of the main transistor Q1 to the emitter of the transistor Q2 . In this invention, the number of turns of the L2 winding (positive feedback winding) is reduced to apply weak positive feedback, and the turns ratio is taken into consideration so that the positive feedback winding L2 alone will never run free. There is a need. The operation of the circuit configured as described above will be explained as follows.

図に示す回路において、スイツチング回路1′
は駆動回路2からの駆動信号によりスイツチング
され、直流電圧Vをスイツチングする。この直流
電圧Vの断続により、高周波トランジスタT′に
は充放電電流が流れ、エネルギーを2次側に伝達
する。2次側に伝達された高周波交流は、整流、
平滑された後、直流電圧として外部電気回路等に
供給される。この場合の、主トランジスタQ1
スイツチング動作において、正帰還用巻線L2
誘起する電圧のため、そのベース電位はエミツタ
電位より高くなる。この結果、トランジスタQ1
に充電されていた電荷は、そのベースから急速に
放電し、該トランジスタQ1がオンからオフにな
るときのスイツチングスピードが短縮される。
In the circuit shown in the figure, switching circuit 1'
is switched by a drive signal from the drive circuit 2, and switches the DC voltage V. Due to this intermittent DC voltage V, a charging/discharging current flows through the high frequency transistor T', transmitting energy to the secondary side. The high frequency alternating current transmitted to the secondary side is rectified,
After being smoothed, it is supplied as a DC voltage to external electrical circuits, etc. In this case, in the switching operation of the main transistor Q1 , the base potential becomes higher than the emitter potential due to the voltage induced in the positive feedback winding L2 . As a result, transistor Q 1
The charge stored in Q1 is quickly discharged from its base, reducing the switching speed when the transistor Q1 turns from on to off.

第3図は第2図に示すスイツチングレギユレー
タの全体構成を示す図である。3は交流電圧を直
流電圧Vに変換する整流回路、Dは高周波トラン
スT′の2次側巻線L3に発生した高周波交流を整
流する整流用ダイオード、C1は平滑用電解コン
デンサ、C2は同じく平滑用コンデンサである。
コンデンサC1,C2で平滑された直流が電源用出
力電圧として外部に取り出される。整流用ダイオ
ードDは、高周波を平滑するので整流回路3に用
いられる整流用ダイオードに比較して、高速スイ
ツチング動作ができるものでなければならず、
又、平滑用コンデンサC2は高周波ノイズを除去
するため、高周波特性の良好なコンデンサ(例え
ばセラミツクコンデンサ)でなければならない。
2次側直流出力は、電圧検出及びスイツチング駆
動回路2′に入力されている。
FIG. 3 is a diagram showing the overall configuration of the switching regulator shown in FIG. 2. 3 is a rectifier circuit that converts AC voltage to DC voltage V, D is a rectifier diode that rectifies the high frequency AC generated in the secondary winding L 3 of high frequency transformer T', C 1 is a smoothing electrolytic capacitor, C 2 is also a smoothing capacitor.
The direct current smoothed by capacitors C 1 and C 2 is taken out as an output voltage for the power supply. Since the rectifier diode D smoothes high frequencies, it must be capable of high-speed switching operation compared to the rectifier diode used in the rectifier circuit 3.
Furthermore, since the smoothing capacitor C2 removes high frequency noise, it must be a capacitor with good high frequency characteristics (for example, a ceramic capacitor).
The secondary side DC output is input to the voltage detection and switching drive circuit 2'.

このように構成された回路において、電圧検出
及びスイツチング駆動回路2′は2次側直流出力
を常時監視しており、該2次側直流出力が常に一
定値をとるようにスイツチング回路1′を駆動す
る。この結果、2次側直流出力は外部に取り出さ
れる負荷電流の大きさの如何に拘わらず常に一定
に保たれる。このような電圧制御の方法として
は、例えばパルス幅変調(PWM)方式が用いら
れる。PWM方式は、負荷電流の大きさによつ
て、パルスのデユーテイ比を変えるものであり、
負荷電流が小さいときはデユーテイ比を小さく
し、負荷電流が大きいときにはデユーテイ比を大
きくして出力電圧を一定に維持する。このような
PWM制御は、電圧検出及びスイツチング駆動回
路2′が行う。
In the circuit configured in this way, the voltage detection and switching drive circuit 2' constantly monitors the secondary side DC output, and drives the switching circuit 1' so that the secondary side DC output always takes a constant value. do. As a result, the secondary side DC output is always kept constant regardless of the magnitude of the load current taken out to the outside. As a method of such voltage control, for example, a pulse width modulation (PWM) method is used. The PWM method changes the pulse duty ratio depending on the magnitude of the load current.
When the load current is small, the duty ratio is made small, and when the load current is large, the duty ratio is made large to maintain the output voltage constant. like this
PWM control is performed by voltage detection and switching drive circuit 2'.

ダーリントントランジスタQ1,Q2を用いたス
イツチング回路1′のスイツチング動作は、第2
図について説明したと同じであるので、説明は省
略する。即ち、トランス1次側に巻かれた正帰還
用巻線L2の正帰還作用により、主トランジスタ
Q1のオンからオフになる時間が大幅に短縮され、
高速スイツチング動作が可能になる。
The switching operation of the switching circuit 1' using Darlington transistors Q 1 and Q 2 is as follows.
Since the explanation is the same as that for the figure, the explanation will be omitted. In other words, due to the positive feedback action of the positive feedback winding L2 wound on the primary side of the transformer, the main transistor
Q1 's on-to-off time is significantly reduced,
High-speed switching operation becomes possible.

第4図は従来のスイツチングレギユレータと本
考案に係るスイツチングレギユレータの比較を示
す図である。aは従来例の場合を、bは本考案の
場合をそれぞれ示す。イは第2のトランジスタ
Q2のベース電位E3を、ロは第1のトランジスタ
(主トランジスタ)Q1のベース電位E2を、ハは第
1のトランジスタQ1のコレクタ電位E1をそれぞ
れ示す。図のロより明らかなように、本考案にお
いては、第1のトランジスタQ1のベース電位E2
の上限と下限が従来例のそれよりもそれぞれe1
e2だけ振幅が大きくなつている。これら振幅の差
は、それぞれ以下のような効果を生じる。
FIG. 4 is a diagram showing a comparison between a conventional switching regulator and a switching regulator according to the present invention. A shows the case of the conventional example, and b shows the case of the present invention. A is the second transistor
B indicates the base potential E 3 of Q 2 , B indicates the base potential E 2 of the first transistor (main transistor) Q 1 , and C indicates the collector potential E 1 of the first transistor Q 1 . As is clear from the figure B, in the present invention, the base potential E 2 of the first transistor Q 1
The upper and lower limits of e 1 and
The amplitude increases by e 2 . These amplitude differences produce the following effects.

まず、主トランジスタQ1のベース電位E2の上
限がe1だけ振幅が大きいと、該トランジスタQ1
のベースより電荷を引き出す効果があり、これに
より主トランジスタQ1のターンオフに要する動
作速度を短くすることができる。この結果、ター
ンオフ時の電力ロスが減少するので効率が上昇す
る。次に、主トランジスタQ1のベース電位E2
下限がe2だけ振幅が大きいと、該トランジスタ
Q1を完全にオンにすることができる。図ハに示
すように、従来例の場合には、主トランジスタ
Q1が完全にオフになりきらないため、電源電圧
Vとコレクタ電位との間に図に示すようにe3だけ
差が生ずる。この差e3と流れる電流との積で定ま
る電力を消費して発熱し、効率低下の原因とな
る。
First, if the upper limit of the base potential E 2 of the main transistor Q 1 is large in amplitude by e 1 , then the transistor Q 1
This has the effect of drawing out charge from the base of Q1, thereby reducing the operating speed required to turn off the main transistor Q1 . As a result, efficiency increases because power loss during turn-off is reduced. Next, if the lower limit of the base potential E 2 of the main transistor Q 1 has a larger amplitude by e 2 , then the transistor
Q 1 can be turned on completely. As shown in Figure C, in the case of the conventional example, the main transistor
Since Q 1 is not completely turned off, a difference of e 3 occurs between the power supply voltage V and the collector potential as shown in the figure. Power determined by the product of this difference e 3 and the flowing current is consumed and heat is generated, causing a decrease in efficiency.

本考案に用いる正帰還巻線L2は、電流も比較
的大きくなく、電圧としても主トランジスタQ1
のベース・エミツタ間電圧VBEの電圧ドロツプ分
を補正できる程度の大きさとなるように設計され
る。そして、多くの場合、この巻線は巻数も少な
く、ごく簡単に製作することができる。
The positive feedback winding L 2 used in the present invention has a relatively small current and a voltage that is similar to that of the main transistor Q 1
It is designed to be large enough to compensate for the voltage drop in the base-emitter voltage VBE . In many cases, this winding has a small number of turns and can be manufactured very easily.

上述の説明においては、フライバツク形のスイ
ツチングレギユレータを例にとつて説明したが、
本考案はこれに限る必要はなく、他のフオワード
形のスイツチングレギユレータは勿論、高周波ト
ランスを駆動するスイツチング回路全てに本考案
を適用することができる。又、ダーリントン接続
に用いるトランジスタもPNP形に限る必要はな
く、NPN形のものであつてもよい。
In the above explanation, a flyback type switching regulator was used as an example.
The present invention is not limited to this, and can be applied not only to other forward type switching regulators but also to all switching circuits that drive high frequency transformers. Further, the transistor used for the Darlington connection is not limited to the PNP type, and may be an NPN type.

(考案の効果) 以上詳細に説明したように、本考案によれば、
ダーリントン接続を構成する第1のトランジスタ
と第2のトランジスタの間に弱い正帰還用巻線を
接続することにより、トランジスタのスイツチン
グスピードを高速化すると共に、スイツチングト
ランジスタの電圧ドロツプ分を補正して効率を上
昇させることができるスイツチングレギユレータ
を実現することができる。
(Effects of the invention) As explained in detail above, according to the invention,
By connecting a weak positive feedback winding between the first and second transistors that make up the Darlington connection, the switching speed of the transistors can be increased and the voltage drop of the switching transistor can be compensated for. A switching regulator that can increase efficiency can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来装置の一例を示す構成ブロツク
図、第2図は本考案の一実施例を示す構成ブロツ
ク図、第3図は第2図に示すスイツチングレギユ
レータの全体構成を示す図、第4図は従来装置と
本考案装置の比較を示す図である。 1,1′……スイツチング回路、2……駆動回
路、2′……電圧検出及びスイツチング駆動回路、
3……整流回路、Q1,Q2……トランジスタ、T,
T′……高周波トランス、R1〜R3……抵抗、L1
L3……巻線、D……ダイオード、C1,C2……コ
ンデンサ。
Fig. 1 is a block diagram showing an example of a conventional device, Fig. 2 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and Fig. 3 is a diagram showing the overall structure of the switching regulator shown in Fig. 2. , FIG. 4 is a diagram showing a comparison between the conventional device and the device of the present invention. 1, 1'... Switching circuit, 2... Drive circuit, 2'... Voltage detection and switching drive circuit,
3... Rectifier circuit, Q 1 , Q 2 ... Transistor, T,
T′...High frequency transformer, R 1 ~ R 3 ... Resistor, L 1 ~
L 3 ... winding, D ... diode, C 1 , C 2 ... capacitor.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 直流電圧をオンオフするダーリントン接続され
たトランジスタより構成されるスイツチング回路
と、該スイツチング回路を駆動する駆動回路と、
前記スイツチング回路より駆動される高周波トラ
ンスより構成されてなるスイツチングレギユレー
タにおいて、前記ダーリントン接続された第1の
トランジスタと第2のトランジスタとの間に弱い
正帰還用巻線を接続したことを特徴とするスイツ
チングレギユレータ。
a switching circuit composed of Darlington-connected transistors that turns on and off a DC voltage; a drive circuit that drives the switching circuit;
In a switching regulator constituted by a high frequency transformer driven by the switching circuit, a weak positive feedback winding is connected between the Darlington connected first transistor and second transistor. Features a switching regulator.
JP7054384U 1984-05-15 1984-05-15 switching regulator Granted JPS60183594U (en)

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