JPS6396795A - 強誘電性メモリのための読取装置 - Google Patents
強誘電性メモリのための読取装置Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/02—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using ferroelectric record carriers; Record carriers therefor
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- Semiconductor Memories (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
11立且1
本発明は強誘電性メモリのための読取装置に係わる。前
記メモリは2進データを一連の領域の形に蓄積する強誘
電性材料の層を含み、領域は庖の平面に対して垂直方向
に分極されており、この方向に各々1mの2進データを
表わす領域が分極されている。この種のメモリは基本セ
ルのマトリクスの形をとってもよく、各セルはメモリを
もつが、あるいは2進データを読取るための単一装置に
接続する条片又はディスクの形をもつ。
記メモリは2進データを一連の領域の形に蓄積する強誘
電性材料の層を含み、領域は庖の平面に対して垂直方向
に分極されており、この方向に各々1mの2進データを
表わす領域が分極されている。この種のメモリは基本セ
ルのマトリクスの形をとってもよく、各セルはメモリを
もつが、あるいは2進データを読取るための単一装置に
接続する条片又はディスクの形をもつ。
九山n
1破ts読取りのための一先行技術は、パイロ電気効果
、即ち温度上昇の影響を受けた層の表面上の電荷の挙動
を用いている。電荷の現れる徴候は、層の各領域が分極
される方向を示す。非破IIJ読取りのための他の先行
技術は圧電効果を用いて、層の各領域に様械的応力をか
けるというものである。
、即ち温度上昇の影響を受けた層の表面上の電荷の挙動
を用いている。電荷の現れる徴候は、層の各領域が分極
される方向を示す。非破IIJ読取りのための他の先行
技術は圧電効果を用いて、層の各領域に様械的応力をか
けるというものである。
この応力は層の表面上に?!何を生じさゼ、そしてこれ
らの電荷は各領域の残留分掩符号を桟示する。
らの電荷は各領域の残留分掩符号を桟示する。
一般に強誘電性材料の層の各領域に機械的又は熱的応力
を加えることは、特にこれらの領域は小体積をもつこと
から難しいことである。
を加えることは、特にこれらの領域は小体積をもつこと
から難しいことである。
米国特許第3,264,618号は、2進データを破壊
することなく強y:?[性材料の立方体内のデータを読
取るために用い得る読取装置を開示している。
することなく強y:?[性材料の立方体内のデータを読
取るために用い得る読取装置を開示している。
単一パルスから成る電気励起が、立方体の2つの相対向
面に置かれた2個の第1平面電穫を用いて付与される。
面に置かれた2個の第1平面電穫を用いて付与される。
分極状態に依存する電気応答は、立方体の他の2面上に
位置決めされた2個の第2平面電極を用いて集められる
。従ってこの装置は2つずつ垂直である4つの電極を含
む。従って強誘電性材料の連続層を含むメモリを読取る
ために適していない。
位置決めされた2個の第2平面電極を用いて集められる
。従ってこの装置は2つずつ垂直である4つの電極を含
む。従って強誘電性材料の連続層を含むメモリを読取る
ために適していない。
本発明の目的は、製作が簡単で、熱的又は機械的変換装
置を持たず、単に電気的変換器のみをもつ非破1lll
II読取装置を作ることである。本発明の目的は強誘電
性材料の層と接触する電極を主として含む読取装置であ
る。
置を持たず、単に電気的変換器のみをもつ非破1lll
II読取装置を作ることである。本発明の目的は強誘電
性材料の層と接触する電極を主として含む読取装置であ
る。
λ艶立且豆
本発明は強誘電性メモリのための読取装置に係わり、前
記メモリは一連の分11i領域の形に2進データを蓄積
する強誘電性材料の連続層を含んでおり、領域は層の平
面に対し垂直方向に分極されており、その方向が2進デ
ータを表わすよう各領域が分極されており、読取装置は
各領域によって担持される2進データを読取るため次の
素子を含んでいる。
記メモリは一連の分11i領域の形に2進データを蓄積
する強誘電性材料の連続層を含んでおり、領域は層の平
面に対し垂直方向に分極されており、その方向が2進デ
ータを表わすよう各領域が分極されており、読取装置は
各領域によって担持される2進データを読取るため次の
素子を含んでいる。
一層の第1面に取付けられ、かつ分極領域の範囲に相当
するスペースによって距てられた第1及び第2電極、 一交流電位差を周波数fで付与するため第1及び第2電
極に結合された手段、 一層1電極と第2電極との間のスペースと向き合う層の
第2面に取付けられた第3の電極、−周波数2fに整合
し、3つの電極に結合し第1電極と第2電極に共通な電
位と第3電極の電位との間の差を表わす電気信号内の周
波数成分2fを測定し、かつこの成分の位相を第1電極
と第2電極に付与された電位差と比較するための測定手
段。
するスペースによって距てられた第1及び第2電極、 一交流電位差を周波数fで付与するため第1及び第2電
極に結合された手段、 一層1電極と第2電極との間のスペースと向き合う層の
第2面に取付けられた第3の電極、−周波数2fに整合
し、3つの電極に結合し第1電極と第2電極に共通な電
位と第3電極の電位との間の差を表わす電気信号内の周
波数成分2fを測定し、かつこの成分の位相を第1電極
と第2電極に付与された電位差と比較するための測定手
段。
本発明の目的並びにその他の特徴は次の説明及び添付図
面からさらによく理解されよう。
面からさらによく理解されよう。
具体例
第1図は、残留分極が一様である領域に対応する強誘電
性材料の立方体を示づ。強誘電性メ七りは一定の厚さの
平坦層から成り、上記の形の一連の重ね合わせ領域を含
む。
性材料の立方体を示づ。強誘電性メ七りは一定の厚さの
平坦層から成り、上記の形の一連の重ね合わせ領域を含
む。
各領域が分極されている方向は2進データを表わす。こ
の立方体の分極ベクトルは1.2及び3の記号を付けた
3本の直交軸によって表わされる。残留分極は軸3と平
行で、ペクトlしPrによって表わされる。本発明装置
の用いる非破壊読取法は、園 交番励起電界を一定鶏波数fで、残留分11P、の方向
に対し!!!直に、例えば立方体のおのおのの側与する
。
の立方体の分極ベクトルは1.2及び3の記号を付けた
3本の直交軸によって表わされる。残留分極は軸3と平
行で、ペクトlしPrによって表わされる。本発明装置
の用いる非破壊読取法は、園 交番励起電界を一定鶏波数fで、残留分11P、の方向
に対し!!!直に、例えば立方体のおのおのの側与する
。
これらの電極4及び5は、振幅■及び周波数fの交流電
圧発生器8と結合する。この方法はざら誌 に、2個の平面電極6及び7上に振赫英び周波数2fの
電圧を集める。これらの電極は立方体のそれぞれの側に
、軸1及び2によって構成される面と平行に、即ち励起
電極4及び5に対して垂直な面上に配置される。任意の
誘電体では、分極ベクトルPはiを1〜3で変化させる
成分Piをもち、こらの成分は付与電界Eに左右される
。この電界はjを1〜3で変化させる3つの成分Ejを
もつ。
圧発生器8と結合する。この方法はざら誌 に、2個の平面電極6及び7上に振赫英び周波数2fの
電圧を集める。これらの電極は立方体のそれぞれの側に
、軸1及び2によって構成される面と平行に、即ち励起
電極4及び5に対して垂直な面上に配置される。任意の
誘電体では、分極ベクトルPはiを1〜3で変化させる
成分Piをもち、こらの成分は付与電界Eに左右される
。この電界はjを1〜3で変化させる3つの成分Ejを
もつ。
成分P、の値は次の式によって与えられる。
P゛=5°°′″E°+8ijk′″Ei ′Ek++
1JJ ε、1jk1°εjEKE1 +−−−−−−(1)但
しE・、は線形誘電率テンソルの要素であり、J ε、 及びε1jklは非線形誘電率テンソルの要素+
jk である。
1JJ ε、1jk1°εjEKE1 +−−−−−−(1)但
しE・、は線形誘電率テンソルの要素であり、J ε、 及びε1jklは非線形誘電率テンソルの要素+
jk である。
キュリ一点以下で分極される強誘電性材料のような有極
誘電体では、テンソルEijは対角線をなす。即ち要素
の値はiがjとは異なるときはゼロである。従って電界
はこれと垂直な方向にこれと比例した振幅で分極を生じ
ることはない。逆に、圧電テンソルと同じ対称性をもつ
テンソルεijkはぜ口でない一定数の要素をもつ。
誘電体では、テンソルEijは対角線をなす。即ち要素
の値はiがjとは異なるときはゼロである。従って電界
はこれと垂直な方向にこれと比例した振幅で分極を生じ
ることはない。逆に、圧電テンソルと同じ対称性をもつ
テンソルεijkはぜ口でない一定数の要素をもつ。
結晶学的構造においてmm2の対称、即ち対称二に対し
垂直な電界に相対し、軸3に沿う残留分極と関連して、
ε 、ε 、ε 、どなる。
垂直な電界に相対し、軸3に沿う残留分極と関連して、
ε 、ε 、ε 、どなる。
従って電界E 及びE2が軸1及び2の方向にそれぞれ
かけられるとき、分極の変化は次の式に従って電界E1
及びE2の平方に比例して、残留分極@3の方向に現わ
れる。
かけられるとき、分極の変化は次の式に従って電界E1
及びE2の平方に比例して、残留分極@3の方向に現わ
れる。
さらに、強誘電性材料のすべての3位(rank)テン
ソル要素のように、要素ε311及びε322は材料の
残留分子fiP、に次のように比例する。
ソル要素のように、要素ε311及びε322は材料の
残留分子fiP、に次のように比例する。
’ 311 ” ” 311 °pr−9・ P(3
) 5322 322 r tllシュ11及びg322は定数である。
) 5322 322 r tllシュ11及びg322は定数である。
公式(2)から当然、もし励起が非ピロ要素E1又はE
2をもつ電界の形に強誘電性材料のこの立方体にかけら
れるならば、周波数2fの成分の分極変化が1NI3の
方向に出現することになる。公式(3)から当然、残留
分極符号が2つの係数g311及びQ322の符号を決
定し、従って分極変化△P3の符号を決定することにな
る。この分極変化の符号は、周波数2f要素及び励起電
界間で位相差O又はnに対応する。従って1領域内の残
留分極の方向によって示される2進データ値は、2f周
波数成分の位相を例えば軸1の方向にかけられる励起電
界の位相と比較することによって決定され得る。
2をもつ電界の形に強誘電性材料のこの立方体にかけら
れるならば、周波数2fの成分の分極変化が1NI3の
方向に出現することになる。公式(3)から当然、残留
分極符号が2つの係数g311及びQ322の符号を決
定し、従って分極変化△P3の符号を決定することにな
る。この分極変化の符号は、周波数2f要素及び励起電
界間で位相差O又はnに対応する。従って1領域内の残
留分極の方向によって示される2進データ値は、2f周
波数成分の位相を例えば軸1の方向にかけられる励起電
界の位相と比較することによって決定され得る。
第2a図は、電界E1を示し、該電界は軸1と平行で材
料立方体の励起電界を構成し、1具体例ではこの電界が
軸1と平行な単一要素から成り、かつ時間の正弦関数で
ある。
料立方体の励起電界を構成し、1具体例ではこの電界が
軸1と平行な単一要素から成り、かつ時間の正弦関数で
ある。
第2b図は、残留分権が軸3の方向にあるときの、軸3
の方向への分極の変化を表わす。第2C図は、軸3と反
対の方向へ残留分極が生じるときの、@3の方向への分
極変化を表わす。
の方向への分極の変化を表わす。第2C図は、軸3と反
対の方向へ残留分極が生じるときの、@3の方向への分
極変化を表わす。
この図では、強誘電性材料は、分子fiPが電界E1に
より生じた力の作用を受けて、破線で示した円に沿って
原点C上を回転する固定票楊子のモーメントであると仮
定して図形化しである。この分極Pは軸1上に成分P1
を、軸3上に成分P3をもち、これらの成分は経時的に
双極子の回転につれて生じる。
より生じた力の作用を受けて、破線で示した円に沿って
原点C上を回転する固定票楊子のモーメントであると仮
定して図形化しである。この分極Pは軸1上に成分P1
を、軸3上に成分P3をもち、これらの成分は経時的に
双極子の回転につれて生じる。
第2b図の左側は、分極の成分P3の変化ΔP3の時間
の関数としてのグラフを示す。同様に第2C図の左側は
、分極成分P3の変化ΔP3の時間の関数としてのグラ
フを示す。これらのグラフから、励起電界E1の2倍の
周波数をこれらの変化がもつこと、及び第2の場合には
、位相は励起電圧の周波数倍増によって生じる電圧の位
相と同じであること、さらに第1の場合には、位相は2
倍周波数のこの電圧の位相と反対であることが分かる。
の関数としてのグラフを示す。同様に第2C図の左側は
、分極成分P3の変化ΔP3の時間の関数としてのグラ
フを示す。これらのグラフから、励起電界E1の2倍の
周波数をこれらの変化がもつこと、及び第2の場合には
、位相は励起電圧の周波数倍増によって生じる電圧の位
相と同じであること、さらに第1の場合には、位相は2
倍周波数のこの電圧の位相と反対であることが分かる。
励起電界の振幅は、用いられる材料の分極を消すために
必要な圧伏電界(coercive field)の振
幅にりずっと小さくなるように選択されている。
必要な圧伏電界(coercive field)の振
幅にりずっと小さくなるように選択されている。
例えばPVF、、を含むメモリについで、残留分極がp
3 =10−10−2c、m2Fあるときに、圧伏電界
のおにそ10分の1相当する10 v・m−1の振幅
をもつ電界E、は、軸3の方向に厚さ1ミクロン当りお
よそ200ミリボルトの電位変化を示す分極変化を与え
ることができる。
3 =10−10−2c、m2Fあるときに、圧伏電界
のおにそ10分の1相当する10 v・m−1の振幅
をもつ電界E、は、軸3の方向に厚さ1ミクロン当りお
よそ200ミリボルトの電位変化を示す分極変化を与え
ることができる。
第3図は本発明読取り装置の第1の具体例の構成図であ
る。本例においていは、強誘電性メモリはP (VF
/VF3)形の強誘電性材料の一様な層10によって
形成される条片から成る。条片10は読取装置に対して
長手方向に動き、かつ連続する2進データを担持するが
、その各々のデータ(よ定められた長さをもつ領域9内
に記憶されている。
る。本例においていは、強誘電性メモリはP (VF
/VF3)形の強誘電性材料の一様な層10によって
形成される条片から成る。条片10は読取装置に対して
長手方向に動き、かつ連続する2進データを担持するが
、その各々のデータ(よ定められた長さをもつ領域9内
に記憶されている。
残留分極の方向は層10の平面に対し垂直である。
各領域9内の残留分極の方向は2進データを表わす。
各領域9は第1図の立方体のように横方向から接近する
ことはできない。従って電気的励起電界は層10の外側
に配置され、かつこの層の第1面に対面して取付けられ
る電極12及び13を用いて印加され、前記電極は各領
域9の長さにほぼ等しい距離だけ相互に距たっている。
ことはできない。従って電気的励起電界は層10の外側
に配置され、かつこの層の第1面に対面して取付けられ
る電極12及び13を用いて印加され、前記電極は各領
域9の長さにほぼ等しい距離だけ相互に距たっている。
従って、電極12及び13によって生じる励起電界の幾
つかのラインは、これら2電極の中点に位置する領域を
通って横方向に流れる。第3の電極11は、電極12及
び13の間のスペースに向き合い、がっ層10の他の面
に対面して取付けられ、一方では電極12と13との間
、他方では電極11との間で残留分極によって生じた電
位差の測定を可能にする。
つかのラインは、これら2電極の中点に位置する領域を
通って横方向に流れる。第3の電極11は、電極12及
び13の間のスペースに向き合い、がっ層10の他の面
に対面して取付けられ、一方では電極12と13との間
、他方では電極11との間で残留分極によって生じた電
位差の測定を可能にする。
r=10kl−1zの周波数の発振器15は、変圧器1
4を介して2個の電極12及び13に印加される正弦交
番電圧を与える。変圧器14は中点に2次巻線をもつ。
4を介して2個の電極12及び13に印加される正弦交
番電圧を与える。変圧器14は中点に2次巻線をもつ。
この2次巻線の2端子は電極12及び13と結合し、そ
の中点は選択増幅器17の第1の入力に接続した基準電
位を構成する。この増幅器は周波数2f−20kHzに
整合し、かつ電極11と接続する第2人力をもつ。発振
器15は周波数二倍器16に結合する。周期検出器18
は次の要素をもつ。即ち、増幅器17の出力と結合した
入力と、周波数二倍器16の出力に接続した入力と、及
び出力端子19に対して、増幅器17及び周波数二倍器
16によってそれぞれ与えられる信号間の位相合致又は
位相対立を表わす論理信号を与える出力とである。この
論理信号は、強誘電性材料層10によって担持される2
進データ発振器15、周波数二倍器16、選択増幅器1
7及び周II検出器18は従来装置であって、それらの
製造は同業者の公知技術である。1具体例では、P(V
F’ /VF3)の1110の厚さは1ミクロンに等
しく、電極12及び13間のスペースは1ミクロンに等
しく、さらにこれらの電極に印加される電圧の振幅は1
0ボルトである。増幅器17によって受取られる周波数
2丁の交番電圧は、この場合およそ200ミリボルトで
ある。第4図は先行具体例の変形例を、数本の長手方向
トラック上に2進テータを記憶する強誘電性材料の条件
21を含む強誘電性メモリを読取るべく適用した場合を
部分的に説明する概略図である。この具体例は10本の
トラック読取り用に設計しであるが、他の具体例では、
トラックの本数はもっと多くてもよい。ここでは強誘電
性材料で作られた条片21が含まれており、条片は長手
方向に送行され、条片21の幅全体を覆う2本の細長い
励起電極22及び24上に支えられている。励起電極2
2及び24は全トラックに共通で、先行具体例の変圧器
14に類似の単一変圧器26と結送 合する。電極22及び24は2案データを担持する領域
の長さにほぼ等しい幅のスペースだけ距てられており、
前記幅は条片21が動く方向で測定される。
の中点は選択増幅器17の第1の入力に接続した基準電
位を構成する。この増幅器は周波数2f−20kHzに
整合し、かつ電極11と接続する第2人力をもつ。発振
器15は周波数二倍器16に結合する。周期検出器18
は次の要素をもつ。即ち、増幅器17の出力と結合した
入力と、周波数二倍器16の出力に接続した入力と、及
び出力端子19に対して、増幅器17及び周波数二倍器
16によってそれぞれ与えられる信号間の位相合致又は
位相対立を表わす論理信号を与える出力とである。この
論理信号は、強誘電性材料層10によって担持される2
進データ発振器15、周波数二倍器16、選択増幅器1
7及び周II検出器18は従来装置であって、それらの
製造は同業者の公知技術である。1具体例では、P(V
F’ /VF3)の1110の厚さは1ミクロンに等
しく、電極12及び13間のスペースは1ミクロンに等
しく、さらにこれらの電極に印加される電圧の振幅は1
0ボルトである。増幅器17によって受取られる周波数
2丁の交番電圧は、この場合およそ200ミリボルトで
ある。第4図は先行具体例の変形例を、数本の長手方向
トラック上に2進テータを記憶する強誘電性材料の条件
21を含む強誘電性メモリを読取るべく適用した場合を
部分的に説明する概略図である。この具体例は10本の
トラック読取り用に設計しであるが、他の具体例では、
トラックの本数はもっと多くてもよい。ここでは強誘電
性材料で作られた条片21が含まれており、条片は長手
方向に送行され、条片21の幅全体を覆う2本の細長い
励起電極22及び24上に支えられている。励起電極2
2及び24は全トラックに共通で、先行具体例の変圧器
14に類似の単一変圧器26と結送 合する。電極22及び24は2案データを担持する領域
の長さにほぼ等しい幅のスペースだけ距てられており、
前記幅は条片21が動く方向で測定される。
このスペースに対面して、10個の電極23が10個の
トラックを平行に読むようにストリップ21に重訂に一
列に並べられている。電極23は励起電極22及び23
と接触していない別面でリボン21と接触している。電
極23はそれらをストリップ21に当接させる弾性機械
的装置(図示せず〉に取(=Jけられている。これらは
互いに電気的に絶縁され、出力端25を介して先行具体
例中の増幅器11ど同様の選択増幅器(図示せず)に1
つずつ接続されている。
トラックを平行に読むようにストリップ21に重訂に一
列に並べられている。電極23は励起電極22及び23
と接触していない別面でリボン21と接触している。電
極23はそれらをストリップ21に当接させる弾性機械
的装置(図示せず〉に取(=Jけられている。これらは
互いに電気的に絶縁され、出力端25を介して先行具体
例中の増幅器11ど同様の選択増幅器(図示せず)に1
つずつ接続されている。
選択増幅器及び何期検出器が各トラックに対して備えら
れている。これと対照的に、単一の変圧器26、単一の
発振器及び単一の周波数二倍器でトラック全体に対して
充分用が足りる。
れている。これと対照的に、単一の変圧器26、単一の
発振器及び単一の周波数二倍器でトラック全体に対して
充分用が足りる。
第5図は、本発明読取装置の第2の具体例を、2進デー
タを複数セル32のマトリックスの形に蓄積する強誘電
性材料で作られたプレート31を含む静的メモリ中に用
いた場合を表わし、各セルは一様に分極されており、か
つ2進データを表わす領域から成る。従って電極11は
、プレート31の第1の側に配置され、かつマトリック
スの行(rOW)に対応する1紺の平行′ifi極33
によって置き替えられる。各電極33は、1行を構成す
るすべてのけルの問から1個のセルの分極方向を、1度
にその行から1個だけのセル32が励起されるようにし
て読み出すように用いることができる。
タを複数セル32のマトリックスの形に蓄積する強誘電
性材料で作られたプレート31を含む静的メモリ中に用
いた場合を表わし、各セルは一様に分極されており、か
つ2進データを表わす領域から成る。従って電極11は
、プレート31の第1の側に配置され、かつマトリック
スの行(rOW)に対応する1紺の平行′ifi極33
によって置き替えられる。各電極33は、1行を構成す
るすべてのけルの問から1個のセルの分極方向を、1度
にその行から1個だけのセル32が励起されるようにし
て読み出すように用いることができる。
プレート31の第2の側には、マトリックスの列(co
lumn)に対応する1組の平行電極29が、1列のセ
ル全部を同時に励起し、同時に1列だけが励起されるよ
うにして用いることができる。所定の1列を励起するた
め、先行具体例中の電極12及び13に印加される電圧
に類似の2つの逆位相の電圧がそれぞれ2個の励起電極
28及び3oに印加され、これらのvii極は対象列の
隣りの2つの列の下側にそれぞれ配回されている。第1
列には付加電極34が、@終刊には付加電極27が、こ
れらの列には隣りに1列しかないことから設けられてい
る。
lumn)に対応する1組の平行電極29が、1列のセ
ル全部を同時に励起し、同時に1列だけが励起されるよ
うにして用いることができる。所定の1列を励起するた
め、先行具体例中の電極12及び13に印加される電圧
に類似の2つの逆位相の電圧がそれぞれ2個の励起電極
28及び3oに印加され、これらのvii極は対象列の
隣りの2つの列の下側にそれぞれ配回されている。第1
列には付加電極34が、@終刊には付加電極27が、こ
れらの列には隣りに1列しかないことから設けられてい
る。
当業者の公知技術のm回内で製造できる切替手段35を
、変圧器によって中央点41で与えられる2つの励起電
圧を励起されるべき列に隣り合う2個の励起18128
及び30に印加するため使用することができる。切替手
段36は増幅器17に類似の選択増幅器38の入力に対
し第1の側の電極33の1つを接続するために用いられ
る。増幅器37の出力は読取装置の出力端子42と接続
する。勿論、周波数二倍器39及び周期検出器40が備
えられ、先行具体例と同じ様に配列されている。
、変圧器によって中央点41で与えられる2つの励起電
圧を励起されるべき列に隣り合う2個の励起18128
及び30に印加するため使用することができる。切替手
段36は増幅器17に類似の選択増幅器38の入力に対
し第1の側の電極33の1つを接続するために用いられ
る。増幅器37の出力は読取装置の出力端子42と接続
する。勿論、周波数二倍器39及び周期検出器40が備
えられ、先行具体例と同じ様に配列されている。
本発明は上記の具体例に限定されない。また他にも多数
の具体例が当業者に可能である。例えば、周期的だが非
正弦波形である励起信号を用いることが可能で、さらに
別の形の強誘電性材料が、例えば読取装置に関して回覧
するやディスクの形で使用することが可能である。
の具体例が当業者に可能である。例えば、周期的だが非
正弦波形である励起信号を用いることが可能で、さらに
別の形の強誘電性材料が、例えば読取装置に関して回覧
するやディスクの形で使用することが可能である。
本発明はすべての形の強誘電性メモリの読取りに適用す
ることができる。
ることができる。
れる方法の説明図、第3図は本発明読取装置の1具体例
の構成図、M4図は上記具体例の別の変形例の1部を表
わす説明図、第5図は第2の具体例の構成図である。
の構成図、M4図は上記具体例の別の変形例の1部を表
わす説明図、第5図は第2の具体例の構成図である。
8・・・・・・交流電圧発生器、9・・・・・・領域、
10・旧・・条片、11〜13・・・・・・電極、14
・・・・・・変圧器、15・・・・・・発振器、16・
・・・・・周波数二倍器、17・・・・・・選択増幅器
、18・・・・・・周期検出器、19・・・・・・出力
端子。
10・旧・・条片、11〜13・・・・・・電極、14
・・・・・・変圧器、15・・・・・・発振器、16・
・・・・・周波数二倍器、17・・・・・・選択増幅器
、18・・・・・・周期検出器、19・・・・・・出力
端子。
Claims (3)
- (1)強誘電性メモリのための読取装置であつて、前記
メモリは一連の分極領域の形に2進データを記憶する強
誘電性材料の連続層を含んでおり、領域は層の平面に対
し垂直方向に分極されており、その方向が2進データを
表わすよう各領域が分極されており、読取装置が各領域
によって担持される2進データを読取るために次の素子
、即ち、 −層の第1面に取付けられ、かつ分極領域の範囲に相当
するスペースによつて距てられた第1及び第2電極、 −交流電位差を周波数fで付与するため第1及び第2電
極に結合された手段、 −第1電極と第2電極との間のスペースに向き合う層の
第2面に取付けられた第3の電極、 −周波数2fに整合し3つの電極に結合し、第1電極と
第2電極に共通な電位と第3電極の電位との間の差を表
わす電気信号内の周波数成分2fを測定し、かつこの成
分の位相を第1電極と第2電極に付与された電位差と比
較するための測定手段を含んでいる読取装置。 - (2)強誘電性材料層が長手方向に移動する条片の形状
をもっており、及び幾つかの長手方向トラックを同時に
読取るため、条片に対して垂直をなしかつ条片の全幅に
沿って伸延する細長い第1及び第2電極を含んでおり、
さらにまた各トラックのための第3電極をも含み、この
第3電極は条片に対し垂直に整列し、相互に電気的に絶
縁され、さらに各々が選択増幅器に対し結合されている
、特許請求の範囲第1項に記載の装置。 - (3)強誘電性材料層が読取装置に対して固定され、か
つセルのマトリクスを含むプレートの形をもち、各セル
は2進データを記憶しており、次の素子、即ち、 −プレートの第1の側に配置され、マトリクスの列に対
応する数個の第1電極であって、マトリクスの各列はこ
れらの第1電極の2個によって励起され、これらの2つ
の電極は励起されるべき列のすぐ隣りの2つの列の下側
に配置されている電極、 −プレートの第2の側に配置され、かつマトリクスの行
に対応する数個の第2電極、 −周波数fの交流電圧発生器、 −第1電極の2つをそれぞれ交流電圧発生器の2つの端
子に接続するための切替手段、 −前記手段の入力に印加される電圧の位相を、発生器に
よつて与えられ、メモリ内の2進データ読取を代表する
2進信号を与える電圧の位相と比較するための測定手段
、 −第2電極の1つを測定手段の入力に結合するための切
替手段 を含むことを特徴とする、特許請求の範囲第1項に記載
の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8613933 | 1986-10-07 | ||
FR8613933A FR2604805A1 (fr) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | Dispositif de lecture pour memoire ferro-electrique |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6396795A true JPS6396795A (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=9339604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62252297A Pending JPS6396795A (ja) | 1986-10-07 | 1987-10-06 | 強誘電性メモリのための読取装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6396795A (ja) |
FR (1) | FR2604805A1 (ja) |
NL (1) | NL8702368A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8068405B2 (en) * | 2007-06-30 | 2011-11-29 | Intel Corporation | Ferroelectric memory and method in which polarity of domain of ferroelectric memory is determined using ratio of currents |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2872529A (en) * | 1953-03-10 | 1959-02-03 | Hans E Hollmann | Apparatus for recording signals |
DE1040827B (de) * | 1954-10-18 | 1958-10-09 | Ibm Deutschland | Ferroelektrischer Speicher |
US2922986A (en) * | 1956-04-24 | 1960-01-26 | Bell Telephone Labor Inc | Ferroelectric memory device |
GB890780A (en) * | 1957-05-16 | 1962-03-07 | Post Office | Improvements in or relating to information storage systems |
NL237700A (ja) * | 1958-04-02 | |||
US3264618A (en) * | 1962-11-23 | 1966-08-02 | Ford Motor Co | Ferroelectric memory element |
-
1986
- 1986-10-07 FR FR8613933A patent/FR2604805A1/fr not_active Withdrawn
-
1987
- 1987-10-05 NL NL8702368A patent/NL8702368A/nl not_active Application Discontinuation
- 1987-10-06 JP JP62252297A patent/JPS6396795A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL8702368A (nl) | 1988-05-02 |
FR2604805A1 (fr) | 1988-04-08 |
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