JPS6395345A - 材料表面の析出物濃度の非破壊的分析法 - Google Patents

材料表面の析出物濃度の非破壊的分析法

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Publication number
JPS6395345A
JPS6395345A JP61239246A JP23924686A JPS6395345A JP S6395345 A JPS6395345 A JP S6395345A JP 61239246 A JP61239246 A JP 61239246A JP 23924686 A JP23924686 A JP 23924686A JP S6395345 A JPS6395345 A JP S6395345A
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JP
Japan
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sample
film
precipitate
thin film
analyzing points
Prior art date
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Pending
Application number
JP61239246A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Umada
馬田 政寛
Masakatsu Fukuda
福田 正勝
Fujimitsu Masuyama
不二光 増山
Nobuhiko Nishimura
宣彦 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Publication date
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Priority to JP61239246A priority Critical patent/JPS6395345A/ja
Publication of JPS6395345A publication Critical patent/JPS6395345A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔浬築上の利用分野〕 本発明は材料表面の析出物濃度分布を非破壊的に分析す
る方法に関する。
〔従来の技術〕
従来より材料試験片に対して直接電子線を照射して発生
する特性Xll’t−検出して組織解析するX@マイク
ロアナリシスは知られている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は材料の表面にある析出物を転写して試料を採取
することによシ、その材料で構成され几構造物を破壊す
ることなく分析を可能とし、かつ、材料表面の広い範囲
の析出物を任意の濃度範囲に入るか否かの分類上し次上
で、該濃度範囲に入る面積率を知ることができる材料表
面の析出物濃度の非破壊的分析法を提供しようとするも
ので、この種の分析法は従来に全くないものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、材料表面の析出物濃度分布を非破壊的に分析
する方法において、材料表面を腐食した後、その表面に
薄膜を貼シ付けて上記析出物全薄膜上に転写し、次いで
薄膜を剥離し、薄膜の転写表面にカーボンを蒸着して蒸
着膜を形成し几後、上記薄膜を溶解除去して試料を作成
し、該試料表面に対して絞った電子線を相対的に二次元
的に走査させながら連続して照射し、各照射点から発生
する特性X線を検出して析出物構成元素の特性X線につ
いて任意の濃度範囲毎に分QL、全分析点数に対する任
意の濃度範囲内にある分析点数の割合を上記濃度に対し
て表示するようにしたことを特徴とする材料表面の析出
物濃度の非破壊的分析法である。
〔作用コ 以下本発明を図を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例による非破壊的に析出物を分
析するための試料の作成要領図である。第1図(a)は
材料表面1を腐食液にて腐食し材料内の析出物2′t−
露出させた状態を示す。第1図(1))は腐食され土表
面に溶剤を浸し几レプリカフィルム3を貼シ付はレプリ
カフィルム3が乾燥する程度まで放置した後、レプリカ
フィルム3t″剥ぎとった状態を示す。第1図(CJは
剥ぎとつ几レフリカフィルム3の材料表面に接し丸面に
真を蒸着装置を使用して、カーボンの7A着膜41i′
蒸着した状態を示す。次に、溶剤中でレプリカフィルム
3t−溶解除去し析出物2と蒸着膜4が残存し次状態を
示す。第1図(aJはメツシュ5にて蒸着膜4をすくい
固定した状態を示す。
第2図は、前述した試料Sを通用した組織解析方法を示
す原理図である。まず、メツシュ5上にすくった蒸着膜
4をガラスの小片6に固定する。試料は、導電性及び帯
電防止のためカーボンにてアースする。X線マイクロア
ナライザーの電子発生器7よシミ子ビーム8を収束させ
て試料日に照射する。該試料Sは図示しない試料駆動装
置に固定されておシ駆動制御装置9の信号により一定時
間間隔で連続的にX、Y方向へ移動する。電子ビーム8
の照射によって各照射位置から発生する特性X線10の
強度はX線検出器11によって検出され、その強度信号
は各照射位置毎に記憶装置12に記憶さnる。
次に、電算機15によって該X線信号強度を元素濃度に
変換し、各分析点を任意の濃度範囲に分類し、該濃度範
囲内にある分析点数を算出し、その全分析点数に対する
比を面積率として元素濃度に対してディスプレイ装置ま
たはプリンター14に出力表示する。
〔実施例〕
事業用ボイラー過熱器管及び主蒸気管として使用される
2 ’/4 ar −I MO鋼のフェライト系耐熱燗
について、使用前、2万時間使用した後および5万時間
使用した後の管壁にレプリカ7 。
イルムを貼シ付けて、乾燥し友後剥ぎとり、該フィルム
を真空蒸着装置に入れて転写面にカーボン蒸N膜を形成
する。その後、該蒸着膜からレプリカフィルムを溶解除
去して検査試料を得次。
該検査試料の1mX1sazの領域内に1000点x 
1ooo点の分析点を想定して、X線マイクロアナライ
ザによりMo濃度を測定した。測定データを全濃度範囲
をα2%間隔に分けて全分析点に対する各濃度範囲内に
ある分析点の数の割合を面積率として濃度に対してプロ
ットしたものが第3図である。
〔発明の効果] 本発明は、上記構成を採用することにより、材料表面の
広範曲な析出物全弁破壊的に、析出物の濃度分布を面積
率分布として定量的に把握することができ、長時間高温
で使用される耐熱部品等の劣化調査に有効に応用しうる
分析法であつ几。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(d)は、本発明による非破壊的に析出
物を分析するための試料の作成要領図、第2図は、前回
の要領で作成した試料を利用しての析出物の濃度分布を
分析する方法の原理図、第3図は実施例の分析結果金示
す Mo濃度と面積率との関係図である。 復代理人  内 1)  明 復代理人  萩 原 亮 − 復代理人  安 西 篤 夫

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 材料表面の析出物濃度分布を非破壊的に分析する方法に
    おいて、材料表面を腐食した後、その表面に薄膜を貼り
    付けて上記析出物を薄膜上に転写し、次いで薄膜を剥離
    し、薄膜の転写表面にカーボンを蒸着して蒸着膜を形成
    した後、上記薄膜を溶解除去して試料を作成し、該試料
    表面に対して絞つた電子線を相対的に二次元的に走査さ
    せながら連続して照射し、各照射点から発生する特性X
    線を検出して析出物構成元素の特性X線について任意の
    濃度範囲毎に分類し、全分析点数に対する任意の濃度範
    囲内にある分析点数の割合を上記濃度に対して表示する
    ようにしたことを特徴とする材料表面の析出物濃度の非
    破壊的分析法。
JP61239246A 1986-10-09 1986-10-09 材料表面の析出物濃度の非破壊的分析法 Pending JPS6395345A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5144572A (en) * 1989-10-02 1992-09-01 Fuji Xerox Co., Ltd. Digital filter for filtering image data

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53110893A (en) * 1977-03-10 1978-09-27 Toshiba Corp Evaluating method of metal materials by x-ray energy analysis
JPS58161854A (ja) * 1982-03-19 1983-09-26 Nippon Steel Corp 放射線分析方法

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