JPS6388532A - Single-lens reflex camera - Google Patents

Single-lens reflex camera

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JPS6388532A
JPS6388532A JP23133186A JP23133186A JPS6388532A JP S6388532 A JPS6388532 A JP S6388532A JP 23133186 A JP23133186 A JP 23133186A JP 23133186 A JP23133186 A JP 23133186A JP S6388532 A JPS6388532 A JP S6388532A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor
light
lens
ttl
control circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP23133186A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuo Suda
康夫 須田
Kazuhiko Arakawa
和彦 荒川
Keiji Otaka
圭史 大高
Takashi Koyama
剛史 小山
Ichiro Onuki
一朗 大貫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
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Priority to JP23133186A priority Critical patent/JPS6388532A/en
Priority to US07/102,011 priority patent/US4774539A/en
Publication of JPS6388532A publication Critical patent/JPS6388532A/en
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Abstract

PURPOSE:To display a focus detecting function and a TTL light measuring function to their maximums by arranging a sensor for TTL light measurement at the position where reflected light from an object image formation surface is guided in through a field lens. CONSTITUTION:Part of luminous flux incident on a film is reflected by a film surface and incident on a sensor 14 for dimming through the field lens, and a light measurement signal obtained by photodetecting and converting the light photoelectrically is outputted to a control circuit 101 from a TTL strobe dimming circuit 109. The control circuit 101 compares light measurement information from a light measuring circuit 110 with light measurement information from the TTL strobe dimming circuit 109 and allows the trailing curtain of a shutter 15 to run through a shutter control circuit 103 on detecting their coincidence. Then the film is taken up and a series of photographing operations are completed. Consequently, the performance of a focus detection optical system and TTL light measurement optical system is displayed to the maximum.

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の利用分野) 本発明は、フィールドレンズと、二次結像レンズと、焦
点検出用センサとを有する焦点検出光学系と、被写体像
結像面1例えばフィルム面或いはシャツタ幕面よりの反
射光を測光するTTIJII光用センサ(TTL調光用
センサ或いはTTL−AE用センサ)を有するTTL測
光光学系とをミラーボックス下部に備えた一眼レフレッ
クスカメラの改良に関するものである。
Detailed Description of the Invention (Field of Application of the Invention) The present invention relates to a focus detection optical system having a field lens, a secondary imaging lens, and a focus detection sensor, and a focus detection optical system that includes a field lens, a secondary imaging lens, and a focus detection sensor, and Or, it relates to the improvement of a single-lens reflex camera equipped with a TTL photometry optical system having a TTIJII light sensor (TTL light control sensor or TTL-AE sensor) that measures the light reflected from the shutter curtain surface at the bottom of the mirror box. It is.

(発明の背景) 一眼レフレックスカメラにおいて、焦点検出機能とTT
L調光機能の両方を備えることは、一般的にこの両者の
光学系がいずれもミラーボックス下部に配置されること
から、レイアウト上かなりの困難を伴う、つまり焦点検
出用光学系においては画面の中央を測距する要求から、
又TTL調光用光学系においては測光感度分布を左右均
等にする要求から、いずれも撮影光軸中心上にこれらの
光路中心を配置するのが理想的であるが、この為には例
えばビームスプリッタ等により光路を分割する等の工夫
が必要であり、コンパクト化が困難になると共に、光量
的にも不利なものとなり、その制約によってそれぞれの
装置の性能を犠牲にするか、或いはTTL調光用光学系
を撮影光軸中心上からずらして測光感度分布を犠牲にす
るかのいずれかを選択せざるを得なかった。
(Background of the invention) In a single-lens reflex camera, focus detection function and TT
Providing both the L and L dimming functions is generally very difficult in terms of layout, as both optical systems are placed at the bottom of the mirror box. From the request to measure the center,
In addition, in the TTL light control optical system, it is ideal to arrange the centers of these optical paths on the center of the photographing optical axis in order to make the photometric sensitivity distribution even on the left and right sides. It is necessary to take measures such as dividing the optical path due to the I had to choose between shifting the optical system from the center of the photographic optical axis and sacrificing the photometric sensitivity distribution.

(発明の目的) 本発明の目的は、上述した問題を解決し、低コスト化、
コンパクト化を達成しながら、焦点検出機能及びTTL
測光機能の夫々の性能を最大限に引き出すことのできる
一眼レフレックスカメラを提供することである。
(Object of the invention) The object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, reduce costs,
Focus detection function and TTL while achieving compactness
To provide a single-lens reflex camera that can maximize the performance of each photometry function.

(発明の特徴) L記目的を達成するために、本発明は、TTL測光用セ
ンサを、フィールドレンズを介して被写体像結像面より
の反射光を取り込める位tに配置し、以て、焦点検出光
学系とTTL測光光学系との両方に前記フィールドレン
ズを共用することにより、光軸中心上にこれらの光路中
心を位置させるようにしたことを特徴とする。
(Characteristics of the Invention) In order to achieve the object L, the present invention arranges a TTL photometry sensor at a position t where it can take in the reflected light from the object image formation plane via a field lens, and The present invention is characterized in that the field lens is shared by both the detection optical system and the TTL photometry optical system, so that the centers of these optical paths are located on the center of the optical axis.

(発明の実施例) 以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する
(Embodiments of the Invention) Hereinafter, the present invention will be described in detail based on illustrated embodiments.

第1〜3図は本発明の一実施例を示すものであり、第1
図はストロボが装着された状態での断面図である。第1
図において、1はカメラボディ、2は撮影レンズ3を光
軸4の方向に移動可能に保持するレンズ鏡筒、5はサブ
ミラー6と共に前記撮影レンズ3を透過した被写体光を
ファインダー系とAF@測光系に分離する主ミラー、7
はペンタプリズム8及び接眼レンズ9と共にファインダ
ー系を構成するピントグラス、10は、フィルードレン
ズ11.二次結像レンズ12.AFJTIラインセンサ
とAE用センサとが配置(詳細は後述)されるセンサ部
13a等を有するAF−AE川用ンサ13.センサ部1
4a等を有するTTLストロボ調光用センサ14とを有
するAFφ測光系(ここではTTLストロボ調光系とA
E系の両方の系を測光系と称している)を成すAF・測
光ユニット、15はシャッタ、16はストロボ、17は
閃光発光部、18はAF用近赤外線補助光発光部である
1 to 3 show one embodiment of the present invention.
The figure is a cross-sectional view with a strobe attached. 1st
In the figure, 1 is a camera body, 2 is a lens barrel that holds a photographic lens 3 movably in the direction of an optical axis 4, and 5 is a sub-mirror 6 that converts the subject light transmitted through the photographic lens 3 into a finder system and AF@photometering. Main mirror that separates into systems, 7
10 is a focusing glass that constitutes a finder system together with a pentaprism 8 and an eyepiece 9; 10 is a field lens 11. Secondary imaging lens 12. AF-AE river sensor 13. has a sensor section 13a where an AFJTI line sensor and an AE sensor are arranged (details will be described later). Sensor part 1
4a, etc. (here, the TTL strobe light control system and the A
15 is a shutter, 16 is a strobe, 17 is a flash light emitting section, and 18 is a near-infrared auxiliary light emitting section for AF.

第2.3図は第1図にて示したAF−測光ユニット10
の主要部のみの詳細図であり、第2図はその断面図であ
り、第3図はその展開斜視図である。
Figure 2.3 shows the AF-photometering unit 10 shown in Figure 1.
FIG. 2 is a sectional view thereof, and FIG. 3 is an exploded perspective view thereof.

本体ブロック19の上面側には、視野マスク2O1透過
率の異なる領域21a、21bを有する赤外カットフィ
ルタ21、フィールドレンズ11の順番でそれぞれが取
り付けられ、また下面側には、絞り22、二次結像レン
ズ12、押えばね23、センサブロック24、センサホ
ルダ25、AF−AE用センサ13の順番でそれぞれが
取り付けられる。更に本体ブロック19には、フィルム
面よりの反射光を前記フィールドレンズ11を介して受
光する事のできる位置にTTLストロボ調光用センサ1
4が取り付けられる。
On the upper surface side of the main body block 19, an infrared cut filter 21 having regions 21a and 21b with different transmittances of the field mask 2O1 and a field lens 11 are attached in that order, and on the lower surface side, an aperture 22 and a secondary The imaging lens 12, the pressing spring 23, the sensor block 24, the sensor holder 25, and the AF-AE sensor 13 are attached in this order. Furthermore, the main body block 19 is provided with a TTL strobe light control sensor 1 at a position where it can receive reflected light from the film surface via the field lens 11.
4 can be installed.

前記絞り22は第3図に示す様に直交して設けられた対
の開口部22a、22bと22c 、22dを有すると
共に、これら開口部の中心Aと一致した点を半径とする
弧を持つ位置決め部22e。
The diaphragm 22 has a pair of orthogonal openings 22a, 22b and 22c, 22d as shown in FIG. Part 22e.

22f及びばね部22g、長穴22hとを有している。22f, a spring portion 22g, and a long hole 22h.

レンズ部12a〜12dを有する二次結像レンズ12は
前述の様な各部を看する絞り22を本体ブロック19と
の間に挟み込んだ状態でビン12e 、12fによって
位置決めされ、押えばね23によって固定される(第2
図参照)、この様な状態において、前記二次結像レンズ
12のレンズ部12a−12dは前記開口部22a 〜
22dと対応した位置関係にあり(詳細は後述)、また
前記位置決め部22e 、22fには二次結像レンズ1
2のビン12g、12hが、ばね部22gにはビン12
iが、それぞれ挿入される。前記ばね部22gにビン1
2iが挿入されることにより、該ばね部22gは第2図
の様に変形し、絞り22を位置決め部22e 、22f
の方向に付勢する力を生じる。したがって、偏心ビン2
6を絞り22の長穴22hを介して本体ブロック19の
穴に差し込み、これを回転させることによって絞り22
の各開口部の中心Aを軸とした該絞り22の微小角回転
(第2図矢印B方向)が可能となる。
The secondary imaging lens 12 having the lens parts 12a to 12d is positioned by the pins 12e and 12f with the diaphragm 22 for viewing each part as described above sandwiched between it and the main body block 19, and is fixed by a pressing spring 23. (Second
(see figure), in such a state, the lens portions 12a to 12d of the secondary imaging lens 12 are connected to the openings 22a to 12d.
22d (details will be described later), and the positioning parts 22e and 22f are provided with a secondary imaging lens 1.
2 bottles 12g and 12h are attached to the spring part 22g.
i is inserted respectively. Bin 1 is attached to the spring portion 22g.
2i, the spring portion 22g is deformed as shown in FIG.
It generates a force that urges in the direction of. Therefore, eccentric bin 2
6 into the hole of the main body block 19 through the elongated hole 22h of the aperture 22, and by rotating it, the aperture 22
The diaphragm 22 can be rotated by a minute angle (in the direction of arrow B in FIG. 2) about the center A of each opening.

前記二次結像レンズ12の下部には前述した様にセンサ
ブロック24、センサホルダ25が配置されるが、これ
らは取付はビス27.ワッシャ28、偏心ビン29と共
にさらにその下部に配置されるAF−AE用センサ13
の傾き3I整機構を成している。前記AF−AE用セン
サ13はセンサホルダ25の取付は面25aに接着され
、このセンサホルダ25は取付は穴24a、24bを有
するセンサブロック24の円弧状取付は面24cに前記
取付は穴24aを介して取付はビス27゜ワッシャ28
によって固定される。
As described above, the sensor block 24 and the sensor holder 25 are arranged below the secondary imaging lens 12, and these are attached using screws 27. The AF-AE sensor 13 is further arranged below the washer 28 and the eccentric bin 29.
It constitutes an inclination 3I adjustment mechanism. In the AF-AE sensor 13, a sensor holder 25 is attached to the surface 25a, and a sensor block 24 having holes 24a and 24b is attached to the arc-shaped sensor block 24, which is attached to the surface 24c. For installation, use screws 27° and washers 28
Fixed by

ここで、前記円弧状取付は面24cのR中心は第2図に
想定して描いた軸Cであり、またセンサブロック24の
取付は穴24aは長大になっている為、第2図矢印り方
向の傾斜調整が可能である。さらにセンサホルダ25は
前記取付は穴24aと同様長穴となっている取付は穴2
4bを介して偏心ビン29によってもセンサブロック2
4に固定され、又センサホルダ25の屈曲部25bの肉
厚を十分に薄くシて可撓性を持たせである為。
Here, for the arcuate mounting, the R center of the surface 24c is the axis C drawn assumingly in FIG. 2, and for mounting the sensor block 24, the hole 24a is elongated, so Directional tilt adjustment is possible. Furthermore, the sensor holder 25 is installed in hole 2, which is an elongated hole similar to hole 24a.
The sensor block 2 is also connected by the eccentric bin 29 via 4b.
4, and the thickness of the bent portion 25b of the sensor holder 25 is made sufficiently thin to provide flexibility.

前記偏心ビン29を回転させることによって第2図に想
定して描いた軸Eをほぼ中心として第2図矢印F方向の
傾斜調整が可能である。
By rotating the eccentric bin 29, it is possible to adjust the inclination in the direction of arrow F in FIG. 2 approximately around the axis E hypothetically drawn in FIG.

以上の様な構成より成るAF・測光ユニットlOにおい
て、以下にTTLストロボ調光系、AF系、AE系のそ
れぞれについて説明する。
In the AF/photometering unit IO having the above configuration, each of the TTL strobe light control system, AF system, and AE system will be explained below.

まずTTLストロボ調光系(以下の実施例においては調
光系と略記する)について述べる。調光系は、ストロボ
撮影時のフィルム面の反射光をフィールドレンズ11に
より調光用センサ14のセンサ部14aに取り込み、そ
の受光量によってストロボ16の発光を停止させる為の
ものである。つまり、主ミラー5.サブミラー6が上昇
し、シャッタ15の先幕が走行しフィルムが露出した状
態でストロボ16が発光すると5被写体像がフィルム上
に結像し、その反射光が生じる。その一部の反射光が第
2図に示したAF・測光二二ッ)10の視野マスク20
.赤外カットフィルタ21及びフィールドレンズ11を
通過して調光用センサ14のセンサ部14aに入射し、
例えば受光される受光量が後述するスポット測光を行う
AE用センサによって予め求められている測光量に達し
たことが後述するマイクロコンピュータによって検知さ
れると、ストロボ16側へ発光停止信号が出力され、発
光が停止する。
First, a TTL strobe light control system (abbreviated as light control system in the following embodiments) will be described. The light control system captures reflected light from the film surface during flash photography into the sensor section 14a of the light control sensor 14 through the field lens 11, and stops the flash 16 from emitting light depending on the amount of light received. That is, main mirror 5. When the sub-mirror 6 is raised, the front curtain of the shutter 15 is moved, and the strobe 16 emits light with the film exposed, five subject images are formed on the film and their reflected light is generated. A part of the reflected light is reflected by the field mask 20 of AF/photometry 2) 10 shown in FIG.
.. It passes through the infrared cut filter 21 and the field lens 11 and enters the sensor section 14a of the dimming sensor 14,
For example, when a microcomputer (described later) detects that the amount of received light has reached a photometric amount predetermined by an AE sensor that performs spot photometry (described later), a light emission stop signal is output to the strobe 16, Light emission stops.

尚前述からもわかる様に、AF系、AE系に使用される
フィールドレンズ11をTTL調光系に共用している為
、カメラのコンパクト化、低コスト化を実現した状態で
フィルム感度分布を良好なものにすることができる。
As can be seen from the above, since the field lens 11 used in the AF system and AE system is shared with the TTL light control system, the film sensitivity distribution is good while realizing a compact and low-cost camera. can be made into something.

次にAF系について述べる。第4図及び第5図はAF系
の光路展開図である。二次結像レンズ12には第3図に
示した様に直交して配置された対のレンズ部12a、1
2bと12c、12dを有しており、このうちのレンズ
部12a、12bの光軸を含む断面を表したものが第4
図であり、レンズ部12c、12dの光軸を含む断面を
表したものが第5図である。尚ここでは図の簡略化の為
に絞り22の各開口部の開口中心を通過する一次結像面
での物高がOの光線のみを描いており、図中矢印Gの位
置が一次結像面、矢印HがAF・AF用センサ13のセ
ンサ面である。二次結像レンズ12のレンズ部12a〜
12dには前述した様に絞り22の開口部22a〜22
dがそれぞれ対応しており、これによりセンサ部13a
上には4つの二次像が形成され、これらの二次像の境界
は視野マスク20の開口像によって分離されている。絞
り22の同一形状をした対となる開口部22aと22b
の間隔は開口部22cと22dの間隔よりも狭くなって
おり、これらの開口部はフィールドレンズ11によって
撮影レンズ3の膝上に投影されている。この様子を示し
たのが第6図である0図中30は撮影レンズ3の射出瞳
Next, we will discuss the AF system. 4 and 5 are optical path development diagrams of the AF system. The secondary imaging lens 12 has a pair of lens parts 12a and 1 disposed perpendicularly as shown in FIG.
2b, 12c, and 12d, and the fourth one represents the cross section including the optical axis of the lens parts 12a and 12b.
FIG. 5 shows a cross section including the optical axis of the lens portions 12c and 12d. In order to simplify the diagram, only the rays passing through the aperture centers of the apertures of the diaphragm 22 and having an object height of O on the primary imaging plane are depicted, and the position of the arrow G in the diagram is the primary imaging plane. The surface and arrow H are the sensor surfaces of the AF/AF sensor 13. Lens portion 12a of the secondary imaging lens 12~
12d has openings 22a to 22 of the diaphragm 22 as described above.
d correspond to each other, so that the sensor part 13a
Four secondary images are formed above, the boundaries of these secondary images being separated by the aperture image of the field mask 20. A pair of openings 22a and 22b having the same shape as the diaphragm 22
The distance between them is narrower than the distance between the openings 22c and 22d, and these openings are projected by the field lens 11 onto the knee of the photographing lens 3. This situation is shown in Figure 6. In Figure 0, 30 is the exit pupil of the photographic lens 3.

31a〜31dはそれぞれ絞り22の開口部22a〜2
2dに対応する瞳面上での領域である。
31a to 31d are openings 22a to 2 of the diaphragm 22, respectively.
This is the area on the pupil plane corresponding to 2d.

一般的なカメラ用撮影レンズの場合にはM、Nの領域を
それぞれF4 、F8程度に選べばよい。
In the case of a general camera lens, the M and N areas may be selected to be approximately F4 and F8, respectively.

AF@AE用センサ13のセンサ部13a上での二次像
の様子を示したのが第7図である。センサ13a上には
縦方向測距と横方向測距を行うAF用のラインセンサS
AA 、SABとSAC、SADと、前記ラインセンサ
SAA 、SABに隣接(測距エリアを挟む様に)して
2つのAE用のセンサSAE 、SAFが配置され、こ
の上に二次像32a〜32dが二次結像レンズ12によ
って投影される。前記二次像32a、32bは撮影レン
ズ3の膝上に領域31a、31bを通過した光束による
被写体像であり、二次像32c 、32dはは領域31
e、31dを通過した光束による被写体像である。尚破
線部32e、32fはサブミラー6によって欠られてし
まう像領域である。またセンサ部13a上に配置されて
いる33a〜33dは前記ラインセンサ5AA−3AB
のセンサ駆動回路で、この部分への光の入射がセンサ出
力に対して影響しないように遮光用アルミ層がこの上に
形成されている。
FIG. 7 shows a secondary image on the sensor section 13a of the AF@AE sensor 13. On the sensor 13a is a line sensor S for AF that performs vertical distance measurement and horizontal distance measurement.
Two AE sensors SAE and SAF are arranged adjacent to the line sensors SAA and SAB (with the distance measurement area sandwiched therebetween), and the secondary images 32a to 32d are arranged above the line sensors AA, SAB, SAC, and SAD. is projected by the secondary imaging lens 12. The secondary images 32a and 32b are subject images formed by the light beams that have passed through the areas 31a and 31b above the knee of the photographic lens 3, and the secondary images 32c and 32d are the images of the subject formed by the area 31.
This is a subject image created by the light flux that has passed through e and 31d. Note that the broken line portions 32e and 32f are image areas that are omitted by the submirror 6. Further, 33a to 33d arranged on the sensor section 13a are the line sensors 5AA to 3AB.
In this sensor drive circuit, a light-shielding aluminum layer is formed on this part so that light incident on this part does not affect the sensor output.

第8図はデフォーカス量演算の説明図であり。FIG. 8 is an explanatory diagram of defocus amount calculation.

ラインセンサ5AA−3ADの履出力をそれぞれA像〜
D像として表している。第6図で説明した様に、A、B
像は膝上の領域31a、31bを通過した光束によって
形成され、一方C,D像はより外側の領域31c、31
dを通過した光束によって形成されている為、撮影レン
ズ3のデフォーカスに対する像ずれ量はC,D像の方が
A、B像よりも大きい、つまり第8図において。
The track output of line sensors 5AA-3AD is shown in image A~
It is expressed as a D image. As explained in Figure 6, A, B
The image is formed by the light flux passing through the areas 31a and 31b above the knees, while the C and D images are formed by the more outer areas 31c and 31
Since images C and D are formed by the light flux that has passed through point d, the amount of image shift due to defocusing of the photographing lens 3 is larger in images C and D than in images A and B, that is, in FIG.

位相差xlよりもx2の方が大きい、この位相差X、、
X2情報が前記センサ駆動回路33a〜33dを介して
後述するマイクロフンピユータへ伝達され、ここでデフ
ォーカス蟻の演算が行われて撮影レンズ3の焦点制御が
実行されるわけであるが、ラインセンサSAA 、SA
BとSAC,SADの両方にて測距を行う場合において
は、C,D像からの演算結果の方が像ずれ量が大きい為
、こちらの結果を使用した方が焦点検出精度が高いもの
となる。
This phase difference X, where x2 is larger than the phase difference xl,
The X2 information is transmitted to a microcomputer (described later) via the sensor drive circuits 33a to 33d, where a defocus calculation is performed to control the focus of the photographing lens 3. S.A.A., S.A.A.
When performing distance measurement using both B, SAC, and SAD, the calculation results from C and D images have a larger amount of image shift, so using these results will result in higher focus detection accuracy. Become.

第9図はカメラのファインダ視野内の測距エリアを示す
図である0図中34はカメラのファインダ視野、35は
前記ファインダ視野34内における測距エリアを想定し
て描いたものであり、横方向の測距エリアがラインセン
サSAA 、SABの逆投影像、縦方向の測距エリアが
ラインセンサSAC、SADの逆投影像に一致している
Figure 9 is a diagram showing the distance measurement area within the viewfinder field of the camera. In Figure 9, 34 is the camera's viewfinder field of view, 35 is a diagram assuming the distance measurement area within the finder field of view 34, and the horizontal The distance measurement area in the direction corresponds to the back projection image of the line sensors SAA and SAB, and the distance measurement area in the vertical direction corresponds to the back projection image of the line sensors SAC and SAD.

第1O図は二次結像レンズ12に製造誤差を生じている
場合におけるAF−AE用センサ13のセンサ13a上
での様子を示したものである。つまり第11図(a)に
示す様に理想とする二次結像レンズ12内の各レンズ部
の位置関係が、第11図(b)の様に誤差(絞り22の
各開口部22a〜22dに対して)を生じている場合を
想定している。この様にレンズ部12a、12bと12
c 。
FIG. 1O shows the state on the sensor 13a of the AF-AE sensor 13 when a manufacturing error occurs in the secondary imaging lens 12. In other words, as shown in FIG. 11(a), the ideal positional relationship of each lens part in the secondary imaging lens 12 differs from the error (each opening 22a to 22d of the diaphragm 22) as shown in FIG. 11(b). It is assumed that the following occurs. In this way, the lens parts 12a, 12b and 12
c.

12dの直角度が出ていない時は第10図のように二次
像32a、32bと32c、32dc7)直角度も悪く
なる。したがって、二次像32a 、32bに対してラ
インセンサSAA 、SABの位置を合わせると、一方
で二次像32c 、32dに対するラインセンサSAC
,SADの位置合わせは不可能となる。その結果、ライ
ンセンサSAC、5ADhへは被写体の異なる部分が投
影されることになり、該測距エリアに対して第12図に
示す様に斜め線をもつ輝度パターンの被写体像が入射し
た時には合焦エラーを生じ、このままでは不都合である
。そこで、この様な場合には絞り22を第3図矢印B方
向に回転し、ラインセンサSAC。
When the perpendicularity of 12d is not obtained, the secondary images 32a, 32b and 32c, 32dc7) also have poor perpendicularity, as shown in FIG. Therefore, when line sensors SAA and SAB are aligned with respect to secondary images 32a and 32b, line sensors SAC and SAB are aligned with respect to secondary images 32c and 32d.
, SAD alignment becomes impossible. As a result, different parts of the object are projected onto the line sensors SAC and 5ADh, and when the object image with the brightness pattern with diagonal lines is incident on the distance measurement area as shown in FIG. This causes a focusing error, which is inconvenient if left as is. Therefore, in such a case, the aperture 22 is rotated in the direction of arrow B in FIG. 3, and the line sensor SAC is activated.

SADに対する二次像32c 、32dの位置合わせを
行う。
The secondary images 32c and 32d are aligned with respect to the SAD.

第13図は先の説明(位置合わせ)を助ける為の図で、
核間は第5図において二次結像レンズ12を矢印1方向
から見たものである0図中Jはレンズ部12c 、12
dの二次結像面であり、この様にレンズ部12c、12
dの結像面はAF−AE川用ンサ13のセンサ面Hより
後方に位置し、センサ面H上にはデフォーカスした像が
投影される。一方レンズ部12a、12bの結像面はセ
ンサ面Hと一致し、ピントの合った像がラインセンサS
AA 、SABに投影される。換言すれば、二次結像レ
ンズ12の製造誤差に伴う補正を行える様に、レンズ部
12a、12bの結像面はセンサ面Hに一致させ、レン
ズ部12e、12dの結像面は後方(前方であってもよ
い)に位置、すなわちセンサ面Hににはデフォーカスし
た像が投影されるように構成している。尚核間において
、Kはレンズ部12aとレンズ部12bによって決定さ
れた軸、Lはレンズ部12eの軸、Uは絞り22の位t
からセンサ面Hまでの距離、vはセンサ面Hから二次結
像面Jまでの距離である。
Figure 13 is a diagram to help with the previous explanation (positioning).
The internuclear space is shown in FIG. 5, when the secondary imaging lens 12 is viewed from the direction of arrow 1. In FIG.
d, and in this way, the lens portions 12c, 12
The imaging plane d is located behind the sensor surface H of the AF-AE river sensor 13, and a defocused image is projected onto the sensor surface H. On the other hand, the imaging planes of the lens parts 12a and 12b coincide with the sensor surface H, and the focused image is the line sensor S.
Projected to AA and SAB. In other words, in order to make corrections due to manufacturing errors of the secondary imaging lens 12, the imaging planes of the lens parts 12a and 12b are made to coincide with the sensor surface H, and the imaging planes of the lens parts 12e and 12d are arranged at the rear ( In other words, a defocused image is projected onto the sensor surface H. In addition, between the nuclei, K is the axis determined by the lens portion 12a and the lens portion 12b, L is the axis of the lens portion 12e, and U is the position t of the aperture 22.
to the sensor surface H, and v is the distance from the sensor surface H to the secondary imaging surface J.

ここでレンズ部12cの軸りがδだけ偏心している時、
二次結像面J上での像位このずれがεだけ生じたとする
と、二次結像倍率をβとしてε=δ(1+β)(1) なる関係が成る立つ、この時、センサ面上上での像位置
のずれはα(=ε・U/(U+V))である、このずれ
αは像がデフォーカスしている為、絞り22の開口部2
2c 、22dの位置を移動することで変化させること
ができる。よって、二次結像面Jで(だけ位置ずれを生
じた像をセンサ面上上で軸にと交差するように調整すれ
ば、第12図で示した斜め線をもつ被写体像が入射した
としても合焦エラーはなくなるわけで、その為には絞り
22の開口部22cをCだけ移動すればよく、この移動
量Cは以下なる式により求めることができる。つまり、
移動量Cを前記距離U、V、偏心量δ、二次結像倍率β
で表すと e / v = c / u c=u・ε/ V          (2)前記(1
)、(2)式より c=uδ(1+β)/v      (3)となる、前
記式より得られる移動量Cだけ絞り22(開口部22c
、22d)を移動させるのは。
Here, when the axis of the lens portion 12c is eccentric by δ,
Image position on the secondary imaging plane J If this deviation occurs by ε, then the relationship ε = δ (1 + β) (1) holds, where the secondary imaging magnification is β. The deviation of the image position at is α (=ε・U/(U+V)). This deviation α is due to the defocusing of the image, so the aperture 2 of the diaphragm 22
It can be changed by moving the positions of 2c and 22d. Therefore, if the image with a positional shift of In order to do so, the aperture 22c of the diaphragm 22 only needs to be moved by C, and this amount of movement C can be determined by the following formula.In other words,
The amount of movement C is defined as the distances U, V, eccentricity δ, and secondary imaging magnification β.
Expressed as e / v = c / u c = u・ε/V (2) Above (1
), from the formula (2), c=uδ(1+β)/v (3) The diaphragm 22 (aperture 22c
, 22d).

第2.3図に示した偏心ピン26を回転することによっ
て可能である。この時他方の二次像32a、32bにつ
いてはピントの合った像がセンサ面上上に形成されてい
る為、絞り22の回転によって影響を与えることはない
、仮に、製造誤差によってAF−AE用センサ13の光
軸方向位置がずれていたとしても、二次像32a、32
bを形成する絞り22の開口部22a、22bは内側に
位置している為(開口部22c、22dに対して)、絞
り22の回転に伴う前記開口部の移動は比較的小さく、
それによる像位置のずれも微小量となる。
This is possible by rotating the eccentric pin 26 shown in FIG. 2.3. At this time, the other secondary images 32a and 32b are not affected by the rotation of the aperture 22 because focused images are formed on the sensor surface. Even if the position of the sensor 13 in the optical axis direction is shifted, the secondary images 32a, 32
Since the apertures 22a and 22b of the diaphragm 22 forming the diaphragm 22 are located inside (relative to the apertures 22c and 22d), the movement of the apertures as the diaphragm 22 rotates is relatively small.
The amount of deviation in the image position due to this is also minute.

次にAE系について述べる。AE用のセンサSAE 、
SAFは第7図により説明した様に、ラインセンサSA
A、SABに隣接した位置に配置され、絞り22の開口
部22a、22bを通過した光束、すなわち第6図に示
した射出瞳上の領域31a、31bを通過した光束によ
って視野マスク20の開口像(開口形状内を通過した被
写体像)が投影されている。したがって、AE用のセン
サSAE 、SAFの合成された測光エリアは第14図
に示すスポット状、厳密に言うとファインダ視野34内
において、視野マスク20の開口像からラインセンサS
AA 、SABに対応する長方形状エリア35cを除い
たもの(第14図の35a。
Next, we will discuss the AE system. Sensor SAE for AE,
As explained in FIG. 7, SAF is line sensor SA.
A, the aperture image of the field mask 20 is created by the light flux that has passed through the apertures 22a and 22b of the diaphragm 22, that is, the light flux that has passed through the areas 31a and 31b on the exit pupil shown in FIG. (The image of the subject passing through the aperture shape) is projected. Therefore, the combined photometry area of the AE sensors SAE and SAF is shaped like a spot as shown in FIG.
The rectangular area 35c corresponding to AA and SAB is excluded (35a in FIG. 14).

35bで示したエリア)となる、前記長方形状エリア3
5cの・面積はかなり小さい為、測光感度分布としては
ほとんど視野マスク20の開口形状と見なすことができ
、よってスポット測光撮影に際してはこの測光エリアに
より測光された値に基づいて露出時間制御、つまりは後
述するマイクロコンピュータによりシャッタ15及び不
図示の絞り制御が行われる。
35b), the rectangular area 3
Since the area of 5c is quite small, the photometric sensitivity distribution can almost be considered as the aperture shape of the field mask 20. Therefore, when performing spot photometry photography, the exposure time is controlled based on the value measured by this photometry area. A microcomputer, which will be described later, controls the shutter 15 and an aperture (not shown).

ところで本実施例において、調光系、AF系。By the way, in this embodiment, the light control system and the AF system.

AE系はその光路を共有しているが、それぞれのセンサ
に入射する光の波長域はそれらの系毎に制限する必要が
ある。つまり、調光系とAE系はその分光感度特性をフ
ィルムの分光感度特性に合致させることが望ましく、一
方AF系は低輝度被写体に対して例えば近赤外補助光が
用いられることから、近赤外光まで感度を有さなければ
ならない、なお近赤外補助光が用いられない場合であっ
ても、できるだけ多くの光は取り込みたい(測距精度を
高める)と言う理由から、近赤外光まで感度を有するこ
とが望ましい、一般にセンサは11000n以上の波長
の光に対しても感度がある為、赤外光は光学的フィルタ
によってカットする必要がある。
Although the AE systems share the optical path, it is necessary to limit the wavelength range of light incident on each sensor for each system. In other words, it is desirable that the spectral sensitivity characteristics of the light control system and AE system match the spectral sensitivity characteristics of the film, while for the AF system, for example, near-infrared auxiliary light is used for low-brightness subjects, so Near-infrared light must be sensitive to outside light, and even if near-infrared auxiliary light is not used, we want to capture as much light as possible (increase distance measurement accuracy). Generally, sensors are sensitive to light with a wavelength of 11,000 nm or more, so it is necessary to cut out infrared light with an optical filter.

1n15図は前記要求を達成することを可能とした赤外
カットフィルタ21を示す図であり、核間に示した36
a、36bがAE系における有効部、37が調光系にお
ける有効部である。この赤外カットフィルタ21は分光
透過率特性の異なる2つの領域21a、21bから成り
、領域21aは例えば第16図の如き特性を有し、領域
21bは第17図の如き特性を有している。すなわち領
域21aの赤外線カット波長は700nm、領域21b
の赤外線カット波長は740nmとなっている、第15
図に示す様に調光系とAE系の有効部は2つの領域にま
たがって位置しているが、いずれにおいても領域21a
の占る割合が領域21bに対して小さい為、フィルムの
分光感度特性(400〜700nm、)に近い特性で測
光を行うことが可能である。これに対し、AF系の有効
部は領域21aの形状からもわかるように該領域21a
に完全に含まれるように構成され、ラインセンサ面上で
の照度むらのないように配慮されている。
Figure 1n15 is a diagram showing the infrared cut filter 21 that made it possible to achieve the above requirements, and shows the infrared cut filter 21 shown between the nuclei.
36a and 36b are effective parts in the AE system, and 37 is an effective part in the dimming system. This infrared cut filter 21 consists of two regions 21a and 21b with different spectral transmittance characteristics, the region 21a has the characteristics as shown in FIG. 16, and the region 21b has the characteristics as shown in FIG. 17. . That is, the infrared cut wavelength of the region 21a is 700 nm, and the infrared cut wavelength of the region 21b is 700 nm.
The 15th infrared cut wavelength is 740 nm.
As shown in the figure, the effective parts of the light control system and the AE system are located across two areas, and in both areas 21a
Since the ratio occupied by the region 21b is small, it is possible to perform photometry with characteristics close to the spectral sensitivity characteristics (400 to 700 nm) of the film. On the other hand, as can be seen from the shape of the area 21a, the effective part of the AF system is
It is designed to be completely included in the line sensor surface, and is designed to ensure that there is no unevenness in illumination on the line sensor surface.

第18図は前記構成から成る一眼レフレックスカメラの
主要部の概略を示すブロック図である。
FIG. 18 is a block diagram schematically showing the main parts of the single-lens reflex camera constructed as described above.

101はカメラの各種動作を制御する制御回路で、例え
ば内部にCPU(中央演算処理部)、RAM、ROM、
EEFROM及び入出力ボート等が配置された1チツプ
マイクロコンピユータであり、前記ROM並びにEEF
ROM内に1fAF。
Reference numeral 101 denotes a control circuit that controls various operations of the camera, and includes, for example, a CPU (central processing unit), RAM, ROM,
It is a one-chip microcomputer in which an EEFROM, an input/output board, etc. are arranged, and the ROM and EEF
1fAF in ROM.

測光制御を含む一連の制御用ソフトウェア及びパラメー
タが格納されている。102はデータバス、103 i
t前記制gIIOIJ:り制御信号104が入力してい
る間データバス102を介して入力するデータを受は付
け、該データに基づいて前記シャッタ15の先幕及び後
幕の走行制御を行うシャッタ制御回路、105は制御信
号106が入力している間データバス102を介して入
力するデータを受は付け、該データに基づいて不図示の
絞り機構を制御する絞り制御回路、107は制御信号1
08が入力している間データバス102を介して入力す
るデータを受は付け、該データに基づいて前記撮影レン
ズ3の光軸4方向の位置制御を行うレンズ制御回路であ
る。109は前記調光用センサ14等から成るTTLス
トロボ調光回路、又110は前記AE用センサSAE 
、SAF等から成るAE用の測光回路であり、これらに
て光電変換された測光信号は市j記制御回路101へ送
られ、該回路にて前述のシャ−2夕制御回路103及び
絞り制御回路105並びにストロボ16を制御する為の
データとして用いられる。
A series of control software and parameters including photometry control are stored. 102 is a data bus, 103 i
tThe control gIIOIJ: Shutter control that accepts data input via the data bus 102 while the control signal 104 is input, and controls the running of the front curtain and rear curtain of the shutter 15 based on the data. A circuit 105 receives data input via the data bus 102 while a control signal 106 is input, and a diaphragm control circuit that controls an aperture mechanism (not shown) based on the data; 107 a control signal 1;
08 is a lens control circuit that receives data input via the data bus 102 and controls the position of the photographing lens 3 in the optical axis 4 direction based on the data. 109 is a TTL strobe light control circuit consisting of the light control sensor 14, etc., and 110 is the AE sensor SAE.
, SAF, etc., and the photometric signal photoelectrically converted by these is sent to the control circuit 101, which controls the above-mentioned shutter control circuit 103 and aperture control circuit. 105 and as data for controlling the strobe 16.

また、33は前記制御回路101より入力する各信号に
従ってCODから成る前記2組のラインセンサSAA 
、SABとSAC、SADを制御する、第7図にて説明
したセンサ駆動回路である。
Further, 33 indicates the two sets of line sensors SAA consisting of COD according to each signal inputted from the control circuit 101.
, SAB, SAC, and SAD, and is the sensor drive circuit explained in FIG.

次に一連の撮影動作について簡単に説明する。Next, a series of photographing operations will be briefly explained.

不図示のレリーズ釦の第1ストロークが行われると、撮
影レンズ3.主ミラー5.サブミラー6゜フィールドレ
ンズ11.二次結像レンズ12等を通過した光束がAE
用センサSAE 、SAFに入射し、測光回路110か
ら光電変換された測光信号が、すなわち被写体輝度情報
が制御回路101へ送られる。
When the first stroke of the release button (not shown) is performed, the photographing lens 3. Main mirror 5. Sub-mirror 6° field lens 11. The light flux passing through the secondary imaging lens 12 etc. is AE
A photometric signal that is incident on the sensors SAE and SAF and photoelectrically converted from the photometric circuit 110, that is, subject brightness information, is sent to the control circuit 101.

またこれとほぼ同時に制御図1totはA像とB像、C
像とD像の位相差X、、X2を得る為に(尚ここでは絞
りとしてはF4以上が選択されている場合を想定してい
る)センサ駆動回路33を介して、同様の光路を通って
被写体像が入射しているラインセンサSAを駆動する。
Also, almost at the same time, control diagram 1tot shows A image, B image, C
In order to obtain the phase difference between the image and the D image, The line sensor SA on which the subject image is incident is driven.

この時の制御回路101.センサ駆動回路33、ライン
センサSAの各動作を簡単に説明すると、制御回路10
11こ蓄積開始信号STRが発生すると、センサ駆動回
路33はクリア信号CLをラインセンサSAへ出力し、
ラインセンサSAA 、SAB及びSAC、SADの各
光電変換部の電荷をクリアする。
Control circuit 101 at this time. To briefly explain each operation of the sensor drive circuit 33 and line sensor SA, the control circuit 10
11 When the accumulation start signal STR is generated, the sensor drive circuit 33 outputs a clear signal CL to the line sensor SA,
Clear the charge in each photoelectric conversion unit of line sensors SAA, SAB, SAC, and SAD.

するとラインセンサSAは前段に配置されている二次結
像レンズ12によって投影されている像の光電変換及び
電荷蓄積動作を開始する。前記動作が開始してから所定
時間が経過すると、センサ駆動回路33は転送信号SH
をラインセンサSAへ出力し、光電変換部に蓄積された
電荷をCCD部へ転送する。同時に前記センサ駆動回路
33は蓄積終了信号ENDを制御回路101へ出力し、
該制御回路101よりCCDCD駆動クロックC間力す
るのを待つ、CCDCD駆動クロックC間力すると、セ
ンサ駆動回路33はCCD駆動信号φ1 、φ2を生成
し、該信号をラインセンサSAへ出力する。CCD駆動
信号φ1 、φ2が入力すると、ラインセンサSAはこ
の信号に従ってアナログ像信号SSAを制御回路101
へ出力する。
Then, the line sensor SA starts photoelectric conversion and charge accumulation of the image projected by the secondary imaging lens 12 disposed at the front stage. When a predetermined period of time has elapsed after the start of the operation, the sensor drive circuit 33 transfers the transfer signal SH.
is output to the line sensor SA, and the charges accumulated in the photoelectric conversion section are transferred to the CCD section. At the same time, the sensor drive circuit 33 outputs an accumulation end signal END to the control circuit 101,
The sensor drive circuit 33 waits for the CCDCD drive clock C to be input from the control circuit 101. When the CCDCD drive clock C is input, the sensor drive circuit 33 generates CCD drive signals φ1 and φ2 and outputs the signals to the line sensor SA. When the CCD drive signals φ1 and φ2 are input, the line sensor SA sends the analog image signal SSA to the control circuit 101 according to these signals.
Output to.

これにより制御回路101はCCDCD駆動クロックC
間期してアナログ像信号をA/D変換し、像信号A (
i)〜D (i)を得て公知の演算方式により位相差X
I+X2を、すなわち焦点検出信号を算出し、レンズ制
御回路107へ該データを出力する。レンズ制御回路1
07はこれを受けて公知の駆動方式により撮影レンズ3
の制御を行う。
As a result, the control circuit 101 uses the CCDCD drive clock C.
The analog image signal is A/D converted at intervals, and the image signal A (
i) to D (i) and calculate the phase difference X using a known calculation method.
I+X2, that is, a focus detection signal, is calculated and the data is output to the lens control circuit 107. Lens control circuit 1
In response to this, 07 moves the photographing lens 3 using a known drive method.
control.

次にレリーズ釦の第2ストロークが行われると、主ミラ
ー5.サブミラー6が上昇し、シャッタ15の先幕が走
行すると共にストロボ16の発光が開始される。これに
よりストロボ光が被写体面で反射し、この反射光が撮影
レンズ3を透過してフィルムに入射し、該フィルム上へ
の被写体像の写し込みが開始される。又この様にフィル
ムに入射した光束の一部は該フィルム面で反射し、フィ
ールドレンズ11を介して調光用センサ14へ入射し、
ここで受光され光電変換された測光信号がTTLストロ
ボ調光回路109より制御回路101へ出力される。す
ると前記制御回路101は先の測光回路110よりの測
光情報と前記TTLストロボ調光回路109よりの測光
情報とを比較し、一致したことを検知、すなわち適正露
光に達した事を検知するとシャッタ制御回路103を介
してシャッタ15の後幕を走行させる。この後前記フィ
ルムの巻上げが行われ、一連の撮影動作が終了する。
Next, when the second stroke of the release button is performed, the main mirror 5. The sub-mirror 6 rises, the front curtain of the shutter 15 moves, and the strobe 16 starts emitting light. As a result, the strobe light is reflected by the subject surface, and this reflected light passes through the photographing lens 3 and enters the film, and the imprinting of the subject image onto the film is started. Also, a part of the luminous flux incident on the film is reflected on the film surface and enters the light control sensor 14 via the field lens 11,
A photometric signal received here and photoelectrically converted is output from the TTL strobe light control circuit 109 to the control circuit 101 . Then, the control circuit 101 compares the photometry information from the photometry circuit 110 with the photometry information from the TTL strobe light control circuit 109, and when it detects that they match, that is, that proper exposure has been reached, it controls the shutter. The rear curtain of the shutter 15 is caused to run via the circuit 103. Thereafter, the film is wound and the series of photographing operations is completed.

本実施例によれば、ミラーボックス下部に配置されたA
F川のフィールドレンズ11を介して調光JTIセンサ
14ヘフィルムの反射光を導くように構成したことによ
り、以下の効果がある。
According to this embodiment, the A
By configuring the camera to guide the reflected light from the film to the dimming JTI sensor 14 via the field lens 11 of the F river, the following effects can be obtained.

1)AF系と調光系の両方を無理なくカメラの撮影光軸
中心(光軸4)上に配置することができる。
1) Both the AF system and the light control system can be easily arranged on the center of the photographing optical axis (optical axis 4) of the camera.

2)測光感度分布を良くするためには必要とな例では視
野マスク20と対向する部分)で済む為、カメラの剛性
が向上する。
2) In order to improve the photometric sensitivity distribution, only the part facing the field mask 20 (in this case, the part facing the field mask 20) is required, so the rigidity of the camera is improved.

4)ミラーボックス内に露出するレンズが1つである為
、内面反射を最小限に押さえることができる。
4) Since only one lens is exposed inside the mirror box, internal reflection can be minimized.

5)AF系と調光系とをユニット化できる。5) The AF system and light control system can be integrated into a unit.

(変形例) 本実施例では、TTLストロボ調光用センサ14を配置
した場合について述べたが、シャッタ15面での反射光
を測光し、シャッタ15及び不図示の絞り制御を行うT
TL測光方式のカメラにおいても適用可能である。
(Modified Example) In this embodiment, a case has been described in which the TTL strobe light adjustment sensor 14 is arranged, but the TTL sensor 14 measures the reflected light on the shutter 15 surface and controls the shutter 15 and aperture (not shown).
It is also applicable to cameras using the TL photometry method.

(発明の効果) 以上説明したように1本発明によれば、TTL測光用セ
ンサを、フィールドレンズを介して被写体像結像面より
の反射光を取り込める位置に配置し、以て、焦点検出光
学系とTTL測光光学系との両方に前記フィールドレン
ズを共用することにより、光軸中心上にこれらの光路中
心を位置させるようにしたから、低コスト化、コンパク
ト化を達成しながら、焦点検出光学系及びTTL測光光
学系の夫々の性能を最大限に引き出すことが可能となる
(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, the TTL photometry sensor is arranged at a position where it can take in the reflected light from the object image formation plane via the field lens, and the focus detection optical By sharing the field lens with both the TTL photometry optical system and the TTL photometry optical system, the center of these optical paths is positioned on the optical axis center, thereby achieving cost reduction and compactness, while improving focus detection optics. It becomes possible to maximize the performance of each of the optical system and the TTL photometric optical system.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図は第1
図図示のAF−測光ユニットの断面図。 第3図は同じ<AF@測光ユニットの構造を説明する展
開斜視図、第4図は同じ<AF・測光ユニット内におけ
るAF系の一方の光路展開図、第5図は同じく他方の光
路展開図、第6図は瞳領域分割の説明図、第7図は第1
図図示のAF・AE用センサと二次像との関係を説明す
る図、第8図はデフォーカス量演算時に使用される像信
号を説明する図、第9図はファインダ視野内における測
距エリアを示す図、第1O図は第1図図示の二次結像レ
ンズに製造誤差がある場合のAF@AE用センサと二次
像との関係を説明する図、第11図(a)は製造誤差の
ない理想的な二次結像レンズを示す平面図、第11図(
b)は製造誤差のある二次結像レンズを示す平面図、第
12図は第11図(b)の二次結像レンズを使用した時
の不得手な被写体像を説明する図、第13図は第11図
(b)の二次結像レンズが使用された場合における二次
像とラインセンサとの位置調整量を説明する図、第14
図はファインダ視野内における測光エリアを示す図、第
15図は第2図図示の赤外カットフィルタの各領域を示
す上面図、第16図及び第17図は赤外カー/ トフィ
ルタの各領域での分光透過特性図、第18図は本発明の
一実施例の概略を示すブロック図である。 3・・・・・・カメラ、5・・・・・・主ミラー、6・
・・・・・サブミラー、10・・・・・・A F −J
l光ユニット、11・・・・・・フィールドレンズ、1
2・・・・・・二次結像レンズ、13・・・・・・AF
@AE用センサ、14・・・・・・TTLストロボ調光
用センサ、33・・・・・・センサ駆動回路、lOl・
・・・・・制御回路、109・・・・・・TTLストロ
ボ調光回路、110・・・・・・測光回路、5AA−3
AD・・・・・・ラインセンサ、SAE 、SAF・・
・・・・AE用センサ。 特許出願人  キャノン株式会社 代  理  人   中   村    稔第2図 第10図 第11図 波長(nm) 反長(nm) 手糸完ネ市−JF書 (自発) 昭和61年11月4日
FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the illustrated AF-photometry unit. Figure 3 is a developed perspective view explaining the structure of the same <AF@photometering unit, Figure 4 is a developed view of one optical path of the AF system in the same <AF/photometering unit, and Figure 5 is a developed view of the other optical path. , FIG. 6 is an explanatory diagram of pupil region division, and FIG. 7 is an illustration of pupil region division.
Figure 8 is a diagram explaining the relationship between the illustrated AF/AE sensor and the secondary image, Figure 8 is a diagram explaining the image signal used when calculating the amount of defocus, and Figure 9 is the distance measurement area within the viewfinder field of view. Figure 1O is a diagram explaining the relationship between the AF@AE sensor and the secondary image when there is a manufacturing error in the secondary imaging lens shown in Figure 1, and Figure 11(a) is a diagram showing the relationship between the secondary image forming lens shown in Figure 1 A plan view showing an ideal secondary imaging lens with no errors, FIG. 11 (
b) is a plan view showing a secondary imaging lens with manufacturing errors; FIG. 12 is a diagram illustrating an unsuitable subject image when using the secondary imaging lens of FIG. 11(b); FIG. 13 The figure is a diagram illustrating the amount of position adjustment between the secondary image and the line sensor when the secondary imaging lens of FIG. 11(b) is used, and the figure 14
The figure shows the photometry area within the viewfinder field of view, Figure 15 is a top view showing each area of the infrared cut filter shown in Figure 2, and Figures 16 and 17 are each area of the infrared cut filter. FIG. 18 is a block diagram schematically showing an embodiment of the present invention. 3...Camera, 5...Main mirror, 6.
...Sub mirror, 10...A F -J
l Optical unit, 11...Field lens, 1
2... Secondary imaging lens, 13... AF
@AE sensor, 14...TTL strobe light control sensor, 33...sensor drive circuit, lOl.
...Control circuit, 109...TTL strobe light control circuit, 110...Photometering circuit, 5AA-3
AD...Line sensor, SAE, SAF...
...AE sensor. Patent Applicant Canon Co., Ltd. Representative Minoru Nakamura Figure 2 Figure 10 Figure 11 Wavelength (nm) Reverse length (nm) Teitokanneichi-JF (Spontaneous) November 4, 1986

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)フィールドレンズと、二次結像レンズと、焦点検
出用センサとを有する焦点検出光学系と、被写体像結像
面よりの反射光を測光するTTL測光用センサを有する
TTL測光光学系とをミラーボックス下部に備えた一眼
レフレックスカメラにおいて、前記TTL測光用センサ
を、前記フィールドレンズを介して前記被写体像結像面
よりの反射光を取り込める位置に配置したことを特徴と
する一眼レフレックスカメラ。
(1) A focus detection optical system that includes a field lens, a secondary imaging lens, and a focus detection sensor, and a TTL photometry optical system that includes a TTL photometry sensor that measures light reflected from a subject image formation surface. A single-lens reflex camera equipped with a mirror box at the bottom of the mirror box, wherein the TTL photometry sensor is arranged at a position where reflected light from the object image formation plane can be taken in through the field lens. camera.
JP23133186A 1986-10-01 1986-10-01 Single-lens reflex camera Pending JPS6388532A (en)

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US07/102,011 US4774539A (en) 1986-10-01 1987-09-28 Camera having a focus detecting apparatus

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JP (1) JPS6388532A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005122063A (en) * 2003-10-20 2005-05-12 Nikon Corp Device for detecting focus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005122063A (en) * 2003-10-20 2005-05-12 Nikon Corp Device for detecting focus

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