JPS6388525A - Scanning circuit - Google Patents

Scanning circuit

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JPS6388525A
JPS6388525A JP23120086A JP23120086A JPS6388525A JP S6388525 A JPS6388525 A JP S6388525A JP 23120086 A JP23120086 A JP 23120086A JP 23120086 A JP23120086 A JP 23120086A JP S6388525 A JPS6388525 A JP S6388525A
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JP
Japan
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circuit
tft elements
scanning
output
voltage
Prior art date
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Application number
JP23120086A
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Japanese (ja)
Inventor
Junichi Owada
淳一 大和田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6388525A publication Critical patent/JPS6388525A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a circuit which uses polyphase clock pulses and switches by using individual TFT elements for the rising and falling of a signal, applying polyphase clock pulses to respective gate electrodes, and controlling the timing of rising and falling. CONSTITUTION:This scanning circuit consists of a scanning circuit 2 which consists of a shift register, etc., and generates a scanning voltage, thin-film transistor TFT elements T1 and T3 connected to the output line 3 of the scanning circuit 2, TFT elements T2 and T4 connected to a DC voltage line 6, two-phase clock wiring 4 connected to the gate electrodes of those TFT elements, and output wiring 5. A circuit for obtaining two outputs for outputs phi1, phi2... of the scanning circuit 2 is composed of four TFT elements. Then, the TFT elements T1, T3... are used for a load 7 when the pulses rise and the TFT elements T2 and T4 are used when the pulses fall. Thus, the TFT elements dedicated to the rising and falling are used to obtain a fast waveform. Consequently, even when the pitch of a scanning voltage generating circuit is narrow, the number of output scanning voltages is easily increased.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶ディスプレイの駆動回路に係り。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a drive circuit for a liquid crystal display.

特に、薄膜トランジスタ(T P T)を用いたアクテ
ィブマトリクス液晶ディスプレイの駆動回路に好適な回
路に関する。
In particular, the present invention relates to a circuit suitable for a drive circuit of an active matrix liquid crystal display using thin film transistors (TPT).

〔従来の技術〕[Conventional technology]

TFTを用いたアクティブマトリクスディスプレイは表
示部の周辺に駆動回路を内蔵可能なディスプレイであり
1表示装置の小型化、低価格化が実現できる可能性を持
つ、この周辺回路として。
An active matrix display using TFT is a display that can incorporate a driving circuit around the display part, and this peripheral circuit has the potential to make the display device smaller and lower in price.

表示部の走査側配線(水平走査配線、X方向配線ともい
う)と信号側配線(垂直信号配線、Y方向配線)のそれ
ぞれを駆動するための回路が必要であるが、現在、駆動
用LSI等を用い、FPCによる接続や、チップオンボ
ードによる表示基板へのチップ搭載の技術により、表示
用の電圧を印加している。これらの回路を表示部内に内
蔵するために多結晶シリコン(Poly  Si)やセ
レン化カドミウム(CdSe)あるいはレーザや熱によ
り、結晶性改善をしたシリコン膜等が、TFT?R子の
半導体膜として研究されている。こ九らの膜を使用した
TFT素子は移動度μ、eが高く、相互コンダクタンス
gmが大きいため、表示部を駆動するだめの動作速度を
満足する回路を形成できる可能性が大きい。
A circuit is required to drive each of the scanning side wiring (also called horizontal scanning wiring, X direction wiring) and signal side wiring (vertical signal wiring, Y direction wiring) of the display section, but currently, driving LSI etc. Display voltages are applied using FPC connections and chip-on-board technology for mounting chips on display substrates. In order to incorporate these circuits into the display section, polycrystalline silicon (Poly Si), cadmium selenide (CdSe), or a silicon film whose crystallinity has been improved by laser or heat is used as a TFT? It is being researched as a semiconductor film for R atoms. Since TFT elements using these films have high mobility μ, e and large mutual conductance gm, there is a high possibility of forming a circuit that satisfies the operating speed required to drive the display section.

このような周辺駆動回路を内蔵したディスプレイの大面
積化、あるいは高精細化を考慮すると、その製造工程の
加工精度はできる限り余裕をもたせ、特にパターンの最
小線幅が大きい方が、製造の歩留りが向上する。また、
回路の動作速度を高速にするためにはTFT素子のチャ
ネル幅Wとチャネル長りとの比W/Lを大きくすること
が必要であるが、チャネル長りは加工精度の最小寸法で
決定されるために、チャネル幅Wを大きく設計すること
が必要となる。このため、周辺駆動回路を製作する場合
には、動作速度を高速化するために。
Considering the larger area and higher definition of displays with built-in peripheral drive circuits, it is important to leave as much margin as possible in the processing accuracy of the manufacturing process, and in particular, the larger the minimum line width of the pattern, the better the manufacturing yield. will improve. Also,
In order to increase the operating speed of the circuit, it is necessary to increase the ratio W/L between the channel width W and the channel length of the TFT element, but the channel length is determined by the minimum dimension of processing accuracy. Therefore, it is necessary to design the channel width W to be large. For this reason, when manufacturing peripheral drive circuits, it is necessary to increase the operating speed.

基板上に形成する場合にも、大きな面積が必要とされず
、加工精度の微細化が難しい大面積ディスプレイ等で段
数の多い走査回路を形成することが容易になされる。
Even when formed on a substrate, a large area is not required, and it is easy to form a scanning circuit with a large number of stages in large-area displays and the like where miniaturization of processing accuracy is difficult.

第3図は、第1図の実施例の変形例であり、第4図はそ
の駆動波形である0本実施例は走査電圧発生回路2の出
力φ工、φ2.・・・を3相のクロック電圧ψ1.ψ2
.ψδを用いて、3分割して出力を圧V O1t V 
O21V o s・・・を出力する構成である。このと
き、T l # T zに印加するクロックはψ1.ψ
2というように1相ずれたクロックを印加している。
FIG. 3 shows a modification of the embodiment shown in FIG. 1, and FIG. 4 shows its driving waveform. ... is the three-phase clock voltage ψ1. ψ2
.. Using ψδ, divide the output into three parts and calculate the output as pressure V O1t V
It is configured to output O21V o s.... At this time, the clock applied to T l # T z is ψ1. ψ
A clock shifted by one phase, such as 2, is applied.

同様にTI、T2に対してはψ2.ψ8、TIl、T6
に対してはψ♂、ψ1を印加している。第3図、第4図
に示した実施例から容易に、さらに4相、5相、・・・
とクロックを多相にし、シフト電圧発生回路の出力を4
分割、5分割・・・と多分割にすることもできる。
Similarly, for TI and T2, ψ2. ψ8, TIl, T6
ψ♂ and ψ1 are applied to. From the embodiments shown in FIGS. 3 and 4, it is easy to further construct 4-phase, 5-phase,...
and the clock is multiphase, and the output of the shift voltage generation circuit is 4
It can also be divided into multiple parts, such as division, five divisions, etc.

第5図は上記実施例の回路を2段に接続した例である。FIG. 5 shows an example in which the circuit of the above embodiment is connected in two stages.

この回路では、走査電圧出力回路の出力φl、φ2.・
・・に対し、2倍の周波数のクロックψ工、ψ2,4倍
のの周波数のクロックψ8.ψ4を用いて1回路の面積
が増加する0回路の面積が増加し、表示部の画素のピッ
チが微細になると1表示部の引き出し配線と回路部の出
力とのピッチを一致させることが困難となり9回路部が
表示部より大きくなったり1表示部の両側に回路を形成
する構成となるため、パネルの設計が難しくなり。
In this circuit, the outputs φl, φ2 .・
. . ., a clock with twice the frequency ψ, ψ2, and a clock with four times the frequency ψ8. Using ψ4, the area of 1 circuit increases. When the area of 0 circuit increases and the pitch of the pixels of the display section becomes finer, it becomes difficult to match the pitch of the output wiring of the 1 display section and the output of the circuit section. The nine circuit sections are larger than the display section, and the circuits are formed on both sides of one display section, making panel design difficult.

また回路部分のために、パネル全体の面積が増大すると
いう問題が生ずる。
Furthermore, the problem arises that the area of the entire panel increases due to the circuit portion.

この問題を解決するために特公昭56−31790に記
載されたように、多相のクロックによるマルチプレクサ
回路を1段の回路の出力に取り付け、クロックの相数だ
け出力を増やす回路が提案されている。この回路は撮像
装置に使用される走査回路であり、アクティブマトリク
スディスプレイとは駆動方法が異なるため、回路の構成
も違ってくる。
To solve this problem, as described in Japanese Patent Publication No. 56-31790, a circuit has been proposed in which a multiplexer circuit using multi-phase clocks is attached to the output of a single-stage circuit to increase the output by the number of clock phases. . This circuit is a scanning circuit used in an imaging device, and since the driving method is different from that of an active matrix display, the circuit configuration is also different.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

本発明は、アクティブマトリクスディスプレイの走査側
回路に用いるように、電圧の立上りと立下りを高速に、
多相のクロックパルスを用いて、スイッチする回路を提
供することにある。
The present invention provides high-speed voltage rise and fall for use in the scanning side circuit of an active matrix display.
An object of the present invention is to provide a circuit that performs switching using multiphase clock pulses.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この構成は、信号の立上りと立下りにそれぞれ別個のT
FT素子を用いて、それぞれのTFT素子のゲート電極
に多相のクロックパルスを印加し、立上りと立下りのタ
イミングを制御することにより達成される。
This configuration requires separate T for the rising and falling edges of the signal.
This is achieved by using FT elements, applying multiphase clock pulses to the gate electrodes of each TFT element, and controlling the timing of rise and fall.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を第1図により説明する0本発
明はシフトレジスタ等から成る走査電圧を発生する走査
回路2.走査回路2の出力線3に接続されたTFT素子
T1及びT8、直流電圧ライン6に接続されたTFT素
子素子及2Ta、これらのTFT素子のゲート電極に接
続された2相クロツク配線4、出力配線5から構成され
る。各部に印加される波形を第2図に示す、走査回路2
の出力φ1.φ2.・・・のそれぞれに対し、2個の出
力を得るための回路を4個のTFT素子で形成する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. TFT elements T1 and T8 connected to the output line 3 of the scanning circuit 2, TFT elements T1 and T8 connected to the DC voltage line 6, two-phase clock wiring 4 connected to the gate electrodes of these TFT elements, and output wiring. Consists of 5. Scanning circuit 2 whose waveforms applied to each part are shown in FIG.
Output φ1. φ2. For each of the above, a circuit for obtaining two outputs is formed using four TFT elements.

これらのTFT素子はnチャネル動作として説明する。These TFT elements will be described as n-channel operation.

TFT14子はpチャネルあるいはnチャネルとpチャ
ネルとを組み合せた構成でも動作可能なことはいうまで
もない。φl、φ2.φ8・・・の出力の周波数に対し
、2倍の周波数を持つφ1.ψ2のクロックをクロック
配線4に印加する。ψ1゜ψ2は互いに反転関係にある
。φ1が高いレベル′″1″にあり、T1のゲートに印
加されるψ1が“1”、Tzのゲートに印加されるψ2
が低いしベル# L IIの時には、TIがオン、TZ
がオフ状態となりψ1の電圧がTlを通して負荷7に印
加されV o 1はII HIIの状態となる。またこ
のとき、Ta(7)ゲートは’L”、Ta(7)ゲート
が”H”(7)状態であるので、Tsがオフ、Taがオ
ン状態となり、2番目の出力Vozは、f4圧ライン6
のレベルがあられれ、電圧ライ・ン6のレベルを“L”
としておけばVowはIJL“となる。
It goes without saying that the TFT 14 can also operate with a p-channel structure or a combination of n-channel and p-channel structures. φl, φ2. φ1. which has twice the frequency of the output of φ8... A clock of ψ2 is applied to the clock wiring 4. ψ1゜ψ2 are in an inverse relationship to each other. φ1 is at a high level ``1'', ψ1 applied to the gate of T1 is "1", and ψ2 applied to the gate of Tz
is low and when the bell #L II, TI is on, TZ
is turned off, the voltage ψ1 is applied to the load 7 through Tl, and V o 1 becomes II HII. Also, at this time, the Ta(7) gate is in the 'L' state and the Ta(7) gate is in the 'H' state (7), so Ts is off and Ta is on, and the second output Voz is the f4 voltage. line 6
If the level of voltage line 6 is low,
If it is set as ``IJL'', Vow becomes ``IJL''.

次に、φlが“HTlの状態の後半の期間では。Next, in the latter half of the period when φl is in the “HTl” state.

φ1が“Ln、ψ2が“H”となっており、上記の状態
と、TFT素子のオン状態とオフ状態とが逆の関係とな
る。この状態ではV O1が電圧ライン6のレベル、す
なわちa L”、VORがφ墓のレベル、すなわち“H
#どなる。このようにして、φ1?φ2.φδ・・・に
対して、2倍の周波数の走査波形V O1* V o 
z + V o s・・・を発生させることができる。
φ1 is "Ln" and ψ2 is "H", and the above state and the on state and off state of the TFT element have a reverse relationship. In this state, V O1 is at the level of the voltage line 6, that is, a L”, VOR is at the level of φ grave, that is, “H
#bawl. In this way, φ1? φ2. Scanning waveform V O1* V o with twice the frequency for φδ...
z + V o s... can be generated.

ここで、負荷7に対して、パルスの立上り時においては
Tl、Ta・・・のTFT素子を用い、立下り時におい
てはTZ、TaのTFT素子を用いる。
Here, for the load 7, TFT elements of Tl, Ta, . . . are used when the pulse rises, and TFT elements of TZ and Ta are used when the pulse falls.

すなわち、立上りと立下りとの専用のTFT素子を使用
するために、波形の高速化が可能となる。
That is, since dedicated TFT elements are used for rising and falling edges, it is possible to increase the waveform speed.

また、1段の出力に対し、TFT素子はわずか2個のみ
を使用しているためφ1に対し、V Of tVozp
 Vos、 VO4の4個の走査電圧の出力を得ている
。第5図の実施例に対して、第3図のような多相に分割
する回路を適用し、第1段目をM分割。
In addition, since only two TFT elements are used for the output of one stage, V Of tVozp
Outputs of four scanning voltages Vos and VO4 are obtained. To the embodiment shown in FIG. 5, a circuit for dividing into multiple phases as shown in FIG. 3 is applied, and the first stage is divided into M parts.

第2段目をN分割とすると、出力電圧VQI、 VO2
・・・を、φ1.φ2.φδ・・・に対し、(MXN)
に分割することができる。
If the second stage is divided into N, the output voltage VQI, VO2
..., φ1. φ2. For φδ..., (MXN)
It can be divided into.

第6図は、第3図の実施例において、TZ、Ta。FIG. 6 shows TZ and Ta in the embodiment of FIG.

Tsそ九ぞれのTFT素子のゲートに対して、ψ2.ψ
8.ψ1のクロック電圧を印加していた構成を、それぞ
れφ3.ψ工、ψ2と接続順序を変えたものである。こ
のとき、各出力1こ接続された容量により、出力電圧の
“工(パレベルが一次保持され、出力波形Volt V
O21Voa・・・はそわぞれ一部11 HHレベルが
重複した波形を得ることができる。
For the gate of each TFT element, ψ2. ψ
8. The configuration in which a clock voltage of ψ1 was applied was changed to φ3. This is a different connection order from ψwork and ψ2. At this time, the capacitance connected to each output temporarily holds the output voltage level, and the output waveform Volt V
O21Voa... can obtain waveforms in which the 11 HH levels partially overlap.

このような波形は、ディスプレイを新たな方式で駆動す
る場合に有効な波形となる。
Such a waveform becomes an effective waveform when driving a display using a new method.

第6図に示したように、多相クロック配線への接続方法
を変えたり、クロックの印加するタイミング、さらには
波形を変えたりすることに対しても本発明の回路構成は
用いることができる。
As shown in FIG. 6, the circuit configuration of the present invention can be used for changing the connection method to multiphase clock wiring, changing the timing of clock application, and even changing the waveform.

第7図は本実施例を周辺回路内蔵ディスプレイに応用し
た例である1本発明によると、走査回路の面積は出力段
の2個のTFT素子が形成できる面積まで縮小すること
がきるので、TFT基板内で表示部10の走査側の寸法
より走査回路を小さく形成することが可能となる。これ
により1表示1部に比べTFT素子の密度が高く製造時
の歩留りが悪い駆動回路部を小さい面積で形成でき、デ
ィスプレイ基板製造時の歩留り向上が期待できる。
FIG. 7 shows an example in which this embodiment is applied to a display with a built-in peripheral circuit.According to the present invention, the area of the scanning circuit can be reduced to the area where two TFT elements in the output stage can be formed. It becomes possible to form the scanning circuit smaller than the scanning side dimension of the display section 10 within the substrate. As a result, the drive circuit section, which has a high density of TFT elements and a poor manufacturing yield compared to one part per display, can be formed in a small area, and an improvement in the yield during manufacturing of display substrates can be expected.

また、基板の一部のみに特殊な処理を行う場合、たとえ
ば、半導体の一部をレーザアニールする。
Further, when performing special processing on only a part of the substrate, for example, a part of the semiconductor is laser annealed.

あるいは、一部のみにイオン打込みをして5回路部をC
MO3構成にする場合などにおいて、処理する面積を小
さくすることができ1作業時間の短縮、または、場所に
よる特性のばらつきを低減することが期待できる。
Alternatively, ion implantation may be performed only on a portion of the 5 circuit section.
In the case of MO3 configuration, etc., the area to be processed can be reduced, and it is expected that one working time can be shortened or variations in characteristics depending on location can be reduced.

第8図は、走査回路を縮小したことにより、同一または
類似の回路を2系統設け、1個に欠陥が生じた場合に他
方で救済するようにした構成である。
FIG. 8 shows a configuration in which the scanning circuit is downsized to provide two systems of identical or similar circuits, so that if a defect occurs in one, the other circuit can be used to repair it.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、周辺駆動回路内雇ディスプレイにおい
て、表示部の画素のピッチに対して走査電圧を発生する
回路のピッチが狭い場合にも、走査電圧の出力数を容易
に増加せしめることができる効果がある。
According to the present invention, it is possible to easily increase the number of scan voltage outputs even when the pitch of the circuit that generates scan voltages is narrow with respect to the pitch of pixels of the display section in a display employing a peripheral drive circuit. effective.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図、第3図、第5図、第6図は本発明の実施例を示
す回路図、第2図、第4図は駆動波形図、第7図、第8
図は本発明をディスプレイに応用した場合の構成図であ
る。 1・・・TFT素子、2・・・走査電圧発生回路、3・
・・走査電圧出力、4・・・クロック配線、5・・・出
力、6・・・直流電圧配線。 ・  、\、 代理人 弁理士 小川勝男    ゝ 洛1図 菓2図 fV・5 来3図 基4図
Figures 1, 3, 5 and 6 are circuit diagrams showing embodiments of the present invention, Figures 2 and 4 are drive waveform diagrams, Figures 7 and 8 are
The figure is a configuration diagram when the present invention is applied to a display. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...TFT element, 2...Scanning voltage generation circuit, 3...
...Scanning voltage output, 4...Clock wiring, 5...Output, 6...DC voltage wiring.・ , \, Agent Patent Attorney Katsuo Ogawa ゝRaku 1 Zuka 2 Figure fV・5 Lai 3 Figure 4 Figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、複数の走査配線とそれらに交叉する複数の信号配線
と、それらの交点にTFT素子を形成し、液晶を積層し
て成るアクティブマトリクス液晶ディスプレイの走査電
圧を発生する回路において、走査パルスを発生するシフ
トレジスタ回路の1段の出力に対し、2個のTFT素子
を1組としたものを複数組接続し、上記組数と同じ多相
クロック電圧のうち、2相のクロック電圧を1つの組の
2個のTFTにそれぞれ接続し、1段のシフトレジスタ
回路を多相クロックの相数だけ時間的に分割した走査電
圧を発生することを特徴とする走査回路。
1. A scanning pulse is generated in a circuit that generates a scanning voltage for an active matrix liquid crystal display, which consists of multiple scanning wirings, multiple signal wirings that intersect with them, and TFT elements formed at the intersections of these wirings, and stacking liquid crystals. For the output of one stage of the shift register circuit, a plurality of sets of two TFT elements are connected, and two-phase clock voltages from among the same number of multiphase clock voltages as the number of sets are connected to one set. 1. A scanning circuit, which is connected to two TFTs respectively, and generates a scanning voltage obtained by temporally dividing a one-stage shift register circuit by the number of phases of a multiphase clock.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0601869A2 (en) * 1992-12-10 1994-06-15 Sharp Kabushiki Kaisha Flat type display device and driving method and assembling method therefor

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