JPS6380225A - 高分子音響光学モ−ド変換器 - Google Patents
高分子音響光学モ−ド変換器Info
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- JPS6380225A JPS6380225A JP22642886A JP22642886A JPS6380225A JP S6380225 A JPS6380225 A JP S6380225A JP 22642886 A JP22642886 A JP 22642886A JP 22642886 A JP22642886 A JP 22642886A JP S6380225 A JPS6380225 A JP S6380225A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、高分子圧電体薄膜を用いて、導波路を伝搬す
る導波光とこれと同方向に伝搬する表面弾性波の音響光
学コＩＪ＝ア相互作用により、導波光の伝搬モードを変
換させるモード変換器を底コストで提供するものである
。まｆＣｌこの高分子薄膜型音響光学モード変換器によ
り、導波光の強度変調やスイッチングや波長可変のフィ
ルタリングを行なうことができる。
る導波光とこれと同方向に伝搬する表面弾性波の音響光
学コＩＪ＝ア相互作用により、導波光の伝搬モードを変
換させるモード変換器を底コストで提供するものである
。まｆＣｌこの高分子薄膜型音響光学モード変換器によ
り、導波光の強度変調やスイッチングや波長可変のフィ
ルタリングを行なうことができる。
〈従来の技術〉
従来の薄膜型音響光学モード変換器を第３図を用いて説
明する。表面に導波路を形成し−ｐ ＬｉＮｂ０ａ。
明する。表面に導波路を形成し−ｐ ＬｉＮｂ０ａ。
ＬｉＴａＯ５等の無機強誘電体単結晶１０表面に、櫛型
ｉ１ｉ：極２を形成する。一方、入射光６は、適尚なピ
ッチの光入力用回折格子４により、導波路に導かれる。
ｉ１ｉ：極２を形成する。一方、入射光６は、適尚なピ
ッチの光入力用回折格子４により、導波路に導かれる。
ここで、導波光の異する２つの導波モードの伝搬定数を
βａ、βｂ、櫛型電極２により励起される表面弾性波の
波数ベクトルの大きさをＫとすると、 １βａ−βｂｌ＝Ｋ （１）を満たすよう
に、表面弾性波の励起周波数ｆを調整すれば、２つのモ
ード間でモード変換が起こる０ここで。
βａ、βｂ、櫛型電極２により励起される表面弾性波の
波数ベクトルの大きさをＫとすると、 １βａ−βｂｌ＝Ｋ （１）を満たすよう
に、表面弾性波の励起周波数ｆを調整すれば、２つのモ
ード間でモード変換が起こる０ここで。
Ｋ＝ｉ！！−！−（２）
２π −２π
βａ：＝ Ｎａ、 βｂＮｂ （８１λ
λ であシ、ｖは表面弾性波の伝搬する速度、λは光の波長
、 ＮａおよびＮｂは２つの導波モードの実効屈折率を
示している。光が導波モードで伝搬するような入射角θ
１で、入射光６を光入力用回折格子４により導波路に導
く。このときの伝搬定数をβａとすると、（１）式を満
たすように櫛形電極２に印加する高周波発振器３の周波
数ｆを調整すると。
λ であシ、ｖは表面弾性波の伝搬する速度、λは光の波長
、 ＮａおよびＮｂは２つの導波モードの実効屈折率を
示している。光が導波モードで伝搬するような入射角θ
１で、入射光６を光入力用回折格子４により導波路に導
く。このときの伝搬定数をβａとすると、（１）式を満
たすように櫛形電極２に印加する高周波発振器３の周波
数ｆを調整すると。
導波モードは一部伝搬定数βｂの別の導波モードに変換
される。それぞれの導波モードの光は、光出力用回折格
子５により、それぞれの出射角θｌ。
される。それぞれの導波モードの光は、光出力用回折格
子５により、それぞれの出射角θｌ。
θ２で取り出すことができる０このとき１表面弾性波の
振幅により、伝搬定数βｂの導波モードの光の強度を変
えることができるので、光の強度変調やスイツングが達
成できる。また、波長の異なる複数の光を導波させ、そ
の中のある波長の光のみでモード変換するように高周波
発振器３の周波数ｆを調整し、そ−ド変換された光のみ
を取シ出すと狭帯域の波長フィルターが達成できる。こ
こで。
振幅により、伝搬定数βｂの導波モードの光の強度を変
えることができるので、光の強度変調やスイツングが達
成できる。また、波長の異なる複数の光を導波させ、そ
の中のある波長の光のみでモード変換するように高周波
発振器３の周波数ｆを調整し、そ−ド変換された光のみ
を取シ出すと狭帯域の波長フィルターが達成できる。こ
こで。
光の入出力のために、プリズムあるいは端面詰合を用い
る方法もある。
る方法もある。
〈発明が解決しようとする問題点〉
上記の構成による従来の薄膜型音響光学素子においては
、無機強誘電体単結晶を用いているので。
、無機強誘電体単結晶を用いているので。
結晶成長の工程も含めると多くのプロセスが必要となり
、素子全体を安価に供給するのけ困難である０ く問題点を解決するための手段〉 本発明は、高分子圧電体層、及び該層の表面に形成され
た櫛形電極よりなり、必要に応じ、その表面に透明な光
導波層が付与された音響光学モード変換器である。
、素子全体を安価に供給するのけ困難である０ く問題点を解決するための手段〉 本発明は、高分子圧電体層、及び該層の表面に形成され
た櫛形電極よりなり、必要に応じ、その表面に透明な光
導波層が付与された音響光学モード変換器である。
即ち１本発明においては、圧電体層が高分子材料により
構成されているので、コストが安価であυ、その取り扱
い性が良好であるという特長を有する。
構成されているので、コストが安価であυ、その取り扱
い性が良好であるという特長を有する。
本発明における圧電体層は高分子材料よりなり、押出法
あるいに流延法により得られた高分子フィルム等の成形
物を圧電処理した圧電性フィルムを任意の基板に接着剤
にて接着することにより形成することができる。しかる
に、該圧電体層の付与方法として、十分に平滑な基板の
上にコーティングにより薄膜状に形成させることは、最
も可動である。即ち一般に従来の高分子圧を性フィルム
は、光導波路として用いるには表面の凹凸が大きく。
あるいに流延法により得られた高分子フィルム等の成形
物を圧電処理した圧電性フィルムを任意の基板に接着剤
にて接着することにより形成することができる。しかる
に、該圧電体層の付与方法として、十分に平滑な基板の
上にコーティングにより薄膜状に形成させることは、最
も可動である。即ち一般に従来の高分子圧を性フィルム
は、光導波路として用いるには表面の凹凸が大きく。
基板にフィルムを接着する等の操作により光等波路とし
ての性能は更に悪化する。従って、このようなフィルム
の導波路は散乱損失が犬きく、導波光の波面が乱れると
いう欠点があり、導波路から取り出した光は小さなスポ
ットに十分に絞り込むことができない。更に、高分子圧
電フィルムをモード変換器として用いるなめには、約３
μｍ以下の膜厚の導波路が必要だが、上述の押し出し法
あるいは流延法によるフィルム°を接着して光導波路を
作製するのは一段と困難となる。これに対し。
ての性能は更に悪化する。従って、このようなフィルム
の導波路は散乱損失が犬きく、導波光の波面が乱れると
いう欠点があり、導波路から取り出した光は小さなスポ
ットに十分に絞り込むことができない。更に、高分子圧
電フィルムをモード変換器として用いるなめには、約３
μｍ以下の膜厚の導波路が必要だが、上述の押し出し法
あるいは流延法によるフィルム°を接着して光導波路を
作製するのは一段と困難となる。これに対し。
コーティング法では上述の欠点が解消される。
本発明において用いられる基板としてはその表面が十分
に平滑であることが必要であり、一般に十分に平滑化さ
れたガラス又はプラスチック等の透明基板が用いられる
。プラスチックとしてはポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネート、ポリ−４−メチルペンテン、ポリエス
テル等任意の材料から選択される。圧電体薄膜層を形成
する材料の屈折率を考Ｕする場合、該基板としては任意
のバッファ層を付与していてもよい。また、核基板は圧
電体薄膜と基板との密着性その他の性質を改善するため
に任意の他の層又は表面処理が施こされたものであって
も良い。しかるに、これらの処理が施こされた状態で十
分に表面が平滑であることは重要である。それ故、基板
上にこれらの層が付与される場合には、圧電体薄膜と同
様にコーティングによることがよい。
に平滑であることが必要であり、一般に十分に平滑化さ
れたガラス又はプラスチック等の透明基板が用いられる
。プラスチックとしてはポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネート、ポリ−４−メチルペンテン、ポリエス
テル等任意の材料から選択される。圧電体薄膜層を形成
する材料の屈折率を考Ｕする場合、該基板としては任意
のバッファ層を付与していてもよい。また、核基板は圧
電体薄膜と基板との密着性その他の性質を改善するため
に任意の他の層又は表面処理が施こされたものであって
も良い。しかるに、これらの処理が施こされた状態で十
分に表面が平滑であることは重要である。それ故、基板
上にこれらの層が付与される場合には、圧電体薄膜と同
様にコーティングによることがよい。
本発明においてコーティングとは、スピンフート或は真
空蒸着等のいわゆるコーティングを包含する。
空蒸着等のいわゆるコーティングを包含する。
本発明において高分子圧電体薄膜を形成する材料として
は、コーティングにより薄膜の形成ができ、旦つ任意の
ポーリング処理と熱処理又は熱処理のみを施して圧電性
を示す高分子材料なら何でも良い。ここで、ポーリング
とは、フィルムを高電解にさらして分極することを指し
ている。これらの性質を示す高分子材料としては１例え
ばポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ ）又はフッ化ビニ
リデンと三フッ化エチレンとの共重合体〔以下Ｐ（ＶＤ
Ｆ−ＴｒＦＥ）と略記する〕等＋７）＝ｔ＝＝六＝フッ
化ビニリデン系共重合体、ポリシアン化ビニリデン（以
下、ＰＶＤＣＮと略記する）又はシアン化ビニリデンと
酢酸ビニルとの共重合体〔以下Ｐ （ＶＤＣＮ−ＶＡｅ
）！＝ｌｉ記ｆる）等（Ｄシアン化ビニリデン系共重合
体を例示することができる。
は、コーティングにより薄膜の形成ができ、旦つ任意の
ポーリング処理と熱処理又は熱処理のみを施して圧電性
を示す高分子材料なら何でも良い。ここで、ポーリング
とは、フィルムを高電解にさらして分極することを指し
ている。これらの性質を示す高分子材料としては１例え
ばポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ ）又はフッ化ビニ
リデンと三フッ化エチレンとの共重合体〔以下Ｐ（ＶＤ
Ｆ−ＴｒＦＥ）と略記する〕等＋７）＝ｔ＝＝六＝フッ
化ビニリデン系共重合体、ポリシアン化ビニリデン（以
下、ＰＶＤＣＮと略記する）又はシアン化ビニリデンと
酢酸ビニルとの共重合体〔以下Ｐ （ＶＤＣＮ−ＶＡｅ
）！＝ｌｉ記ｆる）等（Ｄシアン化ビニリデン系共重合
体を例示することができる。
これらの高分子材料は薄膜状において、適当な熱処理あ
るいは適当な熱処理とポーリングにニジ圧電性を示すこ
とが知られている。これらの材料のうち１本発明におい
てはＰ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）が特に好ましＩ／に□該Ｐ
（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）は、適当な熱処理のみで圧電性を
示す事がＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐＨｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ、２４ Ｎｏ、８
（１９８５）ＬａＯ２に記載されている〇従って、該材
料を表面が十分に平滑な基板上にコーティングにより薄
膜を形成すれば、ポーリングなしに、熱処理のみで圧電
性薄膜が得られる。
るいは適当な熱処理とポーリングにニジ圧電性を示すこ
とが知られている。これらの材料のうち１本発明におい
てはＰ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）が特に好ましＩ／に□該Ｐ
（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）は、適当な熱処理のみで圧電性を
示す事がＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐＨｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ、２４ Ｎｏ、８
（１９８５）ＬａＯ２に記載されている〇従って、該材
料を表面が十分に平滑な基板上にコーティングにより薄
膜を形成すれば、ポーリングなしに、熱処理のみで圧電
性薄膜が得られる。
即ち、ポーリング用の電極は不要なので、ポーリング用
の電極を蒸着する工程が不要なのは言うまでもなく、ポ
ーリング後不用となった電極をエツチングで取シ除く際
の導波路の損傷の心配がない。
の電極を蒸着する工程が不要なのは言うまでもなく、ポ
ーリング後不用となった電極をエツチングで取シ除く際
の導波路の損傷の心配がない。
つま＃）、Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）は高分子薄膜型音響
光学モード変換器を作製する上で、優れた高分子材料で
あると言える。このようにして作製され比圧電性薄膜は
１表面弾性波を発生できることは言うまでもなく、導波
路としても散乱損失の少ない優れた薄膜である。
光学モード変換器を作製する上で、優れた高分子材料で
あると言える。このようにして作製され比圧電性薄膜は
１表面弾性波を発生できることは言うまでもなく、導波
路としても散乱損失の少ない優れた薄膜である。
マタ、フッ化ビニリデンと三フッ化エチレンのモル比が
６５：３５〜９５：５の共重合体は、特に電気機械結合
定数が大きいことが特開昭５６−１１１２８１に記載さ
れておシ、この範囲のモル比（ＤＰ （ＶＤＦ−ＴｒＦ
Ｅ）を使用することにより。
６５：３５〜９５：５の共重合体は、特に電気機械結合
定数が大きいことが特開昭５６−１１１２８１に記載さ
れておシ、この範囲のモル比（ＤＰ （ＶＤＦ−ＴｒＦ
Ｅ）を使用することにより。
表面弾性波の発生効率を大きくすることができる。
従って、このような高分子材料を表面の十分に平滑な基
板上にスピンコードあるいは真空蒸着等のいわゆるコー
ティング法により薄膜化した後に圧電処理した高分子圧
電性薄膜を用いて、音響光学モード変換器を作製すれば
、散乱損失が小さく。
板上にスピンコードあるいは真空蒸着等のいわゆるコー
ティング法により薄膜化した後に圧電処理した高分子圧
電性薄膜を用いて、音響光学モード変換器を作製すれば
、散乱損失が小さく。
しかも導波光の波面を乱すことなしに光を取り出すこと
ができる。
ができる。
本発明は、上記の特徴を鑑みて考案したもので。
高分子圧電体薄膜を使った青春光学モード変換器。
及びその作製方法を提供する。
〈実施例〉
以下１図面を参照しつつ本発明の詳細な説明するＯ
第１図、第２図は１本発明の実施例の断面図を示したも
のである。
のである。
第１の実施例は、第１図の様に、高分子圧電体層を、光
導波層としているものである。ガラスあるいはプラスチ
ック等の表面が平滑な透明基板９の上に、圧電体層よシ
も屈折率の低い第１のバッファ層ｌＯを、真空蒸着、ス
ピンコード等により形成した。圧電性高分子は、一般に
屈折率が低いために、圧電体薄膜層を光導波路として用
いるためには、圧電体薄膜層よシも屈折率の低いバッフ
ァ層が必要となるが、基板として圧電体薄膜よりも屈折
率の低い材料を用いれば、バッファ層は不要である。圧
電性高分子としてＰ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）を用いる場
合には、フッ化ビニリデンと四フッ化エチレンとの共重
合体をスピンコードする、あるいはＭｇＦ２を真空蒸着
することによりバッファ層を得た。第１のバッファ層の
膜厚は、０．１μｍ以上必要でらシ１通常は約０．３μ
ｍ〜１．０μｍとする。
導波層としているものである。ガラスあるいはプラスチ
ック等の表面が平滑な透明基板９の上に、圧電体層よシ
も屈折率の低い第１のバッファ層ｌＯを、真空蒸着、ス
ピンコード等により形成した。圧電性高分子は、一般に
屈折率が低いために、圧電体薄膜層を光導波路として用
いるためには、圧電体薄膜層よシも屈折率の低いバッフ
ァ層が必要となるが、基板として圧電体薄膜よりも屈折
率の低い材料を用いれば、バッファ層は不要である。圧
電性高分子としてＰ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）を用いる場
合には、フッ化ビニリデンと四フッ化エチレンとの共重
合体をスピンコードする、あるいはＭｇＦ２を真空蒸着
することによりバッファ層を得た。第１のバッファ層の
膜厚は、０．１μｍ以上必要でらシ１通常は約０．３μ
ｍ〜１．０μｍとする。
次に、Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）（Ｄメｆｋ工ｆｌＬ’
ｒトン溶液を用いてスピンコードした後、１４５℃、１
時間の熱処理を行ない膜厚的１．５μｍの圧電性薄膜を
形成した０この際に使用するＰ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）の
フッ化ビニリデンと三フッ化エチレンのモル比は６５：
３５〜９５：５とした。圧電体薄膜の膜厚は、２つ以上
のモードの光が伝搬する範囲の膜厚であれば特に限定さ
れないが、通常約３μｍ以下である。このように、コー
ティング法によれば極めて薄い膜が形成できるため、フ
ィルムの接着法では達成できなかった膜厚の薄膜を基板
上に形成することができる。次に、通常のフォトレジス
トを用いてリフトオフ法により櫛形電極２を形成した後
、第２のバッファ層１０を形成した。第２のバッファ層
の膜厚は１回折格子による光の入出力を有効に行なうた
めに、０．１μｍ〜０．２μｍとする。更に、上部に回
折格子形成層１２を設け、光入出力用の回折格子層４．
５をフォトリソグラフィー、１！子ビ一ム描画、レーザ
ービーム描画、ホログラフィ−等の技術により形成した
。
ｒトン溶液を用いてスピンコードした後、１４５℃、１
時間の熱処理を行ない膜厚的１．５μｍの圧電性薄膜を
形成した０この際に使用するＰ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）の
フッ化ビニリデンと三フッ化エチレンのモル比は６５：
３５〜９５：５とした。圧電体薄膜の膜厚は、２つ以上
のモードの光が伝搬する範囲の膜厚であれば特に限定さ
れないが、通常約３μｍ以下である。このように、コー
ティング法によれば極めて薄い膜が形成できるため、フ
ィルムの接着法では達成できなかった膜厚の薄膜を基板
上に形成することができる。次に、通常のフォトレジス
トを用いてリフトオフ法により櫛形電極２を形成した後
、第２のバッファ層１０を形成した。第２のバッファ層
の膜厚は１回折格子による光の入出力を有効に行なうた
めに、０．１μｍ〜０．２μｍとする。更に、上部に回
折格子形成層１２を設け、光入出力用の回折格子層４．
５をフォトリソグラフィー、１！子ビ一ム描画、レーザ
ービーム描画、ホログラフィ−等の技術により形成した
。
以上により作製されたモード変換器の櫛型電極２に高周
波発振器（図面には示していない）を用いて高周波を印
加すると、電気−機械のエネルギー変換により発生し次
表面弾性波が高分子圧電体薄膜層１１を伝搬する。一方
、入力用回折格子４により高分子圧電体薄膜層１１に光
を導き１表面弾性波により導波光は一部モード変換され
、モード変換器として作用する。
波発振器（図面には示していない）を用いて高周波を印
加すると、電気−機械のエネルギー変換により発生し次
表面弾性波が高分子圧電体薄膜層１１を伝搬する。一方
、入力用回折格子４により高分子圧電体薄膜層１１に光
を導き１表面弾性波により導波光は一部モード変換され
、モード変換器として作用する。
第２の実施例は、第２図の様に、高分子圧電体層１１と
光導波層１３を別個に設けたものである。
光導波層１３を別個に設けたものである。
第１の実施例に加えて１回折格子層１２と圧電体層１１
の間に光導波層１３を設けている。但し、櫛型電極２は
、圧電体層１１の表面に形成した。
の間に光導波層１３を設けている。但し、櫛型電極２は
、圧電体層１１の表面に形成した。
第１の実施例と同様に、光導波層１３の上下の層の屈折
率が光導波層よシも高い場合は、光をとじ込めるために
、光導波層１３の上下に光導波層１３よシも屈折率の低
いバッファ層を設ける必要があるが、高分子圧電体層と
光導波層の境界を伝搬する表面弾性波と、導波光を有効
に相互作用させ、回折効率を上げるためには、光導波層
１３の下のバッファ層がないほうが望ましい。従って、
光導波層１３としては、高分子圧電体層１１よシも屈折
率の高い材料が必要であシ、真空蒸着による８１０２等
、スピンコードによるポリメチルメタクリレート、ポリ
カーボネイト等の透明薄膜を用いた。光導波層の膜厚は
約１．５μｍとした。光導波層の膜厚は、２つ以上のモ
ードの光が伝搬できる範囲の膜厚であれば特に限定され
ないが、通常は約３μｍ以下とし穴。
率が光導波層よシも高い場合は、光をとじ込めるために
、光導波層１３の上下に光導波層１３よシも屈折率の低
いバッファ層を設ける必要があるが、高分子圧電体層と
光導波層の境界を伝搬する表面弾性波と、導波光を有効
に相互作用させ、回折効率を上げるためには、光導波層
１３の下のバッファ層がないほうが望ましい。従って、
光導波層１３としては、高分子圧電体層１１よシも屈折
率の高い材料が必要であシ、真空蒸着による８１０２等
、スピンコードによるポリメチルメタクリレート、ポリ
カーボネイト等の透明薄膜を用いた。光導波層の膜厚は
約１．５μｍとした。光導波層の膜厚は、２つ以上のモ
ードの光が伝搬できる範囲の膜厚であれば特に限定され
ないが、通常は約３μｍ以下とし穴。
以上により作ムされたモード変換器の横型電極２に高周
波発振器（図面には示していない）を用いて高周波を印
加すると、電気−機械のエネルギー変換により発生した
表面弾性波が高分子圧電体薄膜層１１及び光導波層１３
を伝搬する。−万。
波発振器（図面には示していない）を用いて高周波を印
加すると、電気−機械のエネルギー変換により発生した
表面弾性波が高分子圧電体薄膜層１１及び光導波層１３
を伝搬する。−万。
入力用回折格子４により光導波ｒｆＪ１３に光を導き。
表面弾性波により導波先は一部モード変換され。
モード変換器として作用する。
第１の実施例、第２の実施例において、櫛型電極２に印
加する信号に振幅変調をかけることにより、スイッチン
グあるいは変調機能を持たせることもできる。また、複
数の波長の光を導波さぞ。
加する信号に振幅変調をかけることにより、スイッチン
グあるいは変調機能を持たせることもできる。また、複
数の波長の光を導波さぞ。
その中のある波長のみでモード変換させるように。
櫛型電極２に印加する信号の周波数をｐ４整すると。
波長フィルターを作製できる。光の入出力のために、プ
リズムあるいは端面結合を用いてもよい。
リズムあるいは端面結合を用いてもよい。
〈発明の効果〉
本発明の薄膜型音響光学モード変換器は、間分子、ガラ
ス等の低価格の材料のみを使用しており、低コストで、
低消費電力の素子を作製できる。また、コーティング法
という散乱損失の少ない導波路を作製できる素子作製プ
ロセスを用いているため、よシ実用的な高分子薄膜型音
響光学モード変換器を炸裂できる。
ス等の低価格の材料のみを使用しており、低コストで、
低消費電力の素子を作製できる。また、コーティング法
という散乱損失の少ない導波路を作製できる素子作製プ
ロセスを用いているため、よシ実用的な高分子薄膜型音
響光学モード変換器を炸裂できる。
第１図、第２図は１本発明の高分子薄膜型音響光学光偏
向器を説明するための図であシ、第３図は、薄膜型音響
光学光偏向器を説明するための図である。 図中、１は表面に導波路を設けている強誘電体結晶、２
は櫛形電極、３は高周波発振器、４ｔＩｉ光入力用回折
格子、５は光出力用回折格子、６は入射光、７はモード
変換を受けた出射光、８はモード変換を受けていない出
射光、９は基板、ｔＯｔｉバッファ層、１１Ｖｉ高分子
圧電体薄膜層、１２は回折格子形成層、１３Ｆｉ光導層
をそれぞれ示す。 特許出願人 株式会社゛り ラ し 代理人弁理士 弁理士 本 多 竪窮 １ 図 ９：基板 寮２図 賂３ ｚ 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭６１−２２６４２８号 ２、発明の名称 高分子音響光学モード変換器 ３、補正をする宮 事件との関係 特許出願人 株式会社 クラレ内 株式会社クラレ特許部 電話東京０３（２７７）３１１１２ ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ７、補正の内容 明細書第１３頁第１８行目の「・・・以下とした。」の
後に次の文章を加入する。
向器を説明するための図であシ、第３図は、薄膜型音響
光学光偏向器を説明するための図である。 図中、１は表面に導波路を設けている強誘電体結晶、２
は櫛形電極、３は高周波発振器、４ｔＩｉ光入力用回折
格子、５は光出力用回折格子、６は入射光、７はモード
変換を受けた出射光、８はモード変換を受けていない出
射光、９は基板、ｔＯｔｉバッファ層、１１Ｖｉ高分子
圧電体薄膜層、１２は回折格子形成層、１３Ｆｉ光導層
をそれぞれ示す。 特許出願人 株式会社゛り ラ し 代理人弁理士 弁理士 本 多 竪窮 １ 図 ９：基板 寮２図 賂３ ｚ 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭６１−２２６４２８号 ２、発明の名称 高分子音響光学モード変換器 ３、補正をする宮 事件との関係 特許出願人 株式会社 クラレ内 株式会社クラレ特許部 電話東京０３（２７７）３１１１２ ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ７、補正の内容 明細書第１３頁第１８行目の「・・・以下とした。」の
後に次の文章を加入する。
Claims (7)
- （１）高分子圧電体層、及び該層の表面に形成された櫛
形電極よりなり、必要に応じ、その表面に透明光導波層
が付与された音響光学モード変換器。 - （２）高分子圧電体層を導波する光を、櫛形電極により
励起される表面弾性波によりモード変換させることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の音響光学モード変
換器。 - （３）透明光導波層を高分子圧電体層の表面に付与し、
光導波層を導波する光を、櫛形電極により励起される表
面弾性波によりモード変換させることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の音響光学モード変換器。 - （４）高分子圧電体薄膜を基板上に、コーティングによ
り形成することを特徴とする特許請求の範囲第１、２又
は３項記載の音響光学モード変換器。 - （５）高分子圧電体薄膜として、ポリフッ化ビニリデン
、又はフッ化ビニリデン系共重合体、ポリシアン化ビニ
リデン、又はシアン化ビニリデン系共重合体を用いるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の音響光学モ
ード変換器。 - （６）高分子圧電体薄膜として、フッ化ビニリデンと三
フッ化エチレンの共重合体、又はシアン化ビニリデンと
酢酸ビニルの共重合体を用いることを特徴とする特許請
求の範囲第５項記載の音響光学モード変換器。 - （７）モル比が６５：３５〜９５：５とするフッ化ビニ
リデンと三フッ化エチレンの共重合体を用いることを特
徴とする特許請求の範囲第６項記載の音響光学モード変
換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22642886A JPS6380225A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 高分子音響光学モ−ド変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22642886A JPS6380225A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 高分子音響光学モ−ド変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6380225A true JPS6380225A (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=16844961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22642886A Pending JPS6380225A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 高分子音響光学モ−ド変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6380225A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2669120A1 (fr) * | 1990-11-13 | 1992-05-15 | Thomson Csf | Modulateur spatial bidimensionnel de lumiere a commande piezoelectrique, comprenant un reseau de bragg. |
| US5276484A (en) * | 1990-12-11 | 1994-01-04 | Xerox Corporation | Piezo-active photoreceptors and system application |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57139719A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | High molecular lens of variable focal length |
| JPS6033532A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-20 | Canon Inc | 可変焦点光素子 |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP22642886A patent/JPS6380225A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57139719A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | High molecular lens of variable focal length |
| JPS6033532A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-20 | Canon Inc | 可変焦点光素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2669120A1 (fr) * | 1990-11-13 | 1992-05-15 | Thomson Csf | Modulateur spatial bidimensionnel de lumiere a commande piezoelectrique, comprenant un reseau de bragg. |
| EP0486356A1 (fr) * | 1990-11-13 | 1992-05-20 | Thomson-Csf | Modulateur spatial bidimensionnel de lumière à commande piézoélectrique, comprenant un réseau de Bragg |
| US5276484A (en) * | 1990-12-11 | 1994-01-04 | Xerox Corporation | Piezo-active photoreceptors and system application |
| US5563687A (en) * | 1990-12-11 | 1996-10-08 | Xerox Corporation | Piezo-active photoreceptor and system application |
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