JPS6378125A - Active matrix type liquid crystal display device - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display device

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Publication number
JPS6378125A
JPS6378125A JP61221788A JP22178886A JPS6378125A JP S6378125 A JPS6378125 A JP S6378125A JP 61221788 A JP61221788 A JP 61221788A JP 22178886 A JP22178886 A JP 22178886A JP S6378125 A JPS6378125 A JP S6378125A
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JP
Japan
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liquid crystal
switching element
substrate
display device
crystal display
Prior art date
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Pending
Application number
JP61221788A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Nishi
眞一 西
Hiroshi Menjo
校條 浩
Takuo Sato
佐藤 拓生
Hiroshi Kobayashi
浩志 小林
Kazuo Asano
和夫 浅野
Kazuo Arai
和夫 荒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
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Publication of JPS6378125A publication Critical patent/JPS6378125A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers

Abstract

PURPOSE:To easily prevent a switching element from breaking down caused by static electricity and to manufacture a liquid crystal display device at high yield by forming the oriented layer of 10<0>-10<10>OMEGA.cm on a substrate where a switching element is arranged and fixed opposite a liquid crystal compound. CONSTITUTION:Switching elements 40 are arranged fixedly and fixed in a matrix on a lower substrate 12, and row electrodes 21 are formed on an upper substrate 11 so as to cross column electrodes 22 at positions where switching elements 10 are fixed. One terminal of each switching element 40 is connected to a corresponding column electrode 22 and the other terminal is connected to a picture element electrode 23 arranged and fixed to the lower substrate 12. The oriented layer 32 arranged on the lower substrate 12 where the switching elements 40 are arranged and fixed opposite the liquid crystal compound 50 has 10<0>-10<10>OMEGA.cm volume resistivity and one oriented film 31 arranged on the opposite surface of the upper substrate 11 from the liquid crystal compound 50 has >=10<0>OMEGA.cm volume resistivity.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an active matrix liquid crystal display device.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

アクティブマトリクス型液晶表示装置は、−aに、一対
の基板と、これら一対の基板の一方にマトリクス状に固
定配置された液晶駆動用のスイッチング素子と、一対の
基板上に配置された、スイッチング素子を駆動制御する
ための複数の行電極および複数の列電極と、一対の基板
間に配置された液晶組成物とを有してなる。前記スイッ
チング素子としては、例えばMOS)ランジスタ、薄膜
トランジスタ等の3端子スイツチング素子、あるいは薄
膜ダイオード、バリスタ素子、MIM素子等の2端子ス
イツチング素子等のスイッチング素子が用いられている
An active matrix liquid crystal display device includes -a, a pair of substrates, a switching element for driving a liquid crystal fixedly arranged in a matrix on one of the pair of substrates, and a switching element arranged on the pair of substrates. The liquid crystal composition includes a plurality of row electrodes and a plurality of column electrodes for driving and controlling the liquid crystal composition, and a liquid crystal composition disposed between a pair of substrates. As the switching element, a switching element such as a three-terminal switching element such as a MOS transistor or a thin film transistor, or a two-terminal switching element such as a thin film diode, a varistor element, or an MIM element is used.

このアクティブマトリクス型液晶表示装置は、マトリク
ス状に配置されたスイッチング素子により液晶を直接に
スイッチング駆動することにより液晶画像を形成するも
のであり、橿めて精細な画像を表示することが可能であ
る。
This active matrix type liquid crystal display device forms a liquid crystal image by directly switching and driving the liquid crystal using switching elements arranged in a matrix, and is capable of displaying a highly detailed image. .

そして、一対の基板間に配置された液晶組成物を特定の
方向に配向させるために、当該液晶組成物に対向する基
板面に配向層が設けられる。この配向層の形成方法とし
ては、従来種々の方法が知られているが、このうちラビ
ング法は極めて簡単な方法である。このラビング法は、
基板面に例えばポリイミド系、ポリアミド系、ポリビニ
ルアルコール系、フェノキシ系等の高分子物質のフィル
ムを被着させた後、このフィルムの表面を綿布、ビニロ
ン布、テトロン布、脱脂綿等の布により一定方向に擦り
、当該基板の表面に一定方向の溝を形成することにより
配向層を形成する方法である。
Then, in order to orient the liquid crystal composition disposed between the pair of substrates in a specific direction, an alignment layer is provided on the substrate surface facing the liquid crystal composition. Various methods are conventionally known for forming this alignment layer, but among these, the rubbing method is an extremely simple method. This rubbing method is
After a film of a polymer material such as polyimide, polyamide, polyvinyl alcohol, or phenoxy is applied to the substrate surface, the surface of the film is woven in a certain direction with a cloth such as cotton cloth, vinylon cloth, Tetron cloth, or absorbent cotton. In this method, an alignment layer is formed by rubbing the surface of the substrate to form grooves in a certain direction on the surface of the substrate.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかして、配向層の形成に従来用いられているポリイミ
ド系等の高分子物質のフィルムは絶縁性の高いものであ
るため、ラビング法により配向層を形成する工程におい
て高電圧の静電気が発生し、この静電気に起因してスイ
ッチング素子が破壊されやすい、この破壊が仮に1個の
スイッチング素子のみに生じたとしてもこれによりその
基板全体が使用不能となり、その結果歩留まりが低下し
製造コストが上昇する問題点がある。この問題点は、特
にMOSトランジスタをスイッチング素子として用いた
場合に著しく大きい。
However, since films of polymeric substances such as polyimide that have been conventionally used to form alignment layers have high insulating properties, high voltage static electricity is generated during the process of forming alignment layers using a rubbing method. The problem is that switching elements are easily destroyed due to this static electricity, and even if this destruction occurs in only one switching element, the entire board becomes unusable, resulting in lower yields and higher manufacturing costs. There is a point. This problem is particularly serious when a MOS transistor is used as a switching element.

これに対して、行電極および列電極の形成工程において
は各行電極および列電極の全てを基板周辺で短絡させた
状態とし、そして最終的に行電極および列電極を個々に
切り離すことにより、静電気に起因するスイッチング素
子の破壊を防止する技術手段が開示されたく特公昭61
−12268号公報参照)。
On the other hand, in the process of forming row and column electrodes, all of the row and column electrodes are short-circuited around the substrate, and finally the row and column electrodes are separated individually to prevent static electricity. Japanese Patent Publication No. 1987 (1986) discloses a technical means to prevent the destruction of switching elements caused by
(Refer to Publication No.-12268).

しかしながら、この技術手段においては、最終的に行電
極および列電極を個々に切り離す作業が必要とされるの
で、相当な手間を要し、しかもこの手間は行電極および
列電極の数が多くなればなるほど著しく大きくなり、結
局製造コストの上昇を招く問題点がある。
However, with this technical means, it is necessary to ultimately separate the row electrodes and column electrodes individually, which requires a considerable amount of effort. Indeed, there is a problem in that the size becomes significantly large, resulting in an increase in manufacturing costs.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は、以上の如き事情に基いてなされたものであっ
て、その目的は、静電気に起因するスイッチング素子の
破壊を簡単に防止することができて高い歩留まりで製造
することができるアクティブマトリクス型液晶表示装置
を提供することにある。
The present invention has been made based on the above-mentioned circumstances, and its purpose is to provide an active matrix type that can easily prevent destruction of switching elements caused by static electricity and that can be manufactured at a high yield. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、一対
の基板と、これら一対の基板の一方にマトリクス状に固
定配置された液晶駆動用のスイッチング素子と、前記一
対の基板上に配置された、前記スイッチング素子を駆動
制御するための複数の行電極および複数の列電極と、前
記一対の基板間に配置された液晶組成物とを有してなる
アクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記ス
イッチング素子が固定配置された一方の基板における前
記液晶組成物との対同面上に、体積抵抗率が100〜1
010Ω・cmである配向層を設けたことを特徴とする
The active matrix liquid crystal display device of the present invention includes a pair of substrates, a switching element for driving a liquid crystal fixedly arranged in a matrix on one of the pair of substrates, and a switching element arranged on the pair of substrates. In an active matrix liquid crystal display device comprising a plurality of row electrodes and a plurality of column electrodes for driving and controlling elements, and a liquid crystal composition disposed between the pair of substrates, the switching element is fixedly arranged. A substrate having a volume resistivity of 100 to 1 is placed on the same surface as the liquid crystal composition.
It is characterized by providing an orientation layer having a resistance of 0.010 Ω·cm.

〔発明の作用効果〕[Function and effect of the invention]

本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置によれば
、スイッチング素子が固定配置された一方の基板におけ
る液晶組成物との対向面上に、体積抵抗率が10’〜1
01eΩ・1である配向層を設けたので、簡単な手段に
より静電気に起因するスイッチング素子の破壊を十分に
防止することができる。すなわち、体積抵抗率がlO°
〜10”Ω・備である配向層は、従来の配向層に比して
絶縁性が低く、そのため当該配向層をラビング法により
形成する際に摩擦により静電気が生じたとしてもその電
圧が相当に低く抑制され、従って当該基板に固定配置さ
れたスイッチング素子の破壊を十分に防止することがで
き、その結果高い歩留まりでアクティブマトリクス型液
晶表示装置を製造することができ、コストダウンを図る
ことができる。
According to the active matrix liquid crystal display device of the present invention, the volume resistivity is 10' to 1.
Since the alignment layer having a resistance of 01eΩ·1 is provided, destruction of the switching element due to static electricity can be sufficiently prevented by simple means. That is, the volume resistivity is lO°
The alignment layer, which has a resistance of ~10"Ω, has lower insulation properties than conventional alignment layers, so even if static electricity is generated due to friction when forming the alignment layer by rubbing, the voltage will be considerably low. Therefore, it is possible to sufficiently prevent the switching elements fixedly arranged on the substrate from being destroyed, and as a result, active matrix liquid crystal display devices can be manufactured with high yield, and costs can be reduced. .

そして、本発明においては、前記配向層の体積抵抗率の
下限を10’Ω・備としたので、例えば画素電極間のリ
ークによる液晶画像の乱れが生ぜず鮮明な画像を形成す
ることができる。
Further, in the present invention, since the lower limit of the volume resistivity of the alignment layer is set to 10'Ω, it is possible to form a clear image without disturbing the liquid crystal image due to leakage between the pixel electrodes, for example.

〔発明の具体的構成〕[Specific structure of the invention]

以下、本発明について詳細に説明する。 The present invention will be explained in detail below.

本発明においては、透明な一対の基板を用意し、これら
一対の基板の一方に多数の液晶駆動用のスイッチング素
子をマトリクス状に固定配置し、そしてこれら一対の基
板上に、スイッチング素子を駆動制御するための複数の
行電極および列電極を配置し、スイッチング素子が固定
配置された一方の基板における液晶組成物と対向するこ
ととなる面上に体積抵抗率が100〜IQ+@Ω・値で
ある配向層を設け、他方の基板における液晶組成物と対
向することとなる面上にも配向層を設け、そしてこれら
一対の基板の配向層が設けられた側の間に液晶組成物を
配置して液晶セルを構成する。そしてこの液晶セルの一
面および他面側にそれぞれ偏光板を配置し、また反射型
の構成とする場合には後方の偏光板の外面に反射板を配
置し、もってアクティブマトリクス型液晶表示装置を構
成する。なお、透過型の構成とする場合には反射板は不
要である。
In the present invention, a pair of transparent substrates are prepared, a large number of switching elements for driving liquid crystals are fixedly arranged in a matrix on one of the pair of substrates, and the switching elements are driven and controlled on the pair of substrates. A plurality of row electrodes and column electrodes are arranged to provide a volume resistivity of 100 to IQ+@Ω・value on the surface facing the liquid crystal composition of one substrate on which the switching element is fixedly arranged. An alignment layer is provided, an alignment layer is also provided on the surface of the other substrate that faces the liquid crystal composition, and a liquid crystal composition is placed between the sides of the pair of substrates on which the alignment layer is provided. Constitutes a liquid crystal cell. Then, a polarizing plate is placed on one side and the other side of this liquid crystal cell, and in the case of a reflective type configuration, a reflecting plate is placed on the outer surface of the rear polarizing plate, thereby forming an active matrix type liquid crystal display device. do. Note that in the case of a transmission type configuration, a reflection plate is not necessary.

さらに具体的に説明すると、スイッチング素子として例
えば2端子スイツチング素子を用いる場合には、一方の
基板上に2端子スイツチング素子をマトリクス状に固定
配置すると共に、これに対応するよう例えば行電極を一
方の基板上に形成し、そして2端子スイツチング素子が
固定された位置においてこれらの行電極と交差するよう
列電極を他方の基板上に形成する。そして各2端子スイ
ツチング素子の一方の端子はそれぞれ対応する行電極に
接続すると共に、他方の端子は当該一方の基板に固定配
置された対応する画素電極に接続する。
To explain more specifically, when using, for example, a two-terminal switching element as a switching element, the two-terminal switching elements are fixedly arranged in a matrix on one substrate, and correspondingly, for example, row electrodes are arranged on one of the substrates. Column electrodes are formed on the other substrate such that they intersect with the row electrodes at the positions where the two-terminal switching elements are fixed. One terminal of each two-terminal switching element is connected to the corresponding row electrode, and the other terminal is connected to the corresponding pixel electrode fixedly arranged on the one substrate.

またスイッチング素子として3端子スイツチング素子を
用いる場合には、一方の基板上に3端子スイツチング素
子をマトリクス状に固定配置すると共に、これらの3端
子スイツチング素子が固定された位置においてそれぞれ
交差するよう行電極および列電極を共に当該一方の基板
上に形成する。
In addition, when using a 3-terminal switching element as a switching element, the 3-terminal switching elements are fixedly arranged in a matrix on one substrate, and the row electrodes are arranged so that these 3-terminal switching elements intersect at the fixed positions. and column electrodes are both formed on the one substrate.

そして各3端子スイツチング素子の第1の端子はそれぞ
れ対応する行電極に接続し、第2の端子はそれぞれ対応
する列電極に接続し、第3の端子は当該一方の基板に固
定配置された対応する画素電極に接続する。
The first terminal of each three-terminal switching element is connected to a corresponding row electrode, the second terminal is connected to a corresponding column electrode, and the third terminal is connected to a corresponding one fixedly arranged on one of the substrates. Connect to the pixel electrode.

本発明においては、スイッチング素子が固定配置された
一方の基板上に設ける配向層は、その体積抵抗率が10
・〜10’・Ω・口であることが必要である。当該配向
層の体積抵抗率が10′8Ω・値を超えるときにはラビ
ング処理時に生ずる静電気の電圧が過大となってスイッ
チング素子の破壊を十分に防止することができず、一方
体積抵抗率が10’Ω・1未満のときには隣接する画素
電極間でリークが発生しやすく、鮮明な液晶画像を形成
することができない。
In the present invention, the alignment layer provided on one substrate on which the switching element is fixedly arranged has a volume resistivity of 10.
・It is necessary to be ~10'・Ω・mouth. When the volume resistivity of the alignment layer exceeds 10'8 Ω, the electrostatic voltage generated during the rubbing process becomes excessive and cannot sufficiently prevent destruction of the switching element. - When it is less than 1, leakage tends to occur between adjacent pixel electrodes, making it impossible to form a clear liquid crystal image.

斯かる特定範囲の体積抵抗率を有する配向層を形成する
ために用いることができる材料としては、例えばカーボ
ン、金属微粒子等の導電性物質が分散含有されてなるポ
リイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリフェニ
レン、ポリビニルアルコール、ポリキシリレン等の耐熱
性の高分子物質のフィルム、またはヨウ素、ヒ素、銅、
ニッケル、マグネシウム、スズ等がドーピングされてな
るポリピローJし、ポリアセチレン、フタロシアニン等
の高分子物質のフィルム等を挙げることができる。
Examples of materials that can be used to form the alignment layer having a volume resistivity in a specific range include polyimide, polyamide, polyamideimide, polyphenylene, which contains conductive substances such as carbon and metal particles dispersed therein. Films of heat-resistant polymer materials such as polyvinyl alcohol and polyxylylene, or iodine, arsenic, copper,
Examples include polypillows doped with nickel, magnesium, tin, etc., and films of polymeric substances such as polyacetylene and phthalocyanine.

このような変性された高分子物質のフィルムをスイッチ
ング素子が固定配置された一方の基板上に被着した後、
このフィルムをラビング処理して配向層を形成する。具
体的には当該フィルムの表面を綿布、ビニロン布、テト
ロン布、脱脂綿等の布により一定方向に擦り、当該基板
の表面に一定方向の溝を形成することにより配向層を形
成することができる。
After depositing a film of such a modified polymer substance on one of the substrates on which the switching element is fixedly arranged,
This film is rubbed to form an alignment layer. Specifically, the alignment layer can be formed by rubbing the surface of the film in a certain direction with a cloth such as cotton cloth, vinylon cloth, Tetoron cloth, absorbent cotton, etc. to form grooves in a certain direction on the surface of the substrate.

なお、スイッチング素子が固定されていない他方の基板
上にも配向層を設けるが、この配向層の体積抵抗率は1
00Ω・1以上であればよい。
Note that an alignment layer is also provided on the other substrate to which the switching element is not fixed, but the volume resistivity of this alignment layer is 1.
It is sufficient if it is 00Ω·1 or more.

本発明において、スイッチング素子の具体的構成は特に
限定されず、従来この種の用途に用いられている全ての
スイッチング素子を用いることができる。具体的には、
例えばMOS)ランジスタ、薄膜トランジスタ等の3端
子スイッチング素子;例えば薄膜ダイオード(ショット
キー型、PN型、PIN型等)、バリスタ素子、MIM
素子等の2端子スイッチング素子;等を代表的なものと
して挙げることができる。
In the present invention, the specific configuration of the switching element is not particularly limited, and all switching elements conventionally used for this type of application can be used. in particular,
3-terminal switching elements such as MOS) transistors and thin film transistors; e.g. thin film diodes (Schottky type, PN type, PIN type, etc.), varistor elements, MIM
Typical examples include two-terminal switching devices such as devices.

基板の構成材料としては、従来この種の用途に用いられ
ているものを用いることができ、特に限定されるもので
はないが、例えばソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石
英ガラス、r 7059ガラス」(コーニング社製)、
「テンパックスガラス」(イエナー社製)等のガラス;
1軸延伸ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルス
ルホン、ポリビニルアルコール等のプラスチック;等を
用いることができる。
As the constituent material of the substrate, materials conventionally used for this type of application can be used, and are not particularly limited, such as soda glass, borosilicate glass, quartz glass, R 7059 glass (Corning manufactured by),
Glass such as "Tempax Glass" (manufactured by Jenner);
Plastics such as uniaxially oriented polyethylene terephthalate, polyether sulfone, and polyvinyl alcohol can be used.

また行電極および列!極の構成材料としては、従来この
種の用途に用いられているものを用いることができ、特
に限定されるものではないが、例えばTTO(スズとイ
ンジウムの酸化物)、ネサ(スズの酸化物)、クロム、
アルミニウム、ニッケル、ニッケルークロム合金等を好
ましく用いることができ、またこれらの材料を組合わせ
て用いることもできる。
Also row electrodes and columns! As the constituent material of the electrode, materials conventionally used for this type of application can be used, and are not particularly limited, such as TTO (tin and indium oxide), NESA (tin oxide), etc. ),chromium,
Aluminum, nickel, nickel-chromium alloy, etc. can be preferably used, and these materials can also be used in combination.

また液晶組成物としては、従来この種の用途に用いられ
ているものを用いることができ、特に限定されるもので
はない。具体的には、例えばネマティック液晶、カイラ
ルネマテインク液晶、コレステリック液晶、スメクテイ
ンク液晶、カイラルスメクテインク液晶、その他公知の
液晶を用いることができ、またこれらを組合せて用いる
こともできる。そして必要に応じて旋光性物質が添加さ
れていてもよい。
Further, as the liquid crystal composition, those conventionally used for this type of application can be used, and there is no particular limitation. Specifically, for example, nematic liquid crystal, chiral nematic ink liquid crystal, cholesteric liquid crystal, smectine ink liquid crystal, chiral smecten ink liquid crystal, and other known liquid crystals can be used, and a combination of these can also be used. An optically active substance may be added as necessary.

また表示モードとしては、ツイストネマティック(T 
N)型モード、ゲスト・ホスト(G H)型モード、電
圧制御複屈折(ECB)型モード、コレステリッターネ
マティック型相転移モード、動的散乱(DS)型モード
等のいずれのモードを採用してもよい。
In addition, the display mode is twisted nematic (T
Which mode is adopted, such as N) type mode, guest-host (GH) type mode, voltage-controlled birefringence (ECB) type mode, cholesteritter nematic type phase transition mode, dynamic scattering (DS) type mode, etc. Good too.

本発明に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の具
体的構成例を以下図面を参照しながら説明する。
A specific example of the structure of an active matrix liquid crystal display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図(イ)および(ロ)は、それぞれスイッチング素
子として2端子スイツチング素子を用いる場合の具体的
構成例を示す説明用平面図および説明用断面図である。
FIGS. 1A and 1B are an explanatory plan view and an explanatory cross-sectional view, respectively, showing a specific configuration example when a two-terminal switching element is used as the switching element.

これらの図において、11は上基板、12は下基板、2
1は行電極、22は列電極、23は画素電極、31は上
基板の配向層、32は下基板の配向層、40はスイッチ
ング素子、50は液晶組成物である。
In these figures, 11 is an upper substrate, 12 is a lower substrate, 2
1 is a row electrode, 22 is a column electrode, 23 is a pixel electrode, 31 is an alignment layer of the upper substrate, 32 is an alignment layer of the lower substrate, 40 is a switching element, and 50 is a liquid crystal composition.

この例の2@子スイツチング素子は、2個の薄膜ダイオ
ードを直列かつ逆方向に接続してなるバック・トウ・バ
ック・ダイオードであり、41は共通電極、42は半導
体層、43はバリア電極、44は絶縁層である。
The 2@ child switching element in this example is a back-to-back diode formed by connecting two thin film diodes in series and in opposite directions, 41 is a common electrode, 42 is a semiconductor layer, 43 is a barrier electrode, 44 is an insulating layer.

スイッチング素子40は下基板12上にマトリクス状に
固定配置され、これに対応するよう列電極22が下基板
12上に形成されている。そしてスイッチング素子40
が固定された位置においてこれらの列電極22と交差す
るよう行電極21が上基板11上に形成されている。各
スイッチング素子40の一方の端子はそれぞれ対応する
列電極22に接続され、他方の端子は下基板12に固定
配置された対応する画素電極23に接続されている。
The switching elements 40 are fixedly arranged in a matrix on the lower substrate 12, and column electrodes 22 are formed on the lower substrate 12 to correspond to the switching elements 40. and switching element 40
Row electrodes 21 are formed on the upper substrate 11 so as to intersect these column electrodes 22 at fixed positions. One terminal of each switching element 40 is connected to the corresponding column electrode 22, and the other terminal is connected to the corresponding pixel electrode 23 fixedly arranged on the lower substrate 12.

そしてスイッチング素子40が固定配置された下基板1
2において液晶組成物50との対向面上に配置された配
向層32は、その体積抵抗率が100〜IQIIIΩ・
(2)であり、上基板11において液晶組成物50との
対向面上に配置された一方の配向層31は、その体積抵
抗率が100Ω・口取上である。
And the lower substrate 1 on which the switching element 40 is fixedly arranged.
In No. 2, the alignment layer 32 disposed on the surface facing the liquid crystal composition 50 has a volume resistivity of 100 to IQIIIΩ·
(2), one of the alignment layers 31 disposed on the surface of the upper substrate 11 facing the liquid crystal composition 50 has a volume resistivity of 100Ω.

第2図(イ)および(ロ)は、それぞれスイッチング素
子として3端子スイツチング素子を用いる場合の具体的
構成例を示す説明用平面図および説明用断面図である。
FIGS. 2A and 2B are an explanatory plan view and an explanatory cross-sectional view, respectively, showing a specific example of the configuration when a three-terminal switching element is used as the switching element.

これらの図において、11は上基板、12は下基板、2
1は行電極、22は列電極、23は画素電極、25は対
向全面電極、31は上基板の配向層、32は下基板の配
向層、40はスイッチング素子、50は液晶組成物であ
る。
In these figures, 11 is an upper substrate, 12 is a lower substrate, 2
1 is a row electrode, 22 is a column electrode, 23 is a pixel electrode, 25 is a counter electrode, 31 is an alignment layer of the upper substrate, 32 is an alignment layer of the lower substrate, 40 is a switching element, and 50 is a liquid crystal composition.

この例の3端子スイツチング素子は、薄膜トランジスタ
であり、42は半導体層、44は絶縁層、45はドレイ
ン電極である。
The three-terminal switching element in this example is a thin film transistor, 42 is a semiconductor layer, 44 is an insulating layer, and 45 is a drain electrode.

スイッチング素子40は下基板12上にマトリクス状に
固定配置され、これらのスイッチング素子40が固定さ
れた位置においてそれぞれ交差するよう行電極21およ
び列電極22が共に当該下基板12上に形成されている
。そして各スイッチング素子40の第1の端子(ゲート
)はそれぞれ対応する行′N、極21に接続され、第2
の端子(ソース)はそれぞれ対応する列電極22に接続
され、第3の端子であるドレイン電極45は当咳下基板
工2に固定配置された対応する画素電極23に接続され
ている。
The switching elements 40 are fixedly arranged in a matrix on the lower substrate 12, and row electrodes 21 and column electrodes 22 are both formed on the lower substrate 12 so that these switching elements 40 cross each other at fixed positions. . The first terminal (gate) of each switching element 40 is connected to the corresponding row 'N, pole 21, and the second
The terminals (sources) of each are connected to the corresponding column electrodes 22, and the third terminal, drain electrode 45, is connected to the corresponding pixel electrode 23 fixedly arranged on the substrate 2.

そしてスイッチング素子40が固定配置された下基板1
2において液晶組成物50との対向面上に配置された配
向j131は、その体積抵抗率が10”〜1010Ω・
jであり、上基板11において液晶組成物50との対向
面上に配置された一方の配向層32は、その体積抵抗率
が100Ω・1以上である。
And the lower substrate 1 on which the switching element 40 is fixedly arranged.
In No. 2, the orientation j131 disposed on the surface facing the liquid crystal composition 50 has a volume resistivity of 10" to 1010 Ω.
One of the alignment layers 32 disposed on the surface of the upper substrate 11 facing the liquid crystal composition 50 has a volume resistivity of 100Ω·1 or more.

〔具体的実施例〕[Specific examples]

以下、本発明の具体的実施例を説明するが、本発明がこ
れらの実施例に限定されるものではない。
Hereinafter, specific examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these examples.

〈実施例1〜6および比較例1〜4〉 各実施例および比較例においては、スイッチング素子が
固定配置された基板における配向層の構成材料として、
後記第1表に示す材料を用い、第1図(イ)および(ロ
)に示した構成に基いて、実際に150 x 150個
の画素ををするアクティブマトリクス型液晶表示装置を
作製した。
<Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4> In each of the Examples and Comparative Examples, as the constituent material of the alignment layer in the substrate on which the switching element is fixedly arranged,
An active matrix liquid crystal display device having 150 x 150 pixels was actually fabricated using the materials shown in Table 1 below and based on the configuration shown in FIGS. 1(a) and 1(b).

次に各画素を実際に駆動する試験を行い、スイッチング
素子の静電気による破壊が原因で不良となったものの割
合と、画素電極間のリークが原因と考えられる液晶画像
の乱れについて調べた。結果を第1表に併せて示す。
Next, we conducted a test in which each pixel was actually driven, and investigated the proportion of failures due to electrostatic breakdown of switching elements, and the disturbances in liquid crystal images that were thought to be caused by leakage between pixel electrodes. The results are also shown in Table 1.

〈実施例7〜12および比較例5〜8〉各実施例および
比較例においては、スイッチング素子が固定配置された
基板における配向層の構成材料として、後記第2表に示
す材料を用い、第2図(イ)および(ロ)に示した構成
に基いて、実際に150 X 150個の画素を有する
アクティブマトリクス型液晶表示装置を作製した。
<Examples 7 to 12 and Comparative Examples 5 to 8> In each of the Examples and Comparative Examples, the materials shown in Table 2 below were used as constituent materials of the alignment layer in the substrate on which the switching element was fixedly arranged, and the second An active matrix liquid crystal display device having 150 x 150 pixels was actually manufactured based on the configuration shown in Figures (a) and (b).

次に各画素を実際に駆動する試験を行い、スイッチング
素子の静電気による破壊が原因で不良となったものの割
合と、画素電極間のリークが原因と考えられる液晶画像
の乱れについて調べた。結果を第2表に併せて示す。
Next, we conducted a test in which each pixel was actually driven, and investigated the proportion of failures due to electrostatic breakdown of switching elements, and the disturbances in liquid crystal images that were thought to be caused by leakage between pixel electrodes. The results are also shown in Table 2.

なお、第1表および第2表中、液晶画像の乱れの欄にお
いて、「○」は液晶画像の乱れがほとんど認められず鮮
明な画像が得られることを表し、「×」は液晶画像の乱
れが認められ実用的には問題のあることを表す。
In addition, in Tables 1 and 2, in the column for liquid crystal image disturbance, "○" indicates that a clear image is obtained with almost no disturbance of the liquid crystal image, and "x" indicates that the liquid crystal image is disturbed. This indicates that there is a problem in practical use.

第1表および第2表の結果から理解されるように、本発
明に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置において
は、スイッチング素子が固定配置された基板における配
向層の構成材料の体積抵抗率力100〜10′6Ω・備
の範囲内であるので、ラビング処理時においてスイッチ
ング素子の静電気による破壊が十分防止され、その結果
不良画素の割合が小さく商い歩留まりでアクティブマト
リクス型液晶表示装置を製造することができ、しかも画
素電極間のリークに起因すると考えられる液晶画像の乱
れが生ぜず鮮明な画像を形成することができる。
As can be understood from the results in Tables 1 and 2, in the active matrix liquid crystal display device according to the present invention, the volume resistivity of the constituent material of the alignment layer in the substrate on which the switching elements are fixedly arranged is 100 to 100. Since it is within the range of 10'6 Ω, damage to the switching elements due to static electricity is sufficiently prevented during the rubbing process, and as a result, active matrix type liquid crystal display devices can be manufactured with a small proportion of defective pixels and a low yield. Furthermore, it is possible to form a clear image without causing any disturbance in the liquid crystal image that is thought to be caused by leakage between the pixel electrodes.

これに対して、比較例1および5によれば、スイッチン
グ素子が固定配置された基板における配向層の構成材料
の体積抵抗率が100Ω・個未満であるので、静電気に
よる破壊は認められないものの画素電橋間のリークに起
因すると考えられる液晶画像の乱れが生じ、その結果鮮
明な画像を形成することができない。
On the other hand, according to Comparative Examples 1 and 5, since the volume resistivity of the constituent material of the alignment layer in the substrate on which the switching element is fixedly arranged is less than 100 Ω, no damage due to static electricity is observed, but the pixel Disturbances occur in the liquid crystal image, which is thought to be caused by leakage between the electric bridges, and as a result, a clear image cannot be formed.

また比較例2〜4および6〜8によれば、スイッチング
素子が固定配置された基板における配向層の構成材料の
体積抵抗率が10I0Ω・口を超えるので、ラビング処
理時においてスイッチング素子の静電気による破壊を十
分に防止することができず、その結果不良画素の割合が
大きく、結局高い歩留まりでアクティブマトリクス型液
晶表示装置を製造することが困難である。
Furthermore, according to Comparative Examples 2 to 4 and 6 to 8, the volume resistivity of the constituent material of the alignment layer in the substrate on which the switching elements are fixedly arranged exceeds 10I0Ω, so that the switching elements are destroyed by static electricity during the rubbing process. As a result, the proportion of defective pixels is large, and it is ultimately difficult to manufacture active matrix liquid crystal display devices with a high yield.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(イ)および(ロ)はそれぞれ本発明に係るアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の具体的構成の一例を
示す説明用平面図および説明用断面図、第2図(イ)お
よび(ロ)はそれぞれ本発明に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の具体的構成の他の例を示す説明用平
面図および説明用断面図である。 11・・・上基板      12・・・下基板21・
・・行電極      22・・・列電極23・・・画
素電極     25・・・対向全面雪掻31・・・上
基板の配向層  32・・・下基板の配向層40・・・
スイッチング素子 50・・・液晶組成物41・・・共
通電極     42・・・半導体層43・・・バリア
電極    44・・・絶縁層45・・・ドレイン電極 )広2図(イ) 9μ 2 図 (ロ)
FIGS. 1(a) and (b) are an explanatory plan view and an explanatory cross-sectional view showing an example of a specific configuration of an active matrix liquid crystal display device according to the present invention, respectively, and FIGS. 2(a) and (b) are 2A and 2B are an explanatory plan view and an explanatory cross-sectional view, respectively, showing other examples of the specific configuration of an active matrix liquid crystal display device according to the present invention. 11... Upper board 12... Lower board 21.
... Row electrode 22 ... Column electrode 23 ... Pixel electrode 25 ... Opposing whole surface snow scraper 31 ... Alignment layer of upper substrate 32 ... Alignment layer 40 of lower substrate ...
Switching element 50...Liquid crystal composition 41...Common electrode 42...Semiconductor layer 43...Barrier electrode 44...Insulating layer 45...Drain electrode) Diagram 2 (A) 9μ Diagram 2 ( B)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)一対の基板と、これら一対の基板の一方にマトリク
ス状に固定配置された液晶駆動用のスイッチング素子と
、前記一対の基板上に配置された、前記スイッチング素
子を駆動制御するための複数の行電極および複数の列電
極と、前記一対の基板間に配置された液晶組成物とを有
してなるアクティブマトリクス型液晶表示装置において
、 前記スイッチング素子が固定配置された一方の基板にお
ける前記液晶組成物との対向面上に、体積抵抗率が10
^0〜10^10Ω・cmである配向層を設けたことを
特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
[Claims] 1) A pair of substrates, a switching element for driving a liquid crystal fixedly arranged in a matrix on one of the pair of substrates, and a switching element arranged on the pair of substrates for driving the switching element. In an active matrix liquid crystal display device comprising a plurality of row electrodes and a plurality of column electrodes for control, and a liquid crystal composition disposed between the pair of substrates, the switching element is fixedly disposed on one side; The surface of the substrate facing the liquid crystal composition has a volume resistivity of 10.
An active matrix liquid crystal display device characterized in that an alignment layer having a resistance of ^0 to 10^10 Ω·cm is provided.
JP61221788A 1986-09-22 1986-09-22 Active matrix type liquid crystal display device Pending JPS6378125A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02300723A (en) * 1989-05-15 1990-12-12 Sharp Corp Liquid crystal display element
JPH0437715A (en) * 1990-06-01 1992-02-07 Sharp Corp Liquid crystal display device

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JPH0437715A (en) * 1990-06-01 1992-02-07 Sharp Corp Liquid crystal display device

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