JPS6373261A - Photosensitive body - Google Patents

Photosensitive body

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JPS6373261A
JPS6373261A JP21900486A JP21900486A JPS6373261A JP S6373261 A JPS6373261 A JP S6373261A JP 21900486 A JP21900486 A JP 21900486A JP 21900486 A JP21900486 A JP 21900486A JP S6373261 A JPS6373261 A JP S6373261A
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JP
Japan
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photoreceptor
film
layer
gas
atoms
Prior art date
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Pending
Application number
JP21900486A
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Japanese (ja)
Inventor
Shuji Iino
修司 飯野
Hideo Yasutomi
英雄 保富
Masanori Fujiwara
正典 藤原
Yumiko Taketomi
武富 由美子
Mochikiyo Osawa
大澤 以清
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Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6373261A publication Critical patent/JPS6373261A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08285Carbon-based
    • GPHYSICS
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    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • G03G5/047Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers

Abstract

PURPOSE:To stabilize electric charge transfer performance and in a preferable state by forming as a charge transfer layer an organic plasma polymerized film produced by a low-pressure plasma polymerization reaction of an organic gas and containing alkali metal atoms as a chemically modifying substance. CONSTITUTION:The photosensitive body is obtained by successively laminating on a conductive substrate 1 the charge transfer layer 2 and the charge generating layer 3. The charge transfer layer 2 is composed of an amorphous solid of carbon and hydrogen atoms produced by the plasma polymerization of hydrocarbon in a gas phase and containing as the chemical modifying substance at least the alkali metal atoms in an amount of 0.1-10atom% of the total constituent atoms, thus permitting charge transfer performance to be stably retained without undergoing deterioration due to the lapse of time.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a photoreceptor having a charge generation layer and a charge transport layer.

従米技街 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化きれてきた。
Since the invention of the Carlson method, the application field of electrophotography has continued to make remarkable progress, and various materials have been developed and put into practical use for photoreceptors for electrophotography.

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒恋、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化牝tΩ、アモルファスシリコン等の無
機物質、ポリビニルカルバゾール、全屈フタロシアニン
、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリ
フェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒ
ドラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、
オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有
機物質が挙げられる。
The main electrophotographic photoreceptor materials conventionally used include inorganic substances such as amorphous selenium, selenium, selenium, cadmium sulfide, oxidized tΩ, amorphous silicon, polyvinyl carbazole, total bending phthalocyanine, Disazo pigments, trisazo pigments, perylene pigments, triphenylmethane compounds, triphenylamine compounds, hydrazone compounds, styryl compounds, pyrazoline compounds,
Examples include organic substances such as oxazole compounds and oxadiazole compounds.

また、その構成形態としては、これらの物質を単体で用
いる単層型構成、結着材中に分散させて用いるバインダ
ー型構成、機能別に電荷発生層と電荷輸送層どを設ける
Vi層梨型構成が挙げられる。
In addition, the configurations include a single-layer structure in which these substances are used alone, a binder-type structure in which they are dispersed in a binder, and a Vi layer pear-shaped structure in which a charge generation layer, a charge transport layer, etc. are provided for each function. can be mentioned.

しかしながら、従来用いられて来た電子η真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無1;1ljt質においては、何れもIEましくな
い性質を持つものであった。また、電子写真感光体が実
際に複写機内で用いられるためには、帯電、露光、現像
、転写、除電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合
においても、常に安定な性能を維持している必要がある
が、前述した有機物質においては、何れも耐久性に乏し
く、性能面での不安定要素が多かった。 このような欠
点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐久性に富んだ
材料として、グロー放電法により生成されるアモルファ
スシリコンの電子写真感光体への応用が進んで来ている
。しかし、アモルファスシリコンは、原料として発火性
の強いシランガスを必要とするため、製造上の危険性が
高い。また、シランガスを多量に必要とする反面、高価
なガスであることから、出来上がった電子写真感光体も
、従来の感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、
成膜速度が遅く、成膜時に煤発性を有する多量のシラン
未分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も
多い。この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合には
、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。また、アモルファ
スシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性能が低
く、複写機内で所定の表面電位に帯電するためには、帯
電詰に高出力が要求される。
However, the electron η photoreceptor materials that have been used hitherto have their own drawbacks. One of them is the toxicity to the human body, and all of the materials other than the amorphous silicon described above have properties that are not IE. In addition, in order for an electrophotographic photoreceptor to be actually used in a copying machine, it must always maintain stable performance even when exposed to harsh environmental conditions such as charging, exposure, development, transfer, neutralization, and cleaning. However, all of the organic substances mentioned above have poor durability and many unstable factors in terms of performance. In order to eliminate such drawbacks, in recent years, amorphous silicon produced by a glow discharge method has been increasingly applied to electrophotographic photoreceptors as a material with improved toxicity and high durability. However, since amorphous silicon requires highly ignitable silane gas as a raw material, it is highly dangerous to manufacture. Furthermore, although a large amount of silane gas is required, since it is an expensive gas, the resulting electrophotographic photoreceptor is also significantly more expensive than conventional photoreceptors. Also,
There are many disadvantages in production, such as the film formation rate being slow and a large amount of soot-producing undecomposed silane products being generated in the form of dust during film formation. If this dust gets mixed into the photosensitive layer during manufacturing, it will significantly adversely affect image quality. Furthermore, since amorphous silicon originally has a high dielectric constant, its charging performance is low, and in order to charge it to a predetermined surface potential in a copying machine, a high power is required for charging.

プラズマ有機重合膜自体は古(より知られており、例え
ばジエン(M、5hen)及びベル(A、T、Be11
)らにより、1973年のジャーナル・オブ・アプライ
ド・ポリマー・サイエンス(Journal ofAp
plied Polymer 5cience)第17
巻の885〜892頁において、あらゆる有機化合物の
ガスから作製され得る事が、また、同著者により、19
79年のアメリカンケミカルソサエティー(Ameri
can Chemical 5ociety)発行によ
るプラズマボリマライゼーション(Plasma po
lymerizati。
Plasma organic polymerized films themselves are older (more well known, such as diene (M, 5hen) and bel (A, T, Be11).
) et al., Journal of Applied Polymer Science (1973)
plied Polymer 5science) No. 17
On pages 885-892 of Vol.
American Chemical Society (Ameri) in 1979
can Chemical 5ociety)
lymerizati.

n)の中でもその成膜性が論じられている。n), its film formability is also discussed.

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如<1016Ωcm程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
However, plasma organic polymer films prepared by conventional methods are used only for applications that assume insulation properties, that is, they are considered to be insulating films with a specific resistance of about <1016 Ωcm, like ordinary polyethylene films. Or at least it was used with the recognition that it was such a membrane.

実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識から
、保護層、接着層、ブロッキング層、もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。
Due to the same recognition, its actual use in electrophotographic photoreceptors has been limited to protective layers, adhesive layers, blocking layers, or insulating layers, and has only been used as so-called undercoat layers or overcoat layers. .

例えば、特開昭59−28161号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示きれている。特開昭5
9−38753号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される1013〜1015Ωcmの高挺抗のプラズマ
重合膜を10人〜100人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭59−
136742号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として1〜5μm程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。
For example, JP-A-59-28161 discloses a photoreceptor in which a plasma-polymerized polymer layer having a network structure is provided on a substrate as a blocking layer and an adhesive layer, and an amorphous silicon layer is provided on the polymer layer. ing. Japanese Patent Application Publication No. 5
Publication No. 9-38753 discloses that 10 to 100 plasma polymerized films with a high resistance of 1013 to 1015 Ωcm, which are generated from a mixed gas of oxygen, nitrogen, and hydrocarbons, are formed on a substrate as a blocking layer and an adhesive layer. discloses a photoreceptor provided with an amorphous silicon layer. Unexamined Japanese Patent Publication 1987-
Publication No. 136742 discloses a photoreceptor in which a carbon film of approximately 1 to 5 μm is formed on the surface of the substrate as a protective layer to prevent aluminum atoms from diffusing into the amorphous silicon layer provided on the aluminum substrate during light irradiation. is disclosed.

特開昭60−63541号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として200人〜2μmのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は2μm以下が好ましいときれている。
Japanese Unexamined Patent Publication No. 60-63541 discloses a photosensitive material in which a diamond-like carbon film with a thickness of 200 to 2 μm is provided in the middle as an adhesive layer in order to improve the adhesion between an aluminum substrate and an amorphous silicon layer provided thereon. It is disclosed that the film thickness is preferably 2 μm or less in terms of residual charge.

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、a−3i
の有する前記した本質的開音を解決するものではない。
All of these disclosures are inventions in which a so-called undercoat layer is provided between the substrate and the amorphous silicon layer,
There is no disclosure regarding charge transport properties, and a-3i
This does not solve the above-mentioned inherent open sound problem.

また、例えば、特開昭50−20728号公報、並びに
、米国特許3,956.525号明細書には、ポリビニ
ルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層として
グロー放電重合によるポリマー膜を0.1〜1μm設け
た感光体が開示されている。特開昭59−214859
号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面に保護
層としてスチレンやアセチレン等の有機成化水素モノマ
ーをプラズマ重合させて5μm程度の膜を形成きせる技
術が開示されている。特開昭60−61761号公報に
は、表面保護層として、SoOλ〜2μmのダイヤモン
ド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性の面か
ら膜厚は2μm以下が好ましいとされている。特開昭6
0−249115号公報には、0.05〜5μm程度の
無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層として用いる
技術が開示きれ、膜厚が5μmを越えると感光体活性に
悪影響が及ぶとされている。特開昭61−94056号
公報には、アモルファスシリコンの表面に保護層として
、疎水性に優れたアモルファスカーボン膜を用いたアモ
ルファスシリコン感光体が、開示されている。
Furthermore, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 50-20728 and US Pat. No. 3,956.525 disclose that a polymer film formed by glow discharge polymerization is applied as a protective layer on the surface of a polyvinylcarbazole-selenium photoreceptor. A photoreceptor having a thickness of 1 to 1 μm is disclosed. Japanese Patent Publication No. 59-214859
The publication discloses a technique for forming a film of about 5 μm on the surface of an amorphous silicon photoreceptor as a protective layer by plasma polymerizing an organic hydrogen monomer such as styrene or acetylene. JP-A No. 60-61761 discloses a photoreceptor provided with a diamond-like carbon thin film of SoOλ~2 μm as a surface protective layer, and it is said that the film thickness is preferably 2 μm or less in terms of translucency. . Tokukai Showa 6
Publication No. 0-249115 discloses a technology using an amorphous carbon or hard carbon film with a thickness of about 0.05 to 5 μm as a surface protective layer, and it is said that if the film thickness exceeds 5 μm, it will adversely affect the activity of the photoreceptor. There is. JP-A-61-94056 discloses an amorphous silicon photoreceptor using an amorphous carbon film with excellent hydrophobicity as a protective layer on the surface of amorphous silicon.

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、a−Siの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。 また、特開昭51−461
30号公報には、ポリビニルカルバゾール系電子写真感
光体の表面にグロー放電重合を行なって0゜001〜3
μmのポリマー膜を形成せしめた電子写真感光板が開示
きれているが、電荷輸送性については全く言及きれてい
ないし、a−Siの持つ前記した本質的問題を解決する
ものではない。
All of these disclosures are inventions in which a so-called overcoat layer is provided on the surface of a photoreceptor, and there is no disclosure about charge transport properties, and they do not solve the above-mentioned essential problems of a-Si. . Also, JP-A-51-461
No. 30 discloses that the surface of a polyvinylcarbazole electrophotographic photoreceptor is subjected to glow discharge polymerization to obtain
Although an electrophotographic photosensitive plate on which a micrometer-thick polymer film is formed has been disclosed, there is no mention of charge transport properties, and the above-mentioned essential problems of a-Si are not solved.

発明が解決しようとするI=”点 以上の様に、従来、電子写真感光体に用いられているプ
ラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオー
バーコート層として使用されていたが、それらはキャリ
アの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜が
絶縁性で有るとの判断に立って用いられている。従って
その膜厚も寓々5μm程度の極めて薄い膜としてしか用
いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過するか
、トンネル効果が期待できない場合には、実用上の残留
電位としては問題にならずに済む程度の薄い膜でしか用
いられていない。
Point I to be Solved by the Invention As mentioned above, plasma organic polymer films used in electrophotographic photoreceptors have conventionally been used as so-called undercoat layers or overcoat layers; It is a membrane that does not require a transport function, and is used based on the judgment that the organic polymer membrane is insulating.Therefore, it is only used as an extremely thin membrane with a thickness of about 5 μm, and is used as a carrier. It is used only in films that are thin enough to pass through the film due to the tunnel effect, or where the tunnel effect cannot be expected, so that the residual potential does not pose a problem in practical use.

機能分離型電子写真感光体においては、電荷輸送層はキ
ャリア輸送性に侵れている必要があり、キャリア易動度
として少なくとも10−7[c m2/V/ s e 
c ]以上の値が必要である。また、電子写真システム
の中で好適に使用するために帯電性能に優れている必要
があり、少なくとも10[V/μm]以上の耐圧が要求
きれ、ざらに帯電器の負荷を抑えるために比誘電率にし
て6以下の値を有する事が好ましい。
In a functionally separated electrophotographic photoreceptor, the charge transport layer must have carrier transport properties, and the carrier mobility must be at least 10-7 [cm2/V/s e
c ] or higher is required. In addition, in order to be used suitably in an electrophotographic system, it is necessary to have excellent charging performance, and a withstand voltage of at least 10 [V/μm] is required, and in order to roughly reduce the load on the charger, It is preferable to have a value of 6 or less in terms of ratio.

本発明者らは、長年に亙すプラズマ有機重合膜の電子写
真感光体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性で
あると考えられていた有機重合膜が、化学的修飾物質と
してアルカリ金属原子を添加することにより比抵抗が低
下し、容易に好適な電荷輸送性を示し始める事を見出し
た。その理論的解釈には本発明者においても不明確点が
多く詳細に亙り言及はできないが、電荷発生層中に捕捉
されている比較的不安定なエネルギー状態の電子、例え
ばπ電子、不対電子、残存フリーラジカル等が、アルカ
リ金属原子の混入による分極もしくは立体的構造等の変
化により、電荷輸送性に効果的に寄与するためと推定き
れる。
The present inventors have been studying the application of plasma organic polymer films to electrophotographic photoreceptors for many years, and discovered that organic polymer films, which were originally thought to be insulating, were used as chemical modifiers. It has been found that by adding alkali metal atoms, the specific resistance decreases and the material begins to easily exhibit suitable charge transport properties. There are many unclear points in the theoretical interpretation, and it is not possible for the present inventor to discuss it in detail. It is presumed that this is because residual free radicals and the like effectively contribute to charge transport properties due to changes in polarization or steric structure due to the incorporation of alkali metal atoms.

さらに、アルカリ金属原子無添加の状態では該重合膜は
、成膜後の時間経過とともに輸送性の低下を発生しやす
い、即ち感度低下を生じ易いが、化学的修飾物質として
アルカリ金属原子を添加することにより、該電荷輸送層
の電荷輸送性が経時劣化を受けることなく安定に確保さ
れることを見出した。ざらに、アルカリ金属原子の添加
は、感光体の低電界領域での明減衰特性においても好適
な電位減衰を保証し、所謂LDCの裾野を低くし、残留
電位の発生を著しく防止する効果を有する事を見出した
。 本発明はこれらの新たな知見を利用することにより
、a−Si感光体の持つ前述の如き本質的問題点を全て
解消し、また従来とは全く使用目的も、特性も異なる有
機重合膜、特に有機プラズマ重合膜を電荷輸送層として
使用した感光体を提供する事を目的とする。
Furthermore, in a state in which no alkali metal atoms are added, the polymer film tends to exhibit a decrease in transportability over time after film formation, that is, a decrease in sensitivity; however, when alkali metal atoms are added as a chemical modifier, It has been found that, by this, the charge transport properties of the charge transport layer can be stably ensured without being subject to deterioration over time. In general, the addition of alkali metal atoms ensures suitable potential attenuation even in the bright attenuation characteristics in the low electric field region of the photoreceptor, lowers the base of so-called LDC, and has the effect of significantly preventing the generation of residual potential. I found out something. By utilizing these new findings, the present invention solves all of the above-mentioned essential problems of the a-Si photoreceptor, and also creates an organic polymer film, especially an organic polymer film, which has a completely different usage purpose and characteristics from conventional ones. The object of the present invention is to provide a photoreceptor using an organic plasma polymerized film as a charge transport layer.

−2点を解決するための一戸 本発明は、従来の電子写真感光体が有する欠点を解消し
、電荷輸送層として有機気体の低圧力下でのプラズマ重
合反応により生成された化学的修飾物質としてアルカリ
金属原子を含むプラズマ有機重合膜を有することを特徴
とする感光体に関する。該電荷輸送層は、可視光もしく
は半導体レーザー光付近の波長の光に対しては、明確な
る光導電性は有しないが好適な電荷輸送性を安定に提供
し、ざらに、棗電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染性等
の感光体性能に優れ、しかも透光性にも優れるため、特
に機能分離型感光体としての積層構造を形成する場合に
おいても極めて高い自由度が得られるものである。
The present invention eliminates the drawbacks of conventional electrophotographic photoreceptors, and uses a chemical modifier produced by a plasma polymerization reaction of an organic gas under low pressure as a charge transport layer. The present invention relates to a photoreceptor characterized by having a plasma organic polymer film containing alkali metal atoms. Although the charge transport layer does not have clear photoconductivity for visible light or light with a wavelength near semiconductor laser light, it stably provides suitable charge transport properties, and has excellent conductivity and durability. Because it has excellent photoconductor performance such as weather resistance and environmental pollution resistance, and is also excellent in light transmission, it provides an extremely high degree of freedom especially when forming a laminated structure as a function-separated photoconductor. be.

具体的に本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する
感光体において、電荷輸送層として炭化水素のプラズマ
重合膜を設け、かつ、該重合膜中に化学的修飾物質とし
て少なくともアルカリ金属原子を全構成原子に対して0
.1乃至10原子%含有する事を特1敢とする電子写真
感光体に関する。(以下、本発明による該重合膜をa−
C膜と称する)ここで本発明によるa −C膜中の炭素
原子、水素原子及びアルカリ金属原子の量は、元素分析
の常法、例えば有機元素分析、オージェ分析等を用いる
事によって知る事が可能である。
Specifically, the present invention provides a photoreceptor having a charge generation layer and a charge transport layer, in which a hydrocarbon plasma polymerized film is provided as the charge transport layer, and at least an alkali metal atom is added as a chemical modifier in the polymer film. 0 for all constituent atoms
.. It particularly relates to an electrophotographic photoreceptor containing 1 to 10 atom %. (Hereinafter, the polymer film according to the present invention will be described as a-
The amounts of carbon atoms, hydrogen atoms, and alkali metal atoms in the a-C film according to the present invention can be determined by using conventional methods of elemental analysis, such as organic elemental analysis and Auger analysis. It is possible.

本発明においては、a−C膜を形成するための有機気体
として炭化水素が用いられる。該炭化水素における相状
態は常温常圧において必ずしも気相である必要はなく、
加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化し
うるものであれば、液相でも固相でも使用可能である。
In the present invention, hydrocarbons are used as organic gases for forming the a-C film. The phase state of the hydrocarbon does not necessarily have to be a gas phase at normal temperature and normal pressure,
It can be used in either liquid phase or solid phase as long as it can be vaporized through melting, evaporation, sublimation, etc. by heating or reduced pressure.

該炭化水素としては、例えば、飽和炭化水素、不飽和炭
化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、等が用いら
れる。
Examples of the hydrocarbons used include saturated hydrocarbons, unsaturated hydrocarbons, alicyclic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, and the like.

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オク
タデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン、
トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、
ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサ
ン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリア
コンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、2,3−ジメチルブタン、2−メチルヘキサン
、3−エチルペンタン、2.2−ジメチルペンタン、2
,4−ジメチルペンタン、3.3−ジメチルペンタン、
トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへブタン
、2.2−ジメチルヘキサン、2,2.5−ジメチルヘ
キサン、2.2.3−トリメチルペンタン、2,2.4
−トリメチルペンタン、2.3.3−トリメチルペンタ
ン、2,3゜4−トリメチルペンタン、イソナノン、等
のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素と
しては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレン
、1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、2−ペンテ
ン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ブテン
、2−メチル−2−ブテン、1−ヘキセン、テトラメチ
ルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−ノネン
、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メチ
ルアレン、ブタジェムペンタジェン、ヘキサジエ以シク
ロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、オシメン
、アロシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等のトリオ
レフイン、並びに、アセチレン、メチルアセチレン、1
−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン、1−ヘキシン、
1−ヘプチン、1−オクチン、1−ノニン、1−デシン
、等が用いられる。脂環式炭化水素としては、例えば、
シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シク
ロヘキサン、シクロへブタン、シクロオクタン、シクロ
ノナン、シクロデカン、シクロウンテ゛カン、シクロド
デカン、シクロトリデカン、シクロチトラデカン、シク
ロペンタデカン、シクロヘキサデカン、等のシクロパラ
フィン並びに、シクロプロペン、シクロブテン、シクロ
ペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオ
クテン、シクロノネン、シクロデセン、等のシクロオレ
フィン並びに、リモネン、テルビルン、フエランドレン
、シルベストレン、ツエン、カレン、ピネン、ボルニレ
ン、カンフエン、フエンチェン、シクロデセンチエン、
トリシクレン、ビサボレン、ジンギベレン、クルクメン
、フムレン、カジネンセスキベニヘン、セリネン、カリ
オフィレン、サンタレン、セドレン、カンホレン、フイ
ロクラテン、ボドカルプレン、ミレン、等のテルペン並
びに、ステロイド等が用いられる。芳香族炭化水素とし
ては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘミメ
リテン、プソイドクメン、メシチレン、プレニテン、イ
ソジュレン、ジュレン、ペンタメケルベンゼン、ヘキサ
メチルベンゼン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、
クメン、スチレン、ビフェニル、テルフェニル、ジフェ
ニルメタン、トリフェニルメタン、ジベンジル、スチル
ベン、インデン、ナフタリン、テトラリン、アントラセ
ン、フェナントレン、等が用いられる。
There are many types of hydrocarbons that can be used, but examples of saturated hydrocarbons include methane, ethane, propane, butane,
Pentane, hexane, heptane, octane, nonane, decane, undecane, dodecane, tridecane, tetradecane, pentadecane, hexadecane, heptadecane, octadecane, nonadecane, eicosane, heneicosane,
tocosan, tricosane, tetracosan, pentacosan,
Normal paraffins such as hexacosane, heptacosane, octacosane, nonacosane, triacontane, todoriacontane, pentatriacontane, etc., as well as isobutane, isopentane, neopentane, isohexane, neohexane, 2,3-dimethylbutane, 2-methylhexane, 3- Ethylpentane, 2,2-dimethylpentane, 2
, 4-dimethylpentane, 3.3-dimethylpentane,
Tributane, 2-methylhebutane, 3-methylhebutane, 2.2-dimethylhexane, 2,2.5-dimethylhexane, 2.2.3-trimethylpentane, 2,2.4
Isoparaffins such as -trimethylpentane, 2.3.3-trimethylpentane, 2,3.4-trimethylpentane, isonanone, etc. are used. Examples of unsaturated hydrocarbons include ethylene, propylene, isobutylene, 1-butene, 2-butene, 1-pentene, 2-pentene, 2-methyl-1-butene, 3-methyl-1-butene, 2-methyl -Olefins such as 2-butene, 1-hexene, tetramethylethylene, 1-heptene, 1-octene, 1-nonene, 1-decene, and allene, methylalene, butadiempentadiene, hexadiene and cyclopentadiene , etc., triolefins such as ocimene, allocimene, myrcene, hexatriene, etc., and acetylene, methylacetylene, 1
-butyne, 2-butyne, 1-pentyne, 1-hexyne,
1-heptyne, 1-octyne, 1-nonine, 1-decyne, etc. are used. Examples of alicyclic hydrocarbons include:
Cycloparaffins such as cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cyclohebutane, cyclooctane, cyclononane, cyclodecane, cyclountecane, cyclododecane, cyclotridecane, cyclotitradecane, cyclopentadecane, cyclohexadecane, and cyclopropene, Cycloolefins such as cyclobutene, cyclopentene, cyclohexene, cycloheptene, cyclooctene, cyclononene, cyclodecene, limonene, terbirun, phelandrene, sylvestrene, thuene, carene, pinene, bornylene, kanghuen, fuenchen, cyclodecentiene,
Terpenes such as tricyclene, bisabolene, zingiberene, curcumene, humulene, kajinensesesquivenichen, selinene, caryophyllene, santarene, cedrene, campholene, phylloclatene, bodocarprene, and mirene, as well as steroids, are used. Examples of aromatic hydrocarbons include benzene, toluene, xylene, hemimelithene, pseudocumene, mesitylene, prenitene, isodurene, durene, pentamechelbenzene, hexamethylbenzene, ethylbenzene, propylbenzene,
Cumene, styrene, biphenyl, terphenyl, diphenylmethane, triphenylmethane, dibenzyl, stilbene, indene, naphthalene, tetralin, anthracene, phenanthrene, etc. are used.

本発明に於けるa −C膜中に含まれる水素原子の量は
、炭素原子と水素原子の総量に対して0.1乃至67原
子%、好適には3o乃至60原子%である。水素原子の
量が0.1原子%より低い場合には輸送性能が低下し、
必ずしも好適な光感度が得られない。水素原子の量が6
7原子%より高い場合には、帯電能の低下と成膜性の劣
化を招く。
The amount of hydrogen atoms contained in the a-C film in the present invention is 0.1 to 67 at%, preferably 30 to 60 at%, based on the total amount of carbon atoms and hydrogen atoms. When the amount of hydrogen atoms is lower than 0.1 at%, the transport performance decreases,
Suitable photosensitivity cannot necessarily be obtained. The amount of hydrogen atoms is 6
If it is higher than 7 at %, the charging ability will be lowered and the film forming properties will be deteriorated.

本発明におけるa −C膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化きせる
ことか可能であり、水素量を低くするには、例えば、基
板温度を高くする、圧力を低くする、原f4炭化水素ガ
スの希釈率を低くする、水素原子含有率の低い原料ガス
を使用する、印加電力を高くする、交番電界の周波数を
低くする、交番電界に重畳せしめた直流電界強度を高く
する、等の手段により制御する事が可能である。
The amount of hydrogen atoms contained in the a-C film of the present invention can be changed depending on the form of the film forming apparatus and the conditions during film forming. To lower the amount of hydrogen, for example, the substrate temperature can be changed. increase, lower the pressure, lower the dilution rate of the raw F4 hydrocarbon gas, use a raw material gas with a lower hydrogen atom content, increase the applied power, lower the frequency of the alternating electric field, superimpose it on the alternating electric field. This can be controlled by increasing the DC electric field strength.

本発明における電荷輸送層としてのa −C膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、5乃至5
0μm1特に7乃至20μmが適当であり、5μmより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事が出来ない。また、50μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このa−C膜は、高透光性、高暗抵抗
を有するとともに電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に
5μm以上としてもキャリアはトラップきれることなく
輸送され明減衰に効果的に寄与する事が可能である。
The thickness of the a-C film as the charge transport layer in the present invention is 5 to 5
A suitable value is 0 μm, especially 7 to 20 μm; if it is thinner than 5 μm, the charging potential will be low, making it impossible to obtain a sufficient copy image density. Moreover, if it is thicker than 50 μm, it is not preferable in terms of productivity. This a-C film has high light transmittance, high dark resistance, and is rich in charge transport properties.As mentioned above, even if the film thickness is 5 μm or more, carriers are transported without being trapped, effectively contributing to bright attenuation. It is possible to do so.

本発明においては炭化水素の他に、a −C膜中にハロ
ゲン原子を添加するためにアルカリ金属化合物が使用さ
れる。ここでアルカリ金属原子とは、リチウム原子、ナ
トリウム原子、カリウム原子、ルビジウム原子、及びセ
シウム原子を云う。該アルカリ金属化合物ガスにおける
相状態は常温常圧において必ずしも気相で有る必要はな
く、また、むしろ気相状態の化合物は少ないため、加熱
或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化し得る
ものであれ、ば、液相でも固相でも使用可能である。ア
ルカリ金属化合物としては、例えば、金属アルコラード
、金属アクリル酸、金属メタクリル酸、或は、金属フタ
ロシアニン等を用いる事がでとる。
In the present invention, in addition to hydrocarbons, an alkali metal compound is used to add halogen atoms into the a-C film. Here, the alkali metal atom refers to a lithium atom, a sodium atom, a potassium atom, a rubidium atom, and a cesium atom. The phase state of the alkali metal compound gas does not necessarily have to be a gas phase at room temperature and normal pressure, and since there are few compounds in a gas phase, it is possible to vaporize through melting, evaporation, sublimation, etc. by heating or reduced pressure. If available, either liquid phase or solid phase can be used. As the alkali metal compound, for example, metal alcoholade, metal acrylic acid, metal methacrylic acid, metal phthalocyanine, etc. can be used.

本発明における原料気体からa −C膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成きれる中
性粒子から形成きれてもよいし、更には、これらの組み
合わせにより形成されてもよい。その際重要な事は、該
a −C膜中に含有される、水素原子並びにアルカリ土
属原子の呈が、前述の範囲となる様に形成する事である
The process of forming an a-C film from a raw material gas in the present invention is a method in which the raw material gas is formed through a plasma state generated by a plasma method using direct current, low frequency, high frequency, microwave, etc. is the most preferable, but neutral particles may also be formed through an ionic state generated by ionization vapor deposition, ion beam vapor deposition, etc., or neutral particles generated by vacuum vapor deposition, sputtering, etc. It may be formed entirely from the above, or may be formed from a combination of these. What is important in this case is to form the a-C film so that the hydrogen atoms and alkaline earth atoms contained in the a-C film are within the above-mentioned range.

本発明において化学的修飾物質として含有されるアルカ
リ金属原子の量は、全構成原子に対して0.1乃至10
原子%、好適には0.3乃至5原子%である。アルカリ
金属原子の量が0.1原子%より低い場合には、必ずし
も好適な電荷輸送性が保証されず、感度低下もしくは残
留電位の発生等を生じ易くなり、また、経時的感度安定
性も保証されなくなる。アルカリ金属原子の量が10原
子%より高い場合には、適量の添加では好適な電荷輸送
性と残留電位発生防止を保証していたアルカリ金属原子
が、逆に、帯電能の低下を招く。また、必ずしも成膜性
が保証されなくなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化
を招き易くなる。
In the present invention, the amount of alkali metal atoms contained as a chemical modifier is 0.1 to 10
% by atom, preferably from 0.3 to 5 atomic%. If the amount of alkali metal atoms is lower than 0.1 atomic %, suitable charge transport properties are not necessarily guaranteed, and sensitivity decreases or residual potential is likely to occur, and sensitivity stability over time is also guaranteed. It will no longer be done. When the amount of alkali metal atoms is higher than 10 atomic %, the alkali metal atoms which, when added in an appropriate amount, ensure suitable charge transport properties and prevention of residual potential generation, conversely cause a decrease in charging ability. Furthermore, film-forming properties are not necessarily guaranteed, and the film is likely to peel off, become oily, or turn into powder.

本発明において化学的修飾物質として含有きれるアルカ
リ金属原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室
への前述のアルカリ金属化合物の導入量を増減すること
により制御することが可能である。アルカリ金属化合物
の導入量を増大させれば、本発明によるa −C膜中へ
のアルカリ金属原子の添加量を高くすることが可能であ
り、逆にアルカリ金属化合物の導入量を減少させれば、
本発明によるa−C膜中へのアルカリ金属原子の添加量
を低くすることが可能である。
In the present invention, the amount of alkali metal atoms that can be contained as a chemical modifier can be controlled mainly by increasing or decreasing the amount of the alkali metal compound introduced into the reaction chamber in which the plasma reaction is performed. By increasing the amount of alkali metal compound introduced, it is possible to increase the amount of alkali metal atoms added to the a-C film according to the present invention, and conversely, by decreasing the amount of alkali metal compound introduced, it is possible to increase the amount of alkali metal atoms added to the a-C film according to the present invention. ,
It is possible to reduce the amount of alkali metal atoms added to the a-C film according to the present invention.

本発明による感光体に用いる電荷発生層は特に限定的で
はなく、例えば、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテ
ルル、硫化カドミウム、酸化亜鉛、特性番変えるため場
合により異種元素(例えば、水素、硼素、炭素、窒素、
酸素、弗素、燐、硫黄、塩素、臭素、ゲルマニウム、等
)を含有せしめたアモルファスシリコン、等の無機物質
、ポリビニルカルバゾール、シアニン系化合物、金属フ
タロシアニン系化合物、アブ系化合物、ペリレン系化合
物、トリアリールメタン系化合物、トリフェニルメタン
系化合物、トリフェニルアミン系化合物、ヒドラゾン系
化合物、スチリル系化合物、ビラプリン系化合物、オキ
サゾール系化合物、オキサジン系化合物、オキサジアゾ
ール系化合物、チアジン系化合物、キサンチン系化合物
、ビリリウム系化合物、キナクリドン系化合物、インジ
ゴ系化合物、多環キノン系化合物、ジスベンズイミダゾ
ール系化合物、インダスロン系化合物、スクアリリウム
系化合物、等の有機物質を用いる事が可能である。これ
以外にも、照射光により効率よく光励起キャリアを発生
し、そのキャリアを電荷輸送層中に効率よく注入しうる
材料であれば、何れの材料であっても使用することがで
きる。
The charge generation layer used in the photoreceptor according to the present invention is not particularly limited, and examples include amorphous selenium, selenium arsenide, selenium tellurium, cadmium sulfide, zinc oxide, and optionally different elements (such as hydrogen, boron, carbon, nitrogen,
Inorganic substances such as amorphous silicon containing oxygen, fluorine, phosphorus, sulfur, chlorine, bromine, germanium, etc.), polyvinyl carbazole, cyanine compounds, metal phthalocyanine compounds, Ab compounds, perylene compounds, triaryl Methane compounds, triphenylmethane compounds, triphenylamine compounds, hydrazone compounds, styryl compounds, birapurine compounds, oxazole compounds, oxazine compounds, oxadiazole compounds, thiazine compounds, xanthine compounds, Organic substances such as biryllium compounds, quinacridone compounds, indigo compounds, polycyclic quinone compounds, disbenzimidazole compounds, induthrone compounds, and squarylium compounds can be used. In addition to this, any material can be used as long as it can efficiently generate photo-excited carriers by irradiation light and can efficiently inject the carriers into the charge transport layer.

また、該電荷発生層は製造方法においても制限を受ける
ことはなく、例えば、本発明における電荷輸送層(a−
C膜)と同様の製造方法によってもよいし、液相中での
電着法、スプレー或はディッピング等による塗布法、等
によって形成してもよい。中でも、本発明における電荷
輸送層と同様の製造方法により成膜した場合には、製造
装置コスト、工程の省力化にもつながり好ましい。
Furthermore, the charge generation layer is not subject to any limitations in the manufacturing method; for example, the charge transport layer (a-
It may be formed by the same manufacturing method as for C film), or by electrodeposition in a liquid phase, coating by spraying or dipping, or the like. Among these, it is preferable to form the film by the same manufacturing method as that for the charge transport layer in the present invention, since this leads to reduction in manufacturing equipment cost and labor in the process.

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る感光体であり、該電荷発生層と該電荷輸送層のv4
層構成は、必要に応じて適宜選択することが可能である
The photoreceptor in the present invention is a photoreceptor comprising a charge generation layer and a charge transport layer, and the charge generation layer and the charge transport layer have v4
The layer structure can be appropriately selected as necessary.

第1図は、その一形態として、導電性基板(1)上に電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)を順次積層してなる
本発明感光体の構成例を示したものである。第2図は、
別の一形態として、導電性基板(1)上に電荷発生層(
3)と電荷輸送N(2)を順次積層してなる構成を示し
たものである。第3図は、別の一形態として、導電性基
板(1)上に、電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と
電荷輸送層(2)を順次積層してなる構成を示したもの
である。
FIG. 1 shows an example of the structure of a photoreceptor of the present invention, in which a charge transport layer (2) and a charge generation layer (3) are successively laminated on a conductive substrate (1). . Figure 2 shows
As another form, a charge generation layer (
3) and charge transport N(2) are sequentially laminated. FIG. 3 shows, as another form, a structure in which a charge transport layer (2), a charge generation layer (3), and a charge transport layer (2) are sequentially laminated on a conductive substrate (1). It is something.

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生じた正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)で発生
した正孔が電荷輸送層(2)中を導電性基板(1)に向
は走行すると共に、同時に電荷発生N(3)で発生した
電子が上側の電荷輸送層(2)中を感光体表面に向は走
行し、好適な明減衰に保証された静電潜像の形成が行な
われる。反対に感光体表面を負帯電した後、画像露光し
て使用する場合においては、電子と正孔の挙動を入れ代
えて、キャリアーの走行性を解すればよい。第2図及び
第3図においては、画像露光用の照射光が電荷輸送層(
2)中を通過することになるが、本発明による電荷輸送
層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行なう
ことが可能である。
When the surface of the photoreceptor is positively charged, for example, by a corona charger, and then used for image exposure, in FIG. 1, holes generated in the charge generation layer (3) are transferred to the charge transport layer (2). In Figure 2, electrons generated in the charge generation layer (3) travel in the charge transport layer (2) towards the surface of the photoreceptor; Holes generated in the charge generation layer (3) travel in the charge transport layer (2) toward the conductive substrate (1), and at the same time, electrons generated in the charge generation layer (3) travel to the upper charge transport layer ( 2) The electrostatic latent image travels through the photoreceptor surface and forms an electrostatic latent image with proper brightness attenuation. On the other hand, when the surface of the photoreceptor is negatively charged and then used for image exposure, the behavior of electrons and holes can be exchanged to understand the mobility of carriers. In FIGS. 2 and 3, the irradiation light for image exposure is applied to the charge transport layer (
2) Since the charge transport layer according to the present invention has excellent light transmittance, it is possible to form a suitable latent image.

第4図は、さらなる一形態として、導電性基板(1)上
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる本発明感光体の構成例を示した
ものである。即ち第1図の形態に表面保護層を設けた形
態に相当するが、第1図の形態では、最表面が本発明に
おいては特に限定を受けない電荷発生層で有ることから
、多くの場合実用上の耐久性を確保するために表面保護
層を設けることが好ましい。第2図及び第3図の構成の
場合、最表面が耐久性に優れた本発明による電荷輸送層
であるため、表面保護層を設けなくてもよいが、例えば
現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止するような
、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調整する
目的から、表面保護層を設けることもざらなる一形態と
成りうる。
FIG. 4 shows, as a further embodiment, a charge transport layer (2), a charge generation layer (3) and a surface protective layer (
4) shows an example of the structure of the photoreceptor of the present invention, which is formed by sequentially laminating layers 4) and 4). In other words, it corresponds to the form shown in Fig. 1 with a surface protective layer provided, but in the form shown in Fig. 1, since the outermost surface is a charge generation layer which is not particularly limited in the present invention, it is not practical in many cases. In order to ensure the above durability, it is preferable to provide a surface protective layer. In the case of the configurations shown in FIGS. 2 and 3, since the outermost surface is the highly durable charge transport layer according to the present invention, there is no need to provide a surface protective layer. A surface protective layer may also be provided for the purpose of adjusting the consistency of various elements within the copying machine, such as preventing dirt on the copying machine.

第5図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面が本発明においては特
に限定を受けない電荷発生層で有ることから、多くの場
合接着性及び注入阻止効果を確保するために中間層を設
けることが好ましい。第1図及び第3図の構成の場合、
導電性基板との接合面が、接着性及び注入阻止効果に優
れた、本発明りこよる電荷輸送層であるため、中間層を
設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前処理方法の
ような、感光層形成以前の製造工程との整合性を調整す
る目的から、中間層を設けることもさらなる一形態と成
りうる。
FIG. 5 shows an intermediate layer (5), a charge generation layer (3), and a charge transport layer (2) on a conductive substrate (1) as a rough form.
This figure shows a structure in which these are sequentially laminated. That is, the second
This corresponds to the form shown in the figure with an intermediate layer provided, but in the form shown in Fig. 2, the bonding surface with the conductive substrate is a charge generation layer which is not particularly limited in the present invention, so in many cases It is preferred to provide an intermediate layer to ensure adhesion and injection blocking effect. In the case of the configurations shown in Figures 1 and 3,
Since the bonding surface with the conductive substrate is the charge transport layer of the present invention, which has excellent adhesiveness and injection blocking effect, there is no need to provide an intermediate layer, but it is not necessary to provide an intermediate layer. In addition, for the purpose of adjusting compatibility with the manufacturing process before the formation of the photosensitive layer, it is possible to provide an intermediate layer as a further form.

第6図は、さらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷輸送N(2)と電荷発生層(3)
と表面保護N(4)を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。中間層と表面保護層の設置理由は
前述と同様であり、従って第2図及び第3図の構成にお
いて中間層と表面保護層を設けることもざらなる一形態
と成りうる。
FIG. 6 shows, as a further embodiment, an intermediate layer (5), a charge transport layer (2), and a charge generation layer (3) on a conductive substrate (1).
This figure shows a structure in which a surface protection layer N(4) and a surface protection layer N(4) are sequentially laminated. That is, it corresponds to the form shown in FIG. 1 with an intermediate layer and a surface protective layer provided. The reason for providing the intermediate layer and the surface protective layer is the same as described above, and therefore, providing the intermediate layer and the surface protective layer in the configurations shown in FIGS. 2 and 3 can be an alternative form.

本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に唱定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるa−C膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は5μm以下
に留める必要がある。
In the present invention, the intermediate layer and the surface protective layer are not particularly recommended in terms of material or manufacturing method, and can be appropriately selected as long as the predetermined purpose can be achieved. An a-C film according to the invention may also be used. However, if the material used is, for example, an insulating material as described in the conventional example, the film thickness must be kept at 5 μm or less to prevent generation of residual potential.

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆Mきせる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。
The charge transport layer of the photoreceptor according to the present invention decomposes molecules in a gas phase by discharge decomposition under reduced pressure, and diffuses active neutral species or charged species contained in the generated plasma atmosphere onto the substrate, using electric force or magnetic force. It is preferable that the polymer be generated by a so-called plasma polymerization reaction, which is induced by force or the like and deposited as a solid phase by a recombination reaction on a substrate.

第7図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
(701’)〜(706)は常温において気相状態にあ
る原料化合物及びキャリアガスを密封した第1乃至第6
タンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節弁(707
)〜(712)と第1乃至第6流量制御器(713)〜
(718)に接続されている。図中(719)〜(72
1)は常温において液相または固相状態にある原料化合
物を封入した第1乃至第3容器で、各々の容器は気化の
ため第1乃至第3温調器(722)〜(724)により
与熱可能であり、ざらに各々の容器は第7乃至第9調節
弁(725)〜(727)と第7乃至第9流量制御器(
728)〜(730)に接続きれている。これらのガス
は混合器(731)で混合された後、主管(732)を
介して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管は
、常温において液相または固相状態にあった原料化合物
が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置
された配管加熱器(734)により、与熱可能とされて
いる。反応室内には接地電極(735)と電力印加電t
i(736)が対向して設置きれ、各々の電極は電極加
熱器(737)により与熱可能とされている。電力印加
電極(736)には、高周波電力用整合器(738)を
介して高周波電源(739)、低周波電力用整合器(7
40)を介して低周波電源(741)、ローパスフィル
タ(742)を介して直流電源(743)が接!15!
きれており、接続選択スイッチ(744)により周波数
の異なる電力が印加可能とされている。反応室(733
)内の圧力は圧力制御# (745)により調整可能で
あり、反応室(733)内の減圧は、排気系選択弁(7
46)を介して、拡散ポンプ(747)、油回転ポンプ
(748) 、或は、冷却除外装置(749) 、メカ
ニカルブースターポンプ(750)、油回転ポンプ(7
48)により行なわれる。排ガスについては、ざらに適
当な除外装置(753)により安全無害化した後、大気
中に排気される。これら排気系配管についても、常温に
おいて液相または固相状態にあった原料化合物が気化し
たガスが、途中で凝結しないように、適宜配置きれた配
管加熱器(734)により、与熱可能とされている。反
応室(733)も同様の理由から反応室加熱器(751
)により与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電
性基板(752)が設置される。第7図において導電性
基板(752)は接地電極(735)に固定して配きれ
ているが、電力印加電極(736)に固定して配きれて
もよく、ざらに双方に配されてもよい。
FIG. 7 shows an apparatus for manufacturing a photoreceptor according to the present invention, and in the figure (701') to (706) are first to sixth chambers in which raw material compounds and carrier gas, which are in a gas phase at room temperature, are sealed.
tanks, and each tank has first to sixth control valves (707
) ~ (712) and the first to sixth flow rate controllers (713) ~
(718). (719) to (72) in the figure
1) are first to third containers containing raw material compounds that are in a liquid or solid state at room temperature, and each container is heated by the first to third temperature regulators (722) to (724) for vaporization. Roughly each container has seventh to ninth control valves (725) to (727) and seventh to ninth flow rate controllers (725) to (727).
728) to (730) are disconnected. These gases are mixed in a mixer (731) and then sent into a reaction chamber (733) via a main pipe (732). The pipes along the way can be heated by appropriately placed pipe heaters (734) so that the gas, which is the vaporized raw material compound that is in a liquid or solid state at room temperature, does not condense on the way. . Inside the reaction chamber, there is a ground electrode (735) and a power supply voltage t.
i (736) are installed facing each other, and each electrode can be heated by an electrode heater (737). The power application electrode (736) is connected to a high frequency power source (739) and a low frequency power matching box (738) via a high frequency power matching box (738).
40) to a low frequency power source (741), and a low-pass filter (742) to a DC power source (743)! 15!
The connection selection switch (744) allows power of different frequencies to be applied. Reaction chamber (733
) can be adjusted by the pressure control # (745), and the pressure in the reaction chamber (733) can be reduced by the exhaust system selection valve (7
46), a diffusion pump (747), an oil rotary pump (748), or a cooling exclusion device (749), a mechanical booster pump (750), an oil rotary pump (7
48). The exhaust gas is made safe and harmless by a suitable exclusion device (753) and then exhausted into the atmosphere. These exhaust system piping can also be heated by appropriately placed piping heaters (734) to prevent the vaporized gas from the raw material compound, which is in a liquid or solid phase at room temperature, from condensing on the way. ing. The reaction chamber (733) is also equipped with a reaction chamber heater (751) for the same reason.
), and a conductive substrate (752) is installed on the electrodes arranged inside. In FIG. 7, the conductive substrate (752) is fixed to the ground electrode (735) and distributed, but it may also be fixed to the power application electrode (736) or distributed roughly on both sides. good.

第8図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室(833)内部の形態以外は、第7図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記きれた番号は、700番台のものを800番台に盟
き換えて解すればよい。第8図において、反応室(83
3)内部には、第7図における接地電極(735)を兼
ねた円筒形の導電性基板(852)が設置きれ、内側に
は電極加熱器(837)が配されている。導電性基板(
852)周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極(
836)が配され、外側には電極加熱器(837)が配
されている。導電性基板(852)は、外部より駆動モ
ータ(854)を用いて自転可能となっている。
FIG. 8 shows another embodiment of the photoconductor manufacturing apparatus according to the present invention, which is similar to the photoconductor manufacturing apparatus according to the present invention shown in FIG. 7 except for the internal configuration of the reaction chamber (833). can be,
The numbers that have been added can be interpreted by converting the 700s to 800s. In FIG. 8, the reaction chamber (83
3) A cylindrical conductive substrate (852) that also serves as the ground electrode (735) in FIG. 7 can be installed inside, and an electrode heater (837) is arranged inside. Conductive substrate (
852) There is also a cylindrical power application electrode (
836) is arranged, and an electrode heater (837) is arranged outside. The conductive substrate (852) is rotatable using an external drive motor (854).

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め1
0−4乃至1O−6Torr程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至
第3容藩から適宜炭化水素並びにアルカリ金属化合物よ
りなる原料ガスを第1乃至第9流量制@器を用いて定流
量化しながら反応室内に導入し、圧力調節弁により反応
室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が安定化した後
、接続選択スイッチにより、例えば高周波電源を選択し
、電力印加電極に高周波電力を投入する。両電極間には
放電が開始され、時間と共に基板上に固相の膜が形成き
れる。反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚に達し
たところで放電を停止し、本発明によるa−C膜を電荷
輸送層として得る。
The reaction chamber used for photoreceptor production is preliminarily heated by a diffusion pump.
The pressure is reduced to about 0-4 to 10-6 Torr, and the degree of vacuum is confirmed and the gas adsorbed inside the device is desorbed. At the same time, an electrode heater heats the electrode and the conductive substrate fixedly disposed on the electrode to a predetermined temperature. If necessary, an undercoat layer or a charge generation layer may be provided in advance on the conductive substrate in order to obtain a desired photoreceptor structure from among those described above. The present apparatus or a separate apparatus may be used to provide the undercoat layer or the charge generation layer. Next, raw material gases consisting of hydrocarbons and alkali metal compounds are introduced into the reaction chamber from the first to sixth tanks and the first to third tanks while being kept at a constant flow rate using the first to ninth flow rate controllers. , a pressure regulating valve maintains a constant reduced pressure inside the reaction chamber. After the gas flow rate is stabilized, a connection selection switch is used to select, for example, a high frequency power source, and high frequency power is applied to the power application electrode. A discharge starts between the two electrodes, and over time a solid phase film is formed on the substrate. The film thickness is controlled by the reaction time, and when a predetermined film thickness is reached, the discharge is stopped to obtain the a-C film according to the present invention as a charge transport layer.

このa−C膜は、本発明により生成した炭膏原子と水素
原子からなる非晶質固体中に、化学的修飾物質として少
なくともアルカリ金属原子を全構成原子に対して0.1
乃至1o原子%含有する事を特(歓とする膜である。次
いで、第1乃至第9調節弁を閉じ、反応室内を充分に排
気する。ここで所望の感光体構成が得られる場合には反
応室内の真空を破り、反応室より本発明による感光体を
取り出す。更に所望の感光体構成において、電荷発生層
或はオーバーコート層が必要とされる場合には、そのま
ま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を破り取り出
して別装置に移してこれらの層を設け、本発明による感
光体を得る。
This a-C film contains at least an alkali metal atom as a chemical modifier in an amorphous solid composed of charcoal atoms and hydrogen atoms produced by the present invention at a rate of 0.1% relative to all constituent atoms.
It is particularly preferable that the film contains from 1 to 10 atomic percent.Next, the first to ninth control valves are closed, and the reaction chamber is sufficiently evacuated.If the desired photoreceptor configuration is obtained, The vacuum in the reaction chamber is broken and the photoreceptor according to the present invention is taken out from the reaction chamber.Furthermore, if a charge generation layer or an overcoat layer is required in the desired photoreceptor configuration, the present apparatus may be used as is, or Alternatively, in the same way, the vacuum is once broken, the photoreceptor is taken out and transferred to another apparatus, and these layers are provided thereon to obtain a photoreceptor according to the present invention.

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。The present invention will be explained below with reference to Examples.

火塵利1 本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た本発明感光体を作製し電荷輸送層形成工程:  (C
TL工程)第7図に示すグロー放電分解装置において、
まず、反応装置(733)の内部を1O−6Torr程
度の窩真空にした後、第1、第2、及び第7調節弁(7
07,708、及び725)を解放し、第1タンク(7
01)より水素ガス、第2タンク(702)よりエチレ
ンガスを各々出力圧1.0Kg/am2の下で、及び、
第1容器(719)よりリチウムターシャリ−ブチラー
ドガスを第1温調器(722)温度165℃の下で、第
1、第2、及び第7流量制御器(713,714、及び
728)内へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を
調整して、水素ガスの流量を40 s e cm、エチ
レンガスの流量を30secms及びリチウムターシャ
リ−ブチラードガスの流量をlsecmとなるように設
定して、途中混合u(731)を介して、主管(732
)より反応室(733)内へ流入した。各々の流量が安
定した後に、反応室(733)内の圧力が0.3Tor
rとなるように圧力調節弁(745)を調整した。一方
、導電性基板(752)としては、W50X横50×厚
3mmのアルミニウム基板を用いて、予め200℃に加
熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め
接続選択スイッチ(744)により接続しておいた高周
波電源(739)を投入し、電力印加電極(736)に
200Wattの電力を周波数13.56MHzの下で
印加して約5時間プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板(752)上に厚さ15μmのa−C膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
1 Using the manufacturing apparatus according to the present invention, a photoreceptor of the present invention having a conductive substrate, a charge transport layer, and a charge generation layer provided in this order as shown in FIG. 1 is manufactured, and a charge transport layer forming step is carried out. : (C
TL process) In the glow discharge decomposition apparatus shown in Fig. 7,
First, after creating a cavity vacuum of about 10-6 Torr inside the reaction device (733), the first, second, and seventh control valves (733)
07, 708, and 725) and release the first tank (7
01) and ethylene gas from the second tank (702) under an output pressure of 1.0 Kg/am2, and
Lithium tertiary-butylade gas is fed from the first container (719) into the first, second, and seventh flow rate controllers (713, 714, and 728) at a temperature of 165°C in the first temperature controller (722). I let it flow in. Then, by adjusting the scale of each flow rate controller, the flow rate of hydrogen gas was set to 40 sec cm, the flow rate of ethylene gas was 30 secms, and the flow rate of lithium tert-butyrad gas was set to 1 secm, and the mixture was mixed in the middle ( 731), the main pipe (732
) into the reaction chamber (733). After each flow rate stabilizes, the pressure inside the reaction chamber (733) is 0.3 Torr.
The pressure regulating valve (745) was adjusted so that the temperature was r. On the other hand, as the conductive substrate (752), use an aluminum substrate of W50 x width 50 x thickness 3 mm, heat it to 200°C in advance, and when the gas flow rate and pressure are stable, connect the connection selection switch (744) in advance. The high frequency power source (739) connected to the conductive substrate (752 ) A 15 μm thick a-C film was formed as a charge transport layer thereon. After the film formation was completed, power application was stopped, the control valve was closed, and the inside of the reaction chamber (733) was sufficiently evacuated.

以上のようにして得られたa−C膜につキCHN定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して約47原子%、さらにオー
ジェ分析から、含有きれるアルカリ金属原子、即ち、リ
チウム原子の量は全構成原子に対し約0.1原子%であ
った。
When CHN quantitative analysis was performed on the a-C film obtained as described above, the amount of hydrogen atoms contained was approximately 47 at% based on the total amount of carbon atoms and hydrogen atoms. The amount of alkali metal atoms, ie, lithium atoms, that could be contained was about 0.1 atomic % based on the total constituent atoms.

電荷発生層形成工程:  (CGL工程)次いで、第1
調節弁(707)、及び第6調節弁(712)を解放し
、第1タンク(701)から水素ガス、及び第6タンク
(706)からシランガスを、出力圧IKg/cm2の
下で第1、及び第6流量制御器(713、及び718)
内へ流入させた。各流量制御器の目盛を調整して水素ガ
スの流量を101005e、及びシランガスをの流量を
65secmに設定し、反応室(733)内に流入させ
な。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の
圧力が0.8Torrとなるように圧力調節弁(745
)を調整した。一方、a−C膜が形成されている導電性
基板(752)は、250℃に加熱しておき、ガス流量
及び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より
周波数13.56MHzの下で電力印加電極(736)
に200Wattの電力を印加し、グロー放電を発生さ
せた。この放電を20分間行ない、厚き0゜4μmのa
−3i:H電荷発生層を形成した。
Charge generation layer forming step: (CGL step) Next, the first
The control valve (707) and the sixth control valve (712) are released, and hydrogen gas is supplied from the first tank (701) and silane gas is supplied from the sixth tank (706) to the first, and the sixth flow rate controller (713 and 718)
It flowed inside. Adjust the scale of each flow rate controller to set the flow rate of hydrogen gas to 101005e and the flow rate of silane gas to 65 seconds, and do not let them flow into the reaction chamber (733). After each flow rate stabilizes, the pressure regulating valve (745) is adjusted so that the pressure in the reaction chamber (733) becomes 0.8 Torr.
) was adjusted. On the other hand, the conductive substrate (752) on which the a-C film is formed is heated to 250°C, and is heated at a frequency of 13.56 MHz from a high frequency power source (739) while the gas flow rate and pressure are stable. Power application electrode (736)
A power of 200 Watts was applied to generate glow discharge. This discharge was carried out for 20 minutes, and a 0°4 μm thick a
-3i:H charge generation layer was formed.

特性: tqられな感光体を常用のカールソンプロセスの中で用
いたところR南帯電電位(以下VmaXと称する)は−
700Vで有り、即ち、全感光体膜厚が15.4umで
あることから1μm当りの帯電能(以下C,A、と称す
る)は45.5V/μmと極めて高く、このことから充
分な帯電性能を有する事が理Mきれた。また、暗中にて
VmaxからVmaxの90%の電位にまで暗減衰する
のに要した時間(以下Tdと称する)は約20秒であり
、このことから充分な電荷保持性能を有する事が理解き
れた。また、VmaxからVmaXの20%の電位にま
で明減衰きせたとこる必要とされた光量(以下Eと称す
る)は8.3ルックス◆秒であり、このことから若干低
いながらも実用上問題の無い光感度性能を有する事が理
解された。
Characteristics: When a photoreceptor with tq is used in a commonly used Carlson process, the R south charging potential (hereinafter referred to as VmaX) is -
700V, that is, the total photoreceptor film thickness is 15.4um, so the charging capacity per 1μm (hereinafter referred to as C, A) is extremely high at 45.5V/μm, which indicates sufficient charging performance. It made sense to have this. In addition, the time required for dark decay from Vmax to 90% of Vmax in the dark (hereinafter referred to as Td) is approximately 20 seconds, which indicates that it has sufficient charge retention performance. Ta. In addition, the required amount of light (hereinafter referred to as E) for bright attenuation from Vmax to 20% of Vmax potential is 8.3 lux ◆ seconds, which means that although it is slightly low, it is a practical problem. It was understood that it has a photosensitivity performance that is not known.

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として機能し得る性能を有するものである。また、この
感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で、作1
yシて転写したところ、画像が得られた。
From the above, the photoreceptor according to the present invention shown in this example has the ability to function as a photoreceptor. In addition, in the commonly used Carlson process for this photoreceptor,
An image was obtained when the image was transferred.

実施健旦二旦 CTL工程において、第1温調器(722)温度、並び
に、第7流量制御器(728)のバルブ開口度を調整し
、流入するリチウムターシャリ−ブチラードの流麗を各
々1.5(実施例2) 、2 (実施例3) 、6 (
実施例4)、10(実施例5L15(実施例6)see
mとする以外け、実施例1と同様にして本発明による感
光体の作製を実施した。ここで得られたa−C膜につ昔
CHN定量分析を行なったところ、含有される水素原子
の量は炭素原子と水素原子の総量に対して各々約49.
53.50.53.54原子%、さらにオージェ分析か
ら、含有されるアルカリ金属原子、即ち、リチウム原子
の量は全構成原子に対して各々約0.3.0.9.2.
8.5.10原子%であった。また、a−C膜の膜厚は
、各々約14.12.10.9.10.2、l1μmで
あった。
In the CTL process, the temperature of the first temperature controller (722) and the valve opening degree of the seventh flow rate controller (728) are adjusted to adjust the flow rate of the inflowing lithium tert-butilade to 1. 5 (Example 2), 2 (Example 3), 6 (
Example 4), 10 (Example 5L15 (Example 6)see
A photoreceptor according to the present invention was produced in the same manner as in Example 1 except that m was used. When the a-C film obtained here was previously subjected to CHN quantitative analysis, the amount of hydrogen atoms contained was approximately 49.9% of the total amount of carbon atoms and hydrogen atoms.
53.50.53.54 at.%, and from Auger analysis, the amount of alkali metal atoms, ie, lithium atoms, contained is about 0.3.0.9.2.
It was 8.5.10 at%. Further, the film thicknesses of the a-C films were approximately 14, 12, 10, 9, and 10.2 μm, and 11 μm, respectively.

特性: 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ、Vmaxは各々−700、−660、−51
0、−420、−300Vで有り、即ち、全感光体膜厚
が各々14゜4.12.4.11.3.10.6.11
.6μmであることからC,A、は各々48.6.53
.2.45.1.40.6.26.3V/μmであり、
このことから実施例6を除いては、充分な帯電性能を有
する事が理解きれた。
Characteristics: When the obtained photoreceptor was used in a conventional Carlson process, Vmax was -700, -660, and -51, respectively.
0, -420, -300V, that is, the total photoreceptor film thickness is 14°4.12.4.11.3.10.6.11 respectively.
.. Since it is 6 μm, C and A are each 48.6.53
.. 2.45.1.40.6.26.3V/μm,
From this, it was understood that all the samples except for Example 6 had sufficient charging performance.

また、実施例6においても、低電位ながら必ずしも実使
用不可能な帯電電位ではない事が理解された。また、T
dは各々約20.15.10.8.5秒であり、このこ
とから充分な電荷保持能を有する事が理解された。また
、Eは各々4.2.4.○、3.1.1.9.1.2ル
ツクス・秒であり、このことから充分な光感度性能を有
する事が理Mされた。
Furthermore, it was understood that even in Example 6, although the potential was low, the charging potential was not necessarily unusable. Also, T
d was approximately 20, 15, 10, and 8.5 seconds, respectively, and from this it was understood that the battery had sufficient charge retention ability. Also, E is 4.2.4 respectively. ○, 3.1.1.9.1.2 lux·sec, which indicates that the film has sufficient photosensitivity performance.

以上より、実施例2乃至実施例5に示した本発明感光体
は、優れた性能を有するものである。また、実施例6に
示した本発明感光体は、低電位ながらも、実使用可能な
感光体性能を有するものである。また、実施例2乃至実
施例5の感光体に対して常用のカールソンプロセスの中
で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られ、実
施例6の感光体については、低濃度ながらも実写画像が
得られた。
From the above, the photoreceptors of the present invention shown in Examples 2 to 5 have excellent performance. Further, the photoreceptor of the present invention shown in Example 6 has photoreceptor performance that can be used in practice, even though it has a low potential. Furthermore, when images were formed and transferred using the commonly used Carlson process for the photoreceptors of Examples 2 to 5, clear images were obtained, and for the photoreceptors of Example 6, although the density was low, A live-action image was also obtained.

比較色1 CTL工程において、リチウムターシャリ−ブチラード
ガスの流入を行なわない事以外は、実施例1と同様にし
て積層膜を作製した。ここで得られたa−C膜につきC
HN定量分析を行なったところ、含有される水素原子の
量は炭素原子と水素原子の総量に対して55原子%、ま
たオージェ分析からは、含有されるアルカリ金属原子、
即ち、リチウム原子は検出されなかった。
Comparative Color 1 A laminated film was produced in the same manner as in Example 1 except that lithium tert-butylade gas was not introduced in the CTL process. For the a-C film obtained here, C
Quantitative HN analysis showed that the amount of hydrogen atoms contained was 55 at% based on the total amount of carbon atoms and hydrogen atoms, and Auger analysis showed that the alkali metal atoms contained,
That is, no lithium atoms were detected.

特性: 得られた積層膜を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ、Vmaxは一750Vで有り、即ち、全膜厚
が11.5μmであワた事からC,A、は65.2V/
μmと極めて高く、このことから帯電性能については充
分な性能を有する事が理解きれ、また、Tdは約25秒
であり、電荷保持能についても充分な性能を有する事が
理解きれた。Eは20ルツクス・秒と若干低かったが、
実用上問題のない感度を有する事が理解された。しかし
、3力月経過後に再びEを測定したところ、8oルツク
ス・秒の光量を用いても半減電位にまで明減衰が行なわ
れず、実用的な感度性能を示すなかった。実施例1乃至
6では、3力月後にもほぼ同等の感度が得られた事から
、本漬層膜においては、経時的な感度低下が著しい事が
理gされた。
Characteristics: When the obtained laminated film was used in a common Carlson process, Vmax was -750V, that is, since the total film thickness was 11.5 μm, C and A were 65.2V/
μm, which is extremely high, so it can be understood that the charging performance is sufficient.The Td is about 25 seconds, and it is understood that the charging performance is also sufficient. E was slightly lower at 20 lux·sec, but
It was understood that the sensitivity was sufficient for practical use. However, when E was measured again after three months had elapsed, bright decay did not occur to half the potential even when a light intensity of 80 lux·sec was used, and practical sensitivity performance was not exhibited. In Examples 1 to 6, almost the same sensitivity was obtained even after 3 months, indicating that the sensitivity decreases significantly over time in this dipping layer film.

以上より、本例に示した積層膜は、感光体としては不適
なものと判断された。この事から、本発明において、ア
ルカリ金属原子の添加が、好適な感度特性を保証するた
めに不可欠である事が理解される。
From the above, the laminated film shown in this example was judged to be unsuitable for use as a photoreceptor. From this, it is understood that in the present invention, addition of alkali metal atoms is essential to ensure suitable sensitivity characteristics.

比較倒置 CTL工程において、エチレンガスの流量を15sec
m1リチウムターシャリ−ブチラードガスの流量を20
 s e cmとする事以外は、実施例1と同様にして
積層膜を作製した。ここで得られたa−C膜につきCH
N定量分析を行なったところ、含有される水素原子の量
は炭素原子と水素原子の総量に対して51原子%、また
オージェ分析から、含有されるアルカリ金属原子、即ち
、リチウム原子の量は13.3原子%であった。
In the comparative inverted CTL process, the flow rate of ethylene gas was set at 15 sec.
m1 lithium tertiary-butyrad gas flow rate 20
A laminated film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness was set to sec cm. For the a-C film obtained here, CH
Quantitative N analysis revealed that the amount of hydrogen atoms contained was 51 atomic% based on the total amount of carbon atoms and hydrogen atoms, and Auger analysis revealed that the amount of alkali metal atoms, ie, lithium atoms, contained was 13%. .3 at%.

特性: 得られた積層膜を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ、Vmaxは一150Vで有り、即ち、全膜厚
が12.3μmであった事からC,A、は12.2V/
μmと極めて低く、このことから帯電能の面から実用性
に乏しい事が理解きれた。
Characteristics: When the obtained laminated film was used in a commonly used Carlson process, Vmax was -150V, that is, the total film thickness was 12.3 μm, so C and A were 12.2V/
μm, which is extremely low, which makes it clear that it is impractical in terms of charging ability.

以上より、本例に示した積層膜は、感光体としては不適
なものと判断された。この事から、本発明において、過
剰なアルカリ金属原子の添加は、帯電能の低下を招き好
ましくない事が理Mされる。
From the above, the laminated film shown in this example was judged to be unsuitable for use as a photoreceptor. From this, it can be concluded that in the present invention, addition of excessive alkali metal atoms is undesirable as it leads to a decrease in charging ability.

メ五l汀ヱ 本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た本発明感光体を作製した。
Using the manufacturing apparatus according to the present invention, a photoreceptor of the present invention was fabricated, as shown in FIG. 1, in which a conductive substrate, a charge transport layer, and a charge generation layer were provided in this order.

CTL工程: 第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10””T。
CTL process: In the glow discharge decomposition apparatus shown in FIG. 7, first, the inside of the reaction apparatus (733) was heated to 10"T.

rr径程度高真空にした後、第↓、第2、及び第7調節
弁(7o7.708、及び725)を解放し、第1タン
ク(701)より水素ガス、第2タンク(702)より
アセチレンガスを各々出力圧1.0K g / c m
 2の下で、及び、第1容器(719)よりリチウムタ
ーシャリ−ブチラードガスを第1温調器(722)温度
1.65℃の下で、第1、第2、及び第7流量制御器(
713,714、及び728)内へ流入させた。そして
各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を40
 s e cm、アセチレンガスの流量を20secm
、及びリチウムターシャリ−ブチラードガスの′tC量
を5secmとなるように設定して、途中混合器(73
1)を介して、主管(732)より反応室(733)内
へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室(73
3)内の圧力が0.3Torrとなるように圧力調節弁
(745)を調整した。一方、導電性基板(752)と
しては、*50X横50×厚3mmのアルミニウム基板
を用いて、予め200℃に加熱しておき、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ(744
)により接続しておいた低周波電源(741)を投入し
、電力印加電極(736)に100Wattの電力を周
波1150KHzの下で印加して約3時間プラズマ重合
反応を行ない、導電性基板(752)上に厚き8μmの
a−C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、
電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内
を充分に排気した。
After creating a high vacuum of about rr diameter, open the ↓, 2nd, and 7th control valves (7o7, 708, and 725), and release hydrogen gas from the first tank (701) and acetylene from the second tank (702). Output pressure of each gas: 1.0K g/cm
2, and the lithium tert-butylade gas from the first container (719) is supplied to the first temperature controller (722) at a temperature of 1.65°C, and the first, second, and seventh flow rate controllers (
713, 714, and 728). Then, adjust the scale of each flow rate controller to increase the hydrogen gas flow rate to 40
s e cm, the flow rate of acetylene gas is 20 sec
, and the tC amount of lithium tertiary-butylade gas was set to 5 sec, and the intermediate mixer (73
1) and flowed into the reaction chamber (733) from the main pipe (732). After each flow rate stabilized, the reaction chamber (73
3) The pressure regulating valve (745) was adjusted so that the pressure inside was 0.3 Torr. On the other hand, as the conductive substrate (752), use an aluminum substrate of *50 x width 50 x thickness 3 mm, heat it to 200°C in advance, and when the gas flow rate and pressure are stable, connect the connection selection switch (744).
), the low frequency power supply (741) connected to the conductive substrate (752 ), an 8 μm thick a-C film was formed thereon as a charge transport layer. After the film formation is completed,
The application of electric power was stopped, the control valve was closed, and the inside of the reaction chamber (733) was sufficiently evacuated.

以上のようにして得られたa  CM’Aにつ>CHN
定景分析を行なったところ、含有される水素原子の量は
炭素原子と水素原子の総量に対して約38原子%、ざら
にオージェ分析から、含有されるアルカリ金属原子、即
ち、リチウム原子の量は全構成原子に対し約2.8原子
%であった。
a CM'A>CHN obtained as above
A fixed view analysis revealed that the amount of hydrogen atoms contained was about 38 at% based on the total amount of carbon atoms and hydrogen atoms, and roughly Auger analysis showed that the amount of alkali metal atoms, that is, lithium atoms, contained. was about 2.8 at% based on the total constituent atoms.

CGL工程: 次いで、第5タンク(705)より亜酸化窒素をO,l
secm流入する事理外は、実施例1と同様にして電荷
発生層を形成した。
CGL process: Next, nitrous oxide is added from the fifth tank (705) to O, l.
A charge generation layer was formed in the same manner as in Example 1, except for the fact that the charge generation layer was injected for sec.

特性: 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところVmaxは一700Vで有り、即ち、全感光体
膜厚が8.4umであることからC,A、はB3.3V
/umと極めて高く、このことから充分な帯電性能を有
する事が理解きれた。また、Tdは約15秒であり、こ
のことから充分な電荷保持性能を有する事が理解された
。2また、Eは2.1ルツクス・秒であり、このことか
ら充分な光感度性能を有する事が理解された。
Characteristics: When the obtained photoreceptor was used in a common Carlson process, Vmax was -700V, that is, since the total photoreceptor film thickness was 8.4um, C, A, and B were 3.3V.
/um, which is extremely high, and it can be understood from this that it has sufficient charging performance. Furthermore, the Td was approximately 15 seconds, and from this it was understood that it had sufficient charge retention performance. 2 Furthermore, E is 2.1 lux·sec, which indicates that the film has sufficient photosensitivity performance.

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。この事から、本発明感光体
は、原料炭化水素ガスの種類を替えても作製可能である
事が理解される。
From the above, the photoreceptor according to the present invention shown in this example has excellent performance. Further, when an image was formed and transferred to this photoreceptor using the commonly used Carlson process, a clear image was obtained. From this, it is understood that the photoreceptor of the present invention can be manufactured even if the type of raw material hydrocarbon gas is changed.

火兄ガ旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た本発明感光体を作製しt二。
Using the manufacturing apparatus according to the present invention, a photoreceptor of the present invention was manufactured, as shown in FIG. 1, in which a conductive substrate, a charge transport layer, and a charge generation layer were provided in this order.

CTL工程: 第8図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(833)の内部を1O−6Torr程度の高真空
にした後、第1、第7、及び第8調節弁(807,82
5、及び826)を解放し、第1タンク(801)より
水素ガスを出力圧1.0Kg/cm2の下で、同時に、
第1容器(819)よりリチウムターシャリーブヂラー
トガスを第11昌調器(822)温度165℃の下で、
及び、第2容器(820)よりスチレンガスを第2温調
器(823)温度40℃の下で、第1、第7、及び第8
流量制御器(813,828、及び829)内へ流入さ
せた。
CTL process: In the glow discharge decomposition apparatus shown in FIG.
5, and 826), and hydrogen gas was simultaneously supplied from the first tank (801) under an output pressure of 1.0 Kg/cm2.
Lithium tertiary butyrate gas is transferred from the first container (819) to the eleventh regulator (822) at a temperature of 165°C.
Then, the styrene gas is supplied from the second container (820) to the first, seventh, and eighth containers at a temperature of 40° C. to the second temperature controller (823).
into flow controllers (813, 828, and 829).

そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量
を30sc’cm、スチレンガスの流量を20 s e
 cm、及びリチウムターシャリ−ブチラードガスの流
量を2.5secmとなるように設定して、途中混合器
(831)を介して、主管(832)より反応室(83
3)内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室
(833)内の圧力が0.3Torrとなるように圧力
調節弁(845)を調整した。一方、導電性基板(85
2)としては、直径80X長ざ330 m3mの円筒状
アルミニウム基板を用いて、予め200℃に加熱してお
き、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択
スイッチ(844)により接続しておいた低周波電源(
841)を投入し、電力印加電極(836)に10’O
Wa t tの電力を周波数200KHzの下で印加し
て約30分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板(
852)上に厚き16μmのa−C膜を電荷輸送層とし
て形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁
を閉じ、反応室(833)内を充分に排気した。
Then, adjust the scales of each flow rate controller to set the hydrogen gas flow rate to 30 sc'cm and the styrene gas flow rate to 20 sc'cm.
cm, and the flow rate of lithium tertiary-butylade gas is set to 2.5 seconds, and the reaction chamber (83
3) It flowed into the interior. After each flow rate became stable, the pressure control valve (845) was adjusted so that the pressure inside the reaction chamber (833) was 0.3 Torr. On the other hand, a conductive substrate (85
For 2), a cylindrical aluminum substrate with a diameter of 80 m and a length of 330 m3 m was used, heated in advance to 200°C, and connected in advance with the connection selection switch (844) while the gas flow rate and pressure were stable. A low frequency power supply (
841) and 10'O to the power application electrode (836).
A plasma polymerization reaction was carried out for about 30 minutes by applying power of Watts at a frequency of 200 KHz, and the conductive substrate (
852), a 16 μm thick a-C film was formed thereon as a charge transport layer. After the film formation was completed, power application was stopped, the control valve was closed, and the inside of the reaction chamber (833) was sufficiently evacuated.

以上のようにして得られたa−C膜につ矛CHN定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して約42原子%、ざらにオー
ジェ分析から、含有されるアルカリ金属原子、即ち、リ
チウム原子の量は全構成原子に対し約2.3原子%であ
った。
When the a-C film obtained as described above was subjected to quantitative CHN analysis, the amount of hydrogen atoms contained was approximately 42 at% based on the total amount of carbon atoms and hydrogen atoms, roughly based on Auger analysis. Therefore, the amount of alkali metal atoms, ie, lithium atoms, contained was about 2.3 at % based on the total constituent atoms.

CGL工程: 次いで、第1調節弁(807)、第5調節弁(811)
ミ及び第6調節弁(812)を解放し、第1タンク(8
01)から水素ガス、第5タンク(805)から亜酸化
窒素ガス、及び第6タンク(806)からシランガスを
、出力圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流
量#御器(813,817、及び818)内へ流入させ
た。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を3
00sccmS亜酸化窒素ガスの流量をlsecm、及
びシランガスをの流量を90 s e cmに設定し、
反応室(833)内に流入させた。各々の流量が安定し
た後に、反応室(833)内の圧力が1.0Torrと
なるように圧力調節弁(845)  を調整した。一方
、a−C膜が形成きれている導電性基板(852)は、
235℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した
状態で、高周波電源(839)より周波数13.56M
Hzの下で電力印加電極(836)に200Wattの
電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を1
5分間行ない、厚ざ0.4μmのa−Si:、H電荷発
生層を形成した。
CGL process: Next, the first control valve (807), the fifth control valve (811)
and the sixth control valve (812), and the first tank (812) is released.
01), nitrous oxide gas from the fifth tank (805), and silane gas from the sixth tank (806) at the first, fifth, and sixth flow rate controllers under an output pressure of IKg/cm2. (813, 817, and 818). Adjust the scale of each flow rate controller to set the hydrogen gas flow rate to 3.
Set the flow rate of nitrous oxide gas to 00 sccmS and the flow rate of silane gas to 90 seconds cm,
It was made to flow into the reaction chamber (833). After each flow rate became stable, the pressure control valve (845) was adjusted so that the pressure inside the reaction chamber (833) was 1.0 Torr. On the other hand, the conductive substrate (852) on which the a-C film is completely formed is
After heating to 235℃ and with stable gas flow rate and pressure, a high frequency power supply (839) is used to generate a frequency of 13.56M.
A power of 200 Watt was applied to the power application electrode (836) under Hz to generate glow discharge. This discharge is 1
This was carried out for 5 minutes to form an a-Si:,H charge generation layer having a thickness of 0.4 μm.

特性: 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところVmaxは一650Vで有り、即ち、全感光体
膜厚が16.4μmであることからC,A、ば39.6
V/μmと極めて高く、このことから充分な帯電性能を
有する事が理解された。また、Tdは約10秒であり、
このことから充分な電荷保持性能を有する事が理解され
た。また、Eは1.5ルツクス・秒であり、このことか
ら充分な光感度性能を有する事が理解された。
Characteristics: When the obtained photoreceptor was used in a commonly used Carlson process, Vmax was -650V, that is, since the total photoreceptor film thickness was 16.4 μm, C, A, and V were 39.6.
The charging performance was extremely high at V/μm, and it was understood from this that it had sufficient charging performance. Also, Td is about 10 seconds,
From this, it was understood that it had sufficient charge retention performance. Moreover, E was 1.5 lux·sec, and from this it was understood that the film had sufficient photosensitivity performance.

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体をミノルタ
カメラ製複写機EP650Zに搭載して作像して転写し
たところ、鮮明な画像が得られた。この事から、本発明
感光体は、原料炭化水素ガスの種類を替えても、さらに
、ドラム形状でも作製可能である事が理解される。
From the above, the photoreceptor according to the present invention shown in this example has excellent performance. When this photoreceptor was mounted on a copying machine EP650Z manufactured by Minolta Camera and an image was formed and transferred, a clear image was obtained. From this, it is understood that the photoreceptor of the present invention can be manufactured even if the type of raw material hydrocarbon gas is changed or even in a drum shape.

大施泗旦・ 本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た本発明感光体を作製した。
By using the manufacturing apparatus according to the present invention, a photoreceptor according to the present invention was fabricated, as shown in FIG. 1, in which a conductive substrate, a charge transport layer, and a charge generation layer were provided in this order.

CTL工程: 第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部@ 10−6T 。
CTL process: In the glow discharge decomposition apparatus shown in FIG. 7, first, inside the reaction apparatus (733) @ 10-6T.

rr程度の高真空にした後、第1、第2、及び第7調庁
弁(707,708、及び725)を解放い第1タンク
(701)より水素ガス、第2タンク(702)よりア
セチレンガスを各々出力圧1.0Kg/am2の下で、
及び、第1容器(719)よりアクリル酸カリウムガス
を第1温調器(722)温度225℃の下で、第1、第
2、及び第7流量制御器(713,714、及び728
)内へ流入きせな。そして各流量制御wi器の目盛を調
整して、水素ガスの流量を40secmsアセチレンガ
スの流量を20secm1及びアクリル酸カリウムガス
の泥量を0.5secmとなるように設定して、途中混
合!(731)を介して、主管(732)より反応室(
733)内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反
応室(733)内の圧力が0.15Torrとなるよう
に圧力調節弁(745)を調整した。一方、導電性基板
(752)としては、樅50X横50X厚3mmのアル
ミニウム基板を用いて、予め150℃に加熱しておき、
ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイ
ッチ(744)により接続しておいた高周波電源(73
9)を投入し、電力印加電極(736)に120Wat
tの電力を周波数13.56MHzの下で印加して約4
時間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板(752)
上に厚き5μmのa−C膜を電荷輸送層として形成した
。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反
応室(733)内を充分に排気した。
After creating a high vacuum of about rr, open the first, second, and seventh regulator valves (707, 708, and 725) to release hydrogen gas from the first tank (701) and acetylene from the second tank (702). each gas under an output pressure of 1.0 Kg/am2,
Then, the potassium acrylate gas is supplied from the first container (719) to the first temperature controller (722) at a temperature of 225° C., and then to the first, second, and seventh flow rate controllers (713, 714, and 728).
) Inflow into the inside. Then, adjust the scale of each flow rate control device, set the flow rate of hydrogen gas to 40 seconds, the flow rate of acetylene gas to 20 seconds, and the amount of potassium acrylate gas to 0.5 seconds, and mix in the middle! (731) from the main pipe (732) to the reaction chamber (
733). After each flow rate became stable, the pressure control valve (745) was adjusted so that the pressure inside the reaction chamber (733) was 0.15 Torr. On the other hand, as the conductive substrate (752), an aluminum substrate of 50 x 50 x 3 mm thick was used and heated to 150°C in advance.
When the gas flow rate and pressure are stable, turn on the high frequency power source (73) that has been connected in advance using the connection selection switch (744).
9) and apply 120W to the power application electrode (736).
By applying a power of t under a frequency of 13.56 MHz, approximately 4
A conductive substrate (752) is subjected to a time plasma polymerization reaction.
A 5 μm thick a-C film was formed thereon as a charge transport layer. After the film formation was completed, power application was stopped, the control valve was closed, and the inside of the reaction chamber (733) was sufficiently evacuated.

以上のようにして得られたa−CffffにつきCHN
定量分析を行なったところ、含有される水素原子の量は
炭素原子と水素原子の総量に対して約38原子%、さら
にオージェ分析から、含有きれるアルカリ金属原子、即
ち、カリウム原子の量は全摺成原子に対し約0.9原子
%であった。
CHN for a-Cffff obtained as above
Quantitative analysis revealed that the amount of hydrogen atoms contained was approximately 38 at% based on the total amount of carbon atoms and hydrogen atoms.Furthermore, Auger analysis revealed that the amount of alkali metal atoms, that is, potassium atoms, that can be contained is approximately 38 at.% based on the total amount of carbon atoms and hydrogen atoms. It was about 0.9 at% based on the constituent atoms.

CGL工程: 次いで、第5タンク(705)より亜酸化窒素をO,l
secm流入する事以外は、実施例1と同様にして電荷
発生層を形成した。
CGL process: Next, nitrous oxide is added from the fifth tank (705) to O, l.
A charge generation layer was formed in the same manner as in Example 1, except that the charge generation layer was injected for sec.

特性: 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところVmaxは一450Vで有り、即ち、全感光体
膜厚が5.4μmであることからC,A、は83.3V
/amと極めて高く、このことから充分な帯電性能を有
する事が理解された。また、Tdは約25秒であり、こ
のことから充分な電荷保持性能を有する事が理Mきれた
。また、Eば1.5ルツクス・秒であり、このことから
充分な光悲度性能を有する事が理解きれた。
Characteristics: When the obtained photoreceptor was used in a commonly used Carlson process, Vmax was -450V, that is, since the total photoreceptor film thickness was 5.4 μm, C and A were 83.3V.
/am, which was extremely high, and it was understood from this that it had sufficient charging performance. Moreover, Td was about 25 seconds, which made it reasonable to have sufficient charge retention performance. Furthermore, the E value is 1.5 lux·sec, and from this it can be understood that it has sufficient optical loss performance.

以上より1本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。この事から、本発明感光体
は、アルカリ金属化合物ガスの種類を替えても作製可能
である事が理解される。
From the above, the photoreceptor according to the present invention shown in this example has excellent performance. Further, when an image was formed and transferred to this photoreceptor using the commonly used Carlson process, a clear image was obtained. From this, it is understood that the photoreceptor of the present invention can be produced even if the type of alkali metal compound gas is changed.

実施豊上q CTL工程とCGL工程とを入れ替える事以外は実施例
3と同様にして、第2図に示した如き、導電性基板、電
荷発生層、電荷輸送層をこの順に設けた本発明感光体を
作製した。
Implementation Example q The photosensitive material of the present invention was prepared in the same manner as in Example 3 except that the CTL process and CGL process were replaced, and a conductive substrate, a charge generation layer, and a charge transport layer were provided in this order as shown in FIG. The body was created.

特性: 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ、Vmaxは+680Vで有り、即ち、全感光
体膜厚が12.4μmであった事からC,A、は54.
8V/μmであり、充分な帯電性能を有する事が理解き
れた。
Characteristics: When the obtained photoreceptor was used in a commonly used Carlson process, Vmax was +680V, that is, the total photoreceptor film thickness was 12.4 μm, so C and A were 54.
It was understood that the charging performance was 8 V/μm, and that the charging performance was sufficient.

また、Tdは約15秒であり、このことから充分な電荷
保持能を有する事が理解された。°また、Eは6,2ル
ツクス・秒であり、このことから充分な光感度性能を有
する事が理解され以上より本実施例に示した本発明感光
体は、優れた性能を有するものである。また、常用のカ
ールソンプロセスの中で、作像して転写したところ、鮮
明な画像が得られた。この事から本発明感光体は、猜層
構成を替えても作製可能である事が理解される。
Furthermore, the Td was approximately 15 seconds, and from this it was understood that it had sufficient charge retention ability. ° Also, E is 6.2 lux·sec, which indicates that it has sufficient photosensitivity performance, and from the above, the photoreceptor of the present invention shown in this example has excellent performance. . Furthermore, when an image was formed and transferred using the commonly used Carlson process, a clear image was obtained. From this, it is understood that the photoreceptor of the present invention can be produced even if the structure of the layer is changed.

実施型11 電荷発生層に蒸着膜を用いて、第2図に示した如き、導
電性基板、電荷発生層、電荷輸送層をこの順に設けた本
発明感光体を作製した。
Embodiment 11 A photoreceptor of the present invention was prepared in which a conductive substrate, a charge generation layer, and a charge transport layer were provided in this order, as shown in FIG. 2, using a vapor-deposited film for the charge generation layer.

CGL工程: 真空蒸着の常法、即ち、抵抗加熱法を用いて、アルミニ
ウムクロロフタロシアニンクロライドAlClPc (
C1)の蒸着膜をアルミニウム基板上に約1000人の
膜厚で設け、蒸着後の膜をTHF蒸気中に約30分間曝
し溶剤蒸気処理を施し、電荷発生層とした。アルミニウ
ムクロロフタロシアニンクロライドは、ボート温度45
0乃至490℃、真空度5X10−’乃至I X 10
−’To r r、蒸着時間約10分間の条件下で成膜
した。
CGL process: Aluminum chlorophthalocyanine chloride AlClPc (
The vapor-deposited film of C1) was provided on an aluminum substrate to a thickness of about 1000 mm, and the vapor-deposited film was exposed to THF vapor for about 30 minutes to perform a solvent vapor treatment to obtain a charge generation layer. Aluminum chlorophthalocyanine chloride has a boat temperature of 45
0 to 490℃, degree of vacuum 5X10-' to IX10
The film was formed under the conditions of -'Torr and a deposition time of about 10 minutes.

CTL工程工 程別ミニウムクロロフタロシアニンクロライド蒸着膜の
上に、基板加熱温度を60℃とする事以外は実施例4と
同様にしてCTL工程を施し、本発明感光体を得た。
CTL process A photoreceptor of the present invention was obtained by carrying out a CTL process in the same manner as in Example 4, except that the substrate heating temperature was 60°C, on the vapor-deposited film of minium chlorophthalocyanine chloride.

特性: 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ、Vrlaxは+450Vで有り、即ち、全感
光体膜厚が12.1μmであった事からC,A、は37
.2V/μmであり、充分な帯電性能を有する事が理解
された。
Characteristics: When the obtained photoreceptor was used in a common Carlson process, Vrlax was +450V, that is, the total photoreceptor film thickness was 12.1 μm, so C and A were 37
.. It was understood that the charging performance was 2V/μm, and that the charging performance was sufficient.

また、Tdは約15秒であり、このことから充分な電荷
保持能を有する事が理解された。また、Eは4.2ルツ
クス・秒であり、このことから充分な光感度性能を有す
る事が理解された。ざらに、露光源に780nmの半導
体レーザーを用いて、白色光の場合と同様にしてEを測
定したところ、値は8.3erg/cm2であり長波長
光に対しても充分な光感度性能を有する事が理解された
Furthermore, the Td was approximately 15 seconds, and from this it was understood that it had sufficient charge retention ability. Moreover, E was 4.2 lux·sec, and from this it was understood that the film had sufficient photosensitivity performance. Roughly speaking, when we measured E in the same way as for white light using a 780 nm semiconductor laser as the exposure source, the value was 8.3 erg/cm2, indicating sufficient photosensitivity performance even for long wavelength light. It was understood that they had.

以上より本実施例に示した本発明感光体は、優れた性能
を有するものである。また、常用のカールソンプロセス
の中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られ
た。この事から本発明感光体は、電荷発生層材料を替え
ても作製可能である事が理解される。
From the above, the photoreceptor of the present invention shown in this example has excellent performance. Furthermore, when an image was formed and transferred using the commonly used Carlson process, a clear image was obtained. From this fact, it is understood that the photoreceptor of the present invention can be manufactured even if the material of the charge generation layer is changed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図乃至第6図は本発明による感光体の構成を示す図
面、第7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の製造装
置を示す図面である。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第2図 第3図  第4図 第5図  第6図
FIGS. 1 to 6 are drawings showing the structure of a photoreceptor according to the present invention, and FIGS. 7 to 8 are drawings showing a photoreceptor manufacturing apparatus according to the invention. Applicant Minolta Camera Co., Ltd. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に於て、該電
荷輸送層は炭化水素を気相状態でプラズマ重合して形成
される炭素と水素を構成原子としてなる非晶質固体であ
り、かつ、化学的修飾物質として少なくともアルカリ金
属原子を全構成原子に対して0.1乃至10原子%含有
することを特徴とする感光体。
In a photoreceptor having a charge generation layer and a charge transport layer, the charge transport layer is an amorphous solid formed by plasma polymerizing hydrocarbons in a gas phase and whose constituent atoms are carbon and hydrogen; A photoreceptor characterized in that it contains at least 0.1 to 10 atom % of alkali metal atoms as a chemical modifier based on the total constituent atoms.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5445277A (en) * 1991-07-11 1995-08-29 Kabushiki Kaisha Ace Denken Paper strip conveying and stacking apparatus

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