JPS6370429A - Ashing apparatus - Google Patents

Ashing apparatus

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JPS6370429A
JPS6370429A JP21485686A JP21485686A JPS6370429A JP S6370429 A JPS6370429 A JP S6370429A JP 21485686 A JP21485686 A JP 21485686A JP 21485686 A JP21485686 A JP 21485686A JP S6370429 A JPS6370429 A JP S6370429A
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ashing
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ozone
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Abstract

PURPOSE:To perform ashing treatment even in a single-wafer processing for large-sized semiconductor wafers at a high ashing speed in a short time, by providing a means for supplying ashing gas and a means for supplying plasma gas. CONSTITUTION:A thick photoresist film is deposited on the surface of a semiconductor wafer 12 and serves as a protecting film. If there is no risk of giving damage on the semiconductor wafer 12, plasma characterized by a quick ashing speed is used to ash the film in the begining. When the photoresist film deposited on the surface of the semiconductor wafer 12 becomes thin because of the ashing and the risk for giving the damage on the semiconductor 12 occurs, the plasma ashing is replaced by an ozone ashing. Therefore the high ashing speed can be obtained without giving the damage to the semiconductor wafer 12 by the ashing using the plasma. For example, the treating time of one semiconductor wafer 12 can be made to be an about one minute.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウェハ等の被処理基板に被着されたフ
ォトレジスト膜等を除去するアッシング装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to an ashing device for removing a photoresist film or the like deposited on a substrate to be processed such as a semiconductor wafer.

〈従来の技術) 半導体集積回路の微細パターンの形成は、一般に露光お
よび現像によって形成された右は高分子のフォトレジス
ト膜をマスクとして用い、半導体ウェハ上に形成された
下地膜をエツチングすることにより行なわれる。
(Prior art) Fine patterns for semiconductor integrated circuits are generally formed by etching a base film formed on a semiconductor wafer using a polymer photoresist film formed by exposure and development as a mask. It is done.

したがって、マスクとして用いられたフAトレジスlへ
膜は、エツチング過程を経た後には、半導体ウェハの表
面から除去される必要かある。
Therefore, the photoresist film used as a mask must be removed from the surface of the semiconductor wafer after the etching process.

このような場合のフォトレジスト膜を除去する処理とし
てアッシング処理が行なわれる。
Ashing processing is performed to remove the photoresist film in such cases.

このアッシング処理はレジストの除去、シリコンウェハ
、マスクの洗浄を始めインクの除去、溶剤残留物の除去
等にも使用され、半導体プロセスのドライクリーニング
処理を行なう場合に適するものである。
This ashing process is used to remove resist, clean silicon wafers and masks, as well as remove ink, solvent residue, etc., and is suitable for dry cleaning in semiconductor processes.

フォトレジスト膜除去を行なうアッシング装置としては
、酸素プラズマを用いたものが一肌的である。
As an ashing device for removing a photoresist film, one using oxygen plasma is the most suitable.

酸素プラズマによるフォトレジスト膜のアッシング装置
は、フォトレジスト膜の付いた半導体ウェハを処理室に
置き、処理室内に導入された酸素ガスを高周波の電場に
よりプラズマ化し、発生した酸素原子ラジカルにより有
機物であるフォトレジスト膜を酸化して二鼠化炭素、−
酸化炭素および水に分解して除去する。
Oxygen plasma ashing equipment for photoresist films places a semiconductor wafer with a photoresist film in a processing chamber, turns the oxygen gas introduced into the processing chamber into plasma using a high-frequency electric field, and generates oxygen atomic radicals that remove organic substances. Oxidize the photoresist film to remove carbon diratide, −
Removed by decomposition into carbon oxide and water.

また、紫外線を照射することにより酸素原子ラジカルを
発生させて、バッチ処理でアッシング処理を行なうアッ
シング装置がおる。
There is also an ashing device that performs batch ashing processing by generating oxygen atom radicals by irradiating ultraviolet rays.

第12図はこのような紫外線照射により酸素原子ラジカ
ルを発生させるアッシング装置を示すもので、処理室1
には、多数の半導体ウェハ2が所定間隔をおいて垂直に
配置され、処理室1の上部に設置されている紫外線発光
管3からの紫外線を処理室1の上面に設けられた石英等
の透明な窓4を通して照Q’lL、処理室1に充填され
た酸素を励起してオゾンを発生させる。そしてこのオゾ
ン雰囲気から生じる竣素原子ラジカルを半導体ウエノh
2に作用させてアッシング処理を行なう。
Figure 12 shows an ashing device that generates oxygen atom radicals through ultraviolet irradiation.
A large number of semiconductor wafers 2 are arranged vertically at predetermined intervals, and ultraviolet light from an ultraviolet light emitting tube 3 installed at the top of the processing chamber 1 is transmitted to a transparent material such as quartz installed on the top surface of the processing chamber 1. Light is emitted through the window 4 to excite the oxygen filled in the processing chamber 1 and generate ozone. Then, the silicon atom radicals generated from this ozone atmosphere are
2 to perform ashing processing.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら上記説明の従来のアッシング装置のうら、
酸素プラズマを用いたアッシング装置では、プラズマ中
に存在する電場によって加速されたイオンや電子を半導
体ウェハに照射するため特にフォトレジスト膜が除去さ
れた時点においてこのイオンや電子が直接半導体ウェハ
に照射されるため半導体ウェハに損傷を与えるという問
題がおる。
(Problems to be Solved by the Invention) However, behind the conventional ashing device described above,
In an ashing device that uses oxygen plasma, the semiconductor wafer is irradiated with ions and electrons accelerated by the electric field present in the plasma, so these ions and electrons are directly irradiated onto the semiconductor wafer, especially when the photoresist film is removed. There is a problem in that the semiconductor wafer is damaged because of this.

また、紫外線を用いたアッシング装置では、前記プラズ
マによる10傷を半導体ウェハに与えることはないが、
アッシング速度か50〜150nmz’m I nと遅
く処理に時間がかかるため、例えば大口径の半導体ウェ
ハの処理に適した、半導体ウェハを1枚1枚処理する枚
葉処理が行えないという問題がある。
Furthermore, in an ashing device that uses ultraviolet rays, the semiconductor wafer will not be damaged by the plasma, but
Since the ashing speed is slow at 50 to 150 nm and it takes time to process, there is a problem that it is not possible to perform single-wafer processing in which semiconductor wafers are processed one by one, which is suitable for processing large-diameter semiconductor wafers, for example. .

本発明はかかる従来の事情に対処してなされたもので、
アッシング速度が速く大口径半導体ウェハの枚葉処理等
においても短時間でアッシング処理を行うことができ、
かつ、半導体ウェハへの損傷を軽減したアッシング装置
を提供しようとするるものである。
The present invention has been made in response to such conventional circumstances,
The ashing speed is fast, and ashing can be performed in a short time even in single-wafer processing of large-diameter semiconductor wafers.
Moreover, it is an object of the present invention to provide an ashing device that reduces damage to semiconductor wafers.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) すなわら本発明は、被処理基板の表面に被着された膜を
除去するアッシング装置において、アッシングガスを前
記被処理基板へ向けて流出させる手段と、プラズマ状態
とされたカスを前記被処理基板へ向けて流出させる手段
とを備えたことを特徴とする。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) In other words, the present invention provides an ashing device for removing a film deposited on the surface of a substrate to be processed, which directs ashing gas toward the substrate to be processed. The present invention is characterized in that it includes a means for causing the waste to flow out, and a means for causing the waste in a plasma state to flow toward the substrate to be processed.

(作 用) 本発明のアッシング装置では、オゾンを含有するガス等
のアッシングガスを被処理基板へ向けて流出させる手段
と、酸素プラズマ等のプラズマ状態とされたガスを被処
理基板へ向けて流出させる手段とを備えている。
(Function) The ashing apparatus of the present invention includes a means for causing an ashing gas such as a gas containing ozone to flow out toward the substrate to be processed, and a means for flowing out the gas in a plasma state such as oxygen plasma toward the substrate to be processed. and means to do so.

したがって、例えばアッシング初期にプラズマによるア
ッシングを行ない、アッシング末期にオゾンによるアッ
シングを行なうこと等により、被処理基板に損傷を与え
ることなく、高速で均一なアッシング速度を1ワること
かできる。
Therefore, for example, by performing ashing using plasma at the beginning of ashing and performing ashing using ozone at the end of ashing, a high and uniform ashing speed can be achieved without damaging the substrate to be processed.

(実施例) 以下、本発明のアッシング装置を図面を参照して実施例
により説明する。
(Example) Hereinafter, the ashing device of the present invention will be described by way of example with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例のアッシング装置を示すもの
で、この実施例のアッシング装置では、処理室11内に
は、例えば真空ヂャック等により半導体ウェハ12を吸
着保持する載置台13が配置されており、この載置台1
3は、Jtll熱制御装置14によって制御されるヒー
タ15および′冷却制御装置16によって制御される冷
却水循環配管17を内蔵し、昇降装置18により上下に
移動自在とされている。
FIG. 1 shows an ashing apparatus according to an embodiment of the present invention. In the ashing apparatus of this embodiment, a mounting table 13 for holding a semiconductor wafer 12 by suction using a vacuum jack or the like is disposed in a processing chamber 11. This mounting table 1
3 incorporates a heater 15 controlled by a Jtll heat control device 14 and a cooling water circulation pipe 17 controlled by a cooling control device 16, and is movable up and down by a lifting device 18.

載置台13上方には、円錐形状のコーン部19aと、こ
のコーン部19aの開口部に配置され、第2図にも示す
ように多数の小孔19bを(悄えた拡散板19Gとから
構成されるガス流出部19が配置されており、ガス流出
部19は、冷却装置20からコーン部19aの外側に配
置された配管2Oa内を循環される冷却水等により冷却
されている。
Above the mounting table 13, there is a cone portion 19a having a conical shape, and a diffuser plate 19G with a large number of small holes 19b arranged at the opening of the cone portion 19a (as shown in FIG. 2). A gas outlet portion 19 is disposed, and the gas outlet portion 19 is cooled by cooling water or the like that is circulated from a cooling device 20 through a pipe 2Oa disposed outside the cone portion 19a.

そしてガス流出部19は、気体流路切り換え弁21を介
して、気体流量調節器22および酸素供給源23を備え
たオゾン発生器24と、気体流量調節器245、酸素供
給源26および気体流量調節器27.2次ガス供給源2
8を備えたプラズマ発生器29に接続されている。
The gas outlet section 19 is connected to an ozone generator 24 equipped with a gas flow rate regulator 22 and an oxygen supply source 23, a gas flow rate regulator 245, an oxygen supply source 26, and a gas flow rate regulator via a gas flow path switching valve 21. 27.Secondary gas supply source 2
8 is connected to a plasma generator 29 with 8.

また、ff1l!]2Z11の上部には、気体流量調節
器30を介してパージガス供給源31が接続されており
、下部には、切り換え弁32を介して排気装置33よ3
よび減圧装置34が接続されている。
Also, ff1l! ] A purge gas supply source 31 is connected to the upper part of 2Z11 via a gas flow rate regulator 30, and an exhaust device 33 and 3 are connected to the lower part via a switching valve 32.
and a pressure reducing device 34 are connected.

そして上記構成のこの実施例のアッシング装置では、次
のようにしてアッシングを行なう。
The ashing device of this embodiment having the above configuration performs ashing as follows.

すなわち、まず昇降装置18によって載置台13を下降
させ、カス流出部19との間に図示しないウェハ搬送装
置のアーム等が導入される間隔が設けられ、半導体ウェ
ハ12がこのウェハ搬送装置等により載置台13上に載
置され、吸着保持される。この時、パージガス供給源3
1から供給される例えば窒素カスなどのパージガスが、
気体;々ω調節器30により流徂8調節されて処理室1
1内に供給される。
That is, first, the mounting table 13 is lowered by the lifting device 18, and a gap is provided between it and the scrap outlet 19 for introducing an arm of a wafer transport device (not shown), and the semiconductor wafer 12 is placed on the wafer transport device. It is placed on the mounting table 13 and held by suction. At this time, purge gas supply source 3
For example, a purge gas such as nitrogen gas supplied from 1 is
Gas; the flow rate is adjusted by the ω regulator 30 to the processing chamber 1
Supplied within 1.

この後、昇降装置18によって載置台13を上昇させ、
ガス流出部19の拡散板19Gと、半導体ウェハ12表
面との間隔が例えば0.5〜20ii程度の所定の間隔
に設定される。なおこの場合、カス流出部19を昇降装
置によって上下動させてもよい。
After that, the mounting table 13 is raised by the lifting device 18,
The distance between the diffusion plate 19G of the gas outlet portion 19 and the surface of the semiconductor wafer 12 is set to a predetermined distance of, for example, about 0.5 to 20 ii. In this case, the waste outlet 19 may be moved up and down by a lifting device.

半導体ウェハ12が載置台13上に配置されると、減圧
装置34により処理室11内が減圧され、処理室11内
が所定の圧力となると、気体流路切り換え弁21がプラ
ズマ発生器29側に対して開とされ、酸素供給源26お
よび2次ガス供給源28から供給される酸素ガスおにび
2次ガス例えばS  !H4、ASH3、PH3、B2
  H6、CF4  、SF6 、N20等が、気体流
量調節器25および気体流■調節器27により流量を調
節されて、プラズマ発生器29内に送られ、ここでプラ
ズマ1ヒされて処理室11内の半導体ウェハ12に供給
され、プラズマによるアッシングが行なわれる。この時
、載置台13は、冷却制御装置16から冷却水16環配
管17内を循環される冷却水により冷却されている。
When the semiconductor wafer 12 is placed on the mounting table 13, the pressure inside the processing chamber 11 is reduced by the pressure reducing device 34, and when the inside of the processing chamber 11 reaches a predetermined pressure, the gas flow path switching valve 21 is moved to the plasma generator 29 side. Oxygen gas and secondary gas, such as S! H4, ASH3, PH3, B2
The flow rate of H6, CF4, SF6, N20, etc. is adjusted by the gas flow rate regulator 25 and the gas flow regulator 27, and the gas is sent into the plasma generator 29, where it is blown into plasma and released into the processing chamber 11. The semiconductor wafer 12 is supplied and ashing is performed using plasma. At this time, the mounting table 13 is cooled by the cooling water that is circulated through the cooling water 16 ring pipe 17 from the cooling control device 16.

ここで第3図のグラフにも示すように、例えば30秒乃
至40秒程度の間プラズマによるアッシングが行なわれ
、半導体ウェハ12表面に被着されたフォトレジスト膜
の膜厚か、例えば0.2乃至0.4μm程度となると、
プラズマによるアッシングを終了する。プラズマアッシ
ング終了後パージガス例えば窒素ガスヲ所定期間流して
もよい。この接法のようにしてオゾンによるアッシング
を行なう。
As shown in the graph of FIG. 3, plasma ashing is performed for, for example, about 30 to 40 seconds, and the thickness of the photoresist film deposited on the surface of the semiconductor wafer 12 is, for example, 0.2. When it comes to about 0.4 μm,
Finish ashing with plasma. After the plasma ashing is completed, a purge gas such as nitrogen gas may be flowed for a predetermined period of time. Ashing with ozone is performed using this contact method.

すなわちまず、載置台13内に内蔵されたヒータ15を
加熱制御装置14によって制御することにより、載置台
13の温度を例えば300’C程度に加熱し半導体ウェ
ハ12を300’C程、喰に加熱する。
That is, first, by controlling the heater 15 built in the mounting table 13 by the heating control device 14, the temperature of the mounting table 13 is heated to, for example, about 300'C, and the semiconductor wafer 12 is heated to about 300'C. do.

そして、気体流路切り換え弁21をオゾン発生器24側
に対して開とし、酸素供給源23から供給されるオゾン
を含有する酸素ガスをガス流量調節器22によって流量
が、例えば3〜15 SE/m’+r1(常温常圧換鈴
での流量)程麿となるよう調節し、オゾン発生器24へ
送り、ここでオゾンを発生させて、オゾンを含イ1する
酸素ガスとし、拡散板19Gの多数の小孔19bから半
導体ウェハ12に向けて流出させる。この時、切り換え
弁32ば、排気装置33側に対して開とされ、排気装置
33により例えば処理室11内の気体圧力か700〜2
゜0TOrr程度の範囲になるよう排気される。
Then, the gas flow path switching valve 21 is opened to the ozone generator 24 side, and the oxygen gas containing ozone supplied from the oxygen supply source 23 is adjusted to a flow rate of, for example, 3 to 15 SE/ m'+r1 (flow rate at normal temperature and normal pressure) is adjusted so that the flow rate is approximately equal to m'+r1 (flow rate at normal temperature and normal pressure), and sent to the ozone generator 24, where ozone is generated to become oxygen gas containing ozone. It is made to flow out toward the semiconductor wafer 12 through a large number of small holes 19b. At this time, the switching valve 32 is opened to the exhaust device 33 side, and the gas pressure in the processing chamber 11 is increased by the exhaust device 33 to, for example, 700 to 2.
It is exhausted to a range of about 0 TOrr.

この時、ガス流出部1つの多数の小孔19bがら流出し
たガスは、拡散板19Cと半導1本ウェハ12との間で
、半導体ウェハ12の中央部から周辺部へ向かうガスの
流れを形成する。
At this time, the gas flowing out from the numerous small holes 19b of one gas outlet forms a gas flow from the center of the semiconductor wafer 12 to the periphery between the diffusion plate 19C and the single semiconductor wafer 12. do.

ここでオゾンは、加熱された半導体ウェハ12j3よび
その周囲の雰囲気により加熱され、分解されて、酸素原
子ラジカルが多量に発生する。そして、この酸素原子ラ
ジカルが半導体ウェハ12の表面に被るされたフォトレ
ジスト摸と反応し、アッシングか行われ、フォトレジス
ト摸か除去される。
Here, ozone is heated and decomposed by the heated semiconductor wafer 12j3 and the surrounding atmosphere, and a large amount of oxygen atomic radicals are generated. Then, these oxygen atomic radicals react with the photoresist pattern covering the surface of the semiconductor wafer 12, ashing is performed, and the photoresist pattern is removed.

なお、オゾン発生器24て生成されたオゾンの寿命は、
温度に依存し、縦軸をオゾン分解半減期、横軸をオゾン
を含有するガスの温度とした第4図のグラフに示すよう
に温度が高くなるとオゾンの分解は促進され、その寿命
は急激に短くなる。そこで、オゾンが分解して発生する
酸素原子ラジカルによる酸化反応を利用して行なうアッ
シング処理中にあける半導体ウェハ12の温度は、15
0°C乃至500’C程度に加熱することが好ましい。
The lifespan of ozone generated by the ozone generator 24 is
As shown in the graph of Figure 4, where the vertical axis is the half-life of ozone decomposition and the horizontal axis is the temperature of the gas containing ozone, as the temperature increases, the decomposition of ozone is accelerated and its lifespan rapidly shortens. Becomes shorter. Therefore, the temperature of the semiconductor wafer 12 during the ashing process, which is performed using the oxidation reaction by oxygen atom radicals generated by decomposition of ozone, is 15.
It is preferable to heat to about 0°C to 500'C.

このためこの実施例では、半導体ウェハ12の温度は3
00℃程度とされている。一方、ガス流出部19の開口
の温度は25°C程度以下とすることが好ましいので、
ガス流出部19は冷却装置20および配管20aにより
、25°C以下に冷却されている。
Therefore, in this embodiment, the temperature of the semiconductor wafer 12 is 3.
It is said to be around 00℃. On the other hand, it is preferable that the temperature of the opening of the gas outlet part 19 is about 25°C or less.
The gas outlet portion 19 is cooled to 25° C. or lower by a cooling device 20 and piping 20a.

上記説明のこの実施例のアッシング装置では、前述の第
3図のグラフにも示したように、アッシング初期におい
て、半導体ウェハ12の表面に被着されたフォトレジス
ト膜の膜厚が厚く、このフォトレジスト膜が保護膜とな
り半導体ウェハ12に損傷を与える危険性のない時には
、アッシング速度の速いプラズマを用いたアッシングを
行ない、アッシング処理が進み、半導体ウェハ12の表
面に被着されたフォトレジスト膜の膜厚が薄くなり、半
導体ウェハ12に損傷を与える危険性が生じる程度とな
ると、オゾンを用いたアッシングに切り換えてアッシン
グを行なう。したがってプラズマによるアッシングによ
り半導体ウェハ12に損傷を与えることなく、高速なア
ッシング速度を得ることができ、例えば1枚の半導体ウ
ェハ12の処理に要する時間を1分程度とすることがで
きる。
In the ashing apparatus of this embodiment described above, as shown in the graph of FIG. When the resist film serves as a protective film and there is no risk of damaging the semiconductor wafer 12, ashing is performed using plasma with a high ashing rate, and the ashing process progresses to remove the photoresist film adhered to the surface of the semiconductor wafer 12. When the film thickness becomes thin enough to pose a risk of damaging the semiconductor wafer 12, ashing is performed by switching to ashing using ozone. Therefore, a high ashing speed can be obtained without damaging the semiconductor wafer 12 due to plasma ashing, and for example, the time required to process one semiconductor wafer 12 can be reduced to about 1 minute.

なお、この実施例では、処理室11内の載置台13上に
配置された半導体ウェハ12に対して気体流路切り換え
弁21によりプラズマ発生器2つとオゾン発生器24と
を切り換えて用いるよう構成したが、例えば第5図に示
すように、処理室11をプラズマアッシングを行なう処
理u11aとオゾンアッシングを行なう2!l!理至1
1 bとに分割し、この間をゲート40aおよび搬送用
アーム4ob等から構成される搬送系40により接続し
て半導体ウェハ12を移送するよう溝成し、まず処理室
11a内でプラズマアッシングを行ない、次にIf&送
系40により半導体ウェハ12を処理室11bへ移送し
、処理室11b内でオゾンアッシングを行なうよう構成
してもよい。なお同図において前)ホの第1図に示すア
ッシング装置と同一部分には、同一符号を付しておる。
In this embodiment, two plasma generators and an ozone generator 24 are switched and used for the semiconductor wafer 12 placed on the mounting table 13 in the processing chamber 11 using the gas flow path switching valve 21. However, as shown in FIG. 5, for example, a process u11a in which the process chamber 11 is subjected to plasma ashing and an ozone ashing process 2! l! Reason 1
1 and 1b, and a groove is formed between them to connect the semiconductor wafer 12 by a transfer system 40 consisting of a gate 40a, a transfer arm 4ob, etc., and to transfer the semiconductor wafer 12. First, plasma ashing is performed in the processing chamber 11a. Next, the semiconductor wafer 12 may be transferred to the processing chamber 11b by the If&transfer system 40, and ozone ashing may be performed within the processing chamber 11b. In this figure, the same parts as those of the ashing device shown in FIG.

なあ、これら実施例ではガス流出部19を、円錐形状の
コーン部19aの開口部に多数の小孔19bを備えた拡
散板19cを配置して構成したが、本発明は係る実施例
に限定されるものではなく、例えば拡散板19cは、第
6図に示すように複数の同心円状のスリン]〜50bを
煤えた拡散板50Cとしてもよく、第7図に示すように
金属あるいはセラミック等の焼結体からなる拡散板51
c、第8図に示すように直線状のスリット52bを備え
た拡散板52c、第9図に示すように大きさの異なる小
孔53bを配置された拡散板53c、第10図に示すよ
うに渦巻状のスリット54bを備えた拡散板54c等と
してもよい。また、円錐形状のコーン部19aは、第1
1図に示すように円柱形状部558等としても、どのよ
うな形状としてもよいことは、勿論である。
Incidentally, in these embodiments, the gas outflow section 19 was constructed by arranging a diffusion plate 19c having a large number of small holes 19b at the opening of a conical cone section 19a, but the present invention is limited to such embodiments. For example, the diffuser plate 19c may be a diffuser plate 50C made of a plurality of concentric circles [50b] as shown in FIG. Diffusion plate 51 made of solids
c, a diffusion plate 52c provided with linear slits 52b as shown in FIG. 8, a diffusion plate 53c provided with small holes 53b of different sizes as shown in FIG. 9, and a diffusion plate 53c provided with small holes 53b of different sizes as shown in FIG. A diffuser plate 54c having a spiral slit 54b may be used. Further, the conical cone portion 19a has a first
It goes without saying that the cylindrical portion 558 or the like as shown in FIG. 1 may have any other shape.

ざらに、この実施例ではアッシング対象としてフォトレ
ジスト膜の場合について説明したが、インクの除去を初
め溶剤の除去等各種のものに適用でき、酸化して除去で
きるものならばアッシング対象はどのようなものでもよ
く、オゾンを含有するガスは酸素に限らずオゾンと反応
しないようなガス、特にN2、Ar、Ne等のような不
活性なガスにオゾンを含有させて使用することができる
Roughly speaking, this example describes the case of a photoresist film as an ashing target, but it can be applied to various things such as ink removal and solvent removal, and any ashing target can be used as long as it can be removed by oxidation. The ozone-containing gas is not limited to oxygen; any gas that does not react with ozone, particularly an inert gas such as N2, Ar, Ne, etc., containing ozone can be used.

[発明の効果] 上述のように本発明のアッシング装置では、アッシング
速度が速く大口径半導体ウェハの枚葉処理等においても
短時間でアッシング処理を行うことができ、かつ、半導
体ウェハに損傷を与えることがない。
[Effects of the Invention] As described above, the ashing apparatus of the present invention has a high ashing speed, can perform ashing processing in a short time even in single-wafer processing of large-diameter semiconductor wafers, and does not cause damage to semiconductor wafers. Never.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例のアッシング装置を示す構成
図、第2図は第1図の要部を示す下面図、第3図は第1
図のアッシング装置の処理時間の例を示すグラフ、第4
図はオゾンの半減期と温度の関係を示すグラフ、第5図
は他の実施例の7ツシング装置を示す構成図、第6図〜
第10図は第2図の変形例を示す下面図、第11図はガ
ス流出部の変形例を示す縦断面図、第12図は従来のア
ッシング装置を示す構成図である。 12・・・・・・半導体ウェハ、19・・・・・・ガス
流出部、24・・・・・・オゾン発生器、29・・・・
・・プラズマ発生器。 出願人     東京エレクトロン株式会社代理人 弁
理士  須 山 佐 − 第1図 第2図 アッシング装置 (SeC) 第3図 第4図 第5図 第9図 第10図 第11図
FIG. 1 is a configuration diagram showing an ashing device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view showing the main parts of FIG. 1, and FIG.
Graph showing an example of processing time of the ashing device shown in Fig. 4.
The figure is a graph showing the relationship between the half-life of ozone and temperature.
FIG. 10 is a bottom view showing a modification of FIG. 2, FIG. 11 is a longitudinal sectional view showing a modification of the gas outlet, and FIG. 12 is a configuration diagram showing a conventional ashing device. 12...Semiconductor wafer, 19...Gas outlet, 24...Ozone generator, 29...
...Plasma generator. Applicant Tokyo Electron Co., Ltd. Agent Patent Attorney Satoshi Suyama - Figure 1 Figure 2 Ashing device (SeC) Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 9 Figure 10 Figure 11

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)被処理基板の表面に被着された膜を除去するアッ
シング装置において、アッシングガスを前記被処理基板
へ向けて流出させる手段と、プラズマ状態とされたガス
を前記被処理基板へ向けて流出させる手段とを備えたこ
とを特徴とするアッシング装置。
(1) In an ashing device for removing a film deposited on the surface of a substrate to be processed, there is provided a means for causing an ashing gas to flow toward the substrate to be processed, and a means for directing the gas in a plasma state to the substrate to be processed. An ashing device characterized by comprising a means for draining water.
(2)アッシングガスは、オゾンを含有するガスである
特許請求の範囲第1項記載のアッシング装置。
(2) The ashing device according to claim 1, wherein the ashing gas is a gas containing ozone.
(3)プラズマ状態とされたガスは、酸素を含むガスで
ある特許請求の範囲第1項記載のアッシング装置。
(3) The ashing device according to claim 1, wherein the gas brought into a plasma state is a gas containing oxygen.
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